JP2009258504A - Multi-gradation mask blank, method of manufacturing multi-gradation photomask, and multi-gradation photomask - Google Patents

Multi-gradation mask blank, method of manufacturing multi-gradation photomask, and multi-gradation photomask Download PDF

Info

Publication number
JP2009258504A
JP2009258504A JP2008109316A JP2008109316A JP2009258504A JP 2009258504 A JP2009258504 A JP 2009258504A JP 2008109316 A JP2008109316 A JP 2008109316A JP 2008109316 A JP2008109316 A JP 2008109316A JP 2009258504 A JP2009258504 A JP 2009258504A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
pattern
shielding film
light
light shielding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008109316A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Ogata
一雄 緒方
Tooru Wakamatsu
徹 若松
Tadashi Sugaya
正 菅谷
Masahiro Mimasaka
昌宏 美作
Shoji Hashimoto
昭次 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK ELECTRONICS KK
SK Electronics Co Ltd
Original Assignee
SK ELECTRONICS KK
SK Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SK ELECTRONICS KK, SK Electronics Co Ltd filed Critical SK ELECTRONICS KK
Priority to JP2008109316A priority Critical patent/JP2009258504A/en
Publication of JP2009258504A publication Critical patent/JP2009258504A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve shape precision of a light shield film and a translucent film of a top-half type multi-gradation photomask, and to simplify film constitution. <P>SOLUTION: The multi-gradation photomask 27 is formed on a transparent substrate 21, and includes a translucent portion A which transmits part of exposure light, a light shield portion B which blocks the whole of the exposure light, and a transparent portion C which transmits the whole of the exposure light. Then the light shield portion B has patterns 23a and 24a of light shield films of a laminate structure wherein the patterns of at least two light shield films are laminated. The pattern 24a of the upper-layer light shield film is made of titanium or metal containing titanium, and the pattern 23a of the lower-layer light shield film is made of iron or metal containing iron. The pattern 22a of a translucent film is provided at a part of the transparent substrate 21 and the upper surface of the pattern of the upper-layer light shield film 24. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、トップハーフ型の多階調フォトマスク等に関し、特に、遮光膜の材質及び構造に特徴を有する多階調フォトマスク、及び多階調マスクブランクス等に関するものである。   The present invention relates to a top-half type multi-tone photomask and the like, and more particularly to a multi-tone photomask and multi-tone mask blanks that are characterized by the material and structure of a light shielding film.

「多階調フォトマスク」は、一般に、半透光膜の透過率に応じた量の光を透過させる半透光部Ａと、遮光膜によって光を全く透過させない遮光部Ｂと、透明基板が露出した透光部Ｃとで構成される。   The “multi-tone photomask” generally includes a semi-transparent portion A that transmits an amount of light corresponding to the transmittance of the semi-transparent film, a light-shielding portion B that does not transmit light at all by the light-shielding film, and a transparent substrate. It is composed of an exposed translucent part C.

多階調フォトマスク及びこれを製造するための多階調マスクブランクスは、透明基板上に形成される遮光膜と半透光膜の積層構成によって、「ボトムハーフ型」と「トップハーフ型」とに大別される。このうち、トップハーフ型とは、半透光膜が遮光膜の上側に設けられる構造であり、透明基板上に、「遮光膜」が堆積された構造を有するマスクブランクスを出発材料として、２度のフォトリソグラフィ工程により、製造される。その製造工程においては、感光性樹脂膜をエッチングパターンとして、遮光膜及び半透光膜の層をそれぞれ所望のパターンにエッチングし、遮光部、半透光部及び透光部を順次形成する。   A multi-tone photomask and a multi-tone mask blank for manufacturing the multi-tone photomask are classified into a “bottom half type” and a “top half type” depending on a laminated structure of a light shielding film and a semi-transparent film formed on a transparent substrate. It is divided roughly into. Among them, the top half type is a structure in which a semi-transparent film is provided on the upper side of the light shielding film, and a mask blank having a structure in which a “light shielding film” is deposited on a transparent substrate is used as a starting material twice. It is manufactured by the photolithography process. In the manufacturing process, using the photosensitive resin film as an etching pattern, the light-shielding film and the semi-transparent film are etched into desired patterns, respectively, so that the light-shielding part, the semi-transparent part and the translucent part are sequentially formed.

従来のトップハーフ型の多階調マスクブランクスを用いた多階調フォトマスクの製造方法は、フォトリソグラフィ工程によってパターニングされた感光性樹脂膜をエッチングマスクとして、まず遮光膜をエッチングし、次いで、感光性樹脂膜を除去した後、半透光膜を堆積し、再びフォトリソグラフィ工程によって半透光膜をパターニングすることによって形成されていた（特許文献１、２等参照）。   A conventional multi-tone photomask manufacturing method using a top half-type multi-tone mask blank is a method in which a light-shielding film is first etched using a photosensitive resin film patterned by a photolithography process as an etching mask, and then photosensitive. After removing the conductive resin film, a semi-transparent film is deposited, and the semi-transparent film is patterned again by a photolithography process (see Patent Documents 1 and 2, etc.).

図５は、従来のトップハーフ型の多階調フォトマスクの構造及び使用態様を示す図である。（従来の）多階調フォトマスク１２７は、半透光部Ａと、遮光部Ｂと、透光部Ｃと、を含み、透明基板１２１上に、半透光膜のパターン１２２ａと、遮光膜のパターン１２３ａが設けられている。   FIG. 5 is a diagram showing the structure and usage of a conventional top half type multi-tone photomask. The (conventional) multi-tone photomask 127 includes a semi-transparent portion A, a light-shielding portion B, and a light-transmitting portion C. On the transparent substrate 121, a semi-transparent film pattern 122a and a light-shielding film Pattern 123a is provided.

このように、従来のトップハーフ型の多階調フォトマスク１２７は、遮光膜のパターンを形成した後で半透光膜を形成するため、遮光膜のパターン１２３ａの上部には、半透光膜のパターン１２２ａが残置する構造であった。また、遮光膜と半透光膜の代表的な組み合わせは、例えばクロム膜と酸化クロム膜のように、同一金属元素を含むものが用いられることが一般的であった。   As described above, the conventional top half type multi-tone photomask 127 forms a semi-transparent film after forming the pattern of the light-shielding film. The pattern 122a is left behind. Further, as a typical combination of the light shielding film and the semi-translucent film, a film containing the same metal element such as a chromium film and a chromium oxide film is generally used.

ところで、遮光膜と半透光膜にクロム膜と酸化クロム膜が用いられた場合、クロム膜は相対的に高い反射率を有する一方、酸化クロム膜は相対的に低い反射率を有するという特徴を備えている。   By the way, when a chromium film and a chromium oxide film are used for the light-shielding film and the semi-transparent film, the chromium film has a relatively high reflectance while the chromium oxide film has a relatively low reflectance. I have.

