JP2009224650A - Surface roughing apparatus for roughing build-up substrate insulating layer - Google Patents

Surface roughing apparatus for roughing build-up substrate insulating layer Download PDF

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剣志郎 池田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface roughing apparatus for roughing a build-up substrate insulating layer which surface roughing apparatus simultaneously and uniformly roughs insulating layers formed on both surfaces of a substrate at low cost in carrying out a dipping surface roughing process on the insulating layer. <P>SOLUTION: The surface roughing apparatus leads a processed etching solution 1 in a processing tank 2 into an electrolytic regenerating tank 6 to regenerate the etching solution 1, and transfers the regenerated etching solution 1 back into the processing tank 2, thus carries out a roughing process while circulating the etching solution 1. The processing tank 2 has a plurality of discharge ports 41 and 42, one or more supply ports 8, and a valve 9 disposed on a pipeline for selecting a circulating path for the etching solution 1. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、大サイズの半導体パッケージ基板の表面粗化に関するものであり、特に、絶縁層のエッチング量に偏りのない一様な粗化を行う場合に好適に利用できる、ビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置に関する。   The present invention relates to surface roughening of a large-sized semiconductor package substrate. In particular, the present invention relates to a build-up substrate insulating layer that can be suitably used for performing uniform roughening with no bias in the etching amount of the insulating layer. The present invention relates to a surface roughening apparatus.

BGA基板を始めとする、高集積、高周波用途向け半導体パッケージ用基板には、一般に、コア材の表面に絶縁層となる樹脂を塗布し、これに直接メッキ形成しパターンエッチングすることによりプリント基板を形成するビルドアップ方式が採用されている。このビルドアップ方式では、絶縁層とメッキとの密着性を良好にするために、メッキ処理前に絶縁層の表面を荒らす粗化処理を施す必要がある。その方法としては、エッチング液を満たした処理槽内に基板を浸す、ディップ式エッチングによる粗化が主に採用されている。   In general, a substrate for a semiconductor package for high integration and high frequency applications such as a BGA substrate is coated with a resin serving as an insulating layer on the surface of a core material, and then directly plated and patterned to form a printed circuit board. The build-up method to be formed is adopted. In this build-up method, in order to improve the adhesion between the insulating layer and the plating, it is necessary to perform a roughening process for roughening the surface of the insulating layer before the plating process. As the method, roughening by dip etching, in which the substrate is immersed in a processing tank filled with an etching solution, is mainly employed.

ディップ式による方法では、エッチング液の反応効果を持続させるために、処理済みのエッチング液を電解再生槽で再生しながら循環させている。従って、基板は静止したエッチング液内ではなく、常に流動しているエッチング液内に浸される。この時、基板近傍のエッチング液の流れが一様であれば、均一なエッチング速度が得られる。しかしながら、従来のディップ式の処理槽では、処理槽内でエッチング液の滞留が生じ、エッチング液の疲労分布に差が生じる。そのため、エッチング速度にばらつきが生じるといった問題がある。   In the dip type method, in order to maintain the reaction effect of the etching solution, the treated etching solution is circulated while being regenerated in the electrolytic regeneration tank. Therefore, the substrate is not immersed in a stationary etchant, but in a constantly flowing etchant. At this time, if the flow of the etching solution near the substrate is uniform, a uniform etching rate can be obtained. However, in the conventional dip type treatment tank, the etchant stays in the treatment tank, and a difference occurs in the fatigue distribution of the etchant. Therefore, there is a problem that the etching rate varies.

