JP2009250989A - Liquid crystal device - Google Patents

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JP2009250989A
JP2009250989A JP2008094647A JP2008094647A JP2009250989A JP 2009250989 A JP2009250989 A JP 2009250989A JP 2008094647 A JP2008094647 A JP 2008094647A JP 2008094647 A JP2008094647 A JP 2008094647A JP 2009250989 A JP2009250989 A JP 2009250989A
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film
liquid crystal
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transparent substrate
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JP2008094647A
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Katsuhiro Imai
克浩 今井
Satoshi Taguchi
聡志 田口
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Epson Imaging Devices Corp
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Epson Imaging Devices Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make it hard to view pits on a surface of a glass substrate. <P>SOLUTION: A liquid crystal device has a first substrate 10 having a first electrode 14 and a second electrode 15, a second substrate 20 disposed opposite the first substrate 10, and a liquid crystal layer 30 sandwiched between the first substrate 10 and second substrate 20. The second substrate 20 has a transparent substrate 20A, a polarizing plate 25 provided to the transparent substrate 20A on the opposite side from the liquid crystal layer 30, and a laminate film 40 provided between the transparent substrate 20A and polarizing plate 25 in contact with the transparent substrate 20A. The laminate film 40 includes an electrostatic shield film 23 having transparency, and a low-refractive-index film 24 provided in contact with the electrostatic shield film 23 and having transparency and a lower refractive index than the electromagnetic shield film 23 and transparent substrate 20A. The electromagnetic shield film 23 or low-refractive-index film 24 is provided in contact with the transparent substrate 20A. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal device.

従来から液晶装置は、パーソナルコンピュータや携帯電話、テレビジョン受像機等の表
示部として幅広く用いられている。液晶装置の駆動方法の1つとして、横電界方式が挙げ
られる。横電界方式の液晶装置は、例えば第1電極及び第2電極が設けられた素子基板、
これに対向配置されたカラーフィルタ基板、及びこれら基板間に挟持された液晶等を備え
ている。第1電極と第2電極との間に基板面と平行な電界(横電界)を生じさせ、横電界
によって液晶層の液晶分子を駆動することが可能になっている。
Conventionally, liquid crystal devices have been widely used as display units for personal computers, mobile phones, television receivers, and the like. One method for driving a liquid crystal device is a lateral electric field method. A horizontal electric field type liquid crystal device includes, for example, an element substrate provided with a first electrode and a second electrode,
A color filter substrate disposed opposite thereto, a liquid crystal sandwiched between the substrates, and the like are provided. An electric field (lateral electric field) parallel to the substrate surface is generated between the first electrode and the second electrode, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer can be driven by the lateral electric field.

ところで、カラーフィルタ基板には電極や配線等の導電部が不要であり、これを設けな
いようにするとカラーフィルタ基板が静電気等によって帯電することがある。すると、基
板間に不測の縦電界が生じて横電界が乱れてしまい、表示不良を生じることがある。これ
を防止するために、カラーフィルタ基板に静電シールド膜を設ける技術が提案されている
(例えば、特許文献1)。
By the way, the color filter substrate does not require conductive portions such as electrodes and wiring, and if not provided, the color filter substrate may be charged by static electricity or the like. Then, an unexpected vertical electric field is generated between the substrates, the horizontal electric field is disturbed, and display defects may occur. In order to prevent this, a technique of providing an electrostatic shield film on a color filter substrate has been proposed (for example, Patent Document 1).

このような横電界方式の液晶装置は、例えば以下のようにして製造されている。
まず、ガラス基板にスイッチング素子や第1電極、第2電極等を形成し素子基板を形成
する。また、素子基板とは別に、ガラス基板に色材部等を形成しカラーフィルタ基板を形
成する。そして、これら基板を対向配置してスペーサ等を介して貼り合せた後、これら基
板を外側からエッチング等により薄型化する。そして、カラーフィルタ基板の外側にイン
ジウム錫酸化物(ITO)等を成膜して静電シールド膜とし、適宜偏光板等を形成する。
そして、これら基板間に液晶層を封止すること等により液晶装置が得られる。
特開平9−105918号公報
Such a horizontal electric field type liquid crystal device is manufactured, for example, as follows.
First, a switching element, a 1st electrode, a 2nd electrode, etc. are formed in a glass substrate, and an element substrate is formed. In addition to the element substrate, a color material portion and the like are formed on a glass substrate to form a color filter substrate. Then, after these substrates are arranged facing each other and bonded together via a spacer or the like, the substrates are thinned by etching or the like from the outside. Then, indium tin oxide (ITO) or the like is formed on the outside of the color filter substrate to form an electrostatic shield film, and a polarizing plate or the like is appropriately formed.
A liquid crystal device is obtained by sealing a liquid crystal layer between these substrates.
JP-A-9-105918

特許文献1の技術を用いれば、静電気による表示不良を防止することが可能であると考
えられるが、以下の理由により表示品質の低下を生じることがある。
前記のようにカラーフィルタ基板は、素子基板と貼り合せた後に薄型化されている。こ
れは、貼り合せ時の押圧によるカラーフィルタ基板の破損を防止する観点から、貼り合せ
時にカラーフィルタ基板の厚み(強度)を確保するためである。このような事情によりカ
ラーフィルタ基板を構成するガラス基板を薄型化すると、ガラス基板表面の微小なピット
やキズがエッチング(薄型化)により顕在化してしまう。
Although it is considered that display defects due to static electricity can be prevented by using the technique of Patent Document 1, display quality may be deteriorated for the following reasons.
As described above, the color filter substrate is thinned after being bonded to the element substrate. This is for securing the thickness (strength) of the color filter substrate at the time of bonding from the viewpoint of preventing the color filter substrate from being damaged by the pressing at the time of bonding. When the glass substrate constituting the color filter substrate is thinned due to such circumstances, minute pits and scratches on the surface of the glass substrate become apparent by etching (thinning).

また、静電シールド膜には透光性や導電性が求められるため、その形成材料としてIT
O等が用いられている。ITOからなる静電シールド膜は、ガラス基板と屈折率が大きく
異なっており、静電シールド膜とガラス基板と界面における反射率が高くなっている。そ
のため、ガラス基板表面での反射光が視認されやすくなり、顕在化したピット等が目立っ
てしまうことにより表示品質が低下してしまう。
In addition, since the electrostatic shielding film is required to have translucency and conductivity, IT
O or the like is used. The electrostatic shield film made of ITO is greatly different in refractive index from that of the glass substrate, and the reflectance at the interface between the electrostatic shield film and the glass substrate is high. For this reason, the reflected light on the surface of the glass substrate is likely to be visually recognized, and the display quality is lowered due to the conspicuous pits and the like.

本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、ピット等による表示品質の低下を防
止した良好な液晶装置を提供することを目的の1つとする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a good liquid crystal device that prevents a deterioration in display quality due to pits or the like.

