JP2009229428A - Silicon wafer multiple-point temperature measuring instrument - Google Patents

Silicon wafer multiple-point temperature measuring instrument Download PDF

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<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon wafer multiple-point temperature measuring instrument which uses a temperature sensor at multiple points of a measurement object to measure temperature thereof and transmits/receives a signal between the temperature sensor and the temperature measuring instrument by radio when performing temperature measurement. <P>SOLUTION: This instrument transmits a predetermined sweep signal wave to a plurality of piezoelectric oscillators attached to a silicon wafer material in silicon wafer heating means and a sensor antenna section attached together with the piezoelectric oscillators, receives a reverberant oscillatory wave of the piezoelectric oscillators, measures a frequency of this reverberant oscillatory wave, and measures a surface temperature of the silicon wafer material based on the measured frequency. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

圧電振動子を温度測定センサとして使用することにより、シリコンウエハ基板の多点の温度測定を同時に行い、その測定結果が無線で送信されてくるようにしたシリコンウエハ多点温度測定装置に関するものである。   The present invention relates to a silicon wafer multi-point temperature measuring apparatus that simultaneously performs multi-point temperature measurement of a silicon wafer substrate by using a piezoelectric vibrator as a temperature measurement sensor and transmits the measurement result wirelessly. .

現在、我々が使用している多くの電子機器には、集積回路（ＩＣ）が使われている。
この集積回路は、半導体素子を集積して種種の回路基板を形成するもので、通常、シリコン（Ｓｉ）の単結晶版からなるシリコンウエハを用いて形成される。形成された集積回路上にはＩＣが多数作りこまれており、そのＩＣを切り分けたＩＣチップをパッケージに収納し、電子機器に組み込むものである。
この集積回路を形成するためには、膨大な製造工程を経ることになるが、大別すると前工程と後工程とに分類することができる。前工程としては、洗浄工程、成膜工程、リソグラフィ工程、不純物拡散工程等があり、シリコンウエハ上にＩＣチップを作り込む工程である。後工程はシリコンウエハ上のＩＣチップを最終検査して製品として完成させる工程である。 Currently, many electronic devices that we use use integrated circuits (ICs).
This integrated circuit integrates semiconductor elements to form various circuit substrates, and is usually formed using a silicon wafer made of a single crystal version of silicon (Si). A large number of ICs are formed on the formed integrated circuit, and an IC chip obtained by separating the ICs is housed in a package and incorporated in an electronic device.
In order to form this integrated circuit, an enormous number of manufacturing steps are required, but can be roughly classified into a pre-process and a post-process. The pre-process includes a cleaning process, a film-forming process, a lithography process, an impurity diffusion process, and the like, and is a process for forming an IC chip on a silicon wafer. The post-process is a process in which the IC chip on the silicon wafer is finally inspected and completed as a product.

また、上記した前工程においては、シリコン酸化膜を成長させる工程や不純物拡散工程等のシリコンウエハを加熱して、例えば２５０℃以上の高温の雰囲気中で行う加工工程がある。この加工工程を行うには、シリコンウエハを所定の温度まで加熱、或いは、その加熱した温度を所定時間保持するといった精度の高い温度制御技術が必要となる。このような精度の高い温度制御をシリコンウエハに対して行うためには、シリコンウエハの表面温度の上昇速度の観測データや、表面各所の微少な温度差等を検出するなどの技術が必要となってくる。   Further, in the above-described pre-process, there is a processing process that is performed in a high temperature atmosphere of, for example, 250 ° C. or higher by heating the silicon wafer, such as a process of growing a silicon oxide film or an impurity diffusion process. In order to perform this processing step, a highly accurate temperature control technique is required such that the silicon wafer is heated to a predetermined temperature or the heated temperature is maintained for a predetermined time. In order to perform such highly accurate temperature control on a silicon wafer, it is necessary to have techniques such as observation data of the rising speed of the surface temperature of the silicon wafer and detection of minute temperature differences at various locations on the surface. Come.

加熱したシリコンウエハの表面温度を測定する際には、温度の変化に対して物理的な常数が変化する温度センサが使用され、さらに、この温度センサの特性を電気的に検出することによって、シリコンウエハの表面温度を測定することが行われている。 ただ、シリコンウエハを高温の雰囲気の中で加熱するために、シリコンウエハの表面温度を測定する温度センサには、相当の耐熱性が要求される。このとき使用される温度センサとしては、熱電対の起電圧を測定するやり方や、温度により電気抵抗が変化する白金抵抗帯、サーミスタ等の感温素子等が知られている。しかし、より高精度の温度センサ（温度測定素子）としては、水晶片等、共振特性の変化を電気的に測定する水晶温度センサが知られている。   When measuring the surface temperature of a heated silicon wafer, a temperature sensor whose physical constant changes with respect to the temperature change is used, and further, by detecting the characteristics of the temperature sensor electrically, silicon Measurement of the surface temperature of a wafer is performed. However, in order to heat the silicon wafer in a high-temperature atmosphere, a temperature sensor that measures the surface temperature of the silicon wafer is required to have considerable heat resistance. As a temperature sensor used at this time, a method of measuring an electromotive voltage of a thermocouple, a platinum resistance band in which electric resistance changes with temperature, a temperature sensitive element such as a thermistor, and the like are known. However, as a more accurate temperature sensor (temperature measuring element), a quartz crystal temperature sensor that electrically measures a change in resonance characteristics, such as a quartz piece, is known.

ところで、温度測定技術としては、通常、１箇所の特定点を１個の温度プローブを使用して測定する。しかし、シリコンウエハがある程度の大きさを持ち、特定の加熱状況下に置かれているような場合には、複数点（多点）の温度を同時に測定することがある。これは、集積回路を製造するにあたっては精密な作業が要求され、さらに近年では、ますます高密度の集積回路を大量に製造するため大型化されているシリコンウエハ全体が均一な温度に加熱されていなければ、完成した集積回路から取り出したＩＣチップの完成品の品質にむらが出てしまう可能性があるからである。完成した集積回路から、良品のＩＣチップを何枚取り出せるかの歩留まりの高さは、製造コストに大きく影響する問題であり、故に、シリコンウエハの多点において温度を短時間に測定して、シリコンウエハ全体が均一に加熱されているかを測定する必要がある。   By the way, as a temperature measurement technique, one specific point is usually measured using one temperature probe. However, when the silicon wafer has a certain size and is placed under a specific heating condition, a plurality of (multi-point) temperatures may be measured simultaneously. This requires precise work in the manufacture of integrated circuits, and in recent years, the entire silicon wafer, which has been increased in size in order to manufacture larger and higher density integrated circuits, has been heated to a uniform temperature. Otherwise, the quality of the finished product of the IC chip taken out from the completed integrated circuit may be uneven. The high yield of how many good IC chips can be taken out from a completed integrated circuit is a problem that greatly affects the manufacturing cost. Therefore, by measuring the temperature at multiple points on a silicon wafer in a short time, silicon It is necessary to measure whether the entire wafer is heated uniformly.

図１４は、シリコンウエハ上において多点の温度測定を行う場合の一例を模式図として示したものである。
この図１４では、ある大きさを有するシリコンウエハ６に対して、所定の複数箇所の温度を同時に測定する場合の温度センサとして圧電素子温度センサ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ・・・・を用いている。この圧電素子温度センサ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ・・・・は、例えば水晶結晶材から所定の結晶軸でカットされた水晶振動片の両面に電極を付けた水晶振動子を所定の容器内に固定したものである。
そして、この圧電素子温度センサ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ・・・・を、図示するように、所定の測定位置に当接し、各圧電素子温度センサ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ・・・に、例えば同軸にケーブル２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ・・・・を接続して所定の交流信号を供給するようにする。そして、複数台の温度測定装置（ネットワークアナライザ）３，３，３をＹ１，Ｙ２，Ｙ３として設置して、各圧電素子温度センサ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ・・・の電気的な特性変化を検出することにより、各圧電素子温度センサ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ・・・が接触している各点の温度を同時に測定するようにしているものである。 FIG. 14 is a schematic diagram showing an example in the case of performing multipoint temperature measurement on a silicon wafer.
In FIG. 14, piezoelectric element temperature sensors 1a, 1b, 1c, 1d, 1e,... Are used as temperature sensors for simultaneously measuring the temperature at a plurality of predetermined locations on a silicon wafer 6 having a certain size. Used. The piezoelectric element temperature sensors 1a, 1b, 1c, 1d, 1e,... Are made of, for example, a crystal resonator in which electrodes are attached to both surfaces of a crystal vibrating piece cut from a crystal crystal material with a predetermined crystal axis. It is fixed inside.
The piezoelectric element temperature sensors 1a, 1b, 1c, 1d, 1e,... Are brought into contact with predetermined measurement positions as shown in the drawing, and the piezoelectric element temperature sensors 1a, 1b, 1c, 1d, 1e,. .., for example, by connecting the cables 2a, 2b, 2c, 2d, 2e,... Coaxially and supplying a predetermined AC signal. A plurality of temperature measuring devices (network analyzers) 3, 3, 3 are installed as Y1, Y2, Y3, and the electrical characteristics of the piezoelectric element temperature sensors 1a, 1b, 1c, 1d, 1e,. By detecting the change, the temperature of each point where the piezoelectric element temperature sensors 1a, 1b, 1c, 1d, 1e,.

また、図１４でシリコンウエハ６の多点の温度測定に用いた圧電素子温度センサ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ・・・・における圧電振動子としての水晶振動片の温度に対する電気的な特性の変化は、水晶振動片を発信器とする発信周波数の変化であっても良い。しかし、一般的には水晶振動子が温度によって変化する水晶振動子のインピーダンス特性（共振点や反共振点の周波数）を、供給する交流信号の周波数を変化させながら測定する温度測定装置３により検知することによって行うこともできる。
また、図１４で説明した水晶振動子を使用した圧電素子温度センサ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ・、１ｅ・・・等を用いて、シリコンウエハ６やその他広範囲の液体等の各所の位置における温度を同時点で綿密に測定する場合、分解能が０．００１℃ぐらいの高精度で温度測定を行うことができる。 Further, the electrical characteristics of the piezoelectric element temperature sensors 1a, 1b, 1c, 1d, 1e,... Used for the temperature measurement of the silicon wafer 6 in FIG. The change may be a change in the transmission frequency using the crystal resonator element as a transmitter. However, in general, the impedance characteristics (frequency at the resonance point and antiresonance point) of the crystal resonator that changes depending on the temperature of the crystal resonator are detected by the temperature measurement device 3 that measures while changing the frequency of the supplied AC signal. Can also be done.
Further, using the piezoelectric element temperature sensors 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, etc. using the crystal resonator described in FIG. 14, the temperature at various positions such as the silicon wafer 6 and other wide-range liquids. Can be measured at high accuracy with a resolution of about 0.001 ° C.

図１５は例えばシリコンウエハを加熱して、そのシリコンウエハ上の各所の温度を高い精度で均一にして、種種の加工が行われる前に行う温度測定のための想定図を示したものである。なお、図１４と同一部分は同一の符号を記載している。   FIG. 15 shows, for example, an assumption diagram for temperature measurement performed by heating a silicon wafer to make the temperature of each part on the silicon wafer uniform with high accuracy and before various types of processing are performed. In addition, the same part as FIG. 14 has described the same code | symbol.

この図１５に示すように、複数個の加熱ランプＬが内蔵されている加熱装置４を加熱電源５から供給される電力で加熱してシリコンウエハ６を所定温度に加熱するだけでは、大型化されたシリコンウエハ６の各所の温度が完全に均一化されることは困難になっている。
そこで、まず、シリコンウエハ６の所定の箇所に図１４に示したような圧電素子温度センサ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、（５個の場合を示す）を配置し、それぞれをケーブル２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅを介して多端子の温度測定装置３に接続する。そして、このようなやり方で検出した各所の温度の測定結果の情報を制御装置７に取込み、この測定結果に基づいて制御装置７から、加熱装置４の各所の各加熱ランプＬの部分を局所的に制御する。そうすることで、シリコンウエハ６の全体が十分に均一な所定の温度となるように制御することができると考えられる。 As shown in FIG. 15, the heating device 4 incorporating a plurality of heating lamps L is heated by the power supplied from the heating power source 5 to heat the silicon wafer 6 to a predetermined temperature. Further, it is difficult to make the temperature of each part of the silicon wafer 6 completely uniform.
Therefore, first, piezoelectric element temperature sensors 1a, 1b, 1c, 1d, and 1e (showing the case of five) as shown in FIG. 14 are arranged at predetermined positions on the silicon wafer 6, and the cables 2a, The multi-terminal temperature measuring device 3 is connected via 2b, 2c, 2d and 2e. And the information of the measurement result of the temperature of each place detected by such a method is taken in the control apparatus 7, and the part of each heating lamp L of each place of the heating apparatus 4 is locally supplied from the control apparatus 7 based on this measurement result. To control. By doing so, it can be considered that the entire silicon wafer 6 can be controlled to have a sufficiently uniform predetermined temperature.

特開２００３−２１５１８８JP 2003-215188 A

しかし、図１４、図１５のように、大型化したシリコンウエハ６の温度の測定を行うときは、温度測定点の測定箇所を増加させる必要性があり、温度センサとなる圧電素子温度センサ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ・・・の分散配置作業と、圧電素子温度センサ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ・・・をそれぞれネットワークアナライザ等からなる温度測定装置３に接続する作業が非常に繁雑になるという問題があった。
また、各圧電素子温度センサ１をシリコンウエハに配置するときに、どうしても各ケーブル２をシリコンウエハの上を引き回す必要があり、温度測定する為の測定冶具として精度の高いものではなかった。
さらに、各圧電素子温度センサ１と各温度測定装置３とを繋ぐ各ケーブル２が、シリコンウエハを加熱する工程時に高温に晒されたことによる障害で機能及び性能などが低下する場合があり、シリコンウエハの正確な温度を測定することが出来ない場合もある。 However, as shown in FIGS. 14 and 15, when measuring the temperature of the enlarged silicon wafer 6, it is necessary to increase the number of temperature measurement points, and the piezoelectric element temperature sensor 1a serving as a temperature sensor, 1b, 1c, 1d, 1e... And a work for connecting the piezoelectric element temperature sensors 1a, 1b, 1c, 1d, 1e. There was a problem of becoming complicated.
In addition, when the piezoelectric element temperature sensors 1 are arranged on the silicon wafer, the cables 2 have to be routed on the silicon wafer inevitably, and are not highly accurate as a measurement jig for measuring temperature.
Furthermore, each cable 2 connecting each piezoelectric element temperature sensor 1 and each temperature measuring device 3 may be deteriorated in function and performance due to an obstacle caused by exposure to a high temperature during the process of heating the silicon wafer. In some cases, the exact temperature of the wafer cannot be measured.

そこで、本発明のシリコンウエハ多点温度測定装置は、かかる問題点に鑑みなされたものであり、シリコンウエハ加熱手段内の被加工シリコンウエハ設置位置に設置されるシリコンウエハ素材と、前記シリコンウエハ素材の所定の位置にセンサーアンテナ部と共に装着された複数個の圧電振動子と、前記センサーアンテナ部に電磁波を照射すると共に、前記圧電振動子の残響振動波を受信するための送受信アンテナと、前記送受信アンテナを介して前記センサーアンテナ部に所定の掃引信号波を送信する送信部と、前記センサーアンテナ部から発信された残響振動波の周波数を計測する計測部とを備え、前記残響振動波の周波数に基づいて前記シリコンウエハ素材の表面温度を測定するようにした。   Therefore, the silicon wafer multipoint temperature measuring device of the present invention has been made in view of such problems, and a silicon wafer material installed at a silicon wafer heating position in a silicon wafer heating means, and the silicon wafer material A plurality of piezoelectric vibrators mounted together with the sensor antenna unit at a predetermined position, a transmission / reception antenna for irradiating the sensor antenna unit with electromagnetic waves and receiving a reverberation vibration wave of the piezoelectric vibrator, and the transmission / reception A transmission unit that transmits a predetermined sweep signal wave to the sensor antenna unit via an antenna; and a measurement unit that measures the frequency of the reverberation vibration wave transmitted from the sensor antenna unit, the frequency of the reverberation vibration wave Based on this, the surface temperature of the silicon wafer material was measured.

上記センサーアンテナ部は、上記圧電振動子の励振電極に対して並列に接続されているループアンテナによって構成されている。
また、上記センサーアンテナ部、及び圧電振動子は石英材によって被覆されることにより１組の温度センサとされ、上記シリコンウエハ素材の表面に全部、又は一部が埋設されている。 The sensor antenna unit is configured by a loop antenna connected in parallel to the excitation electrode of the piezoelectric vibrator.
The sensor antenna unit and the piezoelectric vibrator are covered with a quartz material to form a set of temperature sensors, and all or part of the surface of the silicon wafer material is embedded.

上記センサーアンテナ部に照射される掃引信号波は、所定の周波数でステップアップして上記圧電振動子の共振周波数が含まれる帯域を掃引する。
また、上記残響振動波の周波数は、上記計測部において周波数カウンタで計測される。
また、上記シリコンウエハ加熱手段は、縦型ファーネス型とされている。 The sweep signal wave applied to the sensor antenna unit steps up at a predetermined frequency and sweeps a band including the resonance frequency of the piezoelectric vibrator.
The frequency of the reverberation vibration wave is measured by the frequency counter in the measurement unit.
The silicon wafer heating means is a vertical furnace type.

上記シリコンウエハ加熱手段は、ＲＴＰ型である。
また、上記圧電振動子は水晶片によって構成されている。
また、上記圧電振動子はランガサイトによって構成されている。 The silicon wafer heating means is an RTP type.
The piezoelectric vibrator is formed of a crystal piece.
The piezoelectric vibrator is made of langasite.

本発明のシリコンウエハ多点温度測定装置は、シリコンウエハ加熱手段内のシリコンウエハ素材に装着された複数個の圧電振動子と、この圧電振動子と共に装着されたセンサーアンテナ部に所定の掃引信号波を送信して、圧電振動子の残響振動波を受信することができる。そして、この残響振動波の周波数を計測し、計測した周波数に基づいてシリコンウエハ素材の表面温度を測定することができる。
したがって、シリコンウエハ素材の温度を測定するための圧電振動子の数が多くなっても、掃引信号波をセンサーアンテナ部へ送信することができ、且つ、ケーブルを介さずに残響振動波を受信することができるので、精度の高い温度測定を行うことが出来る。 The silicon wafer multi-point temperature measuring apparatus of the present invention has a plurality of piezoelectric vibrators mounted on a silicon wafer material in a silicon wafer heating means, and a predetermined sweep signal wave on a sensor antenna section mounted with the piezoelectric vibrators. And reverberation vibration waves of the piezoelectric vibrator can be received. Then, the frequency of the reverberation vibration wave can be measured, and the surface temperature of the silicon wafer material can be measured based on the measured frequency.
Therefore, even if the number of piezoelectric vibrators for measuring the temperature of the silicon wafer material increases, the sweep signal wave can be transmitted to the sensor antenna unit, and the reverberation vibration wave can be received without going through the cable. Therefore, temperature measurement with high accuracy can be performed.

以下に本願発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態という）を説明する。
図１は、本願発明の第１の実施の形態としてのシリコンウエハ多点温度測定装置１０の概要を説明する全体的な模式図である。
図示するシリコンウエハ多点温度測定装置１０は、例えば集積回路（ＩＣ）を製造する過程で加工用シリコンウエハを加熱して高温の雰囲気中で行う加熱加工工程の際、加工用シリコンウエハの表面温度が均一となるよう温度の調節を行うために使用される。 The best mode for carrying out the present invention (hereinafter referred to as an embodiment) will be described below.
FIG. 1 is an overall schematic diagram for explaining an outline of a silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus 10 as a first embodiment of the present invention.
The silicon wafer multi-point temperature measuring apparatus 10 shown in the figure is, for example, a surface temperature of a processing silicon wafer during a heating process performed in a high temperature atmosphere by heating the processing silicon wafer in the process of manufacturing an integrated circuit (IC). Is used to adjust the temperature to be uniform.

この温度調節を行うためにシリコンウエハ多点温度測定装置１０としては、先ず、チャンバ外に温度測定装置１１とインピーダンス整合器１２を設置して相互を同軸ケーブル２５で接続されている。この温度測定装置１１は、所定の範囲で周波数が変化するスイープ発信器や位相検出器、電流測定器、方向性結合器等を備えている。
そして、インピーダンス整合器１２とチャンバ内の石英１７や耐熱性の材料に被覆されている小型送受信アンテナ１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ、１４ｆ・・・とが同じく耐熱性の材料である石英などで被服された、単心、または多芯耐熱ケーブル１３（以下、単に耐熱ケーブルともいう）と同軸ケーブル２５を介して接続されている。このとき、相互を接続するために用いられるケーブルとしては、図示するようにチャンバ外には同軸ケーブル２５を用いて、チャンバ内には高温に耐えられるような多芯耐熱ケーブル１３を用いている。そして、この２本のケーブルをチャンバ外とチャンバ内の境界においてコネクタ２６で接続して使用している。 In order to perform this temperature adjustment, the silicon wafer multi-point temperature measuring device 10 is first installed outside the chamber with the temperature measuring device 11 and the impedance matching device 12 and connected to each other by a coaxial cable 25. The temperature measuring device 11 includes a sweep transmitter, a phase detector, a current measuring device, a directional coupler, and the like whose frequency changes within a predetermined range.
Further, the impedance matching device 12 and quartz 17 in the chamber or the small transmitting / receiving antennas 14a, 14b, 14c, 14d, 14e, 14f,. And a single-core or multi-core heat-resistant cable 13 (hereinafter, also simply referred to as a heat-resistant cable), which is covered with a wire, is connected via a coaxial cable 25. At this time, as a cable used to connect each other, a coaxial cable 25 is used outside the chamber as shown in the figure, and a multi-core heat-resistant cable 13 that can withstand high temperatures is used inside the chamber. These two cables are used by being connected by a connector 26 at the boundary between the outside of the chamber and the inside of the chamber.

さらに、シリコンウエハ多点温度測定装置１０は、温度測定用の治具となる測定用シリコンウエハ１８の表面温度を測定するための温度センサとして複数個の圧電素子温度センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ・・・を使用する。そして、上記複数の圧電素子温度センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ・・・に、センサーアンテナ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ、１５ｆ・・・をそれぞれ取り付けるものである。センサーアンテナ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ、１５ｆ・・・が取り付けられた圧電素子温度センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ・・・は、図１に示めすように測定用シリコンウエハ１８の表面の所定の箇所、例えば温度分布を測定したいと思われる測定点に埋設する。このとき、圧電素子温度センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ・・・の一部が埋設されるようにしてもよいし、取り付けられたセンサーアンテナ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ、１５ｆ・・・と一緒に全てが埋設されてもよい。
また、上下方向に対峙して配置されている圧電素子温度センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ・・・とセンサーアンテナ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ、１５ｆ・・・のペアは、シリコン素材でそれぞれ被覆されるようにする。これは、圧電素子温度センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ・・・で温度を測定する際、測定物に接触する部分には測定物の素材に近い、耐熱性のある素材を用いることで測定誤差を抑えようとするものである。
そして、圧電素子温度センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ・・・とセンサーアンテナ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ、１５ｆ・・・の同心軸上に、石英１７で被覆されたそれぞれの小型送受信アンテナ１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ、１４ｆ・・・が設置されるようにする。なお、小型送受信アンテナ１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ、１４ｆ・・・を被覆している石英１７は、耐熱性があい、加熱加工工程の温度に耐えられる素材のものであれば石英１７でなくてもよい。 Furthermore, the silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus 10 includes a plurality of piezoelectric element temperature sensors 16a, 16b, 16c, and 16d as temperature sensors for measuring the surface temperature of the measurement silicon wafer 18 serving as a temperature measurement jig. , 16e, 16f... The sensor antennas 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f,... Are respectively attached to the plurality of piezoelectric element temperature sensors 16a, 16b, 16c, 16d, 16e, 16f,. The piezoelectric element temperature sensors 16a, 16b, 16c, 16d, 16e, 16f, etc., to which the sensor antennas 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f,... Are attached, are measured silicon as shown in FIG. It is embedded at a predetermined location on the surface of the wafer 18, for example, at a measurement point where a temperature distribution is desired to be measured. At this time, a part of the piezoelectric element temperature sensors 16a, 16b, 16c, 16d, 16e, 16f... May be embedded, or the attached sensor antennas 15a, 15b, 15c, 15d, 15e,. All may be embedded together with 15f.
Also, the pair of piezoelectric element temperature sensors 16a, 16b, 16c, 16d, 16e, 16f... And the sensor antennas 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f. Each is covered with a silicon material. This is because, when the temperature is measured by the piezoelectric element temperature sensors 16a, 16b, 16c, 16d, 16e, 16f,..., A heat-resistant material close to the material of the object to be measured is used for the portion in contact with the object to be measured. This is intended to suppress measurement errors.
The piezoelectric element temperature sensors 16a, 16b, 16c, 16d, 16e, 16f... And the sensor antennas 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f. , Small transmitting / receiving antennas 14a, 14b, 14c, 14d, 14e, 14f,. The quartz 17 covering the small transmitting / receiving antennas 14a, 14b, 14c, 14d, 14e, 14f,... Is made of quartz 17 if it is of a material that has heat resistance and can withstand the temperature of the heating process. It does not have to be.

なお、以降、圧電素子温度センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ・・・と、これに取り付けられているセンサーアンテナ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ、１５ｆ・・・とのそれぞれのペアを、図１に示しているように、必要に応じて、チャンネルＣｈ１（圧電素子温度センサ１６ａ、センサーアンテナ１５ａ）、チャンネルＣｈ２（圧電素子温度センサ１６ｂ、センサーアンテナ１５ｂ）、チャンネルＣｈ３（圧電素子温度センサ１６ｃ、センサーアンテナ１５ｃ）、チャンネルＣｈ４（圧電素子温度センサ１６ｄ、センサーアンテナ１５ｄ）、チャンネルＣｈ５（圧電素子温度センサ１６ｅ、センサーアンテナ１５ｅ）、チャンネルＣｈ６（圧電素子温度センサ１６ｆ、センサーアンテナ１５ｆ）・・・、として説明する。
また、以降は、小型送受信アンテナ１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ、１４ｆ・・・、センサーアンテナ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ、１５ｆ・・・、圧電素子温度センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ・・・、チャンネルＣｈ１、チャンネルＣｈ２、チャンネルＣｈ３、チャンネルＣｈ４、チャンネルＣｈ５、チャンネルＣｈ６・・・を説明する場合、特に個別に説明する必要が無いときは、小型送受信アンテナ１４、センサーアンテナ１５、圧電素子温度センサ１６、チャンネルＣｈとして説明していく。 In the following, each of the piezoelectric element temperature sensors 16a, 16b, 16c, 16d, 16e, 16f... And the sensor antennas 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f. As shown in FIG. 1, the pair is divided into channels Ch1 (piezoelectric element temperature sensor 16a, sensor antenna 15a), channel Ch2 (piezoelectric element temperature sensor 16b, sensor antenna 15b), and channel Ch3 (piezoelectric element) as necessary. Temperature sensor 16c, sensor antenna 15c), channel Ch4 (piezoelectric element temperature sensor 16d, sensor antenna 15d), channel Ch5 (piezoelectric element temperature sensor 16e, sensor antenna 15e), channel Ch6 (piezoelectric element temperature sensor 16f, sensor antenna 15f) ···,When It described Te.
Further, hereinafter, small transmitting / receiving antennas 14a, 14b, 14c, 14d, 14e, 14f..., Sensor antennas 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f..., Piezoelectric element temperature sensors 16a, 16b, 16c,. 16d, 16e, 16f..., Channel Ch1, channel Ch2, channel Ch3, channel Ch4, channel Ch5, channel Ch6... The sensor antenna 15, the piezoelectric element temperature sensor 16, and the channel Ch will be described.

本発明では、測定用シリコンウエハ１８の温度を計測する温度センサとして圧電素子温度センサ１６を用いている。この圧電素子温度センサ１６は、外部から共振周波数又は共振周波数近傍の成分を含んだ電磁波で励振すると温度によって固有の残響振動が励振後に発生する。そして、その発生した固有の残響振動は、センサーアンテナ１５、小型送受信アンテナ１４を介して温度測定装置１１が受信する。温度測定装置１１は、受信した圧電素子温度センサ１６から発信された固有の残響振動を基に温度を算出し、その算出結果を例えば表示部１７に表示するものである。このとき、温度測定装置１１は、どこの小型送受信アンテナ１４から送信されてきた残響振動かを確認することで、どの圧電素子温度センサ１６の温度かを知ることが出来る。
なお、温度センサとして使用できる圧電振動子としては、水晶、ランガサイト、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、等がある。 In the present invention, the piezoelectric element temperature sensor 16 is used as a temperature sensor for measuring the temperature of the measurement silicon wafer 18. When the piezoelectric element temperature sensor 16 is excited by an electromagnetic wave including a resonance frequency or a component in the vicinity of the resonance frequency from the outside, a unique reverberation vibration is generated after the excitation depending on the temperature. The generated unique reverberation vibration is received by the temperature measuring device 11 via the sensor antenna 15 and the small transmitting / receiving antenna 14. The temperature measuring device 11 calculates a temperature based on the inherent reverberation vibration transmitted from the received piezoelectric element temperature sensor 16, and displays the calculation result on the display unit 17, for example. At this time, the temperature measuring device 11 can know which temperature of the piezoelectric element temperature sensor 16 is by confirming which reverberation vibration is transmitted from which small transmitting / receiving antenna 14.
Note that examples of the piezoelectric vibrator that can be used as the temperature sensor include crystal, langasite, lithium tantalate, lithium niobate, and zinc oxide.

第１の実施の形態において、測定用シリコンウエハ１８の温度を計測するやり方としては、先ず、温度測定装置１１から各チャンネルＣｈ毎に、任意の周波数帯から始めて段階的に周波数帯をステップアップさせながら送信する掃引信号波を小型送受信アンテナ１４を介して送信する。例えば、チャンネルＣｈ１では、その掃引信号波の周波数が圧電振動子の共振周波数の近傍であるとき、掃引信号波を停止した直後に、そのときの温度に応じた残響振動波を発信する。この残響振動波は、センサーアンテナ１５を介して小型送受信アンテナ１４が受信し、温度測定装置１１は、チャンネルＣｈ１からの残響振動波が得られたら、その残響振動波の周波数に基づいて温度を算出するものである。
このようにして、温度測定装置１１は、測定用シリコンウエハ１８上に設置されている全てのチャンネルＣｈから順番に残響振動波を得て、各チャンネルＣｈの温度、即ち、測定用シリコンウエハ１８上の各点の温度を算出するものである。そして、温度測定装置１１は算出結果を加熱制御装置９０へ送信し、この加熱制御装置９０は加熱手段９１を制御してチャンバ内で加熱された測定用シリコンウエハ１８の温度が均一となるように温度を調整するものである。なお、算出した温度データから形成された加熱制御データは、上記いずれかの装置に保存しておくことが好ましい。 In the first embodiment, as a method of measuring the temperature of the measurement silicon wafer 18, first, the frequency band is stepped up step by step from the temperature measurement device 11 for each channel Ch starting from an arbitrary frequency band. The sweep signal wave to be transmitted is transmitted through the small transmitting / receiving antenna 14. For example, in the channel Ch1, when the frequency of the sweep signal wave is in the vicinity of the resonance frequency of the piezoelectric vibrator, a reverberation vibration wave corresponding to the temperature at that time is transmitted immediately after the sweep signal wave is stopped. The reverberation vibration wave is received by the small transmitting / receiving antenna 14 via the sensor antenna 15, and when the temperature measurement device 11 obtains the reverberation vibration wave from the channel Ch <b> 1, the temperature is calculated based on the frequency of the reverberation vibration wave. To do.
In this way, the temperature measuring device 11 obtains reverberation vibration waves in order from all the channels Ch installed on the measurement silicon wafer 18, and the temperature of each channel Ch, that is, on the measurement silicon wafer 18. The temperature at each point is calculated. Then, the temperature measuring device 11 transmits the calculation result to the heating control device 90, and this heating control device 90 controls the heating means 91 so that the temperature of the measurement silicon wafer 18 heated in the chamber becomes uniform. The temperature is adjusted. The heating control data formed from the calculated temperature data is preferably stored in any of the above devices.

第１の実施の形態において、温度測定装置１１が各チャンネルＣｈ毎の残響振動波を得ることができるのは、各チャンネルＣｈの同心軸上に小型送受信アンテナ１４を配置しているからであり、これによりリアルタイムで全てのチャンネルＣｈの温度を観測することも可能となる。つまり、全ての圧電素子温度センサ１６が測定用シリコンウエハ１８の温度を短時間で観測することができるものである。また、この場合、温度測定装置１１は、どの小型送受信アンテナ１４から送信されてきた残響振動波の周波数かを知ることができるので、当然にどのチャンネルＣｈからの残響振動波の周波数かを知ることが出来る。このため、圧電素子温度センサ１６の圧電振動子としては、全て同じ共振周波数特性を持つ圧電振動子を使用することができるものである。
また、温度測定装置１１は、温度の計測を小型送受信アンテナ１４をチャンネルＣｈ毎に切り換えて行うことで、複数のチャンネルＣｈで温度の計測を行う場合でも１台で観測することができる。
また、センサーアンテナ１５と小型送受信アンテナ１４は無線で通信を行うので、測定用シリコンウエハ１８上にコードを這わさなくてもよい。 In the first embodiment, the temperature measuring device 11 can obtain the reverberation vibration wave for each channel Ch because the small transmitting / receiving antenna 14 is arranged on the concentric axis of each channel Ch. As a result, the temperatures of all channels Ch can be observed in real time. That is, all the piezoelectric element temperature sensors 16 can observe the temperature of the measurement silicon wafer 18 in a short time. Further, in this case, the temperature measuring device 11 can know which frequency the reverberation vibration wave transmitted from which small transmitting / receiving antenna 14, and naturally knows which channel Ch the frequency of the reverberation vibration wave is. I can do it. For this reason, as the piezoelectric vibrator of the piezoelectric element temperature sensor 16, piezoelectric vibrators having the same resonance frequency characteristics can be used.
In addition, the temperature measuring device 11 can perform temperature measurement by switching the small transmitting / receiving antenna 14 for each channel Ch, and thus, even when measuring temperature in a plurality of channels Ch, it can be observed with one unit.
Further, since the sensor antenna 15 and the small transmitting / receiving antenna 14 communicate wirelessly, it is not necessary to fold the cord on the measurement silicon wafer 18.

図２に示すのは、第２の実施の形態としてのシリコンウエハ多点温度測定装置１０の概要を説明する全体的な模式図である。図示するシリコンウエハ多点温度測定装置１０は、図１で説明した第１の実施の形態と、小型送受信アンテナ１４が設置される位置が異なる他は同様の構成を有している。
図２の第２の実施の形態では、チャンバ外に温度測定装置１１と、インピーダンス整合器１２を設置して相互を同軸ケーブル２５で接続し、このインピーダンス整合器１２とチャンバ内に設置される石英１７に被覆されている小型送受信アンテナ１４とを多芯耐熱ケーブル１３で接続している。このとき、小型送受信アンテナ１４は、図示するように、測定用シリコンウエハ１８に埋設されている圧電素子温度センサ１６とそれに取り付けられているセンサーアンテナ１５の円周上に配置されるように設置する。この各圧電素子温度センサ１６とセンサーアンテナ１５の円周上に小型送受信アンテナ１４を配置するやり方は、測定用シリコンウエハ１８の上下方向に余分な空間が無く、小型送受信アンテナ１４を設置することが出来ない場合などに用いるやり方である。
また、インピーダンス整合器１２と小型送受信アンテナ１４を接続するケーブルは、第１の実施例と同様に、チャンバ外は同軸ケーブル２５を用い、チャンバ内は多芯耐熱ケーブル１３を用いて互いをコネクタ２６で接続させる。 FIG. 2 is an overall schematic diagram for explaining the outline of the silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus 10 as the second embodiment. The silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus 10 shown in the figure has the same configuration as that of the first embodiment described with reference to FIG. 1 except that the position where the small transmitting / receiving antenna 14 is installed is different.
In the second embodiment of FIG. 2, the temperature measuring device 11 and the impedance matching device 12 are installed outside the chamber and connected to each other by the coaxial cable 25, and this impedance matching device 12 and the quartz installed in the chamber are connected. A multi-core heat-resistant cable 13 is connected to a small transmitting / receiving antenna 14 covered with 17. At this time, the small transmitting / receiving antenna 14 is installed so as to be arranged on the circumference of the piezoelectric element temperature sensor 16 embedded in the measurement silicon wafer 18 and the sensor antenna 15 attached thereto, as shown in the figure. . The small transmitting / receiving antennas 14 are arranged on the circumferences of the piezoelectric element temperature sensors 16 and the sensor antenna 15 so that there is no extra space in the vertical direction of the measurement silicon wafer 18 and the small transmitting / receiving antennas 14 can be installed. This is the method used when you can't.
Also, the cable connecting the impedance matching unit 12 and the small transmitting / receiving antenna 14 uses the coaxial cable 25 outside the chamber and the multi-core heat-resistant cable 13 inside the chamber to connect each other to the connector 26 as in the first embodiment. Connect with.

この第２の実施の形態において測定用シリコンウエハ１８の温度を計測するやり方は、小型送受信アンテナ１４の設置位置が変更になっただけで、第１の実施の形態と同様のやり方で温度を計測することができる。
そして、第２の実施の形態においても、図２に示したように小型送受信アンテナ１４を配置することで、リアルタイムで全てのチャンネルＣｈの温度を計測することができ、また、チャンネルＣｈ毎に切り換えて計測することができるので１台の温度測定装置１１で観測することができる。
また、図２に示す温度測定装置１１は、上記図１に示した温度測定装置１１と同様に算出結果を加熱制御装置９０へ送信し、この加熱制御装置９０は加熱手段９１を制御してチャンバ内の温度を調整するものである。
また、第２の実施の形態の場合も、圧電素子温度センサ１６の圧電振動子として、同じ共振周波数特性の圧電振動子を使用することができ、さらに、センサーアンテナ１５と小型送受信アンテナ１４は無線通信が可能であり、測定用シリコンウエハ１８上にコードを這わさなくてよい。 In the second embodiment, the temperature of the measurement silicon wafer 18 is measured in the same manner as in the first embodiment, except that the installation position of the small transmitting / receiving antenna 14 is changed. can do.
Also in the second embodiment, by arranging the small transmitting / receiving antenna 14 as shown in FIG. 2, the temperatures of all the channels Ch can be measured in real time, and switching is performed for each channel Ch. Therefore, it can be observed with one temperature measuring device 11.
2 transmits the calculation result to the heating control device 90 in the same manner as the temperature measurement device 11 shown in FIG. 1, and the heating control device 90 controls the heating means 91 to control the chamber. The temperature inside is adjusted.
Also in the case of the second embodiment, a piezoelectric vibrator having the same resonance frequency characteristic can be used as the piezoelectric vibrator of the piezoelectric element temperature sensor 16, and the sensor antenna 15 and the small transmitting / receiving antenna 14 are wireless. Communication is possible, and it is not necessary to break the code on the silicon wafer 18 for measurement.

図３に示すのは、第３の実施の形態としてのシリコンウエハ多点温度測定装置１０の概要を説明するための全体的な模式図である。この図３に示すシリコンウエハ多点温度測定装置１０は、図１で説明したシリコンウエハ多点温度測定装置１０の小型送受信アンテナ１４に換えて、単一の大型送受信アンテナ２０を設置すると共に、共振周波数が異なるようにした複数個の圧電素子温度センサ１６を使用する。
つまり、チャンバ外には、温度測定装置１１とインピーダンス整合器１２とが同軸ケーブル２５で接続されて設置され、チャンバ内の測定用シリコンウエハ１８に埋設されている各圧電素子温度センサ１６とそれに取り付けられているセンサーアンテナ１５の上方にすべての圧電素子温度センサ１６と通信が可能な単一の大型送受信アンテナ２０を設置するものである。そして、この単一の大型送受信アンテナ２０も例えば石英１７で被覆され、インピーダンス整合器１２と接続されている。図３において、互いを接続するケーブルには、チャンバ外は同軸ケーブル２５をチャンバ内は単芯耐熱ケーブル１９をコネクター２６で接続して使用している。 FIG. 3 is an overall schematic diagram for explaining the outline of the silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus 10 as the third embodiment. The silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus 10 shown in FIG. 3 is provided with a single large transmitting / receiving antenna 20 instead of the small transmitting / receiving antenna 14 of the silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus 10 described in FIG. A plurality of piezoelectric element temperature sensors 16 having different frequencies are used.
That is, outside the chamber, the temperature measuring device 11 and the impedance matching device 12 are installed by being connected by the coaxial cable 25, and each piezoelectric element temperature sensor 16 embedded in the measurement silicon wafer 18 in the chamber and attached thereto. A single large transmitting / receiving antenna 20 capable of communicating with all the piezoelectric element temperature sensors 16 is installed above the sensor antenna 15. The single large transmitting / receiving antenna 20 is also covered with, for example, quartz 17 and connected to the impedance matching unit 12. In FIG. 3, a coaxial cable 25 is connected outside the chamber, and a single-core heat-resistant cable 19 is connected inside the chamber with a connector 26 to connect the cables.

第３の実施の形態としてのシリコンウエハ多点温度測定装置１０において、測定用シリコンウエハ１８の温度を測定するやり方としては、先ず、温度測定装置１１から全てのチャンネルＣｈを励振できるような掃引信号波を送信する。このとき、各チャンネルＣｈの圧電素子温度センサ１６にはそれぞれ共振周波数特性の違う圧電素子を使用しているので、温度測定装置１１は、各圧電素子温度センサ１６とその圧電素子の共振周波数特性との組み合わせを記憶しておくことで、受信した残響振動波の周波数特性で、どのチャンネルＣｈからの残響振動波かを知ることが出来る。そして、温度測定装置１１は、残響振動波が得られたら、その残響振動波の周波数に基づいて温度を算出する。   In the silicon wafer multipoint temperature measurement apparatus 10 as the third embodiment, as a method of measuring the temperature of the measurement silicon wafer 18, first, a sweep signal that can excite all the channels Ch from the temperature measurement apparatus 11. Send a wave. At this time, since the piezoelectric element temperature sensor 16 of each channel Ch uses a piezoelectric element having a different resonance frequency characteristic, the temperature measuring device 11 determines the resonance frequency characteristic of each piezoelectric element temperature sensor 16 and the piezoelectric element. By storing this combination, it is possible to know from which channel Ch the reverberation vibration wave is from the frequency characteristic of the received reverberation vibration wave. And if the reverberation vibration wave is obtained, the temperature measurement apparatus 11 will calculate temperature based on the frequency of the reverberation vibration wave.

このように、第３の実施の形態のシリコンウエハ多点温度測定装置１０においては、共振周波数の異なる複数のチャンネルＣｈの圧電素子温度センサ１６と単一の大型送受信アンテナ２０を用いることで、測定用シリコンウエハ１８の温度を観測することが出来る。そして、この単一の大型送受信アンテナ２０とセンサーアンテナ１５もワイヤレス方式なので、測定用シリコンウエハ１８の上で多数のコードを這わさなくてよい。
そして、図３に示す温度測定装置１１は、上記図１、図２で示した温度測定装置１１と同様に算出結果を加熱制御装置９０へ送信し、この加熱制御装置９０は加熱手段９１を制御してチャンバ内の測定用シリコンウエハ１８の温度が均一になるように温度を調整するものである。 As described above, in the silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus 10 according to the third embodiment, measurement is performed by using the piezoelectric element temperature sensors 16 of the plurality of channels Ch having different resonance frequencies and the single large transmitting / receiving antenna 20. The temperature of the silicon wafer 18 can be observed. Since the single large transmitting / receiving antenna 20 and the sensor antenna 15 are also wireless systems, it is not necessary to squeeze a large number of cords on the measurement silicon wafer 18.
The temperature measuring device 11 shown in FIG. 3 transmits the calculation result to the heating control device 90 in the same manner as the temperature measuring device 11 shown in FIGS. 1 and 2, and the heating control device 90 controls the heating means 91. Then, the temperature is adjusted so that the temperature of the measurement silicon wafer 18 in the chamber becomes uniform.

また、この単一の大型送受信アンテナ２０としては、例えば方形状となるようにアンテナを形成したものを使用してもよいし、測定用シリコンウエハ１８の上方に設置したときに、この測定用シリコンウエハ１８の表面を覆うように螺旋状のアンテナ（ループ状のアンテナ）を形成したものを使用してもよい。   In addition, as this single large transmitting / receiving antenna 20, for example, an antenna formed so as to have a rectangular shape may be used, or when this measuring silicon is installed above the measuring silicon wafer 18, this measuring silicon is used. You may use what formed the helical antenna (loop-shaped antenna) so that the surface of the wafer 18 might be covered.

ここで、上記図３において示した単芯耐熱ケーブル１９について説明する。この単芯耐熱ケーブル１９は、高温に晒されるチャンバ内で使用されるので、インピーダンス整合（マッチング）をとる為のアクティブ素子を実装することは難しい。そこで、図４に示すような構成とした。なお、図１、図２に示した多芯耐熱ケーブル１３は、単芯耐熱ケーブル１９を複数本束にしたケーブルのことである。
図４に示す単芯耐熱ケーブル１９は、給電線を用いて小型送受信アンテナ１４・単一の大型送受信アンテナ２０とツイストコード２２が形成されており、この給電線は高温下でも耐えれるように銅線又は白金線が用いられている。
インピーダンス整合器２１は、小型送受信アンテナ１４又は、単一の大型送受信アンテナ２０とツイストコード２２とのインピーダンスの整合を取る為に設けられているインピーダンス整合器である。このインピーダンス整合器２１とツイストコード２２とは耐熱性のある石英２３で封入されている。
そして、チャンバ内（高温部）のツイストコード２２からチャンバ外（常温部）の温度測定装置１１へ周波数を送信するときのインピーダンスの整合は、チャンバ外に設置されている第２のインピーダンス整合器１２において行われるものである。
また、単芯耐熱ケーブル１９に備えられる小型送受信アンテナ１４・大型送受信アンテナ２０等は、後述する熱処理装置に設置される場合、耐熱性のある石英１７により被覆し、内部の導線の酸化や腐食を防止するようにしている。 Here, the single-core heat-resistant cable 19 shown in FIG. 3 will be described. Since the single-core heat-resistant cable 19 is used in a chamber exposed to a high temperature, it is difficult to mount an active element for impedance matching (matching). Therefore, the configuration shown in FIG. 4 was adopted. The multicore heat-resistant cable 13 shown in FIGS. 1 and 2 is a cable in which a plurality of single-core heat-resistant cables 19 are bundled.
The single-core heat-resistant cable 19 shown in FIG. 4 includes a small transmission / reception antenna 14, a single large transmission / reception antenna 20 and a twisted cord 22 using a feeding line. The feeding line is made of copper so that it can withstand high temperatures. Wire or platinum wire is used.
The impedance matching unit 21 is an impedance matching unit provided for matching impedance between the small transmitting / receiving antenna 14 or the single large transmitting / receiving antenna 20 and the twist cord 22. The impedance matching unit 21 and the twist cord 22 are sealed with heat-resistant quartz 23.
The impedance matching when the frequency is transmitted from the twist cord 22 in the chamber (high temperature portion) to the temperature measuring device 11 outside the chamber (room temperature portion) is the second impedance matching device 12 installed outside the chamber. Is performed.
In addition, the small transmission / reception antenna 14 and the large transmission / reception antenna 20 provided in the single-core heat-resistant cable 19 are covered with heat-resistant quartz 17 when installed in a heat treatment apparatus to be described later to oxidize or corrode internal conductors. I try to prevent it.

図５、図６は、測定用シリコンウエハ１８又は被加工用シリコンウエハを加熱して高温の雰囲気中で行う加熱加工工程の際に使用される熱処理装置を示す図である。
図５に示すのは、加工用シリコンウエハを１枚づつ熱処理する枚葉型熱処理装置１００の断面図である。図示する枚葉型熱処理装置１００は、例えばＲＴＰ（Rapid Thermal Process）装置とし、加工用シリコンウエハの加熱加工が行われる。
このＲＴＰ装置において加熱加工を行う場合、先ず、チャンバ３０内に備えられる石英の支持台３１の上に測定用シリコンウエハ１８を載せる。なお、図示は省略したが、図５に示す測定用シリコンウエハ１８の表面には、先に述べたように複数のシリコンで被覆された圧電素子温度センサ１６とセンサーアンテナ１５とのペアが配置されているものとする。そして、測定用シリコンウエハ１８の上下に位置するように設置されている複数の加熱ランプ３２で測定用シリコンウエハ１８を加熱して、測定用シリコンウエハ１８上の各所の温度を測定する。
次に、このＲＴＰ装置において加熱加工工程を行う際は、測定用シリコンウエハ１８に代えて加工用シリコンウエハを支持第３１に置き、閉会可能なドア３３を閉め、加熱加工工程で使用される窒素やアルゴン等のガスがガス入口３４からチャンバ３０内に注入される。そして、チャンバ３０内に注入されたガスはガス出口３５から排出される。
また、図５では、耐熱性のある石英１７で被覆している小型送受信アンテナ１４を、チャンバ３０の上方でチャンバ３０と複数の加熱ランプ３２の間に、圧電素子温度センサ１６とセンサーアンテナ１５の同心軸上に小型送受信アンテナ１４が位置するように設置している。なお、図示した石英１７には小型送受信アンテナ１４が被覆されているが図示は省略した。
そして、このＲＴＰ装置では加熱ランプ３２やチャンバ３０等を囲むように反射板３６が設けられている。 FIGS. 5 and 6 are views showing a heat treatment apparatus used in the heat processing step in which the measurement silicon wafer 18 or the silicon wafer to be processed is heated and performed in a high temperature atmosphere.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a single wafer heat treatment apparatus 100 that heat-treats a processing silicon wafer one by one. The illustrated single wafer heat treatment apparatus 100 is, for example, an RTP (Rapid Thermal Process) apparatus, and heat processing of a processing silicon wafer is performed.
When performing heat processing in this RTP apparatus, first, the measurement silicon wafer 18 is placed on the quartz support 31 provided in the chamber 30. Although not shown, a pair of a plurality of silicon-coated piezoelectric element temperature sensors 16 and sensor antennas 15 is disposed on the surface of the measurement silicon wafer 18 shown in FIG. 5 as described above. It shall be. Then, the measurement silicon wafer 18 is heated by a plurality of heating lamps 32 installed so as to be positioned above and below the measurement silicon wafer 18, and the temperature of each place on the measurement silicon wafer 18 is measured.
Next, when performing the heat processing step in this RTP apparatus, the processing silicon wafer is placed on the support No. 31 in place of the measurement silicon wafer 18, the closable door 33 is closed, and the nitrogen used in the heat processing step A gas such as argon is injected into the chamber 30 from the gas inlet 34. Then, the gas injected into the chamber 30 is discharged from the gas outlet 35.
Further, in FIG. 5, the small transmitting / receiving antenna 14 covered with the heat-resistant quartz 17 is disposed between the piezoelectric element temperature sensor 16 and the sensor antenna 15 between the chamber 30 and the plurality of heating lamps 32 above the chamber 30. The small transmitting / receiving antenna 14 is placed on the concentric shaft. The quartz 17 shown in the figure is covered with a small transmitting / receiving antenna 14, but the illustration is omitted.
In this RTP apparatus, a reflector 36 is provided so as to surround the heating lamp 32, the chamber 30, and the like.

この図５に示したＲＴＰ装置においては、高速に温度を昇降できる等の特徴を有している。また、このＲＴＰ装置は、チャンバ３０と加熱ランプ３２の間に石英１７で被覆した小型送受信アンテナ１４を設置する空間があるので、第１の実施の形態と第３の実施の形態において加熱加工を行う場合に好適である。
また、図５の説明において図示した石英１７は、図示しない小型送受信アンテナ１４を被覆していると説明したが、第３の実施の形態において加熱加工を行う場合、石英１７に被覆されるのは単一の大型送受信アンテナ２０となる。
また、実際にＲＴＰ装置を使用して加熱加工を行う場合、１日に大量の加工用シリコンウエハの加熱加工を行う場合がある。そのとき、加熱加工を行う毎に表面温度を観測して加熱加減を調節する温度調節作業をするのではなく、例えば、ＲＴＰ装置を作動させて、最初に測定用シリコンウエハ１８の温度調節作業を行うようにして、このとき調節した温度設定データでその後の加熱加工を行うようにしてもよい。 The RTP apparatus shown in FIG. 5 has a feature that the temperature can be raised and lowered at high speed. Moreover, since this RTP apparatus has a space for installing the small transmitting / receiving antenna 14 covered with quartz 17 between the chamber 30 and the heating lamp 32, the heating process is performed in the first embodiment and the third embodiment. It is suitable for carrying out.
Further, it has been described that the quartz 17 illustrated in the description of FIG. 5 covers the small transmitting / receiving antenna 14 (not illustrated). However, in the third embodiment, when the heating process is performed, the quartz 17 is coated. A single large transmitting / receiving antenna 20 is obtained.
Further, when heat processing is actually performed using an RTP apparatus, a large amount of silicon wafers for processing may be heat processed per day. At this time, instead of observing the surface temperature and adjusting the heating level every time heat processing is performed, for example, the RTP apparatus is operated and the temperature control operation of the measurement silicon wafer 18 is first performed. Then, the subsequent heat processing may be performed with the temperature setting data adjusted at this time.

図６は、複数の加工用シリコンウエハを一度に熱処理する場合に用いられる、バッチ型熱処理装置２００の断面図を示している。
図示するバッチ型熱処理装置２００は、例えば縦型ファーネスとし、この縦型ファーネスにおいて加工用シリコンウエハの加熱加工工程を行うときは、まず、例えば石英ボート４０の内側に加工用シリコンウエハを図示するようにセットする。この石英ボート４０には、複数枚（例えば１００枚程度）のシリコンウエハ１８をセットすることができ、実際には、図６に示した枚数以上の加工用シリコンウエハを石英ボート４０にセットすることができる。
なお、図示は省略したが、先に述べたように図６に示した加工用シリコンウエハのうち、所定の枚数毎に温度測定用の計測用シリコンウエハ１８を配置し、その表面には、それぞれシリコンで被覆された圧電素子温度センサ１６とセンサーアンテナ１５とのペアが配置されている。所定の間隔をおいて配置した計測用シリコンウエハ１８に圧電素子温度センサ１６とセンサーアンテナ１５とのペアを配置するのは、後述する縦型ファーネスにおいて加熱加工工程を行うときの温度調節作業のためである。 FIG. 6 shows a cross-sectional view of a batch-type heat treatment apparatus 200 used when heat-treating a plurality of processing silicon wafers at once.
The batch type heat treatment apparatus 200 shown in the figure is, for example, a vertical furnace, and when the processing silicon wafer is heated in the vertical furnace, first, for example, the processing silicon wafer is illustrated inside the quartz boat 40. Set to. A plurality of (for example, about 100) silicon wafers 18 can be set in the quartz boat 40. In practice, a number of processing silicon wafers equal to or greater than the number shown in FIG. Can do.
Although not shown in the drawings, among the processing silicon wafers shown in FIG. 6 as described above, the measurement silicon wafers 18 for temperature measurement are arranged for each predetermined number of wafers, and the surfaces thereof are respectively A pair of a piezoelectric element temperature sensor 16 and a sensor antenna 15 covered with silicon is disposed. The reason why the pair of the piezoelectric element temperature sensor 16 and the sensor antenna 15 is arranged on the measurement silicon wafer 18 arranged at a predetermined interval is to adjust the temperature when performing the heating process in the vertical furnace described later. It is.

そして、図６では、石英ボート４０の外側を囲むように石英１７に被覆された小型送受信アンテナ１４を圧電素子温度センサ１６とセンサーアンテナ１５とのペアが配置されている測定用シリコンウエハ１８の近傍に設置される。このとき、各小型送受信アンテナ１４は、測定用シリコンウエハ１８の各センサアンテナ１５と互いに信号を送受信可能な位置に配置されればよい。
また、図示する縦型ファーネスは、石英ボード４３とその外側に設置された小型送受信アンテナ１４を取り囲むように石英反応管４１を設けている。この石英反応管４１内に、加熱加工工程において使用される窒素やアルゴン等のガスをガス入口４２から注入し、このガスはガス出口４３から排出される。そして、この石英反応管４１の外側には均熱管４４が備えられ、更にその外側に加熱ランプ４５が複数個備えられている。この加熱ランプ４５が加熱することによって石英反応管４１内の石英ボート４０にセットされている加工用シリコンウエハが加熱されるものである。 In FIG. 6, the small transmitting / receiving antenna 14 covered with the quartz 17 so as to surround the outside of the quartz boat 40 is arranged in the vicinity of the measurement silicon wafer 18 in which a pair of the piezoelectric element temperature sensor 16 and the sensor antenna 15 is arranged. Installed. At this time, each small transmission / reception antenna 14 should just be arrange | positioned in the position which can transmit / receive a signal mutually with each sensor antenna 15 of the silicon wafer 18 for a measurement.
The illustrated vertical furnace is provided with a quartz reaction tube 41 so as to surround the quartz board 43 and the small transmitting / receiving antenna 14 installed outside thereof. A gas such as nitrogen or argon used in the heat processing step is injected into the quartz reaction tube 41 from the gas inlet 42, and this gas is discharged from the gas outlet 43. A soaking tube 44 is provided outside the quartz reaction tube 41, and a plurality of heating lamps 45 are provided outside it. When the heating lamp 45 is heated, the processing silicon wafer set in the quartz boat 40 in the quartz reaction tube 41 is heated.

図６に示した縦型ファーネスの場合、一度に複数枚（例えば１００枚程度）の加工用シリコンウエハの加熱加工を行うことができるが、そのとき、加工用シリコンウエハの表面温度が石英ボート４０にセットされる位置で違いがでないようにする必要がある。そこで、所定の間隔毎にセットされている測定用シリコンウエハ１８の表面温度を測定することで、石英ボード４３にセットされている加工用シリコンウエハの表面温度が均一となるように加熱加減を調整するものである。
図６では、圧電素子温度センサ１６とセンサーアンテナ１５とのペアを石英ボード４３の上段、中断、下段に設置されている測定用シリコンウエハ１８に埋設している。しかし、石英ボート４０にセットされる全ての加工用シリコンウエハの表面温度が均一に加熱されるような温度調節作業が行えるだけの計測データを得ることが出来れば、図示した位置以外の所に圧電素子温度センサ１６とセンサーアンテナ１５とのペアを設置してもよい。 In the case of the vertical furnace shown in FIG. 6, a plurality of (for example, about 100) processing silicon wafers can be heated at a time, and at this time, the surface temperature of the processing silicon wafer is changed to the quartz boat 40. It is necessary to make sure that there is no difference in the position set to. Therefore, by adjusting the surface temperature of the measurement silicon wafer 18 set at predetermined intervals, the heating temperature is adjusted so that the surface temperature of the processing silicon wafer set on the quartz board 43 is uniform. To do.
In FIG. 6, the pair of the piezoelectric element temperature sensor 16 and the sensor antenna 15 is embedded in the measurement silicon wafer 18 installed in the upper, interrupted, and lower stages of the quartz board 43. However, if measurement data can be obtained so that the temperature adjustment operation can be performed so that the surface temperature of all the processing silicon wafers set in the quartz boat 40 is uniformly heated, the piezoelectric data is not located at the position shown in the figure. A pair of the element temperature sensor 16 and the sensor antenna 15 may be installed.

また、上記した縦型ファーネスにおいて加熱加工を行う場合、図示するように複数の加工用シリコンウエハを石英ボート４０にセットして加熱加工を行うものであり、加工用シリコンウエハの上下の空間に小型送受信アンテナ１４を設置するのは難しい。そこで、小型送受信アンテナ１４を測定用シリコンウエハ１８の横側に設置することでセンサーアンテナ１５と信号の送受信を行う、第３の実施の形態の場合の加熱加工工程において使用することが出来る。   Further, when heat processing is performed in the above-described vertical furnace, a plurality of processing silicon wafers are set in a quartz boat 40 and heat processing is performed as shown in the figure, and a small size is formed in the space above and below the processing silicon wafer. It is difficult to install the transmission / reception antenna 14. Therefore, the small transmitting / receiving antenna 14 can be used in the heating process in the case of the third embodiment in which signals are transmitted to and received from the sensor antenna 15 by installing the small transmitting / receiving antenna 14 on the side of the measurement silicon wafer 18.

ここまで説明してきたシリコンウエハ多点温度測定装置１０においては、測定用シリコンウエハ１８の表面温度を計測するために、圧電素子温度センサ１６とセンサーアンテナ１５とのペアが計測用シリコンウエハ１８に埋設されるものである。このため、圧電素子温度センサ１６とセンサーアンテナ１５とのペアは、加熱加工工程において測定用シリコンウエハ１８と同様に高温の雰囲気中に晒されることになるので、その構造は耐熱性を有する必要があるものである。
まず、圧電素子温度センサ１６としては、２つで１組の励振電極を圧電振動子の上下を挟むように設置する。そして、その上に加熱加工時の高温にも耐えられる、例えば導線として、銅や白金線でできたループアンテナをセンサーアンテナ１５として設置する。このとき、センサーアンテナ１５の電極を、圧電素子温度センサ１６の２つの励振電極に接続する。このように上下で重ね合わせた圧電素子温度センサ１６とセンサーアンテナ１５を、第１の実施の形態でも説明したように、耐熱性のあるシリコンで被覆されるようにするものである。
このような構成にすることにより、加熱加工工程においても、温度測定装置１１からの掃引信号波をセンサーアンテナ１５から圧電素子温度センサ１６へ送信することができ、また、圧電素子温度センサ１６から残響振動波をセンサーアンテナ１５が受信し、その残響振動波を温度測定装置１１へ送信して、測定用シリコンウエハ１８の温度計測が行われるものである。 In the silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus 10 described so far, a pair of the piezoelectric element temperature sensor 16 and the sensor antenna 15 is embedded in the measurement silicon wafer 18 in order to measure the surface temperature of the measurement silicon wafer 18. It is what is done. For this reason, since the pair of the piezoelectric element temperature sensor 16 and the sensor antenna 15 is exposed to a high-temperature atmosphere in the heating process as in the measurement silicon wafer 18, the structure needs to have heat resistance. There is something.
First, as the piezoelectric element temperature sensor 16, two sets of excitation electrodes are installed so as to sandwich the upper and lower sides of the piezoelectric vibrator. A loop antenna made of, for example, copper or platinum wire, which can withstand high temperatures during heat processing, for example, made of copper or platinum wire is installed as a sensor antenna 15 thereon. At this time, the electrode of the sensor antenna 15 is connected to the two excitation electrodes of the piezoelectric element temperature sensor 16. As described in the first embodiment, the piezoelectric element temperature sensor 16 and the sensor antenna 15 that are superposed on each other in this manner are covered with heat-resistant silicon.
With this configuration, the sweep signal wave from the temperature measuring device 11 can be transmitted from the sensor antenna 15 to the piezoelectric element temperature sensor 16 in the heating process, and the reverberation from the piezoelectric element temperature sensor 16 can be achieved. The sensor antenna 15 receives the vibration wave and transmits the reverberation vibration wave to the temperature measurement device 11 to measure the temperature of the measurement silicon wafer 18.

図７（ａ）には、本発明で温度センサとして水晶片を使用した場合の水晶振動子の共通点付近における電気的な等価回路を示している。図示するＬは外付けされるセンサーアンテナであり、水晶振動子は、並列容量Ｃｏ、付加容量Ｃ１、モーショナルインピーダンスとなるリアクタンスＬ１、実効抵抗Ｒ１、として示している。この等価回路は、一般的にインピーダンス値が最小となる低い方の直列共振点ｆｒと、インピーダンス値が最大となる高い周波数で半（並列）共振点ｆａが現れる。
図７（ｂ）は、共振点付近のインピーダンス変化特性を拡大して示したもので、ｆｒ点は直列共振点、ｆａ点は並列共振点であり、水晶振動子はこれらの共振点の周波数差Δｆの区間で誘導性リアクタンスを示す。 FIG. 7A shows an electrical equivalent circuit in the vicinity of the common point of the crystal resonator when a crystal piece is used as the temperature sensor in the present invention. L shown in the figure is an externally mounted sensor antenna, and the crystal resonator is shown as a parallel capacitor Co, an additional capacitor C1, a reactance L1 serving as a motional impedance, and an effective resistance R1. In this equivalent circuit, generally, a lower series resonance point fr where the impedance value is minimum and a half (parallel) resonance point fa appear at a high frequency where the impedance value is maximum.
FIG. 7B is an enlarged view of the impedance change characteristic near the resonance point. The fr point is a series resonance point, the fa point is a parallel resonance point, and the crystal resonator has a frequency difference between these resonance points. Inductive reactance is shown in the interval Δf.

図８は、温度センサの圧電振動子から発信される残響振動波の共振周波数と温度の関係について示した図である。
図８（ａ）は、圧電振動子の圧電素子として水晶片が使用されている場合のある温度範囲内での残響振動波の共振周波数と温度の関係を示した図である。図示するように水晶が用いられた圧電振動子は、この水晶と同じ共振周波数又は近似した共振周波数を受信した場合、温度が高くなるにつれて発信される残響振動波の共振周波数も高くなる傾向をもたせることができる。
また、図８（ｂ）は、圧電振動子の圧電素子としてランガサイトを使用している場合の残響振動波の共振周波数と温度の関係を示した図である。このランガサイトの圧電振動子は、水晶と同じ共振周波数又は近似した共振周波数を受信すると、温度が低くなるにつれて発信される残響振動波の共振周波数も低くなる傾向をもたせることができる。 FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the resonance frequency of the reverberation vibration wave transmitted from the piezoelectric vibrator of the temperature sensor and the temperature.
FIG. 8A is a diagram showing the relationship between the resonance frequency of the reverberation vibration wave and the temperature within a certain temperature range when a crystal piece is used as the piezoelectric element of the piezoelectric vibrator. As shown in the figure, when a piezoelectric vibrator using a crystal receives the same resonance frequency as the crystal or an approximate resonance frequency, the resonance frequency of the reverberation vibration wave transmitted tends to increase as the temperature increases. be able to.
FIG. 8B is a diagram showing the relationship between the resonance frequency of the reverberation vibration wave and the temperature in the case where the langasite is used as the piezoelectric element of the piezoelectric vibrator. When the Langasite piezoelectric vibrator receives the same resonance frequency as the quartz crystal or an approximate resonance frequency, the resonance frequency of the reverberation vibration wave transmitted can be made lower as the temperature becomes lower.

一般に圧電振動子の共振周波数fと温度Tは非直的な変化となり、例えば以下の多項式によって周波数の変化率を算出するようにしている。

Δf/f＝A(T-To)＋B(T-To)2＋C(T-To)3・・・＋n(T-To)n

この多項式においては、それぞれ、共振周波数の違う圧電素子に対応したA,B,C・・・nの係数を事前にキャリブレーション等で求めておき、それぞれの圧電素子に対応した係数として温度測定装置１１の記憶部に記憶しておく。そして、測定用シリコンウエハ１８の表面温度と予想される任意の温度Tから基準温度Toを減算した温度(T-To)を求め、周波数の変化率であるΔf/fを求める。このとき、(T-To)、(T-To)2、(T-To)3・・・(T-To)nのnの次数は、n＝９〜１３次として計算すると、近似誤差の少ない周波数の変化率を算出することができる。 In general, the resonance frequency f and the temperature T of the piezoelectric vibrator are indirect changes. For example, the frequency change rate is calculated by the following polynomial.

Δf / f = A (T-To) + B (T-To) 2 + C (T-To) 3 ... + n (T-To) n

In this polynomial, the coefficients of A, B, C... N corresponding to the piezoelectric elements having different resonance frequencies are obtained in advance by calibration or the like, and the temperature measuring device is used as the coefficient corresponding to each piezoelectric element. 11 storage units. Then, a temperature (T-To) obtained by subtracting the reference temperature To from the surface temperature of the measurement silicon wafer 18 and an expected arbitrary temperature T is obtained, and Δf / f which is a frequency change rate is obtained. At this time, (T-To), ( T-To) 2, is the order of n in (T-To) 3 ··· ( T-To) n, is calculated as n = 9 to 13 following, the approximation error A change rate of a small frequency can be calculated.

上記図８において説明したように、温度測定装置１１は、圧電振動子からの残響振動波の共振周波数を基にして測定用シリコンウエハ１８の温度を測定するものであるが、そのときの温度測定装置１１における温度測定の動作原理について図９において説明する。
先ず、温度測定装置１１からは、任意のチャンネルＣｈ、又は、全てのチャンネルＣｈへ掃引信号波における所定の帯域の共振周波数信号である送信信号Ａを送信する。温度測定装置１１から送信された送信信号Ａは、小型送受信アンテナ１４又は単一の大型送受信アンテナ２０を介して任意のチャンネルＣｈ、又は全てのチャンネルＣｈへ送信される。この送信信号Ａは期間ｔ０の間、温度測定装置１１から送信され、送信信号Ａの送信期間、期間ｔ０が終了したタイミング以降、温度測定装置１１は受信期間Ｂの期間ｔ１の間、圧電素子温度センサ１６からの残響信号Ｃを検出するために待機する。そして、温度測定装置１１は、エコー検出信号Ｄが圧電素子温度センサ１６から発信された残響振動波である残響信号Ｃを検出したら、エコー検出信号Ｄの期間ｔ３が終了した直後から残響信号Ｃの計測を開始する。この残響信号Ｃを計測する期間としては、計測パルスＥの期間ｔ２の間である。図示するように、計測パルスＥの期間ｔ２と同じ期間に、計測タイミング信号Ｆが残響信号Ｃの交番信号のみ（残響周波数のみ）をを計測する。そして、計測パルスＥが発信している期間ｔ２が終了したタイミングで演算Ｇを行う。この演算Ｇでは、計測した残響信号の発信周波数に基づいて温度を観測するものである。そして、演算Ｇをおこなう期間ｔ４が終了したタイミングで、温度センサ１６の受信期間Ｂも終了する。
なお、受信期間Ｂの間に圧電素子温度センサ１６からの残響信号Ｃをエコー検出信号Ｄが検出しなかった場合は、エコー検出信号Ｄの期間ｔ３が終了したタイミングで受信期間Ｂの期間ｔ１も終了して、掃引信号波における別の帯域の周波数を任意のチャンネルＣｈ、又は、全てのチャンネルＣｈへ送信する。 As described above with reference to FIG. 8, the temperature measuring device 11 measures the temperature of the measurement silicon wafer 18 based on the resonance frequency of the reverberation vibration wave from the piezoelectric vibrator. The operation principle of temperature measurement in the apparatus 11 will be described with reference to FIG.
First, the temperature measurement device 11 transmits a transmission signal A that is a resonance frequency signal of a predetermined band in the sweep signal wave to an arbitrary channel Ch or all channels Ch. The transmission signal A transmitted from the temperature measuring device 11 is transmitted to an arbitrary channel Ch or all channels Ch via the small transmission / reception antenna 14 or the single large transmission / reception antenna 20. This transmission signal A is transmitted from the temperature measurement device 11 during the period t0, and the temperature measurement device 11 performs the piezoelectric element temperature during the period t1 of the reception period B after the transmission period of the transmission signal A, the timing at which the period t0 ends. It waits in order to detect the reverberation signal C from the sensor 16. Then, when the temperature measurement device 11 detects the reverberation signal C, which is the reverberation vibration wave transmitted from the piezoelectric element temperature sensor 16, the temperature measurement device 11 detects the reverberation signal C immediately after the period t3 of the echo detection signal D ends. Start measurement. The period during which the reverberation signal C is measured is during the period t2 of the measurement pulse E. As shown in the figure, during the same period as the period t2 of the measurement pulse E, the measurement timing signal F measures only the alternating signal of the reverberation signal C (only the reverberation frequency). Then, the calculation G is performed at the timing when the period t2 during which the measurement pulse E is transmitted ends. In this calculation G, the temperature is observed based on the measured transmission frequency of the reverberation signal. And the reception period B of the temperature sensor 16 is also complete | finished at the timing which the period t4 which performs the calculation G is complete | finished.
When the echo detection signal D does not detect the reverberation signal C from the piezoelectric element temperature sensor 16 during the reception period B, the period t1 of the reception period B is also the timing when the period t3 of the echo detection signal D ends. Then, the frequency of another band in the sweep signal wave is transmitted to an arbitrary channel Ch or all channels Ch.

図１０は、第１、第２の実施の形態において温度測定を行うときに一台の温度測定装置１１から送信される掃引信号波の周波数の変化図であり、各チャンネルＣｈ毎に階段状に変換していることを示している。
図示する掃引信号波は、任意の周波数帯から始まり段階的にステップアップしながら先ずチャンネル１へ送信されるものである。そして、図示するチャンネルＣｈ１での受信タイミングで圧電素子温度センサ１６からの残響振動波を待機する。この受信期間に残響振動波を受信することが出来たら、次のチャンネルＣｈ２へ切り換えて掃引信号波を送信し、同様にチャンネルＣｈ２において残響振動を波を検出し、以下、全てのチャンネルの残響振動波の検出から、測定用シリコンウエ１８ハ上の各点の温度情報を取得する。
図１０では、温度測定装置１１から各チャンネルＣｈへ掃引信号波を送信する前の期間ｔ０、受信した残響振動波を基に温度の計測と演算を行うための時間としている。
なお、図１０では、第１、第２の実施の形態における掃引信号波の周波数変化について説明したが、単一の大型送受信アンテナ２０で全てのチャンネルＣｈを掃引する第３の実施の形態については、温度測定装置１１は、全てのチャンネルＣｈからの残響振動波が受信できるように、周波数を徐々に変化させながらより広い掃引幅で掃引信号波を送信し続けるようにする。 FIG. 10 is a frequency change diagram of the sweep signal wave transmitted from one temperature measurement device 11 when performing temperature measurement in the first and second embodiments, and is stepwise for each channel Ch. Indicates that conversion is in progress.
The sweep signal wave shown in the figure is first transmitted to the channel 1 while starting from an arbitrary frequency band and stepping up stepwise. And the reverberation vibration wave from the piezoelectric element temperature sensor 16 is waited at the reception timing in the channel Ch1 shown in the figure. If a reverberation vibration wave can be received during this reception period, the channel is switched to the next channel Ch2 and a sweep signal wave is transmitted. Similarly, the reverberation vibration is detected in the channel Ch2, and the reverberation vibrations of all the channels are hereinafter referred to. Temperature information of each point on the measurement silicon wafer 18 is acquired from the wave detection.
In FIG. 10, the period t0 before the sweep signal wave is transmitted from the temperature measuring device 11 to each channel Ch is the time for measuring and calculating the temperature based on the received reverberation vibration wave.
In addition, although FIG. 10 demonstrated the frequency change of the sweep signal wave in 1st, 2nd embodiment, about 3rd Embodiment which sweeps all the channels Ch with the single large transmission / reception antenna 20. FIG. The temperature measuring device 11 continuously transmits the sweep signal wave with a wider sweep width while gradually changing the frequency so that the reverberation vibration waves from all the channels Ch can be received.

図１１は、第１、第２の実施の形態において小型送受信アンテナ１４又は単一の大型送受信アンテナ２０から励振周波数の信号を送信すると共に残響信号を検出し、その共振周波数を計測するために用いられる温度測定装置１１のブロック図を示した図である。この温度測定装置１１は、例えばマイクロコンピュータで形成される制御部８１により全体を統括制御するようにされている。
図示する信号出力部７０は、制御部８１の制御に基づき、基準クロック信号を出力する信号源であり、カウンタ７１はクロック信号を計測し、所定の計算値でリセットされるカウンタ回路である。Ｄ／Ａ変換器７２は、制御部８１の制御に基づき、カウンタ７１によりカウントされた値に基づいて、デジタル信号からアナログ信号へ入力信号を変換する変換器である。ＶＯＣ７３は、Ｄ／Ａ変換器７２の出力信号レベルによって周波数が変化する電圧可変発信器である。
送信部７４は、ＶＣＯ７３から出力される信号（階段状の掃引）を制御部８１の制御に基づき、所定の周波数に変換し、パワーアップする周波数変換器や高周波増幅器を備え、ＳＷ（スイッチ回路）７５を介して送信部７４からの信号を小型送信受信アンテナ１４もしくは単一の大型送受信アンテナ２０へ送信する。
また、小型送信受信アンテナ１４もしく単一の大型送受信アンテナ２０で受信された残響振動波は、受信期間（例えば、送信期間ｔ0の終了）後からＳＷ７５で切り換えられて受信部７６へ入力されるように制御部８１の制御に基づき行う。
そして、受信部７６は、入力された外部からの信号（残響波）を効果的に増幅する。また、検波部７７は、入力信号を検波し残響波の有無を検出する検波回路である。
ＲＡＭ７９は、例えば上記カウンタ７１の計算出力でインクリメントされたデータを保持しており、検波部７７からの残響波が検出された時点でそのカウントデータが読出されるようなＲＡＭテーブルである。そして、前記ＲＡＭ７９から読み出されたデータが制御部８１において演算され、必要に応じて測定用シリコンウエハ１８の各部の温度を表示部８０へ表示するものである。 FIG. 11 is used to transmit a signal of an excitation frequency from the small transmission / reception antenna 14 or the single large transmission / reception antenna 20 in the first and second embodiments, detect a reverberation signal, and measure the resonance frequency. It is the figure which showed the block diagram of the temperature measuring device 11 obtained. The temperature measuring device 11 is configured to be totally controlled by a control unit 81 formed of, for example, a microcomputer.
A signal output unit 70 shown in the figure is a signal source that outputs a reference clock signal based on the control of the control unit 81, and a counter 71 is a counter circuit that measures the clock signal and is reset with a predetermined calculation value. The D / A converter 72 is a converter that converts an input signal from a digital signal to an analog signal based on the value counted by the counter 71 under the control of the control unit 81. The VOC 73 is a voltage variable oscillator whose frequency changes according to the output signal level of the D / A converter 72.
The transmission unit 74 includes a frequency converter and a high-frequency amplifier that converts a signal (stepped sweep) output from the VCO 73 into a predetermined frequency based on the control of the control unit 81, and powers up. SW (switch circuit) The signal from the transmission unit 74 is transmitted to the small transmission / reception antenna 14 or the single large transmission / reception antenna 20 via 75.
Further, the reverberation vibration wave received by the small transmission / reception antenna 14 or the single large transmission / reception antenna 20 is switched by the SW 75 after the reception period (for example, the end of the transmission period t0) and input to the reception unit 76. As described above, the control is performed based on the control of the controller 81.
And the receiving part 76 amplifies the input signal (reverberation wave) from the outside effectively. The detection unit 77 is a detection circuit that detects an input signal and detects the presence or absence of a reverberation wave.
The RAM 79 is a RAM table in which, for example, data incremented by the calculation output of the counter 71 is held, and the count data is read when a reverberation wave from the detection unit 77 is detected. The data read from the RAM 79 is calculated by the control unit 81, and the temperature of each part of the measurement silicon wafer 18 is displayed on the display unit 80 as necessary.

図１２は、第１、第２、第３の実施の形態において用いられる他の形式の温度測定装置１１のブロック図示したものである。
この図１２に示す温度測定装置１１は、上記図１１に示した温度測定装置１１と同様に小型送受信アンテナ１４又は単一の大型送受信アンテナ２０から励振周波数の信号を送信すると共に残響信号を検出し、その共振周波数を計測するために用いられる。また、この図１１に示す温度測定装置１１においても、例えばマイクロコンピュータで形成される制御部８１により全体を統括制御するようにされている。 FIG. 12 is a block diagram of another type of temperature measuring device 11 used in the first, second, and third embodiments.
The temperature measuring device 11 shown in FIG. 12 transmits an excitation frequency signal and detects a reverberation signal from the small transmitting / receiving antenna 14 or the single large transmitting / receiving antenna 20 similarly to the temperature measuring device 11 shown in FIG. , Used to measure its resonant frequency. In addition, in the temperature measuring apparatus 11 shown in FIG. 11, the entire control is performed by a control unit 81 formed of, for example, a microcomputer.

この図においても信号出力部７０は、制御部８１の制御に基づき、基準クロック信号を出力する信号源であり、カウンタ７１ａは信号出力部７０からの基準クロック信号を計測して、所定の計算値でリセットされるカウンタ回路である。Ｄ／Ａ変換器７２は、制御部８１の制御に基づき、カウンタ７１ａにより計算された値に基づいてデジタル信号からアナログ信号へ入力信号を変換する変換器である。そして、ＶＣＯ７３は、入力信号レベル、すなわちカウンタ７１ａのカウント値によって周波数が変化する掃引型の電圧可変発信器である。
送信部７４は、制御部８１の制御に基づき、ＶＣＯ７３から出力された掃引信号波を初手の周波数に変換すると共にパワーアップして。ＳＷ７５を介して小型送信受信アンテナ１４もしくは単一の大型送受信アンテナ２０へ送信する。
又、小型送信受信アンテナ１４若しくは単一の大型送受信アンテナ２０からの信号は上記制御部８１の制御に基づきスイッチ回路７５を介して、受信部７６に入力される。入力された外部からの信号（残響波）は、検波部７７において検波され、残響波の有無を検出する検波回路とされている。
この実施例では検波部７７の出力によって、計測パルス発生器７８が駆動され計測用のパルス信号が発生するようにしている。そして、この計測用のパルス信号によって受信部７６の出力、すなわち、残響波信号波が入力されているカウンタ７１ｂを制御し、残響信号波の周波数を直接カウンタ７１ｂで計測して、その計測値をＲＡＭ７９に記憶させる。
ＲＡＭ７９に記憶されているデータは制御部８１において温度データに変換され、そのデータが表示部８０等に表示されると共に、その温度データが先に説明した加熱手段の温度制御データとして出力されるものである。 Also in this figure, the signal output unit 70 is a signal source that outputs a reference clock signal based on the control of the control unit 81, and the counter 71a measures the reference clock signal from the signal output unit 70 to obtain a predetermined calculated value. It is a counter circuit reset by. The D / A converter 72 is a converter that converts an input signal from a digital signal to an analog signal based on the value calculated by the counter 71 a based on the control of the control unit 81. The VCO 73 is a sweep-type variable voltage transmitter whose frequency changes according to the input signal level, that is, the count value of the counter 71a.
Based on the control of the control unit 81, the transmission unit 74 converts the sweep signal wave output from the VCO 73 into the initial frequency and powers up. The data is transmitted to the small transmission / reception antenna 14 or the single large transmission / reception antenna 20 via the SW 75.
A signal from the small transmission / reception antenna 14 or the single large transmission / reception antenna 20 is input to the reception unit 76 via the switch circuit 75 based on the control of the control unit 81. The input external signal (reverberation wave) is detected by the detection unit 77 to form a detection circuit that detects the presence or absence of the reverberation wave.
In this embodiment, the measurement pulse generator 78 is driven by the output of the detector 77 to generate a pulse signal for measurement. Then, the counter 71b to which the output of the receiving unit 76, that is, the reverberation wave is input, is controlled by this measurement pulse signal, the frequency of the reverberation wave is directly measured by the counter 71b, and the measured value is obtained. It is stored in the RAM 79.
Data stored in the RAM 79 is converted into temperature data by the control unit 81, and the data is displayed on the display unit 80 and the like, and the temperature data is output as the temperature control data of the heating means described above. It is.

図１３は、センサーアンテナ１５と小型送受信アンテナ１４又は単一の大型送受信アンテナ２０との間で信号の送受信が良好となる距離（Ｄ）を縦軸に、センサーアンテナ１５のインダクタンスを横軸に示している。
図示するように、センサーアンテナ１５と小型送受信アンテナ１４又は単一の大型送受信アンテナ２０との間で送受信が良好に行われる距離が最大距離Ｄｍとなるときの、センサーアンテナ１５のインダクタンス値Ｌｍを示している。このインダクタンス値Ｌｍは、実験によるとインダクタンス値Ｌｍと振動素子の並列容量Ｃｏとの共振周波数が、圧電振動子の共振周波数（モーショナル）と近似するように選択することが好ましい。 FIG. 13 shows the distance (D) at which signal transmission / reception is good between the sensor antenna 15 and the small transmission / reception antenna 14 or the single large transmission / reception antenna 20 on the vertical axis and the inductance of the sensor antenna 15 on the horizontal axis. ing.
As shown in the figure, the inductance value Lm of the sensor antenna 15 when the distance at which transmission / reception is satisfactorily performed between the sensor antenna 15 and the small transmission / reception antenna 14 or the single large transmission / reception antenna 20 is the maximum distance Dm is shown. ing. The inductance value Lm is preferably selected so that the resonance frequency of the inductance value Lm and the parallel capacitance Co of the vibration element approximates the resonance frequency (motional) of the piezoelectric vibrator according to experiments.

なお、温度測定装置１１で測定した計測用シリコンウエハ１８の温度を表示部８０ではなく、例えば音声で表現されるようにしてもよい。また、温度測定装置１１から直接、計測用シリコンウエハ１８の加熱加工を行う熱処理装置へ温度情報を供給して熱処理装置の温度制御を行うように構成することが好ましい。   Note that the temperature of the measurement silicon wafer 18 measured by the temperature measurement device 11 may be expressed by, for example, voice instead of the display unit 80. Further, it is preferable that temperature information is directly supplied from the temperature measuring apparatus 11 to a heat treatment apparatus that heats the measurement silicon wafer 18 to control the temperature of the heat treatment apparatus.

本発明のシリコンウエハ多点温度測定装置で測定されたシリコンウエハの加熱加工時の温度データは、制御用のコンピュータに取り込まれ、所定の演算処理を行ってシリコンウエハを加熱する加熱装置にフィードバックされ、このシリコンウエハで施される加熱加工工程が正確に行われるようにするために使用することができる。   The temperature data at the time of heat processing of the silicon wafer measured by the silicon wafer multipoint temperature measuring device of the present invention is taken into a control computer and fed back to a heating device that heats the silicon wafer by performing a predetermined arithmetic processing. It can be used to ensure that the heat processing step performed on this silicon wafer is performed accurately.

本発明の第１の実施の形態におけるシリコンウエハ多点温度測定装置の概略図を示した図である。It is the figure which showed the schematic of the silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus in the 1st Embodiment of this invention. 第２の実施の形態におけるシリコンウエハ多点温度測定装置の概略図を示した図である。It is the figure which showed the schematic of the silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus in 2nd Embodiment. 第３の実施の形態におけるシリコンウエハ多点温度測定装置の概略図を示した図である。It is the figure which showed the schematic of the silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus in 3rd Embodiment. 単芯耐熱ケーブルの構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of a single core heat-resistant cable. 加熱加工工程においシリコンウエハを加熱する枚葉型熱処理装置の構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the single wafer type heat processing apparatus which heats a silicon wafer in a heat processing process. 加熱加工工程においシリコンウエハを加熱するバッチ型熱処理装置の構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the batch type heat processing apparatus which heats a silicon wafer in a heat processing process. 温度センサに用いられる圧電振動子の共通点付近における電気的な等価回路と、共振点付近のインピーダンス変化特性を拡大した図である。It is the figure which expanded the electrical equivalent circuit near the common point of the piezoelectric vibrator used for a temperature sensor, and the impedance change characteristic near a resonance point. 圧電振動子から発信される周波数と温度との関係を示した図である。It is the figure which showed the relationship between the frequency transmitted from a piezoelectric vibrator, and temperature. 温度測定装置において発信周波数を基にして温度を測定する際の温度測定の動作原理について示した図である。It is the figure which showed the operation | movement principle of the temperature measurement at the time of measuring temperature based on a transmission frequency in a temperature measurement apparatus. 温度測定装置から送信する周波数の変化と、圧電振動子からの周波数を受信するタイミングを示した図である。It is the figure which showed the change of the frequency transmitted from a temperature measuring apparatus, and the timing which receives the frequency from a piezoelectric vibrator. 第１の実施の形態、第２の実施の形態で用いられる温度測定装置の構成の一例を示したブロック図である。It is the block diagram which showed an example of the structure of the temperature measurement apparatus used by 1st Embodiment and 2nd Embodiment. 第３の実施の形態で用いられる温度測定装置の構成の一例を示したブロック図である。It is the block diagram which showed an example of the structure of the temperature measuring device used by 3rd Embodiment. センサーアンテナと送受信アンテナ・大型送受信アンテナの距離とセンサーアンテナのインダクタンスとの関係を示した図である。It is the figure which showed the relationship between the distance of a sensor antenna, a transmission / reception antenna, and a large transmission / reception antenna, and the inductance of a sensor antenna. 被測定物に対する多点の温度測定を行うための模式図である。It is a schematic diagram for performing multipoint temperature measurement with respect to an object to be measured. 半導体ウエハ基板の加熱方法と、温度測定装置の説明図である。It is explanatory drawing of the heating method of a semiconductor wafer substrate, and a temperature measuring apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１（１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ）・ １６（１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆ） 圧電素子温度センサ、２（２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ） ケーブル、３（Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３）・１１ 温度測定装置、４ 加熱装置、５ 加熱電源、６ シリコンウエハ、１０ シリコンウエハ多点温度測定装置、１２ インピーダンス整合器、１３ 多芯耐熱ケーブル、１４（１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆ） 小型送受信アンテナ、１５（１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，１５ｆ） センサーアンテナ、１６（１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆ）、１７・２３ 石英、１８ 計測用シリコンウエハ、１９ 単芯耐熱ケーブル、２０ 大型送受信アンテナ、２１ 特性インピーダンス、２２ ツイストコード、２５ 同軸ケーブル、２６ コネクタ、３０ チャンバー、３１ 支持台、３２・４５ 加熱ランプ、３３ ドア、３４・４２ ガス入口、３５・４３ ガス出口、３６ 反射板、４０ 石英ボート、４１ 石英反応管、４４ 均熱管、７０ 信号出力部、７１（７１ａ，７１ｂ） カウンタ、７２ Ｄ／Ａ変換器、７３ ＶＣＯ、７４ 送信部、７５ ＳＷ、７６ 受信部、７７ 検波部、７８ 計測パルス発信器、７９ ＲＡＭ、８０ 表示部、８１ 制御部、９０ 加熱制御装置、９１ 加熱手段、１００ 枚葉型熱処理装置、２００ バッチ型熱処理装置   1 (1a, 1b, 1c, 1d, 1e), 16 (16a, 16b, 16c, 16d, 16e, 16f) Piezoelectric element temperature sensor, 2 (2a, 2b, 2c, 2d, 2e) cable, 3 (Y1, Y2, Y3) · 11 Temperature measuring device, 4 Heating device, 5 Heating power source, 6 Silicon wafer, 10 Silicon wafer multi-point temperature measuring device, 12 Impedance matching device, 13 Multi-core heat resistant cable, 14 (14a, 14b, 14c, 14d, 14e, 14f) Small transmitting / receiving antenna, 15 (15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f) Sensor antenna, 16 (16a, 16b, 16c, 16d, 16e, 16f), 17.23 quartz, 18 for measurement Silicon wafer, 19 single-core heat-resistant cable, 20 large transmitting / receiving antenna, 21 characteristic impedance, 22 Strord, 25 Coaxial cable, 26 Connector, 30 Chamber, 31 Support base, 32/45 Heating lamp, 33 Door, 34/42 Gas inlet, 35/43 Gas outlet, 36 Reflector, 40 Quartz boat, 41 Quartz reaction tube , 44 Heat equalizing tube, 70 Signal output unit, 71 (71a, 71b) Counter, 72 D / A converter, 73 VCO, 74 Transmitter, 75 SW, 76 Receiver, 77 Detector, 78 Measurement pulse transmitter, 79 RAM, 80 display unit, 81 control unit, 90 heating control device, 91 heating means, 100 single wafer type heat treatment device, 200 batch type heat treatment device

Claims (9)

シリコンウエハ加熱手段内の被加工シリコンウエハ設置位置に設置されるシリコンウエハ素材と、
前記シリコンウエハ素材の所定の位置にセンサーアンテナ部と共に装着された複数個の圧電振動子と、
前記センサーアンテナ部に電磁波を照射すると共に、前記圧電振動子の残響振動波を受信するための送受信アンテナと、
前記送受信アンテナを介して前記センサーアンテナ部に所定の掃引信号波を送信する送信部と、
前記センサーアンテナ部から発信された残響振動波の周波数を計測する計測部とを備え、
前記残響振動波の周波数に基づいて前記シリコンウエハ素材の表面温度を測定することを特徴とするシリコンウエハ多点温度測定装置。 A silicon wafer material installed at a silicon wafer setting position in the silicon wafer heating means;
A plurality of piezoelectric vibrators mounted together with a sensor antenna unit at a predetermined position of the silicon wafer material;
A transmitting / receiving antenna for irradiating the sensor antenna unit with electromagnetic waves and receiving a reverberation vibration wave of the piezoelectric vibrator,
A transmission unit that transmits a predetermined sweep signal wave to the sensor antenna unit via the transmission / reception antenna;
A measurement unit that measures the frequency of the reverberation vibration wave transmitted from the sensor antenna unit,
A silicon wafer multi-point temperature measuring apparatus for measuring a surface temperature of the silicon wafer material based on a frequency of the reverberation vibration wave. 上記センサーアンテナ部は、上記圧電振動子の励振電極に対して並列に接続されているループアンテナによって構成されていることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウエハ多点温度測定装置。   2. The silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus according to claim 1, wherein the sensor antenna unit is constituted by a loop antenna connected in parallel to the excitation electrode of the piezoelectric vibrator. 上記センサーアンテナ部、及び圧電振動子は耐熱材によって被覆されることにより１組の温度センサとされ、上記シリコンウエハ素材の表面に全部、又は一部が埋設されていることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウエハ多点温度測定装置。   The sensor antenna unit and the piezoelectric vibrator are covered with a heat-resistant material to form a set of temperature sensors, and all or part of the surface of the silicon wafer material is embedded. 2. A silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus according to 1. 上記センサーアンテナ部に照射される掃引信号波は、所定の周波数でステップアップして上記圧電振動子の共振周波数が含まれる帯域を掃引するように構成したことを特徴とする請求項１に記載のシリコンウエハ多点温度測定装置。   The sweep signal wave applied to the sensor antenna unit is configured to step up at a predetermined frequency and sweep a band including a resonance frequency of the piezoelectric vibrator. Silicon wafer multi-point temperature measuring device. 上記残響振動波の周波数は、上記計測部において周波数カウンタで計測されることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウエハ多点温度測定装置。   2. The silicon wafer multipoint temperature measurement apparatus according to claim 1, wherein the frequency of the reverberation vibration wave is measured by a frequency counter in the measurement unit. 上記シリコンウエハ加熱手段は、枚葉型であることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウエハ多点温度測定装置。   2. The silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus according to claim 1, wherein the silicon wafer heating means is a single wafer type. 上記シリコンウエハ加熱手段は、バッチ型とされていることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウエハ多点温度測定装置。   2. The silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus according to claim 1, wherein the silicon wafer heating means is a batch type. 上記圧電振動子は水晶片によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウエハ多点温度測定装置。   2. The silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus according to claim 1, wherein the piezoelectric vibrator is formed of a quartz piece. 上記圧電振動子はランガサイトによって構成されていることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウエハ多点温度測定装置。   2. The silicon wafer multipoint temperature measuring apparatus according to claim 1, wherein the piezoelectric vibrator is composed of Langasite.
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