JP2009202170A - Laser beam machining apparatus and reflection mirror - Google Patents

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Junichi Kinoshita
下 純 一 木
Seiji Iwama
間 誠 司 岩
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To process a body to be processed in space-saving manner at a low cost for a short time even when processing the body using laser beam having a predetermined wavelength and laser beam having a wave length different from the predetermined wavelength. <P>SOLUTION: The laser beam machining apparatus machines the body 60 to be processed by irradiating laser beams I, S thereon. The laser beam machining apparatus is provided with a laser oscillator 1 for oscillating the laser beam I having the predetermined wavelength, a wavelength conversion element 5 which converts a part of the laser beam I having the predetermined wavelength to the laser beam S having the different wavelength, a reflection mirror 10 which reflects the laser beams I, S which passes through the wavelength conversion element 5, and a converging part 7 which converges the laser beams I, S on the body 60 to be processed. One surface of the reflection mirror 10 selectably reflects the laser beam I having the predetermined wavelength and the other surface different from the one surface of the reflection mirror 10 selectably reflects the laser beam S which has the different wavelength from the predetermined wavelength through conversion by the wavelength conversion element 5. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、所定の波長を持つレーザ光と当該所定の波長と異なる波長を持つレーザ光とを用いて被処理体を処理するレーザ加工装置、および、当該レーザ加工装置に用いられる反射ミラーに関する。   The present invention relates to a laser processing apparatus that processes a workpiece using laser light having a predetermined wavelength and laser light having a wavelength different from the predetermined wavelength, and a reflection mirror used in the laser processing apparatus.

多層構造の薄膜デバイスに対して各層を選択的にレーザ加工する場合、目的に応じてそれぞれに適した波長のレーザ光を用いて加工を行う。このときに必要な波長のレーザは各工程毎に準備される。例えば薄膜シリコン太陽電池を生産する通常の工程では、概ね図１５に示すような流れとなる。   When each layer is selectively laser processed for a thin film device having a multilayer structure, processing is performed using laser light having a wavelength suitable for each purpose. At this time, a laser having a necessary wavelength is prepared for each process. For example, in a normal process for producing a thin-film silicon solar cell, the flow is generally as shown in FIG.

まず、ガラス基板６１上に透明導電体６２が成膜される（図１５（ａ）参照）。次に、ガラス基板６１上の透明導電体６２が１０６４ｎｍ近傍の波長を持つレーザ光（ＩＲ光）Ｉによって、除去される（ＴＣＯスクライブ）（図１５（ｂ）参照）。   First, the transparent conductor 62 is formed on the glass substrate 61 (see FIG. 15A). Next, the transparent conductor 62 on the glass substrate 61 is removed (TCO scribe) by laser light (IR light) I having a wavelength near 1064 nm (see FIG. 15B).

次に、透明導電体６２上にＳｉ層６５が成膜される（図１５（ｃ）参照）。次に、透明導電体６２上のＳｉ層６５が５３２ｎｍ近傍の波長を持つレーザ光（ＳＨＧ光）Ｓによって、除去される（Ｓｉスクライブ）（図１５（ｄ）参照）。   Next, a Si layer 65 is formed on the transparent conductor 62 (see FIG. 15C). Next, the Si layer 65 on the transparent conductor 62 is removed (Si scribe) by laser light (SHG light) S having a wavelength near 532 nm (see FIG. 15D).

次に、Ｓｉ層６５上にメタル層６６が成膜される（図１５（ｅ）参照）。次に、Ｓｉ層６５上のメタル層６６が５３２ｎｍ近傍の波長を持つレーザ光（ＳＨＧ光）Ｓによって、Ｓｉ層６５とともに除去される（メタルスクライブ）（図１５（ｆ）参照）。その後、透明導電体６２、Ｓｉ層６５およびメタル層６６がＩＲ光Ｉによって除去され（分離スクライブ）（図１５（ｇ）参照）、被処理体６０が製造されている。なお、図１５（ｇ）においては、図１５（ｆ）に示していた位置から、被処理体６０が９０°回転させられている。   Next, a metal layer 66 is formed on the Si layer 65 (see FIG. 15E). Next, the metal layer 66 on the Si layer 65 is removed together with the Si layer 65 (metal scribe) by laser light (SHG light) S having a wavelength near 532 nm (see FIG. 15F). Thereafter, the transparent conductor 62, the Si layer 65, and the metal layer 66 are removed by IR light I (separation scribe) (see FIG. 15G), and the object 60 is manufactured. In addition, in FIG.15 (g), the to-be-processed object 60 is rotated 90 degrees from the position shown in FIG.15 (f).

この分離スクライブは、ＩＲ光Ｉが透明導電体６２に吸収されることによって、透明導電体６２がガラス基板６１からバーストするように剥離され、同時に直上(加工時には直下)のＳｉ層６５およびメタル層６６も除去されることによって行われる。   In this separation scribe, the IR light I is absorbed by the transparent conductor 62, so that the transparent conductor 62 is peeled off so as to burst from the glass substrate 61, and at the same time, the Si layer 65 and the metal layer immediately above (directly under processing). This is done by removing 66 as well.

この際、透明導電体６２が溶融・再凝固して、その成分がＳｉ層６５およびメタル層６６に付着することにより、Ｓｉ層６５およびメタル層６６が変質してしまう。このような変質によって、メタル層６６から透明導電体６２膜までの抵抗値が下がってしまい、完成されたデバイスの性能が下がってしまう。従って、分離スクライブされた部分における品質を確保するためには、Ｓｉ層６５およびメタル層６６の変質した部分を除去する必要がある。   At this time, the transparent conductor 62 is melted and re-solidified, and the components adhere to the Si layer 65 and the metal layer 66, so that the Si layer 65 and the metal layer 66 are altered. Due to such alteration, the resistance value from the metal layer 66 to the transparent conductor 62 film is lowered, and the performance of the completed device is lowered. Therefore, in order to ensure the quality in the separated and scribed portion, it is necessary to remove the altered portions of the Si layer 65 and the metal layer 66.

ＳＨＧ光Ｓを用いれば、レーザ光の吸収率の違いから透明導電体６２を残しつつ、Ｓｉ層６５およびメタル層６６を選択的に除去するので、この変質した部分の除去が可能となる（図１６（ａ）（ｂ）参照）。すなわち、ＩＲ光Ｉを照射した後（図１５（ｇ）参照）、ＳＨＧ光Ｓを照射すればよく（図１６（ａ）参照）、従来ＩＲ光Ｉを発振するレーザ加工装置と、ＳＨＧ光Ｓを発振するレーザ加工装置の二台のレーザ加工装置を用いていた。   If the SHG light S is used, the Si layer 65 and the metal layer 66 are selectively removed while leaving the transparent conductor 62 due to the difference in the absorptance of the laser light, so that this altered portion can be removed (see FIG. 16 (a) (b)). That is, after the IR light I is irradiated (see FIG. 15G), the SHG light S may be irradiated (see FIG. 16A), and the conventional laser processing apparatus that oscillates the IR light I and the SHG light S Two laser processing devices that oscillate the laser were used.

しかしながら、このようにＩＲ光Ｉを発振するレーザ加工装置と、ＳＨＧ光Ｓを発振するレーザ加工装置の二台のレーザ加工装置を用いると、コストが高くなるとともに、これら二台のレーザ加工装置を配置する大きなスペースが必要となってしまっている。通常、これらのレーザ加工は、レーザ加工装置と被処理体の相対移動により行われるが、この場合、２回の工程となるため、加工時間がかかっていた。また、ＩＲ光を照射するレーザ加工装置とＳＨＧ光を照射するレーザ加工装置を二台並べて、ごく近くにＩＲ光とＳＨＧ光の二つのレーザ光を同時に照射することにはレイアウトまたは配置上無理がある。   However, using two laser processing devices, such as a laser processing device that oscillates the IR light I and a laser processing device that oscillates the SHG light S, increases the cost, and the two laser processing devices A large space is required for placement. Usually, these laser processings are performed by relative movement of the laser processing apparatus and the object to be processed, but in this case, since the process is performed twice, processing time is required. In addition, it is impossible for layout or arrangement to arrange two laser processing devices that irradiate IR light and two laser processing devices that irradiate SHG light, and to irradiate two laser beams of IR light and SHG light at the very close. is there.

また、このような複数の波長の光を一台のレーザ発振器で実現する方法として、一台のレーザ発振器出力を分割するとともに、分割したレーザ光を波長変換器を通すことが行われている（例えば、特開平７−２６３７２６号公報参照）。   Further, as a method for realizing such a plurality of wavelengths of light with a single laser oscillator, the output of a single laser oscillator is divided and the divided laser light is passed through a wavelength converter ( For example, see JP-A-7-263726.

しかしながら、波長変換後のレーザ光は、元の波長の光がどうしても混入しており、選択性が悪く、加工不良となる可能性がある。さらに、分割された二つのビームを整列させることも困難である。   However, the laser light after wavelength conversion is inevitably mixed with light of the original wavelength, so that the selectivity is poor and processing failure may occur. It is also difficult to align the two split beams.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、所定の波長を持つレーザ光（例えばＩＲ光）と、当該所定の波長と異なる波長を持つレーザ光（例えばＳＨＧ光）とを用いて被処理体を処理する場合であっても、低コスト、省スペース、かつ、短時間に被処理体を処理することができ、調整やメンテナンス（光軸あわせなど）が簡便なレーザ加工装置と、当該レーザ加工装置に用いられる反射ミラーを提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and includes laser light having a predetermined wavelength (for example, IR light) and laser light having a wavelength different from the predetermined wavelength (for example, SHG light). Even if it is used to process the object to be processed, the laser processing apparatus can process the object at a low cost, save space, and can be adjusted in a short time, making adjustment and maintenance (such as optical axis alignment) simple. And it aims at providing the reflective mirror used for the said laser processing apparatus.

本発明によるレーザ加工装置は、
被処理体にレーザ光を照射して加工するレーザ加工装置において、
所定の波長を持つレーザ光を発振するレーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されて所定の波長を持つレーザ光のうちの一部を、異なる波長を持つレーザ光へ変換する波長変換素子と、
前記波長変換素子を通過したレーザ光を反射する反射ミラーと、
レーザ光を被処理体上に集光させる集光部と、を備え、
前記反射ミラーの前面または背面のうちのいずれかの一面が、前記所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
当該反射ミラーの前記一面に対向する他面が、前記波長変換素子によって変換されて前記所定の波長と異なる波長を持つに至ったレーザ光を選択的に反射する。 The laser processing apparatus according to the present invention comprises:
In a laser processing apparatus that processes a target object by irradiating a laser beam,
A laser oscillator that oscillates laser light having a predetermined wavelength;
A wavelength conversion element that converts part of laser light having a predetermined wavelength oscillated from the laser oscillator into laser light having a different wavelength;
A reflection mirror that reflects the laser light that has passed through the wavelength conversion element;
A condensing unit that condenses the laser beam on the object to be processed,
Either one of the front surface and the back surface of the reflection mirror selectively reflects the laser beam having the predetermined wavelength,
The other surface opposite to the one surface of the reflection mirror selectively reflects the laser beam converted by the wavelength conversion element and having a wavelength different from the predetermined wavelength.

このような構成により、所定の波長を持つレーザ光（例えばＩＲ光）と、当該所定の波長と異なる波長を持つレーザ光（例えばＳＨＧ光）とを用いて被処理体を処理する場合であっても、低コスト、省スペース、かつ、短時間に被処理体を処理することができ、調整やメンテナンス（光軸あわせなど）も簡便となる。   With such a configuration, the object to be processed is processed using laser light having a predetermined wavelength (for example, IR light) and laser light having a wavelength different from the predetermined wavelength (for example, SHG light). However, the object to be processed can be processed in a low cost, in a space-saving manner, and in a short time, and adjustment and maintenance (such as alignment of the optical axis) are simplified.

本発明によるレーザ加工装置において、
前記集光部は、前記波長変換素子と前記反射ミラーとの間に配置されることが好ましい。 In the laser processing apparatus according to the present invention,
The condensing part is preferably disposed between the wavelength conversion element and the reflection mirror.

このような構成により、所定の波長を持つレーザ光と、当該所定の波長と異なる波長を持つレーザ光とで、被処理体上の異なる位置を、異なるビームスポット径で照射することができる。このため、被処理体を効率よく処理することができる。   With such a configuration, a laser beam having a predetermined wavelength and a laser beam having a wavelength different from the predetermined wavelength can be irradiated at different positions on the object with different beam spot diameters. For this reason, a to-be-processed object can be processed efficiently.

本発明によるレーザ加工装置において、
前記集光部は、第一集光部と第二集光部とを有し
前記反射ミラーの前面によって反射されたレーザ光は、前記第一集光部によって被処理体上に集光され、
前記反射ミラーの背面によって反射されたレーザ光は、前記第二集光部によって被処理体上に集光されることが好ましい。 In the laser processing apparatus according to the present invention,
The condensing unit includes a first condensing unit and a second condensing unit, and the laser light reflected by the front surface of the reflecting mirror is collected on the object to be processed by the first condensing unit,
It is preferable that the laser beam reflected by the back surface of the reflection mirror is condensed on the object to be processed by the second light collecting unit.

このような構成により、所定の波長を持つレーザ光と、当該所定の波長と異なる波長を持つレーザ光とで、被処理体上の異なる位置を、異なるビームスポット径で照射することができる。このため、被処理体を効率よく処理することができる。   With such a configuration, a laser beam having a predetermined wavelength and a laser beam having a wavelength different from the predetermined wavelength can be irradiated at different positions on the object with different beam spot diameters. For this reason, a to-be-processed object can be processed efficiently.

本発明によるレーザ加工装置において、
前記反射ミラーは異なる厚みからなる箇所を有することが好ましい。 In the laser processing apparatus according to the present invention,
The reflection mirror preferably has a portion having a different thickness.

このような態様において、前記反射ミラーに対するレーザ光の入射位置を変更する入射位置変更手段をさらに備え、
前記反射ミラーの前面によって反射されたレーザ光と、前記反射ミラーの背面によって反射されたレーザ光の光路差を調整可能となっていることが好ましい。 In such an aspect, it further comprises incident position changing means for changing the incident position of the laser beam on the reflection mirror,
It is preferable that the optical path difference between the laser light reflected by the front surface of the reflection mirror and the laser light reflected by the back surface of the reflection mirror can be adjusted.

このような態様において、前記入射位置変更手段は、前記反射ミラーを当該反射ミラーの面内方向に沿って移動させることがさらに好ましい。   In such an aspect, it is more preferable that the incident position changing unit moves the reflection mirror along the in-plane direction of the reflection mirror.

このような構成により、被処理体上に照射されるレーザ光のレーザスポットの大きさを適宜調整することができる。   With such a configuration, the size of the laser spot of the laser light irradiated onto the object to be processed can be adjusted as appropriate.

本発明によるレーザ加工装置において、
前記反射ミラーの前面の一領域は、前記所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
前記反射ミラーの前面の他領域は、前記波長変換素子によって変換されて前記所定の波長と異なる波長を持つに至ったレーザ光を選択的に反射し、
前記反射ミラーの背面のうち前記前面の一領域に対応する領域は、前記波長変換素子によって変換されて前記所定の波長と異なる波長を持つに至ったレーザ光を選択的に反射し、
前記反射ミラーの背面のうち前記前面の他領域に対応する領域は、前記所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
前記反射ミラーに対するレーザ光の入射位置は、変更可能となることが好ましい。 In the laser processing apparatus according to the present invention,
One area of the front surface of the reflecting mirror selectively reflects the laser beam having the predetermined wavelength,
The other region of the front surface of the reflection mirror selectively reflects the laser light converted by the wavelength conversion element and having a wavelength different from the predetermined wavelength,
A region corresponding to one region of the front surface of the back surface of the reflection mirror selectively reflects the laser light converted by the wavelength conversion element and having a wavelength different from the predetermined wavelength,
Of the back surface of the reflecting mirror, the region corresponding to the other region of the front surface selectively reflects the laser beam having the predetermined wavelength,
It is preferable that the incident position of the laser beam on the reflection mirror can be changed.

このような構成により、レーザ加工装置を二方向に走査させる態様で用いることができる。   With such a configuration, the laser processing apparatus can be used in a mode in which scanning is performed in two directions.

このような態様において、少なくとも前記反射ミラーと前記集光部を、前記被処理体に対して相対移動させる移動機構をさらに備え、
前記移動機構の移動方向によって、前記反射ミラーに対するレーザ光の入射位置が変更され、前記被処理体に照射されるレーザ光の波長が変更されることが好ましい。 In such an aspect, the apparatus further includes a moving mechanism that moves at least the reflection mirror and the light collecting unit relative to the object to be processed.
It is preferable that the incident position of the laser beam on the reflection mirror is changed according to the moving direction of the moving mechanism, and the wavelength of the laser beam irradiated on the object to be processed is changed.

本発明による反射ミラーは、
一面が、所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
当該一面に対向する他面が、前記所定の波長と異なる波長を持つレーザ光を選択的に反射する。 The reflecting mirror according to the present invention is
One surface selectively reflects laser light having a predetermined wavelength,
The other surface facing the one surface selectively reflects laser light having a wavelength different from the predetermined wavelength.

本発明による反射ミラーにおいて、
一面の一領域は、前記所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
一面の他領域は、前記所定の波長と異なる波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
他面のうち前記一面の一領域に対応する領域は、前記所定の波長と異なる波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
他面のうち前記一面の他領域に対応する領域は、前記所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射することが好ましい。 In the reflection mirror according to the present invention,
One area of one surface selectively reflects the laser beam having the predetermined wavelength,
The other region of the surface selectively reflects laser light having a wavelength different from the predetermined wavelength,
A region corresponding to one region of the one surface of the other surface selectively reflects laser light having a wavelength different from the predetermined wavelength,
It is preferable that a region of the other surface corresponding to the other region of the one surface selectively reflects the laser beam having the predetermined wavelength.

本発明によれば、反射ミラーの前面または背面のうちのいずれかの一面が、所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射し、当該反射ミラーの前記一面に対向する他面が、波長変換素子によって変換されて前記所定の波長と異なる波長を持つに至ったレーザ光を選択的に反射する。このため、所定の波長を持つレーザ光（例えばＩＲ光）と、当該所定の波長と異なる波長を持つレーザ光（例えばＳＨＧ光）とを用いて被処理体を処理する場合であっても、低コスト、省スペース、かつ、短時間に被処理体を処理することができる。   According to the present invention, either one of the front surface and the back surface of the reflection mirror selectively reflects laser light having a predetermined wavelength, and the other surface facing the one surface of the reflection mirror is wavelength-converted. The laser beam converted by the element and having a wavelength different from the predetermined wavelength is selectively reflected. For this reason, even when processing an object to be processed using laser light having a predetermined wavelength (for example, IR light) and laser light having a wavelength different from the predetermined wavelength (for example, SHG light), The object to be processed can be processed in a short time with a reduced cost and space.