本発明の液晶装置は、第1電極及び第2電極を有する第1基板と、前記第1基板に対向
配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に挟持され、前記第1電極と
前記第2電極との間に生じる電界によって駆動される液晶分子を含有した液晶層と、を備
え、前記第2基板は、透明基板と、該透明基板において前記液晶層と反対側に設けられた
偏光板と、前記透明基板と前記偏光板との間において前記透明基板に当接して設けられた
積層膜と、を有し、前記積層膜は、透光性を有する静電シールド膜と、該静電シールド膜
に当接して設けられ、透光性を有するとともに屈折率が前記静電シールド膜及び前記透明
基板よりも低い低屈折率膜と、を含み、前記静電シールド膜又は前記低屈折率膜が前記透
明基板と当接して配置されていることを特徴とする。
The liquid crystal device of the present invention is sandwiched between a first substrate having a first electrode and a second electrode, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and the first substrate and the second substrate. A liquid crystal layer containing liquid crystal molecules driven by an electric field generated between the first electrode and the second electrode, the second substrate comprising: a transparent substrate; and the liquid crystal layer in the transparent substrate; A polarizing plate provided on the opposite side, and a laminated film provided in contact with the transparent substrate between the transparent substrate and the polarizing plate, wherein the laminated film has a translucent static property. An electrostatic shield film, and a low refractive index film that is provided in contact with the electrostatic shield film, has translucency, and has a lower refractive index than the electrostatic shield film and the transparent substrate. A shield film or the low refractive index film is disposed in contact with the transparent substrate. It is characterized in.

このように積層膜が第2基板に当接して設けられていれば、液晶装置の第2基板におけ
る液晶層と反対側(外側)から入射した光(外光)のうち透明基板と積層膜との界面での
反射光を、静電シールド膜と低屈折率膜との界面での反射光と干渉させて、透明基板表面
での反射光を弱めることが可能になる。透明基板表面での反射光を弱めると、これが液晶
装置の外側から視認されにくくなり、透明基板の表層にピットやキズを生じていた場合に
これらが視認されにくくなる。よって、ピット等が視認されることによる表示品質の低下
が防止され、高品質の画像が得られる液晶装置となる。
In this way, if the laminated film is provided in contact with the second substrate, the transparent substrate and the laminated film out of the light (external light) incident from the opposite side (outside) of the liquid crystal layer in the second substrate of the liquid crystal device. The reflected light at the interface between the electrostatic shield film and the low refractive index film can be made to interfere with the reflected light on the surface of the transparent substrate. When the reflected light on the surface of the transparent substrate is weakened, it becomes difficult to be visually recognized from the outside of the liquid crystal device, and when pits or scratches are generated on the surface layer of the transparent substrate, these are hardly visible. Therefore, the display quality is prevented from being deteriorated due to the visual recognition of the pits and the like, and the liquid crystal device can obtain a high quality image.

また、積層膜と透明基板との間に偏光板が配置されていないので、偏光板の厚みや屈折
率、光学特性等に影響されることなく透明基板表面での反射光を弱めることができる。こ
れにより、積層膜と透明基板との間に偏光板等が配置されている場合よりも、積層膜の設
計が容易になるとともに積層膜の最適化が図られ、透明基板表面での反射率を格段に低減
することが可能になる。
また、静電シールド膜は、第2基板側の静電気除去等にも用いることができるので第2
基板の帯電による表示不良を防止することもできる。また、静電シールド膜は、ピット等
の視認防止に寄与するとともに静電気除去にも寄与し、これらを独立した部材に分担させ
る場合よりも液晶装置の構成が簡略化される。
Further, since the polarizing plate is not disposed between the laminated film and the transparent substrate, the reflected light on the transparent substrate surface can be weakened without being affected by the thickness, refractive index, optical characteristics, etc. of the polarizing plate. This makes it easier to design the laminated film and optimize the laminated film than when a polarizing plate or the like is disposed between the laminated film and the transparent substrate, and improves the reflectance on the surface of the transparent substrate. It can be significantly reduced.
The electrostatic shield film can also be used for removing static electricity on the second substrate side, so that the second
Display defects due to charging of the substrate can also be prevented. In addition, the electrostatic shield film contributes to the prevention of visual recognition of pits and the like and also contributes to the removal of static electricity, and the configuration of the liquid crystal device is simplified as compared with the case where these are shared by independent members.

また、静電シールド膜が、低屈折率膜における透明基板と反対側に設けられている構成
、つまり低屈折率膜の方が透明基板と当接する構成とすることもできる。
このような構成は、透明基板上に低屈折率膜と静電シールド膜とを連続して成膜するこ
とにより得られる。低屈折率膜と静電シールド膜とを連続成膜すれば、積層膜の層間にお
ける異物の混入を防止することや、積層膜を効率よく形成することができる。また、連続
成膜した後に、静電シールド膜が露出しているので静電シールド膜をアースと電気的に接
続することが容易化される。
Further, the electrostatic shield film may be provided on the opposite side of the low refractive index film from the transparent substrate, that is, the low refractive index film may be in contact with the transparent substrate.
Such a configuration can be obtained by continuously forming a low refractive index film and an electrostatic shield film on a transparent substrate. If the low refractive index film and the electrostatic shield film are continuously formed, it is possible to prevent foreign matter from entering between the layers of the laminated film and to form the laminated film efficiently. Further, since the electrostatic shield film is exposed after the continuous film formation, it is easy to electrically connect the electrostatic shield film to the ground.

また、静電シールド膜が、低屈折率膜における透明基板側に設けられている構成、つま
り静電シールド膜の方が透明基板と当接する構成とすることもできる。
このようにすれば、後に[実施例]で説明するが、静電シールド膜が低屈折率膜におけ
る透明基板と反対側に設けられている場合よりも、外光が透明基板表面で反射する反射率
を低くすることが可能になる。
The electrostatic shield film may be provided on the transparent substrate side of the low refractive index film, that is, the electrostatic shield film may be in contact with the transparent substrate.
In this case, as will be described later in [Example], the reflection of external light reflected on the surface of the transparent substrate is greater than when the electrostatic shield film is provided on the opposite side of the low refractive index film to the transparent substrate. The rate can be lowered.

また、前記静電シールド膜が、インジウム錫酸化物からなりその厚みが10nm以上2
0nm以下になっていることが好ましい。この場合には、前記低屈折率膜が、シリコン酸
化物からなりその厚みが14nm以上26nm以下になっていること、又は前記低屈折率
膜が、フッ化マグネシウムからなりその厚みが15nm以上34nm以下になっているこ
とが好ましい。
インジウム錫酸化物(ITO)は、透光性を有する導電材料として実績があるので、こ
れを用いることにより良好な静電シールド膜とすることができる。その厚みを10nm以
上にすれば、成膜不良等により透明基板が部分的に露出することがなくなり、良好に機能
する静電シールド膜となる。また、その厚みを20nm以下にすれば、静電シールド膜の
形成による液晶装置の構成要素への熱負荷が、構成要素を損傷させない程度以下に軽減さ
れる。
The electrostatic shield film is made of indium tin oxide and has a thickness of 10 nm or more.
It is preferably 0 nm or less. In this case, the low refractive index film is made of silicon oxide and has a thickness of 14 nm to 26 nm, or the low refractive index film is made of magnesium fluoride and has a thickness of 15 nm to 34 nm. It is preferable that
Since indium tin oxide (ITO) has a track record as a light-transmitting conductive material, it can be used as an excellent electrostatic shield film. If the thickness is 10 nm or more, the transparent substrate is not partially exposed due to film formation failure or the like, and the electrostatic shield film functions well. If the thickness is 20 nm or less, the thermal load on the components of the liquid crystal device due to the formation of the electrostatic shield film is reduced to a level that does not damage the components.

