JP2009194048A - Plasma processing apparatus - Google Patents
Plasma processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009194048A JP2009194048A JP2008031291A JP2008031291A JP2009194048A JP 2009194048 A JP2009194048 A JP 2009194048A JP 2008031291 A JP2008031291 A JP 2008031291A JP 2008031291 A JP2008031291 A JP 2008031291A JP 2009194048 A JP2009194048 A JP 2009194048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- heat transfer
- plasma
- transfer member
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、被処理物の表面に対し、親水化、撥水化、アッシング、エッチング、洗浄、成膜等のプラズマ処理を行なう装置に関する。 The present invention relates to an apparatus for performing plasma processing such as hydrophilization, water repellency, ashing, etching, cleaning, and film formation on the surface of an object to be processed.
例えば、特許文献1に記載のプラズマ処理装置にはプラズマ照射部が設けられている。プラズマ照射部は、一対の電極を有しており、これら電極どうしの間にプラズマが生成され、処理ガスがプラズマ化されるようになっている。このプラズマ化された処理ガスが被処理物に向けて噴き出され、表面処理がなされる。被処理物は、移動手段によってプラズマ照射部に対し相対移動されるようになっている。
一般に、プラズマ表面処理においては被処理物の温度を高めたほうが処理効率が向上する。通常はヒータを別途設け、被処理物を加熱している。しかし、プラズマ照射部からは輻射熱や加熱された処理ガスが放出されているところ、従来その熱は利用されておらず、非効率であった。 Generally, in the plasma surface treatment, the treatment efficiency is improved by increasing the temperature of the workpiece. Normally, a separate heater is provided to heat the object to be processed. However, when radiant heat or heated processing gas is released from the plasma irradiation part, the heat has not been used so far, which is inefficient.
上記課題を解決するため、本発明は、被処理物にプラズマを照射し、前記被処理物の表面を処理する装置において、
(a)処理位置に向けてプラズマを照射するプラズマ照射部と、
(b)被処理物を前記処理位置を横切るように一方向に移動させる移動手段と、
(c)前記処理位置を挟んで前記プラズマ照射部と対向するよう配置され、前記プラズマ照射部からの熱を受ける受熱部と、この受熱部から前記移動方向の少なくとも上流側に延出され、受熱部から伝播された熱を放出する放熱部とを含む熱授受部材と、
を備えている。好ましくは、前記熱授受部材に凸条が設けられている。
これによって、プラズマ照射部の熱を利用して被処理物を処理前に予熱することができ、処理効率を高めることができる。また、熱授受部材に凸条を設けることにより、熱授受部材が熱変形を来たすのを防止ないしは抑制できる。
In order to solve the above problems, the present invention provides an apparatus for irradiating an object to be processed with plasma and processing the surface of the object to be processed.
(A) a plasma irradiation unit that irradiates plasma toward a processing position;
(B) moving means for moving the object to be processed in one direction so as to cross the processing position;
(C) A heat receiving portion that is disposed so as to face the plasma irradiation portion across the processing position, receives heat from the plasma irradiation portion, and extends from the heat receiving portion at least upstream in the moving direction to receive heat. A heat transfer member including a heat radiating part that releases heat propagated from the part;
It has. Preferably, a protrusion is provided on the heat transfer member.
Thus, the object to be processed can be preheated before processing using the heat of the plasma irradiation unit, and the processing efficiency can be improved. Moreover, it can prevent thru | or suppress that a heat transfer member brings about a thermal deformation by providing a protrusion on a heat transfer member.
前記凸条が、前記熱授受部材の前記プラズマ照射部側とは反対側の面に設けられていることが好ましい。これによって、被処理物が凸条にひっかかるのを防止できる。 It is preferable that the ridge is provided on a surface of the heat transfer member opposite to the plasma irradiation part side. Thereby, it can prevent that a to-be-processed object is caught on a protruding item | line.
前記熱授受部材の縁部が、折曲され、前記凸条となっていてもよい。
前記熱授受部材が、複数の分割板部に分割されており、各分割板部に前記凸条が設けられていてもよい。分割方向は、前記移動方向でもよく、前記移動方向と直交する方向でもよい。
The edge part of the said heat transfer member may be bent and may become the said protruding item | line.
