JP2009246312A - Light-emitting device array and image forming apparatus equipped with the same - Google Patents

Light-emitting device array and image forming apparatus equipped with the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-resolution light-emitting device array that can prevent the adverse effect on a light-emitting section close to an end face formed by dicing, and to provide an image forming apparatus equipped with the same. <P>SOLUTION: The light-emitting device array 11 includes a substrate 12 and a plurality of light-emitting sections 13. The light-emitting sections 13 are formed on the substrate 12 in a line and emit light with the power supplied. Line-directional intervals among some of the plurality of light-emitting sections 13 are gradually decreased as they go in one direction of the line. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、電力が供給されることによって光を出射する発光素子アレイおよび発光素子アレイを備え、記録シートに記録するために画像を形成する画像形成装置に関する。   The present invention relates to a light emitting element array that emits light when supplied with electric power, and an image forming apparatus that forms an image for recording on a recording sheet.

図8は、従来技術に係る発光ダイオードアレイチップ1の断面図である。発光ダイオードアレイをダイシングによって切出すときに、チッピングと呼ばれる発光部の欠けが生じる場合がある。これを防止するため、チップ端面2に対して逆メサ形状3を形成する技術が知られる(たとえば特許文献1参照)。   FIG. 8 is a cross-sectional view of the light emitting diode array chip 1 according to the prior art. When the light emitting diode array is cut out by dicing, chipping of the light emitting part called chipping may occur. In order to prevent this, a technique for forming the inverted mesa shape 3 on the chip end surface 2 is known (see, for example, Patent Document 1).

特開平06−029572号公報Japanese Patent Laid-Open No. 06-029572

ダイシングで形成されるチップ端面2と、このチップ端面2に近接する発光部4との距離が短い場合には、ダイシングによって、形成されるチップ端面2には、結晶欠陥が生じやすく、この結晶欠陥によって、最も端面に近い発光部4が短絡されてしまう恐れがある。とくに解像度の高い発光素子アレイおよび画像形成装置を製造するときには、ダイシングによって形成されるチップ端面2と、このチップ端面2に近接する発光部4との距離が短くなりやすく、解像度を高くすればするほど、最も端に位置する発光部4を歩留まり良く製造することが難しくなる。   When the distance between the chip end surface 2 formed by dicing and the light emitting portion 4 adjacent to the chip end surface 2 is short, crystal defects are likely to occur on the chip end surface 2 formed by dicing. As a result, the light emitting unit 4 closest to the end face may be short-circuited. In particular, when manufacturing a light emitting element array and an image forming apparatus with high resolution, the distance between the chip end surface 2 formed by dicing and the light emitting portion 4 adjacent to the chip end surface 2 tends to be shortened, and the resolution should be increased. As a result, it becomes difficult to manufacture the light emitting part 4 located at the end most with a high yield.

本発明の目的は、ダイシングによって形成される端面に近接する発光部への悪影響を防止することができる、解像度の高い発光素子アレイおよびこれを備える画像形成装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a light-emitting element array with high resolution and an image forming apparatus including the same, which can prevent adverse effects on a light-emitting portion adjacent to an end surface formed by dicing.

本発明の発光素子アレイは、以下に示す(1)の構成を備える。
(1)基板と、複数の発光部とを含んで構成される。発光部は、基板上に列を成して設けられ、電力が供給されることによって発光する。また複数の発光部の一部は、列方向一方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる。
The light emitting element array of the present invention has the following configuration (1).
(1) A substrate and a plurality of light emitting units are included. The light emitting units are provided in a row on the substrate, and emit light when power is supplied. In addition, as for some of the plurality of light emitting units, the interval in the column direction becomes gradually narrower toward one side in the column direction.

また本発明の発光素子アレイは、以下に示す(2)の構成を備える。
(2)基板と、複数の発光部とを含んで構成される。発光部は、基板上に列を成して設けられ、電力が供給されることによって発光する。また複数の発光部のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。
Moreover, the light emitting element array of this invention is equipped with the structure of (2) shown below.
(2) A substrate and a plurality of light emitting units are included. The light emitting units are provided in a row on the substrate, and emit light when power is supplied. Moreover, as for some ones of several light emission parts, the dimension of a column direction becomes small gradually as it goes to the column direction one side.

また本発明の画像形成装置は、以下に示す(3)の構成を備える。
(3)発光素子アレイと、電子写真感光体と、現像供給手段と、転写手段と、定着手段とを備える。電子写真感光体には、発光素子アレイから出射される光が照射される。現像供給手段は、電子写真感光体に、現像剤を供給する。転写手段は、電子写真感光体に現像剤によって形成される画像を記録シートに転写する。定着手段は、記録シートに転写される現像剤を定着させる。
The image forming apparatus of the present invention has the following configuration (3).
(3) A light emitting element array, an electrophotographic photosensitive member, a developing supply unit, a transfer unit, and a fixing unit are provided. The electrophotographic photosensitive member is irradiated with light emitted from the light emitting element array. The development supply means supplies a developer to the electrophotographic photosensitive member. The transfer unit transfers an image formed by the developer on the electrophotographic photosensitive member to a recording sheet. The fixing unit fixes the developer transferred to the recording sheet.

(1)の構成を備える本発明の発光素子アレイは、複数の発光部の一部が、列方向一方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる。これによって、基板の、列方向一方の端部と、最も列方向に位置する発光部との列方向の間隔を、大きくすることができる。したがって、ダイシングによって基板の切断を行ったときに、発光部がチッピングすることを防止することができる。また、ダイシングによって、基板に対し、列方向一方の端面から侵入した不純物が発光部に及ぼす影響を小さくすることができる。したがって、発光素子アレイの製造に係る歩留まりを、高くすることができる。   In the light emitting element array of the present invention having the configuration of (1), the interval in the column direction is gradually narrowed as a part of the plurality of light emitting units goes to one side in the column direction. Thereby, the space | interval of the row direction of the edge part of a row direction of a board | substrate and the light emission part most located in a row direction can be enlarged. Therefore, it is possible to prevent the light emitting portion from being chipped when the substrate is cut by dicing. Further, by dicing, the influence of impurities entering the substrate from one end surface in the column direction on the light emitting portion can be reduced. Therefore, the yield concerning manufacture of a light emitting element array can be made high.

仮に発光部の列方向の間隔が一定である場合、解像度を小さくすると、基板の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部との列方向の間隔が小さくなるけれども、発光部の列方向の間隔は次第に変化するので、解像度を小さくしても、基板の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部との列方向の間隔が小さくなることを抑制または防止することができる。   If the distance between the light emitting portions in the column direction is constant, if the resolution is reduced, the distance in the column direction between one end of the substrate in the column direction and the light emitting portion located at the most in the column direction is reduced. Since the interval in the column direction of the section gradually changes, even if the resolution is reduced, it is possible to prevent the interval in the column direction between the one end portion in the column direction of the substrate and the light emitting portion located closest to the column direction from being reduced. Or it can be prevented.

したがって、最も列方向一方に位置する発光部への悪影響を防止することと、解像度を小さくすることとを両立することができる。また、発光部間の列方向の間隔は、列方向の位置の変化に伴って次第に変化するので、列方向の位置の変化に伴って、発光素子アレイから出射される光の強度が急激に変化することを防止することができる。   Therefore, it is possible to achieve both the prevention of an adverse effect on the light emitting unit located at one side in the column direction and the reduction of the resolution. In addition, since the interval in the column direction between the light emitting units gradually changes as the position in the column direction changes, the intensity of light emitted from the light emitting element array changes rapidly as the position in the column direction changes. Can be prevented.

(2)の構成を備える本発明の発光素子アレイは、複数の発光部の一部が、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。これによって、基板の、列方向一方の端部と、最も列方向に位置する発光部との列方向の間隔を、大きくすることができる。したがって、ダイシングによって基板の切断を行ったときに、発光部がチッピングすることを防止することができる。また、ダイシングによって、基板に対し、列方向一方の端面から侵入した不純物が発光部に及ぼす影響を小さくすることができる。したがって、発光素子アレイの製造に係る歩留まりを、高くすることができる。   In the light-emitting element array of the present invention having the configuration (2), the dimension in the column direction gradually decreases as some of the plurality of light-emitting portions go to one side in the column direction. Thereby, the space | interval of the row direction of the edge part of a row direction of a board | substrate and the light emission part most located in a row direction can be enlarged. Therefore, it is possible to prevent the light emitting portion from being chipped when the substrate is cut by dicing. Further, by dicing, the influence of impurities entering the substrate from one end surface in the column direction on the light emitting portion can be reduced. Therefore, the yield concerning manufacture of a light emitting element array can be made high.

仮に発光部の列方向の間隔が一定である場合、解像度を小さくすると、基板の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部との列方向の間隔が小さくなるけれども、発光部の列方向の間隔は次第に変化するので、解像度を小さくしても、基板の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部との列方向の間隔が小さくなることを抑制または防止することができる。   If the distance between the light emitting portions in the column direction is constant, if the resolution is reduced, the distance in the column direction between one end of the substrate in the column direction and the light emitting portion located at the most in the column direction is reduced. Since the interval in the column direction of the section gradually changes, even if the resolution is reduced, it is possible to prevent the interval in the column direction between the one end portion in the column direction of the substrate and the light emitting portion located closest to the column direction from being reduced. Or it can be prevented.

したがって、最も列方向一方に位置する発光部への悪影響を防止することと、解像度を小さくすることとを両立することができる。また、発光部の列方向の寸法は、列方向の位置の変化に伴って次第に変化するので、列方向の位置の変化に伴って、発光素子アレイから出射される光の強度が急激に変化することを防止することができる。   Therefore, it is possible to achieve both the prevention of an adverse effect on the light emitting unit located at one side in the column direction and the reduction of the resolution. In addition, since the dimension in the column direction of the light emitting section gradually changes with the change in the position in the column direction, the intensity of light emitted from the light emitting element array rapidly changes with the change in the position in the column direction. This can be prevented.

(3)の構成を備える本発明の画像形成装置によれば、基板の、列方向一方の端部と、最も列方向に位置する発光部との列方向の間隔を、大きくすることができるので、ダイシングによって、基板に対し、列方向一方の端面から侵入した不純物が発光部に及ぼす影響を小さくすることができる。したがって、最も列方向一方に位置する発光部からの光強度が小さくなることを防止することができる。これによって、発光素子アレイの列方向一方の端部において画像の精度が低下することを抑制することができる。   According to the image forming apparatus of the present invention having the configuration of (3), the distance in the column direction between the one end of the substrate in the column direction and the light emitting unit positioned most in the column direction can be increased. By dicing, it is possible to reduce the influence of impurities that have entered the substrate from one end surface in the column direction on the light emitting portion. Therefore, it is possible to prevent the light intensity from the light emitting portion located at one side in the column direction from decreasing. Thereby, it is possible to suppress a decrease in image accuracy at one end in the column direction of the light emitting element array.

また発光素子アレイの製造に係る歩留まりを、高くすることができるので、画像形成装置に係る製造コストを低減することができる。また、解像度を小さくしても、最も列方向一方に位置する発光部に悪影響が生じることを防止できるので、最も列方向一方に位置する発光部からの光強度が小さくなることの抑制と、解像度の高い画像形成装置の実現とを両立することができる。また、列方向の位置の変化に伴って、発光素子アレイから出射される光の強度が急激に変化することを防止することができるので、画像形成に係る精度が、列方向の位置の変化によって急激に変化することを防止することができる。   Further, since the yield related to the manufacture of the light emitting element array can be increased, the manufacturing cost related to the image forming apparatus can be reduced. Moreover, even if the resolution is reduced, it is possible to prevent adverse effects on the light emitting portion located in the most column direction, so that the light intensity from the light emitting portion located in the most row direction can be suppressed and the resolution can be reduced. High image forming apparatus can be realized at the same time. In addition, since the intensity of light emitted from the light emitting element array can be prevented from changing suddenly with the change in the position in the column direction, the accuracy in image formation is improved by the change in the position in the column direction. A sudden change can be prevented.

以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。以下の説明においては、各形態に先行する形態ですでに説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。   Hereinafter, a plurality of embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, parts corresponding to matters already described in the forms preceding each form may be denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions may be omitted. When only a part of the configuration is described, the other parts of the configuration are the same as those described in the preceding section.

