JP2009096767A - Method for producing sulfonyl halide derivative - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method by which an alicyclic sulfonyl halide derivative can industrially advantageously be produced in good yield. <P>SOLUTION: The method for producing the sulfonyl halide derivative comprises reacting a diene compound represented by general formula (I) with a 2-haloethanesulfonyl halide in the presence of a base. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、下記一般式(III)

Figure 2009096767
The present invention relates to the following general formula (III)
Figure 2009096767

(式中、RおよびRはそれぞれ独立して水素原子、アルキル基もしくはアルコキシ基を表すか、または両者が結合して任意の位置に酸素原子または硫黄原子を含んでもよいアルキレン基、−O−、もしくは−S−を表し、RおよびRはそれぞれ独立して水素原子、アルキル基もしくはアルコキシ基を表し、Xは、フッ素原子、塩素原子、または臭素原子を表す。)で示されるスルホニルハライド誘導体(以下、スルホニルハライド誘導体(III)と称する。)の製造方法に関する。本発明により得られるスルホニルハライド誘導体(III)は、塗料や機能性高分子の原料、医薬、農薬その他の精密化学品の原料などとして有用である。 (Wherein R 1 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group, or an alkylene group which may contain an oxygen atom or a sulfur atom at any position by bonding to each other, —O -Or -S-, R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group, and X 2 represents a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom. The present invention relates to a method for producing a sulfonyl halide derivative (hereinafter referred to as sulfonyl halide derivative (III)). The sulfonyl halide derivative (III) obtained by the present invention is useful as a raw material for paints, functional polymers, pharmaceuticals, agricultural chemicals and other fine chemicals.

従来、スルホニルハライド誘導体(III)の製造方法として、2−ハロエタンスルホニルハライドに塩基を作用させて中間体としてビニルスルホニルハライドを得(特許文献1、非特許文献1、2、3)、続いて該ビニルスルホニルハライドとジエン化合物とをDiels−Alder反応する方法(特許文献2、3、非特許文献4参照)が知られている。   Conventionally, as a method for producing a sulfonyl halide derivative (III), a base is allowed to act on 2-haloethanesulfonyl halide to obtain a vinylsulfonyl halide as an intermediate (Patent Document 1, Non-Patent Documents 1, 2, and 3). A method of reacting the vinylsulfonyl halide and diene compound with Diels-Alder (see Patent Documents 2 and 3 and Non-Patent Document 4) is known.

特表2006−515601号公報JP 2006-515601 A 米国特許第3,136,787号明細書U.S. Pat. No. 3,136,787 特表2003−525311号公報Special table 2003-525311 gazette ジャーナル オブ ゼ アメリカン ケミカル ソサイエティー (Journal of the American Chemical Society)、1954年、第76巻、1926〜1929頁Journal of the American Chemical Society, 1954, Vol. 76, pp. 1926 to 1929 (Journal of the American Chemical Society) ケミストリー オブ マテリアルズ ( Chemistry of Materials)、2003年、第15巻、1512〜1517頁Chemistry of Materials, 2003, Vol. 15, pp. 1512-1517. ザ ジャーナル オブ オーガニック ケミストリー (The Journal of Organic Chemistry)、1979年、第44巻、22号、3847〜3858頁The Journal of Organic Chemistry, 1979, Vol. 44, No. 22, pp. 3847-3858, The Journal of Organic Chemistry. ジャーナル オブ ゼ アメリカン ケミカル ソサイエティー (Journal of the American Chemical Society)、1951年、第73巻、3258〜3260頁Journal of the American Chemical Society, 1951, 73, 3258-3260

しかしながら、上記の方法で得られる収率は必ずしも、満足いくものではなく、特に、ジエン化合物としてシクロペンタジエンのような環状ジエン化合物を用いる場合は、収率が低い。また、上記方法の内、ビニルスルホニルクロリドを中間体として用いる場合、該ビニルスルホニルクロリドの製法において−50〜−60℃という極低温を必要とし、工業的に製造するには不利であり、加えて該ビニルスルホニクロリドは自己重合しやすいため、保存時や反応系内での安定性が悪く、スルホニルハライド誘導体(III)の収率低下の原因となる。したがって、これらの方法はいずれもスルホニルハライド誘導体(III)を工業的に有利に製造し得る方法とは言い難い。   However, the yield obtained by the above method is not always satisfactory, and the yield is low particularly when a cyclic diene compound such as cyclopentadiene is used as the diene compound. In addition, among the above methods, when vinylsulfonyl chloride is used as an intermediate, it requires a very low temperature of −50 to −60 ° C. in the production method of vinylsulfonyl chloride, which is disadvantageous for industrial production. Since the vinyl sulfonyl chloride is easily self-polymerized, the stability during storage or in the reaction system is poor, which causes a decrease in the yield of the sulfonyl halide derivative (III). Therefore, none of these methods can be said to be a method capable of industrially advantageously producing the sulfonyl halide derivative (III).

しかして、本発明の目的は、スルホニルハライド誘導体(III)を好収率で、工業的に有利に製造し得る方法を提供することにある。   Therefore, an object of the present invention is to provide a method by which the sulfonyl halide derivative (III) can be produced industrially advantageously in good yield.

本発明者らは、上記した背景技術の問題点を解決するために鋭意検討を行った結果2−ハロエタンスルホニルハライドとジエン化合物とを塩基の存在下に反応させることにより、生成する自己重合しやすいビニルスルホニルハライドが速やかに目的の反応に消費され、自己重合が抑制されることによって、極低温不要の温和な条件で収率よくスルホニルハライド誘導体(III)を製造し得ることを見出した。   As a result of intensive studies to solve the problems of the background art described above, the present inventors have made a self-polymerization by reacting 2-haloethanesulfonyl halide with a diene compound in the presence of a base. It has been found that the sulfonyl halide derivative (III) can be produced in a high yield under mild conditions that do not require cryogenic temperatures, because easy vinylsulfonyl halide is quickly consumed in the intended reaction and self-polymerization is suppressed.

本発明によれば、上記目的は、下記一般式(I)   According to the present invention, the object is as follows:

Figure 2009096767
Figure 2009096767

(式中、R、R、R、およびRは前記定義の通りである。)で示されるジエン化合物(以下、ジエン化合物(I)と称する。)と、下記一般式(II) (Wherein R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are as defined above) and a diene compound (hereinafter referred to as diene compound (I)), and the following general formula (II)

Figure 2009096767
Figure 2009096767

(式中、Xは前記定義のとおりである。Xはフッ素原子、塩素原子、または臭素原子を表す。)で示される2−ハロエタンスルホニルハライド(以下、2−ハロエタンスルホニルハライド(II)と称する。)を、塩基の存在下、反応させることによるスルホニルハライド誘導体(III)の製造方法を提供することにより達成される。 (Wherein, X 2 is as defined above. X 1 represents a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom) (hereinafter referred to as 2-haloethanesulfonyl halide (II). Is achieved by providing a method for producing a sulfonyl halide derivative (III) by reacting in the presence of a base.

本発明によれば、塗料や機能性高分子の原料、医薬、農薬その他の精密化学品の原料などとして有用であるスルホニルハライド誘導体(III)を好収率で、工業的に有利に製造することができる。   According to the present invention, a sulfonyl halide derivative (III) that is useful as a raw material for paints and functional polymers, a raw material for pharmaceuticals, agricultural chemicals, and other fine chemicals is produced in good yield and industrially advantageously. Can do.

1およびR4が表すアルキル基は、直鎖、分岐、または環状のアルキル基のいずれであってもよく、置換基を有していてもよい。例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。置換基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基などの低級アルキル基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基などのアルコキシ基;アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基などのアシルオキシ基などが挙げられる。
1およびR4が表すアルコキシ基は、直鎖、分岐、または環状のアルコキシ基のいずれであってもよく、置換基を有していてもよい。例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。置換基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基などの低級アルキル基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基などのアルコキシ基;アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基などのアシルオキシ基などが挙げられる。
また、R1とR4の両者が結合して表す、任意の位置に酸素原子または硫黄原子を含んでもよいアルキレン基は直鎖、分岐、または環状のアルキレン基のいずれであってもよく、置換基を有していてもよい。例えば−CH−、−(CH−、−(CH−、−(CH−、−(CH−、−(CH−、−C(CH−、−CH−O−CH−、−CH−O−(CH−、−CH−O−(CH−、−CH−O−(CH−、−CH−O−(CH−、−(CH−O−(CH−、−(CH−O−(CH−、−(CH−O−(CH−、−(CH−O−(CH−、−CH−S−CH−、−CH−S−(CH−、−CH−S−(CH−、−CH−S−(CH−、−CH−S−(CH−、−(CH−S−(CH−、−(CH−S−(CH−、−(CH−S−(CH−、−(CH−S−(CH−、シクロヘキサン−1,2−ジイル基、シクロペンタン−1,2−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基などが挙げられる。置換基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基などの低級アルキル基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基などのアルコキシ基;アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基などのアシルオキシ基などが挙げられる。
The alkyl group represented by R 1 and R 4 may be any of a linear, branched, or cyclic alkyl group, and may have a substituent. Examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group. Examples of the substituent include lower alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group; a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. An alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group or a tert-butoxy group; an acyloxy group such as an acetyloxy group or a propionyloxy group;
The alkoxy group represented by R 1 and R 4 may be any of a linear, branched, or cyclic alkoxy group, and may have a substituent. Examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a tert-butoxy group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group. Examples of the substituent include lower alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group; a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. An alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group or a tert-butoxy group; an acyloxy group such as an acetyloxy group or a propionyloxy group;
In addition, the alkylene group that may contain an oxygen atom or a sulfur atom at any position represented by a combination of R 1 and R 4 may be any of a linear, branched, or cyclic alkylene group. It may have a group. For example, —CH 2 —, — (CH 2 ) 2 —, — (CH 2 ) 3 —, — (CH 2 ) 4 —, — (CH 2 ) 5 —, — (CH 2 ) 6 —, —C (CH 3) 2 -, - CH 2 -O-CH 2 -, - CH 2 -O- (CH 2) 2 -, - CH 2 -O- (CH 2) 3 -, - CH 2 -O- (CH 2 ) 4 −, —CH 2 —O— (CH 2 ) 5 —, — (CH 2 ) 2 —O— (CH 2 ) 2 —, — (CH 2 ) 2 —O— (CH 2 ) 3 —, — (CH 2) 2 -O- (CH 2) 4 -, - (CH 2) 3 -O- (CH 2) 3 -, - CH 2 -S-CH 2 -, - CH 2 -S- (CH 2 ) 2 -, - CH 2 -S- (CH 2) 3 -, - CH 2 -S- (CH 2) 4 -, - CH 2 -S- (CH 2) 5 -, - (CH 2) 2 - S- (CH ) 2 -, - (CH 2 ) 2 -S- (CH 2) 3 -, - (CH 2) 2 -S- (CH 2) 4 -, - (CH 2) 3 -S- (CH 2) 3 -, Cyclohexane-1,2-diyl group, cyclopentane-1,2-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group and the like. Examples of the substituent include lower alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group; a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. An alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group or a tert-butoxy group; an acyloxy group such as an acetyloxy group or a propionyloxy group;

およびRが表すアルキル基は、直鎖、分岐、または環状のアルキル基のいずれであってもよく、置換基を有していてもよい。例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。置換基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基などの低級アルキル基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基などのアルコキシ基;アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基などのアシルオキシ基などが挙げられる。
およびRが表すアルコキシ基は、直鎖、分岐、または環状のアルコキシ基のいずれであってもよく、置換基を有していてもよい。例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。置換基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基などの低級アルキル基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基などのアルコキシ基;アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基などのアシルオキシ基などが挙げられる。
The alkyl group represented by R 2 and R 3 may be any of a linear, branched, or cyclic alkyl group, and may have a substituent. Examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group. Examples of the substituent include lower alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group; a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. An alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group or a tert-butoxy group; an acyloxy group such as an acetyloxy group or a propionyloxy group;
The alkoxy group represented by R 2 and R 3 may be any of a linear, branched, or cyclic alkoxy group, and may have a substituent. Examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a tert-butoxy group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group. Examples of the substituent include lower alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group; a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. An alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group or a tert-butoxy group; an acyloxy group such as an acetyloxy group or a propionyloxy group;

ジエン化合物(I)の具体例としては、例えば、1,3−ブタジエン、イソプレン、2,4−ヘキサジエン、シクロペンタジエン、2−アセチルオキシシクロペンタジエン、1,3−シクロヘキサジエン,1−メトキシ−1,3−ブタジエン、1−メトキシ−1,3−シクロヘキサジエン、フラン、チオフェンなどが挙げられる。   Specific examples of the diene compound (I) include, for example, 1,3-butadiene, isoprene, 2,4-hexadiene, cyclopentadiene, 2-acetyloxycyclopentadiene, 1,3-cyclohexadiene, 1-methoxy-1, Examples include 3-butadiene, 1-methoxy-1,3-cyclohexadiene, furan, and thiophene.

2−ハロエタンスルホニルハライド(II)は具体的には、2−フルオロエタンスルホニルフルオリド、2−フルオロエタンスルホニルクロリド、2−フルオロエタンスルホニルブロミド、2−クロロエタンスルホニルフルオリド、2−クロロエタンスルホニルクロリド、2−クロロエタンスルホニルブロミド、2−ブロモエタンスルホニルフルオリド、2−ブロモエタンスルホニルクロリド、2−ブロモエタンスルホニルブロミドであり、このうち、工業的入手の容易さから、2−クロロエタンスルホニルフルオリド、2−クロロエタンスルホニルクロリド、2−クロロエタンスルホニルブロミドが好ましい。   Specifically, 2-haloethanesulfonyl halide (II) is 2-fluoroethanesulfonyl fluoride, 2-fluoroethanesulfonyl chloride, 2-fluoroethanesulfonyl bromide, 2-chloroethanesulfonyl fluoride, 2-chloroethanesulfonyl chloride, 2-chloroethanesulfonyl bromide, 2-bromoethanesulfonyl fluoride, 2-bromoethanesulfonyl chloride, and 2-bromoethanesulfonyl bromide. Among these, 2-chloroethanesulfonyl fluoride, 2-chloroethanesulfonyl bromide, Chloroethanesulfonyl chloride and 2-chloroethanesulfonyl bromide are preferred.

本発明で使用するジエン化合物(I)の量は、2−ハロエタンスルホニルハライド(II)1モルに対して、0.8モル〜50モルの範囲が好ましく、0.9モル〜20モルの範囲がより好ましく、1.0モル〜10モルの範囲がさらに好ましい。   The amount of the diene compound (I) used in the present invention is preferably in the range of 0.8 mol to 50 mol, and in the range of 0.9 mol to 20 mol, relative to 1 mol of 2-haloethanesulfonyl halide (II). Is more preferable, and the range of 1.0 mol to 10 mol is more preferable.

本発明で使用する塩基としては、水素化ナトリウム、水素化カリウムなどのアルカリ金属水素化物;水素化マグネシウム、水素化カルシウムなどのアルカリ土類金属水素化物;水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物;水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ土類金属水酸化物;炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩;炭酸マグネシウム、炭酸カルシウムなどのアルカリ土類金属炭酸塩;炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどのアルカリ金属炭酸水素塩;;酸化マグネシウム、酸化カルシウムなどのアルカリ土類金属酸化物;トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンなどの三級アミン;ピリジン、2−ピコリン、2,6−ルチジン、2,4,6−コリジン、キノリンなどの含窒素芳香環化合物が挙げられる。   Examples of the base used in the present invention include alkali metal hydrides such as sodium hydride and potassium hydride; alkaline earth metal hydrides such as magnesium hydride and calcium hydride; alkali metals such as sodium hydroxide and potassium hydroxide. Hydroxides; Alkaline earth metal hydroxides such as magnesium hydroxide and calcium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkaline earth metal carbonates such as magnesium carbonate and calcium carbonate; Sodium bicarbonate Alkaline metal metal oxides such as magnesium oxide and calcium oxide; tertiary amines such as triethylamine, tributylamine and diisopropylethylamine; pyridine, 2-picoline, 2,6- Lutidine, 2,4,6- Lysine, nitrogen-containing aromatic ring compounds such as quinoline.

本発明における塩基の使用量は、2−ハロエタンスルホニルハライド(II)1モルに対して0.8モル〜5モルの範囲であることが好ましく、経済性および後処理の容易さの観点から0.8モル〜3モルの範囲であることがより好ましい。   The amount of the base used in the present invention is preferably in the range of 0.8 mol to 5 mol with respect to 1 mol of 2-haloethanesulfonyl halide (II), and is 0 from the viewpoint of economy and ease of post-treatment. More preferably, it is in the range of 8 mol to 3 mol.

本発明は、重合禁止剤の存在下または非存在下に実施できる。重合禁止剤としては、例えばヒドロキノン、メトキシフェノール、ベンゾキノン、トルキノン、4−tert−ブチルカテコール、2,6−ジ−tert−ブチルフェノール、2,4−ジ−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチル−4,6−ジメチルフェノール、フェノチアジンなどが挙げられる。重合禁止剤は、1種類を用いても、2種類以上を併用しても良い。重合禁止剤を使用する場合、その使用量は、反応混合物全体の質量に対して5質量%以下が好ましく、1質量%以下がより好ましく、0.5質量%以下がさらに好ましい。   The present invention can be carried out in the presence or absence of a polymerization inhibitor. Examples of the polymerization inhibitor include hydroquinone, methoxyphenol, benzoquinone, tolquinone, 4-tert-butylcatechol, 2,6-di-tert-butylphenol, 2,4-di-tert-butylphenol, and 2-tert-butyl-4. , 6-dimethylphenol, phenothiazine and the like. One type of polymerization inhibitor may be used, or two or more types may be used in combination. When using a polymerization inhibitor, the amount used is preferably 5% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, and still more preferably 0.5% by mass or less, based on the mass of the entire reaction mixture.

本発明は溶媒の存在下または非存在下で実施することができる。溶媒としては、反応を阻害しなければ特に制限はないが、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素;クロロベンゼン、フルオロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素;ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライム、テトラグライムなどのエーテル;ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタンなどのハロゲン化脂肪族炭化水素;アセトニトリルなどが挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、2種類以上を混合して使用してもよい。溶媒を使用する場合、その使用量は、反応速度、経済性、環境保全等の観点から、2−ハロエタンスルホニルハライド(II)1質量部に対して100質量部以下であるのが好ましく、50質量部以下であるのがより好ましく、10質量部以下であるのがさらに好ましい。   The present invention can be carried out in the presence or absence of a solvent. The solvent is not particularly limited as long as the reaction is not inhibited. For example, aliphatic hydrocarbons such as hexane, heptane and octane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and mesitylene; halogens such as chlorobenzene and fluorobenzene Aromatic hydrocarbons; ethers such as diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, 1,2-dimethoxyethane, diglyme, triglyme, tetraglyme; halogenation such as dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane Aliphatic hydrocarbons; acetonitrile and the like. These may be used singly or in combination of two or more. In the case of using a solvent, the amount used is preferably 100 parts by mass or less with respect to 1 part by mass of 2-haloethanesulfonyl halide (II) from the viewpoints of reaction rate, economy, environmental protection, and the like. The amount is more preferably no greater than 10 parts by mass, and even more preferably no greater than 10 parts by mass.

本発明の反応温度は、使用するジエン化合物(I)、2−ハロエタンスルホニルハライド(II)、塩基の種類によって異なるが、通常は−30℃〜200℃の範囲である。反応温度は、反応速度の観点からは、−20℃以上が好ましく、−10℃以上がより好ましい。また、重合などの副反応の抑制の観点からは、100℃以下が好ましく、50℃以下がより好ましい。   The reaction temperature of the present invention varies depending on the type of diene compound (I), 2-haloethanesulfonyl halide (II) and base used, but is usually in the range of -30 ° C to 200 ° C. The reaction temperature is preferably −20 ° C. or higher, more preferably −10 ° C. or higher, from the viewpoint of the reaction rate. Moreover, from a viewpoint of suppression of side reactions, such as superposition | polymerization, 100 degrees C or less is preferable and 50 degrees C or less is more preferable.

本発明の反応圧力には特に制限はないが、常圧下で実施するのが簡便で好ましい。   Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction pressure of this invention, It is simple and preferable to implement under a normal pressure.

本発明の反応時間は、使用するジエン化合物(I)、2−ハロエタンスルホニルハライド(II)、塩基、反応温度によって異なるが、通常は0.5時間〜48時間の範囲が好ましく、1時間〜24時間の範囲がより好ましい。   The reaction time of the present invention varies depending on the diene compound (I), 2-haloethanesulfonyl halide (II), base, and reaction temperature to be used, but is usually preferably in the range of 0.5 to 48 hours, and preferably 1 to A range of 24 hours is more preferred.

本発明における反応操作方法は、反応器内に、ジエン化合物(I)、2−ハロエタンスルホニルハライド(II)、および塩基が共存する状態で反応が実施される限り特に制限はない。例えば、(1)回分式反応器に2−ハロエタンスルホニルハライド(II)、ジエン化合物(I)、塩基、必要に応じて重合禁止剤、および所望により溶媒を仕込み反応させる方法、(2)回分式反応器にジエン化合物(I)、塩基、必要に応じて重合禁止剤、および所望により溶媒を仕込み、この混合物に、所定温度で2−ハロエタンスルホニルハライド(II)を添加する方法、(3)回分式反応器にジエン化合物(I)、2−ハロエタンスルホニルハライド(II)、必要に応じて重合禁止剤、および所望により溶媒を仕込み、この混合物に、所定温度で塩基を添加する方法、(4)回分式反応器にジエン化合物(I)、必要に応じて重合禁止剤、及び所望により溶媒を仕込み、この混合液に、所定温度で2−ハロエタンスルホニルハライド(II)と塩基をそれぞれ別々に添加する方法などが挙げられるが、(3)および(4)の方法が好ましい。   The reaction operation method in the present invention is not particularly limited as long as the reaction is carried out in a state where the diene compound (I), 2-haloethanesulfonyl halide (II), and a base coexist in the reactor. For example, (1) a batch reactor in which 2-haloethanesulfonyl halide (II), diene compound (I), a base, a polymerization inhibitor, if necessary, and a solvent are optionally added and reacted, (2) batch A method in which a diene compound (I), a base, a polymerization inhibitor, if necessary, and a solvent are charged in a chemical reactor, and 2-haloethanesulfonyl halide (II) is added to the mixture at a predetermined temperature, (3 ) A method in which a batch reactor is charged with diene compound (I), 2-haloethanesulfonyl halide (II), a polymerization inhibitor as required, and optionally a solvent, and a base is added to this mixture at a predetermined temperature, (4) A batch reactor is charged with the diene compound (I), a polymerization inhibitor, if necessary, and a solvent as required, and this mixture is charged with 2-haloethanesulfonyl halide at a predetermined temperature. Although a method of adding id (II) with a base, respectively separately are mentioned, the preferred method of (3) and (4).

本発明で得られた反応混合物からのスルホニルハライド誘導体(III)の単離、精製は、有機化合物の単離、精製に一般的に用いられる方法により行うことができる。例えば、反応終了後、反応混合物をろ過したのち、得られたろ液を濃縮することによりスルホニルハライド誘導体(III)を単離できる。そして、必要に応じ、再結晶、蒸留、シリカゲルクロマトグラフィーなどで精製することにより、純度の高いスルホニルハライド誘導体(III)を得ることができる。また、精製を繰り返すことにより、純度の高い単一の異性体を得ることもできる。
また、反応混合物のまま他の反応に使用することもできるし、単離・精製することもできる。
Isolation and purification of the sulfonyl halide derivative (III) from the reaction mixture obtained in the present invention can be carried out by methods generally used for isolation and purification of organic compounds. For example, after completion of the reaction, the sulfonyl halide derivative (III) can be isolated by filtering the reaction mixture and then concentrating the obtained filtrate. Then, if necessary, the sulfonyl halide derivative (III) with high purity can be obtained by purification by recrystallization, distillation, silica gel chromatography or the like. Moreover, a single isomer with high purity can be obtained by repeating purification.
Moreover, it can also be used for another reaction with a reaction mixture, and it can also isolate and refine | purify.

ビニルスルホニルクロリドと環状ジエン化合物のDiels−Alder反応は難しく、収率が低いが、本発明によれば、短時間、温和な条件かつ好収率でスルホニルハライド誘導体(III)を得ることができる。   The Diels-Alder reaction between vinylsulfonyl chloride and a cyclic diene compound is difficult and the yield is low. According to the present invention, the sulfonyl halide derivative (III) can be obtained in a short period of time under mild conditions and in good yield.

本発明によって得られるスルホニルハライド誘導体(III)は、異性体の混合物であっても、単一の異性体であっても塗料や機能性高分子の原料、医薬、農薬その他の精密化学の原料に好適に使用することができる。   The sulfonyl halide derivative (III) obtained by the present invention can be used as a raw material for paints, functional polymers, pharmaceuticals, agricultural chemicals and other fine chemicals, whether it is a mixture of isomers or a single isomer. It can be preferably used.

本発明によって得られるスルホニルハライド誘導体(III)は、1級アミンまたは2級アミンと反応させることにより、収率よくスルホンアミド誘導体を得ることができ、アルコールと反応させることにより、収率よくスルホン酸エステル誘導体を得ることができる。   The sulfonyl halide derivative (III) obtained by the present invention can give a sulfonamide derivative in a high yield by reacting with a primary amine or a secondary amine, and the sulfonic acid in a high yield by reacting with an alcohol. An ester derivative can be obtained.

以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in more detail, this invention is not restrict | limited at all by these Examples.

<実施例1>
5−ノルボルネン−2−スルホニルクロリドの合成
攪拌機、温度計を取り付けた内容積1リットルの四つ口フラスコに、フェノチアジン0.35g、テトラヒドロフラン480g、シクロペンタジエン72.9g(1.10mol)を仕込み、攪拌しながら0〜5℃に冷却した。次いで、別々の滴下ロートに2−クロロエタンスルホニルクロリド172.3g(1.00mol)、トリエチルアミン122.1g(1.20mol)をそれぞれ量りとり、内温0〜5℃で3時間かけて同時に滴下を行った。滴下終了後、反応混合物を0〜5℃で3時間攪拌を行った後、析出した塩をろ過し、5−ノルボルネン−2−スルホニルクロリド テトラヒドロフラン溶液746.5gを得た(ネット158.0g;収率82%)。該溶液を蒸留したところ、沸点102.0〜103.0℃/0.5mmHgで5−ノルボルネン−2−スルホニルクロリド 135.9g(蒸留収率 86%)を得た。
<Example 1>
Synthesis of 5-norbornene-2-sulfonyl chloride A 4-liter flask with an internal volume of 1 liter equipped with a thermometer was charged with 0.35 g of phenothiazine, 480 g of tetrahydrofuran, and 72.9 g (1.10 mol) of cyclopentadiene and stirred. While cooling to 0-5 ° C. Next, 172.3 g (1.00 mol) of 2-chloroethanesulfonyl chloride and 122.1 g (1.20 mol) of 2-chloroethanesulfonyl chloride were respectively weighed into separate dropping funnels, and simultaneously dropped at an internal temperature of 0 to 5 ° C. over 3 hours. It was. After completion of the dropwise addition, the reaction mixture was stirred at 0 to 5 ° C. for 3 hours, and then the deposited salt was filtered to obtain 746.5 g of a 5-norbornene-2-sulfonyl chloride tetrahydrofuran solution (net 158.0 g; 82%). When this solution was distilled, 135.9 g (distillation yield 86%) of 5-norbornene-2-sulfonyl chloride was obtained at a boiling point of 102.0 to 103.0 ° C./0.5 mmHg.

<実施例2>
3−メチル−3−シクロヘキセン−1−スルホニルクロリドと4−メチル−3−シクロヘキセン−1−スルホニルクロリドの混合物の合成
攪拌機、温度計を取り付けた内容積500ミリリットルの四つ口フラスコに、フェノチアジン0.18g、テトラヒドロフラン240g、イソプレン37.5g(0.55mol)を仕込み、攪拌しながら0〜5℃に冷却した。次いで、別々の滴下ロートに2−クロロエタンスルホニルクロリド86.2g(0.50mol)、トリエチルアミン61.1g(0.60mol)をそれぞれ量りとり、内温0〜5℃で3時間かけて同時に滴下を行った。滴下終了後、反応混合物を0〜5℃で5時間攪拌を行った後、析出した塩をろ過し、4−メチル−3−シクロヘキセン−1−スルホニルクロリド テトラヒドロフラン溶液375.5gを得た(ネット87.6g;収率90%)。該溶液を蒸留したところ、沸点87.0〜88.0℃/0.8mmHgで3−メチル−3−シクロヘキセン−1−スルホニルクロリドと4−メチル−3−シクロヘキセン−1−スルホニルクロリドの混合物82.7g(蒸留収率 85%)を得た。
<Example 2>
Synthesis of a mixture of 3-methyl-3-cyclohexene-1-sulfonyl chloride and 4-methyl-3-cyclohexene-1-sulfonyl chloride A phenothiazine 0. 18 g, 240 g of tetrahydrofuran and 37.5 g (0.55 mol) of isoprene were charged and cooled to 0 to 5 ° C. with stirring. Next, 86.2 g (0.50 mol) of 2-chloroethanesulfonyl chloride and 61.1 g (0.60 mol) of 2-chloroethanesulfonyl chloride were respectively weighed into separate dropping funnels, and simultaneously dropped at an internal temperature of 0 to 5 ° C. over 3 hours. It was. After completion of the dropwise addition, the reaction mixture was stirred at 0 to 5 ° C. for 5 hours, and then the deposited salt was filtered to obtain 375.5 g of 4-methyl-3-cyclohexene-1-sulfonyl chloride tetrahydrofuran solution (net 87). .6 g; yield 90%). When the solution was distilled, a mixture of 3-methyl-3-cyclohexene-1-sulfonyl chloride and 4-methyl-3-cyclohexene-1-sulfonyl chloride at a boiling point of 87.0-88.0 ° C./0.8 mmHg 82. 7 g (distillation yield 85%) was obtained.

<比較例1>
5−ノルボルネン−2−スルホニルクロリドの合成
攪拌機、温度計を取り付けた内容積200mlの三つ口フラスコに、テトラヒドロフラン50g、2−クロロエタンスルホニルクロリド16.3g(0.10mol)を仕込み、攪拌しながら0〜5℃に冷却した。次いで、トリエチルアミン12.2g(0.12mol)を内温0〜5℃に保ちながら2時間かけて滴下した。滴下終了後、反応混合物を0〜5℃に保ちながら2時間攪拌した。この時、2−クロロエタンスルホニルクロリドは全て消費され、ビニルスルホニルクロリドが生成していることを反応混合物のGC分析により確認した。この反応混合物にシクロペンタジエン7.28g(0.11mol)を加え、内温0〜5℃で20時間攪拌した。反応終了を確認後、析出した塩をろ過し、5−ノルボルネン−2−スルホニルクロリド テトラヒドロフラン溶液86.8gを得た(ネット7.32g;収率38%)。
<Comparative Example 1>
Synthesis of 5-norbornene-2-sulfonyl chloride A three-necked flask with an internal volume of 200 ml equipped with a stirrer and thermometer was charged with 50 g of tetrahydrofuran and 16.3 g (0.10 mol) of 2-chloroethanesulfonyl chloride. Cooled to ~ 5 ° C. Subsequently, 12.2 g (0.12 mol) of triethylamine was added dropwise over 2 hours while maintaining the internal temperature at 0 to 5 ° C. After completion of the dropwise addition, the reaction mixture was stirred for 2 hours while maintaining at 0 to 5 ° C. At this time, all 2-chloroethanesulfonyl chloride was consumed, and it was confirmed by GC analysis of the reaction mixture that vinylsulfonyl chloride was formed. To this reaction mixture, 7.28 g (0.11 mol) of cyclopentadiene was added and stirred at an internal temperature of 0 to 5 ° C. for 20 hours. After confirming the completion of the reaction, the deposited salt was filtered to obtain 86.8 g of 5-norbornene-2-sulfonyl chloride tetrahydrofuran solution (net 7.32 g; yield 38%).

<比較例2>
3−メチル−3−シクロヘキセン−1−スルホニルクロリドと4−メチル−3−シクロヘキセン−1−スルホニルクロリドの混合物の合成
攪拌機、温度計を取り付けた内容積200mlの三つ口フラスコに、テトラヒドロフラン50g、2−クロロエタンスルホニルクロリド16.3g(0.10mol)を仕込み、攪拌しながら0〜5℃に冷却した。次いで、トリエチルアミン12.2g(0.12mol)を内温0〜5℃に保ちながら2時間かけて滴下した。滴下終了後、反応混合物を0〜5℃に保ちながら2時間攪拌した。この時、2−クロロエタンスルホニルクロリドは全て消費され、ビニルスルホニルクロリドが生成していることを反応混合物のGC分析により確認した。この反応混合物にイソプレン7.49g(0.11mol)を加え、内温0〜5℃で20時間攪拌した。反応終了を確認後、析出した塩をろ過し、3−メチル−3−シクロヘキセン−1−スルホニルクロリドと4−メチル−3−シクロヘキセン−1−スルホニルクロリドの混合物のテトラヒドロフラン溶液87.5gを得た(ネット12.1g;収率62%)。
<Comparative example 2>
Synthesis of a mixture of 3-methyl-3-cyclohexene-1-sulfonyl chloride and 4-methyl-3-cyclohexene-1-sulfonyl chloride A three-necked flask having an internal volume of 200 ml equipped with a stirrer and a thermometer was charged with 50 g of tetrahydrofuran, -16.3 g (0.10 mol) of chloroethanesulfonyl chloride was charged and cooled to 0 to 5 ° C while stirring. Subsequently, 12.2 g (0.12 mol) of triethylamine was added dropwise over 2 hours while maintaining the internal temperature at 0 to 5 ° C. After completion of the dropwise addition, the reaction mixture was stirred for 2 hours while maintaining at 0 to 5 ° C. At this time, all 2-chloroethanesulfonyl chloride was consumed, and it was confirmed by GC analysis of the reaction mixture that vinylsulfonyl chloride was formed. 7.49 g (0.11 mol) of isoprene was added to this reaction mixture, and the mixture was stirred at an internal temperature of 0 to 5 ° C. for 20 hours. After confirming the completion of the reaction, the deposited salt was filtered to obtain 87.5 g of a tetrahydrofuran solution of a mixture of 3-methyl-3-cyclohexene-1-sulfonyl chloride and 4-methyl-3-cyclohexene-1-sulfonyl chloride ( Net 12.1 g; yield 62%).

Claims (5)

下記一般式(I)
Figure 2009096767
(式中、RおよびRはそれぞれ独立して水素原子、アルキル基もしくはアルコキシ基を表すか、または両者が結合して任意の位置に酸素原子または硫黄原子を含んでもよいアルキレン基、−O−、もしくは−S−を表し、RおよびRはそれぞれ独立して水素原子、アルキル基もしくはアルコキシ基を表す。)
で示されるジエン化合物と、下記一般式(II)
Figure 2009096767
(式中、X、Xは、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、または臭素原子を表す。)
で示される2−ハロエタンスルホニルハライドを、塩基の存在下、反応させることを特徴とする、下記一般式(III)
Figure 2009096767
(式中、R、R、R、R、およびXは前記定義の通りである。)
で表されるスルホニルハライド誘導体の製造方法。
The following general formula (I)
Figure 2009096767
(Wherein R 1 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group, or an alkylene group which may contain an oxygen atom or a sulfur atom at any position by bonding to each other, —O -Represents-or -S-, and R 2 and R 3 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group.
A diene compound represented by the following general formula (II)
Figure 2009096767
(In formula, X < 1 >, X < 2 > represents a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom each independently.)
A 2-haloethanesulfonyl halide represented by the following general formula (III) is reacted in the presence of a base:
Figure 2009096767
(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and X 2 are as defined above.)
The manufacturing method of the sulfonyl halide derivative represented by these.
下記一般式(I)
Figure 2009096767
(式中、RおよびRはそれぞれ独立して水素原子、アルキル基もしくはアルコキシ基を表すか、または両者が結合して任意の位置に酸素原子または硫黄原子を含んでもよいアルキレン基、−O−、もしくは−S−を表し、RおよびRはそれぞれ独立して水素原子、アルキル基もしくはアルコキシ基を表す。)
で示されるジエン化合物と、下記一般式(II)
Figure 2009096767
(式中、X、Xは、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、または臭素原子を表す。)
で示される2−ハロエタンスルホニルハライドに、塩基を添加して反応させることを特徴とする、下記一般式(III)
Figure 2009096767
(式中、R、R、R、R、およびXは前記定義の通りである。)
で表されるスルホニルハライド誘導体の製造方法。
The following general formula (I)
Figure 2009096767
(Wherein R 1 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group, or an alkylene group which may contain an oxygen atom or a sulfur atom at any position by bonding to each other, —O -Represents-or -S-, and R 2 and R 3 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group.
A diene compound represented by the following general formula (II)
Figure 2009096767
(In formula, X < 1 >, X < 2 > represents a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom each independently.)
A base is added to the 2-haloethanesulfonyl halide represented by the following general formula (III):
Figure 2009096767
(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and X 2 are as defined above.)
The manufacturing method of the sulfonyl halide derivative represented by these.
下記一般式(I)
Figure 2009096767
(式中、RおよびRはそれぞれ独立して水素原子、アルキル基もしくはアルコキシ基を表すか、または両者が結合して任意の位置に酸素原子または硫黄原子を含んでもよいアルキレン基、−O−、もしくは−S−を表し、RおよびRはそれぞれ独立して水素原子、アルキル基もしくはアルコキシ基を表す。)
で示されるジエン化合物に、下記一般式(II)
Figure 2009096767
(式中、X、Xは、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、または臭素原子を表す。)
で示される2−ハロエタンスルホニルハライド、および、塩基を添加して反応させることを特徴とする、下記一般式(III)
Figure 2009096767
(式中、R、R、R、R、およびXは前記定義の通りである。)
で表されるスルホニルハライド誘導体の製造方法。
The following general formula (I)
Figure 2009096767
(Wherein R 1 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group, or an alkylene group which may contain an oxygen atom or a sulfur atom at any position by bonding to each other, —O -Represents-or -S-, and R 2 and R 3 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group.
In the diene compound represented by the following general formula (II)
Figure 2009096767
(In formula, X < 1 >, X < 2 > represents a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom each independently.)
A 2-haloethanesulfonyl halide represented by the following general formula (III):
Figure 2009096767
(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and X 2 are as defined above.)
The manufacturing method of the sulfonyl halide derivative represented by these.
およびRが結合して−CH−である請求項1、請求項2、または請求項3記載のスルホニルハライド誘導体の製造方法。 The method for producing a sulfonyl halide derivative according to claim 1, wherein R 1 and R 4 are combined to form —CH 2 —. およびRが結合して−CH−であり、X、およびXが塩素原子である請求項1、請求項2、または請求項3記載のスルホニルハライド誘導体の製造方法。 The method for producing a sulfonyl halide derivative according to claim 1, wherein R 1 and R 4 are bonded to form —CH 2 —, and X 1 and X 2 are chlorine atoms.
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