JP2009251571A - 表示制御装置および方法、並びにプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】バックライトによる輝度不足を抑制する。
【解決手段】必要発光レベル算出部１０１は、画像信号に基づいた必要輝度を満たす、注目ブロックのバックライトの必要注目ブロック発光レベルを算出する。第１近傍ブロック発光レベル算出部１０３は、注目ブロックのバックライトで発光可能な最大発光レベルでは不足する場合、不足する輝度を満たす注目ブロックの第１近傍ブロックの発光による注目ブロックへの発光寄与量で必要輝度に対して不足する輝度を満たす第１近傍ブロックの発光レベルを算出する。注目ブロックのバックライトが発光可能な最大発光レベルで発光させ、第１近傍ブロック発光レベルにより第１近傍ブロックのバックライトが発光される。本発明は、液晶ディスプレイなどの画像処理装置に適用することができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、表示制御装置および方法、並びにプログラムに関し、特に、バックライトによる輝度不足を抑制できるようにした表示制御装置および方法、並びにプログラムに関する。

従来、透過型の液晶パネルを利用した液晶表示装置として、複数のバックライトを用いることで、液晶パネル上の表示領域（ブロック）ごとに入射させる光の量を変化させ、表示される画像の輝度のダイナミックレンジ拡大を実現するものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

このように、複数のバックライトのそれぞれが、液晶パネルの対応する表示領域のそれぞれに光を入射させる場合、図１に示すように、各バックライトが発光すべき光量は、表示させる画像の画像信号から求められる。

すなわち、図１では、矢印Ａ１１に示す階段状の波形の画像信号が、発光量算出部１１および除算部１２に入力され、発光量算出部１１において、画像信号を基に、１つのバックライト１３の発光すべき光量が算出される。また、除算部１２では、供給された画像信号を、発光量算出部１１からの光量で除算することにより、バックライト１３に対応する液晶パネル１４の表示領域における光の透過率が算出される。尚、図１の波形において、横軸はバックライトの水平位置を示しており、中央位置がバックライト１３の表示領域における中心位置を示している。

ここで、１つのバックライト１３の大きさは、液晶パネル１４の表示領域の画素の大きさよりも大きいので、バックライト１３の光量は、そのバックライト１３に対応する液晶パネル１４の表示領域に表示される画像の各画素の画素値から算出される。

そして光量が算出されると、バックライト１３は、発光量算出部１１により算出された光量に基づいて発光し、液晶パネル１４に光を入射させる。これにより、バックライト１３からは、矢印Ａ１２に示す波形の光が射出される。つまり、バックライト１３からの光は拡散するため、その光の中心の光量が最も多く、中心から離れるにしたがって光量が少なくなる。

また、液晶パネル１４は、矢印Ａ１３により示される波形で、つまり除算部１２により算出された透過率で、バックライト１３からの光を透過させる。これにより、液晶パネル１４の表示領域には、矢印Ａ１４に示すように、入力された画像信号の画像とほぼ同じ画像が表示されることになる。

特開２００７−３２２９０１号公報

ところで、複数の表示領域毎に発光量を決定する際、実装されるバックライトの上限以上の発光量を期待値として算出した場合や、それ以外の中心ブロックの発光量を周辺ブロックへ割り当てたい場合に、発光量を単純に分配すると中心ブロックの必要輝度を確保できなくなってしまうことがある。

特に、割り当て後の発光パタンを自然の拡散を模倣して円形化するような場合、単純に変えてしまうと発光効率が下がりやすくなってしまう。

本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、バックライトによる輝度不足を抑制できるようにするものである。

本発明の一側面の表示制御装置は、複数のブロックからなるバックライトのうち、画像信号に基づいた必要輝度を満たす、注目ブロックのバックライトによる発光レベルを、必要注目ブロック発光レベルとして算出する必要注目ブロック発光レベル算出手段と、前記必要注目ブロック発光レベルに対して、前記注目ブロックのバックライトで発光可能な最大発光レベルでは不足する場合、前記注目ブロックのバックライトにより不足する輝度を満たす前記注目ブロックの近傍の前記第１の近傍ブロックの発光による前記注目ブロックへの発光寄与量で前記注目ブロックのバックライトでの発光可能な最大発光レベルにより前記必要輝度に対して不足する輝度を満たす第１の近傍ブロックの発光レベルを必要第１近傍ブロック発光レベルとして算出する必要第１近傍ブロック発光レベル算出手段と、前記注目ブロックのバックライトを発光可能な最大発光レベルで発光させ、前記必要第１近傍ブロック発光レベルにより前記第１の近傍ブロックのバックライトを発光させるバックライト発光制御手段とを含む。

前記必要第１近傍ブロック発光レベルに対して、前記第１の近傍ブロックのバックライトで発光可能な最大発光レベルでは不足する場合、前記注目ブロックの近傍であって、前記第１の近傍ブロックよりも遠い近傍の第２の近傍ブロックの発光による前記注目ブロックへの発光寄与量で前記注目ブロックおよび第１の近傍ブロックのバックライトでの発光可能な最大発光レベルにより前記必要輝度に対して不足する輝度を満たす第２の近傍ブロックの発光レベルを必要第２近傍ブロック発光レベルとして算出する必要第２近傍ブロック発光レベル算出手段をさらに含ませるようにすることができ、前記バックライト発光制御手段には、前記注目ブロックのバックライトおよび前記第１の近傍ブロックのバックライトをそれぞれの前記最大発光レベルにより発光させ、前記必要第２近傍ブロック発光レベルにより前記第２の近傍ブロックのバックライトを発光させるようにすることができる。

前記必要第１近傍ブロック発光レベル算出手段により算出された、前記第１の近傍ブロックの発光レベルを、前記注目ブロックからの光の広がりの形状に対応して重み付けする第１の重み付け手段をさらに含ませるようにすることができる。

前記必要第２近傍ブロック発光レベル算出手段により算出された、前記第２の近傍ブロックの発光レベルを、前記注目ブロックからの光の広がりの形状に対応して重み付けする第２の重み付け手段とをさらに含ませるようにすることができる。

本発明の一側面の表示制御方法は、複数のブロックからなるバックライトのうち、画像信号に基づいた必要輝度を満たす、注目ブロックのバックライトによる発光レベルを、必要注目ブロック発光レベルとして算出する必要注目ブロック発光レベル算出ステップと、前記必要注目ブロック発光レベルに対して、前記注目ブロックのバックライトで発光可能な最大発光レベルでは不足する場合、前記注目ブロックのバックライトにより不足する輝度を満たす前記注目ブロックの近傍の前記第１の近傍ブロックの発光による前記注目ブロックへの発光寄与量で前記注目ブロックのバックライトでの発光可能な最大発光レベルにより前記必要輝度に対して不足する輝度を満たす第１の近傍ブロックの発光レベルを必要第１近傍ブロック発光レベルとして算出する必要第１近傍ブロック発光レベル算出ステップと、前記注目ブロックのバックライトを発光可能な最大発光レベルで発光させ、前記必要第１近傍ブロック発光レベルにより前記第１の近傍ブロックのバックライトを発光させるバックライト発光制御ステップとを含む。

