JP2009176985A

JP2009176985A - 有機半導体層を有する新規光電界効果トランジスタ

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Publication number: JP2009176985A
Application number: JP2008014555A
Authority: JP
Inventors: Takashi Namikata; 尚南方
Original assignee: Asahi Kasei Corp
Current assignee: Asahi Kasei Corp
Priority date: 2008-01-25
Filing date: 2008-01-25
Publication date: 2009-08-06
Anticipated expiration: 2028-01-25
Also published as: JP5329816B2

Abstract

【課題】有機半導体層を有する新規光電界効果トランジスタの提供。
【解決手段】光電界効果トランジスタは、以下のゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、及びドレイン電極並びに有機半導体層を順次含み、前記有機半導体層が広がる面内に前記ソース電極とドレイン電極が間隔を空けて配置されて前記ソース電極とドレイン電極の間の有機半導体層内にチャンネルが形成され、前記有機半導体層への光照射に応じて生じる前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の電流変化又は閾値電圧変化が検出され、そして前記有機半導体層が、ｐ型とｎ型の接合構造ではなく、ｐ型半導体単体又はｎ型半導体単体のいずれか１種で構成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、光検出機能を有する、すなわち、光センサーとして機能する、有機半導体層を有する新規光電界効果トランジスタに関する。

現在、光センサーとして、フォトダイオードやフォトダイオードの信号をトランジスタで増幅するフォトトランジスタなどの光検出素子や光検出素子をアレイ化したＣＭＯＳ、ＣＣＤなどアレイセンサーが知られている。これらの素子はシリコンを中心とするフォトダイオードへの光照射によって生じる電流変化を利用している。フォトダイオードは、ｐ型半導体／ｎ型半導体の接合を用い光照射によって接合面で電荷分離されたキャリア（ホールと電子）が半導体を通じ電極に流れることを利用している。また、ｐ型半導体又はｎ型半導体を極薄い絶縁層を介して金属電極と接合したＭＩＳ（金属／絶縁体／半導体）構造素子において光照射により絶縁層界面に蓄積された電荷が絶縁層を通じて金属電極に流れることを利用した光検出素子も知られている。

ところで、有機半導体材料は電流注入による発光素子の成分として発光ディスプレイ等に利用されている。また、有機半導体材料を使用した電界効果トランジスタや有機太陽電池等の研究が盛んに行われている。有機半導体材料を使用した電界効果トランジスタは、電界効果により有機半導体層の抵抗を調整してスイッチングを行うものであり、これを薄膜トランジスタとしてアレイ化して電子ペーパー、液晶表示素子や有機発光素子などのディスプレイに応用することが期待されている。また、有機太陽電池は、前記したフォトダイオードと同様の原理を用いｐ型半導体とｎ型半導体を混合・積層して光照射による電荷分離と発生したキャリアを取り出すことを利用するものである。このような有機フォトダイオードや太陽電池の報告例は多い（以下の特許文献１、２を参照のこと）。かかる従来技術の有機半導体素子は、ｐ型とｎ型の接合構造（ｐ／ｎ接合構造）である。例えば、特許文献２に開示される有機半導体は、有機半導体層に２種のことなる材料の混合体を用いている。

また、有機半導体材料は光照射により導電性を示すことが知られており、有機感光性材料として感光ドラム等に利用されている。感光ドラムは光照射で発生したキャリアが有機半導体薄膜に蓄積されることを利用するものである。
特開２００５−２６８３５５号公報特開２００５−２６８５５０号公報

従来のシリコン系又は有機半導体材料を半導体層に用いたフォトダイオードにおいては、暗電流の低減が不十分であり、また、光照射前後における検出電流比（導電率比）が３桁ないし4桁に留まっている。そこで、高い導電率比をもち、かつ、簡単な構造であり、温和な条件下で製造することができる高感度光センサーを提供することができれば、高感度光センサーとして単体として利用できるだけでなく、様々な機器やデバイスに組み込むことにより当該機器等を高機能化することができる。したがって、光照射に応じた高い電流出力比（明電流／暗電流比）及び／又は電圧出力比を有する簡単な構造の高感度光センサーを提供する必要性が未だ在る。

