JP2009063803A - Display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は表示装置に関し、特には光センサーを用いた位置情報入力手段を備えた表示装置に関する。 The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device provided with position information input means using an optical sensor.
携帯電話や携帯情報端末(PDA)などの表示部に用いられる液晶表示装置には、位置情報入力手段が設けられたタッチパネル機能付きのものがある。位置情報入力手段としては、例えば光センサーが用いられている。この場合、液晶の駆動を制御するためのスイッチング素子が設けられた駆動基板上に光センサーを設けている。そして、外光の影を光センサーで検知するか、またはバックライトからの光を反射させて反射光を検知することによって、表示画面における指やスタイラペンの接触位置を検出している。 Some liquid crystal display devices used for a display unit such as a mobile phone or a personal digital assistant (PDA) have a touch panel function provided with position information input means. As the position information input means, for example, an optical sensor is used. In this case, an optical sensor is provided on a driving substrate provided with a switching element for controlling driving of the liquid crystal. Then, the contact position of the finger or the stylus pen on the display screen is detected by detecting the shadow of outside light with a light sensor or by reflecting the light from the backlight and detecting the reflected light.
ところが、外光の影を光センサーで検知する構成では、暗闇の中での使用においてタッチパネル機能を果たさない。またバックライトからの光の反射光を検知する構成では、完全黒表示の場合においてタッチパネル機能を果たさない言った問題があった。そこで、バックライトから不可視光として赤外光を照射し、その反射光を光センサーで検知することにより、暗闇の中や完全黒表示の場合であっても位置情報を検出可能な構成が提案されている(下記特許文献1参照)。
However, the configuration in which the shadow of external light is detected by the optical sensor does not perform the touch panel function when used in the dark. Further, the configuration for detecting the reflected light of the backlight has a problem that the touch panel function is not performed in the case of a completely black display. Therefore, a configuration has been proposed in which position information can be detected even in the dark or in the case of complete black display by irradiating infrared light as invisible light from the backlight and detecting the reflected light with an optical sensor. (See
しかしながら、赤外光を光センサーで検知させる構成には、次のような課題があった。すなわち、上述した光センサーとしては、液晶を駆動するためのスイッチング素子として用いられている薄膜トランジスタ(thin film transistor:TFT)と同一の工程で作製が可能なPIN型センサーやMOS型センサーを用いている。この場合、光センサーの受光部は、非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなるシリコン薄膜で構成されるが、図18に示すように、これらのシリコン薄膜は、光吸収率が長波長側で小さくなる。そして、TFTの活性層として適する膜厚0.04μm程度のシリコン薄膜では、波長600nmを越えた範囲の光をほとんど吸収しないことが分かる。 However, the configuration in which infrared light is detected by an optical sensor has the following problems. That is, as the above-described optical sensor, a PIN sensor or a MOS sensor that can be manufactured in the same process as a thin film transistor (TFT) used as a switching element for driving liquid crystal is used. . In this case, the light receiving portion of the photosensor is composed of a silicon thin film made of amorphous silicon, polycrystalline silicon, or the like. As shown in FIG. 18, these silicon thin films have a light absorption rate on the long wavelength side. Get smaller. It can be seen that a silicon thin film having a thickness of about 0.04 μm suitable as an active layer of a TFT hardly absorbs light in the range exceeding the wavelength of 600 nm.
したがって、赤外光を光センサーで検知させる構成では、光センサーに十分な感度を得ることができなかった。 Therefore, in the configuration in which infrared light is detected by the optical sensor, sufficient sensitivity cannot be obtained for the optical sensor.
そこで本発明は、シリコン薄膜を受光部とした構成の光センサーを用いた場合であっても、外部環境や表示画像の状態に影響されることなく常に感度良好な光検知によって表示面側の対象物を検出することが可能なタッチパネル機能付きの表示装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention provides an object on the display surface side by light detection with always good sensitivity without being affected by the external environment or the state of the display image, even when using a light sensor having a silicon thin film as a light receiving portion. An object is to provide a display device with a touch panel function capable of detecting an object.
このような目的を達成するための本発明の表示装置は、画素駆動用のスイッチング素子と共に光センサーが設けられた第1基板と、当該第1基板に対向配置された第2基板と、当該第1基板と第2基板との間に狭持された液晶層と、第1基板の外側に設けられたバックライトとを有し、バックライトからの光を第2基板側に接近して配置された物体に反射させて光センサーで検出する機能を備えている。そして特に、バックライトは、可視光と共に紫外光を射出することを特徴としている。 In order to achieve such an object, a display device of the present invention includes a first substrate on which a photosensor is provided together with a switching element for driving a pixel, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and the first substrate. A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate; and a backlight provided outside the first substrate; and the light from the backlight is disposed close to the second substrate side. It has a function to reflect on an object and detect it with an optical sensor. In particular, the backlight is characterized by emitting ultraviolet light together with visible light.
このような構成の表示装置では、バックライトから可視光と共に紫外光を射出させることにより、可視光と共に紫外光が、第2基板側に接近して配置された物体に反射して光センサーで検出されることになる。このため、暗闇の中だけではなく、画像表示が可視光を透過させない完全黒表示の場合であっても、上述した物体の検出が行われるようになる。特に、紫外光は、赤外光と比べて、画素駆動用のスイッチング素子に用いられる膜厚0.04μm程度のシリコン薄膜からなる受光部に対する吸収率も高いため、十分な感度が得られる。 In the display device having such a configuration, by emitting ultraviolet light together with visible light from the backlight, the ultraviolet light together with the visible light is reflected by an object placed close to the second substrate side and detected by the optical sensor. Will be. For this reason, the above-described object detection is performed not only in the darkness but also in the case where the image display is a complete black display that does not transmit visible light. In particular, ultraviolet light has a higher absorptance with respect to a light-receiving portion made of a silicon thin film having a film thickness of about 0.04 μm used for a pixel driving switching element, compared with infrared light, so that sufficient sensitivity can be obtained.
以上説明したように本発明の表示装置によれば、シリコン薄膜を受光部とした構成の光センサーを設けた場合であっても、外部環境や画像表示の状態に影響されることなく常に感度良好な光検知によって対象物体の位置情報を検出することが可能になる。 As described above, according to the display device of the present invention, even when a photosensor configured with a silicon thin film as a light receiving portion is provided, the sensitivity is always good without being affected by the external environment or the state of image display. The position information of the target object can be detected by detecting light.
