JP2009064036A - Plasma display apparatus - Google Patents
Plasma display apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009064036A JP2009064036A JP2008290930A JP2008290930A JP2009064036A JP 2009064036 A JP2009064036 A JP 2009064036A JP 2008290930 A JP2008290930 A JP 2008290930A JP 2008290930 A JP2008290930 A JP 2008290930A JP 2009064036 A JP2009064036 A JP 2009064036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma display
- output
- current
- wiring
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of Gas Discharge Display Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明は、プラズマディスプレイ装置に関するものである。 The present invention relates to a plasma display device.
プラズマディスプレイパネル(以下、略してPDPと記載する)やエレクトロルミネセンス(EL)等の表示素子は、高電圧、大電流が供給できる駆動回路が必要となる。このような高電圧、大電流を供給できる駆動回路の例には、モーター等を駆動する駆動装置の例がある。本発明にもっとも近いと思われる引例は特開平5−175384号公報(特許文献1)に記載されている。 A display element such as a plasma display panel (hereinafter abbreviated as PDP) or electroluminescence (EL) requires a driving circuit capable of supplying a high voltage and a large current. An example of a driving circuit that can supply such a high voltage and a large current is an example of a driving device that drives a motor or the like. A reference that seems to be closest to the present invention is described in Japanese Patent Laid-Open No. 5-175384 (Patent Document 1).
この公報には、配線パターンの立体化を基本概念とし、その応用例として、制御回路とパワー回路とを分離し、2段構成としている電力用半導体装置が示されている。すなわち、ここではパワーチップ間等の接続配線について示されており、パワーチップを搭載した絶縁金属基板上に大きな面積を有する大電流を扱う配線を、基板から浮かして立体配線にする事で絶縁金属基板の基板面積を縮小し、基板コストを低減させている。大電流が流れるパターンは幅を広くせざるを得ないため、パターンの占める面積が大きくなる。すなわち、絶縁金属基板そのものの面積が大きくなる。この欠点を解決するために、大電力を扱う配線を電流容量が大きく取れる銅等の金属板で作り立体配線としている。これにより、この装置では、基板には微細なパターンと素子しか残らなくなり、基板面積が減少し、基板コストの低減が図れる。この従来例では、制御回路等が搭載された基板は、先述の立体配線で保持され、信号の受け渡しもこの立体配線で行われる。 This publication shows a power semiconductor device having a two-stage structure in which a three-dimensional wiring pattern is a basic concept and a control circuit and a power circuit are separated as an application example. In other words, connection wiring between power chips is shown here. Insulating metal is formed by floating a wiring that handles a large current having a large area on the insulating metal substrate on which the power chip is mounted to form a three-dimensional wiring. The substrate area of the substrate is reduced, and the substrate cost is reduced. Since the pattern through which a large current flows must be wide, the area occupied by the pattern becomes large. That is, the area of the insulating metal substrate itself is increased. In order to solve this drawback, wiring for handling high power is made of a metal plate such as copper which can take a large current capacity to form a three-dimensional wiring. Thereby, in this apparatus, only fine patterns and elements remain on the substrate, the substrate area is reduced, and the substrate cost can be reduced. In this conventional example, a substrate on which a control circuit or the like is mounted is held by the above-described three-dimensional wiring, and signal transfer is also performed by this three-dimensional wiring.
上記の従来例における構造では、前述のように大電流を流すための立体配線を使っているため、配線の自由度が基板上のパターン配線に比べて著しく小さい。 In the structure in the above conventional example, the three-dimensional wiring for flowing a large current is used as described above, and therefore the degree of freedom of wiring is significantly smaller than the pattern wiring on the substrate.
