JP2009140847A - Organic light emitting device - Google Patents
Organic light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009140847A JP2009140847A JP2007318100A JP2007318100A JP2009140847A JP 2009140847 A JP2009140847 A JP 2009140847A JP 2007318100 A JP2007318100 A JP 2007318100A JP 2007318100 A JP2007318100 A JP 2007318100A JP 2009140847 A JP2009140847 A JP 2009140847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- organic light
- electrode
- emitting unit
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 129
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 17
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- -1 etc. Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
Description
本発明は有機発光部を有する有機発光装置に関する。 The present invention relates to an organic light emitting device having an organic light emitting unit.
有機EL素子は、薄膜を積層した面状発光構造体からの自発光を特徴とする。この有機EL素子は、少なくとも有機発光材料よりなる発光層を含む。この有機EL素子は、有機化合物層の機能積層数を増やすことにより(Applied Physics Letters,51巻 ・87年913、65巻 ・89年3610)、低電圧で高効率な発光を可能となる。ここで基本となる素子構成は、陽極/正孔輸送層/発光層(有機発光材料を含む層)/陰極という構成で成り立っている。その後、陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極の構成で更なる高効率化が図られてきた。 The organic EL element is characterized by self-emission from a planar light emitting structure in which thin films are stacked. This organic EL element includes at least a light emitting layer made of an organic light emitting material. This organic EL element can emit light efficiently at a low voltage by increasing the number of functional layers of the organic compound layer (Applied Physics Letters, 51, 913, 87, 913, 65, 8910). The basic element configuration here is composed of an anode / hole transport layer / light emitting layer (a layer containing an organic light emitting material) / cathode. Thereafter, higher efficiency has been achieved by the configuration of anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode.
図9は有機発光材料を含む発光層を少なくとも含む有機化合物層を一対の電極である陽極及び陰極で挟持した有機EL素子の典型的な構成を示す図である。65はガラス基板、64はITOなどの透明な陽極、63は正孔輸送層、62は発光層、61は電子輸送層、60は陰極である。 FIG. 9 is a diagram showing a typical configuration of an organic EL element in which an organic compound layer including at least a light emitting layer containing an organic light emitting material is sandwiched between an anode and a cathode which are a pair of electrodes. 65 is a glass substrate, 64 is a transparent anode such as ITO, 63 is a hole transport layer, 62 is a light emitting layer, 61 is an electron transport layer, and 60 is a cathode.
図10に示すように、陽極70側に正電圧、陰極66側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層69を通った正孔74と電子輸送層67を通った電子73とが発光層68で励起子を形成し、再結合により発光する。
As shown in FIG. 10, by applying a positive voltage to the
さらに、発光層を通過するキャリアを阻止する為に発光層と電子輸送層との間にブロッキング層が設けられたり、低電圧でキャリアの注入が可能となるよう陰極と電子輸送層との間に電子注入層としての金属薄膜が設けられる。これにより、発光効率の改善が試みられてきた。 Further, a blocking layer is provided between the light emitting layer and the electron transport layer to block carriers passing through the light emitting layer, or between the cathode and the electron transport layer so that carriers can be injected at a low voltage. A metal thin film is provided as an electron injection layer. As a result, attempts have been made to improve luminous efficiency.
これらの有機EL素子は図11に示される如き駆動部で発光する。図11で、輝度信号Vsigは図12のタイミングチャートで示されるようにTr39のゲートVg10がアサートされた期間に供給される。これと同時に駆動Tr36のゲートVg11は輝度信号Vsigになる。これにより、駆動Tr36が電源35から電流を有機EL素子37に流す。
These organic EL elements emit light by a drive unit as shown in FIG. In FIG. 11, the luminance signal V sig is supplied during the period when the gate V g10 of Tr39 is asserted as shown in the timing chart of FIG. At the same time, the gate V g11 of the drive Tr 36 becomes the luminance signal V sig . As a result, the
しかしながら、有機EL素子は図11で示す駆動部により電流を流すことで発光する素子であり、高輝度で視認性の良いパネルを得るためには多くの電流を流す必要がある。 However, the organic EL element is an element that emits light when a current is supplied by the driving unit shown in FIG. 11, and it is necessary to supply a large amount of current in order to obtain a panel with high luminance and good visibility.
しかし、有機EL素子は駆動電流をかけ発光させた時間とともに発光の輝度が低下し素子が劣化することもまた知られている。 However, it is also known that the luminance of light emitted from an organic EL element decreases with time when a drive current is applied to cause the element to deteriorate.
ここで、特許文献1で示した「有機EL発光素子及びそれを用いた発光装置」を図13に挙げる。図示した有機EL(発光)素子45は、透明電極41と、この透明電極41に直交して配置された電極42と、n枚(1≦n≦100)の中間導電層43とを有する。さらに前記透明電極41と対向電極42との間に中間に中間導電層43を挟んで介在され少なくとも有機発光層を包含する有機化合物層44を有する。この有機EL素子45が一次元又は二次元配列されて発光装置40が提案されている。このような構成にすることにより、走査線電流を抑制し、大型かつ高精細ディスプレイを実現できるとしている。
Here, an “organic EL light-emitting element and a light-emitting device using the same” shown in
また、特許文献2で図14に示すような発光ユニットが等電位面で区切られた積層型の「有機エレクトロルミネッセント素子」を提案している。
この提案の有機エレクトロルミネッセント素子(有機EL素子)は、対向する陽極電極47と陰極電極50との間に複数個の発光ユニット48−1、48−2....48−nを有する。各発光ユニットは、それぞれ1層の等電位面を形成する層49−1、49−2....49−nによって仕切られている。これにより、電流効率を上げ、高輝度発光で長寿命な有機EL素子を提供することを目的としている。特許文献2に記載の有機EL素子では2つの発光ユニットが直列に接続されている。この特許文献2のように直列に発光ユニットを接続した場合のアクティブ型素子の等価回路図を図15に表す。
This proposed organic electroluminescent element (organic EL element) includes a plurality of light emitting units 48-1, 48-2. . . . 48-n. Each light emitting unit includes layers 49-1, 49-2. . . . 49-n. Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic EL element that increases current efficiency, has high luminance light emission, and has a long lifetime. In the organic EL element described in
また、特許文献3では、「電流駆動を繰り返すことによってEL素子内に空間電荷が溜まり、これが原因となってEL素子の寿命を短くすることを極力防止する」ことができるという記述がなされている。そして、これを解決する手段として「陽極と陰極の間に少なくともホール輸送層及び発光層を有する。所定のバイアスを供給して発光を行うEL表示装置において、非表示期間に陽極と陰極の間に逆バイアスをかけることにより、素子内に溜まる空間電荷を定期的に排除する」手段が開示されている。 Further, Patent Document 3 describes that "there is possible to prevent as much as possible the shortening of the lifetime of the EL element due to the accumulation of space charges in the EL element due to repeated current driving". . As a means for solving this problem, “having at least a hole transport layer and a light emitting layer between the anode and the cathode. In an EL display device that emits light by supplying a predetermined bias, it is provided between the anode and the cathode during the non-display period. Means for periodically eliminating the space charge accumulated in the device by applying a reverse bias is disclosed.