以下本発明の実施の形態を説明する。先ず、各実施の形態を説明するのに先立ち本発明が適用される表示装置の全体構成、回路構成、および素子構成を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below. First, prior to describing each embodiment, an overall configuration, a circuit configuration, and an element configuration of a display device to which the present invention is applied will be described.
<表示装置の全体構成>
図1は、本発明に係る表示装置1の全体構成を表すものである。この表示装置1は、I/O表示パネル3と、バックライト5と、表示ドライブ回路7と、受光ドライブ回路9と、画像処理部11と、アプリケーションプログラム実行部13とを備えている。
<Overall configuration of display device>
FIG. 1 shows the overall configuration of a
I/O表示パネル3は、中央の表示領域3aに複数の画素が全面に渡ってマトリクス状に配置された液晶パネル(LCD(Liquid Crystal Display))からなり、線順次動作をしながら表示データに基づく所定の図形や文字などの画像を表示する機能(表示機能)を有する。また、後述するように、表示領域3aには、I/O表示パネル3の表示面に接触または近接する物体を検知するセンサー機能(撮像機能)が設けられている。
The I /
また、バックライト5は、I/O表示パネル3の光源であり、例えば複数の発光ダイオードを面内に配列してなる。このバックライト5は、後述するようにI/O表示パネル3の動作タイミングに同期した所定のタイミングで、高速に発光ダイオードのオン・オフ動作を行うようになっている。特に本発明においては、後述するようにバックライト5が、画像表示のための可視光と共に、紫外光を射出するものであることが第1の特徴である。
The
表示ドライブ回路7は、I/O表示パネル3において表示データに基づく画像が表示されるように(表示動作を行うように)、このI/O表示パネル3の駆動を行う(線順次動作の駆動を行う)回路である。
The display drive circuit 7 drives the I /
受光ドライブ回路9は、I/O表示パネル3において受光データが得られるように(物体を撮像するように)、このI/O表示パネル3の駆動を行う(線順次動作の駆動を行う)回路である。なお、各画素での受光データは、例えばフレーム単位でフレームメモリ9Aに蓄積され、撮像画像として画像処理部11へ出力されるようになっている。
The light receiving drive circuit 9 is a circuit that drives the I / O display panel 3 (drives line-sequential operation) so that light reception data can be obtained in the I / O display panel 3 (so as to image an object). It is. The light reception data at each pixel is stored in the frame memory 9A in units of frames, for example, and is output to the
画像処理部11は、受光ドライブ回路9から出力される撮像画像に基づいて所定の画像処理(演算処理)を行い、I/O表示パネル3に接触または近接する物体に関する情報(位置座標データ、物体の形状や大きさに関するデータなど)を検出し、取得するものである。なお、この検知する処理の詳細については後述する。
The
アプリケーションプログラム実行部13は、画像処理部11による検知結果に基づいて所定のアプリケーションソフトに応じた処理を実行するものであり、例えば検知した物体の位置座標を表示データに含むようにし、I/O表示パネル3上に表示させるものなどが挙げられる。なお、このアプリケーションプログラム実行部13で生成される表示データは表示ドライブ回路7へ供給されるようになっている。
The application
<表示領域の回路構成>
図2は、I/O表示パネル3の表示領域3aにおける回路構成を示す図である。
<Circuit configuration of display area>
FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration in the
この図2に示すように、表示領域3aには、複数の画素部31と、複数のセンサー部32とが配列形成されている。
As shown in FIG. 2, a plurality of
画素部31は、表示領域3a内において、水平方向に配線された複数の走査線31aと垂直方向に配線された複数の信号線31bとの各交差部に配置される。各画素部31には、例えばスイッチング素子としての薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)Trが設けられている。
In the
薄膜トランジスタTrは、ゲートが走査線31aに接続され、ソース/ドレインの一方が信号線31bに接続され、ソース/ドレインの他方が画素電極31cに接続されている。また、各画素部31には、全ての画素部31に共通電位Vcomを与える共通電極31d
が設けられており、これらの各画素電極31cと共通電極31dとの間に液晶層が挟持される。
The thin film transistor Tr has a gate connected to the
A liquid crystal layer is sandwiched between each of the
そして、走査線31aを介して供給される駆動信号に基づいて薄膜トランジスタTrがオン・オフ動作し、オン状態のときに信号線31bから供給される表示信号に基づいて画素電極31cに画素電圧が印加され、画素電極31cと共通電極31dとの間の電界によって液晶層が駆動される構成となっている。
Then, the thin film transistor Tr is turned on / off based on a drive signal supplied via the
一方、センサー部32は、表示領域3a内における所定部に配置され、各画素部31に対応して設けられていても良い。このセンサー部32には、次に詳細に説明するように薄膜トランジスタTrと同一層を用いて構成された光センサーSが設けられているところが第2の特徴部である。このような光センサーSとしては、PIN型ダイオードやMOS型ダイオードが用いられる。
On the other hand, the
各光センサーSには、電源電圧Vddが供給されるようになっている。また、この光センサーSには、リセットスイッチ32aとコンデンサ32bが接続され、リセットスイッチ32aによってリセットされながら、コンデンサ32bにおいて受光量に対応した電荷が蓄積されるようになっている。そして蓄積された電荷は読み出しスイッチ32cがオンとなるタイミングで、バッファアンプ32dを介して信号出力用電極32eに供給され、外部へ出力される。また、リセットスイッチ32aのオン・オフ動作はリセット電極32fにより供給される信号により制御され、読み出しスイッチ32cのオン・オフ動作は、読出し制御電極32gにより供給される信号により制御される。
Each photosensor S is supplied with a power supply voltage Vdd. Further, a
尚、光センサーとして、受光部に積層させて制御電極を用いたPIN型ダイオードや、MOS型ダイオードを適用する場合、ここでの図示を省略した配線がさらに追加され、PIN型ダイオードの制御電極やMOS型ダイオードのゲート電極に接続される。 When a PIN diode or a MOS diode using a control electrode stacked on the light receiving portion is applied as the optical sensor, wiring not shown here is further added, and the PIN diode control electrode or Connected to the gate electrode of the MOS diode.
<素子構成>
図3は、画素部31に配置される薄膜トランジスタTrの構成と、センサー部32に配置される光センサーSの構成を説明するためのI/O表示パネル3の表示領域3aの概略断面図である。尚、図2で説明したと同様の構成要素には同一の符号を付している。
<Element configuration>
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the
この図に示すように、画素部31には、画素駆動用のスイッチング素子としてボトムゲート型の薄膜トランジスタTrが設けられ、一方、センサー部32には、制御電極を備えたPIN型ダイオードからなる光センサーSが設けられている。そして、特にこれらの薄膜トランジスタTrと光センサーSとは、同一工程で形成された膜厚0.04μm程度のシリコン薄膜を用いて次のように構成されていることが特徴的である。
As shown in this figure, the
すなわち、薄膜トランジスタTrは、光透過性材料からなる第1基板21上に走査線31aから延設されたゲート電極22gを備え、これを覆う状態でゲート絶縁膜23が設けられている。ゲート絶縁膜23上には、ゲート電極22g上からその両脇に掛けてを覆う状態で、膜厚0.04μm程度のシリコン薄膜24がパターン形成されている。このシリコン薄膜24には、ゲート電極22gの両脇に不純物を導入したソース/ドレイン24sdが設けられている。また、シリコン薄膜24において、ゲート電極22gと重なる部分は、チャネル部が形成される活性層24chとして用いられる。また、ソース/ドレイン24sdと活性層24chとの間には、低濃度で不純物が導入されたLDDが設けられている。
That is, the thin film transistor Tr includes a
尚、シリコン薄膜24は、非晶質シリコン、微結晶シリコン、または多結晶シリコン、さらにはこれらの混相からなる膜であることとする。
The silicon
一方、光センサーSは、第1基板21上に制御電極22sを備え、この制御電極22がゲート絶縁膜23で覆われて入る。ゲート絶縁膜23上には、制御電極22s上からその両脇に掛けてを覆う状態で、シリコン薄膜24がパターン形成されている。このシリコン薄膜24には、制御電極22sの一方側にp型拡散層24pが設けられ、制御電極22sの他方側にn型拡散層24nが設けられている。また、制御電極22sと重なる位置のシリコン薄膜24部分は、不純物濃度が低く抑えられた受光部(光電変換部)24iとして用いられ、PIN型ダイオードを構成している。
On the other hand, the optical sensor S includes a control electrode 22 s on the
このような構成の薄膜トランジスタTrおよび光センサーSにおいて、ゲート電極22gおよび制御電極22sは同一層からなり、シリコン薄膜24,24は同一工程で形成された同一層からなる。尚、第1基板21上には、pMOSおよびnMOS構成の薄膜トランジスタTrが形成され、これらのソース/ドレイン24sdを形成するための不純物導入において、光センサーSのp型拡散層24pおよびn型拡散層24nが形成される。
In the thin film transistor Tr and the optical sensor S having such a configuration, the
以上のような薄膜トランジスタTrおよび光センサーSを覆う状態で層間絶縁膜25が設けられている。この層間絶縁膜25上には、薄膜トランジスタTrのソース/ドレイン24sdや光センサーSの拡散層24p,24nに接続された複数の取出電極26が設けられている。薄膜トランジスタTrに接続された一方の取出電極26は信号線(31b)に接続されている。また、光センサーSに接続された一方の取出電極26は電源電圧Vddに接続され、他方の取出電極26はリセットスイッチ(32a)とコンデンサ(32b)とに接続される。
An interlayer insulating
そして、これらの取出電極26を覆う状態で、平坦化絶縁膜27が設けられ、この平坦化絶縁膜27上に画素電極31cが設けられている。この画素電極31cは、透明導電性材料からなり、平坦化絶縁膜27に設けられた接続孔を介して薄膜トランジスタTrの取出電極26に接続されている。
Then, a
また、この画素電極31cを覆う状態で、配向膜(図示省略)が設けられ、第1基板21の上部が構成されている。
An alignment film (not shown) is provided so as to cover the
一方、以上のような第1基板21における画素電極31cの形成面側には、第2基板41が対向配置されている。この第2基板41は、光透過性材料からなり画素電極31cに向かう面上には、必要に応じて各色カラーフィルタが画素毎にパターン形成されたカラーフィルタ層42が設けられている。そして、このカラーフィルタ層42を覆う状態で、透明導電性材料からなる共通電極31d、および配向膜(図示省略)が設けられている。そして、二つの基板21,41の配向膜間に、スペーサ(図示省略)と共に液晶層LCが挟持されている。
On the other hand, the
また、基板21,41の外側には、偏向板43,44を配置してI/O表示パネル3が構成されている。
Further,
次に、以上のような基本構成を備えた表示装置1における特徴部を、各実施形態において説明する。
Next, the characteristic part in the
<第1実施形態>
図4は、第1実施形態の表示装置1aを説明するための要部概略断面図である。
<First Embodiment>
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a main part for explaining the display device 1a of the first embodiment.
この図に示す第1実施形態の表示装置1aにおいて、バックライト5は、赤色光、緑色光、青色光と共に、紫外光を射出するものである。本第1実施形態においては、これらの各波長領域の光は同時に射出されて良い。尚、紫外光としては、波長領域λ=300nm〜400nmの近紫外光を用いる。
In the display device 1a of the first embodiment shown in this figure, the
また、第1基板21上には、図3を用いて説明した薄膜トランジスタTrと画素電極31cとを備えた画素部31と、光センサーSが設けられたセンサー部32とが設けられている。ここでは、例えば、赤色画素31r、緑色画素31g、および青色画素31bの3つの画素部を1組としたサブ画素に対して、1つのセンサー部32が設けられていることとする。また、先に説明したように、薄膜トランジスタTrの活性層と光センサーSの受光部とは、同一工程で形成された膜厚0.04μm程度のシリコン薄膜を用いて構成されたものである。
Further, on the
また、画素部31の画素電極31cは、センサー部32の光センサーS上には設けられていないこととする。
In addition, the
一方、第2基板41のカラーフィルタ層42には、赤色画素31rの画素電極31cに対向して赤色のRフィルタ42rが設けられ、緑色画素31gの画素電極31cに対向して緑色のGフィルタ42gが設けられ、青色画素31bの画素電極31cに対向して青色のBフィルタ42bが設けられる。そしてさらに、このカラーフィルタ層42には、センサー部32に対向して紫外光のみを通過するUVフィルタ42uvが設けられていることが特徴的である。
On the other hand, the
UVフィルタ42uvとしては、例えばRフィルタとBフィルタとを積層して用いることができる。 As the UV filter 42uv, for example, an R filter and a B filter can be stacked and used.