以下の説明は、発光素子アレイ11、画像形成装置15についての説明をも含む。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光素子アレイ11を、従来技術に係る発光素子アレイ11と比較した平面図である。図1に示すいずれの発光素子アレイ11においても、複数の発光部13は、解像度1200dpi(dots per inch)に対応して配置されている。図1では、本実施形態において配置される複数の発光素子10の平面図を上段に示し、従来技術において配置される複数の発光素子10の平面図を下段にしめす。第1実施形態に係る発光素子10は、電力が供給されて稼動することによって光を出射する。発光素子アレイ11は、基板12と、複数の発光部13とを含んで構成される。発光部13は、基板12上に列を成して設けられ、電力が供給されることによって発光する。また複数の発光部13の一部は、列方向一方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる。
The following description includes descriptions of the light emitting element array 11 and the image forming apparatus 15.
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view comparing the light emitting element array 11 according to the first embodiment of the present invention with the light emitting element array 11 according to the prior art. In any of the light emitting element arrays 11 shown in FIG. 1, the plurality of light emitting units 13 are arranged corresponding to a resolution of 1200 dpi (dots per inch). In FIG. 1, a plan view of the plurality of light emitting elements 10 arranged in the present embodiment is shown in the upper stage, and a plan view of the plurality of light emitting elements 10 arranged in the conventional technique is shown in the lower stage. The light emitting element 10 according to the first embodiment emits light when operated by being supplied with electric power. The light emitting element array 11 includes a substrate 12 and a plurality of light emitting units 13. The light emitting units 13 are provided in a row on the substrate 12 and emit light when supplied with electric power. In addition, as for some of the plurality of light emitting units 13, the interval in the column direction becomes gradually narrower toward one side in the column direction.

発光素子アレイ11は、発光部側電極14をさらに含んで構成される。発光部側電極14は、発光部13の、基板12とは反対側の表面に接続され、発光部13に電力を供給するための供給路を形成する。また発光部側電極14は、電極端部17を有し、電極端部17は、発光部13に接触して形成される。列方向の間隔が次第に狭くなる発光部13に対し、接触して形成される電極端部17は、各発光部13の列方向の中央部よりも列方向他方寄りに形成される。発光部13には、発光部側電極14と基板12との電位差、具体的には電極端部17と基板12との電位差が印加される。   The light emitting element array 11 further includes a light emitting unit side electrode 14. The light emitting unit side electrode 14 is connected to the surface of the light emitting unit 13 on the side opposite to the substrate 12, and forms a supply path for supplying power to the light emitting unit 13. The light emitting portion side electrode 14 has an electrode end portion 17, and the electrode end portion 17 is formed in contact with the light emitting portion 13. The electrode end portion 17 formed in contact with the light emitting portion 13 whose interval in the column direction is gradually narrowed is formed closer to the other side in the column direction than the central portion in the column direction of each light emitting portion 13. A potential difference between the light emitting unit side electrode 14 and the substrate 12, specifically, a potential difference between the electrode end 17 and the substrate 12 is applied to the light emitting unit 13.

電極端部17は、基板12と平行な方向に長く延びて形成される。電極端部17が長く延びて形成される方向を「長手方向」と称すると、長手方向は基板12の厚み方向および列方向に垂直に設定される。発光部側電極14は、基部16と電極端部17とを含み、基部16および電極端部17は、発光部13に電力が供給されるときの供給路を構成する。   The electrode end portion 17 is formed to extend in a direction parallel to the substrate 12. When the direction in which the electrode end portion 17 is formed to extend long is referred to as a “longitudinal direction”, the longitudinal direction is set to be perpendicular to the thickness direction and the column direction of the substrate 12. The light emitting portion side electrode 14 includes a base portion 16 and an electrode end portion 17, and the base portion 16 and the electrode end portion 17 constitute a supply path when electric power is supplied to the light emitting portion 13.

発光素子アレイ11は、複数の発光素子10を備え、各発光素子10は、発光部13と、発光部側電極14と、基板12とを備える。ただし複数の発光素子10に含まれる基板12は、1つの発光素子アレイ11内の複数の発光素子10によって共有されるので、1つの発光素子アレイ11に1つ設けられる。発光素子アレイ11は、電子写真方式の画像形成装置15に含まれる光プリントヘッドに搭載され、感光体ドラムに向けて光を出射することによって、感光体ドラムの表面部を露光させる。発光素子アレイ11は、複数のレンズが並べられたレンズアレイと共に、光プリントヘッドを構成する。   The light emitting element array 11 includes a plurality of light emitting elements 10, and each light emitting element 10 includes a light emitting unit 13, a light emitting unit side electrode 14, and a substrate 12. However, since the substrates 12 included in the plurality of light emitting elements 10 are shared by the plurality of light emitting elements 10 in one light emitting element array 11, one substrate 12 is provided in one light emitting element array 11. The light emitting element array 11 is mounted on an optical print head included in the electrophotographic image forming apparatus 15 and emits light toward the photosensitive drum, thereby exposing the surface portion of the photosensitive drum. The light emitting element array 11 constitutes an optical print head together with a lens array in which a plurality of lenses are arranged.

本実施形態において基板12は、n型半導体から成り、1つの基板12上には、複数の発光部13が列を成して配置される。複数の発光部13は、基板12の厚み方向に垂直な基板12の2つの表面のうち、一方の表面に、並べて配置される。基板12の厚み方向のうち、発光部13が配置される向きを「厚み方向一方」と称し、厚み方向一方と逆の向きを「厚み方向他方」と称する。基板12の厚み方向他方には、裏面電極18が設けられる。裏面電極18は、基板12に接触して配置され、基板12に対して電気的に接続される。   In the present embodiment, the substrate 12 is made of an n-type semiconductor, and a plurality of light emitting units 13 are arranged in a row on one substrate 12. The plurality of light emitting units 13 are arranged side by side on one of the two surfaces of the substrate 12 perpendicular to the thickness direction of the substrate 12. Of the thickness direction of the substrate 12, the direction in which the light emitting unit 13 is arranged is referred to as “one in the thickness direction”, and the direction opposite to one in the thickness direction is referred to as “the other in the thickness direction”. A back electrode 18 is provided on the other side of the substrate 12 in the thickness direction. The back electrode 18 is disposed in contact with the substrate 12 and is electrically connected to the substrate 12.

発光部13は、複数種類の半導体が積層される半導体層19を含む。発光部13は、直方体の形状に形成され、各半導体層19は平板状の形状に形成される。各半導体層19は、その厚み方向を基板12の厚み方向に一致させて、厚み方向に積層される。本実施形態において、発光部13は第1n型半導体層21と、第1p型半導体層22と、第2n型半導体層23と、第2p型半導体層24と、オーミック接触層25とを含む。第1n型半導体層21は、n型半導体から成り、基板12に対して厚み方向一方から接触して配置される。第1p型半導体層22は、p型半導体から成り、第1n型半導体層21に厚み方向一方から接触して配置される。第2n型半導体層23は、n型半導体から成り、第1p型半導体層22に厚み方向一方から接触して配置される。第2p型半導体層24は、p型半導体から成り、第2n型半導体層23に厚み方向一方から接触して配置される。発光部側電極14は、発光部13よりも厚み方向一方から、発光部13に接続される。   The light emitting unit 13 includes a semiconductor layer 19 on which a plurality of types of semiconductors are stacked. The light emitting unit 13 is formed in a rectangular parallelepiped shape, and each semiconductor layer 19 is formed in a flat plate shape. Each semiconductor layer 19 is laminated in the thickness direction with its thickness direction coinciding with the thickness direction of the substrate 12. In the present embodiment, the light emitting unit 13 includes a first n-type semiconductor layer 21, a first p-type semiconductor layer 22, a second n-type semiconductor layer 23, a second p-type semiconductor layer 24, and an ohmic contact layer 25. The first n-type semiconductor layer 21 is made of an n-type semiconductor, and is arranged in contact with the substrate 12 from one side in the thickness direction. The first p-type semiconductor layer 22 is made of a p-type semiconductor, and is arranged in contact with the first n-type semiconductor layer 21 from one side in the thickness direction. The second n-type semiconductor layer 23 is made of an n-type semiconductor, and is disposed in contact with the first p-type semiconductor layer 22 from one side in the thickness direction. The second p-type semiconductor layer 24 is made of a p-type semiconductor, and is arranged in contact with the second n-type semiconductor layer 23 from one side in the thickness direction. The light emitting unit side electrode 14 is connected to the light emitting unit 13 from one side in the thickness direction than the light emitting unit 13.

第1実施形態において発光部13は、発光サイリスタであり、ダイナミック駆動方式で駆動され、発光する。陰極は、裏面電極18で共通端子とし、陽極は、m×n(mおよびnは、自然数)のマトリックス状に接続し、駆動信号を時分割で切換えて、各LEDを発光させる。発光サイリスタには、陽極および陰極に接続される端子以外に、ほとんど電流の流れることのないゲートに接続されるゲート用端子が設けられる。ゲートは、各発光サイリスタにそれぞれ設けられ、発光のための電流が流れる状態と流れない状態とを切換えるための電圧が印加される。これによって、それぞれの発光部13を個別に制御することができる。   In the first embodiment, the light emitting unit 13 is a light emitting thyristor, and is driven by a dynamic driving method to emit light. The cathode is used as a common terminal by the back electrode 18, and the anode is connected in a matrix of m × n (m and n are natural numbers), and the drive signals are switched in a time division manner to cause each LED to emit light. In addition to the terminals connected to the anode and the cathode, the light emitting thyristor is provided with a gate terminal connected to a gate through which almost no current flows. The gate is provided in each light emitting thyristor, and a voltage for switching between a state in which a current for light emission flows and a state in which the current does not flow is applied. Thereby, each light emission part 13 can be controlled separately.

オーミック接触層25は、発光部側電極14と半導体層19との間に介在し、発光部側電極14と半導体層19との間に生じる抵抗を、印加される電圧および発生する電流に関わらず一定に保つ。たとえば他の実施形態において、オーミック接触層25を配置することなく、発光部側電極14と半導体層19とを直接接触させて接続する構成とすることも可能である。しかし、発光部側電極14と半導体層19との接触界面に発生する抵抗は、発光部側電極14と半導体層19との間に印加される電圧および電流に依存して変化する場合がある。半導体層19に発生する電流の大きさは、発光部側電極14が発光部13に対して印加する電圧に対して比例関係にある方が、非線形関係にある場合よりも、発光部13に発生する電流を制御しやすい。オーミック接触層25を介在させることによって、発光部側電極14と半導体層19との間に生じる抵抗の値を一定に保ち、発光部側電極14からの電圧の印加によって、半導体層19に発生する電流の値を制御しやすくすることができる。   The ohmic contact layer 25 is interposed between the light emitting unit side electrode 14 and the semiconductor layer 19, and causes resistance generated between the light emitting unit side electrode 14 and the semiconductor layer 19 to be applied regardless of an applied voltage and a generated current. Keep constant. For example, in another embodiment, the light emitting unit side electrode 14 and the semiconductor layer 19 may be directly in contact with each other without providing the ohmic contact layer 25. However, the resistance generated at the contact interface between the light emitting unit side electrode 14 and the semiconductor layer 19 may vary depending on the voltage and current applied between the light emitting unit side electrode 14 and the semiconductor layer 19. The magnitude of the current generated in the semiconductor layer 19 is generated in the light emitting unit 13 when the light emitting unit side electrode 14 is proportional to the voltage applied to the light emitting unit 13 than in the non-linear relationship. Easy to control the current. By interposing the ohmic contact layer 25, the resistance value generated between the light emitting unit side electrode 14 and the semiconductor layer 19 is kept constant, and is generated in the semiconductor layer 19 by application of a voltage from the light emitting unit side electrode 14. The current value can be easily controlled.