このエッチング速度のバラツキを低減するために様々な提案がなされている。
例えば、特許文献1に示すように、基板(被処理物)を装着したフレームを処理槽内で振動させ、エッチング液を撹拌させることで、エッチング速度のばらつきを低減し、基板のエッチングを均一化する表面粗化装置が提案されている。また、特許文献2では、基板を装着したカセットを処理槽内で回転させ、エッチング液を撹拌させることで、エッチング速度のばらつきを低減し、基板のエッチングを均一化する表面粗化装置が提案されている。
特開平8−41659号公報 特開2006−32609号公報
Various proposals have been made to reduce the variation in the etching rate.
For example, as shown in Patent Document 1, the variation of the etching rate is reduced and the etching of the substrate is made uniform by vibrating the frame on which the substrate (object to be processed) is mounted in the processing tank and stirring the etching solution. A surface roughening apparatus has been proposed. Further, Patent Document 2 proposes a surface roughening device that reduces variation in etching speed and makes substrate etching uniform by rotating a cassette equipped with a substrate in a processing tank and stirring the etching solution. ing.
JP-A-8-41659 JP 2006-32609 A

しかしながら、大型基板においては、特許文献1の方法では基板端部に比較して基板中央部のエッチング液の攪拌が少ないため、相対的にエッチング速度が遅くなり、エッチングが十分に均一化されないといった問題がある。また、特許文献2の方法では、基板中央部のエッチング液の攪拌が十分でないことに加え、基板の回転に必要な処理槽の大きさを確保しなければならない。また、処理槽を大きくしたことに伴って循環させるエッチング液量も増やす必要があり、エッチング液を供給する供給ポンプの高性能化と、駆動のための消費エネルギーの増加によってコストアップにつながる。   However, in the case of a large substrate, the method of Patent Document 1 has a problem that the etching rate is relatively slow and the etching is not sufficiently uniformed because the etching solution in the central portion of the substrate is less agitated than the edge portion of the substrate. There is. Moreover, in the method of Patent Document 2, in addition to insufficient stirring of the etching solution at the center of the substrate, the size of the processing tank necessary for rotating the substrate must be ensured. In addition, it is necessary to increase the amount of the etching solution to be circulated along with the increase in the processing tank, which leads to an increase in cost by improving the performance of the supply pump that supplies the etching solution and increasing the energy consumption for driving.

ディップ式以外の方法としては、スプレーノズルでエッチング液を基板に吹き付けてエッチングするスプレー式がある。しかし、このスプレー式では、エッチング液を基板に均一に当てることが困難であるためにエッチング速度にバラツキが生じるといった問題や、スプレー圧力でエッチング部の底部が不均一な形状となるなどの問題がする。
また、この他の方法としては、プラズマ方式によりエッチングを行う方法も知られているが、A3サイズ以上の面積の基板の両面を同時に均一にエッチングすることは困難である。
As a method other than the dip method, there is a spray method in which an etching solution is sprayed onto a substrate with a spray nozzle to perform etching. However, in this spray type, it is difficult to uniformly apply the etching solution to the substrate, so that there are problems such as variations in the etching rate, and problems such as a non-uniform shape at the bottom of the etched portion due to the spray pressure. To do.
As another method, a method of etching by a plasma method is also known, but it is difficult to uniformly etch both surfaces of a substrate having an area of A3 size or more at the same time.

本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、ディップ式による絶縁層の表面粗化において、A3サイズ以上の大きな面積の基板の両面に形成された絶縁層を、同時に均一に低コストで粗化処理を行うことが可能な、ビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置を提供することを課題とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and in the surface roughening of the insulating layer by the dip method, the insulating layers formed on both surfaces of the substrate having a large area of A3 size or more can be made uniform at the same time. Another object of the present invention is to provide a build-up substrate insulating layer surface roughening apparatus capable of performing roughening treatment at low cost.

本発明は、処理槽内で基板の絶縁層の表面を粗化した処理済みエッチング液を、排出口から管路を通して電解再生槽内に導いて再生し、再生後のエッチング液を管路を通して供給口から前記処理槽内に戻し、エッチング液を循環させながら粗化処理を行う表面粗化装置において、前記処理槽は複数の排出口、及び1以上の供給口を有し、エッチング液の循環経路を選択するためのバルブが管路に設けられていることを特徴とするビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置である。   The present invention regenerates a processed etching solution in which the surface of the insulating layer of the substrate is roughened in the processing tank through the conduit through the conduit into the electrolytic regeneration tank, and supplies the regenerated etching solution through the conduit. In the surface roughening apparatus that returns to the inside of the processing tank from the mouth and performs the roughening process while circulating the etching solution, the processing tank has a plurality of discharge ports and one or more supply ports, and the etching solution circulation path A surface roughening device for a build-up substrate insulating layer, characterized in that a valve for selecting is provided in a pipe line.