The heat transfer member may be divided into a plurality of divided plate portions, and the protruding strips may be provided on each divided plate portion. The dividing direction may be the moving direction or a direction orthogonal to the moving direction.
前記プラズマ照射部が前記移動方向と直交する方向に延びており、前記凸条が、前記受熱部に配置され、前記プラズマ照射部と平行に延びていることが好ましい。これによって、熱授受部材の変形を確実に抑制することができる。 It is preferable that the plasma irradiation part extends in a direction orthogonal to the moving direction, and the ridges are arranged in the heat receiving part and extend in parallel with the plasma irradiation part. Thereby, the deformation of the heat transfer member can be surely suppressed.
前記熱授受部材には熱を伝達する媒体を通す熱媒管が設けられていてもよい。
これによって、プラズマ照射部からの熱を熱授受部材の広い範囲に伝達することができる。
The heat transfer member may be provided with a heat medium pipe for passing a medium for transferring heat.
Thereby, the heat from the plasma irradiation unit can be transmitted to a wide range of the heat transfer member.
前記熱媒管が、前記凸条として提供されていてもよい。
この熱媒管兼凸条によって、プラズマ照射部からの熱を熱授受部材の広い範囲に伝達できるとともに、熱授受部材の熱変形を防止することができる。
The heat medium pipe may be provided as the ridge.
With this heat medium tube and projection, heat from the plasma irradiation part can be transmitted to a wide range of the heat transfer member, and thermal deformation of the heat transfer member can be prevented.
前記熱媒管が、前記受熱部から前記放熱部へ延びる伝熱管部を含むことが好ましい。
これによって、プラズマ照射部から受熱部に付与された熱を放熱部へ確実に伝達することができ、被処理物を処理前に確実に予熱することができる。
It is preferable that the heat medium tube includes a heat transfer tube portion extending from the heat receiving portion to the heat radiating portion.
Thus, the heat applied from the plasma irradiation unit to the heat receiving unit can be reliably transmitted to the heat radiating unit, and the workpiece can be reliably preheated before processing.
前記熱授受部材の前記プラズマ照射部側とは反対側の面に断熱材を設けるのが好ましい。
これによって、熱が熱授受部材の前記反対側面から放散されるのを防止でき、被処理物を確実に加熱することができる。
It is preferable to provide a heat insulating material on the surface of the heat transfer member opposite to the plasma irradiation part side.
Thus, heat can be prevented from being dissipated from the opposite side surface of the heat transfer member, and the object to be processed can be reliably heated.
本発明によれば、プラズマ照射部の熱を利用して被処理物を処理前に予熱することができ、処理効率を高めることができる。また、凸条によって熱授受部材が熱変形を来たすのを防止ないしは抑制できる。 According to the present invention, the object to be processed can be preheated before processing using the heat of the plasma irradiation unit, and the processing efficiency can be increased. Moreover, it can prevent thru | or suppress that a heat transfer member brings about a thermal deformation by a protruding item | line.
以下、本発明の第1実施形態を説明する。
図1及び図2は、被処理物9の表面(上面)をプラズマ処理する装置1を示したものである。被処理物9は、例えば大型液晶ディスプレイ用のガラス基板であるが、これに限定されるものではなく、有機フィルムや半導体ウェハなどであってもよい。処理内容は、例えば被処理物9の表面改質(親水化、撥水化等)であるが、これに限定されるものではない。
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described.
1 and 2 show an apparatus 1 for plasma processing the surface (upper surface) of an object 9 to be processed. The workpiece 9 is, for example, a glass substrate for a large liquid crystal display, but is not limited thereto, and may be an organic film, a semiconductor wafer, or the like. The processing content is, for example, surface modification (hydrophilization, water repellency, etc.) of the workpiece 9, but is not limited thereto.