また、本発明者は、ITOからなり厚みが10nm以上20nm以下の静電シールド膜
を採用した場合に、外光が透明基板表面で反射する反射率について調査した。その詳細に
ついては、後に[実施例]で説明するが、シリコン酸化物からなる低屈折率膜を採用する
場合に、その厚みを14nm以上26nm以下にすれば本発明の効果を高めることができ
る。また、フッ化マグネシウムからなる低屈折率膜を採用する場合に、その厚みを15n
m以上34nm以下にすれば本発明の効果を高めることができる。
Moreover, when this inventor employ | adopted the electrostatic shield film which consists of ITO and is 10 nm or more and 20 nm or less in thickness, it investigated about the reflectance which external light reflects on the transparent substrate surface. The details will be described later in [Example]. When a low refractive index film made of silicon oxide is employed, the effect of the present invention can be enhanced by setting the thickness to 14 nm or more and 26 nm or less. Further, when a low refractive index film made of magnesium fluoride is employed, the thickness is set to 15 n.
The effect of the present invention can be enhanced by setting it to m or more and 34 nm or less.

以下、本発明の一実施形態を説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定さ
れるものではない。以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、構造の特徴的
な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を実際の構造に対して
異ならせて示す場合がある。
Hereinafter, although one embodiment of the present invention is described, the technical scope of the present invention is not limited to the following embodiment. In the following description, various structures are illustrated using drawings, but in order to show the characteristic parts of the structures in an easy-to-understand manner, the structures in the drawings are shown in different sizes and scales from the actual structures. There is.

本実施形態の液晶装置は、光の進行方向と直交する横電界によって液晶分子の方位角を
制御して画像表示を行うものである。このような方式としては、FFS(Fringe
Field Switching)方式や、IPS(In Plane Switchi
ng)方式等が知られている。ここでは、FFS方式のうちフルカラー表示が可能な液晶
装置に基づいて説明する。
The liquid crystal device according to the present embodiment performs image display by controlling the azimuth angle of liquid crystal molecules by a lateral electric field orthogonal to the traveling direction of light. Such a method includes FFS (Fringe).
Field Switching) and IPS (In Plane Switchi)
ng) method and the like are known. Here, description will be made based on a liquid crystal device capable of full color display in the FFS method.

図1(a)は、画素を拡大して示す平面図であり、図1(b)は、サブ画素の概略構成
を示す平面図である。本実施形態の液晶装置1は多数の画素Pを有しており、図1(a)
に示すように、画素Pは3つのサブ画素Pr、Pg、Pbからなっている。サブ画素Pr
、Pg、Pbは、それぞれ赤色光、緑色光、青色光を射出するようになっており、これら
が混ざり合って視認されることで、フルカラー表示が可能になっている。ここでは、サブ
画素Pr、Pg、Pbの間、及び複数の画素Pの間が遮光領域Dとなっている。
FIG. 1A is a plan view showing an enlarged pixel, and FIG. 1B is a plan view showing a schematic configuration of a sub-pixel. The liquid crystal device 1 of the present embodiment has a large number of pixels P, and FIG.
As shown, the pixel P is composed of three sub-pixels Pr, Pg, and Pb. Subpixel Pr
, Pg, and Pb emit red light, green light, and blue light, respectively, and these colors are mixed and visually recognized, thereby enabling full color display. Here, the light shielding region D is between the sub-pixels Pr, Pg, and Pb and between the plurality of pixels P.

以下、図1(a)に示したXYZ直交座標系を設定し、これに基づいて部材の位置関係
を説明する。このXYZ直交座標系においてX方向及びY方向は、画素Pが配置された面
に沿っており、サブ画素Pr、Pg、Pbが並ぶ方向をX方向、X方向に直交する方向を
Y方向としている。また、画素Pの配置面と直交する方向をZ方向としている。
Hereinafter, the XYZ orthogonal coordinate system shown in FIG. 1A is set, and the positional relationship of the members will be described based on this. In this XYZ rectangular coordinate system, the X direction and the Y direction are along the plane on which the pixel P is arranged, the direction in which the sub-pixels Pr, Pg, and Pb are arranged is the X direction, and the direction orthogonal to the X direction is the Y direction. . A direction orthogonal to the arrangement plane of the pixels P is defined as a Z direction.

液晶装置1には、X方向に延びる多数の走査線、及びY方向に延びる多数のデータ線が
設けられている。走査線は、走査信号を供給する走査線駆動回路と電気的に接続されてお
り、データ線は画像信号を供給するデータ線駆動回路と電気的に接続されている。本実施
形態では、共通電極(後述する)が容量線を兼ねた構成となっているが、例えば走査線と
平行に容量線が設けられていてもよい。
以下、液晶装置1の構成をサブ画素Pgに基づいて説明するが、サブ画素Pr、Pbも
同様の構成となっている。
The liquid crystal device 1 is provided with a large number of scanning lines extending in the X direction and a large number of data lines extending in the Y direction. The scanning line is electrically connected to a scanning line driving circuit that supplies a scanning signal, and the data line is electrically connected to a data line driving circuit that supplies an image signal. In the present embodiment, the common electrode (described later) also serves as a capacitor line. However, for example, a capacitor line may be provided in parallel with the scanning line.
Hereinafter, the configuration of the liquid crystal device 1 will be described based on the sub-pixel Pg, but the sub-pixels Pr and Pb have the same configuration.

図1(b)に示すように、走査線11及びデータ線12によって区画された領域の1つ
が、サブ画素Pr、Pg、Pbの1つと対応している。サブ画素Pgは、薄膜トランジス
タ(TFT)13、画素電極(第1電極)14、及び共通電極(第2電極)15を有して
いる。TFT13は、走査線11とデータ線12との交差部近傍に配置されており、走査
線11と重ね合わされて設けられた半導体層を有している。TFT13は、走査線11が
ゲート電極として機能し、データ線12からの画像信号を適宜スイッチングして画素電極
14に伝達するようになっている。本実施形態の画素電極14は、Y方向に長手の略長方
形状となっており、X方向に延びるスリット状の開口を有している。画素電極14は、Z
方向において共通電極15と重ね合わされて配置されており、画素電極14と共通電極1
5との間には絶縁膜(図示略)が介挿されている。
As shown in FIG. 1B, one of the areas defined by the scanning lines 11 and the data lines 12 corresponds to one of the sub-pixels Pr, Pg, and Pb. The subpixel Pg has a thin film transistor (TFT) 13, a pixel electrode (first electrode) 14, and a common electrode (second electrode) 15. The TFT 13 is disposed in the vicinity of the intersection of the scanning line 11 and the data line 12 and has a semiconductor layer provided so as to overlap the scanning line 11. In the TFT 13, the scanning line 11 functions as a gate electrode, and an image signal from the data line 12 is appropriately switched and transmitted to the pixel electrode 14. The pixel electrode 14 of the present embodiment has a substantially rectangular shape that is long in the Y direction, and has a slit-like opening extending in the X direction. The pixel electrode 14 is Z
The pixel electrode 14 and the common electrode 1 are arranged so as to overlap with the common electrode 15 in the direction.
An insulating film (not shown) is interposed between the two.