また、本発明は、上記発明によるビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置において、前記処理槽は、1)略直方体の形状であり、その底部の中央部に供給口が設けられ、
2)a)処理槽内でエッチングが行われる際の基板面と直角の位置にあたる片側面に第1排出口が設けられ、他側面の、第1排出口と対向する位置に第2排出口が設けられ、
b)第1排出口からの第1排出管路と、第2排出口からの第2排出管路が排出管路に合流する箇所に、エッチング液の循環経路を選択するための排出バルブが設けられたことを特徴とするビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置である。
Further, the present invention is the build-up substrate insulating layer surface roughening apparatus according to the above invention, wherein the treatment tank is 1) substantially rectangular parallelepiped shape, a supply port is provided in the center of the bottom,
2) a) A first discharge port is provided on one side surface corresponding to a position perpendicular to the substrate surface when etching is performed in the processing tank, and a second discharge port is provided at a position opposite to the first discharge port on the other side surface. Provided,
b) A discharge valve for selecting a circulation path of the etching solution is provided at a location where the first discharge pipe from the first discharge port and the second discharge pipe from the second discharge port merge with the discharge pipe. This is a surface roughening device for a build-up substrate insulating layer.

また、本発明は、上記発明によるビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置において、前記処理槽は、1)略直方体の形状であり、
2)a)処理槽内でエッチングが行われる際の基板面と直角の位置にあたる片側面に第1排出口が設けられ、他側面の、第1排出口と対向する位置に第2排出口が設けられ、
b)第1排出口からの第1排出管路と、第2排出口からの第2排出管路が排出管路に合流する箇所に、エッチング液の循環経路を選択するための排出バルブが設けられ、
3)a)上記他側面の第2排出口の近傍に第1供給口が設けられ、片側面の、第1供給口と対向する位置に第2供給口が設けられ、
b)電解再生槽からの供給管路が第1供給管路と第2供給管路に分岐する箇所に、エッチング液の循環経路を選択するための供給バルブが設けられたことを特徴とするビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置である。
Further, the present invention is the build-up substrate insulating layer surface roughening apparatus according to the above invention, wherein the treatment tank is 1) a substantially rectangular parallelepiped shape,
2) a) A first discharge port is provided on one side surface corresponding to a position perpendicular to the substrate surface when etching is performed in the processing tank, and a second discharge port is provided at a position opposite to the first discharge port on the other side surface. Provided,
b) A discharge valve for selecting a circulation path of the etching solution is provided at a location where the first discharge pipe from the first discharge port and the second discharge pipe from the second discharge port merge with the discharge pipe. And
3) a) A first supply port is provided in the vicinity of the second discharge port on the other side surface, and a second supply port is provided on the one side surface at a position facing the first supply port.
b) A build characterized in that a supply valve for selecting a circulation path for the etching solution is provided at a location where the supply line from the electrolytic regeneration tank branches into the first supply line and the second supply line. It is the surface roughening apparatus of an up board | substrate insulating layer.

また、本発明は、上記発明によるビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置において、前記エッチング液の循環経路を選択するためのバルブの切換時間の間隔は、粗化処理に要する時間の1/4以下であることを特徴とするビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置である。   Further, according to the present invention, in the build-up substrate insulating layer surface roughening apparatus according to the above-described invention, the valve switching time interval for selecting the etching solution circulation path is 1/4 of the time required for the roughening treatment. A surface roughening device for a build-up substrate insulating layer, characterized in that:

また、本発明は、上記発明によるビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置において、前記処理槽に供給されるエッチング液の液量は、粗化処理時間あたり、処理槽容積の4倍以上であることを特徴とするビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置である。   Further, the present invention is the build-up substrate insulating layer surface roughening apparatus according to the above invention, wherein the amount of the etching solution supplied to the processing bath is at least four times the processing bath volume per roughening processing time. This is a surface roughening device for a build-up substrate insulating layer.

