JP2009245688A - Electron amplifier, and radiation detector using the same - Google Patents

Electron amplifier, and radiation detector using the same Download PDF

Info

Publication number
JP2009245688A
JP2009245688A JP2008089721A JP2008089721A JP2009245688A JP 2009245688 A JP2009245688 A JP 2009245688A JP 2008089721 A JP2008089721 A JP 2008089721A JP 2008089721 A JP2008089721 A JP 2008089721A JP 2009245688 A JP2009245688 A JP 2009245688A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
incident
electronic
electrode
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008089721A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5159393B2 (en
Inventor
Ryoichi Motoda
良一 元田
Satoshi Koshimuta
聡 越牟田
Yasuo Otsu
恭男 大津
Keiichi Abe
圭一 阿部
Eiji Usui
英治 臼井
Hiroyuki Takahashi
弘行 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SCIENERGY Co Ltd
Original Assignee
SCIENERGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SCIENERGY Co Ltd filed Critical SCIENERGY Co Ltd
Priority to JP2008089721A priority Critical patent/JP5159393B2/en
Publication of JP2009245688A publication Critical patent/JP2009245688A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5159393B2 publication Critical patent/JP5159393B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04—Electron multipliers
    • H01J43/06—Electrode arrangements
    • H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
    • H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
    • H01J43/246—Microchannel plates [MCP]

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron amplifier can improve the efficiency of detecting radiation, and to provide a radiation detector using the same. <P>SOLUTION: Between an incident electrode 101 and a detection part 102, an electron amplifying plate 10 constituted of a plate like insulating layer 12 and flat conductive layers 14, 16 formed on both sides of this plate like insulating layer is arranged. In this electron amplifying plate 10, a plurality of through-holes 18 to focus an electric field are formed. Moreover, in the incident electrode 101, a columnar protrusion 24 to extend toward the through-holes 18 from a face opposing to the electron amplifying plate 10 is formed. Furthermore, a gas for detection is filled into a chamber 104 to house these constituting elements. The radiation made incident into the electrode 101 generates primary electrons from the columnar protrusion 24, and the generated primary electrons advance into the through-holes 18 arranged at a position corresponding to an incident position of the radiation that has generated the primary electrons, and are amplified. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子増幅器及びこれを使用した放射線検出器に関する。   The present invention relates to an electronic amplifier and a radiation detector using the same.

従来より、荷電粒子、ガンマ線、Ｘ線、中性子または紫外光等の電離放射線を検出する装置としてガス電子増幅器が使用されている。これらの検出装置は、検出対象の放射線がチャンバ内に電子を発生させ、ガス電子増幅器が電子雪崩効果による電子増幅を行い、放射線を検出する構成となっている。   Conventionally, a gas electronic amplifier has been used as a device for detecting ionizing radiation such as charged particles, gamma rays, X-rays, neutrons or ultraviolet light. In these detection devices, radiation to be detected generates electrons in the chamber, and a gas electron amplifier performs electron amplification by an electron avalanche effect to detect the radiation.

図７には、従来のガス電子増幅器を使用した放射線検出器の概略構成例の断面図が示される。図７において、放射線検出器はドリフト電極１００と検出部１０２との間に、一次電子を発生させるドリフト領域１１と電子増幅板１０が配置されている。この電子増幅板１０は、電子雪崩効果により電荷増倍を行うガス電子増幅器として機能し、板状絶縁層１２とこの板状絶縁層１２の両面に被覆された平面状の導体層１４、１６とで構成されている。また、電子増幅板１０には、電場を集束させるための貫通孔１８が複数形成されている。また、これらの構成要素を収容するチャンバ１０４内には、所定の検出用ガスが充填されている。   FIG. 7 shows a cross-sectional view of a schematic configuration example of a radiation detector using a conventional gas electronic amplifier. In FIG. 7, the radiation detector includes a drift region 11 that generates primary electrons and an electronic amplification plate 10 between a drift electrode 100 and a detection unit 102. The electronic amplifying plate 10 functions as a gas electronic amplifier that performs charge multiplication by an electron avalanche effect, and includes a plate-like insulating layer 12 and planar conductor layers 14 and 16 coated on both sides of the plate-like insulating layer 12. It consists of The electronic amplifying plate 10 is formed with a plurality of through holes 18 for focusing the electric field. In addition, a predetermined detection gas is filled in the chamber 104 that accommodates these components.

このような放射線検出器においては、電源部２０から導体層１４、１６及びドリフト電極１００に所定の電圧が印加されている。これにより、チャンバ１０４内には電子増幅板１０を介してドリフト電極１００から検出部１０２の方向に電子を移動させる電場が形成されている。この状態で放射線がドリフト電極１００側から入射すると、光電効果、コンプトン散乱あるいは電子対生成等により、検出用ガス中の原子から電子を遊離して一次電子を発生させる。発生した一次電子は、ドリフト電極１００と電子増幅板１０との間のドリフト領域１１で検出用ガスを電離させ、その際に発生した電子は上記電場により検出部１０２の方向に移動する（二次電子）。電子増幅板１０に近づいた二次電子は、貫通孔１８内で集束された電場によってさらに加速され雪崩増幅が発生する。これにより生じた励起電荷を検出部１０２で捕集し、出力部２２が検出信号を出力することにより放射線の二次元位置を特定することができる。例えば、下記特許文献１にも、上記ガス電子増幅器の例が開示されている。   In such a radiation detector, a predetermined voltage is applied from the power supply unit 20 to the conductor layers 14 and 16 and the drift electrode 100. Thereby, an electric field for moving electrons from the drift electrode 100 toward the detection unit 102 is formed in the chamber 104 via the electron amplification plate 10. When radiation enters from the drift electrode 100 side in this state, electrons are liberated from atoms in the detection gas by the photoelectric effect, Compton scattering, or electron pair generation, and primary electrons are generated. The generated primary electrons ionize the detection gas in the drift region 11 between the drift electrode 100 and the electron amplifying plate 10, and the electrons generated at that time move toward the detection unit 102 by the electric field (secondary Electronic). The secondary electrons approaching the electron amplification plate 10 are further accelerated by the electric field focused in the through hole 18 and avalanche amplification occurs. The excited charges generated thereby are collected by the detection unit 102, and the output unit 22 outputs a detection signal, whereby the two-dimensional position of the radiation can be specified. For example, Patent Document 1 below also discloses an example of the gas electronic amplifier.

