JP2009115644A - Electric field probe, electric field measurement apparatus - Google Patents
Electric field probe, electric field measurement apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009115644A JP2009115644A JP2007289517A JP2007289517A JP2009115644A JP 2009115644 A JP2009115644 A JP 2009115644A JP 2007289517 A JP2007289517 A JP 2007289517A JP 2007289517 A JP2007289517 A JP 2007289517A JP 2009115644 A JP2009115644 A JP 2009115644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric field
- axis
- probe
- frequency
- field sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
Description
この発明は、電子機器や無線局から放射される電磁波の強度の測定等に用いられる電界プローブ、電界測定装置に関する。特に、3GHz以上の周波数帯域で全方向に対して等しい電界検出感度を有する電界プローブ、電界測定装置に関する。 The present invention relates to an electric field probe and an electric field measurement device used for measuring the intensity of electromagnetic waves radiated from an electronic device or a radio station. In particular, the present invention relates to an electric field probe and an electric field measurement device having equal electric field detection sensitivity in all directions in a frequency band of 3 GHz or more.
図11を参照して、3GHz以上の周波数帯域で利用することができる電界プローブ90を説明する(例えば、非特許文献1参照。)。電界プローブ90は、いわゆる円錐型のダイポールアンテナであり、2つの円錐形の円錐放射素子91、91’、バラン92及び同軸線路93を備える。互いに180度の角度をなす位置に円錐放射素子91、91’が配置され、円錐放射素子91、91’の間には空隙が設けられている。同軸線路93は、その空隙において電界プローブ90を給電する。給電部分には不平衡電流を防止するためにバラン92が設けられる。
An
不要電磁波等の電磁波の強度の測定に用いられる電界プローブは、例えば3GHz〜6HGz等の広い周波数レンジを有することが必要である。このため、電界プローブ90は、放射素子として柱形の放射素子ではなく、円錐形の円錐放射素子91、91’を用いることにより、その周波数レンジを広げている。
従来技術の電界プローブ90はダイポールアンテナの一種であるため、その指向特性は8の字型であり、等方的ではなかった。また、3GHz以上の高周波の電磁波の強度を測定する場合には、3GHz以上の高周波信号がそのまま同軸線路93を通過するため、ケーブルの損失が大きくなり、電界検出感度が低下するという問題があった。
この発明は、指向特性が等方的であり、電界検出感度が高い電界プローブ、電界測定装置を提供することを目的とする。
Since the
An object of the present invention is to provide an electric field probe and an electric field measuring device that have isotropic directivity and high electric field detection sensitivity.
請求項1の電界プローブは、互いに直交する3つの方向に向けて配置された3つの電界センサ素子と、ローカル発振器から発振された発振信号を用いて、3つの電界センサ素子の給電部に生じた各高周波信号を中間周波数信号にそれぞれ変換する3つのミクサと、各変換された中間周波数信号をそれぞれ出力する3つのコネクタとを備える。 The electric field probe according to claim 1 is generated in the power feeding section of the three electric field sensor elements using three electric field sensor elements arranged in three directions orthogonal to each other and an oscillation signal oscillated from the local oscillator. Three mixers for converting each high-frequency signal into an intermediate frequency signal, and three connectors for outputting each converted intermediate frequency signal, respectively.
請求項5の電界測定装置は、電界プローブと、電界プローブが出力した中間周波数信号から3つの方向への各電界強度を求め、これらの求まった電界強度から電界プローブの位置における電界強度を求める電界強度計算手段と、電界プローブと電界強度計算手段とを接続する、つる巻き状にされた同軸線路とを備える。 The electric field measuring apparatus according to claim 5 is an electric field probe for obtaining electric field strengths in three directions from an electric field probe and an intermediate frequency signal output from the electric field probe, and obtaining electric field strengths at the position of the electric field probe from these obtained electric field strengths. An intensity calculating means and a helically wound coaxial line connecting the electric field probe and the electric field intensity calculating means are provided.
請求項7の電界測定装置は、互いに直交する3つの方向に向けて配置された3つの電界センサ素子と、光を出射する発光手段と、3つの電界センサ素子の給電部にそれぞれ生じた各高周波信号に基づいて光を変調することにより、各高周波信号を光信号にそれぞれ変換して出力する3つのマッハツェンダ型光変調器と、3つのマッハツェンダ型光変調器が出力した各光信号を電気信号に変換する受光手段と、ローカル発振器から発振された発振信号を用いて、電気信号の周波数を下げるミクサ装置と、周波数が下げられた電気信号から3つの方向への各電界強度を求め、これらの求まった電界強度から電界プローブの位置における電界強度を求める電界強度計算手段と、を備える。 The electric field measuring apparatus according to claim 7 is provided with three electric field sensor elements arranged in three directions orthogonal to each other, light emitting means for emitting light, and each high frequency generated in a power feeding portion of the three electric field sensor elements. By modulating the light based on the signals, the three Mach-Zehnder optical modulators that convert and output each high-frequency signal to an optical signal, and the optical signals output by the three Mach-Zehnder optical modulators are converted into electrical signals. Using the light receiving means for conversion, the mixer device that lowers the frequency of the electric signal using the oscillation signal oscillated from the local oscillator, the electric field strength in three directions is obtained from the electric signal whose frequency is lowered, and these are obtained. Electric field strength calculating means for obtaining the electric field strength at the position of the electric field probe from the measured electric field strength.
互いに直交する3つの方向に向けて3つの電界センサ素子を配置することにより、電界プローブの指向特性が等方的になる。電界センサ素子の給電部に生じた高周波信号を中間周波数信号に変換して出力することにより、または、電界センサ素子の給電部に生じた高周波信号を光信号に変換して出力することより、ケーブルの損失を低減することができ、電界検出感度を上げることができる。 By arranging three electric field sensor elements in three directions orthogonal to each other, the directivity characteristic of the electric field probe becomes isotropic. By converting the high-frequency signal generated in the power supply section of the electric field sensor element into an intermediate frequency signal and outputting it, or by converting the high-frequency signal generated in the power supply section of the electric field sensor element into an optical signal and outputting it, the cable Loss can be reduced, and the electric field detection sensitivity can be increased.
[第一実施例]
図1から図4を参照して、第一実施例の電界プローブ20及び電界測定装置100を説明する。
電界測定装置100は、電界プローブ20と、同軸線路31x,31y,31zと、電界強度計算部40とを備える。
[First embodiment]
The
The electric
この例では、電界プローブ20は、図2に例示するように直方体の金属箱12を基にして形成されている。直方体の金属箱12の3つの面に、x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10zが設けられる。以下、x軸電界センサ素子10xが向けられている方向をx軸方向、y軸電界センサ素子10yが向けられている方向をy軸方向、z軸電界センサ素子10zが向けられている方向をz軸方向とする。x軸方向、y軸方向及びz軸方向は互いに直交する。
In this example, the
図3に例示するように、金属箱12の面の1つである金属板12xの中央部に穴が形成される。x軸円錐放射素子11xは、その穴が形成された位置に、金属板12xと接しないようにして配置される。x軸円錐放射素子11xの中心軸は、金属板12xと略直交する。金属板12xは、反射板として機能する。x軸円錐放射素子11xは図示していない同軸線路の内部導体に接続され、金属板12xはその同軸線路の外部導体に接続される。その同軸線路は、x軸フィルタ21xに接続されている。このようにして、その穴が形成された位置を給電部13xとするx軸電界センサ素子10が構成される。このように、この例では、電界センサ素子として、円錐放射素子を備える円錐型モノポール型アンテナを用いる。
As illustrated in FIG. 3, a hole is formed in the central portion of the
y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10zも、x軸電界センサ10xと同様に構成される。z軸電界センサ素子10zは、図1の紙面に対して垂直の方向に向けて配置されている。図1は、図2に例示した電界プローブ20を上から見た図である。
x軸電界センサ素子10xの給電部13xで生じた高周波信号は同軸線路を通じてx軸フィルタ21xに送られる。x軸フィルタ21は、イメージ受信を防止するために設けられるものであり、その高周波信号からイメージ周波数の成分を減衰する。イメージ周波数の成分が減衰された高周波信号は、x軸ミクサ22xに出力される。
The y-axis electric
A high-frequency signal generated in the
例えば、被測定電界の周波数が3GHzから6GHzであり、ローカル発振器23の発振周波数が2.9GHzである場合には、x軸フィルタ21を、カットオフ周波数を2.9GHzとする高域通過フィルタとする。
y軸フィルタ21y、z軸フィルタ21zも、x軸フィルタ21xと同様に、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10zに接続されており、高周波信号からイメージ周波数の成分を減衰して、y軸ミクサ22y、z軸ミクサ22zに出力する。
ローカル発振器23は、所定の発振周波数を有する発振信号を生成して、x軸ミクサ22x、y軸ミクサ22y及びz軸ミクサ22zに送る。発振周波数は、例えば2.9GHzとされる。
For example, when the frequency of the electric field to be measured is 3 GHz to 6 GHz and the oscillation frequency of the
Similarly to the
The
x軸ミクサ22xは、ローカル発振器23が発振した発振信号を用いて、x軸フィルタ21xが出力した高周波信号を中間周波数信号に変換して、x軸IF出力コネクタ24xに出力する。具体的には、その発振信号とその高周波信号とを乗算することにより、中間周波数信号を生成する。x軸電界センサ素子10xの給電部に生じた高周波信号の周波数をfRF_x、発振信号の周波数をfLとすると、x軸ミクサ22xが出力する中間周波数信号の周波数をfIF_xは、以下のように表される。
fIF_x=fRF_x−fL
The
f IF_x = f RF_x -f L
y軸ミクサ22y、z軸ミクサ22zも、x軸ミクサ22xと同様に、ローカル発振器23が発振した発振信号を用いて、y軸フィルタ21y、z軸フィルタ21zが出力した高周波信号を中間周波数信号に変換して、y軸IF出力コネクタ24y、z軸IF出力コネクタ24zに出力する。
Similarly to the
y軸電界センサ素子10yの給電部に生じた高周波信号の周波数をfRF_y、z軸電界センサ素子10zの給電部に生じた高周波信号の周波数をfRF_z、発振信号の周波数をfLとし、y軸ミクサ22yが出力する中間周波数信号の周波数をfIF_y及びz軸ミクサ22zが出力する中間周波数信号の周波数をfIF_zとすると 、fIF_y及びfIF_zは、以下のように表される。
fIF_y=fRF_y−fL
fIF_z=fRF_z−fL
x軸IF出力コネクタ24xは、x軸ミクサ22xが生成した中間周波数信号を電界プローブ20から出力する。IF出力コネクタ24y、z軸IF出力コネクタ24zについても同様である。
The frequency of the high-frequency signal generated in the power feeding part of the y-axis electric
f IF_y = f RF_y −f L
f IF_z = f RF_z −f L
The x-axis
同軸線路31xは、x軸IF出力コネクタ24xと電界強度計算部40とを接続しており、x軸IF出力コネクタ24xが出力した中間周波数信号を電界強度計算部40に送る。同軸線路31y、同軸線路31zについても同様である。
電界強度計算部40は、電界プローブ20が出力した3つ中間周波数信号から、x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10zが向けられている方向への電界強度Ex、Ey、Ezをそれぞれ求め、それらの求まった電界強度Ex、Ey、Ezから、電界プローブ20の位置における電界強度Eを求める。図4に、電界強度計算部40の機能構成を例示する。
The
The electric field
x軸電界センサ素子10xのアンテナ係数をAFcx[dB/m]、x軸フィルタ21xのフィルタの挿入損失をL[dB]、x軸ミクサ22xの変換利得をGmix[dB]とすると、x軸電界センサ素子10xの総合アンテナ係数AFxは以下のように表すことができる。
AFx[dB/m]=AFcx[dB/m]+L[dB]−Gmix[dB]
したがって、x軸方向の電界強度Exは、x軸IF出力コネクタ24xに生じた電圧をVx[dBV]とすると、以下のように表すことができる。
Ex[dBV/m]=AFx[dB/m]+Vx[dBV] …(1)
x軸電界強度計算部41xは、上記式(1)に基づいて、x軸方向の電界強度Exを計算して、総合電界強度計算部42に送る。
When the antenna coefficient of the x-axis electric
AF x [dB / m] = AF cx [dB / m] + L [dB] −G mix [dB]
Therefore, the electric field intensity E x in the x-axis direction can be expressed as follows, where V x [dBV] is a voltage generated in the x-axis IF
E x [dBV / m] = AF x [dB / m] + V x [dBV] (1)
x-axis field
同様に、y軸電界センサ素子10yのアンテナ係数をAFcy[dB/m]、z軸電界センサ素子10zのアンテナ係数をAFcz[dB/m]とすると、y軸電界センサ素子10yの総合アンテナ係数AFy、z軸電界センサ素子10zの総合アンテナ係数AFzは以下のようになる。
AFy[dB/m]=AFcy[dB/m]+L[dB]−Gmix[dB]
AFz[dB/m]=AFcz[dB/m]+L[dB]−Gmix[dB]
Similarly, assuming that the antenna coefficient of the y-axis electric
AF y [dB / m] = AF cy [dB / m] + L [dB] −G mix [dB]
AF z [dB / m] = AF cz [dB / m] + L [dB] −G mix [dB]
したがって、y軸方向の電界強度Ey、z軸方向の電界強度Ezは、y軸IF出力コネクタ24yに生じた電圧をVy[dBV]、z軸IF出力コネクタ24zに生じた電圧をVz[dBV]とすると、以下のように表すことができる。
Ey[dBV/m]=AFy[dB/m]+Vy[dBV] …(2)
Ez[dBV/m]=AFz[dB/m]+Vz[dBV] …(3)
y軸電界強度計算部41y、z軸電界強度計算部41zは、上記式(2)、(3)に基づいて、y軸方向の電界強度Ey、z軸方向の電界強度Ezを計算して、総合電界強度計算部42に送る。
Therefore, the electric field intensity E y in the y-axis direction, the electric field strength E z in the z-axis direction, a voltage generated in the y-axis IF
E y [dBV / m] = AF y [dB / m] + V y [dBV] (2)
E z [dBV / m] = AF z [dB / m] + V z [dBV] (3)
The y-axis field
x軸方向、y軸方向及びz軸方向は互いに直交するため、電界プローブ20の位置における電界強度Eは、以下のように表すことができる。
E2=Ex 2+Ey 2+Ez 2
E=(Ex 2+Ey 2+Ez 2)1/2 …(4)
総合電界強度計算部42は、上記式(4)に基づいて、電界強度Eを計算する。
Since the x-axis direction, the y-axis direction, and the z-axis direction are orthogonal to each other, the electric field intensity E at the position of the
E 2 = E x 2 + E y 2 + E z 2
E = (E x 2 + E y 2 + E z 2 ) 1/2 (4)
The total electric field
このように、電界プローブ20は、互いに直交する3つの方向(x軸方向、y軸方向、z軸方向)に向けられた3つの電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10z)を有するため、各方向の電界強度Ex,Ey,Ezを求めることができる。そして、各方向の電界強度Ex,Ey,Ezから、電界プローブ20の位置における電界強度Eを求めることにより、等方的に電界測定を行うことができる。電界プローブ20は等方的な等方性電界プローブとなる。
As described above, the
また、各電界センサ素子10x,10y,10zの給電部で生じた高周波信号を中間周波数信号に変換して、その中間周波数信号を電界プローブ20から出力することにより、同軸線路31x,31y,31zにおけるケーブルの損失を低減することができ、電界検出感度を上げることができる。
Further, by converting the high frequency signal generated at the power feeding portion of each electric
[第二実施例]
第二実施例は、電界センサ素子として、円錐放射素子を備える円錐型モノポール型アンテナではなく、スロットアンテナを用いている点で第一実施例とは異なる。また、イメージ周波数の成分の信号を減衰するためのフィルタを有していない点で第一実施例とは異なる。他の点については、第一実施例と同様である。
図5から図6を参照して、第二実施例の電界プローブ20’及び電界強度測定装置101を説明する。図1と同じ部分については、同じ符号をつけて重複説明を省略する。他の図面についても同様である。
[Second Example]
The second embodiment differs from the first embodiment in that a slot antenna is used as an electric field sensor element instead of a conical monopole antenna having a conical radiation element. Further, the second embodiment is different from the first embodiment in that a filter for attenuating the image frequency component signal is not provided. Other points are the same as in the first embodiment.
With reference to FIGS. 5 to 6, the
電界プローブ20’は、図6に例示するように直方体の金属箱12を基にして形成されており、直方体の金属箱12の3つの面に、それぞれ蝶型のスロットアンテナであるx軸電界センサ素子10x’、y軸電界センサ素子10y’、z軸電界センサ素子10z’が設けられている。この例では、スロットの形状を蝶型・ボウタイ型にすることにより、電界センサ素子としての周波数特性をより平坦にしている。
The
x軸電界センサ素子10x’は、スロットの中央部において給電される。具体的には、スロットの幅が中央に行くに従って狭くなるように、スロットの内側に1対の突出部が設けられており、スロットの中央においてそれらの1対の突出部の先端が空隙を介して互いに対向している。同軸線路の一方の導体を一方の突出部の先端に接続し、その同軸線路の他方の導体を他方の突出部の先端に接続することにより、x軸電界センサ素子10x’は給電される。その同軸線路は、x軸ミクサ22xに接続される。
y軸電界センサ素子10y’、z軸電界センサ素子10z’についても、x軸電界センサ素子10x’と同様に給電される。
The x-axis electric
The y-axis electric
スロットアンテナは、設計周波数の外側であって低域側の周波数の信号を低減する性質を有する。ここで、ローカル発振器23の発振周波数が、被測定電界の周波数よりも低い場合には、イメージ周波数は発振周波数よりも低くなるため、イメージ周波数の成分の信号はスロットアンテナにより減衰させられる。したがって、第二実施例の電界プローブ20’及び電界測定装置101は、x軸フィルタ21x、y軸フィルタ21y及びz軸フィルタ21zを備えていなくても、イメージ受信を防ぐことができるのである。
第二実施例においても、第一実施例と同様の効果を得ることができる。
この例では、電界センサとして、蝶型のスロットアンテナを用いているが、蝶型以外の任意のスロットアンテナを用いてもよい。
The slot antenna has a property of reducing a signal having a low frequency outside the design frequency. Here, when the oscillation frequency of the
In the second embodiment, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
In this example, a butterfly slot antenna is used as the electric field sensor, but any slot antenna other than the butterfly may be used.
[第三実施例]
第三実施例の電界測定装置102は、図7に例示するように、電界プローブ20と電界強度計算部40とを接続する同軸線路として、つる巻き状にされた同軸線路32x,32y,32zを用いている点で、第一実施例の電界測定装置100とは異なる。他の点については第一実施例の電界測定装置100と同様である。
[Third embodiment]
As illustrated in FIG. 7, the electric
同軸線路32x,32y,32zを、つる巻き状にすることにより、自己インダクタンスを増加させることができる。自己インダクタンスの増加により、リアクタンスが増加し、同軸線路32x,32y,32zのインピーダンスが増加する。このインピーダンスの増加により、コモンモード電流を低減することができる。コモンモード電流を低減することにより、被測定周波数の電界に対する同軸線路による擾乱の影響を低減することができる。これにより、被測定周波数の電界の強度をより正確に測定することができる。
The self-inductance can be increased by making the
同軸線路32x,32y,32zの巻き間隔であるピッチpは一定であっても、可変であってもよい。
同軸線路32x,32y,32zの巻き間隔であるピッチpを一定にする場合には、ピッチpは、被測定周波数の範囲において、同軸線路32x,32y,32zのインピーダンスが十分高くなるように選択される。
図7に示した例では、電界プローブとして、第一実施例の電界プローブ20を用いているが、第二実施例の電界プローブ20’を用いてもよい。同軸線路32x,32y,32zの1つ又は2つのみを、つる巻き状にしてもよい。
The pitch p, which is the winding interval of the
When the pitch p that is the winding interval of the
In the example shown in FIG. 7, the
[第四実施例]
第四実施例は、図8に例示するように、つる巻き状にされた同軸線路33x,33y,33zのピッチが、一定のピッチではなく、対数周期となっている点で、第三実施例とは異なる。他の点については第三実施例と同様である。
[Fourth embodiment]
As illustrated in FIG. 8, the fourth embodiment is a third embodiment in that the pitch of the helically wound
つる巻き状にされた同軸線路33x,33y,33zのピッチを対数周期とすることにより、ピッチを一定にした場合と比較して、同軸線路33x,33y,33zのインピーダンスが増加する周波数範囲を広くすることができる。これにより、より広い周波数範囲でコモンモード電流を低減することができ、被測定周波数の電界強度をより正確に測定することができる。
By making the pitch of the helically wound
つる巻き状にされた同軸線路のピッチを対数周期にするとは、コモンモード電流を低減しようとする周波数範囲において複数の周波数を対数周期で選択して、それらの選択された複数の周波数(以下、注目する周波数とする。)に基づいて複数のピッチを定め、つる巻き状にされた同軸線路が少なくともそれらの複数のピッチを有するようにすることである。 To make the pitch of a helically wound coaxial line logarithmic period, a plurality of frequencies are selected in a logarithmic period in a frequency range in which the common mode current is to be reduced, and the selected plurality of frequencies (hereinafter, A plurality of pitches are determined based on the frequency of interest) so that the helically wound coaxial line has at least the plurality of pitches.
例えば、被測定周波数の範囲が3GHzから50GHzである場合には、注目する周波数を、3GHz、4GHz、…、8GHz、9GHz、10Gz、20GHz、30GHz、40GHz、50GHzとする。そして、これらの注目する周波数に反比例するように複数のピッチを求める。すなわち、注目する周波数をfi(i=1,…,n)、aを任意の定数として、複数のピッチpiを、pi=a /fiのように求める。上記の例ではn=12である。つる巻き状にされた同軸線路は、複数のピッチpi(i=1,…,n)を有する。すなわち、つる巻き状にされた同軸線路のある部分のピッチはp1であり、別の部分のピッチはp2であり、さらに別の部分のピッチはp3であり、…、さらに別の部分のピッチはpnである。 For example, when the frequency range to be measured is 3 GHz to 50 GHz, the frequency of interest is 3 GHz, 4 GHz,..., 8 GHz, 9 GHz, 10 GHz, 20 GHz, 30 GHz, 40 GHz, 50 GHz. Then, a plurality of pitches are obtained so as to be inversely proportional to these frequencies of interest. That is, the frequency of interest f i (i = 1, ... , n), as an arbitrary constant a, a plurality of pitch p i, determined as p i = a / f i. In the above example, n = 12. The helically wound coaxial line has a plurality of pitches p i (i = 1,..., N). That is, the pitch of the portion of the coaxial line is in the helical shape is p 1, the pitch of another part is p 2, the pitch of a further moiety is p 3, ..., yet another portion the pitch is p n.
図8は、同軸線路33x,33y,33zが、少なくとも異なる3つのピッチp1,p2,p3を有する場合を例示している。この例では、各ピッチは1つしか続いておらず、ピッチp1の次がピッチp2であり、ピッチp2の次がピッチp3となっているが、あるピッチが複数続いてもよい。すなわち、ピッチp1が複数続いた後に、ピッチp2が複数続き、その次にピッチp3が複数続いてもよい。
FIG. 8 illustrates a case where the
注目する周波数及び定数a等は、被測定周波数の電界強度をより正確に測定することができるように、実験的に定める。
図8に示した例では、電界プローブとして、第一実施例の電界プローブ20を用いているが、第二実施例の電界プローブ20’を用いてもよい。同軸線路33x,33y,33zの1つ又は2つのみを、対数周期のピッチでつる巻き状にしてもよい。
The frequency of interest and the constant a are determined experimentally so that the electric field strength of the frequency to be measured can be measured more accurately.
In the example shown in FIG. 8, the
[第五実施例]
第五実施例は、図9に例示するように、電界プローブ20’’がマッハツェンダ型光変調器52x,52y,52zを備えており、各電界センサ素子の給電部で生じた高周波信号を光信号に変換して出力する点で、第一実施例と異なる。他の点については、第一実施例と同様である。
[Fifth Example]
In the fifth embodiment, as illustrated in FIG. 9, the
発光手段51は、3つのレーザダイオード(x軸レーザダイオード51x、y軸レーザダイオード51y、z軸レーザダイオード51z)からなる。
x軸レーザダイオード51xは、後述するx軸マッハツェンダ型光変調器52xの光源であり、振幅と位相に変調を受けていない連続波を出射する。出射された光は、x軸第一光ファイバケーブル61xを通り、x軸マッハツェンダ型光変調器52xに入射する。
The light emitting means 51 includes three laser diodes (
The
y軸レーザダイオード51y、z軸レーザダイオード51zも、x軸レーザダイオード51xと同様に、y軸第一光ファイバケーブル61y、z軸第一光ファイバケーブル62zを通じて、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zに光を出射する。
Similarly to the
電界プローブ20’’は、x軸電界センサ素子の給電部13xで生じた高周波信号を光信号に変換して出力するx軸マッハツェンダ型光変調器52xを備える。給電部13xにおいて、x軸マッハツェンダ型光変調器52xの一方の電極はx軸円錐放射素子11xに接続され、他方の電極は金属板12xに接続される。x軸マッハツェンダ型光変調器52xは、x軸電界センサ素子の給電部13xで生じた高周波信号に応じて、x軸レーザダイオード51が出射した光を変調する。変調された光は、x軸第二光ファイバケーブル62xを通り、x軸フォトダイオード53xに入射する。
The
電界プローブ20’’は、x軸マッハツェンダ型光変調器52xと同様のy軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zを備える。
受光手段53は、3つのフォトダイオード(x軸フォトダイオード53x、y軸フォトダイオード53y、z軸フォトダイオード53z)からなる。
The
The light receiving means 53 includes three photodiodes (
x軸フォトダイオード53xは、x軸マッハツェンダ型光変調器52xが出力した光信号を電気信号に変換する。具体的には、x軸マッハツェンダ型光変調器52xが出射した光強度変調波を検波して、x軸電界センサ素子10xの給電部で生じた高周波信号の周波数成分を含む電流を出力する。
The
y軸フォトダイオード53y、z軸フォトダイオード53zも、x軸フォトダイオードと同様に、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zが出力した光信号を電気信号に変換する。
Similarly to the x-axis photodiode, the y-
x軸ミクサ22xは、ローカル発振器23が発振した発振信号を用いて、x軸フォトダイオード53xが出力した電気信号の周波数を下げて、電界強度計算部40が電界強度を計算することができるようにする。具体的には、発振信号と電気信号を乗算して、電界強度計算部40に出力する。y軸ミクサ22y、z軸ミクサ22zについても、x軸ミクサ22xと同様である。
The
電界強度計算部40は、x軸ミクサ22x,22y,22zが出力した電気信号から上記3つの方向への各電界強度を求め、これらの求まった電界強度から上記電界プローブの位置における電界強度を求める。第四実施例の電界強度計算部40においては、以下に述べるAFx[dB/m]、AFy[dB/m]、AFz[dB/m]の定義式のみが異なる。他の部分については、第一実施例において図4を参照して説明したものと同様である。
The electric field
x軸電界センサ素子10xのアンテナ係数をAFcx[dB/m]、x軸マッハツェンダ型光変調器52xの変換利得をGm[dB]、x軸フォトダイオード53xの変換利得をGf[dB]、x軸ミクサ22xの変換利得をGmix[dB]とすると、x軸電界センサ素子10xの総合アンテナ係数AFxは以下のように表すことができる。
AFx[dB/m]=AFcx[dB/m]−Gm [dB]−Gf[dB]−Gmix[dB]…(5)
x軸電界強度計算部41xは、上記式(5)と、第一実施例で説明した上記式(1)とに基づいて、x軸方向の電界強度Exを計算して、総合電界強度計算部42に送る。
The antenna coefficient of the x-axis electric
AF x [dB / m] = AF cx [dB / m] −G m [dB] −G f [dB] −G mix [dB] (5)
x-axis field
同様に、y軸電界センサ素子10yのアンテナ係数をAFcy[dB/m]、z軸電界センサ素子10zのアンテナ係数をAFcz[dB/m]、y軸マッハツェンダ型光変調器52yの変換利得をGm[dB]、z軸マッハツェンダ型光変調器52zの変換利得をGm[dB]、y軸フォトダイオード53yの変換利得をGf[dB]、z軸フォトダイオード53zの変換利得をGf[dB]、y軸ミクサ22yの変換利得をGmix[dB]、z軸ミクサ22zの変換利得をGmix[dB]とすると、y軸電界センサ素子10yの総合アンテナ係数AFy、z軸電界センサ素子10zの総合アンテナ係数AFzは以下のように表すことができる。
AFy[dB/m]=AFcy[dB/m ]−Gm[dB]−Gf[dB]−Gmix[dB] …(6)
AFz[dB/m]=AFcz[dB/m ]−Gm[dB]−Gf[dB]−Gmix[dB] …(7)
Similarly, the antenna coefficient of the y-axis electric
AF y [dB / m] = AF cy [dB / m] −G m [dB] −G f [dB] −G mix [dB] (6)
AF z [dB / m] = AF cz [dB / m] −G m [dB] −G f [dB] −G mix [dB] (7)
y軸電界強度計算部41yは、上記式(6)と、第一実施例で説明した上記式(1)とに基づいて、y軸方向の電界強度Eyを計算して、総合電界強度計算部42に送る。
z軸電界強度計算部41zは、上記式(7)と、第一実施例で説明した上記式(1)とに基づいて、z軸方向の電界強度Ezを計算して、総合電界強度計算部42に送る。
総合電界強度計算部42は、第一実施例と同様に上記式(4)に基づいて、電界強度Eを計算する。
The y-axis electric field
The z-axis electric field
The total electric field
第一実施例から第四実施例のように、電界プローブの給電線路に金属線を用いると、コモンモード電流が発生して、電界分布が擾乱する可能性がある。しかし、第五実施例のように、電界プローブの給電線路に光ファイバケーブルを用いることにより、電界分布の擾乱を防ぐことができ、正確な電界強度を測定することができる。 If a metal wire is used for the power supply line of the electric field probe as in the first to fourth embodiments, a common mode current may be generated and the electric field distribution may be disturbed. However, as in the fifth embodiment, by using an optical fiber cable for the feed line of the electric field probe, disturbance of the electric field distribution can be prevented and accurate electric field strength can be measured.
また、第五実施例の電界プローブ20’’及び電界測定装置104は、第一実施例と同様に、互いに直交する3つの方向に向けられた3つの電界センサ素子を有するため、等方的である。さらに、電界センサ素子の給電部に生じた各高周波信号を光信号に変換して出力することより、ケーブルの損失を低減することができ、電界検出感度を上げることができる。
The electric field probe 20 '' and the electric
この例では、電界プローブ20’’’の各電界センサ素子として第一実施例の電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10z)を用いているが、第二実施例の電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x’、y軸電界センサ素子10y’、z軸電界センサ素子10z’)を用いてもよい。
In this example, the electric field sensor elements of the first embodiment (x-axis electric
[第六実施例]
第六実施例は、図10に例示するように、発光手段51が1つのレーザダイオード510からなり、受光手段53が1つのフォトダイオード530からなり、電界プローブ20’’’が第一光スイッチ71,第二光スイッチ72及び制御部73を有する点で、第五実施例と異なる。他の点については、第五実施例と同様である。
[Sixth embodiment]
In the sixth embodiment, as illustrated in FIG. 10, the light emitting means 51 is composed of one
レーザダイオード510は、x軸マッハツェンダ型光変調器52x、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zの光源であり、振幅と位相に変調を受けていない連続波を出射する。出射された光は、光ファイバケーブル61を通り、第一光スイッチに入射する。
第一光スイッチ71は、入射した光を、x軸マッハツェンダ型光変調器52x、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zの何れかに出射する。第一光スイッチ71として、機械式、MEMS型、導波路型等の任意の光スイッチを用いることができる。
The
The first optical switch 71 emits the incident light to any one of the x-axis Mach-Zehnder
x軸マッハツェンダ型光変調器52x、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zのうち、第一光スイッチ71からの光を入射したマッハツェンダ型光変調器は、その電界センサ素子の給電部に生じた高周波信号に応じてその光を変調して、第二光スイッチ72に出射する。すなわち、その高周波信号を光信号に変換して第二光スイッチ72に出力する。
第二光スイッチ72は、x軸マッハツェンダ型光変調器52x、y軸マッハツェンダ型光変調器52y、z軸マッハツェンダ型光変調器52zの何れかが出力した光信号を、フォトダイオード530に出力する。
Of the x-axis Mach-Zehnder
The second
具体的には、第二光スイッチ72は、第一光スイッチ71と連動しており、第一光スイッチ71が接続しているマッハツェンダ型光変調器に接続される。例えば、第一光スイッチ71がx軸マッハツェンダ型光変調器52xに接続している場合には、第二光スイッチ72もx軸マッハツェンダ型光変調器52xに接続している。この第一光スイッチ71と第二光スイッチ72との連動の制御は、制御部73が行う。
Specifically, the second
これにより、第二光スイッチ72は、第一光スイッチ71が接続しているマッハツェンダ型光変調器が出射した光を、フォトダイオード530に出射する。第二光スイッチ72も、機械式、MEMS型、導波路型等の任意の光スイッチを用いることができる。
Thereby, the second
制御部73は、第一光スイッチ71と第二光スイッチ72とを順次切り替える。これにより、3つの電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10z)に対応する各光信号は時分割されて、フォトダイオード530に出力される。
フォトダイオード530は、入力された光信号を電気信号に変換して出力する。言い換えると、時分割された光信号を、時分割された電気信号に変換して出力する。
The
The
ミクサ22は、ローカル発振器23が発振した発振信号を用いて、フォトダイオード530が出力した電気信号の周波数を下げて、電界強度計算部40が電界強度を計算することができるようにする。具体的には、発振信号と電気信号を乗算して、電界強度計算部40に出力する。
The
電界強度計算部40は、第五実施例と同様にして、入力された時分割された電気信号から、x軸方向、y軸方向、z軸方向の各電界強度Ex,Ey,Ezを求め、これらの求まった電界強度から電界ブローブ20’’’の位置における電界強度Eを求める。
In the same manner as in the fifth embodiment, the electric field
第六実施例は、発光手段51を構成するレーザダイオードを1つにし、受光手段52を構成するフォトダイオードを1つにすることにより、第五実施例と比較して、部品点数を削減することができることができるというメリットがある。また、第六実施例においても、第五実施例と同様に、電界プローブの給電線路に光ファイバケーブルを用いることにより、電界分布の擾乱を防ぐことができ、正確な電界強度を測定することができる。 In the sixth embodiment, the number of parts is reduced compared to the fifth embodiment by using one laser diode constituting the light emitting means 51 and one photodiode constituting the light receiving means 52. There is an advantage that can be done. Also, in the sixth embodiment, similarly to the fifth embodiment, by using an optical fiber cable for the feed line of the electric field probe, disturbance of the electric field distribution can be prevented and accurate electric field strength can be measured. it can.
また、第六実施例の電界プローブ20’’及び電界測定装置104も、第一実施例と同様に、互いに直交する3つの方向に向けられた3つの電界センサ素子を有するため、等方的である。さらに、電界センサ素子の給電部に生じた各高周波信号を光信号に変換して出力することより、ケーブルの損失を低減することができ、電界検出感度を上げることができる。
The
この例では、電界プローブ20’’’の各電界センサ素子として第一実施例の電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x、y軸電界センサ素子10y、z軸電界センサ素子10z)を用いているが、第二実施例の電界センサ素子(x軸電界センサ素子10x’、y軸電界センサ素子10y’、z軸電界センサ素子10z’)を用いてもよい。
その他、この発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能であることはいうまでもない。
In this example, the electric field sensor elements of the first embodiment (x-axis electric
Needless to say, other modifications are possible without departing from the spirit of the present invention.
10x 軸電界センサ素子、10y 軸電界センサ素子、10z 軸電界センサ素子、12 金属箱、13x 給電部、20 電界プローブ、21x x軸フィルタ、21y y軸フィルタ、21z z軸フィルタ、22x x軸ミクサ、22y y軸ミクサ、22z z軸ミクサ、23 ローカル発振器、24x 出力コネクタ、24y 出力コネクタ、24z 出力コネクタ、31x 同軸線路、31y 同軸線路、31z 同軸線路、40 電界強度計算部、41x x軸電界強度計算部、41y y軸電界強度計算部、41z z軸電界強度計算部、42 総合電界強度計算部、51 発光手段、51x x軸レーザダイオード、51y y軸レーザダイオード、51z z軸レーザダイオード、52 受光手段、52x x軸マッハツェンダ型光変調器、52y y軸マッハツェンダ型光変調器、52z z軸マッハツェンダ型光変調器、53 受光手段、53x x軸フォトダイオード、53y y軸フォトダイオード、53z z軸フォトダイオード、71 第一光スイッチ、72 第二光スイッチ、73 制御部、100 電界測定装置
10x axis electric field sensor element, 10y axis electric field sensor element, 10z axis electric field sensor element, 12 metal box, 13x power feeding part, 20 electric field probe, 21x x axis filter, 21y y axis filter, 21z z axis filter, 22x x axis mixer, 22y y-axis mixer, 22z z-axis mixer, 23 local oscillator, 24x output connector, 24y output connector, 24z output connector, 31x coaxial line, 31y coaxial line, 31z coaxial line, 40 electric field strength calculation unit, 41x x-axis electric field strength calculation Unit, 41y y-axis field strength calculation unit, 41z z-axis field strength calculation unit, 42 total field strength calculation unit, 51 light emitting means, 51x x-axis laser diode, 51y y-axis laser diode, 51z z-axis laser diode, 52 light receiving means , 52x x-axis Mach-Zehnder
Claims (9)
ローカル発振器から発振された発振信号を用いて、上記3つの電界センサ素子の給電部に生じた各高周波信号を中間周波数信号にそれぞれ変換する3つのミクサと、
各上記変換された中間周波数信号をそれぞれ出力する3つのコネクタと、
を備える電界プローブ。 Three electric field sensor elements arranged in three directions orthogonal to each other;
Using an oscillation signal oscillated from a local oscillator, three mixers for converting each high-frequency signal generated in the power feeding section of the three electric field sensor elements into an intermediate frequency signal;
Three connectors for outputting each of the converted intermediate frequency signals,
Electric field probe comprising:
各上記3つの電界センサ素子は、蝶型のスロットアンテナである、
ことを特徴とする電界プローブ。 The electric field probe according to claim 1,
Each of the three electric field sensor elements is a butterfly-shaped slot antenna.
An electric field probe characterized by that.
上記3つの電界センサ素子の給電部に生じた各高周波信号から、イメージ周波数の成分をそれぞれ減衰する3つのフィルタを備え、
上記3つのミクサは、ローカル発振器から発信された発振信号を用いて、上記イメージ周波数の成分が減衰された各高周波信号を中間周波数信号にそれぞれ変換する3つのミクサである、
ことを特徴とする電界プローブ。 The electric field probe according to claim 1,
Three filters for attenuating image frequency components from the respective high-frequency signals generated in the power feeding portions of the three electric field sensor elements are provided.
The three mixers are three mixers that convert each high-frequency signal having the image frequency component attenuated into an intermediate frequency signal using an oscillation signal transmitted from a local oscillator.
An electric field probe characterized by that.
各上記3つの電界センサ素子は、円錐放射素子を備える円錐型モノポール型アンテナである、
ことを特徴とする電界プローブ。 The electric field probe according to claim 3,
Each of the three electric field sensor elements is a conical monopole antenna comprising a conical radiating element.
An electric field probe characterized by that.
上記電界プローブが出力した中間周波数信号から上記3つの方向への各電界強度を求め、これらの求まった電界強度から上記電界プローブの位置における電界強度を求める電界強度計算手段と、
上記電界プローブと上記電界強度計算手段とを接続する、つる巻き状にされた同軸線路と、
を備えることを特徴とする電界測定装置。 The electric field probe according to any one of claims 1 to 4,
Electric field strength calculation means for obtaining each electric field strength in the three directions from the intermediate frequency signal output by the electric field probe, and obtaining the electric field strength at the position of the electric field probe from the obtained electric field strength;
A helically wound coaxial line connecting the electric field probe and the electric field strength calculating means,
An electric field measuring apparatus comprising:
上記同軸線路のピッチは、対数周期となっている、
ことを特徴とする電界測定装置。 In the electric field measuring apparatus according to claim 5,
The pitch of the coaxial line is a logarithmic period,
An electric field measuring apparatus characterized by that.
光を出射する発光手段と、
上記3つの電界センサ素子の給電部にそれぞれ生じた各高周波信号に基づいて上記光を変調することにより、各上記高周波信号を光信号にそれぞれ変換して出力する3つのマッハツェンダ型光変調器と、
上記3つのマッハツェンダ型光変調器が出力した各光信号を電気信号に変換する受光手段と、
ローカル発振器から発振された発振信号を用いて、上記電気信号の周波数を下げるミクサ装置と、
上記周波数が下げられた電気信号から上記3つの方向への各電界強度を求め、これらの求まった電界強度から上記電界プローブの位置における電界強度を求める電界強度計算手段と、
を備えることを特徴とする電界測定装置。 Three electric field sensor elements arranged in three directions orthogonal to each other;
A light emitting means for emitting light;
Three Mach-Zehnder optical modulators that convert the high-frequency signals into optical signals and output the optical signals by modulating the light based on the high-frequency signals respectively generated in the power feeding units of the three electric field sensor elements;
A light receiving means for converting each optical signal output from the three Mach-Zehnder optical modulators into an electrical signal;
A mixer device that lowers the frequency of the electrical signal using an oscillation signal oscillated from a local oscillator;
Electric field strength calculating means for obtaining electric field strengths in the three directions from the electric signal with the frequency lowered, and obtaining electric field strengths at the position of the electric field probe from the obtained electric field strengths;
An electric field measuring apparatus comprising:
上記発光手段は、光をそれぞれ出射する3つのレーザダイオードであり、
上記受光手段は、上記3つのマッハツェンダ型光変調器が出力した各光信号を電気信号にそれぞれ変換する3つのフォトダイオードである、
ことを特徴とする電界測定装置。 In the electric field measuring device according to claim 7,
The light emitting means is three laser diodes each emitting light,
The light receiving means is three photodiodes that respectively convert the optical signals output from the three Mach-Zehnder optical modulators into electrical signals.
An electric field measuring apparatus characterized by that.
上記発光手段は、光を出射する1つのレーザダイオードであり、
上記受光手段は、上記3つのマッハツェンダ型光変調器が出力した各光信号を電気信号に変換する1つのフォトダイオードであり、
上記レーザダイオードが出射した光を、上記3つのマッハツェンダ型光変調器の何れかに出射する第一光スイッチと、
上記3つのマッハツェンダ型光変調器の何れかが出力した光信号を、上記フォトダイオードに出力する第二光スイッチと、
各上記電界センサ素子に対応する電気信号を順次得るために、上記第一光スイッチと上記第二光スイッチとをそれぞれ順次切り替える制御手段と、
をさらに備えることを特徴とする電界測定装置。 In the electric field measuring device according to claim 7,
The light emitting means is one laser diode that emits light,
The light receiving means is one photodiode that converts each optical signal output from the three Mach-Zehnder optical modulators into an electrical signal,
A first optical switch for emitting light emitted from the laser diode to any one of the three Mach-Zehnder optical modulators;
A second optical switch for outputting an optical signal output from any of the three Mach-Zehnder optical modulators to the photodiode;
Control means for sequentially switching the first optical switch and the second optical switch in order to sequentially obtain electrical signals corresponding to the electric field sensor elements;
An electric field measuring device further comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007289517A JP2009115644A (en) | 2007-11-07 | 2007-11-07 | Electric field probe, electric field measurement apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007289517A JP2009115644A (en) | 2007-11-07 | 2007-11-07 | Electric field probe, electric field measurement apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009115644A true JP2009115644A (en) | 2009-05-28 |
Family
ID=40782931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007289517A Pending JP2009115644A (en) | 2007-11-07 | 2007-11-07 | Electric field probe, electric field measurement apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009115644A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105510724A (en) * | 2015-11-30 | 2016-04-20 | 中国科学院紫金山天文台 | Magnetic field adjustment and control-based high-stability terahertz super-heat conduction electronic coherent detector system |
CN106871961A (en) * | 2017-01-23 | 2017-06-20 | 国网山东省电力公司电力科学研究院 | Overall process, round-the-clock electromagnetic environment monitoring system and method |
EP3199957A1 (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-02 | Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG | Over the air measurement module |
US10193639B2 (en) | 2016-01-29 | 2019-01-29 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Over the air measurement module |
-
2007
- 2007-11-07 JP JP2007289517A patent/JP2009115644A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105510724A (en) * | 2015-11-30 | 2016-04-20 | 中国科学院紫金山天文台 | Magnetic field adjustment and control-based high-stability terahertz super-heat conduction electronic coherent detector system |
EP3199957A1 (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-02 | Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG | Over the air measurement module |
US20170222736A1 (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Over the air measurement module |
US10193639B2 (en) | 2016-01-29 | 2019-01-29 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Over the air measurement module |
US10200135B2 (en) | 2016-01-29 | 2019-02-05 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Over the air measurement module |
US10411813B2 (en) | 2016-01-29 | 2019-09-10 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Apparatus and method for testing beamforming behavior |
CN106871961A (en) * | 2017-01-23 | 2017-06-20 | 国网山东省电力公司电力科学研究院 | Overall process, round-the-clock electromagnetic environment monitoring system and method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2731195A1 (en) | Antenna module | |
US10200135B2 (en) | Over the air measurement module | |
JP6435829B2 (en) | Antenna device | |
Jam et al. | A submillimeter-wave near-field measurement setup for on-wafer pattern and gain characterization of antennas and arrays | |
US6538618B2 (en) | Antenna | |
JP2009115644A (en) | Electric field probe, electric field measurement apparatus | |
WO2014122967A1 (en) | Electromagnetic wave measurement device and electromagnetic wave measurement method | |
JP5594599B2 (en) | Electromagnetic coupler and information communication device equipped with the same | |
US8700375B2 (en) | Electromagnetic coupler, wireless terminal including same, and method for designing electromagnetic couplers | |
US20240012024A1 (en) | Ultra-wideband interconnection probes | |
WO2022158183A1 (en) | Measuring device and measuring method | |
JP6351450B2 (en) | Wireless module, electronic module, and measuring method | |
JP5505794B2 (en) | Electromagnetic coupler and information communication device equipped with the same | |
RU2552230C2 (en) | Directional band antenna | |
EP4158364A1 (en) | Rf distribution volume and electronic device | |
JP6716107B2 (en) | Measuring probe | |
JP5591738B2 (en) | Power distributor for localizer antenna device of ILS and localizer antenna device using the same | |
RU2675220C1 (en) | Zigzag radiator with asymmetric power supply | |
KR100255562B1 (en) | Plane type electronic probe | |
JP4445739B2 (en) | Fiber electromagnetic field sensor | |
JP4590339B2 (en) | Electric field sensor, electric field sensor system | |
JP2006173910A (en) | Wideband nondirectional antenna | |
JP2006105660A (en) | Circuit characteristic measuring apparatus having port extending device | |
KR101450720B1 (en) | unbalanced differential sensor head for detecting explosives | |
Memarzadeh-Tehran et al. | Low Scattering Photodiode-Modulated Probe for Microwave Near-Field Imaging |