JP2009059640A - Organic electroluminescent display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機化合物層からの発光を、反射層により表示装置の前面に反射するようにした有機EL表示装置に関するものである。 The present invention relates to an organic EL display device in which light emitted from an organic compound layer is reflected by a reflective layer to the front surface of the display device.
近年、有機エレクトロルミネッセンス(有機EL、OLED)を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。有機EL素子を点灯させる方式を大別すると、パッシブマトリックス駆動方式とアクティブマトリックス駆動方式とがある。 In recent years, display devices using organic electroluminescence (organic EL, OLED) have been actively developed. The methods for turning on the organic EL elements are roughly classified into a passive matrix driving method and an active matrix driving method.
パッシブマトリックス駆動方式では、表示装置内の有機EL素子で構成される画素すべてについて行列の配線を行い、この行列の配線をそれぞれ選択して電流を流すことにより、所望の画素を点灯させる。 In the passive matrix driving method, wiring of a matrix is performed for all the pixels configured by the organic EL elements in the display device, and a desired pixel is turned on by selecting a wiring of this matrix and flowing a current.
一方、アクティブマトリックス駆動方式では、低温多結晶シリコントランジスタ(以下、TFTと称する)などのアクティブ素子を各画素に配置して駆動することにより、所望の画素を点灯させる。 On the other hand, in the active matrix driving method, an active element such as a low-temperature polycrystalline silicon transistor (hereinafter referred to as TFT) is arranged and driven in each pixel to light a desired pixel.
ここで、パッシブマトリックス駆動方式の表示装置では、行列の配線を表示装置内に配列することから、表示装置内の空間を画素と配線とが占有しており、配線のための空間分だけ画素の空間が狭くなっている。すなわち、パッシブマトリックス駆動方式では、配線による影響で画素の面積が縮小されてしまう。 Here, in the display device of the passive matrix driving system, since the matrix wiring is arranged in the display device, the pixel and the wiring occupy the space in the display device, and the pixel space corresponds to the space for the wiring. The space is narrow. That is, in the passive matrix driving method, the area of the pixel is reduced due to the influence of the wiring.
これに対して、TFTを用いたアクティブマトリックス駆動方式の表示装置では、画素毎にTFTを用い、TFTの上面または下面に有機EL素子を積層配置することで、画素の開口率が高い表示装置とすることができる。このように、アクティブマトリックス駆動方式は、開口率を大きくすることにより画素を縮小することが可能であるため、高精細な表示装置に好適に用いられる。したがって、有機ELを用いた高精細な表示装置では、アクティブマトリックス駆動方式が主流となっている。 In contrast, in an active matrix drive type display device using TFTs, a TFT is used for each pixel, and an organic EL element is stacked on the upper surface or the lower surface of the TFT, thereby providing a display device having a high pixel aperture ratio. can do. In this manner, the active matrix driving method can be suitably used for a high-definition display device because pixels can be reduced by increasing the aperture ratio. Therefore, the active matrix driving method is mainstream in high-definition display devices using organic EL.
TFTを用いた配線接続では、第1電力配線にTFTのソース電極が接続され、TFTのドレインに有機EL素子のアノードが接続され、有機EL素子のカソードに共通第2電力配線が接続されている。そして、TFTを選択的にON/OFFさせることで、第1電力配線からの電流がTFTを通って有機EL素子に流れ、その電流が第2電力配線を通って電源に戻ってくる。ここで、複数の画素が同時にONとなると、複数画素分の電流が電力配線の抵抗を通ることによって電圧降下が発生する。すると、第1電力配線及び第2電力配線で発生する電圧降下分だけ電源電圧が低下して、有機EL素子に所望の電流が流れなくなる。したがって、有機EL素子の発光に輝度ムラを生じさせてしまう。 In the wiring connection using the TFT, the source electrode of the TFT is connected to the first power wiring, the anode of the organic EL element is connected to the drain of the TFT, and the common second power wiring is connected to the cathode of the organic EL element. . Then, by selectively turning on / off the TFT, a current from the first power wiring flows through the TFT to the organic EL element, and the current returns to the power source through the second power wiring. Here, when a plurality of pixels are turned ON at the same time, a voltage drop occurs due to the current for the plurality of pixels passing through the resistance of the power wiring. Then, the power supply voltage is lowered by the voltage drop generated in the first power wiring and the second power wiring, and a desired current does not flow through the organic EL element. Therefore, luminance unevenness is caused in the light emission of the organic EL element.
