JP2009241308A - Transparent mold structure for imprinting and imprinting method using transparent mold structure for imprinting - Google Patents

Transparent mold structure for imprinting and imprinting method using transparent mold structure for imprinting Download PDF

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Noriko Yamashita
典子 山下
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent mold structure for imprinting, etc. capable of preventing light reflection on a surface. <P>SOLUTION: The transparent mold structure for imprinting 1 includes; a transparent substrate 2; a plurality of projecting parts 3 disposed on one surface 5 of the transparent substrate 2; and a reflection preventing layer 4 formed on the other surface 7 of the transparent substrate 2. The reflection preventing layer 4 is made of MgF<SB>2</SB>, for example. In the transparent mold structure for imprinting 1, it is preferable that entire light transmittance with respect to light having a wavelength from 200 to 500 nm is 85% or higher. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、インプリント用透明モールド構造体、及び該インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法に関する。   The present invention relates to a transparent mold structure for imprint and an imprint method using the transparent mold structure for imprint.

近年、高記録密度化可能な磁気記録媒体として、ディスクリートトラックメディア及びパターンドメディアが注目されている。
ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性領域を備え、個々のトラックが磁気的に分離されている。そのため、記録密度を高めるために、トラック間隔を狭く設定しても、隣接トラック間の磁気的干渉(クロストーク)を非磁性領域によって抑制できるという特徴を有する。
パターンドメディアは、一定の距離を保って規則的に配列した、信号記録のためのビットを有する。個々のビットは独立しているため、ビット間隔を狭く設定して記録密度を高めても、熱揺らぎの影響を受け難いという特徴を有する。
In recent years, discrete track media and patterned media have attracted attention as magnetic recording media capable of increasing recording density.
Discrete track media have nonmagnetic areas between adjacent tracks, and individual tracks are magnetically separated. Therefore, even if the track interval is set narrow in order to increase the recording density, the magnetic interference (crosstalk) between adjacent tracks can be suppressed by the nonmagnetic region.
Patterned media have bits for signal recording arranged regularly at a constant distance. Since each bit is independent, even if the bit interval is set narrow to increase the recording density, it has a feature that it is hardly affected by thermal fluctuation.

前記ディスクリートトラックメディア及びビットパターンドメディアの製造において、インプリント用透明モールド構造体が用いられる。該透明モールド構造体は、石英等の透明材料かならなり、磁性材料からなる加工基材の表面にレジストパターンを形成するために用いられる。
該レジストパターンは、前記加工基材の表面に形成された光硬化性樹脂からなるインプリントレジスト層に、該透明モールド構造体の有する凸部を押し当て、該透明モールド構造体越しに、外部から光を照射し、該インプリントレジスト層を硬化することによって、得られる。
In the manufacture of the discrete track media and the bit patterned media, a transparent mold structure for imprinting is used. The transparent mold structure is made of a transparent material such as quartz and is used for forming a resist pattern on the surface of a processed substrate made of a magnetic material.
The resist pattern is formed by pressing a convex portion of the transparent mold structure against an imprint resist layer made of a photocurable resin formed on the surface of the processed substrate, and from the outside through the transparent mold structure. It is obtained by irradiating light and curing the imprint resist layer.

前記透明モールド構造体は、インプリントレジスト層の硬化において、外部より照射された光の一部を、表面で反射してしまう。該透明モールド構造体の表面で反射された光は、該インプリント層の硬化に利用されず、浪費されており、問題となっている。   When the imprint resist layer is cured, the transparent mold structure reflects a part of light irradiated from the outside on the surface. The light reflected from the surface of the transparent mold structure is not used for curing the imprint layer, and is wasted and is a problem.

例えば、特許文献1は、表面に微細パターンを有し、波長200nm〜500nmにおける透過率が90%以上である透明モールド構造体を開示する。しかしながら、該透明モールド構造体は、照射された光のうち、3〜4%の光が表面で反射されてしまい、問題である。   For example, Patent Document 1 discloses a transparent mold structure having a fine pattern on the surface and having a transmittance of 90% or more at a wavelength of 200 nm to 500 nm. However, the transparent mold structure has a problem that 3 to 4% of the irradiated light is reflected on the surface.

特許文献2は、ダイヤモンド状薄膜が表面に形成された成形用スタンパーを開示する。しかしながら、該ダイヤモンド状薄膜は、反射防止機能を有しておらず、照射された光のうち、3〜4%の光は該スタンパー表面で反射されてしまい、問題である。   Patent Document 2 discloses a molding stamper having a diamond-like thin film formed on the surface thereof. However, the diamond-like thin film does not have an antireflection function, and 3 to 4% of the irradiated light is reflected on the stamper surface, which is a problem.

特開2006−182011号公報JP 2006-182011 A 特許第2826827号明細書Japanese Patent No. 2826827

本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、表面における光反射が防止されるインプリント用透明モールド構造体、及び該インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to solve the conventional problems and achieve the following objects.
That is, an object of the present invention is to provide an imprint transparent mold structure in which light reflection on the surface is prevented, and an imprint method using the imprint transparent mold structure.

前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
<1> 透明基板と、前記透明基板の一方の表面に配設される複数個の凸部と、前記透明基板の他方の表面に形成される反射防止層と、を備えることを特徴とするインプリント用透明モールド構造体である。
該<1>に係るインプリント用透明モールド構造体は、透明基板の表面に備えられた反射防止層によって、光の反射を防止する。
<2> 波長200nm〜500nmの光に対する全光線透過率が85%以上である前記<1>に記載のインプリント用透明モールド構造体である。
<3> 加工基材の表面に形成された光硬化性樹脂からなるインプリント層に、前記<1>又は<2>に記載のインプリント用透明モールド構造体の凸部を押し当てつつ、反射防止層を介して光を照射し、該インプリント層を硬化させて、前記加工基材の表面にパターンを形成することを特徴とするインプリント方法である。
<4> インプリント層に照射される光の波長のピークが、250nm〜400nmにある前記<3>に記載のインプリント方法である。
Means for solving the above problems are as follows. That is,
<1> An IN comprising: a transparent substrate; a plurality of protrusions disposed on one surface of the transparent substrate; and an antireflection layer formed on the other surface of the transparent substrate. This is a transparent mold structure for printing.
The imprinted transparent mold structure according to <1> prevents light reflection by an antireflection layer provided on the surface of the transparent substrate.
<2> The imprint transparent mold structure according to <1>, wherein the total light transmittance with respect to light having a wavelength of 200 nm to 500 nm is 85% or more.
<3> Reflecting while pressing the convex part of the transparent mold structure for imprints described in <1> or <2> to the imprint layer made of a photocurable resin formed on the surface of the processed substrate It is an imprint method characterized by irradiating light through a prevention layer to cure the imprint layer and forming a pattern on the surface of the processed substrate.
<4> The imprint method according to <3>, wherein the wavelength peak of light irradiated to the imprint layer is 250 nm to 400 nm.

本発明によると、従来における前記諸問題を解決することができ、表面における光反射が防止されるインプリント用透明モールド構造体、及び該インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法を提供できる。   According to the present invention, there are provided a transparent mold structure for imprint that can solve the above-described problems and prevent light reflection on the surface, and an imprint method using the transparent mold structure for imprint. it can.

以下、本発明のインプリント用透明モールド構造体について、図面を参照して説明する。
〔インプリント用透明モールド構造体〕
図1は、本発明の一実施形態に係るインプリント用透明モールド構造体の概略を示す部分断面斜視図である。該透明モールド構造体1は、透明基板2と、凸部3と、反射防止層5とを備える。該透明モールド構造体1は、例えば、ディスクリートトラックメディア等の磁気記録媒体を製造する際に用いられる。
Hereinafter, the transparent mold structure for imprinting of the present invention will be described with reference to the drawings.
[Transparent mold structure for imprint]
FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing an outline of a transparent mold structure for imprinting according to an embodiment of the present invention. The transparent mold structure 1 includes a transparent substrate 2, convex portions 3, and an antireflection layer 5. The transparent mold structure 1 is used, for example, when manufacturing a magnetic recording medium such as a discrete track medium.

(透明基板)
前記透明基板2は、波長200nm〜500nmの光に対する全光線透過率が85%以上であることが好ましく、88%以上であることがより好ましく、90%以上であることが特に好ましい。
該透過率が85%未満であると、光硬化性樹脂を硬化させるために光量の増加や光照射時間を長くする必要があり、光源の寿命低下やスループットが低下するといった問題が発生することがある。
前記透過率は、分光光度計を用いて測定できる。
該透過率の測定方法は、バックグラウンド補正を行った後、サンプルをセットし、垂直に光を入射させて、サンプルを透過した後の透過光量を測定し、入射光量と比較することにより、以下の式より求められる。
透過率(%)=透過光量/入射光量×100
(Transparent substrate)
The transparent substrate 2 preferably has a total light transmittance of 85% or more with respect to light having a wavelength of 200 nm to 500 nm, more preferably 88% or more, and particularly preferably 90% or more.
When the transmittance is less than 85%, it is necessary to increase the amount of light and lengthen the light irradiation time in order to cure the photocurable resin, which may cause problems such as a decrease in the life of the light source and a decrease in throughput. is there.
The transmittance can be measured using a spectrophotometer.
The transmittance measurement method is as follows.After performing background correction, a sample is set, light is incident vertically, the amount of transmitted light after passing through the sample is measured, and compared with the amount of incident light. It can be obtained from the following formula.
Transmittance (%) = transmitted light amount / incident light amount × 100

前記透明基板2の材料としては、前記透過率を満足し、適度な強度を有するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、石英(SiO)、サファイア、ダイヤモンド、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂等の透明樹脂等が用いられる。該透明基板2としては、石英が最も好ましい。
なお、前記「適度な強度」とは、例えば、該透明基板2を含む該透明モールド構造体1が、加工基材上のインプリントレジスト層に押し当てられ、加圧された際に、耐え得る強度を意味する。
The material of the transparent substrate 2 is not particularly limited as long as it satisfies the above transmittance and has an appropriate strength, and is appropriately selected according to the purpose. For example, quartz (SiO 2 ), sapphire Transparent resin such as diamond, silicone resin, fluororesin, acrylic resin, polycarbonate resin, polyimide resin or the like is used. The transparent substrate 2 is most preferably quartz.
The “appropriate strength” means that the transparent mold structure 1 including the transparent substrate 2 can withstand, for example, when it is pressed against the imprint resist layer on the processing base material and pressed. It means strength.

前記透明基板2の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、0.1mm〜3.0mmが好ましく、0.3mm〜1.5mmがより好ましい。
前記透明基板2の厚みが0.1mm未満であると、インプリント時の圧力で割れることがあり、3.0mmを超えると、硬化した光硬化性樹脂をモールドから剥離する際に難しくなることがある。
There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said transparent substrate 2, Although it selects suitably according to the objective, 0.1 mm-3.0 mm are preferable and 0.3 mm-1.5 mm are more preferable.
If the thickness of the transparent substrate 2 is less than 0.1 mm, it may be cracked by the pressure during imprinting, and if it exceeds 3.0 mm, it may be difficult to peel the cured photocurable resin from the mold. is there.

前記透明基板2の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、ディスクリートトラックメディアやビットパターンドメディアの製造に用いられるインプリント用透明モールド構造体1においては、円板状の透明基板2が好ましく用いられる。なお、他の実施形態においては、角型であって構わない。   The shape of the transparent substrate 2 is not particularly limited and is appropriately selected depending on the purpose. For example, in the transparent mold structure 1 for imprint used for manufacturing discrete track media and bit patterned media, A disc-shaped transparent substrate 2 is preferably used. In other embodiments, a square shape may be used.

(凸部)
前記凸部3は、前記透明基板2の一方の表面5において、複数個配設されている。前記凸部3は、所定の間隔をおいて、前記表面5上に形成されている。該凸部3間には、凹部6がある。
前記透明モールド構造体1が、ディスクリートトラックメディア等の磁気記録媒体の製造に用いられるものである場合、該凸部3は、該磁気記録媒体のデータ部、アライメント部分、サーボ部等に対応している。該凸部3が、データ部に対応する場合、該凸部3は、円板状の透明基板2の表面5において、同心円状に配設される。また、該凸部3が、サーボ部に対応する場合、該凸部3は、円板状の透明基板2の表面5において、放射状に配設される。
(Convex)
A plurality of the convex portions 3 are arranged on one surface 5 of the transparent substrate 2. The convex portions 3 are formed on the surface 5 at a predetermined interval. There is a recess 6 between the protrusions 3.
When the transparent mold structure 1 is used for manufacturing a magnetic recording medium such as a discrete track medium, the convex portion 3 corresponds to a data portion, an alignment portion, a servo portion, etc. of the magnetic recording medium. Yes. When the convex portion 3 corresponds to the data portion, the convex portion 3 is disposed concentrically on the surface 5 of the disc-shaped transparent substrate 2. When the convex portions 3 correspond to the servo portions, the convex portions 3 are arranged radially on the surface 5 of the disc-shaped transparent substrate 2.

前記凸部3の高さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、10nm〜800nmが好ましく、30nm〜300nmがより好ましい。なお、該凸部3の高さとは、前記透明基板2の表面5(基準面)からの高さである。   The height of the convex portion 3 is not particularly limited and is appropriately selected depending on the purpose, but is preferably 10 nm to 800 nm, and more preferably 30 nm to 300 nm. The height of the convex portion 3 is the height from the surface 5 (reference surface) of the transparent substrate 2.

前記凸部3の幅は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、1nm以上が好ましく、2nmがより好ましい。なお、該凸部3の幅とは、表面5に沿った方向において、該凸部3の厚みが最も小さい部分である。したがって、ディスクリートトラックメディア等を製造するためのインプリント用透明モールド構造体1においては、通常、円板状の透明基板2上に配設された凸部3の半径方向の厚みが、該凸部3の幅となる。   The width of the convex portion 3 is not particularly limited and is appropriately selected depending on the purpose, but is preferably 1 nm or more, and more preferably 2 nm. The width of the convex portion 3 is a portion where the thickness of the convex portion 3 is the smallest in the direction along the surface 5. Therefore, in the imprint transparent mold structure 1 for producing discrete track media and the like, the radial thickness of the convex portion 3 disposed on the disc-shaped transparent substrate 2 is usually the convex portion. 3 width.

前記凸部3は、前記透明基板2に延設されており、該透明基板2と一体的に形成されていることが好ましい。   It is preferable that the convex portion 3 extends on the transparent substrate 2 and is formed integrally with the transparent substrate 2.

(反射防止層)
前記反射防止層4は、前記透明基板2の他方の表面7上に形成される。
前記反射防止層4の材料としては、SiO、Zr、Al、Y、TiO等の酸化物、MgF、BaF、CaF、GdF、DyF、YF、PbF、AlF、LaF、LiF、NaF、SrF、NaAlF、NaAl14等の無機ハロゲン化物等を使用できる。
(Antireflection layer)
The antireflection layer 4 is formed on the other surface 7 of the transparent substrate 2.
As the material of the antireflection layer 4, oxides such as SiO 2 , Zr 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , TiO 2 , MgF 2 , BaF 2 , CaF 2 , GdF 3 , DyF 3 , YF 3 are used. Inorganic halides such as PbF 3 , AlF 3 , LaF 3 , LiF, NaF, SrF 2 , Na 3 AlF 6 , and Na 5 Al 3 F 14 can be used.

前記反射防止層4の厚みとしては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択され、10nm〜1000nmが好ましく、50nm〜500nmがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said reflection preventing layer 4, According to the objective, it selects suitably, 10 nm-1000 nm are preferable, and 50 nm-500 nm are more preferable.

前記反射防止層4の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の公知の薄膜形成法を適用できる。   As a method for forming the antireflection layer 4, a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method can be applied.

前記反射防止層4の反射率は、3%以下が好ましく、2%以下がより好ましく、1%以下が更に好ましい。
該反射防止層4の反射率は、分光光度計によって測定できる。該分光光度計としては、例えば、島津製作所製、UV−3100PC等を用いることができる。
The reflectance of the antireflection layer 4 is preferably 3% or less, more preferably 2% or less, and still more preferably 1% or less.
The reflectance of the antireflection layer 4 can be measured with a spectrophotometer. As the spectrophotometer, for example, UV-3100PC manufactured by Shimadzu Corporation can be used.

前記反射防止層4の屈折率、厚み等は、特開昭58−46391号公報、特開昭59−49501号公報等に記載の公知技術を基にして、適宜、設計できる。
なお、反射防止層を形成する前に、モールドを洗浄することが好ましい。
The refractive index, thickness, and the like of the antireflection layer 4 can be appropriately designed based on known techniques described in JP-A-58-46391 and JP-A-59-49501.
In addition, it is preferable to wash the mold before forming the antireflection layer.

前記反射防止層4は、帯電によるゴミ付着防止のため、ITO等の導電物質を、含んでもよい。前記反射防止層4は、単層であってもよいし、多層であってもよい。   The antireflection layer 4 may contain a conductive material such as ITO in order to prevent dust from adhering due to charging. The antireflection layer 4 may be a single layer or a multilayer.

前記反射防止層4が、該透明モールド構造体1の表面7に形成されていると、外部から照射された光を、反射させることなく、内部に導くことができる。なお、本発明の反射防止層4は、耐擦傷性を向上させるという機能も有する。   If the antireflection layer 4 is formed on the surface 7 of the transparent mold structure 1, light irradiated from the outside can be guided to the inside without being reflected. The antireflection layer 4 of the present invention also has a function of improving the scratch resistance.

〔インプリント用透明モールド構造体の製造方法〕
以下、一実施形態に係るインプリント用透明モールド構造体の製造方法を、図面を参照して説明する。
[Method for producing transparent mold structure for imprint]
Hereinafter, the manufacturing method of the transparent mold structure for imprint which concerns on one Embodiment is demonstrated with reference to drawings.

(原盤の作製)
図2は、インプリント用透明モールド構造体の製造に用いられる原盤の製造方法を示す説明図である。
図2(a)に示されるように、Si基板10上に、スピンコート等によりポリメタクリル酸メチル(PMMA)等のフォトレジスト液を塗布して、フォトレジスト層21を形成する。
(Preparation of master)
FIG. 2 is an explanatory view showing a method of manufacturing a master used for manufacturing a transparent mold structure for imprinting.
As shown in FIG. 2A, a photoresist layer 21 is formed on the Si substrate 10 by applying a photoresist solution such as polymethyl methacrylate (PMMA) by spin coating or the like.

その後、図2(b)に示されるように、Si基板10を回転させながら、該フォトレジスト層21に、サーボ信号等に対応させて変調したレーザー光11(又は電子ビーム)を照射(露光)し、フォトレジスト層21に所定のパターン(例えば、サーボパターン)を形成する。なお、図2(b)において、露光部分は、符号12で示される。   Thereafter, as shown in FIG. 2B, while rotating the Si substrate 10, the photoresist layer 21 is irradiated (exposed) with a laser beam 11 (or electron beam) modulated in accordance with a servo signal or the like. Then, a predetermined pattern (for example, servo pattern) is formed on the photoresist layer 21. In FIG. 2B, the exposed portion is indicated by reference numeral 12.

その後、図2(c)に示されるように、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分12を除去する。該露光部分12が除去されると、該Si基板10上に、フォトレジスト層21からなるレジストパターンが現れる。   Thereafter, as shown in FIG. 2C, the photoresist layer 21 is developed to remove the exposed portion 12. When the exposed portion 12 is removed, a resist pattern composed of a photoresist layer 21 appears on the Si substrate 10.

その後、図2(d)に示されるように、該レジストパターンをマスクとして、反応性エッチング(RIE)等の選択エッチング行う。該選択エッチングにより、該レジスト層21が形成されていない部分13は、掘り下げられる。該選択エッチング後、該Si基板10の表面に、複数の凸部14が形成される。該凸部14の間には、凹部15が形成される。   Thereafter, as shown in FIG. 2D, selective etching such as reactive etching (RIE) is performed using the resist pattern as a mask. By this selective etching, the portion 13 where the resist layer 21 is not formed is dug down. After the selective etching, a plurality of convex portions 14 are formed on the surface of the Si substrate 10. Concave portions 15 are formed between the convex portions 14.

その後、図2(e)に示されるように、前記凸部14上に残存している該レジスト層21を除去すると、表面に凸部14が形成された原盤16が得られる。   Thereafter, as shown in FIG. 2E, when the resist layer 21 remaining on the convex portion 14 is removed, a master 16 having the convex portion 14 formed on the surface is obtained.

(インプリント用透明モールド構造体の作製)
次いで、前記原盤16を用いたインプリント用透明モールド構造体の製造方法を説明する。図3は、インプリント用透明モールド構造体の製造方法を示す説明図である。
図3(f)に示されるように、石英基板(透明原基板)17の表面に、インプリントレジスト液を塗布し、インプリントレジスト層22を形成する。インプリントレジスト液は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有する。
(Preparation of transparent mold structure for imprint)
Next, a method for manufacturing an imprint transparent mold structure using the master 16 will be described. FIG. 3 is an explanatory view showing a method for producing an imprint transparent mold structure.
As shown in FIG. 3F, an imprint resist solution is applied to the surface of a quartz substrate (transparent original substrate) 17 to form an imprint resist layer 22. The imprint resist solution contains at least one of a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a photocurable resin.

その後、図3(g)に示されるように、前記インプリントレジスト層22に、前記原盤16の凸部14が押し当てられる。該インプリントレジスト層22は、該凸部14の間の凹部15内に存在している。
その後、該インプリントレジスト層22の硬化が硬化される。例えば、該インプリントレジスト層22が光硬化性樹脂からなる場合、該石英基板(透明原基板)を介して、紫外線等の光が照射され、該インプリントレジスト層22が硬化される。
Thereafter, as shown in FIG. 3G, the convex portion 14 of the master 16 is pressed against the imprint resist layer 22. The imprint resist layer 22 exists in the concave portions 15 between the convex portions 14.
Thereafter, the imprint resist layer 22 is cured. For example, when the imprint resist layer 22 is made of a photocurable resin, light such as ultraviolet rays is irradiated through the quartz substrate (transparent original substrate) to cure the imprint resist layer 22.

その後、図3(h)に示されるように、原盤16を取り除くと、該石英基板(透明原基板)の表面に、硬化したインプリントレジスト層22からなるレジストパターンが現れる。
その後、該レジストパターンをマスクとして、該石英基板(透明原基板)に、RIE等の選択エッチングを行い、該石英基板(透明原基板)の表面を掘り下げる。すると、図3(i)に示されるように、透明基板2の表面5に、凸部3が形成される。
Thereafter, as shown in FIG. 3H, when the master 16 is removed, a resist pattern composed of the cured imprint resist layer 22 appears on the surface of the quartz substrate (transparent master substrate).
Thereafter, selective etching such as RIE is performed on the quartz substrate (transparent original substrate) using the resist pattern as a mask to dig up the surface of the quartz substrate (transparent original substrate). Then, the convex part 3 is formed in the surface 5 of the transparent substrate 2, as FIG.3 (i) shows.

その後、図3(j)に示されるように、凸部3の表面に残存する該レジスト層22を除去する。   Thereafter, as shown in FIG. 3J, the resist layer 22 remaining on the surface of the convex portion 3 is removed.

その後、図3(k)に示されるように、透明基板2の凸部3が形成されていない、他の表面7に、MgFからなる反射防止層4を、スパッタリング法により形成する。このようにして、反射防止層4を備えるインプリント用透明モールド構造体を製造できる。 Thereafter, as shown in FIG. 3 (k), an antireflection layer 4 made of MgF 2 is formed on the other surface 7 of the transparent substrate 2 where the convex portions 3 are not formed by a sputtering method. In this manner, a transparent mold structure for imprint including the antireflection layer 4 can be manufactured.

〔磁気記録媒体の製造方法〕
以下、前記インプリント用透明モールド構造体を用いた、ディスクリートトラックメディア等の磁気記録媒体の製造方法を説明する。
[Method of manufacturing magnetic recording medium]
Hereinafter, a method of manufacturing a magnetic recording medium such as a discrete track medium using the transparent mold structure for imprinting will be described.

(インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法)
図4は、磁気記録媒体の製造工程における、インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント工程を示す説明図である。
図4(l)に示されるように、加工基材としての磁性層18の表面に、光硬化性樹脂を含むインプリントレジスト液を塗布し、インプリントレジスト層23を形成する。前記磁性層18は、例えば、Fe又はFe合金、Co又はCo合金等からなる。なお、該磁性層18は、アルミニウム、ガラス、石英等からなる基板19上に形成されている。
(Imprint method using transparent mold structure for imprint)
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an imprint process using the transparent mold structure for imprint in the manufacturing process of the magnetic recording medium.
As shown in FIG. 4L, an imprint resist solution containing a photocurable resin is applied to the surface of the magnetic layer 18 as a processing substrate to form an imprint resist layer 23. The magnetic layer 18 is made of, for example, Fe or an Fe alloy, Co, or a Co alloy. The magnetic layer 18 is formed on a substrate 19 made of aluminum, glass, quartz or the like.

その後、図4(m)に示されるように、前記インプリントレジスト層23に、インプリント用透明モールド構造体1の凸部3を押し当てる。該インプリント用透明モールド構造体1の凸部3が押し当てられると、該インプリントレジスト層23は、該凸部3間の凹部6に充填される。   Thereafter, as shown in FIG. 4 (m), the convex portion 3 of the imprint transparent mold structure 1 is pressed against the imprint resist layer 23. When the convex portions 3 of the imprint transparent mold structure 1 are pressed, the imprint resist layer 23 is filled in the concave portions 6 between the convex portions 3.

その後、図4(n)に示されるように、該透明モールド構造体1の反射防止層4を介して、光20が照射され、該凹部6内のインプリントレジスト層23が硬化される。該光20は、図示されない光照射手段より、照射される。
該光照射手段(光源)としては、例えば、水銀ランプ、キセノン光、UVレーザー、UV−LED等が挙げられる。
なお、該光源に偏光がある場合は、光路に4/λ波長板を設定してもよい。
Thereafter, as shown in FIG. 4 (n), the light 20 is irradiated through the antireflection layer 4 of the transparent mold structure 1, and the imprint resist layer 23 in the recess 6 is cured. The light 20 is irradiated from a light irradiation means (not shown).
Examples of the light irradiation means (light source) include a mercury lamp, xenon light, UV laser, and UV-LED.
If the light source has polarized light, a 4 / λ wavelength plate may be set in the optical path.

前記インプリントレジスト層23のλmaxとしては、250nm〜400nmが好ましく、300nm〜400nmが更に好ましい。
なお該λmaxとは、該インプリントレジスト層23に用いられる光硬化性樹脂中に含まれる光重合開始剤の最大吸収波長のことである。
Λmax of the imprint resist layer 23 is preferably 250 nm to 400 nm, and more preferably 300 nm to 400 nm.
The λmax is the maximum absorption wavelength of the photopolymerization initiator contained in the photocurable resin used for the imprint resist layer 23.

該透明モールド構造体1は、反射防止層4を備えているため、表面7における反射が抑制される。その結果、前記光照射手段からの光を無駄なく、前記インプリントレジスト層23の硬化に利用でき、該光照射手段の長寿命化、スループット低減、製造コスト削減を図れる。   Since the transparent mold structure 1 includes the antireflection layer 4, reflection on the surface 7 is suppressed. As a result, light from the light irradiation means can be used for curing the imprint resist layer 23 without waste, and the life of the light irradiation means can be extended, throughput can be reduced, and manufacturing cost can be reduced.

その後、図4(o)に示されるように、該透明モールド構造体1を取り除くと、加工基材としての磁性層18の表面に、硬化したインプリントレジスト層23からなるレジストパターンが形成される。   Thereafter, as shown in FIG. 4 (o), when the transparent mold structure 1 is removed, a resist pattern composed of a cured imprint resist layer 23 is formed on the surface of the magnetic layer 18 as a processing substrate. .

図5は、磁気記録媒体の製造工程を示す説明図である。
図5(p)に示されるように、前記インプリントレジスト層23からなるレジストパターンをマスクとして、反応性イオンエッチング(RIE)、スパッタエッチング、イオントリミング法等により、加工基材である磁性層18の所定箇所の表面を掘り下げる。
FIG. 5 is an explanatory view showing the manufacturing process of the magnetic recording medium.
As shown in FIG. 5 (p), the magnetic layer 18 as a processing substrate is formed by reactive ion etching (RIE), sputter etching, ion trimming method, or the like using the resist pattern made of the imprint resist layer 23 as a mask. Drill down the surface of the predetermined place.

その後、図5(q)に示されるように、磁性層18の表面に残存するインプリントレジスト層23を除去する。   Thereafter, as shown in FIG. 5 (q), the imprint resist layer 23 remaining on the surface of the magnetic layer 18 is removed.

その後、図5(r)に示されるように、磁性層18の間の隙間を、非磁性材料20で充填する。該非磁性材料20としては、例えば、SiO、カーボン、アルミナ、ポリメタアクリル酸メチル(PMMA)、ポリスチレン(PS)等の樹脂、円滑油等がある。
なお、必要に応じて、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)、スパッタカーボン等からなる保護層、及びフッ素樹脂等からなる潤滑剤層を、該磁性層18及び非磁性材料20の表面に形成してもよい。
以上のようにして、磁気記録媒体30が得られる。
Thereafter, as shown in FIG. 5 (r), the gaps between the magnetic layers 18 are filled with the nonmagnetic material 20. Examples of the nonmagnetic material 20 include resins such as SiO 2 , carbon, alumina, polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), and smooth oil.
If necessary, a protective layer made of diamond-like carbon (DLC), sputtered carbon or the like, and a lubricant layer made of fluorine resin or the like may be formed on the surfaces of the magnetic layer 18 and the nonmagnetic material 20. .
The magnetic recording medium 30 is obtained as described above.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following examples.

〔実施例1〕
<インプリント用透明モールド構造体1の作製>
(原盤の作製)
円板状のSi基板を用意し、該Si基板上に、電子線レジストをスピンコート法により塗布し、該Si基板上に、厚み100nmのレジスト層を形成した。その後、回転式電子線露光装置を用いて該レジスト層を露光し、現像した。このようにして、Si基板の表面にレジストパターンを形成した。
[Example 1]
<Preparation of transparent mold structure 1 for imprint>
(Preparation of master)
A disk-shaped Si substrate was prepared, and an electron beam resist was applied on the Si substrate by a spin coating method to form a resist layer having a thickness of 100 nm on the Si substrate. Thereafter, the resist layer was exposed and developed using a rotary electron beam exposure apparatus. In this way, a resist pattern was formed on the surface of the Si substrate.

その後、該レジストパターンをマスクとして用い、以下の条件で、反応性イオンエッチングを行い、該Si基板の表面を掘り下げ、凸部からなるパターンを形成した。
<反応性エッチングの条件>
プラズマ源:ICP型(Inductively Coupled Plasma)
ガス:CF系ガス、及び微量の水素ガス
圧力:0.5Pa
投入電力:ICP=300W、Bias=50W
Thereafter, using the resist pattern as a mask, reactive ion etching was performed under the following conditions, and the surface of the Si substrate was dug down to form a pattern of convex portions.
<Reactive etching conditions>
Plasma source: ICP type (Inductively Coupled Plasma)
Gas: CF gas and a small amount of hydrogen gas Pressure: 0.5Pa
Input power: ICP = 300W, Bias = 50W

その後、残存するレジストを、可溶溶剤を用いて洗浄除去し、前記Si基板を乾燥して、原盤を得た。
原盤に形成されたパターンは、大別すると、データ部と、サーボ部とからなる。
該データ部は、凸幅:120nm、凹幅:30nm(TP=150nm)のパターンからなる。
該サーボ部は、最内周でのサーボ基本ビット長が90nm、総セクタ数が240、プリアンブル(45bit)/サーボマーク(10bit)/SectorCode(8bit)、CylinderCode(32bit)/Burstパターンで構成される。
該サーボマーク部は、“0000101011”であり、SectorがBinary、CylinderはGray変換を用いる。Burst部は一般的な位相バースト信号(16bit)である。
Thereafter, the remaining resist was washed and removed using a soluble solvent, and the Si substrate was dried to obtain a master.
The pattern formed on the master is roughly divided into a data portion and a servo portion.
The data portion consists of a pattern having a convex width: 120 nm and a concave width: 30 nm (TP = 150 nm).
The servo unit has a servo basic bit length of 90 nm at the innermost circumference, a total number of sectors of 240, a preamble (45 bits) / servo mark (10 bits) / SectorCode (8 bits), and a CylinderCode (32 bits) / Burst pattern. .
The servo mark portion is “0000101011”, the Sector uses Binary, and the Cylinder uses Gray conversion. The Burst part is a general phase burst signal (16 bits).

(モールド構造体の作製)
石英基板(透明原基材)の表面に、光硬化性アクリル系インプリントレジスト液(東洋合成工業株式会社:PAK−01)を、スピンコート法により塗布し、該石英基板の表面に、インプリントレジスト層を形成した。
次いで、該インプリントレジスト層に、前記原盤を押し当てた状態で、紫外線を照射し、該インプリントレジスト層を硬化して、該原盤のパターンが転写されたインプリントレジスト層を、該石英基板の表面に形成した。
(Production of mold structure)
A photocurable acrylic imprint resist solution (Toyo Gosei Co., Ltd .: PAK-01) is applied to the surface of a quartz substrate (transparent base material) by a spin coating method, and the imprint is applied to the surface of the quartz substrate. A resist layer was formed.
Next, the imprint resist layer is transferred to the quartz substrate by irradiating the imprint resist layer with ultraviolet rays while irradiating ultraviolet rays, curing the imprint resist layer, and transferring the pattern of the master disc. Formed on the surface.

その後、該原盤を取り除き、原盤のパターンが転写されたインプリントレジスト層からなるパターンを、マスクとして用いて、以下の条件で、反応性イオンエッチングを行い、該石英基板(透明原基板)の表面を掘り下げ、一方の表面に凸部が配設された透明基板2を得た。
<反応性エッチングの条件>
プラズマ源:ICP型(Inductively Coupled Plasma)
ガス:CF系ガスとArガスの1:1混合ガス、及び微量の水素ガス
圧力:0.5Pa
投入電力:ICP=300W、Bias=60W
Thereafter, the master is removed, and the pattern of the imprint resist layer to which the pattern of the master is transferred is used as a mask to perform reactive ion etching under the following conditions, and the surface of the quartz substrate (transparent master) Then, a transparent substrate 2 having a convex portion on one surface was obtained.
<Reactive etching conditions>
Plasma source: ICP type (Inductively Coupled Plasma)
Gas: 1: 1 mixed gas of CF gas and Ar gas, and a small amount of hydrogen gas Pressure: 0.5 Pa
Input power: ICP = 300W, Bias = 60W

その後、凸部に残存するレジストを、可溶溶剤を用いて洗浄除去した。   Thereafter, the resist remaining on the convex portion was removed by washing with a soluble solvent.

その後、凸部が形成されていない側の表面に、反射防止層4としてのMgF等からなる膜(4層:第1層4a、第2層4b、第3層4c、及び第4層4c)を、図6に示されるように、スパッタリング法により形成した。
形成された反射防止層4等の屈折率、厚み及び組成を、表1に示した。
Thereafter, a film made of MgF 2 or the like as the antireflection layer 4 (four layers: the first layer 4a, the second layer 4b, the third layer 4c, and the fourth layer 4c is formed on the surface on which the convex portion is not formed. ) Was formed by sputtering as shown in FIG.
Table 1 shows the refractive index, thickness, and composition of the formed antireflection layer 4 and the like.

以上のようにして、反射防止層4を備えたインプリント用透明モールド構造体1を得た。なお、図6における符号Aで示される矢印は、光源が入射される様子を表す。   As described above, an imprint transparent mold structure 1 provided with the antireflection layer 4 was obtained. In addition, the arrow shown with the code | symbol A in FIG. 6 represents a mode that a light source is incident.

〔評価〕
分光光度計を用いて、透過率の評価を行った。
前記分光光度計を用いて、波長200nm〜500nmの光に対する全光線透過率を求めた。
その結果、透明基板2(石英モールド)及び反射防止膜4からなるインプリント用透明モールド構造体1の透過率は、85%であった。
また、反射防止膜4自身の反射率は、0.5%であった。
[Evaluation]
The transmittance was evaluated using a spectrophotometer.
Using the spectrophotometer, the total light transmittance for light having a wavelength of 200 nm to 500 nm was determined.
As a result, the transmittance of the transparent mold structure 1 for imprint composed of the transparent substrate 2 (quartz mold) and the antireflection film 4 was 85%.
The reflectance of the antireflection film 4 itself was 0.5%.

〔比較例〕
反射防止膜を形成しないこと以外は、前記実施例と同様にして、インプリント用透明モールド構造体(透明基板2)を得た。
また、実施例1と同様にして、透過率の評価を行った。
その結果、透明基板2(石英モールド)からなる透明モールド構造体の透過率は、82.5%であった。
また、該透明モールド構造体の表面の反射率は、3%であった。
[Comparative example]
Except not forming an antireflection film, it carried out similarly to the said Example, and obtained the transparent mold structure (transparent substrate 2) for imprints.
Further, the transmittance was evaluated in the same manner as in Example 1.
As a result, the transmittance of the transparent mold structure made of the transparent substrate 2 (quartz mold) was 82.5%.
Further, the reflectance of the surface of the transparent mold structure was 3%.

以上より、実施例1のインプリント用透明モールド構造体1は、反射防止膜4を備えたことにより、比較例の透明モールド構造体と比べて、表面の反射率を低減できることが確かめられた。   From the above, it was confirmed that the transparent mold structure 1 for imprinting of Example 1 can reduce the reflectance of the surface by providing the antireflection film 4 as compared with the transparent mold structure of the comparative example.

図1は、インプリント用透明モールド構造体の概略を示す部分断面斜視図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing an outline of a transparent mold structure for imprinting. 図2は、インプリント用透明モールド構造体の製造に用いられる原盤の製造方法を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory view showing a method of manufacturing a master used for manufacturing a transparent mold structure for imprinting. 図3は、インプリント用透明モールド構造体の製造方法を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a method for producing an imprint transparent mold structure. 図4は、インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing an imprint method using a transparent mold structure for imprint. 図5は、磁気記録媒体の製造方法を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a method for manufacturing a magnetic recording medium. 図6は、インプリント用透明モールド構造体の概略を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing an outline of a transparent mold structure for imprinting.

符号の説明Explanation of symbols

1 インプリント用透明モールド構造体
2 透明基板
3 凸部
4 反射防止層
5 凹部
6 透明基板の一方の表面
7 透明基板の他方の表面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent mold structure for imprint 2 Transparent substrate 3 Convex part 4 Antireflection layer 5 Concave part 6 One surface of a transparent substrate 7 The other surface of a transparent substrate

Claims (4)

透明基板と、
前記透明基板の一方の表面に配設される複数個の凸部と、
前記透明基板の他方の表面に形成される反射防止層と、を備えることを特徴とするインプリント用透明モールド構造体。
A transparent substrate;
A plurality of convex portions disposed on one surface of the transparent substrate;
An imprinting transparent mold structure comprising: an antireflection layer formed on the other surface of the transparent substrate.
波長200nm〜500nmの光に対する全光線透過率が85%以上である請求項1に記載のインプリント用透明モールド構造体。   The transparent mold structure for imprints according to claim 1, wherein the total light transmittance for light having a wavelength of 200 nm to 500 nm is 85% or more. 加工基材の表面に形成された光硬化性樹脂からなるインプリント層に、請求項1又は2に記載のインプリント用透明モールド構造体の凸部を押し当てつつ、反射防止層を介して光を照射し、該インプリント層を硬化させて、前記加工基材の表面にパターンを形成することを特徴とするインプリント方法。   Light is transmitted through the antireflection layer while pressing the convex portions of the transparent mold structure for imprinting according to claim 1 or 2 against an imprint layer made of a photocurable resin formed on the surface of the processed substrate. The imprint method is characterized in that the imprint layer is cured to form a pattern on the surface of the processed substrate. インプリント層に照射される光の波長のピークが、250nm〜400nmにある請求項3に記載のインプリント方法。   The imprint method according to claim 3, wherein a wavelength peak of light irradiated to the imprint layer is in a range of 250 nm to 400 nm.
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