JP2009072848A - Sensor package and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、空隙と接するようにして配する必要があるアクティブ面を一方側表面とし、空隙と接するようにして配する必要はない非アクティブ面を他方側表面とするセンサーチップを、そのアクティブ面が空隙に接するようにして封止したパッケージに関する。 The present invention provides a sensor chip having an active surface that needs to be disposed so as to be in contact with the air gap as one side surface and a non-active surface that is not required to be disposed so as to be in contact with the air gap as the other surface. The present invention relates to a package sealed so as to be in contact with the gap.
従来から、CCD、CMOS等のイメージセンサーや、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の、各種センサー用のMEMS(Micro Electoro Mechanical Systems)は一方の面にその主たる機能部を有するアクティブ面を形成している。
例えば、撮像素子としての、CCD、CMOS等のイメージセンサーは、半導体チップの一方の面が光電変換を行う受光素子が配列されたアクティブ面となっている。
しかしながら、このような、イメージセンサーや、各種センサー用のMEMSは、従来、センサー部を個々に実装し、ワイヤボンディングを行う工程や、その後の封止工程等の一連の製造工程において、センサー部のアクティブ面に汚染が生じ易く、歩留まりの向上に支障をきたしていた。
また、センサー部が実装された領域とは別の領域の配線基板上にDSP(信号処理装置、Digital、Signal、Processor)が実装されることにより、面方向の広がりが生じ、小型化に限界があった。
Conventionally, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) for various sensors, such as image sensors such as CCD and CMOS, acceleration sensors, pressure sensors, and gyro sensors, have formed an active surface with its main functional part on one surface. ing.
For example, in an image sensor such as a CCD or CMOS as an image sensor, one surface of a semiconductor chip is an active surface on which light receiving elements that perform photoelectric conversion are arranged.
However, such image sensors and MEMS for various sensors have conventionally been used in a series of manufacturing processes such as a process of mounting individual sensor parts and performing wire bonding and a subsequent sealing process. The active surface is easily contaminated, which hinders yield improvement.
In addition, by mounting a DSP (signal processing device, digital, signal, processor) on a wiring board in a region different from the region where the sensor unit is mounted, the spread in the surface direction occurs, and there is a limit to downsizing. there were.
近年、これらを解決するために、本願出願人により、表面側に内部端子を有し裏面側に外部端子を有する複数の端子部が、略同一平面内に互いに電気的に独立して配列され、前記端子部が配列された平面の略中央に端子部と電気的に独立して配置されたパッド部を有し、該パッド部の表面側にアクティブ面と反対側の面にて固着されたセンサー部を備え、該センサー部のアクティブ面側の端子と前記端子部の内部端子とを電気的に接続するワイヤを有し、複数の前記端子部の表面側に架け渡され、かつ、前記内部端子を囲むように配設された封止部材を有し、さらに、前記センサー部のアクティブ面と空隙部を介して対向するように前記封止部材の先端部に固着された保護材を備えるような形態の、センサーパッケージが提案されている。(特開2006−60178号公報、特許文献1)
この形態のセンサーパッケージの場合、センサー部のアクティブ面が保護材と封止部材とにより外部から隔離保護され、センサー部の端子と内部端子がワイヤで接続されているので、配線基板上への実装は、ワイヤボンディングを行うことなく、外部端子の接続のみで完了し、また、センサー部のアクティブ面の汚染が保護材により防止され、実装工程中等においてセンサーパッケージが汚染された場合には、保護材面を清浄化するだけで良好な状態のセンサーパッケージが得られ、製造歩留まりが向上する。
更に、ここには、図5に示すように、汎用のDSP(信号処理装置)130をパッド部121と端子部122上に配し、更に、該DSP130上に位置的にセンサー部(センサーチップとも言う)110を固定して封止した形態も記載されている。
この形態の場合、センサー部110とDSP(信号処理装置)130とが同一領域に位置することとなり、面方向の広がりが抑制され、装置の小型化が可能である。
ここでは、内側の内部端子122aには、DSP(信号処理装置)130の端子がバンプ131を介して接続されており、このDSP130は、電気絶縁性の樹脂部材150によりパッド部121、端子部122側(図5で下側)を樹脂封止している。
また、このセンサー部110の表面(アクティブ面側)の複数の端子112と端子部122の内部端子122aとがワイヤ140により電気的に接続されている。
さらに、複数の端子部122の表面側に架け渡され、かつ、内部端子122aを囲むように封止部材(封止用リブとも言う)155が配設されており、この封止部材155の先端部(図5で上側)に、センサー部110のアクティブ面と空隙部160を介して対向するように保護材170が固着されている。
また、外部端子122bは外部に露出している。
In the case of this type of sensor package, the active surface of the sensor unit is isolated and protected from the outside by a protective material and a sealing member, and the terminals of the sensor unit and the internal terminals are connected by wires. Is completed only by connecting external terminals without performing wire bonding, and contamination of the active surface of the sensor unit is prevented by the protective material. If the sensor package is contaminated during the mounting process, etc., the protective material By simply cleaning the surface, a good sensor package can be obtained and the manufacturing yield can be improved.
Further, as shown in FIG. 5, a general-purpose DSP (signal processing device) 130 is disposed on the pad portion 121 and the terminal portion 122, and the sensor portion (also referred to as a sensor chip) is positioned on the DSP 130. Also, a form in which 110 is fixed and sealed is also described.
In the case of this form, the sensor unit 110 and the DSP (signal processing device) 130 are located in the same region, the spread in the surface direction is suppressed, and the device can be miniaturized.
Here, a terminal of a DSP (signal processing device) 130 is connected to the inner internal terminal 122 a via a bump 131, and the DSP 130 is connected to a pad portion 121 and a terminal portion 122 by an electrically
A plurality of terminals 112 on the surface (active surface side) of the sensor unit 110 and the internal terminals 122 a of the terminal unit 122 are electrically connected by wires 140.
Further, a sealing member (also referred to as a sealing rib) 155 is provided so as to be spanned on the surface side of the plurality of terminal portions 122 and to surround the internal terminal 122a. A protective material 170 is fixed to the part (upper side in FIG. 5) so as to face the active surface of the sensor part 110 through the gap 160.
The external terminal 122b is exposed to the outside.
