JP2009108419A - In-line substrate treatment apparatus - Google Patents

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Naoki Watanabe
直樹 渡辺
Nobuyoshi Watanabe
信義 渡辺
Kazunori Tani
和憲 谷
Shinji Furukawa
真司 古川
Hiromi Sasaki
宏美 佐々木
Osamu Watabe
修 渡部
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Canon Anelva Corp
Nihon Micro Coating Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an in-line substrate treatment apparatus suitably used for manufacturing a magnetic recording disk such as a hard disk. <P>SOLUTION: First and second revolving mechanisms for revolving substrate holders 51 and 52 respectively are disposed along first and second endless conveying paths 1 and 2 to which a plurality of vacuum chambers containing a treatment chamber is connected, wherein the substrate holders 51 and 52 hold a substrate and the treatment chamber treats the substrate in vacuum. A conveying system is established so as to remove the substrate from the first substrate holder 51, convey the substrate in vacuum along a third conveying path 3 without sending it into the atmosphere and transfer the substrate to the second substrate holder 52. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本願の発明は、インライン型基板処理装置に関するものである。   The invention of the present application relates to an inline-type substrate processing apparatus.

インライン型基板処理装置が用いられる技術分野として、ハードディスク等の磁気記録ディスクの製造が挙げられる。ハードディスク等の磁気記録ディスクの製造は、大まかには、下地膜作成から、記録層用の磁性膜作成、記録層を保護する保護膜の作成までを行う前工程と、保護膜作成の後、基板の表面への潤滑層の形成等を行う後工程に分かれる。潤滑層は、情報の記録や読み取りの際の磁気ヘッドの接触を考慮して設けられるものである。   As a technical field in which the inline-type substrate processing apparatus is used, there is production of a magnetic recording disk such as a hard disk. The production of magnetic recording disks such as hard disks is roughly divided into the pre-processes from the creation of the base film, the creation of the magnetic film for the recording layer, the creation of the protective film for protecting the recording layer, and the creation of the protective film after the creation of the protective film. The process is divided into post-processes for forming a lubricant layer on the surface of the film. The lubricating layer is provided in consideration of the contact of the magnetic head at the time of recording and reading information.

潤滑層の形成は、以下の手順で行われている。まず、記録層用などの薄膜は、通常、真空チャンバーで作成されるから、成膜後の基板を大気に取り出す。そして、成膜中に基板の表面に付着した汚損物質や基板の表面に形成された突起を除去するため、バーニッシュされる。バーニッシュは、テープ状の研磨具を基板の表面に擦り付けて突起や突起とともに汚損物質を除去する処理である。尚、汚損物質とは、基板を汚損するガス、イオン、微粒子等の総称である。   The lubricant layer is formed by the following procedure. First, since a thin film for a recording layer or the like is usually formed in a vacuum chamber, the substrate after film formation is taken out to the atmosphere. Then, it is burnished in order to remove the fouling substances adhering to the surface of the substrate during film formation and the protrusions formed on the surface of the substrate. Burnishing is a process in which a tape-shaped polishing tool is rubbed against the surface of a substrate to remove the contaminants along with the protrusions and protrusions. The fouling substance is a general term for gases, ions, fine particles and the like that foul the substrate.

上記バーニッシュを行った後、潤滑層の形成が行われる。潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテル(PFPE)等のフッ素系潤滑剤が使用されている。このような潤滑剤は、塗布の際の均一性の向上等の理由から、溶剤によって希釈されて用いられる。塗布の方法としては、基板を液中に付けるディップ法、基板を回転させながら液を滴下するスピンコート法等が採用されている。   After performing the burnishing, a lubricating layer is formed. As the lubricant, a fluorine-based lubricant such as perfluoropolyether (PFPE) is used. Such a lubricant is used after being diluted with a solvent for reasons such as improvement of uniformity during coating. As a coating method, a dipping method in which the substrate is immersed in the liquid, a spin coating method in which the liquid is dropped while rotating the substrate, and the like are employed.

尚、本明細書において、「基板」とは、製品であるディスクの基になる板の意味で使用している。また、成膜処理や層形成処理が既に行われている場合、薄膜や層の表面を「基板の表面」と言う場合がある。
特開平9−97428号公報 特開平11−229150号公報 特開平9−974268号公報 特開昭62−227230号公報 特開平3−71426号公報 特開平8−63747号公報
In the present specification, “substrate” is used to mean a plate that is the basis of a product disk. In addition, when a film forming process or a layer forming process has already been performed, the surface of the thin film or layer may be referred to as a “substrate surface”.
JP-A-9-97428 JP 11-229150 A JP-A-9-974268 JP-A-62-2227230 Japanese Patent Laid-Open No. 3-71426 JP-A-8-63747

近年における磁気記録ディスクの記録密度の向上は目覚ましいものがあり、例えばハードディスクの場合、2000年には20ギガビット/平方インチ、2001年には40ギガビット/平方インチになろうとしている。記録密度の向上を可能にする要因の一つに、スペーシングの減少が挙げられる。図19は、スペーシングについて説明する図である。   In recent years, there has been a remarkable improvement in the recording density of a magnetic recording disk. For example, in the case of a hard disk, it is about 20 gigabits per square inch in 2000 and 40 gigabits per square inch in 2001. One of the factors that can improve the recording density is a decrease in spacing. FIG. 19 is a diagram for explaining the spacing.

図19では、磁気記録ディスクの一例としてハードディスクの場合が示されている。図19に示すように、ハードディスクは、基板9上に記録層91が形成され、記録層91の上に保護膜92が形成され、保護膜92の上に潤滑層93が形成された構造となっている。情報の記録及び読み出しを行う磁気ヘッドは、ハードディスクの表面から僅かに離れた位置に位置する。スペーシングは、磁気ヘッドの記録再生素子部900と記録層91との間の距離(図19にSで示す)である。また、記録再生素子部900と潤滑層93との間の距離は、ヘッド浮上量と呼ばれる(図19にdで示す)。記録密度を向上させるには、スペーシングSを小さくすることが重要である。   FIG. 19 shows a hard disk as an example of a magnetic recording disk. As shown in FIG. 19, the hard disk has a structure in which a recording layer 91 is formed on a substrate 9, a protective film 92 is formed on the recording layer 91, and a lubricating layer 93 is formed on the protective film 92. ing. The magnetic head for recording and reading information is located at a position slightly away from the surface of the hard disk. Spacing is the distance between the recording / reproducing element portion 900 of the magnetic head and the recording layer 91 (indicated by S in FIG. 19). Further, the distance between the recording / reproducing element unit 900 and the lubricating layer 93 is called a head flying height (indicated by d in FIG. 19). In order to improve the recording density, it is important to reduce the spacing S.

スペーシングSの減少に伴い、製造プロセスに対する要求も年々厳しいものとなっている。スペーシングSを減少させるには、ヘッド浮上量dを小さくする必要があり(現在市販されているハードディスクドライブではヘッド浮上量は10〜20nm程度)、保護膜92や潤滑層93の厚さを薄くしていく必要がある。保護膜92の厚さが薄くなるのに伴い、より緻密で硬度の高い保護膜92を作成することが求められている。また、潤滑層93の厚さが薄くなるのに伴い、潤滑層93の厚さの均一性や潤滑層の付着強度の向上等の要求がより厳しくなっている。   As the spacing S decreases, the demands on the manufacturing process are becoming stricter year by year. In order to reduce the spacing S, it is necessary to reduce the head flying height d (the head flying height is about 10 to 20 nm in a hard disk drive currently on the market), and the protective film 92 and the lubricating layer 93 are made thin. There is a need to continue to. As the thickness of the protective film 92 decreases, it is required to create a denser and harder protective film 92. In addition, as the thickness of the lubricating layer 93 is reduced, demands such as uniformity in the thickness of the lubricating layer 93 and improvement in adhesion strength of the lubricating layer are becoming stricter.

このような点を背景として、保護膜92の作成方法は、従来のスパッタ法から化学蒸着(CVD)法に移行しつつある。保護膜92としては通常カーボン膜が作成されるが、CVD法によると、ダイヤモンドライクカーボン(diamond-like-carbon,DLC)と呼ばれる硬度の高い緻密なカーボン膜をより薄く安定して作成できるからである。しかしながら、CVD法により作成した保護膜92の表面には、残留ガス等の影響からガスやイオン等の汚損物質が付着していたり、異常成長等が原因で微小な突起が形成されたりし易い。汚損物質や突起が存在する状態で潤滑層93の形成を行うと、潤滑層93の付着強度が低下したり、潤滑層93の厚さが均一でなくなったりしたりする問題が生じ易い。   Against this background, the method for creating the protective film 92 is shifting from the conventional sputtering method to the chemical vapor deposition (CVD) method. A carbon film is usually formed as the protective film 92. However, according to the CVD method, a high-hardness dense carbon film called diamond-like-carbon (DLC) can be formed thinner and stably. is there. However, the surface of the protective film 92 formed by the CVD method is likely to have a fouling substance such as gas or ions attached to it due to the influence of residual gas or the like, or minute protrusions are likely to be formed due to abnormal growth or the like. If the lubricating layer 93 is formed in the presence of a fouling substance or a protrusion, there is a tendency that the adhesion strength of the lubricating layer 93 is reduced or the thickness of the lubricating layer 93 is not uniform.

潤滑層93の付着強度は、潤滑剤を構成する高分子の末端基が保護膜92のカーボンと充分に結合することにより向上する。より高い付着強度のためには、高分子の一方又は双方の末端基が保護膜92の表面のカーボンと結合していることが好ましい。一方、磁気ヘッドの記録再生素子部900の吸着を防止する潤滑層93の本来の目的のためには、潤滑層93の表面付近では、高分子の自由度が高いことが望ましい。即ち、双方の末端基が未結合であることが好ましい。   The adhesion strength of the lubricating layer 93 is improved when the polymer end groups constituting the lubricant are sufficiently bonded to the carbon of the protective film 92. For higher adhesion strength, it is preferable that one or both terminal groups of the polymer are bonded to carbon on the surface of the protective film 92. On the other hand, for the original purpose of the lubricating layer 93 that prevents the recording / reproducing element portion 900 of the magnetic head from being attracted, it is desirable that the degree of freedom of the polymer be high near the surface of the lubricating layer 93. That is, it is preferable that both terminal groups are unbonded.

一方又は双方の末端基が保護膜92のカーボンに結合している高分子をボンデッドルブ(bonded lub)、双方の末端基が未結合である高分子をフリールブ(free lub)、潤滑層93の全厚さに対するボンデッドルブの厚さをボンデッドレシオとそれぞれ呼ぶ。ボンデッドレシオは、20〜30%程度が最適であるとされているが、潤滑層93の厚さが薄くなるにつれてボンデッドレシオの要求精度は厳しくなる傾向にある。   A polymer in which one or both terminal groups are bonded to carbon of the protective film 92 is a bonded lub, a polymer in which both terminal groups are not bonded is a free lub, and the total thickness of the lubricating layer 93 The thickness of the bonded lube against the thickness is called the bonded ratio. The bonded ratio is optimally about 20 to 30%, but the required accuracy of the bonded ratio tends to become stricter as the thickness of the lubricating layer 93 becomes thinner.

要求されるボンデッドレシオを満足するため、潤滑層93の形成後、潤滑層93に対して熱エネルギー又は光エネルギー等を与え末端基の結合を制御する処理(以下、後処理と呼ぶ)が行われる。しかしながら、成膜直後の保護膜92の表面は、化学的に活性で、大気に晒されると、大気中のガスやイオン等の汚損物質が多く吸着される。この結果、潤滑層93を形成した際、潤滑層93と保護膜92との間に汚損層が形成されてしまう。この汚損層が形成されると、後処理においてボンデッドレシオの制御精度を充分に確保することが困難となってしまう。このような問題を防止するため、汚損物質等を減少させる設備等、製造環境の整備に対して多大な投資を余儀なくされているのが現状である。   In order to satisfy the required bonded ratio, after the formation of the lubricating layer 93, a process (hereinafter referred to as post-processing) is performed by applying thermal energy, light energy, or the like to the lubricating layer 93 to control terminal group bonding. Is called. However, the surface of the protective film 92 immediately after film formation is chemically active, and when exposed to the atmosphere, a large amount of pollutants such as gases and ions in the atmosphere are adsorbed. As a result, when the lubricating layer 93 is formed, a fouling layer is formed between the lubricating layer 93 and the protective film 92. When this fouling layer is formed, it becomes difficult to sufficiently secure the control accuracy of the bonded ratio in post-processing. In order to prevent such a problem, the present situation is that a great investment is required for the improvement of the manufacturing environment such as facilities for reducing pollutant substances.

本願の発明は、このような課題を解決するために成されたものであり、ハードディスク等の磁気記録ディスクの製造に用いられると好適なインライン型基板処理装置を提供する技術的意義を有するものである。   The invention of the present application has been made to solve such problems, and has technical significance to provide an inline-type substrate processing apparatus suitable for use in the manufacture of magnetic recording disks such as hard disks. is there.

上記課題を解決するため、本願の請求項1記載のインライン型基板処理装置の発明は、第一の無終端状の搬送路に沿って接続され、真空中で基板を処理する処理チャンバーを含む第一のグループの真空チャンバーと、
第二の無終端状の搬送路に沿って接続され、真空中で基板を処理する処理チャンバーを含む第二のグループの真空チャンバーと、
前記基板を保持するための基板保持具を前記第一の無終端状の搬送路に沿って周回させる第一の周回機構と、
前記基板を保持するための第二の基板保持具を第二の搬送路に沿って周回させる第二の周回機構と、
第一の基板保持具から基板を取り外し、第三の搬送路に沿って基板を大気に取り出すことなく真空中で搬送し、第二の基板保持具に移載する搬送系とを備えているという構成を有する。
上記課題を解決するため、請求項2記載のインライン型基板処理装置の発明は、前記請求項1の構成において、前記第一のグループの真空チャンバーは、前記第一の搬送路上において互いに気密に接続されており、前記第二のグループの真空チャンバーは、前記第二の搬送路上において互いに気密に接続されているという構成を有する。
上記課題を解決するため、請求項3記載のインライン型基板処理装置の発明は、前記請求項1又は2の構成において、前記第一の搬送路は方形であり、前記第二の搬送路は方形であるという構成を有する。
上記課題を解決するため、請求項4記載のインライン型基板処理装置の発明は、前記請求項12又は3の構成において、前記第一の搬送路上において第一の基板保持具に未処理の基板を搭載する機構と、第二の搬送路上において第二の基板保持具から処理済みの基板を回収する機構とを備えているという構成を有する。
In order to solve the above problems, an invention of an inline-type substrate processing apparatus according to claim 1 of the present application includes a processing chamber that is connected along a first endless transfer path and that processes a substrate in a vacuum. A group of vacuum chambers;
A second group of vacuum chambers connected along a second endless transport path and including a processing chamber for processing substrates in a vacuum;
A first rotation mechanism for rotating a substrate holder for holding the substrate along the first endless transfer path;
A second turning mechanism for turning the second substrate holder for holding the substrate along the second transport path;
The substrate is removed from the first substrate holder, and the substrate is transported in vacuum without being taken out to the atmosphere along the third transport path, and is transported to the second substrate holder. It has a configuration.
In order to solve the above-mentioned problem, an invention of an inline-type substrate processing apparatus according to claim 2 is characterized in that, in the configuration of claim 1, the first group of vacuum chambers are hermetically connected to each other on the first transport path. The second group of vacuum chambers are configured to be airtightly connected to each other on the second transport path.
In order to solve the above-mentioned problem, an invention of an inline-type substrate processing apparatus according to claim 3 is the configuration of claim 1 or 2, wherein the first transport path is a square and the second transport path is a square. It has the structure of being.
In order to solve the above-mentioned problems, an invention of an inline-type substrate processing apparatus according to claim 4 is characterized in that, in the configuration of claim 12 or 3, an unprocessed substrate is placed on the first substrate holder on the first transport path. It has a configuration in which a mechanism for mounting and a mechanism for collecting a processed substrate from the second substrate holder on the second transport path are provided.

上記課題を解決するため、請求項5記載のインライン型基板処理装置の発明は、前記請求項4の構成において、前記第一のグループの真空チャンバーのいずれかには、前記第一の基板保持具に基板を搭載する搭載用ロボットが設けられており、前記第二のグループの真空チャンバーのいずれかには、前記第二の基板保持具から基板を回収する回収用ロボットが設けられているという構成を有する。
上記課題を解決するため、請求項6記載のインライン型基板処理装置の発明は、前記請求項5の構成において、前記第一のグループの真空チャンバーのいずれかは、前記第一の基板保持具に基板を搭載する際に大気に開放されるロードロックチャンバーであり、前記搭載用ロボットはこのロードロックチャンバーに設けられており、前記第二のグループの真空チャンバーのいずれかは、前記第二の基板保持具から基板を回収する際に大気に開放されるアンロードロックチャンバーであり、前記回収用ロボットはこのアンロードロックチャンバーに設けられているという構成を有する。
上記課題を解決するため、請求項7記載のインライン型基板処理装置の発明は、前記請求項1乃至6いずれかの構成において、前記第三の搬送路上には別の真空チャンバーが配設されており、この別の真空チャンバーは、前記第一のグループの真空チャンバーのいずれかと気密に接続されているとともに前記第二のグループの真空チャンバーのいずれかと気密に接続されているという構成を有する。
上記課題を解決するため、請求項8記載のインライン型基板処理装置の発明は、前記請求項1乃至7いずれかの構成において、前記第三の搬送路上には、前記第一の基板保持具から基板を取り外して前記第二の基板保持具に搭載する移載用ロボットが設けられているという構成を有する。
In order to solve the above-mentioned problem, an invention of an inline-type substrate processing apparatus according to claim 5 is the configuration of claim 4, wherein the first substrate holder is provided in any one of the vacuum chambers of the first group. A mounting robot for mounting the substrate is provided, and a recovery robot for recovering the substrate from the second substrate holder is provided in one of the vacuum chambers of the second group. Have
In order to solve the above-mentioned problem, an invention of an inline-type substrate processing apparatus according to claim 6 is the configuration of claim 5, wherein any one of the vacuum chambers of the first group is attached to the first substrate holder. A load-lock chamber that is opened to the atmosphere when a substrate is mounted, and the mounting robot is provided in the load-lock chamber, and any one of the second group of vacuum chambers is the second substrate The unload lock chamber is opened to the atmosphere when the substrate is recovered from the holder, and the recovery robot is provided in the unload lock chamber.
In order to solve the above-mentioned problem, an invention of an inline-type substrate processing apparatus according to claim 7 is the configuration according to any one of claims 1 to 6, wherein another vacuum chamber is disposed on the third transport path. The another vacuum chamber is configured to be airtightly connected to one of the vacuum chambers of the first group and to be airtightly connected to one of the vacuum chambers of the second group.
In order to solve the above problem, an invention of an inline-type substrate processing apparatus according to an eighth aspect of the present invention is the configuration according to any one of the first to seventh aspects, wherein the first substrate holder is disposed on the third transport path. A transfer robot for removing the substrate and mounting it on the second substrate holder is provided.

以下に説明する通り、本願発明によれば、第一の基板保持具から取り外された基板が第三の搬送路に沿って大気に取り出されることなく真空中で搬送されて第二の基板保持具に移載されるので、装置全体の占有面積をそれほど増大させることなく、より多くの真空チャンバーを増設できる。このため、より多くの処理を真空中で一貫して行うようにする場合、非常に適したものとなる。   As will be described below, according to the present invention, the substrate removed from the first substrate holder is transported in vacuum along the third transport path without being taken out to the atmosphere, so that the second substrate holder Therefore, a larger number of vacuum chambers can be added without significantly increasing the occupation area of the entire apparatus. For this reason, it becomes very suitable when performing more processes consistently in a vacuum.

以下、本願発明の実施の形態について説明する。以下では、磁気ディスク製造装置の発明の各実施形態が説明されるが、これらの実施形態は、本願発明のインライン式基板処理装置の実施形態でもある。図1は、第一の実施形態に係る磁気記録ディスク製造装置の平面概略図であり、本願発明の実施形態に係るインライン型基板処理装置の平面概略図でもある。図1に示す磁気記録ディスク製造装置の一番目の大きな特徴点は、記録層の形成などの前工程と、潤滑層の形成などの後工程とが、一つの装置で行えるようになっている点である。また、図1に示す磁気記録ディスク製造装置の二番目の大きな特徴点は、記録層の形成工程から潤滑層の形成工程までを含む各工程が基板9を大気に取り出すことなく真空中で一貫して行えるようになっている点である。   Embodiments of the present invention will be described below. In the following, embodiments of the invention of the magnetic disk manufacturing apparatus will be described, but these embodiments are also embodiments of the inline-type substrate processing apparatus of the present invention. FIG. 1 is a schematic plan view of the magnetic recording disk manufacturing apparatus according to the first embodiment, and is also a schematic plan view of the inline-type substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. The first major characteristic point of the magnetic recording disk manufacturing apparatus shown in FIG. 1 is that a pre-process such as the formation of a recording layer and a post-process such as the formation of a lubricating layer can be performed with one apparatus. It is. The second major feature of the magnetic recording disk manufacturing apparatus shown in FIG. 1 is that each process including the recording layer forming process to the lubricating layer forming process is consistently performed in a vacuum without taking the substrate 9 into the atmosphere. It is a point that can be done.

具体的に説明すると、まず、図1に示す装置は、複数の真空チャンバー10〜17,20〜29を基板9の搬送路1,2に沿って並べたインライン型の装置になっている。各真空チャンバー10〜17,20〜29は、専用又は兼用の排気系(図1中不図示)によって排気される気密な容器である。各真空チャンバー10〜17,20〜29の境界部分には、ゲートバルブ4が設けられている。   More specifically, first, the apparatus shown in FIG. 1 is an inline-type apparatus in which a plurality of vacuum chambers 10 to 17 and 20 to 29 are arranged along the transport paths 1 and 2 of the substrate 9. Each of the vacuum chambers 10 to 17 and 20 to 29 is an airtight container that is evacuated by a dedicated or dual-purpose exhaust system (not shown in FIG. 1). A gate valve 4 is provided at the boundary between the vacuum chambers 10 to 17 and 20 to 29.

複数の真空チャンバー10〜17,20〜29は、第一の方形な搬送路(以下、第一搬送路)1に沿って並べられた第一のグループ10〜17と、第二の方形な搬送路(以下、第二搬送路)2に沿って並べられた第二のグループ20〜29に分けられる。そして、第一搬送路1と、第二搬送路2とをつなぐようにして第三搬送路3が設定されており、この第三搬送路3上にも一つの真空チャンバー31が設けられている。この第三搬送路3上の真空チャンバー31は、第一のグループの真空チャンバーの一つ16と、第二のグループの真空チャンバーの一つ21とに対して気密に接続されたものであり、第一搬送路1から第二搬送路2へ基板9が大気に取り出されることなく搬送されるようにするものである。第一のグループの真空チャンバーでは、主に下地膜の作成から保護膜の作成までの工程が行われる。また、第二のグループの真空チャンバーでは、保護膜作成の後の潤滑層形成までの工程が主に行われる。   The plurality of vacuum chambers 10 to 17 and 20 to 29 include a first group 10 to 17 arranged along a first square conveyance path (hereinafter referred to as a first conveyance path) 1 and a second square conveyance. Divided into second groups 20 to 29 arranged along a path (hereinafter referred to as second transport path) 2. And the 3rd conveyance path 3 is set so that the 1st conveyance path 1 and the 2nd conveyance path 2 may be connected, and the one vacuum chamber 31 is provided also on this 3rd conveyance path 3. FIG. . The vacuum chamber 31 on the third transfer path 3 is hermetically connected to one of the first group of vacuum chambers 16 and one of the second group of vacuum chambers 21. The substrate 9 is transported from the first transport path 1 to the second transport path 2 without being taken out to the atmosphere. In the vacuum chamber of the first group, processes from the formation of the base film to the formation of the protective film are mainly performed. Further, in the second group of vacuum chambers, the steps from the formation of the protective film to the formation of the lubricating layer are mainly performed.

第一第二第三搬送路1,2,3を通して基板9を搬送する搬送系の構成について、以下に説明する。搬送系は、基板9を保持する基板保持具51を第一搬送路1に沿って周回させる第一周回機構と、第一搬送路1上の基板保持具(以下、第一基板保持具)51に基板9を搭載する搭載用ロボット61と、基板9を保持する別の基板保持具52を第二搬送路2に沿って周回させる第二周回機構と、第二搬送路2上の基板保持具(以下、第二基板保持具)52から基板9を回収する回収用ロボット62と、第一基板保持具51から基板9を取り外して第二基板保持具52に搭載する移載ロボット63とから主に構成されている。   The configuration of the transport system that transports the substrate 9 through the first, second, and third transport paths 1, 2, and 3 will be described below. The transport system includes a first circulation mechanism that circulates the substrate holder 51 that holds the substrate 9 along the first transport path 1, and a substrate holder on the first transport path 1 (hereinafter referred to as a first substrate holder). 51, a mounting robot 61 for mounting the substrate 9 on the substrate 51, a second rotating mechanism for rotating another substrate holder 52 for holding the substrate 9 along the second transport path 2, and substrate holding on the second transport path 2 A recovery robot 62 that recovers the substrate 9 from the tool (hereinafter referred to as second substrate holder) 52, and a transfer robot 63 that removes the substrate 9 from the first substrate holder 51 and mounts it on the second substrate holder 52. It is mainly composed.

搭載用ロボット61、回収用ロボット62、及び移載用ロボット63は、基本的に同じ構成であり、先端に基板9を保持する多関節アームを備えたロボットである。第一第二基板保持具51,52は、共に同じ構成の部材である。また、第一周回機構及び第二周回機構も、基本的には共に同じ構成の機構である。以下、一例として、第一基板保持具51及び第一周回機構の構成について説明する。   The mounting robot 61, the collection robot 62, and the transfer robot 63 are basically the same configuration, and are robots having a multi-joint arm that holds the substrate 9 at the tip. The first second substrate holders 51 and 52 are members having the same configuration. Also, the first circulator mechanism and the second circulator mechanism are basically mechanisms having the same configuration. Hereinafter, the structure of the 1st board | substrate holder 51 and a 1st rotation mechanism is demonstrated as an example.

第一周回機構は、第一保持具51を第一搬送路1上で直線移動させる直線移動機構と、第一基板保持具51の搬送の向きを転換する方向転換機構とから主に構成されている。第一基板保持具51及び直線移動機構の構成について、図2及び図3を使用して説明する。図2及び図3は、図1に示す装置における第一基板保持具51及び直線移動機構の構成を示す図であり、図2はその正面概略図、図3は側断面概略図である。   The first circulation mechanism mainly includes a linear movement mechanism that linearly moves the first holder 51 on the first conveyance path 1 and a direction changing mechanism that changes the conveyance direction of the first substrate holder 51. ing. The configurations of the first substrate holder 51 and the linear movement mechanism will be described with reference to FIGS. 2 and 3 are views showing the configuration of the first substrate holder 51 and the linear movement mechanism in the apparatus shown in FIG. 1, FIG. 2 is a schematic front view thereof, and FIG. 3 is a schematic side sectional view thereof.

第一基板保持具51は、板状の保持具本体511と、保持具本体511に取り付けられた保持爪512とから主に構成されている。保持爪512は合計で八つ設けられており、四つが一組となって一枚の基板9を保持する。従って、第一基板保持具51は同時に二枚の基板9を保持するようになっている。保持具本体511は、図2に示すように、基板9より少し大きなほぼ円形の開口を二つ有している。各四つの保持爪12は、ほぼ円形の開口を挟んで二つずつ両側に設けられており、基板9を側縁で挟み込むようにして保持するようになっている。   The first substrate holder 51 is mainly composed of a plate-like holder body 511 and a holding claw 512 attached to the holder body 511. A total of eight holding claws 512 are provided, and the four holding claws 512 form a set to hold one substrate 9. Therefore, the first substrate holder 51 is configured to hold two substrates 9 at the same time. As shown in FIG. 2, the holder body 511 has two substantially circular openings that are slightly larger than the substrate 9. Each of the four holding claws 12 is provided on both sides of the substantially circular opening, and holds the substrate 9 so as to be sandwiched between the side edges.

具体的には、保持具本体511のほぼ円形の開口の両側から下方に延びる別の開口を有しており、この開口内にはほぼ垂直に延びるようにして一対の板バネ514が設けられている。各板バネ514の先端には、爪取付具515が固定されている。各爪取付具515は、図2に示すように、ほぼ台形状の板材であり、上下に位置する面に各々保持爪512をねじ止めによって固定している。尚、各保持爪512の先端は、V字状になっている。そして、基板9の縁がこのV字状の先端に落とし込まれるようになっている。   Specifically, another opening extending downward from both sides of the substantially circular opening of the holder body 511 is provided, and a pair of leaf springs 514 are provided in the opening so as to extend substantially vertically. Yes. A claw attachment 515 is fixed to the tip of each leaf spring 514. As shown in FIG. 2, each claw attachment 515 is a substantially trapezoidal plate material, and holding claws 512 are fixed to the upper and lower surfaces by screwing. Note that the tip of each holding claw 512 is V-shaped. And the edge of the board | substrate 9 is dropped into this V-shaped front-end | tip.

また、各ロボット61,62,63は、保持具本体511のほぼ円形の開口から遠ざかるようにして一対の板バネ514をその弾性に逆らって押し広げる一対のレバー60を備えている。基板9を第一基板保持具51に搭載する際には、一対のレバー60によって両側の板バネ514を押し広げ、基板9を保持具本体511のほぼ円形の開口内に位置させる。そして、レバー60を戻して板バネ514をその弾性によって元の姿勢に復帰させる。この結果、基板9が四つの保持爪512によって係止される。同様にして、もう一枚の基板9を別の四つの保持爪512によって係止すると、二枚の基板9が第一基板保持具51によって保持された状態となる。第一基板保持具51から基板9を取り外す場合には、これと全く逆の動作となる。   Each of the robots 61, 62, and 63 includes a pair of levers 60 that spread the pair of leaf springs 514 against the elasticity so as to move away from the substantially circular opening of the holder body 511. When the substrate 9 is mounted on the first substrate holder 51, the leaf springs 514 on both sides are pushed and spread by the pair of levers 60, and the substrate 9 is positioned in the substantially circular opening of the holder body 511. Then, the lever 60 is returned to return the leaf spring 514 to its original posture by its elasticity. As a result, the substrate 9 is locked by the four holding claws 512. Similarly, when another substrate 9 is locked by another four holding claws 512, the two substrates 9 are held by the first substrate holder 51. When the substrate 9 is removed from the first substrate holder 51, the operation is completely opposite.

また、図2に示すように、第一基板保持具51の下端部には小さな磁石(以下、保持具側磁石)513を多数備えている。各保持具側磁石513は、上下の面に磁極を有している。そしてこの保持具側磁石513は、図2に示すように、配列方向に交互に逆の磁極になっている。また、第一基板保持具51の下側には、隔壁70を挟んで磁気結合ローラ711が設けられている。磁気結合ローラ711は丸棒状の部材であり、図2に示すように、螺旋状に延びる細長い磁石(以下、ローラ側磁石)712を有している。このローラ側磁石712は互いに異なる磁極で二つ設けられており、二重螺旋状になっている。   As shown in FIG. 2, a plurality of small magnets (hereinafter referred to as “holder-side magnets”) 513 are provided at the lower end portion of the first substrate holder 51. Each holder side magnet 513 has magnetic poles on the upper and lower surfaces. As shown in FIG. 2, the holder side magnet 513 has magnetic poles that are alternately reversed in the arrangement direction. A magnetic coupling roller 711 is provided below the first substrate holder 51 with the partition wall 70 interposed therebetween. The magnetic coupling roller 711 is a round bar-like member, and has an elongated magnet (hereinafter referred to as a roller-side magnet) 712 that extends in a spiral shape as shown in FIG. Two roller side magnets 712 are provided with different magnetic poles, and have a double spiral shape.

磁気結合ローラ711は、ローラ側磁石712が隔壁70を挟んで保持具側磁石513に向かい合うよう配置されている。隔壁70は、透磁率の高い材料で形成されており、保持具側磁石513とローラ側磁石712とは、隔壁70を通して磁気結合している。尚、隔壁70の第一基板保持具51側の空間は真空側(各真空チャンバーの内部側)であり、磁気結合ローラ711側の空間は大気側である。このような磁気結合ローラ711は、図1に示す方形の第一搬送路1に沿って設けられている。   The magnetic coupling roller 711 is arranged so that the roller side magnet 712 faces the holder side magnet 513 with the partition wall 70 interposed therebetween. The partition wall 70 is made of a material having high magnetic permeability, and the holder side magnet 513 and the roller side magnet 712 are magnetically coupled through the partition wall 70. The space on the first substrate holder 51 side of the partition wall 70 is on the vacuum side (inside of each vacuum chamber), and the space on the magnetic coupling roller 711 side is on the atmosphere side. Such a magnetic coupling roller 711 is provided along the rectangular first conveyance path 1 shown in FIG.

また、図3に示すように、第一基板保持具51は、水平な回転軸の回りに回転する主プーリ714の上に載せられている。主プーリ714は、第一基板保持具51の移動方向に沿って多数設けられている。また、第一基板保持具51の下端部分には、垂直な回転軸の回りに回転する一対の副プーリ715,715が当接している。この副プーリ715,715は、第一基板保持具51の下端部分を両側から挟むように押さえて第一基板保持具51の転倒を防止している。この副プーリ715,715も第一基板保持具51の移動方向に多数設けられている。   As shown in FIG. 3, the first substrate holder 51 is placed on a main pulley 714 that rotates about a horizontal rotation axis. A large number of main pulleys 714 are provided along the moving direction of the first substrate holder 51. In addition, a pair of sub pulleys 715 and 715 that rotate around a vertical rotation axis are in contact with the lower end portion of the first substrate holder 51. The sub pulleys 715 and 715 hold down the lower end portion of the first substrate holder 51 from both sides to prevent the first substrate holder 51 from overturning. A large number of the sub pulleys 715 and 715 are also provided in the moving direction of the first substrate holder 51.

図3に示すように、磁気結合ローラ711には傘歯車を介して駆動棒716が連結されている。そして、駆動棒716には移動用モータ717が接続されており、駆動棒716を介して磁気結合ローラ711をその中心軸の周りに回転させるようになっている。磁気結合ローラ711が回転すると、図2に示す二重螺旋状のローラ側磁石712も回転する。この際、ローラ側磁石712が回転する状態は、保持具側磁石513から見ると、交互に異なる磁極の複数の小さな磁石が一列に並んでその並びの方向に沿って一体に直線移動しているのと等価な状態となる。従って、ローラ側磁石712に結合している保持具側磁石513は、ローラ側磁石712の回転とともに直線移動し、この結果、第一基板保持具51が全体に直線移動することになる。この際、図3に示す主プーリ714及び副プーリ715,715は従動する。   As shown in FIG. 3, a drive rod 716 is connected to the magnetic coupling roller 711 via a bevel gear. A driving motor 717 is connected to the drive rod 716, and the magnetic coupling roller 711 is rotated around its central axis via the drive rod 716. When the magnetic coupling roller 711 rotates, the double spiral roller side magnet 712 shown in FIG. 2 also rotates. At this time, when the roller-side magnet 712 is rotated, when viewed from the holder-side magnet 513, a plurality of small magnets having alternately different magnetic poles are arranged in a line and linearly move along the direction of the alignment. Is equivalent to. Accordingly, the holder-side magnet 513 coupled to the roller-side magnet 712 moves linearly as the roller-side magnet 712 rotates, and as a result, the first substrate holder 51 moves linearly as a whole. At this time, the main pulley 714 and the sub pulleys 715 and 715 shown in FIG. 3 are driven.

図1に示す構成において、第一第二搬送路1,2の各々角の部分に設けられた真空チャンバーは、基板9の搬送方向を90度転換する方向転換機構を備えた方向転換チャンバー17,29になっている。図4を使用して、一例として方向転換チャンバー17に備えられた方向転換機構の構成について説明する。図4は、図1に示す方向転換チャンバー17に備えられた方向転換機構の構成を示す側面概略図である。図4に示す方向転換機構は、上述した構成と同様の磁気結合ローラ(図4中不図示)等を含む直線移動機構を全体に保持した保持体721と、この保持体721を回転させて直線移動機構全体を回転させる回転用モータ722とから主に構成されている。   In the configuration shown in FIG. 1, the vacuum chambers provided at the corners of the first and second transport paths 1 and 2 each include a direction changing chamber 17 including a direction changing mechanism that changes the transport direction of the substrate 9 by 90 degrees. 29. As an example, the configuration of the direction changing mechanism provided in the direction changing chamber 17 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic side view showing the configuration of the direction changing mechanism provided in the direction changing chamber 17 shown in FIG. The direction changing mechanism shown in FIG. 4 includes a holding body 721 that holds a linear movement mechanism including a magnetic coupling roller (not shown in FIG. 4) similar to the above-described configuration, and a straight line by rotating the holding body 721. It is mainly composed of a rotation motor 722 that rotates the entire moving mechanism.

まず、図4中不図示の磁気結合ローラの軸には、駆動棒716が傘歯車等の運動転換機構を介して連結されている。この駆動棒716の後端には、図4に示すように別の傘歯車723が設けられている。この別の傘歯車723には、鉛直な姿勢の動力伝達棒724が連結されている。即ち、動力伝達棒724の先端には傘歯車725が設けられて駆動棒716の後端の傘歯車723に螺合している。動力伝達棒724の後端は、移動用モータ717の出力軸が連結されている。   First, a drive rod 716 is connected to a shaft of a magnetic coupling roller (not shown in FIG. 4) via a motion conversion mechanism such as a bevel gear. As shown in FIG. 4, another bevel gear 723 is provided at the rear end of the drive rod 716. A power transmission rod 724 having a vertical posture is connected to the other bevel gear 723. That is, a bevel gear 725 is provided at the front end of the power transmission rod 724 and is screwed to the bevel gear 723 at the rear end of the drive rod 716. The output shaft of the moving motor 717 is connected to the rear end of the power transmission rod 724.

一方、方向転換機構を構成する保持体721は、円柱状又は円筒状の部材であり、その軸方向を鉛直にして配置されている。保持体721は、図4に示すように、鉛直方向に長い貫通孔を有し、この貫通孔に挿通された状態で上記動力伝達棒724が配置されている。貫通孔の内面と動力伝達棒724との間の間隙部分には、ベアリング725が配置され、動力伝達棒724の回転を許容しつつ貫通孔の部分に動力伝達棒724を保持している。   On the other hand, the holding body 721 constituting the direction changing mechanism is a columnar or cylindrical member and is arranged with its axial direction vertical. As shown in FIG. 4, the holding body 721 has a long through hole in the vertical direction, and the power transmission rod 724 is arranged in a state of being inserted through the through hole. A bearing 725 is disposed in a gap portion between the inner surface of the through hole and the power transmission rod 724, and the power transmission rod 724 is held in the through hole while allowing the power transmission rod 724 to rotate.

上記保持体721は、より大きな径のほぼ円筒状の保持具カバー726の内側に配置されている。この保持具カバー726は、内側に保持体721を収納して保持するとともに方向転換機構が配置された方向転換チャンバー17,29の底板部分727に取り付けられている。即ち、方向転換チャンバー17,29の底板部分727には、保持具カバー726の外径に適合する大きさの円形の開口を有し、この開口に保持具カバー726をはめ込んで固定している。保持具カバー726と底板部分727との接触面にはOリング等のシール材が設けられている。   The holding body 721 is disposed inside a substantially cylindrical holder cover 726 having a larger diameter. The holder cover 726 is attached to the bottom plate portion 727 of the direction changing chambers 17 and 29 in which the holding body 721 is housed and held and the direction changing mechanism is disposed. That is, the bottom plate portion 727 of the direction change chambers 17 and 29 has a circular opening having a size that fits the outer diameter of the holder cover 726, and the holder cover 726 is fitted and fixed to the opening. A sealing material such as an O-ring is provided on the contact surface between the holder cover 726 and the bottom plate portion 727.

また、保持具カバー726とその内側の保持体721との間の間隙には、上下に並べて設けた四つのベアリング729と、上側の二つのベアリング729の間に挟み込むようにして設けたメカニカルシール728とが設けられている。メカニカルシール728は、保持体721の回転を許容しつつ保持体721と保持具カバー726との間の間隙を真空シールするためのものであり、磁性流体を使用したシール機構等が好適に使用できる。   Further, in the gap between the holder cover 726 and the inner holding body 721, a mechanical seal 728 is provided so as to be sandwiched between four bearings 729 arranged vertically and the two upper bearings 729. And are provided. The mechanical seal 728 is for vacuum-sealing the gap between the holding body 721 and the holder cover 726 while allowing the holding body 721 to rotate, and a sealing mechanism using a magnetic fluid can be suitably used. .

また一方、保持体721の下面にはプーリ取付具730が設けられており、このプーリ取付具730の下端に保持具側プーリ731が固定されている。保持具側プーリ731は、保持体721の中心軸と同心状に配置されたものである。さらに、保持具側プーリ731と同じ高さの位置には、モータ側プーリ732が配置されている。このモータ側プーリ732には、上方に突出させた回転用モータ722の出力軸が連結されている。また、モータ側プーリ732と保持具側プーリ731とを連結するようにして、ベルト733が張架されている。具体的には、保持具側プーリ731及びモータ側プーリ732はタイミングプーリから構成され、ベルトはタイミングベルトから構成されている。   On the other hand, a pulley fixture 730 is provided on the lower surface of the holder 721, and a holder-side pulley 731 is fixed to the lower end of the pulley fixture 730. The holder side pulley 731 is arranged concentrically with the central axis of the holder 721. Further, a motor-side pulley 732 is disposed at the same height as the holder-side pulley 731. The motor-side pulley 732 is connected to an output shaft of a rotation motor 722 that protrudes upward. Further, a belt 733 is stretched so as to connect the motor side pulley 732 and the holder side pulley 731. Specifically, the holder-side pulley 731 and the motor-side pulley 732 are constituted by timing pulleys, and the belt is constituted by a timing belt.

また、保持体721の上面には、図4に示すような保持枠734が固定されている。保持枠734は、図2に示す第一基板保持具51や磁気結合ローラ711等を全体に保持するためのものである。保持枠734の下側部分の先端には、図4に示すように支柱735が数本配置されており、この支柱681によって前述した主プーリ714や一対の副プーリ715,715が保持されている。そして、保持枠734と保持体721との間は真空シールされており、保持枠734の内部からの方向転換チャンバー17内のリークを防止している。   Further, a holding frame 734 as shown in FIG. 4 is fixed to the upper surface of the holding body 721. The holding frame 734 is for holding the first substrate holder 51, the magnetic coupling roller 711 and the like shown in FIG. 2 as a whole. As shown in FIG. 4, several support columns 735 are arranged at the tip of the lower portion of the holding frame 734, and the main pulley 714 and the pair of sub pulleys 715 and 715 are held by the support columns 681. . The space between the holding frame 734 and the holding body 721 is vacuum-sealed to prevent leakage in the direction change chamber 17 from the inside of the holding frame 734.

このような方向転換チャンバー17の方向転換機構の動作について説明する。まず、移動用モータ717が駆動されると、動力伝達棒724及び駆動棒716を介して図4中不図示の磁気結合ローラに回転駆動が伝達され、磁気結合ローラが回転する。これによって、上方の第一基板保持具51が直線移動する。   The operation of the direction changing mechanism of the direction changing chamber 17 will be described. First, when the moving motor 717 is driven, the rotational drive is transmitted to the magnetic coupling roller (not shown in FIG. 4) via the power transmission rod 724 and the driving rod 716, and the magnetic coupling roller rotates. As a result, the upper first substrate holder 51 moves linearly.

第一基板保持具51が移動して方向転換チャンバー17内の所定位置に達すると、回転用モータ722が駆動される。回転用モータ722の動力は、モータ側プーリ732からベルト733によって保持具側プーリ731に伝えられ、保持具側プーリ731を回転させる。これによって、上方の保持体721が回転し、保持体721上に保持されていた直線移動機構が全体に回転する。この結果、第一基板保持具51も回転する。回転角度が90度に達すると回転用モータ722は駆動を停止し、第一基板保持具51の回転も停止する。これによって、第一基板保持具51の搬送の向きが90度曲げられる。   When the first substrate holder 51 moves and reaches a predetermined position in the direction changing chamber 17, the rotation motor 722 is driven. The power of the rotation motor 722 is transmitted from the motor-side pulley 732 to the holder-side pulley 731 by the belt 733 and rotates the holder-side pulley 731. As a result, the upper holding body 721 rotates, and the linear movement mechanism held on the holding body 721 rotates as a whole. As a result, the first substrate holder 51 also rotates. When the rotation angle reaches 90 degrees, the rotation motor 722 stops driving, and the rotation of the first substrate holder 51 also stops. As a result, the direction of conveyance of the first substrate holder 51 is bent by 90 degrees.

その後、所定の制御信号を受けた後さらに直線移動機構が駆動され、90度曲げられた第一搬送路1に沿って第一基板保持具51を移動させ、次の真空室チャンバーまで第一基板保持具51を搬送させる。従って、曲げられた後の第一搬送路1においても、基板91の板面は搬送方向の側方に向くようになっている。上記方向転換機構の構成において、90度等の所定角度の回転の制御は、回転用モータ722の制御によって行っても良いし、保持体721が所定角度回転したのを検出する不図示のセンサ機構等によって行ってもよい。   Thereafter, after receiving a predetermined control signal, the linear moving mechanism is further driven to move the first substrate holder 51 along the first transport path 1 bent by 90 degrees, and the first substrate to the next vacuum chamber. The holder 51 is conveyed. Therefore, also in the 1st conveyance path 1 after being bent, the plate | board surface of the board | substrate 91 faces the side of a conveyance direction. In the configuration of the direction changing mechanism, the rotation at a predetermined angle such as 90 degrees may be controlled by the control of the motor 722 for rotation, or a sensor mechanism (not shown) that detects that the holding body 721 has rotated a predetermined angle. Etc. may be performed.

次に、第一第二のグループの真空チャンバーの構成について説明する。まず、第一のグループの真空チャンバーについて説明する。第一のグループの真空チャンバーは、大気側から基板9を搬入する際に基板9が一時的に滞留するチャンバーであるロードロックチャンバー11と、ロードロックチャンバー11の次に基板9が搬送されるチャンバーであるプリヒートチャンバー12と、プリヒートチャンバー12の次に基板9が搬送されるチャンバーである下地膜作成チャンバー13と、下地膜作成チャンバー13の次に基板9が搬送されるチャンバーである磁性膜作成チャンバー14と、磁性膜作成チャンバー14の次に基板9が搬送されるチャンバーである保護膜作成チャンバー15と、第二搬送路2に基板9が搬送される際に一時的に基板9が滞留するチャンバーである第一中継チャンバー16と、方向転換チャンバー17と、補助真空チャンバー10とから成っている。   Next, the configuration of the vacuum chambers of the first and second groups will be described. First, the first group of vacuum chambers will be described. The first group of vacuum chambers includes a load lock chamber 11 that is a chamber in which the substrate 9 temporarily stays when the substrate 9 is loaded from the atmosphere side, and a chamber in which the substrate 9 is transferred next to the load lock chamber 11. A preheat chamber 12, a base film forming chamber 13 that is a chamber to which the substrate 9 is transferred next to the preheat chamber 12, and a magnetic film forming chamber that is a chamber to which the substrate 9 is transferred next to the base film forming chamber 13 14, a protective film forming chamber 15 that is a chamber in which the substrate 9 is transferred next to the magnetic film forming chamber 14, and a chamber in which the substrate 9 is temporarily retained when the substrate 9 is transferred to the second transfer path 2. A first relay chamber 16, a direction changing chamber 17, and an auxiliary vacuum chamber 10. That.

ロードロックチャンバー11には、搭載用ロボット61が設けられている。搭載用ロボット61は、大気側であるロードステーションに配置された搭載用カセット611から基板9を一枚ずつ取り出して、第一基板保持具51に基板9を搭載するものである。プリヒートチャンバー12は、基板9を加熱して基板9の表面又は内部のガスを予め放出させるものである。プリヒートチャンバー12は、輻射加熱ランプによって基板9を所定の温度まで加熱するよう構成される。   A load robot 61 is provided in the load lock chamber 11. The mounting robot 61 takes out the substrates 9 one by one from the mounting cassette 611 disposed in the load station on the atmosphere side, and mounts the substrates 9 on the first substrate holder 51. The preheat chamber 12 heats the substrate 9 to release the gas on the surface or inside of the substrate 9 in advance. The preheat chamber 12 is configured to heat the substrate 9 to a predetermined temperature by a radiation heating lamp.

下地膜作成チャンバー13及び磁性膜作成チャンバー14は、ともにスパッタリングにより所定の薄膜を作成するようになっている。一例として、磁性膜作成チャンバー14の構成について、図5を使用して説明する。図5は、図1に示す磁性膜作成チャンバー14の構成を示す平面概略図である。   Both the base film forming chamber 13 and the magnetic film forming chamber 14 are designed to form a predetermined thin film by sputtering. As an example, the configuration of the magnetic film creation chamber 14 will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic plan view showing the configuration of the magnetic film forming chamber 14 shown in FIG.

磁性膜作成チャンバー14は、内部を排気する排気系141と、内部にプロセスガスを導入するガス導入系142と、内部の空間に被スパッタ面を露出させて設けたターゲット143と、ターゲットにスパッタ放電用の電圧を印加するスパッタ電源144と、マグネトロンスパッタリングを行うためにターゲット143の背後に設けられた磁石機構145とから主に構成されている。   The magnetic film creation chamber 14 includes an exhaust system 141 that exhausts the interior, a gas introduction system 142 that introduces a process gas into the interior, a target 143 that is provided with the surface to be sputtered exposed in the interior space, and a sputter discharge on the target. A sputtering power supply 144 for applying a voltage for the above and a magnet mechanism 145 provided behind the target 143 for performing magnetron sputtering are mainly configured.

ガス導入系142によってプロセスガスを導入しながら排気系141によって磁性膜作成チャンバー14内を所定の圧力に保ち、この状態でスパッタ電源144を動作させる。この結果、スパッタ放電が生じてターゲット143がスパッタされ、スパッタされたターゲット143の材料が基板9に達して基板9の表面に所定の磁性膜が作成される。   While the process gas is being introduced by the gas introduction system 142, the inside of the magnetic film forming chamber 14 is maintained at a predetermined pressure by the exhaust system 141, and the sputtering power supply 144 is operated in this state. As a result, sputtering discharge occurs, the target 143 is sputtered, the material of the sputtered target 143 reaches the substrate 9, and a predetermined magnetic film is formed on the surface of the substrate 9.

保護膜作成チャンバー15は、プラズマ形成手段150を備えており、プラズマCVD(化学蒸着)により保護膜を作成するようになっている。図6は、図1に示す保護膜作成チャンバー15の構成を示す平面概略図である。保護膜作成チャンバー15は、内部を排気する排気系151を備えている。プラズマ形成手段150は、CH等の炭化水素化合物ガスと水素ガスを混合して内部に導入する不図示のプロセスガス導入系152と、プロセスガスに高周波エネルギーを与えてプラズマPを形成する高周波電源153等から構成されている。炭化水素化合物ガスがプラズマP中で分解し、基板9の表面にカーボンの薄膜が堆積するようになっている。基板保持具51を介して基板9に高周波電圧を与え、プラズマPとの相互作用によって基板9に負の直流分の電圧である自己バイアス電圧を与えるよう構成する場合がある。 The protective film creation chamber 15 includes plasma forming means 150, and creates a protective film by plasma CVD (chemical vapor deposition). FIG. 6 is a schematic plan view showing the configuration of the protective film forming chamber 15 shown in FIG. The protective film creation chamber 15 includes an exhaust system 151 that exhausts the inside. The plasma forming means 150 includes a process gas introduction system 152 (not shown) that mixes and introduces a hydrocarbon compound gas such as CH 4 and hydrogen gas, and a high-frequency power source that forms plasma P by applying high-frequency energy to the process gas. 153 and the like. The hydrocarbon compound gas is decomposed in the plasma P, and a carbon thin film is deposited on the surface of the substrate 9. There is a case where a high frequency voltage is applied to the substrate 9 through the substrate holder 51 and a self-bias voltage which is a negative DC component voltage is applied to the substrate 9 by interaction with the plasma P.

尚、図1に示すように、本実施形態では、各々二つの下地膜作成チャンバー13と磁性膜作成チャンバー14とが設けられており、一つの下地膜作成チャンバー13、もう一つの下地膜作成チャンバー13、一つの磁性膜作成チャンバー14、もう一つの磁性膜作成チャンバー14の順に基板9が搬送されるようになっている。即ち、下地膜を二層に亘って形成し、その上に、磁性膜を二層に亘って形成するようになっている。尚、下地膜の上に磁性膜を形成したものが二層にわたって積層されるようにする場合もある。下地膜としては例えばCr膜、磁性膜としては例えばCoCrTa膜が作成される。また、保護膜作成チャンバー15が二つ設けられており、最初の保護膜作成チャンバー15で必要な厚さの半分の成膜を行い、次の保護膜作成チャンバー15で残りの半分の厚さの成膜を行うようになっている。   As shown in FIG. 1, in this embodiment, two base film forming chambers 13 and a magnetic film forming chamber 14 are provided, and one base film forming chamber 13 and another base film forming chamber are provided. 13. The substrate 9 is transferred in the order of one magnetic film forming chamber 14 and another magnetic film forming chamber 14. That is, the base film is formed over two layers, and the magnetic film is formed over the two layers thereon. In some cases, a base film with a magnetic film formed thereon is laminated over two layers. For example, a Cr film is formed as the base film, and a CoCrTa film is formed as the magnetic film. In addition, two protective film forming chambers 15 are provided. The first protective film forming chamber 15 forms a half of the required thickness, and the next protective film forming chamber 15 has the remaining half thickness. Film formation is performed.

次に、第二のグループの真空チャンバーの構成について説明する。第二のグループの真空チャンバーは、基板9が搬送される順に、第一搬送路1から第三搬送路3を通って搬送された基板9が一時的に滞留するチャンバーである第二中継チャンバー21、基板9の表面の汚損物質をプラズマアッシングによって除去する第一クリーニングチャンバー22、基板9の表面にガスを噴射して基板9の表面の汚損物質を吹き飛ばすガスブローを行う第二クリーニングチャンバー23、基板9の表面の突起を除去するバーニッシュを行うバーニッシュチャンバー24、潤滑層の形成を行う潤滑層形成チャンバー25、潤滑層形成後に後処理を行う後処理チャンバー26、基板9を冷却する冷却チェンバー27、補助真空チャンバー20、大気側に基板9を搬出する際に基板9が一時的に滞留するチャンバーであるアンロードロックチャンバー28、方向転換チャンバー29となっている。   Next, the configuration of the second group of vacuum chambers will be described. The second group of vacuum chambers is a second relay chamber 21 in which the substrates 9 transported from the first transport path 1 through the third transport path 3 are temporarily retained in the order in which the substrates 9 are transported. A first cleaning chamber 22 that removes contaminants on the surface of the substrate 9 by plasma ashing; a second cleaning chamber 23 that performs gas blowing to blow off the contaminants on the surface of the substrate 9 by jetting a gas onto the surface of the substrate 9; A burnish chamber 24 for performing burnishing to remove protrusions on the surface, a lubrication layer forming chamber 25 for forming a lubrication layer, a post-treatment chamber 26 for performing post-treatment after formation of the lubrication layer, a cooling chamber 27 for cooling the substrate 9, The auxiliary vacuum chamber 20 is an chamber in which the substrate 9 temporarily stays when the substrate 9 is carried out to the atmosphere side. Over-de-lock chamber 28, and has a direction-altering chamber 29.

第一クリーニングチャンバー22は、本実施形態の大きな特徴点の一つとなっている。第一クリーニングチャンバー22の構成について、図7を使用して説明する。図7は、図1に示す第一クリーニングチャンバー22の構成を示す平面概略図である。   The first cleaning chamber 22 is one of the major features of this embodiment. The configuration of the first cleaning chamber 22 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic plan view showing the configuration of the first cleaning chamber 22 shown in FIG.

第一クリーニングチャンバー22は、酸素プラズマによって基板9の表面の汚損物質をアッシング(灰化)するようになっている。第一クリーニングチャンバー22の構成は、ガス導入系222が酸素ガスを導入するものである以外は、図6に示す保護膜作成チャンバー15とほぼ同様である。即ち、第一クリーニングチャンバー22は、基板9の両側に位置する一対の高周波電極223と、高周波電極223に高周波電圧を与えてプラズマPを形成する高周波電源224とを備えている。   The first cleaning chamber 22 is configured to ash (ash) the pollutant on the surface of the substrate 9 by oxygen plasma. The configuration of the first cleaning chamber 22 is substantially the same as that of the protective film forming chamber 15 shown in FIG. 6 except that the gas introduction system 222 introduces oxygen gas. That is, the first cleaning chamber 22 includes a pair of high-frequency electrodes 223 located on both sides of the substrate 9 and a high-frequency power source 224 that applies a high-frequency voltage to the high-frequency electrodes 223 to form plasma P.

高周波電極223は内部が中空であり、基板9を臨む面にガス吹き出し孔を多数有している。ガス導入系222は、高周波電極223内を経由して第一クリーニングチャンバー22内に酸素ガスを導入するようになっている。尚、ガス導入系222は、バッファ用のガスや放電特性を改善するためのガスを酸素に添加して導入する場合がある。   The high-frequency electrode 223 is hollow inside and has a large number of gas blowing holes on the surface facing the substrate 9. The gas introduction system 222 introduces oxygen gas into the first cleaning chamber 22 via the high frequency electrode 223. The gas introduction system 222 may introduce a buffer gas or a gas for improving discharge characteristics by adding to oxygen.

前述した保護膜作成チャンバー15で保護膜が作成された基板9の表面には、カーボン又はハイドロカーボンより成る汚損物質が基板9の表面に付着していることがある。これは、以下のような原因による。   A fouling substance made of carbon or hydrocarbon may adhere to the surface of the substrate 9 on the surface of the substrate 9 on which the protective film is formed in the protective film forming chamber 15 described above. This is due to the following causes.

カーボンの付着は、主に、保護膜作成チャンバー15の浮遊パーティクルに起因している。即ち、保護膜作成チャンバー15内では、基板9の表面のみならず、保護膜作成チャンバー15内の構造物の表面や第一基板保持具51の表面等にも薄膜(カーボン膜)が堆積する。これらの薄膜は、ある程度の厚さに堆積すると、内部応力等によって剥離する。この剥離した破片は、パーティクルとなって保護膜作成チャンバー15内を浮遊する。この浮遊パーティクルが基板9の表面に付着すると、潤滑層形成の際にこの付着点での潤滑剤の濡れ性(接触性)を悪化させたり、保護膜作成の際に異常成長を生じさせて基板9の表面に微小な突起を形成したりすることがある。   The adhesion of carbon is mainly caused by floating particles in the protective film forming chamber 15. That is, in the protective film forming chamber 15, a thin film (carbon film) is deposited not only on the surface of the substrate 9 but also on the surface of the structure in the protective film forming chamber 15 and the surface of the first substrate holder 51. When these thin films are deposited to a certain thickness, they peel off due to internal stress or the like. The peeled debris becomes particles and floats in the protective film forming chamber 15. When these floating particles adhere to the surface of the substrate 9, the wettability (contact property) of the lubricant at the adhesion point is deteriorated during the formation of the lubricating layer, or abnormal growth occurs during the production of the protective film. 9 may be formed on the surface of 9.

また、ハイドロカーボンの付着は、保護膜作成チャンバー15内の残留ガスが影響している。即ち、保護膜は、炭化水素化合物ガスのプラズマ中での分解を利用して作成されるが、保護膜作成チャンバー15内には、未分解の炭化水素化合物ガスが残留しており、この残留ガスが分子又はある程度の大きさのパーティクルとなって基板9の表面に付着することがある。このような分子又はパーティクルが付着していると、やはり、潤滑剤の濡れ性を悪化させたり、潤滑層の特性に悪影響を与えたりすることがある。   Further, the adhesion of the hydrocarbon is influenced by the residual gas in the protective film forming chamber 15. That is, the protective film is formed by utilizing the decomposition of the hydrocarbon compound gas in the plasma, but the undecomposed hydrocarbon compound gas remains in the protective film forming chamber 15, and this residual gas May adhere to the surface of the substrate 9 as molecules or particles of a certain size. If such molecules or particles are adhered, the wettability of the lubricant may be deteriorated or the characteristics of the lubricating layer may be adversely affected.

このような汚損物質が付着した基板9の表面を酸素プラズマに晒すと、酸素プラズマ中で生成される酸素イオン、活性種である単原子酸素分子(O)、又は、活性酸素分子(O )等の作用により、カーボンやハイドロカーボンが急激に酸化され(燃やされ)、二酸化炭素や水等の揮発物となる。これらの揮発物は、第一クリーニングチャンバー22の排気系221によって排気される。このようなアッシングを行うことで、潤滑層の密着性が悪化したり、ディスクの表面の微小な突起により磁気ヘッドの読み取りが阻害されたりする問題が抑制される。 When the surface of the substrate 9 to which such a fouling substance is attached is exposed to oxygen plasma, oxygen ions generated in the oxygen plasma, monoatomic oxygen molecules (O) which are active species, or active oxygen molecules (O 2 * ) And the like, the carbon and hydrocarbon are rapidly oxidized (burned) and become volatiles such as carbon dioxide and water. These volatiles are exhausted by the exhaust system 221 of the first cleaning chamber 22. By performing such ashing, problems such as deterioration of the adhesion of the lubricating layer and obstruction of reading of the magnetic head by minute protrusions on the surface of the disk are suppressed.

アッシングの条件については、慎重な検討が必要である。というのは、あまりアッシングをやり過ぎると、表面の保護膜(カーボン膜)を削ってしまうことになるからである。アッシングの条件について、一例を示すと、以下の通りである。
第一クリーニングチャンバー22内の圧力:1〜2Pa
酸素ガスの流量:100SCCM(SCCMは、0℃一気圧で換算した気体の流量(cm/分)
高周波電力:13.56MHz,50W
基板9の大きさ:直径3.5インチ
上記条件でアッシングを行う場合、0.3秒〜2.0秒程度で汚損物質の充分な除去が行え、また、問題となる保護膜の削れも生じない。尚、50Wを越える高周波電力又は2.0秒を越える時間でアッシングを行うと、保護膜の削れが生じる恐れがある。従って、50W以下の高周波電力及び2.0秒以下の時間でアッシングを行うことが好ましい。
Careful consideration is required for the ashing conditions. This is because, if too much ashing is performed, the protective film (carbon film) on the surface is scraped off. An example of the ashing condition is as follows.
Pressure in the first cleaning chamber 22: 1-2 Pa
Oxygen gas flow rate: 100 SCCM (SCCM is a gas flow rate (cm 3 / min) converted at 1 atm at 0 ° C.)
High frequency power: 13.56MHz, 50W
Substrate 9 size: 3.5 inches in diameter When ashing is performed under the above conditions, the pollutant can be sufficiently removed in about 0.3 to 2.0 seconds, and the problem of protective film scraping occurs. Absent. Note that if ashing is performed at a high frequency power exceeding 50 W or a time exceeding 2.0 seconds, the protective film may be scraped off. Therefore, it is preferable to perform ashing with a high frequency power of 50 W or less and a time of 2.0 seconds or less.

次に、第二クリーニングチャンバー23について説明する。図8は、図1に示す第二クリーニングチャンバー23の構成を示す平面概略図である。第二クリーニングチャンバー23は、内部を排気する排気系231と、基板9の表面にガスを噴射するノズル232を先端に備えたガス導入管233とを備えている。ノズル232は、基板9と平行に設けられた円盤状であり、基板9より少し大きい。また、ノズル232には、前方の基板9に向かってガスを噴射するガス噴射口が多数均等間隔をおいて設けられている。   Next, the second cleaning chamber 23 will be described. FIG. 8 is a schematic plan view showing the configuration of the second cleaning chamber 23 shown in FIG. The second cleaning chamber 23 includes an exhaust system 231 for exhausting the inside, and a gas introduction pipe 233 provided with a nozzle 232 for injecting gas onto the surface of the substrate 9 at the tip. The nozzle 232 has a disk shape provided in parallel with the substrate 9 and is slightly larger than the substrate 9. In addition, the nozzle 232 is provided with a number of gas injection ports for injecting gas toward the front substrate 9 at regular intervals.

ノズル232から基板9の表面にガスが噴射され、基板9の表面に付着している汚損物質が吹き飛ばされるようになっている。第二クリーニングチャンバー23内の圧力は1×10−4〜1×10−5Pa程度、基板9の表面におけるガスの噴射圧力は100Pa程度である。ガスには、アルゴン等の不活性ガス又は窒素等が使用される。また、ガス導入管232につながる不図示の配管上には、汚損物質を取り除くフィルタが設けられることが好ましい。 Gas is jetted from the nozzle 232 onto the surface of the substrate 9, so that the pollutant material adhering to the surface of the substrate 9 is blown away. The pressure in the second cleaning chamber 23 is about 1 × 10 −4 to 1 × 10 −5 Pa, and the gas injection pressure on the surface of the substrate 9 is about 100 Pa. As the gas, an inert gas such as argon or nitrogen is used. Further, it is preferable that a filter for removing the pollutant is provided on a pipe (not shown) connected to the gas introduction pipe 232.

上述したガスブロークリーニングは、大気中で行うことも可能である。しかしながら、大気中で行うと、雰囲気自体の清浄度が真空中に比べて悪いため、クリーニング後も基板9の表面に汚損物質が付着している恐れが真空中で行う場合に比べて高い。尚、プラズマやガスブローによって基板9の表面をクリーニングする構成の他、極細繊維によってクリーニングする構成も採用可能である。即ち、メガネ拭きとして市販されているような0.06デニール程度の極細繊維よりなる布で基板9の表面を擦るようにしてクリーニングしても良い。   The gas blow cleaning described above can also be performed in the atmosphere. However, when performed in the air, the cleanliness of the atmosphere itself is poorer than in vacuum, so that the risk of fouling substances adhering to the surface of the substrate 9 after cleaning is higher than in vacuum. In addition to the configuration in which the surface of the substrate 9 is cleaned by plasma or gas blow, a configuration in which cleaning is performed by using ultrafine fibers can be employed. That is, cleaning may be performed by rubbing the surface of the substrate 9 with a cloth made of ultrafine fibers of about 0.06 denier, which is commercially available for wiping glasses.

次に、バーニッシュチャンバー24について説明する。図9は、図1に示すバーニッシュチャンバー24の構成を示す側面概略図である。図9に示すように、バーニッシュチャンバー24は、内部を排気する排気系241と、基板9を保持して基板9と同軸の回転軸の周りに基板9を回転させる回転機構8と、回転機構8により回転する基板9の表面に押し付けられるバーニッシュテープ242とを備えている。   Next, the burnish chamber 24 will be described. FIG. 9 is a schematic side view showing the configuration of the burnish chamber 24 shown in FIG. As shown in FIG. 9, the burnish chamber 24 includes an exhaust system 241 that exhausts the inside, a rotating mechanism 8 that holds the substrate 9 and rotates the substrate 9 around a rotation axis that is coaxial with the substrate 9, and a rotating mechanism. 8 and a burnish tape 242 pressed against the surface of the substrate 9 rotating.

回転機構8の詳細について、図10を使用して説明する。図10は、図9に示す回転機構8の構成を示す断面概略図である。図10に示すように、回転機構8は、水平に延びる棒状の前後駆動軸81と、前後駆動軸81と同軸に設けられた円筒状の回転駆動軸82と、前後駆動軸81を駆動させる第一前後駆動源83と、回転駆動軸82を駆動させる回転駆動源84と、前後駆動軸81及び回転駆動軸82を全体に前後移動させる第二前後駆動源85から主に構成されている。   Details of the rotation mechanism 8 will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the rotation mechanism 8 shown in FIG. As shown in FIG. 10, the rotating mechanism 8 includes a horizontally extending rod-like front and rear drive shaft 81, a cylindrical rotary drive shaft 82 provided coaxially with the front and rear drive shaft 81, and a first drive shaft 81 that drives the front and rear drive shaft 81. It is mainly composed of one front / rear drive source 83, a rotation drive source 84 for driving the rotary drive shaft 82, and a second front / rear drive source 85 for moving the front / rear drive shaft 81 and the rotary drive shaft 82 back and forth as a whole.

前後駆動軸81の先端には、駆動ヘッド86が設けられている。駆動ヘッド86は、基板9の中央の開口より僅かに小さい円盤状部861と、前後駆動軸81と同軸の円錘面を成すテーパー部862とから形成されている。また、回転駆動軸82の先端には、接触片821が設けられている。接触片821は、基板9を保持する際に基板9の開口の縁に接触する部材である。図11は、図10に示す接触片821の配置位置を示す正面図である。図11に示すように、接触片821は、前後駆動軸81と同軸の円周上に120度ずつ離れて三カ所に配置されている。尚、図10に示すように、各接触片821は、曲面より成る凹部状又はV字状の断面形状となっている。   A driving head 86 is provided at the tip of the front / rear driving shaft 81. The drive head 86 is formed of a disk-shaped portion 861 that is slightly smaller than the central opening of the substrate 9 and a tapered portion 862 that forms a conical surface coaxial with the front and rear drive shaft 81. A contact piece 821 is provided at the tip of the rotation drive shaft 82. The contact piece 821 is a member that contacts the edge of the opening of the substrate 9 when holding the substrate 9. FIG. 11 is a front view showing an arrangement position of the contact piece 821 shown in FIG. As shown in FIG. 11, the contact pieces 821 are arranged at three positions 120 degrees apart on a circumference coaxial with the front-rear drive shaft 81. As shown in FIG. 10, each contact piece 821 has a concave or V-shaped cross section formed of a curved surface.

また、図10に示すように、テーパー部862のテーパー面に接触するようにして被駆動片822が設けられている。被駆動片822と、接触片821とは、連結板824によって連結されている。また、回転駆動軸82の先端面には突起が設けられており、被駆動片822は、コイルスプリング等のバネ部材823を介して突起に固定されている。尚、接触片821は、回転駆動軸82の先端の突起の部分より外側に位置し、先端面上で滑動するようになっている。   In addition, as shown in FIG. 10, a driven piece 822 is provided so as to contact the tapered surface of the tapered portion 862. The driven piece 822 and the contact piece 821 are connected by a connecting plate 824. Further, a protrusion is provided on the distal end surface of the rotary drive shaft 82, and the driven piece 822 is fixed to the protrusion via a spring member 823 such as a coil spring. The contact piece 821 is positioned outside the protrusion at the tip of the rotary drive shaft 82 and slides on the tip surface.

前後駆動軸81は、切断可能なジョイント機構811を介して第一前後運動源83に連結されている。第一前後駆動源83は、サーボモータとボールねじの組み合わせ又はエアシリンダ等の直線運動源である。また、回転駆動源84は、回転駆動軸82の周面に設けられたギヤを介して連結されたモータである。さらに、第二前後駆動源85は、前後駆動軸81、回転駆動軸82、第一前後駆動源83及び回転駆動源84等を保持したフレーム851を移動させてこれらを一体に前後運動させるものである。尚、回転駆動軸82は、メカニカルシール等の真空シールを介してバーニッシュチャンバー24の器壁を気密に貫通している。また、バーニッシュチャンバー23内には、上記回転機構8と連動する不図示のレバーが設けられている。レバーの構成は、前述した各ロボット61,62,63が備えるレバー60と同様である。   The front / rear drive shaft 81 is connected to the first front / rear motion source 83 via a severable joint mechanism 811. The first front-rear drive source 83 is a linear motion source such as a combination of a servo motor and a ball screw or an air cylinder. The rotation drive source 84 is a motor connected via a gear provided on the peripheral surface of the rotation drive shaft 82. Further, the second front / rear drive source 85 moves the frame 851 holding the front / rear drive shaft 81, the rotary drive shaft 82, the first front / rear drive source 83, the rotary drive source 84, etc., and moves them back and forth integrally. is there. The rotary drive shaft 82 penetrates the wall of the burnish chamber 24 in an airtight manner through a vacuum seal such as a mechanical seal. In the burnish chamber 23, a lever (not shown) that interlocks with the rotating mechanism 8 is provided. The configuration of the lever is the same as the lever 60 provided in each of the robots 61, 62, and 63 described above.

一方、図9に示すように、バーニッシュテープ242は、バーニッシュチャンバー24内に設けられた巻装ローラ243に巻かれており、巻装ローラ243から引き出されて使用されるようになっている。バーニッシュチャンバー24内には、使用済みのバーニッシュテープ242を巻き取る巻き取りローラ244が設けられている。巻き取りローラ244は、バーニッシュチャンバー24内に設けられた真空モータ(真空雰囲気内で使用可能なモータ)245によって回転され、使用済みのバーニッシュテープ242を巻き取るようになっている。尚、この巻き取りの動作により、巻装ローラ243が従動回転し、未使用のバーニッシュテープ242が引き出されるようになっている。   On the other hand, as shown in FIG. 9, the burnish tape 242 is wound around a winding roller 243 provided in the burnish chamber 24 and is used by being pulled out of the winding roller 243. . In the burnish chamber 24, a take-up roller 244 for taking up the used burnish tape 242 is provided. The take-up roller 244 is rotated by a vacuum motor (a motor that can be used in a vacuum atmosphere) 245 provided in the burnish chamber 24, and takes up used burnish tape 242. By this winding operation, the winding roller 243 is driven to rotate and the unused burnish tape 242 is pulled out.

また、回転機構8により基板9が保持されて回転する際に、バーニッシュテープ242を基板9に押し付ける押し付け具247が設けられている。押し付け具247には、押し付け具247を駆動する駆動機構87が設けられている。図12は、図9に示す押し付け具247を駆動する駆動機構87の構成を示す側面概略図である。   Further, a pressing tool 247 that presses the burnish tape 242 against the substrate 9 when the substrate 9 is held and rotated by the rotation mechanism 8 is provided. The pressing tool 247 is provided with a drive mechanism 87 that drives the pressing tool 247. 12 is a schematic side view showing the configuration of the drive mechanism 87 that drives the pressing tool 247 shown in FIG.

図12に示すように、駆動機構87は、押し付け具247が先端に固定された駆動軸871と、駆動軸871を前方に押し出して押し付け具247を基板9に押し付けるトルクモータ872と、駆動軸871及びトルクモータ872を全体に前後移動させる直線駆動源873とから主に構成されている。   As shown in FIG. 12, the drive mechanism 87 includes a drive shaft 871 with a pressing tool 247 fixed to the tip, a torque motor 872 that pushes the driving shaft 871 forward and presses the pressing tool 247 against the substrate 9, and a drive shaft 871. And a linear drive source 873 that moves the torque motor 872 back and forth as a whole.

トルクモータ872の出力軸には、ボールねじ874が連結されている。駆動軸871の後端部分は中空になっており、ボールねじ874が噛み合っている。駆動軸871は、不図示の回転規制部によって回転しないようになっている。また、直線駆動源873には、モータとボールねじの組み合わせ又はエアシリンダ等が使用できる。尚、駆動軸871は、メカニカルシール等の真空シールを介してバーニッシュチャンバー24の器壁を気密に貫通している。また、図9から判るように、バーニッシュテープ242、巻装ローラ243、巻き取りローラ244、真空モータ246、押し付け具247、及び、駆動機構87は、基板9が位置する位置を挟んで両側に設けられている。   A ball screw 874 is connected to the output shaft of the torque motor 872. A rear end portion of the drive shaft 871 is hollow, and a ball screw 874 is engaged with the drive shaft 871. The drive shaft 871 is not rotated by a rotation restricting portion (not shown). The linear drive source 873 can be a combination of a motor and a ball screw, an air cylinder, or the like. The drive shaft 871 penetrates the wall of the burnish chamber 24 in an airtight manner through a vacuum seal such as a mechanical seal. Further, as can be seen from FIG. 9, the burnish tape 242, the winding roller 243, the take-up roller 244, the vacuum motor 246, the pressing tool 247, and the drive mechanism 87 are disposed on both sides of the position where the substrate 9 is located. Is provided.

尚、押し付け具247の押し付け面の幅は、基板9の半径から中央の開口の半径を引いた長さにほぼ等しい長さとなっている。但し、バーニッシュテープ242及び押し付け具247に対して基板9を径方向に相対的に移動させながら基板9を回転するようにすれば、上記幅より短くても良い。   The width of the pressing surface of the pressing tool 247 is approximately equal to the length obtained by subtracting the radius of the central opening from the radius of the substrate 9. However, if the substrate 9 is rotated while moving the substrate 9 in the radial direction relative to the burnish tape 242 and the pressing tool 247, the width may be shorter than the above width.

図9に示すバーニッシュチャンバー24の動作について、以下に説明する。バーニッシュチャンバー24内が排気系241によって所定の真空圧力に排気されている状態で、基板9を保持した第二基板保持具52がバーニッシュチャンバー24内に移動して停止する。この際の停止位置は、一方の基板9の中心が、図9及び図10に示す前後駆動軸81の中心軸に一致する位置である。尚、この際、第二前後駆動源85は、前後駆動軸81や回転駆動軸82の先端部分が基板9より手前側に位置するよう、前後駆動軸81や回転駆動軸82を退避させている。   The operation of the burnish chamber 24 shown in FIG. 9 will be described below. In a state where the inside of the burnish chamber 24 is evacuated to a predetermined vacuum pressure by the exhaust system 241, the second substrate holder 52 holding the substrate 9 moves into the burnish chamber 24 and stops. The stop position at this time is a position where the center of one substrate 9 coincides with the central axis of the front-rear drive shaft 81 shown in FIGS. At this time, the second front-rear drive source 85 retracts the front-rear drive shaft 81 and the rotary drive shaft 82 so that the front end portions of the front-rear drive shaft 81 and the rotary drive shaft 82 are located on the front side of the substrate 9. .

次に、第二前後駆動源85が駆動され、前後駆動軸81や回転駆動軸82が一体に前進し、所定の位置で停止する。この位置では、図10に示すように、駆動ヘッド86が基板9の開口から突出するとともに、接触片821が基板9と同一垂直面上に位置する。この状態で、第一前後駆動源83が駆動され、前後駆動軸81が後退する。後退に伴い、テーパー部862のテーパー面に接触している被駆動片822が、バネ部材823の弾性に逆らって外側に移動する。この結果、各接触片821も外側に移動し、基板9の開口の縁に接触する。第一前後駆動源83は、前後駆動軸81に対してそれを後退させる向きに適切な力を加えている。従って、各接触片821が適切が圧力により基板9の開口の縁に押し付けられた状態となる。これにより、基板9が保持された状態となる。この状態で、不図示のレバーが駆動され、第二基板保持具52の一対の板バネ(図9中不図示)を押し広げる。この結果、基板9は、回転機構8にのみ保持された状態となる。   Next, the second front / rear drive source 85 is driven, and the front / rear drive shaft 81 and the rotary drive shaft 82 move forward together and stop at a predetermined position. In this position, as shown in FIG. 10, the drive head 86 protrudes from the opening of the substrate 9, and the contact piece 821 is located on the same vertical plane as the substrate 9. In this state, the first front / rear drive source 83 is driven, and the front / rear drive shaft 81 moves backward. Along with the retreat, the driven piece 822 that is in contact with the taper surface of the taper portion 862 moves outward against the elasticity of the spring member 823. As a result, each contact piece 821 also moves outward and contacts the edge of the opening of the substrate 9. The first front / rear drive source 83 applies an appropriate force to the front / rear drive shaft 81 in the direction in which it is retracted. Accordingly, each contact piece 821 is appropriately pressed against the edge of the opening of the substrate 9 by pressure. As a result, the substrate 9 is held. In this state, a lever (not shown) is driven to push and spread a pair of leaf springs (not shown in FIG. 9) of the second substrate holder 52. As a result, the substrate 9 is held only by the rotation mechanism 8.

次に、回転機構8の回転駆動源84が動作し、前後駆動軸81及び回転駆動軸82を一体に回転させる。この結果、各接触片821を介して保持されている基板9も一体に回転する。尚、この回転の際、ジョイント機構811は、前後駆動軸81と第一前後駆動源83との連結を切り離す。   Next, the rotation drive source 84 of the rotation mechanism 8 operates to rotate the front / rear drive shaft 81 and the rotation drive shaft 82 together. As a result, the substrate 9 held via each contact piece 821 also rotates together. During this rotation, the joint mechanism 811 disconnects the connection between the front / rear drive shaft 81 and the first front / rear drive source 83.

そして、基板9が回転している際、基板9の両側の押し付け具247の駆動機構87が駆動される。まず、駆動機構87のうち、直線駆動源873が動作し、両側の押し付け具247が所定の前進位置まで前進する。この前進位置は、押し付け具247がバーニッシュテープ242を基板9に押し付ける状態となる少し手前の位置である。次に、トルクモータ872が動作し、押し付け具247を少し前進させる。この結果、押し付け具247がバーニッシュテープ242を基板9に押し付ける。トルクモータ872の発生トルクが調節され、バーニッシュテープ242の押し付け圧力が所定の値に制御される。   And when the board | substrate 9 is rotating, the drive mechanism 87 of the pressing tool 247 of the both sides of the board | substrate 9 is driven. First, in the drive mechanism 87, the linear drive source 873 operates, and the pressing tools 247 on both sides advance to a predetermined advance position. This forward movement position is a position just before the pressing tool 247 presses the burnish tape 242 against the substrate 9. Next, the torque motor 872 operates to move the pressing tool 247 forward a little. As a result, the pressing tool 247 presses the burnish tape 242 against the substrate 9. The torque generated by the torque motor 872 is adjusted, and the pressing pressure of the burnish tape 242 is controlled to a predetermined value.

バーニッシュテープ242の押し付けにより、基板9の表面に存在する突起が削り取られる。また、突起の除去に加え、基板9の表面に汚損物質が付着している場合、この汚損物質が除去されることもある。バーニッシュテープ242としては、ポリエチレンテレフタレート製又はポリアミド製のフィルム上にアルミナ粒子又は炭化シリコン(SiC)粒子等の研磨砥粒を担持したものが使用される。また、基板9の回転速度は、100〜4000rpm程度で良い。   By pressing the burnish tape 242, the protrusions present on the surface of the substrate 9 are scraped off. Further, in addition to the removal of the protrusions, if a fouling substance adheres to the surface of the substrate 9, this fouling substance may be removed. As the burnish tape 242, a film in which abrasive grains such as alumina particles or silicon carbide (SiC) particles are supported on a film made of polyethylene terephthalate or polyamide is used. The rotation speed of the substrate 9 may be about 100 to 4000 rpm.

尚、押し付け具247の押し付け力は、慎重な検討が必要である。バーニッシュテープ242によるバーニッシュを真空中で行う場合、バーニッシュテープ242と基板9の表面との間の摩擦力が大気中の場合よりも大きくなる。このため、大気中の場合と同様の力で押し付けると、基板9の表面を過剰に削り取ってしまい、突起を取るだけではなく、保護膜の厚さを薄くしてしまう恐れがある。例えば1.0×10−2〜100Pa程度の真空中でのバーニッシュの場合、押し付け力は9.8〜588mN程度とすることが好ましい。 Note that the pressing force of the pressing tool 247 requires careful consideration. When the burnish with the burnish tape 242 is performed in a vacuum, the frictional force between the burnish tape 242 and the surface of the substrate 9 becomes larger than that in the atmosphere. For this reason, if it is pressed with the same force as in the atmosphere, the surface of the substrate 9 is excessively scraped off, and there is a risk that the thickness of the protective film may be reduced as well as the protrusions. For example, in the case of varnish in a vacuum of about 1.0 × 10 −2 to 100 Pa, the pressing force is preferably about 9.8 to 588 mN.

また、バーニッシュテープ242を基板9の表面に押し付けた状態で、基板9で無くバーニッシュテープ242の移動(巻き取り)を行ってバーニッシュを行う場合もある。また、基板9の回転とバーニッシュテープ242の移動の双方を行う場合もある。バーニッシュテープ242を基板9に押し付けた状態でバーニッシュテープ242の移動を行う場合、押し付け具247には従動ローラに相当する構成が採用される。   In some cases, the burnish tape 242 may be burned by moving (winding) not the substrate 9 while the burnish tape 242 is pressed against the surface of the substrate 9. In some cases, both the rotation of the substrate 9 and the movement of the burnish tape 242 are performed. When the burnish tape 242 is moved in a state where the burnish tape 242 is pressed against the substrate 9, the pressing tool 247 employs a configuration corresponding to a driven roller.

このようなバーニッシュを基板9の両面の全面に亘って行った後、駆動機構87が押し付け具247を所定の後退位置まで後退させ、回転駆動源84は回転を停止する。次に、不図示のレバーによる第二基板保持具52の板バネの押し広げを解除し、各保持爪によって再び基板9を保持させる。その後、回転機構8は、ジョイント機構811によって再び第一前後駆動源83と前後駆動軸81とを連結させた後、第一駆動源81を動作させて、前後駆動軸81を所定距離前進させる。この結果、バネ部材823の弾性により接触片821が内側に移動して基板9の保持が解消される。そして、第二前後駆動源85を動作させて、前後駆動軸81及び回転駆動軸82を一体に後退させ、元の退避位置に戻す。   After such burnishing is performed over the entire surface of both sides of the substrate 9, the drive mechanism 87 moves the pressing tool 247 back to a predetermined retracted position, and the rotation drive source 84 stops rotating. Next, the spread of the leaf spring of the second substrate holder 52 by a lever (not shown) is released, and the substrate 9 is held again by the holding claws. After that, the rotation mechanism 8 connects the first front / rear drive source 83 and the front / rear drive shaft 81 again by the joint mechanism 811 and then operates the first drive source 81 to move the front / rear drive shaft 81 forward by a predetermined distance. As a result, the contact piece 821 moves inward by the elasticity of the spring member 823, and the holding of the substrate 9 is canceled. Then, the second front / rear drive source 85 is operated to cause the front / rear drive shaft 81 and the rotary drive shaft 82 to retract together and return to the original retracted position.

次に、第二基板保持具52を移動させ、もう一つの基板9の中心が、前後駆動軸81と同軸になる位置で停止させる。そして、前述したのと同様の動作を繰り返して、もう一つの基板9に対してもバーニッシュを行う。尚、図1に示すように、本実施形態では、潤滑層形成チャンバー25を挟んでバーニッシュチャンバー24が二つ設けられている。従って、潤滑層形成の前と後にバーニッシュを行うようになっている。   Next, the second substrate holder 52 is moved and stopped at a position where the center of the other substrate 9 is coaxial with the front-rear drive shaft 81. Then, the same operation as described above is repeated to burnt another substrate 9 as well. As shown in FIG. 1, in this embodiment, two burnish chambers 24 are provided with the lubricating layer forming chamber 25 interposed therebetween. Therefore, burnishing is performed before and after the formation of the lubricating layer.

次に、潤滑層形成チャンバー25について説明する。図13は、図1に示す潤滑層形成チャンバー25の構成を示す側面概略図である。潤滑層形成チャンバー25は、真空中で基板9の表面に潤滑層を形成するものである。具体的には、潤滑層形成チャンバー25は、真空蒸着法により基板9の表面に潤滑層を形成するようになっている。図13に示すように、潤滑層形成チャンバー25は、内部を排気する排気系251と、内部に潤滑剤を貯めた一対の坩堝252と、坩堝252内の潤滑剤を加熱して蒸発させるヒータ253と、蒸着中に基板9を回転させて蒸着を均一化する回転機構8とを備えている。   Next, the lubricating layer forming chamber 25 will be described. FIG. 13 is a schematic side view showing the configuration of the lubricating layer forming chamber 25 shown in FIG. The lubrication layer forming chamber 25 forms a lubrication layer on the surface of the substrate 9 in a vacuum. Specifically, the lubrication layer forming chamber 25 forms a lubrication layer on the surface of the substrate 9 by a vacuum deposition method. As shown in FIG. 13, the lubrication layer forming chamber 25 includes an exhaust system 251 for exhausting the inside, a pair of crucibles 252 storing the lubricant therein, and a heater 253 for heating and evaporating the lubricant in the crucible 252. And a rotating mechanism 8 for rotating the substrate 9 during vapor deposition to make vapor deposition uniform.

潤滑剤は、溶剤に溶かさずに坩堝252内に貯められている。ヒータ253は、抵抗発熱方式のものが使用されている。場合によっては、電子線を照射して加熱するものや、高周波によって加熱するものでも良い。尚、坩堝252の上側には、必要に応じてシャッタが設けられる。回転機構8は、図9に示すバーニッシュチャンバー24が備えるものと同様である。但し、図13に示す回転機構8は、各々の基板9を同時に保持して回転できるよう、二つ設けられている。   The lubricant is stored in the crucible 252 without being dissolved in the solvent. The heater 253 is a resistance heating type. Depending on the case, it may be heated by irradiation with an electron beam, or heated by high frequency. Note that a shutter is provided on the upper side of the crucible 252 as necessary. The rotating mechanism 8 is the same as that provided in the burnish chamber 24 shown in FIG. However, two rotation mechanisms 8 shown in FIG. 13 are provided so that each substrate 9 can be held and rotated simultaneously.

図13に示す潤滑層形成チャンバー25の動作について、以下に説明する。排気系251により所定の真空圧力に排気されている状態で、基板9を保持した第二基板保持具52が潤滑層形成チャンバー25内に移動して停止する。そして、回転機構8が各基板9を保持して回転させる。並行して、ヒータ253が動作して坩堝252内の潤滑剤を加熱する。加熱により潤滑剤が蒸発し、各基板9の表面に付着して潤滑層としての潤滑膜を堆積させる。即ち、二枚の基板9に同時に潤滑膜が作成される。潤滑剤としては、PEPEを主成分としたもので、分子量が2000〜4000程度のものが使用できる。このような潤滑剤としては、例えばAUSMONT社から製品名ZDOL2000,ZDOL4000等として販売されている。   The operation of the lubrication layer forming chamber 25 shown in FIG. 13 will be described below. In a state where the exhaust system 251 is exhausted to a predetermined vacuum pressure, the second substrate holder 52 holding the substrate 9 moves into the lubricating layer forming chamber 25 and stops. Then, the rotating mechanism 8 holds and rotates each substrate 9. In parallel, the heater 253 operates to heat the lubricant in the crucible 252. The lubricant evaporates by heating and adheres to the surface of each substrate 9 to deposit a lubricating film as a lubricating layer. That is, a lubricating film is simultaneously formed on the two substrates 9. As the lubricant, one having PEPE as a main component and having a molecular weight of about 2000 to 4000 can be used. Such lubricants are sold, for example, by AUSMONT as product names ZDOL2000, ZDOL4000, and the like.

ヒータ253による加熱温度は50〜310℃、潤滑層形成チャンバー25内の圧力は、1.0×10−2〜100Pa程度で良い。このような条件で蒸着を行うと、3〜5秒程度で厚さ1〜2nm程度の潤滑膜が作成できる。尚、回転機構8による回転速度は、前述したバーニッシュの場合よりも低く、5〜500rpm程度でよい。このようにして潤滑層の形成を行った後、ヒータ253の動作及び回転機構8の動作を止める。基板9を第二基板保持具52に戻すとともに潤滑層形成チャンバー25内を再度排気した後、第二基板保持具52を次の後処理チャンバー26に移動させる。 The heating temperature by the heater 253 may be about 50 to 310 ° C., and the pressure in the lubricating layer forming chamber 25 may be about 1.0 × 10 −2 to 100 Pa. When vapor deposition is performed under such conditions, a lubricating film having a thickness of about 1 to 2 nm can be formed in about 3 to 5 seconds. In addition, the rotational speed by the rotation mechanism 8 is lower than that in the case of the varnish described above, and may be about 5 to 500 rpm. After forming the lubricating layer in this way, the operation of the heater 253 and the operation of the rotating mechanism 8 are stopped. After returning the substrate 9 to the second substrate holder 52 and evacuating the lubrication layer forming chamber 25 again, the second substrate holder 52 is moved to the next post-treatment chamber 26.

次に、後処理チャンバー26及び冷却チェンバー27の構成について説明する。図14は、図1に示す後処理チャンバー26の構成を示す側面概略図である。ボンデッドレシオは、前述した通り、20〜30%程度が最適であるとされている。本実施形態では、後処理チャンバー26で基板を加熱するとともにその加熱の温度及び時間を調節することにより、このボンデッドレシオを達成するようにしている。具体的には、基板9の温度を30〜150℃程度に3〜5秒程度維持することにより上記ボンデッドレシオを達成できる。   Next, the configuration of the post-processing chamber 26 and the cooling chamber 27 will be described. FIG. 14 is a schematic side view showing the configuration of the post-processing chamber 26 shown in FIG. As described above, the optimal bonded ratio is about 20 to 30%. In the present embodiment, the bonded ratio is achieved by heating the substrate in the post-processing chamber 26 and adjusting the heating temperature and time. Specifically, the above bonded ratio can be achieved by maintaining the temperature of the substrate 9 at about 30 to 150 ° C. for about 3 to 5 seconds.

図14に示すように、後処理チャンバー26内には、第二基板保持具52に保持された基板9の両側の位置になるように赤外線ランプ261が設けられている。また、後処理チャンバー26には、排気系262が設けられており、後処理中、後処理チャンバー26内を1×10−4〜1×10−5Pa程度に排気するようになっている。尚、潤滑層形成後の工程であるので、後処理を真空中で行うことは、必須の条件ではないが、後処理を真空中で行うことにより、高温に加熱された潤滑層の表面に汚損物質の不純物が吸着されて取り込まれることが防止できる。 As shown in FIG. 14, infrared lamps 261 are provided in the post-processing chamber 26 so as to be positioned on both sides of the substrate 9 held by the second substrate holder 52. Further, the post-processing chamber 26 is provided with an exhaust system 262 so that the post-processing chamber 26 is evacuated to about 1 × 10 −4 to 1 × 10 −5 Pa during the post-processing. In addition, since it is a step after the formation of the lubricating layer, it is not an essential condition to perform the post-processing in a vacuum, but the surface of the lubricating layer heated to a high temperature is soiled by performing the post-processing in a vacuum. It is possible to prevent the impurities of the substance from being adsorbed and taken in.

尚、本実施形態では加熱より後処理を行ったが、光照射により後処理を行うことも可能である。例えば、光重合作用のある潤滑剤では、紫外線等の光を照射することにより重合度を調整して基板9への付着性や表面の潤滑性を調節することが可能である。この場合は、前述した赤外線ランプに代えて紫外線ランプなどを使用する。   In this embodiment, post-processing is performed by heating, but post-processing can also be performed by light irradiation. For example, in a lubricant having a photopolymerization action, it is possible to adjust the degree of polymerization by irradiating light such as ultraviolet rays to adjust the adhesion to the substrate 9 and the lubricity of the surface. In this case, an ultraviolet lamp or the like is used instead of the infrared lamp described above.

また、冷却チェンバー27は、後処理後に基板9を冷却して、後のアンロードロックチャンバー28内の回収用ロボット62による取り扱い等を容易にするものである。冷却チェンバー27は、水素又はヘリウム等の冷却用ガスを基板9の表面に吹き付け、基板9を100℃以下に冷却するようになっている。特開平11−203734号公報に開示された冷却機構を、この冷却チェンバー27に用いると好適である。アンロードロックチャンバー28に設けられた回収用ロボット62は、基板9を第二基板保持具52から取り外して、大気側のアンロードステーションに配置された回収用カセット621に搬送するものである。   Further, the cooling chamber 27 cools the substrate 9 after the post-processing, and facilitates handling by the collecting robot 62 in the unload lock chamber 28 later. The cooling chamber 27 blows a cooling gas such as hydrogen or helium on the surface of the substrate 9 to cool the substrate 9 to 100 ° C. or lower. It is preferable to use the cooling mechanism disclosed in JP-A-11-203734 for this cooling chamber 27. The recovery robot 62 provided in the unload lock chamber 28 removes the substrate 9 from the second substrate holder 52 and transports it to the recovery cassette 621 disposed in the unload station on the atmosphere side.

次に、磁気記録ディスクの製造方法の発明の実施形態の説明も兼ねて、上記構成に係る本実施形態の装置の全体の動作について、以下に説明する。まず、基板9は、大気側のロードステーションに配置された搭載用カセット611から搭載用ロボット61によって一枚ずつロードロックチャンバー11に搬入され、第一基板保持具51に搭載される。第一基板保持具51は、プリヒートチャンバー12に移動して基板9が予備加熱される。その後、第一基板保持具51は、下地膜作成チャンバー13、磁性膜作成チャンバー14、保護膜作成チャンバー15に順次移動し、基板9の上に、下地膜、磁性膜、保護膜が積層される。   Next, the entire operation of the apparatus according to the present embodiment having the above-described configuration will be described below while also serving as an explanation of the embodiment of the method of manufacturing the magnetic recording disk. First, the substrates 9 are loaded one by one into the load lock chamber 11 by the mounting robot 61 from the mounting cassette 611 disposed in the atmospheric load station and mounted on the first substrate holder 51. The first substrate holder 51 moves to the preheat chamber 12 and the substrate 9 is preheated. Thereafter, the first substrate holder 51 sequentially moves to the base film creation chamber 13, the magnetic film creation chamber 14, and the protective film creation chamber 15, and the base film, the magnetic film, and the protective film are laminated on the substrate 9. .

この基板9は、第一中継チャンバー16において、移載用ロボット63により第一基板保持具51から取り外され、第二中継チャンバー21に待機する第二基板保持具52に搭載される。基板9が取り外された第一基板保持具51は、ロードロックチャンバー11に戻り、次の基板9が搭載される。そして、同様に第一搬送路1を周回する。   The substrate 9 is removed from the first substrate holder 51 by the transfer robot 63 in the first relay chamber 16 and mounted on the second substrate holder 52 waiting in the second relay chamber 21. The first substrate holder 51 from which the substrate 9 has been removed returns to the load lock chamber 11 and the next substrate 9 is mounted. And it goes around the 1st conveyance path 1 similarly.

一方、第二中継チャンバー21において基板9が搭載された第二基板保持具52は、第一クリーニングチャンバー22、第二クリーニングチャンバー23、バーニッシュチャンバー24、潤滑層形成チャンバー25に順次移動し、保護膜の上に潤滑層が形成される。そして、第二基板保持具52は、後処理チャンバー26、冷却チェンバー27の順に移動して基板9の後処理及び冷却が行われる。第二基板保持具52は、アンロードロックチャンバー28に達して、回収用ロボット62により基板9が第二基板保持具52から取り外され、大気側の回収用カセット621に搬出される。第二基板保持具52は、基板9が取り外された後、第二中継チャンバー21に移動して再び次の基板9の保持に使用され、第二搬送路2を周回する。尚、各チャンバー10〜17,20〜29には、基板保持具51,52が位置しており、タクトタイム毎に次の各チャンバー10〜17,20〜29に移動する。   On the other hand, the second substrate holder 52 on which the substrate 9 is mounted in the second relay chamber 21 sequentially moves to the first cleaning chamber 22, the second cleaning chamber 23, the burnish chamber 24, and the lubricating layer forming chamber 25 for protection. A lubricating layer is formed on the film. Then, the second substrate holder 52 moves in the order of the post-processing chamber 26 and the cooling chamber 27 to perform post-processing and cooling of the substrate 9. The second substrate holder 52 reaches the unload lock chamber 28, the substrate 9 is removed from the second substrate holder 52 by the recovery robot 62, and is carried out to the atmospheric recovery cassette 621. After the substrate 9 is removed, the second substrate holder 52 moves to the second relay chamber 21 and is used again to hold the next substrate 9, and circulates around the second transport path 2. The substrate holders 51 and 52 are located in the respective chambers 10 to 17 and 20 to 29, and are moved to the next chambers 10 to 17 and 20 to 29 every tact time.

上記構成及び動作に係る本実施形態の装置は、以下のような技術的意義を有する。まず、一つの装置で、下地膜の作成から潤滑層の形成まで一貫して行えるので、生産設備のコストや装置を運転する人件費のコスト等が、従来に比べて安価となる。また、搭載用カセット611内の全ての基板9が処理されて回収用カセット621に回収されるまでの間、装置は無人運転することが可能であり、無人運転の時間が従来に比べて長くなる。このため、生産性の点でも向上する。   The apparatus of the present embodiment related to the above configuration and operation has the following technical significance. First, since one apparatus can consistently perform the process from the formation of the base film to the formation of the lubricating layer, the cost of production equipment, the cost of labor costs for operating the apparatus, and the like are lower than before. Further, the apparatus can be operated unattended until all the substrates 9 in the mounting cassette 611 are processed and recovered in the recovery cassette 621, and the time for unattended operation becomes longer than before. . For this reason, productivity is also improved.

そして、保護膜の作成の後も、真空中で一貫して潤滑層の形成まで行うので、保護膜と潤滑層との界面や潤滑層中、又は、潤滑層の表面への汚損物質の混入又は付着が抑制される。このため、本実施形態によれば、汚損物質による記録層の汚損、潤滑層の付着性の低下、潤滑層の膜厚の不均一化、潤滑層のボンデッドレシオ制御の精度低下等の問題の発生が抑制され、スペーシングが減少しつつある磁気記録ディスクの製造に極めて適した構成が提供される。   And even after the creation of the protective film, the formation of the lubrication layer is consistently performed in vacuum, so that the contamination of the interface between the protection film and the lubrication layer, in the lubrication layer, or on the surface of the lubrication layer, or Adhesion is suppressed. For this reason, according to the present embodiment, problems such as contamination of the recording layer due to fouling substances, deterioration of the adhesion of the lubricating layer, non-uniformity of the thickness of the lubricating layer, and decrease in accuracy of the bonded ratio control of the lubricating layer, etc. A configuration that is extremely suitable for manufacturing a magnetic recording disk in which generation is suppressed and spacing is decreasing is provided.

また、潤滑層の形成の前に基板9の表面の汚損物質がプラズマアッシング及びガスブローによって除去されるので、この点で、さらに上記効果が高く得られる。プラズマアッシングは、主に有機系の汚損物質の除去に効果的であり、ガスブローは、金属やガラス等の無機系の汚損物質の除去に効果的である。そして、第一第二クリーニングチャンバー22,23でのクリーニングの後、基板9が大気に晒されることなく潤滑層形成チャンバー25に運ばれて潤滑層が形成されるので、清浄化された表面が大気によって汚損されることがなく、清浄な表面のまま潤滑層が形成される。このため、上記効果がさらに高く得られる。   In addition, since the fouling substances on the surface of the substrate 9 are removed by plasma ashing and gas blowing before the formation of the lubricating layer, the above effect can be further enhanced in this respect. Plasma ashing is mainly effective for removing organic fouling substances, and gas blowing is effective for removing inorganic fouling substances such as metal and glass. After the cleaning in the first and second cleaning chambers 22 and 23, the substrate 9 is transported to the lubrication layer forming chamber 25 without being exposed to the atmosphere, and a lubrication layer is formed. Therefore, the lubricating layer is formed with a clean surface. For this reason, the said effect is acquired further highly.

また、バーニッシュが真空中で行われるので、バーニッシュの際に大気中の汚損物質が基板9に付着することが無い。この点でも、汚損物質に起因した問題がさらに抑制されている。そして、バーニッシュ後に、基板9が大気に晒されることなく潤滑層形成チャンバー25に搬送されて潤滑層が形成されるので、同様にこの効果がさらに高く得られる。   Further, since the burnishing is performed in a vacuum, the pollutant in the atmosphere does not adhere to the substrate 9 during the burnishing. In this respect as well, problems due to fouling substances are further suppressed. After the varnishing, the substrate 9 is transferred to the lubricating layer forming chamber 25 without being exposed to the atmosphere to form a lubricating layer, and this effect can be obtained even higher.

また、潤滑層の特性を改善する後処理が真空中で行われるため、後処理の際に基板9の表面に大気中の汚損物質が付着することが無い。この点でも、汚損物質に起因した問題がさらに抑制されている。そして、潤滑層形成後に、基板9が大気に晒されることなく後処理チャンバー26に搬送されて潤滑層が形成されるので、同様にこの効果がさらに高く得られる。   In addition, since the post-treatment for improving the characteristics of the lubricating layer is performed in a vacuum, the pollutant in the atmosphere does not adhere to the surface of the substrate 9 during the post-treatment. In this respect as well, problems due to fouling substances are further suppressed. Then, after the formation of the lubricating layer, the substrate 9 is transferred to the post-processing chamber 26 without being exposed to the atmosphere, and the lubricating layer is formed, so that this effect can be obtained even higher.

また、潤滑剤を溶剤に溶かすことなく使用する構成は、以下のような技術的意義を有する。潤滑剤を希釈する溶剤としては、潤滑剤がフッ素系であることから、以前はフロンが多く使用された。しかしながら、オゾン層破壊の問題を背景として、パーフルオロカーボン(PFC)等のフロン代替溶剤が多く使用されるようになった。しかし、このフロン代替溶剤も、地球温暖化の原因物質であるとされ、溶剤の使用そのものを問題視する傾向もある。   Moreover, the structure used without dissolving a lubricant in a solvent has the following technical significance. As the solvent for diluting the lubricant, since the lubricant is a fluorine-based solvent, a lot of chlorofluorocarbon has been used before. However, against the problem of ozone layer destruction, chlorofluorocarbon alternative solvents such as perfluorocarbon (PFC) have been used frequently. However, this chlorofluorocarbon alternative solvent is also a causative substance of global warming, and the use of the solvent itself tends to be a problem.

溶剤を使用することの別の問題は、潤滑層の汚損である。溶剤に溶解して塗布する結果、潤滑層に不純物が混入し、これが原因で、イオン等の不純物が存在することによる磁気ヘッドの腐食、潤滑層表面に存在する突起による磁気ヘッドの機械的損傷、潤滑特性が充分でないことによる磁気ヘッドのディスク表面への吸着等の問題が生じることがある。本実施形態の方法及び装置では、溶剤を使用しないので、このような溶剤を使用することに起因する問題は無い。   Another problem with the use of solvents is lubrication layer fouling. As a result of dissolving and applying in a solvent, impurities are mixed in the lubricating layer, which causes corrosion of the magnetic head due to the presence of impurities such as ions, mechanical damage of the magnetic head due to protrusions existing on the surface of the lubricating layer, Problems such as adsorption of the magnetic head to the disk surface due to insufficient lubrication characteristics may occur. In the method and apparatus of this embodiment, since no solvent is used, there is no problem caused by using such a solvent.

但し、実用的には、潤滑剤の取り扱いを容易する等の目的から、少量の溶剤を使用する場合もある。溶剤としては、3M社製のHFE7300,7100(商品名)等のパーフルオロアルキル系溶剤が使用される。使用量は、潤滑剤に対して1体積%以下である。   However, practically, a small amount of solvent may be used for the purpose of facilitating the handling of the lubricant. As the solvent, a perfluoroalkyl solvent such as HFE 7300, 7100 (trade name) manufactured by 3M is used. The amount used is 1% by volume or less based on the lubricant.

次に、第二の実施形態の磁気記録ディスク製造装置について説明する。図15は、第二の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主要部を示す図である。図15に示す実施形態の装置は、基板9の表面をクリーニングするためのプラズマアッシングを行う構成が、前述した実施形態と異なっている。即ち、この図15に示す実施形態では、保護膜作成チャンバー15でアッシングを行うようになっており、図15にはこの保護膜作成チャンバー15の構成が示されている。   Next, a magnetic recording disk manufacturing apparatus according to the second embodiment will be described. FIG. 15 is a diagram showing a main part of the magnetic recording disk manufacturing apparatus according to the second embodiment. The apparatus of the embodiment shown in FIG. 15 is different from the above-described embodiment in that the plasma ashing for cleaning the surface of the substrate 9 is performed. That is, in the embodiment shown in FIG. 15, ashing is performed in the protective film forming chamber 15, and FIG. 15 shows the configuration of the protective film forming chamber 15.

図15に示す保護膜作成チャンバー15は、図6に示すものとほぼ同様であるが、ガス導入系152の構成が異なっている。即ち、図15に示すガス導入系152は、炭化水素化合物と水素の混合ガスと、酸素ガスとを、バルブ154で切り替えて選択的に保護膜作成チャンバー15に導入することができるようになっている。   The protective film forming chamber 15 shown in FIG. 15 is substantially the same as that shown in FIG. 6, but the configuration of the gas introduction system 152 is different. That is, the gas introduction system 152 shown in FIG. 15 can selectively introduce the mixed gas of hydrocarbon compound and hydrogen and oxygen gas into the protective film forming chamber 15 by switching with the valve 154. Yes.

図15に示す構成において、保護膜を作成する場合、炭化水素化合物と水素の水素ガスを導入するようにする。保護膜の作成の後、第一基板保持具51を移動させず、排気系151によって保護膜作成チャンバー15内を5×10−2Pa程度まで排気する。そして、バルブ154の開閉によって導入ガスを酸素に切り替える。そして、前述した実施形態と同様に、酸素の高周波プラズマによりアッシングを行う。 In the configuration shown in FIG. 15, when a protective film is formed, a hydrocarbon compound and hydrogen gas of hydrogen are introduced. After creating the protective film, the first substrate holder 51 is not moved, and the inside of the protective film creating chamber 15 is evacuated to about 5 × 10 −2 Pa by the exhaust system 151. Then, the introduced gas is switched to oxygen by opening and closing the valve 154. Then, as in the above-described embodiment, ashing is performed using high-frequency plasma of oxygen.

この図15に示す実施形態では、基板9の表面の汚損物質のみならず、第一基板保持具51に付着した汚損物質も除去できるという特段の技術的意義がある。第一基板保持具51に汚損物質が付着したままであると、次の基板9の保持の際などにこの汚損物質が基板9に移動して付着し易い。本実施形態の装置によれば、基板9の表面に加え、このような第一基板保持具51を経由した汚損物質の付着も抑制できるという効果がある。また、プラズマがより拡散するように条件を設定すると、保護膜作成チャンバー15内の構造物の露出面に付着した汚損物質を除去するようにすることも可能である。   In the embodiment shown in FIG. 15, there is a special technical significance that not only the pollutant on the surface of the substrate 9 but also the pollutant adhered to the first substrate holder 51 can be removed. If the fouling substance remains attached to the first substrate holder 51, the fouling substance easily moves and adheres to the substrate 9 when the next substrate 9 is held. According to the apparatus of this embodiment, in addition to the surface of the board | substrate 9, there exists an effect that adhesion of the fouling substance which passed through such a 1st board | substrate holder 51 can also be suppressed. Further, if the conditions are set so that the plasma is more diffused, it is possible to remove the pollutant adhered to the exposed surface of the structure in the protective film forming chamber 15.

次に、第三の実施形態の磁気記録ディスク製造装置について説明する。図16は、第三の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主要部を示す図である。この第三の実施形態の装置は、前述した第一の実施形態に対して、基板9の表面をクリーニングする第三クリーニングチャンバー200を追加した構成となっている。第三クリーニングチャンバー200は、図1に示す構成において、例えば、第二クリーニングチャンバー23とバーニッシュチャンバー24との間に設けることができる。図16は、この第三クリーニングチャンバー200の構成を示した側面概略図となっている。   Next, a magnetic recording disk manufacturing apparatus according to the third embodiment will be described. FIG. 16 is a diagram showing a main part of the magnetic recording disk manufacturing apparatus according to the third embodiment. The apparatus according to the third embodiment has a configuration in which a third cleaning chamber 200 for cleaning the surface of the substrate 9 is added to the first embodiment described above. The third cleaning chamber 200 can be provided, for example, between the second cleaning chamber 23 and the burnish chamber 24 in the configuration shown in FIG. FIG. 16 is a schematic side view showing the configuration of the third cleaning chamber 200.

図16に示す第三クリーニングチャンバー200は、基板9の表面にレーザーを照射してクリーニングするようになっている。即ち、第三クリーニングチャンバー200は、レーザー発振器201と、レーザー発振器201から発振されたレーザー光を内部に導入する導入窓202とを備えている。導入窓202は、第三クリーニングチャンバー200の開口を気密に塞ぐように設けられている。レーザー光による基板9の表面のクリーニングは、主に、アブレーション効果によって行われる。即ち、基板9の表面に付着した汚損物質にレーザー光が照射されると、レーザー光のエネルギーにより汚損物質の結合が解かれて除去される。尚、第三クリーニングチャンバー200も排気系203を有しており、上記クリーニングも同様に真空中で行われる。   The third cleaning chamber 200 shown in FIG. 16 is designed to be cleaned by irradiating the surface of the substrate 9 with a laser. That is, the third cleaning chamber 200 includes a laser oscillator 201 and an introduction window 202 for introducing laser light oscillated from the laser oscillator 201 into the inside. The introduction window 202 is provided so as to airtightly close the opening of the third cleaning chamber 200. Cleaning of the surface of the substrate 9 with laser light is mainly performed by an ablation effect. That is, when the contaminating substance attached to the surface of the substrate 9 is irradiated with laser light, the binding of the contaminating substance is released by the energy of the laser light and removed. The third cleaning chamber 200 also has an exhaust system 203, and the above cleaning is performed in a vacuum as well.

レーザー光による基板9の表面のクリーニングの一例について示すと、
レーザー:エキシマレーザー(波長248nm),
照射エネルギー密度:200mJ/cm以下,
照射方式:1〜100Hz程度のパルス,
パルス数:100以下,
との条件が挙げられる。尚、200mJ/cmを越えると、基板9の表面の保護膜を削る恐れがある。保護膜を削らない範囲でクリーニングを行うため、照射エネルギー密度を低くしたり、パルスの周波数を低くしたり、パルス数を小さくしたりしても良い。
An example of cleaning the surface of the substrate 9 with laser light is as follows:
Laser: excimer laser (wavelength 248nm),
Irradiation energy density: 200 mJ / cm 2 or less,
Irradiation method: 1-100Hz pulse,
Number of pulses: 100 or less,
And the condition. If it exceeds 200 mJ / cm 2 , the protective film on the surface of the substrate 9 may be scraped off. Since cleaning is performed within a range where the protective film is not cut, the irradiation energy density may be lowered, the pulse frequency may be lowered, or the number of pulses may be reduced.

尚、レーザー光を基板9の表面の全面に均一に照射できるよう、レーザー光を基板9の径方向に対して走査するとともに、前述した実施形態におけるものと同様の回転機構により基板9を回転させながらレーザー光の照射を行うと好適である。   The laser beam is scanned in the radial direction of the substrate 9 so that the entire surface of the substrate 9 can be irradiated with the laser beam, and the substrate 9 is rotated by the same rotation mechanism as in the above-described embodiment. However, it is preferable to perform laser irradiation.

次に、第四の実施形態の磁気記録ディスク製造装置について説明する。図17は、第四の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主要部を示す図である。この第四の実施形態の大きな特徴点は、バーニッシュ処理と潤滑層形成とが一つのチャンバーで行える点である。即ち、第一の実施形態のバーニッシュチャンバー25及び潤滑層形成チャンバー26に代えて、バーニッシュと潤滑層形成とを行うバーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー210が設けられている。図17は、このバーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー210の構成を示す側面概略図となっている。   Next, a magnetic recording disk manufacturing apparatus according to the fourth embodiment will be described. FIG. 17 is a diagram showing the main part of the magnetic recording disk manufacturing apparatus according to the fourth embodiment. A major feature of the fourth embodiment is that the burnishing and the lubrication layer can be formed in one chamber. That is, instead of the burnish chamber 25 and the lubrication layer forming chamber 26 of the first embodiment, a burnish and lubrication layer forming chamber 210 that performs burnish and lubrication layer formation is provided. FIG. 17 is a schematic side view showing the configuration of the burnish / lubricating layer forming chamber 210.

バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー210は、内部を排気する排気系211と、基板9を保持して基板9と同軸の回転軸の周りに基板9を回転させる回転機構8と、回転機構8により回転する基板9の表面に押し付けられるバーニッシュテープ212と、バーニッシュテープ212によるバーニッシュと同時に基板9の表面に潤滑剤を塗布する潤滑剤塗布具213とを備えている。   The burnish / lubricating layer forming chamber 210 includes an exhaust system 211 that exhausts the inside, a rotation mechanism 8 that holds the substrate 9 and rotates the substrate 9 around a rotation axis that is coaxial with the substrate 9, and is rotated by the rotation mechanism 8. A burnish tape 212 pressed against the surface of the substrate 9 to be pressed, and a lubricant applicator 213 for applying a lubricant to the surface of the substrate 9 simultaneously with the burnish by the burnish tape 212 are provided.

回転機構8やバーニッシュテープ212等は、前述した第一の実施形態におけるものと同様なので、説明は省略する。潤滑剤塗布具213は、先端から潤滑剤を吐出するシリンジ214と、シリンジ214に接続された供給ホース215と、潤滑剤を溜めた不図示の容器から潤滑剤を供給ホース216を通してシリンジ214に送る不図示の送出ポンプとから主に構成されている。尚、シリンジ214及び供給ホース215は、基板9が位置する位置の両側に設けられている。   Since the rotation mechanism 8 and the burnish tape 212 are the same as those in the first embodiment described above, description thereof is omitted. The lubricant applicator 213 sends the lubricant to the syringe 214 through a supply hose 216 from a syringe 214 that discharges the lubricant from the tip, a supply hose 215 connected to the syringe 214, and a container (not shown) that stores the lubricant. It is mainly composed of a delivery pump (not shown). The syringe 214 and the supply hose 215 are provided on both sides of the position where the substrate 9 is located.

磁気記録ディスク製造方法の実施形態の説明も兼ね、図17に示すバーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー210の動作について、以下に説明する。バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー210内が排気系211によって所定の真空圧力に排気されている状態で、前述した第一の実施形態と同様に、基板9を保持した第二基板保持具52がバーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー210内に移動して所定位置で停止する。そして、回転機構8が一つの基板9を保持して回転させる。この回転の際、基板9の両側の押し付け具が不図示の駆動部により基板9に向けて変位し、基板9の両面にバーニッシュテープ212を押し付ける。この結果、基板9の表面に存在する突起が削り取られる。   The operation of the burnish / lubricating layer forming chamber 210 shown in FIG. 17 will be described below, which also serves to explain the embodiment of the magnetic recording disk manufacturing method. In the state where the interior of the burnish / lubricating layer forming chamber 210 is evacuated to a predetermined vacuum pressure by the exhaust system 211, the second substrate holder 52 holding the substrate 9 is a bar as in the first embodiment. It moves into the niche and lubricating layer forming chamber 210 and stops at a predetermined position. Then, the rotation mechanism 8 holds and rotates one substrate 9. During this rotation, the pressing tools on both sides of the substrate 9 are displaced toward the substrate 9 by a drive unit (not shown), and the burnish tape 212 is pressed against both surfaces of the substrate 9. As a result, the protrusions present on the surface of the substrate 9 are scraped off.

並行して、潤滑剤塗布具213が動作する。不図示の送出ポンプによって供給ホース215を通してシリンジ214に潤滑剤が送られ、シリンジ214から吐出される。吐出された潤滑剤は、バーニッシュテープ212の上に塗布される。潤滑剤はバーニッシュテープ212の移動とともに移動し、潤滑剤が塗布された部分のバーニッシュテープ212が基板9の表面に押し付けられると、バーニッシュテープ212と基板9との間で潤滑剤が加圧されて薄く引き延ばされ、それとともに基板9の表面に塗布される。潤滑剤としては、前述したPEPEを主成分としたもので良い。前述したように、少量の溶剤を使用する場合もある。また、バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー210内の圧力や押し付け具による押し付け圧力も、前述した実施形態と同様で良い。   In parallel, the lubricant applicator 213 operates. A lubricant is sent to the syringe 214 through the supply hose 215 by a delivery pump (not shown) and discharged from the syringe 214. The discharged lubricant is applied onto the burnish tape 212. The lubricant moves along with the movement of the burnish tape 212, and when the burnish tape 212 where the lubricant is applied is pressed against the surface of the substrate 9, the lubricant is applied between the burnish tape 212 and the substrate 9. It is pressed and thinly stretched and applied to the surface of the substrate 9 together with it. As the lubricant, the above-mentioned PEPE may be used as a main component. As described above, a small amount of solvent may be used. Further, the pressure in the burnish / lubricating layer forming chamber 210 and the pressing pressure by the pressing tool may be the same as those in the above-described embodiment.

このようなバーニッシュと潤滑剤の塗布を基板9の両面の全面に亘って行った後、押し付け具を後退させ、回転機構8による回転を停止する。第二基板保持具52を移動させ、回転機構8がもう一つの基板9を保持して回転させる。そして、同様にしてバーニッシュと潤滑層の形成とを同時に行う。尚、バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー210以外の部分での動作は、前述した第一の実施形態と同様である。   After applying the varnish and the lubricant over the entire surface of both surfaces of the substrate 9, the pressing tool is retracted and the rotation by the rotation mechanism 8 is stopped. The second substrate holder 52 is moved, and the rotation mechanism 8 holds and rotates another substrate 9. Similarly, the varnish and the lubricating layer are formed simultaneously. Note that the operation of the portion other than the burnish / lubricating layer forming chamber 210 is the same as that of the first embodiment described above.

上記説明から解るように、バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー210は、バーニッシュと潤滑剤の塗布とを同時に行うので、従来に比べて生産性が向上している。尚、この場合の「同時に」とは、バーニッシュと潤滑剤の塗布とが文字通り同時に行われる場合と、厳密には同時に生ずる作用ではないが、おおまかには同時に行われる場合とを含む。また、本実施形態では、バーニッシュや潤滑剤の塗布が、真空中で行われるので、大気中の汚損物質が潤滑層に取り込まれてしまうことが無く、この点でも良質なディスクの製造に貢献できる。但し、大気中でこれらを行っても、生産性を向上させる効果は同様に得られる。   As can be seen from the above description, the burnish / lubricating layer forming chamber 210 performs the varnish and the application of the lubricant at the same time, so that the productivity is improved as compared with the conventional case. The term “simultaneously” in this case includes a case where the varnish and the application of the lubricant are literally performed at the same time and a case where the operations are not performed at the same time, but are roughly performed at the same time. In this embodiment, the application of the varnish and the lubricant is performed in a vacuum, so that pollutants in the atmosphere are not taken into the lubricant layer, which also contributes to the production of a good quality disk. it can. However, even if these are performed in the atmosphere, the effect of improving productivity can be obtained similarly.

また、バーニッシュを真空中で行うことと、バーニッシュと潤滑剤塗布とを同時に行うこととは、非常に密接な関連を有する。即ち、バーニッシュテープ212によるバーニッシュを真空中で行うと、汚損物質低減には非常に有効であるが、バーニッシュテープ212と基板9の表面との間の摩擦力が大気中の場合よりも大きくなるため、バーニッシュが過剰となる恐れがある。バーニッシュが過剰とは、突起を削るだけでなく、予め形成された保護膜等を削ってしまうというような事態である。一方、潤滑剤は、原料のままでは非常に粘性が高い。従って、溶剤に溶かした方が塗布はし易い。しかし、溶剤の使用は前述したような問題がある。   Further, performing the burnish in a vacuum and performing the burnish and the lubricant application at the same time have a very close relationship. That is, when the varnishing by the varnish tape 212 is performed in a vacuum, it is very effective for reducing the pollutant. However, the frictional force between the varnish tape 212 and the surface of the substrate 9 is larger than that in the atmosphere. There is a risk that the burnish will be excessive due to the increase. Excessive burnish is a situation in which not only the protrusions are cut, but also a protective film formed in advance is cut. On the other hand, the lubricant is very viscous as it is. Therefore, application is easier when dissolved in a solvent. However, the use of a solvent has the problems described above.

本実施形態の構成は、このような問題を一挙に解決する一石二鳥的な技術的意義を有する。つまり、バーニッシュテープを介して基板9に潤滑剤を塗布する構成を採用すると、バーニッシュテープと基板9との間に潤滑剤が入り込むことによって過剰なバーニッシュが防止されるのに加え、粘性の高い潤滑剤であっても基板9への塗布が容易にできるという効果が得られる。   The configuration of the present embodiment has two bird-by-one technical significance for solving such a problem at once. In other words, when a configuration in which the lubricant is applied to the substrate 9 through the burnish tape is adopted, the lubricant enters between the burnish tape and the substrate 9 to prevent excessive burnish, and in addition to the viscosity. Even if it is a high lubricant, the effect that the application | coating to the board | substrate 9 can be performed easily is acquired.

尚、上記実施形態では、潤滑剤をバーニッシュテープ212の上に塗布することで基板9の表面への潤滑層の形成を行ったが、第一の実施形態のように、蒸着法によって行ってもよい。即ち、バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー210内に、図13に示すような坩堝252及びヒータ253を設けるようにしても良い。また、スプレー法によって潤滑層の形成を行ってもよい。この場合は、バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー210内に噴射具を設け、溶剤に溶かした潤滑剤を噴射具から噴射させるようにする。   In the above embodiment, the lubricant layer is formed on the surface of the substrate 9 by applying a lubricant on the burnish tape 212. However, as in the first embodiment, the lubricant layer is formed by a vapor deposition method. Also good. That is, a crucible 252 and a heater 253 as shown in FIG. 13 may be provided in the burnish / lubricating layer forming chamber 210. Further, the lubricating layer may be formed by a spray method. In this case, an injection tool is provided in the burnish / lubricating layer forming chamber 210, and a lubricant dissolved in a solvent is injected from the injection tool.

次に、第五の実施形態の磁気記録ディスク製造装置について説明する。図18は、第五の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主要部を示す図である。この第五の実施形態は、バーニッシュチャンバー24の構成が第一の実施形態と異なっている。即ち、この実施形態では、バーニッシュに先だってバーニッシュテープ242の表面を真空中でクリーニングするクリーニング手段88が設けられている点である。クリーニング手段88は、バーニッシュチャンバー24内でバーニッシュテープ242をクリーニングするようになっている。   Next, a magnetic recording disk manufacturing apparatus according to the fifth embodiment will be described. FIG. 18 is a diagram showing the main part of the magnetic recording disk manufacturing apparatus according to the fifth embodiment. In the fifth embodiment, the configuration of the burnish chamber 24 is different from that of the first embodiment. That is, in this embodiment, prior to the burnish, the cleaning means 88 for cleaning the surface of the burnish tape 242 in a vacuum is provided. The cleaning means 88 is configured to clean the burnish tape 242 in the burnish chamber 24.

バーニッシュテープ242の表面には、汚損物質として、酸素イオン、硫酸イオン等を持つ分子膜、塵埃、油脂等の有機物等が付着していることがある。このような汚損物質が付着した状態でバーニッシュを行うと、汚損物質が基板9の表面に移動して付着してしまう。本実施形態では、このようなことを考慮し、バーニッシュに先だってバーニッシュテープの表面をクリーニング手段88によってクリーニングするようになっている。具体的は、クリーニング手段88は、バーニッシュチャンバー24内に設けられたイオンビーム源881と、イオンビーム源881に原料ガスを供給するガス供給系882とから主に構成されている。   On the surface of the burnish tape 242, as a fouling substance, a molecular film having oxygen ions, sulfate ions or the like, or an organic substance such as dust or fat may be attached. When burnishing is performed in a state where such a fouling substance is attached, the fouling substance moves to the surface of the substrate 9 and is attached. In the present embodiment, in consideration of the above, the surface of the burnish tape is cleaned by the cleaning means 88 prior to the burnish. Specifically, the cleaning unit 88 mainly includes an ion beam source 881 provided in the burnish chamber 24 and a gas supply system 882 that supplies a source gas to the ion beam source 881.

ガス供給系882はアルゴンガス又は酸素ガスを供給するものであり、イオンビーム源881はアルゴンイオン又は酸素イオンのビームをバーニッシュテープ242に照射するようになっている。イオンビームの加速エネルギーは250〜600eV、バーニッシュテープ242への入射角は30〜40度程度とすることが好ましい。尚、イオンビームによるバーニッシュテープ242の損傷が問題となるときは、加速エネルギーを小さくしたり、入射角を大きくしたりする。イオンビームの照射パターンは、幅がバーニッシュテープ242の幅と同じかそれより少し大きい程度、長さが30mm程度のほぼ長方形とする。尚、イオンビーム源881は、不図示の収束電極を備えており、この程度のパターンになるようにイオンビームを収束させる。   The gas supply system 882 supplies argon gas or oxygen gas, and the ion beam source 881 irradiates the burnish tape 242 with a beam of argon ions or oxygen ions. The acceleration energy of the ion beam is preferably 250 to 600 eV, and the incident angle to the burnish tape 242 is preferably about 30 to 40 degrees. When damage to the burnished tape 242 by the ion beam becomes a problem, the acceleration energy is reduced or the incident angle is increased. The irradiation pattern of the ion beam is substantially rectangular with a width equal to or slightly larger than the width of the burnish tape 242 and a length of approximately 30 mm. The ion beam source 881 includes a focusing electrode (not shown), and focuses the ion beam so as to obtain a pattern of this level.

バーニッシュテープ242に照射されたイオンビームは、バーニッシュテープ242の表面に存在する汚損物質を弾き出したり削ったりして除去する。これにより、バーニッシュテープ242の表面が清浄化され、清浄な表面のバーニッシュテープが前述した通り基板の表面に押し付けられてバーニッシュが行われる。このため、バーニッシュテープ242を経由した汚損物質の基板9の表面への付着が防止される。本実施形態では、イオンビームによりバーニッシュテープ242の表面をクリーニングしたが、プラズマやレーザーの作用によってクリーニングすることも可能である。また、前述した第四の実施形態の構成において、バーニッシュテープ212の表面をクリーニングするようにすることも可能である。   The ion beam applied to the burnish tape 242 removes the fouling substances present on the surface of the burnish tape 242 by ejecting or scraping. As a result, the surface of the burnish tape 242 is cleaned, and the burnish tape with a clean surface is pressed against the surface of the substrate as described above to perform burnish. For this reason, the adhesion of the pollutant to the surface of the substrate 9 via the burnish tape 242 is prevented. In the present embodiment, the surface of the burnish tape 242 is cleaned by an ion beam, but it is also possible to clean it by the action of plasma or laser. In the configuration of the fourth embodiment described above, the surface of the burnish tape 212 can be cleaned.

次に、インライン型基板処理装置の発明の実施形態について補足して説明する。上述したように、図1に示す磁気記録ディスク製造装置は、インライン型基板処理装置の発明の実施形態となっている。即ち、二つの無終端状の搬送路1,2の各々に沿って複数の真空チャンバー10〜17,20〜29が接続され、その二つの搬送路1,2をつなぐ第三搬送路3に沿って基板9を大気に取り出すことなく真空中で搬送する移載用ロボット63が設けられている。   Next, a supplementary description will be given of an embodiment of the inline-type substrate processing apparatus. As described above, the magnetic recording disk manufacturing apparatus shown in FIG. 1 is an embodiment of the inline-type substrate processing apparatus. That is, a plurality of vacuum chambers 10 to 17 and 20 to 29 are connected along each of the two endless transfer paths 1 and 2, and along the third transfer path 3 that connects the two transfer paths 1 and 2. A transfer robot 63 is provided for transporting the substrate 9 in a vacuum without taking it out to the atmosphere.

無終端状の搬送路1に沿って複数の真空チャンバー10〜17を設け、搬送路1に沿って基板保持具51を周回させる構成は、基板保持具51を大気に取り出すことがないので、基板保持具51を介して大気中の汚損物質が装置に持ち込まれないというメリットがある。しかしながら、このようなインライン型装置において、真空チャンバー10〜17の数をもっと多くしようとすると、搬送路1の全長が長くなってしまう。図1から類推されるように、搬送路1の全長が長くなると、搬送路1で囲まれた空間が大きくなる。この部分の空間は、特に基板9の処理とは無関係な無駄な空間であるので、この部分の空間が大きくなることによる専有面積の増大は、有意義ではない。   The configuration in which a plurality of vacuum chambers 10 to 17 are provided along the endless transfer path 1 and the substrate holder 51 is circulated along the transfer path 1 does not take the substrate holder 51 into the atmosphere. There is an advantage that the pollutant in the atmosphere is not brought into the apparatus through the holder 51. However, in such an in-line apparatus, if the number of vacuum chambers 10 to 17 is increased, the entire length of the transport path 1 is increased. As can be inferred from FIG. 1, when the entire length of the transport path 1 is increased, the space surrounded by the transport path 1 is increased. Since this portion of space is a useless space unrelated to the processing of the substrate 9 in particular, an increase in the exclusive area due to the increase in the space of this portion is not significant.

本実施形態の装置のように、さらに別の無終端状の搬送路2を設定してこの搬送路にそって真空チャンバー20〜29を増設するようにすれば、装置全体の占有面積をそれほど増大させることなく、より多くの真空チャンバーを増設できる。このため、より多くの処理を真空中で一貫して行うようにする場合、非常に適したものとなる。   As in the apparatus of this embodiment, if another unterminated transfer path 2 is set and the vacuum chambers 20 to 29 are added along the transfer path, the occupied area of the entire apparatus is increased so much. More vacuum chambers can be added without doing so. For this reason, it becomes very suitable when performing more processes consistently in a vacuum.

このようなインライン型基板処理装置の考え方は、前述した磁気記録ディスク製造の場合には限られず、適用が可能である。例えば、コンパクトディスクなどの光学式の情報記録媒体の製造や液晶基板等の表示デバイスの製造等においても、インライン型の構成を採用する限り、適用が可能である。尚、磁気記録ディスク製造装置の発明の実施に際しては、上述したようなインライン型の装置に限定されるものではない。搬送ロボットを備えた搬送チャンバーの周囲に複数の処理チャンバーやロードロックチャンバー、アンロードロックチャンバーを配置したクラスターツール型の装置でも良い。   The concept of such an inline-type substrate processing apparatus is not limited to the above-described magnetic recording disk manufacturing, and can be applied. For example, the present invention can be applied to the production of optical information recording media such as compact discs and the production of display devices such as liquid crystal substrates as long as an inline configuration is employed. Note that the invention of the magnetic recording disk manufacturing apparatus is not limited to the inline apparatus as described above. A cluster tool type apparatus in which a plurality of processing chambers, load lock chambers, and unload lock chambers are arranged around a transfer chamber provided with a transfer robot may be used.

尚、「磁気記録ディスク製造装置」という名称は、磁気記録ディスクの製造に用いられる装置の意味である。従って、それのみですべての製造工程が行われる場合と、他の装置において他の製造工程が行われる場合ともを含む。また、本明細書において、「磁気記録ディスク」とは、磁気の作用を利用して情報の記録が行われるディスクの総称であり、光磁気ディスクのように、磁気の作用とともに他の作用も利用して情報を記録するディスクも広く含む。   The name “magnetic recording disk manufacturing apparatus” means an apparatus used for manufacturing a magnetic recording disk. Therefore, it includes the case where all the manufacturing steps are performed by itself and the case where other manufacturing steps are performed in another apparatus. In this specification, “magnetic recording disk” is a generic term for disks on which information is recorded by using magnetic action, and other actions are used in addition to magnetic action, such as a magneto-optical disk. Thus, a wide variety of discs for recording information are also included.

実施形態に係る磁気記録ディスク製造装置の平面概略図であり、本願発明の実施形態に係るインライン型基板処理装置の平面概略図でもある。1 is a schematic plan view of a magnetic recording disk manufacturing apparatus according to an embodiment, and is also a schematic plan view of an inline type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1に示す装置における第一基板保持具51及び直線移動機構の構成を示す正面概略図である。It is a front schematic diagram which shows the structure of the 1st board | substrate holder 51 and the linear movement mechanism in the apparatus shown in FIG. 図1に示す装置における第一基板保持具51及び直線移動機構の構成を示す側断面概略図である。FIG. 2 is a schematic side sectional view showing a configuration of a first substrate holder 51 and a linear movement mechanism in the apparatus shown in FIG. 1. 図1に示す方向転換チャンバー17に備えられた方向転換機構の構成を示す側面概略図である。FIG. 2 is a schematic side view showing a configuration of a direction changing mechanism provided in the direction changing chamber 17 shown in FIG. 1. 図1に示す磁性膜作成チャンバー14の構成を示す平面概略図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a configuration of a magnetic film creation chamber 14 shown in FIG. 1. 図1に示す保護膜作成チャンバー15の構成を示す平面概略図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a configuration of a protective film creation chamber 15 shown in FIG. 1. 図1に示す第一クリーニングチャンバー22の構成を示す平面概略図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a configuration of a first cleaning chamber 22 shown in FIG. 1. 図1に示す第二クリーニングチャンバー23の構成を示す平面概略図である。FIG. 3 is a schematic plan view showing a configuration of a second cleaning chamber 23 shown in FIG. 1. 図1に示すバーニッシュチャンバー24の構成を示す側面概略図である。FIG. 2 is a schematic side view showing the configuration of the burnish chamber 24 shown in FIG. 1. 図9に示す回転機構8の構成を示す断面概略図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of the rotation mechanism 8 illustrated in FIG. 9. 図10に示す接触片821の配置位置を示す正面図である。It is a front view which shows the arrangement position of the contact piece 821 shown in FIG. 図9に示す押し付け具247を駆動する駆動機構87の構成を示す側面概略図である。FIG. 10 is a schematic side view illustrating a configuration of a drive mechanism 87 that drives the pressing tool 247 illustrated in FIG. 9. 図1に示す潤滑層形成チャンバー25の構成を示す側面概略図である。FIG. 2 is a schematic side view showing a configuration of a lubricating layer forming chamber 25 shown in FIG. 1. 図1に示す後処理チャンバー26の構成を示す側面概略図である。FIG. 2 is a schematic side view illustrating a configuration of a post-processing chamber 26 illustrated in FIG. 1. 第二の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主要部を示す図である。It is a figure which shows the principal part of the magnetic recording disk manufacturing apparatus of 2nd embodiment. 第三の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主要部を示す図である。It is a figure which shows the principal part of the magnetic recording disk manufacturing apparatus of 3rd embodiment. 第四の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主要部を示す図である。It is a figure which shows the principal part of the magnetic recording disk manufacturing apparatus of 4th embodiment. 第五の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主要部を示す図である。It is a figure which shows the principal part of the magnetic recording disk manufacturing apparatus of 5th embodiment. スペーシングについて説明する図である。It is a figure explaining spacing.

符号の説明Explanation of symbols

1 第一搬送路
11 ロードロックチャンバー
12 プリヒートチャンバー
13 下地膜作成チャンバー
14 磁性膜作成チャンバー
15 保護膜作成チャンバー
150 プラズマ形成手段
16 第一中継チャンバー
17 方向転換チャンバー
2 第二搬送路
21 第二中継チャンバー
22 第一クリーニングチャンバー
23 第二クリーニングチャンバー
24 バーニッシュチャンバー
242 バーニッシュテープ
25 潤滑層形成チャンバー
26 後処理チャンバー
27 冷却チャンバー
28 アンロードロックチャンバー
29 方向転換チャンバー
200 第三クリーニングチャンバー
201 レーザー発振器
210 バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー
211 排気系
212 バーニッシュテープ
213 潤滑剤塗布具
3 第三搬送路
4 ゲートバルブ
51 第一基板保持具
52 第二基板保持具
61 搭載用ロボット
62 回収用ロボット
63 移載用ロボット
8 回転機構
88 クリーニング手段
9 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st conveyance path 11 Load lock chamber 12 Preheating chamber 13 Base film production chamber 14 Magnetic film production chamber 15 Protective film production chamber 150 Plasma formation means 16 First relay chamber 17 Direction change chamber 2 Second conveyance path 21 Second relay chamber 22 First cleaning chamber 23 Second cleaning chamber 24 Burnish chamber 242 Burnish tape 25 Lubricating layer forming chamber 26 Post-processing chamber 27 Cooling chamber 28 Unload lock chamber 29 Direction change chamber 200 Third cleaning chamber 201 Laser oscillator 210 Burnish Cum lubrication layer forming chamber 211 exhaust system 212 burnish tape 213 lubricant applicator 3 third transport path 4 gate valve 51 first substrate holding 52 Second substrate holder 61 mounted robot 62 collecting robot 63 transfer robot 8 rotating mechanism 88 the cleaning means 9 substrate

Claims (8)

第一の無終端状の搬送路に沿って接続され、真空中で基板を処理する処理チャンバーを含む第一のグループの真空チャンバーと、
第二の無終端状の搬送路に沿って接続され、真空中で基板を処理する処理チャンバーを含む第二のグループの真空チャンバーと、
前記基板を保持するための基板保持具を前記第一の無終端状の搬送路に沿って周回させる第一の周回機構と、
前記基板を保持するための第二の基板保持具を第二の搬送路に沿って周回させる第二の周回機構と、
第一の基板保持具から基板を取り外し、第三の搬送路に沿って基板を大気に取り出すことなく真空中で搬送し、第二の基板保持具に移載する搬送系とを備えていることを特徴とするインライン型基板処理装置。
A first group of vacuum chambers connected along a first endless transport path and including a processing chamber for processing a substrate in a vacuum;
A second group of vacuum chambers connected along a second endless transport path and including a processing chamber for processing substrates in a vacuum;
A first rotation mechanism for rotating a substrate holder for holding the substrate along the first endless transfer path;
A second turning mechanism for turning the second substrate holder for holding the substrate along the second transport path;
A transport system for removing the substrate from the first substrate holder, transporting the substrate in a vacuum along the third transport path without taking it out to the atmosphere, and transferring it to the second substrate holder An inline-type substrate processing apparatus.
前記第一のグループの真空チャンバーは、前記第一の搬送路上において互いに気密に接続されており、前記第二のグループの真空チャンバーは、前記第二の搬送路上において互いに気密に接続されていることを特徴とする請求項1記載のインライン型基板処理装置。 The vacuum chambers of the first group are airtightly connected to each other on the first transfer path, and the vacuum chambers of the second group are airtightly connected to each other on the second transfer path. The in-line type substrate processing apparatus according to claim 1. 前記第一の搬送路は方形であり、前記第二の搬送路は方形であることを特徴とする請求項1又は2記載のインライン型基板処理装置。 3. The inline-type substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first transport path is a square, and the second transport path is a square. 前記第一の搬送路上において第一の基板保持具に未処理の基板を搭載する機構と、第二の搬送路上において第二の基板保持具から処理済みの基板を回収する機構とを備えていることを特徴とする請求項1、2又は3記載のインライン型基板処理装置。 A mechanism for mounting an unprocessed substrate on the first substrate holder on the first transport path; and a mechanism for recovering a processed substrate from the second substrate holder on the second transport path. The in-line type substrate processing apparatus according to claim 1, 2, or 3. 前記第一のグループの真空チャンバーのいずれかには、前記第一の基板保持具に基板を搭載する搭載用ロボットが設けられており、前記第二のグループの真空チャンバーのいずれかには、前記第二の基板保持具から基板を回収する回収用ロボットが設けられていることを特徴とする請求項4記載のインライン型基板処理装置。 Any one of the vacuum chambers of the first group is provided with a mounting robot for mounting a substrate on the first substrate holder, and any one of the vacuum chambers of the second group includes the above-mentioned 5. The inline-type substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a recovery robot that recovers the substrate from the second substrate holder. 前記第一のグループの真空チャンバーのいずれかは、前記第一の基板保持具に基板を搭載する際に大気に開放されるロードロックチャンバーであり、前記搭載用ロボットはこのロードロックチャンバーに設けられており、前記第二のグループの真空チャンバーのいずれかは、前記第二の基板保持具から基板を回収する際に大気に開放されるアンロードロックチャンバーであり、前記回収用ロボットはこのアンロードロックチャンバーに設けられていることを特徴とする請求項5記載のインライン型基板処理装置。 One of the vacuum chambers of the first group is a load lock chamber that is opened to the atmosphere when a substrate is mounted on the first substrate holder, and the mounting robot is provided in the load lock chamber. One of the vacuum chambers of the second group is an unload lock chamber that is opened to the atmosphere when the substrate is recovered from the second substrate holder, and the recovery robot is the unloading chamber. 6. The in-line type substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the in-line type substrate processing apparatus is provided in a lock chamber. 前記第三の搬送路上には別の真空チャンバーが配設されており、この別の真空チャンバーは、前記第一のグループの真空チャンバーのいずれかと気密に接続されているとともに前記第二のグループの真空チャンバーのいずれかと気密に接続されていることを特徴とする請求項1乃至6いずれかに記載のインライン型基板処理装置。 Another vacuum chamber is disposed on the third transfer path, and the other vacuum chamber is hermetically connected to one of the vacuum chambers of the first group and the second group. 7. The in-line type substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the in-line type substrate processing apparatus is hermetically connected to any one of the vacuum chambers. 前記第三の搬送路上には、前記第一の基板保持具から基板を取り外して前記第二の基板保持具に搭載する移載用ロボットが設けられていることを特徴とする請求項1乃至7いずれかに記載のインライン型基板処理装置。
The transfer robot for removing the substrate from the first substrate holder and mounting it on the second substrate holder is provided on the third transport path. The inline type substrate processing apparatus according to any one of the above.
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