JP2009145724A - Projection optical system and exposure device with the same - Google Patents

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JP2009145724A JP2007324425A JP2007324425A JP2009145724A JP 2009145724 A JP2009145724 A JP 2009145724A JP 2007324425 A JP2007324425 A JP 2007324425A JP 2007324425 A JP2007324425 A JP 2007324425A JP 2009145724 A JP2009145724 A JP 2009145724A
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Yuhei Sumiyoshi
雄平 住吉
Chiaki Terasawa
千明 寺沢
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a relatively compact projection optical system excellent in imaging performance. <P>SOLUTION: The projection optical system 100 for projecting an image of a first object 101 onto a second object 102 includes: a first imaging optical system for forming a first intermediate image of the first object 101; a second imaging optical system G2 for forming a second intermediate image of the first object 101 based on a luminous flux from the first intermediate image, and having a concave mirror CM21; a third imaging optical system G3 for forming a third intermediate image of the first object 101 based on a luminous flux from the second intermediate image, and having a concave mirror CM31; a fourth imaging optical system G4 for forming an image of the first object 101 on the second object 102 based on a luminous flux from the third intermediate image; and a flat mirror FM1 which is disposed between a refractive member located closest to the third imaging optical system G3 along the optical path in the second imaging optical system G2 and a refractive member located closest to the second imaging optical system G2 along the optical path in the third imaging optical system G3, and reflects the luminous flux from the second imaging optical system G2 toward the third imaging optical system G3. The third imaging optical system G3 and the fourth imaging optical system G4 share the optical axis OA<SB>2</SB>. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、投影光学系及びそれを有する露光装置に関する。   The present invention relates to a projection optical system and an exposure apparatus having the same.

近年、露光装置には、高解像度の要請に加えて結像性能の向上と装置の小型化が益々要求されている。結像性能の向上には、収差の影響を安定して低減し、これらの補正に使用する物体面の投影像形成可能領域(良像範囲)を広く確保する必要がある。また、装置の小型化のためにはレンズやミラーの口径をなるべく小さく抑える必要がある。   In recent years, in addition to the demand for high resolution, exposure apparatuses are increasingly required to improve imaging performance and downsize the apparatus. In order to improve the imaging performance, it is necessary to stably reduce the influence of aberration and to secure a wide projection image formable region (good image range) on the object plane used for these corrections. Further, in order to reduce the size of the apparatus, it is necessary to keep the diameter of the lens and mirror as small as possible.

これらの要請を満足する一手段として、ミラーとレンズを用いた反射屈折型投影光学系が従来から知られている。ミラーを用いることによって色収差を低減することができる。また、負のペッツバール和を有する凹面鏡を使用することによって像面湾曲を補正すると共にレンズの小型化を図ることができる。従来技術としては、特許文献1乃至5がある。
特開2005−107362号公報 特開2006−119244号公報 特開2002−83766号公報 特開2005−37896号公報 特開2007−5558号公報
As one means for satisfying these requirements, a catadioptric projection optical system using a mirror and a lens is conventionally known. Chromatic aberration can be reduced by using a mirror. Further, by using a concave mirror having a negative Petzval sum, field curvature can be corrected and the lens can be miniaturized. As conventional techniques, there are Patent Documents 1 to 5.
JP-A-2005-107362 JP 2006-119244 A JP 2002-83766 A Japanese Patent Laid-Open No. 2005-37896 JP 2007-5558 A

しかしながら、ペッツバール和を一枚の凹面鏡で補正することは困難であり、凹面鏡の枚数が一枚であれば他の凹レンズにペッツバール和の補正機能をもたせる必要が生じる。すると、レンズ径の大型化や凹レンズの枚数増加による物像間距離の増加を招き、露光装置の小型化の要請に反する。あるいは、凹レンズのパワーが大きくなって高次収差が増加し、光学系全系での収差補正が困難になる場合もある。   However, it is difficult to correct the Petzval sum with a single concave mirror. If the number of concave mirrors is one, it is necessary to provide a function for correcting the Petzval sum to other concave lenses. Then, an increase in the lens diameter and an increase in the distance between the object images due to an increase in the number of concave lenses is contrary to the demand for downsizing the exposure apparatus. Alternatively, the power of the concave lens is increased and higher-order aberrations are increased, so that it may be difficult to correct aberrations in the entire optical system.

また、投影光学系を複数の結像光学系により構成し、その間を平面ミラーで結合する場合、入射光束の上側光線と下側光線の平面ミラーにおける反射角度差は平面ミラーの枚数と共に増加することになる。すると、投影光学系は平面ミラーの反射膜の角度特性に影響を受けやすい系になる。そして、上側光線と下側光線の透過率差が増幅される結果、光学系の射出瞳内での透過率の分布(瞳透過率分布)が悪化し、線幅(CriticalDimension:CD)均一性が悪化する。   In addition, when the projection optical system is composed of a plurality of imaging optical systems and is coupled by a plane mirror, the reflection angle difference between the upper ray and the lower ray of the incident light beam at the plane mirror increases with the number of plane mirrors. become. Then, the projection optical system becomes a system that is easily affected by the angle characteristics of the reflection film of the plane mirror. As a result of the amplification of the transmittance difference between the upper and lower rays, the transmittance distribution (pupil transmittance distribution) in the exit pupil of the optical system is deteriorated, and the line width (critical dimension: CD) uniformity is improved. Getting worse.

更に、物体面のほぼ真下に像面を配置する構成では物像間距離が増加し、この問題を防止しようとすれば凹レンズのパワーが大きくなって高次収差が増加する。   Further, in the configuration in which the image plane is arranged almost directly below the object plane, the distance between the object images increases, and if this problem is to be prevented, the power of the concave lens increases and the higher order aberrations increase.

本発明は、結像性能に優れ、比較的小型な投影光学系及びそれを有する露光装置を提供することを例示的な目的とする。   An object of the present invention is to provide a relatively small projection optical system having excellent imaging performance and an exposure apparatus having the same.

本発明の一側面としての投影光学系は、第1物体の像を第2物体上に形成する投影光学系において、前記第1物体の第1中間像を形成するための第1結像光学系と、前記第1中間像からの光束に基づいて前記第1物体の第2中間像を形成し、第1の凹面鏡を有する第2結像光学系と、前記第2中間像からの光束に基づいて前記第1物体の第3中間像を形成し、第2の凹面鏡を有する第3結像光学系と、前記第3中間像からの光束に基づいて前記第1物体の像を前記第2物体上に形成するための第4結像光学系と、前記第2結像光学系において光路に沿って前記第3結像光学系に最も近い屈折部材と、前記第3結像光学系において前記光路に沿って前記第2結像光学系に最も近い屈折部材との間に配置され、前記第2結像光学系からの光束を前記第3結像光学系に反射する第1の平面ミラーと、を有し、前記第3結像光学系と前記第4結像光学系は光軸を共有することを特徴とする。   A projection optical system according to one aspect of the present invention is a projection optical system that forms an image of a first object on a second object, and a first imaging optical system for forming a first intermediate image of the first object. And a second imaging optical system that forms a second intermediate image of the first object based on the light beam from the first intermediate image and has a first concave mirror, and the light beam from the second intermediate image. And forming a third intermediate image of the first object, a third imaging optical system having a second concave mirror, and an image of the first object based on a light beam from the third intermediate image. A fourth imaging optical system to be formed thereon; a refractive member closest to the third imaging optical system along an optical path in the second imaging optical system; and the optical path in the third imaging optical system. Between the refractive member closest to the second imaging optical system and the light beam from the second imaging optical system. Has a first plane mirror for reflecting the third imaging optical system, wherein the third imaging optical system and the fourth image-forming optical system is characterized by sharing the optical axis.

本発明の別の一側面としての露光装置は、原版のパターンを基板に露光する露光装置において、第1物体としての前記原版の前記パターンを第2物体としての前記基板に投影する上述の投影光学系を有することを特徴とする。   An exposure apparatus according to another aspect of the present invention is the above-described projection optical system that projects the pattern of the original plate as the first object onto the substrate as the second object in the exposure apparatus that exposes the pattern of the original plate onto the substrate. It is characterized by having a system.

本発明によれば、結像性能に優れ、比較的小型な投影光学系及びそれを有する露光装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a relatively compact projection optical system having excellent imaging performance and an exposure apparatus having the same.

以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての投影光学系100及び露光装置200について説明する。ここで、図1は、投影光学系100の光路図である。同図において、101は物体面に配置された第1物体(例えば、レチクル)、102は像面に配置された第2物体(例えば、ウエハ)であり、投影光学系100は、第1物体の像を第2物体上に形成する。投影光学系100は、光路に沿って物体側から順に、第1結像光学系G1乃至第4結像光学系G4を有する4回結像系である。   Hereinafter, a projection optical system 100 and an exposure apparatus 200 as one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Here, FIG. 1 is an optical path diagram of the projection optical system 100. In the figure, 101 is a first object (for example, a reticle) placed on the object plane, 102 is a second object (for example, a wafer) placed on the image plane, and the projection optical system 100 is the first object. An image is formed on the second object. The projection optical system 100 is a four-time imaging system having a first imaging optical system G1 to a fourth imaging optical system G4 in order from the object side along the optical path.

第1結像光学系G1は、第1物体101の実像である第1中間像を点Pに形成し、図1においては、レンズ群(又は屈折部材群)から構成される。 First imaging optical system G1 has a first intermediate image is a real image of the first object 101 is formed on the point P 1, in FIG. 1 includes a lens group (or a refractive member group).

但し、図2に示すように、第1結像光学系G1をレンズ群L11及びL12で構成し、レンズ群L11とL12の間に平面ミラー(第2の平面ミラー)FM2を配置し、第1結像光学系G1の光軸を折り曲げてもよい。レンズ群L11は少なくとも一つ屈折部材を有する屈折系であり、正の屈折力を有する。また、レンズ群L11は第1物体101に光路に沿って最も近い側に配置される。レンズ群L12は、少なくとも一つの屈折部材を有し、正屈折力を有する。また、レンズ群L12は、第2物体102に光路に沿って最も近い側に配置される。平面ミラーFM2はレンズ群L11及びL12の間で、好ましくは、第1結像光学系の瞳近傍に、配置される。   However, as shown in FIG. 2, the first imaging optical system G1 is composed of lens groups L11 and L12, and a plane mirror (second plane mirror) FM2 is arranged between the lens groups L11 and L12, and the first The optical axis of the imaging optical system G1 may be bent. The lens group L11 is a refractive system having at least one refractive member and has a positive refractive power. The lens group L11 is disposed on the side closest to the first object 101 along the optical path. The lens group L12 has at least one refractive member and has positive refractive power. The lens group L12 is disposed on the side closest to the second object 102 along the optical path. The plane mirror FM2 is disposed between the lens groups L11 and L12, preferably in the vicinity of the pupil of the first imaging optical system.

このような構成とすることにより、第1物体101と第2物体102とを平行な配置とすることができ、装置構成上、特に、ステップアンドスキャン方式の露光装置において、ステージ駆動機構が構成し易いというメリットがある。その場合、第1物体101と第2物体102は平行に配置されるが、第1結像光学系G1と第4結像光学系G4とが一本の直線状の光軸を共有しておらず、それぞれ異なる光軸を有している。このため、物像間距離が長くなるという問題を解決することができる。また、平面ミラーFM2が瞳の近傍にある場合、ある一物点から出射した光束のうち全ての光線の入射角、出射角がほぼ同じになる。このため、反射膜の反射率角度特性を考慮しても、瞳各点の透過率は一様な値となり、瞳透過率分布は悪化しない。なお、本出願において、平面ミラーFM2が「第1結像光学系G1の瞳に配置されている」という表現は、瞳から多少ずれた状態も含む趣旨である。   With such a configuration, the first object 101 and the second object 102 can be arranged in parallel, and the stage drive mechanism is configured in an apparatus configuration, particularly in a step-and-scan exposure apparatus. There is a merit that it is easy. In this case, the first object 101 and the second object 102 are arranged in parallel, but the first imaging optical system G1 and the fourth imaging optical system G4 share one linear optical axis. Each has a different optical axis. For this reason, the problem that the distance between object images becomes long can be solved. Further, when the plane mirror FM2 is in the vicinity of the pupil, the incident angle and the emission angle of all the light beams out of the light beam emitted from a certain object point are substantially the same. For this reason, even if the reflectance angle characteristic of the reflective film is taken into consideration, the transmittance at each point of the pupil becomes a uniform value, and the pupil transmittance distribution does not deteriorate. In the present application, the expression that the plane mirror FM2 is “arranged at the pupil of the first imaging optical system G1” is intended to include a state slightly deviated from the pupil.

第2結像光学系G2は、第1中間像からの光束に基づいて第1物体101の実像である第2中間像を点Pに形成する。第2結像光学系G2は、レンズ群L21と凹面鏡CM21(第1の凹面鏡)を有する反射屈折系である。レンズ群L21は、少なくとも一つの屈折部材から構成され、正の屈折力を有する。好ましくは、レンズ群L21は、少なくとも1枚の凸レンズと少なくとも1枚の凹レンズを含む。これにより、ペッツバール和の補正に有利な構成となる。凹面鏡CM21は、第2結像光学系G2の瞳近傍に配置されて非点収差の発生を回避している。なお、本出願において、凹面鏡CM21が「第2結像光学系G2の瞳に配置されている」という表現は、瞳から多少ずれた状態も含む趣旨である。 The second imaging optical system G2, a second intermediate image is a real image of the first object 101 is formed on the point P 2 based on the light flux from the first intermediate image. The second imaging optical system G2 is a catadioptric system having a lens group L21 and a concave mirror CM21 (first concave mirror). The lens unit L21 includes at least one refractive member and has a positive refractive power. Preferably, the lens unit L21 includes at least one convex lens and at least one concave lens. Thereby, it becomes a structure advantageous for correction | amendment of Petzval sum. The concave mirror CM21 is disposed in the vicinity of the pupil of the second imaging optical system G2 to avoid the generation of astigmatism. In the present application, the expression that the concave mirror CM21 is “arranged in the pupil of the second imaging optical system G2” is intended to include a state slightly deviated from the pupil.

第3結像光学系G3は、第2中間像からの光束に基づいて第1物体101の実像である第3中間像を点Pに形成する。第2結像光学系G2は、レンズ群L31と凹面鏡CM31(第2の凹面鏡)を有する反射屈折系である。レンズ群L31は、少なくとも一つの屈折部材から構成され、正の屈折力を有する。好ましくは、レンズ群L31は、少なくとも1枚の凸レンズと少なくとも1枚の凹レンズを含む。これにより、ペッツバール和の補正に有利な構成となる。凹面鏡CM31は、第3結像光学系G3の瞳近傍に配置されて非点収差の発生を回避している。なお、本出願において、凹面鏡CM31が「第3結像光学系G3の瞳に配置されている」という表現は、瞳から多少ずれた状態も含む趣旨である。 Third imaging optical system G3, the third intermediate image is real image of the first object 101 is formed on the point P 3 on the basis of the light flux from the second intermediate image. The second imaging optical system G2 is a catadioptric system having a lens group L31 and a concave mirror CM31 (second concave mirror). The lens group L31 includes at least one refractive member and has a positive refractive power. Preferably, the lens group L31 includes at least one convex lens and at least one concave lens. Thereby, it becomes a structure advantageous for correction | amendment of Petzval sum. The concave mirror CM31 is disposed in the vicinity of the pupil of the third imaging optical system G3 to avoid the generation of astigmatism. In the present application, the expression that the concave mirror CM31 is “arranged in the pupil of the third imaging optical system G3” is intended to include a state slightly deviated from the pupil.

第4結像光学系G4は、第3中間像からの光束に基づいて第1物体101の実像を第2物体102上に形成する。第4結像光学系G4は、少なくとも一つの屈折部材から構成される屈折系である。第4結像光学系G4は、最終的な像(最終像)を第2物体102上に形成する。   The fourth imaging optical system G4 forms a real image of the first object 101 on the second object 102 based on the light beam from the third intermediate image. The fourth imaging optical system G4 is a refractive system composed of at least one refractive member. The fourth imaging optical system G <b> 4 forms a final image (final image) on the second object 102.

光路に沿って第2結像光学系G2のレンズ群L21と第3結像光学系G3のレンズ群L31との間には平面ミラー(偏向反射鏡、折り曲げミラー)FM1が配置されている。より詳細には、平面ミラー(第1の平面ミラー)FM1は、第2の結像光学系G2において光路に沿って第3の結像光学系G3に最も近い屈折部材と、第3の結像光学系G3において光路に沿って第2の結像光学系G2に最も近い屈折部材との間に配置される。   A plane mirror (deflection reflecting mirror, bending mirror) FM1 is disposed between the lens group L21 of the second imaging optical system G2 and the lens group L31 of the third imaging optical system G3 along the optical path. More specifically, the plane mirror (first plane mirror) FM1 includes the refractive member closest to the third imaging optical system G3 along the optical path in the second imaging optical system G2, and the third imaging. In the optical system G3, the optical system G3 is disposed between the refractive member closest to the second imaging optical system G2 along the optical path.

平面ミラーFM1は、第2結像光学系G2からの光束を第3結像光学系G3に反射する。しかし、第3結像光学系G3から第4結像光学系G4に至る光束を反射しない。この点で、平面ミラーFM3は特許文献1の図3の平面ミラー(M1、M2)と相違する。特許文献1の図3の投影光学系は一枚の平面ミラーを有しているが、その平面ミラーは表裏面を反射面として使用している。これに対して、本実施例の平面ミラーFM1は使用する反射面は一面のみである。そして、平面ミラーFM1は、第3結像光学系G3から前記第4結像光学系に至る光路から外れた位置に配置されている。また、第3結像光学系G3と第4結像光学系G4との間には反射面が配置されていない。この結果、第3結像光学系G3と第4結像光学系G4は共通の一本の直線状の光軸OAを共有する。なお、本実施例では、第1物体101から第2結像光学系G2に向かう光軸をOA、第3結像光学系G3から第2物体102に向かう光軸OAとしている。 The plane mirror FM1 reflects the light beam from the second imaging optical system G2 to the third imaging optical system G3. However, the light beam from the third imaging optical system G3 to the fourth imaging optical system G4 is not reflected. In this respect, the flat mirror FM3 is different from the flat mirrors (M1, M2) of FIG. The projection optical system shown in FIG. 3 of Patent Document 1 has one plane mirror, and the plane mirror uses the front and back surfaces as a reflection surface. On the other hand, the plane mirror FM1 of the present embodiment uses only one reflecting surface. The plane mirror FM1 is disposed at a position off the optical path from the third imaging optical system G3 to the fourth imaging optical system. Further, no reflecting surface is disposed between the third imaging optical system G3 and the fourth imaging optical system G4. As a result, the third imaging optical system G3 and the fourth imaging optical system G4 sharing linear optical axis OA 2 common one. In this embodiment, the optical axis from the first object 101 to the second imaging optical system G2 is OA 1 , and the optical axis OA 2 from the third imaging optical system G3 to the second object 102 is used.

平面ミラーFM1は、第1乃至第3中間像の形成点P乃至Pの近傍に配置される。点P乃至Pでは光束が集光しており、これらを平面ミラーFM1の近傍に配置することによって、平面ミラーFM1は、第1結像光学系G1から第2結像光学系G2に向かう光束や第3結像光学系G3から第4結像光学系G4に向かう光束と干渉しない。なお、本実施例では、平面ミラーFM1は第2中間像の形成点Pの光路に沿って前段に配置されているが、後段に配置されてもよい。平面ミラーFM1は結像には寄与しない。本実施例では、光軸OAと光軸OAとは直交し、平面ミラーFM1の光軸OAに対する角度は45度である。但し、本発明は平面ミラーFM1の折り曲げ角度を限定するものではない。 The plane mirror FM1 is disposed in the vicinity of the formation points P 1 to P 3 of the first to third intermediate images. Light fluxes are collected at points P 1 to P 3 , and by arranging these in the vicinity of the plane mirror FM 1, the plane mirror FM 1 moves from the first imaging optical system G 1 to the second imaging optical system G 2. It does not interfere with the light beam or the light beam traveling from the third imaging optical system G3 to the fourth imaging optical system G4. In the present embodiment, although the planar mirror FM1 is arranged upstream along the optical path of the forming point P 2 of the second intermediate image may be located downstream. The plane mirror FM1 does not contribute to image formation. In this embodiment, orthogonal to the optical axis OA 1 and the optical axis OA 2, the angle with respect to the optical axis OA 1 of the plane mirror FM1 is 45 degrees. However, the present invention does not limit the bending angle of the plane mirror FM1.

このように、投影光学系100は、いくつかの特徴を有する。   As described above, the projection optical system 100 has several features.

まず、投影光学系100は4回結像系であり、4回結像系は光路長を長く確保して各結像光学系における収差の発生量を低減すると共に収差補正の自由度を増大させることができるため収差補正に効果的である。また、投影光学系100は、第1結像光学系G1と第2結像光学系G2、第3結像光学系G3と第4結像光学系G4というように、屈折系と反射屈折系の対を連続して配置している。そして、投影光学系100はこの対を2対以上有することによって、ペッツバール和と軸上色収差の補正を容易にしている。   First, the projection optical system 100 is a four-time imaging system, and the four-time imaging system ensures a long optical path length to reduce the amount of aberration generated in each imaging optical system and increase the degree of freedom of aberration correction. Therefore, it is effective for aberration correction. The projection optical system 100 includes a refraction system and a catadioptric system such as a first image formation optical system G1 and a second image formation optical system G2, a third image formation optical system G3, and a fourth image formation optical system G4. Pairs are arranged consecutively. The projection optical system 100 has two or more pairs to facilitate correction of Petzval sum and axial chromatic aberration.

更に、ペッツバール和の補正が容易ということで、第1結像光学系G1と第4結像光学系G4を、ペッツバール和を補正するための凹レンズを多用することなしに構成することができる。このため、レンズの小径化が可能となる。また、単一硝材の場合、色コマ収差、倍率色収差等の非対称色収差の補正が困難になる。これに対して、第1結像光学系G1と第4結像光学系G4の2つの屈折系によって、光束の上側光線、下側光線及び主光線の制御を容易にすることで非対称色収差を容易に補正している。更に、投影光学系100は瞳の中心が遮光されていない軸外光束のみを使って結像する多数回結像光学系である。   Furthermore, since the Petzval sum can be easily corrected, the first image forming optical system G1 and the fourth image forming optical system G4 can be configured without using many concave lenses for correcting the Petzval sum. For this reason, it is possible to reduce the diameter of the lens. In the case of a single glass material, it becomes difficult to correct asymmetric chromatic aberrations such as chromatic coma and lateral chromatic aberration. On the other hand, asymmetrical chromatic aberration can be easily achieved by facilitating the control of the upper ray, the lower ray and the principal ray of the light beam by the two refractive systems of the first imaging optical system G1 and the fourth imaging optical system G4. It is corrected to. Further, the projection optical system 100 is a multiple-time imaging optical system that forms an image using only an off-axis light beam whose pupil center is not shielded.

投影光学系100は、2枚の凹面鏡CM21及びCM31を有するのでペッツバール和の補正が容易になる。ペッツバール和を補正する機能を凹レンズに持たせる割合が凹面鏡の数が一枚の場合よりも低減するので、レンズ径の大型化や凹レンズの枚数増加を防止して投影光学系100を小型に構成することができる。また、パワーの強い凹レンズを使用する必要がないので高次収差の増加を防止して収差補正を容易に行うことができる。   Since the projection optical system 100 includes the two concave mirrors CM21 and CM31, the Petzval sum can be easily corrected. Since the proportion of the concave lens having the function of correcting the Petzval sum is reduced as compared with the case where the number of concave mirrors is one, the projection optical system 100 is configured to be small by preventing an increase in the lens diameter and an increase in the number of concave lenses. be able to. In addition, since it is not necessary to use a powerful concave lens, it is possible to easily correct aberrations by preventing an increase in higher-order aberrations.

投影光学系100は、一枚のみの平面ミラーFM1又は一面のみの反射面を有している。平面ミラー又は反射面の数が増加すると上側光線と下側光線の透過率差が増幅されて、光学系の射出瞳内での透過率の分布(瞳透過率分布)が悪化し、CD均一性が悪化するが、本実施例はかかる問題を最小限に抑えている。   The projection optical system 100 has only one plane mirror FM1 or only one reflecting surface. As the number of plane mirrors or reflecting surfaces increases, the transmittance difference between the upper and lower rays is amplified, the transmittance distribution (pupil transmittance distribution) in the exit pupil of the optical system deteriorates, and CD uniformity However, this embodiment minimizes this problem.

また、投影光学系100は、平面ミラーFM1を使用することによって投影光学系の全ての光学素子が一本の直線状の光軸を共有することを防止している。全ての光学素子が光軸を共有すると物像間距離が増加し易い。この場合、第2物体102が第1物体101の真下に配置されるなどの構成になり易い。特に、投影光学系が反射屈折系の場合には、ミラーからの反射光が他のミラーの外側を通過することになり、広い良像範囲を確保しづらくなるか、広い良像範囲を確保すれば前記別のミラーの外側を通過する光束がより高くなるために後段のレンズ径が増大する。本実施例の平面ミラーFM1はかかる問題を解決している。   In addition, the projection optical system 100 prevents all optical elements of the projection optical system from sharing a single linear optical axis by using the plane mirror FM1. If all the optical elements share the optical axis, the distance between object images tends to increase. In this case, the second object 102 is likely to be arranged directly below the first object 101. In particular, when the projection optical system is a catadioptric system, the reflected light from the mirror will pass outside the other mirrors, making it difficult to secure a wide good image range or to secure a wide good image range. For example, since the luminous flux passing outside the other mirror becomes higher, the lens diameter of the subsequent stage increases. The plane mirror FM1 of this embodiment solves this problem.

正の屈折力をもつ屈折部材(例えば、凸レンズ)からは正のペッツバール和が生じ、負の屈折力をもつ屈折部材(例えば、凹レンズ)からは負のペッツバール和が生じる。また、正の屈折力をもつ反射部材(例えば、凹面ミラー)からは、負のペッツバール和が生じる。各部材からのペッツバール和の和として表される第1〜第4の各結像光学系のペッツバール和は、以下のようになる。第1結像光学系と第4結像光学系のペッツバール和は正の値となる。これを、第2結像光学系と第3結像光学系の負のペッツバール和で補正(相殺)する。このとき、第1結像光学系のペッツバール和P11、第4結像光学系のペッツバール和P14は、それぞれ数式1を満足し、第2結像光学系のペッツバール和P12、第3結像光学系のペッツバール和P13は、数式2を満足することが好ましい。   A positive Petzval sum is generated from a refractive member having a positive refractive power (for example, a convex lens), and a negative Petzval sum is generated from a refractive member having a negative refractive power (for example, a concave lens). Further, a negative Petzval sum is generated from a reflecting member having a positive refractive power (for example, a concave mirror). The Petzval sums of the first to fourth imaging optical systems expressed as the sum of Petzval sums from the respective members are as follows. The Petzval sum of the first imaging optical system and the fourth imaging optical system is a positive value. This is corrected (cancelled) by the negative Petzval sum of the second imaging optical system and the third imaging optical system. At this time, the Petzval sum P11 of the first imaging optical system and the Petzval sum P14 of the fourth imaging optical system satisfy Equation 1, respectively, and the Petzval sum P12 of the second imaging optical system, the third imaging optical system. It is preferable that the Petzval sum P13 of the above satisfies Expression 2.

第1結像光学系G1の近軸横倍率の絶対値は、0.9倍以上1.7倍以下が好ましく、より好ましくは1.3倍程度である。第1結像光学系G1の近軸横倍率の絶対値が1.7倍よりも大きいと、第1中間像付近のレンズ径が巨大化し、干渉を避けながらレンズを構成すると全系が巨大化し、コスト上不利になるためである。また、第1結像光学系G1の近軸横倍率の絶対値が0.9倍よりも小さいと、第1中間像におけるNAが大きくなり、干渉を避けてレンズを構成するのが困難になるからである。   The absolute value of the paraxial lateral magnification of the first imaging optical system G1 is preferably 0.9 times or more and 1.7 times or less, and more preferably about 1.3 times. If the absolute value of the paraxial lateral magnification of the first imaging optical system G1 is larger than 1.7 times, the lens diameter near the first intermediate image becomes enormous, and if the lens is constructed while avoiding interference, the entire system becomes enormous. This is because the cost becomes disadvantageous. In addition, if the absolute value of the paraxial lateral magnification of the first imaging optical system G1 is smaller than 0.9 times, the NA in the first intermediate image increases, making it difficult to construct a lens avoiding interference. Because.

第2結像光学系G2と第3結像光学系G3の近軸横倍率の積の絶対値は、0.8以上1.2以下が好ましく、より好ましくは1.0である。なぜならば、平面ミラーFM1の周囲での光束の干渉を避けながら、かつ広い画面サイズを確保するために有利だからである。   The absolute value of the product of the paraxial lateral magnifications of the second imaging optical system G2 and the third imaging optical system G3 is preferably 0.8 or more and 1.2 or less, and more preferably 1.0. This is because it is advantageous for securing a wide screen size while avoiding interference of light beams around the plane mirror FM1.

以下、それについて詳しく説明する。物体面上の任意の点と光軸との、光軸と垂直方向に測った高さを物高と呼ぶ。投影光学系100にはその構成上、最小となる物高、いわゆる最小物高、と最大となる物高、いわゆる最大物高が存在する。最大物高と最小物高の差が大きくなるほど広い画面サイズを確保することができることは明らかである。最大物高は製作可能な硝子材料やレンズの大きさなどの制約を受け、最小物高は、平面ミラーFM1周りでの光線の干渉条件の制約を受ける。   This will be described in detail below. The height measured in the direction perpendicular to the optical axis between an arbitrary point on the object plane and the optical axis is called an object height. The projection optical system 100 has a minimum object height, so-called minimum object height, and a maximum object height, so-called maximum object height, due to its configuration. It is clear that a wider screen size can be secured as the difference between the maximum height and the minimum height increases. The maximum height is subject to constraints such as the glass material that can be manufactured and the size of the lens, and the minimum height is subject to the interference of light rays around the plane mirror FM1.

図12は、図2において平面ミラーFM1と光束との関係を説明する光路図である。物高h0の軸外物点から出た光束が第1結像光学系G1によって結像された第1中間像の形成位置(点P)の光軸OAに垂直に測った高さをh1とする。また、物高h0の軸外物点から出た光束が第3結像光学系G3によって結像された第3中間像の形成位置(点P)の光軸OAに垂直に測った高さをh3とする。第1結像光学系G1から第2結像光学系G2へ向かう光束が平面ミラーFM1によってケラレない(干渉しない)ためには、h1をある程度、例えば、5mm以上、確保しなければならない。同様に、第3結像光学系G3から第4結像光学系G4へ向かう光束が平面ミラーFM1によってケラレない(干渉しない)ためには、h3をある程度、例えば5mm以上、確保しなければならない。一方で、物高h0とh1、h3は、それぞれが共役な点同士ゆえに比例関係にあるので、h1とh3を可能な範囲でできるだけ小さくすることによって、可能な最小物高h0が決定されることになる。 FIG. 12 is an optical path diagram for explaining the relationship between the plane mirror FM1 and the light beam in FIG. The height measured perpendicularly to the optical axis OA 1 of the formation position (point P 1 ) of the first intermediate image formed by the first imaging optical system G1 from the off-axis object point of the object height h0 is measured. Let h1. The high light flux emitted from the off-axis object point of the object height h0 is measured perpendicular to the optical axis OA 2 forming position of the third intermediate image formed by the third imaging optical system G3 (the point P 3) Let h3 be. In order to prevent the light beam traveling from the first imaging optical system G1 to the second imaging optical system G2 from being vignetted (not interfered) by the plane mirror FM1, it is necessary to secure h1 to some extent, for example, 5 mm or more. Similarly, in order for the light beam traveling from the third imaging optical system G3 to the fourth imaging optical system G4 not to be vignetted (does not interfere) by the plane mirror FM1, h3 must be ensured to some extent, for example, 5 mm or more. On the other hand, since the object heights h0, h1, and h3 are proportional to each other because they are conjugate points, the smallest possible object height h0 is determined by making h1 and h3 as small as possible. become.

ここで、第2結像系の近軸倍率をβ2、第3結像系の近軸倍率をβ3とすると、h1とh3の間には数式3の関係が成立する。   Here, when the paraxial magnification of the second imaging system is β2, and the paraxial magnification of the third imaging system is β3, the relationship of Formula 3 is established between h1 and h3.

即ち、第2結像光学系G2と第3結像光学系G3の近軸倍率の積によって、h1とh3の大小関係が定まることになる。この関係式を用いて、h1及びh3が、例えば、5mm以上でできるだけ小さくなる条件を計算すると、β2×β3の各値に対してh1とh3のとる値は、図13に示すようになる。β2×β3=1のとき、h1=h3=5mmとなり、h1及びh3が最も小さくなり、それ以外の値では、β2×β3が1から離れるに従って、h1あるいはh3が徐々に大きくなる。即ち、β2×β3=1の時に最も小さい最小物高を得ることができ、この条件から外れるに従って可能な最小物高が徐々に大きくなる。ここでは干渉制約を例として5mmと置いたが、これ以外の値のときも当然ながら同じ振る舞いを示す。なお、最良の状態から20%程度大きくなるのを許容するとして、β2×β3は、0.8から1.2が好ましい範囲となる。   That is, the magnitude relationship between h1 and h3 is determined by the product of the paraxial magnifications of the second imaging optical system G2 and the third imaging optical system G3. Using this relational expression, if a condition where h1 and h3 are as small as possible is, for example, 5 mm or more is calculated, the values taken by h1 and h3 for each value of β2 × β3 are as shown in FIG. When β2 × β3 = 1, h1 = h3 = 5 mm, h1 and h3 are the smallest, and at other values, h1 or h3 gradually increases as β2 × β3 moves away from 1. That is, the smallest minimum height can be obtained when β2 × β3 = 1, and the minimum height is gradually increased as the condition is deviated. Here, the interference constraint is set to 5 mm as an example, but the same behavior is naturally shown at other values. It should be noted that β2 × β3 is preferably in the range of 0.8 to 1.2, assuming that it is allowed to increase by about 20% from the best state.

図3は、本発明の一側面としての露光装置200の概略ブロック図である。露光装置200は、図3に示すように、照明装置210と、原版220のパターンを基板230に投影する上述の投影光学系100とを有する。   FIG. 3 is a schematic block diagram of an exposure apparatus 200 as one aspect of the present invention. As illustrated in FIG. 3, the exposure apparatus 200 includes an illumination apparatus 210 and the above-described projection optical system 100 that projects the pattern of the original 220 onto the substrate 230.

露光装置200は、ステップアンドスキャン方式で原版220に形成されたパターンを基板230に露光する投影露光装置である。照明装置210は転写用の回路パターンが形成された原版220を照明し、光源部212と照明光学系214とを有する。光源部212は、光源としてレーザーを使用する。照明光学系214は、原版220を均一に照明する。原版220は、転写されるべき回路パターン(又は像)が形成されたレチクル(マスク)であり、図示しないステージに支持及び駆動される。原版220から発せられた回折光は投影光学系100を通り基板230上に投影される。基板230としては、ウエハを用いても、ガラスプレートを用いても良い。基板230にはフォトレジストが塗布されている。原版220と基板230とは共役の関係に配置される。露光装置200は、ステップアンドスキャン方式の露光装置であるため、原版220と基板230を走査することによりパターンを基板230に縮小投影する。   The exposure apparatus 200 is a projection exposure apparatus that exposes a substrate 230 with a pattern formed on an original plate 220 by a step-and-scan method. The illumination device 210 illuminates the original 220 on which a transfer circuit pattern is formed, and includes a light source unit 212 and an illumination optical system 214. The light source unit 212 uses a laser as a light source. The illumination optical system 214 illuminates the original 220 uniformly. The original 220 is a reticle (mask) on which a circuit pattern (or image) to be transferred is formed, and is supported and driven by a stage (not shown). The diffracted light emitted from the original 220 is projected onto the substrate 230 through the projection optical system 100. As the substrate 230, a wafer or a glass plate may be used. The substrate 230 is coated with a photoresist. The original plate 220 and the substrate 230 are arranged in a conjugate relationship. Since the exposure apparatus 200 is a step-and-scan exposure apparatus, the pattern is reduced and projected onto the substrate 230 by scanning the original 220 and the substrate 230.

図4は、実施例1の反射屈折型投影光学系100Aの光路図である。図4を参照するに、投影光学系100Aは、光路に沿って第1物体101側から順に、第1結像光学系G1乃至第4結像光学系G4を有する。   FIG. 4 is an optical path diagram of the catadioptric projection optical system 100A of the first embodiment. Referring to FIG. 4, the projection optical system 100A includes first to fourth imaging optical systems G1 to G4 in order from the first object 101 side along the optical path.

第1結像光学系G1は往復光学系を形成しない屈折系であり、少なくとも1つのレンズから構成される屈折レンズ群を有する。第2結像光学系G2は往復光学系を形成する反射屈折系である。第2結像光学系G2は、往復光学系を形成するレンズ群L21と、凹面鏡CM21から構成される。また、往復光学系を形成するレンズ群L21は、正の屈折力のレンズ群L211と、負の屈折力のレンズ群L212から構成される。第3結像光学系G3は、往復光学系を形成する反射屈折系である。反射屈折系の第3結像光学系G3は、往復光学系を形成するレンズ群L31と、凹面鏡CM31から構成される。また、往復光学系を形成するレンズ群L31は、正の屈折力のレンズ群L311と、負の屈折力のレンズ群L312から構成される。第4結像光学系G3は往復光学系を形成しない屈折系であり、少なくとも1つのレンズから構成される屈折レンズ群を有する。   The first imaging optical system G1 is a refractive system that does not form a reciprocating optical system, and has a refractive lens group that includes at least one lens. The second imaging optical system G2 is a catadioptric system that forms a reciprocating optical system. The second imaging optical system G2 includes a lens group L21 that forms a reciprocating optical system, and a concave mirror CM21. The lens unit L21 forming the reciprocating optical system includes a lens unit L211 having a positive refractive power and a lens unit L212 having a negative refractive power. The third imaging optical system G3 is a catadioptric system that forms a reciprocating optical system. The catadioptric third imaging optical system G3 includes a lens group L31 that forms a reciprocating optical system and a concave mirror CM31. The lens group L31 forming the reciprocating optical system includes a lens group L311 having a positive refractive power and a lens group L312 having a negative refractive power. The fourth imaging optical system G3 is a refractive system that does not form a reciprocating optical system, and includes a refractive lens group that includes at least one lens.

本実施例では、第1結像光学系中に平面ミラーFM2を含み、これにより第1物体(レチクル)と第2物体(ウエハ)が対向している。   In this embodiment, the first imaging optical system includes a plane mirror FM2, so that the first object (reticle) and the second object (wafer) face each other.

投影光学系100は、光学系全体としてペッツバール項の和がゼロ又はゼロ近傍となるように、ミラー形状、レンズパワーを決定するのが好ましい。非球面のミラー及びレンズの形状は、数式4に示す一般的な非球面の式で表現される。   The projection optical system 100 preferably determines the mirror shape and the lens power so that the sum of Petzval terms is zero or close to zero in the entire optical system. The shape of the aspherical mirror and lens is expressed by a general aspherical expression shown in Equation 4.

数式4において、Zは光軸方向の座標、cは曲率(曲率半径rの逆数)、hは光軸からの高さ、kは円錐係数である。また、A、B、C、D、E、F、G、H、J、・・・は各々、4次、6次、8次、10次、12次、14次、16次、18次、20次、・・・の非球面係数である。   In Equation 4, Z is the coordinate in the optical axis direction, c is the curvature (the reciprocal of the radius of curvature r), h is the height from the optical axis, and k is the cone coefficient. A, B, C, D, E, F, G, H, J,... Are 4th order, 6th order, 8th order, 10th order, 12th order, 14th order, 16th order, 18th order, Aspherical coefficients of the 20th order,.

表1に、このレンズ構成における、各面の曲率半径、面間隔、材質などの数値データを示す。また、表2に、このレンズ構成に含まれる非球面について、その係数データを示す。   Table 1 shows numerical data such as the radius of curvature, surface spacing, and material of each surface in this lens configuration. Table 2 shows coefficient data of aspheric surfaces included in this lens configuration.

このレンズ構成の仕様は次の通りである。最終レンズと第2物体(ウエハ)との間に純水を満たした液浸露光装置の投影光学系であり、NAは1.35である。最終レンズとウエハとの距離(作動距離)は、2mmである。露光光源はArFエキシマレーザを想定しており、露光波長は193nmである。投影倍率は、1/4倍である。物像間距離(光路長ではなく、実際の距離)は、1705mmである。この実施例では合成石英を硝材として使用しており、合成石英(表1ではsio2と表記)の波長193nmにおける屈折率は、1.56029であり、純水(表中、waterと表記)の波長193nmにおける屈折率は、1.43669である。   The specifications of this lens configuration are as follows. This is a projection optical system of an immersion exposure apparatus in which pure water is filled between the final lens and the second object (wafer), and NA is 1.35. The distance (working distance) between the final lens and the wafer is 2 mm. The exposure light source is assumed to be an ArF excimer laser, and the exposure wavelength is 193 nm. The projection magnification is 1/4. The distance between the object images (not the optical path length but the actual distance) is 1705 mm. In this embodiment, synthetic quartz is used as a glass material, and the refractive index of synthetic quartz (indicated as “sio2” in Table 1) at a wavelength of 193 nm is 1.56029, and the wavelength of pure water (indicated in the table as “water”). The refractive index at 193 nm is 1.43669.

本実施例の光学性能を示す収差図を図5に示す。図5(a)は球面収差、像面湾曲、ディストーションを示し、図5(b)は最小物点から最大物点までの間の5物点における波面収差を示している。また、本実施例における波面収差RMSは、使用領域全てにわたって0.007λ以下を達成しており、良好な収差補正がなされている。また、本実施例における各部分系の近軸倍率は、第1結像光学系が−1.397であり、第2結像光学系G2が−0.997であり、第3結像光学系G3が−1.018であり、第4結像光学系G4が−0.176である。第2結像光学系G2と第3結像光学系G3の近軸倍率の積は1.015であり、0.8〜1.2の範囲内に入っている。   An aberration diagram showing the optical performance of this example is shown in FIG. FIG. 5A shows spherical aberration, curvature of field, and distortion, and FIG. 5B shows wavefront aberration at five object points between the minimum object point and the maximum object point. In addition, the wavefront aberration RMS in the present embodiment achieves 0.007λ or less over the entire use region, and good aberration correction is performed. In addition, the paraxial magnification of each partial system in the present embodiment is −1.397 for the first imaging optical system, −0.997 for the second imaging optical system G, and the third imaging optical system. G3 is -1.018, and the fourth imaging optical system G4 is -0.176. The product of the paraxial magnifications of the second imaging optical system G2 and the third imaging optical system G3 is 1.015 and falls within the range of 0.8 to 1.2.

本実施例では、第1物体面(レチクル面)における高さで12.5mmから68.5mmまでの物点について、光路の干渉がなく、かつ良好な収差補正がなされている。従って、図6(a)に示すように、第2物体面(ウエハ面)上において、26mm×8mmの長方形領域を露光に使用することができている。また、図6(b)に示すように、長方形の対応する2辺を円弧形状にすることにより、更に、広い26mm×11mmの領域を露光に使用するようにしてもよい。   In the present embodiment, there is no interference in the optical path and good aberration correction is performed for an object point having a height on the first object plane (reticle plane) of 12.5 mm to 68.5 mm. Accordingly, as shown in FIG. 6A, a rectangular area of 26 mm × 8 mm can be used for exposure on the second object plane (wafer surface). Further, as shown in FIG. 6B, a further wide 26 mm × 11 mm region may be used for exposure by making the two corresponding sides of the rectangle into an arc shape.

また、本実施例は、第4結像光学系G4中に開口絞りを備えており(表1中の75面)、これによりNAの制御などを行う。もちろん、開口絞りは1枚に限定されることはなく、第4結像光学系G4中に複数枚設けても構わないし、他の、第1〜第3結像光学系中に設けても構わない。   Further, in this embodiment, an aperture stop is provided in the fourth imaging optical system G4 (75th surface in Table 1), and NA is controlled by this. Of course, the aperture stop is not limited to one, and a plurality of aperture stops may be provided in the fourth imaging optical system G4, or may be provided in other first to third imaging optical systems. Absent.

本実施例は、負の屈折力を有するレンズ群L212を第2結像光学系G2の凹面鏡CM21の直前に配置し、更に、負の屈折力を有するレンズ群L312を第3結像光学系G3の凹面鏡CM31の直前に配置している。これにより、光学系の大型化を招くことなく、軸上色収差を効率良く補正している。また、第2結像光学系G2に正の屈折力を有するレンズ群L211を配置し、第1中間像から第2結像光学系G2に導かれる光束と、第2結像光学系G2で形成される第2中間像から第3結像光学系G3に導かれる光束が過度に広がるのを防止している。これにより、光学系の小型化を図ることができる。また、第3結像光学系G3に正の屈折力を有するレンズ群L311を配置し、第2中間像から第3結像光学系G3に導かれる光束と、第3結像光学系から第4結像光学系に導かれる光束が過渡に広がるのを防止している。これにより、光学系の小型化を図ることができる。   In the present embodiment, a lens group L212 having negative refractive power is disposed immediately before the concave mirror CM21 of the second imaging optical system G2, and further, a lens group L312 having negative refractive power is disposed on the third imaging optical system G3. It is arranged immediately before the concave mirror CM31. As a result, the axial chromatic aberration is efficiently corrected without increasing the size of the optical system. Further, a lens group L211 having a positive refractive power is arranged in the second imaging optical system G2, and is formed by a light beam guided from the first intermediate image to the second imaging optical system G2 and the second imaging optical system G2. The light beam guided from the second intermediate image to the third imaging optical system G3 is prevented from excessively spreading. Thereby, size reduction of an optical system can be achieved. In addition, a lens unit L311 having a positive refractive power is disposed in the third imaging optical system G3, a light beam guided from the second intermediate image to the third imaging optical system G3, and the third imaging optical system to the fourth. The light beam guided to the imaging optical system is prevented from transiently spreading. Thereby, size reduction of an optical system can be achieved.

図7は、平面ミラーFM1と光路との干渉を避ける図4とは異なる構成を有する投影光学系100Bの光路図である。露光に使用する物体高が両者で異なっており、従って、平面ミラーFM1の配置に違いが見られる。図4と図7の構成のいずれかが、鏡筒構成の容易さや反射膜設計上の条件など、総合的な条件に鑑みて決定される。   FIG. 7 is an optical path diagram of the projection optical system 100B having a configuration different from that in FIG. 4 for avoiding interference between the flat mirror FM1 and the optical path. The object height used for the exposure is different between the two, and therefore there is a difference in the arrangement of the plane mirror FM1. 4 and 7 is determined in consideration of comprehensive conditions such as ease of lens barrel configuration and conditions for designing the reflecting film.

図8は、実施例2の反射屈折型投影光学系100Cの光路図である。このレンズ構成の仕様は次の通りである。実施例1と同様に液浸露光装置の投影光学系であり、NAは1.35であり、作動距離は2mmであり、露光波長は193nmである。また、投影倍率は1/4倍であり、物像間距離は1705mmであり、材質の屈折率は実施例1と同じであり、収差補正されている物高の範囲も実施例1と同じである。   FIG. 8 is an optical path diagram of the catadioptric projection optical system 100C of the second embodiment. The specifications of this lens configuration are as follows. The projection optical system of the immersion exposure apparatus as in Example 1, NA is 1.35, the working distance is 2 mm, and the exposure wavelength is 193 nm. Further, the projection magnification is 1/4, the distance between the object images is 1705 mm, the refractive index of the material is the same as in Example 1, and the range of the object height in which the aberration is corrected is also the same as in Example 1. is there.

表3に、このレンズ構成における、各面の曲率半径、面間隔、材質などの数値データを示す。また、表4に、このレンズ構成に含まれる非球面について、その係数データを示す。なお、非球面の面形状の定義は実施例1と同様である。   Table 3 shows numerical data such as the radius of curvature, surface spacing, and material of each surface in this lens configuration. Table 4 shows coefficient data of an aspheric surface included in this lens configuration. The definition of the aspherical surface shape is the same as in the first embodiment.

本実施例でも、第1結像光学系G1の瞳近傍に平面ミラーFM2を含み、これにより第1物体(レチクル)と第2物体(ウエハ)が対向している。   Also in the present embodiment, the plane mirror FM2 is included in the vicinity of the pupil of the first imaging optical system G1, so that the first object (reticle) and the second object (wafer) face each other.

本実施例の光学性能を示す収差図を図9に示す。図9(a)は球面収差、像面湾曲、ディストーションを示し、図9(b)は最小物点から最大物点までの間の5物点における波面収差を示している。また、本実施例における波面収差RMSは、使用領域全てにわたって0.005λ以下を達成しており、第2結像光学系G2中に非球面レンズを1枚追加することにより、実施例1よりも更に良好な収差補正がなされている。   An aberration diagram showing the optical performance of this example is shown in FIG. FIG. 9A shows spherical aberration, curvature of field, and distortion, and FIG. 9B shows wavefront aberration at five object points from the minimum object point to the maximum object point. In addition, the wavefront aberration RMS in the present embodiment is 0.005λ or less over the entire use region, and by adding one aspheric lens in the second imaging optical system G2, the wavefront aberration RMS is higher than that in the first embodiment. Furthermore, good aberration correction is performed.

また、本実施例における各部分系の近軸倍率は、第1結像光学系G1が−1.322であり、第2結像光学系G2が−0.992であり、第3結像光学系G3が−1.027であり、第4結像光学系G4が、−0.186である。第2結像光学系と第3結像光学系の近軸倍率の積は1.019であり、0.8〜1.2の範囲内に入っている。   The paraxial magnification of each partial system in the present embodiment is -1.322 for the first imaging optical system G1, -0.992 for the second imaging optical system G1, and the third imaging optical system. The system G3 is −1.027, and the fourth imaging optical system G4 is −0.186. The product of the paraxial magnifications of the second imaging optical system and the third imaging optical system is 1.019, which falls within the range of 0.8 to 1.2.

図10は、実施例3の反射屈折型投影光学系100Dの光路図である。このレンズ構成の仕様は次の通りである。実施例1と同様に液浸露光装置の投影光学系であり、NAは1.35であり、作動距離は2mmであり、露光波長は193nmである。また、投影倍率は1/4倍であり、材質の屈折率は実施例1に同じであり、収差補正されている物高の範囲も実施例1と同じである。   FIG. 10 is an optical path diagram of the catadioptric projection optical system 100D of the third embodiment. The specifications of this lens configuration are as follows. The projection optical system of the immersion exposure apparatus as in Example 1, NA is 1.35, the working distance is 2 mm, and the exposure wavelength is 193 nm. Further, the projection magnification is 1/4, the refractive index of the material is the same as that of the first embodiment, and the range of the height of the object whose aberration is corrected is the same as that of the first embodiment.

表5に、このレンズ構成における、各面の曲率半径、面間隔、材質などの数値データを示す。また、表6に、このレンズ構成に含まれる非球面について、その係数データを示す。なお、非球面の面形状の定義は実施例1と同様である。   Table 5 shows numerical data such as the radius of curvature, surface spacing, and material of each surface in this lens configuration. Table 6 shows coefficient data of an aspheric surface included in this lens configuration. The definition of the aspherical surface shape is the same as in the first embodiment.

投影光学系100Dは、第1結像光学系G1中に平面ミラーFM2を配置せず、ストレートな構成としている。これにより、第1物体(レチクル)と第2物体(ウエハ)は対向せずに直交している。露光装置を、ウエハステージが地面と平行になるように構成したとすると、この投影光学系の高さは、第2物体面(ウエハ面)から第3結像光学系中の凸面反射鏡までの距離で決まり、その値は1370mmとなる。即ち、他の実施例に比べて、露光装置の高さを低く抑えられるという有利な点がある。   The projection optical system 100D has a straight configuration without arranging the plane mirror FM2 in the first imaging optical system G1. Accordingly, the first object (reticle) and the second object (wafer) are orthogonal to each other without facing each other. If the exposure apparatus is configured such that the wafer stage is parallel to the ground, the height of the projection optical system is from the second object plane (wafer surface) to the convex reflecting mirror in the third imaging optical system. It is determined by the distance, and its value is 1370 mm. That is, there is an advantage that the height of the exposure apparatus can be kept low compared to other embodiments.

また、第1結像光学系G1がストレートな構成となったことで、第1結像光学系G1中に開口絞りを設けやすいという特徴もある。第1結像光学系G1中のみに絞りを設けてNAを制御してもよいし、第4結像光学系G4中の開口絞りと連動させてより高精度にNAを制御してもよい。   Further, since the first imaging optical system G1 has a straight configuration, there is also a feature that it is easy to provide an aperture stop in the first imaging optical system G1. The NA may be controlled by providing a stop only in the first imaging optical system G1, or the NA may be controlled with higher accuracy in conjunction with the aperture stop in the fourth imaging optical system G4.

本実施例の光学性能を示す収差図を図11に示す。図11(a)は球面収差、像面湾曲、ディストーションを示し、図11(b)には、最小物点から最大物点までの間の5物点における波面収差を示している。また、本実施例における波面収差RMSは、使用領域全てにわたって0.005λ以下を達成しており、実施例1よりも更に良好な収差補正がなされている。   FIG. 11 is an aberration diagram showing the optical performance of this example. FIG. 11A shows spherical aberration, field curvature, and distortion, and FIG. 11B shows wavefront aberration at five object points from the minimum object point to the maximum object point. In addition, the wavefront aberration RMS in the present embodiment achieves 0.005λ or less over the entire use region, and the aberration correction is further improved as compared with the first embodiment.

また、本実施例における各部分系の近軸倍率は、第1結像光学系が−1.398であり、第2結像光学系が−0.993であり、第3結像光学系が−1.022であり、第4結像光学系が、−0.176である。第2結像光学系と第3結像光学系の近軸倍率の積は1.015であり、0.8〜1.2の範囲内に入っている。   Further, the paraxial magnification of each partial system in the present embodiment is -1.398 for the first imaging optical system, -0.993 for the second imaging optical system, and is about -0.993 for the third imaging optical system. -1.022, and the fourth imaging optical system is -0.176. The product of the paraxial magnifications of the second imaging optical system and the third imaging optical system is 1.015, which falls within the range of 0.8 to 1.2.

以下、図14及び図15を参照して、露光装置200を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図14は、デバイス(半導体デバイスや液晶デバイス等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体デバイスの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2(レチクル製作)では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ3(ウエハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は、前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いてリソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。   Hereinafter, an embodiment of a device manufacturing method using the exposure apparatus 200 will be described with reference to FIGS. FIG. 14 is a flowchart for explaining how to fabricate devices (such as semiconductor devices and liquid crystal devices). Here, an example of manufacturing a semiconductor device will be described. In step 1 (circuit design), a device circuit is designed. In step 2 (reticle fabrication), a reticle on which the designed circuit pattern is formed is fabricated. In step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the reticle and wafer. Step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer created in step 4, and includes steps such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). Including. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device created in step 5 are performed. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7).

図15は、ステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ14(イオン打ち込み)では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では、露光装置200によってレチクルの回路パターンをウエハに露光する。ステップ17(現像)では、露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、結像性能の優れた投影光学系を使用して、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置200を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。   FIG. 15 is a detailed flowchart of the wafer process in Step 4. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the surface of the wafer. In step 13 (electrode formation), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition or the like. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the exposure apparatus 200 to expose a reticle circuit pattern onto the wafer. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeatedly performing these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. According to the device manufacturing method of the present embodiment, it is possible to manufacture a higher quality device than before by using a projection optical system having excellent imaging performance. Thus, the device manufacturing method using the exposure apparatus 200 and the resulting device also constitute one aspect of the present invention.

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、反射屈折型投影光学系は、液浸露光装置でなくても適用することができる。また、LuAGなどの高屈折材料を用いた更に高NAの投影光学系にも適用することができる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist. For example, the catadioptric projection optical system can be applied without using an immersion exposure apparatus. Further, the present invention can also be applied to a higher NA projection optical system using a high refractive material such as LuAG.

本発明の一側面としての投影光学系の光路図である。It is an optical path diagram of the projection optical system as one aspect of the present invention. 図1に示す投影光学系の変形例の光路図である。It is an optical path diagram of the modification of the projection optical system shown in FIG. 本発明の一側面としての投影光学系を有する露光装置の光路図である。1 is an optical path diagram of an exposure apparatus having a projection optical system as one aspect of the present invention. 実施例1の投影光学系の光路図である。FIG. 3 is an optical path diagram of the projection optical system of Example 1. 図5(a)及び図5(b)は、図4に示す投影光学系の収差図である。FIGS. 5A and 5B are aberration diagrams of the projection optical system shown in FIG. 図6(a)は、図4に示す投影光学系の物体面の投影像形成可能領域(良像領域)と光軸との関係を示す平面図である。図6(b)は、図4に示す投影光学系の物体面の投影像形成可能領域(良像領域)と光軸との別の関係を示す平面図である。FIG. 6A is a plan view showing the relationship between the projection image formable region (good image region) on the object plane of the projection optical system shown in FIG. 4 and the optical axis. FIG. 6B is a plan view showing another relationship between the projected image formable region (good image region) on the object plane of the projection optical system shown in FIG. 4 and the optical axis. 図4に示す投影光学系の変形例の光路図である。It is an optical path figure of the modification of the projection optical system shown in FIG. 実施例2の投影光学系の光路図である。6 is an optical path diagram of the projection optical system of Example 2. FIG. 図9(a)及び図9(b)は、図8に示す投影光学系の収差図である。FIGS. 9A and 9B are aberration diagrams of the projection optical system shown in FIG. 実施例3の投影光学系の光路図である。FIG. 7 is an optical path diagram of the projection optical system of Example 3. 図11(a)及び図11(b)は、図10に示す投影光学系の収差図である。11A and 11B are aberration diagrams of the projection optical system shown in FIG. 図2に示す平面ミラーと光束との干渉状態を説明するための光路図である。It is an optical path diagram for demonstrating the interference state of the plane mirror shown in FIG. 2, and a light beam. 図12に示す中間像形成位置の光軸からの高さと近軸倍率との関係を示すグラフである。13 is a graph showing the relationship between the height from the optical axis at the intermediate image forming position shown in FIG. 12 and the paraxial magnification. 図3に示す露光装置を使用したデバイス製造方法のフローチャートである。It is a flowchart of the device manufacturing method using the exposure apparatus shown in FIG. 図14に示すステップ4の詳細を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the detail of step 4 shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

FM1 (第1の)平面ミラー
FM2 (第2の)平面ミラー
G1 第1結像光学系
G2 第2結像光学系
G3 第3結像光学系
G4 第4結像光学系
OA、OA 光軸
101 第1物体
102 第2物体
100乃至100D 投影光学系
200 露光装置
FM1 (first) plane mirror FM2 (second) plane mirror G1 first imaging optical system G2 second imaging optical system G3 third imaging optical system G4 fourth imaging optical system OA 1 , OA 2 light Axis 101 First object 102 Second object 100 to 100D Projection optical system 200 Exposure apparatus

Claims (10)

第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系において、
前記第1物体の第1中間像を形成する第1結像光学系と、
前記第1中間像からの光束に基づいて前記第1物体の第2中間像を形成し、第1の凹面鏡を有する第2結像光学系と、
前記第2中間像からの光束に基づいて前記第1物体の第3中間像を形成し、第2の凹面鏡を有する第3結像光学系と、
前記第3中間像からの光束に基づいて前記第1物体の像を前記第2物体上に形成する第4結像光学系と、
前記第2結像光学系において光路に沿って前記第3結像光学系に最も近い屈折部材と、前記第3結像光学系において前記光路に沿って前記第2結像光学系に最も近い屈折部材との間に配置され、前記第2結像光学系からの光束を前記第3結像光学系に反射する第1の平面ミラーと、を備え、
前記第3結像光学系と前記第4結像光学系は光軸を共有することを特徴とする投影光学系。
In a projection optical system that projects an image of a first object onto a second object,
A first imaging optical system for forming a first intermediate image of the first object;
A second imaging optical system that forms a second intermediate image of the first object based on a light beam from the first intermediate image and has a first concave mirror;
A third imaging optical system that forms a third intermediate image of the first object based on a light flux from the second intermediate image and has a second concave mirror;
A fourth imaging optical system for forming an image of the first object on the second object based on a light beam from the third intermediate image;
A refraction member closest to the third imaging optical system along an optical path in the second imaging optical system, and a refraction member closest to the second imaging optical system along the optical path in the third imaging optical system. A first plane mirror that is disposed between the first imaging mirror and the third imaging optical system, and reflects the light beam from the second imaging optical system to the third imaging optical system,
A projection optical system, wherein the third imaging optical system and the fourth imaging optical system share an optical axis.
前記第1結像光学系と前記第4結像光学系とは屈折系であり、前記第2結像光学系と前記第3結像光学系とは反射屈折系であることを特徴とする請求項1記載の投影光学系。   The first imaging optical system and the fourth imaging optical system are refractive systems, and the second imaging optical system and the third imaging optical system are catadioptric systems. Item 4. The projection optical system according to Item 1. 第1及び第4結像光学系はそれぞれ正のペッツバール和を有し、第2及び第3結像光学系はそれぞれ負のペッツバール和を有することを特徴とする請求項1又は2記載の投影光学系。   3. The projection optical system according to claim 1, wherein each of the first and fourth imaging optical systems has a positive Petzval sum, and each of the second and third imaging optical systems has a negative Petzval sum. system. 前記第1結像光学系の近軸横倍率の絶対値は、0.9倍以上かつ1.7倍以下の範囲にあることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の投影光学系。   4. The absolute value of the paraxial lateral magnification of the first imaging optical system is in the range of 0.9 times or more and 1.7 times or less. 5. Projection optics. 前記第2結像光学系の近軸倍率と前記第3結像光学系の近軸倍率の積の絶対値は、0.8以上かつ1.2以下の範囲にあることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか一項記載の投影光学系。   The absolute value of the product of the paraxial magnification of the second imaging optical system and the paraxial magnification of the third imaging optical system is in the range of 0.8 to 1.2. The projection optical system according to any one of 1 to 4. 前記第1の凹面鏡は前記第2結像光学系の瞳に配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか一項記載の投影光学系。   6. The projection optical system according to claim 1, wherein the first concave mirror is disposed on a pupil of the second imaging optical system. 前記第1結像光学系の瞳に配置された第2の平面ミラーを備えることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか一項記載の投影光学系。   The projection optical system according to claim 1, further comprising a second plane mirror disposed on a pupil of the first imaging optical system. 前記第1物体と前記第2物体は平行に配置され、前記第1結像光学系と前記第4結像光学系とはそれぞれ異なる光軸を有することを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか一項記載の投影光学系。   The first object and the second object are arranged in parallel, and the first imaging optical system and the fourth imaging optical system have different optical axes, respectively. The projection optical system according to any one of claims. 原版のパターンを基板に露光する露光装置において、
第1物体としての前記原版の前記パターンを第2物体としての前記基板に投影する請求項1乃至8のうちいずれか一項記載の投影光学系を有することを特徴とする露光装置。
In an exposure apparatus that exposes an original pattern onto a substrate,
9. An exposure apparatus comprising the projection optical system according to claim 1, wherein the pattern of the original plate as a first object is projected onto the substrate as a second object.
請求項9に記載の露光装置を利用して基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
Exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 9;
And developing the exposed substrate. A device manufacturing method comprising:
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7869122B2 (en) 2004-01-14 2011-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
US8199400B2 (en) 2004-01-14 2012-06-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
JP2013195530A (en) * 2012-03-16 2013-09-30 Nikon Corp Substrate processing device, device manufacturing system and device manufacturing method
JP2014232009A (en) * 2013-05-28 2014-12-11 株式会社ニコン Optical system and surface shape measurement device
US8913316B2 (en) 2004-05-17 2014-12-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective with intermediate images

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7869122B2 (en) 2004-01-14 2011-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
US8804234B2 (en) 2004-01-14 2014-08-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective including an aspherized plate
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US8208199B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US9772478B2 (en) 2004-01-14 2017-09-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective with parallel, offset optical axes
US8339701B2 (en) 2004-01-14 2012-12-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US8199400B2 (en) 2004-01-14 2012-06-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US8355201B2 (en) 2004-01-14 2013-01-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US8289619B2 (en) 2004-01-14 2012-10-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US8730572B2 (en) 2004-01-14 2014-05-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US8416490B2 (en) 2004-01-14 2013-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US8908269B2 (en) 2004-01-14 2014-12-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Immersion catadioptric projection objective having two intermediate images
US9726979B2 (en) 2004-05-17 2017-08-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective with intermediate images
US8913316B2 (en) 2004-05-17 2014-12-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective with intermediate images
US9019596B2 (en) 2004-05-17 2015-04-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective with intermediate images
US9134618B2 (en) 2004-05-17 2015-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective with intermediate images
JP2013195530A (en) * 2012-03-16 2013-09-30 Nikon Corp Substrate processing device, device manufacturing system and device manufacturing method
JP2014232009A (en) * 2013-05-28 2014-12-11 株式会社ニコン Optical system and surface shape measurement device

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