しかし、特開2006−60178号公報(特許文献1)に記載のものは、特定用途向けのセンサーとして機能させるためには、効率的でなく、場合によっては、更に、センサーパッケージの他に特定用途用IC(以下、ASICと呼ぶ)が必要となり、部品が少なくとも2点となり、コストアップの要因となっているとともに、それらを電気的に接続する必要があり、信号線の長距離化によるセンサー感度低下が問題となっている。
また、端子部(リード)を用いた複雑な構造で、その作製が複雑となる。
However, the device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-60178 (Patent Document 1) is not efficient in order to function as a sensor for a specific application. IC (hereinafter referred to as ASIC) is required, and there are at least two parts, which increases costs and requires electrical connection between them. Sensor sensitivity due to longer signal lines Decline is a problem.
In addition, a complicated structure using the terminal portion (lead) complicates its production.
上記のように、センサー部のアクティブ面に汚染が生じ易く、歩留まりの向上に支障をきたすと言う従来のセンサー用パッケージ(センサーパッケージとも言う)の問題を解決する形態のパッケージとして、センサーチップを封止したセンサー用パッケージが、特開2006−60178号公報(特許文献1)により開示されているが、この形態のものでは、特に特定用途において、使いがってが悪く、場合によっては、実装において、センサー用パッケージの他に特定用途用IC(以下、ASICとも呼ぶ)が必要となり、コストアップの要因となっており、また、複雑な構造で、その作製が複雑で、これらの対応が求められていた。
本発明はこれに対応するもので、一面にアクティブ面を有する機能チップとしてのセンサーチップのアクティブ面側に空隙部を設けて、センサーチップを封止したセンサーパッケージで、特に特定用途において、使いがってが良く、信号線の長距離化によるセンサー感度低下の問題を解決でき、且つ、複雑でない生産性に優れた構造の、センサーパッケージを提供する。
同時に、そのようなセンサーパッケージを量産できるセンサーパッケージの製造方法を提供しようとするものである。
As described above, the sensor chip is sealed as a package in a form that solves the problem of the conventional sensor package (also referred to as a sensor package) that is likely to cause contamination on the active surface of the sensor unit and hinders improvement in yield. A stopped sensor package is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-60178 (Patent Document 1). However, in this form, it is difficult to use, particularly in a specific application, and in some cases, in mounting. In addition to the sensor package, an IC for specific applications (hereinafter also referred to as ASIC) is required, which is a factor of cost increase, and its manufacturing is complicated and its manufacturing is complicated. It was.
The present invention corresponds to this, and is a sensor package in which a gap is provided on the active surface side of a sensor chip as a functional chip having an active surface on one side and the sensor chip is sealed, and is used particularly in a specific application. It is possible to provide a sensor package having a structure that can solve the problem of sensor sensitivity reduction due to a long distance of a signal line and is excellent in productivity without being complicated.
At the same time, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a sensor package capable of mass-producing such a sensor package.
本発明のセンサーパッケージは、空隙と接するようにして配する必要があるアクティブ面を一方側表面とし、空隙と接するようにして配する必要はない非アクティブ面を他方側表面とするセンサーチップを、そのアクティブ面が空隙に接するようにして、これより大サイズのASIC(特定用途用IC)とともに封止したパッケージであって、アクティブ面、外側領域に、機能素子に接続する複数の端子を有するセンサーチップに対して、非アクティブ面に、再配線された複数の配線を有し、各配線には、一方側にワイヤボンディング用の内部端子が接続され、他方側に外部回路との接続用の外部端子が接続され、内部端子を該非アクティブ面の周辺に沿って配しいる、センサー部材を有し、その表面(端子面)に、その端子と接続する配線と該配線に接続するバンプ接続用およびワイヤボンディング用の新たな端子とを再配線して、ワイヤボンディング用の新たな端子を周辺に配設した、ASICを有し、センサー部材の外部端子には突起状の外部回路接続用バンプが配設されており、センサー部材を、そのアクティブ面をASICの表面に向けて、接続固定用バンプを介して、ASICから離して、ASICの表面側に搭載し、且つ、前記センサー部材のワイヤボンディング用の内部端子とASICのワイヤボンディング用の新たな端子部とを、ボンディングワイヤにて接続し、センサーチップに接続する複数の端子とASICのバンプ接続用の新たな端子とを、接続固定用バンプにてバンプ接続して、再配線された配線にて、センサー部材とASICとの電気的接続をしており、ASICの表面とセンサー部材の前記アクティブ面との間に、前記両面と封止用リブとで空隙部を設けて、前記センサー部材の突起状の外部回路接続用バンプを外部に露出させた状態で、ASICの表面側の各部を封止用樹脂で封止し、ASICの裏面を外側に露出させていることを特徴とするものである。
そして、上記のセンサーパッケージであって、前記センサーチップは、錘部と、該錘部の周囲を囲むフレーム部と、該錘部の上部を該フレーム部の上部に接続して可撓的に支持して吊るビーム部とを有し、外部から該錘部に与えられる力により発生する該ビーム部の撓み量によって電気抵抗の値が変化する、加速度センサ素子を、前記アクティブ面と前記非アクティブ面との間に配した、MEMS(Micro Electoro Mechanical Systems)であることを特徴とするものである。
そして、上記いずれかのセンサーパッケージであって、センサー部材の前記外部端子部と前記突起状のバンプ間に応力緩和層が介在することを特徴とするものであり、前記応力緩和層は合成ゴム中に導電粒子を分散させたものであることを特徴とするものである。
In the sensor package of the present invention, a sensor chip having an active surface that needs to be disposed so as to be in contact with the air gap as one side surface and a non-active surface that is not required to be disposed so as to be in contact with the air gap is provided on the other surface. A package having a plurality of terminals connected to functional elements on the active surface and the outer region, the package being sealed together with an ASIC (Application Specific IC) having a larger size so that the active surface is in contact with the air gap The chip has a plurality of redistributed wirings on an inactive surface, and each wiring has an internal terminal for wire bonding connected to one side and an external for connection to an external circuit on the other side. A wiring that is connected to the terminal on the surface (terminal surface) of the sensor member, to which the terminal is connected, and the internal terminal is arranged along the periphery of the inactive surface. A new terminal for bump connection and wire bonding connected to the wiring is re-wired, and a new terminal for wire bonding is arranged around the ASIC, and the external terminal of the sensor member has a protrusion. External circuit connection bumps are arranged, and the sensor member is mounted on the surface side of the ASIC with the active surface facing the surface of the ASIC, away from the ASIC via the connection fixing bumps, Further, the internal terminal for wire bonding of the sensor member and a new terminal portion for wire bonding of the ASIC are connected by a bonding wire, and a plurality of terminals connected to the sensor chip and a new terminal for bump connection of the ASIC are connected. The terminal is bump-connected with the connection fixing bump, and the sensor member and the ASIC are electrically connected with the re-wired wiring. A state in which a gap is provided between the surface of the ASIC and the active surface of the sensor member by the both surfaces and the sealing rib, and the protruding bumps for connecting the external circuit of the sensor member are exposed to the outside. Thus, each part on the front surface side of the ASIC is sealed with a sealing resin, and the back surface of the ASIC is exposed to the outside.