そこで、電力配線の抵抗値を下げることを目的とした技術が開発されている(特許文献1参照)。 Therefore, a technique for reducing the resistance value of the power wiring has been developed (see Patent Document 1).
図8及び図9を参照して、特許文献1に記載された従来の有機EL表示装置を説明する。図8及び図9は、従来の有機EL表示装置を構成する画素領域の断面図である。なお、図8及び図9では、それぞれ断面方向が異なっている。 A conventional organic EL display device described in Patent Document 1 will be described with reference to FIGS. 8 and 9 are cross-sectional views of a pixel region constituting a conventional organic EL display device. 8 and 9, the cross-sectional directions are different.
図中、801は保持容量、802は基板、803はチャネル領域、804はソース、805はドレイン、806は電気信号配線、807及び808は中継導電層、809は陽極導電膜、810はコンタクトホール、811は陰極導電膜(補助導電層)を示す。また、812は第1容量電極、813は第2容量電極、814は保護絶縁層、815はゲート絶縁層、816は第1層間絶縁層、817は半導体層、818はゲート電極、819は素子電極、820は正孔輸送層、821は発光層、822は共通陰極を示す。
In the figure, 801 is a storage capacitor, 802 is a substrate, 803 is a channel region, 804 is a source, 805 is a drain, 806 is an electric signal wiring, 807 and 808 are relay conductive layers, 809 is an anode conductive film, 810 is a contact hole,
特許文献1に記載された従来の有機EL表示装置には、図8及び図9に示すように、複数の走査線と、これらの走査線に直交して延びる複数の電気信号配線806とが設けられている。走査線及び電気信号配線806によって囲まれた領域が、素子領域に対応している。この交差点にスイッチング用TFTが設けられており、保持容量801がゲート・ソース間に接続されている。また、TFTのドレインがコンタクトホール810を介して素子電極819に接続されている。そして、素子電極819が正孔輸送層820に接続され、正孔輸送層820が発光層821に接続され、正孔輸送層820と発光層821とからなる有機機能層の陰極が共通陰極822に接続されている。また、共通陰極822が陰極導電膜(補助導電層)811に接続されている。
As shown in FIGS. 8 and 9, the conventional organic EL display device described in Patent Document 1 is provided with a plurality of scanning lines and a plurality of
特許文献1に記載された従来の有機EL表示装置では、第1の電力配線上に層間絶縁膜を配設するとともに、この層間絶縁膜上に第2の電力配線を配設し、第1電力配線と第2電力配線とをコンタクトホールを介して接続している。そして、このような構成とすることにより、電力配線に寄生する抵抗値を低減させている。 In the conventional organic EL display device described in Patent Document 1, an interlayer insulating film is disposed on the first power wiring, and a second power wiring is disposed on the interlayer insulating film, thereby providing a first power. The wiring and the second power wiring are connected through a contact hole. And by setting it as such a structure, the resistance value parasitic on a power wiring is reduced.
しかし、特許文献1に記載された従来の有機EL表示装置では、第1電力配線と第2電力配線とを絶縁する層間絶縁膜を作成するためのプロセス工程が必要になるとともに、層間絶縁膜のコンタクトホールを作成するためのプロセス工程が必要となる。したがって、特許文献1に記載された従来の有機EL表示装置では、電力配線抵抗を低減させるために、プロセス工程を追加しなければならず、製造コストが上昇するという問題があった。 However, the conventional organic EL display device described in Patent Document 1 requires a process step for forming an interlayer insulating film that insulates the first power wiring and the second power wiring, and the interlayer insulating film Process steps for creating contact holes are required. Therefore, in the conventional organic EL display device described in Patent Document 1, a process step has to be added in order to reduce the power wiring resistance, and there is a problem that the manufacturing cost increases.
本発明は、上述した事情に鑑み提案されたもので、製造コストを上昇させることなく電力配線の抵抗値を下げて、有機EL素子の発光の輝度ムラを低減することが可能な有機EL表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been proposed in view of the above-described circumstances, and can reduce the luminance unevenness of light emission of the organic EL element by reducing the resistance value of the power wiring without increasing the manufacturing cost. The purpose is to provide.