図5には、各色フィルタ42r,42g,42b,42uvの透過率分光特性を示す。このうち、Rフィルタ42r、Gフィルタ42g、およびBフィルタ42bは、代表的に用いられているカラーフィルタである。そして、UVフィルタ42uvは、この分光特性を示すRフィルタとBフィルタとを積層した構成であり、380nm付近の紫外光は透過するが、可視光領域は、ほぼ透過しないフィルタであることが分かる。
FIG. 5 shows the transmittance spectral characteristics of the
尚、UVフィルタ42uvとしては、以上のようなRフィルタとBフィルタとを積層して用いるものに限定されることはなく、専用の色素を用いて、近紫外領域の透過率を高めたブラックレジストを用いても良い。 Note that the UV filter 42uv is not limited to the one using the R filter and the B filter laminated as described above, and a black resist having a high transmittance in the near ultraviolet region using a dedicated dye. May be used.
そして以上のような構成の表示パネル3は、例えば画素電極31cへの電圧無印加時に白表示を行うノーマリーホワイトモードに構成されていることとする。
The
このような構成の表示装置1aでは、各画素部31r,31g,31bに設けた薄膜トランジスタTrによる画素電極31cの駆動によって、液晶層LCの配向が制御される。これにより、バックライト5からの光hのうち、各色フィルタ42r,42g,42bを透過できる波長の光みが、液晶層LCの配向に応じて表示パネル3を通過し、各色の表示光として第2基板41側から取り出されて画像表示が行われる。
In the display device 1a having such a configuration, the alignment of the liquid crystal layer LC is controlled by driving the
この際、バックライト5から射出された紫外光は、UVフィルタ42uvを通過して表示パネル3の第2基板41側から取り出されるが、画像表示に影響をおよぼすことはない。
At this time, the ultraviolet light emitted from the
また、表示パネル3の表示面側の物体Aで反射して再度表示パネル3に入射し、各色フィルタ42r,42g,42bおよびUVフィルタ42uvを通過した光hは、センサー部32の光センサーSで受光され、光センサーSの駆動によって電気信号として取り出される。これにより、外光のない暗闇の中であっても、表示パネル3における表示面側の物体Aを検知することができる。
Further, the light h that is reflected by the object A on the display surface side of the
また、各画素部31r,31g,31bの表示状態に係わらず、センサー部32には画素電極31cが配置されていないことにより、液晶層LCには電圧が印加されないため液晶層LCの配向状態が変化することはない。
Regardless of the display state of each of the
したがって、画素部31r,31g,31bに電圧を印加した黒表示の場合であっても、表示パネル3のセンサー部32においては、バックライト5から射出された光hのうちの紫外光のみが、第2基板41側から取り出される。このため、この紫外光の反射によって、表示パネルの表示面側の物体Aを検知することができる。
Therefore, even in the case of black display in which a voltage is applied to the
しかも紫外光は、光センサーSの受光部(光電変換部)を構成するシリコン膜に対する吸収率が高く、膜厚0.04μm程度のシリコン薄膜からなる受光部であっても、光検知が可能である。 Moreover, ultraviolet light has a high absorptivity with respect to the silicon film constituting the light receiving part (photoelectric conversion part) of the photosensor S, and even a light receiving part made of a silicon thin film with a thickness of about 0.04 μm can detect light. is there.
この結果、薄膜トランジスタの活性部と同一工程で形成されたシリコン薄膜を受光部とした光センサーSを用いながらも、外部環境や表示状態に影響されることなく常に感度良好な光検知によって位置情報を検出することが可能になる。 As a result, while using the optical sensor S using a silicon thin film formed in the same process as the active part of the thin film transistor as the light receiving part, the position information is always obtained by light detection with good sensitivity without being affected by the external environment or display state. It becomes possible to detect.
<第2実施形態>
図6は、第2実施形態の表示装置1bを説明するための要部概略断面図である。
Second Embodiment
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a main part for explaining the display device 1b of the second embodiment.
この図に示す第2実施形態の表示装置1bが、第1実施形態の表示装置と異なるところは、センサー部32における液晶層LCの配向状態も変化させるように構成されているところにある。
The difference between the display device 1b of the second embodiment shown in this figure and the display device of the first embodiment is that the alignment state of the liquid crystal layer LC in the
すなわち、センサー部32にも第1基板21上に液晶制御電極32hを設けることにより、センサー部32における液晶層LCに電圧を印加して常に黒表示にしておく。この画素電極32は、画素部31の画素電極31cと同一層で形成されていて良い。
That is, by providing the
また、偏光板43,44には、可視光領域の光は偏光するが、紫外光を偏光させないような波長分散のある偏光板を用いる。この場合、センサー部32には、第1実施形態で設けたようなUVフィルタを設けなくても良い。
The
以上の構成以外は、第1実施形態と同様である。 The configuration other than the above is the same as in the first embodiment.
このような構成の表示装置1bでは、画素部31の表示状態に係わらず、センサー部32は常に黒表示になる。このため、画素部31において、バックライト5からの光hのうち、各色フィルタ42r,42g,42bを透過できる波長の光を表示光として第2基板41側から取り出して画像表示を行う場合に、これらの表示光がセンサー部32から漏れ出すことはない。したがって、センサー部32にUVフィルタを設けていないことが、画素部31での画像表示に影響を及ぼすことはない。
In the display device 1b having such a configuration, the
また上記画像表示を行う場合には、第1実施形態と同様に、表示パネル3の表示面側の物体Aで反射して再度表示パネル3に入射し、各色フィルタ42r,42g,42bを通過した光hは、センサー部32の光センサーSで受光され、光センサーSの駆動によって電気信号として取り出される。これにより、外光のない暗闇の中であっても、表示パネル3における表示面側の物体Aを検知することができる。
When the image display is performed, as in the first embodiment, the light is reflected by the object A on the display surface side of the
また、偏光板43,44として、紫外光を偏光させないような波長分散のあるものが用いられているため、各画素部31r,31g,31bの表示状態に係わらず、画素部31およびセンサー部32の両方において、バックライト5から射出された光hのうちの紫外光のみは、常に第2基板41側から取り出される。このため、黒表示であても、この紫外光の反射によって、表示パネルの表示面側の物体Aを検知することができる。
Since the
しかも紫外光は、光センサーSの受光部(光電変換部)を構成するシリコン膜に対する吸収率が高く、膜厚0.04μm程度のシリコン薄膜からなる受光部であっても、光検知が可能であることは、第1実施形態と同様である。 Moreover, ultraviolet light has a high absorptivity with respect to the silicon film constituting the light receiving part (photoelectric conversion part) of the photosensor S, and even a light receiving part made of a silicon thin film with a thickness of about 0.04 μm can detect light. It is the same as in the first embodiment.
