JP2009168697A - Position detector, imaging apparatus, and optical apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光によって物体の有無や位置を検出するフォトインタラプタを有する位置検出装置、該位置検出装置を具備する撮像装置および光学装置に関するものである。 The present invention relates to a position detection device having a photo interrupter that detects the presence or absence and position of an object with light, an imaging device including the position detection device, and an optical device.
カメラには倍率レンズや焦点調節レンズなどの駆動部がいくつかあり、それらの駆動を検出するためのセンサとして、光によって物体の有無や位置を検出するフォトインタラプタ(以下、PIとも記す)が多く利用されている。そして、そのPIの用途は主に二つの用途に分けられる。一つは、エンコーダとしての用途であり、もう一つは、基準位置検出センサとしての用途である。 The camera has several drive units such as a magnification lens and a focus adjustment lens, and many photointerrupters (hereinafter also referred to as PI) that detect the presence or position of an object by light are used as sensors for detecting the drive. It's being used. The uses of the PI are mainly divided into two uses. One is an application as an encoder, and the other is an application as a reference position detection sensor.
上記エンコーダは駆動部の相対的な駆動距離を検出するものであり、基準位置検出センサは駆動部の絶対的な位置を検出するものであり、主に初期化動作やリセット動作時に使用される。以下、エンコーダの用途で使用されるPIをエンコーダPI、基準位置検出センサの用途で使用されるPIをリセットPIと記す。 The encoder detects a relative driving distance of the driving unit, and the reference position detection sensor detects an absolute position of the driving unit, and is mainly used during an initialization operation and a reset operation. Hereinafter, a PI used for an encoder application is referred to as an encoder PI, and a PI used for a reference position detection sensor application is referred to as a reset PI.
これらPIを用いて検出するには、検出回路が必要である。図8は、従来のPI検出回路の構成の一例を示すものである。 In order to detect using these PIs, a detection circuit is required. FIG. 8 shows an example of the configuration of a conventional PI detection circuit.
PI401は、LED等から成る発光素子402と、フォトトランジスタ等から成る受光素子403とを備えている。どちらの素子も電源電圧Vccの供給を受けており、発光素子402は電流制限抵抗404を介して、受光素子403は電圧検出抵抗405を介して、それぞれ接地されている。そして、電圧検出抵抗405によって出力された検出電圧Vbが、スレッシュ電圧レベル等が設定されたコンパレータ406やA/D変換器などに入力され、所望の信号Voutが得られる。つまり、この検出回路では、一個のPIに対して二つの抵抗を要することとなる。
The PI 401 includes a
また、特許文献1のように、感度調整を行うために電流制限抵抗や電圧検出抵抗にそれぞれ複数個の抵抗を使用する場合には、1個のPIに対して要する抵抗の数も多くなる。その一方で、カメラ1台のうちで使用されているPIの数を考えると、その数は1個ではなく、倍率調整レンズのエンコーダPIとして1〜2個使用していたり、倍率レンズや焦点調整レンズのリセットPIとして各々1個ずつ使用していたりしている。つまり、カメラ1台に対してPIを複数個使用していることが多い。したがって、全PIの検出回路において使用される抵抗の数も多くなっていく。
近年のコンパクトカメラは、サイズの小型化が強く要求されるようになってきており、基板の面積も小さくする必要がある。したがって、そのような要求がある場合には、この検出抵抗を含めた部品点数は可能な限り少ない方が望ましいこととなる。部品点数を減らすためには、連結抵抗を使用したり、半導体内部の拡散抵抗を抵抗として使用したりすることが考えられる。しかし、このような対策は必ずしもすべてのPIに対して適用可能とは限らず、PIの用途に応じて最適な構成が異なる。 In recent years, compact cameras have been strongly required to be reduced in size, and it is necessary to reduce the area of the substrate. Therefore, when there is such a requirement, it is desirable that the number of parts including the detection resistor is as small as possible. In order to reduce the number of parts, it is conceivable to use a connection resistor or to use a diffused resistor inside the semiconductor as a resistor. However, such a measure is not necessarily applicable to all PIs, and the optimum configuration differs depending on the use of the PI.
(発明の目的)
本発明の目的は、小型化と検出精度とを達成することのできる位置検出装置、撮像装置および光学装置を提供しようとするものである。
(Object of invention)
An object of the present invention is to provide a position detection device, an imaging device, and an optical device that can achieve downsizing and detection accuracy.
上記目的を達成するために、本発明は、光によって物体の有無や位置を検出する透過型もしくは反射型の複数のフォトインタラプタと、前記複数のフォトインタラプタの出力をそれぞれ検出する複数の検出回路とを有し、一つの前記検出回路に使用される電流制限抵抗と電圧検出抵抗の組み合わせが、同一半導体上の内部抵抗によって構成される組と、半導体外部の抵抗素子によって構成される組とに分けられる位置検出装置とするものである。 To achieve the above object, the present invention provides a plurality of transmissive or reflective photointerrupters that detect the presence or position of an object by light, and a plurality of detection circuits that respectively detect outputs of the plurality of photointerrupters. The combination of the current limiting resistor and the voltage detecting resistor used in one of the detection circuits is divided into a set constituted by internal resistors on the same semiconductor and a set constituted by resistive elements outside the semiconductor The position detection device can be used.
同じく上記目的を達成するために、本発明は、本発明の上記位置検出装置を具備する撮像装置とするものである。 Similarly, in order to achieve the above object, the present invention is an imaging apparatus including the position detection device of the present invention.
同じく上記目的を達成するために、本発明は、本発明の上記位置検出装置を具備する光学装置とするものである。 Similarly, in order to achieve the above object, the present invention is an optical device including the position detection device of the present invention.
本発明によれば、小型化と検出精度とを達成することができる位置検出装置、撮像装置または光学装置を提供できるものである。 According to the present invention, it is possible to provide a position detection device, an imaging device, or an optical device that can achieve downsizing and detection accuracy.
本発明を実施するための最良の形態は、以下の実施例1よび2に示す通りである。 The best mode for carrying out the present invention is as shown in Examples 1 and 2 below.
図1は本発明の実施例1に係わる撮像装置の構成を示す図である。100は撮像装置であり、以下の各部材を具備している。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an imaging apparatus according to the first embodiment of the present invention.
10は撮像光学系であり、光軸方向に移動させられる倍率レンズ11aや焦点調節レンズ11b、シャッタ12、絞り13などによって構成される。21は光学像を電気信号に変換する撮像素子、22は撮像素子21からのアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換器である。24は、撮像素子21、A/D変換器22、D/A変換器27にクロック信号や制御信号を供給するタイミング発生回路であり、メモリ制御回路25及び後述のシステムコントローラ50により制御される。23は画像処理回路であり、A/D変換器22からのデータ或いはメモリ制御回路25からのデータに対して所定の画素補間処理や色変換処理を行う。
An imaging
25はメモリ制御回路であり、A/D変換器22、画像処理回路23、タイミング発生回路24、画像表示メモリ26、D/A変換器27、圧縮伸長回路28、内部メモリ29を制御する。7はTFT,LCD等から成る画像表示部であり、画像表示メモリ26に書き込まれた表示用の画像データを表示する。28は適応離散コサイン変換(ADCT)等により画像データを圧縮伸長する圧縮伸長回路であり、後述の内部メモリ29に格納された画像を読み込んで圧縮処理或いは伸長処理を行い、処理を終えたデータを後述の内部メモリ29に書き込む。29は撮影された静止画像や動画像を格納するための内部メモリであり、システムコントローラ50の作業領域としても使用することが可能である。
A
30は駆動部コントローラであり、撮像光学系10における各構成部材や保護部材である後述のバリア2などを駆動させるためのものである。8はストロボであり、AF補助光の投光機能、ストロボ調光機能を有し、像データを画像処理回路23によって演算された演算結果に基づいてシステムコントローラ50によって制御される。
50は撮像装置100全体を制御するシステムコントローラ、45はシステムコントローラ50の動作用の定数、変数、プログラム等を記憶するメモリである。47は液晶表示器、スピーカー等の表示部であり、システムコントローラ50でのプログラムの実行に応じて、文字、画像、音声等を用いて動作状態やメッセージ等を表示する。46は電気的に消去・記録可能な不揮発性メモリであり、例えばEEPROM等が用いられる。
2はバリアであり、撮像装置100の撮像光学系10を含む撮像部を覆う事により、撮像部の汚れや破損を防止する保護部材である。6は光学ファインダであり、画像表示部7による電子ファインダ機能を使用すること無しに、光学ファインダのみを用いて撮影を行うことが可能である。
48は電源制御部であり、電池検出回路、DC/DCコンバータ、通電する回路を切り換えるスイッチ等により構成されている。そして、電池の装着の有無、電池の種類、電池残量の検出を行い、検出結果及びシステムコントローラ50の指示に基づいてDC/DCコンバータを制御し、必要な電圧を必要な期間、記録媒体を含む各部へ供給する。49はコネクタである。
A power
70は電源装置であり、コネクタ49と接続されるコネクタ71、アルカリ電池やリチウム電池等の一次電池やNiCd電池やNiMH電池、Li電池等の二次電池、ACアダプター等からなる電源72を備えている。
51はメモリカードやハードディスク等の記録媒体とのインターフェース(I/F)、52はメモリカードやハードディスク等の記録媒体と接続を行うコネクタ、53はコネクタ52に記録媒体60が装着されているか否かを検知する記録媒体着脱検出部である。
60はメモリカードやハードディスク等の記録媒体であり、半導体メモリや磁気ディスク等から構成される記録部63、撮像装置100とのインターフェース(I/F)62、撮像装置100と接続を行うコネクタ61を備えている。
次に、図2を用いて、倍率レンズ11aを駆動させるための駆動系の内部構成を説明する。
Next, the internal configuration of the drive system for driving the
倍率レンズ11aはモータ101によって駆動され、また、その回転量や駆動速度を検出するために、パルス板102とエンコーダPI103とで構成されたエンコーダを備えている。またそれとは別に、倍率レンズ11aと同期して駆動される遮蔽板111とリセットPI112も備えており、これらによって倍率レンズ11aの初期化時やリセット時の絶対的な基準位置を取得する。なお、これらPIの検出の様子や出力波形については、後述する。
The
エンコーダPI103の検出信号は、エンコーダPI検出回路303およびコンパレータ304によって所望の信号に変換される。そして、その信号は位置カウンタ305に出力される。位置カウンタ305では、倍率レンズ11aの駆動距離がパルスとして出力されるため、そのパルス数をカウントしながら現在の倍率レンズ11aの位置を管理している。そして、システムコントローラ50の要求する所望のレンズ位置まで位置コントローラ306によって倍率レンズ11aを駆動する。また、倍率レンズ11aの駆動速度を制御する必要がある場合には、エンコーダPI103の信号はエンコーダPI検出回路303およびコンパレータ304を介して速度検出部307に出力される。そして、ここで速度情報に変換され、速度コントローラ308によって行われる速度制御に使用される。
The detection signal of the
また、リセットPI112の検出信号は、リセットPI検出回路309およびコンパレータ310を介してリセットコントローラ311に出力される。すると、リセットコントローラ311は、その検出信号からレンズ初期化時などに倍率レンズ11aの基準位置を取得し、位置カウンタ305を更新する。
The detection signal of the
これら、位置コントローラ306、速度コントローラ308、リセットコントローラ311およびシステムコントローラ50によって要求される動作に基づいて、出力コントローラ301が出力回路302を介して所望の動作を行うためにモータ101へ電流を流す。そして、倍率レンズ11aを駆動する。
Based on the operations requested by the
図3および図4は、エンコーダPI103およびリセットPI112の検出回路の内部構成を示している。詳しくは、図3はエンコーダPI検出回路303の内部構成を、図4はリセットPI検出回路309の内部構成を、それぞれ示している。
3 and 4 show the internal configuration of the detection circuits of the
本実施例1では、エンコーダPI103とリセットPI112それぞれの検出回路において、電流制限抵抗322,331および電圧検出抵抗321,332の構成が異なっている。エンコーダPI検出回路303では、これら抵抗は同一半導体上の内部抵抗を使用し、リセットPI検出回路では、通常の半導体外部の抵抗素子を使用する。その理由を下記に述べる。
In the first embodiment, the configurations of the current limiting
半導体で主に使用される拡散抵抗は、“抵抗値の絶対精度は低いが、相対精度は高い”という特徴を持つ。つまり、抵抗値の数値としては固体によるばらつきが大きいが、同一半導体上でのそれらの相対比の精度は高いということになる。また、その絶対精度のばらつきも“同一半導体上では同様の比率でばらつく”という特徴を持つ。これらの特徴から、エンコーダPI103の電流制限抵抗322および電圧検出抵抗321は半導体上の拡散抵抗を使用することができることを、図3を用いて説明する。
Diffusion resistors mainly used in semiconductors have a feature that “the absolute accuracy of the resistance value is low, but the relative accuracy is high”. That is, the numerical value of the resistance value varies greatly depending on the solid, but the accuracy of the relative ratio on the same semiconductor is high. In addition, the variation in absolute accuracy also has the feature that “the same ratio varies on the same semiconductor”. From these characteristics, it will be described with reference to FIG. 3 that the current limiting
図3における、発光素子104に流れる駆動電流Ifは
If=(Vcc−Vf)/Ra
で表せる。また、検出電圧Vbは
Vb=Ic×Rb
で表せ、IcとIfとの間には、変換効率k=Ic/Ifの関係がある。これらより、検出電圧Vbは
Vb=k×If×Rb
で表せることがわかる。
In FIG. 3, the drive current If flowing in the
It can be expressed as The detection voltage Vb is Vb = Ic × Rb
There is a relationship of conversion efficiency k = Ic / If between Ic and If. From these, the detection voltage Vb is Vb = k × If × Rb
It can be seen that
ここで、半導体上の拡散抵抗である電流制限抵抗Raが、ばらつきにより実際はα×Raであったとする。すると、前述より発光素子104の駆動電流IfはIf/αであったことになる。一方、このばらつきによる影響は電流検出抵抗Rbにも同比率で生じるため、電流検出抵抗Rbもα×Rbとなっていることとなる。したがって、検出電圧Vbは
Vb=k×(If/α)×(α×Rb)
=k×If×Rb
となり、検出電圧Vb自体はこのばらつきαの影響を受けないことがわかる。ただし、駆動電流Ifは絶対値としてはIf/αとなっているため、発光素子104の発光量(=出力)はばらつきが無い状態と比較して変化していることとなる。そのため、前述の通り、出力が安定した状態での検出電圧Vb自体はαの影響はほとんど受けないものの、その立ち上がりや立下りの傾きは異なることとなる。
Here, it is assumed that the current limiting resistor Ra, which is a diffused resistor on the semiconductor, is actually α × Ra due to variations. Then, as described above, the drive current If of the
= K x If x Rb
Thus, it can be seen that the detection voltage Vb itself is not affected by this variation α. However, since the drive current If is If / α as an absolute value, the light emission amount (= output) of the
図5(a)〜(c)は、エンコーダPI101の構成および出力波形を模式図的に示したものである。 FIGS. 5A to 5C schematically show the configuration and output waveform of the encoder PI101.
図5のエンコーダPIとしては、2相式のエンコーダPIを示している。二つのエンコーダPI103,104は、図5(a),(b)に示すように、モータ101の回転を伝えるパルス板102によって遮光される形で置かれている。そして、それぞれのPIの位置関係は、出力信号がちょうど90度位相がずれるような角度105で配置されている。このときのそれぞれのエンコーダPIの出力波形を図5(c)に示す。モータ101の回転に合わせてパルス板102も回転し、それによってエンコーダPI103,104では、明と暗が繰り返されて波形のようにパルス上に電圧が出力される。なお、ここでは2相式のエンコーダについて説明するが、それに限るものではなく、1相式のエンコーダでも構わない。
As the encoder PI in FIG. 5, a two-phase encoder PI is shown. As shown in FIGS. 5A and 5B, the two
図6(a),(b)は、リセットPI112の構成および出力波形を模式図的に示したものである。
FIGS. 6A and 6B schematically show the configuration and output waveform of the
図6(a)は倍率レンズ11a(図2参照)と同期して動く遮蔽板111が動きながらリセットPI112にかかる様子を、図6(b)はそのときのリセットPI112の出力波形を、それぞれ示している。倍率レンズ11aと遮蔽板111が同期して動くため、最初遮蔽板111がリセットPI112にかかる前にはリセットPI112の出力は“明”状態として出力される。そして、遮蔽板111がリセットPI112にかかり始めたときに、該リセットPI112の出力は“暗”状態に推移していく。このときの切り替わりのタイミングを基準位置として認識する。
6A shows a state where the
ここで、前述の抵抗値のばらつきαについて考える。 Here, the variation α of the resistance value is considered.
電流制限抵抗値321,331と電圧検出抵抗値322,332がそれぞれRa,Rbであった場合の出力波形が実線とする。それに対して、抵抗値がばらつき、それぞれの抵抗値がα×Ra,α×Rbと変化した場合の出力波形を点線で示す。前述の通り、出力が安定したときの検出電圧値Vbには差は無いが、その立ち上がりや立下りには差が生じることとなる。
Assume that the output waveforms when the current limiting
そこで、それぞれのPIの用途について考える。 Therefore, consider the use of each PI.
エンコーダPI103の用途としては、倍率レンズ11aが駆動した距離(パルス数)をカウントすることと、その際の速度(周期)を検出することを目的としている。したがって、たとえ立ち上がりや立下りの傾きに変化が生じたとしても、明暗の検出電圧Vbのレベルや周期に差が生じなければ検出上問題はない。
The purpose of the encoder PI103 is to count the distance (number of pulses) driven by the
一方、リセットPI112について考えると、リセットPI112は遮蔽板111がリセットPI112に対して通過した厳密な位置が重要となる。その際に、この検出電圧Vbの傾きがばらついてしまうと、検出位置ΔPに差が生じてしまい、正しく検出することができなくなってしまう。
On the other hand, considering the
したがって、このような理由から、エンコーダPI103の検出回路に用いる抵抗は、絶対ばらつきの比較的大きい、同一半導体上の拡散抵抗にて構成することが可能である。一方、リセットPI112の場合には、絶対精度の高い外部抵抗素子が望ましいことがわかる。
Therefore, for this reason, the resistor used in the detection circuit of the
次に、本発明の実施例2に係る撮像装置について説明する。なお、図1及び図2の構成は上記実施例1と同様であるものとする。
Next, an image pickup apparatus according to
図7は、エンコーダPI検出回路303の内部構造を示している。なお、リセットPI検出回路309としては図4に示されているものが用いられる。
FIG. 7 shows the internal structure of the encoder
エンコーダPI検出回路303の抵抗が、半導体内部の抵抗によって構成することができるようになると、図7で示すように、内部に複数個の抵抗素子323,324,327,328を組み込むことができる。そして、それらの切換スイッチ325,326,329,330のオン,オフの組み合わせることで、検出感度を調整することも容易となる。
When the resistance of the encoder
図7では、二つの抵抗を内蔵化しているが、三つ以上でも構わない。また、発光素子および受光素子への通電のオン,オフについても、図3,4のようにVcc側でトランジスタ等のスイッチを設けなくとも、抵抗素子の切換スイッチをすべて開放してやることで、通電をオフにすることも可能となる。 Although two resistors are built in FIG. 7, three or more resistors may be used. Also, for turning on and off the light-emitting element and the light-receiving element, even if a switch such as a transistor is not provided on the Vcc side as shown in FIGS. It can also be turned off.
以上の実施例1,2の撮像装置は、光によって物体の有無や位置を検出する複数の透過型のPI(エンコーダPIおよびリセットPI)、および、その出力を検出する複数の検出回路(エンコーダPI検出回路、リセットPI検出回路)を有する。そして、一つの検出回路に使用される電流制限抵抗と電圧検出抵抗の組み合わせが、同一半導体上の内部抵抗によって構成される組と、半導体外部の抵抗素子によって構成される組とに分けられる構成にしている。 The imaging apparatuses of the first and second embodiments described above have a plurality of transmission PIs (encoder PI and reset PI) that detect the presence and position of an object by light, and a plurality of detection circuits (encoder PI) that detect the outputs. Detection circuit, reset PI detection circuit). The combination of the current limiting resistor and the voltage detecting resistor used in one detection circuit is divided into a group constituted by internal resistors on the same semiconductor and a group constituted by resistive elements outside the semiconductor. ing.
詳しくは、倍率レンズ11aの移動量(変位量)をエンコーダパルスとして検出する第1のフォトインタラプタであるエンコーダPI103と、駆動レンズの基準位置を検出する第2のフォトインタラプタであるリセットPI112を有する。そして、エンコーダPI103の出力を検出するエンコーダPI検出回路303と、リセットPI112の出力を検出するリセットPI検出回路309を有する。そして、エンコーダPI検出回路303の電流制限抵抗321と電圧検出抵抗322は同一半導体上の内部抵抗によって構成し、リセットPI検出回路309の電流制限抵抗331と電圧検出抵抗332は半導外部の抵抗素子によって構成する。
Specifically, it has an encoder PI103 that is a first photointerrupter that detects the amount of movement (displacement) of the
上記構成のようなPI検出回路を持つ撮像装置とすることにより、要求されるPIの検出精度を維持しつつ部品数の削減をすることで、結果として撮像装置の性能を落とすことなく形状の小型化につながる。 By adopting an imaging apparatus having a PI detection circuit as described above, the number of parts can be reduced while maintaining the required PI detection accuracy, resulting in a compact shape without degrading the performance of the imaging apparatus. Leading to
また、エンコーダPI検出回路303の電流制限抵抗321と電圧検出抵抗322を同一半導体内部で1個あるいは複数個備え、各抵抗の接続の有無を切り換える切換スイッチ325,326,329,330を備える。そして、切換スイッチ325,326,329,330による接続オン,オフの組み合わせを切り換えることで、エンコーダPI103の感度を調整するようにしている。
In addition, one or a plurality of current limiting
このような構成にすることにより、部品点数の増加なく感度調整機能を備えることができる。 With such a configuration, a sensitivity adjustment function can be provided without increasing the number of parts.
また、切換スイッチ325,326,329,330の接続オン,オフによって、エンコーダPI103への通電のオン,オフを切り換えるようにしている。
The energization of the
(変形例)
上記実施例1,2では、エンコーダPIおよびリセットPIと倍率レンズとの関係について説明しているが、倍率レンズに限る必要はない。周期的な信号を検出することを目的とするエンコーダPIと絶対的な基準位置を求めることを目的とするリセットPIとの組み合わせであれば、どのような被駆動部材についてでも構わない。
(Modification)
In the first and second embodiments, the relationship between the encoder PI and reset PI and the magnification lens has been described. However, the present invention is not limited to the magnification lens. Any driven member may be used as long as it is a combination of an encoder PI for detecting a periodic signal and a reset PI for obtaining an absolute reference position.
また、実施例1,2ではPIは透過型フォトインタラプタについて説明しているが、使用するPIは反射型フォトインタラプタでも構わない。 In the first and second embodiments, the PI describes the transmissive photo interrupter. However, the PI to be used may be a reflective photo interrupter.
本発明は、撮像装置に限らず、被駆動部材の有無や位置を検出するための位置検出装置や、被駆動部材の有無や位置を検出することが必要な該被駆動部材を有する光学装置にも適用できるものである。 The present invention is not limited to an imaging device, but is a position detection device for detecting the presence or absence and position of a driven member, or an optical device having the driven member that needs to detect the presence or absence or position of a driven member. Is also applicable.
1 撮像装置
10 撮像光学系
11a 倍率レンズ
30 駆動部コントローラ
50 システムコントローラ
103 エンコーダPI
112 リセットPI
303 エンコーダPI検出回路
309 リセットPI検出回路
321 電流制限抵抗
322 電圧検出抵抗
331 電流制限抵抗
332 電圧検出抵抗
325,326,329,330 切換スイッチ
DESCRIPTION OF
112 Reset PI
303 Encoder
Claims (7)
前記複数のフォトインタラプタの出力をそれぞれ検出する複数の検出回路とを有し、
一つの前記検出回路に使用される電流制限抵抗と電圧検出抵抗の組み合わせが、同一半導体上の内部抵抗によって構成される組と、半導体外部の抵抗素子によって構成される組とに分けられることを特徴とする位置検出装置。 A plurality of transmissive or reflective photo-interrupters that detect the presence or position of an object by light; and
A plurality of detection circuits that respectively detect the outputs of the plurality of photointerrupters;
A combination of a current limiting resistor and a voltage detecting resistor used in one detection circuit is divided into a group constituted by internal resistors on the same semiconductor and a group constituted by resistive elements outside the semiconductor. A position detection device.
前記被駆動部材の基準位置を検出するための第2のフォトインタラプタとを有し、
前記第1のフォトインタラプタの検出回路の前記電流制限抵抗と電圧検出抵抗は同一半導体上の内部抵抗によって構成され、
前記第2のフォトインタラプタの検出回路の前記電流制限抵抗と電圧検出抵抗は半導体外部の抵抗素子によって構成されることを特徴とする請求項1に記載の位置検出装置。 As the plurality of photo interrupters, a first photo interrupter for detecting a displacement amount of a driven member as an encoder pulse;
A second photo interrupter for detecting a reference position of the driven member;
The current limiting resistor and the voltage detecting resistor of the detection circuit of the first photo interrupter are configured by internal resistors on the same semiconductor,
The position detection device according to claim 1, wherein the current limiting resistor and the voltage detection resistor of the detection circuit of the second photo interrupter are configured by a resistance element outside the semiconductor.
前記切換手段による接続オン、オフの組み合わせを切り換えることで、前記第1のフォトインタラプタの感度を調整することを特徴とする請求項2に記載の位置検出装置。 The current limiting resistor and the voltage detecting resistor in the detection circuit of the first photo interrupter are provided in one or more inside the same semiconductor, and switching means for switching the presence / absence of connection of the resistor,
The position detection device according to claim 2, wherein sensitivity of the first photo interrupter is adjusted by switching a combination of connection on and off by the switching means.
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Cited By (2)
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WO2014034603A1 (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | 富士フイルム株式会社 | Drive device which can be freely attached to/detached from lens barrel, and process control method and adjustment method for same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS593214A (en) * | 1982-06-29 | 1984-01-09 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | Rotary encoder |
JP2005156367A (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Olympus Corp | Optical encoder |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS593214A (en) * | 1982-06-29 | 1984-01-09 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | Rotary encoder |
JP2005156367A (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Olympus Corp | Optical encoder |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012152148A (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Hitachi High-Technologies Corp | Nucleic acid analysis device |
WO2014034603A1 (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | 富士フイルム株式会社 | Drive device which can be freely attached to/detached from lens barrel, and process control method and adjustment method for same |
CN104471459A (en) * | 2012-08-29 | 2015-03-25 | 富士胶片株式会社 | Drive device which can be freely attached to/detached from lens barrel, and process control method and adjustment method for same |
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