JP2009224394A - Jointing apparatus and jointing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a jointing apparatus and a jointing method capable of improving productivity. <P>SOLUTION: The jointing apparatus 100 is provided with a laser beam irradiation section for irradiating an ACF 10 with a laser beam for heating the ACF 10. The laser beam irradiation section is provided with: a plurality of laser sources 32; optical fibers 33, 41 for transmitting the laser beams emitted from the laser sources 32 so that the laser beams can propagate in a direction traveling toward the ACF 10; and a plurality of fixtures 45, having a plurality of lenses 42 for converting the laser beams emitted from the optical fibers into parallel lights. The intensities of the laser beams, respectively emitted from the plurality of laser sources, are controlled so as to vary independently from each other, and be constant in time or variable in time. The surface of an object to be jointed is irradiated with the laser beams emitted from the plurality of laser sources at different positions, and thus the entire region defined by the contour of the object to be jointed is irradiated with the laser beam. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示パネルに代表される表示パネルと駆動回路基板との接合、表示パネルとそれに接合される電子部品との接合、表示パネルと、電子部品が接続されたテープ、パッケージ等のキャリア部材との接合に適した接合装置および、その接合装置を用いた接合方法に関するものである。   The present invention relates to a connection between a display panel represented by a liquid crystal display panel and a drive circuit board, a connection between the display panel and an electronic component bonded thereto, a carrier such as a tape or a package to which the display panel is connected to the electronic component. The present invention relates to a joining device suitable for joining with a member and a joining method using the joining device.

近年、パーソナルコンピュータ、その他各種モニタ用の画像表示装置として、液晶表示装置が急速に普及してきている。   In recent years, liquid crystal display devices are rapidly spreading as image display devices for personal computers and other various monitors.

この種の液晶表示装置では、一般に、照明用の面状光源であるバックライトが液晶表示パネルの背面に配設される。そのバックライトが所定の広がりを有する液晶面の全体を均一な明るさに照明することによって、液晶面に形成された画像が可視像化される。多くの場合、液晶表示装置は、液晶材料を2枚のガラス基板の間に封入して構成した液晶表示パネルと、液晶表示パネル上に実装された液晶材料を駆動するためのプリント回路基板と、液晶表示パネルの背面に液晶表示パネル保持フレームを介して配置されるバックライト・ユニットと、これらを覆う外枠フレームとを備えている。   In this type of liquid crystal display device, generally, a backlight which is a planar light source for illumination is disposed on the back surface of the liquid crystal display panel. The backlight illuminates the entire liquid crystal surface having a predetermined spread with uniform brightness, whereby the image formed on the liquid crystal surface is visualized. In many cases, the liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel configured by enclosing a liquid crystal material between two glass substrates, a printed circuit board for driving the liquid crystal material mounted on the liquid crystal display panel, A backlight unit is provided on the back surface of the liquid crystal display panel via a liquid crystal display panel holding frame, and an outer frame frame covering the backlight unit.

液晶表示装置の1つとして、TFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)液晶表示装置がある。TFT液晶表示装置の場合、液晶表示パネルを構成する2枚のガラス基板のうちの一方はアレイ基板を構成し、他方はカラーフィルタ基板を構成する。   As one of liquid crystal display devices, there is a TFT (Thin Film Transistor) liquid crystal display device. In the case of a TFT liquid crystal display device, one of the two glass substrates constituting the liquid crystal display panel constitutes an array substrate, and the other constitutes a color filter substrate.

アレイ基板とは、液晶材料の駆動素子であるTFT、表示電極、信号線の他にプリント回路基板と電気的に接続するための引出電極などが、その表面に形成されたガラス基板である。TFTがガラス基板の表面に規則的に配列されているため、このガラス基板は一般的にアレイ基板と呼ばれている。   The array substrate is a glass substrate on which a TFT, a display electrode, a signal line, a lead electrode for electrically connecting to a printed circuit board, and the like, which are driving elements of a liquid crystal material, are formed. Since the TFTs are regularly arranged on the surface of the glass substrate, this glass substrate is generally called an array substrate.

一方、カラーフィルタ基板は、その表面にカラーフィルタ(代表的には赤フィルタ、緑フィルタおよび青フィルタ)が形成されたガラス基板である。なおカラーフィルタ基板の表面(ガラス基板の表面)には、カラーフィルタの他にコモン電極、ブラックマトリックス、配向膜なども形成される。   On the other hand, the color filter substrate is a glass substrate having a color filter (typically a red filter, a green filter and a blue filter) formed on the surface thereof. In addition to the color filter, a common electrode, a black matrix, an alignment film, and the like are also formed on the surface of the color filter substrate (surface of the glass substrate).

多くの場合、液晶表示装置に設けられるプリント回路基板は、アレイ基板に形成された引出電極と、TAB(Tape Automated Bonding)テープキャリア(以下、単にTABとも称する)を介して接続される。あるいはTAB技術により、テープフィルムにLSIチップを接続したパッケージ(代表的にはTCP(Tape Carrier Package))を介してプリント回路基板を液晶表示パネルに実装することも行なわれている。   In many cases, a printed circuit board provided in a liquid crystal display device is connected to an extraction electrode formed on an array substrate via a TAB (Tape Automated Bonding) tape carrier (hereinafter also simply referred to as TAB). Alternatively, a printed circuit board is also mounted on a liquid crystal display panel by a TAB technique via a package (typically TCP (Tape Carrier Package)) in which an LSI chip is connected to a tape film.

また、TAB技術と同様のパッケージ技術として、COF(Chip on film/FPC)やSOF(System on Film)が挙げられる。   Moreover, COF (Chip on film / FPC) and SOF (System on Film) are mentioned as the packaging technology similar to the TAB technology.

TABの入力リード導体はプリント回路基板の対応する導体に接続される。一方、TABの出力リード導体はアレイ基板の対応する引出電極に接続される。TABのリード導体とプリント回路基板の対応する導体との接続の際には、たとえば、はんだ、あるいは接着剤としての樹脂の中に導電材料からなる粒子を分散させた接合材料(代表的にはACF(Anisotropic Conductive Film:異方性導電膜)およびACP(Anisotropic Conductive Paste:異方性導電ペースト))が用いられている。また、導電性粒子を含まない異方性導電性材料も接合材料として用いられている。なお、導電性粒子を含まない樹脂接着剤(たとえばNCP(Non Conductive Particle/Paste))も接合材料として用いられている。   The TAB input lead conductors are connected to corresponding conductors on the printed circuit board. On the other hand, the output lead conductor of TAB is connected to the corresponding extraction electrode of the array substrate. When connecting the TAB lead conductor and the corresponding conductor of the printed circuit board, for example, a bonding material in which particles made of a conductive material are dispersed in solder or resin as an adhesive (typically ACF (Anisotropic Conductive Film) and ACP (Anisotropic Conductive Paste)) are used. An anisotropic conductive material that does not contain conductive particles is also used as a bonding material. A resin adhesive that does not contain conductive particles (for example, NCP (Non Conductive Particle / Paste)) is also used as a bonding material.

TABの出力リード導体とアレイ基板の対応する引出電極との接続の際にも同様にACFあるいはACP、NCP等が用いられている。さらに、これらの接続のみならずTCP上のLSIチップとフィルムとの接続にもACF、あるいはACP、NCP等が用いられている。   Similarly, ACF, ACP, NCP, or the like is used when connecting the output lead conductor of the TAB to the corresponding extraction electrode of the array substrate. Further, ACF, ACP, NCP or the like is used not only for these connections but also for the connection between the LSI chip on the TCP and the film.

また、TABを用いた実装技術の他に、COG(Chip On Glass)と呼ばれる実装技術がある。このCOGは、アレイ基板上に、主としてシリコンからなるIC(Integrated Circuit)チップ(以下、シリコンチップあるいはベアチップとも称する)等の電子部品をACFあるいはACP、NCP等の材料により接合する技術である。具体的には、電子部品上に形成されたバンプ電極と、アレイ基板上の引出電極とが、ACF等の接合材料によって電気的に接続される。   In addition to the mounting technology using TAB, there is a mounting technology called COG (Chip On Glass). This COG is a technique for joining electronic components such as an IC (Integrated Circuit) chip (hereinafter also referred to as a silicon chip or a bare chip) mainly made of silicon with a material such as ACF, ACP, or NCP on an array substrate. Specifically, the bump electrode formed on the electronic component and the extraction electrode on the array substrate are electrically connected by a bonding material such as ACF.

ACFには、熱可塑性樹脂を接着剤とする熱可塑型ACFと熱硬化型樹脂を接着剤とする熱硬化型ACFの2種類が存在する。熱可塑型ACFおよび熱硬化型ACFによる接合の手法は、加熱および加圧を伴う熱加圧を行なう点で一致している。   There are two types of ACF, a thermoplastic ACF using a thermoplastic resin as an adhesive and a thermosetting ACF using a thermosetting resin as an adhesive. The joining method using the thermoplastic ACF and the thermosetting ACF is the same in that heat pressurization accompanied by heating and pressurization is performed.

上述した電極の接合は、従来では以下に説明する手順により実行される。まず、液晶パネル基板が搬入される。次に、実装部のクリーニングおよびACFの基板ガラスへの貼付けが行なわれる。続いて、ベアチップやフィルム等(以下、実装部品とも呼ぶ)の精密な位置決めを伴う低温での仮圧着が行なわれる。続いて高温でACFを硬化させるとともにパネル基板の電極と実装部品の電極とを接続する本圧着が行なわれる。なお、本圧着の後には、検査および搬出作業が行なわれる。   The above-described electrode bonding is conventionally performed by the procedure described below. First, a liquid crystal panel substrate is carried in. Next, the mounting portion is cleaned and the ACF is attached to the substrate glass. Subsequently, provisional pressure bonding is performed at a low temperature with precise positioning of a bare chip, a film or the like (hereinafter also referred to as a mounting component). Subsequently, the ACF is cured at a high temperature, and the main pressure bonding is performed to connect the electrode of the panel substrate and the electrode of the mounting component. In addition, inspection and carrying-out work are performed after this crimping | compression-bonding.

各工程のうち、最も時間を要するのが本圧着である。従来、この工程では、高温に保持されたヒータツールバーを実装部品に押し当てることによりACFの加熱および加圧が行なわれている。従来、本圧着では、たとえば約10秒程度の加熱加圧時間が必要である。ただし、加熱加圧時間はACFの材料特性によっても左右される。   Of these steps, the most time-consuming is the main pressure bonding. Conventionally, in this process, the ACF is heated and pressurized by pressing a heater tool bar held at a high temperature against the mounted component. Conventionally, in this pressure bonding, for example, a heating and pressing time of about 10 seconds is required. However, the heating and pressing time depends on the material properties of ACF.

ヒータツールによる加熱手法は高い信頼性が得られる。しかしながら、この加熱手法では、仮圧着工程と本圧着工程の2工程を要する上に、圧着自体が、ヒータツールバーから接合部品への熱伝導を経て、ACFを加熱して硬化させることで行なわれるので、接合に時間を要し、タクトを律速する要因ともなっている。   The heating method using the heater tool can provide high reliability. However, this heating method requires two steps, a temporary crimping step and a final crimping step, and the crimping itself is performed by heating and curing the ACF through heat conduction from the heater tool bar to the joining component. It takes time to join and is a factor that determines the tact.

この問題を回避するため、レーザ光をACFに照射してACFを加熱することにより、高速に接合するとともに、従来は必要であった仮圧着工程を無くし、本圧着のみで接合するタクト改善方法が提案されている。   In order to avoid this problem, there is a tact improvement method in which the ACF is heated by irradiating the ACF with laser light, thereby joining at a high speed and eliminating the provisional crimping step that has been necessary in the past, and joining only by this crimping. Proposed.

たとえば、特開2006−253665号公報(特許文献1)には、ACFをガラス基板と電極部材との間に圧力を加えて挟み込むステップと、そのACFにレーザ光を吸収させることによりACFを発熱させるステップとを備える接合方法が開示されている。
特開2006−253665号公報
For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2006-253665 (Patent Document 1) discloses a step of sandwiching ACF by applying pressure between a glass substrate and an electrode member, and causing the ACF to generate heat by absorbing laser light. A bonding method comprising the steps.
JP 2006-253665 A

特開2006−253665号公報にはACFにレーザ光を照射するための方式としてワブリング方式および塗りつぶし方式が例示されている。上記文献によれば、ワブリング方式とは、照射スポットの中心が旋回しながら進むようにレーザ光の照射軌跡を描く方式であり、塗りつぶし方式とは、多数の平行線によって照射領域を埋め尽くす方式である。   Japanese Patent Laid-Open No. 2006-253665 exemplifies a wobbling method and a painting method as methods for irradiating the ACF with laser light. According to the above document, the wobbling method is a method of drawing the irradiation locus of the laser beam so that the center of the irradiation spot advances while turning, and the filling method is a method of filling the irradiation region with a large number of parallel lines. is there.

しかしながら、発明者らの鋭意研究の結果、複数の電極を有する電子部品を接合するにあたって、各電極にレーザ光を順次照射してACFを硬化させることは、機械的、電気的信頼性確保のためには望ましくないことがわかった。すなわち、この圧着工程では、ACFに含まれる導電性粒子を電子部品の電極とパネル基板の電極とで押し挟みこんだ状態でACFに含まれる熱反応性接着剤を硬化させる必要があるところ、複数の電極対に対して順にレーザ光を照射してACFを局所的に硬化させてしまうと、既に硬化したACFが他の電極対を押し挟む際の妨げになり、後からレーザ光を照射して接着した電極対については導電性粒子の押し挟みが不十分な状態でACFが硬化されてしまう場合がある。   However, as a result of the inventors' diligent research, when joining electronic components having a plurality of electrodes, it is necessary to sequentially irradiate each electrode with laser light to cure the ACF in order to ensure mechanical and electrical reliability. It turned out to be undesirable. That is, in this crimping step, it is necessary to cure the heat-reactive adhesive contained in the ACF in a state where the conductive particles contained in the ACF are pressed between the electrode of the electronic component and the electrode of the panel substrate. If the ACF is locally cured by sequentially irradiating the pair of electrodes with the laser beam, it will be a hindrance when the already cured ACF sandwiches the other electrode pair. For the bonded electrode pair, the ACF may be cured in a state where the conductive particles are not sufficiently pressed.

本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであって、異方性導電性材料を介した電極の接合において、生産性を向上させることが可能な接合装置、および接合方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and a bonding apparatus and a bonding method capable of improving productivity in bonding electrodes via an anisotropic conductive material The purpose is to provide.

本発明は要約すれば、被接合物としてガラス基板上に配列された複数の第1の電極からなる引出電極と、引出電極の接合対象物に含まれ、かつ複数の第1の電極と配置を対応させて配列された複数の第2の電極とを、熱反応性樹脂による接着剤を介在させてそれぞれ電気的に接合する接合装置である。接合装置は、熱反応性樹脂を加熱するためのレーザ光を接着剤に向けて照射するレーザ光照射部を備える。レーザ光照射部は、複数のレーザ光源と、複数のレーザ光源が各々出射するレーザ光の強度を、互いに独立に、時間に対して一定または時間的に変化させるように制御するレーザ制御部とを含む。接合装置は、複数の第2の電極が形成された接合対象物の表面に対して、複数のレーザ光源の各々から出射されたレーザ光を異なる位置に照射することによって、接合対象物の輪郭により定まる領域の全域をレーザ光により照射する。   In summary, the present invention includes an extraction electrode composed of a plurality of first electrodes arranged on a glass substrate as an object to be bonded, a bonding object of the extraction electrode, and a plurality of first electrodes arranged in the arrangement. It is a joining device that electrically joins a plurality of second electrodes arranged in correspondence with each other with an adhesive made of a heat-reactive resin interposed therebetween. The bonding apparatus includes a laser beam irradiation unit that irradiates a laser beam for heating the thermally reactive resin toward the adhesive. The laser light irradiation unit includes a plurality of laser light sources, and a laser control unit that controls the intensity of the laser light emitted from each of the plurality of laser light sources to be constant or temporally change with respect to time. Including. The joining apparatus irradiates laser light emitted from each of the plurality of laser light sources to different positions on the surface of the joining object on which the plurality of second electrodes are formed, so that the contour of the joining object is obtained. The whole area of the determined area is irradiated with laser light.

好ましくは、レーザ光照射部は、複数のレーザ光源により接着剤に照射されるレーザ光のビーム形状を整形するためのビーム整形部をさらに含む。   Preferably, the laser beam irradiation unit further includes a beam shaping unit for shaping the beam shape of the laser beam irradiated onto the adhesive by the plurality of laser light sources.

好ましくは、接合対象物は、複数の第2の電極として接合対象物の表面に形成された複数の電極を含む。接着剤においてレーザ光が照射される領域は、複数の電極が形成された接合対象物の表面と実質的に同じ大きさである。   Preferably, the bonding target includes a plurality of electrodes formed on the surface of the bonding target as a plurality of second electrodes. The region irradiated with laser light in the adhesive is substantially the same size as the surface of the object to be joined on which the plurality of electrodes are formed.

好ましくは、レーザ光照射部およびビーム整形部は、接着剤においてレーザ光が照射される領域である照射領域でのレーザ光のパワーが、レーザ光照射部から発せられたレーザ光のパワーの90%以上となるように、レーザ光を照射領域に集中させる。   Preferably, in the laser beam irradiation unit and the beam shaping unit, the power of the laser beam in the irradiation region that is a region irradiated with the laser beam in the adhesive is 90% of the power of the laser beam emitted from the laser beam irradiation unit. As described above, the laser beam is concentrated on the irradiation region.

好ましくは、レーザ光照射部は、各複数のレーザ光源から発せられるレーザ光が、接着剤に向かう向きに進行するように、レーザ光を伝達する複数の光ファイバと、各々が、光ファイバから出たレーザ光を平行光に変換する複数のレンズを有する複数のレンズ保持部材とをさらに含む。各レンズ保持部材において、複数のレンズは、平行光が重なり合うように定められたピッチで一方向に配置される。   Preferably, the laser beam irradiation unit includes a plurality of optical fibers that transmit the laser beams and each of the laser beams emitted from the plurality of laser light sources travels in a direction toward the adhesive. And a plurality of lens holding members having a plurality of lenses for converting the laser light into parallel light. In each lens holding member, the plurality of lenses are arranged in one direction at a pitch determined so that parallel light overlaps.

好ましくは、複数のレンズ保持部材は、1つのレンズ保持部材に設けられた複数のレンズの各々から発せられる平行光と、1つのレンズ保持部材と異なる他のレンズ保持部材に設けられた複数のレンズの各々から発せられる平行光とが、ビーム整形部において集まるように配置される。   Preferably, the plurality of lens holding members include parallel light emitted from each of the plurality of lenses provided on one lens holding member and a plurality of lenses provided on another lens holding member different from the one lens holding member. The parallel light emitted from each of the light beams is arranged so as to gather in the beam shaping unit.

好ましくは、接合装置は、透明な材質により形成され、かつガラス基板を支持する支持部材と、複数のレンズ保持部材と支持部材との間に配置され、ガラス基板上の複数の第1の電極に対する接合対象物の複数の第2の電極の位置合わせのために、支持部材およびガラス基板を介して複数の第1の電極および複数の第2の電極を撮影するカメラと、位置合わせが行なわれるときにカメラを所定の位置に移動させ、複数のレンズの各々から平行光が出射されるときには、カメラを平行光の光路上の位置から退避させるカメラ移動機構をさらに備える。   Preferably, the bonding apparatus is formed of a transparent material and is disposed between the support member that supports the glass substrate, the plurality of lens holding members, and the support member, and the plurality of first electrodes on the glass substrate. When alignment is performed with a camera that photographs the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes via the support member and the glass substrate for alignment of the plurality of second electrodes of the joining object. The camera further includes a camera moving mechanism that moves the camera to a predetermined position and retracts the camera from a position on the optical path of the parallel light when parallel light is emitted from each of the plurality of lenses.

好ましくは、接合装置は、接着剤におけるレーザ光の照射領域の複数の箇所の温度を検出する温度検出部と、温度検出部が検出した複数の箇所の温度に基づいて、照射領域の温度分布を生成する温度分布生成部とをさらに備える。レーザ制御部は、温度分布生成部が生成した温度分布に基づいて、複数のレーザ光源の各々を制御する。   Preferably, the bonding apparatus detects the temperature distribution of the irradiation region based on the temperature detection unit that detects the temperature of the plurality of locations in the irradiation region of the laser light in the adhesive and the temperature of the plurality of locations detected by the temperature detection unit. And a temperature distribution generation unit to be generated. The laser control unit controls each of the plurality of laser light sources based on the temperature distribution generated by the temperature distribution generation unit.

好ましくは、接合装置は、透明な材質により形成され、かつガラス基板を支持する支持部材と、複数のレーザ光源により接着剤に照射されるレーザ光のビーム形状を整形するためのビーム整形部とをさらに備える。ビーム整形部は、複数のレンズ保持部材と支持部材との間に配置され、ガラス基板の表面に沿った第1の方向にビーム形状を整形するためのスリットを含む。支持部材は、ガラス基板に対向する表面に交差し、かつ、対向する表面の垂直方向に対して傾いた斜面を有する。   Preferably, the bonding apparatus includes a support member that is formed of a transparent material and supports the glass substrate, and a beam shaping unit that shapes the beam shape of the laser light irradiated to the adhesive by the plurality of laser light sources. Further prepare. The beam shaping unit is disposed between the plurality of lens holding members and the support member, and includes a slit for shaping the beam shape in a first direction along the surface of the glass substrate. The support member has a slope that intersects the surface facing the glass substrate and is inclined with respect to the vertical direction of the facing surface.

好ましくは、斜面の垂線と平行光とのなす角度は、斜面における平行光の全反射角よりも大きい。   Preferably, the angle formed between the perpendicular to the slope and the parallel light is larger than the total reflection angle of the parallel light on the slope.

好ましくは、接合装置は、斜面に沿って設けられ、かつレーザ光を吸収可能な吸収体をさらに備える。   Preferably, the bonding apparatus further includes an absorber that is provided along the inclined surface and that can absorb the laser beam.

好ましくは、斜面は、粗面である。
好ましくは、接合装置は、支持部材の周辺、かつ、斜面において反射するレーザ光の反射方向に設けられ、レーザ光を吸収可能な吸収体をさらに備える。
Preferably, the slope is a rough surface.
Preferably, the bonding apparatus further includes an absorber that is provided in the vicinity of the support member and in the reflection direction of the laser light reflected on the inclined surface and can absorb the laser light.

好ましくは、支持部材の表面のうち、斜面において反射したレーザ光が支持部材の内部から出射される表面は、粗面である。   Preferably, of the surfaces of the support member, the surface from which the laser beam reflected on the slope is emitted from the inside of the support member is a rough surface.

好ましくは、接合装置は、複数のレンズ保持部材を第1の方向に垂直な第2の方向に沿って移動させる移動機構をさらに備える。   Preferably, the bonding apparatus further includes a moving mechanism that moves the plurality of lens holding members along a second direction perpendicular to the first direction.

好ましくは、接合装置は、接着剤に対して反対側から接合対象物に圧力を加えるための加圧装置をさらに備える。レーザ光照射部は、加圧装置により接合対象物に圧力が加えられた状態で、レーザ光を接着剤に向けて照射する。   Preferably, the joining device further includes a pressurizing device for applying pressure to the joining object from the opposite side to the adhesive. The laser beam irradiating unit irradiates the adhesive with the laser beam in a state where pressure is applied to the objects to be joined by the pressurizer.

好ましくは、加圧装置は、接合対象物を押さえるための押さえ部材を含む。押さえ部材には少なくとも1つの貫通孔が形成される。接合装置は、少なくとも1つの貫通孔を介して接合対象物を押さえ部材に真空吸着させるための真空吸着部をさらに備える。   Preferably, the pressure device includes a pressing member for pressing the object to be joined. At least one through hole is formed in the pressing member. The joining apparatus further includes a vacuum suction unit for vacuum-sucking the object to be joined to the pressing member via at least one through hole.