図2は、図1(b)のA−A’線に沿う断面図である。図2に示すように、液晶装置1
は、画素電極14及び共通電極15を有する素子基板(第1基板)10、素子基板10と
対向配置されたカラーフィルタ基板20、及びこれら基板間に挟持された液晶層30を備
えている。ここでは、カラーフィルタ基板20(Z正方向)側に向けて画像が表示される
ようになっている。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. As shown in FIG. 2, the liquid crystal device 1
Includes an element substrate (first substrate) 10 having a pixel electrode 14 and a common electrode 15, a color filter substrate 20 disposed to face the element substrate 10, and a liquid crystal layer 30 sandwiched between these substrates. Here, an image is displayed toward the color filter substrate 20 (Z positive direction).

素子基板10は、ガラスや石英、プラスチック等からなる透明基板10Aを基体として
いる。透明基板10Aの内側(液晶層30側)には、走査線11及び共通電極15が設け
られており、これらを覆って絶縁膜16が設けられている。絶縁膜16上には、データ線
12やTFT13の半導体層131、ソース電極135等が設けられており、データ線1
2の一部は分岐されて半導体層131のソース領域と接触導通している。半導体層131
は、例えば多結晶シリコン等からなっており、半導体層131のドレイン領域はソース電
極135と接触導通している。ソース電極135の一部は共通電極15と重ね合わされて
配置されており、この部分は通電時に画像信号を保持する容量を構成する。
The element substrate 10 uses a transparent substrate 10A made of glass, quartz, plastic, or the like as a base. The scanning line 11 and the common electrode 15 are provided on the inner side (the liquid crystal layer 30 side) of the transparent substrate 10A, and an insulating film 16 is provided so as to cover them. On the insulating film 16, the data line 12, the semiconductor layer 131 of the TFT 13, the source electrode 135, and the like are provided.
A part of 2 is branched and is in electrical contact with the source region of the semiconductor layer 131. Semiconductor layer 131
Is made of, for example, polycrystalline silicon, and the drain region of the semiconductor layer 131 is in contact with the source electrode 135. A part of the source electrode 135 is disposed so as to overlap the common electrode 15, and this part constitutes a capacitor for holding an image signal when energized.

データ線12、TFT13、及びソース電極135を覆って層間絶縁膜17が設けられ
ている。層間絶縁膜17には、ソース電極135を露出させる貫通孔が設けられており、
貫通孔内側と層間絶縁膜17上の所定領域とにわたって画素電極14が設けられている。
画素電極14は、貫通孔の内側においてソース電極135と接触導通している。画素電極
14を覆って配向膜18が設けられており、配向膜18は後述する配向膜22とともに液
晶層30の液晶分子の配向方向を制御するようになっている。また、透明基板10Aの外
側には偏光板19が設けられており、さらにこの液晶装置1の偏光板19側を照明するバ
ックライト等の照明装置(図示略)が設けられている。
An interlayer insulating film 17 is provided so as to cover the data line 12, the TFT 13, and the source electrode 135. The interlayer insulating film 17 is provided with a through hole that exposes the source electrode 135.
A pixel electrode 14 is provided across the inside of the through hole and a predetermined region on the interlayer insulating film 17.
The pixel electrode 14 is in contact with the source electrode 135 inside the through hole. An alignment film 18 is provided so as to cover the pixel electrode 14, and the alignment film 18 controls the alignment direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 30 together with the alignment film 22 described later. A polarizing plate 19 is provided outside the transparent substrate 10A, and an illumination device (not shown) such as a backlight for illuminating the polarizing plate 19 side of the liquid crystal device 1 is provided.

本実施形態のカラーフィルタ基板20は、ガラス基板20Aを基体としている。ガラス
基板20Aの内側(液晶層30側)には、カラーフィルタ層21が形成されている。カラ
ーフィルタ層21は、その詳細な構成を図示しないものの、サブ画素Pr、Pg、Pbの
各々と対応した色材部を有している。例えば、サブ画素Prには、赤色光以外の波長帯域
光を吸収する色材部が設けられており、ここを通った光は赤色光となって射出される。こ
れら色材部の間には、遮光領域D(図1(a)参照)と対応した遮光部が設けられている
。また、カラーフィルタ層21の内側には、配向膜22が設けられている。ガラス基板2
0Aの外側にこれと当接して静電シールド膜23が設けられており、静電シールド23膜
の外側にこれと当接して低屈折率膜24が設けられている。静電シールド膜23及び低屈
折率膜24は積層膜40を構成しており、積層膜40の外側には偏光板25が設けられて
いる。
The color filter substrate 20 of this embodiment uses a glass substrate 20A as a base. A color filter layer 21 is formed on the inner side (the liquid crystal layer 30 side) of the glass substrate 20A. The color filter layer 21 has a color material portion corresponding to each of the sub-pixels Pr, Pg, and Pb, although a detailed configuration thereof is not illustrated. For example, the sub-pixel Pr is provided with a color material portion that absorbs light in a wavelength band other than red light, and the light passing therethrough is emitted as red light. Between these color material portions, a light shielding portion corresponding to the light shielding region D (see FIG. 1A) is provided. An alignment film 22 is provided inside the color filter layer 21. Glass substrate 2
An electrostatic shield film 23 is provided in contact with the outer side of 0A, and a low refractive index film 24 is provided in contact with the outer side of the electrostatic shield 23 film. The electrostatic shield film 23 and the low refractive index film 24 constitute a laminated film 40, and a polarizing plate 25 is provided outside the laminated film 40.

静電シールド膜23は、錫酸化物(SnO)やインジウム錫酸化物(ITO)等の透
光性を有する導電材料からなっている。静電シールド膜23は、図示略の導電部を介して
カラーフィルタ基板20側の静電気を逃がすようになっている。これにより、カラーフィ
ルタ基板20の帯電が防止され、帯電によって素子基板10との間に不測の縦電界を生じ
ることが防止される。低屈折率膜24は、例えばシリコン酸化物(SiO)やフッ化マ
グネシウム(MgF)、フッ素系樹脂等の透光性を有する形成材料からなっている。ま
た、その形成材料を選択することにより、静電シールド膜23及びガラス基板20Aのい
ずれよりも屈折率が低くなっている。このような積層膜40は、視認側(Z正方向側)か
ら液晶装置1に入射した光(外光)のうち、Z正方向側(外側)のガラス基板20A表面
で反射した光を弱めるように機能する。その詳細については後に説明する。
The electrostatic shield film 23 is made of a conductive material having translucency such as tin oxide (SnO 2 ) or indium tin oxide (ITO). The electrostatic shield film 23 releases the static electricity on the color filter substrate 20 side through a conductive portion (not shown). This prevents the color filter substrate 20 from being charged and prevents an unexpected vertical electric field from being generated between the color filter substrate 20 and the element substrate 10. The low refractive index film 24 is made of a light-transmitting forming material such as silicon oxide (SiO 2 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), or fluorine resin. Further, by selecting the forming material, the refractive index is lower than both the electrostatic shield film 23 and the glass substrate 20A. Such a laminated film 40 attenuates light reflected on the surface of the glass substrate 20A on the Z positive direction side (outside) out of light (external light) incident on the liquid crystal device 1 from the viewing side (Z positive direction side). To work. Details thereof will be described later.

以上のような構成の液晶装置1において、データ線駆動回路から供給された画像信号は
、データ線を介してTFT13のソース領域に供給される。走査線駆動回路から供給され
た走査信号は、走査線を介してTFT13のチャネルを所定のタイミングでオンオフする
。これにより、画像信号がTFT13のドレイン領域と電気的に接続された画素電極14
に伝達され、画素電極14と共通電極15との間に画像信号に応じた電界が生じる。この
電界のうちXY面に平行な成分すなわち横電界によって、液晶層30の液晶分子は方位角
が制御される。
In the liquid crystal device 1 configured as described above, the image signal supplied from the data line driving circuit is supplied to the source region of the TFT 13 via the data line. The scanning signal supplied from the scanning line driving circuit turns on and off the channel of the TFT 13 at a predetermined timing via the scanning line. Thereby, the pixel electrode 14 in which the image signal is electrically connected to the drain region of the TFT 13.
And an electric field corresponding to the image signal is generated between the pixel electrode 14 and the common electrode 15. The azimuth angle of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 30 is controlled by a component parallel to the XY plane of this electric field, that is, a lateral electric field.

一方、照明装置からの光は偏光板19によって偏光方向が揃えられて液晶層30に入射
し、液晶分子の方位角に応じて偏光状態が変化しカラーフィルタ基板20側に射出される
。カラーフィルタ基板20に入射した光は、カラーフィルタ層21を通って所定の色光と
なり、偏光板25に入射する。偏光板25に入射した光は、その偏光状態に応じて偏光板
25に吸収され、所定の階調を示す色光となって射出される。このようにしてサブ画素P
r、Pg、Pbの各々から射出された光は、混ざり合って視認されることによりフルカラ
ー表示の最小単位を構成する。このような光が、多数の画素の各々から射出されることに
より、所望の画像を表示することが可能になっている。
On the other hand, the light from the illuminating device is incident on the liquid crystal layer 30 with the polarization direction aligned by the polarizing plate 19, and the polarization state changes according to the azimuth angle of the liquid crystal molecules and is emitted to the color filter substrate 20 side. The light incident on the color filter substrate 20 passes through the color filter layer 21 to become a predetermined color light and enters the polarizing plate 25. The light incident on the polarizing plate 25 is absorbed by the polarizing plate 25 according to the polarization state, and is emitted as colored light having a predetermined gradation. In this way, the sub-pixel P
Light emitted from each of r, Pg, and Pb is mixed and visually recognized, thereby constituting the minimum unit of full color display. Such light is emitted from each of a large number of pixels, so that a desired image can be displayed.

[製造例]
このような液晶装置1は、例えば以下のような方法で製造されている。
まず、ガラスウエハを2枚用意する。2枚のうち一方は透明基板10Aの形成用であり
、他方はガラス基板20Aの形成用である。本例では、ガラスウエハの各々を加工した後
にこれらを貼り合せる。そのため、ガラスウエハとしては所定の厚み以上のものを選択し
その強度を確保する。これにより、貼り合せ時の押圧によってガラスウエハに割れ等の損
傷を生じることが防止される。
[Production example]
Such a liquid crystal device 1 is manufactured, for example, by the following method.
First, two glass wafers are prepared. One of the two sheets is for forming the transparent substrate 10A, and the other is for forming the glass substrate 20A. In this example, after processing each glass wafer, these are bonded together. Therefore, a glass wafer having a predetermined thickness or more is selected and its strength is ensured. Thereby, it is prevented that damage, such as a crack, arises in a glass wafer by the press at the time of bonding.

次いで、一方のガラスウエハの所定領域に素子基板10を構成する各種配線や素子等を
形成する。また、他方のガラスウエハの所定領域にカラーフィルタ層21や配向膜22を
形成する。そして、素子基板10となるガラスウエハと、カラーフィルタ基板20となる
ガラスウエハとをスペーサ等を介して貼り合せる。そして、貼り合わせた側を内側として
、各ガラスウエハを外側から化学的なエッチング等で薄型化する。これにより、一方のガ
ラスウエハが透明基板10Aとなり、他方のガラスウエハがガラス基板20Aとなる。な
お、ガラスウエハ表面に結晶欠陥等の微小なピットやキズを生じてことがある。この部分
は、エッチングによって他の部分よりも削られやすいため、薄型化にともなって視認可能
な大きさに顕在化することがある。
Next, various wirings, elements, and the like constituting the element substrate 10 are formed in a predetermined region of one glass wafer. Further, the color filter layer 21 and the alignment film 22 are formed in a predetermined region of the other glass wafer. And the glass wafer used as the element substrate 10 and the glass wafer used as the color filter substrate 20 are bonded together via a spacer. Then, the glass wafer is thinned by chemical etching or the like from the outside with the bonded side as the inside. Thus, one glass wafer becomes the transparent substrate 10A, and the other glass wafer becomes the glass substrate 20A. Note that minute pits and scratches such as crystal defects may occur on the glass wafer surface. Since this portion is more easily etched than other portions by etching, the portion may become visible in size as the thickness is reduced.

次いで、透明基板10Aの外側に偏光板19を形成するとともに、ガラス基板20Aの
外側に静電シールド膜23、低屈折率膜24、偏光板25を順に形成する。本例では、ガ
ラスウエハ20Aに、ITOを10〜20nm程度の厚さに成膜して静電シールド膜23
を形成し、引き続きSiOを14〜26nm程度の厚さに成膜して低屈折率膜24を形
成する。
Next, the polarizing plate 19 is formed on the outside of the transparent substrate 10A, and the electrostatic shield film 23, the low refractive index film 24, and the polarizing plate 25 are sequentially formed on the outside of the glass substrate 20A. In this example, an ITO film is formed on the glass wafer 20A to a thickness of about 10 to 20 nm, and the electrostatic shield film 23 is formed.
Subsequently, SiO 2 is formed to a thickness of about 14 to 26 nm to form a low refractive index film 24.

低屈折率膜の形成材料としてSiOやMgFを選択すれば、これらをITOと同じ
成膜方法で成膜することが可能になり、連続成膜によって静電シールド膜及び低屈折率膜
を形成することができる。連続成膜すれば、静電シールド膜23と低屈折率膜24との間
に異物が入り込む確率が小さくなり、異物が外光や内光を散乱すること等による表示品位
の低下が防止される。
If SiO 2 or MgF 2 is selected as the material for forming the low refractive index film, these can be formed by the same film forming method as ITO, and the electrostatic shield film and the low refractive index film can be formed by continuous film formation. Can be formed. When the film is continuously formed, the probability that foreign matter enters between the electrostatic shield film 23 and the low refractive index film 24 is reduced, and deterioration of display quality due to scattering of external light and internal light is prevented. .

電子機器の分野においては、ITOからなる画素電極等にSiOからなる絶縁部を形
成する技術がよく用いられている。したがって、低屈折率膜の形成材料としてSiO
選択してこのような技術を用いれば、静電シールド膜23と低屈折率膜24との密着性が
良好になり、高信頼性の積層膜を形成することができる。
In the field of electronic equipment, a technique of forming an insulating portion made of SiO 2 on a pixel electrode made of ITO or the like is often used. Therefore, if SiO 2 is selected as a material for forming the low refractive index film and such a technique is used, the adhesion between the electrostatic shield film 23 and the low refractive index film 24 becomes good, and a highly reliable laminated film Can be formed.