そのため、従来の多階調フォトマスク１２７に強度Ｉ１の露光光を入射した時、多階調フォトマスク１２７は、被露光対象となる基板１２８側の表面から強度Ｉ２の反射光を受ける。その場合、多階調フォトマスク１２７の表面で再度反射が起こり、強度Ｉ３の再反射光が基板１２８側に戻ることになる。 Therefore, when exposure light with intensity I 1 is incident on the conventional multi-tone photomask 127, the multi-tone photomask 127 receives reflected light with intensity I 2 from the surface of the substrate 128 to be exposed. In that case, reflection occurs again on the surface of the multi-tone photomask 127, and the re-reflected light having the intensity I 3 returns to the substrate 128 side.

もし、再反射光の強度Ｉ３が大きいと、被露光対象となる基板１２８側の表面には感光性樹脂膜が塗布されているため、露光不良が起こることになる。しかし、図５に示すように、反射率の高い遮光膜のパターン１２３ａの表面に反射率の低い半透光膜１２２ａが設けられていると、最表面の半透光膜のパターン１２２ａによって再反射光の強度Ｉ３を小さくすることができ、すなわち、式（１）により表される関係が成立する。 If the intensity I 3 of the re-reflected light is large, the surface of the substrate 128 side to be exposed workpiece for the photosensitive resin film is applied, so that exposure failure occurs. However, as shown in FIG. 5, when the semi-transparent film 122a having a low reflectance is provided on the surface of the light-shielding film pattern 123a having a high reflectance, the light is re-reflected by the outermost semi-transparent film pattern 122a. The light intensity I 3 can be reduced, that is, the relationship represented by the equation (1) is established.

Ｉ１＞Ｉ２ ≫Ｉ３ ・・・（１） I 1 > I 2 >> I 3 (1)

このように、トップハーフ型の多階調フォトマスクでは、最表面の半透光膜の作用により、再反射光の強度Ｉ３が小さく抑えられることによって、本来的に多階調フォトマスク表面での再反射に起因する露光不良を大幅に軽減することができる。 Thus, in the top half type multi-tone photomask, the intensity of the re-reflected light I 3 is suppressed by the action of the semi-transparent film on the outermost surface. It is possible to significantly reduce the exposure failure caused by re-reflection of the light.

特開２００６−１８００１号公報JP 2006-18001 A 特開２００７−２６４５１６号公報JP 2007-264516 A

従来のトップハーフ型の多階調フォトマスクの製造方法には、以下に示す２つの問題があった。１つは、各層をエッチングする際に、感光性樹脂膜をエッチングマスクとして用いるため、エッチング中に感光性樹脂膜のパターンエッジが変形して、遮光膜のパターンや半透光膜のパターンに、本来望まれるパターン形状とは異なる「パターン不良」が発生しやすく、所望の形状精度が得られにくいという問題である。   The conventional top half type multi-tone photomask manufacturing method has the following two problems. One is to use the photosensitive resin film as an etching mask when etching each layer, so that the pattern edge of the photosensitive resin film is deformed during the etching, and the pattern of the light shielding film or the semi-transparent film is This is a problem that a “pattern defect” that is different from the originally desired pattern shape is likely to occur, and it is difficult to obtain a desired shape accuracy.

他の１つは、トップハーフ型の多階調フォトマスクでは、遮光膜の上層に半透光膜が形成され、この膜が反射防止膜としての機能を有しているが、従来以上に低反射率の多階調フォトマスクが必要とされ、従来の半透光膜では反射防止効果が十分でないという問題である。   The other is a half-transparent film formed on the light shielding film in the top half type multi-tone photomask, and this film functions as an antireflection film. A multi-tone photomask with reflectivity is required, and the conventional semi-transparent film has a problem that the antireflection effect is not sufficient.

すなわち、従来のトップハーフ型の多階調マスクブランクスでは、パターンエッジ形状不良が起こりやすいという基本的な問題に加えて、遮光膜の上層に残置される低反射率の半透光膜が十分に反射防止機能を有していないという問題が起こりつつある。   That is, in the conventional top half type multi-tone mask blanks, in addition to the basic problem that pattern edge shape defects are likely to occur, a low-reflectance semi-transparent film remaining on the upper layer of the light shielding film is sufficient. The problem of not having an antireflection function is occurring.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、半透光膜の透過率に応じた量の光を透過させる半透光部と、遮光膜によって光を全く透過させない遮光部と、透明基板が露出した透光部とで構成される多階調フォトマスクにおいて、遮光膜及び半透光膜のパターン鮮鋭化を図り、さらに、従来よりも低反射率の多階調フォトマスクとその製造方法及びマスクブランクスを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, a semi-transparent portion that transmits an amount of light corresponding to the transmittance of the semi-transparent film, a light-shielding portion that does not transmit light at all by the light-shielding film, and a transparent substrate In a multi-tone photomask composed of a light-transmitting portion where light is exposed, the pattern of the light-shielding film and the semi-light-transmitting film is sharpened, and the multi-tone photomask having a lower reflectance than the conventional one and a manufacturing method thereof And it aims at providing mask blanks.

本発明に係る多階調マスクブランクス２０は、透明基板２１と、前記透明基板上に形成され、露光光に対して遮光性を具備する遮光膜２３、２４とを含み、
前記遮光膜は、２層の遮光膜が上下に積層された積層構造を有し、
上層遮光膜２４の材質が、チタン又はチタンを含む金属で構成されると共に、
下層遮光膜２３の材質が、鉄又は鉄を含む金属で構成されることを特徴とする。 A multi-tone mask blank 20 according to the present invention includes a transparent substrate 21 and light shielding films 23 and 24 formed on the transparent substrate and having a light shielding property against exposure light,
The light shielding film has a laminated structure in which two layers of light shielding films are laminated vertically.
The material of the upper light shielding film 24 is made of titanium or a metal containing titanium,
The material of the lower light shielding film 23 is composed of iron or a metal containing iron.

上記構成では、チタンと鉄の積層膜は、露光光に対して高い遮光性を有すると共に、チタンと鉄とは異なるエッチング特性を有するため、高いエッチング選択性を有する。さらに、上層遮光膜であるチタンの反射率は、銀、アルミニウム、クロムなど他の金属と比較して低いため、それ自体が反射防止膜としての機能を有する。このため、チタン又はチタンを含む金属を上層遮光膜とすることにより、上層遮光膜の更に上層に設けられる半透光膜の表面の、反射防止効果がより高められる。   In the above configuration, the laminated film of titanium and iron has a high light-shielding property against exposure light, and has an etching property different from that of titanium and iron, and thus has a high etching selectivity. Furthermore, since the reflectance of titanium, which is the upper light-shielding film, is lower than that of other metals such as silver, aluminum, and chromium, it itself functions as an antireflection film. For this reason, by using titanium or a metal containing titanium as the upper light-shielding film, the antireflection effect on the surface of the semi-transparent film provided on the upper layer of the upper light-shielding film is further enhanced.