本発明の有機EL表示装置は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明の有機EL表示装置は、反射層、第1透明電極、有機化合物層、及び第2透明電極がこの順に積層されてなり、有機化合物層からの発光を反射層で表示装置の前面に向かって反射する構成となっている。そして、反射層は、電気的に導通可能な材料により形成されて電気的配線に接続されている。さらに、反射層は、第1透明電極側の表面に絶縁層を設けることにより、第1透明電極と電気的に絶縁されていることを特徴とするものである。 The organic EL display device of the present invention has the following features in order to achieve the above-described object. That is, in the organic EL display device of the present invention, the reflective layer, the first transparent electrode, the organic compound layer, and the second transparent electrode are laminated in this order, and light emitted from the organic compound layer is reflected from the front surface of the display device. It is the structure which reflects toward. The reflective layer is formed of an electrically conductive material and connected to the electrical wiring. Furthermore, the reflective layer is electrically insulated from the first transparent electrode by providing an insulating layer on the surface on the first transparent electrode side.
本発明の有機EL表示装置によれば、有機EL素子である有機化合物層からの発光を外部へ導くための反射層に対して電力配線の機能を共用させることで、層間絶縁膜やコンタクトホールを作成するプロセスが不要となる。このため、既存のプロセスを流用することにより、製造コストを上昇させることなく電力配線の抵抗値を下げることが可能となる。 According to the organic EL display device of the present invention, the function of the power wiring is shared with the reflective layer for guiding the light emitted from the organic compound layer, which is an organic EL element, to the outside, so that the interlayer insulating film and the contact hole can be formed. No need to create a process. For this reason, it becomes possible by using the existing process to reduce the resistance value of the power wiring without increasing the manufacturing cost.
また、電力配線の抵抗値を下げることにより、有機EL素子に所望の電流が流れるので、輝度ムラのない高品位な有機EL表示装置とすることができる。 In addition, since a desired current flows through the organic EL element by lowering the resistance value of the power wiring, a high-quality organic EL display device with no luminance unevenness can be obtained.
以下、図面を参照して、本発明の有機EL表示装置の実施形態を説明する。 Hereinafter, embodiments of the organic EL display device of the present invention will be described with reference to the drawings.
<第1の実施形態>
まず、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置について説明する。
<First Embodiment>
First, the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention will be described.
図1、図2、及び図3は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置を示すもので、図1は、有機EL表示装置の平面図、図2は図1におけるA方向の縦断面図、図3は図1におけるB方向の縦断面図である。 1, 2, and 3 show an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1 is a plan view of the organic EL display device, and FIG. 2 is a direction A in FIG. 1. FIG. 3 is a longitudinal sectional view in the direction B in FIG.
図中、101は反射層、103は反射層と下層の電気的配線とを接続するためのコンタクトホール、105及び106は有機化合物層である有機EL発光層をそれぞれ示す。また、図中、102は金属酸化膜からなる絶縁層、104は第1透明電極、107は第2透明電極、108は平坦化膜、109は画素を分離する素子分離膜、110は有機EL発光層105,106を駆動するためのTFTを示す。
In the figure,
本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置では、図1乃至図3に示すように、TFT110のソース(S)が電源に接続されている。そして、TFT110のドレイン(D)に第1透明電極104の一側が接続され、第1透明電極104の他側に有機化合物層である有機EL発光層105,106の一側が接続されている。さらに、有機化合物層である有機EL発光層105,106の他側に第2透明電極107が接続され、第2透明電極107が電源のGNDに接続されている。
In the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 1 to 3, the source (S) of the TFT 110 is connected to a power source. One side of the first
TFT110を駆動することにより、有機化合物層である有機EL発光層105,106に電流が流れて、有機EL発光層105,106が発光する。ここで、有機化合物層である有機EL発光層105,106からの発光が第2透明電極107に向かって直接射出する場合と、その逆向きに第1透明電極104を通過して反射層101で反射し、図2及び図3において上方向に向かって射出する場合とがある。
By driving the
このような構成からなる有機EL表示装置における配線抵抗について説明する。図5はTFTの駆動回路図である。図中、501は保持容量、502は配線抵抗、503はGND配線抵抗を示す。
The wiring resistance in the organic EL display device having such a configuration will be described. FIG. 5 is a drive circuit diagram of the TFT. In the figure,
図5に示すように、TFT110の電源ラインに配線抵抗502が生じると、電圧降下によりTFT110のソース(S)の電位が低下する。すると、TFT110のゲート・ソース間電圧VGSが低下して、所望の電流が有機EL発光層105に流れなくなる。
As shown in FIG. 5, when the
このような現象を回避するためには、電源ラインの配線抵抗を低下させればよい。すなわち、電源ラインの配線抵抗を低下させることにより、TFT110のゲート・ソース間電圧VGSの低下を防止して、有機EL発光層105に所望の電流を出力することができる。
In order to avoid such a phenomenon, the wiring resistance of the power supply line may be reduced. That is, by reducing the wiring resistance of the power supply line, the gate-source voltage VGS of the
ここで、有機EL発光層105のカソードではGND配線抵抗503によって電圧降下が生じるが、その影響をTFT110のドレイン・ソース間電圧VDSが補償して、有機EL表示装置に所望の電流を出力し続ける。
Here, a voltage drop occurs due to the
本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置において、電源ラインの配線抵抗を低下させる方法は、以下のとおりである。 In the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, a method for reducing the wiring resistance of the power supply line is as follows.