また、制御回路等が搭載され立体配線に支持された基板は、出力素子の搭載された基板等との信号の受け渡しをこの立体配線で行うため、配線の自由度は同様に小さい、と言う制約を受けている。また、立体配線材を制御基板の支持に使ったり、制御信号の受け渡し等にも使っているため、立体配線部と基板との接合部等の面積も大きくなり、必ずしも基板面積が小さくなっていない。 In addition, a board mounted with a control circuit or the like and supported by a three-dimensional wiring uses the three-dimensional wiring to exchange signals with the board or the like on which an output element is mounted, so that the degree of freedom of wiring is similarly small. Is receiving. In addition, since the three-dimensional wiring material is used for supporting the control board and for passing control signals, the area of the joint portion between the three-dimensional wiring part and the board is increased, and the board area is not necessarily reduced. .
また、直流や低周波の電流に対して抵抗分が小さくても、幅の狭いパルス、立上がり、立下り等変化の急峻なパルス、繰り返しの多いパルス等一般に高速パルスと言われている形態の電流パルスに対しては、インダクタンス成分が大きな抵抗分となるため、電圧ドロップが大きくなり、たとえ銅板等を用いて直流抵抗分を低減しても「配線パターンの抵抗分の低減」という効果は薄れる。 Even if the resistance is small compared to direct current or low-frequency current, currents in the form generally called high-speed pulses, such as narrow pulses, steep pulses such as rise and fall, and pulses with many repetitions Since the inductance component becomes a large resistance component with respect to the pulse, the voltage drop increases, and even if the direct current resistance component is reduced using a copper plate or the like, the effect of “reducing the resistance component of the wiring pattern” is reduced.
高速、大電流のパルス電流を扱うモジュールの場合、配線の引き回しを複雑にしたり、電気的に空中に浮かせグランド(GND)から離すような配線形態では、パルス電流に起因する誘導等でノイズが発生し、モジュール外に放射するだけでなく、モジュール内部にも誤動作等の障害を起こすことがある。上記従来例では、配線に立体構造を用いているため等価的なインダクタンスが大きく見えたり、ループを描く可能性が多くなることも考えられるため、高速、大電流パルスが流れた場合の妨害に対しては不利である。 In the case of modules that handle high-speed, high-current pulse currents, noise is generated due to induction caused by the pulse current in wiring configurations that make wiring routing complicated, or are electrically floating in the air and separated from the ground (GND) In addition to radiating out of the module, it may cause malfunctions and the like inside the module. In the above conventional example, since the three-dimensional structure is used for the wiring, it is possible that the equivalent inductance looks large or the possibility of drawing a loop increases. Is disadvantageous.
このような課題に対して、上記従来例ではシールドや配線のインダクタンス低減手段等、障害を低減する手段については言及していないため、高速パルス電流を扱った場合等、回路の動作不良や不要輻射等の問題が発生する可能性が存在する。さらに、上記従来例はモジュール内部の配線形態についてのみの言及であり、モジュールを搭載するメイン基板についての記述はない。このため、メイン基板とモジュールの干渉等についての問題等のついては考慮されていない。また、従来例はモジュールに用いる出力素子と、その負荷との関連については、言及していない。 In order to deal with such problems, the above-mentioned conventional example does not refer to a means for reducing a failure such as a shield or wiring inductance reducing means. Such a problem may occur. Further, the above conventional example only refers to the wiring form inside the module, and there is no description about the main board on which the module is mounted. For this reason, the problem about the interference between the main board and the module is not considered. Further, the conventional example does not mention the relationship between the output element used in the module and its load.
本発明の目的は上記の欠点を解決し、出力回路に流れる高速、大電流の影響を軽減したプラズマディスプレイ装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a plasma display device that solves the above-described drawbacks and reduces the influence of high speed and large current flowing in an output circuit.
本発明の目的を達成するために、本発明のプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルと、絶縁膜、前記絶縁膜上に設けられた配線パターンを備える基板と、前記配線パターン上に搭載され、前記プラズマディスプレイパネルの駆動パルスを出力する駆動回路とを有し、前記駆動回路はIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を含んで構成される。 In order to achieve the object of the present invention, a plasma display device of the present invention is mounted on a wiring pattern, a substrate including a plasma display panel, an insulating film, a wiring pattern provided on the insulating film, A driving circuit for outputting a driving pulse of the plasma display panel, and the driving circuit includes an IGBT (insulated gate bipolar transistor).