なお、上層遮光膜の表面に酸化皮膜が形成されていてもよい。酸化皮膜は自然酸化により形成されるものであるが、チタンの自然酸化膜は露光光に対し十分な透過性があり、しかも極めて膜厚も薄いため、遮光性に悪影響を与えないだけでなく、表面に親水性を付与するという好ましい作用をもたらす。したがって、成膜後の洗浄工程やフォトレジスト塗布工程において、表面濡れ性が向上し、表面欠陥の発生を低減することができる。   An oxide film may be formed on the surface of the upper light shielding film. Although the oxide film is formed by natural oxidation, the natural oxide film of titanium is sufficiently transmissive to exposure light, and because it is extremely thin, it not only has an adverse effect on light shielding properties, This provides a preferable effect of imparting hydrophilicity to the surface. Therefore, surface wettability is improved in the cleaning process and the photoresist coating process after film formation, and the occurrence of surface defects can be reduced.

本発明に係る多階調フォトマスクの製造方法は、
上記の多階調マスクブランクスの表面に第１の感光性樹脂膜２５を塗布する工程と、前記第１の感光性樹脂膜に対して第１のパターンを露光する工程と、前記第１の感光性樹脂膜を現像して第１の感光性樹脂膜のパターン２５ａを形成する工程と、前記第１の感光性樹脂膜のパターンをエッチングマスクとして前記上層遮光膜をエッチングして上層遮光膜のパターン２４ａを形成する工程と、前記上層遮光膜のパターンをエッチングマスクとして前記下層遮光膜をエッチングして下層遮光膜のパターン２３ａを形成する工程と、前記第１の感光性樹脂膜のパターンを除去する工程とを含む遮光膜のパターニング工程と、
前記遮光膜のパターニング工程の後、遮光膜のパターン２４ａ、２３ａを含む前記透明基板の表面全体に半透光膜２２を堆積する工程と、
前記透明基板の表面に第２の感光性樹脂膜２６を塗布する工程と、前記第２の感光性樹脂膜に対して第２のパターンを露光する工程と、前記第２の感光性樹脂膜を現像して第２の感光性樹脂膜のパターン２６ａを形成する工程と、前記第２の感光性樹脂膜のパターンをエッチングマスクとして前記半透光膜をエッチングして半透光膜のパターン２２ａを形成する工程と、前記第２の感光性樹脂膜のパターンを除去する工程とを含む半透光膜のパターニング工程と、
を含むことを特徴とする。 A manufacturing method of a multi-tone photomask according to the present invention includes:
A step of applying a first photosensitive resin film 25 to the surface of the multi-tone mask blank, a step of exposing a first pattern to the first photosensitive resin film, and the first photosensitivity. A step of developing the photosensitive resin film to form a pattern 25a of the first photosensitive resin film, and a pattern of the upper light shielding film by etching the upper light shielding film using the pattern of the first photosensitive resin film as an etching mask. 24a, forming the lower light-shielding film pattern 23a by etching the lower light-shielding film using the upper light-shielding film pattern as an etching mask, and removing the first photosensitive resin film pattern. A light shielding film patterning step including a step,
A step of depositing a semi-transparent film 22 over the entire surface of the transparent substrate including the light shielding film patterns 24a and 23a after the light shielding film patterning step;
Applying a second photosensitive resin film 26 to the surface of the transparent substrate, exposing a second pattern to the second photosensitive resin film, and applying the second photosensitive resin film to the surface of the transparent substrate. Developing a second photosensitive resin film pattern 26a by development, and etching the semi-transparent film using the second photosensitive resin film pattern as an etching mask to form a semi-transparent film pattern 22a A semi-transparent film patterning step including a forming step and a step of removing the pattern of the second photosensitive resin film;
It is characterized by including.

上記の製造方法によると、下層遮光膜のパターンを形成する場合には、所要のフォトレジストパターンに加えて上層遮光膜が対エッチングパターンとして作用して下層遮光膜がエッチングされるため、下層遮光膜のパターンのエッジがくっきりと形成され、パターン不良が発生しにくくなる。また、この構造では、上層遮光膜のパターンが、それ自体で反射防止膜としての機能を有している。これは、上層遮光膜であるチタンの反射率が、銀、アルミニウム、クロムなど他の金属と比較して低いためである。このため、チタン又はチタンを含む金属を、上層遮光膜とすることにより、上層遮光膜の表面に設けられる低反射率の半透光膜による反射防止効果がより高められる。   According to the above manufacturing method, when forming the pattern of the lower light-shielding film, the lower light-shielding film is etched by the upper light-shielding film acting as an etching pattern in addition to the required photoresist pattern. The pattern edge is clearly formed, and pattern defects are less likely to occur. In this structure, the pattern of the upper light shielding film itself has a function as an antireflection film. This is because the reflectance of titanium, which is the upper light shielding film, is lower than that of other metals such as silver, aluminum, and chromium. For this reason, by using titanium or a metal containing titanium as the upper light-shielding film, the antireflection effect of the low-reflectance semi-transparent film provided on the surface of the upper light-shielding film is further enhanced.

本発明に係る多階調フォトマスク２７は、
透明基板２１上に、露光光の一部を透過させる半透光部Ａ、露光光の全部を遮光する遮光部Ｂと、露光光の全部を透過させる透光部Ｃとを含み、
前記遮光部は、少なくとも２層の遮光膜のパターン２３ａ，２４ａが上下に積層された積層構造による遮光膜のパターンを有し、
上層遮光膜のパターン２４ａの材質は、チタン又はチタンを含む金属で構成されると共に、
下層遮光膜のパターン２３ａの材質は、鉄又は鉄を含む金属で構成され、
前記透明基板の一部及び前記上層遮光膜のパターンの表面に、半透光膜のパターン２２ａが設けられていることを特徴とする。 The multi-tone photomask 27 according to the present invention includes
The transparent substrate 21 includes a semi-translucent portion A that transmits part of the exposure light, a light-shielding portion B that blocks all of the exposure light, and a light-transmitting portion C that transmits all of the exposure light.
The light-shielding portion has a light-shielding film pattern having a laminated structure in which at least two layers of light-shielding film patterns 23a and 24a are laminated vertically.
The material of the pattern 24a of the upper light shielding film is made of titanium or a metal containing titanium,
The material of the pattern 23a of the lower light shielding film is composed of iron or a metal containing iron,
A semi-transparent film pattern 22a is provided on a part of the transparent substrate and the surface of the upper light shielding film pattern.