すなわち、反射層101と金属配線とをコンタクトホールにより接続して、隣接する素子同士で電源を共有させるとともに、反射層101の第1透明電極側の表面を酸化して絶縁層102を形成する。これにより、反射層101を電気的配線として用いることができる。なお、電気的配線とは、電源及びGND配線、あるいは電気信号配線のことをいう。
That is, the
ここで、反射層101を絶縁するにはどのような方法を用いてもよいが、例えば、反射層101の表面を酸化もしくは窒化することにより、反射層101を電気的に絶縁することができる。
Here, any method may be used to insulate the
反射層101は、電気的に導通可能な材料により形成されており、このような材料として、CrまたはAlを主成分とする材料を挙げることができる。なお、CrまたはAlを主成分とする材料とは、Cr単体、Al単体、及びこれらにSi、Cu等を含有させた材料のことである。そして、反射層101の表面を酸素によって酸化し、あるいは窒素によって窒化させることにより、絶縁層102を形成することができる。具体的には、Cr単体もしくはCrにSi、Cu等を含有させた材料により反射層101を形成した場合には、その表面を酸化あるいは窒化することにより、Cr2O3、CrN、SiO2、SiN、CuO、CuN等の絶縁層102を形成することができる。また、Al単体もしくはAlにSi、Cu等を含有させた材料により反射層101を形成した場合には、その表面を酸化あるいは窒化することにより、ALO2、ALN、SiO2、SiN、CuO、CuN等の絶縁層102を形成することができる。この絶縁層102により、反射層101と第1透明電極104とが電気的に絶縁される。
The
次に、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の電力配線について説明する。図6は、従来の電力配線を用いた有機EL表示装置の模式図、図7は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の電力配線の模式図である。 Next, power wiring of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a schematic diagram of an organic EL display device using conventional power wiring, and FIG. 7 is a schematic diagram of the power wiring of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
なお、図7は、有機EL表示装置を簡略化して示したもので、すべての発光素子領域を示していないが、実際の有機EL表示装置では、発光素子領域がアレイ状に配置されている。また、図6では、有機EL表示装置の電力配線と画素との位置関係を示している。 FIG. 7 shows the organic EL display device in a simplified manner and does not show all the light emitting element regions. However, in the actual organic EL display device, the light emitting element regions are arranged in an array. FIG. 6 shows the positional relationship between the power lines and the pixels of the organic EL display device.