本発明は、エッチング液の循環経路を選択するためのバルブの切り替えによって、処理槽内のエッチング液の流れに変化を与えることができるため、定常的な滞留を防ぎ、基板のエッチング速度のばらつきを減少させることができる。バルブの切り替えによって、処
理槽の底部から供給されるエッチング液を、交互に相対する側面から排出させることができるため、定常的な滞留を防ぎ、基板のエッチング速度のばらつきを減少させることができる。
また、処理槽の側面からエッチング液を供給し対面する側面から排出させることにより、一様な流れを生じさせやすく、基板のエッチング速度のばらつきを減少させる。更に、バルブの切り替えによって、処理槽内の流れを真逆にすることができるため、流れの上流と下流の位置の差によって生じるエッチング量のばらつきを減少させることができる。
The present invention can change the flow of the etching liquid in the processing tank by switching the valve for selecting the circulation path of the etching liquid, thereby preventing steady stagnation and varying the etching rate of the substrate. Can be reduced. By switching the valves, the etching solution supplied from the bottom of the processing tank can be discharged from the opposite side surfaces, so that steady stagnation can be prevented and variations in the etching rate of the substrate can be reduced.
Further, by supplying the etchant from the side surface of the treatment tank and discharging it from the side surface facing, a uniform flow is easily generated, and variations in the etching rate of the substrate are reduced. Furthermore, since the flow in the processing tank can be reversed by switching the valve, the variation in the etching amount caused by the difference between the upstream and downstream positions of the flow can be reduced.

以下、本発明の実施形態について図面に従って説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1は、本発明によるビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置の第1の実施形態を断面で示す概略の構成図である。図1に示すように、表面粗化装置は、エッチング液1を満たす高さ(H)1m、幅20cm、長さ(L)1.2mの略直方体の処理槽2、基板3の絶縁層表面を粗化した処理済みエッチング液を排出する第1排出口41、第2排出口42、それぞれからの第1排出管路51、第2排出管路52、及び排出管路5、バルブ9、電解再生槽6、再生後のエッチング液を供給する供給管路7、循環ポンプ10、処理槽2の底部の供給口8、パンチングメタル12からなる。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a cross-sectional view of a first embodiment of a surface roughening apparatus for a build-up substrate insulating layer according to the present invention. As shown in FIG. 1, the surface roughening apparatus is a substantially rectangular parallelepiped treatment tank 2 having a height (H) of 1 m, a width of 20 cm, and a length (L) of 1.2 m that fills the etching solution 1, and the insulating layer surface of the substrate 3. The first discharge port 41 and the second discharge port 42 for discharging the processed etching solution roughened, respectively, the first discharge pipe 51, the second discharge pipe 52, the discharge pipe 5, the valve 9, and the electrolysis It comprises a regeneration tank 6, a supply pipe line 7 for supplying the regenerated etching solution, a circulation pump 10, a supply port 8 at the bottom of the treatment tank 2, and a punching metal 12.

第1排出管路51と第2排出管路52が合流し排出管路5に接続する箇所には、バルブ9が設けられており、バルブ9を操作することにより、第1排出管路51と第2排出管路52のどちらかを使うよう選択できるようになっている。また、エッチング液は、供給管路7に設置された循環ポンプ10で送られて、処理槽2と電解再生槽6の間を循環する。基板3は、基板支持フォルダ11によって吊り下げられ、処理槽2に漬けられる。また、処理槽2の底面及び側面にパンチングメタル12を設置し、エッチング液の供給、排出が一様に行われるようにしている。   A valve 9 is provided at a location where the first discharge pipe 51 and the second discharge pipe 52 are joined and connected to the discharge pipe 5. By operating the valve 9, the first discharge pipe 51 and the second discharge pipe 52 are connected to the first discharge pipe 51. One of the second discharge pipes 52 can be selected for use. Further, the etching solution is sent by a circulation pump 10 installed in the supply pipe line 7 and circulates between the treatment tank 2 and the electrolytic regeneration tank 6. The substrate 3 is suspended by the substrate support folder 11 and immersed in the processing tank 2. Moreover, the punching metal 12 is installed in the bottom face and side surface of the processing tank 2 so that the supply and discharge of the etching solution can be performed uniformly.

以上のように構成された表面粗化装置を用いた、基板3の粗化処理について説明する。基板2は、縦(a)60cm、横(b)80cmのビルドアップ基板とし、エポキシ樹脂が塗布された状態である。この基板3をエッチング液1として過マンガン酸カリウム溶液を満たした処理槽2に20分漬けて粗化処理を行った。   A roughening process of the substrate 3 using the surface roughening apparatus configured as described above will be described. The substrate 2 is a build-up substrate having a length (a) of 60 cm and a width (b) of 80 cm, and is in a state where an epoxy resin is applied. The substrate 3 was immersed in a treatment tank 2 filled with a potassium permanganate solution as an etching solution 1 for 20 minutes for roughening treatment.

その際、エッチング液の供給量は毎分90Lとし、5分毎にバルブ9を切り替えて、第1排出口41と第2排出口42を交互に使用して排出した。その時の処理槽内のエッチング液の流れを模式的に図2、図3に示す。図2は第1排出口41を選択した場合の流れ、図3は第2排出口42を選択した場合の流れである。
いずれも渦が発生して滞留が生じるが、交互に排出することで、定常的な滞留にならず一様な粗化面が得られた。
At that time, the supply amount of the etching solution was 90 L per minute, the valve 9 was switched every 5 minutes, and the first discharge port 41 and the second discharge port 42 were alternately used and discharged. The flow of the etching solution in the treatment tank at that time is schematically shown in FIGS. FIG. 2 shows a flow when the first discharge port 41 is selected, and FIG. 3 shows a flow when the second discharge port 42 is selected.
In both cases, vortices are generated and retention occurs, but by discharging alternately, a uniform roughened surface was obtained without steady retention.

また、本発明においては、エッチング液の循環経路を選択するためのバルブの切換時間の間隔は、粗化処理に要する時間の1/4以下であることが好ましい。
これにより、処理槽内のエッチング液の定常的な滞留が生じ難く、基板のエッチング速度のばらつきを良好に減少させる。
また、処理槽に供給されるエッチング液の液量は、粗化処理時間あたり、処理槽容積の4倍以上であることが好ましい。これにより、処理槽内のエッチング液の循環量が多くなり、エッチング液の定常的な滞留が生じ難く、基板のエッチング速度のばらつきを良好に減少させる。
In the present invention, it is preferable that the interval of the valve switching time for selecting the etching solution circulation path is ¼ or less of the time required for the roughening treatment.
As a result, steady retention of the etching solution in the processing tank is unlikely to occur, and the variation in the etching rate of the substrate is favorably reduced.
Moreover, it is preferable that the liquid quantity of the etching liquid supplied to a processing tank is 4 times or more of a processing tank volume per roughening process time. As a result, the circulation amount of the etching solution in the processing tank increases, and the steady retention of the etching solution hardly occurs, and the variation in the etching rate of the substrate is favorably reduced.

