JP2009141231A - Frame clamping apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、チャックテーブルに吸引保持されたウエーハが粘着テープを介して装着された環状フレームをクランプするフレームクランプ装置に関する。 The present invention relates to a frame clamp device that clamps an annular frame on which a wafer sucked and held by a chuck table is mounted via an adhesive tape.
IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、ダイシング装置(切削装置)によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A semiconductor wafer in which a number of devices such as IC and LSI are formed on the surface, and each device is partitioned by a line to be divided (street), the back surface is ground by a grinding machine and processed to a predetermined thickness. A division line is cut by a dicing machine (cutting machine) and divided into individual devices, which are used for electric devices such as mobile phones and personal computers.
ダイシング装置は、半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削手段と、チャックテーブルを切削手段に対して相対的に加工送りする加工送り手段とを具備している。 The dicing apparatus includes a chuck table for holding a semiconductor wafer, a cutting means for cutting the wafer held on the chuck table, and a processing feed means for processing and feeding the chuck table relative to the cutting means. Yes.
半導体ウエーハは、ダイシングテープによってウエーハ径より数cm大きい環状フレームのほぼ中央に固定され、チャックテーブルにバキューム吸着され、高速回転する切削ブレードに対して加工送り手段によりチャックテーブルを移動することにより、ウエーハが個々のデバイスに分割される。 The semiconductor wafer is fixed to approximately the center of an annular frame several cm larger than the wafer diameter by a dicing tape, vacuum-adsorbed to the chuck table, and moved by moving the chuck table to the cutting blade that rotates at high speed by the processing feed means. Is divided into individual devices.
ダイシング装置のチャックテーブルは、外周にフレームクランプ装置(クランプ)を有し、このフレームクランプ装置が環状フレームを固定することで、ウエーハはチャックテーブルに固定される(例えば、特開平8−69985号公報参照)。 The chuck table of the dicing apparatus has a frame clamp device (clamp) on the outer periphery, and the wafer is fixed to the chuck table by the frame clamp device fixing the annular frame (for example, JP-A-8-69985). reference).
環状フレームの搬送時にクランプが環状フレームと接触したり、機械的な誤動作若しくは不注意による操作ミスがあっても、切削ブレードがクランプに接触するのを回避するため、例えば実開平5−7414号公報に示すように、クランプは、環状フレームをチャックテーブル上面より下側に引き落とすように固定している。
ところで、電気製品の軽薄短小化のトレンドに伴い、半導体のチップサイズ(デバイスサイズ)は徐々に小さく薄くなる傾向にあり、ダイシングするウエーハの厚さも、100μmを切る薄さのものが多くなってきており、ウエーハをダイシングする際には、ウエーハの薄さによる剛性の低下によって、半導体チップの側面や角部に欠けやクラックが発生し易くなってきた。 By the way, along with the trend of thinning and thinning of electric products, the chip size (device size) of semiconductors tends to gradually become smaller and thinner, and the thickness of wafers to be diced has become thinner than 100 μm. When dicing a wafer, cracks and cracks are likely to occur on the side surfaces and corners of the semiconductor chip due to a decrease in rigidity due to the thinness of the wafer.
また、特許文献3に開示されるように、ウエーハの裏面にダイボンディングテープを貼るアプリケーションも広まり、ウエーハを固定するテープが厚く、柔らかくなったため、更に欠けやクラックの発生する傾向が高くなった。この問題に対処するため、ダイシングで使用する切削ブレードを変更したり、加工速度を変えたり、ダイシングテープを変更したりと様々な対策が試みられている。 Further, as disclosed in Patent Document 3, the application of attaching a die bonding tape to the back surface of a wafer has been widened, and since the tape for fixing the wafer has become thicker and softer, the tendency to further generate chips and cracks has increased. In order to cope with this problem, various countermeasures have been tried, such as changing the cutting blade used in dicing, changing the processing speed, or changing the dicing tape.
