JP2009179565A - Benzyl cyanide-based compound, photoacid generator and method for producing the same - Google Patents

Benzyl cyanide-based compound, photoacid generator and method for producing the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new compound producing a resist achieving high sensitivity and high transparency in the case of using it as a photoacid generator in a resist composition. <P>SOLUTION: This aryl-substituted benzyl cyanide-based oximesulfonate compound is expressed by formula [1] [wherein, R<SP>1</SP>is a substituted or a non-substituted aryl; R<SP>2</SP>is H, a halogen atom, CN, NO<SB>2</SB>, a 1-10C alkyl or alkoxy, or a 1-5C haloalkyl or haloalkoxy; R<SP>3</SP>is a 1-10C alkyl or alkoxy, a 1-5C haloalkyl or haloalkoxy, or phenyl, naphthyl or anthranyl, which may be substituted by W; and the W is a halogen atom, CN, NO<SB>2</SB>, a 1-10C alkyl or alkoxy, or a 1-5C haloalkyl or haloalkoxy]. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、ベンジルシアニド系化合物、該化合物を用いた光酸発生剤及び該化合物の製造方法に関し、特に、i線(365nm)、h線(405nm)及びg線(435nm)に対応する光酸発生剤に関する。   The present invention relates to a benzylcyanide compound, a photoacid generator using the compound, and a method for producing the compound, and in particular, light corresponding to i-line (365 nm), h-line (405 nm), and g-line (435 nm). It relates to an acid generator.

近年、g線、h線及びi線に対して優れた吸光係数(光感度)を有し、溶剤に対して優れた溶解性を有する光酸発生剤(感光性酸供与体)として様々なオキシムスルホネート化合物が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
例えば、カラーフィルターの薄膜化に対応するべく、チオフェン系オキシムスルホネート化合物を光酸発生剤として用いた染料含有レジスト組成物が提案されている(例えば、特許文献2)。
また、高感度で高解像度なi線用レジスト用光酸発生剤として、各種ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物が提案されており(例えば特許文献3、4)、その代表例として、例えば、特許文献3の実施例1に記載されたα−(4−トシルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニドの類縁体であるα−(n−プロピルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニドが、製品名:PAI−1003(みどり化学(株))として上市され、広く使用されている。尚、ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物は、焼付仕上材料の硬化剤としても知られている(例えば特許文献5)
In recent years, various oximes as photoacid generators (photosensitive acid donors) having excellent extinction coefficients (photosensitivity) for g-line, h-line and i-line and having excellent solubility in solvents. A sulfonate compound has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
For example, a dye-containing resist composition using a thiophene-based oxime sulfonate compound as a photoacid generator has been proposed to cope with the reduction in color filter thickness (for example, Patent Document 2).
Further, various benzyl cyanide oxime sulfonate compounds have been proposed as high-sensitivity and high-resolution photoacid generators for i-line resists (for example, Patent Documents 3 and 4). 3, α- (n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxybenzyl cyanide, an analog of α- (4-tosyloxyimino) -4-methoxybenzyl cyanide described in Example 1 Name: PAI-1003 (Midori Chemical Co., Ltd.) is marketed and widely used. The benzyl cyanide oxime sulfonate compound is also known as a curing agent for baking finish materials (for example, Patent Document 5).

上記カラフィルター等の用途以外にも、有機電界発光素子や液晶表示素子などにおけるTFT基板用平坦化膜や半導体素子の絶縁膜、光導波路のコアやクラッド材などの光学材料には透明性、耐熱性、感度に優れた永久膜が必要とされており(例えば、特許文献6)、そこで用いられる光酸発生剤に対して優れた透明性、耐熱性、感度を実現できるものが求められている。
特表2002−508774号公報 国際公開第2006/046398号パンフレット 特開平6−67433号公報 特開平9−95479号公報 特開昭60−65072号公報 特開2006−154037号公報
In addition to the above-described applications such as color filters, optical materials such as TFT substrate planarization films, semiconductor element insulation films, optical waveguide cores and cladding materials in organic electroluminescent elements and liquid crystal display elements are transparent and heat resistant. There is a need for a permanent film having excellent properties and sensitivity (for example, Patent Document 6), and a material capable of realizing excellent transparency, heat resistance, and sensitivity for the photoacid generator used therein is required. .
JP-T-2002-508774 International Publication No. 2006/046398 Pamphlet JP-A-6-67433 JP-A-9-95479 JP-A-60-65072 JP 2006-154037 A

上述のカラーフィルターの薄膜化に対して光酸発生剤として提案されたチオフェン系オキシムスルホネート化合物は、実用的には露光後に着色が起こることが問題となっていた。
また、α−(n−プロピルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニドなどのベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物にあっては、光透過率の点で改善の余地があった。
この光透過率を改善するねらいで、シクロアルケニル置換オキシムスルホネート化合物も提案されている(前記特許文献4)ものの、これらは、i線、h線及びg線領域で光吸収がなく、感度の点で問題があった。
The thiophene oxime sulfonate compound proposed as a photoacid generator for reducing the thickness of the color filter described above has been problematic in that coloring occurs after exposure.
Further, benzyl cyanide oxime sulfonate compounds such as α- (n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxybenzyl cyanide have room for improvement in terms of light transmittance.
A cycloalkenyl-substituted oxime sulfonate compound has also been proposed for the purpose of improving this light transmittance (Patent Document 4), but these have no light absorption in the i-line, h-line and g-line regions, and are sensitive. There was a problem.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、レジストの酸発生剤として使用した場合に、露光に使用した活性光に対する感度、特に、i線(365nm)、h線(405nm)及びg線(435nm)に対する感度に優れ、露光及びその後の熱処理により
着色が少なく、高い透明性を実現するレジストを作製できる光酸発生剤として有用な新規化合物を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and when used as an acid generator for a resist, the sensitivity to active light used for exposure, particularly i-line (365 nm), h-line (405 nm) and An object of the present invention is to provide a novel compound useful as a photoacid generator that is excellent in sensitivity to g-line (435 nm), is less colored by exposure and subsequent heat treatment, and can produce a resist that realizes high transparency.

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、光酸発生剤としてアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物を含むレジスト組成物が、焼成後にi線(365nm)から可視領域での着色が抑制された成膜を与えることを見出し、本発明を完成させた。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that a resist composition containing an aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound as a photoacid generator is visible from i-line (365 nm) after firing. The present invention has been completed by finding that film formation in which coloring in the region is suppressed is provided.

すなわち、本発明は、第1観点として、式[1]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物に関する。   That is, the present invention relates to an aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound represented by the formula [1] as a first aspect.

Figure 2009179565
Figure 2009179565

(式中、
1は、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子を含んでも良い置換基で置換されていてもよい
アリール基を表し、
2は、水素原子、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表し、
3は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭
素原子数1乃至5のハロアルキル基、炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基又はWで置換されていてもよいアントラニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子
数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表す。)
第2観点として、式[2]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物に関する。
(Where
R 1 represents an aryl group which may be substituted with a substituent which may contain an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom,
R 2 represents a hydrogen atom, a halogen atom, CN groups, NO 2 groups, alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group or a number of carbon atoms of 1 to 5 carbon atoms Represents 1 to 5 haloalkoxy groups,
R 3 is substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or W. An optionally substituted phenyl group, a naphthyl group optionally substituted with W, or an anthranyl group optionally substituted with W;
W is a halogen atom, CN group, NO 2 group, alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or 1 to 5 carbon atoms. Represents a haloalkoxy group. )
As a second aspect, the present invention relates to an aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound represented by the formula [2].

Figure 2009179565
Figure 2009179565

(式中、
2及びR4は、水素原子、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のア
ルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表し、
3は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭
素原子数1乃至5のハロアルキル基、炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基又はWで置換されていてもよいアントラニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子
数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃
至5のハロアルコキシ基を表す。)
第3観点として、前記R2及びR4が、水素原子である、第2観点記載のフェニル置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物に関する。
第4観点として、第1観点乃至第3観点のうち何れか一項に記載のアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物からなる光酸発生剤に関する。
第5観点として、第1観点乃至第3観点のうち何れか一項に記載のアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物からなるi線、h線及びg線用光酸発生剤に関する。
第6観点として、前記式[1]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物を製造する方法であって、
式[3]
(Where
R 2 and R 4 are hydrogen atom, halogen atom, CN groups, NO 2 groups, alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms Represents a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms,
R 3 is substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or W. An optionally substituted phenyl group, a naphthyl group optionally substituted with W, or an anthranyl group optionally substituted with W;
W is a halogen atom, CN group, NO 2 group, alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or 1 to 5 carbon atoms. Represents a haloalkoxy group. )
As a third aspect, the present invention relates to a phenyl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound according to the second aspect , wherein R 2 and R 4 are hydrogen atoms.
As a fourth aspect, the present invention relates to a photoacid generator comprising the aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound according to any one of the first aspect to the third aspect.
As a fifth aspect, the present invention relates to a photoacid generator for i-line, h-line, and g-line comprising the aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound according to any one of the first to third aspects.
A sixth aspect is a method for producing an aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound represented by the formula [1],
Formula [3]

Figure 2009179565
Figure 2009179565

(式中、
1は、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子を含んでも良い置換基で置換されていてもよい
アリール基を表し、
2は、水素原子、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表す。)
で表されるアリール置換ベンジルシアニド化合物を塩基の存在下で、アミルナイトレートと反応させて、式[4]
(Where
R 1 represents an aryl group which may be substituted with a substituent which may contain an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom,
R 2 is a hydrogen atom, a halogen atom, a CN group, a NO 2 group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or the number of carbon atoms 1 to 5 haloalkoxy groups are represented. )
Is reacted with amyl nitrate in the presence of a base to give a compound of formula [4]

Figure 2009179565
Figure 2009179565

(式中、R1及びR2は、前記と同じ意味を表す。)
で表されるα−ヒドロキシイミノアリール置換ベンジルシアニド化合物を製造する工程、更に該α−ヒドロキシイミノアリール置換ベンジルシアニド化合物を塩基の存在下で、式[5]
(In the formula, R 1 and R 2 represent the same meaning as described above.)
A process for producing an α-hydroxyiminoaryl-substituted benzylcyanide compound represented by formula (5), and the α-hydroxyiminoaryl-substituted benzylcyanide compound in the presence of a base:

Figure 2009179565
Figure 2009179565

(式中、R3は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキ
シ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基、炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基又はWで置換されていてもよいアントラニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子
数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表す。)
で表されるスルホニルクロライド化合物と反応させる工程からなる方法に関する。
Wherein R 3 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, W A phenyl group which may be substituted with, a naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W;
W is a halogen atom, CN group, NO 2 group, alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or 1 to 5 carbon atoms. Represents a haloalkoxy group. )
It relates to a method comprising a step of reacting with a sulfonyl chloride compound represented by the formula:

本発明の化合物を光酸発生剤としてレジスト組成物に使用することにより、露光に使用した活性光に対する感度、特に、i線(365nm)、h線(405nm)及びg線(435nm)に対する感度に優れ、露光及びその後の熱処理により着色の少ない高い透明性を有するレジストが作製できる。   By using the compound of the present invention as a photoacid generator in a resist composition, sensitivity to active light used for exposure, particularly sensitivity to i-line (365 nm), h-line (405 nm) and g-line (435 nm) can be obtained. A resist having excellent transparency and little transparency can be produced by exposure and subsequent heat treatment.

以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明は、式[1]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物、該化合物を含有する光酸発生剤並びに該化合物の製造方法に関する。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
The present invention relates to an aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound represented by the formula [1], a photoacid generator containing the compound, and a method for producing the compound.

Figure 2009179565
Figure 2009179565

(式中、R1は、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子を含んでも良い置換基で置換されてい
てもよいアリール基を表し、R2は、水素原子、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表し、R3は、炭素原
子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基、炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基又はWで置換されていてもよいアントラニル基を表し、Wは、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のア
ルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表す。)
(In the formula, R 1 represents an aryl group which may be substituted with a substituent which may contain an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom, and R 2 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a CN group or a NO 2 group. Represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and R 3 represents a carbon atom An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group optionally substituted with W, A naphthyl group which may be substituted with W or an anthranyl group which may be substituted with W; W represents a halogen atom, a CN group, a NO 2 group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or the number of carbon atoms 1 to 1 Represents an alkoxy group having 0, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.)

上記R1の具体例としては、非置換の又はハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基で置換されたアリール基、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ピリジル基、キノリル基、キノキザリル基、フリル基、チエニル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基及びトリアゾリル基が挙げられる。 Specific examples of the R 1, an unsubstituted or halogen atom, CN groups, NO 2 groups, alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, from 1 to 5 carbon atoms An aryl group substituted with a haloalkyl group or a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, for example, a phenyl group, a naphthyl group, an anthranyl group, a pyridyl group, a quinolyl group, a quinoxalyl group, a furyl group, a thienyl group, a thiazolyl group, a pyrazolyl group Groups, imidazolyl groups and triazolyl groups.

上記ハロゲン原子の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又は沃素原子が挙げられる。
また炭素原子数1乃至10のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−アミル基、i−アミル基、s−アミル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等が挙げられる。
炭素原子数1乃至10のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、n−アミルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−デシルオキシ基等が挙げられる。
Specific examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, and t-butyl. Group, n-amyl group, i-amyl group, s-amyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group and the like.
Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, n-amyloxy group, n-octyloxy group, n-decyloxy group. Groups and the like.

炭素原子数1乃至5のハロアルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロ−n−プロピル基、パーフルオロ−n−ブチル基、パーフルオロ−n−アミル基等が挙げられる。
炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基の具体例としては、トリフルオロメトキシ基、
ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロ−n−プロポキシ基、パーフルオロ−n−ブトキシ基、パーフルオロ−n−アミルオキシ基等が挙げられる。
Specific examples of the haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoro-n-butyl group, and a perfluoro-n-amyl group. Can be mentioned.
Specific examples of the haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms include a trifluoromethoxy group,
Examples include a pentafluoroethoxy group, a perfluoro-n-propoxy group, a perfluoro-n-butoxy group, and a perfluoro-n-amyloxy group.

Wで置換されていてもよいフェニル基の具体例としては、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、o−エチルフェニル基、m−エチルフェニル基、p−エチルフェニル基、p−(n−プロピル)フェニル基、p−(i−プロピル)フェニル基、p−(n−ブチル)フェニル基、p−(i−ブチル)フェニル基、p−(s−ブチル)フェニル基、p−(t−ブチル)フェニル基、p−(n−アミル)フェニル基、p−(i−アミル)フェニル基、p−(t−アミル)フェニル基、o−メトキシフェニル基、m−メトキシフェニル
基、p−メトキシフェニル基、o−エトキシフェニル基、m−エトキシフェニル基、p−エトキシフェニル基、p−(n−プロポキシ)フェニル基、p−(i−プロポキシ)フェニル基、p−(n−ブトキシ)フェニル基、p−(i−ブトキシ)フェニル基、p−(s−ブトキシ)フェニル基、p−(t−ブトキシ)フェニル基、p−(n−アミルオキシ)フェニル基、p−(i−アミルオキシ)フェニル基、p−(t−アミルオキシ)フェニル
基、p−クロルフェニル基、p−ブロモフェニル基、p−フルオロフェニル基、2,4−ジクロルフェニル基、2,4−ジブロモフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、2,4,6−ジクロルフェニル基、2,4,6−トリブロモフェニル基、2,4,6−トリフルオロフェニル基、ペンタクロロフェニル基、ペンタブロモフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、p−ビフェニリル基等が挙げられる。
Specific examples of the phenyl group optionally substituted with W include o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, o-ethylphenyl group, m-ethylphenyl group, p-ethylphenyl group, p -(N-propyl) phenyl group, p- (i-propyl) phenyl group, p- (n-butyl) phenyl group, p- (i-butyl) phenyl group, p- (s-butyl) phenyl group, p -(T-butyl) phenyl group, p- (n-amyl) phenyl group, p- (i-amyl) phenyl group, p- (t-amyl) phenyl group, o-methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group , P-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, m-ethoxyphenyl group, p-ethoxyphenyl group, p- (n-propoxy) phenyl group, p- (i-propoxy) phenyl group, p- (n- Butoxy) Enyl group, p- (i-butoxy) phenyl group, p- (s-butoxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, p- (n-amyloxy) phenyl group, p- (i-amyloxy) Phenyl group, p- (t-amyloxy) phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2, 4-difluorophenyl group, 2,4,6-dichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2,4,6-trifluorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentabromophenyl group, pentafluoro A phenyl group, p-biphenylyl group, etc. are mentioned.

Wで置換されていてもよいナフチル基の具体例としては、2−メチル−1−ナフチル基、3−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、5−メチル−1−ナフチル基、6−メチル−1−ナフチル基、7−メチル−1−ナフチル基、8−メチル−1−ナフチル基、1−メチル−2−ナフチル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−2−ナフチル基、5−メチル−2−ナフチル基、6−メチル−2−ナフチル基、7−メチル−2−ナフチル基、8−メチル−2−ナフチル基等が挙げられる。   Specific examples of the naphthyl group optionally substituted with W include 2-methyl-1-naphthyl group, 3-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, and 5-methyl-1-naphthyl group. Group, 6-methyl-1-naphthyl group, 7-methyl-1-naphthyl group, 8-methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl Examples include 2-naphthyl group, 5-methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group, 8-methyl-2-naphthyl group and the like.

Wで置換されていてもよいアントラニル基の具体例としては、2−メチル−1−アントラニル基、3−メチル−1−アントラニル基、4−メチル−1−アントラニル基、5−メチル−1−アントラニル基、6−メチル−1−アントラニル基、7−メチル−1−アントラニル基、8−メチル−1−アントラニル基、9−メチル−1−アントラニル基、10−メチル−1−アントラニル基、1−メチル−2−アントラニル基、3−メチル−2−アントラニル基、4−メチル−2−アントラニル基、5−メチル−2−アントラニル基、6−メチル−2−アントラニル基、7−メチル−2−アントラニル基、8−メチル−2−アントラニル基、9−メチル−2−アントラニル基、10−メチル−2−アントラニル基等が挙げられる。   Specific examples of the anthranyl group which may be substituted with W include 2-methyl-1-anthranyl group, 3-methyl-1-anthranyl group, 4-methyl-1-anthranyl group, 5-methyl-1-anthranyl. Group, 6-methyl-1-anthranyl group, 7-methyl-1-anthranyl group, 8-methyl-1-anthranyl group, 9-methyl-1-anthranyl group, 10-methyl-1-anthranyl group, 1-methyl 2-anthranyl group, 3-methyl-2-anthranyl group, 4-methyl-2-anthranyl group, 5-methyl-2-anthranyl group, 6-methyl-2-anthranyl group, 7-methyl-2-anthranyl group , 8-methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group, 10-methyl-2-anthranyl group and the like.

上記式[1]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物の中でも、露光に使用した活性光に対する感度、特に、i線(365nm)、h線(405nm)及びg線(435nm)に対する感度に優れ、露光及びその後の熱処理により着色の少ない高い透明性を有するレジストを作製できる酸発生剤として好適であることから、R1が非置換の又はハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基で置換されたフェニル基、R2が水素原子、炭素原
子数1乃至10のアルキル基及び炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、R3がメチル基
、エチル基、n−プロピル基、n−オクチル基、p−トリル又はペンタフルオロ基である化合物であること好ましく、特にR3がメチル基、エチル基、n−プロピル基又はn−オ
クチル基であることがより好ましい。
Among the aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compounds represented by the above formula [1], the sensitivity to active light used for exposure, particularly for i-line (365 nm), h-line (405 nm) and g-line (435 nm). R 1 is unsubstituted or is a halogen atom, CN group, NO 2 group, carbon, because it is suitable as an acid generator that is excellent in sensitivity and can produce a highly transparent resist with little coloration by exposure and subsequent heat treatment. alkyl group of atoms 1 to 10, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group or phenyl group substituted with a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms with 1 to 5 carbon atoms, R 2 is hydrogen atom, an alkyl group and alkoxy group having 1 to 10 carbon atom having 1 to 10 carbon atoms, R 3 is a methyl group, an ethyl group, n- propyl group, - octyl group, preferably a compound which is p- tolyl or pentafluorophenyl group, or more preferably R 3 is a methyl group, an ethyl group, n- propyl or n- octyl group.

前記式[1]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物
の具体例としては、例えば、下記化学式で表される化合物が挙げられる。
Specific examples of the aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound represented by the formula [1] include, for example, compounds represented by the following chemical formula.

Figure 2009179565
Figure 2009179565

[アリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物の製造方法]
前記式[1]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物は、次の製造法により製造することができる。
[Method for producing aryl-substituted benzyl cyanide-based oxime sulfonate compound]
The aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound represented by the formula [1] can be produced by the following production method.

Figure 2009179565
(式中、R1乃至R3は上記と同じ意味を表す。)
Figure 2009179565
(Wherein R 1 to R 3 represent the same meaning as described above.)

すなわち、第1工程において、アリール置換ベンジルシアニド化合物([3])を塩基の存在下でアミルナイトレートと反応させた後、反応系を酸性にすることにより、中間体オキシム化合物([4]、α−ヒドロキシイミノアリール置換ベンジルシアニド化合物)を得る。
続いて第2工程において、中間体オキシム化合物([4])を塩化スルホニル化合物([5])と塩基の存在下で反応させることにより、目的のアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物([1])を得る。
That is, in the first step, an aryl-substituted benzylcyanide compound ([3]) is reacted with amyl nitrate in the presence of a base, and then the reaction system is acidified to produce an intermediate oxime compound ([4] , Α-hydroxyiminoaryl substituted benzyl cyanide compound).
Subsequently, in the second step, the intermediate oxime compound ([4]) is reacted with the sulfonyl chloride compound ([5]) in the presence of a base to obtain the target aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound ([1 ]).

[第1工程]
前記第1工程において用いるアリール置換ベンジルシアニド化合物([3])の具体例としては、以下の化学式で表される化合物が挙げられる。
[First step]
Specific examples of the aryl-substituted benzylcyanide compound ([3]) used in the first step include compounds represented by the following chemical formula.

Figure 2009179565
Figure 2009179565

これら中で、特に4−ビフェニルアセトニトリル化合物が好ましい。   Among these, 4-biphenylacetonitrile compound is particularly preferable.

前記第1工程において用いるアミルナイトレートは、市販のi−アミルナイトレート及びn−アミルナイトレートをそのまま使用することが出来る。
アミルナイトレート使用量はアリール置換ベンジルシアニド化合物([3])に対して、0.8乃至1.5倍当量が好ましい。
As the amyl nitrate used in the first step, commercially available i-amyl nitrate and n-amyl nitrate can be used as they are.
The amount of amyl nitrate used is preferably 0.8 to 1.5 times equivalent to the aryl-substituted benzyl cyanide compound ([3]).

使用する塩基としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩、有機酸塩等が使用できるが、反応性と経済性の観点から、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムが好ましい。塩基の使用量はアリール置換ベンジルシアニド化合物([3])に対して、2乃至5倍当量が好ましい。   As the base to be used, alkali metal or alkaline earth metal hydroxides, carbonates, organic acid salts and the like can be used, but sodium hydroxide and potassium hydroxide are preferable from the viewpoint of reactivity and economy. The amount of the base used is preferably 2 to 5 times equivalent to the aryl-substituted benzylcyanide compound ([3]).

反応溶媒としては、メタノールやエタノール等の低級脂肪族アルコール類が好ましい。
反応温度は−20乃至150℃が好ましく、特に0乃至100℃が好ましい。
反応後、反応液に水を加えてから無機酸や有機酸を加えて酸性にし、酢酸エチルで抽出した後、濃縮して得られた粗生成物を再結晶やカラムクロマトグラフィーによる精製を経ることで、目的とする中間体オキシム化合物([4])が得られる。ここで用いられる無機酸や有機酸としては、塩酸や酢酸等が挙げられる。
As the reaction solvent, lower aliphatic alcohols such as methanol and ethanol are preferred.
The reaction temperature is preferably -20 to 150 ° C, particularly preferably 0 to 100 ° C.
After the reaction, add water to the reaction solution, acidify with an inorganic or organic acid, extract with ethyl acetate, and then concentrate the resulting crude product through recrystallization or column chromatography. The desired intermediate oxime compound ([4]) is obtained. Examples of the inorganic acid and organic acid used here include hydrochloric acid and acetic acid.

[第2工程]
第2工程において使用される塩化スルホニル化合物([5])の具体例としては、メタンスルホニルクロライド、エタンスルホニルクロライド、n−プロピルスルホニルクロライド、i−プロピルスルホニルクロライド、n−ブチルスルホニルクロライド、n−アミルスルホニルクロライド、n−ヘキシルスルホニルクロライド、n−ヘプチルスルホニルクロライド、n−オクチルスルホニルクロライド、n−ノニルスルホニルクロライド、n−デシルスルホニルクロライド、フェニルスルホニルクロライド、p−トシルスルホニルクロライド、p−エチルフェニルスルホニルクロライド、p−(n−プロピル)フェニルスルホニルクロライド、p−(n−ブチル)フェニルスルホニルクロライド、p−(n−アミル)フェニルスルホニルクロライド、トリフルオロメチルスルホニルクロライド、ペンタフルオロエチルスルホニルクロライド、パーフルオロn−プロピルスルホニルクロライド、パーフルオロi−プロピルスルホニルクロライド、パーフルオロn−ブチルスルホニルクロライド、パーフルオロn−アミルスルホニルクロライド、ペンタフルオロフェニルスルホニルクロライド、1−ナフチルスルホニルクロライド、2−ナフチルスルホニルクロライド、1−アントラニルスルホニルクロライド等が挙げられる。その使用量はOC中間体オキシム化合物([4])に対して、1乃至1.2当量倍が好ましい。
[Second step]
Specific examples of the sulfonyl chloride compound ([5]) used in the second step include methanesulfonyl chloride, ethanesulfonyl chloride, n-propylsulfonyl chloride, i-propylsulfonyl chloride, n-butylsulfonyl chloride, n-amyl. Sulfonyl chloride, n-hexylsulfonyl chloride, n-heptylsulfonyl chloride, n-octylsulfonyl chloride, n-nonylsulfonyl chloride, n-decylsulfonyl chloride, phenylsulfonyl chloride, p-tosylsulfonyl chloride, p-ethylphenylsulfonyl chloride, p- (n-propyl) phenylsulfonyl chloride, p- (n-butyl) phenylsulfonyl chloride, p- (n-amyl) phenylsulfonyl chloride Ride, trifluoromethylsulfonyl chloride, pentafluoroethylsulfonyl chloride, perfluoro n-propylsulfonyl chloride, perfluoro i-propylsulfonyl chloride, perfluoro n-butylsulfonyl chloride, perfluoro n-amylsulfonyl chloride, pentafluorophenylsulfonyl Examples include chloride, 1-naphthylsulfonyl chloride, 2-naphthylsulfonyl chloride, 1-anthranylsulfonyl chloride, and the like. The amount used is preferably 1 to 1.2 equivalent times the OC intermediate oxime compound ([4]).

使用する塩基としては、トリエチルアミン、ピリジン、4−N,N−ジメチルアミノピリジン(DMAP)等の有機塩基が好適である。その使用量は中間体オキシム化合物([4])に対して、1乃至1.1倍当量が好ましい。   As the base to be used, an organic base such as triethylamine, pyridine, 4-N, N-dimethylaminopyridine (DMAP) is preferable. The amount used is preferably 1 to 1.1 times equivalent to the intermediate oxime compound ([4]).

反応溶媒としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン及びクメン等の低級アルキルベンゼン類が好ましい。
反応温度は−20乃至100℃が好ましく、特には0乃至80℃が好ましい。
反応終了後、濃縮を経て得られる褐色固体の粗生成物を、再結晶又はシリカゲルを用いてカラムクロマトグラフィーで精製することにより、目的のシクロヘキサジエン系オキシムスルホネート化合物([1])を得る。
As the reaction solvent, lower alkylbenzenes such as toluene, xylene, ethylbenzene and cumene are preferable.
The reaction temperature is preferably -20 to 100 ° C, particularly preferably 0 to 80 ° C.
After completion of the reaction, the crude product of brown solid obtained through concentration is purified by recrystallization or column chromatography using silica gel to obtain the desired cyclohexadiene oxime sulfonate compound ([1]).

上記各反応(第一工程及び第二工程)は、バッチ式又は流通式で行うことが出来、又常圧でも加圧でも行うことができる。   Each of the above reactions (the first step and the second step) can be carried out batchwise or flow-through, and can be carried out at normal pressure or under pressure.

[光酸発生剤]
上述の式[1]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物は、光酸発生剤として、特にi線、h線及びg線用の光酸発生剤として有用であり、フィルム形成物質等と混合して感光性樹脂組成物を調製することができる。
この際の配合量としては、フィルム形成性物質100質量部に対して0.5乃至80質量部、好ましくは1乃至30質量部の割合で使用される。
また、上記感光性樹脂組成物において、式[1]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物からなる光酸発生剤は単独で使用してもよく、又は該化合物に加えて、その他従来知られ、又は従来から使用されている光酸発生剤、例えば、ジアゾメタン化合物、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ジスルホン系化合物、スルホン酸誘導体化合物、ニトロベンジル化合物、ベンゾイントシレート化合物、鉄アレーン錯体、ハロゲン含有トリアジン化合物、アセトフェノン誘導体化合物等と組み合わせて用いてもよい。
[Photoacid generator]
The aryl-substituted benzyl cyanide-based oxime sulfonate compound represented by the above formula [1] is useful as a photoacid generator, particularly as a photoacid generator for i-line, h-line, and g-line. A photosensitive resin composition can be prepared by mixing with the above.
In this case, the blending amount is 0.5 to 80 parts by mass, preferably 1 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the film-forming substance.
In the photosensitive resin composition, the photoacid generator composed of the aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound represented by the formula [1] may be used alone, or in addition to the compound, Conventionally known or conventionally used photoacid generators such as diazomethane compounds, onium salt compounds, sulfonimide compounds, disulfone compounds, sulfonic acid derivative compounds, nitrobenzyl compounds, benzoin tosylate compounds, iron arene complexes , A halogen-containing triazine compound, an acetophenone derivative compound, or the like.

本明細書中、「n」はノルマルを、「i」はイソを、「s」はセカンダリーを、「t」はターシャリーを、「c」はシクロを、「o」はオルトを、「m」はメタを、「p」はパラを、それぞれ表す。   In this specification, “n” is normal, “i” is iso, “s” is secondary, “t” is tertiary, “c” is cyclo, “o” is ortho, “m” "Represents meta, and" p "represents para.

以下に実施例をあげ、本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例に於ける各物性の測定装置および測定条件は以下のとおりである。
[1][質量分析 (MASS)]
機種:LX−1000 (JEOL(日本電子)製),
検出法:イオン化法:DEP(EI+)m/z=50乃至1000
[2][1H NMR]
機種:装置:JNM−LA400型 FT−NMR system(JEOL(日本電
子)製)
測定溶媒:DMSO−d6
[3] [13C NMR]
機種:装置:JNM−LA400型 FT−NMR system(JEOL(日本電
子)製)
測定溶媒:DMSO−d6
[4][融点(mp.)]
測定機器: 自動融点測定装置、FP62 (METTLER TOLEDO社製)
[5]UV−Visスペクトル
装置:UV−VIS−NIR SCANNING SPECTROPHOTOMETER(自記分光光度計)((株)島津製作所製)
[6]紫外線照射装置
機種:PLA−600FA(キヤノン(株)製)
[7]干渉式膜厚計
機種:F20−EXR(Filmetrics社製)
The present invention will be described in more detail with reference to examples below, but the present invention is not limited to these examples.
The measuring devices and measuring conditions for each physical property in the examples are as follows.
[1] [Mass spectrometry (MASS)]
Model: LX-1000 (manufactured by JEOL (JEOL)),
Detection method: Ionization method: DEP (EI + ) m / z = 50 to 1000
[2] [1 H NMR]
Model: Apparatus: JNM-LA400 type FT-NMR system (manufactured by JEOL (JEOL))
Measuring solvent: DMSO-d 6
[3] [ 13 C NMR]
Model: Apparatus: JNM-LA400 type FT-NMR system (manufactured by JEOL (JEOL))
Measuring solvent: DMSO-d 6
[4] [Melting point (mp.)]
Measuring instrument: Automatic melting point measuring device, FP62 (Meteller Toledo)
[5] UV-Vis spectrum apparatus: UV-VIS-NIR SCANNING SPECTROTOPOMETER (self-recording spectrophotometer) (manufactured by Shimadzu Corporation)
[6] Ultraviolet irradiation device Model: PLA-600FA (manufactured by Canon Inc.)
[7] Interferometric film thickness meter Model: F20-EXR (manufactured by Filmmetrics)

[アリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物([1])の合成]
<実施例1:HBPA(α−ヒドロキシイミノ−4−ビフェニルアセトニトリル)の合成>
[Synthesis of aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound ([1])]
Example 1: Synthesis of HBPA (α-hydroxyimino-4-biphenylacetonitrile)

Figure 2009179565
Figure 2009179565

100ml四つ口反応フラスコにNaOH1.92g(48mmol)とメタノール40gを仕込み、加温して溶解させた。続いて40℃で4−ビフェニルアセトニトリル(BPAN)3.87g(20mmol)を添加した後、続いてイソアミルナイトレート(AN)4.41g(30mmol)を滴下した。更に60℃で3時間攪拌したところ、結晶が析出したので、メタノール25gを追加添加し、更に3時間攪拌を続け反応を終了させた。
その後、上記反応液を減圧濃縮し、得られた残渣に水30mlを加え、氷冷下で濃塩酸4.8gを滴下し、酸性にした。更に、酢酸エチルで抽出した後、濃縮・乾燥し、肌色結晶4.57g(LC純度93.0%:収率95.6%)を得た。この結晶を酢酸エチル:n−ヘプタン=1:1で再結晶させ、肌色結晶3.52g(収率79.2%)を得た。
A 100 ml four-necked reaction flask was charged with 1.92 g (48 mmol) of NaOH and 40 g of methanol and dissolved by heating. Subsequently, 4.87 g (20 mmol) of 4-biphenylacetonitrile (BPAN) was added at 40 ° C., and then 4.41 g (30 mmol) of isoamyl nitrate (AN) was added dropwise. When the mixture was further stirred at 60 ° C. for 3 hours, crystals were precipitated. Therefore, 25 g of methanol was further added, and stirring was further continued for 3 hours to complete the reaction.
Thereafter, the reaction solution was concentrated under reduced pressure, 30 ml of water was added to the resulting residue, and 4.8 g of concentrated hydrochloric acid was added dropwise under ice cooling to make the solution acidic. Furthermore, after extracting with ethyl acetate, it concentrated and dried and obtained skin color crystal | crystallization 4.57g (LC purity 93.0%: Yield 95.6%). The crystals were recrystallized with ethyl acetate: n-heptane = 1: 1 to obtain 3.52 g of skin color crystals (yield 79.2%).

上記肌色結晶は、以下の分析結果から、α−ヒドロキシイミノ−4−ビフェニルアセトニトリル(HBPA)であることを確認した。
また、13C NMRから2種類の異性体混合物(4対1)であることを確認した。
MASS(ES+,m/e(%)):223.0([M+H]+,100)
MASS(ES−,m/e(%)):221.0([M−H]+,100)
13C NMR(DMSO-d6,δppm):110.1254(115.6805),126.0887[2],126.7297[2],126.8900,127.0197,127.4775[2],128.1719(128.3550),125.5153,129.0494[2],129.5302,130.9800,138.8167(138.6870),142.3420(142.6320).
mp.195〜196℃
The skin color crystals were confirmed to be α-hydroxyimino-4-biphenylacetonitrile (HBPA) from the following analysis results.
It was also confirmed by 13 C NMR that the mixture was a mixture of two isomers (4 to 1).
MASS (ES +, m / e (%)): 223.0 ([M + H] + , 100)
MASS (ES−, m / e (%)): 221.0 ([M−H] + , 100)
13 C NMR (DMSO-d 6 , δppm): 110.1254 (115.6805), 126.0887 [2], 126.7297 [2], 126.8900,127.0197,127.4775 [2], 128.1719 (128.3550), 125.5153,129.0494 [2], 129.5302, 130.9800, 138.8167 (138.6870), 142.3420 (142.6320).
mp. 195-196 ° C

<実施例2:PSBC(α−(n−プロピルスルホニルオキシイミノ)−4−フェニルベンジルシアニド)の合成> <Example 2: Synthesis of PSBC (α- (n-propylsulfonyloxyimino) -4-phenylbenzyl cyanide)>

Figure 2009179565
Figure 2009179565

以下の操作を黄色蛍光灯下にて行った。
窒素気流下50ml四つ口反応フラスコに実施例1で得られたHBPA3.0g(13mmol)とモレキュラーシーブ4Aで乾燥したトルエン25mlを15℃で仕込み、氷冷下3℃でマグネチックスターラーにて攪拌し、この反応液にn−プロピルスルホニルクロライド1.7ml(15mmol)を滴下した。
5分間攪拌後、続いて4−N,N−ジメチルアミノピリジン(DMAP)2.5g(20mmol)を添加したところ、スラリー粘性が高くなったため、再びトルエン5mlを加え、15℃に戻しながら2時間攪拌した。この反応液を薄層クロマトグラフィーで分析したところ、原料の消失と化合物の生成が確認された。反応液をそのまま減圧濃縮し、粗生成物7.3gを得た。
更に、この粗生成物をシリカゲル40gを用いてカラムクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルムのみ)で精製し、留分を30℃で濃縮した後、4時間減圧乾燥したところ、TLCでワンスポットの黄白色結晶3.7g(収率84%)を得た。
The following operation was performed under a yellow fluorescent lamp.
Into a 50 ml four-necked reaction flask under nitrogen flow, 3.0 g (13 mmol) of HBPA obtained in Example 1 and 25 ml of toluene dried with molecular sieve 4A were charged at 15 ° C., and stirred with a magnetic stirrer at 3 ° C. under ice cooling. Then, 1.7 ml (15 mmol) of n-propylsulfonyl chloride was added dropwise to the reaction solution.
After stirring for 5 minutes, 2.5 g (20 mmol) of 4-N, N-dimethylaminopyridine (DMAP) was subsequently added. The viscosity of the slurry increased, so 5 ml of toluene was added again, and the temperature was returned to 15 ° C. for 2 hours. Stir. When this reaction solution was analyzed by thin layer chromatography, it was confirmed that the raw materials disappeared and the compounds were produced. The reaction solution was directly concentrated under reduced pressure to obtain 7.3 g of a crude product.
Further, this crude product was purified by column chromatography (eluent: chloroform only) using 40 g of silica gel, and the fraction was concentrated at 30 ° C. and then dried under reduced pressure for 4 hours. 3.7 g (yield 84%) of crystals were obtained.

1H NMRからの分析結果から、上記固体がα−(n−プロピルスルホニルオキシイ
ミノ)−4−フェニルベンジルシアニド(PSBC)であることを確認した。
1H NMR(DMSO-d6,δppm):1.10-1.167(m,3H),1.929-2.084(m,2H),3.406-3.496(m,2H),7.422-7.519(m,3H),7.604-7.640(m,3H),7.714-7.769(m,2H
),7.961-7.986(m,2H),7.992-8.104(m,2H)
The results of analysis of the 1 H NMR, it was confirmed that the solid is alpha-(n-propylsulfonyl) -4-phenyl cyanide (PSBC).
1H NMR (DMSO-d 6 , δ ppm): 1.10-1.167 (m, 3H), 1.929-2.084 (m, 2H), 3.406-3.496 (m, 2H), 7.422-7.519 (m, 3H), 7.604-7.640 (M, 3H), 7.714-7.769 (m, 2H
), 7.916-7.986 (m, 2H), 7.922-8.104 (m, 2H)

[光酸発生剤としての露光・加熱による着色性評価]
<実施例3>
50mLのナス型フラスコにNH108(ポリビニルフェノール(群栄化学工業(株)製)、重量平均分子量8000(ポリスチレン換算))を3.4g、光酸発生剤として実施例2において製造したPSBCを0.17g、界面活性剤としてメガファックR−30(大日本インキ化学工業(株)製)を0.031g、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルを20gを入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
[Colorability evaluation by exposure and heating as a photoacid generator]
<Example 3>
In a 50 mL eggplant-shaped flask, 3.4 g of NH108 (polyvinylphenol (manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.), weight average molecular weight 8000 (polystyrene conversion)), and PSBC produced in Example 2 as a photoacid generator were added in an amount of 0.00 g. 17 g, 0.031 g of Megafac R-30 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) as a surfactant and 20 g of propylene glycol monomethyl ether as a solvent were added and stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform.

この組成物を0.2μmのPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製フィルタを用いて濾過し、該組成物をガラス基板上にスピンコーターを用いて塗布した。110℃で1分間、ホットプレート上で焼成(ソフトベーク(SB))して、膜厚1.02μmのレジスト膜(干渉式膜厚計により測定)を形成した。
このレジスト膜に対して、紫外線照射装置により、365nmにおける照射量が400mJ/cm2である紫外線を照射した。ついで110℃で1分間、ホットプレート上でP
EB(露光後加熱:Post Exposure Bake)を行った。その後230℃で5分間、ホットプレート上でポストベーク(PB)を行い、このレジスト膜が形成されたガラス基板の透過率(350乃至750nmにおける透過率)を分光光度計により測定した。
The composition was filtered using a 0.2 μm PTFE (polytetrafluoroethylene) filter, and the composition was applied onto a glass substrate using a spin coater. Baking was performed on a hot plate at 110 ° C. for 1 minute (soft baking (SB)) to form a resist film (measured with an interference film thickness meter) having a thickness of 1.02 μm.
For this resist film, the ultraviolet irradiation apparatus, the irradiation amount of 365nm was irradiated with ultraviolet rays is 400 mJ / cm 2. Then P on hot plate for 1 minute at 110 ° C.
EB (post-exposure bake) was performed. Thereafter, post-baking (PB) was performed on a hot plate at 230 ° C. for 5 minutes, and the transmittance (transmittance at 350 to 750 nm) of the glass substrate on which the resist film was formed was measured with a spectrophotometer.

<比較例1>
50mLのナス型フラスコにNH108(ポリビニルフェノール(群栄化学工業(株)製)、重量平均分子量8000(ポリスチレン換算))を3.4g、PAI−1003(α−(n−プロピルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド(みどり化学(株)製)、「(α−(4−トシルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド)類縁体」として特開平6−67433号公報実施例1に記載)を0.17g、界面活性剤としてメガファックR−30(大日本インキ化学工業(株)製)を0.031g、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルを20gを入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
得られた組成物を実施例3と同様の手順で、レジスト膜の形成、紫外線照射、PEB、ポストベークを行い、レジスト膜が形成されたガラス基板の透過率を測定した。
<Comparative Example 1>
In a 50 mL eggplant-shaped flask, 3.4 g of NH108 (polyvinylphenol (manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.), weight average molecular weight 8000 (polystyrene conversion)), PAI-1003 (α- (n-propylsulfonyloxyimino)- As described in Example 1 of JP-A-6-67433 as 4-methoxybenzylcyanide (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.), “(α- (4-tosyloxyimino) -4-methoxybenzylcyanide) analog” ) 0.17 g, 0.031 g of Megafac R-30 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) as a surfactant, and 20 g of propylene glycol monomethyl ether as a solvent were stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform.
In the same manner as in Example 3, the obtained composition was subjected to resist film formation, ultraviolet irradiation, PEB, and post-baking, and the transmittance of the glass substrate on which the resist film was formed was measured.

実施例3及び比較例1の結果を表1に示す。   The results of Example 3 and Comparative Example 1 are shown in Table 1.

Figure 2009179565
Figure 2009179565

表1に示すように、ポストベークを経た後の365nm、405nm、435nmにおける実施例3の透過率は、比較例1と同等以上であるとする結果が得られた。
すなわち、光酸発生剤として本発明のフェニル置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物を使用したレジスト膜(実施例3)は、特開平6−67433号公報に記載のp−メトキシベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物からなる光酸発生剤を用いて作製されたレジスト膜(比較例1)よりも、i線(365nm)、h線(405nm)及びg線(435nm)領域における露光及び加熱による着色が小さいとする結果が得られた。
As shown in Table 1, the result that the transmittance of Example 3 at 365 nm, 405 nm, and 435 nm after post-baking is equal to or higher than that of Comparative Example 1 was obtained.
That is, a resist film (Example 3) using the phenyl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound of the present invention as a photoacid generator is a p-methoxybenzyl cyanide oxime sulfonate described in JP-A-6-67433. When the coloring by exposure and heating in the i-line (365 nm), h-line (405 nm) and g-line (435 nm) regions is smaller than that of a resist film (Comparative Example 1) produced using a photoacid generator composed of a compound The result to be obtained.

[光酸発生剤としての光感度評価]
<実施例4>
50mLのナス型フラスコにNH108を3.4g、光酸発生剤として実施例2において製造したPSBCを0.17g、架橋剤としてMW−390((株)三和ケミカル製)を0.34g、界面活性剤としてメガファックR−30を0.031g、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルを20gを入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
[Evaluation of photosensitivity as a photoacid generator]
<Example 4>
In a 50 mL eggplant-shaped flask, 3.4 g of NH108, 0.17 g of PSBC produced in Example 2 as a photoacid generator, 0.34 g of MW-390 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) as a crosslinking agent, interface 0.031 g of Megafac R-30 as an activator and 20 g of propylene glycol monomethyl ether as a solvent were added and stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform.

上記レジスト組成物を0.2μmのPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製フィルタを用いて濾過し、該組成物をBare Si基板上にスピンコーターを用いて塗布した。110℃で1分間、ホットプレート上において焼成(SB)し、膜厚1.02μmののレジスト膜(干渉式膜厚計により測定)を形成した。
このレジスト膜に対して、紫外線照射装置により365nmにおける光強度が5.5mW/cm2の紫外線を一定時間照射し、次いで温度120℃で1分間、ホットプレート上
で露光後加熱(PEB)を行った。
その後2.38質量%の水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液に1分間浸漬することで現像を行った後、超純水で20秒間流水洗浄を行った。
露光量25mJ/cm2における膜厚を測定したところ、残膜率は100%であった。
The resist composition was filtered using a 0.2 μm PTFE (polytetrafluoroethylene) filter, and the composition was applied onto a Bare Si substrate using a spin coater. Baking was performed (SB) on a hot plate at 110 ° C. for 1 minute to form a 1.02 μm-thick resist film (measured with an interference film thickness meter).
The resist film is irradiated with ultraviolet light having a light intensity of 365 mW / nm 2 at a wavelength of 365 m for a predetermined time by an ultraviolet irradiation device, and then subjected to post-exposure heating (PEB) on a hot plate at a temperature of 120 ° C. for 1 minute. It was.
Thereafter, development was performed by immersing in a 2.38 mass% aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 1 minute, and then washed with running ultrapure water for 20 seconds.
When the film thickness at an exposure amount of 25 mJ / cm 2 was measured, the residual film rate was 100%.

<比較例2>
光酸発生剤としてPAI−1003(α−(n−プロピルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニドを用いた以外は、実施例4と同様の手順にて組成物を作製した後、レジスト膜の作製、紫外線照射、PEB、現像を行った。
露光量25mJ/cm2における膜厚を測定したところ、残膜率は96%であった。
<Comparative example 2>
After preparing a composition in the same procedure as in Example 4 except that PAI-1003 (α- (n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxybenzylcyanide) was used as a photoacid generator, a resist film Preparation, UV irradiation, PEB, and development.
When the film thickness at an exposure amount of 25 mJ / cm 2 was measured, the residual film rate was 96%.

以上のように、実施例4及び比較例2の残膜率はほぼ同等であるとする結果が得られた。   As described above, the results were obtained that the remaining film ratios of Example 4 and Comparative Example 2 were almost equal.

本発明の式[1]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化
合物は、光酸発生剤、特にi線(365nm)、h線(405nm)及びg線(435nm)向けの光酸発生剤として有用であり、該化合物を光酸発生剤としてレジスト組成物に用いることにより、高感度であり、かつ露光及びその後の熱処理により着色が少ない、高い透明性を実現するレジストを作製できる。
また本発明の光酸発生剤は、有機電界発光素子や液晶表示素子などにおけるTFT基板用平坦化膜や半導体素子の絶縁膜、光導波路のコアやクラッド材などの光学材料における光酸発生剤としても有用である。
The aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound represented by the formula [1] of the present invention is a photoacid generator, particularly photoacid generator for i-line (365 nm), h-line (405 nm) and g-line (435 nm). By using the compound as a photoacid generator in a resist composition, it is possible to prepare a resist that realizes high transparency with high sensitivity and little coloration by exposure and subsequent heat treatment.
The photoacid generator of the present invention is used as a photoacid generator in optical materials such as TFT substrate planarization films in semiconductor electroluminescent devices and liquid crystal display devices, insulating films in semiconductor devices, and cores and cladding materials in optical waveguides. Is also useful.

Claims (6)

式[1]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物。
Figure 2009179565
(式中、
1は、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子を含んでも良い置換基で置換されていてもよい
アリール基を表し、
2は、水素原子、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表し、
3は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭
素原子数1乃至5のハロアルキル基、炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基又はWで置換されていてもよいアントラニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子
数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表す。)
An aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound represented by the formula [1].
Figure 2009179565
(Where
R 1 represents an aryl group which may be substituted with a substituent which may contain an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom,
R 2 is a hydrogen atom, a halogen atom, a CN group, a NO 2 group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or the number of carbon atoms Represents 1 to 5 haloalkoxy groups,
R 3 is substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or W. An optionally substituted phenyl group, a naphthyl group optionally substituted with W, or an anthranyl group optionally substituted with W;
W is a halogen atom, CN group, NO 2 group, alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or 1 to 5 carbon atoms. Represents a haloalkoxy group. )
式[2]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物。
Figure 2009179565
(式中、
2及びR4は、水素原子、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のア
ルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表し、
3は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭
素原子数1乃至5のハロアルキル基、炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基又はWで置換されていてもよいアントラニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子
数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表す。)
An aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound represented by the formula [2].
Figure 2009179565
(Where
R 2 and R 4 are each a hydrogen atom, a halogen atom, a CN group, a NO 2 group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or Represents a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms,
R 3 is substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or W. An optionally substituted phenyl group, a naphthyl group optionally substituted with W, or an anthranyl group optionally substituted with W;
W is a halogen atom, CN group, NO 2 group, alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or 1 to 5 carbon atoms. Represents a haloalkoxy group. )
前記R2及びR4が、水素原子である、請求項2記載のフェニル置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物。 The phenyl-substituted benzyl cyanide-based oxime sulfonate compound according to claim 2, wherein R 2 and R 4 are hydrogen atoms. 請求項1乃至3のうち何れか一項に記載のアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物からなる光酸発生剤。 A photoacid generator comprising the aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound according to any one of claims 1 to 3. 請求項1乃至3のうち何れか一項に記載のアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物からなるi線、h線及びg線用光酸発生剤。 A photoacid generator for i-line, h-line and g-line comprising the aryl-substituted benzylcyanide-based oxime sulfonate compound according to any one of claims 1 to 3. 前記式[1]で表されるアリール置換ベンジルシアニド系オキシムスルホネート化合物を
製造する方法であって、
式[3]
Figure 2009179565
(式中、
1は、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子を含んでも良い置換基で置換されていてもよい
アリール基を表し、
2は、水素原子、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表す。)
で表されるアリール置換ベンジルシアニド化合物を塩基の存在下で、アミルナイトレートと反応させて、式[4]
Figure 2009179565
(式中、R1及びR2は、前記と同じ意味を表す。)
で表されるα−ヒドロキシイミノアリール置換ベンジルシアニド化合物を製造する工程、更に該α−ヒドロキシイミノアリール置換ベンジルシアニド化合物を塩基の存在下で、式[5]
Figure 2009179565
(式中、R3は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキ
シ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基、炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基又はWで置換されていてもよいアントラニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、CN基、NO2基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子
数1乃至10のアルコキシ基、炭素原子数1乃至5のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至5のハロアルコキシ基を表す。)
で表されるスルホニルクロライド化合物と反応させる工程からなる方法。
A method for producing an aryl-substituted benzyl cyanide oxime sulfonate compound represented by the formula [1],
Formula [3]
Figure 2009179565
(Where
R 1 represents an aryl group which may be substituted with a substituent which may contain an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom,
R 2 represents a hydrogen atom, a halogen atom, CN groups, NO 2 groups, alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group or a number of carbon atoms of 1 to 5 carbon atoms 1 to 5 haloalkoxy groups are represented. )
Is reacted with amyl nitrate in the presence of a base to give a compound of formula [4]
Figure 2009179565
(In the formula, R 1 and R 2 represent the same meaning as described above.)
A process for producing an α-hydroxyiminoaryl-substituted benzylcyanide compound represented by formula (5), and the α-hydroxyiminoaryl-substituted benzylcyanide compound in the presence of a base:
Figure 2009179565
Wherein R 3 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, W A phenyl group which may be substituted with, a naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W;
W is a halogen atom, CN group, NO 2 group, alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or 1 to 5 carbon atoms. Represents a haloalkoxy group. )
The method which consists of the process made to react with the sulfonyl chloride compound represented by these.
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