前記半透光膜のパターン２２ａの材質は、例えば、クロム又は、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化クロムその他のクロムを含む金属化合物など上層遮光膜との間にエッチング選択比を大きくとることができるもので構成されることが好ましい。   For example, the material of the pattern 22a of the semi-transparent film can have a high etching selectivity with respect to the upper light-shielding film such as chromium or chromium oxide, chromium nitride, chromium oxynitride or other metal compounds containing chromium. It is preferable that it is comprised.

前記遮光膜の膜厚は、上層遮光膜と下層遮光膜の単独では十分な遮光性を有しない膜厚であっても、上下層を重ねることによって露光光に対する遮光率が必要な値を示すものであればよい。   The film thickness of the light-shielding film is such that the upper and lower light-shielding films alone do not have sufficient light-shielding properties, but the upper and lower layers are stacked to show a value that requires a light-shielding rate for exposure light. If it is.

本発明に係る多階調マスクブランクスにより得られる多階調フォトマスクは、下層遮光膜のパターンのエッジがくっきりと形成され、パターン不良が発生しにくい。また、反射防止膜としての機能を有する半透光膜の下層に、低反射率の遮光膜が設けられているため、多階調フォトマスク全体として、反射率を十分に小さくすることができる。   In the multi-tone photomask obtained by the multi-tone mask blank according to the present invention, the pattern edge of the lower light-shielding film is clearly formed, and pattern defects are unlikely to occur. In addition, since the low-reflectance light-shielding film is provided below the semi-transparent film having a function as an antireflection film, the reflectance of the multi-tone photomask as a whole can be sufficiently reduced.

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る多階調マスクブランクスの概略断面図である。多階調マスクブランクス２０は、透明基板２１上に、露光光に対して遮光性を具備する上下２層の遮光膜を順次堆積した積層構造を有する。図１に示すように、遮光膜は、下層遮光膜２３と、上層遮光膜２４とからなる積層構造を有している。 (First embodiment)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a multi-tone mask blank according to the first embodiment of the present invention. The multi-tone mask blank 20 has a laminated structure in which two upper and lower light shielding films having light shielding properties against exposure light are sequentially deposited on a transparent substrate 21. As shown in FIG. 1, the light shielding film has a laminated structure including a lower light shielding film 23 and an upper light shielding film 24.

遮光膜を構成する下層遮光膜２３の材質は、例えば、厚さ４０ｎｍの鉄（Ｆｅ）であり、上層遮光膜２４は、例えば、厚さ４０ｎｍのチタン（Ｔｉ）である。チタン及び鉄は、いずれもスパッタリング法等の既知の方法により形成することができるが、成膜方法は特に限定されない。   The material of the lower light shielding film 23 constituting the light shielding film is, for example, iron (Fe) having a thickness of 40 nm, and the upper light shielding film 24 is, for example, titanium (Ti) having a thickness of 40 nm. Titanium and iron can both be formed by a known method such as a sputtering method, but the film forming method is not particularly limited.

また、上層遮光膜２４の材質は、チタンに代えてチタンを主成分とする合金等（以下、チタンを含めて「チタン系金属」という。）であってもよい。また、下層遮光膜２２の材質は、鉄に代えて鉄を主成分とする合金等（以下、鉄を含めて「鉄系金属」という。）であってもよい。   Further, the material of the upper light shielding film 24 may be an alloy containing titanium as a main component instead of titanium (hereinafter referred to as “titanium-based metal” including titanium). The material of the lower light shielding film 22 may be an alloy containing iron as a main component instead of iron (hereinafter referred to as “iron-based metal” including iron).

第１の実施形態に係る多階調マスクブランクス２０は、上層遮光膜２４に反射率の低いチタン系金属膜が用いられているので、上層遮光膜自体が反射を防止することができる。   Since the multi-tone mask blank 20 according to the first embodiment uses a titanium-based metal film having a low reflectance for the upper light shielding film 24, the upper light shielding film itself can prevent reflection.

多階調マスクブランクス２０を出発材料として最終的に製造される多階調フォトマスクの構造は、上層遮光膜２４の更に上層に半透光膜が設けられた状態となり、最上層の半透光膜の表面が反射防止効果を有するが、上層遮光膜２４と半透光膜の積層構造によって、反射防止効果が高められ、多階調フォトマスク全体として従来よりも低反射率を実現することができる。   The structure of the multi-tone photomask that is finally manufactured using the multi-tone mask blanks 20 is a state in which a semi-translucent film is provided on the upper layer of the upper light-shielding film 24 and the semi-transparent film of the uppermost layer is formed. Although the surface of the film has an antireflection effect, the antireflection effect is enhanced by the laminated structure of the upper light shielding film 24 and the semi-transparent film, and the multi-tone photomask as a whole can realize a lower reflectance than the conventional one. it can.

なお、上層遮光膜２４の材質は、チタン系金属であればチタンに限らない。また、下層遮光膜２２の材質は、鉄系金属であれば鉄に限らない。   The material of the upper light shielding film 24 is not limited to titanium as long as it is a titanium-based metal. The material of the lower light shielding film 22 is not limited to iron as long as it is an iron-based metal.

（第２の実施形態）
図２（ａ）〜（ｄ）、図３（ｅ）〜（ｈ）は、第１の実施形態に係る多階調マスクブランクス（図１）を用いた多階調フォトマスクの製造方法を示す各工程の概略断面図である。このうち、図２に示す各工程は、多階調フォトマスクにおける遮光膜のパターン形成工程（これを「遮光膜のパターニング工程」という。）を示し、図３に示す各工程は、多階調フォトマスクにおける半透光膜のパターン形成工程（これを「半透光膜のパターニング工程」という。）を示している。 (Second Embodiment)
2A to 2D and FIGS. 3E to 3H show a method for manufacturing a multi-tone photomask using the multi-tone mask blanks (FIG. 1) according to the first embodiment. It is a schematic sectional drawing of each process. Of these steps, each step shown in FIG. 2 represents a light shielding film pattern forming step in a multi-tone photomask (this is referred to as a “light shielding film patterning step”), and each step shown in FIG. This shows a pattern forming step of a semi-transparent film in a photomask (this is referred to as “semi-transparent film patterning step”).

図２（ａ）は、図１に示す多階調マスクブランクス２０と同一構造の多階調マスクブランクスを示している。   FIG. 2A shows a multi-tone mask blank having the same structure as the multi-tone mask blank 20 shown in FIG.

図２（ｂ）は、多階調マスクブランクス２０の表面に感光性樹脂膜２５を塗布膜形成装置により塗布し、遮光膜のパターンを露光した状態を示している。   FIG. 2B shows a state in which a photosensitive resin film 25 is applied to the surface of the multi-tone mask blank 20 by a coating film forming apparatus, and the pattern of the light shielding film is exposed.

図２（ｃ）は、遮光膜のパターンを露光した後で現像を行うことによって遮光膜形成用のフォトジスト膜のパターン２５ａを形成し、更に、感光性樹脂膜のパターン２５ａをエッチングマスクとして上層遮光膜２４をエッチングすることにより、上層遮光膜のパターン２４ａを形成した状態を示している。上層遮光膜２４の材質は、チタン系の金属膜であることから、上層遮光膜２４は、例えば、過硫酸塩とフッ化物を混合したエッチング液により、ウエットエッチングされる。このエッチング液は、下層遮光膜２３である鉄系金属膜に対して高いエッチング選択性を有する。また、感光性樹脂膜のパターン２５ａは、少なくとも上層遮光膜２４をエッチングできる程度の膜厚でよく、しかも、ウエットエッチングは感光性樹脂膜に対して高いエッチング選択性を有するので、極めて高い形状精度で上層遮光膜のパターン２４ａが形成される。   In FIG. 2C, a light-shielding film pattern 25a is formed by performing development after exposing the light-shielding film pattern, and further using the photosensitive resin film pattern 25a as an etching mask. The state where the pattern 24a of the upper light shielding film is formed by etching the light shielding film 24 is shown. Since the material of the upper light shielding film 24 is a titanium-based metal film, the upper light shielding film 24 is wet-etched with, for example, an etching solution in which persulfate and fluoride are mixed. This etching solution has high etching selectivity with respect to the iron-based metal film which is the lower light shielding film 23. Further, the pattern 25a of the photosensitive resin film may be a film thickness that can etch at least the upper light shielding film 24. Further, since wet etching has high etching selectivity with respect to the photosensitive resin film, extremely high shape accuracy is obtained. Thus, the pattern 24a of the upper light shielding film is formed.

図２（ｄ）は、上層遮光膜のパターン２４ａをエッチングマスクとして下層遮光膜２３をエッチングし、その後感光性樹脂膜のパターン２５ａを除去した状態を示している。なお、感光性樹脂膜のパターン２５ａを除去するタイミングは、下層遮光膜２３のエッチング前後を問わない。感光性樹脂膜のパターン２５ａを、下層遮光膜２３のエッチング後に除去する場合は、上層遮光膜のパターン２４ａの上部に感光性樹脂膜のパターン２５ａが残っているので、感光性樹脂膜のパターン２５ａと上層遮光膜のパターン２４ａの両方を下層遮光膜２３をエッチングするためのエッチングマスクとする。   FIG. 2D shows a state in which the lower light-shielding film 23 is etched using the upper light-shielding film pattern 24 a as an etching mask, and then the photosensitive resin film pattern 25 a is removed. The timing of removing the photosensitive resin film pattern 25a may be before or after the etching of the lower light shielding film 23. When the pattern 25a of the photosensitive resin film is removed after the etching of the lower light shielding film 23, the pattern 25a of the photosensitive resin film remains on the upper part of the pattern 24a of the upper light shielding film. And the pattern 24a of the upper light shielding film are used as etching masks for etching the lower light shielding film 23.

下層遮光膜２３の材質は、鉄系金属膜であることから、下層遮光膜２３は、所定の濃度、例えば、比重３８〜４２ボーメ度の塩化第二鉄エッチング液により、ウエットエッチングされ、下層遮光膜のパターン２３ａが形成される。このエッチング液は、上層遮光膜に対して高いエッチング選択性を有する。したがって、上層遮光膜のパターン２４ａを、極めてエッチング耐性に優れた対エッチングパターンとして使用して、下層遮光膜２３がエッチングされる。したがって、くっきりとしたエッジを有する下層遮光膜のパターン２３ａが形成される。すなわち、極めて高い形状精度で遮光膜のパターン（２４ａ、２３ａ）が透明基板２１上に形成される。以上の工程により、遮光膜のパターニング工程が終了する。   Since the material of the lower light-shielding film 23 is an iron-based metal film, the lower light-shielding film 23 is wet-etched with a ferric chloride etchant having a predetermined concentration, for example, a specific gravity of 38 to 42 Baume, and the lower light-shielding film 23 A film pattern 23a is formed. This etching solution has high etching selectivity with respect to the upper light shielding film. Therefore, the lower light-shielding film 23 is etched using the upper light-shielding film pattern 24a as an etching pattern having excellent etching resistance. Therefore, the pattern 23a of the lower light shielding film having a sharp edge is formed. That is, the light shielding film patterns (24 a, 23 a) are formed on the transparent substrate 21 with extremely high shape accuracy. Through the above steps, the light shielding film patterning step is completed.

なお、上述の通り感光性樹脂膜の負荷は小さくエッチングパターンの形状精度は従来よりも高い。   As described above, the load of the photosensitive resin film is small, and the shape accuracy of the etching pattern is higher than the conventional one.

図３（ｅ）は、遮光膜のパターン（２４ａ、２３ａ）を含む透明基板の表面に半透光膜２２を堆積した状態を示している。半透光膜２２の材質は、透過率が透明基板と遮光膜の中間の値を示す既知の膜、例えば、厚さ約２０ｎｍの酸化クロム（ＣｒＯｘ）であり、露光光の一部を通過することができる。半透光膜２２の材質は、酸化クロムに代えて、他の材料であってもよい。例えば、膜厚の薄いクロムや、窒化クロム、酸窒化クロムその他のクロムを含む金属化合物等が考えられる。   FIG. 3E shows a state in which the semi-transparent film 22 is deposited on the surface of the transparent substrate including the light shielding film patterns (24a, 23a). The material of the semi-transparent film 22 is a known film whose transmittance is an intermediate value between the transparent substrate and the light-shielding film, for example, chromium oxide (CrOx) having a thickness of about 20 nm, and passes a part of the exposure light. be able to. The semi-transparent film 22 may be made of other materials instead of chromium oxide. For example, chromium, thin nitride, chromium nitride, chromium oxynitride, and other metal compounds containing chromium can be considered.