また、ITOを10nm以上の厚さに成膜すれば、成膜不良等によりガラス基板20A
が部分的に露出してしまうことが防止される。20nm以下の厚さに成膜すれば、液晶装
置1の構成要素への熱負荷が構成要素を損傷させない程度以下に軽減される。例えば、多
結晶シリコンからなる半導体層131は、その結晶欠陥を防止するために水素を含有して
形成されている。半導体層131は、高温(例えば300℃)になると水素が脱離し特性
が低下してしまうが、前記のように熱負荷を軽減しているので特性低下が防止される。ま
た、熱負荷を低減しているので、素子基板10となる基板とカラーフィルタ基板20とな
る基板との間で雰囲気ガスが熱膨張しこれら基板を変形させることも防止される。
Moreover, if ITO is formed to a thickness of 10 nm or more, the glass substrate 20A is formed due to defective film formation or the like.
Is prevented from being partially exposed. If the film is formed to a thickness of 20 nm or less, the thermal load on the components of the liquid crystal device 1 is reduced to a level that does not damage the components. For example, the semiconductor layer 131 made of polycrystalline silicon is formed containing hydrogen in order to prevent the crystal defects. When the semiconductor layer 131 is heated to a high temperature (for example, 300 ° C.), hydrogen is desorbed and the characteristics are deteriorated. However, since the thermal load is reduced as described above, the characteristic deterioration is prevented. Further, since the thermal load is reduced, it is possible to prevent the atmospheric gas from thermally expanding between the substrate to be the element substrate 10 and the substrate to be the color filter substrate 20 to deform these substrates.

ITOやSiOの成膜方法としては、例えばスパッタリング法、蒸着法、プラズマC
VD法等の公知の技術を用いることができる。また、樹脂材料で低屈折率膜を形成する場
合等には、スピンコート法等を用いてもよい。本例では、大気圧プラズマCVD法を用い
て、静電シールド膜23及び低屈折率膜24を形成する。大気圧プラズマCVD法によれ
ば、非減圧雰囲気で成膜可能であるので、減圧雰囲気で成膜する場合における以下の不都
合を回避することができる。
減圧雰囲気で成膜する場合には雰囲気圧力を低下させる過程で、素子基板10となる基
板とカラーフィルタ基板20となる基板との間(内側)は外側よりも排気されにくいため
、内側の方が外側よりも圧力が高くなる。すると、2枚の基板が外側に向かって変形し、
極端な場合には割れ等の損傷を生じてしまう。ところが、本例のように非減圧雰囲気で成
膜すれば、内側と外側とで圧力差をほとんど生じないので、これら基板の損傷等が回避さ
れる。
Examples of the ITO or SiO 2 film forming method include sputtering, vapor deposition, and plasma C.
A known technique such as the VD method can be used. Further, when a low refractive index film is formed with a resin material, a spin coat method or the like may be used. In this example, the electrostatic shield film 23 and the low refractive index film 24 are formed by using an atmospheric pressure plasma CVD method. According to the atmospheric pressure plasma CVD method, a film can be formed in a non-depressurized atmosphere, so that the following inconveniences when forming a film in a depressurized atmosphere can be avoided.
In the case of forming a film in a reduced pressure atmosphere, in the process of lowering the atmospheric pressure, the space between the substrate serving as the element substrate 10 and the substrate serving as the color filter substrate 20 (inner side) is less likely to be exhausted than the outer side. The pressure is higher than the outside. Then, the two substrates are deformed outward,
In extreme cases, damage such as cracking will occur. However, if the film is formed in a non-depressurized atmosphere as in this example, there is almost no pressure difference between the inside and the outside, so damage to these substrates can be avoided.

以上のようにして静電シールド膜23及び低屈折率膜24からなる積層膜40を形成し
た後、この上に偏光板25を形成することによりカラーフィルタ基板20が得られる。ま
た、透明基板10Aの外側に偏光板19を形成することにより素子基板10が得られる。
そして、素子基板10とカラーフィルタ基板20との間に液晶材料を注入・封止すること
等により液晶装置1が得られる。
After forming the laminated film 40 including the electrostatic shield film 23 and the low refractive index film 24 as described above, the color filter substrate 20 is obtained by forming the polarizing plate 25 thereon. Moreover, the element substrate 10 is obtained by forming the polarizing plate 19 outside the transparent substrate 10A.
The liquid crystal device 1 is obtained by injecting and sealing a liquid crystal material between the element substrate 10 and the color filter substrate 20.

このような製造方法によれば、素子基板10となる基板とカラーフィルタ基板20とな
る基板とを貼り合せた後に薄型化するので、貼り合せによる損傷を防止することができ、
良好な歩留まりで薄型の液晶装置1を製造することができる。薄型化を行わずにこのよう
な液晶装置を製造しようとすれば、素子基板やカラーフィルタ基板の母材として、本例で
用いたガラスウエハよりも薄くしかも強度が確保できる材質のものを選択する必要がある
ので、高コストとなってしまう。すなわち、薄型化を行うことにより低コストの母材(ガ
ラスウエハ)を用いることができ、低コスト化が図られるのである。一方、薄型化を行う
と外側に向いたガラス基板20Aの表面に顕在化したピットやキズを生じることがある。
本発明の液晶装置1においては、このようなピット等が視認されにくくなっている。以
下図3を参照しつつその仕組みを説明する。
According to such a manufacturing method, since the thinning is performed after the substrate to be the element substrate 10 and the substrate to be the color filter substrate 20 are bonded together, damage due to the bonding can be prevented,
The thin liquid crystal device 1 can be manufactured with a good yield. If such a liquid crystal device is to be manufactured without reducing the thickness, the base material of the element substrate or the color filter substrate is selected from a material that is thinner than the glass wafer used in this example and can ensure strength. Because it is necessary, it becomes expensive. That is, by reducing the thickness, a low-cost base material (glass wafer) can be used, and the cost can be reduced. On the other hand, when the thickness is reduced, pits and scratches that are manifested may be generated on the surface of the glass substrate 20A facing outward.
In the liquid crystal device 1 of the present invention, such pits and the like are hardly visible. The mechanism will be described below with reference to FIG.

図3に示すように、液晶装置1の外側から入射した外光は、偏光板25を通って低屈折
率膜24を通る光Lとなる。光Lの一部は、静電シールド膜23に入射し、ガラス基板2
0Aと静電シールド膜23との界面で反射して低屈折率膜24に再度入射する。この光は
、液晶装置1の外側に向かう光L1となる。また、光Lの一部は、低屈折率膜24と静電
シールド膜23との界面で反射され、液晶装置1の外側に向かう光L2となる。光L1と
光L2は互いに干渉し、重ね合わされた光が液晶装置1の外側に射出される。
As shown in FIG. 3, external light incident from the outside of the liquid crystal device 1 becomes light L that passes through the polarizing plate 25 and passes through the low refractive index film 24. A part of the light L is incident on the electrostatic shield film 23 and the glass substrate 2
The light is reflected at the interface between 0A and the electrostatic shield film 23 and enters the low refractive index film 24 again. This light becomes light L <b> 1 that goes to the outside of the liquid crystal device 1. A part of the light L is reflected at the interface between the low refractive index film 24 and the electrostatic shield film 23, and becomes light L <b> 2 that goes to the outside of the liquid crystal device 1. The light L1 and the light L2 interfere with each other, and the superimposed light is emitted to the outside of the liquid crystal device 1.