上記のプラズマディスプレイ装置において、前記駆動回路のうち、表示放電のための高電圧と低電圧とを前記プラズマディスプレイ装置に印加するトーテムポール接続の2つの出力端子を、前記IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)とする。 In the plasma display device, two output terminals of totem pole connection for applying a high voltage and a low voltage for display discharge to the plasma display device in the drive circuit are connected to the IGBT (insulated gate bipolar transistor). And
また、前記2つの出力端子のうち、前記高電圧を印加する出力端子は、発光放電電流が停止した後にオフ状態とするように制御される。 In addition, of the two output terminals, the output terminal to which the high voltage is applied is controlled to be turned off after the light emission discharge current is stopped.
本発明においては、駆動装置を流れる高速、大電流による電磁界の影響を軽減することによって、ノイズを低減し、電流パルスによる回路各部の電圧降下を低減することが出来る。 In the present invention, by reducing the influence of the electromagnetic field due to the high speed and large current flowing through the driving device, noise can be reduced, and voltage drop in each part of the circuit due to current pulses can be reduced.
以下、本発明の実施の形態について、実施例を用い、図を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings using examples.
図1は本発明による駆動装置の一実施例を示す断面図である。図1は1個のパワーモジュールをメイン基板に搭載した状態を示している。図1において、11はアルミニューム(AL:以下アルミと略す)や銅(Cu)のベースメタル22の上に薄い絶縁膜23をコーティングして、その絶縁膜23の上に配線パターン24を配置し、その上に熱を発生する出力素子12を搭載した出力基板を示す。12は出力基板に搭載される出力素子を示す。この出力素子12はパッケージされたものでも、ベアチップ状態でもよい。13は絶縁板31上に配線パターン32が配置されたメイン基板であり、このメイン基板13の配線パターン32にはシステムの主な回路部品33が搭載されると共にモジュールが搭載される。メイン基板13にとって、モジュールは単なる1構成部品でしかない。14は出力素子12で発生した熱を効率良く逃がす放熱板を示す。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a driving apparatus according to the present invention. FIG. 1 shows a state where one power module is mounted on the main board. In FIG. 1,
ドライブ基板21は絶縁板28の一面上に配線パターン29を配置することによって構成され、絶縁板28の他面にはシールド層16が設けられる。配線パターン29には出力素子12を制御したり保護機能等を持ったドライブ素子17が搭載されている。15は出力基板11、ドライブ基板21の間、ドライブ基板21とメイン基板13の間に充填され、モジュール内部に水分やゴミ等が侵入しないように封着するためのゲルや樹脂等の充填剤を示す。34は絶縁板31に設けられ、金属で構成されたシールド層である。18は制御信号や電源等をモジュール内の基板11、21につなぐ入力ピンを示す。19は大電流を扱う出力ピンを示す。図1では、入力ピン、出力ピンを両側に分けたが、片側のみにすることもできる。20はモジュール内部の素子を埃や水分等から守り、モジュールの機械的強度を保ち、且つ、外部に電磁界が漏れるのを防ぐためのシールド効果を有するケースを示す。図1において、ドライブ基板21は制御素子や、ドライブ素子12等比較的熱の発生が少なく、電圧、電流の小さな信号を扱う。ドライブ基板21は、必ずしも絶縁金属基板である必要は無く、一般のエポキシやフェノール等の基板でも実現できる。なお、図1において、パワーモジュールは放熱版14、出力基板11、出力素子12、ドライブ基板21、ドライブ素子17、ケース20等から構成されている。
The
図2は本発明による駆動装置に使用されるドライブ基板の一実施例を示す平面図である。図において、ドライブ基板21はドライブ素子17等の部品が取り付けられる面と反対側の面はシールド層16で覆われており、出力基板11からの電磁界の影響がドライブ素子17や制御部品側に漏れ込むのを防いでいる。シールド層16は図1に示すように出力基板11上の出力素子12等で構成される出力回路とドライブ基板12上のドライブ素子17等で構成されるドライブ・制御回路の間に配置にするのが効果的である。メイン基板13に設けられたシールド層34はモジュールを覆い隠すように付ける構成が効果的であることは説明するまでもない。
FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of a drive substrate used in the drive device according to the present invention. In the figure, the
図3は図1に示す出力基板及び放熱板の一実施例を示す断面図である。図1と同じ物は同じ番号で示した。図3において、22は出力基板11のベースメタルを示し、材料は一般的にアルミ、銅等が用いられるが、熱伝導率が高ければ良い。しかしながら、具体的には後述するが、配線のインダクタンスを低減するためには、このベースメタル22に十分な渦電流が流れ、打ち消し磁界を発生する必要があり、電気伝導度も高い材料である必要がある。アルミや銅等はコストの点でも満足できるものである。熱伝導度だけを考慮すれば良いような応用例では、絶縁物ではあるが熱を通し易いセラミックス等でも実現できることは言うまでもない。セラミックを使って配線のインダクタンスを低減するには更に、このセラミックスの一面に金属板を取り付ける必要がある。絶縁膜23は、この膜の厚さで配線のインダクタンスが変化するので、電気的な絶縁が保たれる限り薄くする必要がある。25は出力素子12と銅箔等で形成された配線パターン24を接続するための接続線、すなわち、ボンディングワイヤーを示す。素子チップの放熱等の問題が解決できれば、バンプ等によるチップと基板との接続も可能となる。ベースメタル22に電気伝導度の高い材料を用いると、出力素子12を含む回路に高周波の大電流が流れることによって発生する電磁界によってベースメタル22に渦電流が発生し、この渦電流で生じた電磁界が出力素子を含む回路によって生じた電磁界を打ち消すので、配線パターン24や接続線25のインダクタンスを低減することが出来る。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an embodiment of the output substrate and the heat radiating plate shown in FIG. The same thing as FIG. 1 was shown with the same number. In FIG. 3,
図4は図3に示す出力基板における絶縁膜の厚さと配線パターンのインダクタンス変化を示しす特性図である。図において、横軸は絶縁膜23の厚さdを示し、縦軸は配線インダクタンスLを示す。共に任意目盛りで示している。絶縁膜と配線のインダクタンスの関係に関する基本的な説明は、特開平10−74886号公報に詳しく述べられているので省略するが、本発明は特開平10−74886号公報に記載されている技術を応用したものである。図4に示すように、絶縁膜23の膜厚dが厚くなると配線インダクタンスLは増加する。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing the change in inductance of the insulating film and the wiring pattern in the output substrate shown in FIG. In the figure, the horizontal axis indicates the thickness d of the insulating
図5はモジュール内部の出力部回路の一実施例を示す回路図である。12a〜12dは出力素子を示しており、この素子にパワーMOS FETが一般的に使われているが、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、静電誘導トランジスタ(SIT)等も使われる。26はPDP(プラズマ ディスプレイ パネル)の1つの放電セルを示すものである。27はPDPの駆動回路であり、出力部の一回路例を示している。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an embodiment of the output circuit inside the module.