本発明の一側面のプログラムは、複数のブロックからなるバックライトのうち、画像信号に基づいた必要輝度を満たす、注目ブロックのバックライトによる発光レベルを、必要注目ブロック発光レベルとして算出する必要注目ブロック発光レベル算出ステップと、前記必要注目ブロック発光レベルに対して、前記注目ブロックのバックライトで発光可能な最大発光レベルでは不足する場合、前記注目ブロックのバックライトにより不足する輝度を満たす前記注目ブロックの近傍の前記第１の近傍ブロックの発光による前記注目ブロックへの発光寄与量で前記注目ブロックのバックライトでの発光可能な最大発光レベルにより前記必要輝度に対して不足する輝度を満たす第１の近傍ブロックの発光レベルを必要第１近傍ブロック発光レベルとして算出する必要第１近傍ブロック発光レベル算出ステップと、前記注目ブロックのバックライトを発光可能な最大発光レベルで発光させ、前記必要第１近傍ブロック発光レベルにより前記第１の近傍ブロックのバックライトを発光させるバックライト発光制御ステップとを含む処理をコンピュータに実行させる。

本発明の一側面においては、複数のブロックからなるバックライトのうち、画像信号に基づいた必要輝度を満たす、注目ブロックのバックライトによる発光レベルが、必要注目ブロック発光レベルとして算出され、前記必要注目ブロック発光レベルに対して、前記注目ブロックのバックライトで発光可能な最大発光レベルでは不足する場合、前記注目ブロックのバックライトにより不足する輝度を満たす前記注目ブロックの近傍の前記第１の近傍ブロックの発光による前記注目ブロックへの発光寄与量で前記注目ブロックのバックライトでの発光可能な最大発光レベルにより前記必要輝度に対して不足する輝度を満たす第１の近傍ブロックの発光レベルが必要第１近傍ブロック発光レベルとして算出され、前記注目ブロックのバックライトを発光可能な最大発光レベルで発光させ、前記必要第１近傍ブロック発光レベルにより前記第１の近傍ブロックのバックライトが発光される。

本発明の一側面によれば、バックライトによる輝度不足を抑制することが可能となる。

以下、図面を参照して、本発明を適用した実施の形態について説明する。

図２は、本発明を適用した表示装置の一実施の形態の構成例を示す図である。

表示装置６１は、表示制御部８１、バックライト制御部８２−１乃至８２−Ｎ、バックライト８３−１乃至８３−Ｎ、液晶パネル制御部８４、および液晶パネル８５から構成される。

表示装置６１は、例えば、液晶ディスプレイなどの液晶表示装置であり、表示装置６１の表示制御部８１には、液晶パネル８５に表示させる表示画像の画像信号が入力される。

表示制御部８１は、入力された画像信号に基づいて、バックライト８３−１乃至８３−Ｎに射出させる光の光量、より詳細には、光の輝度を示すバックライト輝度を算出して、バックライト制御部８２−１乃至８２−Ｎに供給する。

また、表示制御部８１は、画像信号に基づいて、バックライト８３−１乃至８３−Ｎのそれぞれからの光の多くが入射する液晶パネル８５の表示領域（ブロック）のそれぞれについて、表示領域内の各画素の透過率を算出して液晶パネル制御部８４に供給する。この透過率は、例えば０から１までの間の値とされる。

なお、液晶パネル８５の表示領域の画素とは、画像の表示単位となり、Ｒ，Ｇ，Ｂのそれぞれの光を透過させる領域のそれぞれからなる１つのセルをいう。

バックライト制御部８２−１乃至８２−Ｎは、表示制御部８１から供給されたバックライト輝度に基づいて、バックライト８３−１乃至８３−Ｎを制御し、発光させる。また、バックライト８３−１乃至８３−Ｎは、バックライト制御部８２−１乃至８２−Ｎの制御にしたがって発光し、光を液晶パネル８５に入射させる。

尚、バックライト８３−１乃至８３−Ｎは、バックライト全体をＮ個の表示領域（ブロック）に分割するときの、それぞれ１ブロック分の領域を発光させるものである。そこで、以降においては、バックライト全体におけるバックライト８３−１乃至８３−Ｎに対応するブロックについては、それぞれ符号のハイフン以下の値に対応付けて、ブロックＢ１乃至ＢＮと称するものとする。したがって、バックライト８３−１乃至８３−Ｎは、それぞれバックライト全体のブロックＢ１乃至ＢＮの表示領域を発光させる。あるいは、ブロックＢ１乃至ＢＮの表示領域は、バックライト８３−１乃至８３−Ｎにより発光される。

液晶パネル制御部８４は、表示制御部８１から供給された各画素の透過率、すなわち開口率で、液晶パネル８５に光を透過させる。液晶パネル８５は、液晶パネル制御部８４から指示された透過率で、バックライト８３−１乃至８３−Ｎから表示領域の各画素に入射した光を透過させ、表示画像を表示する。

なお、以下、バックライト制御部８２−１乃至８２−Ｎ、およびバックライト８３−１乃至８３−Ｎのそれぞれを個々に区別する必要のない場合、それぞれを単にバックライト制御部８２、およびバックライト８３と称するものとし、その他の構成についても同様に称するものとする。また、複数のバックライト８３から構成されるバックライトの全体的な構成については、バックライト全体と表すものとする。

表示装置６１では、液晶パネル８５の背面に光源としてのバックライト８３が配置されており、バックライト８３から射出された光の多くは、そのバックライト８３に対向する液晶パネル８５の表示領域（ブロック）に入射する。例えば、バックライト８３−１から出射した光は、その多くが液晶パネル８５の図中、左上側の部分に入射する。したがって、液晶パネル８５の図中、左上側が明るく、他の部分が暗い画像を表示させる場合には、バックライト８３−１だけをある程度高い輝度で発光させ、他のバックライト８３−２乃至８３−Ｎを比較的低い輝度で発光させることができる。これにより、バックライト８３の消費電力を抑えることができるとともに、表示画像の輝度のダイナミックレンジをより広くすることができる。