プラズマ処理装置1は、プラズマ照射部10と、ローラコンベア20(移動手段)を備えている。プラズマ照射部10は、一対をなす高圧電極11と接地電極12を含んでいる。高圧電極11は、幅方向を左右に向け、長手方向を図1の紙面と直交する前後方向(図2の左右方向)に向けた厚板状の金属で構成され、プラズマ照射部10の内部に絶縁されて配置されている。接地電極12は、幅方向を左右に向け、長手方向を前後に向けた金属板で構成され、プラズマ照射部10の底部に配置されている。高圧電極11と接地電極12は上下に対向し、両者の間に空間13が形成されている。これら電極11,12の互いの対向面には固体誘電体層(図示省略)が設けられている。固体誘電体層は、少なくとも一方の電極に設けられていればよい。
The plasma processing apparatus 1 includes a
図1に示すように、処理ガス供給源2から処理ガス供給路2aが延び、この供給路2aが2つに分岐して電極間空間13の左右両側部にそれぞれ連なっている。処理ガス供給源2は、処理目的に応じた処理ガス(例えば、N2、O2、He、Ar、ハロゲン系ガス等)を供給路2aを介して電極間空間13内に供給するようになっている。
As shown in FIG. 1, a processing
図2に示すように、高圧電極11には電源3が接続されている。接地電極12は接地線3bを介して電気的に接地されている。電源3から高圧電極11への電圧供給によって電極11,12間に電界が印加され、大気圧近傍下でのグロー放電が発生してプラズマPLが生成され、電極間空間13がプラズマ生成空間となる。このプラズマ空間13に供給された処理ガスがプラズマ化(分解、励起、活性化、ラジカル化、イオン化等)されるようになっている。
ここで、大気圧近傍とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡易化の観点からは、1.333×104〜10.664×104Paが好ましく、9.331×104〜10.397×104Paがより好ましい。
As shown in FIG. 2, a power source 3 is connected to the
Here, the vicinity of atmospheric pressure refers to a range of 1.013 × 10 4 to 50.663 × 10 4 Pa. From the viewpoint of facilitating pressure adjustment and simplifying the device configuration, 1.333 × 10 4. ˜10.664 × 10 4 Pa is preferable, and 9.331 × 10 4 to 10.397 × 10 4 Pa is more preferable.
接地電極12には多数(複数)の噴出口12aが形成されている。これら噴出口12aは、接地電極12の上面から下面へ厚さ方向に貫通している。多数の噴出口12aは互いに規則的(例えば碁盤目状)に整列されている。噴出口12aの上端部は、プラズマ空間13に連なっている。プラズマ生成空間13内でプラズマ化された処理ガスGSが噴出口12aを通って下方へ噴出されるようになっている。また、プラズマ生成空間13のプラズマPLからの発光(熱光線)LTが噴出口12aを通って下方へ放射されるようになっている。
A large number (a plurality) of
図1及び図2に示すように、ローラコンベア20は、フレーム21と、複数のシャフト22を備え、プラズマ照射部10の下方に配置されている。シャフト22は、軸線を前後方向に向け、その両端がフレーム21に支持されている。複数のシャフト22は、互いに左右に間隔を置いて平行に並べられている。各シャフト22にはローラ23が軸方向に間隔を置いて複数設けられている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
シャフト22の上に被処理物9が配置されている。ローラコンベア20を駆動することにより被処理物9が図1の矢印Aにて示す方向に移動されるようになっている。この被処理物9の上面の移動軌跡上の水平面であってプラズマ照射部10の直下にあたる領域が「処理位置P」となる。図1において、仮想線で示すように、この処理位置Pを被処理物9が横切るように移動されることになる。
A workpiece 9 is disposed on the
図2に示すように、シャフト22の下方には下受け台24が水平に設けられている。下受け台24の端部が、ブラケット25を介してフレーム21に支持されている。
As shown in FIG. 2, a
図1及び図2に示すように、下受け台24上に熱授受部材30が設置されている。熱授受部材30は、処理位置Pを挟んでプラズマ照射部10と対向するよう配置されている。
熱授受部材30は、熱授受板31と、脚部33を備えている。脚部33の下端部が下受け台24に支持されている。
脚部33に代えて、支持ブラケットを熱授受板31から水平に外側へ延出してフレーム21に連結することにより、熱授受部材30を支持するようにしていてもよい。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
The
Instead of the