発明を実施するための形態BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

第１の実施の形態
以下、本発明に係るレーザ加工装置の第１の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図４（ａ）（ｂ）は本発明の第１の実施の形態を示す図である。 First Embodiment Hereinafter, a first embodiment of a laser processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 1 thru | or FIG. 4 (a) (b) is a figure which shows the 1st Embodiment of this invention.

本実施の形態によるレーザ加工装置は、被処理体６０にレーザ光Ｉ，Ｓを照射して加工するものである（図１および図２参照）。なお、この被処理体６０としては、多層薄膜デバイスである薄膜シリコン太陽電池を用いることができる。この被処理体６０は、ガラス基板６１と、ガラス基板６１上に配置された透明導電体６２と、透明導電体６２上に配置されたＳｉ層６５と、Ｓｉ層６５上に配置されたメタル層６６とからなっている（図３（ａ）−（ｃ）および図１５（ａ）−（ｇ）参照）。なお以下、被処理体として被処理体６０を用いて説明するが、これはあくまでも一例にすぎない。本発明によるレーザ加工装置は、連続加工、複数の波長の光を利用するあらゆる加工に用いることができる。   The laser processing apparatus according to the present embodiment processes an object 60 by irradiating laser light I, S (see FIGS. 1 and 2). In addition, as this to-be-processed object 60, the thin film silicon solar cell which is a multilayer thin film device can be used. The object 60 includes a glass substrate 61, a transparent conductor 62 disposed on the glass substrate 61, an Si layer 65 disposed on the transparent conductor 62, and a metal layer disposed on the Si layer 65. 66 (see FIGS. 3A to 3C and FIGS. 15A to 15G). In the following description, the object 60 is used as the object to be processed, but this is only an example. The laser processing apparatus according to the present invention can be used for continuous processing and all types of processing using light of a plurality of wavelengths.

図１に示すように、レーザ加工装置は、所定の波長を持つレーザ光Ｉを発振するレーザ発振器１と、レーザ発振器１から発振されて所定の波長を持つレーザ光Ｉのうちの一部を、異なる波長を持つレーザ光Ｓへ変換する波長変換素子５と、波長変換素子５を通過したレーザ光Ｉ，Ｓを反射する反射ミラー１０と、波長変換素子５と反射ミラー１０との間に配置され、レーザ光Ｉ，Ｓを被処理体６０上に集光させるレンズなどの集光部７と、を備えている。   As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus includes a laser oscillator 1 that oscillates a laser beam I having a predetermined wavelength, and a part of the laser beam I that is oscillated from the laser oscillator 1 and has a predetermined wavelength. The wavelength conversion element 5 that converts the laser light S having different wavelengths, the reflection mirror 10 that reflects the laser light I and S that has passed through the wavelength conversion element 5, and the wavelength conversion element 5 and the reflection mirror 10 are disposed. And a condensing unit 7 such as a lens for condensing the laser beams I and S on the object 60 to be processed.

本実施の形態においては、所定の波長を持つレーザ光Ｉとしては、１０６４ｎｍ近傍の波長を持つレーザ光Ｉを用い、異なる波長を持つレーザ光Ｓとしては、１０６４ｎｍの半分である５３２ｎｍ近傍の波長を持つレーザ光Ｓを用いて、以下説明する。なお以下では、１０６４ｎｍ近傍の波長を持つレーザ光ＩのことをＩＲ光Ｉとしても表現し、５３２ｎｍ近傍の波長を持つレーザ光ＳのことをＳＨＧ光Ｓとしても表現する。   In the present embodiment, the laser beam I having a wavelength of about 1064 nm is used as the laser beam I having a predetermined wavelength, and the wavelength of about 532 nm, which is half of 1064 nm, is used as the laser beam S having a different wavelength. This will be described below using the laser beam S. In the following description, the laser light I having a wavelength near 1064 nm is also expressed as IR light I, and the laser light S having a wavelength near 532 nm is also expressed as SHG light S.

また、図１に示す波長変換素子５は、レーザ発振器１から発振された１０６４ｎｍ近傍の波長を持つＩＲ光Ｉの一部（約半分）を、１０６４ｎｍの半分である５３２ｎｍ近傍の波長を持つＳＨＧ光Ｓに変換するように構成されている。   In addition, the wavelength conversion element 5 shown in FIG. 1 uses a part (approximately half) of the IR light I having a wavelength near 1064 nm oscillated from the laser oscillator 1 as SHG light having a wavelength near 532 nm, which is half of 1064 nm. S is converted to S.

また、図１に示すように、反射ミラー１０の前面１０ａは、波長が１０６４ｎｍ近傍であるＩＲ光Ｉを選択的に反射するように構成され、反射ミラー１０の背面１０ｂは、波長変換素子５によって変換されて１０６４ｎｍの半分である５３２ｎｍ近傍の波長を持つに至ったＳＨＧ光Ｓを選択的に反射するように構成されている。なお、本願で「反射ミラー１０の前面１０ａ」とは、反射ミラー１０のレーザ発振器１側の表面のことを意味し、「反射ミラー１０の背面１０ｂ」とは、反射ミラー１０のレーザ発振器１側とは反対側の表面（前面１０ａに対向する表面）のことを意味している。   Further, as shown in FIG. 1, the front surface 10 a of the reflection mirror 10 is configured to selectively reflect the IR light I having a wavelength of around 1064 nm, and the back surface 10 b of the reflection mirror 10 is formed by the wavelength conversion element 5. The SHG light S that has been converted and has a wavelength in the vicinity of 532 nm, which is half of 1064 nm, is selectively reflected. In the present application, the “front surface 10a of the reflection mirror 10” means the surface of the reflection mirror 10 on the laser oscillator 1 side, and the “rear surface 10b of the reflection mirror 10” means the surface of the reflection mirror 10 on the laser oscillator 1 side. Means the opposite surface (surface facing the front surface 10a).

ところで、図１において、集光部７は、被処理体６０に達する光のうち、ＩＲ光Ｉに対して焦点が合うように配置されている（図２参照）。   By the way, in FIG. 1, the condensing part 7 is arrange | positioned so that it may focus with respect to IR light I among the lights which reach the to-be-processed object 60 (refer FIG. 2).

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。   Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described.

まず、レーザ発振器１から、ＩＲ光Ｉが発振される（図１参照）。   First, IR light I is oscillated from the laser oscillator 1 (see FIG. 1).

次に、このレーザ光Ｉは、波長変換素子５を通過する（図１参照）。このとき、レーザ発振器１から発振されたＩＲ光Ｉの一部（約半分）がＳＨＧ光Ｓに変換される（図１参照）。すなわち、波長変換素子５を通過したレーザ光Ｉ，Ｓは、そのうちの約半分がＩＲ光Ｉからなり、残りの約半分がＳＨＧ光Ｓからなっている。   Next, the laser light I passes through the wavelength conversion element 5 (see FIG. 1). At this time, a part (about half) of the IR light I oscillated from the laser oscillator 1 is converted into the SHG light S (see FIG. 1). That is, about half of the laser beams I and S that have passed through the wavelength conversion element 5 are made of IR light I, and the remaining half is made of SHG light S.

次に、波長変換素子５を経たレーザ光Ｉ，Ｓが、集光部７を経て反射ミラー１０に達する。そして、反射ミラー１０の前面１０ａにおいて、ＩＲ光Ｉが反射される。他方、集光反射ミラー１０の背面１０ｂにおいて、ＳＨＧ光Ｓが反射される（図１参照）。   Next, the laser beams I and S that have passed through the wavelength conversion element 5 reach the reflection mirror 10 through the condenser 7. Then, the IR light I is reflected on the front surface 10 a of the reflection mirror 10. On the other hand, the SHG light S is reflected on the back surface 10b of the condensing / reflecting mirror 10 (see FIG. 1).

このようにして反射ミラー１０で反射された、ＩＲ光ＩとＳＨＧ光Ｓとが、被処理体６０の分離スクライブと、この分離スクライブによって変質したＳｉ層６５およびメタル層６６の一部を除去するために用いられる（図３（ａ）−（ｃ）および図１５（ｇ）参照）。   The IR light I and the SHG light S reflected by the reflection mirror 10 in this manner remove the separation scribe of the object 60 and a part of the Si layer 65 and the metal layer 66 that have been altered by the separation scribe. (See FIGS. 3A to 3C and FIG. 15G).

すなわち、まず、ＩＲ光Ｉによって、被処理体６０のうち、透明導電体６２、Ｓｉ層６５およびメタル層６６の層が除去される（分離スクライブ）（図３（ａ）および図１５（ｇ）参照）。より具体的には、ＩＲ光Ｉが透明導電体６２に吸収されることによって、透明導電体６２がガラス基板６１からバーストするように剥離され、このときに直上(加工時には直下)のＳｉ層６５およびメタル層６６も除去される。   That is, first, the layer of the transparent conductor 62, the Si layer 65, and the metal layer 66 in the object 60 is removed by the IR light I (separation scribe) (FIGS. 3A and 15G). reference). More specifically, when the IR light I is absorbed by the transparent conductor 62, the transparent conductor 62 is peeled off so as to burst from the glass substrate 61, and at this time, the Si layer 65 directly above (directly below during processing). The metal layer 66 is also removed.