本願発明者は、前記した課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、今般、驚くべきことに、前記有機半導体層を、ｐ型とｎ型の接合構造ではなく、ｐ型半導体単体又はｎ型半導体単体のいずれか１種で構成した光電界効果トランジスタが、高い電流出力比（明電流／暗電流比）及び／又は電圧出力比を有することを発見し、本願発明を完成するに至った。

具体的には、前記課題は、以下の手段［１］〜［５］により解決される。
［１］以下の：
ゲート電極；
ゲート絶縁膜；
ソース電極、及びドレイン電極；並びに
有機半導体層；
を順次含む光電界効果トランジスタであって、前記有機半導体層が広がる面内に前記ソース電極とドレイン電極が間隔を空けて配置されて前記ソース電極とドレイン電極の間の有機半導体層内にチャンネルが形成され、前記有機半導体層への光照射に応じて生じる前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の電流変化又は閾値電圧変化が検出され、そして前記有機半導体層が、ｐ型とｎ型の接合構造ではなく、ｐ型半導体単体又はｎ型半導体単体のいずれか１種で構成されることを特徴とする、前記光電界効果トランジスタ。

［２］前記有機半導体層が結晶性縮合多環芳香族化合物を含む、前記［１］に記載の光電界効果トランジスタ。

［３］前記結晶性縮合多環芳香族が結晶性アセン系化合物である、前記［２］に記載の光電界効果トランジスタ。

［４］前記結晶性アセン系化合物がテトラセン又はテトラセン誘導体である、前記［３］に記載の光電界効果トランジスタ。

［５］前記テトラセン誘導体が、２，３−ジブチルテトラセン、２−ヘキシルテトラセン、及び２−ブトキシテトラセンから成る群から選ばれる、前記［４］に記載の光電界効果トランジスタ。

本発明に係る光電界効果トランジスタは、有機半導体層を単層として含むプレナー型素子構造であり、高感度かつ低暗電流の光センサーとして機能することができる。
通常の光センサーは半導体を一対の電極でサンドイッチした構造であるため、下部電極上に半導体層を形成した後に上部電極を形成し、さらに、上部電極又は下部電極のいずれかを透光性電極とするする必要がある。これに反し、本発明に係る光電界効果トランジスタは、ソース電極とドレイン電極が有機半導体層（薄膜）が広がる面内で間隔を空けて配置されたプレナー型素子構造を呈するので、ソース電極とドレイン電極の電極パターン上に有機半導体層を単層で形成するだけで素子を形成することができ、また、ソース電極とドレイン電極間の距離が前記したサンドイッチ構造に比較して大きく取れるため半導体層の欠陥による短絡や欠陥素子の頻度が低減され、さらには、透光性でない電極材料を使用することもできる。

本発明に係る光電界効果トランジスタは、暗電流が低いだけでなく高い明電流を示すため、すなわち、高い電流出力比（明電流／暗電流比）及び／又は電圧出力比、例えば、略６桁の照射前後における検出電流比（導電率比）を有するため、高感度であるばかりでなく低消費電力でもある。さらに、本発明に係る光電界効果トランジスタにおいては、有機半導体材料を適宜調整することにより感受波長域を調整することもできる。

本発明に係る光電界効果トランジスタは、以下に説明する有機半導体層を受光部に用いたものである。
以下、本発明の係る光電界効果トランジスタに用いる有機半導体材料、当該有機半導体材料を用いた有機半導体層の作製、光電界効果トランジスタの製造方法、及び得られた光電界効果トランジスタの性能について順次説明する。

有機半導体材料
本発明に係る光電界効果トランジスタは、光センサーとして機能し、かかる光センサーの受光部としての有機半導体層は、有機半導体材料の薄膜として形成される。かかる有機半導体層は、ｐ型とｎ型の接合構造ではなく、ｐ型半導体単体又はｎ型半導体単体のいずれか１種で構成される。

