JP2009115644A - Electric field probe, electric field measurement apparatus - Google Patents

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潤司 東山
Yoshiaki Tarusawa
芳明 垂澤
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山口  良
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electric field probe and an electric field measurement apparatus having an isotropic directional characteristic, and the high electric field detection sensitivity. <P>SOLUTION: The electric field probe 20 includes: three electric field sensors (10x, 10y, 10z) disposed so as to be oriented in three orthogonal directions; three filters (21x, 21y, 21z) for attenuating an image frequency component from high frequency signals generated in power supplying sections (13x, 13y, 13z) of three electric field sensors; three mixers (22x, 22y, 22z) for converting the high frequency signals with the attenuated image frequency component into intermediate frequency signals by using an oscillation signal generated from a local oscillator (23); and three connectors (24x, 24y, 24z) for outputting the converted intermediate frequency signals. The electric field measurement apparatus 100 has the electric field probe 20. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、電子機器や無線局から放射される電磁波の強度の測定等に用いられる電界プローブ、電界測定装置に関する。特に、3GHz以上の周波数帯域で全方向に対して等しい電界検出感度を有する電界プローブ、電界測定装置に関する。   The present invention relates to an electric field probe and an electric field measurement device used for measuring the intensity of electromagnetic waves radiated from an electronic device or a radio station. In particular, the present invention relates to an electric field probe and an electric field measurement device having equal electric field detection sensitivity in all directions in a frequency band of 3 GHz or more.

図11を参照して、3GHz以上の周波数帯域で利用することができる電界プローブ90を説明する(例えば、非特許文献1参照。)。電界プローブ90は、いわゆる円錐型のダイポールアンテナであり、2つの円錐形の円錐放射素子91、91’、バラン92及び同軸線路93を備える。互いに180度の角度をなす位置に円錐放射素子91、91’が配置され、円錐放射素子91、91’の間には空隙が設けられている。同軸線路93は、その空隙において電界プローブ90を給電する。給電部分には不平衡電流を防止するためにバラン92が設けられる。   An electric field probe 90 that can be used in a frequency band of 3 GHz or higher will be described with reference to FIG. 11 (see, for example, Non-Patent Document 1). The electric field probe 90 is a so-called conical dipole antenna, and includes two conical radiating elements 91 and 91 ′, a balun 92, and a coaxial line 93. The cone radiating elements 91 and 91 ′ are arranged at positions that form an angle of 180 degrees with each other, and a gap is provided between the cone radiating elements 91 and 91 ′. The coaxial line 93 feeds the electric field probe 90 in the gap. A balun 92 is provided in the power feeding portion to prevent unbalanced current.

不要電磁波等の電磁波の強度の測定に用いられる電界プローブは、例えば3GHz〜6HGz等の広い周波数レンジを有することが必要である。このため、電界プローブ90は、放射素子として柱形の放射素子ではなく、円錐形の円錐放射素子91、91’を用いることにより、その周波数レンジを広げている。
社団法人 電子情報通信学会編、「アンテナ工学ハンドブック」、第一版、株式会社 オーム社、平成13年1月25日、p.39
An electric field probe used for measuring the intensity of electromagnetic waves such as unnecessary electromagnetic waves needs to have a wide frequency range such as 3 GHz to 6 HGz. For this reason, the electric field probe 90 expands the frequency range by using conical cone radiating elements 91 and 91 ′ instead of the columnar radiating elements.
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, “Antenna Engineering Handbook”, first edition, Ohm Co., Ltd., January 25, 2001, p. 39

従来技術の電界プローブ90はダイポールアンテナの一種であるため、その指向特性は8の字型であり、等方的ではなかった。また、3GHz以上の高周波の電磁波の強度を測定する場合には、3GHz以上の高周波信号がそのまま同軸線路93を通過するため、ケーブルの損失が大きくなり、電界検出感度が低下するという問題があった。
この発明は、指向特性が等方的であり、電界検出感度が高い電界プローブ、電界測定装置を提供することを目的とする。
Since the electric field probe 90 of the prior art is a kind of dipole antenna, its directivity characteristic is a figure 8 shape and is not isotropic. Further, when measuring the intensity of a high frequency electromagnetic wave of 3 GHz or higher, a high frequency signal of 3 GHz or higher passes through the coaxial line 93 as it is, so that there is a problem that the loss of the cable increases and the electric field detection sensitivity decreases. .
An object of the present invention is to provide an electric field probe and an electric field measuring device that have isotropic directivity and high electric field detection sensitivity.

請求項1の電界プローブは、互いに直交する3つの方向に向けて配置された3つの電界センサ素子と、ローカル発振器から発振された発振信号を用いて、3つの電界センサ素子の給電部に生じた各高周波信号を中間周波数信号にそれぞれ変換する3つのミクサと、各変換された中間周波数信号をそれぞれ出力する3つのコネクタとを備える。   The electric field probe according to claim 1 is generated in the power feeding section of the three electric field sensor elements using three electric field sensor elements arranged in three directions orthogonal to each other and an oscillation signal oscillated from the local oscillator. Three mixers for converting each high-frequency signal into an intermediate frequency signal, and three connectors for outputting each converted intermediate frequency signal, respectively.

請求項5の電界測定装置は、電界プローブと、電界プローブが出力した中間周波数信号から3つの方向への各電界強度を求め、これらの求まった電界強度から電界プローブの位置における電界強度を求める電界強度計算手段と、電界プローブと電界強度計算手段とを接続する、つる巻き状にされた同軸線路とを備える。   The electric field measuring apparatus according to claim 5 is an electric field probe for obtaining electric field strengths in three directions from an electric field probe and an intermediate frequency signal output from the electric field probe, and obtaining electric field strengths at the position of the electric field probe from these obtained electric field strengths. An intensity calculating means and a helically wound coaxial line connecting the electric field probe and the electric field intensity calculating means are provided.

請求項7の電界測定装置は、互いに直交する3つの方向に向けて配置された3つの電界センサ素子と、光を出射する発光手段と、3つの電界センサ素子の給電部にそれぞれ生じた各高周波信号に基づいて光を変調することにより、各高周波信号を光信号にそれぞれ変換して出力する3つのマッハツェンダ型光変調器と、3つのマッハツェンダ型光変調器が出力した各光信号を電気信号に変換する受光手段と、ローカル発振器から発振された発振信号を用いて、電気信号の周波数を下げるミクサ装置と、周波数が下げられた電気信号から3つの方向への各電界強度を求め、これらの求まった電界強度から電界プローブの位置における電界強度を求める電界強度計算手段と、を備える。   The electric field measuring apparatus according to claim 7 is provided with three electric field sensor elements arranged in three directions orthogonal to each other, light emitting means for emitting light, and each high frequency generated in a power feeding portion of the three electric field sensor elements. By modulating the light based on the signals, the three Mach-Zehnder optical modulators that convert and output each high-frequency signal to an optical signal, and the optical signals output by the three Mach-Zehnder optical modulators are converted into electrical signals. Using the light receiving means for conversion, the mixer device that lowers the frequency of the electric signal using the oscillation signal oscillated from the local oscillator, the electric field strength in three directions is obtained from the electric signal whose frequency is lowered, and these are obtained. Electric field strength calculating means for obtaining the electric field strength at the position of the electric field probe from the measured electric field strength.

互いに直交する3つの方向に向けて3つの電界センサ素子を配置することにより、電界プローブの指向特性が等方的になる。電界センサ素子の給電部に生じた高周波信号を中間周波数信号に変換して出力することにより、または、電界センサ素子の給電部に生じた高周波信号を光信号に変換して出力することより、ケーブルの損失を低減することができ、電界検出感度を上げることができる。   By arranging three electric field sensor elements in three directions orthogonal to each other, the directivity characteristic of the electric field probe becomes isotropic. By converting the high-frequency signal generated in the power supply section of the electric field sensor element into an intermediate frequency signal and outputting it, or by converting the high-frequency signal generated in the power supply section of the electric field sensor element into an optical signal and outputting it, the cable Loss can be reduced, and the electric field detection sensitivity can be increased.

[第一実施例]
図1から図4を参照して、第一実施例の電界プローブ20及び電界測定装置100を説明する。
電界測定装置100は、電界プローブ20と、同軸線路31x,31y,31zと、電界強度計算部40とを備える。
[First embodiment]
The electric field probe 20 and the electric field measurement apparatus 100 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.
The electric field measurement apparatus 100 includes an electric field probe 20, coaxial lines 31x, 31y, and 31z, and an electric field strength calculation unit 40.

この例では、電界プローブ20は、図2に例示するように直方体の金属箱12を基にして形成されている。直方体の金属箱12の3つの面に、x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10zが設けられる。以下、x軸電界センサ素子10xが向けられている方向をx軸方向、y軸電界センサ素子10yが向けられている方向をy軸方向、z軸電界センサ素子10zが向けられている方向をz軸方向とする。x軸方向、y軸方向及びz軸方向は互いに直交する。   In this example, the electric field probe 20 is formed based on a rectangular parallelepiped metal box 12 as illustrated in FIG. An x-axis electric field sensor element 10x, a y-axis electric field sensor element 10y, and a z-axis electric field sensor element 10z are provided on three surfaces of the rectangular parallelepiped metal box 12. Hereinafter, the direction in which the x-axis electric field sensor element 10x is directed is the x-axis direction, the direction in which the y-axis electric field sensor element 10y is directed is the y-axis direction, and the direction in which the z-axis electric field sensor element 10z is directed is z. Axial direction. The x-axis direction, the y-axis direction, and the z-axis direction are orthogonal to each other.

図3に例示するように、金属箱12の面の1つである金属板12xの中央部に穴が形成される。x軸円錐放射素子11xは、その穴が形成された位置に、金属板12xと接しないようにして配置される。x軸円錐放射素子11xの中心軸は、金属板12xと略直交する。金属板12xは、反射板として機能する。x軸円錐放射素子11xは図示していない同軸線路の内部導体に接続され、金属板12xはその同軸線路の外部導体に接続される。その同軸線路は、x軸フィルタ21xに接続されている。このようにして、その穴が形成された位置を給電部13xとするx軸電界センサ素子10が構成される。このように、この例では、電界センサ素子として、円錐放射素子を備える円錐型モノポール型アンテナを用いる。   As illustrated in FIG. 3, a hole is formed in the central portion of the metal plate 12 x that is one of the surfaces of the metal box 12. The x-axis cone radiating element 11x is arranged at the position where the hole is formed so as not to contact the metal plate 12x. The central axis of the x-axis cone radiating element 11x is substantially orthogonal to the metal plate 12x. The metal plate 12x functions as a reflecting plate. The x-axis cone radiating element 11x is connected to an inner conductor of a coaxial line (not shown), and the metal plate 12x is connected to an outer conductor of the coaxial line. The coaxial line is connected to the x-axis filter 21x. In this way, the x-axis electric field sensor element 10 is configured in which the position where the hole is formed is the power feeding portion 13x. Thus, in this example, a conical monopole antenna having a conical radiation element is used as the electric field sensor element.

y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10zも、x軸電界センサ10xと同様に構成される。z軸電界センサ素子10zは、図1の紙面に対して垂直の方向に向けて配置されている。図1は、図2に例示した電界プローブ20を上から見た図である。
x軸電界センサ素子10xの給電部13xで生じた高周波信号は同軸線路を通じてx軸フィルタ21xに送られる。x軸フィルタ21は、イメージ受信を防止するために設けられるものであり、その高周波信号からイメージ周波数の成分を減衰する。イメージ周波数の成分が減衰された高周波信号は、x軸ミクサ22xに出力される。
The y-axis electric field sensor element 10y and the z-axis electric field sensor element 10z are configured similarly to the x-axis electric field sensor 10x. The z-axis electric field sensor element 10z is arranged in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. FIG. 1 is a top view of the electric field probe 20 illustrated in FIG.
A high-frequency signal generated in the power feeding unit 13x of the x-axis electric field sensor element 10x is sent to the x-axis filter 21x through a coaxial line. The x-axis filter 21 is provided to prevent image reception, and attenuates an image frequency component from the high-frequency signal. The high-frequency signal having the image frequency component attenuated is output to the x-axis mixer 22x.

例えば、被測定電界の周波数が3GHzから6GHzであり、ローカル発振器23の発振周波数が2.9GHzである場合には、x軸フィルタ21を、カットオフ周波数を2.9GHzとする高域通過フィルタとする。
y軸フィルタ21y、z軸フィルタ21zも、x軸フィルタ21xと同様に、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10zに接続されており、高周波信号からイメージ周波数の成分を減衰して、y軸ミクサ22y、z軸ミクサ22zに出力する。
ローカル発振器23は、所定の発振周波数を有する発振信号を生成して、x軸ミクサ22x、y軸ミクサ22y及びz軸ミクサ22zに送る。発振周波数は、例えば2.9GHzとされる。
For example, when the frequency of the electric field to be measured is 3 GHz to 6 GHz and the oscillation frequency of the local oscillator 23 is 2.9 GHz, the x-axis filter 21 is a high-pass filter having a cutoff frequency of 2.9 GHz. To do.
Similarly to the x-axis filter 21x, the y-axis filter 21y and the z-axis filter 21z are connected to the y-axis electric field sensor element 10y and the z-axis electric field sensor element 10z, and attenuate the image frequency component from the high-frequency signal. Output to the y-axis mixer 22y and the z-axis mixer 22z.
The local oscillator 23 generates an oscillation signal having a predetermined oscillation frequency and sends it to the x-axis mixer 22x, the y-axis mixer 22y, and the z-axis mixer 22z. The oscillation frequency is, for example, 2.9 GHz.

x軸ミクサ22xは、ローカル発振器23が発振した発振信号を用いて、x軸フィルタ21xが出力した高周波信号を中間周波数信号に変換して、x軸IF出力コネクタ24xに出力する。具体的には、その発振信号とその高周波信号とを乗算することにより、中間周波数信号を生成する。x軸電界センサ素子10xの給電部に生じた高周波信号の周波数をfRF_x、発振信号の周波数をfとすると、x軸ミクサ22xが出力する中間周波数信号の周波数をfIF_xは、以下のように表される。
IF_x=fRF_x−f
The x-axis mixer 22x converts the high-frequency signal output from the x-axis filter 21x into an intermediate frequency signal using the oscillation signal oscillated by the local oscillator 23, and outputs the intermediate frequency signal to the x-axis IF output connector 24x. Specifically, an intermediate frequency signal is generated by multiplying the oscillation signal and the high frequency signal. Assuming that the frequency of the high-frequency signal generated in the power feeding section of the x-axis electric field sensor element 10x is f RF — x and the frequency of the oscillation signal is f L , the frequency of the intermediate frequency signal output from the x-axis mixer 22 x is f IF — x as follows: It is expressed in
f IF_x = f RF_x -f L

y軸ミクサ22y、z軸ミクサ22zも、x軸ミクサ22xと同様に、ローカル発振器23が発振した発振信号を用いて、y軸フィルタ21y、z軸フィルタ21zが出力した高周波信号を中間周波数信号に変換して、y軸IF出力コネクタ24y、z軸IF出力コネクタ24zに出力する。   Similarly to the x-axis mixer 22x, the y-axis mixer 22y and the z-axis mixer 22z use the oscillation signal oscillated by the local oscillator 23 to convert the high-frequency signals output from the y-axis filter 21y and the z-axis filter 21z into intermediate frequency signals. The data is converted and output to the y-axis IF output connector 24y and the z-axis IF output connector 24z.

y軸電界センサ素子10yの給電部に生じた高周波信号の周波数をfRF_y、z軸電界センサ素子10zの給電部に生じた高周波信号の周波数をfRF_z、発振信号の周波数をfとし、y軸ミクサ22yが出力する中間周波数信号の周波数をfIF_y及びz軸ミクサ22zが出力する中間周波数信号の周波数をfIF_zとすると 、fIF_y及びfIF_zは、以下のように表される。
IF_y=fRF_y−f
IF_z=fRF_z−f
x軸IF出力コネクタ24xは、x軸ミクサ22xが生成した中間周波数信号を電界プローブ20から出力する。IF出力コネクタ24y、z軸IF出力コネクタ24zについても同様である。
The frequency of the high-frequency signal generated in the power feeding part of the y-axis electric field sensor element 10y is f RF_y , the frequency of the high-frequency signal generated in the power feeding part of the z-axis electric field sensor element 10z is f RF_z , and the frequency of the oscillation signal is f L , y When the frequency of the intermediate frequency signal frequency of the intermediate frequency signal axis mixer 22y outputs the f IF_Y and z-axis mixer 22z outputs and f IF_z, f IF_y and f IF_z is expressed as follows.
f IF_y = f RF_y −f L
f IF_z = f RF_z −f L
The x-axis IF output connector 24 x outputs the intermediate frequency signal generated by the x-axis mixer 22 x from the electric field probe 20. The same applies to the IF output connector 24y and the z-axis IF output connector 24z.

同軸線路31xは、x軸IF出力コネクタ24xと電界強度計算部40とを接続しており、x軸IF出力コネクタ24xが出力した中間周波数信号を電界強度計算部40に送る。同軸線路31y、同軸線路31zについても同様である。
電界強度計算部40は、電界プローブ20が出力した3つ中間周波数信号から、x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10zが向けられている方向への電界強度E、E、Eをそれぞれ求め、それらの求まった電界強度E、E、Eから、電界プローブ20の位置における電界強度Eを求める。図4に、電界強度計算部40の機能構成を例示する。
The coaxial line 31x connects the x-axis IF output connector 24x and the electric field strength calculation unit 40, and sends the intermediate frequency signal output from the x-axis IF output connector 24x to the electric field strength calculation unit 40. The same applies to the coaxial line 31y and the coaxial line 31z.
The electric field intensity calculation unit 40 determines the electric field intensity in the direction in which the x-axis electric field sensor element 10x, the y-axis electric field sensor element 10y, and the z-axis electric field sensor element 10z are directed from the three intermediate frequency signals output from the electric field probe 20. E x , E y , and E z are obtained, and the electric field strength E at the position of the electric field probe 20 is obtained from the obtained electric field strengths E x , E y , and E z . FIG. 4 illustrates a functional configuration of the electric field intensity calculation unit 40.

x軸電界センサ素子10xのアンテナ係数をAFcx[dB/m]、x軸フィルタ21xのフィルタの挿入損失をL[dB]、x軸ミクサ22xの変換利得をGmix[dB]とすると、x軸電界センサ素子10xの総合アンテナ係数AFは以下のように表すことができる。
AF[dB/m]=AFcx[dB/m]+L[dB]−Gmix[dB]
したがって、x軸方向の電界強度Eは、x軸IF出力コネクタ24xに生じた電圧をV[dBV]とすると、以下のように表すことができる。
[dBV/m]=AF[dB/m]+V[dBV] …(1)
x軸電界強度計算部41xは、上記式(1)に基づいて、x軸方向の電界強度Eを計算して、総合電界強度計算部42に送る。
When the antenna coefficient of the x-axis electric field sensor element 10x is AF cx [dB / m], the insertion loss of the filter of the x-axis filter 21x is L [dB], and the conversion gain of the x-axis mixer 22x is G mix [dB], x The total antenna coefficient AF x of the axial electric field sensor element 10x can be expressed as follows.
AF x [dB / m] = AF cx [dB / m] + L [dB] −G mix [dB]
Therefore, the electric field intensity E x in the x-axis direction can be expressed as follows, where V x [dBV] is a voltage generated in the x-axis IF output connector 24x.
E x [dBV / m] = AF x [dB / m] + V x [dBV] (1)
x-axis field strength calculation unit 41x, based on the equation (1), by calculating the electric field strength E x in the x-axis direction, and sends to the overall field strength calculation unit 42.

同様に、y軸電界センサ素子10yのアンテナ係数をAFcy[dB/m]、z軸電界センサ素子10zのアンテナ係数をAFcz[dB/m]とすると、y軸電界センサ素子10yの総合アンテナ係数AF、z軸電界センサ素子10zの総合アンテナ係数AFは以下のようになる。
AF[dB/m]=AFcy[dB/m]+L[dB]−Gmix[dB]
AF[dB/m]=AFcz[dB/m]+L[dB]−Gmix[dB]
Similarly, assuming that the antenna coefficient of the y-axis electric field sensor element 10y is AF cy [dB / m] and the antenna coefficient of the z-axis electric field sensor element 10z is AF cz [dB / m], the overall antenna of the y-axis electric field sensor element 10y. The coefficient AF y and the total antenna coefficient AF z of the z-axis electric field sensor element 10z are as follows.
AF y [dB / m] = AF cy [dB / m] + L [dB] −G mix [dB]
AF z [dB / m] = AF cz [dB / m] + L [dB] −G mix [dB]

したがって、y軸方向の電界強度E、z軸方向の電界強度Eは、y軸IF出力コネクタ24yに生じた電圧をV[dBV]、z軸IF出力コネクタ24zに生じた電圧をV[dBV]とすると、以下のように表すことができる。
[dBV/m]=AF[dB/m]+V[dBV] …(2)
[dBV/m]=AF[dB/m]+V[dBV] …(3)
y軸電界強度計算部41y、z軸電界強度計算部41zは、上記式(2)、(3)に基づいて、y軸方向の電界強度E、z軸方向の電界強度Eを計算して、総合電界強度計算部42に送る。
Therefore, the electric field intensity E y in the y-axis direction, the electric field strength E z in the z-axis direction, a voltage generated in the y-axis IF output connector 24y V y [dBV], the voltage generated in z-axis IF output connector 24z V Assuming z [dBV], it can be expressed as follows.
E y [dBV / m] = AF y [dB / m] + V y [dBV] (2)
E z [dBV / m] = AF z [dB / m] + V z [dBV] (3)
The y-axis field strength calculation unit 41y and the z-axis field strength calculation unit 41z calculate the field strength E y in the y- axis direction and the field strength E z in the z-axis direction based on the above formulas (2) and (3). To the total electric field strength calculation unit 42.

x軸方向、y軸方向及びz軸方向は互いに直交するため、電界プローブ20の位置における電界強度Eは、以下のように表すことができる。
=E +E +E
E=(E +E +E 1/2 …(4)
総合電界強度計算部42は、上記式(4)に基づいて、電界強度Eを計算する。
Since the x-axis direction, the y-axis direction, and the z-axis direction are orthogonal to each other, the electric field intensity E at the position of the electric field probe 20 can be expressed as follows.
E 2 = E x 2 + E y 2 + E z 2
E = (E x 2 + E y 2 + E z 2 ) 1/2 (4)
The total electric field strength calculation unit 42 calculates the electric field strength E based on the above formula (4).

このように、電界プローブ20は、互いに直交する3つの方向(x軸方向、y軸方向、z軸方向)に向けられた3つの電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10z)を有するため、各方向の電界強度E,E,Eを求めることができる。そして、各方向の電界強度E,E,Eから、電界プローブ20の位置における電界強度Eを求めることにより、等方的に電界測定を行うことができる。電界プローブ20は等方的な等方性電界プローブとなる。 As described above, the electric field probe 20 has three electric field sensor elements (x-axis electric field sensor element 10x, y-axis electric field sensor element) oriented in three directions (x-axis direction, y-axis direction, and z-axis direction) orthogonal to each other. 10y, z-axis electric field sensor element 10z), the electric field strengths E x , E y , E z in each direction can be obtained. Then, by obtaining the electric field intensity E at the position of the electric field probe 20 from the electric field intensity E x , E y , E z in each direction, the electric field can be measured isotropically. The electric field probe 20 is an isotropic electric field probe.

また、各電界センサ素子10x,10y,10zの給電部で生じた高周波信号を中間周波数信号に変換して、その中間周波数信号を電界プローブ20から出力することにより、同軸線路31x,31y,31zにおけるケーブルの損失を低減することができ、電界検出感度を上げることができる。   Further, by converting the high frequency signal generated at the power feeding portion of each electric field sensor element 10x, 10y, 10z into an intermediate frequency signal and outputting the intermediate frequency signal from the electric field probe 20, the coaxial lines 31x, 31y, 31z The loss of the cable can be reduced, and the electric field detection sensitivity can be increased.

[第二実施例]
第二実施例は、電界センサ素子として、円錐放射素子を備える円錐型モノポール型アンテナではなく、スロットアンテナを用いている点で第一実施例とは異なる。また、イメージ周波数の成分の信号を減衰するためのフィルタを有していない点で第一実施例とは異なる。他の点については、第一実施例と同様である。
図5から図6を参照して、第二実施例の電界プローブ20’及び電界強度測定装置101を説明する。図1と同じ部分については、同じ符号をつけて重複説明を省略する。他の図面についても同様である。
[Second Example]
The second embodiment differs from the first embodiment in that a slot antenna is used as an electric field sensor element instead of a conical monopole antenna having a conical radiation element. Further, the second embodiment is different from the first embodiment in that a filter for attenuating the image frequency component signal is not provided. Other points are the same as in the first embodiment.
With reference to FIGS. 5 to 6, the electric field probe 20 ′ and the electric field strength measuring apparatus 101 of the second embodiment will be described. The same parts as those in FIG. The same applies to the other drawings.

電界プローブ20’は、図6に例示するように直方体の金属箱12を基にして形成されており、直方体の金属箱12の3つの面に、それぞれ蝶型のスロットアンテナであるx軸電界センサ素子10x’、y軸電界センサ素子10y’、z軸電界センサ素子10z’が設けられている。この例では、スロットの形状を蝶型・ボウタイ型にすることにより、電界センサ素子としての周波数特性をより平坦にしている。   The electric field probe 20 ′ is formed based on a rectangular parallelepiped metal box 12 as illustrated in FIG. 6, and an x-axis electric field sensor which is a butterfly-shaped slot antenna on each of three surfaces of the rectangular parallelepiped metal box 12. An element 10x ′, a y-axis electric field sensor element 10y ′, and a z-axis electric field sensor element 10z ′ are provided. In this example, the frequency characteristics of the electric field sensor element are made flatter by making the shape of the slot a butterfly shape and a bow tie shape.

x軸電界センサ素子10x’は、スロットの中央部において給電される。具体的には、スロットの幅が中央に行くに従って狭くなるように、スロットの内側に1対の突出部が設けられており、スロットの中央においてそれらの1対の突出部の先端が空隙を介して互いに対向している。同軸線路の一方の導体を一方の突出部の先端に接続し、その同軸線路の他方の導体を他方の突出部の先端に接続することにより、x軸電界センサ素子10x’は給電される。その同軸線路は、x軸ミクサ22xに接続される。
y軸電界センサ素子10y’、z軸電界センサ素子10z’についても、x軸電界センサ素子10x’と同様に給電される。
The x-axis electric field sensor element 10x ′ is supplied with power at the center of the slot. Specifically, a pair of protrusions are provided on the inner side of the slot so that the width of the slot becomes narrower toward the center, and the ends of the pair of protrusions are located at the center of the slot via a gap. Facing each other. By connecting one conductor of the coaxial line to the tip of one protrusion and connecting the other conductor of the coaxial line to the tip of the other protrusion, the x-axis electric field sensor element 10x ′ is fed. The coaxial line is connected to the x-axis mixer 22x.
The y-axis electric field sensor element 10y ′ and the z-axis electric field sensor element 10z ′ are also fed in the same manner as the x-axis electric field sensor element 10x ′.

スロットアンテナは、設計周波数の外側であって低域側の周波数の信号を低減する性質を有する。ここで、ローカル発振器23の発振周波数が、被測定電界の周波数よりも低い場合には、イメージ周波数は発振周波数よりも低くなるため、イメージ周波数の成分の信号はスロットアンテナにより減衰させられる。したがって、第二実施例の電界プローブ20’及び電界測定装置101は、x軸フィルタ21x、y軸フィルタ21y及びz軸フィルタ21zを備えていなくても、イメージ受信を防ぐことができるのである。
第二実施例においても、第一実施例と同様の効果を得ることができる。
この例では、電界センサとして、蝶型のスロットアンテナを用いているが、蝶型以外の任意のスロットアンテナを用いてもよい。
The slot antenna has a property of reducing a signal having a low frequency outside the design frequency. Here, when the oscillation frequency of the local oscillator 23 is lower than the frequency of the electric field to be measured, since the image frequency is lower than the oscillation frequency, the image frequency component signal is attenuated by the slot antenna. Therefore, the electric field probe 20 ′ and the electric field measurement device 101 of the second embodiment can prevent image reception even if the x-axis filter 21x, the y-axis filter 21y, and the z-axis filter 21z are not provided.
In the second embodiment, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
In this example, a butterfly slot antenna is used as the electric field sensor, but any slot antenna other than the butterfly may be used.

[第三実施例]
第三実施例の電界測定装置102は、図7に例示するように、電界プローブ20と電界強度計算部40とを接続する同軸線路として、つる巻き状にされた同軸線路32x,32y,32zを用いている点で、第一実施例の電界測定装置100とは異なる。他の点については第一実施例の電界測定装置100と同様である。
[Third embodiment]
As illustrated in FIG. 7, the electric field measurement apparatus 102 according to the third embodiment includes helically wound coaxial lines 32 x, 32 y, and 32 z as coaxial lines that connect the electric field probe 20 and the electric field strength calculation unit 40. It differs from the electric field measuring apparatus 100 of the first embodiment in that it is used. Other points are the same as those of the electric field measuring apparatus 100 of the first embodiment.

同軸線路32x,32y,32zを、つる巻き状にすることにより、自己インダクタンスを増加させることができる。自己インダクタンスの増加により、リアクタンスが増加し、同軸線路32x,32y,32zのインピーダンスが増加する。このインピーダンスの増加により、コモンモード電流を低減することができる。コモンモード電流を低減することにより、被測定周波数の電界に対する同軸線路による擾乱の影響を低減することができる。これにより、被測定周波数の電界の強度をより正確に測定することができる。   The self-inductance can be increased by making the coaxial lines 32x, 32y, and 32z spiral. The reactance increases due to the increase of the self-inductance, and the impedance of the coaxial lines 32x, 32y, 32z increases. Due to this increase in impedance, the common mode current can be reduced. By reducing the common mode current, it is possible to reduce the influence of disturbance caused by the coaxial line on the electric field of the frequency to be measured. Thereby, the intensity of the electric field at the frequency to be measured can be measured more accurately.

同軸線路32x,32y,32zの巻き間隔であるピッチpは一定であっても、可変であってもよい。
同軸線路32x,32y,32zの巻き間隔であるピッチpを一定にする場合には、ピッチpは、被測定周波数の範囲において、同軸線路32x,32y,32zのインピーダンスが十分高くなるように選択される。
図7に示した例では、電界プローブとして、第一実施例の電界プローブ20を用いているが、第二実施例の電界プローブ20’を用いてもよい。同軸線路32x,32y,32zの1つ又は2つのみを、つる巻き状にしてもよい。
The pitch p, which is the winding interval of the coaxial lines 32x, 32y, 32z, may be constant or variable.
When the pitch p that is the winding interval of the coaxial lines 32x, 32y, and 32z is made constant, the pitch p is selected so that the impedance of the coaxial lines 32x, 32y, and 32z is sufficiently high in the range of the frequency to be measured. The
In the example shown in FIG. 7, the electric field probe 20 of the first embodiment is used as the electric field probe, but the electric field probe 20 ′ of the second embodiment may be used. Only one or two of the coaxial lines 32x, 32y, and 32z may be helically wound.

[第四実施例]
第四実施例は、図8に例示するように、つる巻き状にされた同軸線路33x,33y,33zのピッチが、一定のピッチではなく、対数周期となっている点で、第三実施例とは異なる。他の点については第三実施例と同様である。
[Fourth embodiment]
As illustrated in FIG. 8, the fourth embodiment is a third embodiment in that the pitch of the helically wound coaxial lines 33x, 33y, 33z is not a constant pitch but a logarithmic period. Is different. Other points are the same as in the third embodiment.

つる巻き状にされた同軸線路33x,33y,33zのピッチを対数周期とすることにより、ピッチを一定にした場合と比較して、同軸線路33x,33y,33zのインピーダンスが増加する周波数範囲を広くすることができる。これにより、より広い周波数範囲でコモンモード電流を低減することができ、被測定周波数の電界強度をより正確に測定することができる。   By making the pitch of the helically wound coaxial lines 33x, 33y, and 33z logarithmic, the frequency range in which the impedance of the coaxial lines 33x, 33y, and 33z increases is wider than when the pitch is made constant. can do. Thereby, the common mode current can be reduced in a wider frequency range, and the electric field strength of the frequency to be measured can be measured more accurately.

つる巻き状にされた同軸線路のピッチを対数周期にするとは、コモンモード電流を低減しようとする周波数範囲において複数の周波数を対数周期で選択して、それらの選択された複数の周波数(以下、注目する周波数とする。)に基づいて複数のピッチを定め、つる巻き状にされた同軸線路が少なくともそれらの複数のピッチを有するようにすることである。   To make the pitch of a helically wound coaxial line logarithmic period, a plurality of frequencies are selected in a logarithmic period in a frequency range in which the common mode current is to be reduced, and the selected plurality of frequencies (hereinafter, A plurality of pitches are determined based on the frequency of interest) so that the helically wound coaxial line has at least the plurality of pitches.

例えば、被測定周波数の範囲が3GHzから50GHzである場合には、注目する周波数を、3GHz、4GHz、…、8GHz、9GHz、10Gz、20GHz、30GHz、40GHz、50GHzとする。そして、これらの注目する周波数に反比例するように複数のピッチを求める。すなわち、注目する周波数をf(i=1,…,n)、aを任意の定数として、複数のピッチpを、p=a /fのように求める。上記の例ではn=12である。つる巻き状にされた同軸線路は、複数のピッチp(i=1,…,n)を有する。すなわち、つる巻き状にされた同軸線路のある部分のピッチはpであり、別の部分のピッチはpであり、さらに別の部分のピッチはpであり、…、さらに別の部分のピッチはpである。 For example, when the frequency range to be measured is 3 GHz to 50 GHz, the frequency of interest is 3 GHz, 4 GHz,..., 8 GHz, 9 GHz, 10 GHz, 20 GHz, 30 GHz, 40 GHz, 50 GHz. Then, a plurality of pitches are obtained so as to be inversely proportional to these frequencies of interest. That is, the frequency of interest f i (i = 1, ... , n), as an arbitrary constant a, a plurality of pitch p i, determined as p i = a / f i. In the above example, n = 12. The helically wound coaxial line has a plurality of pitches p i (i = 1,..., N). That is, the pitch of the portion of the coaxial line is in the helical shape is p 1, the pitch of another part is p 2, the pitch of a further moiety is p 3, ..., yet another portion the pitch is p n.

図8は、同軸線路33x,33y,33zが、少なくとも異なる3つのピッチp,p,pを有する場合を例示している。この例では、各ピッチは1つしか続いておらず、ピッチpの次がピッチpであり、ピッチpの次がピッチpとなっているが、あるピッチが複数続いてもよい。すなわち、ピッチpが複数続いた後に、ピッチpが複数続き、その次にピッチpが複数続いてもよい。 FIG. 8 illustrates a case where the coaxial lines 33x, 33y, and 33z have at least three different pitches p 1 , p 2 , and p 3 . In this example, only one pitch is continued, the pitch p 1 is next to the pitch p 2 , and the pitch p 2 is the pitch p 3. However, a plurality of pitches may be continued. . That is, a plurality of pitches p 1 may be followed by a plurality of pitches p 2 , followed by a plurality of pitches p 3 .

注目する周波数及び定数a等は、被測定周波数の電界強度をより正確に測定することができるように、実験的に定める。
図8に示した例では、電界プローブとして、第一実施例の電界プローブ20を用いているが、第二実施例の電界プローブ20’を用いてもよい。同軸線路33x,33y,33zの1つ又は2つのみを、対数周期のピッチでつる巻き状にしてもよい。
The frequency of interest and the constant a are determined experimentally so that the electric field strength of the frequency to be measured can be measured more accurately.
In the example shown in FIG. 8, the electric field probe 20 of the first embodiment is used as the electric field probe, but the electric field probe 20 ′ of the second embodiment may be used. Only one or two of the coaxial lines 33x, 33y, 33z may be wound in a logarithmic cycle pitch.

[第五実施例]
第五実施例は、図9に例示するように、電界プローブ20’’がマッハツェンダ型光変調器52x,52y,52zを備えており、各電界センサ素子の給電部で生じた高周波信号を光信号に変換して出力する点で、第一実施例と異なる。他の点については、第一実施例と同様である。
[Fifth Example]
In the fifth embodiment, as illustrated in FIG. 9, the electric field probe 20 ″ includes Mach-Zehnder type optical modulators 52x, 52y, and 52z, and the high-frequency signal generated in the power feeding section of each electric field sensor element is an optical signal. This is different from the first embodiment in that it is converted into and output. Other points are the same as in the first embodiment.

発光手段51は、3つのレーザダイオード(x軸レーザダイオード51x、y軸レーザダイオード51y、z軸レーザダイオード51z)からなる。
x軸レーザダイオード51xは、後述するx軸マッハツェンダ型光変調器52xの光源であり、振幅と位相に変調を受けていない連続波を出射する。出射された光は、x軸第一光ファイバケーブル61xを通り、x軸マッハツェンダ型光変調器52xに入射する。
The light emitting means 51 includes three laser diodes (x-axis laser diode 51x, y-axis laser diode 51y, z-axis laser diode 51z).
The x-axis laser diode 51x is a light source of an x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x described later, and emits a continuous wave that is not modulated in amplitude and phase. The emitted light passes through the x-axis first optical fiber cable 61x and enters the x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x.

y軸レーザダイオード51y、z軸レーザダイオード51zも、x軸レーザダイオード51xと同様に、y軸第一光ファイバケーブル61y、z軸第一光ファイバケーブル62zを通じて、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zに光を出射する。   Similarly to the x-axis laser diode 51x, the y-axis laser diode 51y and the z-axis laser diode 51z also pass through the y-axis first optical fiber cable 61y and the z-axis first optical fiber cable 62z. Light is emitted to the z-axis Mach-Zehnder optical modulator 52z.

電界プローブ20’’は、x軸電界センサ素子の給電部13xで生じた高周波信号を光信号に変換して出力するx軸マッハツェンダ型光変調器52xを備える。給電部13xにおいて、x軸マッハツェンダ型光変調器52xの一方の電極はx軸円錐放射素子11xに接続され、他方の電極は金属板12xに接続される。x軸マッハツェンダ型光変調器52xは、x軸電界センサ素子の給電部13xで生じた高周波信号に応じて、x軸レーザダイオード51が出射した光を変調する。変調された光は、x軸第二光ファイバケーブル62xを通り、x軸フォトダイオード53xに入射する。   The electric field probe 20 ″ includes an x-axis Mach-Zehnder type optical modulator 52 x that converts a high-frequency signal generated by the power feeding unit 13 x of the x-axis electric field sensor element into an optical signal and outputs the optical signal. In the power feeding unit 13x, one electrode of the x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x is connected to the x-axis conical radiation element 11x, and the other electrode is connected to the metal plate 12x. The x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x modulates the light emitted from the x-axis laser diode 51 in accordance with the high-frequency signal generated by the power feeding unit 13x of the x-axis electric field sensor element. The modulated light passes through the x-axis second optical fiber cable 62x and enters the x-axis photodiode 53x.

電界プローブ20’’は、x軸マッハツェンダ型光変調器52xと同様のy軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zを備える。
受光手段53は、3つのフォトダイオード(x軸フォトダイオード53x、y軸フォトダイオード53y、z軸フォトダイオード53z)からなる。
The electric field probe 20 ″ includes a y-axis Mach-Zehnder optical modulator 52y and a z-axis Mach-Zehnder optical modulator 52z similar to the x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x.
The light receiving means 53 includes three photodiodes (x-axis photodiode 53x, y-axis photodiode 53y, and z-axis photodiode 53z).

x軸フォトダイオード53xは、x軸マッハツェンダ型光変調器52xが出力した光信号を電気信号に変換する。具体的には、x軸マッハツェンダ型光変調器52xが出射した光強度変調波を検波して、x軸電界センサ素子10xの給電部で生じた高周波信号の周波数成分を含む電流を出力する。   The x-axis photodiode 53x converts the optical signal output from the x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x into an electrical signal. Specifically, the light intensity modulated wave emitted from the x-axis Mach-Zehnder type optical modulator 52x is detected, and a current including the frequency component of the high-frequency signal generated at the power feeding portion of the x-axis electric field sensor element 10x is output.

y軸フォトダイオード53y、z軸フォトダイオード53zも、x軸フォトダイオードと同様に、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zが出力した光信号を電気信号に変換する。   Similarly to the x-axis photodiode, the y-axis photodiode 53y and the z-axis photodiode 53z convert the optical signals output from the y-axis Mach-Zehnder optical modulator 52y and the z-axis Mach-Zehnder optical modulator 52z into electrical signals.

x軸ミクサ22xは、ローカル発振器23が発振した発振信号を用いて、x軸フォトダイオード53xが出力した電気信号の周波数を下げて、電界強度計算部40が電界強度を計算することができるようにする。具体的には、発振信号と電気信号を乗算して、電界強度計算部40に出力する。y軸ミクサ22y、z軸ミクサ22zについても、x軸ミクサ22xと同様である。   The x-axis mixer 22x uses the oscillation signal oscillated by the local oscillator 23 to lower the frequency of the electrical signal output by the x-axis photodiode 53x so that the electric field intensity calculation unit 40 can calculate the electric field intensity. To do. Specifically, the oscillation signal and the electric signal are multiplied and output to the electric field strength calculation unit 40. The y-axis mixer 22y and the z-axis mixer 22z are the same as the x-axis mixer 22x.

電界強度計算部40は、x軸ミクサ22x,22y,22zが出力した電気信号から上記3つの方向への各電界強度を求め、これらの求まった電界強度から上記電界プローブの位置における電界強度を求める。第四実施例の電界強度計算部40においては、以下に述べるAF[dB/m]、AF[dB/m]、AF[dB/m]の定義式のみが異なる。他の部分については、第一実施例において図4を参照して説明したものと同様である。 The electric field strength calculation unit 40 obtains the electric field strengths in the three directions from the electric signals output from the x-axis mixers 22x, 22y, and 22z, and obtains the electric field strength at the position of the electric field probe from these obtained electric field strengths. . In the electric field intensity calculation unit 40 of the fourth embodiment, only the definition formulas of AF x [dB / m], AF y [dB / m], and AF z [dB / m] described below are different. Other parts are the same as those described in the first embodiment with reference to FIG.

x軸電界センサ素子10xのアンテナ係数をAFcx[dB/m]、x軸マッハツェンダ型光変調器52xの変換利得をG[dB]、x軸フォトダイオード53xの変換利得をG[dB]、x軸ミクサ22xの変換利得をGmix[dB]とすると、x軸電界センサ素子10xの総合アンテナ係数AFは以下のように表すことができる。
AF[dB/m]=AFcx[dB/m]−G [dB]−G[dB]−Gmix[dB]…(5)
x軸電界強度計算部41xは、上記式(5)と、第一実施例で説明した上記式(1)とに基づいて、x軸方向の電界強度Eを計算して、総合電界強度計算部42に送る。
The antenna coefficient of the x-axis electric field sensor element 10x is AF cx [dB / m], the conversion gain of the x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x is G m [dB], and the conversion gain of the x-axis photodiode 53x is G f [dB]. If the conversion gain of the x-axis mixer 22x is G mix [dB], the total antenna coefficient AF x of the x-axis electric field sensor element 10x can be expressed as follows.
AF x [dB / m] = AF cx [dB / m] −G m [dB] −G f [dB] −G mix [dB] (5)
x-axis field strength calculation unit 41x, the above equation (5), based on the above equation (1) described in the first embodiment, calculates the electric field intensity E x in the x-axis direction, overall field strength calculation Send to part 42.

同様に、y軸電界センサ素子10yのアンテナ係数をAFcy[dB/m]、z軸電界センサ素子10zのアンテナ係数をAFcz[dB/m]、y軸マッハツェンダ型光変調器52yの変換利得をG[dB]、z軸マッハツェンダ型光変調器52zの変換利得をG[dB]、y軸フォトダイオード53yの変換利得をG[dB]、z軸フォトダイオード53zの変換利得をG[dB]、y軸ミクサ22yの変換利得をGmix[dB]、z軸ミクサ22zの変換利得をGmix[dB]とすると、y軸電界センサ素子10yの総合アンテナ係数AF、z軸電界センサ素子10zの総合アンテナ係数AFは以下のように表すことができる。
AF[dB/m]=AFcy[dB/m ]−G[dB]−G[dB]−Gmix[dB] …(6)
AF[dB/m]=AFcz[dB/m ]−G[dB]−G[dB]−Gmix[dB] …(7)
Similarly, the antenna coefficient of the y-axis electric field sensor element 10y is AF cy [dB / m], the antenna coefficient of the z-axis electric field sensor element 10z is AF cz [dB / m], and the conversion gain of the y-axis Mach-Zehnder optical modulator 52y. G m [dB], the conversion gain of the z-axis Mach-Zehnder optical modulator 52z is G m [dB], the conversion gain of the y-axis photodiode 53y is G f [dB], and the conversion gain of the z-axis photodiode 53z is G When the conversion gain of f [dB], the y-axis mixer 22y is G mix [dB], and the conversion gain of the z-axis mixer 22z is G mix [dB], the total antenna coefficient AF y , z-axis of the y-axis electric field sensor element 10y The total antenna coefficient AF z of the electric field sensor element 10z can be expressed as follows.
AF y [dB / m] = AF cy [dB / m] −G m [dB] −G f [dB] −G mix [dB] (6)
AF z [dB / m] = AF cz [dB / m] −G m [dB] −G f [dB] −G mix [dB] (7)

y軸電界強度計算部41yは、上記式(6)と、第一実施例で説明した上記式(1)とに基づいて、y軸方向の電界強度Eを計算して、総合電界強度計算部42に送る。
z軸電界強度計算部41zは、上記式(7)と、第一実施例で説明した上記式(1)とに基づいて、z軸方向の電界強度Eを計算して、総合電界強度計算部42に送る。
総合電界強度計算部42は、第一実施例と同様に上記式(4)に基づいて、電界強度Eを計算する。
The y-axis electric field strength calculation unit 41y calculates the electric field strength E y in the y-axis direction based on the above formula (6) and the above formula (1) described in the first embodiment, thereby calculating the total electric field strength calculation. Send to part 42.
The z-axis electric field strength calculation unit 41z calculates the electric field strength E z in the z-axis direction based on the above formula (7) and the above formula (1) described in the first embodiment, thereby calculating the total electric field strength calculation. Send to part 42.
The total electric field strength calculation unit 42 calculates the electric field strength E based on the above formula (4) as in the first embodiment.

第一実施例から第四実施例のように、電界プローブの給電線路に金属線を用いると、コモンモード電流が発生して、電界分布が擾乱する可能性がある。しかし、第五実施例のように、電界プローブの給電線路に光ファイバケーブルを用いることにより、電界分布の擾乱を防ぐことができ、正確な電界強度を測定することができる。   If a metal wire is used for the power supply line of the electric field probe as in the first to fourth embodiments, a common mode current may be generated and the electric field distribution may be disturbed. However, as in the fifth embodiment, by using an optical fiber cable for the feed line of the electric field probe, disturbance of the electric field distribution can be prevented and accurate electric field strength can be measured.

また、第五実施例の電界プローブ20’’及び電界測定装置104は、第一実施例と同様に、互いに直交する3つの方向に向けられた3つの電界センサ素子を有するため、等方的である。さらに、電界センサ素子の給電部に生じた各高周波信号を光信号に変換して出力することより、ケーブルの損失を低減することができ、電界検出感度を上げることができる。   The electric field probe 20 '' and the electric field measuring device 104 of the fifth embodiment are isotropic because they have three electric field sensor elements oriented in three directions orthogonal to each other, as in the first embodiment. is there. Furthermore, by converting each high-frequency signal generated in the power supply portion of the electric field sensor element into an optical signal and outputting it, the loss of the cable can be reduced and the electric field detection sensitivity can be increased.

この例では、電界プローブ20’’’の各電界センサ素子として第一実施例の電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10z)を用いているが、第二実施例の電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x’、y軸電界センサ素子10y’、z軸電界センサ素子10z’)を用いてもよい。   In this example, the electric field sensor elements of the first embodiment (x-axis electric field sensor element 10x, y-axis electric field sensor element 10y, z-axis electric field sensor element 10z) are used as the electric field sensor elements of the electric field probe 20 ′ ″. However, the electric field sensor elements of the second embodiment (x-axis electric field sensor element 10x ′, y-axis electric field sensor element 10y ′, z-axis electric field sensor element 10z ′) may be used.

[第六実施例]
第六実施例は、図10に例示するように、発光手段51が1つのレーザダイオード510からなり、受光手段53が1つのフォトダイオード530からなり、電界プローブ20’’’が第一光スイッチ71,第二光スイッチ72及び制御部73を有する点で、第五実施例と異なる。他の点については、第五実施例と同様である。
[Sixth embodiment]
In the sixth embodiment, as illustrated in FIG. 10, the light emitting means 51 is composed of one laser diode 510, the light receiving means 53 is composed of one photodiode 530, and the electric field probe 20 ′ ″ is the first optical switch 71. The second embodiment is different from the fifth embodiment in that the second optical switch 72 and the control unit 73 are provided. The other points are the same as in the fifth embodiment.

レーザダイオード510は、x軸マッハツェンダ型光変調器52x、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zの光源であり、振幅と位相に変調を受けていない連続波を出射する。出射された光は、光ファイバケーブル61を通り、第一光スイッチに入射する。
第一光スイッチ71は、入射した光を、x軸マッハツェンダ型光変調器52x、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zの何れかに出射する。第一光スイッチ71として、機械式、MEMS型、導波路型等の任意の光スイッチを用いることができる。
The laser diode 510 is a light source of the x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x, the y-axis Mach-Zehnder optical modulator 52y, and the z-axis Mach-Zehnder optical modulator 52z, and emits a continuous wave that is not modulated in amplitude and phase. . The emitted light passes through the optical fiber cable 61 and enters the first optical switch.
The first optical switch 71 emits the incident light to any one of the x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x, the y-axis Mach-Zehnder optical modulator 52y, and the z-axis Mach-Zehnder optical modulator 52z. As the first optical switch 71, any optical switch such as a mechanical type, a MEMS type, and a waveguide type can be used.

x軸マッハツェンダ型光変調器52x、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zのうち、第一光スイッチ71からの光を入射したマッハツェンダ型光変調器は、その電界センサ素子の給電部に生じた高周波信号に応じてその光を変調して、第二光スイッチ72に出射する。すなわち、その高周波信号を光信号に変換して第二光スイッチ72に出力する。
第二光スイッチ72は、x軸マッハツェンダ型光変調器52x、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zの何れかが出力した光信号を、フォトダイオード530に出力する。
Of the x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x, the y-axis Mach-Zehnder optical modulator 52y, and the z-axis Mach-Zehnder optical modulator 52z, the Mach-Zehnder optical modulator that receives light from the first optical switch 71 is an electric field sensor. The light is modulated in accordance with the high-frequency signal generated in the power feeding portion of the element and emitted to the second optical switch 72. That is, the high frequency signal is converted into an optical signal and output to the second optical switch 72.
The second optical switch 72 outputs an optical signal output from any of the x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x, the y-axis Mach-Zehnder optical modulator 52y, and the z-axis Mach-Zehnder optical modulator 52z to the photodiode 530.

具体的には、第二光スイッチ72は、第一光スイッチ71と連動しており、第一光スイッチ71が接続しているマッハツェンダ型光変調器に接続される。例えば、第一光スイッチ71がx軸マッハツェンダ型光変調器52xに接続している場合には、第二光スイッチ72もx軸マッハツェンダ型光変調器52xに接続している。この第一光スイッチ71と第二光スイッチ72との連動の制御は、制御部73が行う。   Specifically, the second optical switch 72 is linked to the first optical switch 71 and is connected to a Mach-Zehnder optical modulator to which the first optical switch 71 is connected. For example, when the first optical switch 71 is connected to the x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x, the second optical switch 72 is also connected to the x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52x. Control of the interlocking between the first optical switch 71 and the second optical switch 72 is performed by the control unit 73.

これにより、第二光スイッチ72は、第一光スイッチ71が接続しているマッハツェンダ型光変調器が出射した光を、フォトダイオード530に出射する。第二光スイッチ72も、機械式、MEMS型、導波路型等の任意の光スイッチを用いることができる。   Thereby, the second optical switch 72 emits the light emitted from the Mach-Zehnder optical modulator connected to the first optical switch 71 to the photodiode 530. As the second optical switch 72, any optical switch such as a mechanical type, a MEMS type, and a waveguide type can be used.

制御部73は、第一光スイッチ71と第二光スイッチ72とを順次切り替える。これにより、3つの電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10z)に対応する各光信号は時分割されて、フォトダイオード530に出力される。
フォトダイオード530は、入力された光信号を電気信号に変換して出力する。言い換えると、時分割された光信号を、時分割された電気信号に変換して出力する。
The control unit 73 sequentially switches between the first optical switch 71 and the second optical switch 72. As a result, the optical signals corresponding to the three electric field sensor elements (the x-axis electric field sensor element 10x, the y-axis electric field sensor element 10y, and the z-axis electric field sensor element 10z) are time-divided and output to the photodiode 530.
The photodiode 530 converts the input optical signal into an electrical signal and outputs the electrical signal. In other words, the time-division optical signal is converted into a time-division electric signal and output.

ミクサ22は、ローカル発振器23が発振した発振信号を用いて、フォトダイオード530が出力した電気信号の周波数を下げて、電界強度計算部40が電界強度を計算することができるようにする。具体的には、発振信号と電気信号を乗算して、電界強度計算部40に出力する。   The mixer 22 uses the oscillation signal oscillated by the local oscillator 23 to lower the frequency of the electric signal output from the photodiode 530 so that the electric field intensity calculator 40 can calculate the electric field intensity. Specifically, the oscillation signal and the electric signal are multiplied and output to the electric field strength calculation unit 40.

電界強度計算部40は、第五実施例と同様にして、入力された時分割された電気信号から、x軸方向、y軸方向、z軸方向の各電界強度E,E,Eを求め、これらの求まった電界強度から電界ブローブ20’’’の位置における電界強度Eを求める。 In the same manner as in the fifth embodiment, the electric field intensity calculation unit 40 determines the electric field intensities E x , E y , E z in the x-axis direction, the y-axis direction, and the z-axis direction from the input time-divided electric signal. And the electric field strength E at the position of the electric field probe 20 ′ ″ is obtained from these obtained electric field strengths.

第六実施例は、発光手段51を構成するレーザダイオードを1つにし、受光手段52を構成するフォトダイオードを1つにすることにより、第五実施例と比較して、部品点数を削減することができることができるというメリットがある。また、第六実施例においても、第五実施例と同様に、電界プローブの給電線路に光ファイバケーブルを用いることにより、電界分布の擾乱を防ぐことができ、正確な電界強度を測定することができる。   In the sixth embodiment, the number of parts is reduced compared to the fifth embodiment by using one laser diode constituting the light emitting means 51 and one photodiode constituting the light receiving means 52. There is an advantage that can be done. Also, in the sixth embodiment, similarly to the fifth embodiment, by using an optical fiber cable for the feed line of the electric field probe, disturbance of the electric field distribution can be prevented and accurate electric field strength can be measured. it can.

また、第六実施例の電界プローブ20’’及び電界測定装置104も、第一実施例と同様に、互いに直交する3つの方向に向けられた3つの電界センサ素子を有するため、等方的である。さらに、電界センサ素子の給電部に生じた各高周波信号を光信号に変換して出力することより、ケーブルの損失を低減することができ、電界検出感度を上げることができる。   The electric field probe 20 ″ and the electric field measuring device 104 of the sixth embodiment are also isotropic because they have three electric field sensor elements oriented in three directions orthogonal to each other, as in the first embodiment. is there. Furthermore, by converting each high-frequency signal generated in the power supply portion of the electric field sensor element into an optical signal and outputting it, the loss of the cable can be reduced and the electric field detection sensitivity can be increased.

この例では、電界プローブ20’’’の各電界センサ素子として第一実施例の電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10z)を用いているが、第二実施例の電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x’、y軸電界センサ素子10y’、z軸電界センサ素子10z’)を用いてもよい。
その他、この発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能であることはいうまでもない。
In this example, the electric field sensor elements of the first embodiment (x-axis electric field sensor element 10x, y-axis electric field sensor element 10y, z-axis electric field sensor element 10z) are used as the electric field sensor elements of the electric field probe 20 ′ ″. However, the electric field sensor elements of the second embodiment (x-axis electric field sensor element 10x ′, y-axis electric field sensor element 10y ′, z-axis electric field sensor element 10z ′) may be used.
Needless to say, other modifications are possible without departing from the spirit of the present invention.

第一実施例の電界測定装置を示す図。The figure which shows the electric field measuring apparatus of a 1st Example. 第一実施例の電界プローブの概略を示す斜視図。The perspective view which shows the outline of the electric field probe of 1st Example. 第一実施例のx軸電界センサ素子を示す図。The figure which shows the x-axis electric field sensor element of a 1st Example. 第一実施例の電界測定装置の機能構成を示す図。The figure which shows the function structure of the electric field measuring apparatus of a 1st Example. 第二実施例の電界測定装置を示す図。The figure which shows the electric field measuring apparatus of a 2nd Example. 第二実施例の電界プローブの概略を示す斜視図。The perspective view which shows the outline of the electric field probe of 2nd Example. 第三実施例の電界測定装置を示す図。The figure which shows the electric field measuring apparatus of a 3rd Example. 第四実施例の電界測定装置を示す図。The figure which shows the electric field measuring apparatus of 4th Example. 第五実施例の電界測定装置を示す図。The figure which shows the electric field measuring apparatus of 5th Example. 第六実施例の電界測定装置を示す図。The figure which shows the electric field measuring apparatus of 6th Example. 従来技術の電界プローブを示す図。The figure which shows the electric field probe of a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

10x 軸電界センサ素子、10y 軸電界センサ素子、10z 軸電界センサ素子、12 金属箱、13x 給電部、20 電界プローブ、21x x軸フィルタ、21y y軸フィルタ、21z z軸フィルタ、22x x軸ミクサ、22y y軸ミクサ、22z z軸ミクサ、23 ローカル発振器、24x 出力コネクタ、24y 出力コネクタ、24z 出力コネクタ、31x 同軸線路、31y 同軸線路、31z 同軸線路、40 電界強度計算部、41x x軸電界強度計算部、41y y軸電界強度計算部、41z z軸電界強度計算部、42 総合電界強度計算部、51 発光手段、51x x軸レーザダイオード、51y y軸レーザダイオード、51z z軸レーザダイオード、52 受光手段、52x x軸マッハツェンダ型光変調器、52y y軸マッハツェンダ型光変調器、52z z軸マッハツェンダ型光変調器、53 受光手段、53x x軸フォトダイオード、53y y軸フォトダイオード、53z z軸フォトダイオード、71 第一光スイッチ、72 第二光スイッチ、73 制御部、100 電界測定装置 10x axis electric field sensor element, 10y axis electric field sensor element, 10z axis electric field sensor element, 12 metal box, 13x power feeding part, 20 electric field probe, 21x x axis filter, 21y y axis filter, 21z z axis filter, 22x x axis mixer, 22y y-axis mixer, 22z z-axis mixer, 23 local oscillator, 24x output connector, 24y output connector, 24z output connector, 31x coaxial line, 31y coaxial line, 31z coaxial line, 40 electric field strength calculation unit, 41x x-axis electric field strength calculation Unit, 41y y-axis field strength calculation unit, 41z z-axis field strength calculation unit, 42 total field strength calculation unit, 51 light emitting means, 51x x-axis laser diode, 51y y-axis laser diode, 51z z-axis laser diode, 52 light receiving means , 52x x-axis Mach-Zehnder optical modulator 52y y-axis Mach-Zehnder light modulator, 52z z-axis Mach-Zehnder light modulator, 53 light receiving means, 53x x-axis photodiode, 53y y-axis photodiode, 53z z-axis photodiode, 71 first optical switch, 72 second light Switch 73 control unit 100 electric field measuring device

Claims (9)

互いに直交する3つの方向に向けて配置された3つの電界センサ素子と、
ローカル発振器から発振された発振信号を用いて、上記3つの電界センサ素子の給電部に生じた各高周波信号を中間周波数信号にそれぞれ変換する3つのミクサと、
各上記変換された中間周波数信号をそれぞれ出力する3つのコネクタと、
を備える電界プローブ。
Three electric field sensor elements arranged in three directions orthogonal to each other;
Using an oscillation signal oscillated from a local oscillator, three mixers for converting each high-frequency signal generated in the power feeding section of the three electric field sensor elements into an intermediate frequency signal;
Three connectors for outputting each of the converted intermediate frequency signals,
Electric field probe comprising:
請求項1に記載の電界プローブにおいて、
各上記3つの電界センサ素子は、蝶型のスロットアンテナである、
ことを特徴とする電界プローブ。
The electric field probe according to claim 1,
Each of the three electric field sensor elements is a butterfly-shaped slot antenna.
An electric field probe characterized by that.
請求項1に記載の電界プローブにおいて、
上記3つの電界センサ素子の給電部に生じた各高周波信号から、イメージ周波数の成分をそれぞれ減衰する3つのフィルタを備え、
上記3つのミクサは、ローカル発振器から発信された発振信号を用いて、上記イメージ周波数の成分が減衰された各高周波信号を中間周波数信号にそれぞれ変換する3つのミクサである、
ことを特徴とする電界プローブ。
The electric field probe according to claim 1,
Three filters for attenuating image frequency components from the respective high-frequency signals generated in the power feeding portions of the three electric field sensor elements are provided.
The three mixers are three mixers that convert each high-frequency signal having the image frequency component attenuated into an intermediate frequency signal using an oscillation signal transmitted from a local oscillator.
An electric field probe characterized by that.
請求項3に記載の電界プローブにおいて、
各上記3つの電界センサ素子は、円錐放射素子を備える円錐型モノポール型アンテナである、
ことを特徴とする電界プローブ。
The electric field probe according to claim 3,
Each of the three electric field sensor elements is a conical monopole antenna comprising a conical radiating element.
An electric field probe characterized by that.
請求項1から4の何れかに記載の電界プローブと、
上記電界プローブが出力した中間周波数信号から上記3つの方向への各電界強度を求め、これらの求まった電界強度から上記電界プローブの位置における電界強度を求める電界強度計算手段と、
上記電界プローブと上記電界強度計算手段とを接続する、つる巻き状にされた同軸線路と、
を備えることを特徴とする電界測定装置。
The electric field probe according to any one of claims 1 to 4,
Electric field strength calculation means for obtaining each electric field strength in the three directions from the intermediate frequency signal output by the electric field probe, and obtaining the electric field strength at the position of the electric field probe from the obtained electric field strength;
A helically wound coaxial line connecting the electric field probe and the electric field strength calculating means,
An electric field measuring apparatus comprising:
請求項5に記載の電界測定装置において、
上記同軸線路のピッチは、対数周期となっている、
ことを特徴とする電界測定装置。
In the electric field measuring apparatus according to claim 5,
The pitch of the coaxial line is a logarithmic period,
An electric field measuring apparatus characterized by that.
互いに直交する3つの方向に向けて配置された3つの電界センサ素子と、
光を出射する発光手段と、
上記3つの電界センサ素子の給電部にそれぞれ生じた各高周波信号に基づいて上記光を変調することにより、各上記高周波信号を光信号にそれぞれ変換して出力する3つのマッハツェンダ型光変調器と、
上記3つのマッハツェンダ型光変調器が出力した各光信号を電気信号に変換する受光手段と、
ローカル発振器から発振された発振信号を用いて、上記電気信号の周波数を下げるミクサ装置と、
上記周波数が下げられた電気信号から上記3つの方向への各電界強度を求め、これらの求まった電界強度から上記電界プローブの位置における電界強度を求める電界強度計算手段と、
を備えることを特徴とする電界測定装置。
Three electric field sensor elements arranged in three directions orthogonal to each other;
A light emitting means for emitting light;
Three Mach-Zehnder optical modulators that convert the high-frequency signals into optical signals and output the optical signals by modulating the light based on the high-frequency signals respectively generated in the power feeding units of the three electric field sensor elements;
A light receiving means for converting each optical signal output from the three Mach-Zehnder optical modulators into an electrical signal;
A mixer device that lowers the frequency of the electrical signal using an oscillation signal oscillated from a local oscillator;
Electric field strength calculating means for obtaining electric field strengths in the three directions from the electric signal with the frequency lowered, and obtaining electric field strengths at the position of the electric field probe from the obtained electric field strengths;
An electric field measuring apparatus comprising:
請求項7に記載の電界測定装置において、
上記発光手段は、光をそれぞれ出射する3つのレーザダイオードであり、
上記受光手段は、上記3つのマッハツェンダ型光変調器が出力した各光信号を電気信号にそれぞれ変換する3つのフォトダイオードである、
ことを特徴とする電界測定装置。
In the electric field measuring device according to claim 7,
The light emitting means is three laser diodes each emitting light,
The light receiving means is three photodiodes that respectively convert the optical signals output from the three Mach-Zehnder optical modulators into electrical signals.
An electric field measuring apparatus characterized by that.
請求項7に記載の電界測定装置において、
上記発光手段は、光を出射する1つのレーザダイオードであり、
上記受光手段は、上記3つのマッハツェンダ型光変調器が出力した各光信号を電気信号に変換する1つのフォトダイオードであり、
上記レーザダイオードが出射した光を、上記3つのマッハツェンダ型光変調器の何れかに出射する第一光スイッチと、
上記3つのマッハツェンダ型光変調器の何れかが出力した光信号を、上記フォトダイオードに出力する第二光スイッチと、
各上記電界センサ素子に対応する電気信号を順次得るために、上記第一光スイッチと上記第二光スイッチとをそれぞれ順次切り替える制御手段と、
をさらに備えることを特徴とする電界測定装置。
In the electric field measuring device according to claim 7,
The light emitting means is one laser diode that emits light,
The light receiving means is one photodiode that converts each optical signal output from the three Mach-Zehnder optical modulators into an electrical signal,
A first optical switch for emitting light emitted from the laser diode to any one of the three Mach-Zehnder optical modulators;
A second optical switch for outputting an optical signal output from any of the three Mach-Zehnder optical modulators to the photodiode;
Control means for sequentially switching the first optical switch and the second optical switch in order to sequentially obtain electrical signals corresponding to the electric field sensor elements;
An electric field measuring device further comprising:
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105510724A (en) * 2015-11-30 2016-04-20 中国科学院紫金山天文台 Magnetic field adjustment and control-based high-stability terahertz super-heat conduction electronic coherent detector system
CN106871961A (en) * 2017-01-23 2017-06-20 国网山东省电力公司电力科学研究院 Overall process, round-the-clock electromagnetic environment monitoring system and method
EP3199957A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-02 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG Over the air measurement module
US10193639B2 (en) 2016-01-29 2019-01-29 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Over the air measurement module

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105510724A (en) * 2015-11-30 2016-04-20 中国科学院紫金山天文台 Magnetic field adjustment and control-based high-stability terahertz super-heat conduction electronic coherent detector system
EP3199957A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-02 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG Over the air measurement module
US20170222736A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Over the air measurement module
US10193639B2 (en) 2016-01-29 2019-01-29 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Over the air measurement module
US10200135B2 (en) 2016-01-29 2019-02-05 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Over the air measurement module
US10411813B2 (en) 2016-01-29 2019-09-10 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Apparatus and method for testing beamforming behavior
CN106871961A (en) * 2017-01-23 2017-06-20 国网山东省电力公司电力科学研究院 Overall process, round-the-clock electromagnetic environment monitoring system and method

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