好ましくは、加圧装置は、接合対象物を押さえるための押さえ部分を含む。押さえ部材の材質は、セラミック、石英、およびガラスの中から選択される材質である。   Preferably, the pressurizing device includes a pressing portion for pressing the object to be joined. The material of the pressing member is a material selected from ceramic, quartz, and glass.

好ましくは、レーザ光照射部は、対応するレーザ光源からのレーザ光を導光することでレーザ光の強度を均一化し、かつ、均一化されたレーザ光による面状照射が可能なように集合的に配置される複数の導光路と、複数の導光路から出たレーザ光のビーム形状を整形するためのマスクとをさらに含む。   Preferably, the laser light irradiation unit guides the laser light from the corresponding laser light source to make the intensity of the laser light uniform, and collective irradiation is possible so that planar irradiation with the uniformed laser light is possible. And a mask for shaping the beam shape of the laser light emitted from the plurality of light guides.

好ましくは、上記接着剤は、熱反応性樹脂に導電性粒子が分散された接着剤である。
本発明の他の局面に従うと、被接合物としてガラス基板上に配列された複数の第1の電極からなる引出電極と、引出電極の接合対象物に含まれ、かつ複数の第1の電極と配置を対応させて配列された複数の第2の電極とを、熱反応性樹脂による接着剤を介在させてそれぞれ電気的に接合する接合装置による接合方法である。接合方法は、接合対象物を加圧するステップと、接合対象物が加圧された状態において、熱反応性樹脂を加熱するためのレーザ光を接着剤に向けて照射するステップとを備える。レーザ光を照射するステップは、複数のレーザ光源が各々出射するレーザ光の強度を、互いに独立に、時間に対して一定または時間的に変化させるように制御するステップと、複数の第1の電極が形成された接合対象物の表面に対して、複数のレーザ光源の各々から出射されたレーザ光を異なる位置に照射することによって、接合対象物の輪郭により定まる領域の全域をレーザ光により照射するステップとを含む。
Preferably, the adhesive is an adhesive in which conductive particles are dispersed in a thermally reactive resin.
According to another aspect of the present invention, an extraction electrode composed of a plurality of first electrodes arranged on a glass substrate as an object to be bonded, a plurality of first electrodes included in a bonding object of the extraction electrode, and This is a joining method using a joining device that electrically joins a plurality of second electrodes arranged in correspondence with each other with an adhesive made of a heat-reactive resin interposed therebetween. The bonding method includes a step of pressurizing the bonding target, and a step of irradiating a laser beam for heating the heat-reactive resin toward the adhesive in a state where the bonding target is pressurized. The step of irradiating the laser beam includes a step of controlling the intensity of the laser beam emitted from each of the plurality of laser light sources so as to be constant or temporally change with respect to time, and the plurality of first electrodes. By irradiating laser light emitted from each of a plurality of laser light sources to different positions on the surface of the object to be welded, the entire region determined by the contour of the object to be welded is irradiated with the laser light. Steps.

本発明によれば、ガラス基板上に形成された複数の電極と、接合対象物(代表的にはTCP、ベアチップ等)の複数の電極とを、熱反応性接着剤による接着剤を介して接合する場合において、接合対象物の輪郭により定まる領域に対して、強度分布を持たせたレーザ光の照射が可能となるので、高速かつ確実な接合を実現でき、生産性を向上させることが可能になる。   According to the present invention, a plurality of electrodes formed on a glass substrate and a plurality of electrodes to be bonded (typically TCP, bare chip, etc.) are bonded via an adhesive with a heat-reactive adhesive. In this case, it is possible to irradiate laser light with an intensity distribution to the area determined by the outline of the object to be joined, so that high-speed and reliable joining can be realized and productivity can be improved. Become.

以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

図1は、本発明の実施の形態に従う接合装置の処理対象である液晶表示装置の概略ブロック図である。   FIG. 1 is a schematic block diagram of a liquid crystal display device that is a processing target of a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

図1を参照して、液晶表示装置は、液晶表示パネル(図中「LCD」と示す)1と、TCP(Tape Carrier Package)2と、プリント回路基板3と、インターフェイス部4と、フレキシブル基板(図中、「FPC」と示す)6とを備える。   Referring to FIG. 1, a liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel (shown as “LCD” in the figure) 1, a TCP (Tape Carrier Package) 2, a printed circuit board 3, an interface unit 4, a flexible board ( 6) (shown as “FPC” in the figure).

TCP2は、液晶表示パネル1とプリント回路基板3との間に配置される。TCP2は、液晶表示パネルの構成素子を駆動するためのドライバIC5を含む。   The TCP 2 is disposed between the liquid crystal display panel 1 and the printed circuit board 3. The TCP 2 includes a driver IC 5 for driving the constituent elements of the liquid crystal display panel.

プリント回路基板3は、液晶表示パネル1上に実装された液晶材料を駆動するための回路が形成された基板である。インターフェイス部4は、液晶表示パネル1の周辺に配設された周辺回路に接続される配線を含む。フレキシブル基板6は、プリント回路基板3とインターフェイス部4とを電気的に接続するためのものである。   The printed circuit board 3 is a board on which a circuit for driving a liquid crystal material mounted on the liquid crystal display panel 1 is formed. The interface unit 4 includes wiring connected to a peripheral circuit disposed around the liquid crystal display panel 1. The flexible substrate 6 is for electrically connecting the printed circuit board 3 and the interface unit 4.

液晶表示パネル1とプリント回路基板3とはTCP2によって接合される。より詳細に説明すると、液晶表示パネル1の電極(引出電極)とTCP2の電極とは、ACFによって、電気的に接合されるとともに、一体の形状となる。同様に、TCP2の電極とプリント回路基板3の電極とは、ACFによって、電気的に接合され、かつ一体の形状となる。   The liquid crystal display panel 1 and the printed circuit board 3 are joined by TCP2. More specifically, the electrode (extraction electrode) of the liquid crystal display panel 1 and the electrode of the TCP 2 are electrically joined by ACF and have an integral shape. Similarly, the electrode of the TCP 2 and the electrode of the printed circuit board 3 are electrically joined by ACF and become an integral shape.

なお、COG(Chip On Glass)方式も液晶表示パネルの製造に用いられる。図1には、TCP2の実装だけでなく、ベアチップの状態のドライバIC5の実装も示す(液晶表示パネル1の左側)。ベアチップ(ドライバIC5)の表面には図示しないバンプ電極が設けられている。このバンプ電極はACFによって液晶表示パネル1の電極(引出電極)と電気的に接合される。   A COG (Chip On Glass) method is also used for manufacturing a liquid crystal display panel. FIG. 1 shows not only the mounting of TCP 2 but also the mounting of driver IC 5 in a bare chip state (left side of liquid crystal display panel 1). Bump electrodes (not shown) are provided on the surface of the bare chip (driver IC 5). This bump electrode is electrically joined to the electrode (extraction electrode) of the liquid crystal display panel 1 by ACF.

なお、図1は、説明の便宜の点からTCP2およびベアチップがともに液晶表示パネルに実装された状態を示したものである。したがって、たとえばベアチップが液晶表示パネル1に実装されておらず、TCPのみが液晶表示パネル1に実装されていてもよい。ただし本実施の形態に係る接合装置(図4参照)は、TCP2の実装およびベアチップの実装の両方に用いることができる。   FIG. 1 shows a state in which both the TCP 2 and the bare chip are mounted on the liquid crystal display panel for convenience of explanation. Therefore, for example, the bare chip is not mounted on the liquid crystal display panel 1, and only the TCP may be mounted on the liquid crystal display panel 1. However, the bonding apparatus according to the present embodiment (see FIG. 4) can be used for both TCP2 mounting and bare chip mounting.

図2は、図1に示すTCP2の一構成例を説明する図である。
図2を参照して、TCP2は、キャリアテープ2aと、複数のリード導体2bと、ドライバIC5とを含む。キャリアテープ2aの表面には複数のリード導体2bが形成されるとともに、ドライバIC5が搭載される。複数のリード導体2bの各々はドライバIC5の表面に形成されたバンプ電極(図示せず)に電気的に接続される。
FIG. 2 is a diagram for explaining a configuration example of TCP 2 shown in FIG.
Referring to FIG. 2, TCP 2 includes a carrier tape 2a, a plurality of lead conductors 2b, and a driver IC 5. A plurality of lead conductors 2b are formed on the surface of the carrier tape 2a, and a driver IC 5 is mounted. Each of the plurality of lead conductors 2b is electrically connected to a bump electrode (not shown) formed on the surface of the driver IC 5.

図3は、ACFを説明する図である。
図3(a)は、ACFの構造の一例を説明する図である。図3(a)を参照して、ACF10は、無数のミクロパーティクル(導電性粒子)11がエポキシ系またはアクリル系の接着剤であるバインダ中に含まれた構成を有する。バインダは熱反応性樹脂である。なお、バインダは熱硬化型樹脂でもよいし、熱可塑性樹脂でもよい。
FIG. 3 is a diagram for explaining the ACF.
FIG. 3A illustrates an example of the structure of the ACF. Referring to FIG. 3A, the ACF 10 has a configuration in which an infinite number of microparticles (conductive particles) 11 are contained in a binder that is an epoxy or acrylic adhesive. The binder is a thermally reactive resin. The binder may be a thermosetting resin or a thermoplastic resin.

図3(b)は、ACF10に熱および圧力が加わるときのACF10の状態を説明する図である。図3(b)を参照して、ACF10は電極15,16に挟まれる。ACF10に熱および圧力が加わると、ACF10の全体のうち電極15,16に接触した部分に圧力がかかる。なお図3(b)は、ACF10の全体のうち電極15,16に接触した部分のみを示している。   FIG. 3B is a diagram illustrating the state of the ACF 10 when heat and pressure are applied to the ACF 10. With reference to FIG. 3B, the ACF 10 is sandwiched between the electrodes 15 and 16. When heat and pressure are applied to the ACF 10, pressure is applied to portions of the entire ACF 10 that are in contact with the electrodes 15 and 16. FIG. 3B shows only the portion of the entire ACF 10 that is in contact with the electrodes 15 and 16.

ミクロパーティクル11は、樹脂コア13と、樹脂コア13の表面に形成されたニッケル(Ni)メッキ層12と、ニッケルメッキ層12の外側に形成された金メッキ層14とを含む。ACF10に熱および圧力が加わると、ACF10の内部に分散しているミクロパーティクル11同士が接触することにより、メッキ層同士が接触する。さらに、樹脂コア13が弾性体であるため、樹脂コア13に反発力が生じる。この反発力によって、メッキ層が電極16と電極15とに物理的に接触する。これにより電極15と電極16との間に導電経路が形成される。   The microparticle 11 includes a resin core 13, a nickel (Ni) plating layer 12 formed on the surface of the resin core 13, and a gold plating layer 14 formed outside the nickel plating layer 12. When heat and pressure are applied to the ACF 10, the microparticles 11 dispersed inside the ACF 10 come into contact with each other, thereby bringing the plating layers into contact with each other. Furthermore, since the resin core 13 is an elastic body, a repulsive force is generated in the resin core 13. Due to this repulsive force, the plating layer physically contacts the electrode 16 and the electrode 15. As a result, a conductive path is formed between the electrode 15 and the electrode 16.

図3(c)は、ACFの構造の他の例として2層構造のACFを示した図である。図3(c)に示されるように、2層構造のACFでは、バインダとミクロパーティクルとは、別々の領域すなわちバインダ領域10aおよびミクロパーティクル領域11aとにそれぞれ分離して形成されている。当該構成においても、上述した構成と同様に、加熱および加圧によりACFを挟む電極の間に導電経路を形成することが可能となる。なお、2層構造のACFを用いることにより、加熱および加圧による2つの電極の相対的な位置のずれを抑制することが可能となる。   FIG. 3C is a diagram showing an ACF having a two-layer structure as another example of the structure of the ACF. As shown in FIG. 3C, in the ACF having a two-layer structure, the binder and the microparticles are separately formed in separate regions, that is, the binder region 10a and the microparticle region 11a. In this configuration as well, a conductive path can be formed between electrodes sandwiching the ACF by heating and pressurization, as in the above-described configuration. In addition, by using ACF having a two-layer structure, it is possible to suppress a relative positional shift between the two electrodes due to heating and pressurization.

[接合装置の構成]
図4は、本発明の実施の形態に従う接合装置100の構成図である。なお、以下の説明では、主として接合装置100がACF10を介してドライバIC5(ベアチップ)を液晶表示パネル1に接合する場合を説明する。また、以下の説明では互いに垂直なX方向、Y方向、およびZ方向をそれぞれ「左右方向」、「前後方向」、「上下方向」と呼ぶ場合もある。
[Configuration of joining device]
FIG. 4 is a configuration diagram of joining apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. In the following description, a case where the bonding apparatus 100 mainly bonds the driver IC 5 (bare chip) to the liquid crystal display panel 1 via the ACF 10 will be described. In the following description, the X, Y, and Z directions perpendicular to each other may be referred to as “left-right direction”, “front-rear direction”, and “up-down direction”, respectively.

図4を参照して、接合装置100は、シリンダ20と、チップトレイ21と、シリンダ移動機構22と、加圧ヘッド25とを備える。   With reference to FIG. 4, the joining apparatus 100 includes a cylinder 20, a chip tray 21, a cylinder moving mechanism 22, and a pressure head 25.

ドライバIC5およびACF10はシリンダ20(加圧ヘッド25)と液晶表示パネル1との間に挿入される。   The driver IC 5 and the ACF 10 are inserted between the cylinder 20 (pressure head 25) and the liquid crystal display panel 1.

加圧ヘッド25は、シリンダ20の先端部に取り付けられる。シリンダ20が下がると加圧ヘッド25がドライバIC5(ベアチップ)に接する。シリンダ20は、ドライバIC5と液晶表示パネル1との接合の際に加圧ヘッド25の高さを調整することにより、ドライバIC5(およびACF10)に加えられる圧力を制御するものである。   The pressure head 25 is attached to the tip of the cylinder 20. When the cylinder 20 is lowered, the pressure head 25 comes into contact with the driver IC 5 (bare chip). The cylinder 20 controls the pressure applied to the driver IC 5 (and the ACF 10) by adjusting the height of the pressure head 25 when the driver IC 5 and the liquid crystal display panel 1 are joined.

シリンダ移動機構22は、シリンダ20を左右方向(X方向)に移動させるためのものである。シリンダ移動機構22の構成は特に限定されるものではないが、たとえばシリンダ移動機構22は、ボールねじ、およびリニアモータを含む。   The cylinder moving mechanism 22 is for moving the cylinder 20 in the left-right direction (X direction). The configuration of the cylinder moving mechanism 22 is not particularly limited. For example, the cylinder moving mechanism 22 includes a ball screw and a linear motor.

チップトレイ21には、液晶表示パネル1との接合のために用いられるドライバIC5(ドライバIC5b)が予め並べられている。たとえばロボットアーム(図示せず、以下同じ)によりチップトレイ21からドライバIC5bが取り上げられる。シリンダ20は、シリンダ移動機構22によりチップトレイ21の位置まで移動し、ロボットアームからドライバIC5bを受ける。後述するようにシリンダ20の内部には、TCP2を真空吸着するための真空吸着部が設けられ、加圧ヘッド25には真空吸着孔が形成される。これによりシリンダ20はドライバIC5bを真空チャックする。そして、シリンダ20は、液晶表示パネル1の位置に戻る。   On the chip tray 21, driver ICs 5 (driver ICs 5 b) used for joining with the liquid crystal display panel 1 are arranged in advance. For example, the driver IC 5b is picked up from the chip tray 21 by a robot arm (not shown, the same applies hereinafter). The cylinder 20 is moved to the position of the chip tray 21 by the cylinder moving mechanism 22 and receives the driver IC 5b from the robot arm. As will be described later, a vacuum suction portion for vacuum-sucking the TCP 2 is provided inside the cylinder 20, and a vacuum suction hole is formed in the pressure head 25. As a result, the cylinder 20 vacuum chucks the driver IC 5b. Then, the cylinder 20 returns to the position of the liquid crystal display panel 1.

なお、上述したロボットアームがドライバIC5bを液晶表示パネル1の位置まで直接運んでもよい。このようにドライバIC5(ベアチップ)をチップトレイ21から液晶表示パネル1まで運ぶための方法および手段は特に限定されない。   Note that the robot arm described above may directly carry the driver IC 5b to the position of the liquid crystal display panel 1. Thus, the method and means for carrying the driver IC 5 (bare chip) from the chip tray 21 to the liquid crystal display panel 1 are not particularly limited.

接合装置100は、さらに、ドライバIC5およびACF10を加熱するためのレーザ光を発するレーザ装置31を備える。レーザ装置31はその内部に複数のレーザ光源32を含む。レーザ光源32から発せられるレーザ光のパワー、およびレーザ光源32の個数は、たとえばACF10の加熱および硬化に求められる条件に基づいて適切に定められる。   The bonding apparatus 100 further includes a laser device 31 that emits laser light for heating the driver IC 5 and the ACF 10. The laser device 31 includes a plurality of laser light sources 32 therein. The power of the laser light emitted from the laser light source 32 and the number of the laser light sources 32 are appropriately determined based on, for example, conditions required for heating and curing of the ACF 10.

接合装置100は、さらに、複数の光ファイバ33と、レーザ冷却装置34と、レーザ制御部35と、電源装置36と、ファイバ中継器40と、複数の光ファイバ41とを備える。複数の光ファイバ33は、複数のレーザ光源32に対応してそれぞれ設けられる。各光ファイバ33は対応するレーザ光源32から発せられたレーザ光を伝達する。   The bonding apparatus 100 further includes a plurality of optical fibers 33, a laser cooling device 34, a laser control unit 35, a power supply device 36, a fiber repeater 40, and a plurality of optical fibers 41. The plurality of optical fibers 33 are provided corresponding to the plurality of laser light sources 32, respectively. Each optical fiber 33 transmits the laser light emitted from the corresponding laser light source 32.

レーザ冷却装置34は、レーザ装置31を冷却することによってレーザ装置31の温度を一定に保つ機能を実現する。これによりレーザ装置31から出力されるレーザ光のパワーを安定させることが可能になる。なお、冷却方式は特に限定されず、たとえばファンによる空冷でもよいし、水冷でもよい。   The laser cooling device 34 realizes a function of keeping the temperature of the laser device 31 constant by cooling the laser device 31. As a result, the power of the laser beam output from the laser device 31 can be stabilized. The cooling method is not particularly limited, and may be air cooling with a fan or water cooling, for example.

レーザ制御部35は、レーザ冷却装置34を制御するとともに、複数のレーザ光源32の出力を制御する。たとえばレーザ制御部35は、レーザ光源32の温度が予め定められた制限温度以下であれば、レーザ光源32に対してレーザ光の出力を継続させ、レーザ光源32の温度がその制限温度を超えた場合には、レーザ光源32に対してレーザ光の出力を停止させる。   The laser control unit 35 controls the laser cooling device 34 and controls the outputs of the plurality of laser light sources 32. For example, if the temperature of the laser light source 32 is equal to or lower than a predetermined limit temperature, the laser control unit 35 continues to output laser light to the laser light source 32, and the temperature of the laser light source 32 exceeds the limit temperature. In that case, the output of the laser beam to the laser light source 32 is stopped.

本実施の形態では、レーザ光源32は半導体レーザである。電源装置36は、半導体レーザに電流を供給することにより半導体レーザからレーザ光を出力させる。また、電源装置36は、接合装置100の他の装置に対しても電源電圧を供給する。   In the present embodiment, the laser light source 32 is a semiconductor laser. The power supply device 36 outputs laser light from the semiconductor laser by supplying current to the semiconductor laser. In addition, the power supply device 36 supplies a power supply voltage to other devices of the bonding apparatus 100.

ファイバ中継器40は、複数の光ファイバ33からの光を複数の光ファイバ41に伝達するために設けられる。なお、光ファイバ33の本数と光ファイバ41の本数とは同じでもよいし異なっていてもよい。たとえば2本の光ファイバ33の各々からの光を光結合器により1本の光ファイバ41に結合することによって、その光ファイバ41を伝播する光のパワーを高めることができる。   The fiber repeater 40 is provided to transmit light from the plurality of optical fibers 33 to the plurality of optical fibers 41. The number of optical fibers 33 and the number of optical fibers 41 may be the same or different. For example, by coupling light from each of the two optical fibers 33 to one optical fiber 41 by an optical coupler, the power of light propagating through the optical fiber 41 can be increased.

また、レーザ光を伝送する光伝送路(すなわち光ファイバ)の途中にファイバ中継器40を設けることにより、たとえば複数の光ファイバ33のいずれかを交換する必要が生じた場合にも、交換作業を容易にすることができる。すなわちファイバ中継器40によって、接合装置100の保守作業を容易にすることが可能になる。   Further, by providing the fiber repeater 40 in the middle of the optical transmission path (that is, the optical fiber) for transmitting the laser light, for example, when any of the plurality of optical fibers 33 needs to be replaced, the replacement work is performed. Can be easily. That is, the fiber repeater 40 can facilitate maintenance work of the bonding apparatus 100.

接合装置100は、さらに、レーザ光保護カバー38と、複数のレンズ42と、複数のレンズホルダ43と、フィクスチャ45とを備える。   The bonding apparatus 100 further includes a laser light protection cover 38, a plurality of lenses 42, a plurality of lens holders 43, and a fixture 45.

レーザ光保護カバー38は、接合装置100の周囲にレーザ光が漏れるのを防ぐために設けられる。   The laser light protective cover 38 is provided to prevent the laser light from leaking around the bonding apparatus 100.

複数のレンズ42は、複数の光ファイバ41に対応してそれぞれ設けられる。複数のレンズ42の各々はコリメートレンズである。レンズ42によって、そのレンズに対応する光ファイバ41の一端から出力されたレーザ光は平行光となる。   The plurality of lenses 42 are provided corresponding to the plurality of optical fibers 41, respectively. Each of the plurality of lenses 42 is a collimating lens. Laser light output from one end of the optical fiber 41 corresponding to the lens by the lens 42 becomes parallel light.

複数のレンズホルダ43は複数のレンズ42にそれぞれ対応して設けられる。各レンズホルダ43は、対応するレンズ42および対応する光ファイバ41の一端を固定する。これにより、レンズ42と、光ファイバ41とを予め定められた配置に従って設置することが可能になる。レンズ42と光ファイバ41とは平行光が出射されるように配置される。   The plurality of lens holders 43 are provided corresponding to the plurality of lenses 42, respectively. Each lens holder 43 fixes one end of the corresponding lens 42 and the corresponding optical fiber 41. Thereby, it becomes possible to install the lens 42 and the optical fiber 41 according to a predetermined arrangement. The lens 42 and the optical fiber 41 are arranged so that parallel light is emitted.

フィクスチャ45は、所定単位数(たとえば8つ)のレンズホルダ43を一列に並べて固定するためのものである。したがって各フィクスチャ45に設けられた複数のレンズ42(各レンズ42はレンズホルダ43により固定される)から、一列に並んだ平行光の列が出射される。   The fixture 45 is for fixing a predetermined number of unit (for example, eight) lens holders 43 in a line. Therefore, a plurality of lenses 42 provided in each fixture 45 (each lens 42 is fixed by a lens holder 43) emits a line of parallel light arranged in a line.