熱授受板31は、幅方向を左右に向け、長手方向を前後に向けた長方形の平板状をなしている。熱授受板31の材質は、熱の伝導及び輻射性の良好なものであることが好ましく、更にパーティクルを生じにくいものであることがより好ましい。このような材質として、例えばステンレス、チタン等の金属が挙げられるが、これに限定されるものではなく、セラミック等の絶縁性の材料を用いてもよい。
The
熱授受板31は、処理位置Pの僅かに下側に離れて配置されている。熱授受板31のローラ23に対応する箇所には、ローラ23を挿通するためのローラ挿通孔31aが形成されている。ローラ挿通孔31aからローラ23が僅かに上へ突出するようになっている。
The
図1に示すように、熱授受板31は、プラズマ照射部10より左右に幅広になっている。図3に示すように、熱授受板31は、プラズマ照射部10の直下に当たる受熱部30aと、この受熱部30aの左外側(移動方向Aの上流側)と右外側(移動方向Aの下流側)にそれぞれ延出された放熱部30bを含んでいる。
As shown in FIG. 1, the
図2に示すように、熱授受板31の前後長手方向の寸法は、最も外側の噴出口12aより前後に延出する長さであって、更に被処理物9より前後に延出する長さになっている。これにより、被処理物9を前後方向に均一に処理することができる。
熱授受板31の前後長手方向の寸法は、プラズマ照射部10より少し短いが、プラズマ照射部10と略同じ長さになっていてもよく、プラズマ照射部10より長くなっていてもよい。
As shown in FIG. 2, the dimension in the longitudinal direction of the
The longitudinal dimension of the
熱授受板31の裏面(プラズマ照射部10側とは反対側の面)には凸条32が設けられている。凸条32は、熱授受板31と一体の金属にて形成されている。図3及び図4に示すように、凸条32は、熱授受板31の長辺側の両外周縁に沿う凸条部32aと、短辺側の両外周縁に沿う凸条部32bと、左右幅方向の中間部において長辺方向に延びる凸条部32cと、前後長手方向の中間部において短辺方向に延びる凸条部32dとを含んでいる。
On the back surface of the heat transfer plate 31 (the surface opposite to the
凸条部32a,32bどうしは、熱授受板31の角部において互いに直角に交差し連続している。この凸条部32a,32bの交差部に脚部33が接合されている。接合手段は、溶接でもよく、ネジ止めでもよい。
なお、脚部33は、凸条部32a,32bの交差部にではなく、凸条32より内側の熱授受板31の裏面に接合されていてもよい。
The
In addition, the
図1及び図2に示すように、凸条部32cは、プラズマ照射部10の左右幅方向の略中央部の直下においてプラズマ照射部10の長手方向と平行に配置されている。凸条部32dは、プラズマ照射部10の前後長手方向の略中央部の直下においてプラズマ照射部10の短手方向と平行に配置されている。凸条部32c,32dどうしは中央部で互いに直角に交差している。
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the
上記のように構成されたプラズマ処理装置1において、高圧電極11への電圧印加によって電極間空間13内でプラズマPLが生成される。このプラズマPLの発する熱光線LTが噴出口12aを通って熱授受部材30の受熱部30aに照射される。これにより、受熱部30aが輻射加熱され高温になる。また、電極間空間13内でプラズマ化され高温化した処理ガスGSが噴出口12aを経て受熱部30aに吹き付けられる。これにより、受熱部30aが更に加熱される。受熱部30aの熱は左右の放熱部30bへ伝わっていく。これにより、熱授受部材30の全体が高温化する。
In the plasma processing apparatus 1 configured as described above, plasma PL is generated in the
続いて、図1に示すように、ローラコンベア20上に載せられた被処理物9が熱授受部材30の左外側からやって来、熱授受部材30の左側部分の上方に被さるようになる。このとき、左側(移動方向Aの上流側)の放熱部30bからの輻射熱が被処理物9に照射される。これによって、被処理物9を予熱することができる。
やがて、被処理物9がプラズマ照射部10の直下の処理位置Pに位置するようになると、噴出口12aからのプラズマガスが被処理物9に接触する。これにより、被処理物9の表面処理がなされる。被処理物9が予熱されているため、反応を促進させることができ、処理効率を向上させることができる。また、受熱部30aからも輻射熱が被処理物9に照射される。これにより、被処理物9をプラズマ照射中も継続して加熱でき、反応を一層促進させ、処理効率を一層向上させることができる。さらに、処理位置Pを通過した被処理物9には、右側(移動方向Aの下流側)の放熱部30bからの輻射熱が照射される。これによって、被処理物9をプラズマ照射後も継続して加熱でき、十分な処理反応を確保できる。
Subsequently, as shown in FIG. 1, the workpiece 9 placed on the