特表２００１−５０８９３５号公報Special table 2001-508935 gazette

しかし、上記従来の技術においては、放射線が検出用ガスから一次電子を発生させるが、ガスは原子の密度が小さいので、発生する一次電子の数が少ない。このため、放射線の検出効率を向上させることが困難であるという問題があった。   However, in the above conventional technique, radiation generates primary electrons from the detection gas, but since the gas has a low atom density, the number of primary electrons generated is small. For this reason, there has been a problem that it is difficult to improve the detection efficiency of radiation.

本発明は、上記従来の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、放射線の検出効率を向上することができる電子増幅器及びこれを使用した放射線検出器を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object thereof is to provide an electronic amplifier capable of improving the radiation detection efficiency and a radiation detector using the same.

上記目的を達成するために、請求項１記載の電子増幅器の発明は、放射線が入射する入射電極と、前記入射電極の一方の面と対向するとともに、両面を貫通した貫通孔が複数形成された板状の電子増幅手段と、前記入射電極に形成され、前記入射電極に入射した放射線により電子を発生させるコンバータ構造と、を備えることを特徴とする。   In order to achieve the above object, the electronic amplifier according to claim 1 is formed with an incident electrode on which radiation is incident and a plurality of through-holes that face one surface of the incident electrode and penetrate both surfaces. And a converter structure formed on the incident electrode and generating electrons by radiation incident on the incident electrode.

請求項２記載の発明は、請求項１記載の電子増幅器において、前記コンバータ構造が、前記入射電極の前記電子増幅手段に対向する面から前記貫通孔に向けて伸長する柱状突起であることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the electronic amplifier according to the first aspect, the converter structure is a columnar protrusion extending from the surface of the incident electrode facing the electronic amplification means toward the through hole. And

請求項３記載の発明は、請求項２記載の電子増幅器において、前記電子増幅手段が、一方の面が前記入射電極の一方の面と密着し、前記柱状突起は、前記貫通孔の中に伸長することを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the electronic amplifier according to the second aspect, the electronic amplifying means has one surface in close contact with the one surface of the incident electrode, and the columnar protrusion extends into the through hole. It is characterized by doing.

請求項４記載の発明は、請求項２または請求項３記載の電子増幅器において、前記柱状突起が、入射する放射線のエネルギーに応じてその太さ及び長さが変更されることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the electronic amplifier according to the second or third aspect, the thickness and length of the columnar protrusion is changed according to the energy of the incident radiation.

請求項５記載の発明は、請求項２から請求項４のいずれか一項記載の電子増幅器において、前記柱状突起が、各貫通孔毎に複数形成されていることを特徴とする。   A fifth aspect of the present invention is the electronic amplifier according to any one of the second to fourth aspects, wherein a plurality of the columnar protrusions are formed for each through hole.

請求項６記載の発明は、請求項５記載の電子増幅器において、入射する放射線のエネルギーに応じて前記貫通孔毎に設けられる前記柱状突起の数が変更されることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the electronic amplifier according to the fifth aspect, the number of the columnar protrusions provided for each of the through holes is changed according to the energy of incident radiation.

請求項７記載の発明は、請求項５または請求項６記載の電子増幅器において、前記柱状突起が等間隔に配列されることを特徴とする。   According to a seventh aspect of the invention, in the electronic amplifier according to the fifth or sixth aspect, the columnar protrusions are arranged at equal intervals.

請求項８記載の発明は、請求項１記載の電子増幅器において、前記コンバータ構造が、前記入射電極の前記電子増幅手段に対向する面に形成された板状構造であることを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, in the electronic amplifier according to the first aspect, the converter structure is a plate-like structure formed on a surface of the incident electrode facing the electronic amplification means.

請求項９記載の発明は、請求項１記載の電子増幅器において、前記コンバータ構造が、前記入射電極に形成され、前記電子増幅手段に向けて開口する貫通孔構造であることを特徴とする。   According to a ninth aspect of the present invention, in the electronic amplifier according to the first aspect, the converter structure is a through-hole structure formed in the incident electrode and opening toward the electronic amplification means.

請求項１０記載の放射線検出器の発明は、請求項１から請求項９のいずれか一項記載の電子増幅器と、前記電子増幅手段が増幅した電子を検出する検出手段と、を備えることを特徴とする。   A radiation detector according to a tenth aspect includes the electronic amplifier according to any one of the first to ninth aspects, and a detection unit that detects electrons amplified by the electronic amplification unit. And

請求項１、請求項２、請求項５、請求項７、請求項８及び請求項９記載の発明によれば、放射線の検出効率を向上することができる電子増幅器を実現できる。   According to the invention of claim 1, claim 2, claim 5, claim 7, claim 8 and claim 9, it is possible to realize an electronic amplifier capable of improving the detection efficiency of radiation.

請求項３記載の発明によれば、放射線の二次元位置を正確に特定することができる電子増幅器を実現できる。   According to the third aspect of the present invention, an electronic amplifier capable of accurately specifying the two-dimensional position of radiation can be realized.

請求項４及び請求項６記載の発明によれば、放射線のエネルギーに応じて適切に検出効率を変えることができる。   According to invention of Claim 4 and Claim 6, detection efficiency can be changed appropriately according to the energy of radiation.

請求項１０記載の発明によれば、放射線の検出効率が向上した放射線検出器を実現できる。   According to the invention described in claim 10, a radiation detector with improved radiation detection efficiency can be realized.

以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施形態という）を、図面に従って説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention (hereinafter referred to as an embodiment) will be described with reference to the drawings.