図中、600は有機EL表示装置、601、602、603は電力配線、604は画素部、605及び606は外部電極部(PAD)を示す。また、図中、701及び702は電力配線を示す。
In the figure, 600 is an organic EL display device, 601, 602, and 603 are power lines, 604 is a pixel portion, and 605 and 606 are external electrode portions (PAD). In the figure,
本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置では、図7に示すように、電力配線が外部電極部(PAD)605,606にそれぞれ接続されており、外部電極部605,606と対極する位置の端部まで電力配線が延長され、それぞれが共通に接続されている。
In the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 7, power lines are connected to external electrode portions (PAD) 605 and 606, respectively, and the
図6に示すように、従来の有機EL表示装置において、電力配線601,602に寄生する抵抗値を、それぞれR1、R2とし、画素部604までの電力配線603に寄生する抵抗値をR3とする。ここで、画素部604までに寄生する総抵抗値は、R1//R2+R3として表すことができる。
As shown in FIG. 6, in the conventional organic EL display device, the resistance values parasitic on the
本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置では、図7に示すように、反射層101を電力配線として用いており、電力配線抵抗はR4//R5で表すことができる。
In the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 7, the
ここで、パネルが3インチであり、画素が中央に位置するようなモバイル用途の有機EL表示装置を想定して、電力配線抵抗値の概略を計算する。 Here, an approximate power wiring resistance value is calculated assuming an organic EL display device for mobile use in which the panel is 3 inches and the pixel is located in the center.
図6に示す従来の有機EL表示装置において、Al電力配線のシート抵抗値を50mΩ/□とし、電力配線601,602のシート数をそれぞれ80シート、電力配線603のシート数を1150シートとして、電力配線抵抗値を概算する。
In the conventional organic EL display device shown in FIG. 6, the sheet resistance value of the Al power wiring is 50 mΩ / □, the number of sheets of the
この場合、電力配線抵抗値は、(80//80+1150)×50mΩ/□=59.5Ωとなる。 In this case, the power wiring resistance value is (80/80 + 1150) × 50 mΩ / □ = 59.5Ω.
有機ELの1素子あたりに流れる電流を100nA、全素子数をQVGA(320列×240行×RGB)とすると、配線抵抗による電圧降下は、下記式(1)のように表すことができる。 Assuming that the current flowing per element of the organic EL is 100 nA and the total number of elements is QVGA (320 columns × 240 rows × RGB), the voltage drop due to the wiring resistance can be expressed as the following formula (1).
100nA×320×240×3×59.5=1.37V ・・・ (1) 100 nA × 320 × 240 × 3 × 59.5 = 1.37 V (1)
この電圧降下が、TFTのゲート・ソース間電圧VGSを低下させることになる。 This voltage drop reduces the gate-source voltage VGS of the TFT.
ここで、有機EL素子に流れる電流をIELとして、TFTの電流・電圧の関係式を用いて演算すると、下記式(2)のようになる。 Here, when the current flowing through the organic EL element is defined as IEL and calculated using the relational expression of the current / voltage of the TFT, the following expression (2) is obtained.
IEL=β/2・(VGS−Vth)2 ・・・ (2) IEL = β / 2 · (VGS−Vth) 2 (2)
なお、βはTFTの形状であり、ゲート膜厚とキャリア移動度から決まる値である。また、VthはTFTのゲート・ソース間に電圧を徐々に印加していった場合に電流が流れ始めるゲート・ソース間電圧VGSである。 Β is the shape of the TFT, and is a value determined from the gate film thickness and carrier mobility. Vth is a gate-source voltage VGS at which a current starts to flow when a voltage is gradually applied between the gate and source of the TFT.
電力配線抵抗による有機EL素子の電流IEL’は、式(1)及び式(2)より、下記式(3)で表すことができる。 The current IEL ′ of the organic EL element due to the power wiring resistance can be expressed by the following formula (3) from the formulas (1) and (2).
IEL’=β/2・(VGS−1.37−Vth)2 ・・・ (3) IEL ′ = β / 2 · (VGS−1.37−Vth) 2 (3)
そして、式(2)及び式(3)より、電力配線抵抗によるIELの影響度合いは、下記式(4)で表すことができる。 From the expressions (2) and (3), the degree of influence of the IEL due to the power wiring resistance can be expressed by the following expression (4).
(IEL’−IEL)/IEL={電圧降下/(VGS−Vth)}2−2・電圧降下/(VGS−Vth) ・・・ (4) (IEL′−IEL) / IEL = {voltage drop / (VGS−Vth)} 2 −2 · voltage drop / (VGS−Vth) (4)
ここで、VGS−Vthを2.5vに設定すると、式(4)より、下記式(5)の値となる。 Here, when VGS−Vth is set to 2.5 v, the value of the following formula (5) is obtained from the formula (4).