厚み方向に見て発光部13は、20μm×9μmの長方形である。9μmの辺は、列方向に一致し、20μmの辺は、電極端部17の長手方向に一致して配置される。発光素子アレイ11に含まれるいずれの発光部13についても、9μmの辺は、列方向に一致し、20μmの辺は、電極端部17の長手方向に一致する。発光素子10の厚み方向の寸法は、1μm〜6μmに設定され、列方向に並ぶいずれの発光部13も、同じ大きさに形成される。   When viewed in the thickness direction, the light emitting portion 13 is a rectangle of 20 μm × 9 μm. The 9 μm side coincides with the column direction, and the 20 μm side coincides with the longitudinal direction of the electrode end portion 17. For any light emitting part 13 included in the light emitting element array 11, the side of 9 μm coincides with the column direction, and the side of 20 μm coincides with the longitudinal direction of the electrode end part 17. The dimension of the light emitting element 10 in the thickness direction is set to 1 μm to 6 μm, and all the light emitting portions 13 arranged in the column direction are formed to have the same size.

発光部側電極14は、発光部13に対して厚み方向一方から接触して配置される。発光部側電極14は、基部16と電極端部17とを含み、基部16は、発光部13の長手方向一方に位置する端部に接触して配置される。電極端部17は、細長い平板状の形状に形成され、電極端部17の厚み方向は、基板12の厚み方向に一致して配置される。電極端部17の長手方向の寸法は、20μm以下であり、電極端部17の厚み方向他方の表面は、発光部13に接触し、電極端部17の長手方向一方は、基部16に連なる。基部16の列方向の寸法は、発光部13の列方向の寸法以下の長さに設定され、基部16と電極端部17とは、厚み方向に見てT字形状を成す。各電極端部17の列方向の寸法は、2μmに設定される。   The light emitting part side electrode 14 is arranged in contact with the light emitting part 13 from one side in the thickness direction. The light emitting portion side electrode 14 includes a base portion 16 and an electrode end portion 17, and the base portion 16 is disposed in contact with an end portion located on one side in the longitudinal direction of the light emitting portion 13. The electrode end portion 17 is formed in an elongated flat plate shape, and the thickness direction of the electrode end portion 17 is arranged to coincide with the thickness direction of the substrate 12. The longitudinal dimension of the electrode end 17 is 20 μm or less, the other surface in the thickness direction of the electrode end 17 is in contact with the light emitting part 13, and one longitudinal direction of the electrode end 17 continues to the base 16. The dimension of the base portion 16 in the column direction is set to a length equal to or shorter than the dimension of the light emitting portion 13 in the column direction, and the base portion 16 and the electrode end portion 17 form a T shape when viewed in the thickness direction. The dimension in the column direction of each electrode end portion 17 is set to 2 μm.

発光部側電極14は発光部13に対して、発光部側電極14を陽極、裏面電極18を陰極として電圧の印加を行う。発光部13を流れる電流は、基部16および電極端部17と基板12との間に発生し、厚み方向に流れる。発光部13は、厚み方向に電流が流れることによって、厚み方向に光を出射する。発光部13の厚み方向他方は、基板12に接触しているので、実際には発光部13からの光は、厚み方向一方に向けて出射される。発光部側電極14は金属製で、光を遮断するので、発光部13からの光は、発光部13の厚み方向一方の表面部のうち、発光部側電極14に接触する部分を除く残余の表面部から出射される。   The light emitting unit side electrode 14 applies voltage to the light emitting unit 13 using the light emitting unit side electrode 14 as an anode and the back electrode 18 as a cathode. The current flowing through the light emitting unit 13 is generated between the base 16 and the electrode end 17 and the substrate 12 and flows in the thickness direction. The light emitting unit 13 emits light in the thickness direction when a current flows in the thickness direction. Since the other side in the thickness direction of the light emitting unit 13 is in contact with the substrate 12, the light from the light emitting unit 13 is actually emitted toward one side in the thickness direction. Since the light-emitting part side electrode 14 is made of metal and blocks light, the light from the light-emitting part 13 is the remaining part of the one surface part in the thickness direction of the light-emitting part 13 except for the part in contact with the light-emitting part side electrode 14. It is emitted from the surface portion.

1つの発光素子アレイ11は、たとえば60個の発光素子10を含み、図1の下段に示す比較例においては、列方向に隣接する発光素子10の、列方向中心の位置同士の距離は、21.15μmに設定される。列方向中心の位置同士の距離とは、いわゆる芯−芯間の距離である。図2は、従来技術と同様の比較例において配置される発光部13の平面図である。図2(a)は、比較例において600dpiに対応して配置された発光部13の平面図であり、図2(b)は、同じく比較例において1200dpiに対応して配置された発光部13の平面図である。図3は、本発明の第1実施形態に係る発光素子アレイ11の断面図である。   One light emitting element array 11 includes, for example, 60 light emitting elements 10. In the comparative example shown in the lower part of FIG. 1, the distance between the positions of the light emitting elements 10 adjacent to each other in the column direction is 21. Set to 15 μm. The distance between the positions in the column direction center is a so-called distance between the cores. FIG. 2 is a plan view of the light emitting unit 13 arranged in a comparative example similar to the prior art. FIG. 2A is a plan view of the light emitting unit 13 arranged corresponding to 600 dpi in the comparative example, and FIG. 2B is a plan view of the light emitting unit 13 arranged corresponding to 1200 dpi in the comparative example. It is a top view. FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting element array 11 according to the first embodiment of the present invention.

比較例においては、列方向に隣接する発光部13の、列方向中心の位置同士の距離を42.3μmに設定することによって、600dpiの解像度に対応する。また比較例においては、列方向の発光部13の、列方向中心の位置同士の距離を21.15μmに設定することによって、1200dpiの解像度に対応する。600dpiでは、各発光部13の列方向の寸法は18μmに設定され、1200dpiでは、9μmに設定される。列方向一方の基板12の端面から、この端面に最も近い発光部13までの距離、すなわち前記基板12の端面に臨む面までの距離は、600dpiでは9.075μmに設定される。   In the comparative example, by setting the distance between the positions in the center of the column direction of the light emitting units 13 adjacent in the column direction to 42.3 μm, the resolution corresponds to 600 dpi. In the comparative example, the resolution of 1200 dpi is achieved by setting the distance between the positions in the column direction of the light emitting units 13 in the column direction to 21.15 μm. At 600 dpi, the dimension in the column direction of each light emitting unit 13 is set to 18 μm, and at 1200 dpi, it is set to 9 μm. The distance from the end face of one substrate 12 in the column direction to the light emitting portion 13 closest to the end face, that is, the distance from the face facing the end face of the substrate 12 is set to 9.075 μm at 600 dpi.

解像度を600dpiから1200dpiに上昇させると、発光部13の列方向の寸法を半分にしても、列方向一方の基板12の端面から、この端面に最も近い発光部13までの距離は、3μmとなる。1200dpiにおける発光部13の位置を「従来位置」26と称し、1200dpiにおいて列方向に隣接する発光部13間の、列方向中心の位置同士の距離を、「定常距離」と称する。図1の下段に示す図および図2(b)では、各発光素子10は、従来位置26に配置され、発光部13間の芯−芯の距離は定常距離に設定される。これに対し第1実施形態では、図1の上段に示すように、列方向に隣接する発光部13間の距離は、列方向一方に向かうにつれて次第に小さくなる。列方向に隣接する発光部13間の芯−芯の距離が定常距離よりも短く設定される領域を「密集領域」27と称する。列方向に隣接する発光部13間の芯−芯の距離が定常距離に設定される領域は、「定常距離領域」28と称する。   When the resolution is increased from 600 dpi to 1200 dpi, the distance from the end surface of one substrate 12 in the column direction to the light emitting unit 13 closest to the end surface is 3 μm even if the dimension of the light emitting unit 13 in the column direction is halved. . The position of the light emitting unit 13 at 1200 dpi is referred to as “conventional position” 26, and the distance between the central positions in the column direction between the light emitting units 13 adjacent in the column direction at 1200 dpi is referred to as “steady distance”. In the diagram shown in the lower part of FIG. 1 and FIG. 2B, each light emitting element 10 is disposed at the conventional position 26, and the core-to-core distance between the light emitting units 13 is set to a steady distance. On the other hand, in the first embodiment, as shown in the upper part of FIG. 1, the distance between the light emitting units 13 adjacent in the column direction becomes gradually smaller toward one side in the column direction. An area where the core-to-core distance between the light emitting units 13 adjacent in the column direction is set to be shorter than the steady distance is referred to as a “dense area” 27. A region where the core-to-core distance between the light emitting units 13 adjacent in the column direction is set to a steady distance is referred to as a “steady distance region” 28.

密集領域27は、発光素子アレイ11の、最も列方向一方に位置する発光部13から、発光素子アレイ11の列方向中心位置までの範囲の中で設定される。第1実施形態においては、60個の発光部13が列方向に並ぶ発光素子アレイ11の中で、密集領域27を、最も列方向一方の5つの発光部13が位置する領域として定める。密集領域27の中に位置する各発光素子10は、従来位置26よりも列方向他方寄りの位置に配置される。各発光部13の位置と、各発光部13の従来位置26との差異は、列方向一方に向かうにつれて、大きく設定される。   The dense region 27 is set in a range from the light emitting unit 13 located closest to the column direction of the light emitting element array 11 to the center position in the column direction of the light emitting element array 11. In the first embodiment, in the light emitting element array 11 in which 60 light emitting units 13 are arranged in the column direction, the dense region 27 is defined as a region where the five light emitting units 13 on one side in the column direction are located most. Each light emitting element 10 located in the dense region 27 is arranged at a position closer to the other side in the column direction than the conventional position 26. The difference between the position of each light emitting unit 13 and the conventional position 26 of each light emitting unit 13 is set to be larger as it goes to one side in the column direction.

たとえば、最も列方向一方から、発光部13を順に第1発光部、第2発光部と呼び、密集領域27を第1発光部から第4発光部までの範囲に設定すれば、第4発光部は、密集領域27の列方向他方の端に位置し、この発光部13は従来位置26に配置される。定常距離を21.15μmとし、第4発光部と第3発光部との芯−芯の距離を、20.15μmに設定すると、第3発光部の位置と従来位置26との差異は、1μmとなる。第3発光部と第2発光部との芯−芯の距離を、19.65μmに設定すると、第2発光部の位置と従来位置26との差異は、2.5μmとなる。第2発光部と第1発光部との芯−芯の距離を、18.65μmに設定すると、第1発光部の位置と従来位置26との差異は5μmとなる。   For example, if the light emitting unit 13 is called a first light emitting unit and a second light emitting unit in order from one side in the column direction, and the dense region 27 is set in a range from the first light emitting unit to the fourth light emitting unit, the fourth light emitting unit. Is located at the other end in the column direction of the dense region 27, and the light emitting portion 13 is disposed at the conventional position 26. When the stationary distance is 21.15 μm and the core-core distance between the fourth light emitting part and the third light emitting part is set to 20.15 μm, the difference between the position of the third light emitting part and the conventional position 26 is 1 μm. Become. When the core-core distance between the third light emitting unit and the second light emitting unit is set to 19.65 μm, the difference between the position of the second light emitting unit and the conventional position 26 is 2.5 μm. When the core-core distance between the second light emitting unit and the first light emitting unit is set to 18.65 μm, the difference between the position of the first light emitting unit and the conventional position 26 is 5 μm.

これによって、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離は、8μmとなり、従来技術の解像度1200dpiのときよりも大きくなる。たとえば他の実施形態では、密集領域27を第1発光部と第6発光部との間の範囲に設定し、第6発光部と第5発光部との芯−芯の距離を定常距離よりも0.5μm減少させ、第5発光部と第4発光部との芯−芯の距離を定常距離よりも1μm減少させ、第4発光部と第3発光部との芯−芯の距離を定常距離よりも1.5μm減少させ、第3発光部と第2発光部との芯−芯の距離を定常距離よりも2μm減少させ、第2発光部と第1発光部との芯−芯の距離を定常距離よりも2.5μm減少させてもよい。   As a result, the distance between one end surface in the column direction of the substrate 12 and one end surface in the column direction of the first light emitting unit is 8 μm, which is larger than the resolution of 1200 dpi of the prior art. For example, in another embodiment, the dense region 27 is set in a range between the first light emitting unit and the sixth light emitting unit, and the core-core distance between the sixth light emitting unit and the fifth light emitting unit is set to be larger than the steady distance. The core-core distance between the fifth light-emitting portion and the fourth light-emitting portion is reduced by 1 μm from the steady distance, and the core-core distance between the fourth light-emitting portion and the third light-emitting portion is reduced to a constant distance. And the core-core distance between the third light-emitting part and the second light-emitting part is reduced by 2 μm from the steady distance, and the core-core distance between the second light-emitting part and the first light-emitting part is reduced. The distance may be decreased by 2.5 μm from the steady distance.

これによって、第1発光部の列方向の位置と従来位置26との距離は、7.5μmとなり、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離は、10.5μmとなり、従来技術の解像度600dpiのときよりも大きくなる。このように、密集領域27を広く設定すれば広く設定するほど、列方向に隣接する発光部13間の間隔領域の長さと、この発光部13間の間隔領域に隣接する発光部13間の間隔領域の長さとの差異を小さく設定しても、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離を、従来技術のときよりも大きく設定することができる。   As a result, the distance between the position in the column direction of the first light emitting unit and the conventional position 26 is 7.5 μm, and the distance between one end surface in the column direction of the substrate 12 and one end surface in the column direction of the first light emitting unit is 10.5 μm, which is larger than that of the conventional resolution of 600 dpi. Thus, the wider the dense region 27 is set, the wider the interval region between the light emitting units 13 adjacent in the column direction and the interval between the light emitting units 13 adjacent to the interval region between the light emitting units 13 are. Even if the difference from the length of the region is set small, the distance between one end surface in the column direction of the substrate 12 and one end surface in the column direction of the first light emitting unit can be set larger than that in the prior art. .

本実施形態においてはさらに、複数の発光部13の他の一部は、列方向他方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる。本実施形態では、密集領域27とは異なる、他の密集領域を、発光素子アレイ11の列方向中心位置よりも列方向他方に形成する。他の密集領域では、列方向に隣接する発光部13間の芯−芯の距離が定常距離よりも短く設定され、発光素子アレイ11の、最も列方向一方に位置する発光部13から、発光素子アレイ11の列方向中心位置までの範囲の中で設定される。発光素子アレイ11は、発光素子アレイ11の列方向中心を通り、列方向に垂直な仮想一平面に関して面対称に形成され、密集領域27と他の密集領域とも、この仮想一平面に関して面対称となる。   Further, in the present embodiment, the intervals in the column direction of other portions of the plurality of light emitting units 13 are gradually narrowed toward the other in the column direction. In the present embodiment, another dense region different from the dense region 27 is formed on the other side in the column direction with respect to the center position in the column direction of the light emitting element array 11. In another dense region, the core-to-core distance between the light emitting units 13 adjacent to each other in the column direction is set to be shorter than the steady distance, and the light emitting elements 13 are arranged to be light emitting elements from the light emitting unit 13 positioned at the most in the column direction. It is set within the range up to the column direction center position of the array 11. The light emitting element array 11 is formed in plane symmetry with respect to a virtual one plane passing through the column direction center of the light emitting element array 11 and perpendicular to the column direction, and both the dense region 27 and other dense regions are plane symmetrical with respect to this virtual one plane. Become.

たとえば他の実施形態において、列方向に並ぶ複数の発光部13のうち、列方向一方の端から半数の発光部13が位置する範囲全てが密集領域27として設定され、かつ列方向に並ぶ複数の発光部13のうち、列方向他方の端から半数の発光部13が位置する範囲全てが密集領域27として設定される場合には、定常間隔領域が形成されない場合もあり得る。   For example, in another embodiment, among the plurality of light emitting units 13 arranged in the column direction, all the ranges where half the light emitting units 13 are located from one end in the column direction are set as the dense region 27 and the plurality of light emitting units 13 arranged in the column direction are arranged. In the case where all of the light emitting units 13 in which the half of the light emitting units 13 are located from the other end in the column direction are set as the dense region 27, the regular interval region may not be formed.

しかし列方向に隣接する発光部13において、各発光部13の列方向中心の位置同士の間隔は、設定される解像度に対応するため、定常距離よりも甚だかけ離れて小さく設定されることは好ましくない。したがって、列方向に隣接する発光部13の芯−芯間の距離は、10.6μm以上に設定されることが好ましい。また列方向に隣接する発光部13において、各発光部13の列方向中心の位置同士の間隔が、列方向一方に向かうにつれて次第に小さくなる密集領域27は、列方向に並ぶ全発光素子10のうち列方向一方の半分を含む範囲として設定されてもよい。   However, in the light emitting units 13 adjacent to each other in the column direction, the interval between the positions in the column direction center of each light emitting unit 13 corresponds to the set resolution. . Therefore, it is preferable that the distance between the cores of the light emitting units 13 adjacent in the column direction is set to 10.6 μm or more. Further, in the light emitting units 13 adjacent to each other in the column direction, the dense region 27 in which the distance between the center positions in the column direction of the respective light emitting units 13 gradually decreases toward one side in the column direction is among all the light emitting elements 10 arranged in the column direction. It may be set as a range including one half of the column direction.

定常距離領域28内に位置する発光素子10、および列方向一方の密集領域27と定常間隔領域との境界に位置する発光素子10において、電極端部17は発光素子10の列方向中央に配置される。密集領域27内に位置する発光素子10においては、電極端部17は、発光部13の列方向中央よりも列方向他方寄りに配置される。電極端部17の列方向中心と発光部13の列方向中心との、列方向の位置の差は、発光部13の位置と従来位置26との差に比例して設定される。本実施形態では、列方向一方の密集領域27では、列方向一方に向かうにつれて、発光部13の位置と従来位置26との差は大きく設定されるので、密集領域27内の発光素子10において、電極端部17の列方向中心と発光部13の列方向中心との、列方向の位置の差も、列方向一方に向かうにつれて大きくなる。   In the light emitting element 10 located in the regular distance region 28 and the light emitting element 10 located at the boundary between the dense region 27 on one side in the column direction and the regular interval region, the electrode end 17 is disposed at the center in the column direction of the light emitting element 10. The In the light emitting element 10 located in the dense region 27, the electrode end portion 17 is disposed closer to the other side in the column direction than the column direction center of the light emitting unit 13. The difference in the column direction position between the column direction center of the electrode end 17 and the column direction center of the light emitting unit 13 is set in proportion to the difference between the position of the light emitting unit 13 and the conventional position 26. In the present embodiment, in the one dense region 27 in the column direction, the difference between the position of the light emitting unit 13 and the conventional position 26 is set larger toward the one in the column direction, so in the light emitting element 10 in the dense region 27, The difference in position in the column direction between the column direction center of the electrode end 17 and the column direction center of the light emitting unit 13 also increases toward one side in the column direction.

電極端部17の列方向中心と発光部13の列方向中心との、列方向の位置の差を「電極端部変位量」と称すると、電極端部変位量は、密集領域27内において、列方向一方に向かうにつれて次第に大きくなる。たとえば電極端部変位量は、第3発光部については1μmに設定され、第2発光部については2μmに設定され、第1発光部においては3μmに設定される。   When the difference in the column direction position between the column direction center of the electrode end portion 17 and the column direction center of the light emitting unit 13 is referred to as “electrode end portion displacement amount”, the electrode end portion displacement amount is within the dense region 27. It becomes gradually larger as it goes to one side in the row direction. For example, the electrode end portion displacement amount is set to 1 μm for the third light emitting unit, 2 μm for the second light emitting unit, and 3 μm for the first light emitting unit.

図4は、本発明の第1実施形態に係る画像形成装置15の構成を表す側面図である。画像形成装置15は、発光素子アレイ11と、電子写真感光体と、現像供給手段と、転写手段と、定着手段とを備える。電子写真感光体には、発光素子アレイ11から出射される光が照射される。現像供給手段は、電子写真感光体に、現像剤を供給する。転写手段は、電子写真感光体に現像剤によって形成される画像を記録シートに転写する。定着手段は、記録シートに転写される現像剤を定着させる。   FIG. 4 is a side view showing the configuration of the image forming apparatus 15 according to the first embodiment of the present invention. The image forming apparatus 15 includes a light emitting element array 11, an electrophotographic photosensitive member, a developing supply unit, a transfer unit, and a fixing unit. The electrophotographic photosensitive member is irradiated with light emitted from the light emitting element array 11. The development supply means supplies a developer to the electrophotographic photosensitive member. The transfer unit transfers an image formed by the developer on the electrophotographic photosensitive member to a recording sheet. The fixing unit fixes the developer transferred to the recording sheet.

電子写真感光体は、円柱状の感光体ドラム90に含まれ、感光体ドラムの外側面の表面として形成される。電子写真感光体には、発光素子10から出射される光が照射される。転写手段は、画像を記録シートに転写する。記録シートに転写される画像は、電子写真感光体に、現像剤によって形成される。定着手段は、記録シートに転写される現像剤を定着させる。第1実施形態において、画像形成装置15は、電子写真方式の画像形成装置15であり、複数の発光素子アレイ11を備える光プリントヘッド85を、感光体ドラム90への露光装置に使用している。発光素子アレイ11は、回路基板86に実装され、レンズアレイ88とともに発光装置である光プリントヘッド85を構成する。   The electrophotographic photosensitive member is included in a cylindrical photosensitive drum 90 and is formed as the surface of the outer surface of the photosensitive drum. The electrophotographic photosensitive member is irradiated with light emitted from the light emitting element 10. The transfer unit transfers the image to the recording sheet. The image transferred to the recording sheet is formed on the electrophotographic photosensitive member with a developer. The fixing unit fixes the developer transferred to the recording sheet. In the first embodiment, the image forming apparatus 15 is an electrophotographic image forming apparatus 15, and an optical print head 85 including a plurality of light emitting element arrays 11 is used as an exposure device for the photosensitive drum 90. . The light emitting element array 11 is mounted on a circuit board 86 and constitutes an optical print head 85 which is a light emitting device together with the lens array 88.

画像形成装置15は、Y(イエロ)、M(マゼンタ)、C(シアン)、K(ブラック)の4色のカラー画像を形成するタンデム方式を採用した装置であり、大略的に、4つの発光素子アレイ11Y、11M、11C、11Kがそれぞれ実装された回路基板86Y、86M、86C、86K、集光手段であるレンズアレイ88Y、88M、88C、88Kおよびレンズアレイ88を保持する第1ホルダ89Y、89M、89C、89K、4つの感光体ドラム90Y、90M、90C、90K、4つの現像剤供給手段91Y、91M、91C、91K、転写手段である転写ベルト92、4つのクリーナ93Y、93M、93C、93K、4つの帯電器94Y、94M、94C、94K、定着手段95および制御手段96を含んで構成される。   The image forming apparatus 15 is an apparatus that employs a tandem system that forms four color images of Y (yellow), M (magenta), C (cyan), and K (black). Circuit boards 86Y, 86M, 86C, 86K on which the element arrays 11Y, 11M, 11C, and 11K are mounted, lens arrays 88Y, 88M, 88C, and 88K that are condensing means, and a first holder 89Y that holds the lens array 88, 89M, 89C, 89K, four photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, 90K, four developer supply means 91Y, 91M, 91C, 91K, transfer belt 92 as transfer means, four cleaners 93Y, 93M, 93C, 93K, four chargers 94Y, 94M, 94C, 94K, a fixing unit 95 and a control unit 96.

各回路基板86に実装されている各発光素子アレイ11は、駆動手段(図示せず)によって各色のカラー画像情報に基づいて駆動される。発光素子アレイ11からの光は、光プリントヘッド85Y、85M、85C、85Kのレンズアレイ88Y、88M、88C、88Kを介して各感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kに集光して照射される。レンズアレイ88は、たとえば発光素子アレイ11からの光の光軸上にそれぞれ配置される複数のレンズを含み、これらのレンズを一体的に集約して構成される。   Each light emitting element array 11 mounted on each circuit board 86 is driven based on the color image information of each color by a driving means (not shown). Light from the light emitting element array 11 is condensed and irradiated on the respective photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K through the lens arrays 88Y, 88M, 88C, and 88K of the optical print heads 85Y, 85M, 85C, and 85K. The The lens array 88 includes, for example, a plurality of lenses respectively disposed on the optical axis of the light from the light emitting element array 11 and is configured by integrating these lenses integrally.

発光素子アレイ11が実装される回路基板86およびレンズアレイ88は、第1ホルダ89によって保持される。第1ホルダ89によって、発光素子アレイ11の光照射方向と、レンズアレイ88のレンズの光軸方向とがほぼ一致するようにして位置合わせされる。   The circuit board 86 and the lens array 88 on which the light emitting element array 11 is mounted are held by the first holder 89. By the first holder 89, alignment is performed so that the light irradiation direction of the light emitting element array 11 and the optical axis direction of the lenses of the lens array 88 substantially coincide.

各感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kは、たとえば円筒状の基体表面に感光体層を被着してなり、その外周面には光プリントヘッド85Y、85M、85C、85Kの各発光素子アレイ11Y、11M、11C、11Kからの光を受けて静電潜像が形成される静電潜像形成位置が設定される。   Each of the photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K is formed by, for example, attaching a photosensitive layer on the surface of a cylindrical substrate, and each light emitting element array of the optical print heads 85Y, 85M, 85C, and 85K on the outer peripheral surface thereof. An electrostatic latent image forming position at which an electrostatic latent image is formed by receiving light from 11Y, 11M, 11C, and 11K is set.

各感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kの周辺部には、各静電潜像形成位置を基準として回転方向下流側に向かって順番に、露光された感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kに現像剤を供給する現像剤供給手段91Y、91M、91C、91K、転写ベルト92、クリーナ93Y、93M、93C、93Kおよび帯電器94Y、94M、94C、94Kがそれぞれ配置される。感光体ドラム90に現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写ベルト92は、4つの感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kに対して共通に設けられる。   At the periphery of each of the photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K, the exposed photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K are sequentially arranged toward the downstream side in the rotation direction with respect to the respective electrostatic latent image forming positions. Developer supplying means 91Y, 91M, 91C, 91K, a transfer belt 92, cleaners 93Y, 93M, 93C, 93K and chargers 94Y, 94M, 94C, 94K are arranged respectively. A transfer belt 92 that transfers an image formed on the photosensitive drum 90 with a developer onto a recording sheet is provided in common to the four photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K.

感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kは、第2ホルダ(図示せず)によって保持され、この第2ホルダと第1ホルダ89とは、相対的に固定される。   The photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K are held by a second holder (not shown), and the second holder and the first holder 89 are relatively fixed.

転写ベルト92によって、記録シートを搬送し、現像剤によって画像が形成された記録シートは、定着手段95に搬送される。定着手段95は、記録シートに転写された現像剤を定着させる。感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kは、回転駆動手段(図示せず)によって回転される。   The recording sheet is conveyed by the transfer belt 92, and the recording sheet on which an image is formed by the developer is conveyed to the fixing unit 95. The fixing unit 95 fixes the developer transferred to the recording sheet. The photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K are rotated by a rotation driving unit (not shown).

制御手段96は、駆動手段(図示せず)にクロック信号および画像情報を与えるとともに、感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kを回転駆動する回転駆動手段、現像剤供給手段91Y、91M、91C、91K、転写ベルト92、帯電器94Y、94M、94C、94Kおよび定着手段95の各部を制御する。   The control unit 96 supplies a clock signal and image information to a driving unit (not shown), and rotates and drives the photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K, and developer supply units 91Y, 91M, and 91C. 91K, the transfer belt 92, the chargers 94Y, 94M, 94C, 94K, and the fixing unit 95 are controlled.

第1実施形態によれば、発光素子アレイ11に含まれる複数の発光部13の一部は、列方向一方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる。これによって、基板12の、列方向一方の端部と、最も列方向に位置する発光部13との列方向の間隔を、大きくすることができる。したがって、ダイシングによって基板12の切断を行ったときに、発光部13がチッピングすることを防止することができる。また、ダイシングによって、基板12に対し、列方向一方の端面から侵入した不純物が発光部13に及ぼす影響を小さくすることができる。したがって、発光素子アレイ11の製造に係る歩留まりを、高くすることができる。   According to the first embodiment, a part of the plurality of light emitting units 13 included in the light emitting element array 11 is gradually narrowed in the column direction as going to one side in the column direction. Thereby, the space | interval of the row direction of the edge part of the row direction of the board | substrate 12 and the light emission part 13 most located in a row direction can be enlarged. Therefore, it is possible to prevent the light emitting unit 13 from being chipped when the substrate 12 is cut by dicing. In addition, by dicing, the influence of impurities entering the substrate 12 from one end face in the column direction on the light emitting portion 13 can be reduced. Therefore, the yield concerning manufacture of the light emitting element array 11 can be made high.

仮に発光部13の列方向の間隔が一定である場合、解像度を小さくすると、基板12の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部13との列方向の間隔が小さくなるけれども、発光部13の列方向の間隔は次第に変化するので、解像度を小さくしても、基板12の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部13との列方向の間隔が小さくなることを抑制または防止することができる。   If the interval in the column direction of the light emitting units 13 is constant, if the resolution is reduced, the column direction interval between the one end in the column direction of the substrate 12 and the light emitting unit 13 located at the most in the column direction is reduced. However, since the interval in the column direction of the light emitting units 13 changes gradually, the column direction interval between the one end portion in the column direction of the substrate 12 and the light emitting unit 13 located at the most in the column direction even if the resolution is reduced. Can be suppressed or prevented from becoming smaller.

したがって、最も列方向一方に位置する発光部13への悪影響を防止することと、解像度を小さくすることとを両立することができる。また、発光部13間の列方向の間隔は、列方向の位置の変化に伴って次第に変化するので、列方向の位置の変化に伴って、発光素子アレイ11から出射される光の強度が急激に変化することを防止することができる。   Therefore, it is possible to achieve both the prevention of the adverse effect on the light emitting unit 13 located at the most in the column direction and the reduction of the resolution. In addition, since the interval in the column direction between the light emitting units 13 gradually changes as the position in the column direction changes, the intensity of the light emitted from the light emitting element array 11 suddenly increases as the position in the column direction changes. Can be prevented.

また第1実施形態によれば、発光素子アレイ11は、発光部側電極14をさらに含んで構成され、発光部側電極14は、電極端部17を有する。電極端部17は、発光部13に接触して形成される。複数の電極端部17のうち、列方向の間隔が次第に狭くなる発光部13に対して接触して形成される電極端部17は、各発光部13の列方向の中央部よりも列方向他方寄りに形成される。   According to the first embodiment, the light emitting element array 11 further includes the light emitting unit side electrode 14, and the light emitting unit side electrode 14 has the electrode end 17. The electrode end 17 is formed in contact with the light emitting unit 13. Among the plurality of electrode end portions 17, the electrode end portion 17 formed in contact with the light emitting portion 13 whose interval in the column direction becomes gradually narrower is the other in the column direction than the central portion in the column direction of each light emitting portion 13. Formed closer.

これによって、電極端部17が、各発光部13の列方向中央部に設けられる場合に比べて、発光部13の列方向一方寄りの部分から光を出射することができる。したがって、発光部13が列方向に均等な間隔をあけて配置される場合に比べて、発光部13が列方向他方に位置することによって、発光部13から出射される光が、列方向他方に偏ることを、抑制することができる。これによって、発光素子アレイ11の列方向一方の端部における光強度の分布を均一にすることができる。   As a result, light can be emitted from the portion of the light emitting unit 13 closer to the column direction than the case where the electrode end portion 17 is provided at the column direction center of each light emitting unit 13. Therefore, as compared with the case where the light emitting units 13 are arranged at equal intervals in the column direction, the light emitted from the light emitting unit 13 is directed to the other in the column direction because the light emitting unit 13 is positioned in the other column direction. The bias can be suppressed. Thereby, the light intensity distribution at one end in the column direction of the light emitting element array 11 can be made uniform.

また第1実施形態において、発光素子アレイ11に含まれる複数の発光部13の他の一部は、列方向他方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる。具体的には、発光素子アレイ11の列方向の中心位置を通り列方向に垂直な平面に関して、発光素子アレイ11は、面対称に形成される。これによって、発光素子アレイ11は列方向他方の端部においても、列方向一方の端部と同様の効果を達成することができる。   In the first embodiment, the other part of the plurality of light emitting units 13 included in the light emitting element array 11 gradually decreases in the column direction as it goes to the other in the column direction. Specifically, the light emitting element array 11 is formed in plane symmetry with respect to a plane that passes through the center position in the column direction of the light emitting element array 11 and is perpendicular to the column direction. As a result, the light emitting element array 11 can achieve the same effect as the one end in the column direction also at the other end in the column direction.

また第1実施形態によれば、画像形成装置15は、発光素子アレイ11を備える。発光素子アレイ11において、基板12の、列方向一方および他方の端部と、最も列方向に位置する発光部13との列方向の間隔を、大きくすることができるので、ダイシングによって、基板12に対し、列方向一方および他方の端面から侵入した不純物が発光部13に及ぼす影響を小さくすることができる。したがって、最も列方向一方および他方に位置する発光部13からの光強度が小さくなることを防止することができる。これによって、発光素子アレイ11の列方向一方および他方の端部において画像の精度が低下する画像形成装置15の形成を抑制することができる。   According to the first embodiment, the image forming apparatus 15 includes the light emitting element array 11. In the light emitting element array 11, the distance in the column direction between the one end and the other end of the substrate 12 in the column direction and the light emitting unit 13 positioned most in the column direction can be increased. On the other hand, the influence which the impurity which penetrate | invaded from the row direction one side and the other end surface has on the light emission part 13 can be made small. Therefore, it is possible to prevent the light intensity from the light emitting units 13 located at one side and the other side in the column direction from decreasing. Thereby, it is possible to suppress the formation of the image forming apparatus 15 in which the accuracy of the image is lowered at one end and the other end in the column direction of the light emitting element array 11.

また発光素子アレイ11の製造に係る歩留まりを、高くすることができるので、画像形成装置15に係る製造コストを低減することができる。また、解像度を小さくしても、最も列方向一方および他方に位置する発光部13に悪影響が生じることを防止できるので、最も列方向一方および他方に位置する発光部13からの光強度が小さくなることの抑制と、解像度の高い画像形成装置15の実現とを両立することができる。   Moreover, since the yield concerning manufacture of the light emitting element array 11 can be made high, the manufacturing cost concerning the image forming apparatus 15 can be reduced. Further, even if the resolution is reduced, it is possible to prevent adverse effects on the light emitting units 13 located in one and the other in the column direction, so that the light intensity from the light emitting units 13 located in the one and the other in the column direction is reduced. It is possible to achieve both suppression of this and realization of the image forming apparatus 15 with high resolution.

また、列方向の位置の変化に伴って、発光素子アレイ11から出射される光の強度が急激に変化することを防止することができるので、画像形成に係る精度が、列方向の位置の変化によって急激に変化することを防止することができる。また列方向の間隔が次第に狭くなる発光部13に対して接触して形成される電極端部17は、各発光部13の列方向の中央部よりも列方向に偏って形成される。これによって、発光部13から出射される光が、列方向他方に偏ることは、抑制されるので、発光素子アレイ11の列方向一方および他方の端部における光強度の分布を均一にすることができる。   In addition, since the intensity of light emitted from the light emitting element array 11 can be prevented from changing suddenly with the change in the position in the column direction, the accuracy of image formation can be changed with the change in the position in the column direction. Can be prevented from changing suddenly. Further, the electrode end portions 17 formed in contact with the light emitting portions 13 whose intervals in the column direction are gradually narrowed are formed to be offset in the column direction from the central portion in the column direction of each light emitting portion 13. This suppresses the light emitted from the light emitting unit 13 from being biased to the other in the column direction, so that the light intensity distribution at one and the other ends in the column direction of the light emitting element array 11 can be made uniform. it can.

(第2実施形態)
図5は、本発明の第2実施形態に係る発光素子アレイ11を、従来技術に係る発光素子アレイ11と比較した平面図である。図5では、発光素子アレイ11が1200dpiの解像度に対応して配置されるときの発光素子アレイ11の平面図を示す。第2実施形態に係る発光素子アレイ11は、基板12と、複数の発光部13とを含んで構成される。発光部13は、基板12上に列を成して設けられ、電力が供給されることによって発光する。また複数の発光部13のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。第2実施形態において、発光部側電極14は、電極端部17を有し、電極端部17は、発光部13に接触して形成される。
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a plan view comparing the light emitting element array 11 according to the second embodiment of the present invention with the light emitting element array 11 according to the related art. In FIG. 5, the top view of the light emitting element array 11 when the light emitting element array 11 is arrange | positioned corresponding to the resolution of 1200 dpi is shown. The light emitting element array 11 according to the second embodiment includes a substrate 12 and a plurality of light emitting units 13. The light emitting units 13 are provided in a row on the substrate 12 and emit light when supplied with electric power. Moreover, as for some ones of the some light emission parts 13, the dimension of a column direction becomes small gradually as it goes to the column direction one side. In the second embodiment, the light emitting unit side electrode 14 has an electrode end 17, and the electrode end 17 is formed in contact with the light emitting unit 13.

電極端部17は、基板12と平行な方向に長く延びて形成される。電極端部17の長手方向は、基板12の厚み方向および列方向に垂直に設定される。発光部側電極14は、基部16と電極端部17とを含み、基部16および電極端部17は、発光部13に電力が供給されるときの供給路を構成する。各電極端部17は、各発光部13の列方向の中央部に形成される。発光部13には、発光部側電極14と基板12との電位差、具体的には電極端部17と基板12との電位差が印加される。   The electrode end portion 17 is formed to extend in a direction parallel to the substrate 12. The longitudinal direction of the electrode end portion 17 is set to be perpendicular to the thickness direction and the column direction of the substrate 12. The light emitting portion side electrode 14 includes a base portion 16 and an electrode end portion 17, and the base portion 16 and the electrode end portion 17 constitute a supply path when electric power is supplied to the light emitting portion 13. Each electrode end 17 is formed at the center of each light emitting unit 13 in the column direction. A potential difference between the light emitting unit side electrode 14 and the substrate 12, specifically, a potential difference between the electrode end 17 and the substrate 12 is applied to the light emitting unit 13.

図6は、本発明の第2実施形態に係る発光素子10の断面図である。第2実施形態において、発光部13はn型半導体層128と、p型半導体層129と、オーミック接触層25とを含む。n型半導体層128は、n型半導体から成り、基板12に対して厚み方向一方から接触して配置される。p型半導体層129は、p型半導体から成り、n型半導体層128に厚み方向一方から接触して配置される。オーミック接触層25は、p型半導体層129に対して厚み方向一方から接触して配置される。発光部側電極14は、発光部13よりも厚み方向一方から、発光部13に接続される。第2実施形態において、発光部13は、発光ダイオード(light emitting diode, 略称「LED」)である。   FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting device 10 according to the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the light emitting unit 13 includes an n-type semiconductor layer 128, a p-type semiconductor layer 129, and an ohmic contact layer 25. The n-type semiconductor layer 128 is made of an n-type semiconductor, and is arranged in contact with the substrate 12 from one side in the thickness direction. The p-type semiconductor layer 129 is made of a p-type semiconductor, and is disposed in contact with the n-type semiconductor layer 128 from one side in the thickness direction. The ohmic contact layer 25 is arranged in contact with the p-type semiconductor layer 129 from one side in the thickness direction. The light emitting unit side electrode 14 is connected to the light emitting unit 13 from one side in the thickness direction than the light emitting unit 13. In the second embodiment, the light emitting unit 13 is a light emitting diode (abbreviated as “LED”).

図5の下段に示すように、従来技術では、発光部13の列方向の寸法はいずれも同じ寸法に設定され、1200dpiの解像度に対応する場合には9μmに設定される。第2実施形態では、図5の上段に示すように、複数の発光部13のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。複数の発光部13のうちの他の一部は、列方向の位置に関わらず同じ寸法に形成される。複数の発光部13のうち、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる発光部13が位置する列方向の領域を「小形発光部領域」32と称する。発光部13の列方向の寸法が列方向の位置に関わらず同じ寸法に形成される領域を「定常寸法領域」33と称し、定常寸法領域33における各発光部13の列方向の寸法を「定常寸法」と称する。   As shown in the lower part of FIG. 5, in the conventional technique, the dimensions in the column direction of the light emitting units 13 are all set to the same dimension, and are set to 9 μm when the resolution corresponds to 1200 dpi. In the second embodiment, as shown in the upper part of FIG. 5, the dimension in the column direction of some of the plurality of light emitting units 13 gradually decreases toward one side in the column direction. Another part of the plurality of light emitting units 13 is formed to have the same size regardless of the position in the column direction. Of the plurality of light emitting units 13, a region in the column direction where the light emitting unit 13 whose dimension in the column direction gradually decreases toward one side in the column direction is referred to as a “small light emitting unit region” 32. An area in which the dimension of the light emitting unit 13 in the column direction is the same regardless of the position in the column direction is referred to as a “steady dimension area” 33, and the dimension in the column direction of each light emitting unit 13 in the steady dimension area 33 is “steady state”. Referred to as “dimensions”.

本実施形態において、小形発光部領域32は、発光素子アレイ11の、最も列方向一方に位置する発光部13から、発光素子アレイ11の列方向中心位置までの範囲の中で設定される。第2実施形態においては、60個の発光部13が列方向に並ぶ発光素子アレイ11の中で、小形発光部領域32を、最も列方向一方の3つの発光部13が位置する領域として定める。小形発光部領域32に対し、列方向他方に隣接する位置には、定常寸法領域33が形成される。小形発光部領域32において、列方向に隣接する各発光素子10の芯−芯間の距離は、いずれも同じに設定され、1200dpiの解像度に対応する場合、21.15μmに設定される。   In the present embodiment, the small light emitting portion region 32 is set in a range from the light emitting portion 13 located closest to the column direction of the light emitting element array 11 to the center position in the column direction of the light emitting element array 11. In the second embodiment, in the light emitting element array 11 in which 60 light emitting units 13 are arranged in the column direction, the small light emitting unit region 32 is defined as a region in which the three light emitting units 13 on one side in the column direction are located most. A stationary dimension region 33 is formed at a position adjacent to the other side in the column direction with respect to the small light emitting portion region 32. In the small light emitting portion region 32, the distance between the cores of the light emitting elements 10 adjacent in the column direction is set to be the same, and is set to 21.15 μm when the resolution corresponds to 1200 dpi.

たとえば、最も列方向一方から、発光部13を順に第1発光部、第2発光部と呼び、小形発光部領域32を第1発光部から第5発光部までを含む範囲に設定すれば、第6発光部は、小形発光部領域32の列方向他方に隣接する定常寸法領域33に位置し、この発光部の列方向の寸法は、定常寸法に設定される。図5に示す本実施形態では、定常寸法は、9μmである。第5発光部の列方向の寸法は、たとえば8μmに設定され、第4発光部の列方向の寸法は、7μmに設定され、第3発光部の列方向の寸法は、6μmに設定され、第2発光部の列方向の寸法は5μmに設定され、第1発光部の列方向の寸法は4μmに設定される。   For example, if the light emitting unit 13 is called the first light emitting unit and the second light emitting unit sequentially from one side in the column direction, and the small light emitting unit region 32 is set to a range including the first light emitting unit to the fifth light emitting unit, The six light emitting units are located in the steady dimension region 33 adjacent to the other side of the small light emitting unit region 32 in the column direction, and the dimension of the light emitting unit in the column direction is set to a regular dimension. In the present embodiment shown in FIG. 5, the stationary dimension is 9 μm. The dimension of the fifth light emitting unit in the column direction is set to 8 μm, for example, the dimension of the fourth light emitting unit in the column direction is set to 7 μm, the dimension of the third light emitting unit in the column direction is set to 6 μm, The dimension of the two light emitting units in the column direction is set to 5 μm, and the dimension of the first light emitting unit in the column direction is set to 4 μm.

これによって、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離は、5.5μmとなる。仮に発光素子アレイ11に含まれる複数の発光素子10が配置される領域を全て定常寸法領域33として発光素子10を配置すでば、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離は、3μmとなるので、小形発光部領域32を形成することによって、基板12の列方向一方の端面と、第1発光部の列方向一方の端面との距離を、従来技術の場合よりも大きな距離とすることができる。   As a result, the distance between one end surface in the column direction of the substrate 12 and one end surface in the column direction of the first light emitting unit is 5.5 μm. If the light emitting elements 10 are arranged with all the regions where the plurality of light emitting elements 10 included in the light emitting element array 11 are arranged as the regular dimension region 33, one end face in the column direction of the substrate 12 and the column of the first light emitting units. Since the distance from one end surface in the direction is 3 μm, by forming the small light emitting portion region 32, the distance between one end surface in the column direction of the substrate 12 and one end surface in the column direction of the first light emitting portion is The distance can be greater than in the prior art.

また第2実施形態において、複数の発光部13のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなり、複数の発光部13のうちの他の一部は、列方向他方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。発光素子アレイ11の列方向の中心位置を通り列方向に垂直な平面に関して、発光素子アレイ11は、面対称に形成される。   In the second embodiment, a part of the plurality of light emitting units 13 has a dimension in the column direction that gradually decreases toward one side in the column direction, and another part of the plurality of light emitting units 13 has a column direction. The dimension in the column direction gradually decreases toward the other side. The light emitting element array 11 is formed symmetrically with respect to a plane that passes through the center position in the column direction of the light emitting element array 11 and is perpendicular to the column direction.

第2実施形態において、列方向一方に向かうにつれて、列方向の寸法が次第に小さくなる発光素子10は、列方向に並ぶ発光素子10のうちの列方向一方の半分の発光素子10であってもよい。また列方向他方に向かうにつれて、列方向の寸法が次第に小さくなる発光素子10も同様に、列方向に並ぶ発光素子10のうちの列方向一方の半分の発光素子10であってもよい。   In the second embodiment, the light emitting elements 10 whose dimensions in the column direction gradually decrease toward one side in the column direction may be one half of the light emitting elements 10 arranged in the column direction. . Similarly, the light emitting elements 10 whose dimensions in the column direction gradually decrease toward the other in the column direction may be the light emitting elements 10 that are half of the light emitting elements 10 arranged in the column direction.

定常寸法領域33が形成される場合、列方向一方に向かうにつれて、列方向の寸法が次第に小さくなる発光素子10は、発光素子アレイ11のうち最も列方向一方に配置されることが好ましい。これによって、定常寸法領域33に含まれる発光素子10を、発光素子アレイ11の列方向の中央部に配置することができ、発光素子アレイ11の列方向の中央部において均一な発光を行うことが可能となる。   When the steady dimension region 33 is formed, it is preferable that the light-emitting elements 10 whose dimensions in the column direction gradually decrease toward one side in the column direction are arranged at the most in the column direction among the light-emitting element arrays 11. As a result, the light emitting elements 10 included in the steady dimension region 33 can be arranged in the center of the light emitting element array 11 in the column direction, and uniform light emission can be performed in the center of the light emitting element array 11 in the column direction. It becomes possible.

第2実施形態によれば、発光素子アレイ11に含まれる複数の発光部13のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。これによって、基板12の、列方向一方の端部と、最も列方向に位置する発光部13との列方向の間隔を、大きくすることができる。したがって、ダイシングによって基板12の切断を行ったときに、発光部13がチッピングすることを防止することができる。また、ダイシングによって、基板12に対し、列方向一方の端面から侵入した不純物が発光部13に及ぼす影響を小さくすることができる。したがって、発光素子アレイ11の製造に係る歩留まりを、高くすることができる。   According to the second embodiment, a part of the plurality of light emitting units 13 included in the light emitting element array 11 is gradually reduced in dimension in the column direction toward one side in the column direction. Thereby, the space | interval of the row direction of the edge part of the row direction of the board | substrate 12 and the light emission part 13 most located in a row direction can be enlarged. Therefore, it is possible to prevent the light emitting unit 13 from being chipped when the substrate 12 is cut by dicing. In addition, by dicing, the influence of impurities entering the substrate 12 from one end face in the column direction on the light emitting portion 13 can be reduced. Therefore, the yield concerning manufacture of the light emitting element array 11 can be made high.

仮に発光部13の列方向の間隔が一定である場合、解像度を小さくすると、基板12の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部13との列方向の間隔が小さくなるけれども、発光部13の列方向の間隔は次第に変化するので、解像度を小さくしても、基板12の列方向一方の端部と、最も列方向一方に位置する発光部13との列方向の間隔が小さくなることを抑制または防止することができる。   If the interval in the column direction of the light emitting units 13 is constant, if the resolution is reduced, the column direction interval between the one end in the column direction of the substrate 12 and the light emitting unit 13 located at the most in the column direction is reduced. However, since the interval in the column direction of the light emitting units 13 changes gradually, the column direction interval between the one end portion in the column direction of the substrate 12 and the light emitting unit 13 located at the most in the column direction even if the resolution is reduced. Can be suppressed or prevented from becoming smaller.