一般にIGBTはバイポーラ動作をしているため、パワーMOS FETやSIT等に比べると電導度変調効果がある。すなわち、このIGBTは電子とホールで電荷を運ぶため、導通時の素子の抵抗は小さいが、キャリヤの蓄積があるため、制御端子にオフ電圧をかけても電流が流れ続ける。このためスイッチング特性は劣っている。すなわち、図5に示すように出力素子12c、12dをトーテムポール接続した場合、スイッチング特性が悪く、オン、オフに要求される性能以上にオフするまでの時間がかかっていると(IGBTの場合、キャリアの蓄積があるため、素子をオフにしても電流がしばらく流れつづける現象が見られる)、素子12c、12dの上下間で同時オン状態になる可能性がある。このような場合、電源がショート状態となり素子12c、12dは一瞬にして破壊される。このため、現状では、PDP(プラズマ ディスプレイ パネル)等のドライブ回路の出力素子には、キャリアの蓄積が原理的に存在せず、スイッチングスピードが速いパワーMOS FETが使われてきた。しかしながら、最近、IGBTのスピードアップが図られたことと、本発明で以下に述べる現象を見つけたために、IGBTも出力素子として使えることが明らかとなった。図5において、26は駆動回路27の出力端子に接続されたPDPの放電セルである。
In general, an IGBT performs a bipolar operation, and therefore has a conductivity modulation effect compared to a power MOS FET, SIT, or the like. That is, since this IGBT carries charges by electrons and holes, the resistance of the element when conducting is small, but since carriers are accumulated, current continues to flow even when an off voltage is applied to the control terminal. For this reason, the switching characteristics are inferior. That is, when the
図6は図5に示す駆動回路の出力電圧と出力電流を示す波形図である。図6(a)は放電セル26に印加される電圧波形図であり、図の横軸は時間tを示し、縦軸は放電セル26に印可される電圧Vを示す。図6(b)は横軸に時間tを示し、縦軸に電流Iを示す電流波形図であり、Icaは放電セル26の電極間容量充電電流を、Idは放電セル26の発光放電電流を、Icbは放電セル26の電極間容量放電電流を示す。PDPは、多くのプラズマ放電セルの集合体であり、出力回路から見た場合、電極間容量の大きなコンデンサであり、ある電圧を印加すると放電を起こす放電管に見える。すなわち、図6に示す矩形波の駆動電圧をパネル(具体的には放電セル26の電極間)に印加すると、図6の出力電流が出力回路からPDPへ流れる。すなわち、図6(a)の電圧波形Vの立上がりの領域では、セル26の電極間容量への充電電流Icaが流れ、一定電圧がセル26に印加された場合、セル内で電離が起き発光を伴う放電が生じ電流Idが流れる。発光放電電流Idはある量の電荷が流れきると、セルの電極間に電圧が印加された状態でも、放電は停止し、電流は流れなくなる。最後に、電圧波形Vが立ち下がる時には、立上がりとは逆に、セル26の電極間容量に逆方向の電流Icb(放電電流)が流れ、一連の動作が終了する。これの繰り返しにより、PDPの発光が維持される。
FIG. 6 is a waveform diagram showing the output voltage and output current of the drive circuit shown in FIG. FIG. 6A is a voltage waveform diagram applied to the
図6から明らかなように、一般のパワースイッチング回路とPDP駆動回路との違いは、電流の切れ方にある。すなわち、一般のパワースイッチング回路は大電流をスイッチ素子が制御信号に応じて切るが、PDPの場合は、セル26そのものが電流を切ってしまうので、出力素子12c、12dが制御信号に従って切れるときは、出力素子12c、12dには、基本的に電流が流れていない。この現象はPDPの駆動回路に特有のものであり、パワー回路であるにもかかわらず、電源やモータドライブ回路等の一般のパワー回路と根本的に異なる点である。
As is apparent from FIG. 6, the difference between a general power switching circuit and a PDP drive circuit is in how the current is cut off. That is, in the general power switching circuit, the switching element cuts off a large current according to the control signal, but in the case of PDP, since the
PDPの電流の流れ方を考慮すると、先述のIGBTの欠点がカバーできる。すなわち、電荷の蓄積が欠点であったIGBTも、出力素子12c、12dがオフする状態では、出力素子12c、12dに負荷電流が流れていない状態となっているため、若干の性能改善で問題無く動作する。本発明は、まさにこのPDPの放電電流の特性に着目したものであり、従来のパワーMOS FETとの置き換えも可能となる。
Considering the current flow of the PDP, the above-mentioned defects of the IGBT can be covered. In other words, the IGBT, which has been a drawback in charge accumulation, is in a state in which no load current flows through the
静電誘導トランジスタ(SIT)は、基本的にパワーMOS FETと同じ動作原理であり、スイッチング性能については問題なく、パワーMOS FETからの置き換えは可能となる。しかしながら、電流が流れた時の素子の電圧降下は、パワーMOS FETと大きくは変わらず、原理的にIGBTの方が有利である。 The electrostatic induction transistor (SIT) basically has the same operation principle as that of the power MOS FET, and there is no problem in switching performance, and replacement from the power MOS FET is possible. However, the voltage drop of the element when a current flows is not much different from that of a power MOS FET. In principle, the IGBT is more advantageous.