図３（ｆ）は、半透光膜２２を形成した透明基板２１の表面に、感光性樹脂膜２６を塗布膜形成装置により塗布し、半透光膜のパターンを露光した状態を示している。ここでは、透明基板を露出させる部分に露光光を照射している。   FIG. 3F shows a state in which a photosensitive resin film 26 is applied on the surface of the transparent substrate 21 on which the semi-transparent film 22 is formed, and the pattern of the semi-transparent film is exposed. . Here, the exposure light is irradiated to the portion where the transparent substrate is exposed.

図３（ｇ）は、感光性樹脂膜２６に半透光膜のパターンを露光した後で現像を行って半透過膜のパターン形成用の感光性樹脂膜のパターン２６ａを形成した状態を示している。   FIG. 3G shows a state in which the photosensitive resin film 26 is exposed to a semi-transparent film pattern and then developed to form a photosensitive resin film pattern 26a for forming a semi-transmissive film pattern. Yes.

半透光膜２２の材質は、酸化クロム（ＣｒＯｘ）等であることから、半透光膜２２は、例えば、硝酸第二セリウムアンモニア水溶液により、ウエットエッチングされる。半透光膜２２の膜厚は非常に薄いため、感光性樹脂膜２６をマスクとして容易に半透光膜がエッチングされ、透明基板を選択的に露出させることによって、半透光膜のパターン２２ａが形成される。   Since the material of the semi-transmissive film 22 is chromium oxide (CrOx) or the like, the semi-transmissive film 22 is wet-etched with, for example, an aqueous solution of ceric nitrate ammonia. Since the film thickness of the semi-transparent film 22 is very thin, the semi-transparent film is easily etched using the photosensitive resin film 26 as a mask to selectively expose the transparent substrate. Is formed.

図３（ｈ）は、最終的に得られる多階調フォトマスク２７の構造断面図であり、半透光膜のパターン形成後、感光性樹脂膜のパターン２６ａを除去した状態を示している。なお、半透光膜が残っていてもその下層に遮光膜がある部分は、遮光部となる。以上の工程により、半透光膜のパターニング工程が終了する。   FIG. 3H is a structural cross-sectional view of the finally obtained multi-tone photomask 27, and shows a state where the pattern 26a of the photosensitive resin film is removed after the pattern of the semi-translucent film is formed. Even if the semi-transparent film remains, the portion having the light shielding film in the lower layer becomes a light shielding portion. Through the above steps, the patterning process of the semi-transparent film is completed.

従来は遮光膜のエッチングに際して感光性樹脂膜をエッチングマスクとしていたため、必要な厚みの遮光膜をエッチングしていく過程でレジストパターンエッジの変形が問題となっていた。しかし、本発明に係る多階調マスクブランクスを用いると、所要のフォトレジストパターンに加えて上層遮光膜のパターン２４ａが、対エッチングパターンとしての役割を果たすと共に、下層遮光膜のパターン２３ａと併せて「遮光膜パターン」を構成し、かつ両者が異なるエッチング特性を有するため、それぞれの膜厚を薄くすることが可能となる。すなわち、上層遮光膜と下層遮光膜の両方を重ねた遮光膜の遮光率が必要な値を示すものであればよい。   Conventionally, the photosensitive resin film is used as an etching mask when etching the light shielding film, and therefore, deformation of the resist pattern edge has been a problem in the process of etching the light shielding film having a required thickness. However, when the multi-tone mask blank according to the present invention is used, in addition to the required photoresist pattern, the upper layer light shielding film pattern 24a serves as an etching pattern and is combined with the lower layer light shielding film pattern 23a. Since the “light-shielding film pattern” is configured and both have different etching characteristics, the thickness of each film can be reduced. That is, it is sufficient if the light shielding rate of the light shielding film in which both the upper light shielding film and the lower light shielding film are superimposed shows a necessary value.

さらに、上層遮光膜２４の材質が低反射率のチタンであるため、反射防止膜としての機能を有する半透光膜と、もともと低反射率である上層遮光膜とが相俟って、全体としての反射率も小さく抑えることができる。   Further, since the material of the upper light shielding film 24 is titanium having a low reflectance, the semi-transparent film having a function as an antireflection film and the upper light shielding film originally having a low reflectance are combined, and as a whole The reflectance can be kept small.

図４は、本発明に係る多階調フォトマスクの構造及び使用態様を示す図である。多階調フォトマスク２７は、半透光部Ａと、遮光部Ｂと、半透光部Ｃとを含み、透明基板２１上に、遮光膜のパターン２３ａ、２４ａと半透光膜のパターン２２ａとが設けられている。   FIG. 4 is a diagram showing the structure and usage of the multi-tone photomask according to the present invention. The multi-tone photomask 27 includes a semi-transparent part A, a light-shielding part B, and a semi-translucent part C. On the transparent substrate 21, the light-shielding film patterns 23a and 24a and the semi-transparent film pattern 22a. And are provided.

そして、多階調フォトマスク２７に強度Ｉ１の露光光を入射した時、多階調フォトマスク２７は、被露光対象となる基板２８側の表面から強度Ｉ２の反射光を受ける。その場合、フォトマスク２７の表面で再度反射が起こり、強度Ｉ３の再反射光が基板２８側に戻ることになる。 When the incident exposure light intensity I 1 in a multi-tone photomask 27, multi-tone photomask 27 receives the reflected light intensity I 2 from the surface of the substrate 28 side to be exposed workpiece. In that case, reflection occurs again on the surface of the photomask 27, and the re-reflected light having the intensity I 3 returns to the substrate 28 side.

被露光対象となる基板２８側の表面には、感光性樹脂膜が塗布されているが、多階調フォトマスク２７の表面には反射率の低い金属膜であるチタン系金属で構成される上層遮光膜のパターン２４ａと、反射防止膜としての機能を有する半透光膜のパターン２２ａとが設けられているため、再反射光の強度Ｉ３を十分に抑えることができ、露光不良を防止することができる。すなわち、上述した式（１）により表される関係（すなわち、Ｉ１＞Ｉ２ ≫Ｉ３）が成立する。 A photosensitive resin film is applied to the surface of the substrate 28 to be exposed, but the upper surface of the multi-tone photomask 27 is made of a titanium-based metal that is a metal film having low reflectance. and the pattern 24a of the light shielding film, since the pattern 22a of HanToruHikarimaku which functions as an antireflection film is provided, it is possible to suppress the intensity I 3 of the re-reflected light sufficiently to prevent defective exposure be able to. That is, the relationship represented by the above-described formula (1) (that is, I 1 > I 2 >> I 3 ) is established.

このように、再反射光の強度Ｉ３が小さく抑えられることによって、多階調フォトマスクによる再反射に起因する露光不良を大幅に軽減することができる。 Thus, by the intensity I 3 of the re-reflected light is suppressed, the exposure defect due to re-reflected by the multi-tone photomask can be significantly reduced.