図１には、本発明にかかる電子増幅器を使用した放射線検出器の概略構成例の断面図が示され、図７と同一要素には同一符号が付されている。図１において、放射線検出器は入射電極１０１と検出部１０２との間に、電子増幅板１０が配置されている。この電子増幅板１０は、電子雪崩効果により電子増幅を行うガス電子増幅手段として機能し、板状絶縁層１２とこの板状絶縁層１２の両面に形成された平面状の導体層１４，１６とで構成されている。また、電子増幅板１０は、その一方の面が入射電極１０１の一方の面（図１では下面）と対向するように配置されている。さらに、電子増幅板１０には、電場を集束させるための貫通孔１８が複数形成され、二次元配置されている。また、これらの構成要素を収容するチャンバ１０４内には、所定の検出用ガスが充填されている。この検出用ガスとしては、一般に希ガス＋クエンチャーガスの組合せが使用される。希ガスとしては、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ等がある。また、クエンチャーガスとしては、例えばＣＯ２、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、ＣＦ４等がある。また、希ガス中へのクエンチャーガスの混合量は、１〜３０％が好適である。 FIG. 1 shows a sectional view of a schematic configuration example of a radiation detector using an electronic amplifier according to the present invention, and the same elements as those in FIG. In FIG. 1, the radiation detector has an electronic amplification plate 10 disposed between an incident electrode 101 and a detection unit 102. The electron amplification plate 10 functions as gas electron amplification means for performing electron amplification by the electron avalanche effect, and includes a plate-like insulating layer 12 and planar conductor layers 14 and 16 formed on both surfaces of the plate-like insulating layer 12. It consists of The electronic amplifying plate 10 is arranged so that one surface thereof faces one surface of the incident electrode 101 (the lower surface in FIG. 1). Further, a plurality of through holes 18 for converging the electric field are formed in the electronic amplifying plate 10 and are two-dimensionally arranged. In addition, a predetermined detection gas is filled in the chamber 104 that accommodates these components. As this detection gas, a combination of rare gas and quencher gas is generally used. Examples of the rare gas include He, Ne, Ar, and Xe. In addition, examples of the quencher gas include CO 2 , CH 4 , C 2 H 6 , and CF 4 . Further, the mixing amount of the quencher gas in the rare gas is preferably 1 to 30%.

上記入射電極１０１には、電子増幅板１０に対向する面から上記貫通孔１８に向けて伸長する柱状突起２４が形成されている。この柱状突起２４は、入射電極１０１の上記面の内、貫通孔１８を投影する領域に形成される。なお、図１の例では、柱状突起２４が各貫通孔１８毎に一つ形成されているが、各貫通孔１８毎に複数形成してもよい。また、柱状突起２４は、長手方向に直交する断面が円形、楕円形、矩形等のいずれであってもよい。   The incident electrode 101 is formed with columnar protrusions 24 extending from the surface facing the electronic amplifier plate 10 toward the through hole 18. The columnar protrusion 24 is formed in a region of the incident electrode 101 where the through hole 18 is projected. In the example of FIG. 1, one columnar protrusion 24 is formed for each through hole 18, but a plurality of columnar protrusions 24 may be formed for each through hole 18. Further, the columnar protrusion 24 may have any of a circular shape, an elliptical shape, a rectangular shape, and the like in a cross section orthogonal to the longitudinal direction.

本実施形態にかかる放射線検出器においては、電源部２０から導体層１４，１６及び入射電極１０１に所定の電圧が印加され、チャンバ１０４内には電子増幅板１０を介して入射電極１０１から検出部１０２の方向に電子を移動させる電場が形成されている。ここで、放射線が入射電極１０１に入射すると、当該放射線は入射電極１０１を通過して柱状突起２４まで到達し、光電効果、コンプトン散乱あるいは電子対生成等により、柱状突起２４から一次電子を発生させる。この柱状突起２４は、入射電極１０１に入射した放射線により電子を発生させるコンバータ構造として機能している。発生した一次電子は検出用ガスを電離させて二次電子が発生し、電子増幅板１０の貫通孔１８において集束された電場によりさらに加速されて電子の雪崩増幅が行われる。増幅された電子は、二次元配置された貫通孔１８毎に検出部１０２で検出され、出力部２２が検出信号を出力することにより放射線の二次元位置を特定する。この検出部１０２は、直接電荷を検出する方法、あるいはシンチレーション光を検出する方法等により増幅された電子の数を検出する構成とすることができる。   In the radiation detector according to the present embodiment, a predetermined voltage is applied from the power supply unit 20 to the conductor layers 14 and 16 and the incident electrode 101, and the detection unit from the incident electrode 101 to the chamber 104 via the electronic amplification plate 10. An electric field for moving electrons in the direction of 102 is formed. Here, when radiation enters the incident electrode 101, the radiation passes through the incident electrode 101 and reaches the columnar protrusion 24, and generates primary electrons from the columnar protrusion 24 by photoelectric effect, Compton scattering, electron pair generation, or the like. . The columnar protrusion 24 functions as a converter structure that generates electrons by radiation incident on the incident electrode 101. The generated primary electrons ionize the detection gas to generate secondary electrons, which are further accelerated by the electric field focused in the through hole 18 of the electron amplifier plate 10 to amplify the avalanche of electrons. The amplified electrons are detected by the detection unit 102 for each of the two-dimensionally arranged through holes 18, and the output unit 22 outputs a detection signal to specify the two-dimensional position of the radiation. The detection unit 102 can be configured to detect the number of electrons amplified by a method of directly detecting charges or a method of detecting scintillation light.

なお、検出部１０２としてマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）を使用してもよい。ここで、マイクロチャンネルプレートとは、電子等を二次元的に検出し増倍する、電子増倍素子である。検出部１０２としてマイクロチャンネルプレートを使用する場合、上記検出用ガスを使用せず、チャンバ１０４内を真空状態にして放射線を検出することができる。   Note that a microchannel plate (MCP) may be used as the detection unit 102. Here, the microchannel plate is an electron multiplier element that two-dimensionally detects and multiplies electrons. In the case where a microchannel plate is used as the detection unit 102, radiation can be detected by using a vacuum in the chamber 104 without using the detection gas.

図２（ａ），（ｂ）には、上記柱状突起２４の機能の説明図が示される。図２（ａ）が本実施形態にかかる柱状突起２４が形成された入射電極１０１の例であり、図２（ｂ）が柱状突起２４が形成されていない従来のドリフト電極１００の例である。   2A and 2B are explanatory diagrams of the function of the columnar protrusion 24. FIG. 2A is an example of the incident electrode 101 in which the columnar protrusions 24 according to the present embodiment are formed, and FIG. 2B is an example of the conventional drift electrode 100 in which the columnar protrusions 24 are not formed.

図２（ｂ）に示されるように、放射線Ｒがドリフト電極１００に入射した場合、その多くは実線の矢印Iに示されるようにドリフト電極１００を通過するので、ドリフト電極１００中では電子を発生させない。この放射線は、ドリフト電極１００を通過した後、上記検出用ガスから電子を遊離することになるが、ガスは原子の密度が小さいため、多くの電子を発生させることは困難である。また、放射線がドリフト電極１００中で電子を発生させた場合にも、図２（ｂ）の破線の矢印IIに示されるように、発生した電子の多くは放射線の入射方向に対して９０度に近い方向に飛翔するので、ドリフト電極１００内で吸収されて検出部１０２まで到達できない。以上のような理由により、図２（ｂ）に示された従来例では、電子増幅板１０で増幅しても検出部１０２が十分な数の電子を検出できず、放射線の検出効率を向上させることが困難であった。   As shown in FIG. 2B, when radiation R is incident on the drift electrode 100, most of the radiation R passes through the drift electrode 100 as indicated by the solid arrow I, so that electrons are generated in the drift electrode 100. I won't let you. This radiation will release electrons from the detection gas after passing through the drift electrode 100. However, since the gas has a low atom density, it is difficult to generate many electrons. Also, when radiation generates electrons in the drift electrode 100, as shown by the broken line arrow II in FIG. 2B, most of the generated electrons are at 90 degrees with respect to the incident direction of the radiation. Since it flies in the near direction, it is absorbed in the drift electrode 100 and cannot reach the detection unit 102. For the reasons described above, in the conventional example shown in FIG. 2B, the detection unit 102 cannot detect a sufficient number of electrons even when amplified by the electronic amplification plate 10, thereby improving the radiation detection efficiency. It was difficult.

これに対して、図２（ａ）に示された本実施形態では、放射線Ｒが入射電極１０１に入射した場合、入射電極１０１を通過した放射線が柱状突起２４中で一次電子を発生させる。すなわち、柱状突起２４は、それが形成された部分だけ、入射電極１０１の厚さを厚くしたのと同様の効果を奏する。また、柱状突起２４は、後述する金属等で形成されるので、検出用ガスの場合より原子の密度が大きく、放射線との衝突確率が高くなって、発生する一次電子の数も多くなる。また、この場合、柱状突起２４の径は、発生した電子を柱状突起２４内で吸収できない程度の太さとされているので、発生した電子の大部分が柱状突起２４の外に放出される。従って、この一次電子を各貫通孔１８に導くのに十分な電場を発生させておくことにより、上記図２（ｂ）の従来例より多くの電子を貫通孔１８に進入させることができ、その結果、検出部１０２でより多くの電子を検出することができる。このため、放射線の検出効率を向上させることができる。   In contrast, in the present embodiment shown in FIG. 2A, when the radiation R is incident on the incident electrode 101, the radiation that has passed through the incident electrode 101 generates primary electrons in the columnar protrusion 24. That is, the columnar protrusion 24 has the same effect as increasing the thickness of the incident electrode 101 only in the portion where the columnar protrusion 24 is formed. Further, since the columnar protrusions 24 are formed of a metal or the like to be described later, the density of atoms is larger than that in the case of a detection gas, the probability of collision with radiation increases, and the number of primary electrons generated increases. In this case, since the diameter of the columnar protrusion 24 is set to a thickness that does not allow the generated electrons to be absorbed in the columnar protrusion 24, most of the generated electrons are emitted outside the columnar protrusion 24. Therefore, by generating an electric field sufficient to guide the primary electrons to each through hole 18, more electrons can enter the through hole 18 than in the conventional example of FIG. As a result, the detection unit 102 can detect more electrons. For this reason, the detection efficiency of radiation can be improved.

以上の通り、本実施形態にかかる放射線検出器では、放射線の検出効率を向上させることができるので、検出に必要な放射線量を低減することができる。この結果、検出部１０２に使用されるＣＭＯＳ等の半導体素子に照射される放射線の量も低減でき、半導体素子の放射線損傷を抑制することができる。   As described above, in the radiation detector according to the present embodiment, the radiation detection efficiency can be improved, so that the amount of radiation necessary for detection can be reduced. As a result, the amount of radiation applied to a semiconductor element such as a CMOS used in the detection unit 102 can also be reduced, and radiation damage to the semiconductor element can be suppressed.

図３には、本発明にかかる電子増幅器を使用した放射線検出器の他の概略構成例の断面図が示され、図７と同一要素には同一符号が付されている。図３において、特徴的な点は、入射電極１０１の一方の面（図３では下面）と電子増幅板１０の一方の面（図３では上面）とを密着させている点である。また、柱状突起２４は、各貫通孔１８の中に収容されている。これにより、柱状突起２４の中で発生した一次電子は、当該一次電子を発生させた放射線の入射位置に対応する位置に配置された貫通孔１８により増幅されることになる。この結果、入射した放射線の読み出し位置の誤差を無くすことができ、放射線の二次元位置を正確に特定することができる。ここで、放射線の入射位置に対応する位置とは、放射線の進行方向を延長した位置をいう。なお、入射電極１０１と電子増幅板１０とを密着させる方法は特に限定されないが、例えば入射電極１０１を電子増幅板１０の上に載置する方法、エポキシ樹脂等の接着剤により接着する方法及び溶着等がある。また、本実施形態では、図３に示されるように、導体層１６が板状絶縁層１２の入射電極１０１に密着していない面に形成されている。なお、図１に示された導体層１４は、本実施形態では板状絶縁層１２の入射電極１０１に密着している面に位置するが、電場を発生させるには入射電極１０１のみで足りるので、省略されている。   FIG. 3 shows a sectional view of another schematic configuration example of the radiation detector using the electronic amplifier according to the present invention, and the same elements as those in FIG. In FIG. 3, a characteristic point is that one surface (lower surface in FIG. 3) of the incident electrode 101 and one surface (upper surface in FIG. 3) of the electronic amplifying plate 10 are brought into close contact with each other. Further, the columnar protrusions 24 are accommodated in the respective through holes 18. As a result, the primary electrons generated in the columnar protrusion 24 are amplified by the through hole 18 disposed at a position corresponding to the incident position of the radiation that generated the primary electrons. As a result, it is possible to eliminate an error in the reading position of the incident radiation, and it is possible to accurately specify the two-dimensional position of the radiation. Here, the position corresponding to the radiation incident position refers to a position obtained by extending the radiation traveling direction. The method for bringing the incident electrode 101 and the electronic amplifying plate 10 into close contact is not particularly limited. For example, the method for placing the incident electrode 101 on the electronic amplifying plate 10, the method for adhering with an adhesive such as epoxy resin, and the welding. Etc. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the conductor layer 16 is formed on the surface of the plate-like insulating layer 12 that is not in close contact with the incident electrode 101. The conductor layer 14 shown in FIG. 1 is located on the surface of the plate-like insulating layer 12 that is in close contact with the incident electrode 101 in this embodiment, but only the incident electrode 101 is sufficient to generate an electric field. , Has been omitted.

なお、本実施形態においても、柱状突起２４は、各貫通孔１８毎に一つ形成してもよいし、複数形成してもよい。   In this embodiment, one columnar protrusion 24 may be formed for each through hole 18 or a plurality of columnar protrusions 24 may be formed.