以上述べたように、本発明においては駆動装置のシールド構造を図1に示すように構成することによって、パワー回路の誘導や不要輻射が抑えられるためノイズを軽減することが出来る。また、ベースメタル(金属板)と薄い絶縁膜をはさんで配線パターンを描き、ベースメタルに渦電流を発生させることによって、配線のインダクタンスを低減させ、変化の急峻な高速・大電流パルスに対するインピーダンスを低減させることが出来るため、配線部における電圧降下が軽減できる。特に、図6(b)の発光放電電流Idが流れたときに生ずる出力素子12c、12d間の電圧降下を軽減できる。
As described above, in the present invention, the shield structure of the driving device is configured as shown in FIG. 1, so that induction of power circuit and unnecessary radiation can be suppressed, so that noise can be reduced. In addition, a wiring pattern is drawn between a base metal (metal plate) and a thin insulating film, and eddy currents are generated in the base metal to reduce the inductance of the wiring, and impedance to high-speed, high-current pulses with sharp changes. Therefore, the voltage drop in the wiring portion can be reduced. In particular, it is possible to reduce the voltage drop between the
出力素子12c、12dの電圧降下については、電流が流れたとき素子自身の電圧降下が小さいIGBT(同一チップサイズのパワーMOS FETに比較して)を出力素子として使うことでさらに改善できる。
The voltage drop of the
放電セルはそれに印加される電圧が予め定められた範囲内にある時安定に動作する性質を有するため、電圧降下が軽減すれば、セルの電圧マージンが拡大し、安定放電に大きく寄与することは明らかである。これは、セルの数が多く、一つ一つのセル寸法が小さく、セルの放電マージンの小さくなりがちな高精細PDPには効果が大きい。電圧降下が小さいことは、性能向上ばかりでなく、回路損失の改善にも効果的に働くことは言うまでも無い。 Since the discharge cell has the property of operating stably when the voltage applied to it is within a predetermined range, if the voltage drop is reduced, the cell voltage margin will be expanded and will contribute greatly to stable discharge. it is obvious. This is particularly effective for a high-definition PDP that has a large number of cells, a small cell size, and a small cell discharge margin. Needless to say, a small voltage drop not only improves performance but also effectively improves circuit loss.
