JP2009170711A

JP2009170711A - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

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Publication number: JP2009170711A
Application number: JP2008008218A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Imai; 義則今井
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2008-01-17
Filing date: 2008-01-17
Publication date: 2009-07-30

Abstract

【課題】金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させることが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上にチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸ストロンチウムバリウムの薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、薄膜を形成する工程は、基板上に二酸化チタンの層を数層形成する工程と、数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜、または酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する工程と、を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板を処理する半導体装置の製造方法及び基板処理装置に関する。

例えば、ＤＲＡＭ等の半導体装置は、キャパシタ絶縁膜として形成された金属酸化膜を備えている。金属酸化膜は、例えば、下部電極として形成された金属薄膜上に形成される。なお、金属酸化膜は、結晶化させた方が高い誘電率を得ることが出来るため、結晶化するような高温下で形成されてきた。例えば、製造工程で耐えられる範囲内の出来るだけ高い温度で形成されてきた。

しかしながら、結晶化するような高温下で金属酸化膜を形成すると、下地の金属薄膜が酸化されてしまう場合があった。例えば、４０ｎｍ世代以降のキャパシタ絶縁膜として有望視されているＳＴＯ（チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３））膜は、有機金属原料ガスとオゾン（Ｏ_３）ガスとを交互供給するＡＬＤ法による成膜を４００℃以上の高温下で行うことにより、結晶化させつつ形成させることが出来る。しかしながら、この場合、下地の金属薄膜を構成するルテニウム（Ｒｕ）が４００℃以上でオゾン（Ｏ_３）ガスに曝されてＲｕＯ_２へと酸化してしまい、金属薄膜を構成する結晶粒が異常成長してＳＴＯ膜を突き破ってしまう場合があった。

そこで、本発明にかかる半導体装置の製造方法及び基板処理装置は、金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させることが可能な半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、基板上にチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸ストロンチウムバリウムの薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記薄膜を形成する工程は、前記基板上に二酸化チタンの層を数層形成する工程と、前記数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜、または酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、チタン原料、ストロンチウム原料、およびバリウム原料のうち少なくともいずれか一つの原料を供給する原料供給系と、酸化剤を供給する酸化剤供給系と、前記処理室内に前記チタン原料と前記酸化剤とを交互に供給して前記基板上に二酸化チタンの層を数層形成し、その後、前記処理室内に前記ストロンチウム原料、前記チタン原料、及び前記酸化剤を交互に供給して、前記数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成するか、または前記処理室内に前記ストロンチウム原料、前記バリウム原料、前記チタン原料、及び前記酸化剤を交互に供給して、前記数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成するように前記原料供給系と前記酸化剤供給系とを制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。

本発明にかかる半導体装置の製造方法及び基板処理装置によれば、金属薄膜上に金属酸
化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させることが可能となる。

上述したとおり、金属酸化膜を高温下で形成すると、下地の金属薄膜が酸化してしまう場合があった。例えば、ルテニウム（Ｒｕ）薄膜等の金属薄膜上に、チタン酸ストロンチウム膜（ＳｒＴｉＯ_３）やチタン酸ストロンチウムバリウム膜（ＢａＳｒＴｉＯ_３）等の金属酸化膜を形成する方法としてＡＬＤ法（原子層堆積法）がある。ＡＬＤ法を用いてルテニウム薄膜上にチタン酸ストロンチウム膜を形成するには、まず、プリカーサとしてのストロンチウム原料を気化させた原料ガスを基板上に供給して飽和吸着させた後、酸素、オゾン、水等の酸化剤を基板上に供給し、基板上に吸着しているストロンチウム原料を加水分解及び酸化させて酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の層を形成する。次いで、チタン原料を気化させて基板上に供給して飽和吸着させた後、酸素、オゾン、水等の酸化剤を基板上に供給し、基板上に吸着しているチタン原料を加水分解及び酸化させて二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の層を形成する。そして、これらの工程を複数回繰り返すことにより、図６（ｂ）に示すような、酸化ストロンチウムの層と二酸化チタンの層とが繰り返し累積された積層膜を得る。その後、得られた積層膜をアニールすることにより、酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを結晶化させて、誘電率の高いチタン酸ストロンチウム薄膜を得ることができる。

しかしながら、上記の方法においては、基板上に酸化剤を供給してストロンチウム原料等を加水分解及び酸化させようとする際に、ストロンチウム原料等の分解や酸化に寄与しない酸化剤が、既に形成された積層膜を透過して基板や金属薄膜を酸化させてしまう場合があった。金属薄膜が酸化すると、金属薄膜を構成する結晶粒が異常成長して金属酸化膜を突き破ってしまう場合があった。また、基板が酸化すると、基板の体積が増加してしまい、金属薄膜や金属酸化膜が歪んでしまう場合があった。また、金属薄膜や基板の電気抵抗率が酸化により増加してしまい、これらを電極として使用することが困難になってしまう場合があった。

酸化剤による基板や金属薄膜の酸化を抑制するには、成膜中における基板の温度を下げる方法も考えられる。しかしながら、基板の温度を下げると、成膜速度が低下してしまい、原料ガスの使用効率が悪化してしまう場合がある。また、金属薄膜上に酸化ストロンチウムを数層累積した後に基板を基板処理装置から取り出してアニールすることで、ＳｒＲｕＯ_３膜のような酸化剤の透過を抑制する膜を形成し、その後、再び該基板処理装置内に基板を戻してＡＬＤ法を実施する方法も考えられる。しかしながら、かかる方法では、成膜工程が複雑になってしまうとともに、酸化剤の透過を抑制する膜の形成に別の装置が必要となってしまい、製造コストの増加を招くこととなる。

そこで発明者は、下地の金属薄膜の酸化を抑制する他の方法について鋭意研究を行った。その結果、処理室内へのガスの供給順序を工夫することにより、金属薄膜の酸化を抑制することが可能であるとの知見を得た。本発明は、発明者が得た上述の知見に基づいてなされたものである。以下に、本発明の一実施形態について説明する。

＜本発明の一実施形態＞
（１）基板処理装置の構成
まず、本実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図２、図３を参照しながら説明する。図２は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置のウェハ処理時における断面構成図であり、図３は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置のウェハ搬送時における断面構成図である。

＜処理室＞
図２、図３に示すとおり、本実施形態にかかる基板処理装置は、処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料により構成されている。処理容器２０２内には、基板としてのウェハ２００を処理する処理室２０１が構成されている。

処理室２０１内には、ウェハ２００を支持する支持台２０３が設けられている。ウェハ２００が直接触れる支持台２０３の上面には、例えば、石英（ＳｉＯ_２）、カーボン、セラミックス、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などから構成された支持板としてのサセプタ２１７が設けられている。また、支持台２０３には、処理室２０１内のウェハ２００を加熱する加熱手段としてのヒータ２０６が内蔵されている。なお、支持台２０３の下端部は、処理容器２０２の底部を貫通している。

処理室２０１の外部には、昇降機構２０７ｂが設けられている。この昇降機構２０７ｂを作動（昇降）させることにより、サセプタ２１７上に支持されるウェハ２００を昇降させることが可能となっている。支持台２０３は、ウェハ２００の搬送時には図３で示される位置（ウェハ搬送位置）まで下降し、ウェハ２００の処理時には図２で示される位置（ウェハ処理位置）まで上昇する。なお、支持台２０３の下端部、及び昇降機構２０７ｂの周囲は、ベローズ２０３ａにより覆われており、処理室２０１内は気密に保持されている。

また、処理室２０１の底面（床面）には、例えば３本のリフトピン２０８ｂが鉛直方向に設けられている。また、支持台２０３には、かかるリフトピン２０８ｂを貫通させるための貫通孔２０８ａが、リフトピン２０８ｂに対応する位置にそれぞれ設けられている。そして、支持台２０３をウェハ搬送位置まで下降させた時には、リフトピン２０８ｂの上端部が支持台２０３の上面から突出して、リフトピン２０８ｂがウェハ２００を下方から支持するように構成されている。また、支持台２０３をウェハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０８ｂは支持台２０３の上面から埋没して、支持台２０３上面に設けられたサセプタ２１７がウェハ２００を下方から支持するように構成される。なお、リフトピン２０８ｂは、ウェハ２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナなどの材質で形成することが望ましい。

＜ウェハ搬送口＞
処理室２０１の内壁側面には、処理室２０１の内外にウェハ２００を搬送するためのウェハ搬送口２５０が設けられている。ウェハ搬送口２５０にはゲートバルブ２５１が設けられており、ゲートバルブ２５１を開けることにより、処理室２０１内と搬送室（予備室）２７１内とが連通するように構成されている。搬送室２７１は密閉容器２７２内に形成されており、搬送室２７１内にはウェハ２００を搬送する搬送ロボット２７３が設けられている。搬送ロボット２７３には、ウェハ２００を搬送する際にウェハ２００を支持する搬送アーム２７３ａが備えられている。支持台２０３をウェハ搬送位置まで下降させた状態でゲートバルブ２５１を開くことにより、搬送ロボット２７３により処理室２０１内と搬送室２７１内との間でウェハ２００を搬送することが可能なように構成されている。処理室２０１内に搬送されたウェハ２００は、上述したようにリフトピン２０８ｂ上に一時的に載置される。

＜排気管＞
処理室２０１の内壁側面であって、ウェハ搬送口２５０の反対側には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気口２６０が設けられている。排気口２６０には排気管２６１が接続されており、排気管２６１には、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ（Ａｕ
ｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）等の圧力調整器２６２、原料回収トラップ２６３、及び真空ポンプ２６４が順に直列に接続されている。

＜ガス導入口＞
処理室２０１の上部に設けられる後述のシャワーヘッド２４０の上面（天井壁）には、処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２１０が設けられている。なお、ガス導入口２１０に接続されるガス供給系の構成については後述する。

＜シャワーヘッド＞
ガス導入口２１０と、ウェハ処理位置におけるウェハ２００との間には、ガス分散機構としてのシャワーヘッド２４０が設けられている。シャワーヘッド２４０は、ガス導入口２１０から導入されるガスを分散させるための分散板２４０ａと、分散板２４０ａを通過したガスをさらに均一に分散させて支持台２０３上のウェハ２００の表面に供給するためのシャワー板２４０ｂとを備えている。分散板２４０ａおよびシャワー板２４０ｂには、複数の通気孔が設けられている。分散板２４０ａは、シャワーヘッド２４０の上面及びシャワー板２４０ｂと対向するように配置されており、シャワー板２４０ｂは、支持台２０３上のウェハ２００と対向するように配置されている。なお、シャワーヘッド２４０の上面と分散板２４０ａとの間、および分散板２４０ａとシャワー板２４０ｂとの間には、それぞれ空間が設けられており、かかる空間は、ガス導入口２１０から供給されるガスを分散させるための分散室（第１バッファ空間）２４０ｃ、および分散板２４０ａを通過したガスを拡散させるための第２バッファ空間２４０ｄとしてそれぞれ機能する。

＜排気ダクト＞
処理室２０１の内壁側面には、段差部２０１ａが設けられている。そして、この段差部２０１ａは、コンダクタンスプレート２０４をウェハ処理位置近傍に保持するように構成されている。コンダクタンスプレート２０４は、内周部にウェハ２００を収容する穴が設けられた１枚のドーナツ状（リング状）をした円板として構成されている。コンダクタンスプレート２０４の外周部には、所定間隔を開けて周方向に配列された複数の排出口２０４ａが設けられている。排出口２０４ａは、コンダクタンスプレート２０４の外周部がコンダクタンスプレート２０４の内周部を支えることができるよう、不連続に形成される。

一方、支持台２０３の外周部には、ロワープレート２０５が係止している。ロワープレート２０５は、リング状の凹部２０５ｂと、凹部２０５ｂの内側上部に一体的に設けられたフランジ部２０５ａとを備えている。凹部２０５ｂは、支持台２０３の外周部と、処理室２０１の内壁側面との隙間を塞ぐように設けられる。凹部２０５ｂの底部のうち排気口２６０付近の一部には、凹部２０５ｂ内から排気口２６０側へガスを排出（流通）させるためのプレート排気口２０５ｃが設けられている。フランジ部２０５ａは、支持台２０３の上部外周縁上に係止する係止部として機能する。フランジ部２０５ａが支持台２０３の上部外周縁上に係止することにより、ロワープレート２０５が、支持台２０３の昇降に伴い、支持台２０３と共に昇降されるようになっている。

支持台２０３がウェハ処理位置まで上昇したとき、ロワープレート２０５もウェハ処理位置まで上昇する。その結果、ウェハ処理位置近傍に保持されているコンダクタンスプレート２０４が、ロワープレート２０５の凹部２０５ｂの上面部分を塞ぎ、凹部２０５ｂの内部をガス流路領域とする排気ダクト２５９が形成されることとなる。なお、このとき、排気ダクト２５９（コンダクタンスプレート２０４及びロワープレート２０５）及び支持台２０３によって、処理室２０１内が、排気ダクト２５９よりも上方の処理室上部と、排気ダクト２５９よりも下方の処理室下部と、に仕切られることとなる。なお、コンダクタンスプレート２０４およびロワープレート２０５は、排気ダクト２５９の内壁に堆積する反応生成物をエッチングする場合を考慮して、高温保持が可能な材料、例えば、耐高温高
負荷用石英で構成することが好ましい。

ここで、ウェハ処理時における処理室２０１内のガスの流れについて説明する。まず、ガス導入口２１０からシャワーヘッド２４０の上部へと供給されたガスは、分散室（第１バッファ空間）２４０ｃを経て分散板２４０ａの多数の孔から第２バッファ空間２４０ｄへと入り、さらにシャワー板２４０ｂの多数の孔を通過して処理室２０１内に供給され、ウェハ２００上に均一に供給される。そして、ウェハ２００上に供給されたガスは、ウェハ２００の径方向外側に向かって放射状に流れる。そして、ウェハ２００に接触した後の余剰なガスは、支持台２０３の外周に設けられた排気ダクト２５９上（すなわちコンダクタンスプレート２０４上）を、ウェハ２００の径方向外側に向かって放射状に流れ、排気ダクト２５９上に設けられた排出口２０４ａから、排気ダクト２５９内のガス流路領域内（凹部２０５ｂ内）へと排出される。その後、ガスは排気ダクト２５９内を流れ、プレート排気口２０５ｃを経由して排気口２６０へと排気される。以上の通り、処理室２０１の下部への、すなわち支持台２０３の裏面や処理室２０１の底面側へのガスの回り込みが抑制される。

続いて、上述したガス導入口２１０に接続されるガス供給系の構成について、図１、図７を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の有するガス供給系の構成図であり、図７は、本発明の一実施形態にかかる気化器の概略構成図である。

本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の有するガス供給系は、チタン原料、ストロンチウム原料、およびバリウム原料のうち少なくともいずれか一つの原料を供給する原料供給系と、酸化剤を供給する酸化剤供給系とを備えている。本実施形態にかかる原料供給系は、液体原料を供給する第１液体原料供給源２２０ｓ，第２液体原料供給源２２０ｂ，第３液体原料供給源２２０ｔと、液体原料を気化する気化部２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔと、気化部２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔに液体原料を供給する液体原料供給管２１１ｓ，２１１ｂ，２１１ｔと、気化部２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔにて液体原料を気化させた原料ガスを処理室２０１内に供給する原料ガス供給管２１３とを備えている。また、本実施形態にかかる酸化剤供給系は、酸素（Ｏ_２）ガスを供給する酸素ガス供給源２３０ｏと、酸素ガスから酸化剤としてのオゾン（Ｏ_３）ガスを生成させるオゾナイザ２２９ｏと、オゾナイザ２２９ｏに酸素ガスを供給する酸素ガス供給管２１１ｏと、オゾナイザ２２９ｏにて発生させたオゾンガスを処理室２０１内に供給する酸化剤供給管２１３ｏとを備えている。さらに、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置は、気化部に洗浄液を供給する洗浄液供給管と、パージガス供給管と、ベント（バイパス）管とを備えている。以下に、原料として例えばストロンチウム原料、チタン原料、バリウム原料を供給する原料供給系、酸化剤として例えばオゾンガスを供給する酸化剤供給系の構成等について説明する。

＜原料供給系＞
処理室２０１の外部には、液体原料としてのＳｒ（ストロンチウム）元素を含む有機金属液体原料（以下第１液体原料という）を供給する第１液体原料供給源２２０ｓ、Ｂａ（バリウム）元素を含む有機金属液体原料（以下第２液体原料という）を供給する第２液体原料供給源２２０ｂ、及びＴｉ（チタニウム）元素を含む有機金属液体原料（以下第３液体原料という）を供給する第３液体原料供給源２２０ｔが設けられている。第１液体原料供給源２２０ｓ、第２液体原料供給源２２０ｂ、及び第３液体原料供給源２２０ｔは、内部に液体原料を収容（充填）可能なタンク（密閉容器）としてそれぞれ構成されている。なお、Ｓｒ，Ｂａ，Ｔｉ元素を含む各有機金属液体原料は、例えば、ＥＣＨ（エチルシクロヘキサン）やＴＨＦ（テトラヒドロフラン）などの溶媒（ソルベント）により０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜０．２ｍｏｌ／Ｌに希釈されてから、タンク内にそれぞれ収容される。

ここで、第１液体原料供給源２２０ｓ、第２液体原料供給源２２０ｂ、及び第３液体原料供給源２２０ｔには、第１圧送ガス供給管２３７ｓ、第２圧送ガス供給管２３７ｂ、及び第３圧送ガス供給管２３７ｔがそれぞれ接続されている。第１圧送ガス供給管２３７ｓ、第２圧送ガス供給管２３７ｂ、及び第３圧送ガス供給管２３７ｔの上流側端部には、図示しない圧送ガス供給源が接続されている。また、第１圧送ガス供給管２３７ｓ、第２圧送ガス供給管２３７ｂ、及び第３圧送ガス供給管２３７ｔの下流側端部は、それぞれ第１液体原料供給源２２０ｓ、第２液体原料供給源２２０ｂ、及び第３液体原料供給源２２０ｔ内の上部に存在する空間に連通しており、この空間内に圧送ガスを供給するように構成されている。なお、圧送ガスとしては、液体原料とは反応しないガスを用いることが好ましく、例えばＡｒガス等の不活性ガスが好適に用いられる。

また、第１液体原料供給源２２０ｓ、第２液体原料供給源２２０ｂ、及び第３液体原料供給源２２０ｔには、第１液体原料供給管２１１ｓ、第２液体原料供給管２１１ｂ、及び第３液体原料供給管２１１ｔがそれぞれ接続されている。ここで、第１液体原料供給管２１１ｓ、第２液体原料供給管２１１ｂ、及び第３液体原料供給管２１１ｔの上流側端部は、それぞれ第１液体原料供給源２２０ｓ、第２液体原料供給源２２０ｂ、及び第３液体原料供給源２２０ｔ内に収容した液体原料内に浸されている。また、第１液体原料供給管２１１ｓ、第２液体原料供給管２１１ｂ、及び第３液体原料供給管２１１ｔの下流側端部は、液体原料を気化させる気化部としての気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔにそれぞれ接続されている。なお、第１液体原料供給管２１１ｓ、第２液体原料供給管２１１ｂ、及び第３液体原料供給管２１１ｔには、液体原料の供給流量を制御する流量制御手段としての液体流量コントローラ（ＬＭＦＣ）２２１ｓ，２２１ｂ，２２１ｔと、液体原料の供給を制御する開閉バルブｖｓ１，ｖｂ１，ｖｔ１と、がそれぞれ設けられている。なお、開閉バルブｖｓ１，ｖｂ１，ｖｔ１は、それぞれ気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔの内部に設けられている。

上記構成により、開閉バルブｖｓ１，ｖｂ１，ｖｔ１を開けるとともに、第１圧送ガス供給管２３７ｓ、第２圧送ガス供給管２３７ｂ、及び第３圧送ガス供給管２３７ｔから圧送ガスを供給することにより、第１液体原料供給源２２０ｓ、第２液体原料供給源２２０ｂ、及び第３液体原料供給源２２０ｔから気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔへと液体原料を圧送（供給）することが可能となる。

液体原料を気化する気化部としての気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔは、図７にその詳細構造を示すように、液体原料をヒータ２３ｓ，２３ｂ，２３ｔで加熱して気化させて原料ガスを発生させる気化室２０ｓ，２０ｂ，２０ｔと、この気化室２０ｓ，２０ｂ，２０ｔへ液体原料を吐出するまでの流路である液体原料流路２１ｓ，２１ｂ，２１ｔと、気化室２０ｓ，２０ｂ，２０ｔにて発生させた原料ガスを後述する第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、第３原料ガス供給管２１３ｔへ供給するアウトレットとしての原料ガス供給口２２ｓ，２２ｂ，２２ｔと、を有している。上述の第１液体原料供給管２１１ｓ、第２液体原料供給管２１１ｂ、及び第３液体原料供給管２１１ｔの下流側端部は、それぞれ開閉バルブｖｓ１，ｖｂ１，ｖｔ１を介して液体原料流路２１ｓ，２１ｂ，２１ｔの上流側端部に接続されている。液体原料流路２１ｓ，２１ｂ，２１ｔには、それぞれキャリアガス供給管２４ｓ，２４ｂ，２４ｔが接続されており、気化室２０ｓ，２０ｂ，２０ｔ内にＡｒ等のキャリアガスを供給するように構成されている。

上記の気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔの原料ガス供給口２２ｓ，２２ｂ，２２ｔには、処理室２０１内に原料ガスを供給する第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、及び第３原料ガス供給管２１３ｔの上流側端部がそれぞれ接続されている。第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、及び第３原料ガス供給
管２１３ｔの下流側端部は、合流するように一本化して原料ガス供給管２１３となり、一本化した原料ガス供給管２１３は、ガス導入口２１０に接続されている。なお、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、及び第３原料ガス供給管２１３ｔには、処理室２０１内への原料ガスの供給を制御する開閉バルブｖｓ３，ｖｂ３，ｖｔ３がそれぞれ設けられている。

上記構成により、気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔにて液体原料を気化させて原料ガスを発生させるとともに、開閉バルブｖｓ３，ｖｂ３，ｖｔ３を開けることにより、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、及び第３原料ガス供給管２１３ｔから原料ガス供給管２１３を介して処理室２０１内へと原料ガスを供給することが可能となる。

＜酸化剤供給系＞
また、処理室２０１の外部には、酸素（Ｏ_２）ガスを供給する酸素ガス供給源２３０ｏが設けられている。酸素ガス供給源２３０ｏには、第１酸素ガス供給管２１１ｏの上流側端部が接続されている。第１酸素ガス供給管２１１ｏの下流側端部には、プラズマにより酸素ガスから酸化剤としてのオゾンガスを生成させるオゾナイザ２２９ｏが接続されている。なお、第１酸素ガス供給管２１１ｏには、酸素ガスの供給流量を制御する流量制御手段としての流量コントローラ２２１ｏが設けられている。

オゾナイザ２２９ｏのアウトレットとしてのオゾンガス供給口２２ｏには、酸化剤供給管としてのオゾンガス供給管２１３ｏの上流側端部が接続されている。また、オゾンガス供給管２１３ｏの下流側端部は、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、及び第３原料ガス供給管２１３ｔが合流して一本化した後の原料ガス供給管２１３に合流するように接続されている。すなわち、オゾンガス供給管２１３ｏは、酸化剤としてのオゾンガスを処理室２０１内に供給するように構成されている。なお、オゾンガス供給管２１３ｏには、処理室２０１内へのオゾンガスの供給を制御する開閉バルブｖｏ３が設けられている。

なお、第１酸素ガス供給管２１１ｏの流量コントローラ２２１ｏよりも上流側には、第２酸素ガス供給管２１２ｏの上流側端部が接続されている。また、第２酸素ガス供給管２１２ｏの下流側端部は、オゾンガス供給管２１３ｏの開閉バルブｖｏ３よりも上流側に接続されている。なお、第２酸素ガス供給管２１２ｏには、酸素ガスの供給流量を制御する流量制御手段としての流量コントローラ２２２ｏが設けられている。

上記構成により、オゾナイザ２２９ｏに酸素ガスを供給してオゾンガスを発生させるとともに、開閉バルブｖｏ３を開けることにより、処理室２０１内へオゾンガスを供給することが可能となる。なお、処理室２０１内へのオゾンガスの供給中に、第２酸素ガス供給管２１２ｏから酸素ガスを供給するようにすれば、処理室２０１内へ供給するオゾンガスを酸素ガスにより希釈して、オゾンガス濃度を調整することが可能となる。

＜洗浄液供給管＞
また、処理室２０１の外部には、洗浄液としての溶媒（ソルベント）であるＥＣＨ（エチルシクロヘキサン）を供給する洗浄液供給源２２０ｅが設けられている。洗浄液供給源２２０ｅは、内部に洗浄液を収容（充填）可能なタンク（密閉容器）として構成されている。なお、洗浄液としては、ＥＣＨに限定されず、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）などの溶媒を用いることが出来る。

ここで、洗浄液供給源２２０ｅには、洗浄液圧送ガス供給管２３７ｅが接続されている。洗浄液圧送ガス供給管２３７ｅの上流側端部には、図示しない圧送ガス供給源が接続さ
れている。また、洗浄液圧送ガス供給管２３７ｅの下流側端部は、洗浄液供給源２２０ｅ内の上部に存在する空間に連通しており、この空間内に圧送ガスを供給するように構成されている。なお、圧送ガスとしては、Ａｒガス等の不活性ガスが好適に用いられる。

また、洗浄液供給源２２０ｅには洗浄液供給管２１２が接続されている。洗浄液供給管２１２の上流側端部は洗浄液供給源２２０ｅ内に収容した洗浄液内に浸されている。洗浄液供給管２１２の下流側端部は、３本のライン、すなわち、第１洗浄液供給管２１２ｓ、第２洗浄液供給管２１２ｂ、及び第３洗浄液供給管２１２ｔに分岐するように接続されている。第１洗浄液供給管２１２ｓ、第２洗浄液供給管２１２ｂ、及び第３洗浄液供給管２１２ｔの下流側端部は、気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔの液体原料流路２１ｓ，２１ｂ，２１ｔにそれぞれ接続されている。なお、第１洗浄液供給管２１２ｓ、第２洗浄液供給管２１２ｂ、及び第３洗浄液供給管２１２ｔには、洗浄液の供給流量を制御する流量制御手段としての液体流量コントローラ２２２ｓ，２２２ｂ，２２２ｔと、洗浄液の供給を制御する開閉バルブｖｓ２，ｖｂ２，ｖｔ２とが、それぞれ設けられている。なお、開閉バルブｖｓ２，ｖｂ２，ｖｔ２は、それぞれ気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔの内部に設けられている。

上記構成により、洗浄液圧送ガス供給管２３７ｅから圧送ガスを供給するとともに、開閉バルブｖｓ１，ｖｂ１，ｖｔ１を閉じ、開閉バルブｖｓ２，ｖｂ２，ｖｔ２を開けることにより、気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔの液体原料流路２１ｓ，２１ｂ，２１ｔ内に洗浄液を圧送（供給）して、液体原料流路２１ｓ，２１ｂ，２１ｔ内を洗浄することが可能となる。

＜パージガス供給管＞
また、処理室２０１の外部には、パージガスとしてのＡｒガスを供給するためのＡｒガス供給源２３０ａが設けられている。Ａｒガス供給源２３０ａには、パージガス供給管２１４の上流側端部が接続されている。パージガス供給管２１４の下流側端部は、４本のライン、すなわち、第１パージガス供給管２１４ｓ、第２パージガス供給管２１４ｂ、第３パージガス供給管２１４ｔ、及び第４パージガス供給管２１４ｏに分岐するように接続されている。第１パージガス供給管２１４ｓ、第２パージガス供給管２１４ｂ、第３パージガス供給管２１４ｔ、及び第４パージガス供給管２１４ｏの下流側端部は、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、第３原料ガス供給管２１３ｔ、及びオゾンガス供給管２１３ｏの開閉バルブｖｓ３，ｖｂ３，ｖｔ３，ｖｏ３の下流側にそれぞれ接続されている。なお、第１パージガス供給管２１４ｓ、第２パージガス供給管２１４ｂ、第３パージガス供給管２１４ｔ、及び第４パージガス供給管２１４ｏには、Ａｒガスの供給流量を制御する流量制御手段としての流量コントローラ２２４ｓ，２２４ｂ，２２４ｔ，２２４ｏと、Ａｒガスの供給を制御する開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４とが、それぞれ設けられている。

＜ベント（バイパス）管＞
また、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、第３原料ガス供給管２１３ｔ、及びオゾンガス供給管２１３ｏの開閉バルブｖｓ３，ｖｂ３，ｖｔ３，ｖｏ３の上流側には、第１ベント管２１５ｓ、第２ベント管２１５ｂ、第３ベント管２１５ｔ、第４ベント管２１５ｏの上流側端部がそれぞれ接続されている。また、第１ベント管２１５ｓ、第２ベント管２１５ｂ、第３ベント管２１５ｔ、第４ベント管２１５ｏの下流側端部は合流するように一本化してベント管２１５となり、ベント管２１５は排気管２６１の原料回収トラップ２６３よりも上流側に接続されている。第１ベント管２１５ｓ、第２ベント管２１５ｂ、第３ベント管２１５ｔ、第４ベント管２１５ｏには、ガスの供給を制御するための開閉バルブｖｓ５，ｖｂ５，ｖｔ５，ｖｏ５がそれぞれ設けられている。

上記構成により、開閉バルブｖｓ３，ｖｂ３，ｖｔ３，ｖｏ３を閉め、開閉バルブｖｓ５，ｖｂ５，ｖｔ５，ｖｏ５を開けることで、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、第３原料ガス供給管２１３ｔ、及びオゾンガス供給管２１３ｏ内を流れるガスを、処理室２０１内に供給することなく処理室２０１をバイパスさせ、処理室２０１外へとそれぞれ排気することが可能となる。

また、第１パージガス供給管２１４ｓ、第２パージガス供給管２１４ｂ、第３パージガス供給管２１４ｔ、及び第４パージガス供給管２１４ｏの開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４よりも上流側であって流量コントローラ２２４ｓ，２２４ｂ，２２４ｔ，２２４ｏよりも下流側には、第５ベント管２１６ｓ、第６ベント管２１６ｂ、第７ベント管２１６ｔ、第８ベント管２１６ｏがそれぞれ接続されている。また、第５ベント管２１６ｓ、第６ベント管２１６ｂ、第７ベント管２１６ｔ、第８ベント管２１６ｏの下流側端部は合流するように一本化してベント管２１６となり、ベント管２１６は排気管２６１の原料回収トラップ２６３よりも下流側であって真空ポンプ２６４よりも上流側に接続されている。第５ベント管２１６ｓ、第６ベント管２１６ｂ、第７ベント管２１６ｔ、第８ベント管２１６ｏには、ガスの供給を制御するための開閉バルブｖｓ６，ｖｂ６，ｖｔ６，ｖｏ６がそれぞれ設けられている。

上記構成により、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４を閉め、開閉バルブｖｓ６，ｖｂ６，ｖｔ６，ｖｏ６を開けることで、第１パージガス供給管２１４ｓ、第２パージガス供給管２１４ｂ、第３パージガス供給管２１４ｔ、及び第４パージガス供給管２１４ｏ内を流れるＡｒガスを、処理室２０１内に供給することなく処理室２０１をバイパスさせ、処理室２０１外へとそれぞれ排気することが可能となる。なお、開閉バルブｖｓ３，ｖｂ３，ｖｔ３，ｖｏ３を閉め、開閉バルブｖｓ５，ｖｂ５，ｖｔ５，ｖｏ５を開けることで、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、第３原料ガス供給管２１３ｔ、及びオゾンガス供給管２１３ｏ内を流れるガスを、処理室２０１内に供給することなく処理室２０１をバイパスさせ、処理室２０１外へとそれぞれ排気する場合には、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４を開けることにより、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、第３原料ガス供給管２１３ｔ、及びオゾンガス供給管２１３ｏ内にＡｒガスを導入して、各原料ガス供給管内をパージするように設定されている。また、開閉バルブｖｓ６，ｖｂ６，ｖｔ６，ｖｏ６は、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４と逆動作を行うように設定されており、Ａｒガスを各原料ガス供給管内に供給しない場合には、処理室２０１をバイパスしてＡｒガスを排気するようになっている。

＜コントローラ＞
なお、本実施形態にかかる基板処理装置は、基板処理装置の各部の動作を制御するコントローラ２８０を有している。コントローラ２８０は、ゲートバルブ２５１、昇降機構２０７ｂ、搬送ロボット２７３、ヒータ２０６、圧力調整器（ＡＰＣ）２６２、気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔ、オゾナイザ２２９ｏ、真空ポンプ２６４、開閉バルブｖｓ１〜ｖｓ６，ｖｂ１〜ｖｂ６，ｖｔ１〜ｖｔ６，ｖｏ３〜ｖｏ６、液体流量コントローラ２２１ｓ，２２１ｂ，２２１ｔ、２２２ｓ、２２２ｂ、２２２ｔ、流量コントローラ２２４ｓ，２２４ｂ，２２４ｔ，２２１ｏ，２２２ｏ，２２４ｏ等の動作を制御する。

以上、述べたように、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が構成される。

（２）基板処理工程
続いて、本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造工程の一工程として、上述の基板処理装置を用いて、ＡＬＤ法により例えばストロンチウム、チタンを含む金属酸化膜としてのＳＴＯ（ＳｒＴｉＯ_３）膜を形成する基板処理工程について、図４、図６を参照し
ながら説明する。図４は、本発明の一実施形態にかかる基板処理工程のフロー図である。また、図６（ａ）は、本発明の一実施形態にかかる酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜が形成されたウェハの断面構成図であり、（ｂ）は、従来のＡＬＤ法により酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜が形成されたウェハの断面構成図である。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ２８０によって制御される。

＜基板搬入工程（Ｓ１）、基板載置工程（Ｓ２）＞
まず、昇降機構２０７ｂを作動させ、支持台２０３を、図３に示すウェハ搬送位置まで下降させる。そして、ゲートバルブ２５１を開き、処理室２０１と搬送室２７１とを連通させる。そして、搬送ロボット２７３により、搬送室２７１内から処理室２０１内へ処理対象のウェハ２００を搬送アーム２７３ａで支持した状態で搬入する（Ｓ１）。なお、ウェハ２００の表面には例えばＳｉＯ_２等の酸化膜が形成され、かかる酸化膜上には、例えば金属薄膜としてのルテニウム（Ｒｕ）薄膜が予め形成されている。ルテニウム薄膜は、後述する工程において、金属酸化膜としてのＳＴＯ膜を形成する下地となる。処理室２０１内に搬入したウェハ２００は、支持台２０３の上面から突出しているリフトピン２０８ｂ上に一時的に載置される。搬送ロボット２７３の搬送アーム２７３ａが処理室２０１内から搬送室２７１内へ戻ると、ゲートバルブ２５１が閉じられる。

続いて、昇降機構２０７ｂを作動させ、支持台２０３を、図２に示すウェハ処理位置まで上昇させる。その結果、リフトピン２０８ｂは支持台２０３の上面から埋没し、ウェハ２００は、支持台２０３上面のサセプタ２１７上に載置される（Ｓ２）。

＜圧力調整工程（Ｓ３）、昇温工程（Ｓ４）＞
続いて、圧力調整器（ＡＰＣ）２６２により、処理室２０１内の圧力が所定の処理圧力となるように制御する（Ｓ３）。また、ヒータ２０６に供給する電力を調整し、ウェハ２００の表面温度が所定の処理温度となるように制御する（Ｓ４）。

なお、基板搬入工程（Ｓ１）、基板載置工程（Ｓ２）、圧力調整工程（Ｓ３）、及び昇温工程（Ｓ４）においては、真空ポンプ２６４を作動させつつ、開閉バルブｖｓ３，ｖｂ３，ｖｔ３，ｖｏ３を閉じ、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４を開けることで、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておく。これにより、ウェハ２００上へのパーティクルの付着を抑制することが可能となる。

工程Ｓ１〜Ｓ４と並行して、第３液体原料（Ｔｉ元素を含む有機金属液体原料）を気化させた原料ガス（以下、第３原料ガスという）を予め生成（予備気化）させておく。すなわち、開閉バルブｖｔ２を閉じ、開閉バルブｖｔ１を開けるとともに、第３圧送ガス供給管２３７ｔから圧送ガスを供給して、第３液体原料供給源２２０ｔから気化器２２９ｔへと第３液体原料を供給させ、気化器２２９ｔにて第３液体原料を気化させて、第３原料ガスを生成させておく。工程Ｓ１〜Ｓ４では、真空ポンプ２６４を作動させつつ、開閉バルブｖｔ３を閉めたまま、開閉バルブｖｔ５を開けることにより、第３原料ガスを処理室２０１内に供給することなく処理室２０１をバイパスして排気しておく。なお、この予備気化工程の実施と同時に、開閉バルブｖｓ２を開き、気化器２２９ｓの液体原料流路２１ｓ内の洗浄を開始する。なお、洗浄方法の詳細については後述する。

また、工程Ｓ１〜Ｓ４と並行して、酸化剤としてのオゾンガスを予め生成させておく。すなわち、酸素ガス供給源２３０ｏからオゾナイザ２２９ｏへと酸素ガスを供給して、オゾナイザ２２９ｏにてオゾンガスを生成させておく。この際、真空ポンプ２６４を作動させつつ、開閉バルブｖｏ３を閉めたまま、開閉バルブｖｏ５を開けることにより、オゾンガスを処理室２０１内に供給することなく処理室２０１をバイパスして排気しておく。

気化器２２９ｓにて第３原料ガスを安定して生成させたり、あるいはオゾナイザ２２９ｏにてオゾンガスを安定して生成させたりするには所定の時間を要する。このため、本実施形態では、第３原料ガスあるいはオゾンガスを予め生成させておき、開閉バルブｖｔ３，ｖｔ５，ｖｏ３，ｖｏ５の開閉を切り替えることにより、第３原料ガスやオゾンガスの流路を切り替える。その結果、開閉バルブの切り替えにより、処理室２０１内への第３原料ガスやオゾンガスの安定した供給を迅速に開始あるいは停止できるようになり、好ましい。

＜二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）＞
続いて、ウェハ２００上に二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の層を数層形成する工程（Ｓ５）を実施する。二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）においては、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の層をＡＬＤ法により形成する。具体的には、ウェハ２００が搬入された処理室２０１内に、チタン原料としての第３原料ガスと、酸化剤としてのオゾンガスとを交互に供給することでウェハ２００の表面に形成されたルテニウム薄膜上に二酸化チタンの層を形成する。

まず、真空ポンプ２６４を作動させたまま、開閉バルブｖｔ４，ｖｔ５を閉じ、開閉バルブｖｔ３を開けて、処理室２０１内への第３原料ガスの供給を開始する（Ｓ５ａ）。第３原料ガスは、シャワーヘッド２４０により分散されて処理室２０１内のウェハ２００上に均一に供給されて、ウェハ２００表面に第３原料ガスのガス分子が吸着する。余剰な第３原料ガスは、排気ダクト２５９内を流れ、排気口２６０へと排気される。なお、処理室２０１内への第３原料ガスの供給時には、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、オゾンガス供給管２１３ｏ内への第３原料ガスの侵入を防止するように、また、処理室２０１内における第３原料ガスの拡散を促すように、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておくことが好ましい。

開閉バルブｖｔ３を開け、第３原料ガスの供給を開始した後、所定時間が経過したら、開閉バルブｖｔ３を閉じ、開閉バルブｖｔ４，ｖｔ５を開けて、処理室２０１内への第３原料ガスの供給を停止する。また、同時に、開閉バルブｖｔ１を閉めて、気化器２２９ｔへの第３液体原料の供給も停止する。

ここで、開閉バルブｖｔ３を閉め、第３原料ガスの供給を停止した後は、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておく。これにより、処理室２０１内に残留している第３原料ガスを除去し、処理室２０１内をＡｒガスによりパージする（Ｓ５ｂ）。

また、開閉バルブｖｔ１を閉め、第３液体原料の供給を停止した後は、気化器２２９ｔ内の洗浄を開始する。すなわち、洗浄液圧送ガス供給管２３７ｅから圧送ガスを供給するとともに、開閉バルブｖｔ１を閉じたまま、開閉バルブｖｔ２を開け、気化器２２９ｔの液体原料流路２１ｔ内に洗浄液を供給して、液体原料流路２１ｔ内を洗浄する。このとき開閉バルブｖｔ１，ｖｔ３は閉、開閉バルブｖｔ２，ｖｔ５は開とされるので、液体原料流路２１ｔ内に供給された洗浄液は、液体原料流路２１ｔ内を洗浄した後、気化室２０ｔ内へ供給されて気化される。このとき、液体原料流路２１ｔ内に残留していた第３液体原料及び溶媒も一緒に気化室２０ｔ内へ供給されて気化される。そして、気化された洗浄液、第３液体原料、及び溶媒は、第３原料ガス供給管２１３ｔを通り、処理室２０１内へ供給されることなく、ベント管２１５ｔより処理室２０１をバイパスして排気される。なお、気化器２２９ｔの液体原料流路２１ｔ内の洗浄は、例えば、次回の気化器２２９ｔへの第３液体原料の供給開始時まで（次回の工程Ｓ５ａの開始まで）継続させる。

処理室２０１内のパージが完了したら、開閉バルブｖｏ４，ｖｏ５を閉じ、開閉バルブｖｏ３を開けて、処理室２０１内へのオゾンガスの供給を開始する（Ｓ５ｃ）。オゾンガスは、シャワーヘッド２４０により分散されて処理室２０１内のウェハ２００上に均一に供給され、ウェハ２００表面に吸着している第３原料ガスのガス分子と反応して、ウェハ２００上にＴｉ元素を含む薄膜としてＴｉＯ_２膜を生成する。余剰なオゾンガスや反応副生成物は、排気ダクト２５９内を流れ、排気口２６０へと排気される。なお、処理室２０１内へのオゾンガスの供給時には、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、第３原料ガス供給管２１３ｔ内へのオゾンガスの侵入を防止するように、また、処理室２０１内におけるオゾンガスの拡散を促すように、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておくことが好ましい。

開閉バルブｖｏ３を開け、オゾンガスの供給を開始した後、所定時間が経過したら、開閉バルブｖｏ３を閉じ、開閉バルブｖｏ４，ｖｏ５を開けて、処理室２０１内へのオゾンガスの供給を停止する。

開閉バルブｖｏ３を閉め、オゾンガスの供給を停止した後は、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておく。これにより、処理室２０１内に残留しているオゾンガスや反応副生成物を除去し、処理室２０１内をＡｒガスによりパージする（Ｓ５ｄ）。

上述した工程Ｓ５ａ〜Ｓ５ｄを１サイクルとして、このサイクルを所定回数繰り返すことにより、図６（ａ）に示すように、ウェハ２００上に形成されたルテニウム薄膜上に二酸化チタンの層を数層（例えば５層）形成する。かかる二酸化チタンの層は、酸化剤としてのオゾンガスの透過を抑制する。すなわち、後述する酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と二酸化チタン（ＴｉＯ_２）とを含む積層膜を形成する工程（Ｓ６）において、酸化剤としてのオゾンガスが、既に形成された積層膜を透過してウェハ２００やルテニウム薄膜を酸化させることを抑制するように機能する。

なお、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）と並行して、第１液体原料（Ｓｒ元素を含む有機金属液体原料）を気化させた原料ガス（以下、第１原料ガスという）を生成（予備気化）させておく。すなわち、開閉バルブｖｓ２を閉めたまま、開閉バルブｖｓ１を開けるとともに、第１圧送ガス供給管２３７ｓから圧送ガスを供給して、第１液体原料供給源２２０ｓから気化器２２９ｓへと第１液体原料を圧送（供給）させ、気化器２２９ｓにて第１液体原料を気化させて第１原料ガスを生成させておく。二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）では、真空ポンプ２６４を作動させつつ、開閉バルブｖｓ３を閉めたまま、開閉バルブｖｓ５を開けることにより、第１原料ガスを処理室２０１内に供給することなく処理室２０１をバイパスして排気しておく。このように、第１原料ガスを予め生成させておき、後述の酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と二酸化チタン（ＴｉＯ_２）とを含む積層膜を形成する工程（Ｓ６）において開閉バルブｖｓ３，ｖｓ５の開閉を切り替えることで、第１原料ガスの流路を切り替える。これにより、後述する酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と二酸化チタン（ＴｉＯ_２）とを含む積層膜を形成する工程（Ｓ６）において、処理室２０１内への第１原料ガスの安定した供給を迅速に開始あるいは停止できるようになり、好ましい。

なお、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）におけるウェハ２００の処理条件としては、例えば、
処理温度：２００〜４００℃、好ましくは２５０〜４００℃
処理圧力：１０〜１０００Ｐａ、好ましくは１０〜５００Ｐａ
第３液体原料（Ｔｉ（Ｃ_６Ｏ_２Ｈ_１１）（Ｃ_１１Ｏ_２Ｈ_１９）_２（略称；Ｔｉ（ＭＰＤ
）（ＴＨＤ）_２）０．１ｍｏｌ／ＬＥＣＨ希釈）供給流量：０．０１〜０．５ｃｃ／ｍｉｎ、
酸化剤（オゾンガス）供給流量：５００〜２０００ｓｃｃｍ（オゾン濃度２０〜２００ｇ／Ｎｍ^３）
洗浄液（ＥＣＨ）供給流量：０．０５〜０．５ｃｃ／ｍｉｎ
膜厚：１２〜１５ｎｍ（１２０〜１５０Å）
サイクル数：５サイクル
が例示される。それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内でのある値で一定に維持することで、図６（ａ）に示すように、ウェハ２００上に形成されたルテニウム薄膜上に二酸化チタンの層が数層（例えば５層）形成される。なお、本実施形態では、各液体原料を希釈する溶媒、および洗浄液として、同一の物質（ＥＣＨ）を用いている。

＜積層膜を形成する工程（Ｓ６）＞
続いて、積層膜を形成する工程（Ｓ６）を実施する。本工程においては、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と二酸化チタン（ＴｉＯ_２）とを含む積層膜をＡＬＤ法により形成する。具体的には、処理室２０１内にストロンチウム原料としての第１原料ガス及び酸化剤としてのオゾンガスを供給する工程（Ｓ６１ａ〜Ｓ６１ｄ）と、チタン原料としての第３原料ガス及び酸化剤としてのオゾンガスを供給する工程（Ｓ６２ａ〜Ｓ６２ｄ）とを１サイクルとして、このサイクルを繰り返すことにより、酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する。以下に、これらの工程を順に説明する。

まず、第１原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６１ａ〜Ｓ６１ｄ）を実施する。

第１原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６１ａ〜Ｓ６１ｄ）では、まず、真空ポンプ２６４を作動させたまま、開閉バルブｖｓ４，ｖｓ５を閉じ、開閉バルブｖｓ３を開けて、処理室２０１内への第１原料ガスの供給を開始する（Ｓ６１ａ）。第１原料ガスは、シャワーヘッド２４０により分散されて処理室２０１内のウェハ２００上に均一に供給されて、ウェハ２００表面に第１原料ガスのガス分子が吸着する。余剰な第１原料ガスは、排気ダクト２５９内を流れ、排気口２６０へと排気される。なお、処理室２０１内への第１原料ガスの供給時には、第２原料ガス供給管２１３ｂ、第３原料ガス供給管２１３ｔ、オゾンガス供給管２１３ｏ内への第１原料ガスの侵入を防止するように、また、処理室２０１内における第１原料ガスの拡散を促すように、開閉バルブｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておくことが好ましい。

開閉バルブｖｓ３を開け、第１原料ガスの供給を開始した後、所定時間が経過したら、開閉バルブｖｓ３を閉じ、開閉バルブｖｓ４，ｖｓ５を開けて、処理室２０１内への第１原料ガスの供給を停止する。また、同時に、開閉バルブｖｓ１を閉めて、気化器２２９ｓへの第１液体原料の供給も停止する。

ここで、開閉バルブｖｓ３を閉め、第１原料ガスの供給を停止した後は、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておく。これにより、処理室２０１内に残留している第１原料ガスを除去し、処理室２０１内をＡｒガスによりパージする（Ｓ６１ｂ）。

また、開閉バルブｖｓ１を閉め、第１液体原料の供給を停止した後は、気化器２２９ｓ内の洗浄を開始する。すなわち、洗浄液圧送ガス供給管２３７ｅから圧送ガスを供給するとともに、開閉バルブｖｓ１を閉じたまま、開閉バルブｖｓ２を開け、気化器２２９ｓの液体原料流路２１ｓ内に洗浄液を供給して、液体原料流路２１ｓ内を洗浄する。このとき開閉バルブｖｓ１，ｖｓ３は閉、開閉バルブｖｓ２，ｖｓ５は開とされるので、液体原料
流路２１ｓ内に供給された洗浄液は、液体原料流路２１ｓ内を洗浄した後、気化室２０ｓ内へ供給されて気化される。このとき、液体原料流路２１ｓ内に残留していた第１液体原料及び溶媒も一緒に気化室２０ｓ内へ供給されて気化される。そして、気化された洗浄液、第１液体原料、及び溶媒は、第１原料ガス供給管２１３ｓを通り、処理室２０１内へ供給されることなく、ベント管２１５ｓより処理室２０１をバイパスして排気される。なお、気化器２２９ｓの液体原料流路２１ｓ内の洗浄は、例えば、次回の気化器２２９ｓへの第１液体原料の供給開始時まで（次回の工程Ｓ６１ａの開始まで）継続させる。

処理室２０１内のパージが完了したら、開閉バルブｖｏ４，ｖｏ５を閉じ、開閉バルブｖｏ３を開けて、処理室２０１内へのオゾンガスの供給を開始する（Ｓ６１ｃ）。オゾンガスは、シャワーヘッド２４０により分散されて処理室２０１内のウェハ２００上に均一に供給され、ウェハ２００表面に吸着している第１原料ガスのガス分子と反応して、図６（ａ）に示すように、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）にて形成した二酸化チタンの層上に、Ｓｒ元素を含む薄膜としてＳｒＯ膜を生成する。余剰なオゾンガスや反応副生成物は、排気ダクト２５９内を流れ、排気口２６０へと排気される。なお、処理室２０１内へのオゾンガスの供給時には、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、第３原料ガス供給管２１３ｔ内へのオゾンガスの侵入を防止するように、また、処理室２０１内におけるオゾンガスの拡散を促すように、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておくことが好ましい。

開閉バルブｖｏ３を閉め、オゾンガスの供給を停止した後は、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておく。これにより、処理室２０１内に残留しているオゾンガスや反応副生成物を除去し、処理室２０１内をＡｒガスによりパージする（Ｓ６１ｄ）。

なお、第１原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６１ａ〜Ｓ６１ｄ）においては、上述したように、第３液体原料を気化させた第３原料ガスを予め生成（予備気化）させておく。これにより、第３原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６２ａ〜Ｓ６２ｄ）において処理室２０１内への第３原料ガスの安定した供給を迅速に開始あるいは停止できるようになり、好ましい。

続いて、第３原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６２ａ〜Ｓ６２ｄ）を実施する。

第３原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６２ａ〜Ｓ６２ｄ）では、まず、真空ポンプ２６４を作動させたまま、開閉バルブｖｔ４，ｖｔ５を閉じ、開閉バルブｖｔ３を開けて、処理室２０１内への第３原料ガスの供給を開始する（Ｓ６２ａ）。第３原料ガスは、シャワーヘッド２４０により分散されて処理室２０１内のウェハ２００上に均一に供給されて、ウェハ２００表面に第３原料ガスのガス分子が吸着する。余剰な第３原料ガスは、排気ダクト２５９内を流れ、排気口２６０へと排気される。なお、処理室２０１内への第３原料ガスの供給時には、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、オゾンガス供給管２１３ｏ内への第３原料ガスの侵入を防止するように、また、処理室２０１内における第３原料ガスの拡散を促すように、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておくことが好ましい。

ここで、開閉バルブｖｔ３を閉め、第３原料ガスの供給を停止した後は、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておく。これにより、処理室２０１内に残留している第３原料ガスを除去し、処理室２０１内をＡｒガスによりパージする（Ｓ６２ｂ）。

また、開閉バルブｖｔ１を閉め、第３液体原料の供給を停止した後は、気化器２２９ｔ内の洗浄を開始する。すなわち、洗浄液圧送ガス供給管２３７ｅから圧送ガスを供給するとともに、開閉バルブｖｔ１を閉じたまま、開閉バルブｖｔ２を開け、気化器２２９ｔの液体原料流路２１ｔ内に洗浄液を供給して、液体原料流路２１ｔ内を洗浄する。このとき開閉バルブｖｔ１，ｖｔ３は閉、開閉バルブｖｔ２，ｖｔ５は開とされるので、液体原料流路２１ｔ内に供給された洗浄液は、液体原料流路２１ｔ内を洗浄した後、気化室２０ｔ内へ供給されて気化される。このとき、液体原料流路２１ｔ内に残留していた第３液体原料及び溶媒も一緒に気化室２０ｔ内へ供給されて気化される。そして、気化された洗浄液、第３液体原料、及び溶媒は、第３原料ガス供給管２１３ｔを通り、処理室２０１内へ供給されることなく、ベント管２１５ｔより処理室２０１をバイパスして排気される。なお、気化器２２９ｔの液体原料流路２１ｔ内の洗浄は、例えば、次回の気化器２２９ｔへの第３液体原料の供給開始時まで（次回の工程Ｓ６２ａの開始まで）継続させる。

処理室２０１内のパージが完了したら、開閉バルブｖｏ４，ｖｏ５を閉じ、開閉バルブｖｏ３を開けて、処理室２０１内へのオゾンガスの供給を開始する（Ｓ６２ｃ）。オゾンガスは、シャワーヘッド２４０により分散されて処理室２０１内のウェハ２００上に均一に供給され、ウェハ２００表面に吸着している第３原料ガスのガス分子と反応して、ウェハ２００上にＴｉ元素を含む薄膜としてＴｉＯ_２膜を生成する。余剰なオゾンガスや反応副生成物は、排気ダクト２５９内を流れ、排気口２６０へと排気される。なお、処理室２０１内へのオゾンガスの供給時には、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、第３原料ガス供給管２１３ｔ内へのオゾンガスの侵入を防止するように、また、処理室２０１内におけるオゾンガスの拡散を促すように、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておくことが好ましい。

開閉バルブｖｏ３を閉め、オゾンガスの供給を停止した後は、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておく。これにより、処理室２０１内に残留しているオゾンガスや反応副生成物を除去し、処理室２０１内をＡｒガスによりパージする（Ｓ６２ｄ）。

上述した第１原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６１ａ〜Ｓ６１ｄ）と第３原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６２ａ〜Ｓ６２ｄ）とを１サイクルとして、このサイクルを所定回数繰り返すことにより、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）にて形成した二酸化チタンの層の上に、酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む所望の膜厚の積層膜を形成する。

なお、積層膜を形成する工程（Ｓ６）におけるウェハ２００の処理条件としては、例え
ば、
処理温度：２００〜４００℃、好ましくは２５０〜４００℃、
処理圧力：１０〜１０００Ｐａ、好ましくは１０〜５００Ｐａ、
第１液体原料（Ｓｒ（Ｃ_１４Ｏ_４Ｈ_２５）_２（略称；Ｓｒ（ＭＥＴＨＤ）_２）０．１ｍｏｌ／ＬＥＣＨ希釈）供給流量：０．０１〜０．５ｃｃ／ｍｉｎ、
第３液体原料（Ｔｉ（Ｃ_６Ｏ_２Ｈ_１１）（Ｃ_１１Ｏ_２Ｈ_１９）_２（略称；Ｔｉ（ＭＰＤ）（ＴＨＤ）_２）０．１ｍｏｌ／ＬＥＣＨ希釈）供給流量：０．０１〜０．５ｃｃ／ｍｉｎ、
酸化剤（オゾンガス）供給流量：５００〜２０００ｓｃｃｍ（オゾン濃度２０〜２００ｇ／Ｎｍ^３）、
洗浄液（ＥＣＨ）供給流量：０．０５〜０．５ｃｃ／ｍｉｎ、
膜厚：３〜５ｎｍ（３０〜５０Å）、
サイクル数：６０〜５００サイクル
が例示される。それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内でのある値で一定に維持することで、図６（ａ）に示すように、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）にて形成した二酸化チタンの層の上に、酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む所望の膜厚の積層膜が形成される。なお、積層膜を形成する工程（Ｓ６）においては、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）にて形成した二酸化チタンの層が、オゾンガスの透過を抑制するブロック層（バリア層）として機能するため、ルテニウム薄膜やウェハ２００の酸化が抑制される。なお、本実施形態では、各液体原料を希釈する溶媒、および洗浄液として、同一の物質（ＥＣＨ）を用いている。

なお、金属酸化膜の形成工程をＡＬＤ法により行う場合、原料ガスが自己分解しない程度の温度帯となるように処理温度を制御する。この場合、第１原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６１ａ〜Ｓ６１ｄ）、第３原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６２ａ〜Ｓ６２ｄ）において各原料ガスを供給する際には、原料ガスは熱分解することなくウェハ２００上に吸着する。また、オゾンガスを供給する際には、ウェハ２００上に吸着している原料ガス分子とオゾンガスとが反応することにより、ウェハ２００上に１原子層未満（１Å未満）程度の薄膜が形成される。なお、このとき、オゾンガスにより薄膜中に混入するＣ，Ｈ等の不純物を脱離させることが出来る。

＜基板搬出工程（Ｓ７）＞
その後、上述した基板搬入工程（Ｓ１）、基板載置工程（Ｓ２）に示した手順とは逆の手順により、所望膜厚の薄膜を形成した後のウェハ２００を処理室２０１内から搬送室２７１内へ搬出して、本実施形態にかかる基板処理工程を完了する。

＜結晶化工程（Ｓ８）＞
その後、上述の搬出したウェハ２００を別のアニール装置内に搬入してアニールする。そして、ルテニウム薄膜上に形成した二酸化チタンの層、及び酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を結晶化させ、誘電率の高いチタン酸ストロンチウム膜（ＳＴＯ膜）、すなわちＳｒＴｉＯ_３薄膜を形成する。なお、アニール処理により二酸化チタンと酸化ストロンチウムとを含む積層膜はチタン酸ストロンチウム膜（ＳＴＯ膜）となるが、その際に、ルテニウム薄膜上に形成した二酸化チタンの層も流動してチタン酸ストロンチウム膜（ＳＴＯ膜）となる。

なお、結晶化工程（Ｓ８）におけるウェハ２００の処理条件としては、例えば、
処理温度：３００〜６００℃
処理圧力：５０〜２０００Ｐａ
処理ガス：（ＡｒまたはＮ_２）供給流量：０．５〜５０００ｓｃｃｍ、
処理時間：１〜６０分
が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内でのある値で一定に維持することで、ルテニウム薄膜上に形成した二酸化チタンの層、及び酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜が結晶化する。

（３）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又はそれ以上の効果を奏する。

本実施形態によれば、積層膜を形成する工程（Ｓ６）にて酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する前に、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）にてルテニウム薄膜上に二酸化チタンの層を数層形成している。チタンはルテニウムとは化合物を作らないため、二酸化チタンの層内にはルテニウムは入り込みにくい。そのため、二酸化チタンの層が十分に緻密であれば、二酸化チタンの層は、ルテニウム薄膜と酸化剤とを物理的に分離し、オゾンガスの透過を抑制するブロック層（バリア層）として機能する。そのため、下地であるルテニウム薄膜やウェハ２００の酸化を抑制することが可能となる。

なお、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）にて、二酸化チタンの層の代わりに酸化ストロンチウムの層を数層形成した場合にも、酸化剤の透過を抑制するブロック効果が得られるとも考えられる。しかしながら、ルテニウムとストロンチウムとは酸化剤と反応してＳｒＲｕＯ_３を生成する。すなわち、酸化ストロンチウムの層は、ルテニウムと反応して化合物を生成する物性を有しており、ルテニウムを取り込みやすく、酸化剤の透過を抑制する効果が比較的弱い。ＳｒＲｕＯ_３の層において酸化剤の透過を抑制するブロック効果をより高めるには、ＳｒＲｕＯ_３を結晶化させて緻密化させる必要があるため、工程が複雑になるとともにコストが増加する。これに対し、本実施形態によれば、二酸化チタンの層を結晶化させて緻密化させることなく酸化剤の透過を抑制するブロック効果を得られるため、基板処理のコストを低減させることが可能となる。

本実施形態によれば、積層膜を形成する工程（Ｓ６）におけるウェハ２００の処理条件としては、処理温度を例えば２００〜４００℃、好ましくは２５０〜４００℃とすることができる。そのため、成膜速度を低下させることなく、酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成することが可能となる。

本実施形態によれば、下地のルテニウム薄膜やウェハ２００の酸化を抑制するためには、処理室２０１内へのガスの供給順序を上述した順序に制御するだけでよい。すなわち、酸化剤の透過を抑制するブロック層（バリア層）を形成するための装置を別途用意する必要がなく、既存の基板処理装置を流用することが可能であり、基板処理装置の製造コストを低減させることが可能となる。

本実施形態によれば、ルテニウム薄膜上に形成する二酸化チタンの層は数層（例えば５層）である。そのため、ルテニウム薄膜上に形成した二酸化チタンの層は、結晶化工程（Ｓ８）を実施することで流動し、チタン酸ストロンチウムとなる。そのため、ルテニウム薄膜とチタン酸ストロンチウム膜（ＳＴＯ膜）の界面付近に二酸化チタンが偏在したり残留したりすることを抑制できる。

＜本発明の他の実施形態＞
本実施形態においては、積層膜を形成する工程（Ｓ６）において、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）にて形成した二酸化チタンの層の上に、酸化バリウム（ＢａＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と二酸化チタン（ＴｉＯ_２）とを含む積層膜をＡＬＤ法により形成する点が上述の実施形態と異なる。具体的には、処理室２０１内にストロンチウム原料としての第１原料ガス及び酸化剤としてのオゾンガスを供給する工程（Ｓ６１
ａ〜Ｓ６１ｄ）と、チタン原料としての第３原料ガス及び酸化剤としてのオゾンガスを供給する工程（Ｓ６２ａ〜Ｓ６２ｄ）と、バリウム原料としての第２原料ガス及び酸化剤としてのオゾンガスを供給する工程（Ｓ６３ａ〜Ｓ６３ｄ）と、チタン原料としての第３原料ガス及び酸化剤としてのオゾンガスを供給する工程（Ｓ６４ａ〜Ｓ６４ｄ）と、を１サイクルとして、このサイクルを繰り返すことにより、酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する点が上述の実施形態と異なる。その他は、上述の実施形態と同様である。

以下に、本実施形態にかかる積層膜を形成する工程（Ｓ６）について、図５を参照しながら説明する。図５は、本発明の他の実施形態にかかる基板処理工程のフロー図である。

まず、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）を実施した後、第１原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６１ａ〜Ｓ６１ｄ）、第３原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６２ａ〜Ｓ６２ｄ）を順に実施する。これらの各工程は、上述の実施形態と同一である。

なお、第３原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６２ａ〜Ｓ６２ｄ）においては、第２液体原料（Ｂａ元素を含む有機金属液体原料）を気化させた原料ガス（以下、第２原料ガスという）を予め生成（予備気化）させておく。すなわち、開閉バルブｖｂ２を閉じ、開閉バルブｖｂ１を開けるとともに、第２圧送ガス供給管２３７ｂから圧送ガスを供給して、第２液体原料供給源２２０ｂから気化器２２９ｂへと第２液体原料を供給させ、気化器２２９ｂにて第２液体原料を気化させて、第２原料ガスを生成させておく。なお、第３原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６２ａ〜Ｓ６２ｄ）では、真空ポンプ２６４を作動させつつ、開閉バルブｖｂ３を閉めたまま、開閉バルブｖｂ５を開けることにより、第２原料ガスを処理室２０１内に供給することなく処理室２０１をバイパスして排気しておく。このように、第２原料ガスを予め生成させておき、後述する第２原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６３ａ〜Ｓ６３ｄ）において開閉バルブｖｂ３，ｖｂ５の開閉を切り替えることで、第２原料ガスの流路を切り替える。これにより、第２原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６３ａ〜Ｓ６３ｄ）において、処理室２０１内への第２原料ガスの安定した供給を迅速に開始あるいは停止できるようになり、好ましい。

続いて、第２原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６３ａ〜Ｓ６３ｄ）を実施する。

第２原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６３ａ〜Ｓ６３ｄ）では、まず、真空ポンプ２６４を作動させたまま、開閉バルブｖｂ４，ｖｂ５を閉じ、開閉バルブｖｂ３を開けて、処理室２０１内への第２原料ガスの供給を開始する（Ｓ６３ａ）。第２原料ガスは、シャワーヘッド２４０により分散されて処理室２０１内のウェハ２００上に均一に供給されて、ウェハ２００表面に第２原料ガスのガス分子が吸着する。余剰な第２原料ガスは、排気ダクト２５９内を流れ、排気口２６０へと排気される。なお、処理室２０１内への第２原料ガスの供給時には、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第３原料ガス供給管２１３ｔ、オゾンガス供給管２１３ｏへの第２原料ガスの侵入を防止するように、また、処理室２０１内における第２原料ガスの拡散を促すように、開閉バルブｖｓ４，ｖｔ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておくことが好ましい。

開閉バルブｖｂ３を開け、第２原料ガスの供給を開始した後、所定時間が経過したら、開閉バルブｖｂ３を閉じ、開閉バルブｖｂ４，ｖｂ５を開けて、処理室２０１内への第２原料ガスの供給を停止する。また、同時に、開閉バルブｖｂ１を閉めて、気化器２２９ｂへの第２液体原料の供給も停止する。

ここで、開閉バルブｖｂ３を閉め、第２原料ガスの供給を停止した後は、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておく。これにより、処理室２０１内に残留している第２原料ガスを除去し、処理室２０１内をＡｒガスによりパージする（Ｓ６３ｂ）。

また、開閉バルブｖｂ１を閉め、第２液体原料の供給を停止した後は、気化器２２９ｂ内の洗浄を開始する。すなわち、洗浄液圧送ガス供給管２３７ｅから圧送ガスを供給するとともに、開閉バルブｖｂ１を閉じたまま、開閉バルブｖｂ２を開け、気化器２２９ｂの液体原料流路２１ｂ内に洗浄液を供給して、液体原料流路２１ｂ内を洗浄する。このとき開閉バルブｖｂ１，ｖｂ３は閉、開閉バルブｖｂ２，ｖｂ５は開とされるので、液体原料流路２１ｂ内に供給された洗浄液は、液体原料流路２１ｂ内を洗浄した後、気化室２０ｂ内へ供給されて気化される。このとき、液体原料流路２１ｂ内に残留していた第２液体原料及び溶媒も一緒に気化室２０ｂ内へ供給されて気化される。そして、気化された洗浄液、第２液体原料、及び溶媒は、第２原料ガス供給管２１３ｂを通り、処理室２０１内へ供給されることなく、ベント管２１５ｂより処理室２０１をバイパスして排気される。なお、気化器２２９ｂの液体原料流路２１ｂ内の洗浄は、例えば、次回の気化器２２９ｂへの第２液体原料の供給開始時まで（次回の工程Ｓ６３ａの開始まで）継続させる。

処理室２０１内のパージが完了したら、開閉バルブｖｏ４，ｖｏ５を閉じ、開閉バルブｖｏ３を開けて、処理室２０１内へのオゾンガスの供給を開始する（Ｓ６３ｃ）。オゾンガスは、シャワーヘッド２４０により分散されて処理室２０１内のウェハ２００上に均一に供給され、ウェハ２００表面に吸着している第２原料ガスのガス分子と反応して、ウェハ２００上にＢａ元素を含む薄膜としてＢａＯ膜を生成する。余剰なオゾンガスや反応副生成物は、排気ダクト２５９内を流れ、排気口２６０へと排気される。なお、処理室２０１内へのオゾンガスの供給時には、第１原料ガス供給管２１３ｓ、第２原料ガス供給管２１３ｂ、第３原料ガス供給管２１３ｔ内へのオゾンガスの侵入を防止するように、また、処理室２０１内におけるオゾンガスの拡散を促すように、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておくことが好ましい。

開閉バルブｖｏ３を閉め、オゾンガスの供給を停止した後は、開閉バルブｖｓ４，ｖｂ４，ｖｔ４，ｖｏ４は開けたままとし、処理室２０１内にＡｒガスを常に流しておく。これにより、処理室２０１内に残留しているオゾンガスや反応副生成物を除去し、処理室２０１内をＡｒガスによりパージする（Ｓ６３ｄ）。

なお、第２原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６３ａ〜Ｓ６３ｄ）においては、上述したように、第３液体原料を気化させた第３原料ガスを予め生成（予備気化）させておく。これにより、第３原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６４ａ〜Ｓ６４ｄ）において処理室２０１内への第３原料ガスの安定した供給を迅速に開始あるいは停止できるようになり、好ましい。

続いて、第３原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６４ａ〜Ｓ６４ｄ）を実施して、ウェハ２００上にＴｉ元素を含む薄膜としてＴｉＯ_２膜を生成する。なお、本工程Ｓ６４ａ〜Ｓ６４ｄのシーケンスは、上述の工程Ｓ６２ａ〜Ｓ６２ｄのシーケンスと同様である。

第３原料ガス及びオゾンガスを供給する工程（Ｓ６４ａ〜Ｓ６４ｄ）の後、工程Ｓ６１
ａ〜Ｓ６４ｄまでを１サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返すことにより、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）にて形成した二酸化チタンの層の上に、酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む所望の膜厚の積層膜を形成する。

その後、上述した基板搬出工程（Ｓ７）と結晶化工程（Ｓ８）とを実施して、ルテニウム薄膜上にチタン酸ストロンチウムバリウム膜（ＢＳＴ膜）、すなわち（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３薄膜を形成する。

本実施形態においても、上述の実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。

＜本発明の他の実施形態＞
なお、上述の実施形態では、二酸化チタンの層を数層形成する工程（Ｓ５）と積層膜を形成する工程（Ｓ６）とを、同一の処理室２０１内で連続的に行う例について説明したが、これらの工程はそれぞれ異なる処理室にて行うようにしてもよい。

また、上述の実施形態では、積層膜を形成する工程（Ｓ６）と結晶化工程（Ｓ８）とを異なる処理室にて行う例について説明したが、これらの工程は同一の処理室２０１内にて連続して行うようにしてもよい。かかる場合には、結晶化工程（Ｓ８）を実施した後に基板搬出工程（Ｓ７）を実施する。

また、上述の実施形態では、金属酸化膜をＡＬＤ法により形成する場合を説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、金属酸化膜をＣＶＤ法により形成する場合にも、好適に適用可能である。

また、上述の実施形態では、金属薄膜としてルテニウム薄膜が形成されている場合を説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されない。すなわち、ルテニウム薄膜以外の金属薄膜が形成された基板上に上述の金属酸化膜を形成する場合にも、本発明は好適に適用可能である。

また、上述の実施形態では、基板処理装置として１度に１枚の基板を処理する枚葉式のＡＬＤ装置を用いて成膜する例について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、基板処理装置として１度に複数枚の基板を処理するバッチ式の縦型ＡＬＤ装置を用いて成膜するようにしてもよい。以下、この縦型ＡＬＤ装置について説明する。

図８は、本実施形態で好適に用いられる縦型ＡＬＤ装置の縦型処理炉の概略構成図であり、（ａ）は処理炉３０２部分を縦断面で示し、（ｂ）は処理炉３０２部分を図８（ａ）のＡ−Ａ線断面図で示す。

図８（ａ）に示されるように、処理炉３０２は加熱手段（加熱機構）としてのヒータ３０７を有する。ヒータ３０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。

ヒータ３０７の内側には、ヒータ３０７と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ３０３が配設されている。プロセスチューブ３０３は、例えば石英（ＳｉＯ_２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。プロセスチューブ３０３の筒中空部には処理室３０１が形成されており、基板としてのウェハ２００を、後述するボート３１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。

プロセスチューブ３０３の下方には、プロセスチューブ３０３と同心円状にマニホール
ド３０９が配設されている。マニホールド３０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド３０９は、プロセスチューブ３０３に係合しており、プロセスチューブ３０３を支持するように設けられている。なお、マニホールド３０９とプロセスチューブ３０３との間には、シール部材としてのＯリング３２０ａが設けられている。マニホールド３０９がヒータベースに支持されることにより、プロセスチューブ３０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ３０３とマニホールド３０９とにより反応容器が形成される。

マニホールド３０９には、第１ガス導入部としての第１ノズル３３３ａと、第２ガス導入部としての第２ノズル３３３ｂとが、マニホールド３０９の側壁を貫通するように、また、その一部が処理室３０１内に連通するように接続されている。第１ノズル３３３ａと第２ノズル３３３ｂは、それぞれ水平部と垂直部とを有するＬ字形状であり、水平部がマニホールド３０９に接続され、垂直部が処理室３０１内を構成している反応管３０３の内壁とウェハ２００との間における円弧状の空間に、反応管３０３の下部より上部の内壁にウェハ２００の積載方向に沿って設けられている。第１ノズル３３３ａ、第２ノズル３３３ｂの垂直部の側面には、ガスを供給する供給孔である第１ガス供給孔３４８ａ、第２ガス供給孔３４８ｂがそれぞれ設けられている。この第１ガス供給孔３４８ａ、第２ガス供給孔３４８ｂは、それぞれ下部から上部にわたって同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。

第１ノズル３３３ａ、第２ノズル３３３ｂに接続されるガス供給系は、上述の実施形態と同様である。ただし、本実施形態では、第１ノズル３３３ａに原料ガス供給管２１３が接続され、第２ノズル３３３ｂにオゾンガス供給管２１３ｏが接続される点が、上述の実施形態と異なる。すなわち、本実施形態では、原料ガス（第１原料ガス、第２原料ガス、第３原料ガス）と、オゾンガスとを、別々のノズルにより供給する。なお、さらに各原料ガスを別々のノズルにより供給するようにしてもよい。

マニホールド３０９には、処理室３０１内の雰囲気を排気する排気管３３１が設けられている。排気管３３１のマニホールド３０９との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ３４５及び圧力調整器としてのＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ３４２を介して、真空排気装置としての真空ポンプ３４６が接続されており、処理室３０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、ＡＰＣバルブ３４２は弁を開閉して処理室３０１の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調整して圧力調整可能となっている開閉弁である。

マニホールド３０９の下方には、マニホールド３０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ３１９が設けられている。シールキャップ３１９は、マニホールド３０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ３１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ３１９の上面には、マニホールド３０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング３２０ｂが設けられる。シールキャップ３１９の処理室３０１と反対側には、後述するボート３１７を回転させる回転機構３６７が設置されている。回転機構３６７の回転軸３５５は、シールキャップ３１９を貫通して、ボート３１７に接続されており、ボート３１７を回転させることでウェハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ３１９は、プロセスチューブ３０３の外部に垂直に配置された昇降機構としてのボートエレベータ３１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート３１７を処理室３０１に対し搬入搬出することが可能となっている。

基板保持具としてのボート３１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱材料からなり、複
数枚のウェハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なお、ボート３１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱材料からなる断熱部材３１８が設けられており、ヒータ３０７からの熱がシールキャップ３１９側に伝わりにくくなるよう構成されている。なお、断熱部材３１８は、石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる複数枚の断熱板と、これらを水平姿勢で多段に保持する断熱板ホルダとにより構成してもよい。

制御部（制御手段）であるコントローラ３８０は、ＡＰＣバルブ３４２、ヒータ３０７、真空ポンプ３４６、ボート回転機構３６７、ボートエレベータ３１５、開閉バルブｖｓ１〜ｖｓ６、ｖｂ１〜ｖｂ６、ｖｔ〜ｖｔ６、ｖｏ３〜ｖｏ６、液体流量コントローラ２２１ｓ，２２１ｂ，２２１ｔ，２２２ｓ，２２２ｂ，２２２ｔ、流量コントローラ２２４ｓ，２２４ｂ，２２４ｔ，２２１ｏ，２２２ｏ，２２４ｏ等に接続されており、コントローラ３８０により、ＡＰＣバルブ３４２の開閉及び圧力調整動作、ヒータ３０７の温度調整動作、真空ポンプ３４６の起動・停止、ボート回転機構３６７の回転速度調節、ボートエレベータ３１５の昇降動作、開閉バルブｖｓ１〜ｖｓ６、ｖｂ１〜ｖｂ６、ｖｔ〜ｖｔ６、ｖｏ３〜ｖｏ６の開閉動作、液体流量コントローラ２２１ｓ，２２１ｂ，２２１ｔ，２２２ｓ，２２２ｂ，２２２ｔ、流量コントローラ２２４ｓ，２２４ｂ，２２４ｔ，２２１ｏ，２２２ｏ，２２４ｏの流量調整等の制御が行われる。

次に、上記構成にかかる縦型ＡＬＤ装置の処理炉３０２を用いて、半導体装置の製造工程の一工程として、ＡＬＤ法によりウェハ２００上に薄膜を形成する基板処理工程について説明する。なお、以下の説明において、縦型ＡＬＤ装置を構成する各部の動作は、コントローラ３８０により制御される。

複数枚のウェハ２００をボート３１７に装填（ウェハチャージ）する。そして、図８（ａ）に示すように、複数枚のウェハ２００を保持したボート３１７を、ボートエレベータ３１５によって持ち上げて処理室３０１内に搬入（ボートローディング）する。この状態で、シールキャップ３１９はＯリング３２０ｂを介してマニホールド３０９の下端をシールした状態となる。

処理室３０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空排気装置３４６によって真空排気する。この際、処理室３０１内の圧力を圧力センサ３４５で測定して、この測定された圧力に基づき、圧力調節器３４２をフィードバック制御する。また、処理室３０１内が所望の温度となるように、ヒータ３０７によって加熱する。この際、処理室３０１内が所望の温度分布となるように、温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ３０７への通電具合をフィードバック制御する。続いて、回転機構３６７によりボート３１７を回転させることで、ウェハ２００を回転させる。

その後、例えば上述の第１から第３の実施形態と同様に、第１ステップ（Ｓ５）、第２ステップ（Ｓ６）、結晶化工程（Ｓ７）を行うことにより、ウェハ２００上に所望の膜厚のＳｒＴｉＯ_３薄膜や（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３薄膜を形成する。

その後、ボートエレベータ３１５によりシールキャップ３１９を下降させて、マニホールド３０９の下端を開口させるとともに、所望膜厚の薄膜が形成された後のウェハ２００を、ボート３１７に保持させた状態でマニホールド３０９の下端からプロセスチューブ３０３の外部に搬出（ボートアンローディング）する。その後、処理済ウェハ２００をボート３１７より取り出す（ウェハディスチャージ）。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

好ましくは、前記二酸化チタンの層を数層形成する工程では、ＡＬＤ法により前記二酸化チタンの層を形成する。

また好ましくは、前記二酸化チタンの層を数層形成する工程では、基板に対して前記チタン原料と前記酸化剤とを交互に供給することで前記二酸化チタンの層を形成する。

また好ましくは、前記積層膜を形成する工程では、ＡＬＤ法により前記酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜、または前記酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する。

また好ましくは、前記積層膜を形成する工程では、基板に対して前記ストロンチウム原料及び前記酸化剤を供給する工程と、前記チタン原料及び前記酸化剤を供給する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを繰り返すことにより前記数層形成した二酸化チタンの層の上に前記酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成するか、または前記処理室内に前記ストロンチウム原料及び前記酸化剤を供給する工程と、前記チタン原料及び前記酸化剤を供給する工程と、前記バリウム原料及び前記酸化剤を供給する工程と、前記チタン原料及び前記酸化剤を供給する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを繰り返すことにより前記数層形成した二酸化チタンの層の上に前記酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する。

また好ましくは、前記基板上にはルテニウム膜が形成されており、前記数層形成する工程では、前記ルテニウム膜上に前記二酸化チタンの層を形成する。

また好ましくは、前記ルテニウム膜はＣＶＤ法により形成されたルテニウム膜である。

また好ましくは、前記積層膜を形成する工程の後、前記基板をアニールする工程を有する。

また好ましくは、前記積層膜を形成する工程の後、前記基板をアニールすることで、前記二酸化チタンと前記酸化ストロンチウムとをチタン酸ストロンチウムの結晶とする工程を有する。

また好ましくは、前記積層膜を形成する工程の後、前記基板をアニールすることで、前記二酸化チタンと前記酸化バリウムと前記酸化ストロンチウムとをチタン酸ストロンチウムバリウムの結晶とする工程を有する。

本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、チタン原料、ストロンチウム原料、およびバリウム原料のうち少なくともいずれか一つの原料を供給する原料供給系と、酸化剤を供給する酸化剤供給系と、前記処理室内に前記チタン原料と前記酸化剤とを交互に供給して前記基板上に二酸化チタンの層を数層形成し、その後、前記処理室内に前記ストロンチウム原料、前記チタン原料、及び前記酸化剤を交互に供給して、前記数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する
か、または前記処理室内に前記ストロンチウム原料、前記バリウム原料、前記チタン原料、及び前記酸化剤を交互に供給して、前記数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成するように前記原料供給系と前記酸化剤供給系とを制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。

好ましくは、前記コントローラは、ＡＬＤ法により前記二酸化チタンの層を数層形成するように前記原料供給系と前記酸化剤供給系とを制御する。

また好ましくは、前記コントローラは、ＡＬＤ法により前記酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜、または前記酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成するように前記原料供給系と前記酸化剤供給系とを制御する。

また好ましくは、前記コントローラは、前記処理室内に前記ストロンチウム原料及び前記酸化剤を供給する工程と、前記チタン原料及び前記酸化剤を供給する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを繰り返すことにより前記数層形成した二酸化チタンの層の上に前記酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成するか、または前記処理室内に前記ストロンチウム原料及び前記酸化剤を供給する工程と、前記チタン原料及び前記酸化剤を供給する工程と、前記バリウム原料及び前記酸化剤を供給する工程と、前記チタン原料及び前記酸化剤を供給する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを繰り返すことにより前記数層形成した二酸化チタンの層の上に前記酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成するように前記原料供給系と前記酸化剤供給系とを制御する。

また好ましくは、前記基板上にはルテニウム膜が形成されており、前記コントローラは、前記ルテニウム膜上に前記二酸化チタンの層を形成するように前記原料供給系と前記酸化剤供給系とを制御する。

また好ましくは、前記処理室内の前記基板を加熱する加熱手段を有し、前記コントローラは、前記積層膜を形成した後、前記基板をアニールするように前記加熱手段を制御する。

また好ましくは、前記処理室内の前記基板を加熱する加熱手段を有し、前記コントローラは、前記積層膜を形成した後、前記基板をアニールすることで、前記二酸化チタンと前記酸化ストロンチウムとをチタン酸ストロンチウムの結晶とするように前記加熱手段を制御する。

また好ましくは、前記処理室内の前記基板を加熱する加熱手段を有し、前記コントローラは、前記積層膜を形成した後、前記基板をアニールすることで、前記二酸化チタンと前記酸化バリウムと前記酸化ストロンチウムとをチタン酸ストロンチウムバリウムの結晶とするように前記加熱手段を制御する。

本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の有するガス供給系の構成図である。本発明の一実施形態にかかる基板処理装置のウェハ処理時における断面構成図である。本発明の一実施形態にかかる基板処理装置のウェハ搬送時における断面構成図である。本発明の一実施形態にかかる基板処理工程のフロー図である。本発明の他の実施形態にかかる基板処理工程のフロー図である。（ａ）は、本発明の一実施形態にかかる酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜が形成されたウェハの断面構成図であり、（ｂ）は、従来のＡＬＤ法により酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜が形成されたウェハの断面構成図である。本発明の一実施形態にかかる気化器の概略構成図である。本発明の他の実施形態にかかる縦型ＡＬＤ装置の縦型処理炉の概略構成図であり、（ａ）は、処理炉部分を縦断面で示し、（ｂ）は、処理炉部分を（ａ）のＡ−Ａ線断面図で示す。

符号の説明

２００ウェハ（基板）
２０１処理室
２０６ヒータ
２８０コントローラ

Claims

基板上にチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸ストロンチウムバリウムの薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記薄膜を形成する工程は、
前記基板上に二酸化チタンの層を数層形成する工程と、
前記数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜、または酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
基板を処理する処理室と、
チタン原料、ストロンチウム原料、およびバリウム原料のうち少なくともいずれか一つの原料を供給する原料供給系と、
酸化剤を供給する酸化剤供給系と、
前記処理室内に前記チタン原料と前記酸化剤とを交互に供給して前記基板上に二酸化チタンの層を数層形成し、その後、前記処理室内に前記ストロンチウム原料、前記チタン原料、及び前記酸化剤を交互に供給して、前記数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成するか、または前記処理室内に前記ストロンチウム原料、前記バリウム原料、前記チタン原料、及び前記酸化剤を交互に供給して、前記数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成するように前記原料供給系と前記酸化剤供給系とを制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。