光L1と光L2とで位相が半波長分ずれていれば、光L1と光L2とが互いに打ち消し
あうので、理論上は外光のガラス基板20A表面での反射率が0となる。これにより、外
側に向いたガラス基板20Aの表面にピット等があっても、これが液晶装置1の外側から
視認されなくなる。具体的には、以下の式(1)及び式(2)をともに満たすようにすれ
ばこのような効果が得られる。なお、式(1)、式(2)において、n、n、n
それぞれ偏光板25の屈折率、低屈折率膜24の屈折率、静電シールド膜23の屈折率で
あり、dは静電シールド膜23の厚さ、λは偏光板25中を進行する光の波長である。
=n×n ・・・・式(1)
×d=λ/4 ・・・・式(2)
If the phases of the light L1 and the light L2 are shifted by a half wavelength, the light L1 and the light L2 cancel each other, so that the reflectance of the external light on the surface of the glass substrate 20A is theoretically zero. Thereby, even if there is a pit or the like on the surface of the glass substrate 20 </ b> A facing outward, this is not visible from the outside of the liquid crystal device 1. Specifically, such an effect can be obtained by satisfying both the following expressions (1) and (2). In Formula (1) and Formula (2), n 0 , n 1 , and n 2 are the refractive index of the polarizing plate 25, the refractive index of the low refractive index film 24, and the refractive index of the electrostatic shield film 23, respectively. d is the thickness of the electrostatic shield film 23, and λ is the wavelength of light traveling in the polarizing plate 25.
n 1 2 = n 1 × n 2 ... Formula (1)
n 1 × d = λ / 4 (2)

このように式(2)にはλが含まれており、外光のガラス基板20A表面での反射率は
偏光板25中を進行する光の波長の関数となる。この波長は、外光の波長及び積層膜40
の外側の構成に依存しており、本実施形態の低屈折率膜24及び静電シールド膜23は、
可視光(例えば波長が450nm〜700nm)のガラス基板20A表面での反射率が最
小となるように最適化されている。本発明では積層膜40とガラス基板20Aとが直接接
触しているので、これらの間に部材を介在している場合に比べてこの部材表面での反射を
考慮する必要がなくなり、外光のガラス基板20A表面での反射率を最小にする観点から
最適化を行うことが可能になる。
Thus, λ is included in the expression (2), and the reflectance of the external light on the surface of the glass substrate 20A is a function of the wavelength of the light traveling in the polarizing plate 25. This wavelength includes the wavelength of external light and the laminated film 40.
The low-refractive index film 24 and the electrostatic shield film 23 of this embodiment are
It is optimized so that the reflectance on the surface of the glass substrate 20A of visible light (for example, the wavelength is 450 nm to 700 nm) is minimized. In the present invention, since the laminated film 40 and the glass substrate 20A are in direct contact with each other, it is not necessary to consider the reflection on the surface of the member as compared with the case where a member is interposed between them. Optimization can be performed from the viewpoint of minimizing the reflectance on the surface of the substrate 20A.

[実施例]
次に、図4(a)〜(c)を参照しつつ、比較例と実施例との反射率の違いを説明する
。図4(a)は、比較例あるいは実施例に用いた各種部材の屈折率を示す[表1]、図4
(b)は、比較例1、2の構成及び外光の反射率を示す[表2]、図4(c)は本発明を
適用した実施例1〜4の構成及び外光の反射率を示す[表3]である。図4(b)の[表
1]に示した比較例1、2の反射率、や、図4(c)の[表2]に示した実施例1〜4の
反射率は、いずれもシミュレーション結果に基づくものである。このシミュレーションは
、各層間の界面での反射を考慮した多重反射計算を行い、マトリックス法を用いて可視光
全体の反射率を算出することにより行っている。
[Example]
Next, the difference in reflectance between the comparative example and the example will be described with reference to FIGS. FIG. 4A shows the refractive indexes of various members used in the comparative examples or examples [Table 1] and FIG.
(B) shows the configurations of Comparative Examples 1 and 2 and the reflectance of external light [Table 2], and FIG. 4C shows the configurations of Examples 1 to 4 to which the present invention is applied and the reflectance of external light. It is shown [Table 3]. The reflectances of Comparative Examples 1 and 2 shown in [Table 1] of FIG. 4B and the reflectances of Examples 1 to 4 shown in [Table 2] of FIG. Based on the results. This simulation is performed by performing multiple reflection calculation in consideration of reflection at the interface between each layer, and calculating the reflectance of the entire visible light using a matrix method.

図4(a)の表1に示すように、前記シミュレーションにおいて偏光板の屈折率を1.
60、ITO(静電シールド膜)の屈折率を2.00、MgF(低屈折率膜)の屈折率
を1.60、SiO(低屈折率膜)の屈折率を1.46、ガラス基板の屈折率を1.5
2、TiO(高屈折率膜)の屈折率を2.52としている。なお、高屈折率膜は、静電
シールド膜よりも屈折率が高い膜の一例である。また、ITOの屈折率は、成膜方法によ
って異なりその範囲はおおよそ1.80〜2.00程度である。
As shown in Table 1 of FIG. 4A, the refractive index of the polarizing plate in the simulation is 1.
60, the refractive index of ITO (electrostatic shield film) is 2.00, the refractive index of MgF 2 (low refractive index film) is 1.60, the refractive index of SiO 2 (low refractive index film) is 1.46, glass The refractive index of the substrate is 1.5
2. The refractive index of TiO 2 (high refractive index film) is 2.52. The high refractive index film is an example of a film having a higher refractive index than the electrostatic shield film. The refractive index of ITO varies depending on the film forming method, and the range is approximately 1.80 to 2.00.

図4(b)の表2に示すように、比較例1は、ガラス基板上に、ITO、偏光板が順に
設けられた従来同様の構成となっており、その反射率は0.27%であった。比較例2は
、ガラス基板上にITO、TiO、偏光板が順に設けられた構成となっており、その反
射率は1.76%と比較例1よりも高くなっている。このように、静電シールド膜よりも
屈折率が高い膜を用いると反射率が高くなってしまい、ガラス基板表面のピット等が視認
されやすくなってしまうと考えられる。
As shown in Table 2 of FIG. 4 (b), Comparative Example 1 has a configuration similar to that in the prior art in which ITO and a polarizing plate are sequentially provided on a glass substrate, and the reflectance is 0.27%. there were. Comparative Example 2 has a configuration in which ITO, TiO 2 , and a polarizing plate are sequentially provided on a glass substrate, and the reflectance thereof is 1.76%, which is higher than that of Comparative Example 1. Thus, it is considered that when a film having a refractive index higher than that of the electrostatic shield film is used, the reflectance becomes high, and pits and the like on the surface of the glass substrate are easily visually recognized.

