JP2009128154A - Optical electric field sensor - Google Patents

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Naomi Hidaka
直美 日高
Hideaki Sugama
秀晃 菅間
Akihisa Tsuchiya
明久 土屋
Yoshio Yagi
芳雄 八木
Takeshi Ishida
武志 石田
Osamu Hashimoto
橋本  修
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NOISE LAB CO Ltd
NOISE LABORATORY CO Ltd
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NOISE LABORATORY CO Ltd
Kanagawa Prefecture
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical electric field sensor of a wideband waveguide type having superior sensitivity without canceling a voltage phase between adjacent antenna elements. <P>SOLUTION: The optical electric field sensor includes the waveguide of a Mach-Zehnder type or a single waveguide type, wherein the antenna elements extending in a direction crossing the waveguide are adjacently arranged so that their lengths and/or intervals are logarithmic periods. The polarity of the adjacent antenna element is inverted. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電磁波障害対策(EMC対策)のための電磁界測定や、情報通信産業における光変調器等として使用するのに好適で、優れた感度の広帯域導波路型光電界センサに関する。   The present invention relates to an electromagnetic field measurement for electromagnetic wave countermeasures (EMC countermeasures) and a broadband waveguide type optical electric field sensor having excellent sensitivity suitable for use as an optical modulator in the information communication industry.

広帯域導波路型光電界センサとして、例えば、特許文献1等に開示されている。これらの光電界センサの中でも、マッハツェンダー型の導波路を採用したものが、特許文献2に開示されている。
この特許文献2に開示されるアンテナ電極構造は、図5に示すように、1つの導波路4に対してアンテナエレメント3の電極3a〜3eを設けている。
しかしながら、このようなアンテナ電極構造の場合、アンテナエレメント3が共振する際に、隣接するアンテナエレメント3同士で、電圧位相を打ち消すことがあり、感度が低下するという問題があった。
As a broadband waveguide type optical electric field sensor, for example, it is disclosed in Patent Document 1. Among these optical electric field sensors, Patent Document 2 discloses one that employs a Mach-Zehnder type waveguide.
Antenna electrode structure disclosed in Patent Document 2, as shown in FIG. 5, is provided with electrodes 3a~3e of the antenna element 3 with respect to one waveguide 4 2.
However, in the case of such an antenna electrode structure, when the antenna element 3 resonates, there is a problem that the voltage phase may be canceled between adjacent antenna elements 3 and the sensitivity is lowered.

特許第3462769号公報Japanese Patent No. 3462769 特開2006−317239号公報JP 2006-317239 A

そこで、本発明は、隣接するアンテナエレメント間において、電圧位相を打ち消すことのない優れた感度を有する広帯域導波路型の光電界センサを提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a broadband waveguide type optical electric field sensor having an excellent sensitivity without canceling a voltage phase between adjacent antenna elements.

上記課題を解決するために、本発明者等は、鋭意検討の結果、下記の通り解決手段を見出した。
即ち、本発明の光電界センサは、請求項1に記載の通り、マッハツェンダー型又は単一導波路型の導波路を備え、前記導波路と交叉する方向に延出するアンテナエレメントを、その長さ及び/又は間隔が対数周期となるように隣接して配置した光電界センサであって、隣接する前記アンテナエレメントの極性を反転させるようにしたことを特徴とする。
請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載の光電界センサにおいて、前記導波路の短いアンテナエレメント側を反射端とし、他端側を入出力端としたことを特徴とする。
請求項3に記載の本発明は、請求項2に記載の光電界センサにおいて、前記アンテナエレメントが半波長共振する角周波数(ω)と、前記導波路中において光が前記アンテナエレメントから前記反射端により反射されて該アンテナエレメントに戻るまでの時間(τ)との関係を、ω・τ=2πとなるようにしたことを特徴とする。
また、請求項4に記載の本発明は、請求項1乃至3の何れかに記載の光電界センサにおいて、前記各アンテナエレメントが形成された基板と前記導波路が形成された基板とを異なる誘電率の材料により形成したことを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found a solving means as follows as a result of intensive studies.
That is, the optical electric field sensor according to the present invention includes a Mach-Zehnder type or single waveguide type waveguide, and an antenna element extending in a direction crossing the waveguide. An optical electric field sensor arranged adjacently so as to have a logarithmic period and / or interval, wherein the polarity of the adjacent antenna element is inverted.
According to a second aspect of the present invention, in the optical electric field sensor according to the first aspect, the short antenna element side of the waveguide is a reflection end, and the other end side is an input / output end.
According to a third aspect of the present invention, in the optical electric field sensor according to the second aspect, an angular frequency (ω) at which the antenna element resonates at half wavelength, and light is reflected from the antenna element to the reflection end in the waveguide. It is characterized in that the relation between the time (τ) from when the light is reflected back to the antenna element becomes ω · τ = 2π.
According to a fourth aspect of the present invention, in the optical electric field sensor according to any one of the first to third aspects, the substrate on which the antenna elements are formed differs from the substrate on which the waveguide is formed. It is characterized in that it is made of a material with a ratio.

本発明によれば、隣同士の電極の電圧位相がほぼ同相になるために、互いに強め合い広帯域波路型の光電界センサの感度が向上する。また、変調波の影響を受けることにより、位相不整合が生じやすい反射型の光電界センサであっても感度の低下を生じることがない。   According to the present invention, the voltage phases of adjacent electrodes are substantially in phase, so that the sensitivity of the wideband waveguide type optical electric field sensor is enhanced. Further, even if it is a reflection type optical electric field sensor that is likely to cause phase mismatch due to the influence of the modulation wave, the sensitivity does not decrease.

本発明の光電界センサは、マッハツェンダー型又は単一の導波路を備え、この導波路と交叉する方向に延出するアンテナエレメントを、その長さ及び/又は間隔が対数周期となるように隣接して配置したものである。尚、本明細書において、マッハツェンダー型の導波路とは、1つの光束から分離された導波路をいうものとする。
アンテナエレメントの長さが対数周期の関係にあるとは、隣接するアンテナエレメントの長さを、導波路の反射端側から他端側に向かって、P1,P2,・・・,Pn-1,Pnとすると、
n=a×Pn-1
aは1以上の定数、nはアンテナエレメントの本数・・・(式1)
の関係にあることをいい、また、アンテナエレメントの間隔が対数周期の関係にあるとは、隣接するアンテナエレメントの間隔を、導波路の反射端側から他端側に向かって、D2,D3,・・・,Dn-1,Dnとすると、
n=b×Dn-1
bは、1以上の定数、nはアンテナエレメントの本数(ただし、3以上)・・・(式2)
の関係にあることをいう。アンテナエレメントの長さ又はアンテナエレメントの間隔が前記のような関係にあるとき、それらの対数をとると、それぞれの差が一定となる。つまり、
log(Pn)−log(Pn-1)=log(a)・・・(式3)
log(Dn)−log(Dn-1)=log(b)・・・(式4)
となる。尚、前記アンテナエレメントの長さ及び/又は間隔の全てが対数周期となることに限定するものではなく、少なくとも、部分的に隣接するアンテナエレメント間で、対数周期であればよい。
The optical electric field sensor of the present invention includes a Mach-Zehnder type or a single waveguide, and adjacent antenna elements extending in a direction intersecting with the waveguide so that the length and / or interval thereof is a logarithmic period. Are arranged. In this specification, the Mach-Zehnder type waveguide means a waveguide separated from one light beam.
The length of an antenna element is in a logarithmic cycle relationship means that the lengths of adjacent antenna elements are P 1 , P 2 ,..., P n from the reflection end side to the other end side of the waveguide. -1 and P n ,
P n = a × P n-1
a is a constant of 1 or more, n is the number of antenna elements (Equation 1)
The relationship between the antenna elements is a logarithmic period. The distance between adjacent antenna elements is defined as D 2 , D from the reflection end side to the other end side of the waveguide. 3 , ..., D n-1 , D n ,
D n = b × D n-1
b is a constant of 1 or more, n is the number of antenna elements (however, 3 or more) (Equation 2)
It means that there is a relationship. When the length of the antenna element or the distance between the antenna elements is in the above relationship, the difference between them becomes constant when the logarithm thereof is taken. That means
log (P n ) −log (P n−1 ) = log (a) (Equation 3)
log (D n ) −log (D n−1 ) = log (b) (Equation 4)
It becomes. The length and / or interval of the antenna elements are not limited to the logarithmic period, and may be a logarithmic period at least between partially adjacent antenna elements.

前記アンテナエレメントは、電磁界の変動を測定できるように金属製材料を、公知(例えば、蒸着等)の方法により基板上に設けることにより形成される。アンテナエレメントの長さは、適宜設定することができるが、通常は、受信しようとする波長の半分程度としている。また、アンテナエレメントが形成された基板を小さくするためには、前記基板に用いる材料は、比誘電率が1よりも十分に大きい材料とすることが好ましく、具体的には、回路基板等を選択することができる。一般的に誘電率の大きい材料に金属製のアンテナエレメントを設けると波長短縮効果が現れ、自由空間中のアンテナエレメントよりも短い長さで半波長共振しやすいからである。   The antenna element is formed by providing a metal material on a substrate by a known method (for example, vapor deposition or the like) so that the fluctuation of the electromagnetic field can be measured. The length of the antenna element can be set as appropriate, but is usually about half the wavelength to be received. In order to reduce the substrate on which the antenna element is formed, the material used for the substrate is preferably a material having a relative dielectric constant sufficiently larger than 1, and specifically, a circuit board or the like is selected. can do. This is because, when a metal antenna element is generally provided on a material having a high dielectric constant, a wavelength shortening effect appears, and half-wave resonance tends to occur with a shorter length than the antenna element in free space.

上記のような構成の光電界センサにおいて、本発明では、隣接するアンテナエレメントの極性を、互いに反転するようにしたものである。極性を反転するとは、電圧の位相差を少なくとも90°以上270°以下であることをいうものとする。具体的には、分割された導波路の場合には、図1に示すように分割された導波路4,4の反射端4b側から導波路4,4に対して交互にアンテナエレメントの電極3a〜3eを設ける方法や、図2に示すように分割された導波路4,4の反射端4b側から、各アンテナエレメント3に対応するようにして、導波路4,4の外側と、導波路4,4間に電極3a〜3e(図示したものでは、3本)を入力端側に向かって所定の間隔をおいて隣接配置し、隣接する電極間(例えば、3aと3b)同士で、まず、電極3aでは、一方の基板2側のアンテナエレメント3は、中央の電極と基板2側の電極とをワイヤーや金属薄膜等により接続し、他方の基板2側のアンテナエレメント3は、両側の電極を接続し、これに隣接する電極3bでは、上記電極3aと逆に接続する方法等が考えられる。また、単一導波路の場合には、図2に示すように、導波路4の両側に電極3a〜3eを設け、隣接する電極間(例えば、3aと3b)同士で、まず、電極3aでは、アンテナエレメント3は、アンテナエレメント3に近い側の電極とをワイヤーや金属薄膜等により接続し、これに隣接する電極3bでは、アンテナエレメント3は、導波路4を超えて反対側の電極を接続する方法等が考えられる。尚、これらは単に例示に過ぎず、本発明は、極性を反転できるものであれば特に限定するものではない。
これにより、隣り合うアンテナエレメント同士の電圧位相がほぼ同相になるために、互いに強め合い感度が向上することになる。
In the optical electric field sensor configured as described above, in the present invention, the polarities of adjacent antenna elements are reversed from each other. Reversing the polarity means that the voltage phase difference is at least 90 ° and not more than 270 °. Specifically, in the case of the divided waveguide antenna alternately to the waveguide 4 1, 4 2 from the split waveguides 4 1, 4 2 of reflecting end 4b side as shown in FIG. 1 a method of providing an electrode 3a~3e elements, from the divided waveguide 4 1, 4 2 of reflecting end 4b side as shown in FIG. 2, so as to correspond to each antenna element 3, the waveguide 4 1, 4 and 2 of the outer waveguide 41, 42 (than those shown, three) electrode 3a~3e between 2 toward the input end side adjacently arranged at a predetermined interval, between adjacent electrodes ( for example, in 3a and 3b) with each other, first, in the electrode 3a, one antenna element 3 of the substrate 2 1 side, and a central electrode and the substrate 2 1 side electrode connected by a wire or a metal thin film or the like, other antenna element 3 of the substrate 2 2 side connects both sides of the electrode In the electrode 3b adjacent thereto, and a method of connecting to the electrode 3a and the reverse is conceivable. In the case of a single waveguide, as shown in FIG. 2, electrodes 3a to 3e are provided on both sides of the waveguide 4, and between adjacent electrodes (for example, 3a and 3b), The antenna element 3 is connected to the electrode on the side close to the antenna element 3 with a wire, a metal thin film, or the like. In the electrode 3b adjacent thereto, the antenna element 3 is connected to the electrode on the opposite side beyond the waveguide 4 The method of doing etc. can be considered. These are merely examples, and the present invention is not particularly limited as long as the polarity can be reversed.
As a result, the voltage phases of the adjacent antenna elements are almost in phase, so that they are mutually intensified and the sensitivity is improved.

前記光電界センサにおいて、短いアンテナエレメント側を反射端とし、他端側を入出力端として反射型の光電界センサとすることが好ましい。光路長が長くなっても、位相不整合の影響を受けにくくなるからである。   In the optical electric field sensor, a reflective optical electric field sensor is preferably used with the short antenna element side as a reflection end and the other end side as an input / output end. This is because even if the optical path length becomes long, it becomes difficult to be affected by phase mismatch.

各アンテナエレメントが形成された基板と導波路が形成された基板とを、それぞれ異なる誘電率の材料から形成することが好ましい。具体的には、導波路が形成された基板に、各アンテナエレメントに対応する位置に、電気的に絶縁した電極を設け、アンテナエレメントが設けられた基板と接合する。   The substrate on which each antenna element is formed and the substrate on which the waveguide is formed are preferably formed from materials having different dielectric constants. Specifically, an electrically insulated electrode is provided on a substrate on which a waveguide is formed at a position corresponding to each antenna element, and is bonded to the substrate on which the antenna element is provided.

具体的には、アンテナエレメントが形成される基板を構成する材料を回路基板等とし、導波路が形成される基板を構成する材料を、ニオブ酸リチウム(LiNbO、以下「LN」とする。)等により構成する。また、アンテナエレメントと、電極とは、ワイヤーボンディング等により接合する。 Specifically, a material constituting the substrate on which the antenna element is formed is a circuit board or the like, and a material constituting the substrate on which the waveguide is formed is lithium niobate (LiNbO 3 , hereinafter referred to as “LN”). Etc. Further, the antenna element and the electrode are joined by wire bonding or the like.

更に、好ましくは、光電界センサ全体の大きさに制約がある場合は、アンテナエレメントが形成される基板の比誘電率を、1よりも十分大きくすることが好ましい。一方、特に高い周波数での感度を高めるためには、アンテナエレメントを長くする必要があるのでアンテナエレメントが形成される基板の比誘電率を、1に近づけることが好ましい。   Furthermore, it is preferable that the relative dielectric constant of the substrate on which the antenna element is formed is sufficiently larger than 1 when the size of the entire optical electric field sensor is limited. On the other hand, in order to increase the sensitivity at a particularly high frequency, it is necessary to lengthen the antenna element. Therefore, it is preferable that the relative dielectric constant of the substrate on which the antenna element is formed be close to 1.

次に、図面を参照して説明する。
図1に示す光電界センサ1は、基板21及び基板22上に、その長さと間隔が対数周期的になるようにアンテナエレメント3を配置して構成される。アンテナエレメント3の長さ(Pk)は、Pk=a(k-1)×P1の関係(kは正の整数,aは1以上の値)を有し、アンテナエレメント3の間隔は、Dk=b(k-1)×D2の関係を有する。また、導波路4は、入出力端4aから2つに分割4,4され、それぞれに反射端4bを備えている。
Next, a description will be given with reference to the drawings.
The optical electric field sensor 1 shown in FIG. 1 is configured by arranging antenna elements 3 on a substrate 2 1 and a substrate 2 2 so that their lengths and intervals are logarithmically periodic. The length (P k ) of the antenna element 3 has a relationship of P k = a (k−1) × P 1 (k is a positive integer, a is a value of 1 or more), and the distance between the antenna elements 3 is , D k = b (k−1) × D 2 . Further, the waveguide 4 is divided into two 4 1 and 4 2 from the input / output end 4a, and each has a reflection end 4b.

そして、隣接するアンテナエレメント3の各電極3a〜3eは、分割された導波路4,4に対して交互に設けられている。図示されるものでは、反射端4b側からみて、電極3aは導波路4側,電極3bは導波路4側,電極3cは導波路42側,電極3dは導波路41側,電極3eは導波路42側,・・・というようにして電極が設けられ、これにより、隣接するアンテナエレメント3間で極性が反転する。 And each electrode 3a-3e of the adjacent antenna element 3 is alternately provided with respect to the divided | segmented waveguides 4 1 and 4 2 . The invention is illustrated, viewed from reflecting end 4b side, electrodes 3a waveguide 4 2 side, the electrode 3b waveguide 4 1 side, electrodes 3c waveguide 4 2 side, electrodes 3d waveguide 4 1 side, electrode 3e waveguide 4 2 side, is provided on to the electrodes so on ..., thereby, the polarity between adjacent antenna element 3 is inverted.

更に、周波数の変調波で半波長共振するアンテナエレメント3から反射端4bまでの距離をLkとし、光がLkを往復するのに要する時間をτとすると、変調波の角周波数ωとτの積ωτが2πである場合、光が往路で受けた変調と復路で受けた変調の位相が一致し、互いに強め合う関係になる。これにより、光電界センサ1の感度は、透過型である場合と比べて2倍となる。
例えば、a=bであって変調波が2GHzである場合、ωτを2πとするためには、τ=5×10-10secである必要があり、導波路4を備える基板5の屈折率を2.22と見積ると、Lが33.75mmの場合にその間を光が往復するために必要な時間が5×10-10secとなる。変調波が6GHzの場合は、Lが11.25mm(2GHzの場合の1/3)でωτ=2πとなり、半波長共振するアンテナエレメント3の長さも同様に2GHzの場合の1/3となる。
このように、ある周波数でωτ=2πとなるようにLを設定すれば、ほぼ全ての周波数でωτ=2πとなる関係を維持することができる。
この構成を採用することにより、半波長共振のアンテナエレメント3の長さが変調波の波長に比例する周波数領域では、広帯域において互いに強め合う関係を維持することができ、マイクロ波帯域であっても、位相整合を容易にすることができる。その結果、変調波が作用する光路が長くなることに起因する位相不整合が生じやすい反射型の光電界センサであっても感度の低下を生じることがない。
Further, the distance from the antenna element 3 to a half-wavelength resonance at a modulation wave having a frequency to the reflecting end 4b and L k, when the time required for light reciprocates a L k and tau, and the angular frequency ω of the modulated wave tau When the product ωτ of 2π is 2π, the phase of the modulation that the light has received on the forward path and the modulation that has been received on the return path are in agreement, and are in a mutually reinforcing relationship. Thereby, the sensitivity of the optical electric field sensor 1 is doubled compared to the case of the transmission type.
For example, when a = b and the modulation wave is 2 GHz, in order to set ωτ to 2π, it is necessary that τ = 5 × 10 −10 sec, and the refractive index of the substrate 5 including the waveguide 4 is is estimated as 2.22, the time required for L k reciprocates light between them in the case of 33.75mm is 5 × 10 -10 sec. When the modulation wave is 6 GHz, L k is 11.25 mm (1/3 in the case of 2 GHz) and ωτ = 2π, and the length of the antenna element 3 that resonates half-wave is also 1/3 in the case of 2 GHz. .
In this way, if L k is set so that ωτ = 2π at a certain frequency, the relationship of ωτ = 2π can be maintained at almost all frequencies.
By adopting this configuration, in the frequency region where the length of the half-wavelength resonant antenna element 3 is proportional to the wavelength of the modulated wave, it is possible to maintain a strengthening relationship with each other in a wide band. Phase matching can be facilitated. As a result, even if it is a reflection type optical electric field sensor in which the phase mismatch due to the length of the optical path on which the modulated wave acts is likely to occur, the sensitivity does not decrease.

(実施例1)
図1に示す構造の光電界センサ1を、次のようにして作製した。
まず、厚み約1mm、幅約2mm、長さ約70mmの矩形状のLN製の基板5に、マッハツェンダー型の導波路4を設けた。次に、厚み約1.6mm、幅約25mm、長さ約50mmの矩形状の高周波用回路基板製の基板21及び基板22を用意して、それぞれにアンテナエレメント3を形成した。アンテナエレメント3は、最終的に光電界センサ1とした場合に、長さ6mm〜約60mm、幅0.1mm〜1mm、間隔0.3mm〜3mmの間で対数周期的(比例定数a=b=約1.08)な30対のアンテナエレメント3が備わるようにした。尚、アンテナエレメント3が半波長共振する角周波数(ω)と、導波路4中において光がアンテナエレメント3から反射端4bにより反射されて該アンテナエレメント3に戻るまでの時間(τ)との関係を、ω・τ=2πとなるように、反射端4bから各アンテナエレメント3までの距離Lを調整した。
そして、アンテナエレメント3が形成された基板21及び基板22間に、導波路4を備えた基板5を挟み込み、アンテナエレメント3と電極3a〜3eとをそれぞれ金製のワイヤにより接続した。このとき、隣接するアンテナエレメント3の各電極3a〜3eは、分割された導波路4,4に対して交互になるように接続した。
(Example 1)
The optical electric field sensor 1 having the structure shown in FIG. 1 was produced as follows.
First, a Mach-Zehnder type waveguide 4 was provided on a rectangular LN substrate 5 having a thickness of about 1 mm, a width of about 2 mm, and a length of about 70 mm. Next, a board 2 1 and a board 2 2 made of a rectangular high-frequency circuit board having a thickness of about 1.6 mm, a width of about 25 mm, and a length of about 50 mm were prepared, and the antenna element 3 was formed on each of them. When the antenna element 3 is finally an optical electric field sensor 1, the antenna element 3 is logarithmically periodic (proportional constant a = b = about 1.08) between a length of 6 mm to about 60 mm, a width of 0.1 mm to 1 mm, and an interval of 0.3 mm to 3 mm. ) 30 pairs of antenna elements 3 are provided. The relationship between the angular frequency (ω) at which the antenna element 3 resonates at half wavelength and the time (τ) until light is reflected from the antenna element 3 by the reflection end 4b and returned to the antenna element 3 in the waveguide 4. The distance L k from the reflection end 4b to each antenna element 3 was adjusted so that ω · τ = 2π.
Then, between the substrates 2 1 and the substrate 2 2 antenna element 3 is formed by sandwiching a substrate 5 with a waveguide 4, an antenna element 3 and the electrode 3a~3e are connected by respective gold steel wire. At this time, the electrodes 3a to 3e of the adjacent antenna elements 3 were connected to the divided waveguides 4 1 and 4 2 alternately.

(比較例1)
図4に示すように、単一の導波路4を、厚み0.5mm、幅50mm、長さ28mmの矩形状のLN製の基板2上に設け、更に、この基板2上に、長さ3.4mm〜45mm、幅0.043mm〜0.56mm、間隔0.085mm〜1.125mmの間で対数周期的(比例定数a=b=1.05)になるように54対のアンテナエレメント3を設けて光電界センサ1とした。
(Comparative Example 1)
As shown in FIG. 4, a single waveguide 4 is provided on a rectangular LN substrate 2 having a thickness of 0.5 mm, a width of 50 mm, and a length of 28 mm. An optical electric field sensor 1 is provided with 54 pairs of antenna elements 3 so as to be logarithmically periodic (proportional constant a = b = 1.05) between .about.45 mm, width 0.043 mm to 0.56 mm, and interval 0.085 mm to 1.125 mm. .

(比較例2)
図5に示すように、厚み0.5mm、底辺50mm、高さ28mmの略三角形状のLN製の基板2上に、三角形の頂部(頂角90度)に形成される反射端4bから底辺の入出力端4aに向かって、長さ3.4mm〜45mm、幅0.043mm〜0.56mm、間隔0.085mm〜1.125mmの間で対数周期的(比例定数a=b=1.05)になるように54対のアンテナエレメント3を設けて光電界センサ1とした。尚、本例の場合、マッハツェンダー型の導波路4の一方の導波路4のみにアンテナエレメント3の電極3a〜3eを設けるようにした。
(Comparative Example 2)
As shown in FIG. 5, the bottom side enters from the reflective end 4b formed on the top of the triangle (vertical angle 90 degrees) on the substantially triangular LN substrate 2 having a thickness of 0.5 mm, a base of 50 mm, and a height of 28 mm. 54 pairs of antennas that are logarithmically periodic (proportional constant a = b = 1.05) between length 3.4 mm to 45 mm, width 0.043 mm to 0.56 mm, and spacing 0.085 mm to 1.125 mm toward output end 4a The element 3 was provided to provide the optical electric field sensor 1. In the case of this example, it was only one of the waveguides 4 2 Mach-Zehnder waveguide 4 to be provided with electrodes 3a~3e antenna element 3.

図6は、比較例1、比較例2及び実施例1の感度を比較したものである。図では、最も感度の高い実施例1の感度の最大点を0dBとしている。送信側のアンテナにはダブルリッジドガイドホーンアンテナを用いた。
比較例2では比較例1に比べて若干の感度の向上が認められるものの、周波数の変化に対する感度の変動が大きく、その変動の周期は、概ね各アンテナエレメントの共振周波数ごとに現れている。
位相反転を施した実施例1では、比較例1に比較して、概ね各周波数で約30dBの感度の向上がみられた。また、比較例2のようなアンテナエレメントの共振周波数ごとに顕著に現れる周期的な感度の変動をなくすことができた。
FIG. 6 compares the sensitivity of Comparative Example 1, Comparative Example 2 and Example 1. In the figure, the maximum sensitivity point of Example 1 having the highest sensitivity is set to 0 dB. A double-ridged guide horn antenna was used as the transmitting antenna.
In Comparative Example 2, although a slight improvement in sensitivity is recognized as compared to Comparative Example 1, the sensitivity varies greatly with changes in frequency, and the period of the variation appears for each resonance frequency of each antenna element.
In Example 1 in which phase inversion was performed, the sensitivity was improved by about 30 dB at each frequency as compared with Comparative Example 1. Further, it was possible to eliminate periodic sensitivity fluctuations that remarkably appear at each resonance frequency of the antenna element as in Comparative Example 2.

次に、実施例2と従来の測定系アンテナであるダブルリッジドガイドホーンアンテナ(DRGA)、ダイポールアンテナ(2GHz用、2.4GHz用、5GHz用)及びバイコニカルアンテナの感度を比較したところ、図6に示す通りとなった。送信側のアンテナには、DRGAを用い、各アンテナは20mの同軸ケーブルで測定器とつないだ。図5の基準となる0dBはダブルリッジドガイドホーンアンテナ同士を対向させ測定した場合の感度である。
このように、3GHz以下では、実施例1の方が、基準となるダブルリッジドガイドホーンアンテナよりも若干感度が高く、2.4GHz付近では、ダイポールアンテナに比較し約10dB感度が高い。また、バイコニカルアンテナと比較すると測定した2〜6GHzの範囲では、ほぼ実施例1の感度が優っていることがわかった。
Next, the sensitivity of the double-ridged guide horn antenna (DRGA), the dipole antenna (for 2 GHz, for 2.4 GHz, for 5 GHz) and the biconical antenna, which are the conventional measurement system antennas, is compared with that of Example 2. It became as shown in 6. DRGA was used for the antenna on the transmission side, and each antenna was connected to a measuring instrument with a 20-meter coaxial cable. 5 dB as a reference in FIG. 5 is the sensitivity when the double-ridged guide horn antennas are opposed to each other and measured.
Thus, at 3 GHz or less, Example 1 is slightly more sensitive than the standard double-ridged guide horn antenna, and at around 2.4 GHz, the sensitivity is about 10 dB compared to the dipole antenna. Moreover, it turned out that the sensitivity of Example 1 is almost excellent in the range of 2-6 GHz measured compared with the biconical antenna.

本発明の光電界センサは、近傍と遠方の中間領域(約数cm〜約1m)では、EMI測定に適しており、このようなセンサと被測定物を近づけることができるという利点を活かし、複素誘電率測定への応用も期待できる。更に、高感度・広帯域であることと、広い指向性を有することを活かし、マイクロ波通信を光で中継するシステムなどをはじめとして産業上広く利用することができる。   The optical electric field sensor of the present invention is suitable for EMI measurement in the intermediate region (approximately several cm to approximately 1 m) between the vicinity and the distance, taking advantage of the advantage that such a sensor can be brought close to the object to be measured. Application to dielectric constant measurement can also be expected. Furthermore, taking advantage of its high sensitivity and wide bandwidth and wide directivity, it can be widely used in industries including systems that relay microwave communications with light.

本発明の一実施の形態の光電界センサの説明模式図Schematic illustration of an optical electric field sensor according to an embodiment of the present invention 本発明の他の実施の形態の光電界センサの説明模式図Schematic illustration of an optical electric field sensor according to another embodiment of the present invention 本発明の他の実施の形態の光電界センサの説明模式図Schematic illustration of an optical electric field sensor according to another embodiment of the present invention 比較例1の光電界センサの説明模式図Explanation schematic diagram of optical electric field sensor of comparative example 1 従来の光電界センサ(比較例2の光電界センサ)のアンテナエレメントの構造の説明模式図Explanation schematic diagram of structure of antenna element of conventional optical electric field sensor (optical electric field sensor of Comparative Example 2) 実施例1、比較例1及び2の感度の比較を説明するためのグラフGraph for explaining comparison of sensitivity of Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 実施例1と従来のアンテナの感度の比較を説明するためのグラフGraph for explaining the comparison of sensitivity between the first embodiment and the conventional antenna

符号の説明Explanation of symbols

1 光電界センサ
,2 基板(アンテナエレメント用)
3 アンテナエレメント
3a〜3d 電極
4 導波路
,4 分割された導波路
4a 入出力端
4b 反射端
5 基板(導波路用)
1 Optical electric field sensor 2 1 , 2 2 substrate (for antenna element)
3 antenna elements 3a~3d electrode 4 waveguide 4 1, 4 2 divided waveguides 4a output end 4b reflection end 5 substrate (waveguide)

Claims (4)

マッハツェンダー型又は単一導波路型の導波路を備え、前記導波路と交叉する方向に延出するアンテナエレメントを、その長さ及び/又は間隔が対数周期となるように隣接して配置した光電界センサであって、隣接する前記アンテナエレメントの極性を反転させるようにしたことを特徴とする光電界センサ。   An optoelectronic device comprising a Mach-Zehnder type or single waveguide type waveguide, in which antenna elements extending in a direction crossing the waveguide are arranged adjacently so that the length and / or interval thereof is a logarithmic period. An optical electric field sensor, wherein the polarity of adjacent antenna elements is reversed. 請求項1に記載の光電界センサにおいて、前記導波路の短いアンテナエレメント側を反射端とし、他端側を入出力端としたことを特徴とする光電界センサ。   2. The optical electric field sensor according to claim 1, wherein the short antenna element side of the waveguide is a reflection end and the other end side is an input / output end. 前記アンテナエレメントが半波長共振する角周波数(ω)と、前記導波路中において光が前記アンテナエレメントから前記反射端により反射されて該アンテナエレメントに戻るまでの時間(τ)との関係を、ω・τ=2πとなるようにしたことを特徴とする請求項2に記載の光電界センサ。   The relationship between the angular frequency (ω) at which the antenna element resonates at half wavelength and the time (τ) until light is reflected from the antenna element by the reflection end and returns to the antenna element in the waveguide is represented by ω The optical electric field sensor according to claim 2, wherein τ = 2π. 前記各アンテナエレメントが形成された基板と前記導波路が形成された基板とを異なる誘電率の材料により形成したことを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の光電界センサ。   4. The optical electric field sensor according to claim 1, wherein the substrate on which each of the antenna elements is formed and the substrate on which the waveguide is formed are formed of materials having different dielectric constants.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112701454A (en) * 2019-10-23 2021-04-23 三星电机株式会社 Antenna device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0423604A (en) * 1990-05-18 1992-01-28 Denki Kogyo Co Ltd Broad band high gain antenna system
JPH11352165A (en) * 1998-06-03 1999-12-24 Tokin Corp Phase matching photoelectric field sensor
JP2000097980A (en) * 1998-09-22 2000-04-07 Tokin Corp Travelling wave type photoelectric field sensor
JP2000121682A (en) * 1998-10-13 2000-04-28 Kanagawa Prefecture Wideband waveguide type photoelectric field sensor
JP2002044071A (en) * 2000-05-16 2002-02-08 Hitachi Ltd Receiving method
JP2006317239A (en) * 2005-05-11 2006-11-24 Noise Laboratory Co Ltd Method for improving characteristics of wide-band waveguide type photoelectric field sensor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0423604A (en) * 1990-05-18 1992-01-28 Denki Kogyo Co Ltd Broad band high gain antenna system
JPH11352165A (en) * 1998-06-03 1999-12-24 Tokin Corp Phase matching photoelectric field sensor
JP2000097980A (en) * 1998-09-22 2000-04-07 Tokin Corp Travelling wave type photoelectric field sensor
JP2000121682A (en) * 1998-10-13 2000-04-28 Kanagawa Prefecture Wideband waveguide type photoelectric field sensor
JP2002044071A (en) * 2000-05-16 2002-02-08 Hitachi Ltd Receiving method
JP2006317239A (en) * 2005-05-11 2006-11-24 Noise Laboratory Co Ltd Method for improving characteristics of wide-band waveguide type photoelectric field sensor

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6012059207; 菅間 外4名: 'FI法によるLPDA型光電界センサの広帯域,高感度化に関する基礎的検討' 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 , 2005, p.144 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112701454A (en) * 2019-10-23 2021-04-23 三星电机株式会社 Antenna device

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