なお、上層遮光膜が単体のチタンである場合、単体のチタンは、常温においては表面が自然酸化による極めて薄い透明な酸化皮膜で覆われて不動態を形成する。このため、結果的に、微視的には上層遮光膜の表面に酸化皮膜が形成されているとしても、遮光性には一切影響がない。   When the upper light-shielding film is a single titanium, the single titanium is covered with a very thin transparent oxide film due to natural oxidation at room temperature to form a passive state. Therefore, as a result, microscopically, even if an oxide film is formed on the surface of the upper light-shielding film, the light-shielding property is not affected at all.

さらに好ましいことに、酸化皮膜は多階調フォトマスク２７の表面に親水性を付与する。したがって、成膜後の洗浄工程やフォトレジスト塗布工程において、表面濡れ性が向上し、洗浄やフォトレジスト塗布工程に起こりやすい表面欠陥の発生を低減することができる。   More preferably, the oxide film imparts hydrophilicity to the surface of the multi-tone photomask 27. Therefore, surface wettability is improved in the cleaning process and the photoresist coating process after film formation, and the occurrence of surface defects that are likely to occur in the cleaning and photoresist coating processes can be reduced.

本発明は、トップハーフ型の多階調フォトマスクの製造に関して、遮光膜のパターニング工程における形状精度を向上させ、また従来よりも低反射率の多階調フォトマスクを提供することができる点で、産業上の利用可能性は極めて大きい。   The present invention can improve the shape accuracy in the patterning process of the light-shielding film and can provide a multi-tone photomask having a lower reflectivity than that of the related art in the manufacture of a top half type multi-tone photomask. Industrial applicability is extremely large.

本発明の第１の実施形態に係る多階調マスクブランクスの概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a multi-tone mask blank according to a first embodiment of the present invention. （ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態に係る多階調マスクブランクス（図１）を用いた多階調フォトマスクの製造方法を示す各工程の概略断面図である。(A)-(d) is a schematic sectional drawing of each process which shows the manufacturing method of the multi-tone photomask using the multi-tone mask blank (FIG. 1) which concerns on 1st Embodiment. （ｅ）〜（ｈ）は、第１の実施形態に係る多階調マスクブランクス（図１）を用いた多階調フォトマスクの製造方法を示す各工程の概略断面図である。(E)-(h) is a schematic sectional drawing of each process which shows the manufacturing method of the multi-tone photomask using the multi-tone mask blank (FIG. 1) which concerns on 1st Embodiment. 本発明に係る多階調フォトマスクの構造及び使用態様を示す図である。It is a figure which shows the structure and usage condition of the multi-tone photomask which concerns on this invention. 従来のトップハーフ型の多階調フォトマスクの構造及び使用態様を示す図である。It is a figure which shows the structure and usage condition of the conventional top half type multi-tone photomask.

符号の説明Explanation of symbols

２０ 多階調マスクブランクス（トップハーフ型）
２１ 透明基板
２２ 半透光膜
２２ａ 半透光膜のパターン
２３ 下層遮光膜（鉄）
２３ａ 下層遮光膜のパターン
２４ 上層遮光膜（チタン）
２４ａ 上層遮光膜のパターン
２５ 第１の感光性樹脂膜
２５ａ 第１の感光性樹脂膜のパターン
２６ 第２の感光性樹脂膜
２６ａ 第２の感光性樹脂膜のパターン
２７ 多階調フォトマスク
２８ 被露光対象となる基板
１２１ 透明基板
１２２ａ 半透光膜のパターン
１２３ａ 遮光膜のパターン
１２７ （従来の）多階調フォトマスク
１２８ 被露光対象となる基板
１２０ａ エッチングストッパー膜のパターン
１２１ａ 反射防止膜のパターン
Ａ 半透光部
Ｂ 遮光部
Ｃ 透光部
Ｉ１〜Ｉ３ 光の強度 20 Multi-tone mask blanks (top half type)
21 Transparent substrate 22 Semi-transparent film 22a Semi-transparent film pattern 23 Lower layer light-shielding film (iron)
23a Pattern of lower layer light shielding film 24 Upper layer light shielding film (titanium)
24a Pattern of upper light shielding film 25 First photosensitive resin film 25a Pattern of first photosensitive resin film 26 Second photosensitive resin film 26a Pattern of second photosensitive resin film 27 Multi-tone photomask 28 Covered Substrate to be exposed 121 Transparent substrate 122a Semi-transparent film pattern 123a Light-shielding film pattern 127 (Conventional) Multi-tone photomask 128 Substrate to be exposed 120a Etching stopper film pattern 121a Antireflection film pattern A the strength of the semi-light-transmitting portion B shielding portion C translucent portion I 1 ~I 3 light

Claims (4)