(第2の実施形態)
図4は、本発明によるビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置の第2の実施形態を断面で示す概略の構成図である。図4に示すように、表面粗化装置は、エッチング液1を満たす高さ(H)1m、幅20cm、長さ(L)1.2mの略直方体の処理槽2、基板3の絶縁層表面を粗化した処理済みエッチング液を排出する第1排出口41、第2排出口42、それぞれからの第1排出管路51、第2排出管路52、及び排出管路5、排出バルブ91、電解再生槽6、再生後のエッチング液を供給する供給管路7、第1供給管路71、第2供給管路72、供給バルブ92、処理槽2の側面に対面して設けた第1供給口81、第2供給口82、循環ポンプ10、パンチングメタル12からなる。
(Second Embodiment)
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a cross-sectional view of a second embodiment of the surface roughening apparatus for a build-up substrate insulating layer according to the present invention. As shown in FIG. 4, the surface roughening apparatus is a substantially rectangular parallelepiped treatment tank 2 having a height (H) of 1 m, a width of 20 cm, and a length (L) of 1.2 m that fills the etching solution 1, and the insulating layer surface of the substrate 3. The first discharge port 41 and the second discharge port 42 for discharging the processed etching solution roughened, the first discharge pipe 51, the second discharge pipe 52, and the discharge pipe 5, the discharge valve 91, respectively, Electrolytic regeneration tank 6, supply line 7 for supplying the regenerated etching solution, first supply line 71, second supply line 72, supply valve 92, first supply provided facing the side surface of the treatment tank 2 It consists of a port 81, a second supply port 82, a circulation pump 10, and a punching metal 12.

第1供給口81と第2排出口42は同一の側面に設けられ、第2供給口82と第1排出口41は同一の側面に設けられている。第1排出管路51と第2排出管路52は、排出管路5に合流しており、その合流する箇所に排出バルブ91が設けられている。その排出バルブ91を操作することにより、第1排出管路51と第2排出管路52のどちらかを使うよう選択できるようになっている。   The first supply port 81 and the second discharge port 42 are provided on the same side surface, and the second supply port 82 and the first discharge port 41 are provided on the same side surface. The first discharge pipe 51 and the second discharge pipe 52 are joined to the discharge pipe 5, and a discharge valve 91 is provided at the joining point. By operating the discharge valve 91, either the first discharge pipe 51 or the second discharge pipe 52 can be selected.

また、第1供給管路71と第2供給管路72は、供給管路7から分岐しており、この分岐する箇所に供給バルブ92が設けられている。その供給バルブ92を操作することにより、第1供給管路71と第2供給管路72のどちらかを使うよう選択できるようになっている。また、エッチング液は、供給管路7に設置された循環ポンプ10で送られて、処理槽2と電解再生槽6の間を循環する。基板3は、基板支持フォルダ11によって吊り下げられ、処理槽2に漬けられる。また、処理槽2の側面にパンチングメタル12を設置し、エッチング液の供給、排出が一様に行われるようにしている。   The first supply pipeline 71 and the second supply pipeline 72 are branched from the supply pipeline 7, and a supply valve 92 is provided at this branching location. By operating the supply valve 92, one of the first supply pipe 71 and the second supply pipe 72 can be selected. Further, the etching solution is sent by a circulation pump 10 installed in the supply pipe line 7 and circulates between the treatment tank 2 and the electrolytic regeneration tank 6. The substrate 3 is suspended by the substrate support folder 11 and immersed in the processing tank 2. In addition, a punching metal 12 is installed on the side surface of the processing tank 2 so that the supply and discharge of the etching solution are performed uniformly.

以上のように構成された表面粗化装置を用いた、基板3の粗化処理について説明する。基板2は、縦(a)60cm、横(b)80cmのビルドアップ基板とし、エポキシ樹脂が塗布された状態である。この基板3をエッチング液1として過マンガン酸カリウム溶液を満たした処理槽2に20分漬けて粗化処理を行った。   A roughening process of the substrate 3 using the surface roughening apparatus configured as described above will be described. The substrate 2 is a build-up substrate having a length (a) of 60 cm and a width (b) of 80 cm, and is in a state where an epoxy resin is applied. The substrate 3 was immersed in a treatment tank 2 filled with a potassium permanganate solution as an etching solution 1 for 20 minutes for roughening treatment.