図4(c)の表3に示すように、実施例1はガラス基板上にITO、MgF、偏光板
が順に設けられた構成となっており、その反射率は0.21%となっている。実施例2は
ガラス基板上にITO、SiO、偏光板が順に設けられた構成となっており、その反射
率は0.24%となっている。実施例3はガラス基板上にMgF、ITO、偏光板が順
に設けられた構成となっており、その反射率は0.12%となっている。実施例3はガラ
ス基板上にSiO、ITO、偏光板が順に設けられた構成となっており、その反射率は
0.15%となっている。
As shown in Table 3 of FIG. 4C, Example 1 has a configuration in which ITO, MgF 2 , and a polarizing plate are sequentially provided on a glass substrate, and the reflectance is 0.21%. Yes. Example 2 has a configuration in which ITO, SiO 2 , and a polarizing plate are sequentially provided on a glass substrate, and the reflectance thereof is 0.24%. Example 3 has a configuration in which MgF 2 , ITO, and a polarizing plate are sequentially provided on a glass substrate, and the reflectance thereof is 0.12%. Example 3 has a configuration in which SiO 2 , ITO, and a polarizing plate are sequentially provided on a glass substrate, and the reflectance thereof is 0.15%.

このように本発明を適用した実施例1〜4は、いずれも反射率が比較例1よりも低くな
っており、ガラス基板表面のピット等が視認されにくくなっていると考えられる。また、
実施例3、4は、実施例1、2よりも屈折率が低くなっており、ガラス基板側に低屈折率
膜を配置すればピット等の視認が格段に低減されることが分かる。また、実施例1、3は
、実施例2、4よりも屈折率が低くなっており、低屈折率膜の形成材料としてMgF
選択すれば、ピット等の視認が低減されることが分かる。
Thus, Examples 1-4 which applied this invention are all considered that the reflectance is lower than the comparative example 1, and it is thought that the pit etc. on the surface of a glass substrate are difficult to visually recognize. Also,
In Examples 3 and 4, the refractive index is lower than in Examples 1 and 2, and it can be seen that if a low refractive index film is arranged on the glass substrate side, the visibility of pits and the like is remarkably reduced. In addition, the refractive index of Examples 1 and 3 is lower than that of Examples 2 and 4. If MgF 2 is selected as the material for forming the low refractive index film, it can be seen that the visibility of pits and the like is reduced. .

以上のように本発明の液晶装置にあっては、積層膜40が第2基板(ガラス基板20A
)に当接して設けられているので、これらの間に部材が介在している場合に比べて、積層
膜40の設計が容易になるとともに積層膜40の最適化が図られ、ガラス基板20A表面
での反射率を格段に低減することが可能になる。したがって、ガラス基板20Aの表層に
ピットやキズを生じていた場合にこれらが視認されにくくなり、ピット等が視認されるこ
とによる表示品質の低下が防止される。[製造例]で説明したように、低コストで薄型の
液晶装置を製造しようとすればガラス基板の表面にピットを生じることがあるが、本発明
によればピットによる表示品質の低下が防止されているので、低コスト、薄型とするとと
もに高品質の画像が得られる液晶装置となる。
As described above, in the liquid crystal device of the present invention, the laminated film 40 is formed on the second substrate (glass substrate 20A).
), The design of the laminated film 40 is facilitated and the laminated film 40 is optimized and the surface of the glass substrate 20A is compared with the case where a member is interposed between them. It is possible to significantly reduce the reflectance at. Therefore, when pits and scratches are generated on the surface layer of the glass substrate 20A, they are difficult to be visually recognized, and display quality is prevented from being deteriorated due to visual recognition of the pits. As described in [Production Example], if a thin liquid crystal device is manufactured at low cost, pits may be formed on the surface of the glass substrate. However, according to the present invention, deterioration of display quality due to pits is prevented. Therefore, the liquid crystal device can be manufactured at a low cost and with a thin shape and a high quality image can be obtained.

(a)は画素の拡大平面図、(b)はサブ画素の概略構成平面図である。(A) is an enlarged plan view of a pixel, and (b) is a schematic configuration plan view of a sub-pixel. 図1(b)のA−A’線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the A-A 'line of FIG.1 (b). 透明基板表面での反射率が低くなる仕組みを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the mechanism in which the reflectance in the transparent substrate surface becomes low. (a)〜(c)は、比較例と実施例とを示す[表1]〜[表3]である。(A)-(c) is [Table 1]-[Table 3] which shows a comparative example and an Example.

符号の説明Explanation of symbols

10・・・素子基板(第1基板)、14・・・画素電極(第1電極)、15・・・共通
電極(第2電極)、20・・・カラーフィルタ基板(第2基板)、20A・・・ガラス基
板(透明基板)、23・・・静電シールド膜、24・・・低屈折率膜、25・・・偏光板
、30・・・液晶層、40・・・積層膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Element substrate (first substrate), 14 ... Pixel electrode (first electrode), 15 ... Common electrode (second electrode), 20 ... Color filter substrate (second substrate), 20A ... Glass substrate (transparent substrate), 23 ... Electrostatic shield film, 24 ... Low refractive index film, 25 ... Polarizing plate, 30 ... Liquid crystal layer, 40 ... Multilayer film

Claims (6)

第1電極及び第2電極を有する第1基板と、
前記第1基板に対向配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に挟持され、前記第1電極と前記第2電極との間に
生じる電界によって駆動される液晶分子を含有した液晶層と、を備え、
前記第2基板は、透明基板と、該透明基板において前記液晶層と反対側に設けられた偏
光板と、前記透明基板と前記偏光板との間において前記透明基板に当接して設けられた積
層膜と、を有し、
前記積層膜は、透光性を有する静電シールド膜と、該静電シールド膜に当接して設けら
れ、透光性を有するとともに屈折率が前記静電シールド膜及び前記透明基板よりも低い低
屈折率膜と、を含み、
前記静電シールド膜又は前記低屈折率膜が前記透明基板と当接して配置されていること
を特徴とする液晶装置。
A first substrate having a first electrode and a second electrode;
A second substrate disposed opposite the first substrate;
A liquid crystal layer containing liquid crystal molecules sandwiched between the first substrate and the second substrate and driven by an electric field generated between the first electrode and the second electrode,
The second substrate includes a transparent substrate, a polarizing plate provided on the opposite side of the liquid crystal layer in the transparent substrate, and a laminate provided in contact with the transparent substrate between the transparent substrate and the polarizing plate. And having a membrane,
The laminated film is provided in contact with the electrostatic shielding film having translucency, and has a translucency and a refractive index lower than that of the electrostatic shielding film and the transparent substrate. A refractive index film,
The liquid crystal device, wherein the electrostatic shield film or the low refractive index film is disposed in contact with the transparent substrate.
前記低屈折率膜が前記透明基板と当接していることを特徴とする請求項1に記載の液晶
装置。
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the low refractive index film is in contact with the transparent substrate.
前記静電シールド膜が前記透明基板と当接していることを特徴とする請求項1に記載の
液晶装置。
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the electrostatic shield film is in contact with the transparent substrate.
前記静電シールド膜が、インジウム錫酸化物からなりその厚みが10nm以上20nm
以下になっていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の液晶装置。
The electrostatic shield film is made of indium tin oxide and has a thickness of 10 nm to 20 nm.
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the liquid crystal device is as follows.
前記低屈折率膜が、シリコン酸化物からなりその厚みが14nm以上26nm以下にな
っていることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。
The liquid crystal device according to claim 4, wherein the low refractive index film is made of silicon oxide and has a thickness of 14 nm to 26 nm.
前記低屈折率膜が、フッ化マグネシウムからなりその厚みが15nm以上34nm以下
になっていることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。
The liquid crystal device according to claim 4, wherein the low refractive index film is made of magnesium fluoride and has a thickness of 15 nm to 34 nm.
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