透明基板（２１）と、前記透明基板上に形成され、露光光に対して遮光性を具備する遮光膜（２３、２４）とを含み、
前記遮光膜は、２層の遮光膜が上下に積層された積層構造を有し、
上層遮光膜（２４）の材質が、チタン又はチタンを含む金属で構成されると共に、
下層遮光膜（２３）の材質が、鉄又は鉄を含む金属で構成されることを特徴とする多階調マスクブランクス（２０）。 A transparent substrate (21) and a light shielding film (23, 24) formed on the transparent substrate and having a light shielding property against exposure light,
The light shielding film has a laminated structure in which two layers of light shielding films are laminated vertically.
The upper light shielding film (24) is made of titanium or a metal containing titanium,
The multi-tone mask blank (20), wherein the material of the lower light shielding film (23) is made of iron or a metal containing iron. 請求項１記載の多階調マスクブランクスの表面に第１の感光性樹脂膜（２５）を塗布する工程と、前記第１の感光性樹脂膜に対して第１のパターンを露光する工程と、前記第１の感光性樹脂膜を現像して第１の感光性樹脂膜のパターン（２５ａ）を形成する工程と、前記第１の感光性樹脂膜のパターンをエッチングマスクとして前記上層遮光膜をエッチングして上層遮光膜のパターン（２４ａ）を形成する工程と、前記上層遮光膜のパターンをエッチングマスクとして前記下層遮光膜をエッチングして下層遮光膜のパターン（２３ａ）を形成する工程と、前記第１の感光性樹脂膜のパターンを除去する工程とを含む遮光膜のパターニング工程と、
前記遮光膜のパターニング工程の後、遮光膜のパターン（２４ａ、２３ａ）を含む前記透明基板の表面全体に半透光膜（２２）を堆積する工程と、
前記透明基板の表面に第２の感光性樹脂膜（２６）を塗布する工程と、前記第２の感光性樹脂膜に対して第２のパターンを露光する工程と、前記第２の感光性樹脂膜を現像して第２の感光性樹脂膜のパターン（２６ａ）を形成する工程と、前記第２の感光性樹脂膜のパターンをエッチングマスクとして前記半透光膜をエッチングして半透光膜のパターン（２２ａ）を形成する工程と、前記第２の感光性樹脂膜のパターンを除去する工程とを含む半透光膜のパターニング工程と、
を含むことを特徴とする多階調フォトマスクの製造方法。 Applying the first photosensitive resin film (25) to the surface of the multi-tone mask blank according to claim 1, and exposing the first pattern to the first photosensitive resin film; Developing the first photosensitive resin film to form a pattern (25a) of the first photosensitive resin film; and etching the upper light shielding film using the pattern of the first photosensitive resin film as an etching mask Forming the upper light shielding film pattern (24a), etching the lower light shielding film using the upper light shielding film pattern as an etching mask to form the lower light shielding film pattern (23a), A step of removing the pattern of the photosensitive resin film of 1 and a patterning step of the light shielding film,
A step of depositing a semi-transparent film (22) on the entire surface of the transparent substrate including the pattern (24a, 23a) of the light shielding film after the patterning process of the light shielding film;
A step of applying a second photosensitive resin film (26) to the surface of the transparent substrate, a step of exposing a second pattern to the second photosensitive resin film, and the second photosensitive resin. A step of developing the film to form a pattern (26a) of the second photosensitive resin film, and etching the semi-transparent film using the pattern of the second photosensitive resin film as an etching mask. A step of forming a pattern (22a) and a step of removing the pattern of the second photosensitive resin film;
A method of manufacturing a multi-tone photomask, comprising: 透明基板（２１）上に、露光光の一部を透過させる半透光部（Ａ）、露光光の全部を遮光する遮光部（Ｂ）と、露光光の全部を透過させる透光部（Ｃ）とを含み、
前記遮光部は、少なくとも２層の遮光膜のパターン（２３ａ，２４ａ）が上下に積層された積層構造による遮光膜のパターンを有し、
上層遮光膜のパターン（２４ａ）の材質は、チタン又はチタンを含む金属で構成されると共に、
下層遮光膜のパターン（２３ａ）の材質は、鉄又は鉄を含む金属で構成され、
前記透明基板の一部及び前記上層遮光膜のパターンの表面に、半透光膜のパターン２２ａが設けられていることを特徴とする多階調フォトマスク（２７）。 On the transparent substrate (21), a semi-translucent portion (A) that transmits part of the exposure light, a light-shielding portion (B) that blocks all of the exposure light, and a translucent portion (C) that transmits all of the exposure light. ) And
The light-shielding portion has a light-shielding film pattern having a laminated structure in which at least two layers of light-shielding film patterns (23a, 24a) are vertically laminated,
The material of the pattern (24a) of the upper light shielding film is composed of titanium or a metal containing titanium,
The material of the pattern (23a) of the lower light shielding film is composed of iron or a metal containing iron,
A multi-tone photomask (27), wherein a semi-transparent film pattern 22a is provided on a part of the transparent substrate and the surface of the upper light shielding film pattern. 前記半透光膜のパターン（２２ａ）の材質は、クロム又は、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化クロムその他のクロムを含む金属化合物で構成されることを特徴とする請求項３記載の多階調フォトマスク。 4. The multi-tone according to claim 3, wherein the material of the semi-transparent film pattern (22a) is made of chromium or a metal compound containing chromium oxide, chromium nitride, chromium oxynitride or other chromium. Photo mask.
JP2008109316A 2008-04-18 2008-04-18 Multi-gradation mask blank, method of manufacturing multi-gradation photomask, and multi-gradation photomask Pending JP2009258504A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008109316A JP2009258504A (en) 2008-04-18 2008-04-18 Multi-gradation mask blank, method of manufacturing multi-gradation photomask, and multi-gradation photomask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008109316A JP2009258504A (en) 2008-04-18 2008-04-18 Multi-gradation mask blank, method of manufacturing multi-gradation photomask, and multi-gradation photomask

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009258504A true JP2009258504A (en) 2009-11-05

Family

ID=41386000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008109316A Pending JP2009258504A (en) 2008-04-18 2008-04-18 Multi-gradation mask blank, method of manufacturing multi-gradation photomask, and multi-gradation photomask

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009258504A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020154338A (en) * 2015-09-26 2020-09-24 Hoya株式会社 Method of manufacturing photomask, photomask, and method of manufacturing display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020154338A (en) * 2015-09-26 2020-09-24 Hoya株式会社 Method of manufacturing photomask, photomask, and method of manufacturing display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4509050B2 (en) Photomask blank and photomask
JP5669203B2 (en) Multi-tone photomask, multi-tone photomask manufacturing method, and pattern transfer method
TWI481949B (en) Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing these
TWI229780B (en) Blank photomask, photomask and method of pattern transferring using photomask
JP5704754B2 (en) Mask blank and transfer mask manufacturing method
JP4764214B2 (en) Halftone phase shift mask and manufacturing method thereof
JP4849276B2 (en) Gray tone mask blank, gray tone mask, and method for forming product processing mark or product information mark
JP6876737B2 (en) Phase inversion blank mask and photomask
WO2015025922A1 (en) Mask blank, mask blank with negative resist film, phase shift mask, and method for producing patterned body using same
JPWO2017038213A1 (en) Mask blank, mask blank manufacturing method, phase shift mask, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
JP6293841B2 (en) Mask blank, transfer mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
TWI658320B (en) Method of transferring a pattern and method of manufacturing a display device
JP5662032B2 (en) Mask blanks and halftone masks
JP2002258458A (en) Halftone phase shift mask and mask blank
JP4707922B2 (en) Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask
JP6698438B2 (en) Mask blank, transfer mask, mask blank manufacturing method, transfer mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
JP6008991B2 (en) Blank mask, photomask, and manufacturing method thereof
KR20170122181A (en) Mask blank, a transfer mask, a method of manufacturing a transfer mask, and a method of manufacturing a semiconductor device
JP5317310B2 (en) Mask blank and transfer mask manufacturing method
JP2015004969A (en) Mask blank, mask for transfer, and manufacturing method of the same
KR20180008458A (en) Mask blank, a transfer mask, a method of manufacturing a transfer mask, and a method of manufacturing a semiconductor device
KR101295235B1 (en) Gray tone mask blank, gray tone mask, and method for forming product processing mark or product information mark
JP2009258504A (en) Multi-gradation mask blank, method of manufacturing multi-gradation photomask, and multi-gradation photomask
JP5177567B2 (en) Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask
JP4831368B2 (en) Gray tone mask blank and gray tone mask