特許文献1や特許文献2で提案された有機EL素子は、同一方向に素子構造体を積層し電流効率を上げることで各々の素子寿命を長くすることを目的としている。
The organic EL elements proposed in
しかしながら、これらの素子は同一方向に積層されており、これらの素子を電流駆動した場合には、およそ2倍に駆動電圧が上がってしまう。このため、例えばTFT等を駆動トランジスタとして用いて駆動しようとすると必要電圧が高く駆動トランジスタの耐圧が問題になる場合があった。 However, these elements are stacked in the same direction, and when these elements are driven by current, the drive voltage is increased approximately twice. For this reason, for example, when driving using a TFT or the like as a drive transistor, the required voltage is high, and the breakdown voltage of the drive transistor may be a problem.
本発明では、駆動電圧が駆動トランジスタの耐圧を満たし、且つ、有機EL素子の寿命を長時間保つ有機発光装置を提供することを目的としている。 An object of the present invention is to provide an organic light emitting device in which the driving voltage satisfies the withstand voltage of the driving transistor and the lifetime of the organic EL element is maintained for a long time.
上記の如きEL素子の特性に鑑み、本発明の有機発光装置は、
基板と、
前記基板の上に順に第1電極と、第1有機発光層と、第2電極とを有する第1有機発光部と、
前記第1有機発光部の第2電極と電位的に導通する第3電極と、前記第3電極の上に順に第2有機発光層と、第4電極とを有する第2有機発光部と、
を有する有機発光装置において、
前記第1有機発光部を流れる電流の方向と、前記第2有機発光部を流れる電流の方向とは、膜厚方向において互い逆の方向であることを特徴とする。
In view of the characteristics of the EL element as described above, the organic light-emitting device of the present invention is
A substrate,
A first organic light emitting unit having a first electrode, a first organic light emitting layer, and a second electrode in order on the substrate;
A second electrode having a third electrode electrically connected to the second electrode of the first organic light emitting unit, a second organic light emitting layer, and a fourth electrode in order on the third electrode;
In an organic light emitting device having
The direction of the current flowing through the first organic light emitting unit and the direction of the current flowing through the second organic light emitting unit are opposite to each other in the film thickness direction.
本発明によれば、駆動電圧が駆動トランジスタの耐圧を満たし、且つ、有機EL素子の寿命を長時間保つ有機発光装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an organic light-emitting device in which the drive voltage satisfies the withstand voltage of the drive transistor and the lifetime of the organic EL element is maintained for a long time.
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1の実施の形態について図面を用いて説明しながら、本発明を詳細に説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は本発明の第1の実施の形態について示す発光装置の等価回路図である。図1において、1は第1有機発光部、2は第2有機発光部、35は電源、36は駆動トランジスタ、38は容量、39はスイッチングトランジスタ(以下トランジスタをTrと省略する)である。 FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a light-emitting device shown for the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a first organic light emitting unit, 2 is a second organic light emitting unit, 35 is a power source, 36 is a driving transistor, 38 is a capacitor, and 39 is a switching transistor (hereinafter, the transistor is abbreviated as Tr).
本発明の第1の実施の形態は、図1に示すように、2つの有機発光部、即ち第1有機発光部1と第2有機発光部2が駆動Tr36と基準電位との間に並列に接続されている。先ず、列データ処理部58より輝度信号Vsigは図2のタイミングチャートで示されるようにスイッチングTr39のゲートVg10がアサートされた期間に供給される。これと同時に駆動Tr36のゲートVg11は列データ処理部58より供給される輝度信号Vsigになる。これにより、駆動Tr36が電源35から電流を第1有機発光部1及び第2有機発光部2に流す。
In the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, two organic light emitting units, that is, a first organic
本実施の形態では直列に接続された有機発光装置で同輝度を得る場合と比べて低電圧で駆動することができ、駆動Trの耐圧を満たすことができる。また、図11に示す従来例と同輝度を得る場合に、第1有機発光部1又は第2有機発光部2を流れる電流は有機発光素子37を流れる電流のおよそ半分である。そのため、発光は同輝度で有りながら発光させる時間とともに起こる素子の劣化による発光の輝度が低下を著しく抑えることが可能となる。
In the present embodiment, the organic light emitting devices connected in series can be driven at a lower voltage than the case where the same luminance is obtained, and the withstand voltage of the drive Tr can be satisfied. Further, when obtaining the same luminance as the conventional example shown in FIG. 11, the current flowing through the first organic
図3に示すように、第1有機発光部1として、基板10の上に、第1電極11、第1正孔輸送層12、第1有機発光層13、第1電子輸送層14、第1電子注入層15、第2電極(透明電極)16が順に積層されている。また、第2有機発光部2として、第1有機発光部1の上に、第1有機発光部と兼用される第2電極16、第2電子注入層25、第2電子輸送層24、第2有機発光層23、第2正孔輸送層22、第4電極(透明電極)21が順に積層されている。なお、本実施形態では、第1有機発光部と第2有機発光部とで第2電極16を兼用しているが、この限りでない。後述するように、第2有機発光部が第3電極を有する構成とし、前記第3電極と前記第1有機発光部の第2電極とを電位的に導通する構成としてもよい。
As shown in FIG. 3, as the first organic
そして、第1電極11には駆動部17からの直流信号が、第4電極21には駆動部27からの直流信号がそれぞれ印加される。また、第2電極16には基準電位(接地電位)が与えられる。つまり、前記第1有機発光部1を流れる電流の方向と、前記第2有機発光部2を流れる電流の方向とは、膜厚方向において互い逆の方向である。
A DC signal from the
本発明の有機発光装置を用いて、アクティブマトリクス型の表示装置を構成する場合には、図4のように夫々、第1有機発光部1及び第2有機発光部2を積層した発光素子を画素分離膜53で区切りマトリクス状に配置する。そして、第1電極11に列データ処理部58からの電圧データを受けて画素内のTFT回路である駆動部17からの直流信号Vdata1が、第4電極21に画素内のTFT回路である駆動部27からの直流信号Vdata2が、それぞれ印加される。また、2つの有機発光部に共通して用いられる第2電極16には、基準電位V3が設定される。
When an active matrix type display device is configured using the organic light emitting device of the present invention, a light emitting element in which a first organic
但し、本実施の形態では図1の駆動部を構成する駆動Tr36が電源35から電流を流すので、駆動部17、27は、同一のもの、若しくはいずれか1つでもよい。
However, in the present embodiment, since the
図5は、本発明の実施形態に係る有機発光装置を用いた表示装置の断面模式図である。ここで、下側の基板56はTFT回路より成る駆動部17を備え、第1電極11と接続されている。上側の基板57はTFT回路より成る駆動部27を備え、第4電極21と接続されている。第1有機発光部1は第1電極11から、第2有機発光部2は第4電極21から対向するように積層されている。また、夫々の第1有機発光部1の第2電極16と第2有機発光部2の第3電極26とが導電体52で接続されている。この実施形態では第1有機発光部1の第2電極16と第2有機発光部2の第3電極26とが別々に成膜されているが、上下の有機発光部を近づけることにより同一の膜を電極として用いてもよい。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a display device using the organic light emitting device according to the embodiment of the invention. Here, the lower substrate 56 includes the driving
本発明による有機発光装置においては、各有機発光部が基準電位によって仕切られて、電子及び正孔の注入方向が対向する有機発光部を一組以上含み複数個(2個以上)存在するものであれば、有機発光部はいかなる積層構造を有していてもよい。つまり第1電極は陰極であっても、陽極であってもよい。第1電極が陽極である場合には、第2、3電極は陰極、第4電極は陽極である。また、第1電極が陰極である場合には、第2、3電極は陽極、第4電極は陰極である。但し、基板10或いはその反対側の少なくともいずれか一方から発光層が発した光を取り出す必要があるため、第1電極11又は第4電極21の少なくともいずれか一方は光透過電極である必要がある。また、第1有機発光部及び第2有機発光部の発光を両方取り出すためには、両電極が光透過電極である必要がある。光透過電極として、ITOやIZOなどの透明金属酸化物導電部材を用いたり、金属の薄膜(厚さ10nm〜20nm程度)を用いることが可能である。
In the organic light emitting device according to the present invention, each organic light emitting section is partitioned by a reference potential, and there are a plurality (two or more) of organic light emitting sections including one or more sets of organic light emitting sections in which the injection directions of electrons and holes are opposed. If it exists, the organic light emitting part may have any laminated structure. That is, the first electrode may be a cathode or an anode. When the first electrode is an anode, the second and third electrodes are cathodes and the fourth electrode is an anode. When the first electrode is a cathode, the second and third electrodes are anodes and the fourth electrode is a cathode. However, since it is necessary to extract light emitted from the light emitting layer from at least one of the
有機化合物層、即ち有機発光層、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層などに用いる物質についても、特に制限はなく、従来これらの層の形成に用いられた任意の物質であってよい。有機発光層に用いられる発光材料については、特に制限はなく公知の材料が使用でき、例えば、各種の蛍光材料、燐光材料などが挙げられる。各構成の材料は、正孔輸送層としてα−NPD、有機発光層としてAlq3、電子輸送層としてTAZ、電子注入層としてLiFが一例に挙げられる。なお、燐光の発光材料としてはIr(ppy)3などが知られている。 There are no particular restrictions on the material used for the organic compound layer, that is, the organic light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, the electron transport layer, the electron injection layer, etc., and any material conventionally used for forming these layers may be used. It may be. There is no restriction | limiting in particular about the luminescent material used for an organic light emitting layer, A well-known material can be used, For example, various fluorescent materials, phosphorescent materials, etc. are mentioned. Examples of the material of each configuration include α-NPD as the hole transport layer, Alq3 as the organic light emitting layer, TAZ as the electron transport layer, and LiF as the electron injection layer. Note that Ir (ppy) 3 and the like are known as phosphorescent materials.
以下、図5に示す表示装置を例に挙げて製造方法を説明する。 Hereinafter, the manufacturing method will be described by taking the display device shown in FIG. 5 as an example.
まず、下側発光基板、即ち第1有機発光部が形成される部材の製造方法について述べる。基板56は、第一のプロセス段階でポリシリコン層は透明で絶縁性の基板にわたり堆積され、ポリシリコン層はフォトリソグラフィによりアイランドにパターン化される。基板56は結晶材料であるが、好ましくは低温度ガラスのような高価でない材料が好ましい。ガラス基板が用いられるときにはTFT−ELの製造工程でガラスの溶融又は歪みを防ぎ、能動領域内にドーパントの拡散を回避するために低温プロセスで行われる。これに従い、ガラス基板に対しての製造工程は1000℃以下、好ましくは600℃以下で実施されなければならない。 First, a method for manufacturing a lower light emitting substrate, that is, a member on which the first organic light emitting portion is formed will be described. The substrate 56 is deposited over a transparent and insulating substrate in a first process step, and the polysilicon layer is patterned into islands by photolithography. The substrate 56 is a crystalline material, but is preferably an inexpensive material such as low temperature glass. When a glass substrate is used, it is performed in a low temperature process in order to prevent melting or distortion of the glass in the TFT-EL manufacturing process and to avoid dopant diffusion in the active region. Accordingly, the manufacturing process for the glass substrate should be performed at 1000 ° C. or lower, preferably 600 ° C. or lower.
次に絶縁ゲート材料がポリシリコンアイランド上及び絶縁基板の表面にわたり堆積される。絶縁材料はプラズマ増強CVD又は低圧CVD(LPCVD)のような化学蒸着(CVD)により堆積される二酸化シリコンである。また、ゲート酸化物絶縁層は約1000オングストロームの厚さの膜である。 Insulating gate material is then deposited over the polysilicon island and over the surface of the insulating substrate. The insulating material is silicon dioxide deposited by chemical vapor deposition (CVD) such as plasma enhanced CVD or low pressure CVD (LPCVD). The gate oxide insulating layer is a film having a thickness of about 1000 angstroms.
次の工程でシリコンの層はゲート絶縁層上に堆積され、イオンインプラント後にソースとドレイン領域はポリシリコン領域内に形成される。このため、ソースとドレイン領域はポリシリコンアイランド上にフォトリソグラフィすることによりパターン化される。ゲート電極材料はポリシリコンである。イオンインプラントは例えば砒素であるN型ドーパントで導電化される。また、ポリシリコンゲート電極は蓄積コンデンサの電極としても用いられる。ゲートバスは絶縁層上で適用され、パターン化される。ゲートバスは好ましくは珪素化タングステンのような金属珪素化物である方がよい。 In the next step, a layer of silicon is deposited on the gate insulating layer, and after ion implantation, source and drain regions are formed in the polysilicon region. For this reason, the source and drain regions are patterned by photolithography on the polysilicon island. The gate electrode material is polysilicon. The ion implant is made conductive with an N-type dopant, for example arsenic. The polysilicon gate electrode is also used as an electrode for a storage capacitor. A gate bus is applied and patterned on the insulating layer. The gate bus is preferably a metal silicide such as tungsten silicide.
次の工程で二酸化シリコンである絶縁層はデバイスの表面全体にわたり適用される。 In the next step, an insulating layer of silicon dioxide is applied over the entire surface of the device.
コンタクトホールは第2の絶縁層内を貫通し、第1電極11はコンタクトホールを通して薄膜トランジスタ(TFT)回路17と接続される。このTFT回路17のソース領域に付けられた電極材料はコンデンサの上面電極を形成する。また、第1電極11は絶縁材料である二酸化シリコン上に成膜される。
The contact hole penetrates through the second insulating layer, and the
次の工程でパシベーション層のテーパ形状の素子分離膜53が形成される。テーパ形状の素子分離膜53は信頼し得るデバイスを製造するために必要である。なぜならば第1有機発光部1の有機化合物層はおよそ200nmの厚さの薄い薄膜より成るからである。パシベーション層は約1ミクロン厚である。なお、パシベーション層の端が第1電極11に関して垂直又は鋭角をなす場合には欠陥が有機EL層内のカバーレッジの不連続により発生しやすい。欠陥を防止するためにパシベーション層はテーパ形状を有さねばならない。好ましくはパシベーション層は第1電極11に関して10度から30度の角度でテーパを付けられる。
In the next step, the tapered
第1有機発光部1の有機化合物層はパシベーション層上及び第1電極11上に堆積される。第1有機発光部1の有機化合物層を形成する化合物は公知の方法の蒸着により堆積されるが、他の塗布など従来技術によっても堆積され得る。
The organic compound layer of the first organic
その後、有機化合物層上に第2電極16が形成される。
Thereafter, the
次に、上側発光基板、即ち第2有機発光部が形成される部材の製造方法について述べる。 Next, a method for manufacturing an upper light emitting substrate, that is, a member on which the second organic light emitting portion is formed will be described.
上側の有機発光基板は、上記と同様の製造工程により製造される。有機発光基板は、TFT回路より成る駆動部27を備え第4電極21と接続されている。
The upper organic light emitting substrate is manufactured by the same manufacturing process as described above. The organic light emitting substrate includes a driving
最後に、第1有機発光部1が形成された部材と第2有機発光部2が形成された部材との貼り合わせについて説明する。第1有機発光部1が形成された部材と第2有機発光部2が形成された部材とは第2電極16と第3電極26とを対向させて貼り合わされ、固定シール51により固定され外部雰囲気より封止される。また、夫々の有機発光部の上に成膜された第2電極16と第3電極26とが導電体52で接続される。
Finally, bonding of the member on which the first organic
(第2の実施の形態)
以下、本発明の第2の実施の形態について図面を用いて説明しながら、本発明を詳細に説明する。
(Second Embodiment)
Hereinafter, the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
本発明の第2の実施の形態の層構成は、第1の実施の形態で説明した構成と同じであり、図3に示す構成である。 The layer configuration of the second embodiment of the present invention is the same as the configuration described in the first embodiment, and is the configuration shown in FIG.
そして、第1電極11には駆動部17から図6で示されるVdata1が、第4電極21には駆動部27からVdata2の交流で各々逆位相の輝度信号が供給される。また、第2電極16には、共通電位として交流信号の正負のピークの1/2の電位が与えられる。つまり、第1電極11及び第4電極21に、互いに逆位相の交流電流を印加するための電圧を供給し、第2電極16には、前記第1電極及び前記第4電極にかかっている交流電位のピーク振幅間の電位を与えるための電圧を供給する。
Then, V data1 shown in FIG. 6 is supplied from the driving
本発明の有機発光装置を用いて、アクティブマトリクス型の表示装置を構成する場合には、図4のように夫々、第1有機発光部1及び第2有機発光部2を積層した発光素子を画素分離膜53で区切りマトリクス状に配置する。そして、第1電極11に列データ処理部58からの電圧データを受けて画素内のTFT回路である駆動部17からの交流信号Vdata1が、第4電極21に画素内のTFT回路である駆動部27からの交流信号Vdata2が、それぞれ印加される。また、2つの有機発光部で兼用される第2電極16には、中間電位V3が設定される。
When an active matrix type display device is configured using the organic light emitting device of the present invention, a light emitting element in which a first organic
図5は、本発明の実施形態に係る有機発光装置を用いた表示装置の断面模式図である。ここで、下側の基板56はTFT回路より成る駆動部17を備え、第1電極11と接続されている。上側の基板57はTFT回路より成る駆動部27を備え、第4電極21と接続されている。第1有機発光部1は第1電極11から、第2有機発光部2は第4電極21から対向するように積層されている。また、第1有機発光部1の第2電極16と第2有機発光部2の第3電極26とは導電体52で接続されている。この実施形態では第1有機発光部1の第2電極16と第2有機発光部2の第3電極26とが別々に成膜されているが、上下の有機発光部を近づけることにより同一の膜を電極として用いてもよい。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a display device using the organic light emitting device according to the embodiment of the invention. Here, the lower substrate 56 includes the driving
ここでは1画素における駆動部17、27の信号Vdata1、Vdata2のタイミングを図6を用いて説明する。まず、タイミングT1期間では、列データ処理部58よりVdata1が+Vgレベルで供給され、Vdata2が−Vgレベルで供給される。続くタイミングT2期間では、列データ処理部58よりVdata1が−Vgレベルで供給され、Vdata2が+Vgレベルで供給される。つまり、第2の実施の形態では、Vdata1とVdata2は同じ電位で駆動されている。
Here, the timing of the signals V data1 and V data2 of the driving
上述の駆動方法により、駆動電圧は第1有機発光部1及び第2有機発光部2に夫々個別の第1電極11及び第4電極21から印加されるため駆動電圧を低く抑えることができる。このため駆動Trの耐圧を満たすことができる。また、従来例の図11の場合と比べて同輝度を得るための第1有機発光部1及び第2有機発光部2の駆動時間が発光素子37のおよそ半分になり、表示装置55としてはおよそ2倍の寿命が得られる。
With the above driving method, the driving voltage is applied to the first organic
ここで、第1有機発光部1及び第2有機発光部2を交互に駆動し、第1有機発光部1には駆動のための正電位を、駆動されていない第2有機発光部2には表示時と逆電位のバイアスを加える。この場合には第1有機発光部1の第1電極11から第2電極16に電流が流れ、第1有機発光部1は発光する。このとき発光には寄与しない第2有機発光部2には第4電極21に逆電圧が印加され、第3電極26との間に逆バイアスがかかる。これにより、第2有機発光部2内に溜まった空間電荷を排除することができるので、表示装置55の更なる長寿命化が見込まれる。
Here, the first organic
本発明による有機発光装置においては、各有機発光部が基準電位によって仕切られて、電子及び正孔の注入方向が対向する有機発光部を一組以上含み複数個(2個以上)存在するものであれば、有機発光部はいかなる積層構造を有していてもよい。つまり第1電極は陰極であっても、陽極であってもよい。第1電極が陽極である場合には、第2、3電極は陰極、第4電極は陽極である。また、第1電極が陰極である場合には、第2、3電極は陽極、第4電極は陰極である。但し、基板10或いはその反対側の少なくともいずれか一方から有機発光層が発した光を取り出す必要があるため、第1電極11又は第4電極21の少なくともいずれか一方は光透過電極である必要がある。また、第1有機発光部及び第2有機発光部の発光を両方取り出すためには、両電極が光透過電極である必要がある。光透過電極として、ITOやIZOなどの透明金属酸化物導電部材を用いたり、金属の薄膜(10nm〜20nm程度)を用いることが可能である。
In the organic light emitting device according to the present invention, each organic light emitting section is partitioned by a reference potential, and there are a plurality (two or more) of organic light emitting sections including one or more sets of organic light emitting sections in which the injection directions of electrons and holes are opposed. If it exists, the organic light emitting part may have any laminated structure. That is, the first electrode may be a cathode or an anode. When the first electrode is an anode, the second and third electrodes are cathodes and the fourth electrode is an anode. When the first electrode is a cathode, the second and third electrodes are anodes and the fourth electrode is a cathode. However, since it is necessary to extract light emitted from the organic light emitting layer from at least one of the
有機化合物層、即ち有機発光層、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層などに用いる物質についても、特に制限はなく、従来これらの層の形成に用いられた任意の物質であってよい。有機発光層に用いられる発光材料については、特に制限はなく公知の材料が使用でき、例えば、各種の蛍光材料、燐光材料などが挙げられる。各構成の材料は、正孔輸送層としてα−NPD、有機発光層としてAlq3、電子輸送層としてTAZ、電子注入層としてLiFが一例に挙げられる。なお、燐光の発光材料としてはIr(ppy)3などが知られている。 There are no particular restrictions on the material used for the organic compound layer, that is, the organic light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the like. It may be. There is no restriction | limiting in particular about the luminescent material used for an organic light emitting layer, A well-known material can be used, For example, various fluorescent materials, phosphorescent materials, etc. are mentioned. Examples of the material of each configuration include α-NPD as the hole transport layer, Alq3 as the organic light emitting layer, TAZ as the electron transport layer, and LiF as the electron injection layer. Note that Ir (ppy) 3 and the like are known as phosphorescent materials.
(第3の実施の形態)
以下、本発明の第3の実施の形態について図面を用いて説明しながら、本発明を詳細に説明する。
(Third embodiment)
Hereinafter, the third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
本発明の第3の実施の形態の層構成は、第1の実施の形態及び第2の実施の形態で説明した構成と同じであり、図3に示す構成である。 The layer configuration of the third embodiment of the present invention is the same as the configuration described in the first embodiment and the second embodiment, and is the configuration shown in FIG.
そして、第1電極11には駆動部17から図7で示されるVdata1が、第4電極21には駆動部27からVdata2の交流で各々逆位相の輝度信号が供給される。また、第2電極16には、共通電位として交流信号の正負のピークの1/2の電位が与えられる。つまり、本実施形態も第1電極11及び第4電極21に、互いに逆位相の交流電流を印加するための電圧を供給し、第2電極16には、前記第1電極及び前記第4電極にかかっている交流電位のピーク振幅間の電位を与えるための電圧を供給する。
Then, V data1 shown in FIG. 7 is supplied from the driving
本発明の有機発光装置を用いて、アクティブマトリクス型の表示装置を構成する場合には、図4のように夫々、第1有機発光部1及び第2有機発光部2を積層した発光素子を画素分離膜53で区切りマトリクス状に配置する。そして、第1電極11に列データ処理部58からの電圧データを受けて画素内のTFT回路である駆動部17からの交流信号Vdata1が、第4電極21に画素内のTFT回路である駆動部27からの交流信号Vdata2が、それぞれ印加される。また、2つの有機発光部で兼用される第2電極16には、中間電位V3が設定される。
When an active matrix type display device is configured using the organic light emitting device of the present invention, a light emitting element in which a first organic
図5は、本発明の実施形態に係る有機発光装置を用いた表示装置の断面模式図である。ここで、下側の基板56はTFT回路より成る駆動部17を備え、第1電極11と接続されている。上側の基板57はTFT回路より成る駆動部27を備え、第4電極21と接続されている。第1有機発光部1は第1電極11から、第2有機発光部2は第4電極21から対向するように積層されている。また、夫々の第1有機発光部1の第2電極16と第2有機発光部2の第3電極26とが導電体52で接続されている。この実施形態では第1有機発光部1の第2電極16と第2有機発光部2の第3電極26とが別々に成膜されているが、上下の有機発光部を近づけることにより同一の膜を電極として用いてもよい。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a display device using the organic light emitting device according to the embodiment of the invention. Here, the lower substrate 56 includes the driving
ここでは1画素にかかる駆動部17、27の信号Vdata1、Vdata2のタイミングを図7を用いて説明する。まず、タイミングT1期間では、列データ処理部58よりVdata1が+Vg_imageレベルで供給され、Vdata2が−Vg_textレベルで供給される。続くタイミングT2期間では、列データ処理部58よりVdata1が−Vg_imageレベルで供給され、Vdata2が+Vg_textレベルで供給される。
Here, the timing of the signals V data1 and V data2 of the driving
タイミングT3期間、タイミングT4期間では、前記T1、T2サイクルと駆動部17、27からのデータが反転する。タイミングT3期間では、列データ処理部58よりVdata1が+Vg_textレベルで供給され、Vdata2が−Vg_imageレベルで供給される。タイミングT4期間では、列データ処理部58よりVdata1が−Vg_textレベルで供給され、Vdata2が+Vg_imageレベルで供給される。
In the timing T 3 period and the timing T 4 period, the T 1 and T 2 cycles and the data from the driving
本実施の形態では、周期変更パターンであるVg_imageと固定パターンであるVg_textは有機発光部1と有機発光部2で交互に分担表示される。なお、Vg_imageは映像データ信号値であり、Vg_textはテキストデータ信号値である。
In this embodiment, V g_text a V G_image the fixed pattern is a periodic change pattern is shared alternately displayed in the organic light-emitting
上述の駆動方法により、駆動電圧は有機発光部1、2に夫々個別の電極11、21から印加されるため低く抑えることができる。このため駆動Trの耐圧を満たすことができる。また、従来例の図11の場合と比べて同輝度を得るための有機発光部1、2の駆動時間が発光素子37のおよそ半分になり、表示装置55としてはおよそ2倍の寿命が得られる。また、交互に印加される前回表示輝度信号と逆極性のバイアスにより有機発光部1、2内に溜まった空間電荷を排除することができるので、表示装置55の更なる長寿命化が見込まれる。
With the above-described driving method, the driving voltage is applied to the organic
実際の表示イメージを図8に示す。このように、第1有機発光部1の画素マトリクスで第1の表示パターンが表示され、第2有機発光部2の画素マトリクスで第2の表示パターンが表示される。前記第1の表示パターンと前記第2の表示パターンとは交互に表示され1つのイメージとして表示される。
An actual display image is shown in FIG. As described above, the first display pattern is displayed in the pixel matrix of the first organic
上述の駆動方法により、駆動電圧が駆動Trの耐圧を満たすことができる。 With the above driving method, the driving voltage can satisfy the withstand voltage of the driving Tr.
本発明による有機発光装置においては、各有機発光部が基準電位によって仕切られて、電子及び正孔の注入方向が対向する有機発光部を一組以上含み複数個(2個以上)存在するものであれば、有機発光部はいかなる積層構造を有していてもよい。つまり第1電極は陰極であっても、陽極であってもよい。第1電極が陽極である場合には、第2、3電極は陰極、第4電極は陽極である。また、第1電極が陰極である場合には、第2、3電極は陽極、第4電極は陰極である。但し、基板10或いはその反対側の少なくともいずれか一方から有機発光層が発した光を取り出す必要があるため、第1電極11又は第4電極21の少なくともいずれか一方は光透過電極である必要がある。また、第1有機発光部及び第2有機発光部の発光を両方取り出すためには、両電極が光透過電極である必要がある。光透過電極として、ITOやIZOなどの透明金属酸化物導電部材を用いたり、金属の薄膜(10nm〜20nm程度)を用いることが可能である。
In the organic light emitting device according to the present invention, each organic light emitting section is partitioned by a reference potential, and there are a plurality (two or more) of organic light emitting sections including one or more sets of organic light emitting sections in which the injection directions of electrons and holes are opposed. If it exists, the organic light emitting part may have any laminated structure. That is, the first electrode may be a cathode or an anode. When the first electrode is an anode, the second and third electrodes are cathodes and the fourth electrode is an anode. When the first electrode is a cathode, the second and third electrodes are anodes and the fourth electrode is a cathode. However, since it is necessary to extract light emitted from the organic light emitting layer from at least one of the
有機化合物層、即ち有機発光層、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層などに用いる物質についても、特に制限はなく、従来これらの層の形成に用いられた任意の物質であってよい。有機発光層に用いられる発光材料については、特に制限はなく公知の材料が使用でき、例えば、各種の蛍光材料、燐光材料などが挙げられる。各構成の材料は、正孔輸送層としてα−NPD、有機発光層としてAlq3、電子輸送層としてTAZ、電子注入層としてLiFが一例に挙げられる。なお、燐光の発光材料としてはIr(ppy)3などが知られている。 There are no particular restrictions on the material used for the organic compound layer, that is, the organic light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, the electron transport layer, the electron injection layer, etc., and any material conventionally used for forming these layers may be used. It may be. There is no restriction | limiting in particular about the luminescent material used for an organic light emitting layer, A well-known material can be used, For example, various fluorescent materials, phosphorescent materials, etc. are mentioned. Examples of the material of each configuration include α-NPD as the hole transport layer, Alq3 as the organic light emitting layer, TAZ as the electron transport layer, and LiF as the electron injection layer. Note that Ir (ppy) 3 and the like are known as phosphorescent materials.
(第4の実施の形態)
本発明の第4の実施の形態としては、第1有機発光部及び第2有機発光部は、夫々、似通った系統色より構成する。色度はCIE色度座標で有機発光部1(0.145,0.095)、有機発光部2(0.147,0.139)でともに青色を発光するが、青色純度としては有機発光部1の方が色純度がよい。一方、半減寿命は有機発光部2の方が有機発光部1より長い。
(Fourth embodiment)
In the fourth embodiment of the present invention, the first organic light emitting unit and the second organic light emitting unit are configured by similar system colors, respectively. The chromaticity is CIE chromaticity coordinates, and both the organic light emitting unit 1 (0.145, 0.095) and the organic light emitting unit 2 (0.147, 0.139) emit blue light. No. 1 has better color purity. On the other hand, the half life is longer in the organic
図1に示すように、2つの有機発光部、即ち第1有機発光部1及び第2有機発光部2が駆動Tr36と基準電位との間に並列に接続されている。先ず、列データ処理部58より輝度信号Vsigは図2のタイミングチャートで示されるようにスイッチングTr39のゲートVg10がアサートされた期間に供給される。これと同時に駆動Tr36のゲートVg11は列データ処理部58より供給される輝度信号Vsigになる。これにより、駆動Tr36が電源35から電流を第1有機発光部1及び第2有機発光部2に流す。
As shown in FIG. 1, two organic light emitting units, that is, a first organic
本実施の形態では直列に接続された有機発光装置で同輝度を得る場合と比べて低電圧で駆動することができ、駆動Trの耐圧を満たすことができる。また、図11に従来例と同輝度を得る場合に、第1有機発光部1又は第2有機発光部2を流れる電流は有機発光素子37を流れる電流のおよそ半分である。そのため、発光は同輝度で有りながら発光させる時間とともに起こる素子の劣化による発光の輝度の低下を著しく抑えることが可能となる。また、初期の表示色純度は有機発光装置の第1有機発光部単独での表示時より悪く、第2有機発光部単独での表示時の場合より良くなった。ここで駆動劣化によるホワイトバランスのずれも上記の寿命改善により改善されることは明らかである。
In the present embodiment, the organic light emitting devices connected in series can be driven at a lower voltage than the case where the same luminance is obtained, and the withstand voltage of the drive Tr can be satisfied. In addition, when obtaining the same luminance as in the conventional example in FIG. 11, the current flowing through the first organic
図3に示すように、第1有機発光部1として、基板10の上に、第1電極11、第1正孔輸送層12、第1有機発光層13、第1電子輸送層14、第1電子注入層15、第2電極(透明電極)16が順に積層されている。また、第2有機発光部2として、第1有機発光部1の上に、第1有機発光部と兼用される第2電極16、第2電子注入層25、第2電子輸送層24、第2有機発光層23、第2正孔輸送層22、第4電極(透明電極)21が順に積層されている。
As shown in FIG. 3, as the first organic
そして、第1電極11には駆動部17からの直流信号が、第4電極21には駆動部27からの直流信号がそれぞれ印加される。また、第2電極16には基準電位(接地電位)が与えられる。
A DC signal from the
本発明の有機発光装置を用いて、アクティブマトリクス型の表示装置を構成する場合には、図4のように夫々、第1有機発光部1及び第2有機発光部2を積層した発光素子を画素分離膜53で区切りマトリクス状に配置する。そして、第1電極11に列データ処理部58からの電圧データを受けて画素内のTFT回路である駆動部17からの直流信号Vdata1が、第4電極21に画素内のTFT回路である駆動部27からの直流信号Vdata2が、それぞれ印加される。また、2つの有機発光部に共通して用いられる第2電極16には、基準電位V3が設定される。
When an active matrix type display device is configured using the organic light emitting device of the present invention, a light emitting element in which a first organic
但し、本実施の形態では図1の駆動部を構成する駆動Tr36が電源35から電流を流すので、駆動部17、27は、同一のもの、若しくはいずれか1つでもよい。
However, in the present embodiment, since the
図5は、本発明の実施形態に係る有機発光装置を用いた表示装置の断面模式図である。ここで、下側の基板56はTFT回路より成る駆動部17を備え、第1電極11と接続されている。上側の基板57はTFT回路より成る駆動部27を備え、第4電極21と接続されている。第1有機発光部1は第1電極11から、第2有機発光部2は第4電極21から対向するように積層されている。また、夫々の第1有機発光部1の第2電極16と第2有機発光部2の第3電極26とが導電体52で接続されている。この実施形態では第1有機発光部1の第2電極16と第2有機発光部2の第3電極26とが別々に成膜されているが、上下の有機発光部を近づけることにより同一の膜を電極として用いてもよい。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a display device using the organic light emitting device according to the embodiment of the invention. Here, the lower substrate 56 includes the driving
本発明による有機発光装置においては、各有機発光部が基準電位によって仕切られて、電子及び正孔の注入方向が対向する有機発光部を一組以上含み複数個(2個以上)存在するものであれば、有機発光部はいかなる積層構造を有していてもよい。つまり第1電極は陰極であっても、陽極であってもよい。第1電極が陽極である場合には、第2、3電極は陰極、第4電極は陽極である。また、第1電極が陰極である場合には、第2、3電極は陽極、第4電極は陰極である。但し、基板10或いはその反対側の少なくともいずれか一方から有機発光層が発した光を取り出す必要があるため、第1電極11又は第4電極21の少なくともいずれか一方は光透過電極である必要がある。また第1有機発光部1及び第2有機発光部2の発光を両方取り出すためには、両電極が光透過電極である必要がある。光透過電極として、ITOやIZOなどの透明金属酸化物導電部材を用いたり、金属の薄膜(10nm〜20nm程度)を用いることが可能である。
In the organic light emitting device according to the present invention, each organic light emitting section is partitioned by a reference potential, and there are a plurality (two or more) of organic light emitting sections including one or more sets of organic light emitting sections in which the injection directions of electrons and holes are opposed. If it exists, the organic light emitting part may have any laminated structure. That is, the first electrode may be a cathode or an anode. When the first electrode is an anode, the second and third electrodes are cathodes and the fourth electrode is an anode. When the first electrode is a cathode, the second and third electrodes are anodes and the fourth electrode is a cathode. However, since it is necessary to extract light emitted from the organic light emitting layer from at least one of the
有機化合物層、即ち有機発光層、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層などに用いる物質についても、特に制限はなく、従来これらの層の形成に用いられた任意の物質であってよい。有機発光層に用いられる発光材料については、特に制限はなく公知の材料が使用でき、例えば、各種の蛍光材料、燐光材料などが挙げられる。各構成の材料は、正孔輸送層としてα−NPD、有機発光層としてAlq3、電子輸送層としてTAZ、電子注入層としてLiFが一例に挙げられる。なお、燐光の発光材料としてはIr(ppy)3などが知られている。 There are no particular restrictions on the material used for the organic compound layer, that is, the organic light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, the electron transport layer, the electron injection layer, etc., and any material conventionally used for forming these layers may be used. It may be. There is no restriction | limiting in particular about the luminescent material used for an organic light emitting layer, A well-known material can be used, For example, various fluorescent materials, phosphorescent materials, etc. are mentioned. Examples of the material of each configuration include α-NPD as the hole transport layer, Alq3 as the organic light emitting layer, TAZ as the electron transport layer, and LiF as the electron injection layer. Note that Ir (ppy) 3 and the like are known as phosphorescent materials.
1 第1有機発光部
2 第2有機発光部
10 基板
11 第1電極
12 第1正孔輸送層
13 第1有機発光層
14 第1電子輸送層
15 第1電子注入層
16 第2電極
17 駆動部
21 第4電極
22 第2電子注入層
23 第2電子輸送層
24 第2有機発光層
25 第2正孔輸送層
26 第3電極
27 駆動部
35 電源
36 駆動トランジスタ
38 容量
39 スイッチングトランジスタ
40 発光装置
41 透明電極
42 対向電極
43 中間導電層
44 有機化合物層
45 有機EL発光素子
51 固定シール
52 導電体
53 素子分離層
56 基板
57 対向基板
58 列データ処理部
59 走査制御部
60 表示制御部
61 電源
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記基板の上に順に第1電極と、第1有機発光層と、第2電極とを有する第1有機発光部と、
前記第1有機発光部の第2電極と電位的に導通する第3電極と、前記第3電極の上に順に第2有機発光層と、第4電極とを有する第2有機発光部と、
を有する有機発光装置において、
前記第1有機発光部を流れる電流の方向と、前記第2有機発光部を流れる電流の方向とは、膜厚方向において互い逆の方向であることを特徴とする有機発光装置。 A substrate,
A first organic light emitting unit having a first electrode, a first organic light emitting layer, and a second electrode in order on the substrate;
A second electrode having a third electrode electrically connected to the second electrode of the first organic light emitting unit, a second organic light emitting layer, and a fourth electrode in order on the third electrode;
In an organic light emitting device having
An organic light emitting device, wherein a direction of current flowing through the first organic light emitting unit and a direction of current flowing through the second organic light emitting unit are opposite to each other in the film thickness direction.
前記第2電極及び前記第3電極には、前記第1電極及び前記第3電極にかかっている交流電位のピーク振幅間の電位を与えるための電圧を供給することを特徴とする請求項3に記載の有機発光装置。 Supplying a voltage for applying alternating currents of opposite phases to the first electrode and the fourth electrode;
The voltage for giving the electric potential between the peak amplitudes of the alternating current potential applied to the said 1st electrode and the said 3rd electrode is supplied to the said 2nd electrode and the said 3rd electrode. The organic light-emitting device described.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007318100A JP2009140847A (en) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | Organic light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007318100A JP2009140847A (en) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | Organic light emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009140847A true JP2009140847A (en) | 2009-06-25 |
Family
ID=40871258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007318100A Withdrawn JP2009140847A (en) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | Organic light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009140847A (en) |
-
2007
- 2007-12-10 JP JP2007318100A patent/JP2009140847A/en not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11538408B2 (en) | Organic light-emitting diode display | |
US11514857B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
US10861918B2 (en) | Organic light emitting diode display device | |
KR101391244B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
JP4365364B2 (en) | Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof | |
US9941345B2 (en) | Organic light emitting diode display having blocking layer extending from a drain electrode | |
US20160013251A1 (en) | El display device | |
US20100193778A1 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
JP2000228284A (en) | Color el display device | |
US20120056904A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
EP2698783B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
US20150014639A1 (en) | Organic light emitting diode display having reduced power consumption | |
KR20150098576A (en) | Organic electroluminescent display device | |
EP1536472A1 (en) | Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof | |
US6815710B2 (en) | Organic electroluminescence unit | |
KR101183437B1 (en) | Thin Film Transister and Organic Electro-luminescence Display Device Using The Same | |
KR100771607B1 (en) | organic EL display | |
KR20160038182A (en) | Organic electro luminescent device | |
US9293740B2 (en) | Method of manufacturing EL display device | |
JP2008282049A (en) | Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof | |
TWI453917B (en) | Display device, electronic device, and fabrication method for display device | |
JP2009140847A (en) | Organic light emitting device | |
WO2023127158A1 (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
KR100669316B1 (en) | Organic electro luminescence display device | |
JP2008205174A (en) | Organic el element array |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110301 |