接合装置100は、さらに、複数のフィクスチャ45を支持するための支持部材51と、支持部材51を前後方向(Y方向)に移動させるためのスライドレール52と、スライドレール52が敷設され、かつ、移動可能な支持部材51の外側に配置された固定部53と、固定部53の上面に設置されたバックアップ基板55と、X方向に移動可能に固定部53に取り付けられたX方向可動遮光部材56と、バックアップ基板55に接した状態で設置されたY方向遮光部材57とを備える。なお、バックアップ基板55は、固定部53の上面に動かないように固定されている。   The joining apparatus 100 further includes a support member 51 for supporting the plurality of fixtures 45, a slide rail 52 for moving the support member 51 in the front-rear direction (Y direction), and a slide rail 52, and The fixed portion 53 disposed outside the movable support member 51, the backup substrate 55 installed on the upper surface of the fixed portion 53, and the X-direction movable light-shielding member attached to the fixed portion 53 so as to be movable in the X direction. 56 and a Y-direction light shielding member 57 installed in contact with the backup substrate 55. The backup substrate 55 is fixed on the upper surface of the fixing portion 53 so as not to move.

接合装置100は、さらに、カメラ60と、カメラ60を動かすためのアーム62を備える。カメラ60は、液晶表示パネル1(パネル基板)の引出電極と、対応するドライバICのバンプ電極とが対向した状態において、バックアップ基板55および液晶表示パネル1を介して、引出電極およびバンプ電極を撮影する。カメラ60によって撮影された画像は引出電極に対するバンプ電極の位置合わせを行なうために用いられる。   The joining apparatus 100 further includes a camera 60 and an arm 62 for moving the camera 60. The camera 60 photographs the extraction electrode and the bump electrode through the backup substrate 55 and the liquid crystal display panel 1 in a state where the extraction electrode of the liquid crystal display panel 1 (panel substrate) and the bump electrode of the corresponding driver IC face each other. To do. An image photographed by the camera 60 is used to align the bump electrode with respect to the extraction electrode.

ACF10の加熱のためにレンズ42からレーザ光が出射するときには、アーム62によって、カメラ60はレーザ光の光路上の位置から退避させられる。したがってカメラ60によってレーザ光が遮られるのを防ぐことができる。なおアーム62の移動方向は特定されず、たとえばX方向に沿って動いてもよいし、XY平面内で回転してもよい。   When laser light is emitted from the lens 42 for heating the ACF 10, the camera 60 is retracted from the position on the optical path of the laser light by the arm 62. Therefore, it is possible to prevent the laser beam from being blocked by the camera 60. The moving direction of the arm 62 is not specified, and may move along the X direction, for example, or may rotate within the XY plane.

接合装置100は、さらに、制御装置70と、モータドライバ75と、表示装置80とを備える。制御装置70は、接合装置100全体を制御する。モータドライバ75は、制御装置70の指令に応じて、シリンダ移動機構22に設けられたモータ(上述の例ではリニアモータ)および、アーム62を動かすためのモータ(図示せず)を駆動する。   The joining apparatus 100 further includes a control device 70, a motor driver 75, and a display device 80. The control device 70 controls the entire joining device 100. The motor driver 75 drives a motor (linear motor in the above example) provided in the cylinder moving mechanism 22 and a motor (not shown) for moving the arm 62 in accordance with a command from the control device 70.

表示装置80は、たとえばカメラ60が写した画像、ユーザの入力する指示、接合装置100の現在の稼動状況等の各種情報を表示する。なお、表示装置80は、タッチパネルディスプレイのように入力装置を兼ねてもよい。あるいは、マウスやキーボード等の入力装置が接合装置100に接続され、ユーザがその入力装置を操作した結果が表示装置80に表示されてもよい。   The display device 80 displays various information such as an image taken by the camera 60, an instruction input by the user, a current operating state of the joining device 100, and the like. The display device 80 may also serve as an input device like a touch panel display. Alternatively, an input device such as a mouse or a keyboard may be connected to the joining device 100, and a result of the user operating the input device may be displayed on the display device 80.

図5は、本実施の形態に従う接合装置100に含まれるレーザ光照射部の構成を説明するための第1の図である。   FIG. 5 is a first diagram for illustrating a configuration of a laser beam irradiation unit included in bonding apparatus 100 according to the present embodiment.

図6は、本実施の形態に従う接合装置100に含まれるレーザ光照射部の構成を説明するための第2の図である。   FIG. 6 is a second diagram for illustrating a configuration of a laser beam irradiation unit included in bonding apparatus 100 according to the present embodiment.

図5および図6を参照して、レーザ光照射部は、複数のレーザ光源32を備える。本実施の形態では、エネルギー効率、および実装領域(すなわちACF10におけるレーザ光の照射領域)の大きさを考慮して半導体レーザがレーザ光源32に用いられる。   Referring to FIGS. 5 and 6, the laser light irradiation unit includes a plurality of laser light sources 32. In the present embodiment, a semiconductor laser is used for the laser light source 32 in consideration of energy efficiency and the size of the mounting region (that is, the laser light irradiation region in the ACF 10).

本実施の形態では、レーザ光の波長は、600nm〜1100nmの範囲内から選択される。後に詳細に説明するが、この範囲の波長の光は、バックアップ基板55と液晶表示パネル1とACF10の主材料である樹脂(たとえばエポキシ樹脂)とを透過しやすく、かつ、TCP2に搭載される半導体チップ(あるいはベアチップ)の主材料である単結晶シリコンやTCP2のキャリアテープの主材料であるポリイミドにより吸収されやすく、かつ、配線パターンの主材料であるアルミニウムにより吸収されにくい。これによりACF10のみならずシリコンチップ(またはキャリアテープ)もレーザ光によって加熱される。したがって、ACF10の自身の発熱だけでなくシリコンチップ(またはキャリアテープによる加熱によってACF10を加熱できるので、レーザ光をACFの加熱に有効的に活用できる。なお、波長スペクトルの幅は狭いほど好ましい。   In the present embodiment, the wavelength of the laser light is selected from the range of 600 nm to 1100 nm. As will be described in detail later, light having a wavelength in this range easily passes through the backup substrate 55, the liquid crystal display panel 1, and a resin (for example, epoxy resin) that is a main material of the ACF 10, and is a semiconductor mounted on the TCP 2. It is easily absorbed by single crystal silicon, which is the main material of the chip (or bare chip), and polyimide, which is the main material of the carrier tape of TCP2, and is hardly absorbed by aluminum, which is the main material of the wiring pattern. As a result, not only the ACF 10 but also the silicon chip (or carrier tape) is heated by the laser beam. Therefore, since the ACF 10 can be heated not only by the heat generation of the ACF 10 itself but also by heating with a silicon chip (or carrier tape), the laser beam can be effectively used for heating the ACF.

レーザ光源32からの光は光ファイバ33を伝播する。光ファイバ33と光ファイバ41とはファイバ中継器40により光学的に結合される。   Light from the laser light source 32 propagates through the optical fiber 33. The optical fiber 33 and the optical fiber 41 are optically coupled by the fiber repeater 40.

ファイバ中継器40は、光ファイバ33と光ファイバ41とを接続するための入力コネクタ47および出力コネクタ48を含む。光ファイバ33の端部は入力コネクタ47に挿入され、光ファイバ41の端部は出力コネクタ48に挿入される。入力コネクタ47と出力コネクタ48とが接続されることにより、光ファイバ33と光ファイバ41とが光学的に結合される。   The fiber repeater 40 includes an input connector 47 and an output connector 48 for connecting the optical fiber 33 and the optical fiber 41. The end of the optical fiber 33 is inserted into the input connector 47, and the end of the optical fiber 41 is inserted into the output connector 48. By connecting the input connector 47 and the output connector 48, the optical fiber 33 and the optical fiber 41 are optically coupled.

光ファイバ33、41は、レーザ光源から出たレーザ光がACF10に向かう向きに進行するように、そのレーザ光を導くためのものである。レーザ光源32から出たレーザ光は光ファイバ33,41を伝播し、レンズホルダ43に固定されたレンズ42により平行な光線に調整される。なお、1つのフィクスチャ45に設けられた複数のレンズ42の各々によりコリメートされたレーザ光は、互いに平行、かつ重なりあう光ビームとなる。   The optical fibers 33 and 41 are for guiding the laser light so that the laser light emitted from the laser light source travels in the direction toward the ACF 10. The laser light emitted from the laser light source 32 propagates through the optical fibers 33 and 41 and is adjusted to a parallel light beam by the lens 42 fixed to the lens holder 43. The laser beams collimated by each of the plurality of lenses 42 provided in one fixture 45 become light beams that are parallel to each other and overlap each other.

フィクスチャ45はレンズホルダ43の傾きを調整できるよう構成される。たとえば図5に示すように、フィクスチャ45は、支持部材51とフィクスチャ45との間に設けられた棒状の回転軸54を中心にフィクスチャ45を回転させることにより、その傾きを調整できる。各フィクスチャ45の傾きは、各フィクスチャ45に設けられたレンズからのレーザビームLBがACF10において集まるように設定される。X方向可動遮光部材56により、複数のレンズ42から出射されたレーザビームLBの一部は遮られる。   The fixture 45 is configured so that the inclination of the lens holder 43 can be adjusted. For example, as shown in FIG. 5, the inclination of the fixture 45 can be adjusted by rotating the fixture 45 around a rod-shaped rotation shaft 54 provided between the support member 51 and the fixture 45. The inclination of each fixture 45 is set so that the laser beam LB from the lens provided in each fixture 45 gathers at the ACF 10. A part of the laser beam LB emitted from the plurality of lenses 42 is blocked by the X-direction movable light blocking member 56.

なお回転軸54等はフィクスチャ45の傾きの調整を実現するための構成の一例として図5に示したものである。したがってフィクスチャ45の傾きを調整するための構成は図5に示したものに限定されない。   Note that the rotation shaft 54 and the like are shown in FIG. 5 as an example of a configuration for realizing the adjustment of the inclination of the fixture 45. Therefore, the configuration for adjusting the inclination of the fixture 45 is not limited to that shown in FIG.

温度検出部64はACF10の温度を測定するためのものである。ここで、物体は加熱の有無に関わらず、それ自身が温度に応じた波長を有する電磁波を輻射している。したがって、その物体から輻射される電磁波を検出することによって物体の温度を非接触で計測できる。本実施の形態では温度検出部64として、物体から輻射される電磁波の強度または波長を検出できるものが使用できる。具体例を挙げると、たとえば温度検出部64には、サーモパイル、熱線カメラ、フォトダイオードなどを用いることができる。   The temperature detector 64 is for measuring the temperature of the ACF 10. Here, the object itself radiates an electromagnetic wave having a wavelength corresponding to the temperature regardless of whether the object is heated. Therefore, the temperature of the object can be measured in a non-contact manner by detecting the electromagnetic wave radiated from the object. In the present embodiment, as the temperature detection unit 64, one that can detect the intensity or wavelength of electromagnetic waves radiated from an object can be used. For example, a thermopile, a heat ray camera, a photodiode, or the like can be used for the temperature detection unit 64, for example.

バックアップ基板55は、液晶表示パネル1を支持するためのものである。従来のヒータツール方式(加熱されたヘッドによりACFを加圧する方式)では、バックアップ基板は圧着する際に変形がほとんど生じないような剛性を有する材料で構成されていればよい。したがって従来のバックアップ基板は不透明な物体でもよい。しかしながら本実施の形態では、カメラ60(図4参照)がバックアップ基板55を通して液晶表示パネルの電極およびドライバIC5の電極を撮影するとともに、その撮影された画像に基づいて、ドライバIC5の位置決めが行なわれる。さらに、バックアップ基板55は、レーザ光(レーザビームLB)を透過させなければならない。また、ACF10を介したドライバIC5と液晶表示パネル1の接合の際には、加圧ヘッド25(図4参照)によってドライバIC5に圧力が加わるので、バックアップ基板55は剛性を有さなければならない。したがってバックアップ基板55は剛性が高く透明な材質で形成される。このような要件を満たすためのバックアップ基板55の材料としては、石英ガラスが好ましい。   The backup substrate 55 is for supporting the liquid crystal display panel 1. In the conventional heater tool method (method in which the ACF is pressed by a heated head), the backup substrate only needs to be made of a material having such a rigidity that hardly deforms when being pressed. Therefore, the conventional backup substrate may be an opaque object. However, in the present embodiment, the camera 60 (see FIG. 4) images the electrodes of the liquid crystal display panel and the driver IC 5 through the backup substrate 55, and the driver IC 5 is positioned based on the captured image. . Further, the backup substrate 55 must transmit laser light (laser beam LB). Further, when the driver IC 5 and the liquid crystal display panel 1 are joined via the ACF 10, the pressure is applied to the driver IC 5 by the pressure head 25 (see FIG. 4), so the backup substrate 55 must have rigidity. Therefore, the backup substrate 55 is made of a transparent material having high rigidity. As a material of the backup substrate 55 for satisfying such requirements, quartz glass is preferable.

なお、バックアップ基板55の表面55c(レーザビームLBの入射面)には、減反射コーティングが行なわれていることが好ましい。これにより、バックアップ基板55を透過するレーザ光の光量を増やすことができるので、ACF10に照射される光のパワーを高めることができる。したがって、ACF10の温度を短時間で目的の温度まで上昇させることが可能になる。   In addition, it is preferable that the antireflection coating is performed on the surface 55c (incident surface of the laser beam LB) of the backup substrate 55. Thereby, since the light quantity of the laser beam which permeate | transmits the backup board | substrate 55 can be increased, the power of the light irradiated to ACF10 can be raised. Therefore, it becomes possible to raise the temperature of ACF10 to the target temperature in a short time.

ただし、減反射コーティングされたバックアップ基板55を透過する光の波長は、減反射コーティングされていないバックアップ基板55を透過する光の波長に対して赤方シフトする可能性がある。したがってバックアップ基板55の表面55cに減反射コーティングが行なわれている場合、カメラ60としては赤外線側での解像度が高いものを用いることが好ましい。これによりバックアップ基板55の表面に減反射コーティングがなされていても、液晶表示パネル1の電極およびドライバIC5の電極をカメラで撮影できるので互いの電極の位置合わせを精度良く行なうことが可能になる。   However, there is a possibility that the wavelength of light transmitted through the backup substrate 55 coated with the anti-reflection coating is red-shifted with respect to the wavelength of light transmitted through the backup substrate 55 not coated with the anti-reflection coating. Therefore, when the antireflection coating is applied to the surface 55c of the backup substrate 55, it is preferable to use a camera 60 having a high resolution on the infrared side. As a result, even if the antireflection coating is applied to the surface of the backup substrate 55, the electrodes of the liquid crystal display panel 1 and the electrodes of the driver IC 5 can be photographed with a camera, so that the electrodes can be accurately aligned.

電源装置36は、レーザ制御部35の指令に応じてレーザ光源32(半導体レーザ)に印加する電流値を制御する。図示しないが、電源装置36はたとえばトランジスタに代表される、制御信号に応じた電流を流す電流制御素子が設けられている。   The power supply device 36 controls a current value applied to the laser light source 32 (semiconductor laser) in accordance with a command from the laser control unit 35. Although not shown, the power supply device 36 is provided with a current control element for flowing a current according to a control signal, for example, represented by a transistor.

温度検出部64は、検出したACF10の温度を示す信号を信号線65、信号コネクタ66,67を介して温度算出部68に出力する。温度算出部68は、温度検出部64からの信号に基づいて、ACF10の温度を算出する。そして温度算出部68は、その算出結果、すなわちACF10の温度の情報を温度制御部69に出力する。   The temperature detection unit 64 outputs a signal indicating the detected temperature of the ACF 10 to the temperature calculation unit 68 via the signal line 65 and the signal connectors 66 and 67. The temperature calculation unit 68 calculates the temperature of the ACF 10 based on the signal from the temperature detection unit 64. Then, the temperature calculation unit 68 outputs the calculation result, that is, information on the temperature of the ACF 10 to the temperature control unit 69.

温度制御部69は、温度算出部68が送信したACF10の温度の情報に基づいて、レーザ制御部35に指示を送る。この指示は、レーザビームのパワーを上げるための指示、レーザビームのパワーを下げるための指示を含むものである。なお温度制御部69は、接合装置100の全体の動作を制御する制御装置70によって制御される。   The temperature control unit 69 sends an instruction to the laser control unit 35 based on the temperature information of the ACF 10 transmitted by the temperature calculation unit 68. This instruction includes an instruction for increasing the power of the laser beam and an instruction for decreasing the power of the laser beam. The temperature control unit 69 is controlled by a control device 70 that controls the overall operation of the bonding apparatus 100.

図7は、フィクスチャ45および温度検出部64の配置を説明する、X方向から見た図である。   FIG. 7 is a diagram illustrating the arrangement of the fixture 45 and the temperature detection unit 64 as viewed from the X direction.

図7を参照して、複数のフィクスチャ45は、各フィクスチャ45に設けられた複数のコリメートレンズがX方向に一列に並べられており(図4等に示すレンズ42、図7には示さないが紙面に垂直方向に並んでいる)、各々出射されるレーザビームの列が光がバックアップ基板55上、好ましくは、バックアップ基板55上に置かれた液晶表示パネル1の上面で集まるように配置される。これによって、各フィクスチャ45に設けられた複数のレンズから発せられる平行光列(レーザビーム列)をACF10に集中させることができる。よって、高パワーの光をACF10に吸収させることにより、高速にACF10を加熱することができる。   Referring to FIG. 7, in the plurality of fixtures 45, a plurality of collimating lenses provided in each fixture 45 are arranged in a line in the X direction (the lens 42 shown in FIG. 4 and the like, shown in FIG. 7). Each array of laser beams emitted is arranged so that the light gathers on the backup substrate 55, preferably on the upper surface of the liquid crystal display panel 1 placed on the backup substrate 55. Is done. As a result, parallel light trains (laser beam trains) emitted from a plurality of lenses provided in each fixture 45 can be concentrated on the ACF 10. Therefore, the ACF 10 can be heated at a high speed by causing the ACF 10 to absorb high-power light.

具体的には、複数のフィクスチャ45は、バックアップ基板55における平行光の集光位置(すなわちバックアップ基板55の上面での所定の位置)を中心としてX方向に垂直な断面において扇状に配置される。   Specifically, the plurality of fixtures 45 are arranged in a fan shape in a cross section perpendicular to the X direction centering on a parallel light condensing position on the backup substrate 55 (that is, a predetermined position on the upper surface of the backup substrate 55). .

なお、各フィクスチャ45に配置された複数のレンズ(たとえば8個のレンズ)は、X方向(紙面垂直方向)に等間隔で配置される。これによりバックアップ基板55ではその複数のレンズからそれぞれ出射した複数のレーザビームが均一のピッチで整列する。   Note that a plurality of lenses (for example, eight lenses) arranged in each fixture 45 are arranged at equal intervals in the X direction (the direction perpendicular to the paper surface). Thereby, on the backup substrate 55, the plurality of laser beams respectively emitted from the plurality of lenses are aligned at a uniform pitch.

図8は、バックアップ基板55上でのレーザ光の照射領域を説明する図である。図8を参照して、コリメートされたレーザビームはバックアップ基板55の上において、互いに重なり合う円形のスポット(破線で示す)を形成する。複数のスポットは均一のピッチで並んでいる。スポットが重なりあうことによりACFに照射される光のパワーを高くすることができる。なお、スポットが重ねられた領域の両端の部分は、中央部分に比べて光のパワーが小さい(なぜなら重なりあうスポットの数が少ない)。この部分はACFの加熱には用いられないため、X方向可動遮光部材56によって予めカットされる。   FIG. 8 is a diagram for explaining a laser light irradiation region on the backup substrate 55. Referring to FIG. 8, the collimated laser beam forms circular spots (shown by broken lines) that overlap each other on the backup substrate 55. The plurality of spots are arranged at a uniform pitch. By overlapping the spots, it is possible to increase the power of light applied to the ACF. It should be noted that the power at the both ends of the region where the spots are overlapped is smaller than that at the center (because the number of overlapping spots is small). Since this portion is not used for heating the ACF, it is cut in advance by the X-direction movable light shielding member 56.

レーザ光の照射領域ARのX方向の長さは、X方向可動遮光部材56をX方向に移動させることにより調整される。   The length in the X direction of the laser light irradiation area AR is adjusted by moving the X direction movable light shielding member 56 in the X direction.

また、図8を参照して、Y方向遮光部材57(厳密には、後述する図9、図10等に示されるバックアップ基板55の傾斜面55a)によって照射領域ARのY方向の長さが調整される。後述するように、Y方向遮光部材57自体は移動しないものの、レンズが設けられたフィクスチャを一体にしてY方向に移動させることによって、相対的にY方向遮光部材57が移動する。したがって、照射領域ARのY方向の長さを変えることができる。   Referring to FIG. 8, the length in the Y direction of the irradiation area AR is adjusted by the Y-direction light shielding member 57 (strictly speaking, the inclined surface 55a of the backup substrate 55 shown in FIGS. 9 and 10 described later). Is done. As will be described later, although the Y-direction light shielding member 57 itself does not move, the Y-direction light shielding member 57 relatively moves by moving the fixture provided with the lens integrally in the Y direction. Therefore, the length of the irradiation area AR in the Y direction can be changed.

X方向可動遮光部材56およびY方向遮光部材57によって定められる照射領域ARの最大サイズが、パネル基板に実装可能なドライバICの最大サイズとなる。   The maximum size of the irradiation area AR defined by the X-direction movable light shielding member 56 and the Y-direction light shielding member 57 is the maximum size of the driver IC that can be mounted on the panel substrate.

なお、ドライバICの形状は長方形であることが多い。その長方形の長軸方向がX方向に対応し、短軸方向がY方向に対応する。   The driver IC is often rectangular. The long axis direction of the rectangle corresponds to the X direction, and the short axis direction corresponds to the Y direction.

Y方向遮光部材57は、XY平面に対して傾斜した傾斜面57aを有する。すなわちY方向遮光部材57におけるACF10側の平面57bと傾斜面57aとによって形成される稜部はナイフエッジ状である。   The Y-direction light shielding member 57 has an inclined surface 57a that is inclined with respect to the XY plane. That is, the ridge formed by the flat surface 57b on the ACF 10 side and the inclined surface 57a in the Y-direction light shielding member 57 has a knife edge shape.

なお、バックアップ基板55も、この傾斜面57aに接する(XY平面に対する傾斜角度が傾斜面57aの傾斜角度と同一である)傾斜面を有する。なお、この傾斜角度は、図中において、いずれのフィクスチャからのレーザビームの一部もしくは全部がその傾斜面にあたった場合に、全反射するように、もしくは、傾斜面を透過した後にその上に配置されるACF等に入射しないような屈折を考慮した角度に定められる。さらにこの傾斜面の傾斜角度は、扇状に配置されたフィクスチャのうち最もY方向負側に位置するフィクスチャ(符号45aにて示す)から出射されるレーザビームがバックアップ基板55へ向かう方向と比べて、よりY方向に沿うような角度に定められる。これにより、バックアップ基板55上の傾斜面57によって遮られる部分を除く位置へ向けて出射されるレーザビームについては、いずれのフィクスチャからのレーザビームも同様に傾斜面57aにけられることなくバックアップ基板55上へ到達可能となり、Y方向の位置が負によったフィクスチャがより多くレーザビームを、けられるような事態を回避できる。   The backup substrate 55 also has an inclined surface that is in contact with the inclined surface 57a (the inclination angle with respect to the XY plane is the same as the inclination angle of the inclined surface 57a). Note that this inclination angle is such that when a part or all of the laser beam from any fixture hits the inclined surface in the figure, it is totally reflected or after passing through the inclined surface. The angle is determined in consideration of refraction so as not to be incident on the ACF or the like disposed in the area. Further, the inclination angle of the inclined surface is compared with the direction in which the laser beam emitted from the fixture (indicated by reference numeral 45a) located on the most negative side in the Y direction among the fixtures arranged in a fan shape is directed to the backup substrate 55. Thus, the angle is further determined along the Y direction. As a result, with respect to the laser beam emitted toward the position excluding the portion blocked by the inclined surface 57 on the backup substrate 55, the laser beam from any fixture is not affected by the inclined surface 57a in the same manner. Thus, it is possible to avoid a situation in which a fixture having a negative position in the Y direction can emit more laser beams.

なお、傾斜面は粗面としてもよい。この場合は、レーザビームの一部もしくは全部がその傾斜面にあたった場合、拡散されて弱まるため、前述のように、全反射角度、もしくは、傾斜面を透過した後にその上に配置されるACF等に入射しないような屈折角度を考慮する必要性はなくなる。   The inclined surface may be a rough surface. In this case, when a part or all of the laser beam hits the inclined surface, the laser beam is diffused and weakened. Therefore, as described above, the total reflection angle or the ACF disposed on the inclined surface after passing through the inclined surface. Therefore, there is no need to consider a refraction angle that does not enter the light.

傾斜面57aにより切り欠かれた位置に勘合するように、Y方向遮光部材として機能するためのセラミック部材による遮光用ナイフエッジがバックアップ基板55と上面を等しくして配置される。   A light-shielding knife edge made of a ceramic member for functioning as a Y-direction light-shielding member is disposed so that the upper surface of the backup substrate 55 is equal to the upper surface so as to fit into the position cut out by the inclined surface 57a.

温度検出部64はACF10の斜め下方に設けられる。また、ACF10におけるレーザ光の照射領域の複数の箇所の温度を検出するため、温度検出部64は複数設けられる。なお図示しないが、温度検出部64には上述したサーモパイル(熱線カメラ、あるいはフォトダイオードでもよい)が設けられる。   The temperature detector 64 is provided obliquely below the ACF 10. In addition, a plurality of temperature detectors 64 are provided in order to detect temperatures at a plurality of locations in the laser light irradiation area of the ACF 10. Although not shown, the temperature detector 64 is provided with the above-described thermopile (which may be a heat ray camera or a photodiode).

温度検出部64の前面、すなわちACF10から輻射される電磁波が入射する面にはフィルタ64fが設けられる。このフィルタ64fは散乱した(あるいは反射した)レーザ光を透過させず、かつACF10から輻射される電磁波のみを透過させるために設けられる。たとえばフィルタ64fは、1.2μm〜1.5μmの波長帯の電磁波を透過するよう構成されたフィルタである。   A filter 64f is provided on the front surface of the temperature detection unit 64, that is, the surface on which electromagnetic waves radiated from the ACF 10 are incident. The filter 64f is provided so as not to transmit the scattered (or reflected) laser light and to transmit only the electromagnetic wave radiated from the ACF 10. For example, the filter 64f is a filter configured to transmit an electromagnetic wave having a wavelength band of 1.2 μm to 1.5 μm.

フィルタ64fの前方には筒64bが取り付けられる。筒64bによって、ACF10から輻射される電磁波の指向性を制御できる。   A cylinder 64b is attached in front of the filter 64f. The directivity of the electromagnetic wave radiated from the ACF 10 can be controlled by the cylinder 64b.

なお、散乱した(あるいは反射した)レーザ光等の外乱の影響がない場合、温度検出部64をバックアップ基板55の下部に設けることも可能である。ただしこの場合にはバックアップ基板55の材質として、通常の石英に比較して水酸基が少ない無水石英が特に好ましい。ACF10の加熱時にACF10の温度は、たとえば250℃程度に達する。この場合、ACF10からは、波長が2μmより長い電磁波が輻射される。バックアップ基板55の材質を無水石英とすることによって、水酸基の吸収帯に相当する2.5μm付近の波長帯での光の吸収を抑えることができるので、精度のよい温度検出が可能になる。   In the case where there is no influence of disturbance such as scattered (or reflected) laser light, the temperature detection unit 64 can be provided below the backup substrate 55. However, in this case, anhydrous quartz having a smaller number of hydroxyl groups than ordinary quartz is particularly preferable as a material for the backup substrate 55. When the ACF 10 is heated, the temperature of the ACF 10 reaches about 250 ° C., for example. In this case, an electromagnetic wave having a wavelength longer than 2 μm is radiated from the ACF 10. By using anhydrous quartz as the material of the backup substrate 55, it is possible to suppress the absorption of light in the wavelength band near 2.5 μm corresponding to the absorption band of the hydroxyl group, so that accurate temperature detection becomes possible.

図9は、本実施の形態に従う接合装置100に含まれるビーム整形部の構成を説明するための図である。   FIG. 9 is a diagram for illustrating a configuration of a beam shaping unit included in bonding apparatus 100 according to the present embodiment.

図9(a)は、X方向可動遮光部材を説明する図である。
図9(b)は、Y方向遮光部材を説明する図である。
FIG. 9A is a diagram illustrating the X-direction movable light shielding member.
FIG. 9B illustrates the Y-direction light shielding member.

図9(a),図9(b)を参照して、レーザビームLBのX方向の整形はX方向可動遮光部材56によって実現される。つまりACF10におけるレーザ光(レーザビームLB)の照射領域のX方向の長さは、X方向可動遮光部材56によって調整される。   With reference to FIGS. 9A and 9B, shaping of the laser beam LB in the X direction is realized by the X-direction movable light shielding member 56. FIG. That is, the X-direction length of the irradiation region of the laser beam (laser beam LB) in the ACF 10 is adjusted by the X-direction movable light shielding member 56.

一方、レーザビームLBのY方向の整形は、Y方向遮光部材57として、バックアップ基板55側の傾斜面(Y方向遮光部材57の傾斜面57aに接する傾斜面55a)と傾斜面57aにより切り欠かれた位置に勘合するセラミック部材による遮光用ナイフエッジとのいずれか、あるいは両方によって実現される。すなわちバックアップ基板55は、液晶表示パネル1の指示部材として機能するのみならず、レーザビームLBのY方向の整形を行なうためのシャッターとしても機能する。なお、図7、図9を参照すれば分かるように、傾斜面55aは、バックアップ基板55においてZ方向(液晶表示パネル1に対向する上面と反対側に位置する下面から、その上面に向かう向き)に対し、Y方向に傾いた斜面である。   On the other hand, the shaping of the laser beam LB in the Y direction is cut out by the inclined surface (inclined surface 55a in contact with the inclined surface 57a of the Y direction light shielding member 57) and the inclined surface 57a as the Y direction light shielding member 57. This is realized by either or both of the light-shielding knife edge and the ceramic member fitted in the position. That is, the backup substrate 55 not only functions as an indicating member of the liquid crystal display panel 1 but also functions as a shutter for shaping the laser beam LB in the Y direction. As can be seen from FIGS. 7 and 9, the inclined surface 55a is in the Z direction on the backup substrate 55 (from the bottom surface opposite to the top surface facing the liquid crystal display panel 1 to the top surface). On the other hand, the slope is inclined in the Y direction.

図7に示すように、フィクスチャ45はX方向の軸を中心にZ軸方向に傾けられる。仮にバックアップ基板55の下方でレーザビームのY方向の整形が行なわれた場合、ACF10におけるレーザビームの照射領域のY方向の精度が確保できない可能性が高くなる。このため、ACF10に極めて近い位置、すなわち、バックアップ基板55の上面においてレーザビームのY方向の整形を行なうことにより、照射領域のY方向の精度を確保できる。   As shown in FIG. 7, the fixture 45 is tilted in the Z-axis direction about the X-direction axis. If shaping of the laser beam in the Y direction is performed below the backup substrate 55, there is a high possibility that the accuracy in the Y direction of the laser beam irradiation area in the ACF 10 cannot be ensured. For this reason, the accuracy of the irradiation region in the Y direction can be ensured by shaping the laser beam in the Y direction at a position very close to the ACF 10, that is, on the upper surface of the backup substrate 55.

傾斜面55aは、たとえばサンドブラストあるいはエッチング等の加工によって粗面(砂面、あるいは梨地とも言い換えることができる)となっている。傾斜面55aに達したレーザ光が、たとえば傾斜面55aからバックアップ基板55の外側に出射される場合、そのレーザ光は傾斜面55aにおいて散乱(拡散)する。さらにバックアップ基板55の外側に散乱した光は、Y方向遮光部材57により多重散乱したり、Y方向遮光部材57に吸収されたりする。液晶表示パネル1には偏光板7等の熱に弱い部品が設けられている。Y方向遮光部材57によって、このような熱に弱い部品に高パワーのレーザ光が照射されるのを回避できる。   The inclined surface 55a is a rough surface (which can also be called a sand surface or a satin surface) by processing such as sandblasting or etching. For example, when the laser light reaching the inclined surface 55a is emitted from the inclined surface 55a to the outside of the backup substrate 55, the laser light is scattered (diffused) on the inclined surface 55a. Further, the light scattered outside the backup substrate 55 is scattered multiple times by the Y direction light shielding member 57 or absorbed by the Y direction light shielding member 57. The liquid crystal display panel 1 is provided with heat-sensitive components such as a polarizing plate 7. The Y-direction light shielding member 57 can avoid irradiating such a heat-sensitive component with high-power laser light.

なお、Y方向遮光部材57のエッジの位置Pe(すなわちナイフエッジの先端の位置)は、シリコンチップ(ドライバIC5)のエッジと同じ位置か、またはシリコンチップ側に入り込んだ位置である。また、バックアップ基板55の上面はY方向遮光部材57の上面(平面57b)と同じ高さ、あるいはY方向遮光部材57の上面よりも高い位置である。   Note that the edge position Pe of the Y-direction light shielding member 57 (that is, the position of the tip of the knife edge) is the same position as the edge of the silicon chip (driver IC 5) or the position where it enters the silicon chip side. Further, the upper surface of the backup substrate 55 is at the same height as the upper surface (plane 57 b) of the Y-direction light shielding member 57 or higher than the upper surface of the Y-direction light shielding member 57.

X方向可動遮光部材56およびY方向遮光部材57はたとえばセラミックにより形成される。   The X-direction movable light shielding member 56 and the Y-direction light shielding member 57 are made of ceramic, for example.

図10は、バックアップ基板55によるレーザビームのY方向の整形を説明するための模式図である。なお図10では、説明の便宜上、傾斜面55aを平面として表す。   FIG. 10 is a schematic diagram for explaining shaping of the laser beam in the Y direction by the backup substrate 55. In FIG. 10, for convenience of explanation, the inclined surface 55a is represented as a plane.

図10を参照して、光ファイバ41を伝達したレーザ光はレンズホルダ43に設けられたレンズ42から出射され、空気とバックアップ基板55との界面で屈折する。そのレーザ光は、バックアップ基板55の内部を進み、傾斜面55aに達する。傾斜面55aの垂線に対するレーザ光の入射角θは全反射角よりも大きいため、レーザ光は傾斜面55aで全反射する。   Referring to FIG. 10, the laser light transmitted through optical fiber 41 is emitted from lens 42 provided in lens holder 43 and is refracted at the interface between air and backup substrate 55. The laser light travels inside the backup substrate 55 and reaches the inclined surface 55a. Since the incident angle θ of the laser beam with respect to the perpendicular of the inclined surface 55a is larger than the total reflection angle, the laser beam is totally reflected by the inclined surface 55a.

図11は、レーザ光源32として用いられる半導体レーザを説明するための図である。図11を参照して、半導体レーザには、マルチエミッタ型の半導体レーザ、シングルエミッタ型の半導体レーザの2種類がある。図11(a)は、マルチエミッタ型の半導体レーザを示す図である。図11(a)を参照して、半導体レーザ32aはレーザ光を出力するための複数のエミッタEMを有する半導体チップである。したがって1つの半導体チップから出力される光のパワーを大きくすることができる。   FIG. 11 is a diagram for explaining a semiconductor laser used as the laser light source 32. Referring to FIG. 11, there are two types of semiconductor lasers, a multi-emitter type semiconductor laser and a single-emitter type semiconductor laser. FIG. 11A shows a multi-emitter semiconductor laser. Referring to FIG. 11A, a semiconductor laser 32a is a semiconductor chip having a plurality of emitters EM for outputting laser light. Therefore, the power of light output from one semiconductor chip can be increased.

図11(b)は、マルチエミッタ型の半導体レーザに生じると考えられる問題点を説明する図である。図11(b)を参照して、複数のエミッタEMの1つ(あるいはその周辺の領域)にダメージ(たとえば結晶欠陥が考えられる)などが生じた場合に、そのダメージが他のエミッタに伝達することが考えられる。   FIG. 11B is a diagram for explaining problems that may occur in a multi-emitter semiconductor laser. Referring to FIG. 11B, when damage (for example, a crystal defect is considered) occurs in one of the plurality of emitters EM (or a peripheral region thereof), the damage is transmitted to the other emitters. It is possible.

図11(c)は、シングルエミッタ型の半導体レーザを示す図である。図11(c)を参照して、半導体レーザ32bは、1つのエミッタEMを有する。たとえば多くの半導体レーザチップでは、結晶のへき開面からレーザ光を出力するよう構成されている。このような半導体レーザチップでは、対向する2面が、へき開面である。したがって、その2面の両方からレーザ光が出力される。ただし、出力光として取り出されるのは、その2面の一方から出た光である。したがって、本実施の形態では、結晶のへき開面からレーザ光を出力する半導体レーザをシングルエミッタ型の半導体レーザに含むものとする。   FIG. 11C shows a single-emitter semiconductor laser. Referring to FIG. 11C, the semiconductor laser 32b has one emitter EM. For example, many semiconductor laser chips are configured to output laser light from a cleaved surface of a crystal. In such a semiconductor laser chip, the two opposing surfaces are cleaved surfaces. Therefore, laser light is output from both of the two surfaces. However, what is extracted as output light is light emitted from one of the two surfaces. Therefore, in this embodiment, a semiconductor laser that outputs laser light from a cleavage plane of a crystal is included in a single-emitter semiconductor laser.

シングルエミッタ型の半導体レーザの場合、個々の半導体レーザから出力される光のパワーは、マルチエミッタ型の半導体レーザから出力される光のパワーよりも小さい。したがって、シングルエミッタ型の半導体レーザの場合、マルチエミッタ型の半導体レーザに比較して、ACFを加熱するに必要なパワーを得るために必要な個数は多くなると考えられる。ただし、シングルエミッタ型の半導体レーザの場合、複数のレーザ光源32のいずれか1つが故障しても対象のレーザ光源のみ交換すればよいため保守性に優れる。また、複数のレーザ光源32の間で出力光のパワーがばらついたとしても、複数のレーザ光源32を個別に制御する(レーザ光源32ごとに駆動電流を制御する)ことが可能である。つまり、エミッタ単位で光出力を制御できる。これにより、均一かつ接合に十分なパワーのビームを生成することが可能になる。したがって本実施の形態ではレーザ光源としてシングルエミッタ型半導体レーザを用いる。   In the case of a single-emitter semiconductor laser, the power of light output from each semiconductor laser is smaller than the power of light output from a multi-emitter semiconductor laser. Therefore, in the case of a single-emitter semiconductor laser, it is considered that the number necessary for obtaining power necessary for heating the ACF is larger than that of a multi-emitter semiconductor laser. However, in the case of a single-emitter semiconductor laser, even if any one of the plurality of laser light sources 32 breaks down, only the target laser light source needs to be replaced, so that maintainability is excellent. Even if the output light power varies among the plurality of laser light sources 32, the plurality of laser light sources 32 can be individually controlled (drive current is controlled for each laser light source 32). That is, the light output can be controlled in units of emitters. This makes it possible to generate a beam with a uniform power sufficient for bonding. Therefore, in this embodiment, a single emitter semiconductor laser is used as a laser light source.

図12は、図4に示す加圧ヘッド25を説明するための図である。
図12(a)は、加圧ヘッド25およびその周辺の構成を示す模式図である。図12(a)を参照して、加圧ヘッド25は、シリンダ20の先端に設けられた押さえ部材25a,25bを含む。押さえ部材25a,25bは、ドライバIC5の主材料であるシリコンよりも熱伝導度の低い材料が用いられる。シリコンよりも熱伝導度の低い材料を押さえ部材25a,25bに用いることによって、ドライバIC5の熱がシリンダ20に逃げるのを抑制できる。これによりドライバIC5の温度低下を防ぐことができるので、ドライバIC5(シリコンチップ)の下に設けられたACF10の温度低下も防ぐことができる。
FIG. 12 is a view for explaining the pressure head 25 shown in FIG.
FIG. 12A is a schematic diagram showing the configuration of the pressure head 25 and its periphery. With reference to FIG. 12A, the pressure head 25 includes pressing members 25 a and 25 b provided at the tip of the cylinder 20. The holding members 25a and 25b are made of a material having a lower thermal conductivity than silicon, which is the main material of the driver IC 5. By using a material having lower thermal conductivity than silicon for the pressing members 25 a and 25 b, it is possible to suppress the heat of the driver IC 5 from escaping to the cylinder 20. As a result, the temperature drop of the driver IC 5 can be prevented, and the temperature drop of the ACF 10 provided under the driver IC 5 (silicon chip) can also be prevented.

また、ドライバIC5に圧力を加えるため、押さえ部材25a,25bは適度な硬度を有する材料により形成されることも必要である。以上の点から、押さえ部材25a,25bの材料は、セラミック、石英、ガラスを含む材料の中から選ばれる。   Further, in order to apply pressure to the driver IC 5, the pressing members 25a and 25b must be formed of a material having an appropriate hardness. From the above points, the material of the pressing members 25a and 25b is selected from materials including ceramic, quartz, and glass.

複数の吸着孔23は、押さえ部材25a,25bを貫通するように形成される。真空吸着部77は、複数の吸着孔23を介して対象物であるドライバIC5を真空吸着する。したがってドライバIC5の表面(バンプ電極が形成された面と反対側の面)は押さえ部材25aに密着する。ドライバIC5を押さえ部材25aに密着させることによって、ドライバIC5に加えられる圧力を、押さえ部材25aに接触するドライバIC5の接触面内で均一にすることができる。   The plurality of suction holes 23 are formed so as to penetrate the pressing members 25a and 25b. The vacuum suction unit 77 vacuum-sucks the driver IC 5 that is the object through the plurality of suction holes 23. Therefore, the surface of the driver IC 5 (the surface opposite to the surface on which the bump electrodes are formed) is in close contact with the pressing member 25a. By bringing the driver IC 5 into close contact with the pressing member 25a, the pressure applied to the driver IC 5 can be made uniform within the contact surface of the driver IC 5 that contacts the pressing member 25a.

ドライバIC5の表面に圧力を均等に加えることによって、液晶表示パネル側の電極の位置に対してドライバIC側の電極の位置がずれるという問題を防ぐことが可能になる。これにより高精度に接合を行なうことができる。   By applying pressure evenly to the surface of the driver IC 5, it is possible to prevent the problem that the position of the electrode on the driver IC side is deviated from the position of the electrode on the liquid crystal display panel side. Thereby, joining can be performed with high accuracy.

なお、真空吸着部77は図示しない制御装置70によって制御される。また、真空吸着部77は、真空吸着の終了時には、たとえば吸着孔23に圧縮空気を供給することにより、吸着孔23の圧力を大気圧に戻す。   The vacuum suction unit 77 is controlled by a control device 70 (not shown). Moreover, the vacuum suction part 77 returns the pressure of the suction hole 23 to atmospheric pressure, for example, by supplying compressed air to the suction hole 23 at the end of the vacuum suction.

複数の吸着孔23の各々にはバルブ24が設けられる。真空吸着部77は、ドライバICのサイズ(チップサイズ)に対応して使用する吸着孔23を決定する。使用される吸着孔23に設けられたバルブ24は開状態となり、使用されない吸着孔23に設けられたバルブ24は閉状態となる。真空吸着部77は、ドライバICのサイズに対応して、開状態のバルブと、閉状態のバルブとを決定する。   A valve 24 is provided in each of the plurality of suction holes 23. The vacuum suction unit 77 determines the suction hole 23 to be used corresponding to the size (chip size) of the driver IC. The valve 24 provided in the used suction hole 23 is opened, and the valve 24 provided in the unused suction hole 23 is closed. The vacuum suction unit 77 determines an open valve and a closed valve according to the size of the driver IC.

図12(b)に示されるように、押さえ部材25aの底面はドライバICの表面よりも大きい。したがってドライバICのサイズに応じて、開状態のバルブと、閉状態のバルブとを決定できる。   As shown in FIG. 12B, the bottom surface of the pressing member 25a is larger than the surface of the driver IC. Therefore, an open valve and a closed valve can be determined according to the size of the driver IC.

なお押さえ部材25aの底面とドライバICの表面とが同じ大きさであってもよい。図12(c)は、押さえ部材25aおよびドライバIC5のX方向の長さを説明するための図であり、図12(d)は、押さえ部材25aおよびドライバIC5のY方向の長さを説明するための図である。図12(c)および図12(d)に示されるように、押さえ部材25aの底面とドライバICの表面とは同じ大きさである。ただし、押さえ部材25aの底面がドライバICの表面とずれた場合に、ドライバIC5の表面に圧力が均等に加わらないことが考えられる。したがって、図12(b)に示すように、押さえ部材25aの底面がドライバICの表面より大きいほうが好ましい。   The bottom surface of the pressing member 25a and the surface of the driver IC may be the same size. FIG. 12C is a diagram for explaining the lengths of the pressing member 25a and the driver IC 5 in the X direction, and FIG. 12D is a diagram illustrating the lengths of the pressing member 25a and the driver IC 5 in the Y direction. FIG. As shown in FIGS. 12C and 12D, the bottom surface of the pressing member 25a and the surface of the driver IC are the same size. However, when the bottom surface of the pressing member 25a deviates from the surface of the driver IC, it is conceivable that pressure is not uniformly applied to the surface of the driver IC 5. Therefore, as shown in FIG. 12B, the bottom surface of the pressing member 25a is preferably larger than the surface of the driver IC.

図13は、本実施の形態に従う接合装置100の制御系を説明するためのブロック図である。   FIG. 13 is a block diagram for illustrating a control system of bonding apparatus 100 according to the present embodiment.

図13を参照して、レーザ制御部35、温度算出部68および温度制御部69は制御装置70の直接的または間接的な指示に応じて動作する。   Referring to FIG. 13, laser control unit 35, temperature calculation unit 68, and temperature control unit 69 operate according to direct or indirect instructions from control device 70.

レーザ制御部35は、温度検出回路35aと、制御回路35bと、メモリ35cと、インターフェイス(図13ではI/Fと示す)回路35dとを含む。温度検出回路35aは、複数のレーザ光源32の各々の温度または全体の温度(たとえば雰囲気温度)を検出して、その検出した温度を制御回路35bに出力する。メモリ35cは、レーザ光源32を動作させるための情報を記憶する。この情報は、たとえば、複数のレーザ光源32の各々の動作温度、または全体の温度の上限値の情報、レーザ光源の動作電流値と光出力との関係を示す情報などを含む。   The laser control unit 35 includes a temperature detection circuit 35a, a control circuit 35b, a memory 35c, and an interface (shown as I / F in FIG. 13) circuit 35d. The temperature detection circuit 35a detects the temperature of each of the plurality of laser light sources 32 or the entire temperature (for example, ambient temperature), and outputs the detected temperature to the control circuit 35b. The memory 35c stores information for operating the laser light source 32. This information includes, for example, information on the operating temperature of each of the plurality of laser light sources 32 or the upper limit value of the entire temperature, information indicating the relationship between the operating current value of the laser light source and the light output, and the like.

制御回路35bは、メモリ35cから動作温度の上限値の情報を読み出すとともに、温度検出回路35aの検出結果(現在の動作温度)を受ける。制御回路35bは、現在の動作温度が上限値を超える場合には、電源装置36を制御することにより、たとえば複数のレーザ光源32の全部または一部による光出力を停止するなど、各レーザ光源を駆動する条件を独立に制御する。なお、レーザ光源32の動作温度が上限値を超えないようにレーザ光源32はレーザ冷却装置34により冷却される。   The control circuit 35b reads information on the upper limit value of the operating temperature from the memory 35c and receives the detection result (current operating temperature) of the temperature detection circuit 35a. When the current operating temperature exceeds the upper limit value, the control circuit 35b controls each power source 36 by controlling the power supply device 36, for example, stopping light output by all or part of the plurality of laser light sources 32. Control the driving conditions independently. The laser light source 32 is cooled by the laser cooling device 34 so that the operating temperature of the laser light source 32 does not exceed the upper limit value.

また、制御回路35bは、インターフェイス回路35dから、ACF10のある部分または全体に照射されるレーザ光のパワーを上げるための指示(またはレーザ光のパワーを下げるための指示)を受ける。制御回路35bは、その指示に応じて、電源装置36を制御することにより、複数のレーザ光源32の一部または全部に供給される電流を増やしたり減らしたりするなど、各レーザ光源を駆動する条件を独立に制御する。この制御は、各レーザ光源32が出射するレーザ光の強度を、時間に対して一定にする制御、あるいは時間的に変化させる制御を含む。   In addition, the control circuit 35b receives an instruction for increasing the power of the laser light applied to a part or the whole of the ACF 10 (or an instruction for decreasing the power of the laser light) from the interface circuit 35d. The control circuit 35b controls the power supply device 36 in accordance with the instruction to increase or decrease the current supplied to some or all of the plurality of laser light sources 32. Are controlled independently. This control includes control for making the intensity of laser light emitted from each laser light source 32 constant with respect to time, or control for changing with time.

この構成によれば、おのおの独立した駆動条件で制御可能なレーザ光源からの光を、ファイバ、レンズ等の光学系を介して、図8に示すような、バックアップ基板55上の一定の領域に対して、異なる位置に照射される複数のレーザビームの集まりとして照射するので、この領域に照射されるレーザビームの強度分布および時間的な強度の変化を制御することが可能となる。   According to this configuration, light from a laser light source that can be controlled under independent driving conditions is transmitted to a certain region on the backup substrate 55 as shown in FIG. 8 via an optical system such as a fiber or a lens. In this way, irradiation is performed as a group of a plurality of laser beams irradiated to different positions, so that it is possible to control the intensity distribution and temporal change in intensity of the laser beams irradiated to this region.

温度算出部68は、温度検出部64に設けられた複数の温度センサ64a(たとえば図13に示すように3個の温度センサ64a)の各々から出力される信号を受ける。温度算出部68は、A/D(アナログ−デジタル)変換回路68aと、演算回路68bと、メモリ68cと、インターフェイス回路68dとを含む。A/D変換回路68aは、温度センサ64aから受けた信号(アナログ信号)をデジタル信号に変換する。メモリ68cは、温度と、デジタル信号が示す数値との対応関係を示す情報を記憶する。演算回路68bは、メモリ68cから、温度とデジタル信号が示す数値との対応関係の情報を読み出すとともに、A/D変換回路68aからのデジタル信号を受ける。そして演算回路68bは、現在のACF10の温度を算出し、その算出結果をインターフェイス回路68dに出力する。インターフェイス回路68dはその温度の情報を温度制御部69に出力する。なお、演算回路68bからインターフェイス回路68dに出力される温度の情報は、複数の温度センサ64aの各々が検出した温度の情報である。   The temperature calculation unit 68 receives a signal output from each of a plurality of temperature sensors 64a (for example, three temperature sensors 64a as shown in FIG. 13) provided in the temperature detection unit 64. The temperature calculation unit 68 includes an A / D (analog-digital) conversion circuit 68a, an arithmetic circuit 68b, a memory 68c, and an interface circuit 68d. The A / D conversion circuit 68a converts the signal (analog signal) received from the temperature sensor 64a into a digital signal. The memory 68c stores information indicating the correspondence between the temperature and the numerical value indicated by the digital signal. The arithmetic circuit 68b reads out information on the correspondence relationship between the temperature and the numerical value indicated by the digital signal from the memory 68c and receives the digital signal from the A / D conversion circuit 68a. The arithmetic circuit 68b calculates the current temperature of the ACF 10 and outputs the calculation result to the interface circuit 68d. The interface circuit 68d outputs the temperature information to the temperature control unit 69. Note that the temperature information output from the arithmetic circuit 68b to the interface circuit 68d is the temperature information detected by each of the plurality of temperature sensors 64a.

温度制御部69は、演算回路69aと、インターフェイス回路69b,69cとを含む。インターフェイス回路69bは、インターフェイス回路68dから出力された、ACF10の温度の情報を受けるとともに、その情報を演算回路69aに出力する。   The temperature control unit 69 includes an arithmetic circuit 69a and interface circuits 69b and 69c. The interface circuit 69b receives the temperature information of the ACF 10 output from the interface circuit 68d and outputs the information to the arithmetic circuit 69a.

演算回路69aは、インターフェイス回路69bから受けた情報に基づいて、ACF10の温度分布に関する情報を生成する。そして演算回路69aはその温度分布情報に基づいて、ACF10の面内において、その温度を高くする(あるいは低くする)必要がある部分を特定する。なお、たとえばACF10の温度が全体的に低い場合には、演算回路69aはACF10の面内のすべての部分において温度を高くする必要があると判定する。そして演算回路69aは、その演算結果をインターフェイス回路69cに出力する。   The arithmetic circuit 69a generates information related to the temperature distribution of the ACF 10 based on the information received from the interface circuit 69b. Based on the temperature distribution information, the arithmetic circuit 69a identifies a portion in the surface of the ACF 10 where the temperature needs to be increased (or decreased). For example, when the temperature of the ACF 10 is generally low, the arithmetic circuit 69a determines that the temperature needs to be increased in all portions in the plane of the ACF 10. Then, the arithmetic circuit 69a outputs the arithmetic result to the interface circuit 69c.

インターフェイス回路69cは、演算回路69aの演算結果をレーザ制御部35に出力する。インターフェイス回路69cから出力された情報は、インターフェイス回路35dによって受信され、インターフェイス回路35dから制御回路35bに送られる。   The interface circuit 69c outputs the calculation result of the calculation circuit 69a to the laser control unit 35. The information output from the interface circuit 69c is received by the interface circuit 35d and sent from the interface circuit 35d to the control circuit 35b.

制御装置70は、温度制御部69(演算回路69a)からACF10の温度分布に関する情報を受けるとともに、温度制御部69に対して動作/停止を指示する。たとえば制御装置70は、ACF10の温度分布に関する情報を表示装置80に出力して、表示装置80にその情報を表示させる。   The control device 70 receives information on the temperature distribution of the ACF 10 from the temperature control unit 69 (arithmetic circuit 69a) and instructs the temperature control unit 69 to operate / stop. For example, the control device 70 outputs information related to the temperature distribution of the ACF 10 to the display device 80 and causes the display device 80 to display the information.

さらに、制御装置70は、カメラ60(図4参照)が取り付けられたアーム62を移動させるためのアーム移動装置62aを制御する。アーム移動装置62aはたとえばモータ、ギヤ、図4に示すモータドライバ75等から構成される。すなわち図13に示すアーム62およびアーム移動装置62aは、カメラ60を移動させるためのカメラ移動機構を構成する。   Further, the control device 70 controls an arm moving device 62a for moving the arm 62 to which the camera 60 (see FIG. 4) is attached. The arm moving device 62a includes, for example, a motor, a gear, a motor driver 75 shown in FIG. That is, the arm 62 and the arm moving device 62a shown in FIG. 13 constitute a camera moving mechanism for moving the camera 60.

さらに、制御装置70は、フィクスチャ45が取り付けられた支持部材51(図4参照)をY方向に移動させるための光学系移動装置51aを制御するとともに、X方向可動遮光部材56をX方向に動かすためのX方向可動遮光部材駆動部56aを制御する。これにより、レーザビームがACF10において所定の形状に整形される。さらに、制御装置70は、真空吸着部77の動作を制御する。   Further, the control device 70 controls the optical system moving device 51a for moving the support member 51 (see FIG. 4) to which the fixture 45 is attached in the Y direction, and moves the X direction movable light shielding member 56 in the X direction. The X-direction movable light shielding member driving unit 56a for moving is controlled. As a result, the laser beam is shaped into a predetermined shape in the ACF 10. Further, the control device 70 controls the operation of the vacuum suction unit 77.

記憶装置82(たとえばハードディスク)は、制御装置70が実行するプログラム、制御装置70の処理結果等を不揮発的に記憶する。   The storage device 82 (for example, a hard disk) stores a program executed by the control device 70, a processing result of the control device 70, and the like in a nonvolatile manner.

[接合処理]
図14は、液晶表示パネル1と実装部品とをACF10を介して接合する接合処理の全体を説明するためのフローチャートである。なお、以下の説明では「実装部品」としてICドライバ5(ベアチップ)を例示するが、「実装部品」がTCP、その他接合可能な電子部品である場合にも同様の処理が実行される。
[Bonding process]
FIG. 14 is a flowchart for explaining the entire joining process for joining the liquid crystal display panel 1 and the mounting component via the ACF 10. In the following description, the IC driver 5 (bare chip) is exemplified as the “mounting component”, but the same processing is executed when the “mounting component” is a TCP or other electronic component that can be joined.

図14を参照して、処理が開始されると、まずステップS1において、液晶表示パネル1が搬入される。次にステップS2において、液晶表示パネル1のガラス基板に設けられた引出電極(以下ではパネル電極とも呼ぶ)のクリーニング処理が行なわれる。続いてステップS3において、接続材料であるACFの位置決めが行なわれ、ACFがその決められた位置に貼付けられる。   Referring to FIG. 14, when the process is started, first, in step S1, liquid crystal display panel 1 is carried in. Next, in step S2, a cleaning process of an extraction electrode (hereinafter also referred to as a panel electrode) provided on the glass substrate of the liquid crystal display panel 1 is performed. Subsequently, in step S3, the ACF that is the connection material is positioned, and the ACF is attached to the determined position.

ステップS4において、液晶表示パネル1への実装部品すなわちICドライバ5がシリンダ20等によってチップトレイ21からピックアップされる(図4参照)。   In step S4, the component mounted on the liquid crystal display panel 1, that is, the IC driver 5, is picked up from the chip tray 21 by the cylinder 20 or the like (see FIG. 4).

ステップS5において、カメラ60が取り付けられたアーム62がバックアック基板55の下部にスライドインする。図13に示されるように、制御装置70がアーム移動装置62aを制御することによって、アーム62が移動する。これによりカメラ60がバックアック基板55の下部の所定の位置まで移動する。   In step S <b> 5, the arm 62 to which the camera 60 is attached slides in the lower part of the back-up board 55. As shown in FIG. 13, the control device 70 controls the arm moving device 62a, so that the arm 62 moves. As a result, the camera 60 moves to a predetermined position below the back substrate 55.

ステップS6において、カメラ60は、バックアップ基板55および液晶表示パネル1のガラス基板を介してパネル電極およびドライバIC5のバンプ電極とを撮影する。カメラ60が撮影した画像に基づいて、パネル電極に対する実装部品(より特定的にはバンプ電極)の位置決めが行なわれ、パネル電極とバンプ電極とで対応する電極同士の位置合わせが行なわれる。   In step S <b> 6, the camera 60 photographs the panel electrode and the bump electrode of the driver IC 5 through the backup substrate 55 and the glass substrate of the liquid crystal display panel 1. Based on the image photographed by the camera 60, the mounting component (more specifically, the bump electrode) is positioned with respect to the panel electrode, and the corresponding electrodes are aligned with each other between the panel electrode and the bump electrode.

ステップS7において、シリンダ20が降下することにより加圧ヘッド25が降下する。これによりドライバIC5(およびACF10)が加圧され、ACF10が、液晶表示パネル1とドライバIC5との間に挟みこまれる。   In step S7, the pressure head 25 is lowered as the cylinder 20 is lowered. As a result, the driver IC 5 (and the ACF 10) is pressurized, and the ACF 10 is sandwiched between the liquid crystal display panel 1 and the driver IC 5.

ステップS8において、レーザ光がACF10に照射される。これによりACF10が加熱され、ACF10の温度がある温度に達すると、ACF10中の熱反応性樹脂が流動化する。さらにACF10は加圧されているので、ACF10の内部ではミクロパーティクル同士が接触する。これによりドライバIC5の電極とパネル電極とがミクロパーティクルを介して電気的に接続される。さらに、ACF10の加熱を続けることにより熱反応性樹脂が硬化する。なお、このステップS8においてドライバIC5に加えられる圧力は一定でも良いし、適宜変化しても良い。   In step S8, the ACF 10 is irradiated with laser light. As a result, the ACF 10 is heated, and when the temperature of the ACF 10 reaches a certain temperature, the thermally reactive resin in the ACF 10 fluidizes. Furthermore, since the ACF 10 is pressurized, the microparticles are in contact with each other inside the ACF 10. As a result, the electrode of the driver IC 5 and the panel electrode are electrically connected via the microparticle. Furthermore, the heat-reactive resin is cured by continuing to heat the ACF 10. Note that the pressure applied to the driver IC 5 in step S8 may be constant or may be changed as appropriate.

ステップS9において、シリンダ20(加圧ヘッド25)が上昇する。これにより、ドライバIC5(ACF10)の圧力が開放される。   In step S9, the cylinder 20 (pressure head 25) is raised. As a result, the pressure of the driver IC 5 (ACF 10) is released.

ステップS10において、実装部の検査が行なわれる。この検査は、たとえば電気的な接続の検査、外観検査等である。   In step S10, the mounting portion is inspected. This inspection is, for example, an electrical connection inspection, an appearance inspection, or the like.

ステップS11において、次工程(たとえば組立て工程)での処理のために液晶表示パネル1が搬出される。ステップS11の処理が終わると全体の処理が終了する。   In step S11, the liquid crystal display panel 1 is unloaded for processing in the next process (for example, an assembly process). When the process of step S11 ends, the entire process ends.

次に、ステップS8の処理の一部であるレーザ光照射処理についてさらに詳しく説明する。図15は、レーザ光照射処理を説明するためのフローチャートである。   Next, the laser beam irradiation process that is a part of the process of step S8 will be described in more detail. FIG. 15 is a flowchart for explaining the laser beam irradiation process.

図15を参照して、レーザ光照射処理は、実際にレーザ光がACF10に照射される前の段階の処理(ステップS20の処理)と、レーザ光がACF10に照射されるときの処理(ステップS21〜S27の処理)とに大別される。   Referring to FIG. 15, the laser light irradiation process includes a process at a stage before laser light is actually irradiated on ACF 10 (step S20) and a process when laser light is irradiated onto ACF 10 (step S21). To S27).

ステップS20の処理についてまず説明する。ステップS20は、サブステップであるステップS20A〜S20Eを含む。ステップS20Aにおいて、ACF10の表面における目標の温度分布と、加熱時間とが設定される。たとえばユーザが入力装置に、これらの情報を入力する。制御装置70は、入力装置から情報を取得する。これにより温度分布および加熱時間が設定される。なお、これらの情報は、制御装置70から温度制御部69(図13参照)に送られてもよい。   First, the process of step S20 will be described. Step S20 includes substeps S20A to S20E. In step S20A, a target temperature distribution on the surface of the ACF 10 and a heating time are set. For example, the user inputs such information into the input device. The control device 70 acquires information from the input device. Thereby, the temperature distribution and the heating time are set. These pieces of information may be sent from the control device 70 to the temperature control unit 69 (see FIG. 13).

図15および図13を参照して、ステップS20Bにおいて、温度保持フィードバック係数の設定が行なわれる。レーザ光がACF10に照射されている間、制御装置70、温度制御部69、およびレーザ制御部35によって、ACF10の温度を設定温度に保持するためにレーザ光のパワーが調整される。この処理はACF10の温度と設定温度とのずれに基づいて、レーザ光のパワーを制御するフィードバック制御である。この制御においては、レーザ光のパワーの補正量は、ACF10の温度と設定温度とのずれにある係数を乗じた値に基づいて算出される。温度制御部69は、ステップS20Bにおいて、その係数を設定する。なお制御装置70がフィードバック係数を設定してもよい。   Referring to FIGS. 15 and 13, in step S20B, a temperature holding feedback coefficient is set. While the ACF 10 is irradiated with the laser light, the power of the laser light is adjusted by the control device 70, the temperature control unit 69, and the laser control unit 35 in order to keep the temperature of the ACF 10 at the set temperature. This process is feedback control for controlling the power of the laser beam based on the difference between the temperature of the ACF 10 and the set temperature. In this control, the correction amount of the power of the laser beam is calculated based on a value obtained by multiplying a coefficient that is a difference between the temperature of the ACF 10 and the set temperature. The temperature control unit 69 sets the coefficient in step S20B. The control device 70 may set a feedback coefficient.

ステップS20Cにおいて、レーザ制御部35は、設定されたフィードバック係数に基づいて、レーザ光の初期の出力値を設定する。ステップS20Dにおいて、レーザ制御部35は、その設定された出力値に基づいて、複数のレーザ光源32のうち、動作対象のレーザ光源を設定する。   In step S20C, the laser control unit 35 sets an initial output value of the laser beam based on the set feedback coefficient. In step S20D, the laser control unit 35 sets a laser light source to be operated among the plurality of laser light sources 32 based on the set output value.

ステップS20Eにおいて、制御装置70は、X方向可動遮光部材駆動部56aを制御することにより、X方向可動遮光部材56を移動させる。さらに制御装置70は、光学系移動装置51aを制御することにより、Y方向遮光部材57を、フィクスチャ45が固定された固定部53(図4参照)に対して相対的に移動させる。   In step S20E, the control device 70 moves the X-direction movable light shielding member 56 by controlling the X-direction movable light shielding member driving unit 56a. Further, the control device 70 controls the optical system moving device 51a to move the Y-direction light shielding member 57 relative to the fixed portion 53 (see FIG. 4) to which the fixture 45 is fixed.

次に、ステップS21において、レーザ制御部35は電源装置36を制御することにより動作対象のレーザ光源32から、設定された出力値(レーザ初期出力値)のレーザ光を出力させる。さらに、温度検出部64に設けられた複数の温度センサ64aは、ACF10の温度を検出する。   Next, in step S <b> 21, the laser control unit 35 controls the power supply device 36 to output laser light having a set output value (laser initial output value) from the laser light source 32 to be operated. Further, the plurality of temperature sensors 64 a provided in the temperature detection unit 64 detect the temperature of the ACF 10.

ステップS22において、温度算出部68は、複数の温度センサ64aの各々の出力を取得する。温度算出部68は、温度センサ64aの出力に基づいてACF10の温度を算出し、その算出結果(ACF10の温度の情報)を温度制御部69に出力する。   In step S22, the temperature calculation unit 68 acquires the output of each of the plurality of temperature sensors 64a. The temperature calculation unit 68 calculates the temperature of the ACF 10 based on the output of the temperature sensor 64 a and outputs the calculation result (information on the temperature of the ACF 10) to the temperature control unit 69.

ステップS23において、温度制御部69は、温度算出部68によって算出されたACF10の温度の情報を受ける。これにより温度制御部69は、ACF10の温度分布の情報を取得する。   In step S <b> 23, the temperature control unit 69 receives information on the temperature of the ACF 10 calculated by the temperature calculation unit 68. Thereby, the temperature control unit 69 acquires information on the temperature distribution of the ACF 10.

ステップS24において、温度制御部69は、ステップS20Aで設定された目標の温度分布と、ステップS23において取得した温度分布とを比較する。そして温度制御部69は、これらの温度分布の比較結果をレーザ制御部35に出力する。レーザ制御部35は、その比較結果(温度分布の違い)に基づいて、レーザ光源の出力のフィードバック量を算出する。たとえばレーザ制御部35は、ACF10のある部分において、目標の温度と実際の温度とに差が生じている場合には、その温度差に応じたフィードバック量を算出する。   In step S24, the temperature control unit 69 compares the target temperature distribution set in step S20A with the temperature distribution acquired in step S23. Then, the temperature control unit 69 outputs the comparison result of these temperature distributions to the laser control unit 35. The laser control unit 35 calculates the feedback amount of the output of the laser light source based on the comparison result (difference in temperature distribution). For example, if there is a difference between the target temperature and the actual temperature in a certain part of the ACF 10, the laser control unit 35 calculates a feedback amount corresponding to the temperature difference.

ステップS25において、レーザ制御部35は、算出したフィードバック量に基づいてレーザ光源からの出力を補正する。上述の例の場合には、レーザ制御部35は、目標の温度と実際の温度とに差が生じているACF10の部分にレーザ光を照射するレーザ光源を特定する。そして、レーザ制御部35は、その特定されたレーザ光源の出力をフィードバック量だけ増加させるように、電源装置36を制御する。電源装置36は、そのレーザ光源に供給する電流を増やすことによってレーザ光源の出力を増加させる。   In step S25, the laser control unit 35 corrects the output from the laser light source based on the calculated feedback amount. In the case of the above-described example, the laser control unit 35 specifies the laser light source that irradiates the laser light to the portion of the ACF 10 where the difference between the target temperature and the actual temperature is generated. Then, the laser control unit 35 controls the power supply device 36 so as to increase the output of the specified laser light source by the feedback amount. The power supply device 36 increases the output of the laser light source by increasing the current supplied to the laser light source.

ステップS26において、レーザ制御部35は、ACF10の加熱時間(言い換えればレーザ光がACF10に照射される時間)が予め定められた経過時間を上回るか否かを判定する。ACF10の加熱時間が所定の経過時間以下の場合(ステップS26においてNO)、処理はステップS22に戻る。一方、ACF10の加熱時間が所定の経過時間を上回る場合(ステップS26においてYES)、ステップS27において、レーザ制御部35は、レーザ光源32によるレーザ光の照射を完了させる。ステップS27の処理が終了すると全体の処理が終了する。   In step S <b> 26, the laser control unit 35 determines whether or not the heating time of the ACF 10 (in other words, the time for which the ACF 10 is irradiated with laser light) exceeds a predetermined elapsed time. If the heating time of ACF 10 is equal to or shorter than the predetermined elapsed time (NO in step S26), the process returns to step S22. On the other hand, when the heating time of ACF 10 exceeds the predetermined elapsed time (YES in step S26), in step S27, laser control unit 35 completes the laser light irradiation by laser light source 32. When the process of step S27 ends, the entire process ends.

図16は、ベアチップ(ドライバIC5)を液晶表示パネル1に実装する場合におけるレーザ光の照射領域ARを示す図である。なお、以下において「照射範囲」とは、この照射領域ARの1次元方向(X方向でもY方向でもよい)の範囲を意味する。   FIG. 16 is a diagram showing a laser light irradiation area AR when a bare chip (driver IC 5) is mounted on the liquid crystal display panel 1. In the following, “irradiation range” means a range in the one-dimensional direction (X direction or Y direction) of the irradiation area AR.

図16(a)は、ベアチップ(ドライバIC5)側から見たレーザ光の照射領域ARを示す図である。   FIG. 16A is a diagram showing an irradiation area AR of laser light viewed from the bare chip (driver IC 5) side.

図16(b)は、ベアチップ(ドライバIC5)および液晶表示パネル1の側面側から見たレーザ光のX方向の照射範囲を示す図である。   FIG. 16B is a diagram illustrating an irradiation range in the X direction of laser light viewed from the side of the bare chip (driver IC 5) and the liquid crystal display panel 1.

図16を参照して、ドライバIC5のバンプ電極5aが液晶表示パネル1のパネル電極1aと重なるようにドライバIC5の位置が決定される。ACF10は、ドライバIC5のバンプ電極5aと、液晶表示パネル1のパネル電極1aとに挟まれる。   Referring to FIG. 16, the position of driver IC 5 is determined so that bump electrode 5 a of driver IC 5 overlaps with panel electrode 1 a of liquid crystal display panel 1. The ACF 10 is sandwiched between the bump electrode 5 a of the driver IC 5 and the panel electrode 1 a of the liquid crystal display panel 1.

レーザ光の照射領域ARは、ドライバIC5の輪郭により定まる領域と実質的に同じ領域である。言い換えると、レーザ光はドライバIC5とほぼ一致するような領域に照射される。このようなレーザ光の照射は、図8に示したように、レーザビーム(光スポット)を均一のピッチで重ね合わせることと、X方向およびY方向の遮光部材との組み合わせにより実現される。   The laser light irradiation area AR is substantially the same as the area determined by the contour of the driver IC 5. In other words, the laser beam is applied to an area that substantially matches the driver IC 5. As shown in FIG. 8, such laser light irradiation is realized by combining laser beams (light spots) with a uniform pitch and a light shielding member in the X direction and the Y direction.

図17は、ACF中の熱反応性樹脂の状態がその樹脂の温度により変化することを説明するための図である。   FIG. 17 is a diagram for explaining that the state of the thermally reactive resin in the ACF changes depending on the temperature of the resin.

図17を参照して、グラフの横軸はACFの加熱開始からの経過時間を示し、グラフの縦軸は温度を示す。ここで説明する熱反応性樹脂は、熱硬化性樹脂であり、その流動化は、熱反応性樹脂の温度が反応開始温度に達するときに始まるものとする。実際には熱反応性樹脂の反応(流動化および硬化)は、この反応開始温度より少し低い温度から少しずつ進行するが、説明の便宜上、ここでは、樹脂の温度が反応開始温度に達したときに流動化が始まるものとする。なお、熱硬化性樹脂の熱反応については時間的な制約も考慮する必要がある。ただし図17は、温度による熱硬化性樹脂の状態変化の理解を容易にするために用いた模式図であり、そのような時間的制約について考慮されたものではない。   Referring to FIG. 17, the horizontal axis of the graph indicates the elapsed time from the start of ACF heating, and the vertical axis of the graph indicates the temperature. The thermoreactive resin described here is a thermosetting resin, and fluidization thereof starts when the temperature of the thermoreactive resin reaches the reaction start temperature. Actually, the reaction (fluidization and curing) of the heat-reactive resin proceeds little by little from a temperature slightly lower than the reaction start temperature. For convenience of explanation, here, when the temperature of the resin reaches the reaction start temperature, Fluidization shall begin. In addition, it is necessary to consider time restrictions regarding the thermal reaction of the thermosetting resin. However, FIG. 17 is a schematic diagram used for facilitating understanding of the state change of the thermosetting resin due to temperature, and does not consider such time constraints.

熱反応性樹脂の温度が、反応開始温度に達していない場合、その樹脂が流動化しない。また、熱反応性樹脂の温度が急速に上昇して樹脂の耐熱温度に達した場合、樹脂の硬化が急速に進行する。これらの場合には、ACFを加圧しても、ACFが薄くなりにくいためにパネル電極1aとバンプ電極5aとの間の導電経路を形成することが困難と考えられる。したがって、樹脂を一旦流動化させるとともに、樹脂が流動化した状態をある程度の時間保ちながらACFを加圧することが必要と考えられる。図16に示した照射領域ARに照射されるレーザ光の強度は、このような加熱時間に対する温度の変化を考慮して定められる。   When the temperature of the thermally reactive resin does not reach the reaction start temperature, the resin does not fluidize. Further, when the temperature of the heat-reactive resin rapidly rises and reaches the heat resistant temperature of the resin, the curing of the resin proceeds rapidly. In these cases, it is considered difficult to form a conductive path between the panel electrode 1a and the bump electrode 5a because the ACF is not easily thinned even when the ACF is pressurized. Therefore, it is considered necessary to pressurize the ACF while fluidizing the resin once and maintaining the fluidized state for a certain period of time. The intensity of the laser beam irradiated to the irradiation area AR shown in FIG. 16 is determined in consideration of such a change in temperature with respect to the heating time.

なお、ドライバIC5の輪郭により定まる領域とレーザ光の照射領域ARとは厳密に一致する必要はない。たとえば、ドライバIC5の輪郭により定まる領域の中央部と周囲部とで略同時にACF10に含まれる樹脂の熱反応が進行するのであれば、図16に示したようにレーザ光の照射領域ARはドライバIC5の輪郭により定まる領域よりも小さくても良い。ただし、レーザ光の照射領域ARが適切な大きさでなければ、レーザ光によるACFの加熱において様々な問題が生じ得る。   Note that the area determined by the outline of the driver IC 5 and the laser light irradiation area AR do not have to coincide exactly. For example, if the thermal reaction of the resin contained in the ACF 10 proceeds substantially simultaneously in the central portion and the peripheral portion of the region determined by the contour of the driver IC 5, the laser light irradiation region AR is as shown in FIG. The area may be smaller than the area determined by the outline of. However, if the laser light irradiation area AR is not an appropriate size, various problems may occur in heating the ACF by the laser light.

図18は、レーザ光の照射領域ARが適切でない場合に生じ得る問題点を説明するための図である。   FIG. 18 is a diagram for explaining a problem that may occur when the irradiation area AR of the laser beam is not appropriate.

図18(a)は、複数のバンプ電極5aの一部がレーザ光の照射領域ARに含まれていない場合に生じうる問題点を説明する図である。図18(a)を参照して、レーザ光が照射された範囲は、比較的短時間で高温となるので、ACF10中の熱反応性樹脂の流動化、ACF10の加圧によるバンプ電極5aとパネル電極1aとの電気的接続、および熱反応性樹脂の硬化がスムーズに行なわれる。しかし、ACF10においてレーザ光の照射領域の外側の部分の温度は、レーザ光が直接照射された部分の温度より低いため、熱反応性樹脂の流動化が不十分になる可能性が高い。したがって、ドライバIC5の上方からドライバIC5に圧力を加えても、この部分の厚みがほとんど変化しないためにバンプ電極5aとパネル電極1aとの電気的接続が不十分となる可能性がある。   FIG. 18A is a diagram for explaining a problem that may occur when some of the plurality of bump electrodes 5a are not included in the laser light irradiation area AR. Referring to FIG. 18 (a), the range irradiated with the laser beam becomes high temperature in a relatively short time, so that the heat-reactive resin in ACF 10 is fluidized and bump electrode 5a and panel are pressed by ACF 10 pressurization. The electrical connection with the electrode 1a and the curing of the thermally reactive resin are smoothly performed. However, since the temperature of the portion outside the laser light irradiation region in the ACF 10 is lower than the temperature of the portion directly irradiated with the laser light, there is a high possibility that the fluidization of the thermally reactive resin will be insufficient. Therefore, even if pressure is applied to the driver IC 5 from above the driver IC 5, the thickness of this portion hardly changes, so that the electrical connection between the bump electrode 5a and the panel electrode 1a may be insufficient.

図18(b)は、レーザ光の照射領域ARがドライバIC5の輪郭により定まる領域よりも大きい場合に生じうる問題点を考察する図である。この場合実験結果によれば、ドライバIC5の輪郭周辺のACFが焦げ付く現象が見られた。図18(b)を参照して、ACF10においてバンプ電極5aに接した部分(あるいはバンプ電極5aの付近)では、レーザ光の照射によりACF10に含まれる導電性粒子がその光を吸収して発熱することになるが、その熱は、ACF10の内部だけでなくバンプ電極5aにも伝達されると考えられる。しかしながら、レーザ光の照射領域ARの中に、ACF10のみが照射される部分が存在する場合、その部分では、導電性粒子を熱源として生じた熱によりACF10が異常加熱され、その温度が急速に上昇する。これにより、その部分では、たとえばACF10中の熱反応性樹脂が急速に硬化したり焦げが生じたと考えることができる。また、その部分においてアウトガスが発生することも考えられる。この場合にも、ドライバIC5の輪郭にACFの固まりが生成されるため、ドライバIC5の上方からドライバIC5に圧力を加えても、この部分の厚みがほとんど変化しないためにバンプ電極5aとパネル電極1aとの電気的接続が不十分となる可能性がある。   FIG. 18B is a diagram for considering problems that may occur when the laser light irradiation area AR is larger than the area determined by the contour of the driver IC 5. In this case, according to the experimental result, a phenomenon in which the ACF around the contour of the driver IC 5 is burnt was observed. Referring to FIG. 18B, in the portion of ACF 10 that is in contact with bump electrode 5a (or in the vicinity of bump electrode 5a), the conductive particles contained in ACF 10 absorb the light and generate heat by laser light irradiation. However, it is considered that the heat is transmitted not only to the inside of the ACF 10 but also to the bump electrode 5a. However, when there is a portion irradiated with only the ACF 10 in the laser light irradiation area AR, the ACF 10 is abnormally heated by the heat generated using the conductive particles as the heat source, and the temperature rapidly rises. To do. Thereby, it can be considered that, for example, the heat-reactive resin in the ACF 10 is rapidly cured or burnt. Further, it is conceivable that outgas is generated in that portion. Also in this case, since a lump of ACF is generated in the outline of the driver IC 5, even if pressure is applied to the driver IC 5 from above the driver IC 5, the thickness of this portion hardly changes. Therefore, the bump electrode 5a and the panel electrode 1a There is a possibility that the electrical connection with is insufficient.

したがって本実施の形態では、図16に示すように、レーザ光の照射領域ARはドライバICの輪郭により定まる領域と実質的に等しい領域に設定される。これにより、ACF10によるドライバICのバンプ電極と液晶表示パネル1のパネル電極との電気的接続の信頼性を高めることができる。また、この部分にレーザ光を集中させることによって、ACFにおいてすべての電極に対応する部分が同時に流動化する。したがって、ドライバICおよびACFを加圧することにより短時間で接合を行なうことができる。   Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 16, the laser light irradiation area AR is set to an area substantially equal to the area determined by the contour of the driver IC. Thereby, the reliability of the electrical connection between the bump electrodes of the driver IC by the ACF 10 and the panel electrodes of the liquid crystal display panel 1 can be enhanced. Further, by concentrating the laser beam on this portion, the portions corresponding to all the electrodes in the ACF are fluidized simultaneously. Therefore, the bonding can be performed in a short time by pressurizing the driver IC and the ACF.

なお、レーザ光の照射領域ARがドライバICの輪郭により定まる領域より大きくても、ドライバICの輪郭より外側のレーザ光の強度がドライバICの輪郭内のレーザ光の強度に比べて低ければ上記の急速な硬化や焦げ付きの問題は発生しないと考えられる。従って、ここで言うレーザ光の照射領域ARは、接合時におけるACFの流動化および硬化に実質的に影響を与える程度の強度を持つレーザ光の照射領域をさす。   Note that even if the laser light irradiation area AR is larger than the area determined by the contour of the driver IC, if the intensity of the laser light outside the contour of the driver IC is lower than the intensity of the laser light in the contour of the driver IC, the above-mentioned The problem of rapid curing and scorching will not occur. Accordingly, the laser light irradiation area AR referred to here refers to a laser light irradiation area having a strength that substantially affects the fluidization and hardening of the ACF during bonding.

X方向可動遮光部材によりY方向遮光部材によりレーザビームが整形されていても、レーザビームの空間的な広がりによって、レーザ光の照射領域ARの外側の領域にもわずかにレーザ光が照射されていると考えられる。   Even if the laser beam is shaped by the Y-direction light-shielding member by the X-direction movable light-shielding member, the laser beam is slightly irradiated to the area outside the laser light irradiation area AR due to the spatial spread of the laser beam. it is conceivable that.

図19は、レーザ光のパワーの空間的な分布を模式的に示す図である。図19において「+X方向」、および「−X方向」とは、図8に示すX方向に相当する。本実施の形態では、図5等に示したレーザ光照射部から発せられたレーザ光のトータルのパワーに対してある割合以上のパワーが得られる範囲を、レーザ光の照射領域とする。本実施の形態では、この割合は、90%である。   FIG. 19 is a diagram schematically showing a spatial distribution of the power of laser light. In FIG. 19, “+ X direction” and “−X direction” correspond to the X direction shown in FIG. 8. In this embodiment, a laser light irradiation region is a range in which a power of a certain ratio or more with respect to the total power of the laser light emitted from the laser light irradiation unit shown in FIG. In the present embodiment, this ratio is 90%.

なお、図19に示した曲線の頂上の平坦な部分については、レーザ光のパワーが完全に一定であると限定されるものではなく、ACFによる表示パネルの電極と接合対象物の電極との接合を可能にするパワーが得られるのであれば、この頂上部分にノイズが重畳していてもよい。   Note that the flat portion at the top of the curve shown in FIG. 19 is not limited to the fact that the power of the laser beam is completely constant, and the bonding of the display panel electrode and the bonding target electrode by ACF. If the power that enables the above is obtained, noise may be superimposed on the top portion.

続いて、レーザ光の波長を600nm〜1100nmの範囲に設定する理由について説明する。   Next, the reason why the wavelength of the laser beam is set in the range of 600 nm to 1100 nm will be described.

図20は、アルミニウムおよびシリコンへの光の侵入深さと、その光の波長との関係を説明する図である。   FIG. 20 is a diagram for explaining the relationship between the penetration depth of light into aluminum and silicon and the wavelength of the light.

図20に示したグラフにおける光の波長範囲は200nm〜1400nmの範囲である。この範囲では、光の波長が長いほど、その光のシリコンへの侵入深さが大きくなる。   The wavelength range of light in the graph shown in FIG. 20 is in the range of 200 nm to 1400 nm. In this range, the longer the wavelength of light, the greater the penetration depth of the light into silicon.

一方、アルミニウムへの光の侵入深さは、波長が800nm付近である場合に最も大きくなる。ここでは、物体の侵入深さとは、その物体の表面を基準とした、その物体に侵入したレーザ光のパワーが1/e(eは自然対数)まで減衰する距離を意味する。   On the other hand, the penetration depth of light into aluminum is greatest when the wavelength is around 800 nm. Here, the penetration depth of an object means a distance at which the power of laser light that has entered the object is attenuated to 1 / e (e is a natural logarithm) with reference to the surface of the object.

本実施の形態では、レーザ光の波長は600nmから1100nmまでの範囲内から選択される。この理由は以下のとおりである。多くの場合、パネル電極はアルミを主成分とする薄膜により形成される。レーザ光の一部は、バックアップ基板55、液晶表示パネル1を透過してパネル電極に達する。ACF10をレーザ光により加熱し、かつ、パネル電極へのダメージをできるだけ小さくするためには、パネル電極に達したレーザ光がその電極を透過することが好ましい。したがって、レーザ光の波長は、パネル電極の厚みによるものの、その侵入深さがパネル電極の厚みよりも大きいことが好ましい。このため、レーザ光の波長としてはアルミへの光の侵入深さができるだけ大きい波長が選択される。このような条件を満たすことが可能な波長として600nm以上の波長が選択される。   In the present embodiment, the wavelength of the laser light is selected from the range from 600 nm to 1100 nm. The reason for this is as follows. In many cases, the panel electrode is formed of a thin film mainly composed of aluminum. Part of the laser light passes through the backup substrate 55 and the liquid crystal display panel 1 and reaches the panel electrode. In order to heat the ACF 10 with laser light and minimize damage to the panel electrode, it is preferable that the laser light reaching the panel electrode is transmitted through the electrode. Therefore, although the wavelength of the laser beam depends on the thickness of the panel electrode, the penetration depth is preferably larger than the thickness of the panel electrode. For this reason, as the wavelength of the laser light, a wavelength having a light penetration depth as large as possible is selected. A wavelength of 600 nm or more is selected as a wavelength that can satisfy such a condition.

次に、600nm〜1100nmの波長範囲ではACFの光の吸収率が比較的小さい(たとえば5%)ため、本実施の形態ではドライバICの主材料であるシリコンをレーザ光により加熱する。これにより、ACFがレーザ光を吸収して発熱するのみならず、ACFを透過したレーザ光により熱せられたシリコンによってACFが加熱される。したがってACFの温度を短時間で上昇させることが可能になる。このためにはレーザ光がシリコンを透過しないようにレーザ光の波長を選択する必要がある。図20に示すようにシリコンチップの厚みの幅は、0.5〜1mm(1×10(nm))程度である。したがって、このような条件を満たすことが可能な波長として1100nm以下の波長が選択される。 Next, in the wavelength range of 600 nm to 1100 nm, the ACF light absorption rate is relatively small (for example, 5%). Therefore, in this embodiment, silicon that is the main material of the driver IC is heated by laser light. As a result, the ACF absorbs the laser light and generates heat, and the ACF is heated by the silicon heated by the laser light transmitted through the ACF. Therefore, it becomes possible to raise the temperature of ACF in a short time. For this purpose, it is necessary to select the wavelength of the laser beam so that the laser beam does not pass through the silicon. As shown in FIG. 20, the width of the thickness of the silicon chip is about 0.5 to 1 mm (1 × 10 6 (nm)). Therefore, a wavelength of 1100 nm or less is selected as a wavelength that can satisfy such a condition.

また、発熱源をできるだけシリコンチップの下部(ACFとシリコンチップとの境界)に集中させることで、ACFを短時間で硬化させることができる。しかし熱がその部分に集中しすぎると、シリコンチップにダメージを与えることになる。また、波長の短い光は、フォトンのエネルギーが高いため、半導体レーザ素子自身の耐久性に問題がある。このような理由から、できるだけ長波長側の光を用いることが好ましい。   Further, the ACF can be cured in a short time by concentrating the heat source as much as possible under the silicon chip (boundary between the ACF and the silicon chip). However, if the heat is concentrated too much, the silicon chip will be damaged. In addition, since light having a short wavelength has high photon energy, there is a problem in durability of the semiconductor laser element itself. For this reason, it is preferable to use light having a wavelength as long as possible.

以上の理由により、レーザ光の波長としては600nm以上かつ1100nm以下の波長が選択される。   For the above reasons, a wavelength of 600 nm or more and 1100 nm or less is selected as the wavelength of the laser beam.

なお、以上の説明では、ベアチップ(ドライバIC)をACFを介して液晶表示パネル1に接合する場合を例示した。しかしながら本実施の形態の接合装置および方法はTCPをACFを介して液晶表示パネル1に接合する場合にも適用可能である。   In the above description, a case where a bare chip (driver IC) is bonded to the liquid crystal display panel 1 via the ACF is illustrated. However, the bonding apparatus and method of the present embodiment can also be applied when TCP is bonded to the liquid crystal display panel 1 via the ACF.

図21は、TCP2に設けられたリード導体2bをACFを介して液晶表示パネル1上の電極に接続する場合におけるレーザ光の照射領域ARを示す図である。   FIG. 21 is a diagram showing an irradiation area AR of the laser beam when the lead conductor 2b provided on the TCP 2 is connected to the electrode on the liquid crystal display panel 1 through the ACF.

図21(a)は、TCP2側から見たレーザ光の照射領域ARを示す図である。
図21(b)は、TCP2および液晶表示パネル1の側面側から見たレーザ光のX方向の照射範囲を示す図である。なお、図示の便宜上、図21(a)には液晶表示パネル1は示していない。
FIG. 21A is a diagram showing a laser light irradiation area AR viewed from the TCP 2 side.
FIG. 21B is a diagram illustrating the irradiation range in the X direction of laser light viewed from the side surface side of the TCP 2 and the liquid crystal display panel 1. For convenience of illustration, the liquid crystal display panel 1 is not shown in FIG.

図21を参照して、照射領域ARは、TCP2のキャリアテープ2aの輪郭により定まる領域と実質的に等しくなるように照射領域ARが設定される。具体的には照射領域ARは、リード導体2bを含み、かつ、TCP2のキャリアテープ2aとACF10との重なり範囲をはみ出ないように設定される。つまり、TCPを用いた実装の場合にも、照射領域ARはベアチップの実装の場合と同様に定められる。また、照射領域ARの定義は、図19に示されるようにレーザ光照射部から発せられたレーザ光のトータルのパワーに対してある割合(たとえば90%)以上のパワーが得られる範囲である。なお、複数のリード導体2bの配置方向が図15に示したX方向に対応する。   Referring to FIG. 21, the irradiation area AR is set so that the irradiation area AR is substantially equal to the area determined by the contour of the carrier tape 2a of TCP2. Specifically, the irradiation area AR includes the lead conductor 2b and is set so as not to protrude from the overlapping range of the TCP2 carrier tape 2a and the ACF10. That is, also in the case of mounting using TCP, the irradiation area AR is determined in the same manner as in the case of mounting a bare chip. Further, the definition of the irradiation area AR is a range in which a power of a certain ratio (for example, 90%) or more is obtained with respect to the total power of the laser light emitted from the laser light irradiation unit as shown in FIG. The arrangement direction of the plurality of lead conductors 2b corresponds to the X direction shown in FIG.

TCP2に含まれるキャリアテープの主成分であるポリイミドは、図20に示した範囲(600nm〜1100nm)の波長を有する光を吸収しやすい。したがってベアチップの場合と同様に、ACF10がレーザ光によって発熱するのみならず、ACF10を透過したレーザ光によってTCPのキャリアテープも加熱される。これによりACFの温度を短時間で上昇させることが可能になる。   Polyimide, which is the main component of the carrier tape included in TCP2, easily absorbs light having a wavelength in the range (600 nm to 1100 nm) shown in FIG. Therefore, as in the case of the bare chip, not only the ACF 10 generates heat by the laser light, but also the TCP carrier tape is heated by the laser light transmitted through the ACF 10. As a result, the temperature of the ACF can be raised in a short time.

なお、キャリアテープ2aと、ACF10との境界の領域(あるいはその境界の外側の領域)にレーザ光が照射された場合には、ACF10中の樹脂へのダメージが生じる。したがって、図21に示すように照射領域ARを決定することにより、液晶表示パネル1へのTCP2の実装における信頼性を高くすることができる。   In addition, when the laser beam is applied to the boundary region between the carrier tape 2a and the ACF 10 (or the region outside the boundary), the resin in the ACF 10 is damaged. Therefore, by determining the irradiation area AR as shown in FIG. 21, the reliability in mounting the TCP 2 on the liquid crystal display panel 1 can be increased.

このように本実施の形態によれば、接合装置100は、ACF10を加熱するためのレーザ光をACF10に向けて照射するレーザ光照射部を備える。レーザ光照射部は、複数のレーザ光源32と、その複数のレーザ光源32が各々出射するレーザ光の強度を、互いに独立に、時間に対して一定、または時間的に変化させるよう制御するレーザ制御部35とを含む。そして、接合装置100は、複数の電極が形成された接合対象物の表面に対して、複数のレーザ光源の各々から出射されたレーザ光を異なる位置に照射することによって、接合対象物の輪郭により定まる領域の全域をレーザ光により照射する。   As described above, according to the present embodiment, the bonding apparatus 100 includes the laser light irradiation unit that irradiates the ACF 10 with the laser light for heating the ACF 10. The laser beam irradiating unit controls the plurality of laser light sources 32 and the intensity of the laser beams emitted from the plurality of laser light sources 32 so as to be constant or change with time independently of each other. Part 35. And the joining apparatus 100 irradiates the laser beam emitted from each of the plurality of laser light sources to different positions on the surface of the joining object on which the plurality of electrodes are formed, so that the contour of the joining object is obtained. The whole area of the determined area is irradiated with laser light.

上記したレーザ光の照射領域では、ACF10を均一に加熱することが可能になる。これにより、短時間でACFを加熱できるとともに、その照射領域の全体を均一に流動化させることが可能になる。これにより仮圧着および本圧着を含む一度の加圧処理によって、接合対象物の複数の電極を液晶表示パネル上の複数の電極に接合できるので、高速での接合が可能になる。   The ACF 10 can be uniformly heated in the laser light irradiation region described above. As a result, the ACF can be heated in a short time, and the entire irradiation region can be fluidized uniformly. As a result, a plurality of electrodes to be joined can be joined to a plurality of electrodes on the liquid crystal display panel by a single pressurizing process including provisional crimping and permanent crimping, so that high-speed joining is possible.

また、照射領域の全体を均一に流動化させることにより、接合対象物(ベアチップあるいはTCP)を加圧した場合に、その接合対象物の複数の電極を液晶表示パネル上の複数の電極にそれぞれ電気的に接続させることができるだけでなく、その電気的接続を確実に行なうことができる。これにより、たとえば液晶表示パネルの歩留を向上させることが可能になる。   Further, by uniformly fluidizing the entire irradiation region, when a bonding target (bare chip or TCP) is pressurized, a plurality of electrodes of the bonding target are electrically connected to a plurality of electrodes on the liquid crystal display panel, respectively. It is possible not only to make an electrical connection, but also to ensure the electrical connection. Thereby, for example, the yield of the liquid crystal display panel can be improved.

したがって本実施の形態によれば表示装置の生産性を向上できる。
(変形例)
図22は、バックアップ基板55の変形例を示す図である。図22および図9を参照して、この変形例に従う構成は、バックアップ基板55の周辺にレーザ光吸収体58がさらに設けられる点で図9に示す構成と異なる。レーザ光吸収体58は、バックアップ基板55の傾斜面55aにおいて反射するレーザ光(レーザビームLB)の反射方向に設けられる。レーザ光吸収体58は、この傾斜面55aにおいて反射し、かつバックアップ基板55から出たレーザ光を吸収可能な吸収体である。たとえばレーザ光吸収体58はセラミックにより形成される。
Therefore, according to this embodiment, the productivity of the display device can be improved.
(Modification)
FIG. 22 is a view showing a modified example of the backup substrate 55. Referring to FIGS. 22 and 9, the configuration according to this modification is different from the configuration shown in FIG. 9 in that a laser light absorber 58 is further provided around backup substrate 55. The laser light absorber 58 is provided in the reflection direction of the laser light (laser beam LB) reflected on the inclined surface 55 a of the backup substrate 55. The laser light absorber 58 is an absorber that can reflect the laser light reflected from the inclined surface 55 a and emitted from the backup substrate 55. For example, the laser light absorber 58 is made of ceramic.

図22に示すようにレーザ光吸収体58を配置することによって、バックアップ基板55により散乱されたレーザ光が周囲に与える影響を低減できる。この変形例によればレーザ光吸収体58により、その散乱されたレーザ光を吸収できるので、バックアップ基板55の周囲へのレーザ光による影響を回避できる。   By arranging the laser light absorber 58 as shown in FIG. 22, it is possible to reduce the influence of the laser light scattered by the backup substrate 55 on the surroundings. According to this modification, since the scattered laser light can be absorbed by the laser light absorber 58, the influence of the laser light around the backup substrate 55 can be avoided.

レーザ光吸収体58に対向するバックアップ基板55の表面55bは、傾斜面55aと同様に粗面(砂面あるいは梨地と言い換えることができる)に加工された面である。これにより、レーザ光を表面55bにおいて拡散させることができるので、レーザ光吸収体58にエネルギー密度の高い光が入射するのを防ぐことができる。したがってレーザ光吸収体58の損傷等の問題を回避できる。   The surface 55b of the backup substrate 55 facing the laser light absorber 58 is a surface processed into a rough surface (which can be referred to as a sand surface or a satin surface) like the inclined surface 55a. Thereby, since the laser beam can be diffused on the surface 55b, it is possible to prevent the light having a high energy density from entering the laser beam absorber 58. Therefore, problems such as damage to the laser light absorber 58 can be avoided.

図23は、図12に示した加圧ヘッド25の変形例を示す図である。
図23を参照して、押さえ部材25aの底面(すなわちドライバIC5と接する面)には、熱伝導性の高い熱伝導性材料25cが設けられる。
FIG. 23 is a view showing a modification of the pressure head 25 shown in FIG.
Referring to FIG. 23, a heat conductive material 25c having high heat conductivity is provided on the bottom surface of the pressing member 25a (that is, the surface in contact with the driver IC 5).

たとえば、Z方向におけるドライバIC5の熱勾配を考えた場合、ACF10の加熱時には、ドライバIC5のACF10側の面のほうがドライバIC5の加圧ヘッド25側の面よりも熱くなる。また、X方向におけるドライバIC5の熱勾配を考えた場合、ドライバIC5の端部からは熱が空気中に逃げやすいのに対し、ドライバIC5の中央部の熱は周囲に逃げにくい。したがってドライバIC5の中央部の温度がドライバIC5の周辺部の温度より高くなりやすい。   For example, when considering the thermal gradient of the driver IC 5 in the Z direction, when the ACF 10 is heated, the surface of the driver IC 5 on the ACF 10 side becomes hotter than the surface of the driver IC 5 on the pressure head 25 side. Further, when considering the thermal gradient of the driver IC 5 in the X direction, heat easily escapes from the end of the driver IC 5 into the air, whereas the heat at the center of the driver IC 5 hardly escapes to the surroundings. Therefore, the temperature at the center of the driver IC 5 tends to be higher than the temperature at the periphery of the driver IC 5.

図23に示されるように、押さえ部材25aの底面に熱伝導性材料25cを設けることによって、このような熱勾配を小さくすることが可能になる。これによりドライバIC(ベアチップ)への熱ストレスを緩和する効果、およびACFの加熱時におけるACFの温度分布を小さくする効果が期待できる。なお、押さえ部材25aの底面に設けられる熱伝導性材料は特に限定されるものではないが、一例として、DCL(Diamond Like Carbon;ダイヤモンドに類似した炭素薄膜材料)を挙げることができる。   As shown in FIG. 23, it is possible to reduce such a thermal gradient by providing a heat conductive material 25c on the bottom surface of the pressing member 25a. As a result, an effect of alleviating thermal stress to the driver IC (bare chip) and an effect of reducing the temperature distribution of the ACF during heating of the ACF can be expected. In addition, although the heat conductive material provided in the bottom face of the pressing member 25a is not specifically limited, DCL (Diamond Like Carbon; carbon thin film material similar to diamond) can be mentioned as an example.

図24は、本実施の形態に適用可能な光学系の一例を示す図である。
図24を参照して、この光学系は、コンデンサレンズ101,102をさらに備える点、および、X方向可動遮光部材56とY方向遮光部材57とに代わるシャッター103を備える点で図4等に示す光学系と異なる。なお、この光学系の残りの部分の構成は上述した光学系の構成と同様である。
FIG. 24 is a diagram illustrating an example of an optical system applicable to this embodiment.
Referring to FIG. 24, this optical system is shown in FIG. 4 and the like in that it further includes condenser lenses 101 and 102 and a shutter 103 in place of the X direction movable light shielding member 56 and the Y direction light shielding member 57. Different from the optical system. The configuration of the remaining part of the optical system is the same as that of the optical system described above.

この光学系は、ケーラー照明方式を採用した光学系である。ケーラー照明の場合、光源に輝度ムラがあっても照射面を均一に照明することができる。照射領域ARは、バックアップ基板55および液晶表示パネル1を透過してACF10に入射したレーザ光の照射領域を示す。この領域において光の強度を均一にすることによって、この領域内の温度も均一とすることができる。なお、この光学系においても、照射領域ARはドライブIC5の輪郭により定まる領域と実質的に等しくなるように設定される。   This optical system is an optical system that employs the Kohler illumination method. In the case of Koehler illumination, the irradiated surface can be illuminated uniformly even if the light source has uneven brightness. The irradiation area AR indicates an irradiation area of laser light that has passed through the backup substrate 55 and the liquid crystal display panel 1 and has entered the ACF 10. By making the light intensity uniform in this region, the temperature in this region can also be made uniform. In this optical system, the irradiation area AR is set to be substantially equal to the area determined by the contour of the drive IC 5.

図25は、本実施の形態に適用可能な光学系の他の例を示す図である。
図25を参照して、この光学系は、結像レンズ104および対物レンズ105をさらに備える点、および、X方向可動遮光部材56とY方向遮光部材57とに代わるシャッター103を備える点で図4等に示す光学系と異なる。なお、この光学系の残りの部分の構成は上述した光学系の構成と同様である。
FIG. 25 is a diagram showing another example of an optical system applicable to this embodiment.
Referring to FIG. 25, this optical system further includes an imaging lens 104 and an objective lens 105, and a shutter 103 in place of the X-direction movable light shielding member 56 and the Y-direction light shielding member 57. Different from the optical system shown in FIG. The configuration of the remaining part of the optical system is the same as that of the optical system described above.

結像レンズ104および対物レンズ105は、シリンドリカルレンズである。これによりレーザ光(レーザビームLB)は1軸方向のみ集光される。さらに、レーザ光の拡散的な空間プロファイルによりレーザビームは均一化される。シャッター103により、レーザ光が絞られると、空間的に均一な強度分布を有するレーザ光が結像レンズ104に入射する。   The imaging lens 104 and the objective lens 105 are cylindrical lenses. As a result, the laser beam (laser beam LB) is focused only in one axial direction. Further, the laser beam is made uniform by the diffuse spatial profile of the laser light. When the laser beam is focused by the shutter 103, the laser beam having a spatially uniform intensity distribution enters the imaging lens 104.

図26は、本実施の形態に適用可能な光学系のさらに他の例を示す図である。
図26を参照して、この光学系は、fθレンズ106、ガルバノミラー107、およびガルバノミラー107を回転させる回転駆動部108をさらに備える点、および、X方向可動遮光部材56とY方向遮光部材57とに代わるシャッター103を備える点で図4等に示す光学系と異なる。なお、この光学系の残りの部分の構成は上述した光学系の構成と同様である。
FIG. 26 is a diagram showing still another example of an optical system applicable to the present embodiment.
Referring to FIG. 26, this optical system further includes an fθ lens 106, a galvano mirror 107, and a rotation drive unit 108 that rotates the galvano mirror 107, and an X direction movable light shielding member 56 and a Y direction light shielding member 57. 4 is different from the optical system shown in FIG. The configuration of the remaining part of the optical system is the same as that of the optical system described above.

fθレンズ106はテレセントリックタイプのものを選択する。さらに、fθレンズ106は、レーザ照射面に対して光軸が垂直になるように配置する。   The fθ lens 106 is selected from a telecentric type. Further, the fθ lens 106 is disposed so that the optical axis is perpendicular to the laser irradiation surface.

また、この光学系によれば、ガルバノミラー107を回転駆動部108により回転させることで、レーザビームLBを2つのバックアップ基板55の両方に交互に(あるいは順番に)導くことができる。したがって、たとえば一方のバックアップ基板55上で、ACFを介したTCPと液晶表示パネルとの接合を行ない、他方のバックアップ基板55上でACFを介したベアチップと液晶表示パネルとの接合を行なうことができる。なお、この構成の場合には、上述した光学系の構成よりも、レーザビームの強度を大きくする必要がある。   In addition, according to this optical system, the laser beam LB can be alternately (or sequentially) guided to both of the two backup substrates 55 by rotating the galvanometer mirror 107 by the rotation driving unit 108. Therefore, for example, the TCP and the liquid crystal display panel can be joined via the ACF on one backup substrate 55, and the bare chip and the liquid crystal display panel can be joined via the ACF on the other backup substrate 55. . In this configuration, it is necessary to increase the intensity of the laser beam compared to the configuration of the optical system described above.

図27は、本実施の形態に適用可能な光学系のさらに他の例を示す図である。
図27を参照して、この光学系では、光ファイバ41から出たレーザ光(レーザビーム)を整形するための非球面レンズ42aおよびコリメートレンズ42bが、各光ファイバ41に対応して設けられる。非球面レンズ42aおよびコリメートレンズ42bを通ったレーザ光をACF10で重ね合わせることにより、照射領域ARにおいて、ACFの加熱に十分、かつ均一な強度のレーザ光を照射できる。
FIG. 27 is a diagram showing still another example of an optical system applicable to the present embodiment.
Referring to FIG. 27, in this optical system, an aspheric lens 42 a and a collimator lens 42 b for shaping laser light (laser beam) emitted from optical fiber 41 are provided corresponding to each optical fiber 41. By superimposing the laser light that has passed through the aspherical lens 42a and the collimating lens 42b with the ACF 10, it is possible to irradiate the irradiation area AR with laser light having sufficient intensity and uniform intensity for heating the ACF.

図28は、本実施の形態に適用可能な光学系のさらに他の例を示す図である。
図28(a)を参照して、この光学系では、光ファイバ41から出た光(レーザビームLB)が発散光としてACF10および電子部品(図28ではドライバIC5)に照射される。ホルダ43aはファイバホルダである。なお、照射面(液晶表示パネル1とACF10との接触面とする)において適切な大きさのスポットが形成されるように、光ファイバ41から出射したレーザ光を発散させるためのレンズがホルダ43aに取り付けられてもよい。以下では、レンズがホルダ43aに取り付けられていないものとして説明する。
FIG. 28 is a diagram showing still another example of an optical system applicable to the present embodiment.
Referring to FIG. 28A, in this optical system, the light (laser beam LB) emitted from the optical fiber 41 is irradiated to the ACF 10 and the electronic component (driver IC 5 in FIG. 28) as diverging light. The holder 43a is a fiber holder. A lens for diverging the laser light emitted from the optical fiber 41 is provided in the holder 43a so that a spot having an appropriate size is formed on the irradiation surface (the contact surface between the liquid crystal display panel 1 and the ACF 10). It may be attached. In the following description, it is assumed that the lens is not attached to the holder 43a.

この光学系では、光ファイバ41の出射端の位置を液晶表示パネル1にできるだけ近づけることが好ましい。このため、バックアップ基板55には、その上下方向(厚み方向)に貫通する孔55dが形成される。ホルダ43aは、この孔に沿って上下に移動可能である。このようにホルダ43aを移動させることで、光ファイバ41から出射されるレーザ光のビームサイズを調整することが可能になる。   In this optical system, the position of the emission end of the optical fiber 41 is preferably as close as possible to the liquid crystal display panel 1. For this reason, the backup substrate 55 is formed with a hole 55d penetrating in the vertical direction (thickness direction). The holder 43a is movable up and down along this hole. By moving the holder 43a in this way, the beam size of the laser light emitted from the optical fiber 41 can be adjusted.

また、液晶表示パネル1上の引出電極と、対応するドライバIC5のバンプ電極との位置合わせの場合には、対応する位置にカメラを移動させることが必要になる。図28(b)に示すように、カメラ60は、孔55dの内部を水平方向に沿って移動する。一方、カメラ60との干渉を避けるため、カメラ60の移動時には、ホルダ43a(および光ファイバ41)は下方に退避させられる。   Further, in the case of alignment between the extraction electrode on the liquid crystal display panel 1 and the bump electrode of the corresponding driver IC 5, it is necessary to move the camera to the corresponding position. As shown in FIG. 28B, the camera 60 moves along the horizontal direction inside the hole 55d. On the other hand, in order to avoid interference with the camera 60, the holder 43a (and the optical fiber 41) is retracted downward when the camera 60 is moved.

図29は、図28に示したホルダ43aの構成を説明する図である。
図29(a)は、ホルダ43aの上面図である。図29(b)は、ホルダ43aの側面図である。図29(a)および(b)を参照して複数のホルダ43aは、フィクスチャ45によって固定される。このフィクスチャ45はガラス等の透明な材質により形成される。フィクスチャ45の下部には、たとえば面発光LEDやランプ等によって構成されたガイド照明46が取り付けられる。
FIG. 29 is a diagram illustrating the configuration of the holder 43a shown in FIG.
FIG. 29A is a top view of the holder 43a. FIG. 29B is a side view of the holder 43a. With reference to FIGS. 29A and 29B, the plurality of holders 43 a are fixed by a fixture 45. The fixture 45 is made of a transparent material such as glass. A guide illumination 46 constituted by, for example, a surface emitting LED or a lamp is attached to the lower portion of the fixture 45.

ガイド照明46からのガイド光は、導光路であるフィクスチャ45を通り、フィクスチャ45から出た際に発散光となる。図29(b)ではガイド光を実線で示し、レーザビームLBを破線で示す。ガイド照明46のNA(開口数)は光ファイバ41のNAと一致するよう設計される。これによって、光ファイバ41から出射したレーザビームLBによる照射エリアを、ガイド照明46からのガイド光によって示すことができる。   The guide light from the guide illumination 46 passes through the fixture 45, which is a light guide, and becomes divergent light when it exits the fixture 45. In FIG. 29B, the guide light is indicated by a solid line, and the laser beam LB is indicated by a broken line. The NA (numerical aperture) of the guide illumination 46 is designed to match the NA of the optical fiber 41. Thereby, the irradiation area by the laser beam LB emitted from the optical fiber 41 can be indicated by the guide light from the guide illumination 46.

なお、この構成例においては、バックアップ基板は、ガラスや石英でもよいし、金属であってもよい。また、バックアップ基板がガラスや石英である場合、孔55dは必ずしも上下方向に貫通していなくてもよい。一方、バックアップ基板が金属である場合には、光ファイバからの光をACF10に到達させるために孔55dを上下方向に貫通させる必要がある。また、バックアップ基板55は、接合対象となる電子部品の品種変更に応じて交換されてもよい。   In this configuration example, the backup substrate may be glass, quartz, or metal. When the backup substrate is made of glass or quartz, the hole 55d does not necessarily have to penetrate through in the vertical direction. On the other hand, when the backup substrate is made of metal, it is necessary to vertically penetrate the hole 55d in order to allow the light from the optical fiber to reach the ACF 10. Further, the backup substrate 55 may be replaced according to a change in the type of electronic components to be joined.

図30は、本実施の形態に適用可能な光学系のさらに他の例を示す図である。
図30(a)は、レーザ光の進行方向に沿った光学系の断面構造図である。図30(a)を参照して、この光学系は、光ファイバ41と、光ファイバ41の出射端側がその内部に挿入されるフェルール44と、複数のフェルール44を固定するフィクスチャ45と、光ファイバ41から出射されたレーザ光を通すための複数のインテグレータ91と、複数のインテグレータ91を所定の位置に設置するためのインテグレータガイド92と、インテグレータ91の入射端で反射したレーザ光を導光する光ファイバ93と、その光ファイバ93から出射された光を受光する受光素子94とを備える。
FIG. 30 is a diagram showing still another example of an optical system applicable to the present embodiment.
FIG. 30A is a cross-sectional structure diagram of the optical system along the traveling direction of the laser light. Referring to FIG. 30 (a), this optical system includes an optical fiber 41, a ferrule 44 into which the output end side of the optical fiber 41 is inserted, a fixture 45 that fixes a plurality of ferrules 44, an optical fiber, A plurality of integrators 91 for passing the laser light emitted from the fiber 41, an integrator guide 92 for installing the plurality of integrators 91 at predetermined positions, and the laser light reflected at the incident end of the integrator 91 are guided. An optical fiber 93 and a light receiving element 94 that receives light emitted from the optical fiber 93 are provided.

光ファイバ41から出た光をインテグレータ91に通すことで、インテグレータ91から、均一な強度分布を有する光を出力することができる。なお、インテグレータ91の光出射位置から液晶表示パネル1までの距離に応じて光の広がり方が変化する。   By passing the light emitted from the optical fiber 41 through the integrator 91, the integrator 91 can output light having a uniform intensity distribution. Note that the way in which the light spreads changes according to the distance from the light emission position of the integrator 91 to the liquid crystal display panel 1.

この光学系では、インテグレータ91はアレイ状に配列される。図30(b)は、アレイ状に配列された複数のインテグレータ91からの光が照射面(液晶表示パネル1とACF10との接触面とする)での照射領域において重なり合う状態を示している。インテグレータ91からの光は領域95およびその周囲の領域(破線の枠により示す)に広がる。これにより、照射面では、メッシュ状に重なり合って配置された矩形の光スポットが複数形成されるので、連続的な照射領域を形成することができるとともに、その照射領域内における強度分布をほぼ均一とすることができる。   In this optical system, the integrators 91 are arranged in an array. FIG. 30B shows a state in which light from a plurality of integrators 91 arranged in an array overlaps in an irradiation region on an irradiation surface (a contact surface between the liquid crystal display panel 1 and the ACF 10). The light from the integrator 91 spreads in the region 95 and the surrounding region (indicated by a broken line frame). As a result, a plurality of rectangular light spots arranged in a mesh shape are formed on the irradiation surface, so that a continuous irradiation region can be formed and the intensity distribution in the irradiation region is substantially uniform. can do.

図30(a)に示されるように、バックアップ基板55の内部には、インテグレータ91からの光を遮光するマスク59が設けられている。このマスク59によって、図30(b)に示されるように、照射面における所望の領域、すなわち照射領域AR(実線にて示す)のみにレーザ光を照射することができる。   As shown in FIG. 30A, a mask 59 that shields light from the integrator 91 is provided inside the backup substrate 55. With this mask 59, as shown in FIG. 30B, it is possible to irradiate only a desired region on the irradiation surface, that is, an irradiation region AR (shown by a solid line) with a laser beam.

受光素子94は、インテグレータ91の入射端で反射したレーザ光を受光し、その受光強度を示す信号を出力する。この信号は、各光ファイバ41から出射されたレーザ光の強度を反映している。したがって図30に示す光学系を用いることで、各受光素子94からの信号に基づいて照射領域ARにおけるレーザ光の強度分布を任意に制御できる。たとえば照射領域AR全体で均一な強度としたり、特定の領域の強度を他の領域より強くする、あるいは弱くすることが可能になる。   The light receiving element 94 receives the laser beam reflected by the incident end of the integrator 91 and outputs a signal indicating the received light intensity. This signal reflects the intensity of the laser light emitted from each optical fiber 41. Therefore, by using the optical system shown in FIG. 30, the intensity distribution of the laser light in the irradiation area AR can be arbitrarily controlled based on the signal from each light receiving element 94. For example, it is possible to make the intensity uniform throughout the irradiation area AR, or to make the intensity of a specific area stronger or weaker than other areas.

図31を参照して、(a),(b),(c)の順に、各インテグレータ91から出射された光の広がりが大きくなる。なお斜線の領域は、図30(b)に示す領域95に対応する。ここで、光の広がりとマスク59の厚みとの関係は以下の通りである。マスク59が薄いほど、各インテグレータ91から出射された光の広がりが小さくなる。一方、マスク59が厚いほど、各インテグレータ91から出射された光の広がりが大きくなる。   Referring to FIG. 31, the spread of light emitted from each integrator 91 increases in the order of (a), (b), and (c). The hatched area corresponds to the area 95 shown in FIG. Here, the relationship between the spread of light and the thickness of the mask 59 is as follows. The thinner the mask 59, the smaller the spread of the light emitted from each integrator 91. On the other hand, the thicker the mask 59, the larger the spread of the light emitted from each integrator 91.

各インテグレータ91から出射された光の広がりが小さいほど、光が重なり合う部分が大きくなるため、パワー密度が高くなる。また強度の均一性が良好となる。また、メッシュのピッチが短くなる。これに対し、各インテグレータ91から出射された光の広がりが大きいほど、照射面において光が重なり合う部分が小さくなるため、パワー密度が低くなる。また、照射面での強度の均一性も悪くなる。また、メッシュのピッチが長くなる。   The smaller the spread of the light emitted from each integrator 91, the larger the portion where the light overlaps, and the higher the power density. In addition, the uniformity of strength is improved. In addition, the mesh pitch is shortened. On the other hand, the greater the spread of the light emitted from each integrator 91, the smaller the portion where the light overlaps on the irradiated surface, and the lower the power density. In addition, the uniformity of intensity on the irradiated surface also deteriorates. Further, the mesh pitch becomes longer.

なお、図31は、インテグレータ91から出射された光の広がりを変化させることが可能なパラメータを説明したものであって、各インテグレータ91から出射された光の広がりが大きくなるほど望ましくないということを示すものではない。インテグレータ91から出射された光の広がりの程度は、必要とされるパワー密度や、照射領域の大きさ等によって適切に定められるものである。   FIG. 31 illustrates parameters that can change the spread of the light emitted from the integrator 91, and indicates that the larger the spread of the light emitted from each integrator 91 is, the less desirable it is. It is not a thing. The degree of spread of the light emitted from the integrator 91 is appropriately determined depending on the required power density, the size of the irradiation area, and the like.

