JP2009173497A - 準結晶触媒を用いるカーボンナノチューブ合成法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、CNT合成時に触媒として作用する金属として準結晶組成から成るアルミニウム3元合金を用いて、それを熱処理することにより準結晶相を有する微粒子を形成して、その合金微粒子を触媒として用いる触媒CVD法により、アームチェア型CNTを選択的に合成することを特徴とする。
【選択図】図3
Description
Integration:LSI)用層間配線材、走査トンネル顕微鏡/原子間力顕微鏡用探針、Micro Electro
Mechanical Systems (MEMS)デバイス、リチウムイオン電池用負極材、燃料電池、塗料用導電性フィラー等がある。
C = n a1
+ m a2 の指数 (n, m) で表され、(n, n) をアームチェア型、 (n, 0) をジグザグ型、それ以外の (n, m) をカイラル型の、3種類に分類されている。ここで、a1, a2はグラフェンシートの単位格子ベクトルを表している。また、それぞれのカイラリティに応じて、金属的または半導体的性質を示すことが、理論的にも実験的にも証明されている (非特許文献1)。
(TM=Fe, Ru, Os), Al70Pd20TM10 (TM=V, Cr, Mn, Fe,
Co, Mo, Ru, W, Re, Os) の何れを選択してもよいが、Al65Cu25TM12が、実用的には最も望ましい。5回対称性を有する正20面体構造の準結晶合金を触媒とする目的は、準結晶合金微粒子がCNTキャップ部の5員環合成のシーズとして作用し、アームチェア型CNTの合成を優先的に促進する効果をもたらすためである。
CNTを直接合成させる基板としては、一般に平滑なガラス基板やシリコン単結晶を用いることが好ましい。
(100) ウェーハを用いた。
2)上記基板上に、下地膜としてSiO2をスパッタリング法により、Ar 圧力 4.2×10-1 Pa、放電電力 300 Wの条件下で膜厚 50 nmの薄膜を堆積した。
3)次に、上記SiO2下地膜を付けた基板上に、完全な準結晶組成比になるようにAl (2.1 nm)/ Cu (0.6 nm)/Fe (0.3
nm)を、それぞれの膜厚を±0.01
nmの精度で、順々に電子ビーム蒸着法により、全膜厚3
nmの積層薄膜を堆積した。
4)次に、触媒活性工程として、CNT合成に用いる反応炉内で、温度
450℃、時間 30分、Ar雰囲気の条件下で熱処理を施した。この熱処理で、正20面体構造の準結晶組成から成るAl62Cu25.5Fe12.5合金微粒子を形成させた。
200 sccm、圧力 5.3×103 Pa の条件下でCNTを合成した。
1 nm〜5 nmに広く分布を持ったCNTが得られた。合成したCNT膜から採取したCNTバンドルの高分解能透過電子顕微鏡像を図2に示す。
Raman Scattering:RRS)法、蛍光分光法、走査トンネル顕微鏡法等が用いられる。本発明においては、金属的および半導体的性質を有する、合成したすべてのCNTのカイラリティ分布を判定するために、基板上に合成したCNTを直接測定可能なRRS法が最適である(非特許文献5)。
(11, 11)等のアームチェア型、および(11,
8), (12, 9)等のニアアームチェア型のカイラリティが極めて選択的に得られた。これに対して、図4より、通常用いられる遷移金属の一種であるコバルトを触媒とした場合、全体の3分の1が金属的、3分の2が半導体的なランダムなカイラリティ分布を示しており、特に金属的なEM 11遷移エネルギーを有するスペクトルの中にアームチェア型は全く検出されず、逆に(18, 0)のジグザク型や(12, 1)等のニアジグザク型が得られた。これらの実験事実より、本発明の有効性が実証された。
Claims (5)
- 準結晶組成比から成るアルミニウム合金を触媒用合金として、化学気相成長法により基板上にカーボンナノチューブを合成する方法。
- 前記触媒用合金が、アルミニウムと銅及び、鉄,ルテニウム,オスミウムの3種のうち何れか1種を構成成分とするアルミニウム合金。
- 前記アルミニウム合金を、物理気相成長法により基板上に薄膜状に堆積し、5回対称性を有する正20面体構造の準結晶合金薄膜を得る方法。
- 請求項2に記載のアルミニウム、銅、及び鉄、ルテニウム、オスミウムの3種のうち何れか1種を、物理気相成長法により基板上に順次堆積した後、熱処理を加えることにより、5回対称性を有する正20面体構造の準結晶合金薄膜を得る方法。
- 前記準結晶合金薄膜をリソグラフィー法を用いて基板上にパターニングすることにより、基板上の所定の位置にカーボンナノチューブを合成する方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011092828A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Nitta Corp | 磁性金属触媒微粒子形成基板の製造方法および磁性金属触媒微粒子形成基板 |
JP2013006708A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Denso Corp | カーボンナノチューブ膜の製造方法 |
JP2013199404A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Vision Development Co Ltd | 糸状又はシート状カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2020197544A (ja) * | 2020-09-17 | 2020-12-10 | 国立大学法人鳥取大学 | 吸着装置及び分析装置 |
WO2024181498A1 (ja) * | 2023-02-28 | 2024-09-06 | 国立大学法人 東京大学 | 二重の略正20面体構造を有する物質 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005279624A (ja) * | 2004-03-27 | 2005-10-13 | Osaka Prefecture | カーボンナノチューブの製造用触媒、製造方法及び製造装置 |
WO2007108132A1 (ja) * | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Fujitsu Limited | カーボンナノチューブの生成方法 |
WO2007108050A1 (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Fujitsu Limited | カーボンナノチューブ構造体、カーボンナノチューブの作製方法、電気的機能装置、カーボンナノチューブ成長用触媒微粒子 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005279624A (ja) * | 2004-03-27 | 2005-10-13 | Osaka Prefecture | カーボンナノチューブの製造用触媒、製造方法及び製造装置 |
WO2007108050A1 (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Fujitsu Limited | カーボンナノチューブ構造体、カーボンナノチューブの作製方法、電気的機能装置、カーボンナノチューブ成長用触媒微粒子 |
WO2007108132A1 (ja) * | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Fujitsu Limited | カーボンナノチューブの生成方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6012051728; OHMORI S, et al.: 'Preparation of Carbon Nanotubes Using Al-Ni-Co Alloy Catalyst in the CCVD Method.' フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム講演要旨集 Vol.24th, 20030108, p.41 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011092828A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Nitta Corp | 磁性金属触媒微粒子形成基板の製造方法および磁性金属触媒微粒子形成基板 |
JP2013006708A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Denso Corp | カーボンナノチューブ膜の製造方法 |
JP2013199404A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Vision Development Co Ltd | 糸状又はシート状カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2020197544A (ja) * | 2020-09-17 | 2020-12-10 | 国立大学法人鳥取大学 | 吸着装置及び分析装置 |
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