したがって、最も列方向一方に位置する発光部13への悪影響を防止することと、解像度を小さくすることとを両立することができる。また、発光部13の列方向の寸法は、列方向の位置の変化に伴って次第に変化するので、列方向の位置の変化に伴って、発光素子アレイ11から出射される光の強度が急激に変化することを防止することができる。   Therefore, it is possible to achieve both the prevention of the adverse effect on the light emitting unit 13 located at the most in the column direction and the reduction of the resolution. Moreover, since the dimension of the light emitting unit 13 in the column direction gradually changes as the position in the column direction changes, the intensity of light emitted from the light emitting element array 11 abruptly increases as the position in the column direction changes. It is possible to prevent the change.

また第2実施形態によれば、複数の発光部13のうちの他の一部は、列方向他方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。具体的には、発光素子アレイ11の列方向の中心位置を通り列方向に垂直な平面に関して、発光素子アレイ11は、面対称に形成される。これによって、発光素子アレイ11は列方向他方の端部においても、列方向一方の端部と同様の効果を達成することができる。   Moreover, according to 2nd Embodiment, the dimension of the column direction becomes small gradually as the other one part of the some light emission parts 13 goes to the column direction other side. Specifically, the light emitting element array 11 is formed in plane symmetry with respect to a plane that passes through the center position in the column direction of the light emitting element array 11 and is perpendicular to the column direction. As a result, the light emitting element array 11 can achieve the same effect as the one end in the column direction also at the other end in the column direction.

また第2実施形態によれば、画像形成装置15は、発光素子アレイ11を含んで構成されるので、第1実施形態と同様に、最も列方向一方および他方に位置する発光部13からの光強度が小さくなることを防止することができ、発光素子アレイ11の列方向一方および他方の端部において画像の精度が低下する画像形成装置15の形成を抑制することができる。さらに、発光素子アレイから出射される最大の発光強度を増大させることができるので、画像形成装置の電子写真感光体に照射される単位時間当たりのエネルギー量を増大させることができる。したがって、画像形成の速度を高速化することができる。   Further, according to the second embodiment, since the image forming apparatus 15 includes the light emitting element array 11, similarly to the first embodiment, the light from the light emitting unit 13 located at one side and the other side in the most column direction. The intensity can be prevented from being reduced, and the formation of the image forming apparatus 15 in which the accuracy of the image is reduced at one end and the other end of the light emitting element array 11 can be suppressed. Further, since the maximum light emission intensity emitted from the light emitting element array can be increased, the amount of energy per unit time irradiated to the electrophotographic photosensitive member of the image forming apparatus can be increased. Therefore, the image forming speed can be increased.

また解像度を小さくしても、最も列方向一方および他方に位置する発光部13に悪影響が生じることを防止できるので、最も列方向一方および他方に位置する発光部13からの光強度が小さくなることの抑制と、解像度の高い画像形成装置15の実現とを両立することができる。また画像形成に係る精度が、列方向の位置の変化によって急激に変化することを防止することができる。   Further, even if the resolution is reduced, it is possible to prevent adverse effects on the light emitting units 13 located in one and the other in the column direction, so that the light intensity from the light emitting units 13 located in the one and the other in the column direction is reduced. And the realization of the image forming apparatus 15 having a high resolution can be achieved at the same time. In addition, it is possible to prevent the accuracy relating to image formation from changing suddenly due to a change in position in the column direction.

また第2実施形態によれば、発光部13の列方向の寸法は、4μm以上であるものとした。これによって、電極端部17の列方向の寸法を2μm以上に形成しても、発光部13からの発光を電極端部17が阻止することを防止することができるので、電極端部17の形成を容易にすることができる。   Moreover, according to 2nd Embodiment, the dimension of the row direction of the light emission part 13 shall be 4 micrometers or more. Thereby, even if the dimension of the electrode end portion 17 in the column direction is 2 μm or more, it is possible to prevent the electrode end portion 17 from blocking the light emission from the light emitting portion 13. Can be made easier.

図7は、本発明の第3実施形態における発光素子アレイ11の平面図である。第3実施形態に係る発光素子アレイ11は、第2実施形態に係る発光素子アレイ11に類似しており、以下、第2実施形態に対する第3実施形態の相違点を中心に説明する。   FIG. 7 is a plan view of the light emitting element array 11 according to the third embodiment of the present invention. The light emitting element array 11 according to the third embodiment is similar to the light emitting element array 11 according to the second embodiment, and hereinafter, the description will focus on differences of the third embodiment from the second embodiment.

第3実施形態において、発光部側電極14は、発光部13に対して厚み方向一方から接触して配置される。発光部側電極14は、基部16と離間部分34とを含み、基部16は、発光部13の長手方向一方に位置する端部に接触して配置される。離間部分34は、細長い平板状の形状に形成され、離間部分34の厚み方向は、基板12の厚み方向に一致して配置される。離間部分34の長手方向の寸法は、20μm以下であり、離間部分34の厚み方向他方の表面は、発光部13に接触している。離間部分34は、幅方向に離れて平行に2つ設けられ、離間部分34の長手方向一方は、基部16に連なる。基部16の幅方向の寸法は、幅方向に離れる離間部分34の間隔以上の長さに設定され、基部16と離間部分34とは、厚み方向に見てコの字形状を成す。   In the third embodiment, the light emitting unit side electrode 14 is arranged in contact with the light emitting unit 13 from one side in the thickness direction. The light emitting portion side electrode 14 includes a base portion 16 and a separation portion 34, and the base portion 16 is disposed in contact with an end portion located on one side in the longitudinal direction of the light emitting portion 13. The separation portion 34 is formed in an elongated flat plate shape, and the thickness direction of the separation portion 34 is arranged to coincide with the thickness direction of the substrate 12. The dimension in the longitudinal direction of the separation portion 34 is 20 μm or less, and the other surface in the thickness direction of the separation portion 34 is in contact with the light emitting unit 13. Two separation portions 34 are provided in parallel in the width direction, and one longitudinal direction of the separation portion 34 continues to the base 16. The dimension in the width direction of the base portion 16 is set to a length equal to or greater than the distance between the spaced apart portions 34 that are separated in the width direction, and the base portion 16 and the spaced apart portion 34 form a U shape when viewed in the thickness direction.

発光部側電極14は発光部13に対して、発光部側電極14を陽極、裏面電極18を陰極として電圧の印加を行う。発光部13を流れる電流束は、基部16および離間部分34と基板12との間に発生し、離間部分34が1つ形成される場合に比べて、電流束は分散する。厚み方向に垂直な発光部13の断面において、電流束の面積は、仮に離間部分34が1つ形成されるならば、局在化する。それに比べて本実施形態では離間部分34が2つ形成されるので、電流束の面積は広く形成される。発光部13は、厚み方向に電流が流れることによって、厚み方向に光を出射する。発光部13の厚み方向他方は、基板12に接触しているので、実際には発光部13からの光は、厚み方向一方に向けて出射される。発光部13からの光は、発光部13の厚み方向一方の表面部のうち、発光部側電極14に接触する部分を除く残余の表面部から出射される。   The light emitting unit side electrode 14 applies voltage to the light emitting unit 13 using the light emitting unit side electrode 14 as an anode and the back electrode 18 as a cathode. The current flux flowing through the light emitting portion 13 is generated between the base portion 16 and the separated portion 34 and the substrate 12, and the current flux is dispersed as compared with the case where one separated portion 34 is formed. In the cross section of the light emitting unit 13 perpendicular to the thickness direction, the area of the current flux is localized if one separated portion 34 is formed. In contrast, in the present embodiment, since the two spaced apart portions 34 are formed, the area of the current flux is formed wide. The light emitting unit 13 emits light in the thickness direction when a current flows in the thickness direction. Since the other side in the thickness direction of the light emitting unit 13 is in contact with the substrate 12, the light from the light emitting unit 13 is actually emitted toward one side in the thickness direction. The light from the light emitting part 13 is emitted from the remaining surface part of the one surface part in the thickness direction of the light emitting part 13 excluding the part in contact with the light emitting part side electrode 14.

発光部13の9μmの辺の長さを、幅方向に4等分し、幅方向に垂直な仮想平面126を想定すると、仮想平面126は3つ設定される。3つの仮想平面126のうち中央の仮想平面を「中央仮想平面」127と称すると、発光部13および発光部側電極14は、中央仮想平面127に関して、面対称に形成される。2つの離間部分34は、3つの仮想平面126のうちの両側の仮想平面126の位置に配置され、各離間部分34を幅方向に二等分する平面が、3つの仮想平面126のうち両側の仮想平面126に一致する。   Assuming a virtual plane 126 perpendicular to the width direction by dividing the length of the side of 9 μm of the light emitting unit 13 into four equal parts in the width direction, three virtual planes 126 are set. When the central virtual plane among the three virtual planes 126 is referred to as a “central virtual plane” 127, the light emitting unit 13 and the light emitting unit side electrode 14 are formed symmetrically with respect to the central virtual plane 127. The two spaced-apart portions 34 are arranged at the positions of the virtual planes 126 on both sides of the three virtual planes 126, and the planes that bisect each separated portion 34 in the width direction are located on both sides of the three virtual planes 126. It coincides with the virtual plane 126.

また第3実施形態において、複数の発光部13のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなり、複数の発光部13のうちの他の一部は、列方向他方に向かうにつれて列方向の寸法が次第に小さくなる。発光素子アレイ11の列方向の中心位置を通り列方向に垂直な平面に関して、発光素子アレイ11は、面対称に形成される。   In the third embodiment, a part of the plurality of light emitting units 13 has a dimension in the column direction that gradually decreases toward one side in the column direction, and another part of the plurality of light emitting units 13 has a column direction. The dimension in the column direction gradually decreases toward the other side. The light emitting element array 11 is formed symmetrically with respect to a plane that passes through the center position in the column direction of the light emitting element array 11 and is perpendicular to the column direction.

また第3実施形態によれば、発光素子アレイ11は、発光部側電極14をさらに含んで構成され、発光部側電極14は、離間部分34を有する。離間部分34は、列方向の寸法が列方向一方に向かうにつれて次第に小さくなる複数の発光部13に接触して形成される。また離間部分34は、基板12とは反対側の発光部13の表面の、中央部を挟んで相互に離間して形成される。   Further, according to the third embodiment, the light emitting element array 11 further includes the light emitting unit side electrode 14, and the light emitting unit side electrode 14 has the separated portion 34. The separation portion 34 is formed in contact with the plurality of light emitting units 13 whose dimensions in the column direction gradually decrease as going in one column direction. Further, the separation portion 34 is formed so as to be separated from each other across the central portion of the surface of the light emitting portion 13 on the side opposite to the substrate 12.

これによって、発光部13に発生する電流束が、発光部13内において局在化することを抑制することができる。したがって、電流束が局在化する場合に比べて、発光部13に発生させる電流量を増大させることができる。また、発光部13が出射する光の強度が電流の増大に伴って飽和するときの、光強度を増大させることができる。これによって、発光部13の最大発光強度を増大させることができる。したがって、発光部側電極14が離間部分34を含まない場合に比べて、発光部13から出射される光の強度を大きくすることが可能となる。   Accordingly, it is possible to suppress the current flux generated in the light emitting unit 13 from being localized in the light emitting unit 13. Therefore, compared with the case where the current flux is localized, the amount of current generated in the light emitting unit 13 can be increased. Further, it is possible to increase the light intensity when the intensity of the light emitted from the light emitting unit 13 is saturated as the current increases. Thereby, the maximum light emission intensity of the light emitting unit 13 can be increased. Therefore, it is possible to increase the intensity of light emitted from the light emitting unit 13 as compared with the case where the light emitting unit side electrode 14 does not include the separation portion 34.