しかし、これらの対策を講じても、ウエーハの特に周辺部において、半導体チップの側面クラックや角部の欠けが発生し易い傾向が見られた。これに対し、本願発明者が実験を重ねたところ、フレームをクランプで固定する際に、フレームがチャックテーブル上面より下方に位置すべく引き落とされるが、この引き落とし量を変更したところ、側面クラックや角部の欠けの発生に変化が見られることが判明した。 However, even when these measures were taken, there was a tendency that side cracks and corners of the semiconductor chip were likely to occur, particularly in the peripheral portion of the wafer. On the other hand, when the present inventor repeated experiments, when fixing the frame with the clamp, the frame is pulled down to be positioned below the upper surface of the chuck table. It was found that there was a change in the occurrence of chipping.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、ウエーハの切削時にフレームクランプ装置でフレームを引き落としするかしないかを任意に選択可能なフレームクランプ装置を提供することである。 The present invention has been made in view of these points, and it is an object of the present invention to provide a frame clamp device that can arbitrarily select whether or not the frame clamp device pulls down the frame when the wafer is cut.
本発明によると、粘着テープを介して環状フレームに装着されたウエーハを吸引保持するチャックテーブルの外周に配設されるフレームクランプ装置であって、前記チャックテーブルに対して径方向に移動可能且つ上下方向に移動不能に取り付けられた支持フレームと、該支持フレームに対して上下動可能に装着された可動フレームと、該可動フレームの上部に配設され、前記チャックテーブルにより吸引保持されたウエーハの前記環状フレームを吸着可能な吸着手段と、前記可動フレームを前記支持フレームに対して上下に移動する駆動手段とを具備し、該駆動手段は前記環状フレームを前記チャックテーブルの上面から下側に引き落とす引き落とし位置と、該チャックテーブルの上面と該環状フレームの下面とが概略同一高さの上昇位置との間で前記可動フレームを移動可能であることを特徴とするフレームクランプ装置が提供される。 According to the present invention, there is provided a frame clamp device disposed on the outer periphery of a chuck table that sucks and holds a wafer mounted on an annular frame via an adhesive tape, and is movable in a radial direction with respect to the chuck table. A support frame mounted immovably in a direction, a movable frame mounted so as to be movable up and down with respect to the support frame, and the wafer disposed on the movable frame and sucked and held by the chuck table. A suction means for sucking the annular frame; and a drive means for moving the movable frame up and down relative to the support frame. The drive means pulls down the annular frame from the upper surface of the chuck table. Position, and the rising position where the upper surface of the chuck table and the lower surface of the annular frame are substantially the same height Frame clamping device is provided, wherein the between a movable movable frame.
好ましくは、吸着手段は永久磁石から構成される。或いは、吸着手段はバキュームパッドから構成される。 Preferably, the attracting means is composed of a permanent magnet. Alternatively, the suction means is composed of a vacuum pad.
本発明のフレームクランプ装置によると、フレームをチャックテーブル上面に対して引き落とすかしないかを任意に選択でき、フレームを引き落とすことにより発生していたチップの側面クラックや角部の欠けの発生を抑制できる。 According to the frame clamp device of the present invention, it is possible to arbitrarily select whether or not the frame is pulled down with respect to the upper surface of the chuck table, and it is possible to suppress the occurrence of chip side cracks and corner chipping that have occurred by pulling down the frame. .
また、吸着手段として永久磁石やバキュームパッドを採用することで、従来のクランプ爪が不要となり、その厚さを省略できるため、フレームの下面とチャックテーブル上面の高さを概略同一とした場合、切削時にフレームを避けるための切削ブレードの上下動を小さく抑えることができる。 In addition, the use of permanent magnets and vacuum pads as the suction means eliminates the need for conventional clamp claws and allows the thickness to be omitted. Sometimes the vertical movement of the cutting blade to avoid the frame can be kept small.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は従来のクランプ19を有し、ウエーハをダイシングして個々のチップ(デバイス)に分割することのできる切削装置(ダイシング装置)2の外観を示している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an external view of a cutting device (dicing device) 2 having a
切削装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。
On the front side of the
図2に示すように、ダイシング対象のウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2ストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画されて多数のデバイスDがウエーハW上に形成されている。 As shown in FIG. 2, on the surface of the wafer W to be diced, the first street S1 and the second street S2 are formed orthogonally, and the first street S1 and the second street S2 A plurality of devices D are partitioned and formed on the wafer W.
ウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介してフレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウエーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。 The wafer W is attached to a dicing tape T that is an adhesive tape, and the outer peripheral edge of the dicing tape T is attached to an annular frame F. As a result, the wafer W is supported by the frame F via the dicing tape T, and a plurality of wafers (for example, 25 sheets) are accommodated in the wafer cassette 8 shown in FIG. The wafer cassette 8 is placed on a cassette elevator 9 that can move up and down.
ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8から切削前のウエーハWを搬出するとともに、切削後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12には、ウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。
Behind the wafer cassette 8, a loading / unloading means 10 for unloading the wafer W before cutting from the wafer cassette 8 and loading the wafer after cutting into the wafer cassette 8 is disposed. Between the wafer cassette 8 and the loading / unloading means 10, a
仮置き領域12の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されており、仮置き領域12に搬出されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、このチャックテーブル18に吸引されるとともに、複数の固定手段(クランプ)19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。
In the vicinity of the
チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWの切削すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。
The chuck table 18 is configured to be rotatable and reciprocally movable in the X-axis direction. Above the movement path of the chuck table 18 in the X-axis direction, an
アライメント手段20は、ウエーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。
The
アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウエーハWに対して切削加工を施す切削手段24が配設されている。切削手段24はアライメント手段20と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。
On the left side of the alignment means 20, a cutting means 24 for cutting the wafer W held on the chuck table 18 is disposed. The
切削手段24は、回転可能なスピンドル26の先端に切削ブレード28が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード28は撮像手段22のX軸方向の延長線上に位置している。
The
図3を参照すると、本発明実施形態に係るフレームクランプ装置30の平面図が示されている。図4はフレームクランプ装置の正面図であり、クランプユニット36を示している。フレームクランプ装置30は、チャックテーブル18の基台(図5参照)31にねじ34により固定される固定部材32を有している。
Referring to FIG. 3, a plan view of a
固定部材32には一対のガイドシャフト38,40の先端部が螺合されており、ガイドシャフト38,40はチャックテーブル18の吸着面に対して平行に伸長している。ガイドシャフト38,40はそれぞれ支持ブロック42,44に挿通されており、これらの支持ブロック42,44には支持フレーム(支持プレート)46が固定されている。
The distal ends of a pair of
図4に示すように、支持フレーム46には、クランプ駆動エアシリンダ48が取り付けられている。クランプ駆動エアシリンダ48のピストンロッド50の先端にはプレート52が固定されている。
As shown in FIG. 4, a clamp
プレート52にはクランプ駆動シャフト54,56の一端が固定されており、クランプ駆動シャフト54,56の他端にはプレート58が固定されている。クランプ駆動シャフト54,56はそれぞれ支持ブロック42,44に挿入されて伸長している。プレート52,一対のクランプ駆動シャフト54,56及びプレート58で可動フレーム55を構成する。
One end of
プレート58の下面にはマグネット駆動エアシリンダ60が取り付けられている。マグネット駆動エアシリンダ60のピストンロッド62の先端にはプレート64が固定されており、このプレート64には一対のマグネット(永久磁石)66,68が半分露出するように埋め込まれて固定されている。
A magnet driven
マグネット66,68はマグネットケース70中に収容されており、その上面はマグネットカバー72で閉鎖されている。マグネットカバー72は鉄板等の強磁性体から形成されている。図3に示されたクランプユニット36は、マグネットカバー70が取り外された状態を示している。
The
以下、このように構成されたフレームクランプ装置30の作用について説明する。まず、ウエーハのインチ径に応じて図3に示すクランプユニット36をガイドシャフト38,40に沿って図3で上下方向に移動し、適切な位置でクランプユニット36を図示しない固定手段でガイドシャフト38,40に対して固定する。
Hereinafter, the operation of the
次に、クランプ駆動エアシリンダ48を駆動して、クランプユニット36を図4(A)に示す引き落とし位置か、或いは図4(B)に示す水平位置かに移動させる。支持フレーム46は一対のガイドシャフト38,40に挿入された支持ブロック42に固定されているため、チャックテーブル18に対するその高さ位置は一定である。
Next, the clamp
よって、図4(A)に示すように、クランプ駆動エアシリンダ48に圧縮空気を導入して、ピストンロッド50を伸長すると、可動フレーム55は支持フレーム46に対して下方向に移動されて、チャックテーブル18の上面に対して引き落とし位置に位置付けられる。
Therefore, as shown in FIG. 4A, when compressed air is introduced into the clamp
このように可動フレーム55を引き落とし位置に位置付けた状態で、マグネット駆動エアシリンダ60を駆動して、ピストンロッド62を伸長し、退避位置にあったマグネット66,68を2点鎖線で示す上昇された吸着位置66´,68´に位置付ける。マグネットカバー72は強磁性体から形成されているため、吸着位置のマグネット66´,68´で環状フレームFを引き落とした位置で吸着保持することができる。
With the
この状態のチャックテーブル18周辺の側面断面図が図5(A)に概略的に示されている。ただし、図5(A)に示されたクランプユニット36´の構成は図4(A)に示されたクランプユニット36の構成と若干相違する。マグネット78はマグネット支持部材76により支持されており、マグネット支持部材76は駆動部74で上下方向に移動される。
A side sectional view around the chuck table 18 in this state is schematically shown in FIG. However, the configuration of the
半導体ウエーハWの通常のダイシングは、図4(A)及び図5(A)に示すように、環状フレームFをクランプユニット36又は36´でチャックテーブル18の上面に対して引き落とした状態で実施される。この状態では、環状フレームFは引き落とされているので、切削ブレード28に干渉することがなく、高いスループットを維持できる。
As shown in FIGS. 4A and 5A, normal dicing of the semiconductor wafer W is performed in a state where the annular frame F is pulled down from the upper surface of the chuck table 18 by the
ウエーハWの厚さが100μm以下と非常に薄くなり、ダイシングされた個々の半導体チップの側面や角部に欠けやクラックの発生が目立ってきた場合には、クランプユニット36の可動フレーム55を図4(B)に示す上昇位置に移動させる。
When the thickness of the wafer W becomes very thin as 100 μm or less, and the occurrence of chipping or cracks on the side surfaces and corners of each diced semiconductor chip becomes conspicuous, the
すなわち、クランプ駆動エアシリンダ48中から圧縮空気を排出することにより、ピストンロッド50を縮める。これにより、可動フレーム55は支持フレーム46に対して上昇し、マグネットカバー72の上面をチャックテーブル18の上面と概略同一高さに設定することができる。
That is, the
この状態での切削動作が図5(B)に概略的に示されている。矢印Xはチャックテーブル18の送り方向である。図5(B)に示した状態では、ダイシングテープTが引き落とされずに水平に維持されているため、フレームFを引き落とすことにより発生していたチップの側面クラックや角部の欠けの発生を抑制することができ、加工品質を向上することができる。 The cutting operation in this state is schematically shown in FIG. An arrow X is the feed direction of the chuck table 18. In the state shown in FIG. 5B, since the dicing tape T is kept horizontal without being pulled down, occurrence of chip side cracks and corner chippings caused by pulling down the frame F is suppressed. Processing quality can be improved.
本発明実施形態のフレームクランプ装置30によると、環状フレームFをチャックテーブル上面に対して引き落とすかしないかを任意に選択し、スループットと加工品質のうちの重要とされる方を選択することが出来る。加工品質を選択した場合には、フレームを引き落とすことにより発生していたチップの側面クラックや角部の欠けの発生を抑制することができる。
According to the
図6を参照すると、フレームクランプ装置の他の実施形態が示されている。本実施形態では、バキュームパッド80で環状フレームFを吸着する。バキュームパッド80は支持部材76´上に搭載され、支持部材76´は駆動部74で上下に駆動される。
Referring to FIG. 6, another embodiment of the frame clamping device is shown. In the present embodiment, the annular frame F is adsorbed by the
このように、吸着手段としてバキュームパッド80を利用した本実施形態でも、吸着手段としてマグネット66,68,78を利用した上述した実施形態と同様な作用効果を達成することができる。
As described above, even in the present embodiment using the
このように構成された切削装置2において、ウエーハカセット8に収容されたウエーハWは、搬出入手段10によってフレームFが挟持され、搬出入手段10が装置後方(Y軸方向)に移動し、仮置き領域12においてその挟持が解除されることにより、仮置き領域12に載置される。そして、位置合わせ手段14が互いに接近する方向に移動することにより、ウエーハWが一定の位置に位置づけられる。
In the
次いで、搬送手段16によってフレームFは吸着され、搬送手段16が旋回することによりフレームFと一体となったウエーハWがチャックテーブル18に搬送されてチャックテーブル18により保持される。そして、チャックテーブル18がX軸方向に移動してウエーハWはアライメント手段20の直下に位置づけられる。
Next, the frame F is adsorbed by the
アライメント手段20が切削すべきストリートを検出するアライメントの際のパターンマッチングに用いる画像は、切削前に予め取得しておく必要がある。そこで、ウエーハWがアライメント手段20の直下に位置づけられると、撮像手段22がウエーハWの表面を撮像し、撮像した画像を表示手段6に表示させる。
The image used for pattern matching at the time of alignment in which the
以下、撮像手段22によるアライメントの概要について説明する。切削装置2のオペレータは、操作手段4を操作することにより、撮像手段22で撮像し、表示手段6上に表示された画像をゆっくりと移動させながらパターンマッチングのターゲットとなるキーパターンを探索する。このキーパターンは、例えばデバイスD中の回路の特徴部分を利用する。
Hereinafter, an outline of alignment by the
オペレータがキーパターンを決定すると、そのキーパターンを含む画像が切削装置2のアライメント手段20に備えたメモリに記憶される。また、そのキーパターンとストリートS1,S2の中心線との距離を座標値等によって求めその値もメモリに記憶させておく。
When the operator determines a key pattern, an image including the key pattern is stored in a memory provided in the
さらに、撮像画像を画面上でゆっくりと移動することにより、隣り合うストリートとストリートとの間隔(ストリートピッチ)を座標値等によって求め、ストリートピッチの値についてもアライメント手段20のメモリに記憶させておく。 Further, by slowly moving the captured image on the screen, an interval between the adjacent streets (street pitch) is obtained by a coordinate value or the like, and the street pitch value is also stored in the memory of the alignment means 20. .
ウエーハWのストリートに沿った切断の際には、記憶させたキーパターンの画像と実際に撮像手段22により撮像されて取得した画像とのパターンマッチングをアライメント手段20にて行う。このパターンマッチングは、X軸方向に伸長する同一ストリートS1に沿った互いに離間した少なくとも2点で実施する。
At the time of cutting along the street of the wafer W, the
まず、A点で撮像した画像を画面上でゆっくりと移動させながら、記憶させたキーパターンと実際の画像のキーパターンとのパターンマッチングを行い、キーパターンがマッチングした状態で画面を固定する。 First, while slowly moving the image picked up at point A on the screen, pattern matching between the stored key pattern and the actual image key pattern is performed, and the screen is fixed in a state where the key pattern is matched.
このようにA点での撮像画面からパターンマッチングを実施したら、チャックテーブル18をX軸方向に移動させてA点とX軸方向に相当離れたB点でのパターンマッチングを行う。 When pattern matching is performed from the imaging screen at point A as described above, the chuck table 18 is moved in the X-axis direction, and pattern matching is performed at point B that is considerably separated from point A in the X-axis direction.
このとき、A点からB点まで一気に移動してパターンマッチングを行うのではなく、B点への移動途中の複数個所で必要に応じてパターンマッチングを実施してY軸方向のずれを補正すべくチャックテーブル18を僅かに回転させてθ補正を行って、最終的にB点でのパターンマッチングを実施することが好ましい。 At this time, instead of moving from point A to point B at once, pattern matching is performed, but pattern matching is performed as necessary at a plurality of points in the middle of movement to point B to correct the deviation in the Y-axis direction. It is preferable to slightly rotate the chuck table 18 to perform θ correction and finally perform pattern matching at point B.
A点及びB点でのパターンマッチングが完了すると、2つのキーパターンを結んだ直線はストリートS1と平行となったことになり、キーパターンとストリートS1の中心線との距離分だけ切削手段24をY軸方向に移動させることにより、切削しようとするストリートと切削ブレード28との位置合わせを行う。
When the pattern matching at the points A and B is completed, the straight line connecting the two key patterns is parallel to the street S1, and the cutting means 24 is moved by the distance between the key pattern and the center line of the street S1. By moving in the Y-axis direction, the street to be cut and the
切削しようとするストリートと切削ブレード28との位置合わせが行われた状態で、チャックテーブル18をX軸方向に移動させるとともに、切削ブレード28を高速回転させながら切削手段24を下降させると、位置合わせされたストリートが切削される。
When the street to be cut and the
切削ブレード28によるストリートの切削の際に、図示しない切削水供給ノズルから切削水を切削ブレード28及びウエーハWに向かって噴出しながらストリートの切削を遂行する。切削ブレード28に切削水を噴出することにより切削ブレード28を冷却する。
When the street is cut by the
メモリに記憶されたストリートピッチずつ切削手段24をY軸方向にインデックス送りにしながら切削を行うことにより、同方向のストリートS1が全て切削される。更に、チャックテーブル18を90°回転させてから、上記と同様の切削を行うと、ストリートS2も全て切削され、個々のデバイスDに分割される。 By performing cutting while feeding the cutting means 24 in the Y-axis direction by the street pitch stored in the memory, all the streets S1 in the same direction are cut. Furthermore, when the chuck table 18 is rotated by 90 ° and then the same cutting as described above is performed, the streets S2 are all cut and divided into individual devices D.
切削が終了したウエーハWはチャックテーブル18をX軸方向に移動してから、Y軸方向に移動可能な搬送手段25により把持されて洗浄装置27まで搬送される。洗浄装置27では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウエーハWを低速回転(例えば300rpm)させることによりウエーハを洗浄する。
The wafer W that has been cut is moved in the X-axis direction by the chuck table 18 and is then gripped by the transfer means 25 that can move in the Y-axis direction and transferred to the
洗浄後、ウエーハWを高速回転(例えば3000rpm)させながらエアノズルからエアを噴出させてウエーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウエーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入手段10によりウエーハカセット8の元の収納場所にウエーハWが戻される。
After the cleaning, the wafer W is dried at a high speed (for example, 3000 rpm) by blowing air from the air nozzle and drying the wafer W. Then, the wafer W is adsorbed by the conveying
2 切削装置
18 チャックテーブル
24 切削手段
26 スピンドル
28 切削ブレード
30 フレームクランプ装置
36 クランプユニット
38,40 ガイドシャフト
42,44 支持ブロック
46 支持フレーム(支持プレート)
48 クランプ駆動エアシリンダ
54,56 クランプ駆動シャフト
55 可動フレーム
60 マグネット駆動エアシリンダ
66,68,78 マグネット
80 バキュームパッド
2 Cutting
48 Clamp
Claims (3)
前記チャックテーブルに対して径方向に移動可能且つ上下方向に移動不能に取り付けられた支持フレームと、
該支持フレームに対して上下動可能に装着された可動フレームと、
該可動フレームの上部に配設され、前記チャックテーブルにより吸引保持されたウエーハの前記環状フレームを吸着可能な吸着手段と、
前記可動フレームを前記支持フレームに対して上下に移動する駆動手段とを具備し、
該駆動手段は前記環状フレームを前記チャックテーブルの上面から下側に引き落とす引き落とし位置と、該チャックテーブルの上面と該環状フレームの下面とが概略同一高さの上昇位置との間で前記可動フレームを移動可能であることを特徴とするフレームクランプ装置。 A frame clamp device disposed on the outer periphery of a chuck table that sucks and holds a wafer mounted on an annular frame via an adhesive tape,
A support frame attached to the chuck table so as to be movable in the radial direction and immovable in the vertical direction;
A movable frame attached to the support frame so as to be movable up and down;
A suction means disposed on the movable frame and capable of sucking the annular frame of the wafer sucked and held by the chuck table;
Driving means for moving the movable frame up and down with respect to the support frame;
The driving means moves the movable frame between a pull-down position where the annular frame is pulled down from the upper surface of the chuck table, and an upper position where the upper surface of the chuck table and the lower surface of the annular frame are approximately the same height. A frame clamp device characterized by being movable.
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