この結果、第1実施形態と同様に、薄膜トランジスタの活性部と同一工程で形成されたシリコン薄膜を受光部とした光センサーSを用いながらも、外部環境や表示状態に影響されることなく常に感度良好な光検知によって位置情報を検出することが可能になる。 As a result, as in the first embodiment, the sensitivity is always maintained without being affected by the external environment and display state, while using the optical sensor S using the silicon thin film formed in the same process as the active portion of the thin film transistor as the light receiving portion. Position information can be detected by good light detection.
さらに、センサー部32にUVフィルタを設けていないことにより、UVフィルタによる紫外光の減衰がないため、実質的なセンサー感度が向上する。
Furthermore, since no UV filter is provided in the
<第3実施形態>
図7は、第3実施形態の表示装置1cを説明するための要部概略断面図である。
<Third Embodiment>
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a main part for explaining a display device 1c according to the third embodiment.
この図に示す第3実施形態の表示装置1cが、第1実施形態の表示装置と異なるところは、特定の色フィルタをセンサー部32に重ねて配置したところにある。
The display device 1c according to the third embodiment shown in this figure is different from the display device according to the first embodiment in that a specific color filter is arranged on the
すなわちここでは、可視光のうちの特定波長と共に、紫外光に対する透過性を有する色フィルタを、センサー部32に重ねて設けることとする。
In other words, here, a color filter having transparency to ultraviolet light together with a specific wavelength of visible light is provided on the
図8には、各色フィルタ42r,42g,42bの透過率分光特性を示す。このうち、Rフィルタ42r、Gフィルタ42g、およびBフィルタ42bは、代表的に用いられているカラーフィルタである。この透過率分光特性から、赤色画素31rに設けられるRフィルタ42rが、紫外光に対しても光吸収性を有していることが分かる。このため、各赤色画素31rに隣接してセンサー部32を配置し、このセンサー部32にRフィルタ42rを重ねて配置する。これにより、カラーフィルタ層には第1実施形態で示したUVフィルタを設ける必要はない。
FIG. 8 shows the transmittance spectral characteristics of the
尚、センサー部32に積層させる色フィルタは、上述したように可視光のうちの特定波長と共に紫外光に対する透過性を有する色フィルタであれば良く、色フィルタの分光特性によって適宜選択されることとする。複数の色フィルタが、可視光のうちの特徴波長と共に紫外光に対する透過性を有する場合には、最も紫外光の透過率が高い色フィルタをセンサー部32に重ねて配置することが好ましい。
In addition, the color filter laminated | stacked on the
以上の構成以外は、第1実施形態と同様である。 The configuration other than the above is the same as in the first embodiment.
このような構成の表示装置1cでは、第1実施形態と同様にして画像表示および表示パネルの表示面側の物体Aを検知することができる。 In the display device 1c having such a configuration, the image display and the object A on the display surface side of the display panel can be detected as in the first embodiment.
すなわち、各画素部31r,31g,31bに設けた薄膜トランジスタTrによる画素電極31cの駆動によって、液晶層LCの配向が制御される。これにより、バックライト5からの光hのうち、各色フィルタ42r,42g,42bを透過できる波長の光みが、カラーフィルタ液晶層LCの配向に応じて表示パネル3を通過し、各色の表示光として第2基板41側から取り出されて画像表示が行われる。
That is, the alignment of the liquid crystal layer LC is controlled by driving the
この際、バックライト5から射出された紫外光は、Rフィルタ42rを通過して表示パネル3の第2基板41側から取り出されるが、画像表示に影響をおよぼすことはない。
At this time, the ultraviolet light emitted from the
また、表示パネル3の表示面側の物体Aで反射して再度表示パネル3に入射し、各色フィルタ42r,42g,42bを通過した光hは、センサー部32の光センサーSで受光され、光センサーSの駆動によって電気信号として取り出される。これにより、外光のない暗闇の中であっても、表示パネル3における表示面側の物体Aを検知することができる。
Further, the light h that is reflected by the object A on the display surface side of the
また、各画素部31r,31g,31bの表示状態に係わらず、センサー部32には画素電極31cが配置されていないことにより、液晶層LCには電圧が印加されないため液晶層LCの配向状態が変化することはない。
Regardless of the display state of each of the
したがって、画素部31r,31g,31bに電圧を印加した黒表示の場合であっても、表示パネル3のセンサー部32においては、バックライト5から射出された光hのうちの紫外光のみが、第2基板41側から取り出される。このため、この紫外光の反射によって、表示パネルの表示面側の物体Aを検知することができる。
Therefore, even in the case of black display in which a voltage is applied to the
しかも紫外光は、光センサーSの受光部(光電変換部)を構成するシリコン膜に対する吸収率が高く、膜厚0.04μm程度のシリコン薄膜からなる受光部であっても、光検知が可能であることは、第1実施形態と同様である。 Moreover, ultraviolet light has a high absorptivity with respect to the silicon film constituting the light receiving part (photoelectric conversion part) of the photosensor S, and even a light receiving part made of a silicon thin film with a thickness of about 0.04 μm can detect light. It is the same as in the first embodiment.
この結果、第1実施形態と同様に、薄膜トランジスタの活性部と同一工程で形成されたシリコン薄膜を受光部とした光センサーSを用いながらも、外部環境や表示状態に影響されることなく常に感度良好な光検知によって位置情報を検出することが可能になる。 As a result, as in the first embodiment, the sensitivity is always maintained without being affected by the external environment and display state, while using the optical sensor S using the silicon thin film formed in the same process as the active portion of the thin film transistor as the light receiving portion. Position information can be detected by good light detection.
<第4実施形態>
図9は、第4実施形態の表示装置1dを説明するための要部概略断面図である。この図に示す第4実施形態の表示装置1dは、1つの画素で赤(R)、緑(G)、青(B)の表示を行なうフィールドシーケンシャル駆動の表示装置である。
<Fourth embodiment>
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a main part for explaining a display device 1d according to the fourth embodiment. The display device 1d of the fourth embodiment shown in this figure is a field sequential drive display device that displays red (R), green (G), and blue (B) with one pixel.