これによって、発光部13の列方向の寸法が、列方向一方に向かうにつれて小さくなることによって、発光部13から出射される光の強度が、列方向一方に向かうにつれて小さくなることを防止することができる。したがって、発光素子アレイ11の列方向一方の端部における光強度の分布を、均一にすることが可能となる。   Thereby, the dimension of the light emitting unit 13 in the column direction becomes smaller as it goes in the column direction, thereby preventing the intensity of light emitted from the light emitting unit 13 from becoming smaller in the column direction. it can. Therefore, the light intensity distribution at one end in the column direction of the light emitting element array 11 can be made uniform.

また列方向一方および他方に向かうにつれて小さくなることによって、発光部13から出射される光の強度が、列方向一方および他方に向かうにつれて小さくなることを防止することができるので、発光素子アレイ11の列方向一方および他方の端部における光強度の分布が、均一な画像形成装置15を実現することが可能となる。   Further, since the intensity of the light emitted from the light emitting unit 13 can be prevented from decreasing toward the one and the other in the column direction by decreasing toward the one and the other in the column direction, An image forming apparatus 15 having a uniform light intensity distribution at one end and the other end in the column direction can be realized.

以上説明したそれぞれの実施形態は、本発明に係る技術を具体化するために例示するものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。また、実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。さらに本発明に係る技術内容は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることが可能である。以下変形例を示す。   Each embodiment described above is illustrated in order to embody the technology according to the present invention, and does not limit the technical scope of the present invention. In addition to the combination of parts specifically described in each embodiment, the embodiments may be partially combined as long as the combination is not particularly troublesome. Furthermore, the technical contents according to the present invention can be variously modified within the technical scope described in the claims. A modification is shown below.

(変形例)
第1実施形態において、密集領域27は、発光素子アレイ11に含まれる最も列方向一方の発光素子10を含むものとしたが、本発明において密集領域27は、発光素子アレイ11の列方向の中心から列方向一方側に形成されていれば良い。たとえば発光素子アレイに含まれる複数の発光素子の中で、最も列方向一方には、いくつかの発光素子を含んで定常距離領域が形成され、この定常距離領域よりも列方向他方側に密集領域が形成され、この密集領域と発光素子アレイの列方向の中心位置との間に、定常距離領域が形成されていてもよい。また列方向他方における他の密集領域についても、同様の構成とすることが可能である。
(Modification)
In the first embodiment, the dense region 27 includes one of the light emitting elements 10 in the column direction included in the light emitting element array 11. In the present invention, the dense region 27 is the center of the light emitting element array 11 in the column direction. As long as it is formed on one side in the column direction. For example, among a plurality of light emitting elements included in a light emitting element array, a regular distance region is formed in one row direction including some light emitting elements, and a dense region is formed on the other side in the column direction from the steady distance region. The steady distance region may be formed between the dense region and the center position in the column direction of the light emitting element array. The same configuration can be applied to other dense regions on the other side in the row direction.

第2実施形態において小形発光部領域32は、発光素子アレイ11に含まれる最も列方向一方の発光素子10を含むものとしたが、本発明において小形発光部領域32は、発光素子アレイ11の列方向の中心から列方向一方側に形成されていれば良い。たとえば発光素子アレイに含まれる複数の発光素子の中で、最も列方向一方には、いくつかの発光素子を含んで定常寸法領域が形成され、この定常寸法領域よりも列方向他方側に小形発光部領域が形成され、この小形発光部領域と発光素子アレイの列方向の中心位置との間に、定常寸法領域が形成されていてもよい。また列方向他方における他の密集領域についても、同様の構成とすることが可能である。   In the second embodiment, the small light emitting section region 32 includes the light emitting element 10 in the most column direction included in the light emitting element array 11. However, in the present invention, the small light emitting section region 32 is a column of the light emitting element array 11. What is necessary is just to be formed in the row direction one side from the center of a direction. For example, among a plurality of light emitting elements included in a light emitting element array, a regular dimension region is formed on one side in the column direction, including several light emitting elements, and small light emission is formed on the other side in the column direction from the regular dimension region. A partial region may be formed, and a stationary dimension region may be formed between the small light emitting unit region and the center position in the column direction of the light emitting element array. The same configuration can be applied to other dense regions on the other side in the row direction.

第1実施形態において発光部13の列方向の寸法は、いずれも同じであり、また第2実施形態の小形発光部領域32において、列方向に隣接する各発光素子10の芯−芯間の距離は、いずれも同じに設定されるものとしたが、第1実施形態と同様の密集領域が形成され、かつ密集領域において発光部の列方向の寸法が、第2実施形態と同様に列方向一方または他方に向かうにつれて小さくなる構成とすることも可能である。   In the first embodiment, the dimensions of the light emitting units 13 in the column direction are the same, and in the small light emitting unit region 32 of the second embodiment, the distance between the cores of the light emitting elements 10 adjacent to each other in the column direction. Are set to be the same, but a dense region similar to that in the first embodiment is formed, and in the dense region, the dimension in the column direction of the light emitting units is one in the column direction as in the second embodiment. Or it is also possible to make it the structure which becomes small as it goes to the other.

第1および第2実施形態において、発光体は、エッチングを行って削る行程を経て作製したけれども、発光体は、イオン注入を行って、不純物を予め定める濃度とし、これによってPN接合を形成する方法によって作製することも可能である。   In the first and second embodiments, although the light emitter is manufactured through a process of etching and etching, the light emitter is ion-implanted to obtain a predetermined concentration of impurities, thereby forming a PN junction. Can also be produced.

本発明の第1実施形態に係る発光素子アレイ11を、従来技術に係る発光素子アレイ11と比較した平面図である。It is the top view which compared the light emitting element array 11 which concerns on 1st Embodiment of this invention with the light emitting element array 11 which concerns on a prior art. 従来技術と同様の比較例において配置される発光部13の平面図である。It is a top view of the light emission part 13 arrange | positioned in the comparative example similar to a prior art. 本発明の第1実施形態に係る発光素子アレイ11の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting element array 11 which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る画像形成装置15の構成を表す側面図である。1 is a side view illustrating a configuration of an image forming apparatus 15 according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る発光素子アレイ11を、従来技術に係る発光素子アレイ11と比較した平面図である。It is the top view which compared the light emitting element array 11 which concerns on 2nd Embodiment of this invention with the light emitting element array 11 which concerns on a prior art. 本発明の第2実施形態に係る発光素子10の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting element 10 which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態における発光素子アレイ11の平面図である。It is a top view of the light emitting element array 11 in 3rd Embodiment of this invention. 従来技術に係るダイオードアレイチップの断面図である。It is sectional drawing of the diode array chip based on a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

10 発光素子
11 発光素子アレイ
12 基板
13 発光部
14 発光部側電極
15 画像形成装置
16 基部
34 離間部分
90 感光体ドラム
91 現像剤供給手段
92 転写ベルト
93 クリーナ
94 帯電器
95 定着手段
96 制御手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light emitting element 11 Light emitting element array 12 Substrate 13 Light emitting part 14 Light emitting part side electrode 15 Image forming apparatus 16 Base 34 Separating part 90 Photosensitive drum 91 Developer supply means 92 Transfer belt 93 Cleaner 94 Charger 95 Fixing means 96 Control means

Claims (5)

基板と、
前記基板上に列を成して設けられ、電力が供給されることによって発光する複数の発光部であって、複数の前記発光部のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる複数の発光部とを含む発光素子アレイ。
A substrate,
A plurality of light emitting units that are provided in a row on the substrate and emit light when electric power is supplied, wherein a part of the plurality of light emitting units is arranged in a column direction toward one side in the column direction. A light-emitting element array including a plurality of light-emitting portions whose intervals are gradually narrowed.
基板と、
前記基板上に列を成して設けられ、電力が供給されることによって発光する複数の発光部であって、複数の前記発光部のうちの一部は、列方向一方に向かうにつれて、列方向の寸法が次第に小さくなる複数の発光部とを含む発光素子アレイ。
A substrate,
A plurality of light emitting units that are provided in a row on the substrate and emit light when electric power is supplied, wherein a part of the plurality of light emitting units is arranged in a column direction toward one side in the column direction. A light-emitting element array including a plurality of light-emitting portions that gradually become smaller in size.
前記発光部の、前記基板とは反対側の表面に接続され、前記発光部に電力を供給するための供給路を形成する発光部側電極であって、
前記発光部に接触して形成される電極端部を有し、
列方向の間隔が次第に狭くなる前記発光部に対し、接触して形成される前記電極端部は、各発光部の列方向の中央部よりも列方向他方寄りに形成される発光部側電極をさらに含む請求項1に記載の発光素子アレイ。
A light emitting unit side electrode connected to a surface of the light emitting unit opposite to the substrate and forming a supply path for supplying power to the light emitting unit;
Having an electrode end formed in contact with the light emitting portion;
The electrode end portion formed in contact with the light emitting portion whose interval in the column direction is gradually narrowed is a light emitting portion side electrode formed closer to the other side in the column direction than the central portion in the column direction of each light emitting portion. The light emitting device array according to claim 1, further comprising:
前記発光部の、前記基板とは反対側の表面に接続され、前記発光部に電力を供給するための供給路を形成する発光部側電極であって、
列方向の寸法が次第に小さくなる前記発光部に対して接触して形成され、前記表面の中央部を挟んで相互に離間して形成される離間部分を有する発光部側電極をさらに含む請求項2に記載の発光素子アレイ。
A light emitting unit side electrode connected to a surface of the light emitting unit opposite to the substrate and forming a supply path for supplying power to the light emitting unit;
The light emitting unit side electrode further including a spaced-apart portion formed in contact with the light-emitting unit, the dimension of which in the column direction is gradually reduced, and spaced apart from each other with the central portion of the surface interposed therebetween. The light-emitting element array described in 1.
請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光素子アレイと、
前記発光素子アレイから出射される光が照射される電子写真感光体と、
前記電子写真感光体に現像剤を供給する現像供給手段と、
前記電子写真感光体に現像剤によって形成される画像を記録シートに転写する転写手段と、
前記記録シートに転写される現像剤を定着させる定着手段とを備える画像形成装置。
The light emitting element array according to any one of claims 1 to 4,
An electrophotographic photosensitive member to which light emitted from the light emitting element array is irradiated;
Development supply means for supplying a developer to the electrophotographic photoreceptor;
Transfer means for transferring an image formed by a developer on the electrophotographic photoreceptor to a recording sheet;
An image forming apparatus comprising fixing means for fixing the developer transferred to the recording sheet.
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6256163A (en) * 1985-09-05 1987-03-11 Kyocera Corp Light emitting diode printing head
JPH0323952U (en) * 1989-07-17 1991-03-12
JPH0323445U (en) * 1989-07-11 1991-03-12
JPH06140671A (en) * 1992-10-29 1994-05-20 Kyocera Corp Semiconductor light emitter
JPH10244706A (en) * 1997-03-06 1998-09-14 Oki Data:Kk Led head
JPH10335698A (en) * 1997-05-29 1998-12-18 Kyocera Corp Semiconductor light emitting device
JP2000277806A (en) * 1999-03-26 2000-10-06 Oki Electric Ind Co Ltd Light emitting diode array
JP2003243697A (en) * 2002-01-10 2003-08-29 Xerox Corp Print bar, led array for print bar and its producing method
JP2004066649A (en) * 2002-08-07 2004-03-04 Ricoh Co Ltd Light emitting element array chip, light emitting element array head, optical printing head and image formation apparatus

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6256163A (en) * 1985-09-05 1987-03-11 Kyocera Corp Light emitting diode printing head
JPH0323445U (en) * 1989-07-11 1991-03-12
JPH0323952U (en) * 1989-07-17 1991-03-12
JPH06140671A (en) * 1992-10-29 1994-05-20 Kyocera Corp Semiconductor light emitter
JPH10244706A (en) * 1997-03-06 1998-09-14 Oki Data:Kk Led head
JPH10335698A (en) * 1997-05-29 1998-12-18 Kyocera Corp Semiconductor light emitting device
JP2000277806A (en) * 1999-03-26 2000-10-06 Oki Electric Ind Co Ltd Light emitting diode array
JP2003243697A (en) * 2002-01-10 2003-08-29 Xerox Corp Print bar, led array for print bar and its producing method
JP2004066649A (en) * 2002-08-07 2004-03-04 Ricoh Co Ltd Light emitting element array chip, light emitting element array head, optical printing head and image formation apparatus

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