有機半導体層を構成する有機半導体材料は、前記有機半導体層が広がる面内方向と当該面に垂直な方向との間に電導度異方性を有し、かつ、当該面内方向の電導度が当該面に垂直な方向の電導度よりも高いものである。通常のシリコンや化合物半導体などの無機系半導体材料と異なり有機半導体材料は分子がファンデルワールスで自己集積した構造を呈し、かかる自己集積構造は、有機半導体分子の形状によって変化する。有機半導体分子が自己集積した構造は、通常、等方性でなく、異方性を示す。本発明に係る光電界効果トランジスタは、高い電導度異方性を示す材料を用いることによって高感度を示すことができる。かかる電導度異方性が生じる原因は明らかでないが、前記有機半導体層が広がる面内方向の高導電性と当該面に垂直な方向に比較的高い抵抗を示すことによってプレナー構造の素子において高感度の光センシング機能を発現すると考えられる。また、本発明に係る光電界効果トランジスタは、有機半導体層を単層として含むプレナー型素子構造であるため、有機半導体材料の薄膜が作る面に対して垂直方向にチャネルが形成される前記したサンドイッチ構造の素子に比較してソース電極とドレン電極の間の距離が大きくとれるので、低い暗電流がもたらされる。

前記した面内方向に高い導電性（電導度）を示す有機半導体材料としては、低分子系有機半導体材料や高分子系有機半導体材料が挙げられる。低分子系有機半導体材料としては、例えば、複数（例えば、２個以上１５個以下）の芳香環が縮合した多環化合物が好ましい。このような化合物としては、例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、オバレン、コロネン、ジベンゾコロネン、ヘキサベンゾコロネン、テリレン、クオテリレン、イソビオラントレン、ビスアンテン、アンタンスレン、サーカムアントラセン、テトラベンゾコロネン、ジコロニレン、サーコビフェニルなどの縮合多環芳香族化合物；及びチオフェン、チオフェン-フェニレン、フェニルアミン、フェニレンビニレン、チエニレンビニレン、チエノチオフェン、ベンゾチオフェン、ピロールなどのオリゴマーが挙げられる。また、高分子系有機半導体材料としては、例えば、アルキル置換されたポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチエニレンビニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリビスチオフェンチエノチオフェン及びこれらの共重合体を挙げることができる。

前記した有機半導体材料は、ベンゼン環などの芳香環に結合する水素原子の一部又は全部が官能基で置換された分子構造を有する誘導体であってもよい。官能基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシル基、エーテル基、ハロゲン基、ホルミル基、アシル基、エステル基、メルカプト基、チオアルキル基、スルフィド基、ジスルフィド基、スルホニル基、アミド基等が挙げられる。また、前記した縮合多環芳香族化合物中の炭素の一部は硫黄、窒素などのヘテロ原子で置換されていてもよい。

前記した有機半導体材料の内、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン等のポリアセン化合物及びポリアセン化合物の誘導体は、高い電導度異方性を示すとともに高いキャリア移動度を示すため、とりわけ好ましい。この理由としては、ポリアセン化合物が分子同士でスタックして導電面が２次元的ネットワークを有するヘリンボン構造を取りやすいため、π電子軌道の重なりが大きくなり、キャリアが分子間を移動しやすいことが挙げられる。また、ポリアセン化合物の誘導体は、置換基が共役系でない場合にさらに高い電導度異方性を示すため好ましい。分子の自己集積能が高い芳香族系材料は高い異方性を示し、共役系構造が発達した縮合多環芳香族化合物はさらに高い電導度異方性を示す。縮合多環芳香族化合物は、分子凝集力が強いため薄膜状態では結晶化しやすく、また、薄膜の面内方向に電流が流れやすい構造を形成することが知られている。さらに、ポリアセン化合物の内テトラセン及びその誘導体は室内光や可視光の分光感受性に優れるため好ましい。前記テトラセン誘導体は、２，３−ジブチルテトラセン、２−ヘキシルテトラセン、及び２−ブトキシテトラセンから成る群から選ばれることができる。

有機半導体材料を用いた有機半導体層の作製
有機半導体層の作製方法としては、使用する有機半導体材料によって、通常のドライプロセスとウエットプロセスの両者とも利用できる。低分子系有機半導体材料にはドライプロセス、例えば、ＭＢＥ法、真空蒸着法、気相輸送成長法、スパッタリング法、レーザー蒸着法等が適用できる。気相輸送成長法とは、材料を加熱して昇華した蒸気を、高真空、真空、低真空又は常圧で基板表面に輸送して薄膜を形成するものである。また、スパッタリング法は、プラズマ中でイオン化させて、例えば、テトラセンの分子を基板上に堆積して薄膜を形成する方法である。また、レーザー蒸着法は、レーザー照射により材料を加熱して蒸気を生成させ、分子を基板上に堆積して薄膜を形成する方法である。これらの各種作製方法の内、ＭＢＥ法、真空蒸着法、及び気相輸送成長法は、生成する薄膜の平坦性及び有機半導体材料の結晶性に優れるので好ましい。

また、本発明に使用される高分子系有機半導体材料は、低分子系材料ともにウェットプロセスにおいても形成することができる。本発明に用いる有機半導体材料の溶液を（基板等の）ベース上に被覆し、次いで、加熱等の方法により前記溶液の溶媒を気化させることにより有機半導体材料の薄膜を得ることができる。前記溶液をベース上に被覆する方法として、塗布、噴霧の他、ベースを前記溶液に接触させる方法等が挙げられる。具体的には、スピンコート、ディップコート、スクリーン印刷、インクジェット印刷、ブレード塗布、印刷（平版印刷、凹版印刷、凸版印刷等）などの公知の方法が挙げられる。また、溶媒を気化させる際には、ベース付近の温度や雰囲気の溶媒蒸気圧により気液界面の溶媒気化速度を調節することによって、結晶成長を制御することもできる。さらに、所望により、溶液とベースとの界面に、温度勾配、電場、磁場の内の少なくとも１つを印加して、薄膜成長を制御することもできる。これらの方法により高結晶性の有機半導体層（薄膜）を製造することができ、得られた有機半導体薄膜は高結晶性であることから優れた半導体特性が得られる。また、有機半導体材料の溶媒（液状媒体）に分散した分散体を前記のウエットプロセスを用い有機半導体層（薄膜）を形成することもできる。このような分散体を用いる場合、板状やシート状の結晶粒子を用いることが好ましく、また、塗布によって高配向性の薄膜が形成できるので、高電導度異方性が発現される。

有機半導体層（薄膜）を形成するためのベース材料としては、各種材料が挙げられる。例えば、ガラス、石英、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、シリコン、ガリウム砒素、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、マイカ等のセラミックスや、アルミニウム、金、ステンレス鋼、鉄、銀等の金属が挙げられる。また、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等）、ポリカーボネート、ノルボルネン系樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリイミド、ポリアミド、セルロース、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂や、炭素や、紙等が挙げられる。また、ベース材料として各種材料の複合体を用いてもよい。ベースが膨潤や溶解を起こし、不都合が生じるおそれがある場合には、ベースに溶媒などが拡散することを抑制するためバリア層を設けることが好ましい。

ベースの形状は特に限定されるものではないが、通常はフィルム状のベースや板状のベース（基板）が用いられる。さらに、線状体や繊維構造体をベースとして用いることもできる。なお、必要があればベースの濡れ性を調整するため、ベースの表面に表面処理を施してもよい。有機半導体材料の濡れ性にあわせてベース表面を局所的に表面処理して表面エネルギーを調整して局所塗布を行うこともできる。また、ベースに表面エネルギーを調整した材料を局所的にパターン化してバンク構造を形成して分散体を所定の位置（バンク）に保持して薄膜パターンを形成することもできる。

光電界効果トランジスタの製造方法
本発明に係る光電界効果トランジスタの構造としては、例えば、基板／ゲート電極（シリコン基板）／絶縁体層（誘電体層、ゲート絶縁膜、シリコン熱酸化膜）／ソース電極及びドレイン電極／有機半導体層という構造；基板／有機半導体層／ソース電極及びドレイン電極／絶縁体層（誘電体層、ゲート絶縁膜、シリコン熱酸化膜）／ゲート電極（シリコン基板）という構造；並びに基板／ソース電極／半導体層＋絶縁体層（誘電体層）＋ゲート電極／ドレイン電極という構造など挙げられる。ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極は、それぞれ、複数設けてもよい。また、複数の有機半導体層を同一面内に設けてもよいし、積層してもよい。基板／ゲート電極（シリコン基板）／絶縁体層（誘電体層、ゲート絶縁膜、シリコン熱酸化膜）／ソース電極及びドレイン電極／有機半導体層という構造；及び基板／有機半導体層／ソース電極及びドレイン電極／絶縁体層（誘電体層、ゲート絶縁膜、シリコン熱酸化膜）／ゲート電極（シリコン基板）という構造、すなわち、基板面内方向に並行して形成された有機半導体層内にソース電極とドレイン電極が当該面内で少なくとも当該有機半導体層を介して接合し、そして当該ソース電極とドレイン電極の間のチャネル部の有機半導体層に積層された絶縁体層と、当該有機半導体層と反対側の当該絶縁体層の面にゲート電極が形成された構造が、好ましい。このような構造は、通常のフォトダイオードなどのサンドイッチ構造の縦型素子に比較して有機半導体層のチャネル部を介して配置されたソース電極とドレイン電極の間の距離を比較的長くすることができるので、当該電極間の短絡による素子欠損等が起こりにくいため好ましい。

本発明に係る光電界効果トランジスタの構造としては、ＭＯＳ（メタル−酸化物（絶縁体層）−半導体）型が好ましい。有機半導体のうち、多くはｐ型半導体であるので、これらを半導体として用いる以外に、ドナードーピングしてｎ型半導体として用い、有機半導体又は有機半導体以外のｎ型半導体と組み合わせたりすることにより、素子を構成することができる。

本発明に関わる光電界効果トランジスタは、従来素子で利用されるｐ型とｎ型の接合構造（ｐ／ｎ接合構造ともいう。）を用いることなく、ｐ型半導体単体又はｎ型半導体単体のいずれか１種で光電効果を発現することができる。本発明者は、特定の理論に拘束されることを欲しないが、その原因としては、結晶粒子が集合して形成された半導体薄膜内に介在する粒子間の粒界や不純物等によるキャリアトラップ内のキャリアが光励起により放出されることが推定される。かかる理論に従えば、本発明に係る光電界効果トランジスタにおいては、光励起されうる適量のトラップが存在していると推定される。通常、多数のトラップを含有する半導体薄膜においては光励起によって光電効果は発現するが高い電流は得られにくく、一方、極めて少数のトラップしか含有しない半導体薄膜においては高電流を示すが光電効果は発現し難い。したがって、本発明に係る光電界効果トランジスタにおいては、欠陥の少ない結晶性粒子と（当該結晶性粒子間に介在する）光励起でキャリア放出できる粒界構造とを併せ持つ構造が存在することによって、高い光電効果と光照射時の高い電流の両者を提供することができると思われる。

本発明の光電界効果トランジスタにおける有機半導体薄膜を構成する結晶粒子の粒径範囲として、好ましくは１０μｍ以下１０ｎｍ以上であり、更に好ましくは２μｍ以下５０ｎｍ以上である。

本願発明に係る光電界効果トランジスタの有機半導体薄膜内部又は有機半導体薄膜表面と電極との接合面の少なくとも一部は、ショットキー接合及び／又はトンネル接合とすることができる。このような接合構造を有する有機半導体素子は、単純な構成でダイオードやトランジスタを作製することができるので好ましい。さらに、このような接合構造を有する有機半導体素子を複数接合して、インバータ、オスシレータ、メモリ、センサ等の素子を形成することもできる。

本発明に係る光電界効果トランジスタは、光電変換素子、太陽電池、赤外線センサー等の受光素子やフォトダイオードとして利用できる。また、本発明に係るの光電界効果トランジスタを複数アレイ構造で形成したイメージセンサーやスキャナーなどの素子を形成することもできる。また、本発明に係る光電界効果トランジスタは、ＩＣカード、スマートカード又は電子タグに併設したり、積層したりして複合素子化することもできる。さらに、本発明に係る光電界効果トランジスタを発光素子と組み合わせて複合素子化したり、他の機能を持つガスセンサ、バイオセンサ、血液センサ、免疫センサ、味覚センサ等の各種センサと複合化させて複数機能を発現するセンサーとすることもできる。
なお、本発明に係る光電界効果トランジスタの上に、保護層、配線、別素子等をさらに積層することもできる。

得られた光電界効果トランジスタの性能
本発明に係る光電界効果トランジスタは、電界効果トランジスタの光照射前後のドレイン電流の変化及び／又は閾値電圧の変化を検出することにより、光センサーとして機能する。したがって、電圧モード及び／又は電流モードで動作させることができるため利用範囲は広い。電界効果トランジスタの伝達特性曲線は、一定ドレイン電圧におけるゲート電圧とドレイン電流との関係を示し、本発明に係る光電界効果トランジスタは光照射前後の伝達特性曲線変化を検出するものである。例えば、ｐ型半導体を用いた場合、光照射によってフリーキャリアが増加し、伝達曲線における閾値電圧が正電位側にシフトする。一方、ｎ型半導体をチャネルに用いた電界効果トランジスタでは光照射により逆電位（負電位）側にシフトする。この閾値電圧のシフトから電界効果トランジスタの半導体チャネルに照射されている光を検出することができる。このシフト幅は用いる有機半導体材料の電子構造、不純物、構造欠陥などによって異なるため限定されないが、本発明に係る光電界効果トランジスタにおいては、通常の室内（照明）光（２５０Ｌｘ）の光照射前後で閾値電圧が数ｍＶから２０Ｖ程度まで変化する。また、電流モードで検出する場合、電界効果トランジスタのゲート電圧を選ぶことによって暗所での低ドレイン電流（暗電流）と明所での高ドレイン電流(明電流)の電流差、すなわち、電流比により光を検出することができる。本発明の光センサーにより通常の室内光照射の前後で６桁以上の明電流／暗電流比を検出することもできる。通常のシリコンのフォトダイオードでは、３桁ないし４桁の明電流／暗電流比であるので、従来型のフォトダイオードに比較して本発明に係る光電界効果トランジスタは高感度である。さらに、フタロシアニンなどの代表的な光導電体を用いショットキー障壁を設けた積層構造素子の光電特性は明電流／暗電流比として３桁ないし４桁であるので、この点でも、本発明に係る光電界効果トランジスタは高感度である。さらに、本発明に係る光電界効果トランジスタの暗電流は１０^-10〜１０^-12Ａ程度と低く、暗状態での消費電力が低減できるため好ましい。通常のシリコンフォトダイオードの暗電流はサブμＡ以上であることから、本発明に係る光電界効果トランジスタは低暗電流を特徴とするといえる。本発明に係る光電界効果トランジスタにおいては、光照射時の出力として、単純な構造（電界効果トランジスタのチャネル長２０μｍ／チャネル幅５００μｍ）においても１０μＷ〜ｍＷの出力が可能である。また、光照射時の出力調整のため電界効果トランジスタの電極構造を適宜変更することができ、例えば、串型電極でチャネル長を長くして出力を増加させることもできる。

以下の例示を目的とする実施例において、本発明をさらに説明する。
実施例１：有機半導体材料として２，３−ジブチルテトラセンを用いた光電界効果トランジスタの製造及びその性能
４，５−ジブチル−１，２−フタルアルデヒドと１，４−ジヒドロキシナフタレンをカップリングして合成した。次いで、得られた２，３−ジブチル−６，１１−テトラセンキノンを還元して、２，３−ジブチルテトラセンを合成した。
得られた２，３−ジブチルテトラセンを石英セルに装填し、真空蒸着装置を用いシリコン基板上に２，３−ジブチルテトラセン薄膜を作製した（成膜時のバックプレッシャーは２×１０^-5Ｐａ、基板温度３０℃、成膜速度１５ｎｍ／ｍｉｎで膜厚２００ｎｍの薄膜を成長させた）。シリコン基板として、ｎ型ドーパントでドープされたシリコン基板（厚さ２００ｎｍの酸化膜を表面に備えている）の表面にソース電極及びドレイン電極として金電極のパターンを形成し、次いで基板表面にヘキサメチレンジシラザン（和光純薬製）をスピンコート（２０００rpm、２０秒）処理したものを用いた。このようにして薄膜トランジスタ（チャネル長２０μｍ、チャネル幅５００μｍ）を作製した。

図３に示すように、得られた薄膜トランジスタの伝達特性を暗状態及び蛍光灯の室内灯（約２００Ｌｘ）照射下（明状態）で測定した結果、ｏｎ電圧は暗状態では略１８Ｖであったが明状態で略４０Ｖにシフトした。閾値電圧（ドレイン電流が立ち上がるゲート電圧）は暗状態では−８Ｖ、明状態では＋１３Ｖであった。また、ゲート電圧２０Ｖにおける明電流／暗電流比は６桁であった。また、２，３−ジブチルテトラセン薄膜のキャリア移動度は０．０３ｃｍ^２／Ｖ・ｓであった。

シリコン基板上に作製した薄膜の結晶構造を広角Ｘ線回折で測定した結果、図４に示すように、面間距離１．８５ｎｍの（００ｎ）（ｎ＝１〜４）が観測され面間距離が分子長とほぼ等しいことから薄膜中で分子長軸が基板面に垂直に配列した結晶構造を形成していることが判明した。また、金電極パターン上に２，３−ジブチルテトラセン薄膜が形成された表面にさらに金電極を電子線蒸着装置により厚さ５０ｎｍで形成した後、下部金電極との間の抵抗値を測定した結果、膜厚方向の薄膜の電導度は１０^-9（Ωｃｍ）^-1であった。また面内方向の薄膜の電導度は３×１０^-5（Ωｃｍ）^-1であった。したがって、該薄膜の電導度異方性は３×１０⁴であった。
該薄膜トランジスタの薄膜形態を原子間力顕微鏡により観察した結果、平均粒径０．２μｍからなる結晶粒子が密集して形成されていることがわかった。

実施例２：有機半導体材料として２−ヘキシルテトラセンを用いた光電界効果トランジスタの製造及びその性能
４−ヘキシル−１，２−フタルアルデヒドと１，４−ジヒドロキシナフタレンのカップリングで得た２−ヘキシル−６，１１−テトラセンキノンを還元して、２−ヘキシルテトラセンを合成した。
実施例１と同様にして電極パターンが形成されたシリコン基板上に２−ヘキシルテトラセンの蒸着膜を作製した（バックプレッシャー２．５×１０^-6Ｐａ、基板温度は３０℃、成膜速度は１５ｎｍ／ｍｉｎで膜厚２００ｎｍの薄膜を成長させた）。
該薄膜トランジスタの薄膜形態を原子間力顕微鏡により観察した結果、平均粒径０．５μｍからなる結晶粒子が密集して形成されていることがわかった。
得られた薄膜トランジスタの伝達特性を暗状態および蛍光灯の室内灯（約２００Ｌｘ）照射下（明状態）で測定した結果、ｏｎ電圧は暗状態では１０Ｖであったが明状態で１８Ｖにシフトした。閾値電圧は暗状態では−２Ｖ、明状態では＋６Ｖであった。また、ゲート電圧２０Ｖにおける明電流／暗電流比は６桁であった。また、２−ヘキシルテトラセン薄膜のキャリア移動度は０．０６ｃｍ^２／Ｖ・ｓであった。

シリコン基板上に作製した薄膜の結晶構造を広角Ｘ線回折で測定した結果、面間距離１．９９ｎｍの（００ｎ）（ｎ＝１〜４）が観測され面間距離が分子長とほぼ等しいことから薄膜中で分子長軸が基板面に垂直に配列した結晶構造を形成していることが判明した。また、金電極パターン上に２−ヘキシルテトラセン薄膜が形成された表面にさらに金電極を電子線蒸着装置により厚さ５０ｎｍで形成した後、下部金電極との間の抵抗値を測定した結果、膜厚方向の薄膜の電導度は１０^-9（Ωｃｍ）^-1であった。また、面内方向の薄膜の電導度は１×１０^-5（Ωｃｍ）^-1であった。したがって、該薄膜の電導度異方性は１×１０⁴であった。