図４（ａ），（ｂ）には、柱状突起２４を各貫通孔１８毎に複数形成する場合の例が示される。図４（ａ），（ｂ）は、電子増幅板１０と柱状突起２４とを含んだ部分断面図となっている。図４（ａ）が図１に示された実施形態に対応し、図４（ｂ）が図３に示された実施形態に対応する。   4A and 4B show an example in which a plurality of columnar protrusions 24 are formed for each through hole 18. 4A and 4B are partial cross-sectional views including the electronic amplifying plate 10 and the columnar protrusions 24. FIG. 4A corresponds to the embodiment shown in FIG. 1, and FIG. 4B corresponds to the embodiment shown in FIG.

図４（ａ）の例では、複数の柱状突起２４が貫通孔１８に向けて伸長している。また、図４（ｂ）の例では、複数の柱状突起２４が貫通孔１８の中に伸長し、収容されている。これらの例において、各貫通孔１８毎に設けられる柱状突起２４の数は、入射する放射線のエネルギーに応じて変更するのが好適である。また、柱状突起２４の太さ及び長さも、入射する放射線のエネルギーに応じて変更するのが好適である。   In the example of FIG. 4A, the plurality of columnar protrusions 24 extend toward the through hole 18. Further, in the example of FIG. 4B, the plurality of columnar protrusions 24 extend into the through hole 18 and are accommodated. In these examples, the number of columnar protrusions 24 provided for each through hole 18 is preferably changed according to the energy of the incident radiation. It is also preferable to change the thickness and length of the columnar protrusion 24 according to the energy of the incident radiation.

一般に、柱状突起２４の間隔が広くなるほど柱状突起２４間に発生する電場が強くなる。この場合の電場とは、柱状突起２４が並ぶ方向に直交する方向（図４（ａ），（ｂ）の矢印ｅの方向）の電場であり、検出部１０２の方向に電子を移動させる電場である。この電場は、電源部２０から導体層１４，１６及び入射電極１０１等に印加される電圧により発生している。ここで、各柱状突起２４は、入射電極１０１に印加される電圧により等電位となっており、その間隔が狭くなるほど上記電場を打ち消す力が大きくなる。このため、上述したように、柱状突起２４の間隔が広くなるほど柱状突起２４間に発生する電場は強くなることになる。   Generally, the electric field generated between the columnar protrusions 24 becomes stronger as the interval between the columnar protrusions 24 becomes wider. The electric field in this case is an electric field in a direction perpendicular to the direction in which the columnar protrusions 24 are arranged (the direction of the arrow e in FIGS. 4A and 4B), and is an electric field that moves electrons in the direction of the detection unit 102. is there. This electric field is generated by a voltage applied from the power supply unit 20 to the conductor layers 14 and 16 and the incident electrode 101. Here, the columnar protrusions 24 are equipotential due to the voltage applied to the incident electrode 101, and the force for canceling the electric field increases as the interval decreases. For this reason, as described above, the electric field generated between the columnar protrusions 24 becomes stronger as the interval between the columnar protrusions 24 becomes wider.

柱状突起２４の間隔が広く、柱状突起２４間に発生する電場が強くなると、柱状突起２４から発生した一次電子を検出部１０２の方向に移動させる力が大きくなる。反対に柱状突起２４の間隔が狭く、柱状突起２４間に発生する電場が弱くなると、柱状突起２４から発生した一次電子を検出部１０２の方向に移動させる力も小さくなる。各貫通孔１８毎に設けられる柱状突起２４の数が多いほど、入射した放射線により多くの一次電子を発生させることができるが、柱状突起２４の数が多くなり、その間隔が狭くなると、発生した一次電子を検出部１０２の方向に移動させることが困難になる。一方、入射した放射線のエネルギーが高くなると、発生する一次電子の数が増えるとともに、一次電子の放出方向が放射線の進入方向と同じになる。このため、放射線のエネルギーが高いときには、柱状突起２４間に発生する電場が弱くても、電子増幅板１０まで一次電子が到達し、検出部１０２の方向に移動することができる。従って、放射線のエネルギーが高いときには柱状突起２４の数が多くてもよい。このように、柱状突起２４の数は、放射線のエネルギーに応じて、適宜調整することができる。   When the interval between the columnar protrusions 24 is wide and the electric field generated between the columnar protrusions 24 becomes strong, the force for moving the primary electrons generated from the columnar protrusions 24 toward the detection unit 102 increases. On the other hand, when the interval between the columnar protrusions 24 is narrow and the electric field generated between the columnar protrusions 24 is weakened, the force for moving the primary electrons generated from the columnar protrusions 24 toward the detection unit 102 also decreases. As the number of columnar protrusions 24 provided for each through-hole 18 increases, more primary electrons can be generated by incident radiation. However, when the number of columnar protrusions 24 increases and the distance between the columnar protrusions 24 decreases, the generation occurs. It becomes difficult to move the primary electrons in the direction of the detection unit 102. On the other hand, when the energy of the incident radiation increases, the number of primary electrons generated increases and the emission direction of the primary electrons becomes the same as the radiation entry direction. For this reason, when the energy of radiation is high, even if the electric field generated between the columnar protrusions 24 is weak, the primary electrons reach the electron amplification plate 10 and can move in the direction of the detection unit 102. Therefore, when the energy of radiation is high, the number of columnar protrusions 24 may be large. Thus, the number of columnar protrusions 24 can be adjusted as appropriate according to the energy of the radiation.

以上に述べた入射電極１０１及び柱状突起２４は、例えば金、銀、白金等の重金属、アルミニウム等の軽金属等を使用することができる。なお、入射電極１０１と柱状突起２４とは、同じ材質としてもよく、異なる材質としてもよい。ここで、柱状突起２４の材質が変わると放射線の透過率が変化する。柱状突起２４の材質として、例えば金、銀、アルミニウムを使用する場合、透過率は金＜銀＜アルミニウムの順となる。透過率が高いほど、一次電子が放出されにくくなるので、一次電子の放出効率を高くするためには材料の厚さすなわち本実施形態の場合には柱状突起２４の太さを太くする必要がある。ここで放出効率とは、同じエネルギーの放射線を照射した場合に発生する一次電子の数をいう。柱状突起２４の材質として、上記金、銀、アルミニウムを使用する場合、同じ放出効率を得るためには、柱状突起２４の相対的な太さを金＜銀＜アルミニウムとする必要がある。   For the incident electrode 101 and the columnar protrusion 24 described above, for example, a heavy metal such as gold, silver, or platinum, a light metal such as aluminum, or the like can be used. The incident electrode 101 and the columnar protrusion 24 may be made of the same material or different materials. Here, when the material of the columnar protrusion 24 changes, the radiation transmittance changes. For example, when gold, silver, or aluminum is used as the material of the columnar protrusion 24, the transmittance is in the order of gold <silver <aluminum. As the transmittance is higher, primary electrons are less likely to be emitted. Therefore, in order to increase the emission efficiency of primary electrons, it is necessary to increase the thickness of the material, that is, the thickness of the columnar protrusion 24 in the present embodiment. . Here, the emission efficiency refers to the number of primary electrons generated when radiation of the same energy is irradiated. When gold, silver, or aluminum is used as the material for the columnar protrusion 24, the relative thickness of the columnar protrusion 24 needs to be gold <silver <aluminum in order to obtain the same emission efficiency.

また、柱状突起２４の長さについては、一般に長くするほど一次電子の放出効率が高くなる。しかし、上述したように、放射線のエネルギーが高くなるにつれて一次電子の放出方向が放射線の進入方向と同じになるため、柱状突起２４の長手方向に入射する放射線のエネルギーが高いときに柱状突起２４の長さが長いと、柱状突起２４中で吸収される電子の数が多くなり、一次電子の放出効率が低下する。従って、放射線のエネルギーに応じて柱状突起２４の長さを変更するのが好適である。ここで、柱状突起２４の材質として、上記金、銀、アルミニウムを使用する場合、上述した透過率も勘案して、柱状突起２４の相対的な長さを金＜銀＜アルミニウムの順とするのがよい。   As for the length of the columnar protrusions 24, the emission efficiency of primary electrons increases as the length becomes longer. However, as described above, as the radiation energy increases, the emission direction of primary electrons becomes the same as the radiation entrance direction. Therefore, when the energy of the radiation incident in the longitudinal direction of the columnar protrusion 24 is high, the columnar protrusion 24 If the length is long, the number of electrons absorbed in the columnar protrusion 24 increases, and the primary electron emission efficiency decreases. Therefore, it is preferable to change the length of the columnar protrusion 24 according to the energy of the radiation. Here, when the gold, silver, and aluminum are used as the material of the columnar protrusion 24, the relative length of the columnar protrusion 24 is set in the order of gold <silver <aluminum in consideration of the transmittance described above. Is good.

また、各貫通孔１８毎に複数の柱状突起２４を設ける場合、各柱状突起２４は等間隔に配列するのが好適である。   Further, when a plurality of columnar protrusions 24 are provided for each through-hole 18, it is preferable that the columnar protrusions 24 are arranged at equal intervals.

一般に、入射した放射線から効率よく一次電子を放出させる（放出効率を向上させる）には、入射電極１０１の単位面積当たりの柱状突起２４の本数を多くする方がよい。ただし、放出された一次電子を検出部１０２側に誘導するためには、ある柱状突起２４から放出された一次電子が他の柱状突起２４に吸収されないようにする必要がある。すなわち、一次電子が他の柱状突起２４に吸収されない間隔を保持し、かつできるだけ密集させて柱状突起２４を形成した構造がよく、等間隔とするのが好適である。   Generally, in order to efficiently emit primary electrons from incident radiation (to improve emission efficiency), it is better to increase the number of columnar protrusions 24 per unit area of the incident electrode 101. However, in order to guide the emitted primary electrons to the detection unit 102 side, it is necessary to prevent the primary electrons emitted from one columnar protrusion 24 from being absorbed by the other columnar protrusions 24. That is, a structure in which the columnar protrusions 24 are formed by keeping the intervals at which the primary electrons are not absorbed by the other columnar protrusions 24 and being as dense as possible is preferable.

図５（ａ），（ｂ），（ｃ）には、上述した柱状突起２４の構造の例が示される。本実施形態では、いずれの図においても、図の上方に図示しない電子増幅板１０が配置されている。図５（ａ）は、入射電極１０１に棒状の柱状突起２４を形成した例である。棒状の柱状突起２４は、その長手方向に直交する断面が円形、楕円形、矩形等のいずれであってもよい。この場合、棒状の柱状突起２４は、上述したように、電子増幅板１０に形成された各貫通孔１８毎に一つ又は複数形成される。なお、各柱状突起２４は、全て同一の材料で形成してもよいし、異なる材料で形成した柱状突起２４を混在させてもよい。   5A, 5B, and 5C show examples of the structure of the columnar protrusion 24 described above. In this embodiment, in any of the drawings, an electronic amplification plate 10 (not shown) is disposed above the drawing. FIG. 5A shows an example in which rod-like columnar protrusions 24 are formed on the incident electrode 101. The rod-shaped columnar protrusion 24 may have a circular, elliptical, rectangular or the like cross section perpendicular to the longitudinal direction. In this case, as described above, one or a plurality of rod-like columnar protrusions 24 are formed for each through-hole 18 formed in the electronic amplifying plate 10. The columnar protrusions 24 may all be formed of the same material, or may be mixed with columnar protrusions 24 formed of different materials.

また、図５（ｂ）は、入射電極１０１に錐形状の柱状突起２４を形成した例である。錐形状としては、例えば三角錐、四角錐等の角錐形状及び円錐形状があげられる。錐形状の柱状突起２４も、電子増幅板１０に形成された各貫通孔１８毎に一つ又は複数形成される。   FIG. 5B shows an example in which a cone-shaped columnar protrusion 24 is formed on the incident electrode 101. Examples of the cone shape include a pyramid shape such as a triangular pyramid and a quadrangular pyramid, and a conical shape. One or a plurality of conical columnar protrusions 24 are also formed for each through-hole 18 formed in the electronic amplifying plate 10.

また、図５（ｃ）は、入射電極１０１に先端が球状の柱状突起２４を形成した例である。先端の球の直径は、特に限定されないが、隣接する球と接触しない値とする。先端が球状の柱状突起２４も、電子増幅板１０に形成された各貫通孔１８毎に一つ又は複数形成される。   FIG. 5C shows an example in which a columnar protrusion 24 having a spherical tip is formed on the incident electrode 101. The diameter of the sphere at the tip is not particularly limited, but is a value that does not contact the adjacent sphere. One or a plurality of columnar protrusions 24 having a spherical tip are also formed for each through hole 18 formed in the electronic amplification plate 10.

図６（ａ），（ｂ）には、入射電極１０１に入射した放射線により電子を発生させるコンバータ構造の他の例が示される。本実施形態においても、図の上方に図示しない電子増幅板１０が配置されている。図６（ａ）では、入射電極１０１の電子増幅板１０に対向する面に板状構造２６が形成されている。放射線が入射電極１０１に入射すると、当該放射線は入射電極１０１を通過して板状構造２６まで到達し、光電効果、コンプトン散乱あるいは電子対生成等により、板状構造２６の両面から一次電子を発生させる。板状構造２６の長さは限定されないが、例えば貫通孔１８の径以下とするのが好適である。また、板状構造２６の厚さも限定されないが、入射電極１０１に入射する放射線のエネルギー等に応じて適宜決定することができる。   FIGS. 6A and 6B show another example of a converter structure that generates electrons by radiation incident on the incident electrode 101. Also in this embodiment, an electronic amplifying plate 10 (not shown) is arranged above the drawing. In FIG. 6A, a plate-like structure 26 is formed on the surface of the incident electrode 101 that faces the electronic amplification plate 10. When radiation enters the incident electrode 101, the radiation passes through the incident electrode 101 and reaches the plate-like structure 26, and primary electrons are generated from both sides of the plate-like structure 26 by photoelectric effect, Compton scattering, or electron pair generation. Let Although the length of the plate-like structure 26 is not limited, for example, it is preferable to make it not more than the diameter of the through hole 18. Further, the thickness of the plate-like structure 26 is not limited, but can be appropriately determined according to the energy of radiation incident on the incident electrode 101.

図６（ｂ）では、入射電極１０１に、電子増幅板１０に向けて開口する貫通孔構造２８が形成されている。放射線が入射電極１０１に入射すると、貫通孔構造２８が形成されていない入射電極１０１の材料部分で光電効果、コンプトン散乱あるいは電子対生成等により一次電子を発生させ、この一次電子が貫通孔構造２８に放出され、電場の作用により電子増幅板１０方向に移動する。上記貫通孔構造２８の径は限定されないが、貫通孔１８の径以下とするのが好適である。また、貫通孔構造２８は、電子増幅板１０に形成された各貫通孔１８毎に一つ又は複数形成される。   In FIG. 6B, a through-hole structure 28 that opens toward the electronic amplification plate 10 is formed in the incident electrode 101. When radiation is incident on the incident electrode 101, primary electrons are generated by photoelectric effect, Compton scattering, electron pair generation, or the like in the material portion of the incident electrode 101 where the through-hole structure 28 is not formed, and the primary electrons are generated through the through-hole structure 28. And move toward the electron amplification plate 10 by the action of the electric field. The diameter of the through hole structure 28 is not limited, but is preferably equal to or smaller than the diameter of the through hole 18. One or more through-hole structures 28 are formed for each through-hole 18 formed in the electronic amplifying plate 10.

本発明にかかる電子増幅器を使用した放射線検出器の概略構成例の断面図である。It is sectional drawing of the schematic structural example of the radiation detector using the electronic amplifier concerning this invention. 柱状突起の機能の説明図である。It is explanatory drawing of the function of a columnar protrusion. 本発明にかかる電子増幅器を使用した放射線検出器の他の概略構成例の断面図である。It is sectional drawing of the other schematic structural example of the radiation detector using the electronic amplifier concerning this invention. 柱状突起を各貫通孔毎に複数形成する場合の例を示す図である。It is a figure which shows the example in the case of forming multiple columnar protrusions for every through-hole. 柱状突起の構造の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the structure of a columnar protrusion. 入射電極に入射した放射線により電子を発生させるコンバータ構造の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the converter structure which generates an electron with the radiation which injected into the incident electrode. 従来のガス電子増幅器を使用した放射線検出器の概略構成例の断面図である。It is sectional drawing of the schematic structural example of the radiation detector using the conventional gas electronic amplifier.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 電子増幅板、１２ 板状絶縁層、１４、１６ 導体層、１８ 貫通孔、２０ 電源部、２２ 出力部、２４ 柱状突起、２６ 板状構造、２８ 貫通孔構造、１００ ドリフト電極、１０１ 入射電極、１０２ 検出部、１０４ チャンバ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Electronic amplification board, 12 Plate-like insulating layer, 14, 16 Conductor layer, 18 Through-hole, 20 Power supply part, 22 Output part, 24 Columnar protrusion, 26 Plate-like structure, 28 Through-hole structure, 100 Drift electrode, 101 Incident electrode , 102 detector, 104 chamber.

Claims (10)

放射線が入射する入射電極と、
前記入射電極の一方の面と対向するとともに、両面を貫通した貫通孔が複数形成された板状の電子増幅手段と、
前記入射電極に形成され、前記入射電極に入射した放射線により電子を発生させるコンバータ構造と、
を備えることを特徴とする電子増幅器。 An incident electrode on which radiation is incident;
A plate-like electronic amplifying means which is opposed to one surface of the incident electrode and has a plurality of through holes penetrating both surfaces;
A converter structure formed on the incident electrode and generating electrons by radiation incident on the incident electrode;
An electronic amplifier comprising: 請求項１記載の電子増幅器において、前記コンバータ構造は、前記入射電極の前記電子増幅手段に対向する面から前記貫通孔に向けて伸長する柱状突起であることを特徴とする電子増幅器。   2. The electronic amplifier according to claim 1, wherein the converter structure is a columnar protrusion extending from the surface of the incident electrode facing the electronic amplification means toward the through hole. 請求項２記載の電子増幅器において、前記電子増幅手段は、一方の面が前記入射電極の一方の面と密着し、前記柱状突起は、前記貫通孔の中に伸長することを特徴とする電子増幅器。   3. The electronic amplifier according to claim 2, wherein said electronic amplifying means has one surface in close contact with one surface of said incident electrode, and said columnar protrusion extends into said through hole. . 請求項２または請求項３記載の電子増幅器において、前記柱状突起は、入射する放射線のエネルギーに応じてその太さ及び長さが変更されることを特徴とする電子増幅器。   4. The electronic amplifier according to claim 2, wherein the thickness and length of the columnar protrusion is changed according to energy of incident radiation. 請求項２から請求項４のいずれか一項記載の電子増幅器において、前記柱状突起は、各貫通孔毎に複数形成されていることを特徴とする電子増幅器。   5. The electronic amplifier according to claim 2, wherein a plurality of the columnar protrusions are formed for each through-hole. 6. 請求項５記載の電子増幅器において、入射する放射線のエネルギーに応じて前記貫通孔毎に設けられる前記柱状突起の数が変更されることを特徴とする電子増幅器。   6. The electronic amplifier according to claim 5, wherein the number of the columnar protrusions provided for each of the through holes is changed according to the energy of incident radiation. 請求項５または請求項６記載の電子増幅器において、前記柱状突起は等間隔に配列されることを特徴とする電子増幅器。   7. The electronic amplifier according to claim 5, wherein the columnar protrusions are arranged at equal intervals. 請求項１記載の電子増幅器において、前記コンバータ構造は、前記入射電極の前記電子増幅手段に対向する面に形成された板状構造であることを特徴とする電子増幅器。   2. The electronic amplifier according to claim 1, wherein the converter structure is a plate-like structure formed on a surface of the incident electrode facing the electronic amplification means. 請求項１記載の電子増幅器において、前記コンバータ構造は、前記入射電極に形成され、前記電子増幅手段に向けて開口する貫通孔構造であることを特徴とする電子増幅器。   2. The electronic amplifier according to claim 1, wherein the converter structure is a through-hole structure formed in the incident electrode and opening toward the electronic amplification means. 請求項１から請求項９のいずれか一項記載の電子増幅器と、前記電子増幅手段が増幅した電子を検出する検出手段と、を備えることを特徴とする放射線検出器。   10. A radiation detector comprising: the electronic amplifier according to claim 1; and a detection unit that detects electrons amplified by the electron amplification unit.
JP2008089721A 2008-03-31 2008-03-31 Electronic amplifier and radiation detector using the same Expired - Fee Related JP5159393B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008089721A JP5159393B2 (en) 2008-03-31 2008-03-31 Electronic amplifier and radiation detector using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008089721A JP5159393B2 (en) 2008-03-31 2008-03-31 Electronic amplifier and radiation detector using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009245688A true JP2009245688A (en) 2009-10-22
JP5159393B2 JP5159393B2 (en) 2013-03-06

Family

ID=41307361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008089721A Expired - Fee Related JP5159393B2 (en) 2008-03-31 2008-03-31 Electronic amplifier and radiation detector using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5159393B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018128384A (en) * 2017-02-09 2018-08-16 浜松ホトニクス株式会社 Proportional counter tube and neutron imaging system
JP7350863B2 (en) 2019-01-18 2023-09-26 ユニヴェルシテ クロード ベルナール リヨン １ Elementary particle detector

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09508750A (en) * 1994-11-25 1997-09-02 サントル ナショナル ドゥ ラ ルシエルシュ シアンティフィック Ionizing radiation detector with proportional microcounter
JP2005010163A (en) * 2003-06-19 2005-01-13 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc Method and center point equipment for subpixel resolution of x-ray image
JP2005019635A (en) * 2003-06-25 2005-01-20 Hamamatsu Photonics Kk Time-resolved measurement apparatus, and position detecting electron multiplier tube
JP2006302844A (en) * 2005-04-25 2006-11-02 Univ Of Tokyo Gas electron amplifier, its manufacturing method and radiation detector using gas electron amplifier
JP2007059391A (en) * 2005-07-29 2007-03-08 Japan Science & Technology Agency Microchannel plate, gas proportional counter tube and imaging device
JP2008041575A (en) * 2006-08-09 2008-02-21 High Energy Accelerator Research Organization Gas electron amplifier, and radiation measuring instrument

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09508750A (en) * 1994-11-25 1997-09-02 サントル ナショナル ドゥ ラ ルシエルシュ シアンティフィック Ionizing radiation detector with proportional microcounter
JP2005010163A (en) * 2003-06-19 2005-01-13 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc Method and center point equipment for subpixel resolution of x-ray image
JP2005019635A (en) * 2003-06-25 2005-01-20 Hamamatsu Photonics Kk Time-resolved measurement apparatus, and position detecting electron multiplier tube
JP2006302844A (en) * 2005-04-25 2006-11-02 Univ Of Tokyo Gas electron amplifier, its manufacturing method and radiation detector using gas electron amplifier
JP2007059391A (en) * 2005-07-29 2007-03-08 Japan Science & Technology Agency Microchannel plate, gas proportional counter tube and imaging device
JP2008041575A (en) * 2006-08-09 2008-02-21 High Energy Accelerator Research Organization Gas electron amplifier, and radiation measuring instrument

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018128384A (en) * 2017-02-09 2018-08-16 浜松ホトニクス株式会社 Proportional counter tube and neutron imaging system
JP7350863B2 (en) 2019-01-18 2023-09-26 ユニヴェルシテ クロード ベルナール リヨン １ Elementary particle detector

Also Published As

Publication number Publication date
JP5159393B2 (en) 2013-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2297763B1 (en) Charged particle detection system and method
US10067241B2 (en) Converter unit
JP5082096B2 (en) Gas radiation detector with pixel electrode structure
EP1640712B1 (en) Time-resolved measurement device and position-sensitive electron multiplier tube
JP2006302844A (en) Gas electron amplifier, its manufacturing method and radiation detector using gas electron amplifier
JP5159393B2 (en) Electronic amplifier and radiation detector using the same
US6731065B1 (en) Apparatus and method for radiation detection with radiation beam impinging on photocathode layer at a grazing incidence
JP2009206057A (en) Gas electron amplifier and radiation detector using the same
JP5582493B2 (en) Microchannel plate assembly and microchannel plate detector
AU2001262880A1 (en) Apparatus and method for radiation detection
US6365902B1 (en) Radiation detector, an apparatus for use in radiography and a method for detecting ionizing radiation
JP6860369B2 (en) Proportional counter and neutron imaging system
US8237125B2 (en) Particle detection system
JP5215569B2 (en) Channel type electron multiplier
JP4718982B2 (en) Ion analyzer
Bashkirov et al. A novel detector for 2D ion detection in low-pressure gas and its applications
Min et al. Ionizing radiation in electronics from the Compton scattering of quasi-stationary particles generated by characteristic and Bremsstrahlung x rays
JP7019166B2 (en) Sample analyzer
Bencivenni et al. A triple-GEM detector with pad readout for the inner region of the first LHCb muon station
Xie et al. Monte-Carlo simulation of spatial resolution of an image intensifier in a saturation mode
Monira et al. Charging-up Behaviour of MicroPattern Gaseous Detectors
Hahn et al. First observation of signals due to KAERI's 10 MeV electron beam by using GEM detectors
RU2221309C2 (en) Electron flow intensifier
Baron et al. Large bulk-MicroMegas detectors for TPC applications in HEP
Shigaki et al. A forward magnetic spectrometer system for high-energy heavy-ion experiments

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110331

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120723

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121211

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5159393

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees