JP2009079913A - 半導体集積回路装置およびその試験方法 - Google Patents
半導体集積回路装置およびその試験方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009079913A JP2009079913A JP2007247287A JP2007247287A JP2009079913A JP 2009079913 A JP2009079913 A JP 2009079913A JP 2007247287 A JP2007247287 A JP 2007247287A JP 2007247287 A JP2007247287 A JP 2007247287A JP 2009079913 A JP2009079913 A JP 2009079913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clock
- frequency
- integrated circuit
- circuit device
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】モード切替え時にロックアップタイムを不要として試験の高速化を図る。
【解決手段】PLLユニット1を搭載し、該PLLユニットの出力クロックを試験用クロックに使用してスキャンシフトモードおよびキャプチャモードにより試験を行う半導体集積回路装置であって、前記PLLユニット1は、外部からの入力クロックCLKを第1の分周数Kで分周して前記スキャンシフトモードに使用するための第1のクロックCLK1を生成する第1の分周器11と、前記入力クロックCLKを第2の分周数Mで分周して第2のクロックCLK2を生成する第2の分周器12と、該第2のクロックを受け取って前記キャプチャモードに使用するための第3のクロックCLK3を生成するPLL14と、を備えるように構成する。
【選択図】図4
【解決手段】PLLユニット1を搭載し、該PLLユニットの出力クロックを試験用クロックに使用してスキャンシフトモードおよびキャプチャモードにより試験を行う半導体集積回路装置であって、前記PLLユニット1は、外部からの入力クロックCLKを第1の分周数Kで分周して前記スキャンシフトモードに使用するための第1のクロックCLK1を生成する第1の分周器11と、前記入力クロックCLKを第2の分周数Mで分周して第2のクロックCLK2を生成する第2の分周器12と、該第2のクロックを受け取って前記キャプチャモードに使用するための第3のクロックCLK3を生成するPLL14と、を備えるように構成する。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体集積回路装置およびその試験方法に関し、特に、TDT実速度試験を高速に行う半導体集積回路装置およびその試験方法に関する。
近年、TDT(Transition Delay Test)を高速に行う試験(TDT実速度(At Speed)試験)が必要とされている。ここで、TDT実速度試験は、半導体集積回路装置(システム回路)を実際の動作と同じ周波数で駆動して行う試験である。
TDT実速度試験は、システムが動作する周波数で試験対象回路を動作させて試験を行う。試験で使用するクロックの生成には、複数の手法があり、システムを構成する回路の一部として搭載されたPLLの出力クロックを試験用クロックとして使用するものがある。
ところで、従来、半導体集積回路装置のスキャンテストにおいて、通常モードにおける動作速度を低下させずに実速度検査を網羅的に行うために、シフト動作時は適当な周波数で回路を動作させ、キャプチャ動作時は実動作時間で回路を動作させ、そして、キャプチャ動作時に動作周波数特性の異なる回路群に対してそれぞれ異なるデューティ比を実効的に実現させるために、キャプチャ動作サイクルの直前のシフト動作サイクルにおいてそれぞれのクロックのデューティ比を変え、キャプチャ動作サイクルにおいてはそれぞれのクロックを同一のデューティ比とするようにした半導体集積回路装置の実速度検査方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
図1は従来の半導体集積回路装置の一例を説明するためのブロック図であり、上述した特許文献1に開示されたTDT実速度試験を行う機能を備えた半導体集積回路装置を示すものである。
図1に示す従来の半導体集積回路装置は、クロック入力端子(外部端子)INから入力されたクロックCLKを遅延調整セル101で遅延して、スキャンシフトモードの最後の立ち上がりエッジの位相とキャプチャモードの最初の立ち上がりエッジの位相を調整することで試験回路2に供給する試験用クロックを生成している。
試験回路(試験機能を有する部分回路)2は、遅延調整セル101からの試験用クロックで動作するSFF(Scan Flip-Flop:スキャンフリップフロップ)21および22、並びに、試験対象となるファンクションロジック20を備えている。
ここで、スキャンシフトモードとは、試験対象(ファンクションロジック20)のSFF21,22に値を設定するモードであり、また、キャプチャモードとは、SFF21,22の状態を遷移させるモードである。
図1に示す従来の半導体集積回路装置は、PLLの出力クロックを利用してTDT実速度試験を行うものではなく、遅延調整セル101で入力クロックを遅延させて試験を行うものである。
近年、システム(半導体集積回路装置)の動作速度の高速化に伴って、TDT実速度試験を正確なタイミングで行うために、システム構成の一部として搭載されたPLLの出力クロックを試験用クロックとして使用するものが考えられている。
図2は従来の半導体集積回路装置の他の例を説明するためのブロック図であり、図3は図2に示す半導体集積回路装置におけるTDT実速度試験を説明するためのタイムチャートである。図2において、参照符号102はPLL、103はマルチプレクサ(MUX)、そして、104はマルチプレクサ制御回路を示している。なお、PLL102およびMUX103は、PLLユニット100を構成している。
図2に示す従来の半導体集積回路装置は、MUX103に対して、クロック入力端子INから入力されたスキャンシフトモード用クロックCLK01と、クロック入力端子INから入力されたキャプチャモードに使用するためのクロックCLK02をPLL102で受け取ってPLL102により逓倍したキャプチャモード用クロックCLK03とを入力し、マルチプレクサ制御回路104の出力により、スキャンシフトモード用クロックCLK01およびキャプチャモード用クロックCLK03を選択して試験回路2へ出力するようになっていた。
ところで、一般的に、スキャンシフト用クロックCLK01の周波数は、10MHz〜30MHzの範囲であり、また、PLL102に入力するクロックCLK02の周波数は、4MHz〜50MHzの範囲であり、これらのクロックCLK01およびCLK02は通常一致することはほとんどない。
すなわち、図2に示す従来の半導体集積回路装置において、スキャンシフト用クロックCLK01の周波数(例えば、15MHz)と、PLL102の入力クロックCLK02の周波数(例えば、4MHz)が同じとなる場合はほとんどないため、MUX103によるスキャンシフトモード用クロックCLK01とキャプチャモード用クロックCLK3との選択に応じて、換言すると、試験モードをスキャンシフトモード→キャプチャモード→スキャンシフトモード→キャプチャモード→・・・→スキャンシフトモードと切り替えるのに対応させて、クロック入力端子INからのクロックの周波数を切り替えていた。
しかしながら、PLL102は、入力するクロックがCLK01からCLK02へ切り替わった後、直ちに安定した周波数(例えば、200MHz)の出力ロックCLK03を出力することができず、図3から明らかなように、試験モードがスキャンシフトモードからキャプチャモードへ切り替わる毎に所定のロックアップタイム(例えば、100μs)が必要になっていた。
なお、スキャンシフトモード用クロックCLK01を、クロック入力端子INとは異なる入力端子から入力し、クロック入力端子INからはキャプチャモードに使用するためのクロックCLK02を切り替えることなく入力することも考えられるが、この場合には、各試験回路に対して2つ(2倍)のクロック入力端子(外部端子)が必要になるため、外部端子の制限により実用的ではない。
このように、図2に示す従来の半導体集積回路装置では、試験対象のSFFに値を設定するモード(スキャンシフトモード)からPLLの出力クロックでSFFの状態を遷移させるモード(キャプチャモード)へ切り替える毎にPLLのロックアップタイムが発生し、その結果、試験時間が長くなるという課題があった。
本発明は、上述した従来技術が有する課題に鑑み、モード切替え時にロックアップタイムを不要として試験を高速に行うことが可能な半導体集積回路装置およびその試験方法の提供を目的とする。
本発明の第1の形態によれば、PLLユニットを搭載し、該PLLユニットの出力クロックを試験用クロックに使用してスキャンシフトモードおよびキャプチャモードにより試験を行う半導体集積回路装置であって、前記PLLユニットは、外部からの入力クロックを第1の分周数で分周して前記スキャンシフトモードに使用するための第1のクロックを生成する第1の分周器と、前記入力クロックを第2の分周数で分周して第2のクロックを生成する第2の分周器と、該第2のクロックを受け取って前記キャプチャモードに使用するための第3のクロックを生成するPLLと、を備えることを特徴とする半導体集積回路装置が提供される。
本発明の第2の形態によれば、PLLユニットの出力クロックを使用してスキャンシフトモードおよびキャプチャモードにより試験を行う半導体集積回路装置の試験方法であって、前記スキャンシフトモードでは、外部からの入力クロックを第1の分周数で分周した第1のクロックを使用し、且つ、前記キャプチャモードでは、前記入力クロックを第2の分周数で分周した第2のクロックを入力としてPLLを行った第3のクロックを使用し、前記スキャンシフトモードと前記キャプチャモードとの切り替え時に前記入力クロックの周波数の変更を不要としたことを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法が提供される。
本発明によれば、モード切替え時にロックアップタイムを不要として試験を高速に行うことが可能な半導体集積回路装置およびその試験方法を提供することができる。
以下、本発明に係る半導体集積回路装置およびその試験方法の実施例を、添付図面を参照して詳述する。
図4は本発明に係る半導体集積回路装置の一実施例を示すブロック図である。ここで、試験回路2は、図2を参照して説明した従来の試験回路と同様のものであり、試験用クロックで動作するSFF21および22、並びに、試験対象となるファンクションロジック20を備えて構成される。
本実施例の半導体集積回路装置は、図2に示す半導体集積回路装置においてPLLユニット100(1)の構成を改良して試験の高速化を図るものである。なお、PLLユニット1は、システム回路構成の一部として半導体集積回路装置に搭載されるものであり、半導体集積回路装置の実際の動作時には、PLLユニット1の出力クロックを使用して各回路(試験機能を有する部分回路2)を駆動するようになっている。
すなわち、図4に示されるように、本実施例のPLLユニット1は、外部からの入力クロックCLKを第1の分周数Kで分周して第1のクロックCLK1を生成する第1の分周器11、入力クロックCLKを第2の分周数Mで分周して第2のクロックCLK2を生成する第2の分周器12、第2のクロックCLK2を受け取って第3のクロックCLK3を生成するPLL14、および、第1の分周器11からの第1のクロックCLK1とPLL14からの第3のクロックCLK3とを選択して出力するMUX(マルチプレクサ)15を備えている。なお、PLL14は、その出力信号を第3の分周数Nで分周してフィードバックする第3の分周器13を備えている。
ここで、PLLユニット1は、例えば、PLLマクロとして提供され得るものであり、クロック入力端子(外部端子)INから入力されたクロックCLKが入力されるクロック入力端子(マクロ端子)MT0、分周数(K/M)が入力される分周数制御用端子(マクロ端子)MT1、マルチプレクサ制御回路4からのマルチプレクサ制御信号が入力される制御信号入力端子(マルチプレクサ制御用端子:マクロ端子)MT2、および、MUX15からの出力クロックが出力されるクロック出力端子(マクロ端子)MT3を有する。
なお、TDT実速度試験において、マルチプレクサ制御回路4は、マルチプレクサ制御信号によりMUX15を制御し、スキャンシフトモード時に第1のクロックCLK1を選択して出力すると共に、キャプチャモード時に第3のクロックCLK3を選択して出力するようになっている。ここで、スキャンシフトモードとは、試験対象(ファンクションロジック20)のSFF21,22に値を設定するモードであり、また、キャプチャモードとは、SFF21,22の状態を遷移させるモードである。
図5は本発明に係る半導体集積回路装置の試験方法における処理の一例を示すフローチャートであり、PLLユニット1における第1の分周器11における分周数K,第2の分周器12における分周数Mの設定処理を説明するためのものである。ここで、入力クロックCLKの周波数をFinとし、スキャンシフトモード時の周波数(第1のクロックCLK1の周波数)をFsとし、第2のクロックCLK2の周波数をFpとし、キャプチャモード時の周波数(第3のクロックCLK3の周波数)Fcとする。
ここで、スキャンシフトモード用クロックの周波数(Fs)は試験仕様により決まる。また、第2のクロックCLK2の周波数(Fp)、PLL14の出力クロック(第3のクロックCLK3)の周波数(Fc)は半導体集積回路装置の品種仕様により決まる。なお、ここでは、例えば、スキャンシフトモード用クロックの周波数(Fs)が15MHzで第2のクロックCLK2の周波数(Fp)が4MHz、キャプチャモード用クロックの周波数(Fc)が200MHzの場合を考える。
また、PLL14の入力クロックと出力クロックとの関係(逓倍数)は、半導体集積回路装置の品種仕様により決まるが、例えば、PLL14は、入力クロック(CLK2)の周波数(Fp)を50逓倍した周波数(Fc)のクロック(CLK3)を出力するものとする。すなわち、第3の分周器13の分周数Nが50の場合を考える。
図5に示されるように、各分周器の分周数(K,M)の設定は、まず、ステップST1において、試験仕様により決まるスキャンシフトモード用クロックの周波数Fs、および、半導体集積回路装置の品種仕様により決まるPLL14の入力クロックCLK2の周波数Fpを認識する。
次に、ステップST2に進んで、外部入力クロックCLKの周波数Finを、スキャンシフトモード用クロックの周波数FsとPLL14の入力クロックCLK2の周波数Fpの最小公倍数に設定する。
さらに、ステップST3に進んで、第1の分周器11の分周数Kおよび第2の分周器12の分周数Mを決定する。すなわち、第1の分周器11の分周数Kを、K=Fin/Fsから求め、また、第2の分周器12の分周数Mを、M=Fin/Fpから求める。
具体的に、例えば、外部入力クロックCLKの周波数Finは、15MHzのスキャンシフトモード用クロックと4MHzのPLL14の入力クロックCLK2との最小公倍数である60MHzとなり、第1の分周器11の分周数KはK=4となり、そして、第2の分周器12の分周数MはM=15となる。
これにより、TDT実速度試験を行う場合、MUX15の入力には、15MHzのスキャンシフトモード用クロックと、200MHzのキャプチャモード用クロックが継続的に供給されることになり、スキャンシフトモードからキャプチャモードへの切り替え時に必要とされていたPLL14のロックアップタイムを無くすことが可能になる。
なお、第1の分周器11の分周数Kおよび第2の分周器12の分周数Mの設定は、例えば、マクロ端子MT1を介して各分周器11および12に対してシリアル転送(16)を行って設定することができる。
図6は図4に示す半導体集積回路装置におけるTDT実速度試験を説明するためのタイムチャートであり、図7は図6に示すタイムチャートをより詳細に示す図である。
図6および図7と、前述した図3との比較から明らかなように、本実施例の半導体集積回路装置におけるTDT実速度試験では、従来必要とされていたスキャンシフトモードからキャプチャモードへの切り替え時におけるPLL14のロックアップタイム(第2サイクル以降のロックアップタイム:例えば、100μs)を無くすことができる。この第2サイクル以降のロックアップタイムは、例えば、数万サイクル繰り返すことになるため、例えば、1万サイクルで1秒の時間短縮を行うことが可能になる。なお、第1サイクルのロックアップタイムは、従来と同様に必要となる。
このように、本実施例の半導体集積回路装置(PLLユニット)によれば、外部入力クロックCLKの周波数を切り替えることなく、スキャンシフトモード用クロックCLK1およびPLL14の入力クロックCLK2(キャプチャモード用クロックCLK3)の周波数をそれぞれの適切な周波数で供給することができるため、モード切り替え時もPLL14はロック状態を継続することになる。その結果、モード切り替えの度に発生していたPLL14のロックアップタイムを無くして試験時間の短縮を図ることができる。
なお、PLLユニット1はPLLマクロとして半導体集積回路装置に内蔵することにより、TDT実速度試験のソリューションをPLLマクロとして提供することができる。
以下に本発明の諸態様を付記としてまとめる。
(付記1)
PLLユニットを搭載し、該PLLユニットの出力クロックを試験用クロックに使用してスキャンシフトモードおよびキャプチャモードにより試験を行う半導体集積回路装置であって、前記PLLユニットは、
外部からの入力クロックを第1の分周数で分周して前記スキャンシフトモードに使用するための第1のクロックを生成する第1の分周器と、
前記入力クロックを第2の分周数で分周して第2のクロックを生成する第2の分周器と、
該第2のクロックを受け取って前記キャプチャモードに使用するための第3のクロックを生成するPLLと、を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記1)
PLLユニットを搭載し、該PLLユニットの出力クロックを試験用クロックに使用してスキャンシフトモードおよびキャプチャモードにより試験を行う半導体集積回路装置であって、前記PLLユニットは、
外部からの入力クロックを第1の分周数で分周して前記スキャンシフトモードに使用するための第1のクロックを生成する第1の分周器と、
前記入力クロックを第2の分周数で分周して第2のクロックを生成する第2の分周器と、
該第2のクロックを受け取って前記キャプチャモードに使用するための第3のクロックを生成するPLLと、を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記2)
付記1に記載の半導体集積回路装置において、前記入力クロックの周波数は、前記第1のクロックの周波数と前記第2のクロックの周波数との最小公倍数になっていることを特徴とする半導体集積回路装置。
付記1に記載の半導体集積回路装置において、前記入力クロックの周波数は、前記第1のクロックの周波数と前記第2のクロックの周波数との最小公倍数になっていることを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記3)
付記1または2に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1のクロックの周波数は、前記入力クロックの周波数および前記第1の分周数により決定され、且つ、
前記第2のクロックの周波数は、前記入力クロックの周波数、前記第2の分周数により決定されることを特徴とする半導体集積回路装置。
付記1または2に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1のクロックの周波数は、前記入力クロックの周波数および前記第1の分周数により決定され、且つ、
前記第2のクロックの周波数は、前記入力クロックの周波数、前記第2の分周数により決定されることを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記4)
付記3に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1および第2の分周数の制御は、入力端子からシリアル転送で行うことを特徴とする半導体集積回路装置。
付記3に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1および第2の分周数の制御は、入力端子からシリアル転送で行うことを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記5)
付記3に記載の半導体集積回路装置において、
前記PLLユニットは、前記第1のクロックおよび前記第3のクロックを選択するマルチプレクサを備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
付記3に記載の半導体集積回路装置において、
前記PLLユニットは、前記第1のクロックおよび前記第3のクロックを選択するマルチプレクサを備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記6)
付記5に記載の半導体集積回路装置において、さらに、
前記スキャンシフトモードで前記第1のクロックを選択すると共に、前記キャプチャモードで前記第3のクロックを選択するように前記マルチプレクサを制御するマルチプレクサ制御回路を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
付記5に記載の半導体集積回路装置において、さらに、
前記スキャンシフトモードで前記第1のクロックを選択すると共に、前記キャプチャモードで前記第3のクロックを選択するように前記マルチプレクサを制御するマルチプレクサ制御回路を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記7)
付記1〜6のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、前記試験は、前記半導体集積回路装置のTDT実速度試験であることを特徴とする半導体集積回路装置。
付記1〜6のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、前記試験は、前記半導体集積回路装置のTDT実速度試験であることを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記8)
外部からの入力クロックを第1の分周数で分周して第1のクロックを生成する第1の分周器と、
前記入力クロックを第2の分周数で分周して第2のクロックを生成する第2の分周器と、
該第2のクロックを受け取って第3のクロックを生成するPLLと、を備え、前記第1のクロックをスキャンシフトモードで使用すると共に、前記第3のクロックをキャプチャモードで使用して試験を行うことを特徴とするPLLユニット。
外部からの入力クロックを第1の分周数で分周して第1のクロックを生成する第1の分周器と、
前記入力クロックを第2の分周数で分周して第2のクロックを生成する第2の分周器と、
該第2のクロックを受け取って第3のクロックを生成するPLLと、を備え、前記第1のクロックをスキャンシフトモードで使用すると共に、前記第3のクロックをキャプチャモードで使用して試験を行うことを特徴とするPLLユニット。
(付記9)
付記8に記載のPLLユニットにおいて、
前記入力クロックの周波数は、前記第1のクロックの周波数と前記第2のクロックの周波数との最小公倍数になっていることを特徴とするPLLユニット。
付記8に記載のPLLユニットにおいて、
前記入力クロックの周波数は、前記第1のクロックの周波数と前記第2のクロックの周波数との最小公倍数になっていることを特徴とするPLLユニット。
(付記10)
付記8または9に記載のPLLユニットにおいて、
前記第1のクロックの周波数は、前記入力クロックの周波数および前記第1の分周数により決定され、且つ、
前記第2のクロックの周波数は、前記入力クロックの周波数、前記第2の分周数および前記PLLに使用される第3の分周器の第3の分周数により決定されることを特徴とするPLLユニット。
付記8または9に記載のPLLユニットにおいて、
前記第1のクロックの周波数は、前記入力クロックの周波数および前記第1の分周数により決定され、且つ、
前記第2のクロックの周波数は、前記入力クロックの周波数、前記第2の分周数および前記PLLに使用される第3の分周器の第3の分周数により決定されることを特徴とするPLLユニット。
(付記11)
付記10に記載のPLLユニットにおいて、
前記第1および第2の分周数の制御をシリアル転送で行う分周数制御用端子を有することを特徴とするPLLユニット。
付記10に記載のPLLユニットにおいて、
前記第1および第2の分周数の制御をシリアル転送で行う分周数制御用端子を有することを特徴とするPLLユニット。
(付記12)
付記10に記載のPLLユニットにおいて、さらに、
前記第1のクロックおよび前記第3のクロックを選択するマルチプレクサを備えることを特徴とするPLLユニット。
付記10に記載のPLLユニットにおいて、さらに、
前記第1のクロックおよび前記第3のクロックを選択するマルチプレクサを備えることを特徴とするPLLユニット。
(付記13)
付記12に記載のPLLユニットにおいて、
前記スキャンシフトモードで前記第1のクロックを選択すると共に、前記キャプチャモードで前記第3のクロックを選択するように前記マルチプレクサを制御する、マルチプレクサ制御回路からの制御信号が入力されるマルチプレクサ制御用端子を有するPLLユニット。
付記12に記載のPLLユニットにおいて、
前記スキャンシフトモードで前記第1のクロックを選択すると共に、前記キャプチャモードで前記第3のクロックを選択するように前記マルチプレクサを制御する、マルチプレクサ制御回路からの制御信号が入力されるマルチプレクサ制御用端子を有するPLLユニット。
(付記14)
付記8〜13のいずれか1項に記載のPLLユニットにおいて、前記試験は、前記半導体集積回路装置のTDT実速度試験であることを特徴とするPLLユニット。
付記8〜13のいずれか1項に記載のPLLユニットにおいて、前記試験は、前記半導体集積回路装置のTDT実速度試験であることを特徴とするPLLユニット。
(付記15)
PLLユニットの出力クロックを使用してスキャンシフトモードおよびキャプチャモードにより試験を行う半導体集積回路装置の試験方法であって、
前記スキャンシフトモードでは、外部からの入力クロックを第1の分周数で分周した第1のクロックを使用し、且つ、
前記キャプチャモードでは、前記入力クロックを第2の分周数で分周した第2のクロックを入力としてPLLを行った第3のクロックを使用し、前記スキャンシフトモードと前記キャプチャモードとの切り替え時に前記入力クロックの周波数の変更を不要としたことを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
PLLユニットの出力クロックを使用してスキャンシフトモードおよびキャプチャモードにより試験を行う半導体集積回路装置の試験方法であって、
前記スキャンシフトモードでは、外部からの入力クロックを第1の分周数で分周した第1のクロックを使用し、且つ、
前記キャプチャモードでは、前記入力クロックを第2の分周数で分周した第2のクロックを入力としてPLLを行った第3のクロックを使用し、前記スキャンシフトモードと前記キャプチャモードとの切り替え時に前記入力クロックの周波数の変更を不要としたことを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
(付記16)
付記15に記載の半導体集積回路装置の試験方法において、前記入力クロックの周波数を、前記第1のクロックの周波数と前記第2のクロックの周波数との最小公倍数にすることを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
付記15に記載の半導体集積回路装置の試験方法において、前記入力クロックの周波数を、前記第1のクロックの周波数と前記第2のクロックの周波数との最小公倍数にすることを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
(付記17)
付記15または16に記載の半導体集積回路装置の試験方法において、
前記第1のクロックの周波数を、前記入力クロックの周波数および前記第1の分周数により決定し、且つ、
前記第2のクロックの周波数を、前記入力クロックの周波数、前記第2の分周数により決定することを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
付記15または16に記載の半導体集積回路装置の試験方法において、
前記第1のクロックの周波数を、前記入力クロックの周波数および前記第1の分周数により決定し、且つ、
前記第2のクロックの周波数を、前記入力クロックの周波数、前記第2の分周数により決定することを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
本発明は、半導体集積回路装置およびその試験方法に関し、特に、PLLユニットを改良してTDT実速度試験を高速に行うようにしたものであり、システム回路構成の一部としてPLLユニットを搭載した半導体集積回路装置に対して幅広く適用することができる。
1 PLLユニット
2 試験回路
11 第1の分周器
12 第2の分周器
13 第3の分周器
14,102 PLL
15,103 マルチプレクサ(MUX)
20 ファンクションロジック
21,22 スキャンフリップフロップ(SFF)
101 遅延調整セル
104 マルチプレクサ制御回路
2 試験回路
11 第1の分周器
12 第2の分周器
13 第3の分周器
14,102 PLL
15,103 マルチプレクサ(MUX)
20 ファンクションロジック
21,22 スキャンフリップフロップ(SFF)
101 遅延調整セル
104 マルチプレクサ制御回路
Claims (6)
- PLLユニットを搭載し、該PLLユニットの出力クロックを試験用クロックに使用してスキャンシフトモードおよびキャプチャモードにより試験を行う半導体集積回路装置であって、前記PLLユニットは、
外部からの入力クロックを第1の分周数で分周して前記スキャンシフトモードに使用するための第1のクロックを生成する第1の分周器と、
前記入力クロックを第2の分周数で分周して第2のクロックを生成する第2の分周器と、
該第2のクロックを受け取って前記キャプチャモードに使用するための第3のクロックを生成するPLLと、を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1に記載の半導体集積回路装置において、前記入力クロックの周波数は、前記第1のクロックの周波数と前記第2のクロックの周波数との最小公倍数になっていることを特徴とする半導体集積回路装置。
- 請求項1または2に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1のクロックの周波数は、前記入力クロックの周波数および前記第1の分周数により決定され、且つ、
前記第2のクロックの周波数は、前記入力クロックの周波数、前記第2の分周数により決定されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - PLLユニットの出力クロックを使用してスキャンシフトモードおよびキャプチャモードにより試験を行う半導体集積回路装置の試験方法であって、
前記スキャンシフトモードでは、外部からの入力クロックを第1の分周数で分周した第1のクロックを使用し、且つ、
前記キャプチャモードでは、前記入力クロックを第2の分周数で分周した第2のクロックを入力としてPLLを行った第3のクロックを使用し、前記スキャンシフトモードと前記キャプチャモードとの切り替え時に前記入力クロックの周波数の変更を不要としたことを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。 - 請求項4に記載の半導体集積回路装置の試験方法において、前記入力クロックの周波数を、前記第1のクロックの周波数と前記第2のクロックの周波数との最小公倍数にすることを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
- 請求項4または5に記載の半導体集積回路装置の試験方法において、
前記第1のクロックの周波数を、前記入力クロックの周波数および前記第1の分周数により決定し、且つ、
前記第2のクロックの周波数を、前記入力クロックの周波数、前記第2の分周数により決定することを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007247287A JP2009079913A (ja) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | 半導体集積回路装置およびその試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007247287A JP2009079913A (ja) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | 半導体集積回路装置およびその試験方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009079913A true JP2009079913A (ja) | 2009-04-16 |
Family
ID=40654785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007247287A Withdrawn JP2009079913A (ja) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | 半導体集積回路装置およびその試験方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009079913A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9222979B2 (en) | 2012-12-12 | 2015-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | On-chip controller and a system-on-chip |
-
2007
- 2007-09-25 JP JP2007247287A patent/JP2009079913A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9222979B2 (en) | 2012-12-12 | 2015-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | On-chip controller and a system-on-chip |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4339317B2 (ja) | クロック乗換装置、及び試験装置 | |
US8065549B2 (en) | Scan-based integrated circuit having clock frequency divider | |
US7574633B2 (en) | Test apparatus, adjustment method and recording medium | |
US5682390A (en) | Pattern generator in semiconductor test system | |
JP4649480B2 (ja) | 試験装置、クロック発生装置、及び電子デバイス | |
JP4995325B2 (ja) | クロック乗せ換え回路およびそれを用いた試験装置 | |
JP2007256127A (ja) | レシーバ回路及びレシーバ回路試験方法 | |
EP1298823B1 (en) | Method and apparatus for synchronizing a multiple-stage multiplexer | |
US7461314B2 (en) | Test device | |
JP2009182967A (ja) | ジッタ印加回路、パターン発生器、試験装置、および、電子デバイス | |
US7558998B2 (en) | Semiconductor apparatus and clock generation unit | |
JP4293840B2 (ja) | 試験装置 | |
KR100800139B1 (ko) | 디엘엘 장치 | |
JP2007127460A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2009079913A (ja) | 半導体集積回路装置およびその試験方法 | |
WO2010021131A1 (ja) | 試験装置および試験方法 | |
US7134060B2 (en) | Semiconductor integrated circuit including operation test circuit and operation test method thereof | |
CN104965169A (zh) | 全自动ic电信号测试装置及测试方法 | |
JP2009180732A (ja) | ジッタ印加回路、パターン発生器、試験装置、および、電子デバイス | |
JP2007235960A (ja) | 集積回路装置 | |
US7898312B2 (en) | Variable delay apparatus | |
US8004332B2 (en) | Duty ratio control apparatus and duty ratio control method | |
US7242179B2 (en) | Digital circuit for frequency and timing characterization | |
JP2006112931A (ja) | 集積回路、テスト回路およびテスト方法 | |
JPH11205101A (ja) | 位相追従装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100526 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20101208 |