この際、透明導電体６２が溶融・再凝固して、その成分がＳｉ層６５およびメタル層６６に付着することにより、Ｓｉ層６５およびメタル層６６が変質する（図３（ａ）斜線部分参照）。   At this time, the transparent conductor 62 is melted and re-solidified, and the components adhere to the Si layer 65 and the metal layer 66, whereby the Si layer 65 and the metal layer 66 are altered (see the hatched portion in FIG. 3A). ).

次に、ＳＨＧ光Ｓによって、透明導電体６２上に配置されたＳｉ層６５およびメタル層６６のうち変質してしまった部分が、除去される（図３（ｂ）（ｃ）参照）。このとき、ＳＨＧ光Ｓは、吸収率の違いから、透明導電体６２を通過してＳｉ層６５に選択的に吸収される。このため、Ｓｉ層６５およびメタル層６６を選択的に除去することができる。   Next, portions of the Si layer 65 and the metal layer 66 disposed on the transparent conductor 62 that have been altered by the SHG light S are removed (see FIGS. 3B and 3C). At this time, the SHG light S passes through the transparent conductor 62 and is selectively absorbed by the Si layer 65 due to the difference in absorption rate. For this reason, the Si layer 65 and the metal layer 66 can be selectively removed.

また、集光部７が、被処理体６０に達した光のうち、ＩＲ光Ｉに対して焦点が合うように配置されているので、図２および図３（ａ）（ｂ）に示すように、ＩＲ光ＩのビームスポットＩａの径に対して、ＳＨＧ光ＳのビームスポットＳａの径の方が大きくなっている。この結果、透明導電体６２上に配置されたＳｉ層６５およびメタル層６６のうち、ＩＲ光Ｉによって変質してしまった部分を効率よく除去することができる。   Moreover, since the condensing part 7 is arrange | positioned so that it may focus with respect to IR light I among the lights which reached the to-be-processed object 60, as shown in FIG.2 and FIG.3 (a) (b). Furthermore, the diameter of the beam spot Sa of the SHG light S is larger than the diameter of the beam spot Ia of the IR light I. As a result, portions of the Si layer 65 and the metal layer 66 disposed on the transparent conductor 62 that have been altered by the IR light I can be efficiently removed.

なお、図１に示すように、集光部７を、波長変換素子５と反射ミラー１０との間に配置することによって、ＩＲ光ＩのビームスポットＩａとＳＨＧ光ＳのビームスポットＳａとが、被処理体６０上の同じ位置に照射されることなく、被処理体６０上の異なる位置に照射されるようにすることができる。   In addition, as shown in FIG. 1, the beam spot Ia of the IR light I and the beam spot Sa of the SHG light S are arranged by arranging the condensing unit 7 between the wavelength conversion element 5 and the reflection mirror 10. It is possible to irradiate different positions on the target object 60 without irradiating the same position on the target object 60.

また、反射ミラー１０の厚みを変えることによって、ＩＲ光ＩとＳＨＧ光Ｓとの光路差を変えることができる。例えば、反射ミラー１０の前面１０ａで反射されるＩＲ光Ｉを被処理体６０上で焦点が合うように集光部７を配置すると、反射ミラー１０の背面１０ｂで反射されるＳＨＧ光Ｓの焦点がずれ、ＳＨＧ光Ｓの被処理体６０上でのビームスポットＳａの径がビームスポットＩａの径よりも大きくなるとともに、照射位置もずれる。この結果、被処理体６０上ではＩＲ光Ｉによる加工とＳＨＧ光Ｓによる加工が（非常に近接している）別の場所で行える。   Further, the optical path difference between the IR light I and the SHG light S can be changed by changing the thickness of the reflection mirror 10. For example, when the condensing unit 7 is arranged so that the IR light I reflected by the front surface 10 a of the reflection mirror 10 is focused on the object 60, the focal point of the SHG light S reflected by the back surface 10 b of the reflection mirror 10. As a result, the diameter of the beam spot Sa of the SHG light S on the object to be processed 60 becomes larger than the diameter of the beam spot Ia, and the irradiation position is also shifted. As a result, the processing with the IR light I and the processing with the SHG light S can be performed on the workpiece 60 in different locations (which are very close to each other).

また、レーザ加工装置と被処理体６０とを相対的に移動させて加工するときに、わずかな時間差をおいて加工することができる（ほぼ同時に立て続けに加工することができる）。さらに、ＳＨＧ光Ｓによる加工領域を広くすることができるので、被処理体６０の変質部分を除去することができる。   Further, when processing is performed by relatively moving the laser processing apparatus and the target object 60, the processing can be performed with a slight time difference (processing can be performed almost simultaneously). Furthermore, since the processing region by the SHG light S can be widened, the altered portion of the workpiece 60 can be removed.

以上のように、本実施の形態によれば、たった一つの反射ミラー１０を用いるだけで、前面１０ａでＩＲ光Ｉを選択的に反射するとともに、背面１０ｂで、ＳＨＧ光Ｓを選択的に反射することができる。このため、従来のレーザ加工装置と大きさの変わらない一台のレーザ加工装置で、ＩＲ光Ｉで透明導電体６２を加工するとともに、ＩＲ光Ｉによって変質したＳｉ層６５およびメタル層６６を除去することができる。このため、二台のレーザ加工装置を配置する場合と比較して、配置するのに必要なスペースを小さくすることができるとともに、低コストで準備することができる。   As described above, according to the present embodiment, the IR light I is selectively reflected by the front surface 10a and the SHG light S is selectively reflected by the rear surface 10b by using only one reflection mirror 10. can do. For this reason, the transparent conductor 62 is processed with the IR light I and the altered Si layer 65 and the metal layer 66 are removed by the IR light I with a single laser processing apparatus that is the same size as the conventional laser processing apparatus. can do. For this reason, compared with the case where two laser processing apparatuses are arrange | positioned, while being able to reduce the space required for arrangement | positioning, it can prepare at low cost.

また、一つの反射ミラー１０で反射されたレーザ光Ｉ，Ｓを用いて、被処理体６０を加工するので、当該被処理体６０上においてＩＲ光ＩとＳＨＧ光Ｓとを近接した位置で照射することができる。このため、短時間で、被処理体６０を処理することができる。なお、被処理体６０上でのＩＲ光ＩとＳＨＧ光Ｓとの間の距離と、ＳＨＧ光Ｓのスポット径は、反射ミラー１０の厚みを調整することによって、適宜調整することができる（図４（ａ）（ｂ）参照）。   In addition, since the object to be processed 60 is processed using the laser beams I and S reflected by the single reflecting mirror 10, the IR light I and the SHG light S are irradiated on the object to be processed 60 at close positions. can do. For this reason, the to-be-processed object 60 can be processed in a short time. The distance between the IR light I and the SHG light S on the object 60 and the spot diameter of the SHG light S can be adjusted as appropriate by adjusting the thickness of the reflection mirror 10 (FIG. 4 (a) (b)).

さらに、被処理体６０を固定してレーザ加工装置を移動させる場合においては、一つの反射ミラー１０を有するユニット（レーザ発振器１、波長変更素子５、反射ミラー１０および集光部７を含むユニット（なお、このユニットは、反射ミラー１０と集光部７だけを含むものでもよい））を移動させるだけで、レーザ光Ｉ，Ｓのスポットを移動させることができるので、レーザ加工装置の動作制御を簡易にすることができる。   Furthermore, in the case of moving the laser processing apparatus while fixing the object to be processed 60, a unit having one reflection mirror 10 (a unit including the laser oscillator 1, the wavelength changing element 5, the reflection mirror 10, and the light collecting unit 7 ( Note that this unit may include only the reflecting mirror 10 and the condensing unit 7)), and the spot of the laser beams I and S can be moved only by moving, so that the operation control of the laser processing apparatus can be performed. It can be simplified.

ところで、上記では、反射ミラー１０の前面１０ａが所定の波長（１０６４ｎｍ近傍の波長）を持つレーザ光Ｉを選択的に反射し、反射ミラー１０の背面１０ｂが波長変換素子５によって変換されて所定の波長と異なる波長（５３２ｎｍ近傍）を持つに至ったレーザ光Ｓを選択的に反射する態様を用いて説明したが、これに限られることなく、反射ミラー１０の背面１０ｂが所定の波長（１０６４ｎｍ近傍の波長）を持つレーザ光Ｉを選択的に反射し、反射ミラー１０の前面１０ａが波長変換素子５によって変換されて所定の波長と異なる波長（５３２ｎｍ近傍）を持つに至ったレーザ光Ｓを選択的に反射するようにしてもよい。   By the way, in the above, the front surface 10a of the reflection mirror 10 selectively reflects the laser light I having a predetermined wavelength (a wavelength in the vicinity of 1064 nm), and the back surface 10b of the reflection mirror 10 is converted by the wavelength conversion element 5 to have a predetermined wavelength. Although the description has been made using the mode in which the laser beam S that has a wavelength different from the wavelength (near 532 nm) is selectively reflected, the present invention is not limited to this, and the back surface 10b of the reflection mirror 10 has a predetermined wavelength (near 1064 nm). The laser beam I having a wavelength different from the predetermined wavelength (near 532 nm) is selected by selectively reflecting the laser beam I having a wavelength of) and the front surface 10a of the reflection mirror 10 is converted by the wavelength conversion element 5. May be reflected.