Eventually, when the workpiece 9 is positioned at the processing position P immediately below the
熱授受部材30には凸条32が設けられているため、プラズマによって加熱されても、熱授受板31が変形を来たすのを防止することができる。特に、熱授受板31の中央部と周辺部の間に温度勾配が形成されたとしても、凸条部32cによって熱授受板31の長手方向の両端部が中央部に対し上または下に湾曲変形するのを防止できる。よって、熱授受板31が被処理物9に衝突しないようにでき、被処理物9が損傷するのを防止することができる。また、被処理物9を均一に加熱することができる。
熱授受部材30は構造が簡易であり、安価に製造できる。
Since the
The
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図5は、本発明の第2実施形態を示したものである。この実施形態では、熱授受部材30の熱授受板31を構成する長方形の金属板の4つの縁部が、それぞれ裏側(プラズマ照射部10側とは反対側)へ折り曲げられ、凸条32を構成している。これにより、熱授受部材30を一層簡易な構造にでき、一層安価に製造できる。
なお、図5において、脚部33の図示は省略している(以降の実施形態において同様)。
Next, another embodiment of the present invention will be described. In the following embodiments, the same reference numerals are given to the drawings for the same configurations as those already described, and the description thereof is omitted.
FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, four edge portions of a rectangular metal plate constituting the
In addition, in FIG. 5, illustration of the
図6は、本発明の第3実施形態を示したものである。この実施形態では、熱授受部材30が複数の分割板部34に分割されている。ここでは、熱授受部材30が短手方向に分割され、各分割板部34が熱授受部材30の長手方向に延びているが、これに限定されるものではなく、熱授受部材30が長手方向に分割さ、各分割板部34が熱授受部材30の短手方向に延びていてもよい。
FIG. 6 shows a third embodiment of the present invention. In this embodiment, the
各分割板部34に凸条32が設けられている。凸条32は、分割板部34の長手方向に延びている。
各分割板部34の所定位置にローラ挿通孔31aが形成されている。ローラ挿通孔31aは、隣り合う分割板部34どうし間に跨るように形成されていてもよい。
隣り合う分割板部34どうしがくっついているが、少し離れて間に隙間が形成されていてもよく、この隙間を通してローラ23が熱授受部材30より上側に突出されるようになっていてもよい。
Each dividing
A
Adjacent divided
図7は、本発明の第4実施形態を示したものである。この実施形態では、熱授受部材30の熱授受板31の裏面(下面)に、熱授受板31と一体の凸条32が設けられていない。これに代えて、熱授受板31とは別体の熱媒管35が設けられている。熱媒管35は、熱授受板31に例えば溶接にて固定されている。熱媒管35の固定手段は、これに限定されるものではなく、固定金具やネジ等を用いて熱授受板31に固定されていてもよい。熱媒管35は、熱授受板31の全体に行き渡るように蛇行するよう折り曲げられ、受熱部30aから放熱部30bへ向かう伝熱管部35aと、放熱部30bから受熱部30aへ向かう還管部35bとを含んでいる。熱媒管35の両端部は、熱授受板31から外部へ引き出され、一端部には循環ポンプ4の吐出ポート4aが接続され、他端部には吸引ポート4bが接続されている。
FIG. 7 shows a fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, the
循環ポンプ4の駆動によって、熱媒が熱媒管35内を循環される。これによって、熱授受部材30の受熱部30aが、噴出口12aからの輻射熱及び処理ガスで直接加熱された後、その熱を熱媒管35内の熱媒によって放熱部30bを含む熱授受部材30全体に十分に行き渡らせることができる。特に、伝熱管部35a内において熱媒が受熱部30aから放熱部30bへ流れることにより、受熱部30aの熱を放熱部30bへ確実に伝えることができる。これにより、被処理物9をより十分に加熱でき、処理効率を一層高めることができる。
熱媒としては水等を用いることができる。
熱媒管35は、凸条として機能し、熱授受板31の変形を抑制ないし防止することができる。
The heat medium is circulated in the
Water or the like can be used as the heat medium.
The
図8は、本発明の第5実施形態を示したものである。この実施形態では、熱媒管35が、1つの往ヘッダ管部35cと、多数(複数)の伝熱管部35dと、2つの還ヘッダ管部35eとを有している。往ヘッダ管部35cは、受熱部30aの中央部において前後方向に延び、プラズマ照射部10の左右方向のちょうど中央部の直下にプラズマ照射部10と平行に配置されている。往ヘッダ管部35cの一端部に循環ポンプ4の吐出ポート4aが接続されている。
FIG. 8 shows a fifth embodiment of the present invention. In this embodiment, the heat
往ヘッダ管部35cから長手方向の等間隔置きに伝熱管部35dが左右両側へ分岐されている。伝熱管部35dは、受熱部30aから放熱部30bへ延び出ている。還ヘッダ管部35eは、熱授受部材30の左右両側の縁に沿って配置されている。この還ヘッダ管部35eに伝熱管部35dが合流されている。還ヘッダ管部35eの一端部には循環ポンプ4の吸引ポート4bが接続されている。
A heat
この第5実施形態によれば、受熱部30aが、プラズマ照射部10からの輻射熱及び処理ガスで直接加熱され、この熱を往ヘッダ管部35c内の熱媒が受け取った後、この熱媒が伝熱管部35dによって左右外側の放熱部30bへ流れる。これによって、受熱部30aで受け取った熱を放熱部30bへ確実に伝播させることができ、放熱部30bを確実に加熱することができる。したがって、被処理物9を一層十分に加熱できる。この結果、処理効率をより一層高めることができる。
According to the fifth embodiment, the
また、熱媒管35が凸条として機能することは第4実施形態(図7)と同様であるが、特に、往ヘッダ管部35が受熱部30aの中央部に前後長手方向に延びるように配置されることにより、熱授受板31の長手方向の両端部が中央部に対し上または下に湾曲変形するのを防止できる。
In addition, the
図9は、本発明の第6実施形態を示したものである。この実施形態では、ポンプ4に代えてヒータ5が設けられている。また、熱媒を流通させる熱媒管35に代えて、電熱線36が用いられている。詳細な図示は省略するが、電熱線36は、電流により発熱する発熱導体と、この発熱導体の外周を絶縁して被覆する絶縁被覆とを含み、固定金具等によって熱授受板31に固定されている。電熱線36の配線構造は図7の熱媒管35と同様になっているが、これに限定されるものではない。
FIG. 9 shows a sixth embodiment of the present invention. In this embodiment, a heater 5 is provided instead of the pump 4. Moreover, it replaces with the heat medium pipe |
この第6実施形態によれば、熱授受部材30を、プラズマ照射部10からの熱によってだけでなくヒータ5によっても加熱することができる。しかも、電熱線36によって、ヒータ5の熱を熱授受部材30の全体に万遍なく行き渡らせることができる。したがって、熱授受部材30の全体を十分に高温化できる。よって、被処理物9をより一層確実に加熱でき、処理効率をより一層高めることができる。
また、電熱線36が凸条として機能し、熱授受部材30の変形を抑制ないし防止することができる。
According to the sixth embodiment, the
Moreover, the
図10は、本発明の第7実施形態を示したものである。この実施形態では、熱授受板31の裏面に断熱材37が設けられている。断熱材37は、熱授受部材30の裏面全体を覆い、熱授受部材30の外端面をも覆っている。
断熱材としてはウレタンフォーム等の断熱性樹脂のほかセラミック等を用いることができる。
FIG. 10 shows a seventh embodiment of the present invention. In this embodiment, a
As the heat insulating material, ceramics can be used in addition to heat insulating resin such as urethane foam.