なお、表示装置６１には、透過型の液晶パネル８５が設けられているが、液晶パネルに限らず、バックライト８３からの光を透過させて画像を表示する透過型の表示パネルであれば、どのようなものであってもよい。

次に、図３を参照して、図２の表示制御部８１のより詳細な実施の形態の構成例について説明する。

表示制御部８１は、必要発光レベル算出部１０１、不足判定部１０２、第１近傍ブロック発光レベル算出部１０３、広がり形状重み付加部１０４、不足判定部１０５、第２近傍ブロック発光レベル算出部１０６、広がり形状重み付加部１０７、不足判定部１０８、第３近傍ブロック発光レベル算出部１０９、広がり形状重み付加部１１０、発光レベル管理部１１１、出力部１１２、入射輝度算出部１１３、除算部１１４、発光プロファイルメモリ１１５、および設定部１１６から構成される。

表示装置６１の表示制御部８１に入力された画像信号は、表示制御部８１の必要発光レベル算出部１０１および除算部１２３に供給される。この画像信号は、例えば動画像の画像信号とされる。

必要発光レベル算出部１０１は、供給された画像信号に基づいて、後述する処理により、その画像信号に基づく表示画像上の領域のうち、バックライト８３の各ブロックに対応する液晶パネル８５のブロック毎に表示される領域の画素の輝度（必要輝度）により、各バックライト８３に射出させる光のバックライト輝度を発光レベルとして算出し、不足判定部１０２に供給する。

なお、バックライト８３に対応する液晶パネル８５の各表示領域とは、液晶パネル８５の全体の表示領域を仮想的に分割して得られる領域であって、液晶パネル８５の背面直下の１つのバックライト８３からの光の大部分が入射する領域をいう。

例えば、液晶パネル８５の表示領域を図２中、Ｎ個の領域に仮想的に分割したとすると、バックライト８３−１乃至８３−Ｎのそれぞれに対応する表示領域のそれぞれは、表示領域上の対応する領域のそれぞれとされる。以下、バックライト８３に対応する液晶パネル８５の表示領域を部分表示領域とも称する。

不足判定部１０２は、各ブロック毎の発光レベルと、各ブロックにおいて発光可能な最大発光レベルとを比較し、発光できる光量の不足の有無を判定する。不足判定部１０２は、不足が生じないと判定した場合、供給されてきた発光レベルを、対応するブロックのバックライト８３におけるバックライト輝度として発光レベル管理部１１１に供給し、発光レベルをメモリ１１１ａに記憶させる。発光レベル管理部１１１は、メモリ１１１ａに同一のブロックに対する発光レベルが既に記憶されている場合、供給されてきた発光レベルと比較し、大きな発光レベルを記憶させる。

また、不足判定部１０２は、不足が生じると判定した場合、不足が生じると判定されたブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルの情報を第１近傍ブロック発光レベル算出部１０３に供給する。

第１近傍ブロック発光レベル算出部１０３は、第１近傍ブロックのそれぞれプロファイルを発光プロファイルメモリ１１５より読み出して、それぞれのブロックの発光により拡散する光の注目ブロックへの寄与量の総和により、注目ブロックで必要輝度に対して不足分を補うように発光するときの発光レベルを算出し、広がり形状重み付加部１０４に供給する。ここでいう、第１近傍ブロックとは、不足が生じたと判定されたブロック（注目ブロック）の水平方向、垂直方向、および斜め方向に隣接する８個のブロックである。また、発光プロファイルメモリ１１５には、バックライト８３の各ブロック毎の発光レベル毎の拡散による寄与率の分布を示す情報が記憶されている。

広がり形状重み付加部１０４は、ボタン、またはマウスなどの操作機能を備えた設定部１１６により予め設定された各バックライト８３のブロックの発光による周囲への拡散形状に対応して、第１近傍ブロックの各ブロックの発光レベルに対して重みを付加し、不足判定部１０５に供給する。

不足判定部１０５は、第１近傍ブロックで必要とされる発光レベルと、第１近傍ブロックの各ブロックのバックライト８３において発光可能な最大発光レベルとを比較し、発光できる光量の不足の有無を判定する。不足判定部１０５は、不足が生じないと判定した場合、供給されてきた第１近傍ブロックの必要発光レベル、および注目ブロックの最大発光レベルを、対応するブロックのバックライト８３におけるバックライト輝度として発光レベル管理部１１１に供給し、発光レベルをメモリ１１１ａに記憶させる。発光レベル管理部１１１は、メモリ１１１ａに同一のブロックに対する発光レベルが既に記憶されている場合、供給されてきた発光レベルと比較し、大きな発光レベルを記憶させる。

また、不足判定部１０５は、第１近傍ブロックの必要発光レベルに対して最大発光レベルでも不足が生じた場合、不足が生じると判定された注目ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルと、第１近傍ブロックの最大発光レベルの情報を第２近傍ブロック発光レベル算出部１０６に供給する。

第２近傍ブロック発光レベル算出部１０６は、第２近傍ブロックのそれぞれプロファイルを発光プロファイルメモリ１１５より読み出して、それぞれのブロックの発光により拡散する光の注目ブロックへの寄与量の総和により、注目ブロックおよび第１近傍ブロックで必要輝度に対して不足分を補うように発光するときの発光レベルを算出し、広がり形状重み付加部１０７に供給する。ここでいう、第２近傍ブロックとは、不足が生じたと判定された第１近傍ブロックの水平方向、垂直方向、および斜め方向に、処理対処ブロックから遠い位置に隣接する１６個のブロックである。

広がり形状重み付加部１０７は、ボタン、またはマウスなどの操作機能を備えた設定部１１６により予め設定された各バックライト８３のブロックの発光による周囲への拡散形状に対応して、第２近傍ブロックの各ブロックの発光レベルに対して重みを付加し、不足判定部１０８に供給する。

不足判定部１０８は、第２近傍ブロックで必要とされる発光レベルと、第２近傍ブロックの各ブロックのバックライト８３において発光可能な最大発光レベルとを比較し、発光できる光量の不足の有無を判定する。不足判定部１０８は、不足が生じないと判定した場合、供給されてきた第２近傍ブロックの必要発光レベル、注目ブロックの最大発光レベル、および第１近傍ブロックの最大発光レベルを、対応するブロックのバックライト８３におけるバックライト輝度として発光レベル管理部１１１供給し、メモリ１１１ａに記憶させる。発光レベル管理部１１１は、メモリ１１１ａに同一のブロックに対する発光レベルが既に記憶されている場合、供給されてきた発光レベルと比較し、大きな発光レベルを記憶させる。