第２の実施の形態
次に、図５により、本発明の第２の実施の形態について説明する。図５に示す第２の実施の形態は、波長変換素子５と反射ミラー１０との間に集光部７が配置される代わりに、反射ミラー１０と被処理体６０との間に第一集光部７ａと第二集光部７ｂとからなる集光部７が配置されている。そして、反射ミラー１０の前面１０ａによって反射されたＩＲ光Ｉは、第一集光部７ａによって被処理体６０上に集光され、反射ミラー１０の背面１０ｂによって反射されたＳＨＧ光Ｓは、第二集光部７ｂによって被処理体６０上に集光されるようになっている。その他の構成は、図１乃至図４（ａ）（ｂ）に示す第１の実施の形態と略同一となっている。 Second Embodiment Next, the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment shown in FIG. 5, instead of the condensing unit 7 being disposed between the wavelength conversion element 5 and the reflection mirror 10, the first collection is performed between the reflection mirror 10 and the workpiece 60. The condensing part 7 which consists of the optical part 7a and the 2nd condensing part 7b is arrange | positioned. The IR light I reflected by the front surface 10a of the reflection mirror 10 is collected on the object 60 by the first light collecting unit 7a, and the SHG light S reflected by the back surface 10b of the reflection mirror 10 is The light is condensed on the object to be processed 60 by the two light collecting portions 7b. Other configurations are substantially the same as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4A and 4B.

図５に示す第２の実施の形態において、図１乃至図４（ａ）（ｂ）に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。   In the second embodiment shown in FIG. 5, the same parts as those in the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4A and 4B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施の形態においては、図５に示すように、反射ミラー１０と被処理体６０との間に第一集光部７ａと第二集光部７ｂとからなる集光部７が配置されている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 5, the light collecting unit 7 including the first light collecting unit 7 a and the second light collecting unit 7 b is disposed between the reflection mirror 10 and the object 60 to be processed. Yes.

ここで、透明導電体６２上に配置されたＳｉ層６５およびメタル層６６のうち、ＩＲ光Ｉによって透明導電体６２を加工する際に変質してしまった部分を効率よく除去するためには、被処理体６０上で、ＩＲ光ＩのビームスポットＩａの径に対して、ＳＨＧ光ＳのビームスポットＳａの径の方を大きくする必要がある（図２および図３（ａ）（ｂ）参照）。   Here, in order to efficiently remove the portion of the Si layer 65 and the metal layer 66 arranged on the transparent conductor 62 that has deteriorated when the transparent conductor 62 is processed by the IR light I, On the workpiece 60, the diameter of the beam spot Sa of the SHG light S needs to be larger than the diameter of the beam spot Ia of the IR light I (see FIGS. 2 and 3A and 3B). ).

このため、本実施の形態においては、反射ミラー１０の前面１０ａによって反射されたレーザ光Ｉを集光するための第一集光部７ａと、反射ミラー１０の背面１０ｂによって反射されたレーザ光Ｓを集光するための第二集光部７ｂとが設けられている（図５参照）。   Therefore, in the present embodiment, the first light collecting portion 7a for condensing the laser light I reflected by the front surface 10a of the reflecting mirror 10 and the laser light S reflected by the back surface 10b of the reflecting mirror 10 are used. And a second light condensing part 7b for condensing light (see FIG. 5).

本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができ、主要な効果として、以下の効果を奏することができる。   Also in this embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the following effects can be obtained as main effects.

すなわち、従来のレーザ加工装置と大きさの変わらない一台のレーザ加工装置で、ＩＲ光Ｉで透明導電体６２を加工するとともに、ＩＲ光Ｉによって変質したＳｉ層６５およびメタル層６６を除去することができる。このため、二台のレーザ加工装置を配置する場合と比較して、配置するのに必要なスペースを小さくすることができるとともに、低コストで準備することができる。また、一つの反射ミラー１０で反射されたレーザ光Ｉ，Ｓを用いて、被処理体６０を加工するので、当該被処理体６０上においてＩＲ光ＩとＳＨＧ光Ｓとを近接した位置で照射することができ、短時間で、被処理体６０を処理することができる。さらに、被処理体６０を固定してレーザ加工装置を移動させる場合においては、一つの反射ミラー１０を有するユニット（レーザ発振器１、波長変更素子５、反射ミラー１０および集光部７を含むユニット（上述のように、このユニットは、反射ミラー１０と集光部７だけを含むものでもよい））を移動させるだけで、レーザ光Ｉ，Ｓのスポットを移動させることができるので、レーザ加工装置の動作制御を容易にすることができる。   That is, the transparent conductor 62 is processed by the IR light I and the altered Si layer 65 and the metal layer 66 are removed by the IR light I with a single laser processing apparatus that is the same size as the conventional laser processing apparatus. be able to. For this reason, compared with the case where two laser processing apparatuses are arrange | positioned, while being able to reduce the space required for arrangement | positioning, it can prepare at low cost. In addition, since the object to be processed 60 is processed using the laser beams I and S reflected by the single reflecting mirror 10, the IR light I and the SHG light S are irradiated on the object to be processed 60 at close positions. The object 60 can be processed in a short time. Furthermore, in the case of moving the laser processing apparatus while fixing the object to be processed 60, a unit having one reflection mirror 10 (a unit including the laser oscillator 1, the wavelength changing element 5, the reflection mirror 10, and the light collecting unit 7 ( As described above, this unit may include only the reflecting mirror 10 and the condensing part 7)), and the spot of the laser beams I and S can be moved only by moving the laser processing apparatus. Operation control can be facilitated.

ところで、第一集光部７ａと第二集光部７ｂは、例えば、トロイダルレンズ、マイクロレンズアレイのように、入光場所によって焦点距離が照射場所が適宜設定可能であれば、一体となっていてもよい。   By the way, the 1st condensing part 7a and the 2nd condensing part 7b are united, for example like a toroidal lens and a micro lens array, if a focal distance can set an irradiation place suitably by a light incident place. May be.

第３の実施の形態
次に、図６乃至図１１（ａ）（ｂ）により、本発明の第３の実施の形態について説明する。図６乃至図１１（ａ）（ｂ）に示す第３の実施の形態は、反射ミラー１０と被処理体６０との間に集光部７が配置されている。また、反射ミラー１０の横断面が、長方形状からなる代わりに略くさび形状からなり、反射ミラー１０は異なる厚みからなる箇所を有している。その他の構成は、図１乃至図４（ａ）（ｂ）に示す第１の実施の形態と略同一となっている。 Third Embodiment Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 11A and 11B. In the third embodiment shown in FIGS. 6 to 11 (a) and 11 (b), the light collecting unit 7 is disposed between the reflection mirror 10 and the object 60 to be processed. Further, the cross section of the reflection mirror 10 has a substantially wedge shape instead of a rectangular shape, and the reflection mirror 10 has portions having different thicknesses. Other configurations are substantially the same as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4A and 4B.

図６乃至図１１（ａ）（ｂ）に示す第３の実施の形態において、図１乃至図４（ａ）（ｂ）に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。   In the third embodiment shown in FIGS. 6 to 11A and 11B, the same reference numerals are given to the same parts as those in the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4A and 4B. Detailed description will be omitted.

本実施の形態では、反射ミラー１０の厚みの違いから、入射場所により、ＩＲ光ＩとＳＨＧ光Ｓとの間での光路差を、適宜調整しつつ生じさせることができるので、レーザ光Ｉ，ＳのビームスポットＩａ，Ｓａの径、照射位置を適宜調整することができる。   In the present embodiment, due to the difference in thickness of the reflection mirror 10, the optical path difference between the IR light I and the SHG light S can be generated while appropriately adjusting depending on the incident location. The diameters and irradiation positions of the S beam spots Ia and Sa can be adjusted as appropriate.

また、本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができ、主要な効果として、以下の効果を奏することができる。   Also in this embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the following effects can be obtained as main effects.

すなわち、従来のレーザ加工装置と大きさの変わらない一台のレーザ加工装置で、ＩＲ光Ｉで透明導電体６２を加工するとともに、ＩＲ光Ｉによって変質したＳｉ層６５およびメタル層６６を除去することができる。このため、二台のレーザ加工装置を配置する場合と比較して、配置するのに必要なスペースを小さくすることができるとともに、低コストで準備することができる。また、一つの反射ミラー１０で反射されたレーザ光Ｉ，Ｓを用いて、被処理体６０を加工するので、当該被処理体６０上においてＩＲ光ＩとＳＨＧ光Ｓとを近接した位置で照射することができ、短時間で、被処理体６０を処理することができる。さらに、被処理体６０を固定してレーザ加工装置を移動させる場合においては、一つの反射ミラー１０を有するユニット（レーザ発振器１、波長変更素子５、反射ミラー１０および集光部７を含むユニット（上述のように、このユニットは、反射ミラー１０と集光部７だけを含むものでもよい））を移動させるだけで、レーザ光Ｉ，Ｓのスポットを移動させることができるので、レーザ加工装置の動作制御を容易にすることができる。   That is, the transparent conductor 62 is processed by the IR light I and the altered Si layer 65 and the metal layer 66 are removed by the IR light I with a single laser processing apparatus that is the same size as the conventional laser processing apparatus. be able to. For this reason, compared with the case where two laser processing apparatuses are arrange | positioned, while being able to reduce the space required for arrangement | positioning, it can prepare at low cost. In addition, since the object to be processed 60 is processed using the laser beams I and S reflected by the single reflecting mirror 10, the IR light I and the SHG light S are irradiated on the object to be processed 60 at close positions. The object 60 can be processed in a short time. Furthermore, in the case of moving the laser processing apparatus while fixing the object to be processed 60, a unit having one reflection mirror 10 (a unit including the laser oscillator 1, the wavelength changing element 5, the reflection mirror 10, and the light collecting unit 7 ( As described above, this unit may include only the reflecting mirror 10 and the condensing part 7)), and the spot of the laser beams I and S can be moved only by moving the laser processing apparatus. Operation control can be facilitated.