11…出力基板、12、12a、12b…出力素子、13…メイン基板、14…放熱板、16、34…シールド層、17…ドライブ素子、20…ケース、21…ドライブ基板、22…ベースメタル、23…絶縁膜、24、29、32…配線パターン、26…PDPの放電セル、27…駆動回路。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
絶縁膜、前記絶縁膜上に設けられた配線パターンを備える基板と、
前記配線パターン上に搭載され、前記プラズマディスプレイパネルの駆動パルスを出力する駆動回路とを有し、
前記駆動回路はIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を含んで構成されることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 A plasma display panel;
An insulating film, a substrate provided with a wiring pattern provided on the insulating film, and
A driving circuit mounted on the wiring pattern and outputting a driving pulse of the plasma display panel;
The plasma display apparatus, wherein the drive circuit includes an IGBT (insulated gate bipolar transistor).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008290930A JP2009064036A (en) | 2008-11-13 | 2008-11-13 | Plasma display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008290930A JP2009064036A (en) | 2008-11-13 | 2008-11-13 | Plasma display apparatus |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1823599A Division JP4294141B2 (en) | 1999-01-27 | 1999-01-27 | Display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009064036A true JP2009064036A (en) | 2009-03-26 |
Family
ID=40558603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008290930A Pending JP2009064036A (en) | 2008-11-13 | 2008-11-13 | Plasma display apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009064036A (en) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06164088A (en) * | 1991-10-31 | 1994-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Hybrid integrated circuit device |
JPH0846053A (en) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Fuji Electric Co Ltd | Ic for ac-type plasma display driving |
JPH08237096A (en) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Hitachi Ltd | Drive circuit for capacitive load |
JPH08293593A (en) * | 1995-04-25 | 1996-11-05 | Fuji Electric Co Ltd | Mos gate type thyristor and driving method therefor |
JPH09325735A (en) * | 1996-05-31 | 1997-12-16 | Fujitsu Ltd | Driving device for planar display device |
JPH1074886A (en) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Hitachi Ltd | Semiconductor module |
JPH10173068A (en) * | 1996-12-16 | 1998-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
JPH10200102A (en) * | 1997-01-09 | 1998-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
JPH10260641A (en) * | 1997-03-17 | 1998-09-29 | Nec Corp | Mount structure for driver ic for flat panel type display device |
-
2008
- 2008-11-13 JP JP2008290930A patent/JP2009064036A/en active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06164088A (en) * | 1991-10-31 | 1994-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Hybrid integrated circuit device |
JPH0846053A (en) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Fuji Electric Co Ltd | Ic for ac-type plasma display driving |
JPH08237096A (en) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Hitachi Ltd | Drive circuit for capacitive load |
JPH08293593A (en) * | 1995-04-25 | 1996-11-05 | Fuji Electric Co Ltd | Mos gate type thyristor and driving method therefor |
JPH09325735A (en) * | 1996-05-31 | 1997-12-16 | Fujitsu Ltd | Driving device for planar display device |
JPH1074886A (en) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Hitachi Ltd | Semiconductor module |
JPH10173068A (en) * | 1996-12-16 | 1998-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
JPH10200102A (en) * | 1997-01-09 | 1998-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
JPH10260641A (en) * | 1997-03-17 | 1998-09-29 | Nec Corp | Mount structure for driver ic for flat panel type display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5841500B2 (en) | Stacked half-bridge power module | |
JP3501685B2 (en) | Power converter | |
KR101998424B1 (en) | Semiconductor module | |
CN106531727A (en) | Electronics Assembly with Interference-Suppression Capacitors | |
US8654541B2 (en) | Three-dimensional power electronics packages | |
JP2020515034A (en) | Power semiconductor module with low gate path inductance | |
TWI753996B (en) | electronic device | |
US8212413B2 (en) | Circuit assembly for gating a power semiconductor switch | |
US9742312B2 (en) | Apparatus and electrical assembly for converting a direct voltage into an alternating voltage | |
JP2010016947A (en) | Power module of power conversion apparatus | |
TWI716075B (en) | Power module | |
JP2021182813A (en) | Semiconductor device | |
JP4294141B2 (en) | Display device | |
CN107710580A (en) | Circuit arrangement for the high-speed switch of converter | |
JP2010287866A (en) | Semiconductor device | |
US9978671B2 (en) | Power semiconductor device | |
JP2015053410A (en) | Semiconductor module | |
JP2009064036A (en) | Plasma display apparatus | |
US11251162B2 (en) | Semiconductor device with reduced thermal resistance | |
JP2000221938A (en) | Driving device and display device using it | |
JP2005191233A (en) | Power module | |
JP2008177179A (en) | Semiconductor module and plasma display with power recovery circuit | |
US11337299B2 (en) | Dissipating heat from an electronic assembly using forced convection, and method for dissipating heat from an electronic assembly | |
JP2016001644A (en) | Semiconductor module | |
JP2014063806A (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20120726 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20130108 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |