JP2009158423A - Overcurrent protection circuit of high pressure discharge lamp electronic ballast - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、高圧放電灯電子安定器の過電流保護回路に関するものである。 The present invention relates to an overcurrent protection circuit for a high pressure discharge lamp electronic ballast.
図5は従来の過電流保護回路を示す図である。過電流保護回路の入力端子(IN)に、制御回路(図示しない)等からQ1(MOSFET:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)を駆動する駆動信号が入力される。ドライブ回路40は、入力された弱い駆動信号を、Q1を駆動させる強い駆動信号に変換する。ドライブ回路1の出力(OUT)はゲート抵抗R5を介してQ1のゲートに接続する。Q1のドレインには、負荷L1(インダクタンス)が接続している。Q1のソースは、電流検出抵抗R1を介して接地されている。Q1のソースと電流検出抵抗R1との間に、ベース抵抗R2の一端が接続する。ベース抵抗R2の他端は、Q1のドレイン電流Id(ソース電流Isと略同一)を制限するための(フィードバックするための)トランジスタQ2のベースに接続する。ベース抵抗R2とトランジスタQ2のベースとの間に、トランジスタQ2の浮遊容量を放電させる放電抵抗R3の一端が接続する。トランジスタQ2のエミッタと放電抵抗R3の他端は接地される。トランジスタQ2のコレクタは、ドライブ回路40の出力(OUT)とQ1のゲートとの間に接続している。
FIG. 5 shows a conventional overcurrent protection circuit. A drive signal for driving Q1 (MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor) is input to an input terminal (IN) of the overcurrent protection circuit from a control circuit (not shown) or the like. The
次に、図5の過電流保護回路の動作を説明する。過電流保護回路は、トランジスタQ2がオンすることによりQ1が強制的にオフするのでQ1のドレイン電流Idを制限する。 Next, the operation of the overcurrent protection circuit of FIG. 5 will be described. The overcurrent protection circuit limits the drain current Id of Q1 because Q1 is forcibly turned off when the transistor Q2 is turned on.
トランジスタQ2がオンするときの条件は以下に示すときである。トランジスタQ2のコレクタ電流をIc、直流電流増幅率をhFE、トランジスタQ2のベース電流をIbとすると、
Ic<hFE×Ib (1)
の関係を満たすときに、トランジスタQ2がオンする。
The conditions for turning on the transistor Q2 are as follows. When the collector current of the transistor Q2 is Ic, the direct current amplification factor is hFE , and the base current of the transistor Q2 is Ib,
Ic <h FE × Ib (1)
When the above relationship is satisfied, the transistor Q2 is turned on.
コレクタ電流Icは、ドライブ回路40の最大出力電流と略同一である。
The collector current Ic is substantially the same as the maximum output current of the
ベース電流Ibは、電流検出抵抗R1とベース抵抗R2との接続点の電圧をV1、トランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧をVbeとすると、
Ib=(V1−Vbe)/R2−Vbe/R3 (2)
ここで、V1=Is×R1である。IsはQ1のソース電流である。
The base current Ib is expressed as follows: V1 is the voltage at the connection point between the current detection resistor R1 and the base resistor R2, and Vbe is the base-emitter voltage of the transistor Q2.
Ib = (V1-Vbe) / R2-Vbe / R3 (2)
Here, V1 = Is × R1. Is is the source current of Q1.
(1)式のIbに(2)式を代入すると、詳細は割愛するが、
Ic<α×Is (3)
となる。ここで、αは定数である。即ち、α×IsがIcより大きくなると、Q1がオフしQ1(負荷L1)を保護する。
Ic <α × Is (3)
It becomes. Here, α is a constant. That is, when α × Is is larger than Ic, Q1 is turned off to protect Q1 (load L1).
図6は従来の過電流保護回路を動作させたときの電圧Vgs(Q1のゲート・ソース間電圧)と電流Id(Q1のドレイン電流)波形を示す図である。図5の過電流保護回路を実際に動作させたところ、図6に示すように、トランジスタQ2が細かいオン・オフを繰り返すために、Q1のドレイン電流Idを遮断することができなかった。図5のVgsはQ1のゲート・ソース間の電圧である。電流検出抵抗R1は発熱を抑えるために抵抗値を略1Ω以下にしている。トランジスタQ2が細かいオン・オフを繰り返してQ1のドレイン電流Idを遮断することができないのは、電流検出抵抗R1の抵抗値が小さいので、Q1がオフしているときにVbeが瞬時に放電するためと考えられる。 FIG. 6 is a diagram showing waveforms of voltage Vgs (Q1 gate-source voltage) and current Id (Q1 drain current) when a conventional overcurrent protection circuit is operated. When the overcurrent protection circuit of FIG. 5 was actually operated, as shown in FIG. 6, the transistor Q2 repeatedly turned on and off, so that the drain current Id of Q1 could not be cut off. Vgs in FIG. 5 is a voltage between the gate and the source of Q1. The current detection resistor R1 has a resistance value of about 1Ω or less in order to suppress heat generation. The reason why the transistor Q2 cannot repeatedly turn on and off finely to cut off the drain current Id of Q1 is that the resistance value of the current detection resistor R1 is small, so that Vbe is discharged instantaneously when Q1 is off. it is conceivable that.
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、MOSFET等のスイッチング素子に流れる過電流を防止することができ、インバータ等の故障を防止することができる高圧放電灯電子安定器の過電流保護回路を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and can prevent an overcurrent flowing through a switching element such as a MOSFET, and can prevent failure of an inverter or the like. It is an object to provide an overcurrent protection circuit for a battery.
この発明に係る高圧放電灯電子安定器の過電流保護回路は、商用電源に接続された整流回路と、昇圧インバータと、スイッチング素子を含む降圧インバータとを有する高圧放電灯を点灯させる高圧放電灯電子安定器の過電流保護回路において、
高圧放電灯電子安定器に使用される第1のスイッチング素子と、
第1のスイッチング素子のゲートに入力側が接続される第2のスイッチング素子と、
第1のスイッチング素子のソース又はドレインにアノードが接続され、カソードが第2のスイッチング素子のベースに接続されるダイオードと、
ダイオードのアノードと第1のスイッチング素子のソース又はドレイとの間に一端が接続される電流検出素子とを備え、第2のスイッチング素子の出力側と電流検出素子の他端を接続したことを特徴とする。
An overcurrent protection circuit for a high-pressure discharge lamp electronic ballast according to the present invention is a high-pressure discharge lamp electronic for lighting a high-pressure discharge lamp having a rectifier circuit connected to a commercial power source, a step-up inverter, and a step-down inverter including a switching element. In the overcurrent protection circuit of the ballast,
A first switching element used in a high pressure discharge lamp electronic ballast;
A second switching element whose input side is connected to the gate of the first switching element;
A diode having an anode connected to the source or drain of the first switching element and a cathode connected to the base of the second switching element;
A current detection element having one end connected between the anode of the diode and the source or drain of the first switching element, and the output side of the second switching element and the other end of the current detection element are connected And
この発明に係る高圧放電灯電子安定器の過電流保護回路は、ダイオードのカソードと第2のスイッチング素子のベースとの間に接続されるベース抵抗を備えたことを特徴とする。 An overcurrent protection circuit for a high-pressure discharge lamp electronic ballast according to the present invention includes a base resistor connected between a cathode of a diode and a base of a second switching element.
この発明に係る高圧放電灯電子安定器の過電流保護回路は、一端がダイオードのカソードに接続され、他端が第2のスイッチング素子の出力側に接続される充電用コンデンサを備えたことを特徴とする。 An overcurrent protection circuit for a high-pressure discharge lamp electronic ballast according to the present invention includes a charging capacitor having one end connected to the cathode of a diode and the other end connected to the output side of the second switching element. And
この発明に係る高圧放電灯電子安定器の過電流保護回路は、スイッチング素子に流れる過電流を防止することができ、インバータ等の故障を防止することができる。 The overcurrent protection circuit of the high voltage discharge lamp electronic ballast according to the present invention can prevent an overcurrent flowing through the switching element, and can prevent a failure of the inverter or the like.
実施の形態1.
図1乃至図4は実施の形態1を示す図で、図1は高圧放電灯電子安定器100の回路図、図2は高圧放電灯電子安定器の過電流保護回路の回路図、図3は高圧放電灯電子安定器100の降圧インバータ4のFETQ41に図2の過電流保護回路を適用した例を示す部分回路図、図4は変形例の高圧放電灯電子安定器の過電流保護回路の回路図である。
1 to 4 show the first embodiment. FIG. 1 is a circuit diagram of a high-pressure discharge lamp
図1により高圧放電灯電子安定器100の構成を説明する。高圧放電灯電子安定器100は、過電流保護回路を組み込む前の回路である。
The configuration of the high-pressure discharge lamp
整流回路2は、商用電源1から交流電力を取り込んで整流を行う。整流回路2は、ダイオードD21、ダイオードD22、ダイオードD23、ダイオードD24で構成されるダイオードブリッジ及びこのダイオードの両出力端間に接続されるコンデンサ21で構成される。
The
昇圧インバータ3は、整流回路2の高電位側出力端と一端が接続されるインダクタンスL31、このインダクタンスL31の他端とアノードが接続されるダイオードD31、ダイオードD31のカソードおよび整流回路2の低電位側出力端と夫々ドレインおよびソースが接続されるFETQ31(電界効果トランジスタ、第1のスイッチング素子の一例)、ダイオードD31のカソードと整流回路2の低電位側出力端との間に接続されるコンデンサC31により構成される。
The step-
降圧インバータ4は、ダイオードD31のカソードとドレインが接続されるFETQ41(第1のスイッチング素子の一例)、このFETQ41のソースおよび整流回路2の低電位側出力端と夫々カソードおよびアノードが接続されるダイオードD41、FETQ41のソースと一端が接続されるインダクタンスL41、このインダクタンスL41の他端と整流回路2の低電位側出力端との間に接続されるコンデンサC41により構成される。
The step-down inverter 4 includes a FET Q41 (an example of a first switching element) to which a cathode and a drain of a diode D31 are connected, a diode to which the source of the FET Q41 and the low potential side output terminal of the
高圧放電灯7の点灯回路5は、コンデンサC41と並列接続される直列接続のFETQ51(第1のスイッチング素子の一例)、FETQ52(第1のスイッチング素子の一例)、これらFETQ51、FETQ52と並列接続される直列接続のFETQ53(第1のスイッチング素子の一例)、FETQ54(第1のスイッチング素子の一例)、始動パルス発生回路6により構成される。
The
制御回路10は、通常点灯時は、降圧インバータ4のFETQ41のデューティ制御により降圧インバータ4から点灯回路5への所定の直流電力の供給制御を行う機能を有する。
The
次に、本実施の形態の特徴部分である過電流保護回路について説明する。図2に示すように、過電流保護回路の入力端子(IN)に、制御回路(図示しない)等からQ1(MOSFET、第1のスイッチング素子の一例)を駆動する駆動信号が入力される。ドライブ回路40は、入力された弱い駆動信号を、Q1を駆動させる強い駆動信号に変換する。ドライブ回路40の出力(OUT)はゲート抵抗R5を介してQ1のゲートに接続する。
Next, an overcurrent protection circuit which is a characteristic part of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 2, a drive signal for driving Q1 (MOSFET, an example of the first switching element) is input to an input terminal (IN) of the overcurrent protection circuit from a control circuit (not shown) or the like. The
Q1のドレインには、インダクタンスL1が接続している。Q1のソースは、電流検出抵抗R1を介して接地されている。Q1のソースと電流検出抵抗R1(電流検出素子の一例)との間に、ダイオードD1のアノードが接続される。ダイオードD1のカソードに充電用コンデンサC1の一端とベース抵抗R2の一端が接続される。ベース抵抗R2の他端は、Q1のドレイン電流Id(ソース電流Isと略同一)を制限するための(フィードバックするための)トランジスタQ2(第2のスイッチング素子の一例)のベースに接続する。充電用コンデンサC1の他端は接地される。充電用コンデンサC1の他端は、トランジスタQ2の出力側に接続されている。尚、Q1のソースのドレインにダイオードD1のアノードが接続される構成でもよい。 An inductance L1 is connected to the drain of Q1. The source of Q1 is grounded via the current detection resistor R1. The anode of the diode D1 is connected between the source of Q1 and the current detection resistor R1 (an example of a current detection element). One end of a charging capacitor C1 and one end of a base resistor R2 are connected to the cathode of the diode D1. The other end of the base resistor R2 is connected to the base of a transistor Q2 (an example of a second switching element) for limiting (feeding back) the drain current Id (substantially the same as the source current Is) of Q1. The other end of the charging capacitor C1 is grounded. The other end of the charging capacitor C1 is connected to the output side of the transistor Q2. The anode of the diode D1 may be connected to the drain of the source of Q1.
ベース抵抗R2とトランジスタQ2のベースとの間に、トランジスタQ2の浮遊容量を放電させる放電抵抗R3の一端が接続する。トランジスタQ2のエミッタと放電抵抗R3の他端は接地される。トランジスタQ2のコレクタは、ドライブ回路40の出力(OUT)とQ1のゲートとの間に接続している。
One end of a discharge resistor R3 for discharging the stray capacitance of the transistor Q2 is connected between the base resistor R2 and the base of the transistor Q2. The emitter of the transistor Q2 and the other end of the discharge resistor R3 are grounded. The collector of the transistor Q2 is connected between the output (OUT) of the
次に動作を説明する。Q1に過電流(Is)が流れたときに、V1がR1×Isの電圧になる。V1はダイオードD1を通して充電用コンデンサC1を充電する。充電用コンデンサC1の電圧が規定の電圧以上になるとトランジスタQ2がオンする。トランジスタQ2がオンすると、Q1をオフしQ1に流れていた過電流を制限することができる。 Next, the operation will be described. When an overcurrent (Is) flows through Q1, V1 becomes a voltage of R1 × Is. V1 charges the charging capacitor C1 through the diode D1. When the voltage of the charging capacitor C1 exceeds a specified voltage, the transistor Q2 is turned on. When the transistor Q2 is turned on, it is possible to turn off Q1 and limit the overcurrent flowing through Q1.
トランジスタQ2がオンしてQ1がオフしたときに、Isが流れないのでV1は0(v)になる。充電用コンデンサC1の電圧は、ダイオードD1がオフするために電流検出抵抗R1に放電されない。そのためトランジスタQ2がオンが継続し、充電用コンデンサC1が放電するまでQ1が継続してオフすることができる。 When transistor Q2 is turned on and Q1 is turned off, Is does not flow, so V1 becomes 0 (v). The voltage of the charging capacitor C1 is not discharged to the current detection resistor R1 because the diode D1 is turned off. Therefore, the transistor Q2 is kept on and Q1 can be continuously turned off until the charging capacitor C1 is discharged.
従来の図5に示す過電流保護回路が、トランジスタQ2が細かいオン・オフを繰り返すために、Q1のドレイン電流Idを遮断することができなかった課題を、解決することができる。 The conventional overcurrent protection circuit shown in FIG. 5 can solve the problem that the drain current Id of Q1 cannot be cut off because the transistor Q2 is repeatedly turned on and off.
図2の過電流保護回路は、少なくともダイオードD1と電流検出抵抗R1とを備えることが必要である。 The overcurrent protection circuit of FIG. 2 needs to include at least a diode D1 and a current detection resistor R1.
図2の過電流保護回路の特徴は、Q1のソースに電位があるところ(グランドでないところ)に使用することができることである。図2では、Q1のソースは、電流検出抵抗R1を介して接地されているが、接地されていないところにも使用することができる。トランジスタQ2は、トランジスタQ2のエミッタと放電抵抗R3の他端等が接続されるラインを基準にしてオン・オフする。そのため、図2の過電流保護回路は、基準ラインが接地されていなくても動作する。 The overcurrent protection circuit of FIG. 2 is characterized in that it can be used where there is a potential at the source of Q1 (where it is not ground). In FIG. 2, the source of Q1 is grounded via the current detection resistor R1, but it can also be used where it is not grounded. The transistor Q2 is turned on / off with reference to a line connecting the emitter of the transistor Q2 and the other end of the discharge resistor R3. Therefore, the overcurrent protection circuit of FIG. 2 operates even when the reference line is not grounded.
図1に示す制御回路10は、そのままでは、例えば、降圧インバータ4のFETQ41の過電流保護を行うことはできない。図1に示す制御回路10で降圧インバータ4のFETQ41の過電流保護を行うには、FETQ41のソース電流を検出する。その場合、FETQ41のソースに電流検出抵抗を接続して、その電流検出抵抗の両端の電位差を取り込む。しかし、直接電圧を取り込むと、制御回路10の許容電圧を超えた電圧を取り込むことになるので、分割抵抗を介して取り込むことになる。分割抵抗を介して取り込むと、電流検出抵抗の両端の電位差が0.01(v)程度になる。この電位差は非常に小さいので、制御回路10は正確に検知することができない。
For example, the
図2の過電流保護回路は、Q1のソースに電位があるところ(グランドでないところ)に使用することができるので、例えば、図1の降圧インバータ4のFETQ41の過電流保護回路として使用することができる。 The overcurrent protection circuit of FIG. 2 can be used where the source of Q1 has a potential (where it is not ground). For example, it can be used as an overcurrent protection circuit of the FET Q41 of the step-down inverter 4 of FIG. it can.
図3は高圧放電灯電子安定器100の降圧インバータ4のFETQ41に図2の過電流保護回路を適用した例を示す部分回路図である。図3では、図2のQ1が降圧インバータ4のFETQ41に置き換わる。
FIG. 3 is a partial circuit diagram showing an example in which the overcurrent protection circuit of FIG. 2 is applied to the FET Q41 of the step-down inverter 4 of the high-pressure discharge lamp
また、図示はしないが、図2の過電流保護回路は、高圧放電灯電子安定器100における昇圧インバータ3のFETQ31の過電流保護回路としても使用することができる。
Although not shown, the overcurrent protection circuit of FIG. 2 can also be used as an overcurrent protection circuit for the FET Q31 of the step-up
さらに、図示はしないが、図2の過電流保護回路は、高圧放電灯電子安定器100における点灯回路5のFETQ51、FETQ52、FETQ53、FETQ54の過電流保護回路としても使用することができる。
Further, although not shown, the overcurrent protection circuit of FIG. 2 can also be used as an overcurrent protection circuit for the FET Q51, FET Q52, FET Q53, and FET Q54 of the
図4は変形例の高圧放電灯電子安定器の過電流保護回路の回路図である。ハーフブリッジドライブ回路50に、ソースに電位があるQ1(MOSFET)及びソースに電位がないQ3(MOSFET)の過電流保護を同時に行う過電流保護回路が接続される。
FIG. 4 is a circuit diagram of an overcurrent protection circuit of a modified high pressure discharge lamp electronic ballast. Connected to the half-
図4において、Q1の過電流保護回路の構成は図2と同様である。異なる点は、Q1のソースに電位がある点だけである。 In FIG. 4, the configuration of the overcurrent protection circuit of Q1 is the same as that of FIG. The only difference is that there is a potential at the source of Q1.
図4において、Q3の過電流保護回路の構成は図2と同様であり、過電流保護回路を構成する各電子部品は、以下のように図2と対応する。
(1)R10は、R5に相当する。
(2)Q4は、Q2に相当する。
(3)R7は、R2に相当する。
(4)R8は、R3に相当する。
(5)C2は、C1に相当する。
(6)D2は、D1に相当する。
(7)R6は、R1に相当する。
In FIG. 4, the configuration of the overcurrent protection circuit of Q3 is the same as that of FIG. 2, and each electronic component constituting the overcurrent protection circuit corresponds to FIG. 2 as follows.
(1) R10 corresponds to R5.
(2) Q4 corresponds to Q2.
(3) R7 corresponds to R2.
(4) R8 corresponds to R3.
(5) C2 corresponds to C1.
(6) D2 corresponds to D1.
(7) R6 corresponds to R1.
1 商用電源、2 整流回路、3 昇圧インバータ、4 降圧インバータ、5 点灯回路、6 始動パルス発生回路、10 制御回路、7 高圧放電灯、21 コンデンサ、40 ドライブ回路、50 ハーフブリッジドライブ回路、100 高圧放電灯電子安定器。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記高圧放電灯電子安定器に使用される第1のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子のゲートに入力側が接続される第2のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子のソース又はドレインにアノードが接続され、カソードが前記第2のスイッチング素子のベースに接続されるダイオードと、
前記ダイオードのアノードと前記第1のスイッチング素子のソース又はドレイとの間に一端が接続される電流検出素子とを備え、前記第2のスイッチング素子の出力側と前記電流検出素子の他端を接続したことを特徴とする高圧放電灯電子安定器の過電流保護回路。 In an overcurrent protection circuit for a high-pressure discharge lamp electronic ballast for lighting a high-pressure discharge lamp having a rectifier circuit connected to a commercial power source, a step-up inverter, and a step-down inverter including a switching element,
A first switching element used in the high pressure discharge lamp electronic ballast;
A second switching element having an input connected to the gate of the first switching element;
A diode having an anode connected to a source or drain of the first switching element and a cathode connected to a base of the second switching element;
A current detection element having one end connected between the anode of the diode and the source or drain of the first switching element, and connecting the output side of the second switching element and the other end of the current detection element; An overcurrent protection circuit for a high-pressure discharge lamp electronic ballast characterized by that.
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