なお、入射位置の変更手段によって、反射ミラー１０は、その前面１０ａ方向に沿って（反射ミラー１０の背面１０ｂにおいて反射されるＳＨＧ光Ｓの光路距離が変わるように）移動可能となっている（図７の両方向矢印参照）。   The reflecting mirror 10 can be moved along the front surface 10a direction by the incident position changing means (so that the optical path distance of the SHG light S reflected on the back surface 10b of the reflecting mirror 10 is changed). (See the double arrow in FIG. 7).

この反射ミラー１０がその前面１０ａ方向に沿って移動可能となることによって、入射場所が変わるので、反射ミラー１０の厚みの違いから、反射ミラー１０の背面１０ｂにおいて反射されるＳＨＧ光Ｓの光路を変化させることができる。これにより、被処理体６０上に照射されるＳＨＧ光Ｓのレーザスポットの大きさを適宜調整することができるとともに、ＩＲ光Ｉのレーザスポットに対するＳＨＧ光Ｓのレーザスポットの位置を適宜調整することができる（図８（ａ）（ｂ）参照）。このようにすることで、レーザ加工のための調整が容易になる。   Since the reflection mirror 10 is movable along the direction of the front surface 10a, the incident location is changed. Therefore, due to the difference in thickness of the reflection mirror 10, the optical path of the SHG light S reflected on the back surface 10b of the reflection mirror 10 is changed. Can be changed. Accordingly, the size of the laser spot of the SHG light S irradiated on the object 60 can be adjusted as appropriate, and the position of the laser spot of the SHG light S relative to the laser spot of the IR light I can be adjusted as appropriate. (See FIGS. 8A and 8B). By doing in this way, the adjustment for laser processing becomes easy.

また、上述のように反射ミラー１０が前面１０ａ方向に沿って移動可能となる代わりに、集光部７あるいは集光部７を含む光軸全体を移動可能とすることによって、集光部７と反射ミラー１０との相対位置を調整して、反射ミラー１０へのレーザ光Ｉ，Ｓの入射位置を調整するようにしてもよい。   Further, instead of allowing the reflecting mirror 10 to move along the direction of the front surface 10a as described above, the condensing unit 7 or the entire optical axis including the condensing unit 7 can be moved. The incident position of the laser beams I and S on the reflection mirror 10 may be adjusted by adjusting the relative position with respect to the reflection mirror 10.

なお、反射ミラー１０の前面１０ａでＩＲ光Ｉを選択的に反射し、反射ミラー１０の背面１０ｂでＳＨＧ光Ｓを選択的に反射する代わりに、反射ミラー１０の背面１０ｂでＩＲ光Ｉを選択的に反射し、反射ミラー１０の前面１０ａでＳＨＧ光Ｓを選択的に反射するようにしてもよい。このようにすることで、被処理体６０上に照射されるＩＲ光Ｉのレーザスポットの大きさを適宜調整することができるとともに、ＳＨＧ光Ｓのレーザスポットに対するＩＲ光Ｉのレーザスポットの位置を適宜調整することができるようになる。   Instead of selectively reflecting the IR light I on the front surface 10a of the reflecting mirror 10 and selectively reflecting the SHG light S on the back surface 10b of the reflecting mirror 10, the IR light I is selected on the back surface 10b of the reflecting mirror 10. The SHG light S may be selectively reflected by the front surface 10 a of the reflection mirror 10. In this way, the size of the laser spot of the IR light I irradiated onto the object 60 can be adjusted as appropriate, and the position of the laser spot of the IR light I relative to the laser spot of the SHG light S can be adjusted. It can be adjusted as appropriate.

なお、上記では、反射ミラー１０の横断面が略くさび形状からなる態様を用いて説明したが、反射ミラー１０が異なる厚みからなる箇所を有しているものであれば、特に形状は限定されない。例えば、反射ミラー１０の横断面は、三角形状、階段形状（図９（ａ）（ｂ）参照）、長方形とくさび形状を組み合わせた形状（図１０（ａ）参照）、曲面で徐々に厚みがかわる形状（図１０（ｂ）および図１１（ａ）（ｂ）参照）などからなっていてもよい。   In the above description, the aspect in which the cross section of the reflection mirror 10 has a substantially wedge shape has been described. However, the shape is not particularly limited as long as the reflection mirror 10 has portions having different thicknesses. For example, the cross-section of the reflecting mirror 10 has a triangular shape, a staircase shape (see FIGS. 9A and 9B), a combination of a rectangular shape and a wedge shape (see FIG. 10A), and a curved surface with gradually increasing thickness. It may consist of an alternative shape (see FIGS. 10B and 11A and 11B).

ここで、図１０（ｂ）および図１１（ａ）（ｂ）に示すように、反射ミラー１０の横断面が曲面で徐々に厚みがかわる形状からなる場合には、反射面が凸面鏡となり、焦点距離を変えることができる。このため、反射ミラー１０の厚み（光路差）との組み合わせによって様々なスポット径を設定することができる。   Here, as shown in FIGS. 10 (b) and 11 (a) (b), when the cross section of the reflecting mirror 10 is a curved surface and gradually changes in thickness, the reflecting surface becomes a convex mirror, and the focal point You can change the distance. For this reason, various spot diameters can be set according to the combination with the thickness (optical path difference) of the reflecting mirror 10.

第４の実施の形態
次に、図１２（ａ）（ｂ）乃至図１４（ａ）（ｂ）により、本発明の第４の実施の形態について説明する。図１２（ａ）（ｂ）乃至図１４（ａ）（ｂ）に示す第４の実施の形態は、反射ミラー１０の前面１０ａの一領域がＩＲ光Ｉを選択的に反射し、前面１０ａの他領域がＳＨＧ光Ｓを選択的に反射するとともに、反射ミラー１０の背面１０ｂのうち前面１０ａの一領域に対応する領域（対向する領域）がＳＨＧ光Ｓを選択的に反射し、反射ミラー１０の背面１０ｂのうち前面１０ａの他領域に対応する領域（対向する領域）がＩＲ光Ｉを選択的に反射する。そして、この反射ミラー１０は、その面内方向に沿って移動可能となっている。その他の構成は、図１乃至図４（ａ）（ｂ）に示す第１の実施の形態と略同一となっている。 Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 (a), 12 (b) to 14 (a), (b). In the fourth embodiment shown in FIGS. 12A, 12B to 14A, 14B, one region of the front surface 10a of the reflection mirror 10 selectively reflects the IR light I, and the front surface 10a The other region selectively reflects the SHG light S, and the region corresponding to one region of the front surface 10a (opposite region) among the back surface 10b of the reflection mirror 10 selectively reflects the SHG light S. Of the back surface 10b, the region corresponding to the other region of the front surface 10a (opposite region) selectively reflects the IR light I. The reflecting mirror 10 is movable along the in-plane direction. Other configurations are substantially the same as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4A and 4B.

図１２（ａ）（ｂ）乃至図１４（ａ）（ｂ）に示す第３の実施の形態において、図１乃至図４（ａ）（ｂ）に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。   In the third embodiment shown in FIGS. 12A, 12B, 14A, and 14B, the same portions as those in the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4A and 4B are used. Are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

この実施の形態では、反射ミラー１０へのレーザ光Ｉ，Ｓの入射位置により反射ミラー１０の前面１０ａでＩＲ光Ｉを選択的に反射するとともに背面１０ｂでＳＨＧ光Ｓを選択的に反射する場合（図１２（ａ）参照）と、反射ミラー１０の前面１０ａでＳＨＧ光Ｓを選択的に反射するとともに背面１０ｂでＩＲ光Ｉを選択的に反射する場合（図１２（ｂ）参照）と、を適宜選択することができる。   In this embodiment, the IR light I is selectively reflected by the front surface 10a of the reflection mirror 10 and the SHG light S is selectively reflected by the back surface 10b according to the incident positions of the laser beams I and S to the reflection mirror 10. (Refer to FIG. 12A), when the SHG light S is selectively reflected by the front surface 10a of the reflecting mirror 10 and the IR light I is selectively reflected by the rear surface 10b (see FIG. 12B), Can be appropriately selected.

このため、レーザ加工装置を図１２（ａ）の矢印の方向に走査させる態様で用いる場合と、レーザ加工装置を図１２（ｂ）の矢印の方向に走査させる態様で用いる場合と、いずれの場合においても、ＩＲ光ＩをＳＨＧ光Ｓよりも先に被処理体６０上に照射することができるので、ＳＨＧ光ＳがＩＲ光Ｉによって変質したＳｉ層６５およびメタル層６６を除去することができる。   For this reason, either the case where the laser processing apparatus is used in the mode of scanning in the direction of the arrow in FIG. 12A, the case where the laser processing apparatus is used in the mode of scanning in the direction of the arrow in FIG. In this case, since the IR light I can be irradiated onto the object 60 before the SHG light S, the Si layer 65 and the metal layer 66 in which the SHG light S has been altered by the IR light I can be removed. .