すなわち、このような表示装置1dにおいては、バックライト5として、R光hr、G光hg、B光hbの3色光源と共に、紫外光UVの光源を有し、時分割で3色光の明滅を繰り返すと共に、紫外光UVを射出するものである。
That is, in such a display device 1d, the
そして、各画素部31の画素電極31cに積層させて、センサー部32の光センサーSを配置する。これにより、画素部31内にセンサー部32が配置された状態となる。尚、センセー部32は、全ての画素部31内に配置する必要はなく、適宜の間隔で設けても良い。
Then, the optical sensor S of the
また、第2基板41側には、カラーフィルタ層を設ける必要はない。
Further, it is not necessary to provide a color filter layer on the
以上の構成以外は、第1実施形態と同様である。 The configuration other than the above is the same as in the first embodiment.
このような構成の表示装置1dにおいては、次のようにバックライトを駆動させる。 In the display device 1d having such a configuration, the backlight is driven as follows.
図10には、バックライトの点滅のシーケンスの第1例を示す。第1例では、R光、G光、B光を順次点灯させた後に、独立して紫外光を点灯させる。そして、3色光の点灯時に画像表示を行い、画像表示の間の紫外光の点灯時に、表示パネルの表示面側の物体Aの検知を行う。紫外線の点灯時には、透過率最大の白表示となるように画素電極31cを駆動する。尚、紫外線は、常時点灯させておいても良い。
FIG. 10 shows a first example of a backlight blinking sequence. In the first example, R light, G light, and B light are sequentially turned on, and then ultraviolet light is turned on independently. An image is displayed when the three color lights are turned on, and the object A on the display surface side of the display panel is detected when the ultraviolet light is turned on during the image display. When the ultraviolet light is lit, the
図11には、バックライトの点滅のシーケンスの第2例を示す。第2例では、R光、G光、B光を順次点灯させる各間に、逐次紫外光を点灯させる。そして、3色光の点灯による画像表示の間に、表示パネルの表示面側の物体Aの検知を行う。紫外線の点灯時には、透過率最大の白表示となるように画素電極31cを駆動する。尚、紫外線は、常時点灯させておいても良い。
FIG. 11 shows a second example of a backlight blinking sequence. In the second example, the ultraviolet light is sequentially turned on while the R light, the G light, and the B light are sequentially turned on. Then, the object A on the display surface side of the display panel is detected during the image display by lighting the three color lights. When the ultraviolet light is lit, the
以上のような表示装置1dでは、各画素部31に設けた薄膜トランジスタTrによる画素電極31cの駆動によって、液晶層LCの配向が制御される。そして、バックライト5から順次射出される各色光が液晶層LCの配向に応じて表示パネル3を通過し、各色の表示光として第2基板41側から順次取り出されて画像表示が行われる。
In the display device 1d as described above, the alignment of the liquid crystal layer LC is controlled by driving the
この際、バックライト5から射出された紫外光は、表示パネル3の第2基板41側から取り出されるが、画像表示に影響をおよぼすことはない。
At this time, the ultraviolet light emitted from the
また、表示パネル3の表示面側の物体Aで反射して再度表示パネル3に入射した光は、センサー部32の光センサーSで受光され、光センサーSの駆動によって電気信号として取り出される。これにより、外光のない暗闇の中であっても、表示パネル3における表示面側の物体Aを検知することができる。
Further, the light reflected by the object A on the display surface side of the
また、R光、G光、B光を順次点灯させる間に、透過率最大の白表示となるように画素電極31cを駆動して紫外線を点灯する。このため、各画素部31の表示状態に係わらず、つまり完全に黒表示であっても、センサー部32においては、バックライト5から射出された紫外光の反射によって、表示パネルの表示面側の物体Aを検知することができる。
Further, while the R light, the G light, and the B light are sequentially turned on, the
しかも紫外光は、光センサーSの受光部(光電変換部)を構成するシリコン膜に対する吸収率が高く、膜厚0.04μm程度のシリコン薄膜からなる受光部であっても、光検知が可能であることは、第1実施形態と同様である。 Moreover, ultraviolet light has a high absorptivity with respect to the silicon film constituting the light receiving part (photoelectric conversion part) of the photosensor S, and even a light receiving part made of a silicon thin film with a thickness of about 0.04 μm can detect light. It is the same as in the first embodiment.
この結果、第1実施形態と同様に、薄膜トランジスタの活性部と同一工程で形成されたシリコン薄膜を受光部とした光センサーSを用いながらも、外部環境や表示状態に影響されることなく常に感度良好な光検知によって位置情報を検出することが可能になる。 As a result, as in the first embodiment, the sensitivity is always maintained without being affected by the external environment and display state, while using the optical sensor S using the silicon thin film formed in the same process as the active portion of the thin film transistor as the light receiving portion. Position information can be detected by good light detection.
さらに、本第4実施形態では、各画素部31にカラーフィルタを必要としないので、他の実施例と比較した紫外光の透過率が向上し、光センサーSに達する紫外光が増加し、実質的なセンサー感度が向上する利点がある。
Furthermore, in the fourth embodiment, since each
また、反射光だけではなく外光を用いて、表示パネルの表示面側の物体Aを検知する場合にも、カラーフィルタによる外光の減衰が無いため、実質的なセンサー感度が向上する。 Further, when detecting the object A on the display surface side of the display panel using not only the reflected light but also the outside light, the sensor sensitivity is substantially improved because the outside light is not attenuated by the color filter.
また、特に紫外光の点灯時間を長くするほど、つまり、図10のシーケンスより、図11に示したシーケンスを採用することにより、実質的なセンサー感度の向上を図ることが可能である。 In particular, the sensor sensitivity can be substantially improved by increasing the lighting time of the ultraviolet light, that is, by adopting the sequence shown in FIG. 11 rather than the sequence shown in FIG.
以上の他にも、画素部31内にセンサー部32が配置される構成となるため、画素部31とは別にセンサー部32を設ける必要がなくなり、高精細化が可能となる。
In addition to the above, since the
<第5実施形態>
本第5実施形態の表示装置は、図9に示した第4実施形態の表示装置1dにおいて、偏光板43,44には、可視光領域の光は偏光するが、紫外光を偏光させないような波長分散のある偏光板を用いたものである。
<Fifth Embodiment>
The display device of the fifth embodiment is such that, in the display device 1d of the fourth embodiment shown in FIG. 9, the
図12には、このような構成の表示装置におけるバックライトの点滅のシーケンスを示す。この図に示すように、バックライトは、R光、G光、B光を順点灯させる間に、常時紫外光を点灯させる。そして、画像表示と同時に表示パネルの表示面側の物体Aの検知を行う。画素電極31cの駆動は、画像表示に従って行えば良い。
FIG. 12 shows a blinking sequence of the backlight in the display device having such a configuration. As shown in this figure, the backlight always turns on ultraviolet light while sequentially turning on R light, G light, and B light. Then, the object A on the display surface side of the display panel is detected simultaneously with the image display. The
以上のような表示装置1dでは、各画素部31に設けた薄膜トランジスタTrによる画素電極31cの駆動によって、液晶層LCの配向が制御される。そして、バックライト5から順次射出される各色光が液晶層LCの配向に応じて表示パネル3を通過し、各色の表示光として第2基板41側から順次取り出されて画像表示が行われる。
In the display device 1d as described above, the alignment of the liquid crystal layer LC is controlled by driving the
この際、バックライト5から射出された紫外光は、表示パネル3の第2基板41側から取り出されるが、画像表示に影響をおよぼすことはない。
At this time, the ultraviolet light emitted from the
また、表示パネル3の表示面側の物体Aで反射して再度表示パネル3に入射したR光、G光、B光および紫外光は、センサー部32の光センサーSで受光され、光センサーSの駆動によって電気信号として取り出される。これにより、外光のない暗闇の中であっても、表示パネル3における表示面側の物体Aを検知することができる。
Further, the R light, G light, B light, and ultraviolet light reflected by the object A on the display surface side of the
また、偏光板43,44として、紫外光を偏光させないような波長分散のあるものが用いられているため、各画素部31r,31g,31bの表示状態に係わらず、画素部31およびセンサー部32の両方において、バックライト5から射出された光のうちの紫外光UVのみは、常に第2基板41側から取り出される。このため、黒表示であても、この紫外光の反射によって、表示パネルの表示面側の物体Aを検知することができる。
Since the
しかも紫外光は、光センサーSの受光部(光電変換部)を構成するシリコン膜に対する吸収率が高く、膜厚0.04μm程度のシリコン薄膜からなる受光部であっても、光検知が可能であることは、第1実施形態と同様である。 Moreover, ultraviolet light has a high absorptivity with respect to the silicon film constituting the light receiving part (photoelectric conversion part) of the photosensor S, and even a light receiving part made of a silicon thin film with a thickness of about 0.04 μm can detect light. It is the same as in the first embodiment.
この結果、第1実施形態と同様に、薄膜トランジスタの活性部と同一工程で形成されたシリコン薄膜を受光部とした光センサーSを用いながらも、外部環境や表示状態に影響されることなく常に感度良好な光検知によって位置情報を検出することが可能になる。 As a result, as in the first embodiment, the sensitivity is always maintained without being affected by the external environment and display state, while using the optical sensor S using the silicon thin film formed in the same process as the active portion of the thin film transistor as the light receiving portion. Position information can be detected by good light detection.
さらに、実質的なセンサー感度が向上すること、および画素部31とは別にセンサー部32を設ける必要がなくなり高精細化が可能となることは、第4実施形態と同様である。
Further, as in the fourth embodiment, the substantial sensor sensitivity is improved, and it is not necessary to provide the
<適用例>
以上説明した本発明に係る表示装置は、図13〜図17に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
<Application example>
The display device according to the present invention described above is input to various electronic devices shown in FIGS. 13 to 17 such as digital cameras, notebook personal computers, mobile terminal devices such as mobile phones, and video cameras. The present invention can be applied to display devices for electronic devices in various fields that display a video signal or a video signal generated in the electronic device as an image or video. An example of an electronic device to which the present invention is applied will be described below.
図13は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル102やフィルターガラス103等から構成される映像表示画面部101を含み、その映像表示画面部101として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。 FIG. 13 is a perspective view showing a television to which the present invention is applied. The television according to this application example includes a video display screen unit 101 including a front panel 102, a filter glass 103, and the like, and is created by using the display device according to the present invention as the video display screen unit 101.
図14は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部111、表示部112、メニュースイッチ113、シャッターボタン114等を含み、その表示部112として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。 14A and 14B are diagrams showing a digital camera to which the present invention is applied. FIG. 14A is a perspective view seen from the front side, and FIG. 14B is a perspective view seen from the back side. The digital camera according to this application example includes a light emitting unit 111 for flash, a display unit 112, a menu switch 113, a shutter button 114, and the like, and is manufactured by using the display device according to the present invention as the display unit 112.
図15は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体121に、文字等を入力するとき操作されるキーボード122、画像を表示する表示部123等を含み、その表示部123として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。 FIG. 15 is a perspective view showing a notebook personal computer to which the present invention is applied. A notebook personal computer according to this application example includes a main body 121 including a keyboard 122 that is operated when characters and the like are input, a display unit 123 that displays an image, and the like. It is produced by using.
図16は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部131、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ132、撮影時のスタート/ストップスイッチ133、表示部134等を含み、その表示部134として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。 FIG. 16 is a perspective view showing a video camera to which the present invention is applied. The video camera according to this application example includes a main body 131, a lens 132 for shooting an object on a side facing forward, a start / stop switch 133 at the time of shooting, a display unit 134, and the like. It is manufactured by using such a display device.
図17は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体141、下側筐体142、連結部(ここではヒンジ部)143、ディスプレイ144、サブディスプレイ145、ピクチャーライト146、カメラ147等を含み、そのディスプレイ144やサブディスプレイ145として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。 FIG. 17 is a view showing a mobile terminal device to which the present invention is applied, for example, a mobile phone, in which (A) is a front view in an open state, (B) is a side view thereof, and (C) is in a closed state. (D) is a left side view, (E) is a right side view, (F) is a top view, and (G) is a bottom view. The mobile phone according to this application example includes an upper housing 141, a lower housing 142, a connecting portion (here, a hinge portion) 143, a display 144, a sub display 145, a picture light 146, a camera 147, and the like. And the sub display 145 is manufactured by using the display device according to the present invention.
1,1a,1b,1c,1d…表示装置、21…第1基板、5…バックライト、24…シリコン薄膜、24ch…活性層、24i…受光部、32h…液晶制御電極、41…第2基板、42r…Rフィルタ、42g…Gフィルタ、42b…Bフィルタ、42uv…UVフィルタ、43,44…偏光板、LC…液晶層、S…光センサー、Tr…薄膜トランジスタ(スイッチング素子)
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記バックライトからの光を前記第2基板側に接近して配置された物体に反射させて前記光センサーで検出する機能を備えた表示装置において、
前記バックライトは、可視光と共に紫外光を射出する
ことを特徴とする表示装置。 A first substrate provided with an optical sensor together with a pixel driving switching element, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate And a backlight provided outside the first substrate,
In a display device having a function of reflecting light from the backlight to an object disposed close to the second substrate side and detecting the light sensor,
The backlight emits ultraviolet light together with visible light.
前記スイッチング素子は、シリコン薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタからなり、
前記光センサーは、前記活性層と同一層のシリコン薄膜を受光部として用いている
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 1,
The switching element comprises a thin film transistor using a silicon thin film as an active layer,
The optical sensor uses a silicon thin film of the same layer as the active layer as a light receiving unit.
前記バックライトから射出された可視光は前記第2基板側から表示光として取り出されて画像表示がなされ、
前記画像表示が黒表示の際にも前記バックライトから射出された紫外光は当該第2基板側から取り出される
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 1,
Visible light emitted from the backlight is taken out as display light from the second substrate side to display an image,
The display device, wherein the ultraviolet light emitted from the backlight is taken out from the second substrate side even when the image display is black display.
前記第2基板には、前記光センサーが設けられた位置に対応して、可視光を透過せずに紫外光を透過するフィルタが設けられている
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 3, wherein
The display device, wherein the second substrate is provided with a filter that does not transmit visible light but transmits ultraviolet light corresponding to a position where the photosensor is provided.
前記第1基板には、前記光センサーが設けられた位置に対応して、常に黒表示となるように前記液晶層を配向させるための液晶制御電極がパターン形成され、
前記バックライトと前記第1基板との間、および前記第2基板の外側には、当該バックライトから射出された紫外光に対して可視光のみを直線偏光とする偏光板が設けられている
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 3, wherein
The first substrate is patterned with a liquid crystal control electrode for aligning the liquid crystal layer so as to always display black, corresponding to the position where the photosensor is provided,
Polarizing plates that make only visible light linearly polarized light with respect to ultraviolet light emitted from the backlight are provided between the backlight and the first substrate and outside the second substrate. A display device.
前記第2基板には、前記光センサーが設けられた位置を外した位置のみに波長分光用のフィルタが設けられている
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 5, wherein
The display device, wherein the second substrate is provided with a filter for wavelength spectroscopy only at a position excluding the position where the photosensor is provided.
前記第2基板には、前記光センサーが設けられた位置に対応して、特定波長領域の可視光と共に紫外光を透過するフィルタが設けられている
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 3, wherein
The display device, wherein the second substrate is provided with a filter that transmits ultraviolet light together with visible light in a specific wavelength region corresponding to the position where the photosensor is provided.
前記バックライトは、可視光の光源と共に紫外光の光源を備え、
前記バックライトから射出された可視光は前記第2基板側から表示光として取り出されて画像表示がなされ、
前記画像表示が黒表示の際にも前記バックライトから射出された紫外光は当該第2基板側から取り出される
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 1,
The backlight includes an ultraviolet light source together with a visible light source,
Visible light emitted from the backlight is taken out as display light from the second substrate side to display an image,
The display device, wherein the ultraviolet light emitted from the backlight is taken out from the second substrate side even when the image display is black display.
前記バックライトは、可視光と紫外光と交互に点滅させるものである
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 8, wherein
The display is characterized in that the backlight alternately blinks visible light and ultraviolet light.
前記バックライトは、可視光として赤、緑、青の各色光を交互に点滅するフィールドシーケンシャル駆動を行うものである
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 8, wherein
The display device is configured to perform field sequential driving in which red, green, and blue color lights are alternately blinked as visible light.
前記バックライトは、前記紫外光を常時点灯させるものであり、
前記バックライトと前記第1基板との間、および前記第2基板の外側には、当該バックライトから射出された紫外光に対して可視光のみを直線偏光とする偏光板が設けられている
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 10.
The backlight is for always lighting the ultraviolet light,
Polarizing plates that make only visible light linearly polarized light with respect to ultraviolet light emitted from the backlight are provided between the backlight and the first substrate and outside the second substrate. A display device.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4457163B1 (en) * | 2008-10-30 | 2010-04-28 | シャープ株式会社 | Display device |
CN101908301A (en) * | 2009-06-03 | 2010-12-08 | 索尼公司 | Liquid crystal display device, backlight control method and program |
EP2363793A2 (en) | 2010-03-01 | 2011-09-07 | Sony Corporation | Information processing apparatus, information processing method, and program |
JP2012022311A (en) * | 2010-06-16 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Driving method of input/output device, and input/output device |
JP2015014926A (en) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 凸版印刷株式会社 | Liquid crystal display unit |
KR101780051B1 (en) | 2011-03-28 | 2017-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
-
2007
- 2007-09-06 JP JP2007231218A patent/JP2009063803A/en active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4457163B1 (en) * | 2008-10-30 | 2010-04-28 | シャープ株式会社 | Display device |
WO2010050280A1 (en) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | シャープ株式会社 | Display device |
JP2010107776A (en) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Sharp Corp | Display device |
CN101908301A (en) * | 2009-06-03 | 2010-12-08 | 索尼公司 | Liquid crystal display device, backlight control method and program |
EP2261728A2 (en) | 2009-06-03 | 2010-12-15 | Sony Corporation | Liquid crystal display device, backlight control method and program |
EP2261728A3 (en) * | 2009-06-03 | 2011-07-13 | Sony Corporation | Liquid crystal display device, backlight control method and program |
US8425068B2 (en) | 2009-06-03 | 2013-04-23 | Sony Corporation | Liquid crystal display device, backlight control method and program |
EP2363793A2 (en) | 2010-03-01 | 2011-09-07 | Sony Corporation | Information processing apparatus, information processing method, and program |
JP2012022311A (en) * | 2010-06-16 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Driving method of input/output device, and input/output device |
US9390667B2 (en) | 2010-06-16 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving input-output device, and input-output device |
KR101780051B1 (en) | 2011-03-28 | 2017-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
JP2015014926A (en) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 凸版印刷株式会社 | Liquid crystal display unit |
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