In the sensor package, the sensor chip is flexibly supported by connecting a weight part, a frame part surrounding the weight part, and an upper part of the weight part to the upper part of the frame part. An acceleration sensor element, the electric resistance value of which varies depending on the amount of deflection of the beam portion generated by a force applied to the weight portion from the outside, the active surface and the inactive surface. MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) arranged between the two.
In any one of the sensor packages described above, a stress relaxation layer is interposed between the external terminal portion of the sensor member and the protruding bump, and the stress relaxation layer is formed of a synthetic rubber. It is characterized in that conductive particles are dispersed.
本発明のセンサーパッケージの製造方法は、空隙と接するようにして配する必要があるアクティブ面を一方側表面とし、空隙と接するようにして配する必要はない非アクティブ面を他方側表面とするセンサーチップを、そのアクティブ面が空隙に接するようにして、ASIC(特定用途用IC)とともに封止したパッケージを作製する、センサーパッケージの製造方法であって、アクティブ面、外側領域に、機能素子に接続する複数の端子を有するセンサーチップに対して、非アクティブ面に、再配線された複数の配線を有し、各配線には、一方側にワイヤボンディング用の内部端子が接続され、他方側に外部回路との接続用の外部端子が接続され、内部端子を該非アクティブ面の周辺に沿って配しいる、個片化されたセンサー部材と、ウエハレベルで、各ASIC毎に、表面周辺にその端子と接続する配線と該配線に接続する新たな端子とを再配線したウエハを、予め準備しておき、(a)ウエハレベルで、各ASICの表面側に、前記個片化されたセンサー部材のアクティブ面を向けて、ASICの表面とセンサー部材のアクティブ面と封止用リブとで、空隙部を形成するように、封止用リブを両面間に配して、個片化されたセンサー部材をASICにバンプ接続して固定する、バンプ接続固定工程と、(b)センサー部材の前記ワイヤボンディング用の内部端子と、ASICの前記新たな端子とを、ワイヤボンディングして、ワイヤで接続する、ワイヤボンディング工程と、(c)前記ワイヤと、センサー部材の非アクティブ面の配線、内部端子と、ASICの再配線された配線と各端子とを、封止用樹脂で封止する、樹脂封止工程と、(d)ウエハを各面付け毎に分離して個片化する、個片化工程と、(e)前記個片化工程の前後で、センサー部材の前記外部端子上に、外部に突出した外部回路との接続用のバンプを形成する、バンプ形成工程とを、有することを特徴とするものである。
また、上記いずれかのセンサーパッケージの製造方法であって、前記センサー部材の作製は、多面付けに区画して、各面付け毎に単位のセンサーチップが配されたウエハを作製し、ウエハの状態で(ウエハレベルでとも言う)、センサーチップの非アクティブ面側に絶縁性基材を積層し、該絶縁性基材の外側面に、絶縁層を配し、該絶縁層上に、ワイヤボンディング用の内部端子と、外部回路との接続用の外部端子を有する配線部を、内部端子が該非アクティブ面の周辺に沿うように、配設した後、ウエハを各面付け毎に分離して個片化するものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかのセンサーパッケージの製造方法であって、前記ASICの再配線は、その端子面側に絶縁層を配設し、該絶縁層の端子部領域を孔開けし、スパッタ等によりSEED層を形成して電解めっきを行い金属層を形成し、該金属層を選択エッチングして、配線、端子を形成するものであることを特徴とするものである。
The sensor package manufacturing method of the present invention uses an active surface that needs to be disposed so as to be in contact with the air gap as one surface and a non-active surface that does not need to be disposed so as to be in contact with the air gap as the other surface. A sensor package manufacturing method for manufacturing a package in which a chip is sealed together with an ASIC (application-specific IC) so that an active surface thereof is in contact with a gap, and the active surface is connected to a functional element on an outer region. The sensor chip having a plurality of terminals has a plurality of redistributed wirings on the inactive surface, and each wiring has an internal terminal for wire bonding connected to one side and an external to the other side. An external terminal for connection to a circuit, and a sensor member separated into pieces, the internal terminal being arranged along the periphery of the inactive surface, and a wafer At each level, for each ASIC, a wafer is prepared in advance by rewiring the wiring connected to the terminal around the surface and the new terminal connected to the wiring. (A) At the wafer level, the ASIC Both sides of the sealing rib are formed so that the active surface of the separated sensor member faces the front surface, and a gap is formed by the surface of the ASIC, the active surface of the sensor member, and the sealing rib. A bump connection fixing step, in which the separated sensor member is bump-connected and fixed to the ASIC, and (b) the internal terminal for wire bonding of the sensor member, and the new terminal of the ASIC A wire bonding step of wire bonding and connecting with wires; (c) rewiring of the wires, wiring of the inactive surface of the sensor member, internal terminals, and ASIC A resin sealing step of sealing the wire and each terminal with a sealing resin; and (d) a step of separating the wafer into individual pieces for each imposition; A bump forming step of forming bumps for connection with an external circuit projecting outside on the external terminals of the sensor member before and after the singulation step.
Further, in any one of the above-described sensor package manufacturing methods, the sensor member is manufactured by dividing into multiple impositions, producing a wafer in which a unit sensor chip is arranged for each imposition, and the wafer state (Also called at the wafer level), an insulating substrate is laminated on the non-active surface side of the sensor chip, an insulating layer is disposed on the outer surface of the insulating substrate, and wire bonding is performed on the insulating layer. After arranging the wiring part having the internal terminals of the external terminals and the external terminals for connection to the external circuit so that the internal terminals run along the periphery of the inactive surface, the wafer is separated for each imposition. It is characterized by that.
Also, in any one of the above sensor package manufacturing methods, the ASIC rewiring is performed by disposing an insulating layer on the terminal surface side, drilling a terminal area of the insulating layer, and performing SEED by sputtering or the like. A layer is formed and electrolytic plating is performed to form a metal layer, and the metal layer is selectively etched to form wirings and terminals.
(作用)
本発明のセンサーパッケージは、このような構成にすることにより、一面にアクティブ面を有する機能チップとしてのセンサーチップのアクティブ面側に空隙部を設けて、センサーチップを封止したセンサーパッケージで、特に特定用途において、使いがってが良く、信号線の長距離化によるセンサー感度低下の問題を解決でき、且つ、複雑でない生産性に優れた構造の、センサーパッケージの提供を可能としている。
具体的には、アクティブ面、外側領域に、機能素子に接続する複数の端子を有するセンサーチップに対して、非アクティブ面に、再配線された複数の配線を有し、各配線には、一方側にワイヤボンディング用の内部端子が接続され、他方側に外部回路との接続用の外部端子が接続され、内部端子を該非アクティブ面の周辺に沿って配しいる、センサー部材を有し、その表面(端子面)に、その端子と接続する配線と該配線に接続するバンプ接続用およびワイヤボンディング用の新たな端子とを再配線して、ワイヤボンディング用の新たな端子を周辺に配設した、ASICを有し、センサー部材の外部端子には突起状の外部回路接続用バンプが配設されており、センサー部材を、そのアクティブ面をASICの表面に向けて、接続固定用バンプを介して、ASICから離して、ASICの表面側に搭載し、且つ、前記センサー部材のワイヤボンディング用の内部端子とASICのワイヤボンディング用の新たな端子部とを、ボンディングワイヤにて接続し、センサーチップに接続する複数の端子とASICのバンプ接続用の新たな端子とを、接続固定用バンプにてバンプ接続して、再配線された配線にて、センサー部材とASICとの電気的接続をしており、ASICの表面とセンサー部材の前記アクティブ面との間に、前記両面と封止用リブとで空隙部を設けて、前記センサー部材の突起状の外部回路接続用バンプを外部に露出させた状態で、ASICの表面側の各部を封止用樹脂で封止し、ASICの裏面を外側に露出させていることにより、これを達成している。
詳しくは、センサー部材のアクティブ面をASICの表面に向け、該両面間を隔てて、センサー部材を、バンプを介して、ASICの表面側に搭載し、且つ、ASICの表面とセンサー部材のアクティブ面との間に、前記両面と封止用リブとで空隙部を設けていることにより、センサー部材のアクティブ面を空隙部に接するようにできるものとしている。 また、ASICの裏面を外側に向け、ASICの裏面側を封止材として利用し、センサー部材とASICとを、簡単の構造で、封止できるものとしている。
このように、樹脂封止することにより、耐環境性が向上できる。
また、センサー部材のワイヤボンディング用の内部端子とASICの新たな端子とを、ボンディングワイヤにて接続して、且つ、センサーチップに接続する複数の端子とASICの新たな端子とを、バンプ接続して、再配線された配線にて、センサー部材とASICとの電気的接続をしており、センサー部材の外部端子には突起状のバンプが配設され、該突起状のバンプを外部に露出させた状態としていることにより、センサー部材を機能させるための、回路を比較的簡単な構造で達成し、パッケージの外部回路との接続をし易いものとしている。
また、このようにセンサー部材と、ASICとを一体とし接続していることにより、実装のためのエリアを小さくでき、また、信号線を短くでき、センサー感度を良くできる。
そして、センサー部材の非アクティブ面に、配線された内部端子部と外部端子部を備え、ASICの表面に再配線された端子を備え、これらをボンディングワイヤにて接続し、センサー部材とASICとの電気的接続をしていることにより、センサー部材とASICとの電気的接続を比較的に簡単に行え、センサー部材のセンサーチップの端子の配列や、ASICの元の端子の配列にとらわれず、配線を行うことができるものとしている。
また、センサー部材を、ASICの表面とセンサー部材のアクティブ面との間に、封止の際の境部となる封止用リブを配してバンプを介して、ASICの表面側に搭載していることにより、空隙部の形成を確実にできるものとしている。
(Function)
The sensor package of the present invention is a sensor package in which a gap is provided on the active surface side of a sensor chip as a functional chip having an active surface on one side, and the sensor chip is sealed, with such a configuration. It is possible to provide a sensor package having a structure that is easy to use in a specific application, can solve the problem of sensor sensitivity deterioration due to the long distance of the signal line, and has an uncomplicated productivity.
Specifically, for the sensor chip having a plurality of terminals connected to the functional elements on the active surface and the outer region, the sensor chip has a plurality of redistributed wires on the non-active surface. An internal terminal for wire bonding is connected to the side, an external terminal for connection to an external circuit is connected to the other side, and the internal terminal is arranged along the periphery of the inactive surface, and has a sensor member, A new terminal for wire bonding is arranged around the surface (terminal surface) by rewiring wiring connected to the terminal and new terminals for bump connection and wire bonding connected to the wiring. , Having an ASIC, and protruding external circuit connection bumps are arranged on the external terminals of the sensor member. The sensor member is connected to the ASIC surface with its active surface facing the ASIC surface. The sensor is mounted on the surface side of the ASIC, away from the ASIC, and an internal terminal for wire bonding of the sensor member and a new terminal portion for wire bonding of the ASIC are connected by a bonding wire, A plurality of terminals connected to the chip and a new terminal for bump connection of the ASIC are bump-connected by connection fixing bumps, and the sensor member and the ASIC are electrically connected by the re-wired wiring. A gap is provided between the surface of the ASIC and the active surface of the sensor member by the both surfaces and the sealing rib to expose the protruding bumps for connecting the external circuit of the sensor member to the outside. In this state, each part on the front side of the ASIC is sealed with a sealing resin, and the back side of the ASIC is exposed to the outside.
Specifically, the active surface of the sensor member is directed to the surface of the ASIC, the sensor member is mounted on the surface of the ASIC via the bumps with the two surfaces being separated, and the surface of the ASIC and the active surface of the sensor member are mounted. By providing a gap between the two surfaces and the sealing rib, the active surface of the sensor member can be brought into contact with the gap. Moreover, the back surface side of the ASIC is directed outward and the back surface side of the ASIC is used as a sealing material, so that the sensor member and the ASIC can be sealed with a simple structure.
Thus, environmental resistance can be improved by resin sealing.
Also, the internal terminal for wire bonding of the sensor member and the new terminal of the ASIC are connected by a bonding wire, and a plurality of terminals connected to the sensor chip and the new terminal of the ASIC are bump-connected. The re-wired wiring connects the sensor member and the ASIC electrically. Protruding bumps are disposed on the external terminals of the sensor member, and the protruding bumps are exposed to the outside. In this state, the circuit for causing the sensor member to function is achieved with a relatively simple structure, and the connection to the external circuit of the package is facilitated.
Further, since the sensor member and the ASIC are integrally connected as described above, the area for mounting can be reduced, the signal line can be shortened, and the sensor sensitivity can be improved.
The inactive surface of the sensor member is provided with a wired internal terminal portion and an external terminal portion, and a rewired terminal is provided on the surface of the ASIC, which are connected by a bonding wire, and the sensor member and the ASIC are connected to each other. By making electrical connection, the electrical connection between the sensor member and the ASIC can be made relatively easily, and the wiring can be performed without being limited by the arrangement of the sensor chip terminals of the sensor member or the original arrangement of the ASIC terminals. To be able to do.
In addition, the sensor member is mounted on the surface side of the ASIC via a bump with a sealing rib serving as a boundary when sealing between the surface of the ASIC and the active surface of the sensor member. Therefore, the formation of the void portion can be ensured.
そして、前記センサーチップとしては、錘部と、該錘部の周囲を囲むフレーム部と、該錘部の上部を該フレーム部の上部に接続して可撓的に支持して吊るビーム部とを有し、外部から該錘部に与えられる力により発生する該ビーム部の撓み量によって電気抵抗の値が変化する、加速度センサ素子を、前記アクティブ面と前記非アクティブ面との間に配した、MEMS(Micro Electoro Mechanical Systems)が挙げられる。
また、センサー部材の前記外部端子部と前記突起状のバンプ間に応力緩和層が介在する、請求項3の発明の形態とすることにより、配線基板等に実装された際、配線基板等との熱収縮性の相違により応力が接続用のバンプに集中して破損するのを防止できるものとしている。
前記応力緩和層としては、合成ゴム中に導電粒子を分散させたものが挙げられる。
The sensor chip includes a weight part, a frame part surrounding the weight part, and a beam part that flexibly supports the upper part of the weight part by connecting it to the upper part of the frame part. Having an acceleration sensor element that changes the value of electrical resistance depending on the amount of deflection of the beam portion generated by the force applied to the weight portion from the outside, and is arranged between the active surface and the inactive surface, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) is mentioned.
In addition, a stress relaxation layer is interposed between the external terminal portion of the sensor member and the protruding bump, so that when mounted on a wiring board, etc. It is possible to prevent the stress from being concentrated on the connecting bumps due to the difference in heat shrinkability.
Examples of the stress relaxation layer include those in which conductive particles are dispersed in a synthetic rubber.
本発明のセンサーパッケージの製造方法は、このような構成にすることにより、一面にアクティブ面を有する機能デバイスとしてのセンサーチップのアクティブ面側に空隙部を設けて中空にして、センサーチップとASICとを一体化して封止したセンサーパッケージで、信号線の長距離化によるセンサー感度低下の問題を解決でき、その使用、特に特定用途において、使いがってが良い構造のセンサーパッケージを、量産性良く、確実に作製することができるセンサーパッケージの製造方法の提供を可能としている。
そして、バンプ形成工程としては、センサー部材の前記外部端子部の上に応力緩和層を形成し、該応力緩和層上に前記外部回路との接続用のバンプを形成する形態が挙げられる。
また、個片化工程としては、レーザもしくはダイシングソーにて、ウエハ分離する形態が挙げられる。
In the sensor package manufacturing method of the present invention, the sensor chip, the ASIC, and the ASIC are formed by providing a gap on the active surface side of the sensor chip as a functional device having an active surface on one side so as to be hollow. The sensor package that integrates and seals can solve the problem of sensor sensitivity degradation due to the long distance of the signal line, and the sensor package with a structure that can be used easily, especially in specific applications, with high productivity Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing a sensor package that can be reliably manufactured.
And as a bump formation process, the form which forms a stress relaxation layer on the said external terminal part of a sensor member, and forms the bump for a connection with the said external circuit on this stress relaxation layer is mentioned.
In addition, as the singulation process, a form in which the wafer is separated by a laser or a dicing saw can be used.
センサー部材の作製としては、多面付けに区画して、各面付け毎に単位のセンサーチップが配されたウエハを作製し、ウエハの状態で(ウエハレベルでとも言う)、センサーチップの非アクティブ面側に絶縁性基材を積層し、該絶縁性基材の外側面に、絶縁層を配し、該絶縁層上に、ワイヤボンディング用の内部端子と、外部回路との接続用の外部端子を有する配線部を、内部端子が該非アクティブ面の周辺に沿うように、配設した後、ウエハを各面付け毎に分離して個片化する形態が挙げられる。
また、ASIC再配線は、その端子面側に絶縁層を配設し、該絶縁層の端子部領域を孔開けし、スパッタ等によりSEED層を形成して電解めっきを行い金属層を形成し、該金属層を選択エッチングして、端子部を形成する形態が挙げられる。
The sensor member is divided into multiple impositions, and a wafer in which a unit sensor chip is arranged for each imposition is produced, and in the wafer state (also referred to as wafer level), the inactive surface of the sensor chip. An insulating base material is laminated on the side, an insulating layer is disposed on the outer surface of the insulating base material, and an internal terminal for wire bonding and an external terminal for connection to an external circuit are provided on the insulating layer. After the wiring portion having the internal terminal is disposed along the periphery of the inactive surface, the wafer is separated into individual pieces for each imposition.
In addition, the ASIC rewiring is provided with an insulating layer on the terminal surface side, a hole is formed in the terminal area of the insulating layer, a SEED layer is formed by sputtering or the like, and electrolytic plating is performed to form a metal layer. A mode in which the metal layer is selectively etched to form a terminal portion can be mentioned.
本発明は、上記のように、一面にアクティブ面を有する機能チップとしてのセンサーチップのアクティブ面側に空隙部を設けて中空にして、センサーチップとASICとを一体化して封止したセンサーパッケージで、信号線の長距離化によるセンサー感度低下の問題を解決でき、その使用、特に特定用途において、使いがってが良い構造で、且つ、簡単で、生産性に優れた構造のセンサーパッケージの提供を可能とした。
同時に、そのようなセンサーパッケージを量産できるセンサーパッケージの製造方法の提供を可能とした。
As described above, the present invention provides a sensor package in which a sensor chip and an ASIC are integrated and sealed by providing a hollow portion on the active surface side of a sensor chip as a functional chip having an active surface on one side and making it hollow. Can solve the problem of sensor sensitivity degradation due to longer signal lines, and provide a sensor package with a structure that can be used easily, especially in specific applications, and that is simple and highly productive. Made possible.
At the same time, a sensor package manufacturing method capable of mass-producing such sensor packages can be provided.
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図1は本発明のセンサーパッケージの実施の形態の1例の概略断面図で、図2(a)はセンサー部材の1例の概略断面図で、図2(b)は図2(a)のA1−A2における断面を示した図で、図3(a)〜図3(d)は図1に示すセンサーパッケージの製造方法の1例の一部工程を示した工程断面図で、図4(e)から図4(g)は図3に続く一部工程を示した工程断面図である。
尚、図3、図4において点線は単位のASICの境界を示している。
また、図2(a)は、図2(b)のA3−A4における断面を示したものである。
図1〜図4中、1は錘部、3は支持部(ビーム部とも言う)、4は枠部(フレーム部とも言う)、6はガラス層、7はピエゾ抵抗素子、10はセンサー部材、10aはセンサーチップ、11は端子、12は絶縁材層(フォトレジスト)、13は配線、13aは端子部(内部端子とも言う)、13bは(突起状バンプ形成用の)外部端子、18は応力緩和層、19Aはアクティブ面、19Bは非アクティブ面、20はASIC、20Aはウエハ、20aは単位のASIC、21は(再配線された)配線、21aは端子(内部端子とも言う)、21bは(バンプ接続用の)端子、30はバンプ(接続固定用バンプとも言う)、35は封止用リブ、40は封止材料(封止用樹脂とも言う)、50はバンプ(外部回路接続用バンプとも言う)、60はボンディングワイヤ、80は空隙部である。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 is a schematic cross-sectional view of an example of an embodiment of a sensor package of the present invention, FIG. 2 (a) is a schematic cross-sectional view of an example of a sensor member, and FIG. 2 (b) is a schematic cross-sectional view of FIG. FIG. 3A to FIG. 3D are process cross-sectional views illustrating a partial process of one example of the sensor package manufacturing method illustrated in FIG. FIG. 4G to FIG. 4G are process cross-sectional views illustrating a partial process subsequent to FIG.
3 and 4, the dotted line indicates the boundary of the unit ASIC.
FIG. 2A shows a cross section taken along line A3-A4 in FIG.
1-4, 1 is a weight part, 3 is a support part (also called a beam part), 4 is a frame part (also called a frame part), 6 is a glass layer, 7 is a piezoresistive element, 10 is a sensor member, 10a is a sensor chip, 11 is a terminal, 12 is an insulating material layer (photoresist), 13 is a wiring, 13a is a terminal portion (also referred to as an internal terminal), 13b is an external terminal (for forming bumps), 18 is stress Relaxation layer, 19A active surface, 19B inactive surface, 20 ASIC, 20A wafer, 20a unit ASIC, 21 (redistributed) wiring, 21a terminal (also referred to as internal terminal), 21b Terminals (for bump connection), 30 bumps (also referred to as connection fixing bumps), 35 ribs for sealing, 40 a sealing material (also referred to as sealing resin), and 50 bumps (bumps for external circuit connection) 60) Down loading wire, 80 is a gap portion.
はじめに、本発明のセンサーパッケージの実施の形態の1例を図1に基づいて説明する。
本例のセンサーパッケージは、空隙80と接するようにして配する必要があるアクティブ面19Aを一方側とし、空隙と接するようにして配する必要はない非アクティブ面19Bを他方側とするセンサーチップ(図2(a)の10aに相当)を、これより大サイズのASIC20上に搭載して一体化し、センサーチップのアクティブ面側に空隙部を設けてASIC20と共に封止したパッケージである。
そして、アクティブ面、外側領域に、機能素子に接続する複数の端子を有するセンサーチップ(図2(a)の10aに相当)に対して、非アクティブ面に、再配線された複数の配線を有し、各配線には、一方側にワイヤボンディング用の内部端子が接続され、他方側に外部回路との接続用の外部端子が接続され、内部端子を該非アクティブ面の周辺に沿って配しいる、センサー部材10を備え、また、その表面(端子面)に、その端子と接続する配線と該配線に接続するバンプ接続用およびワイヤボンディング用の新たな端子とを再配線して、ワイヤボンディング用の新たな端子を周辺に配設した、ASIC20を備え、センサー部材10の外部端子13bには突起状のバンプ50が配設されており、センサーチップのアクティブ面側をASIC20の表面に向けて、センサー部材10を、バンプ30を介して、ASIC30から離して、ASIC20の表面側に搭載している。
そしてまた、センサー部材10のワイヤボンディング用の内部端子13aとASIC20の新たなワイヤボンディング用の端子21aとを、ボンディングワイヤ60にて接続して、且つ、センサーチップ(図2(a)の10aに相当)に接続する複数の端子とASIC10の新たなバンプ接続用の端子21bとを、バンプ接続して、再配線された配線21にて、センサー部材とASICとの電気的接続をしている。
また、ASIC20の表面とセンサー部材10のアクティブ面との間に、前記両面と封止用リブ35とで空隙部80を設けて、突起状のバンプ50を外部に露出させた状態で、ASIC20の表面側の各部を封止用樹脂40で封止し、ASIC20の裏面を外側に露出させている。
このような構成にすることにより、一面にアクティブ面を有する機能チップとしてのセンサーチップのアクティブ面側に空隙部を設けて中空にして、センサーチップとASICとを一体化して封止したセンサーパッケージで、信号線の長距離化によるセンサー感度低下の問題を解決でき、その使用、特に特定用途において、使いがってが良い構造で、且つ、簡単で、生産性に優れた構造のセンサーパッケージの提供を可能としている。
特に、センサーチップを機能させるための、回路を比較的簡単な構造で達成し、パッケージの外部回路との接続をし易いものとしている。
また、ASIC20の裏面を外側に向け、ASIC20の裏面側を封止材として利用し、センサー部材10とASIC20とを、簡単の構造で、封止できるものとしている。
First, an example of an embodiment of a sensor package of the present invention will be described with reference to FIG.
In the sensor package of this example, an active surface 19A that needs to be arranged so as to be in contact with the air gap 80 is on one side, and a non-active surface 19B that does not need to be arranged so as to be in contact with the air gap is on the other side. FIG. 2A corresponds to 10a), which is mounted on and integrated with an
In addition, with respect to a sensor chip (corresponding to 10a in FIG. 2A) having a plurality of terminals connected to the functional elements on the active surface and the outer region, a plurality of rewired wires are provided on the inactive surface. Each wiring has an internal terminal for wire bonding connected to one side and an external terminal for connection to an external circuit connected to the other side, and the internal terminals are arranged along the periphery of the inactive surface. The
Further, the wire bonding internal terminal 13a of the
Further, a gap 80 is provided between the surface of the
With such a configuration, a sensor package in which a sensor chip and an ASIC are integrated and sealed by providing a hollow portion on the active surface side of the sensor chip as a functional chip having an active surface on one side to be hollow. Can solve the problem of sensor sensitivity degradation due to longer signal lines, and provide a sensor package with a structure that can be used easily, especially in specific applications, and that is simple and highly productive. Is possible.
In particular, the circuit for causing the sensor chip to function is achieved with a relatively simple structure, and is easily connected to an external circuit of the package.
In addition, the
センサー部材10のセンサーチップ10aとしては、例えば、図2に示すような加速度センサー部が挙げられるが、このような、空隙と接するようにして配する必要があるアクティブ面を一方側表面とし、空隙と接するようにして配する必要はない非アクティブ面を他方側表面とするセンサーチップであれば、センサーチップは加速度センサー部に限定はされない。
図2に示す、加速度センサー部としてのセンサーチップは、錘部1の周囲を囲むフレーム部(枠部)4と、これら錘部1の上部をフレーム部4の上部に接続して可撓的に支持して吊るビーム部(支持部)3とを有し、外部から該錘部1に与えられる力により発生する該ビーム部3の撓み量によって電気抵抗の値が変化する、加速度センサ素子を、前記アクティブ面と前記非アクティブ面との間に配した、MEMS(Micro Electoro Mechanical Systems)である。
The sensor chip 10a of the
A sensor chip as an acceleration sensor unit shown in FIG. 2 is flexible by connecting a frame part (frame part) 4 surrounding the
突起状のバンプ50は、本例のセンサーパッケージを配線基板等に実装するためのもので、半田、Au、Ag等の材質が適用できる。
配線13、ワィヤボンディング用の端子13a、外部端子13b、配線21、ワィヤボンディング用の端子21a、バンプ接続用の端子21bは、通常、銅(Cu)を主とするが、配線として機能するものであれば、これに限定はされない。
ワィヤボンディング用の端子13a、21aおよびバンプ接続用の端子21bの表面には、必要に応じてNi層等からなる下引き層を設けてAg層やAu層等を積層している金属層を配設している。
ここでは、外部端子13bとバンプ50との間には、例えば、銅層や、銅層とバリア金属層や、バリア金属層を配設され、更に、応力緩和層18が配設されている。
バリア金属層としては、Ni層とAu層の組み合わせ、Ni層とPd層とAu層の組み合わせ等とすることができる。
応力緩和層18としては、合成ゴム中に導電粒子を分散させたものが好ましく挙げられる。
バンプ30は、半田、Au、Ag等の材質が適用できる。
封止用リブ35は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
封止用樹脂40や封止用リブ45の主となる材質としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
The protruding bumps 50 are for mounting the sensor package of this example on a wiring board or the like, and materials such as solder, Au, and Ag can be applied.
The
On the surfaces of the
Here, between the
The barrier metal layer may be a combination of a Ni layer and an Au layer, a combination of a Ni layer, a Pd layer, and an Au layer, or the like.
The
The
Examples of the sealing rib 35 include an epoxy resin, a polyimide resin, a silicone resin, and an acrylic resin.
Examples of the main material of the sealing resin 40 and the sealing rib 45 include an epoxy resin, a polyimide resin, a silicone resin, and an acrylic resin.
次に、本例のセンサーパッケージの製造方法の1例を、図3、図4に基づいて簡単に説明する。
これを以って、本発明のセンサーパッケージの製造方法の実施の形態の1例とする。
先ず、予め、アクティブ面、外側領域に、機能素子に接続する複数の端子を有するセンサーチップ(図2(a)の10aに相当)に対して、非アクティブ面に、再配線された複数の配線13を有し、各配線13には、一方側にワイヤボンディング用の内部端子13aが接続され、他方側に外部回路との接続用の外部端子13bが接続され、内部端子13aを該非アクティブ面の周辺に沿って配しいる、センサー部材10を(図2(a)参照)を準備し、
一方また、単位のASIC20aを面付けして複数配しているウエハ20Aを準備しておく。(図3(a))
Next, an example of the manufacturing method of the sensor package of this example will be briefly described with reference to FIGS.
This is an example of an embodiment of the method for manufacturing a sensor package of the present invention.
First, with respect to a sensor chip (corresponding to 10a in FIG. 2 (a)) having a plurality of terminals connected to the functional elements on the active surface and the outer region in advance, a plurality of wires re-wired on the
On the other hand, a wafer 20A in which a plurality of unit ASICs 20a are arranged and arranged is prepared. (Fig. 3 (a))
尚、センサー部材10の作製は、例えば、以下にようにして行う。
先ず、多面付けに区画して、各面付け毎に単位のセンサーチップが配されたウエハを作製し、ウエハの状態で(ウエハレベルでとも言う)、、センサーチップの非アクティブ面側に絶縁性基材を積層する。
次いで、該絶縁性基材の外側面に、絶縁層を配し、該絶縁層上に、ワイヤボンディング用の内部端子と、外部回路との接続用の外部端子を有する配線部を、内部端子が該非アクティブ面の周辺に沿うように、再配線して配設する。
また、内部端子には必要に応じて所定のワイヤボンディング用の金属層を形成しておき、また、外部端子には、必要に応じて、所定のめっき層、応力緩和層18を形成しておく。
次いで、ウエハを各面付け毎に分離して個片化して、個片化されたセンサー部材10を得る。
The
First, the wafer is divided into multiple impositions, each of which is provided with a unit sensor chip for each imposition, and in the wafer state (also referred to as the wafer level), the sensor chip is insulative on the inactive surface side. Laminate the substrates.
Next, an insulating layer is disposed on the outer surface of the insulating substrate, and a wiring portion having an internal terminal for wire bonding and an external terminal for connection to an external circuit is provided on the insulating layer. Rewiring is provided along the periphery of the inactive surface.
Further, a predetermined metal layer for wire bonding is formed on the internal terminal as required, and a predetermined plating layer and
Next, the wafer is separated for each imposition and separated into individual pieces, thereby obtaining the separated
次いで、ウエハレベルで、各ASIC毎に、その表面(端子面)に、その端子部と接続する配線21と該配線21に接続する新たなワイヤボンディング用の端子部21a、新たなバンプ接続用の端子部21bとを再配線して、該新たなワイヤボンディング用の端子部21aを周辺に配設しておく。
そして、必要に応じて、ワイヤボンディング用の端子部21a、バンプ接続用の端子部21bの表面には、必要に応じてNi層等からなる下引き層を設けてAg層やAu層を配設している。(図3(b))
尚、上記ASIC20の再配線は、例えば、その端子面側に絶縁層を配設し、該絶縁層の端子部領域を孔開けし、スパッタ等によりSEED層を形成して電解めっきを行い金属層を形成し、該金属層を選択エッチングして、配線、端子部を形成する。
Next, at the wafer level, for each ASIC, on the surface (terminal surface), the
If necessary, an undercoat layer made of a Ni layer or the like is provided on the surfaces of the wire bonding
The rewiring of the
次いで、ウエハレベルで、各ASIC毎に、センサー部材10を、そのアクティブ面をASIC20の表面に向けて、バンプ(図1の30に相当し、接続固定用バンプとも言う)を介して、ASICから離して、ASICの表面側に搭載する。
ここでは、センサーチップ(図2の10aに相当)に接続する複数の端子(図2の11に相当)とASICの新たなバンプ接続用の端子21bとを、バンプ接続する。(図3(c))
バンプ30を予めセンサーチップ側、あるいは、ASICに配してバンプ接続を行う。
Next, at the wafer level, for each ASIC, the
Here, a plurality of terminals (corresponding to 11 in FIG. 2) connected to the sensor chip (corresponding to 10a in FIG. 2) and a new bump connecting terminal 21b of the ASIC are bump-connected. (Fig. 3 (c))
The
次いで、センサー部材10のワイヤボンディング用の内部端子13aとASIC20のワイヤボンディング用の新たな端子部21aとを、ボンディングワイヤ60にて接続する。(図3(d))
Next, the wire bonding internal terminal 13 a of the
次いで、ASIC20の表面とセンサー部材10のアクティブ面との間に、前記両面と封止用リブ35とで空隙部80を設けて、樹脂封止する。(図4(e))
トランスファー成形等により行う。
ここでは、外部端子13bの領域とASICの裏面を外側に露出させている。
Next, a gap 80 is provided between the surface of the
Performed by transfer molding.
Here, the region of the
次いで、外部端子13bに配線基板当の外部回路と接続するためのバンプ50を形成する。
バンプ50としては、半田、Au、Ag等の材質が適用できる。(図4(f))
Next, bumps 50 are formed on the
As the bump 50, a material such as solder, Au, or Ag can be applied. (Fig. 4 (f))
次いで、単位ASIC20の境部(図4(f)の点線部に相当)を、レーザやダイシングソーにて、分離して、単位のセンサーパッケージを個片化して得る。(図4(g))
このようにして、本例のセンサーパッケージは作製されるが、作製方法はこれに限定はされない。
Next, the boundary portion of the unit ASIC 20 (corresponding to the dotted line portion in FIG. 4F) is separated by a laser or a dicing saw, and the sensor package of the unit is obtained as a single piece. (Fig. 4 (g))
In this manner, the sensor package of this example is manufactured, but the manufacturing method is not limited to this.
1 錘部
3 支持部(ビーム部とも言う)
4 枠部(フレーム部とも言う)
6 ガラス層
7 ピエゾ抵抗素子
10 センサー部材
10a センサーチップ
11 端子
12 絶縁材層(フォトレジスト)
13 配線
13a 端子部(内部端子とも言う)
13b (突起状バンプ形成用の)外部端子
18 応力緩和層
19A アクティブ面
19B 非アクティブ面
20 ASIC
20A ウエハ
20a 単位のASIC
21 (再配線された)配線
21a 端子(内部端子とも言う)
21b (バンプ接続用の)端子
30 バンプ(接続固定用バンプとも言う)
35 封止用リブ
40 封止材料(封止用樹脂とも言う)
50 バンプ(外部回路接続用バンプとも言う)
60 ボンディングワイヤ
80 空隙部
110 センサー部(センサーチップ)
111 絶縁層
112 端子
121 パッド部
122 端子部
122a 内部端子
122b 外部端子
130 DSP(信号処理装置)
131 バンプ
140 ワイヤ
150 樹脂部材
155 封止部材(封止用リブとも言う)
160 空隙部
170 保護材
1 Weight
4 Frame part (also called frame part)
6
13 Wiring 13a Terminal (also referred to as internal terminal)
13b External terminal 18 (for projecting bump formation) Stress relaxation layer 19A Active surface 19B
ASIC of 20A wafer 20a unit
21 (rewired)
21b Terminal 30 (for bump connection) Bump (also called connection fixing bump)
35 Sealing rib 40 Sealing material (also called sealing resin)
50 bumps (also called external circuit connection bumps)
60 Bonding wire 80 Gap 110 Sensor part (sensor chip)
111 Insulating layer 112 Terminal 121 Pad part 122 Terminal part 122a Internal terminal 122b External terminal 130 DSP (signal processing device)
131 Bump 140
160 Cavity 170 Protective Material
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