また、本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができ、さらに主要な効果として、簡素な機構でレーザ加工装置と被処理体との相対移動の往復動作のいずれでも加工することが可能となり、加工効率を上げることができる。   Also in this embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Further, as a main effect, the reciprocating operation of the relative movement between the laser processing apparatus and the object to be processed is performed with a simple mechanism. Either can be processed, and the processing efficiency can be increased.

ところで、本実施の形態においても、横断面が略くさび形状からなる反射ミラー１０を用いることができる。このように、横断面が略くさび形状からなるように、異なる厚みからなる箇所を有する反射ミラー１０を用いた場合には、反射ミラー１０をその面内方向に沿って移動させるだけで（反射ミラー１０の背面１０ｂにおいて反射されるレーザ光Ｉ，Ｓの光路距離が変わるように移動させるだけで）、反射ミラー１０の背面１０ｂにおいて反射されるレーザ光Ｉ，Ｓの被処理体６０上に照射されるレーザスポットの大きさを適宜調整することができるとともに、反射ミラー１０の前面１０ａにおいて反射されるレーザ光Ｉ，Ｓのレーザスポットに対して、反射ミラー１０の背面１０ｂにおいて反射されるレーザ光Ｉ，Ｓのレーザスポットの位置を適宜調整することができる。   By the way, also in this Embodiment, the reflective mirror 10 whose cross section has a substantially wedge shape can be used. As described above, when the reflection mirror 10 having portions having different thicknesses is used so that the cross section has a substantially wedge shape, the reflection mirror 10 is simply moved along the in-plane direction (reflection mirror). 10), the laser beam I, S reflected on the back surface 10b of the reflecting mirror 10 is irradiated onto the object 60 to be processed. The size of the laser spot can be adjusted as appropriate, and the laser beam I reflected on the back surface 10b of the reflection mirror 10 with respect to the laser spot of the laser beams I and S reflected on the front surface 10a of the reflection mirror 10 is reflected. , S can be adjusted as appropriate.

なお、本実施の形態のように、レーザ加工装置を図１２（ａ）の矢印の方向に走査させ場合と、レーザ加工装置を図１２（ｂ）の矢印の方向に走査させる場合とでは、被処理体６０に対するスポットの焦点を調整する必要がある（図１３（ａ）（ｂ）参照）。   Note that, as in this embodiment, the laser processing apparatus is scanned in the direction of the arrow in FIG. 12A and the laser processing apparatus is scanned in the direction of the arrow in FIG. It is necessary to adjust the focal point of the spot with respect to the processing body 60 (see FIGS. 13A and 13B).

すなわち、レーザ加工装置を図１２（ａ）の矢印の方向に走査させ場合には、被処理体６０上で図１２（ａ）の左側に位置するＩＲ光Ｉの焦点が合うよう調整し（図１２（ａ）の右側に位置するＳＨＧ光Ｓのスポット径が左側に位置するＩＲ光Ｉのスポット径よりも大きくなるように調整し）、レーザ加工装置を図１２（ｂ）の矢印の方向に走査させ場合では、被処理体６０上で図１２（ｂ）の右側に位置するＩＲ光Ｉの焦点が合うように調整する（左側に位置するＳＨＧ光Ｓのスポット径が右側に位置するＩＲ光Ｉのスポット径よりも大きくなるように調整する）必要がある。   That is, when the laser processing apparatus is scanned in the direction of the arrow in FIG. 12A, adjustment is performed so that the IR light I located on the left side of FIG. 12 (a) is adjusted so that the spot diameter of the SHG light S located on the right side is larger than the spot diameter of the IR light I located on the left side), and the laser processing apparatus is moved in the direction of the arrow in FIG. In the case of scanning, adjustment is performed so that the IR light I located on the right side of FIG. 12B is focused on the object 60 (IR light whose spot diameter of the SHG light S located on the left side is located on the right side). Need to be adjusted to be larger than the spot diameter of I).

なお、このような調整を行うには、集光部７を光軸方向に移動させたり（図１３（ｂ）の矢印Ａ１参照）、被処理体６０と、反射ミラー１０および集光部７との相対的な上下方向の位置を調整したり（図１３（ｂ）の矢印Ａ２参照）すればよい。また、異なる厚みからなる箇所を有する反射ミラー１０を用いる場合には、反射ミラー１０に対するレーザ光Ｉ，Ｓの入射位置を適宜調整することによって、焦点を調整すればよい。 Note that performing such adjustment, (see arrow A 1 in FIG. 13 (b)) or by moving the condensing unit 7 in the optical axis direction, and the object 60, reflecting mirror 10 and the condensing section 7 the relative vertical position may be adjusted or (arrow a 2 in FIG. 13 (b)) with. In addition, when using the reflection mirror 10 having portions having different thicknesses, the focal point may be adjusted by appropriately adjusting the incident positions of the laser beams I and S with respect to the reflection mirror 10.

また、図１４（ａ）（ｂ）に示すように、反射ミラー１０の横断面が、曲面で徐々に厚みがかわる形状からなっている場合には、ＩＲ光ＩまたはＳＨＧ光Ｓの焦点距離を変えることができる（図１４（ｂ）の矢印Ａ３参照）。このため、反射ミラー１０の厚み（光路差）との組み合わせによって、レーザ加工装置を図１２（ａ）の矢印の方向に走査させ場合と図１２（ｂ）の矢印の方向に走査させ場合の各々において、被処理体６０上でＩＲ光Ｉの焦点が合うよう調整すればよい。なお、このとき、集光部７の光軸方向移動を組み合わせてもよい（図１４（ｂ）の両方向矢印Ａ４参照）。 Further, as shown in FIGS. 14A and 14B, when the cross section of the reflecting mirror 10 is a curved surface with a gradually changing thickness, the focal length of the IR light I or the SHG light S is set. can be changed (see arrow a 3 in FIG. 14 (b)). For this reason, depending on the combination with the thickness (optical path difference) of the reflection mirror 10, each of the case where the laser processing apparatus is scanned in the direction of the arrow in FIG. 12A and the case where the laser processing apparatus is scanned in the direction of the arrow in FIG. The IR light I may be adjusted on the object 60 to be focused. At this time, may be combined in the optical axis direction movement of the condensing unit 7 (see double arrow A 4 in FIG. 14 (b)).

ところで、上記では、反射ミラー１０をその面内方向に沿って移動させる態様を用いて説明したが、これに限られることなく、レーザ加工装置を反射ミラー１０に対して移動してもよいし、反射ミラー１０を集光部７に対して反転させるようにしてもよい。   By the way, although it demonstrated using the aspect which moves the reflective mirror 10 along the surface direction in the above, it is not restricted to this, You may move a laser processing apparatus with respect to the reflective mirror 10, The reflection mirror 10 may be reversed with respect to the light collecting unit 7.

なお、上記の各実施の形態では、波長が１０６４ｎｍ近傍であるＩＲ光Ｉと、波長が５３２ｎｍ近傍であるＳＨＧ光Ｓとを用いて説明したが、波長の長さはこれら１０６４ｎｍや５３２ｎｍに限られるものではない。例えば、波長が５３２ｎｍ近傍であるＳＨＧ光Ｓの代わりに、波長が１０６４ｎｍの１／３である３５５ｎｍのレーザ光（ＴＨＧ）や、波長が１０６４ｎｍの１／４である２６６ｎｍのレーザ光（ＦＨＧ）などを用いてもよいし、レーザ発振器１から照射されるレーザ光の波長がそもそも１０６４ｎｍ近傍でなくてもよい。また目的とする加工に必要な波長の組み合わせを適宜選択すればよい。   In each of the above embodiments, the IR light I having a wavelength near 1064 nm and the SHG light S having a wavelength near 532 nm have been described. However, the length of the wavelength is limited to these 1064 nm and 532 nm. It is not a thing. For example, instead of the SHG light S having a wavelength near 532 nm, a 355 nm laser beam (THG) having a wavelength of 1/3 of 1064 nm, a 266 nm laser beam (FHG) having a wavelength of 1/4 of 1064 nm, etc. The wavelength of the laser light emitted from the laser oscillator 1 may not be in the vicinity of 1064 nm in the first place. Moreover, what is necessary is just to select suitably the combination of the wavelength required for the target process.

以上のように、上述した各実施の形態によれば、薄膜シリコン太陽電池に代表されるような、異なる材料の薄膜を積層してなる薄膜デバイスの各薄膜を選択的にレーザ加工する場合における加工面の変質部分などの除去や異波長連続加工が、低コスト、省スペース、かつ、短時間ででき、調整やメンテナンス（光軸あわせなど）も簡便となる。   As described above, according to each embodiment described above, processing in the case where each thin film of a thin film device formed by stacking thin films of different materials, such as a thin film silicon solar cell, is selectively laser processed. Removal of altered parts of the surface and continuous processing of different wavelengths can be performed at low cost, space saving, and in a short time, and adjustment and maintenance (such as alignment of the optical axis) are also simplified.