なお、以上の説明では、熱反応性樹脂による接着剤である異方性導電性材料の一例としてACFを示したが、ただし異方性導電材料はACFに限定されず、たとえばACP(Anisotropic Conductive Paste)でもよい。   In the above description, ACF is shown as an example of an anisotropic conductive material that is an adhesive made of a heat-reactive resin. However, the anisotropic conductive material is not limited to ACF. For example, ACP (Anisotropic Conductive Paste) )

また、以上の説明では表示装置として液晶表示装置を示した。しかし、本実施の形態に従う接合装置および接合方法は、異方性導電材料を介して被接合物(表示パネル)の電極と接合対象物(たとえばTCP、ベアチップ、その他の電子部品等)の電極とが接合される表示装置に対して広く適用が可能である。したがって、本実施の形態に従う接合装置および接合方法による処理が可能な表示装置は液晶表示装置に限定されず、たとえば、プラズマディスプレイ、有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ、電界放出ディスプレイなどでもよい。   In the above description, a liquid crystal display device is shown as the display device. However, the bonding apparatus and the bonding method according to the present embodiment include an electrode of an object to be bonded (display panel) and an electrode of an object to be bonded (for example, TCP, bare chip, other electronic components) via an anisotropic conductive material. Can be widely applied to display devices to which are bonded. Therefore, the display device that can be processed by the bonding device and the bonding method according to the present embodiment is not limited to the liquid crystal display device, and may be a plasma display, an organic EL (Electro Luminescence) display, a field emission display, or the like.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明の実施の形態に従う接合装置の処理対象である液晶表示装置の概略ブロック図である。It is a schematic block diagram of the liquid crystal display device which is a process target of the joining apparatus according to embodiment of this invention. 図1に示すTCP2の一構成例を説明する図である。It is a figure explaining the example of 1 structure of TCP2 shown in FIG. ACFを説明する図である。It is a figure explaining ACF. 本発明の実施の形態に従う接合装置100の構成図である。It is a block diagram of the joining apparatus 100 according to embodiment of this invention. 本実施の形態に従う接合装置100に含まれるレーザ光照射部の構成を説明するための第1の図である。It is a 1st figure for demonstrating the structure of the laser beam irradiation part contained in the joining apparatus 100 according to this Embodiment. 本実施の形態に従う接合装置100に含まれるレーザ光照射部の構成を説明するための第2の図である。It is a 2nd figure for demonstrating the structure of the laser beam irradiation part contained in the joining apparatus 100 according to this Embodiment. フィクスチャ45および温度検出部64の配置を説明する、X方向から見た図である。It is the figure seen from the X direction explaining the arrangement | positioning of the fixture 45 and the temperature detection part 64. FIG. バックアップ基板55上でのレーザ光の照射領域を説明する図である。It is a figure explaining the irradiation area | region of the laser beam on the backup board | substrate 55. FIG. 本実施の形態に従う接合装置100に含まれるビーム整形部の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the beam shaping part contained in the joining apparatus 100 according to this Embodiment. バックアップ基板55によるレーザビームのY方向の整形を説明するための模式図である。6 is a schematic diagram for explaining shaping of a laser beam in the Y direction by a backup substrate 55. FIG. レーザ光源32として用いられる半導体レーザを説明するための図である。4 is a diagram for explaining a semiconductor laser used as a laser light source 32. FIG. 図4に示す加圧ヘッド25を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the pressurization head 25 shown in FIG. 本実施の形態に従う接合装置100の制御系を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating the control system of the joining apparatus 100 according to this Embodiment. 液晶表示パネル1と実装部品とをACF10を介して接合する接合処理の全体を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the whole joining process which joins the liquid crystal display panel 1 and mounting components via ACF10. レーザ光照射処理を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating a laser beam irradiation process. ベアチップ(ドライバIC5)を液晶表示パネル1に実装する場合におけるレーザ光の照射領域ARを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a laser light irradiation area AR when a bare chip (driver IC 5) is mounted on the liquid crystal display panel 1; ACF中の熱反応性樹脂の状態がその樹脂の温度により変化することを説明するための図である。It is a figure for demonstrating that the state of the heat-reactive resin in ACF changes with the temperature of the resin. レーザ光の照射領域ARが適切でない場合に生じ得る問題点を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the problem which may arise when the irradiation area AR of a laser beam is not appropriate. レーザ光のパワーの空間的な分布を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the spatial distribution of the power of a laser beam. アルミおよびシリコンへの光の侵入深さと、その光の波長との関係を説明する図である。It is a figure explaining the relationship between the penetration depth of the light into aluminum and silicon, and the wavelength of the light. TCP2に設けられたリード導体2bをACFを介して液晶表示パネル1上の電極に接続する場合におけるレーザ光の照射領域ARを示す図である。It is a figure which shows the irradiation area | region AR of the laser beam in the case of connecting the lead conductor 2b provided in TCP2 to the electrode on the liquid crystal display panel 1 via ACF. バックアップ基板55の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the backup board | substrate 55. FIG. 図12に示した加圧ヘッド25の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the pressurization head 25 shown in FIG. 本実施の形態に適用可能な光学系の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the optical system applicable to this Embodiment. 本実施の形態に適用可能な光学系の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the optical system applicable to this Embodiment. 本実施の形態に適用可能な光学系のさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of the optical system applicable to this Embodiment. 本実施の形態に適用可能な光学系のさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of the optical system applicable to this Embodiment. 本実施の形態に適用可能な光学系のさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of the optical system applicable to this Embodiment. 図28に示したホルダ43aの構成を説明する図である。It is a figure explaining the structure of the holder 43a shown in FIG. 本実施の形態に適用可能な光学系のさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of the optical system applicable to this Embodiment. 複数のインテグレータ91の各々から出射された光の重なりの例を説明する図である。6 is a diagram for explaining an example of overlapping of light emitted from each of a plurality of integrators 91. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 液晶表示パネル、1a パネル電極、2 TCP、2a キャリアテープ、2b リード導体、3 プリント回路基板、4 インターフェイス部、5 ドライバIC、5a バンプ電極、6 フレキシブル基板、7 偏光板、10a バインダ領域、11 ミクロパーティクル、11a ミクロパーティクル領域、12 ニッケルメッキ層、13 樹脂コア、14 金メッキ層、15,16 電極、20 シリンダ、21 チップトレイ、22 シリンダ移動機構、23 吸着孔、24 バルブ、25 加圧ヘッド、25a,25b 押さえ部材、25c 熱伝導性材料、31 レーザ装置、32 レーザ光源、32a,32b 半導体レーザ、33,41,93 光ファイバ、34 レーザ冷却装置、35 レーザ制御部、35a 温度検出回路、35b 制御回路、35c,68c メモリ、35d,68d,69b,69c インターフェイス回路、36 電源装置、38 レーザ光保護カバー、40 ファイバ中継器、42 レンズ、42a 非球面レンズ、42b コリメートレンズ、43 レンズホルダ、43a ホルダ、44 フェルール、45 フィクスチャ、46 ガイド照明、47 入力コネクタ、48 出力コネクタ、51 支持部材、51a 光学系移動装置、52 スライドレール、53 固定部、55 バックアップ基板、55b,55c 表面、55a,57a 傾斜面、55d 孔、56 X方向可動遮光部材、56a X方向可動遮光部材駆動部、57 Y方向遮光部材、57b 平面、58 レーザ光吸収体、60 カメラ、62 アーム、62a アーム移動装置、64 温度検出部、64f フィルタ、64a 温度センサ、64b 筒、65 信号線、66,67 信号コネクタ、68 温度算出部、68a A/D変換回路、68b,69a 演算回路、69 温度制御部、70 制御装置、75 モータドライバ、77 真空吸着部、80 表示装置、82 記憶装置、91 インテグレータ、92 インテグレータガイド、94 受光素子、100 接合装置、101,102 コンデンサレンズ、103 シャッター、104 結像レンズ、105 対物レンズ、106 レンズ、107 ガルバノミラー、108 回転駆動部、AR 照射領域、EM エミッタ、LB レーザビーム。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal display panel, 1a Panel electrode, 2 TCP, 2a Carrier tape, 2b Lead conductor, 3 Printed circuit board, 4 Interface part, 5 Driver IC, 5a Bump electrode, 6 Flexible board, 7 Polarizing plate, 10a Binder area | region, 11 Microparticle, 11a Microparticle region, 12 Nickel plating layer, 13 Resin core, 14 Gold plating layer, 15, 16 Electrode, 20 cylinder, 21 Chip tray, 22 Cylinder moving mechanism, 23 Adsorption hole, 24 Valve, 25 Pressure head, 25a, 25b Holding member, 25c Thermally conductive material, 31 Laser device, 32 Laser light source, 32a, 32b Semiconductor laser, 33, 41, 93 Optical fiber, 34 Laser cooling device, 35 Laser controller, 35a Temperature detection circuit, 35b System Circuit, 35c, 68c Memory, 35d, 68d, 69b, 69c Interface circuit, 36 Power supply, 38 Laser light protection cover, 40 Fiber repeater, 42 Lens, 42a Aspherical lens, 42b Collimating lens, 43 Lens holder, 43a holder , 44 Ferrule, 45 Fixture, 46 Guide illumination, 47 Input connector, 48 Output connector, 51 Support member, 51a Optical system moving device, 52 Slide rail, 53 Fixed part, 55 Backup substrate, 55b, 55c Surface, 55a, 57a Inclined surface, 55d hole, 56 X direction movable light shielding member, 56a X direction movable light shielding member driving unit, 57 Y direction light shielding member, 57b plane, 58 laser light absorber, 60 camera, 62 arm, 62a arm moving device, 64 temperature Detection unit 64 f filter, 64 a temperature sensor, 64 b cylinder, 65 signal line, 66, 67 signal connector, 68 temperature calculation unit, 68 a A / D conversion circuit, 68 b, 69 a arithmetic circuit, 69 temperature control unit, 70 control device, 75 motor driver , 77 Vacuum suction unit, 80 Display device, 82 Storage device, 91 Integrator, 92 Integrator guide, 94 Light receiving element, 100 Joining device, 101, 102 Condenser lens, 103 Shutter, 104 Imaging lens, 105 Objective lens, 106 Lens, 107 Galvano mirror, 108 Rotation drive unit, AR irradiation area, EM emitter, LB laser beam.

Claims (21)

被接合物としてガラス基板上に配列された複数の第1の電極からなる引出電極と、前記引出電極の接合対象物に含まれ、かつ前記複数の第1の電極と配置を対応させて配列された複数の第2の電極とを、熱反応性樹脂による接着剤を介在させてそれぞれ電気的に接合する接合装置であって、
前記熱反応性樹脂を加熱するためのレーザ光を前記接着剤に向けて照射するレーザ光照射部を備え、
前記レーザ光照射部は、
複数のレーザ光源と、
前記複数のレーザ光源が各々出射するレーザ光の強度を、互いに独立に、時間に対して一定または時間的に変化させるように制御するレーザ制御部とを含み、
前記複数の第2の電極が形成された前記接合対象物の表面に対して、前記複数のレーザ光源の各々から出射された前記レーザ光を異なる位置に照射することによって、前記接合対象物の輪郭により定まる領域の全域を前記レーザ光により照射する、接合装置。
An extraction electrode composed of a plurality of first electrodes arranged on a glass substrate as an object to be joined, and is included in the object to be joined of the extraction electrode and arranged in correspondence with the arrangement of the plurality of first electrodes. A plurality of second electrodes that are electrically joined to each other with an adhesive made of a heat-reactive resin interposed therebetween,
A laser beam irradiation unit for irradiating the adhesive with a laser beam for heating the thermally reactive resin;
The laser beam irradiation unit is
A plurality of laser light sources;
A laser control unit that controls the intensity of the laser light emitted from each of the plurality of laser light sources so as to be independent of each other and to be constant or temporally change with respect to time,
By irradiating the surface of the joining object on which the plurality of second electrodes are formed with different positions with the laser light emitted from each of the plurality of laser light sources, the contour of the joining object is obtained. A bonding apparatus that irradiates the entire region determined by the laser beam with the laser beam.
前記レーザ光照射部は、
前記複数のレーザ光源により前記接着剤に照射される前記レーザ光のビーム形状を整形するためのビーム整形部をさらに含む、請求項1に記載の接合装置。
The laser beam irradiation unit is
The bonding apparatus according to claim 1, further comprising a beam shaping unit configured to shape a beam shape of the laser light irradiated onto the adhesive by the plurality of laser light sources.
前記接合対象物は、
前記複数の第2の電極として前記接合対象物の表面に形成された複数の電極を含み、
前記接着剤において前記レーザ光が照射される前記領域は、前記複数の電極が形成された前記接合対象物の表面と実質的に同じ大きさである、請求項1に記載の接合装置。
The joining object is
Including a plurality of electrodes formed on the surface of the joining object as the plurality of second electrodes,
2. The bonding apparatus according to claim 1, wherein the region of the adhesive that is irradiated with the laser light has substantially the same size as the surface of the bonding object on which the plurality of electrodes are formed.
前記レーザ光照射部および前記ビーム整形部は、前記接着剤において前記レーザ光が照射される前記領域である照射領域での前記レーザ光のパワーが、前記レーザ光照射部から発せられた前記レーザ光のパワーの90%以上となるように、前記レーザ光を前記照射領域に集中させる、請求項2または3に記載の接合装置。   The laser beam irradiation unit and the beam shaping unit are configured such that the laser beam power is emitted from the laser beam irradiation unit in an irradiation region that is the region irradiated with the laser beam in the adhesive. The bonding apparatus according to claim 2, wherein the laser beam is concentrated on the irradiation region so that the power is 90% or more. 前記レーザ光照射部は、
各前記複数のレーザ光源から発せられる前記レーザ光が、前記接着剤に向かう向きに進行するように、前記レーザ光を伝達する複数の光ファイバと、
各々が、前記光ファイバから出た前記レーザ光を平行光に変換する複数のレンズを有する複数のレンズ保持部材とをさらに含み、
各前記レンズ保持部材において、前記複数のレンズは、前記平行光が重なり合うように定められたピッチで一方向に配置される、請求項1に記載の接合装置。
The laser beam irradiation unit is
A plurality of optical fibers that transmit the laser light so that the laser light emitted from each of the plurality of laser light sources travels in a direction toward the adhesive;
A plurality of lens holding members each having a plurality of lenses that convert the laser light emitted from the optical fiber into parallel light;
2. The bonding apparatus according to claim 1, wherein in each of the lens holding members, the plurality of lenses are arranged in one direction at a pitch determined so that the parallel lights overlap each other.
前記複数のレンズ保持部材は、1つのレンズ保持部材に設けられた前記複数のレンズの各々から発せられる前記平行光と、前記1つのレンズ保持部材と異なる他のレンズ保持部材に設けられた前記複数のレンズの各々から発せられる前記平行光とが、前記ビーム整形部において集まるように配置される、請求項5に記載の接合装置。   The plurality of lens holding members include the parallel light emitted from each of the plurality of lenses provided on one lens holding member and the plurality of lenses provided on another lens holding member different from the one lens holding member. The bonding apparatus according to claim 5, wherein the parallel light emitted from each of the lenses is arranged so as to gather in the beam shaping unit. 前記接合装置は、
透明な材質により形成され、かつ前記ガラス基板を支持する支持部材と、
前記複数のレンズ保持部材と前記支持部材との間に配置され、前記ガラス基板上の前記複数の第1の電極に対する前記接合対象物の前記複数の第2の電極の位置合わせのために、前記支持部材および前記ガラス基板を介して前記複数の第1の電極および前記複数の第2の電極を撮影するカメラと、
前記位置合わせが行なわれるときに前記カメラを所定の位置に移動させ、前記複数のレンズの各々から前記平行光が出射されるときには、前記カメラを前記平行光の光路上の位置から退避させるカメラ移動機構をさらに備える、請求項5に記載の接合装置。
The joining device includes:
A support member formed of a transparent material and supporting the glass substrate;
For the alignment of the plurality of second electrodes of the object to be joined to the plurality of first electrodes on the glass substrate, which are disposed between the plurality of lens holding members and the support member, A camera that photographs the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes via a support member and the glass substrate;
Camera movement that moves the camera to a predetermined position when the alignment is performed, and retracts the camera from a position on the optical path of the parallel light when the parallel light is emitted from each of the plurality of lenses The joining apparatus according to claim 5, further comprising a mechanism.
前記接合装置は、
前記接着剤における前記レーザ光の照射領域の複数の箇所の温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部が検出した前記複数の箇所の温度に基づいて、前記照射領域の温度分布を生成する温度分布生成部とをさらに備え、
前記レーザ制御部は、前記温度分布生成部が生成した前記温度分布に基づいて、前記複数のレーザ光源の各々を制御する、請求項5に記載の接合装置。
The joining device includes:
A temperature detection unit for detecting temperatures of a plurality of locations of the irradiation region of the laser beam in the adhesive;
A temperature distribution generation unit that generates a temperature distribution of the irradiation region based on the temperatures of the plurality of locations detected by the temperature detection unit;
The bonding apparatus according to claim 5, wherein the laser control unit controls each of the plurality of laser light sources based on the temperature distribution generated by the temperature distribution generation unit.
前記接合装置は、
透明な材質により形成され、かつ前記ガラス基板を支持する支持部材と、
前記複数のレーザ光源により前記接着剤に照射される前記レーザ光のビーム形状を整形するためのビーム整形部とをさらに備え、
前記ビーム整形部は、
前記複数のレンズ保持部材と前記支持部材との間に配置され、前記ガラス基板の表面に沿った第1の方向に前記ビーム形状を整形するためのスリットを含み、
前記支持部材は、
前記ガラス基板に対向する表面に交差し、かつ、前記対向する表面の垂直方向に対して傾いた斜面を有する、請求項5に記載の接合装置。
The joining device includes:
A support member formed of a transparent material and supporting the glass substrate;
A beam shaping unit for shaping the beam shape of the laser light irradiated onto the adhesive by the plurality of laser light sources;
The beam shaping unit
Including a slit disposed between the plurality of lens holding members and the support member for shaping the beam shape in a first direction along the surface of the glass substrate;
The support member is
The bonding apparatus according to claim 5, wherein the bonding apparatus has a slope that intersects a surface facing the glass substrate and is inclined with respect to a vertical direction of the facing surface.
前記斜面の垂線と前記平行光とのなす角度は、前記斜面における前記平行光の全反射角よりも大きい、請求項9に記載の接合装置。   The bonding apparatus according to claim 9, wherein an angle formed between the perpendicular to the inclined surface and the parallel light is larger than a total reflection angle of the parallel light on the inclined surface. 前記接合装置は、
前記斜面に沿って設けられ、かつ前記レーザ光を吸収可能な吸収体をさらに備える、請求項9に記載の接合装置。
The joining device includes:
The bonding apparatus according to claim 9, further comprising an absorber provided along the slope and capable of absorbing the laser beam.
前記斜面は、粗面である、請求項11に記載の接合装置。   The joining apparatus according to claim 11, wherein the slope is a rough surface. 前記接合装置は、
前記支持部材の周辺、かつ、前記斜面において反射する前記レーザ光の反射方向に設けられ、前記レーザ光を吸収可能な吸収体をさらに備える、請求項9に記載の接合装置。
The joining device includes:
The bonding apparatus according to claim 9, further comprising an absorber provided around the support member and in a reflection direction of the laser light reflected on the slope, and capable of absorbing the laser light.
前記支持部材の表面のうち、前記斜面において反射した前記レーザ光が前記支持部材の内部から出射される表面は、粗面である、請求項13に記載の接合装置。   The bonding apparatus according to claim 13, wherein a surface of the support member on which the laser beam reflected on the slope is emitted from the inside of the support member is a rough surface. 前記接合装置は、
前記複数のレンズ保持部材を前記第1の方向に垂直な前記第2の方向に沿って移動させる移動機構をさらに備える、請求項9から14のいずれか1項に記載の接合装置。
The joining device includes:
The bonding apparatus according to claim 9, further comprising a moving mechanism that moves the plurality of lens holding members along the second direction perpendicular to the first direction.
前記接合装置は、
前記接着剤に対して反対側から前記接合対象物に圧力を加えるための加圧装置をさらに備え、
前記レーザ光照射部は、前記加圧装置により前記接合対象物に圧力が加えられた状態で、前記レーザ光を前記接着剤に向けて照射する、請求項1に記載の接合装置。
The joining device includes:
A pressure device for applying pressure to the object to be joined from the opposite side to the adhesive;
2. The bonding apparatus according to claim 1, wherein the laser beam irradiation unit irradiates the laser beam toward the adhesive in a state where pressure is applied to the objects to be bonded by the pressure device.
前記加圧装置は、
前記接合対象物を押さえるための押さえ部材を含み、
前記押さえ部材には少なくとも1つの貫通孔が形成され、
前記接合装置は、前記少なくとも1つの貫通孔を介して前記接合対象物を前記押さえ部材に真空吸着させるための真空吸着部をさらに備える、請求項16に記載の接合装置。
The pressure device is
Including a pressing member for pressing the object to be joined;
At least one through hole is formed in the pressing member,
The said joining apparatus is a joining apparatus of Claim 16 further provided with the vacuum suction part for making the said pressing target member vacuum-suck the said to-be-joined object through the said at least 1 through-hole.
前記加圧装置は、
前記接合対象物を押さえるための押さえ部分を含み、
前記押さえ部材の材質は、セラミック、石英、およびガラスの中から選択される材質である、請求項16に記載の接合装置。
The pressure device is
Including a pressing portion for pressing the object to be joined;
The joining device according to claim 16, wherein a material of the pressing member is a material selected from ceramic, quartz, and glass.
前記レーザ光照射部は、
対応するレーザ光源からの前記レーザ光を導光することで前記レーザ光の強度を均一化し、かつ、均一化された前記レーザ光による面状照射が可能なように集合的に配置される複数の導光路と、
前記複数の導光路から出た前記レーザ光のビーム形状を整形するためのマスクとをさらに含む、請求項1に記載の接合装置。
The laser beam irradiation unit is
By guiding the laser light from the corresponding laser light source, the intensity of the laser light is made uniform, and a plurality of elements are arranged collectively so that planar irradiation with the uniformed laser light is possible A light guide,
The bonding apparatus according to claim 1, further comprising a mask for shaping a beam shape of the laser light emitted from the plurality of light guide paths.
前記接着剤は、前記接着剤は、前記熱反応性樹脂に導電性粒子が分散された接着剤である、請求項1から19のいずれか1項に記載の接合装置。   The bonding apparatus according to any one of claims 1 to 19, wherein the adhesive is an adhesive in which conductive particles are dispersed in the thermally reactive resin. 被接合物としてガラス基板上に配列された複数の第1の電極からなる引出電極と、前記引出電極の接合対象物に含まれ、かつ前記複数の第1の電極と配置を対応させて配列された複数の第2の電極とを、熱反応性樹脂による接着剤を介在させてそれぞれ電気的に接合する接合方法であって、
前記接合対象物を加圧するステップと、
前記接合対象物が加圧された状態において、前記熱反応性樹脂を加熱するためのレーザ光を前記接着剤に向けて照射するステップとを備え、
前記レーザ光を照射するステップは、
複数のレーザ光源が各々出射するレーザ光の強度を、互いに独立に、時間に対して一定または時間的に変化させるように制御するステップと、
前記複数の第1の電極が形成された前記接合対象物の表面に対して、前記複数のレーザ光源の各々から出射された前記レーザ光を異なる位置に照射することによって、前記接合対象物の輪郭により定まる領域の全域を前記レーザ光により照射するステップとを含む、接合方法。
An extraction electrode composed of a plurality of first electrodes arranged on a glass substrate as an object to be joined, and is included in the object to be joined of the extraction electrode and arranged in correspondence with the arrangement of the plurality of first electrodes. A plurality of second electrodes that are electrically joined to each other with an adhesive made of a heat-reactive resin interposed therebetween,
Pressurizing the joining objects;
Irradiating a laser beam for heating the heat-reactive resin toward the adhesive in a state where the bonding object is pressurized,
The step of irradiating the laser beam includes:
Controlling the intensity of laser light emitted by each of the plurality of laser light sources to be constant or temporally change with respect to time independently of each other;
By irradiating the surface of the joining object on which the plurality of first electrodes are formed with the laser light emitted from each of the plurality of laser light sources at different positions, the contour of the joining object Irradiating the entire region determined by the laser beam with the laser beam.
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