その際、エッチング液は、供給量を毎分90Lとし、5分毎に排出バルブ91と供給バルブ92を切り替えて、第1供給口81と第1排出口41、第2供給口82と第2排出口42を交互に使用して循環させた。その時の処理槽2内のエッチング液の流れを模式的に図5、図6に示す。図5は第1供給口81と第1排出口41を選択した場合の流れ、図6は第2供給口82と第2排出口42を選択した場合の流れである。いずれも渦が発生して滞留が生じるが、交互に循環することで、定常的な滞留にならず一様な粗化面が得られた。   At that time, the supply amount of the etching solution is 90 L per minute, the discharge valve 91 and the supply valve 92 are switched every 5 minutes, and the first supply port 81, the first discharge port 41, the second supply port 82 and the second supply port are switched. The discharge ports 42 were alternately used and circulated. The flow of the etching solution in the treatment tank 2 at that time is schematically shown in FIGS. FIG. 5 shows the flow when the first supply port 81 and the first discharge port 41 are selected, and FIG. 6 shows the flow when the second supply port 82 and the second discharge port 42 are selected. In both cases, vortices are generated and retention occurs, but by alternately circulating, a uniform roughened surface is obtained without steady retention.

本発明による表面粗化装置の第1の実施形態の構成を断面図である。1 is a cross-sectional view of a configuration of a first embodiment of a surface roughening apparatus according to the present invention. 第1の実施形態の第1排出口を選択した場合の処理槽内でのエッチング液の流れを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the flow of the etching liquid in the processing tank at the time of selecting the 1st discharge port of 1st Embodiment. 第1の実施形態の第2排出口を選択した場合の処理槽内でのエッチング液の流れを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the flow of the etching liquid in the processing tank at the time of selecting the 2nd discharge port of 1st Embodiment. 本発明による表面粗化装置の第2の実施形態の構成を断面図である。It is sectional drawing of the structure of 2nd Embodiment of the surface roughening apparatus by this invention. 第2の実施形態の第1供給口と第1排出口を選択した場合の処理槽内でのエッチング液の流れを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the flow of the etching liquid in a processing tank at the time of selecting the 1st supply port and 1st discharge port of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の第2供給口と第2排出口を選択した場合の処理槽内でのエッチング液の流れを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the flow of the etching liquid in the processing tank at the time of selecting the 2nd supply port and 2nd discharge port of 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・エッチング液
2・・・処理槽
3・・・基板
5・・・排出管路
6・・・電解再生槽
7・・・供給管路
8・・・供給口
9・・・バルブ
10・・・循環ポンプ
11・・・基板支持フォルダ
12・・・パンチングメタル
41、42・・・第1排出口、第2排出口
51、52・・・第1排出管路、第2排出管路
71、72・・・第1供給管路、第2供給管路
81,82・・・第1供給口、第2供給口
91、92・・・排出バルブ、供給バルブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Etching liquid 2 ... Processing tank 3 ... Substrate 5 ... Discharge conduit 6 ... Electrolytic regeneration tank 7 ... Supply conduit 8 ... Supply port 9 ... Valve 10 ... Circulating pump 11 ... Substrate support folder 12 ... Punching metal 41, 42 ... First discharge port, second discharge port 51, 52 ... First discharge line, Second discharge line 71, 72: first supply pipe, second supply pipe 81, 82: first supply port, second supply port 91, 92: discharge valve, supply valve

Claims (5)

処理槽内で基板の絶縁層の表面を粗化した処理済みエッチング液を、排出口から管路を通して電解再生槽内に導いて再生し、再生後のエッチング液を管路を通して供給口から前記処理槽内に戻し、エッチング液を循環させながら粗化処理を行う表面粗化装置において、前記処理槽は複数の排出口、及び1以上の供給口を有し、エッチング液の循環経路を選択するためのバルブが管路に設けられていることを特徴とするビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置。   The treated etchant with the surface of the insulating layer of the substrate roughened in the treatment tank is regenerated by introducing it into the electrolytic regeneration tank through the conduit from the discharge port, and the treated etchant is regenerated from the supply port through the conduit. In the surface roughening apparatus which returns to the inside of the tank and performs the roughening process while circulating the etching solution, the processing tank has a plurality of discharge ports and one or more supply ports, and selects a circulation path of the etching solution. An apparatus for roughening the surface of a build-up substrate insulating layer, characterized in that: 前記処理槽は、1)略直方体の形状であり、その底部の中央部に供給口が設けられ、
2)a)処理槽内でエッチングが行われる際の基板面と直角の位置にあたる片側面に第1排出口が設けられ、他側面の、第1排出口と対向する位置に第2排出口が設けられ、
b)第1排出口からの第1排出管路と、第2排出口からの第2排出管路が排出管路に合流する箇所に、エッチング液の循環経路を選択するための排出バルブが設けられたことを特徴とする請求項1記載のビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置。
The treatment tank is 1) substantially in the shape of a rectangular parallelepiped, and a supply port is provided at the center of the bottom,
2) a) A first discharge port is provided on one side surface corresponding to a position perpendicular to the substrate surface when etching is performed in the processing tank, and a second discharge port is provided at a position opposite to the first discharge port on the other side surface. Provided,
b) A discharge valve for selecting a circulation path of the etching solution is provided at a location where the first discharge pipe from the first discharge port and the second discharge pipe from the second discharge port merge with the discharge pipe. The surface roughening device for a build-up substrate insulating layer according to claim 1, wherein
前記処理槽は、1)略直方体の形状であり、
2)a)処理槽内でエッチングが行われる際の基板面と直角の位置にあたる片側面に第1排出口が設けられ、他側面の、第1排出口と対向する位置に第2排出口が設けられ、
b)第1排出口からの第1排出管路と、第2排出口からの第2排出管路が排出管路に合流する箇所に、エッチング液の循環経路を選択するための排出バルブが設けられ、
3)a)上記他側面の第2排出口の近傍に第1供給口が設けられ、片側面の、第1供給口と対向する位置に第2供給口が設けられ、
b)電解再生槽からの供給管路が第1供給管路と第2供給管路に分岐する箇所に、エッチング液の循環経路を選択するための供給バルブが設けられたことを特徴とする請求項1記載のビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置。
The treatment tank has 1) a substantially rectangular parallelepiped shape,
2) a) A first discharge port is provided on one side surface corresponding to a position perpendicular to the substrate surface when etching is performed in the processing tank, and a second discharge port is provided at a position opposite to the first discharge port on the other side surface. Provided,
b) A discharge valve for selecting a circulation path of the etching solution is provided at a location where the first discharge pipe from the first discharge port and the second discharge pipe from the second discharge port merge with the discharge pipe. And
3) a) A first supply port is provided in the vicinity of the second discharge port on the other side surface, and a second supply port is provided on the one side surface at a position facing the first supply port.
b) A supply valve for selecting a circulation path of the etching solution is provided at a location where the supply line from the electrolytic regeneration tank branches into the first supply line and the second supply line. Item 1. A surface roughening apparatus for a build-up board insulating layer according to Item 1.
前記エッチング液の循環経路を選択するためのバルブの切換時間の間隔は、粗化処理に要する時間の1/4以下であることを特徴とする請求項1、2、又は3に記載のビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置。   4. The build-up according to claim 1, wherein an interval of a valve switching time for selecting a circulation path of the etching solution is ¼ or less of a time required for the roughening process. Surface roughening device for substrate insulation layer. 前記処理槽に供給されるエッチング液の液量は、粗化処理時間あたり、処理槽容積の4倍以上であることを特徴とする請求項1、2、3、又は4に記載のビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置。   The build-up substrate according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the amount of the etching solution supplied to the processing tank is four times or more the processing tank volume per roughening processing time. Insulating layer surface roughening device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113163611A (en) * 2021-03-10 2021-07-23 江苏艾诺信电路技术有限公司 Method for etching microstrip circuit board and improved device

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