本発明の第１の実施の形態によるレーザ加工装置を示す概略構成図。1 is a schematic configuration diagram showing a laser processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施の形態によるレーザ加工装置を用いて被処理体を処理する態様を示した斜視図。The perspective view which showed the aspect which processes a to-be-processed object using the laser processing apparatus by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態によるレーザ加工装置を用いて被処理体を処理する態様を示した概略横断面図。The schematic cross-sectional view which showed the aspect which processes a to-be-processed object using the laser processing apparatus by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態によるレーザ加工装置を用いて被処理体を処理する態様を示した概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view which showed the aspect which processes a to-be-processed object using the laser processing apparatus by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態によるレーザ加工装置を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the laser processing apparatus by the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態によるレーザ加工装置を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the laser processing apparatus by the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態の別の態様によるレーザ加工装置を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the laser processing apparatus by another aspect of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態によるレーザ加工装置を用いて被処理体を処理する態様を示した概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view which showed the aspect which processes a to-be-processed object using the laser processing apparatus by the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態によるレーザ加工装置の別の態様を用いて被処理体を処理する態様を示した概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view which showed the aspect which processes a to-be-processed object using another aspect of the laser processing apparatus by the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態によるレーザ加工装置に用いられる反射ミラーの別の態様を示した概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view which showed another aspect of the reflective mirror used for the laser processing apparatus by the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態によるレーザ加工装置のさらに別の態様を用いて被処理体を処理する態様を示した概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view which showed the aspect which processes a to-be-processed object using the further another aspect of the laser processing apparatus by the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態によるレーザ加工装置を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the laser processing apparatus by the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態によるレーザ加工装置において、ＩＲ光の焦点を被処理体上で合わせる態様を示した概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view which showed the aspect which matches the focus of IR light on a to-be-processed object, in the laser processing apparatus by the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態によるレーザ加工装置において、ＩＲ光の焦点を被処理体上で合わせる別の態様を示した概略縦断面図。In the laser processing apparatus by the 4th Embodiment of this invention, the schematic longitudinal cross-sectional view which showed another aspect which matches the focus of IR light on a to-be-processed object. 多層構造の薄膜デバイスを処理する手順を示した概略断面図。The schematic sectional drawing which showed the procedure which processes the thin film device of a multilayer structure. 多層構造のうち変質した箇所を取り除く方法を示した概略断面図。The schematic sectional drawing which showed the method of removing the part which changed quality among multilayer structures.

符号の説明Explanation of symbols

１ レーザ発振器
５ 波長変換素子
７ 集光部
７ａ 第一集光部
７ｂ 第二集光部
１０ 反射ミラー
１０ａ 反射ミラーの前面
１０ｂ 反射ミラーの背面
６０ 被処理体
Ｉ ＩＲ光（レーザ光）
Ｉａ ＩＲ光のビームスポット
Ｓ ＳＨＧ光（レーザ光）
Ｓａ ＳＨＧ光のビームスポット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser oscillator 5 Wavelength conversion element 7 Condensing part 7a 1st condensing part 7b Second condensing part 10 Reflective mirror 10a The front surface 10b of a reflective mirror 60 The back surface of a reflective mirror 60 To-be-processed object I IR light (laser light)
Ia IR light beam spot S SHG light (laser light)
Sa SHG beam spot

Claims (10)

被処理体にレーザ光を照射して加工するレーザ加工装置において、
所定の波長を持つレーザ光を発振するレーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されて所定の波長を持つレーザ光のうちの一部を、異なる波長を持つレーザ光へ変換する波長変換素子と、
前記波長変換素子を通過したレーザ光を反射する反射ミラーと、
レーザ光を被処理体上に集光させる集光部と、を備え、
前記反射ミラーの前面または背面のうちのいずれかの一面は、前記所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
当該反射ミラーの前記一面に対向する他面は、前記波長変換素子によって変換されて前記所定の波長と異なる波長を持つに至ったレーザ光を選択的に反射することを特徴とするレーザ加工装置。 In a laser processing apparatus that processes a target object by irradiating a laser beam,
A laser oscillator that oscillates laser light having a predetermined wavelength;
A wavelength conversion element for converting a part of laser light having a predetermined wavelength oscillated from the laser oscillator into laser light having a different wavelength;
A reflection mirror that reflects the laser light that has passed through the wavelength conversion element;
A condensing unit that condenses the laser beam on the object to be processed,
Either one of the front surface and the back surface of the reflecting mirror selectively reflects the laser beam having the predetermined wavelength,
The laser processing apparatus, wherein the other surface facing the one surface of the reflection mirror selectively reflects the laser beam converted by the wavelength conversion element and having a wavelength different from the predetermined wavelength. 前記集光部は、前記波長変換素子と前記反射ミラーとの間に配置されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。   The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the condensing unit is disposed between the wavelength conversion element and the reflection mirror. 前記集光部は、第一集光部と第二集光部とを有し
前記反射ミラーの前面によって反射されたレーザ光は、前記第一集光部によって被処理体上に集光され、
前記反射ミラーの背面によって反射されたレーザ光は、前記第二集光部によって被処理体上に集光されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。 The condensing unit includes a first condensing unit and a second condensing unit, and the laser light reflected by the front surface of the reflecting mirror is collected on the object to be processed by the first condensing unit,
2. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the laser beam reflected by the back surface of the reflection mirror is collected on the object to be processed by the second light collecting unit. 前記反射ミラーは異なる厚みからなる箇所を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。   The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the reflection mirror has portions having different thicknesses. 前記反射ミラーに対するレーザ光の入射位置を変更する入射位置変更手段をさらに備え、
前記反射ミラーの前面によって反射されたレーザ光と、前記反射ミラーの背面によって反射されたレーザ光の光路差が調整可能となっていることを特徴とする請求項４に記載のレーザ加工装置。 Incident position changing means for changing the incident position of the laser beam with respect to the reflection mirror,
The laser processing apparatus according to claim 4, wherein an optical path difference between the laser light reflected by the front surface of the reflection mirror and the laser light reflected by the back surface of the reflection mirror can be adjusted. 前記入射位置変更手段は、前記反射ミラーを当該反射ミラーの面内方向に沿って移動させることを特徴とする請求項５に記載のレーザ加工装置。   6. The laser processing apparatus according to claim 5, wherein the incident position changing unit moves the reflection mirror along an in-plane direction of the reflection mirror. 前記反射ミラーの前面の一領域は、前記所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
前記反射ミラーの前面の他領域は、前記波長変換素子によって変換されて前記所定の波長と異なる波長を持つに至ったレーザ光を選択的に反射し、
前記反射ミラーの背面のうち前記前面の一領域に対応する領域は、前記波長変換素子によって変換されて前記所定の波長と異なる波長を持つに至ったレーザ光を選択的に反射し、
前記反射ミラーの背面のうち前記前面の他領域に対応する領域は、前記所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
前記反射ミラーに対するレーザ光の入射位置は、変更可能となることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。 One area of the front surface of the reflecting mirror selectively reflects the laser beam having the predetermined wavelength,
The other region of the front surface of the reflection mirror selectively reflects the laser light converted by the wavelength conversion element and having a wavelength different from the predetermined wavelength,
A region corresponding to one region of the front surface of the back surface of the reflection mirror selectively reflects the laser light converted by the wavelength conversion element and having a wavelength different from the predetermined wavelength,
Of the back surface of the reflecting mirror, the region corresponding to the other region of the front surface selectively reflects the laser beam having the predetermined wavelength,
The laser processing apparatus according to claim 1, wherein an incident position of the laser beam on the reflection mirror can be changed. 少なくとも前記反射ミラーと前記集光部を、前記被処理体に対して相対移動させる移動機構をさらに備え、
前記移動機構の移動方向によって、前記反射ミラーに対するレーザ光の入射位置が変更され、前記被処理体に照射されるレーザ光の波長が変更されることを特徴とする請求項７に記載のレーザ加工装置。 A moving mechanism for moving at least the reflecting mirror and the light collecting unit relative to the object to be processed;
The laser processing according to claim 7, wherein an incident position of the laser beam on the reflection mirror is changed depending on a moving direction of the moving mechanism, and a wavelength of the laser beam irradiated on the object to be processed is changed. apparatus. 一面が、所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
当該一面に対向する他面が、前記所定の波長と異なる波長を持つレーザ光を選択的に反射することを特徴とする反射ミラー。 One surface selectively reflects laser light having a predetermined wavelength,
The reflection mirror, wherein the other surface facing the one surface selectively reflects laser light having a wavelength different from the predetermined wavelength. 一面の一領域は、前記所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
一面の他領域は、前記所定の波長と異なる波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
他面のうち前記一面の一領域に対応する領域は、前記所定の波長と異なる波長を持つレーザ光を選択的に反射し、
他面のうち前記一面の他領域に対応する領域は、前記所定の波長を持つレーザ光を選択的に反射することを特徴とする請求項９に記載の反射ミラー。 One area of one surface selectively reflects the laser beam having the predetermined wavelength,
The other region of the surface selectively reflects laser light having a wavelength different from the predetermined wavelength,
A region corresponding to one region of the one surface of the other surface selectively reflects laser light having a wavelength different from the predetermined wavelength,
10. The reflection mirror according to claim 9, wherein a region of the other surface corresponding to the other region of the one surface selectively reflects the laser light having the predetermined wavelength.
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CN108818152A (en) * 2018-06-15 2018-11-16 衢州学院 The clamping of chucks detects apparatus for correcting in a kind of processing of screw rotor

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