また、不足判定部１０８は、第２近傍ブロックの必要発光レベルに対して最大発光レベルでも不足が生じた場合、不足が生じると判定された注目ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルと、第１近傍ブロックの最大発光レベル、および第２近傍ブロックの最大発光レベルの情報を第３近傍ブロック発光レベル算出部１０９に供給する。

第３近傍ブロック発光レベル算出部１０９は、第３近傍ブロックのそれぞれプロファイルを発光プロファイルメモリ１１５より読み出して、それぞれのブロックの発光により拡散する光の注目ブロックへの寄与量の総和により、注目ブロック、第１近傍ブロック、および第２近傍ブロックで必要輝度に対して不足分を補うように発光するときの発光レベルを算出し、広がり形状重み付加部１１０に供給する。ここでいう、第３近傍ブロックとは、不足が生じたと判定された第２近傍ブロックの水平方向、垂直方向、および斜め方向に、処理対処ブロックから遠い位置に隣接する２４個のブロックである。

広がり形状重み付加部１１０は、ボタン、またはマウスなどの操作機能を備えた設定部１１６により予め設定された各バックライト８３のブロックの発光による周囲への拡散形状に対応して、第３近傍ブロックの各ブロックの発光レベルに対して重みを付加し、対応するブロックのバックライト８３におけるバックライト輝度として発光レベル管理部１１１に供給し、発光レベルをメモリ１１１ａに記憶させる。発光レベル管理部１１１は、メモリ１１１ａに既に記憶されている発光レベルが存在する場合、供給されてきた発光レベルと比較し、大きな発光レベルを記憶させる。

出力部１１２は、発光レベル管理部１１１のメモリ１１１ａに各バックライト８３−１乃至８３−Nの各ブロックＢ１乃至ＢＮに対応して記憶されている発光レベルをバックライト輝度としてバックライト制御部８２−１乃至８２−Ｎ、および入射輝度算出部１１３に供給する。

入射輝度算出部１１３は、出力部１１２から供給されたバックライト輝度に基づいて、バックライト８３に対応する液晶パネル８５の各ブロックの各画素について、バックライト８３から画素に入射すると推定される光の輝度を示す画素入射輝度を算出する。すなわち、画素入射輝度は、供給されたバックライト輝度でバックライト８３が発光した場合に、バックライト８３から各部分表示領域の画素に入射すると推定される光の輝度を示す情報である。

例えば、入射輝度算出部１１３は、対応するバックライト８３が発光した場合に、バックライト８３から射出された光がどのように拡散し、距離に応じた寄与率の分布として示すプロファイルを予め保持している。そして、入射輝度算出部１１３は、保持しているプロファイルを用いて、出力部１１２から供給されたバックライト輝度でバックライト８３が発光したときに、そのバックライト８３に対応する液晶パネル８５の各ブロックの各画素に、バックライト８３から入射すると推定される光の輝度を求め、それらの画素ごとの輝度を画素入射輝度とする。

入射輝度算出部１１３は、各ブロックの各画素の画素入射輝度を求めると、それらの画素入射輝度を除算部１１４に供給する。

除算部１１４は、供給された画像信号の信号値、より詳細にはその信号値から求まる輝度を、入射輝度算出部１１３からの画素入射輝度で除算して、各ブロックの各画素の透過率を算出する。そして、除算部１１４は、算出した画素ごとの透過率を液晶パネル制御部８４に供給する。

例えば、各ブロックの注目している画素を注目画素と呼ぶこととする。また、その注目画素の画素入射輝度をＣＬとし、バックライト８３のバックライト輝度をＢＬとするとともに、注目画素と同じ位置にある表示画像上の画素、つまり注目画素に表示される画像が表示される、表示画像上の画素の輝度をＩＬとする。さらに、注目画素における光の透過率をＴとする。

この場合、バックライト８３をバックライト輝度ＢＬで発光させると、バックライト８３から注目画素に入射する光の輝度、つまり注目画素の画素入射輝度は、ＣＬとなる。そして、注目画素が透過率Ｔで、バックライト８３から入射した、画素入射輝度ＣＬの光を透過させると、注目画素から射出される光の輝度、つまり液晶パネル８５を見ているユーザにより知覚される注目画素の輝度（以下、表示輝度ＯＬとも称する）は、画素入射輝度ＣＬ×透過率Ｔで表される。表示輝度ＯＬが表示画像の画素の輝度ＩＬと等しければ、液晶パネル８５には表示画像と同じ画像が表示されるため、表示輝度ＯＬと輝度ＩＬとが等しいとすると、以下の式（１）が成立する。

透過率Ｔ＝（表示画像の画素の輝度ＩＬ）／（画素入射輝度ＣＬ） ・・・（１）

したがって、除算部１１４は、供給された、注目画素に対応する表示画像の画素の画素値を表す画像信号の信号値、より詳細には、表示画像の画素の輝度ＩＬを、入射輝度算出部１１３から供給された注目画素の画素入射輝度ＣＬで除算することにより、注目画素の適切な透過率Ｔを算出することができる。

次に、図４のフローチャートを参照して、図２の表示装置６１による表示処理について説明する。

ステップＳ１１において、表示制御部８１は、後述するバックライト輝度算出処理を実行し、入力された画像信号に基づいて、各ブロック毎にバックライト８３のバックライト輝度を算出し、算出されたバックライト輝度を入射輝度算出部１１３、およびバックライト制御部８２に供給する。尚、バックライト輝度算出処理については、図５のフローチャートを参照して詳細を後述する。

ステップＳ１２において、入射輝度算出部１１３は、出力部１１２から供給されたバックライト輝度に基づいて、バックライト８３に対応する液晶パネル８５の各ブロックの画素ごとに、画素入射輝度を算出する。入射輝度算出部１１３は、算出した画素入射輝度を除算部１１４に供給する。

ステップＳ１３において、除算部１１４は、供給された画像信号を、入射輝度算出部１１３から供給された画素入射輝度で除算することにより、各ブロックの画素ごとに、その画素の透過率を求め、液晶パネル制御部８４に供給する。

ステップＳ１４において、バックライト制御部８２は、入射輝度算出部１１３から供給されたバックライト輝度に基づいて、そのバックライト輝度でバックライト８３を発光させる。また、バックライト８３は、バックライト制御部８２の制御に基づいて発光し、指定されたバックライト輝度の光を液晶パネル８５に入射させる。

なお、上述したステップＳ１１乃至Ｓ１４の処理は、表示制御部８１により各ブロックに対して一括して行われる。また、ステップＳ１４の処理は、バックライト制御部８２−１乃至バックライト制御部８２−Ｎのそれぞれと、バックライト８３−１乃至バックライト８３−Ｎのそれぞれとにより、個別に行われる。

ステップＳ１５において、液晶パネル制御部８４は、表示制御部８１から供給された液晶パネル８５の表示領域の画素ごとの透過率に基づいて、液晶パネル８５の動作を制御し、各画素の透過率を変更させる。

ステップＳ１６において、液晶パネル８５は、液晶パネル制御部８４の制御に基づいて、表示領域の画素の透過率を、画素ごとに指定された透過率に変更して、バックライト８３から入射した光を透過させることにより、表示画像を表示する。

ステップＳ１７において、表示装置６１は、表示画像の表示を終了するか否かを判定する。例えば、ユーザにより表示画像の表示の終了が指示されたか、または供給された画像信号の全てのフレームの表示画像が表示された場合、終了すると判定される。

ステップＳ１７において、表示画像の表示を終了しないと判定された場合、処理はステップＳ１１に戻り、上述した処理が繰り返される。つまり、次のフレームの表示画像について、バックライト輝度と透過率とが求められて、その表示画像が表示される。

これに対して、ステップＳ１７において、表示画像の表示を終了すると判定された場合、表示装置６１の各部は行っている処理を終了し、表示処理は終了する。

このようにして、表示装置６１は、画像信号が供給されると、バックライト輝度と透過率とを求めて表示画像を表示する。

次に、図５のフローチャートを参照して、図４のフローチャートにおけるステップＳ１１の処理であるバックライト輝度算出処理について説明する。

ステップＳ２１において、必要発光レベル算出部１０１は、未処理のブロックについていずれか１個のブロックを処理対象ブロックに設定する。

ステップＳ２２において、必要発光レベル算出部１０１は、入力された画像信号に基づいて、必要輝度ｐを求め、その必要輝度ｐに対応する処理対象ブロックの発光レベルを算出し、不足判定部１０２に供給する。より具体的には、必要発光レベル算出部１０１は、処理対象ブロックのプロファイルを発光プロファイルメモリ１１５より読み出し、処理対象となっているブロックに対する寄与率ｒ（単位を％とする）を求め、必要輝度ｐに対して割り戻すことにより必要発光レベルＬｎ（＝ｐ／（ｒ／１００））を求める。ここで、寄与率とは、例えば、図６の曲線で示されるようなプロファイルで示されるものであり、処理対象ブロックをブロックＢ（ｘ）としたとき、処理対象ブロックＢ（ｘ）が発光する光の寄与する割合をブロックからの距離に対応して示すものである。すなわち、処理対象ブロックＢ（ｘ）に対応するバックライト８３が発光する場合、その光は、拡散することにより、自らに対応するブロックを発光するために寄与するだけでなく、隣接するブロックや、さらに、隣接するブロックを発光させることに対しても寄与する。このため、図６で示される処理対象ブロックＢ（ｘ）に対応するバックライト８３で発する光による、処理対象ブロックＢ（ｘ）の寄与率は、例えば、寄与率α１近傍の値となる。また、処理対象ブロックＢ（ｘ）に隣接するブロックＢ（ｘ−１），Ｂ（ｘ＋１）への寄与率は、寄与率α２近傍の値となり、さらに、ブロックＢ（ｘ−１），Ｂ（ｘ＋１）に隣接するブロックＢ（ｘ−２），Ｂ（ｘ＋２）への寄与率は、寄与率α３近傍の値となる。

尚、寄与率は、図６の曲線で示されるように、発光しているブロックの中央位置における直上を最大値として、ブロックの中央位置からの距離に応じて減少するため、ブロック単位で考える場合、輝度不足を抑制するため、演算には、ブロックの最外周部分の最大値を基準として発光レベルが算出される。

ステップＳ２３において、不足判定部１０２は、必要発光レベルＬｎに対して、処理対象ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ１で不足が発生するか否かを判定する。

ステップＳ２３において、例えば、必要発光レベルＬｎが、図７の左部で示されるように最大発光レベルＬｍ１を１００％ととした時の２８０％に相当するような発光レベルΔａであるような場合、必要発光レベルＬｎに対して、処理対象ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ１で不足が発生すると判定された場合、不足判定部１０２は、処理対象ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ１、必要輝度ｐの情報と共に、不足が発生していることを第１近傍ブロック発光レベル算出部１０３に供給する。

ステップＳ２４において、第１近傍ブロック発光レベル算出部１０３は、第１隣接ブロックに属する各ブロックのプロファイルを読み出す。ここで、第１隣接ブロックとは、例えば、図８で示されるように、処理対象ブロックＢ１を中心としたとき、その水平方向、垂直方向、および斜め方向に隣接するブロックＢ１１乃至Ｂ１８の８ブロックである。

ステップＳ２５において、第１近傍ブロック発光レベル算出部１０３は、第１隣接ブロックに属する各ブロックの発光レベルを算出し、処理対象ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ１、必要輝度ｐの情報と共に、広がり形状重み付加部１０４に供給する。すなわち、第１近傍ブロック発光レベル算出部１０３は、各ブロックのプロファイルに基づいて、距離に応じた寄与率で割戻し、処理対象ブロックに対応するバックライト８３の発光により不足する輝度を満たすために必要とされる第１隣接ブロックの各ブロックに対応するバックライト８３の発光レベルを算出する。

例えば、図８におけるブロックＢ１４の場合、処理対象ブロックＢ１への寄与率は、図６で示されるように、α２近傍の値であると考えることができるので、処理対象ブロックＢ１に対応するバックライト８３の発光により必要輝度ｐに対して不足する輝度を１／８ずつ分担できるように発光レベルを算出することになる。尚、厳密には、ブロックＢ１１，Ｂ１３，Ｂ１６，Ｂ１８と、ブロックＢ１２，Ｂ１４，Ｂ１５，Ｂ１７とは、処理対象ブロックとの距離が異なるので、２種類の距離に対してそれぞれ寄与率αｘ，αｙを求め、それぞれ発光レベルが設定されることになる。また、例えば、ブロックＢ１１乃至Ｂ１８の平均的な距離から統一した寄与率を使って、８ブロックを１つのグループとして統一した寄与率αｚを用いて処理することにより処理を簡略化するようにしてもよい。尚、以降においては、ブロックＢ１１乃至Ｂ１８について、処理対象ブロックからの距離の平均を用いることにより統一して、発光レベルＬｏが必要発光レベルとして求められるものとして説明を進める。

ステップＳ２６において、広がり形状重み付加部１０３は、第１隣接ブロックに属する各ブロックの発光レベルを取得し、設定部１１６により予め設定されている広がり形状に対応した重みを付して、処理対象ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ１、必要輝度ｐの情報と共に、不足判定部１０５に供給する。広がり形状とは、１個のブロックに対応するバックライト８３が発光することにより光がどのような形状で拡散するかを示すものである。例えば、広がり形状が、正方形に設定されている場合、図８で示される第１隣接ブロックに属するブロックＢ１１乃至Ｂ１８については、正方形に配列されており、拡散する形状と同一であるので、重みを付する必要がなく、いずれのブロックに対しても均等に重みが付加されることになるので、必要発光レベルＬｏが、そのまま出力される。

一方、例えば、広がり形状が、円形であるような場合、図９で示されるように、処理対象ブロックＢ１を中心として、円形を構成する場合の円形に属する占有面積の割合に応じて、例えば、ブロックＢ１１，Ｂ１３，Ｂ１６，Ｂ１８の重みを０．７とし、それ以外のブロックＢ１２、Ｂ１４，Ｂ１５，Ｂ１７の重みを１．３にするなどして、それぞれの必要発光レベルを０．７×Ｌｏ，１．３×Ｌｏとして出力する。

ステップＳ２７において、不足判定部１０５は、第１隣接ブロックに属する必要発光レベルＬｏに対して、第１隣接ブロックに属する各ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ２で不足が発生するか否かを判定する。

ステップＳ２７において、例えば、必要発光レベルＬｏが、第１隣接ブロックに属するブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ２で不足が発生すると判定された場合、処理は、ステップＳ２８に進む。

ステップＳ２８において、不足判定部１０５は、処理対象ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ１、第１隣接ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ２、必要輝度ｐの情報と共に、不足が発生していることを第１近傍ブロック発光レベル算出部１０６に供給する。さらに、第２近傍ブロック発光レベル算出部１０６は、第２隣接ブロックに属する各ブロックのプロファイルを読み出す。ここで、第２隣接ブロックとは、例えば、図８で示されるように、処理対象ブロックＢ１を中心としたとき、その水平方向、垂直方向、および斜め方向に、第１隣接ブロックのそれぞれに隣接するブロックＢ２１乃至Ｂ１６の１６ブロックである。

ステップＳ２９において、第２近傍ブロック発光レベル算出部１０６は、第２隣接ブロックに属する各ブロックの発光レベルを算出し、処理対象ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ１、第１隣接ブロックに属するブロックの最大発光レベルＬｍ２、必要輝度ｐの情報と共に、広がり形状重み付加部１０７に供給する。すなわち、第２近傍ブロック発光レベル算出部１０６は、各ブロックのプロファイルに基づいて、距離に応じた寄与率で割戻し、処理対象ブロック、および第１隣接ブロックに対応するバックライト８３の発光により不足する輝度を満たすために必要とされる第２隣接ブロックの各ブロックに対応するバックライト８３の発光レベルを算出する。

例えば、図８の場合、第２近傍ブロック発光レベル算出部１０６は、処理対象ブロックＢ１および第１隣接ブロックＢ１１乃至Ｂ１８に対応するバックライト８３の発光により必要輝度ｐに対して不足する輝度の１／１６を分担できるように発光レベルを設定することになる。尚、上述したように、厳密には、ブロックＢ２１乃至Ｂ３６は、処理対象ブロックとの距離が異なるので、それぞれ距離に応じた寄与率が求められることになるが、第２近傍ブロック発光レベル算出部１０６は、第１隣接ブロックと同様に、ブロックＢ２１乃至Ｂ２６の平均的な距離から統一した寄与率を使って、１６ブロックを１つのグループとして統一した寄与率αｕを用いて処理することにより処理を簡略化するようにし、ブロックＢ２１乃至Ｂ３６に対して統一した発光レベルＬｐを算出するものとする。

ステップＳ３０において、広がり形状重み付加部１０７は、第２隣接ブロックに属する各ブロックの発光レベルを取得し、設定部１１６により予め設定されている広がり形状に対応した重みを付して、処理対象ブロック、および第１隣接ブロックにおける最大発光レベルに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ１，Ｌｍ２、必要輝度ｐの情報と共に、不足判定部１０８に供給する。例えば、広がり形状が、正方形である場合、図８で示される第２隣接ブロックに属するブロックＢ２１乃至Ｂ３６については、正方形に配列されているので、いずれのブロックに対しても均等に重みが付加されることになるので、必要発光レベルＬｐが、そのまま出力される。

一方、例えば、広がり形状が、円形であるような場合、図９で示されるように、処理対象ブロックＢ１を中心として、円形を構成する割合の占有面積の割合に応じて、例えば、ブロックＢ２１，Ｂ２５，Ｂ３２，Ｂ３６の重みを０．７とし、ブロックＢ２２，Ｂ２４Ｂ２６，Ｂ２７，Ｂ３０，Ｂ３１，Ｂ３３，Ｂ３５の重みを１．１とし、それ以外のブロックＢ２３，Ｂ２８，Ｂ２９，Ｂ３４の重みを１．４にするなどして、それぞれの必要発光レベルを０．７×Ｌｐ，１．１×Ｌｐ，１．４×Ｌｐとして出力する。

ステップＳ３１において、不足判定部１０８は、第２隣接ブロックに属する必要発光レベルＬｐに対して、第２隣接ブロックに属する各ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ３で不足が発生するか否かを判定する。

ステップＳ３１において、例えば、必要発光レベルＬｐが、第２隣接ブロックに属するブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ３で不足が発生すると判定された場合、処理は、ステップＳ３１に進む。

ステップＳ３２において、不足判定部１０８は、処理対象ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ１、第１隣接ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ２、第２隣接ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ３、および必要輝度ｐの情報と共に、不足が発生していることを第３近傍ブロック発光レベル算出部１０９に供給する。さらに、第３近傍ブロック発光レベル算出部１０９は、第３隣接ブロックに属する各ブロックのプロファイルを読み出す。ここで、第３隣接ブロックとは、例えば、図８で示されるように、処理対象ブロックＢ１を中心としたとき、その水平方向、垂直方向、および斜め方向に、第２隣接ブロックのそれぞれに隣接するブロックＢ４１乃至Ｂ６４の２４ブロックである。

ステップＳ３３において、第３近傍ブロック発光レベル算出部１０９は、第３隣接ブロックに属する各ブロックの発光レベルを算出し、処理対象ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ１、第１隣接ブロックに属するブロックの最大発光レベルＬｍ２、第２隣接ブロックに対応するバックライト８３の最大発光レベルＬｍ３、および必要輝度ｐの情報と共に、広がり形状重み付加部１１０に供給する。すなわち、第３近傍ブロック発光レベル算出部１０９は、各ブロックのプロファイルに基づいて、距離に応じた寄与率で割戻し、処理対象ブロック、第１隣接ブロック、および、第２隣接ブロックに対応するバックライト８３の発光により不足する輝度を満たすために必要とされる第３隣接ブロックの各ブロックに対応するバックライト８３の発光レベルを算出する。

例えば、第３近傍ブロック発光レベル算出部１０９は、処理対象ブロックＢ１、第１隣接ブロックＢ１１乃至Ｂ１８、および第２隣接ブロックＢ２１乃至Ｂ３６に対応するバックライト８３の発光により必要輝度ｐに対して不足する輝度の１／２４を分担できるように発光レベルを設定することになる。尚、上述したように、厳密には、ブロックＢ４１乃至Ｂ６４は、処理対象ブロックとの距離が異なるので、距離に応じた寄与率が求められることになるが、第１隣接ブロックと同様に、ブロックＢ４１乃至Ｂ６４の平均的な距離から統一した寄与率αｔを使って、２４ブロックを１つのグループとして統一して処理することにより処理を簡略化するようにし、ブロックＢ４１乃至Ｂ６４に対して統一した発光レベルＬｑを設定するものとする。

ステップＳ３４において、広がり形状重み付加部１１０は、広がり形状重み付加部１０４，１０７と同様に、第３隣接ブロックに属する各ブロックの発光レベルを取得し、設定部１１６により予め設定されている広がり形状に対応した重みを付して、発光レベル管理部１１１に供給する。

一方、ステップＳ２３，Ｓ２７，Ｓ３０において、発光レベルに不足が発生しないと判定された場合、その時点における処理対象ブロックの必要発光レベル（発光可能な発光レベル）Ｌｎであるか、処理対象ブロックの最大発光レベルＬｍ１および第１隣接ブロックの必要発光レベル（発光可能な発光レベル）Ｌｏであるか、または、処理対象ブロックの最大発光レベルＬｍ１、第１隣接ブロックの最大発光レベルＬｍ２、第２隣接ブロックの必要発光レベル（発光可能な発光レベル）Ｌｐがそれぞれ発光レベル管理部１１１に供給される。

ステップＳ３５において、発光レベル管理部１１１は、メモリ１１１ａにアクセスし、供給されてきた処理対象ブロック、第１隣接ブロック、第２隣接ブロック、および第３隣接ブロックの各ブロックに設定された発光レベルについて、対応する発光レベルについて既に記憶されている発光レベルが存在するか否かを判定する。

ステップＳ３５において、既に記憶されている発光レベルの情報が存在する場合、ステップＳ３６において、いずれかの発光レベルを比較し大きい方の発光レベルを選択する。

ステップＳ３７において、発光レベル管理部１１１は、広がり形状重み付加部１１０（または、不足判定部１０２，１０５，１０８）より供給されてきた発光レベルを、ブロック毎にメモリ１１１ａに記憶させる。

尚、ステップＳ３５において、既に記憶されている発光レベルの情報が存在しない場合、ステップＳ３６の処理は、スキップされる。

ステップＳ３７において、必要発光レベル算出部１０１は、未処理のブロックが存在するか否かを判定し、未処理のブロックが存在する場合、処理は、ステップＳ２１に戻り、未処理のブロックが存在しないと判定されるまで、ステップＳ２１乃至Ｓ３７の処理が繰り返される。そして、ステップＳ３７において、未処理のブロックが存在しないと判定された場合、ステップＳ３８において、出力部１１２が、メモリ１１１ａに記憶されている発光レベルの情報をそれぞれのバックライト制御部８２に供給すると共に、入射輝度算出部１１３に供給する。

この結果、例えば、図７の右部で示されるように、処理対象ブロックの発光レベルを仮想的に最大で２００％程度までとすると、処理対象ブロックが最大発光レベルＬｍ１で発光し、第１隣接ブロックが最大発光レベルＬｍ２で発光し、第２隣接ブロックが最大発光レベルＬｍ３で発光し、第３隣接ブロックが必要発光レベルＬｑで発光することにより、それぞれの発光により処理対象ブロック（中央のブロック）へ寄与される輝度により、単独で発光できるレベル（１００％）を超えたレベル（２００％）の発光が可能となり、単独で発光できる輝度以上の期待値が算出されても輝度の不足を抑制することが可能となる。尚、単独で発光できる発光レベルを超える発光レベルとして２００％の例について説明してきたが、バックライト８３の性能によりそれ以上の発光レベルを実現することもできる。

また、各ブロックに対して重複して発光レベルが算出される際、常に最大の発光レベルが選択されることになるため、広がりの形状による重み付加で、小さな発光レベルに設定されても、その他のブロックを処理対象とした演算により、大きな発光レベルが必要な発光レベルとして算出されると、その値に置き換えられるので、重み付加による輝度の不足を抑制することが可能となる。

尚、以上においては、第１近傍ブロック乃至第３近傍ブロックまでの近傍ブロック群を処理対象ブロックに対応して設定する例について説明してきたが、処理対象ブロックからの距離に応じて近傍ブロックを設定すればよいものであるので、処理対象ブロックからの距離に応じて、その他の構成による近傍ブロック群を構成するようにしてもよい。

本発明によれば、バックライトによる輝度不足を抑制することが可能となる。

ところで、上述した一連の処理は、ハードウェアにより実行させることもできるが、ソフトウェアにより実行させることもできる。一連の処理をソフトウェアにより実行させる場合には、そのソフトウェアを構成するプログラムが、専用のハードウェアに組み込まれているコンピュータ、または、各種のプログラムをインストールすることで、各種の機能を実行することが可能な、例えば汎用のパーソナルコンピュータなどに、記録媒体からインストールされる。

図１０は、汎用のパーソナルコンピュータの構成例を示している。このパーソナルコンピュータは、CPU(Central Processing Unit)１００１を内蔵している。CPU１００１にはバス１００４を介して、入出力インタフェース１００５が接続されている。バス１００４には、ROM(Read Only Memory)１００２およびRAM(Random Access Memory)１００３が接続されている。

入出力インタフェース１００５には、ユーザが操作コマンドを入力するキーボード、マウスなどの入力デバイスよりなる入力部１００６、処理操作画面や処理結果の画像を表示デバイスに出力する出力部１００７、プログラムや各種データを格納するハードディスクドライブなどよりなる記憶部１００８、LAN（Local Area Network）アダプタなどよりなり、インターネットに代表されるネットワークを介した通信処理を実行する通信部１００９が接続されている。また、磁気ディスク（フレキシブルディスクを含む）、光ディスク（CD-ROM(Compact Disc-Read Only Memory)、DVD(Digital Versatile Disc)を含む）、光磁気ディスク（ＭＤ(Mini Disc)を含む）、もしくは半導体メモリなどのリムーバブルメディア１０１１に対してデータを読み書きするドライブ１０１０が接続されている。

CPU１００１は、ROM１００２に記憶されているプログラム、または磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、もしくは半導体メモリ等のリムーバブルメディア１０１１から読み出されて記憶部１００８にインストールされ、記憶部１００８からRAM１００３にロードされたプログラムに従って各種の処理を実行する。RAM１００３には、CPU１００１が各種の処理を実行する上において必要なデータなども適宜記憶される。

尚、本明細書において、記録媒体に記録されるプログラムを記述するステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理は、もちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理を含むものである。

従来の液晶表示装置の構成を示す図である。 本発明を適用した表示装置の一実施の形態の構成例を示す図である。 図２の表示制御部の構成例を説明する図である。 表示処理を説明するフローチャートである。 バックライト輝度算出処理を説明するフローチャートである。 寄与率を説明する図である。 輝度を分担する例を説明する図である。 第１隣接ブロック乃至第３隣接ブロックを説明する図である。 広がり形状に対応する重みを説明する図である。 汎用のパーソナルコンピュータの構成例を説明する図である。

符号の説明

６１ 表示装置， ８１−１乃至８１−Ｎ，８１ 表示制御部， ８２−１乃至８２−Ｎ，８２ バックライト制御部， ８３−１乃至８３−Ｎ，８３ バックライト， ８４ 液晶パネル制御部， ８５ 液晶パネル， １０１ 必要発光レベル算出部， １０２ 不足判定部， １０３ 第１近傍ブロック発光レベル算出部， １０４ 広がり形状付加部， １０５ 不足判定部， １０６ 第２近傍ブロック発光レベル算出部， １０７ 広がり形状付加部， １０８ 不足判定部， １０９ 第３近傍ブロック発光レベル算出部， １１０ 広がり形状付加部， １１１ 発光レベル管理部， １１１ａ メモリ， １１２ 出力部， １１３ 入射輝度算出部， １１４ 除算部

Claims (6)

1. 複数のブロックからなるバックライトのうち、画像信号に基づいた必要輝度を満たす、注目ブロックのバックライトによる発光レベルを、必要注目ブロック発光レベルとして算出する必要注目ブロック発光レベル算出手段と、
   前記必要注目ブロック発光レベルに対して、前記注目ブロックのバックライトで発光可能な最大発光レベルでは不足する場合、前記注目ブロックのバックライトにより不足する輝度を満たす前記注目ブロックの近傍の前記第１の近傍ブロックの発光による前記注目ブロックへの発光寄与量で前記注目ブロックのバックライトでの発光可能な最大発光レベルにより前記必要輝度に対して不足する輝度を満たす第１の近傍ブロックの発光レベルを必要第１近傍ブロック発光レベルとして算出する必要第１近傍ブロック発光レベル算出手段と、
   前記注目ブロックのバックライトを発光可能な最大発光レベルで発光させ、前記必要第１近傍ブロック発光レベルにより前記第１の近傍ブロックのバックライトを発光させるバックライト発光制御手段と
   を含む表示制御装置。
2. 前記必要第１近傍ブロック発光レベルに対して、前記第１の近傍ブロックのバックライトで発光可能な最大発光レベルでは不足する場合、前記注目ブロックの近傍であって、前記第１の近傍ブロックよりも遠い近傍の第２の近傍ブロックの発光による前記注目ブロックへの発光寄与量で前記注目ブロックおよび第１の近傍ブロックのバックライトでの発光可能な最大発光レベルにより前記必要輝度に対して不足する輝度を満たす第２の近傍ブロックの発光レベルを必要第２近傍ブロック発光レベルとして算出する必要第２近傍ブロック発光レベル算出手段をさらに含み、
   前記バックライト発光制御手段は、前記注目ブロックのバックライトおよび前記第１の近傍ブロックのバックライトをそれぞれの前記最大発光レベルにより発光させ、前記必要第２近傍ブロック発光レベルにより前記第２の近傍ブロックのバックライトを発光させる
   請求項１に記載の表示制御装置。
3. 前記必要第１近傍ブロック発光レベル算出手段により算出された、前記第１の近傍ブロックの発光レベルを、前記注目ブロックからの光の広がりの形状に対応して重み付けする第１の重み付け手段をさらに含む
   請求項２に記載の表示制御装置。
4. 前記必要第２近傍ブロック発光レベル算出手段により算出された、前記第２の近傍ブロックの発光レベルを、前記注目ブロックからの光の広がりの形状に対応して重み付けする第２の重み付け手段とをさらに含む
   請求項３に記載の表示制御装置。
5. 複数のブロックからなるバックライトのうち、画像信号に基づいた必要輝度を満たす、注目ブロックのバックライトによる発光レベルを、必要注目ブロック発光レベルとして算出する必要注目ブロック発光レベル算出ステップと、
   前記必要注目ブロック発光レベルに対して、前記注目ブロックのバックライトで発光可能な最大発光レベルでは不足する場合、前記注目ブロックのバックライトにより不足する輝度を満たす前記注目ブロックの近傍の前記第１の近傍ブロックの発光による前記注目ブロックへの発光寄与量で前記注目ブロックのバックライトでの発光可能な最大発光レベルにより前記必要輝度に対して不足する輝度を満たす第１の近傍ブロックの発光レベルを必要第１近傍ブロック発光レベルとして算出する必要第１近傍ブロック発光レベル算出ステップと、
   前記注目ブロックのバックライトを発光可能な最大発光レベルで発光させ、前記必要第１近傍ブロック発光レベルにより前記第１の近傍ブロックのバックライトを発光させるバックライト発光制御ステップと
   を含む表示制御方法。
6. 複数のブロックからなるバックライトのうち、画像信号に基づいた必要輝度を満たす、注目ブロックのバックライトによる発光レベルを、必要注目ブロック発光レベルとして算出する必要注目ブロック発光レベル算出ステップと、
   前記必要注目ブロック発光レベルに対して、前記注目ブロックのバックライトで発光可能な最大発光レベルでは不足する場合、前記注目ブロックのバックライトにより不足する輝度を満たす前記注目ブロックの近傍の前記第１の近傍ブロックの発光による前記注目ブロックへの発光寄与量で前記注目ブロックのバックライトでの発光可能な最大発光レベルにより前記必要輝度に対して不足する輝度を満たす第１の近傍ブロックの発光レベルを必要第１近傍ブロック発光レベルとして算出する必要第１近傍ブロック発光レベル算出ステップと、
   前記注目ブロックのバックライトを発光可能な最大発光レベルで発光させ、前記必要第１近傍ブロック発光レベルにより前記第１の近傍ブロックのバックライトを発光させるバックライト発光制御ステップと
   を含む処理をコンピュータに実行させるプログラム。

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