実施例３：有機半導体材料として２−ブトキシテトラセンを用いた光電界効果トランジスタの製造及びその性能
４−ブトキシ−１，２−フタルアルデヒドと１，４−ジヒドロキシナフタレンのカップリングで得た２−ブトキシ−６，１１−テトラセンキノンを還元して、２−ブトキシテトラセンを合成した。
実施例１と同様にして電極パターンが形成されたシリコン基板上に２−ブトキシテトラセンの蒸着膜を作製した（バックプレッシャー７×１０^-6Ｐａ、基板温度は３０℃、成膜速度は１５ｎｍ／ｍｉｎで膜厚２００ｎｍの薄膜を成長させた）。
該薄膜トランジスタの薄膜形態を原子間力顕微鏡により観察した結果、平均粒径０．８μｍからなる結晶粒子が密集して形成されていることがわかった。
得られた薄膜トランジスタの伝達特性を暗状態および蛍光灯の室内灯（約２００Ｌｘ）照射下（明状態）で測定した結果、ｏｎ電圧は暗状態では２Ｖであったが明状態で５Ｖにシフトした。閾値電圧は暗状態では−９Ｖ、明状態では−５Ｖであった。また、ゲート電圧２０Ｖにおける明電流／暗電流比は６桁であった。２−ブトキシテトラセン薄膜のキャリア移動度は０．０２ｃｍ^２／Ｖ・ｓであった。

シリコン基板上に作製した薄膜の結晶構造を広角Ｘ線回折で測定した結果、面間距離１．７７ｎｍの（００ｎ）（ｎ＝１〜４）が観測され面間距離が分子長とほぼ等しいことから薄膜中で分子長軸が基板面に垂直に配列した結晶構造を形成していることが判明した。また、金電極パターン上に２，３−ジブチルテトラセン薄膜が形成された表面にさらに金電極を電子線蒸着装置により厚さ５０ｎｍで形成した後、下部金電極との間の抵抗値を測定した結果、膜厚方向の薄膜の電導度は１０^-9（Ωｃｍ）^-1であった。また、面内方向の薄膜の電導度は６×１０^-6（Ωｃｍ）^-1であった。したがって、該薄膜の電導度異方性は６×１０³であった。

本発明に係る光電界効果トランジスタは、エレクトロニクス、フォトニクス、バイオエレクトロニクス等において利用可能である。

本発明に係る光電界効果トランジスタの１態様の断面概念図。本発明に係る光電界効果トランジスタの他の態様の断面概念図。実施例１で製造した薄膜トランジスタの伝達特性。実施例１で製造した薄膜トランジスタの有機半導体層（２，３−ジプロピルテトラセン薄膜）の広角Ｘ線回折パターン。

Claims

以下の：
ゲート電極；
ゲート絶縁膜；
ソース電極、及びドレイン電極；並びに
有機半導体層；
を順次含む光電界効果トランジスタであって、前記有機半導体層が広がる面内に前記ソース電極とドレイン電極が間隔を空けて配置されて前記ソース電極とドレイン電極の間の有機半導体層内にチャンネルが形成され、前記有機半導体層への光照射に応じて生じる前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の電流変化又は閾値電圧変化が検出され、そして前記有機半導体層が、ｐ型とｎ型の接合構造ではなく、ｐ型半導体単体又はｎ型半導体単体のいずれか１種で構成されることを特徴とする、前記光電界効果トランジスタ。
前記有機半導体層が結晶性縮合多環芳香族化合物を含む、請求項１に記載の光電界効果トランジスタ。
前記結晶性縮合多環芳香族が結晶性アセン系化合物である、請求項２に記載の光電界効果トランジスタ。
前記結晶性アセン系化合物がテトラセン又はテトラセン誘導体である、請求項３に記載の光電界効果トランジスタ。
前記テトラセン誘導体が、２，３−ジブチルテトラセン、２−ヘキシルテトラセン、及び２−ブトキシテトラセンから成る群から選ばれる、請求項４に記載の光電界効果トランジスタ。