この第7実施形態によれば、熱授受部材30からの熱が下方(プラズマ照射部10側とは反対側)へ放散するのを防止でき、熱のほとんどが上方へのみ輻射されるようにでき、被処理物9を確実に輻射加熱することができる。
According to the seventh embodiment, heat from the
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、当業者に自明の範囲内で種々の改変をなすことができる。
例えば、凸条32は、熱授受板31と別体になっており、溶接やネジ止め等の固着手段にて熱授受板31に固着されるようになっていてもよい。
凸条32,35,36は、被処理物9の移動経路等と干渉しない限り、熱授受板31から上方(プラズマ照射部10側)へ突出されていてもよい。
熱授受部材30は、プラズマ照射部10よりも被処理物9の移動方向の少なくとも上流側(図1の左側)に延出していればよく、下流側にはほとんど延出していなくてもよい。熱授受部材30の上記移動方向の上流側への延出量が上記移動方向の下流側への延出量より大きくてもよい。
2以上の実施形態を組み合わせてもよい。例えば、熱授受板31に凸条32と熱媒管35の両方が設けられていてもよい。
プラズマ照射部10の電極11,12どうしが、上下に対向するのに代えて、左右に対向していてもよく、これら電極11,12どうし間の下端部にスリット状の噴出口が連なっていてもよい。
本発明は、表面改質に限られず、洗浄、アッシング、エッチング、成膜、乾燥等の種々の表面処理に適用可能であり、大気圧近傍下でのプラズマ処理に限られず、低圧下でのプラズマ処理にも適用可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope obvious to those skilled in the art.
For example, the
The
The
Two or more embodiments may be combined. For example, both the
The
The present invention is not limited to surface modification, and can be applied to various surface treatments such as cleaning, ashing, etching, film formation, and drying, and is not limited to plasma treatment near atmospheric pressure, but plasma under low pressure. It can also be applied to processing.
本発明は、例えばフラットパネルディスプレイ(FPD)や半導体ウェハの製造に適用可能である。 The present invention is applicable, for example, to the manufacture of flat panel displays (FPD) and semiconductor wafers.
1 プラズマ処理装置
2 処理ガス供給源
3 電源
4 ポンプ
5 ヒータ(加熱源)
9 被処理物
10 プラズマ照射部
12a 噴出口
13 プラズマ空間
20 ローラコンベア(移動手段)
23 ローラ
30 熱授受部材
30a 受熱部
30b 放熱部
31 熱授受板
32 凸条
34 分割板部
35 熱媒管(凸条)
35a 伝熱管部
35d 伝熱管部
36 電熱線(凸条)
37 断熱材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
9 Processed
23
35a Heat
37 Thermal insulation
Claims (9)
(a)処理位置に向けてプラズマを照射するプラズマ照射部と、
(b)被処理物を前記処理位置を横切るように一方向に移動させる移動手段と、
(c)前記処理位置を挟んで前記プラズマ照射部と対向するよう配置され、前記プラズマ照射部からの熱を受ける受熱部と、この受熱部から前記移動方向の少なくとも上流側に延出され、受熱部から伝播された熱を放出する放熱部とを含む熱授受部材と、
を備え、前記熱授受部材に凸条が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 In an apparatus for irradiating a workpiece with plasma and treating the surface of the workpiece,
(A) a plasma irradiation unit that irradiates plasma toward a processing position;
(B) moving means for moving the object to be processed in one direction so as to cross the processing position;
(C) A heat receiving portion that is disposed so as to face the plasma irradiation portion across the processing position, receives heat from the plasma irradiation portion, and extends from the heat receiving portion at least upstream in the moving direction to receive heat. A heat transfer member including a heat radiating part that releases heat propagated from the part;
A plasma processing apparatus, wherein the heat transfer member is provided with protrusions.
前記凸条が、前記受熱部に配置され、前記プラズマ照射部と平行に延びていることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のプラズマ処理装置。 The plasma irradiation part extends in a direction perpendicular to the moving direction;
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the ridge is arranged in the heat receiving part and extends in parallel with the plasma irradiation part.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008031291A JP2009194048A (en) | 2008-02-13 | 2008-02-13 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008031291A JP2009194048A (en) | 2008-02-13 | 2008-02-13 | Plasma processing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009194048A true JP2009194048A (en) | 2009-08-27 |
Family
ID=41075839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008031291A Pending JP2009194048A (en) | 2008-02-13 | 2008-02-13 | Plasma processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009194048A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101236108B1 (en) | 2010-02-26 | 2013-02-21 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10195662A (en) * | 1997-01-10 | 1998-07-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Substrate heating equipment |
JP2003168593A (en) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Sekisui Chem Co Ltd | Discharge plasma treatment apparatus |
JP2003282299A (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Sekisui Chem Co Ltd | Discharge plasma processing method |
JP2004006211A (en) * | 2001-09-27 | 2004-01-08 | Sekisui Chem Co Ltd | Plasma treatment device |
JP2005072297A (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma treatment method and equipment |
JP2006134829A (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Seiko Epson Corp | Plasma treatment apparatus |
-
2008
- 2008-02-13 JP JP2008031291A patent/JP2009194048A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10195662A (en) * | 1997-01-10 | 1998-07-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Substrate heating equipment |
JP2004006211A (en) * | 2001-09-27 | 2004-01-08 | Sekisui Chem Co Ltd | Plasma treatment device |
JP2003168593A (en) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Sekisui Chem Co Ltd | Discharge plasma treatment apparatus |
JP2003282299A (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Sekisui Chem Co Ltd | Discharge plasma processing method |
JP2005072297A (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma treatment method and equipment |
JP2006134829A (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Seiko Epson Corp | Plasma treatment apparatus |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101236108B1 (en) | 2010-02-26 | 2013-02-21 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8518284B2 (en) | Plasma treatment apparatus and method for plasma-assisted treatment of substrates | |
JP6184441B2 (en) | Ion beam etching apparatus and ion beam generating apparatus | |
JP5145076B2 (en) | Plasma generator | |
TW201607380A (en) | Plasma source, surface processing apparatus and surface processing method | |
JP4268852B2 (en) | Plasma processing equipment | |
JP2009194048A (en) | Plasma processing apparatus | |
KR101271943B1 (en) | Plasma processing device | |
CN112466736A (en) | Plasma processing apparatus and temperature control method | |
TW201119516A (en) | A plasma processing device | |
JP2006331664A (en) | Plasma treatment device | |
JP4861387B2 (en) | Plasma processing equipment | |
JP3117366B2 (en) | Plasma processing equipment | |
JP4875527B2 (en) | Plasma generator and thin film forming apparatus using the same | |
KR101958111B1 (en) | Device for floating substrate using sloped structure | |
JP4833272B2 (en) | Plasma processing equipment | |
JP2005116900A (en) | Atmospheric pressure plasma processing apparatus | |
JP2008269907A (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2019173066A (en) | Substrate processing apparatus and method of controlling the same, film deposition apparatus, and method of manufacturing electronic component | |
JP2005333096A (en) | Surface processing device and method | |
TW202201529A (en) | Piping system and processing apparatus | |
JP4875528B2 (en) | Thin film forming apparatus and plasma generation method | |
JP5559292B2 (en) | Plasma generator | |
JP2010009892A (en) | Plasma processing device | |
US20210066039A1 (en) | Semiconductor processing apparatus with improved uniformity | |
JP2008066058A (en) | Plasma generation nozzle, plasma generating device, and work treatment device using it |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090727 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120807 |