(1.37/2.5)2−2・1.37/2.5=−20.4% ・・・ (5) (1.37 / 2.5) 2 −2 · 1.37 / 2.5 = −20.4% (5)
上記式(5)より、電力配線に59.5Ωの抵抗値があると、有機EL素子に流れる電流が20.4%低下し、有機EL素子の発光輝度が20.4%低下することになる。 From the above formula (5), when the power wiring has a resistance value of 59.5Ω, the current flowing through the organic EL element is reduced by 20.4%, and the light emission luminance of the organic EL element is reduced by 20.4%. .
同様に、図7に示す本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置において、Al電力配線のシート抵抗値を50mΩ/□とし、反射層101のシート抵抗値を50mΩ/□とし、電力配線701,702のシート数をそれぞれ2シートとする。この場合、電力配線抵抗値の概算値は、2//2×50mΩ/□=50mΩとなり、電力配線抵抗値による電圧降下は、100nA×320×240×3×50m=1.152mVとなる。
Similarly, in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 7, the sheet resistance value of the Al power wiring is 50 mΩ / □, the sheet resistance value of the
この電圧降下を式(4)に代入すると、下記式(6)の値となる。 Substituting this voltage drop into equation (4) gives the value of equation (6) below.
(1.152m/2.5)2−2・1.152m/2.5=−0.09% ・・・ (6) (1.152 m / 2.5) 2 -2.1.152 m / 2.5 = -0.09% (6)
上記式(6)より、電力配線抵抗を50mΩとすると、有機EL素子に流れる電流が0.09%低下し、有機EL素子の発光輝度が0.09%低下することになる。すなわち、従来の有機EL表示装置では20.4%低下していた有機EL素子の発光輝度が、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置では0.09%低下に低減される。 From the above formula (6), when the power wiring resistance is 50 mΩ, the current flowing through the organic EL element is reduced by 0.09%, and the light emission luminance of the organic EL element is reduced by 0.09%. That is, the light emission luminance of the organic EL element, which has been reduced by 20.4% in the conventional organic EL display device, is reduced to 0.09% in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
上述したように、第1の実施形態に係る有機EL表示装置では、電力配線が素子領域を覆うようにレイアウトされ、かつ配線のインピーダンスが低いことから、外来ノイズに対する耐性が高くなる。例えば、静電ノイズが外部より流入した場合に、この静電ノイズはインピーダンスの低い電源端子に流れ去り、画素を構成するTFTを破壊するには至らない。 As described above, in the organic EL display device according to the first embodiment, since the power wiring is laid out so as to cover the element region and the impedance of the wiring is low, resistance to external noise is increased. For example, when electrostatic noise flows from the outside, the electrostatic noise flows away to the power supply terminal having a low impedance, and does not destroy the TFT constituting the pixel.
また、第1の実施形態に係る有機EL表示装置では、内来ノイズに対する耐性も高くなる。例えば、電流の変動が生じて誘導性ノイズが発生した場合であっても、インピーダンスの低い電源端子にノイズが流れて、TFT内にノイズが流入することを防止できる。 In addition, the organic EL display device according to the first embodiment also has high resistance to internal noise. For example, even when inductive noise occurs due to current fluctuation, it is possible to prevent noise from flowing into the power supply terminal with low impedance and flowing into the TFT.
また、反射層101を電力配線として用いることにとどまらず、電気信号配線として用いてもよい。例えば、配線のシート抵抗を50mΩ/□とし、反射層101のシート抵抗を50mΩ/□とした場合に、配線と反射層101とが重なった層をなすことから、シート抵抗は50mΩ/□//50mΩ/□=25mΩ/□となる。
Further, the
<第2の実施形態>
次に、本発明の第2の実施形態に係る有機EL表示装置について説明する。
<Second Embodiment>
Next, an organic EL display device according to a second embodiment of the present invention will be described.
図4は、本発明の第2の実施形態に係る有機EL表示装置の平面図である。なお、図4において、上述した第1の実施形態と同様の機能を有する部分には、同一の符号を付して説明を行う。 FIG. 4 is a plan view of an organic EL display device according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4, portions having the same functions as those of the above-described first embodiment are described with the same reference numerals.
第1の実施形態では、図7に示すように、反射層101の横方向に電力配線を共通させていた。これに対して、第2の実施形態では、図4に示すように、さらに電力配線の抵抗値を低減させるために、反射層401の縦方向にも電源配線を共通させている。
In the first embodiment, as shown in FIG. 7, the power wiring is shared in the horizontal direction of the
ここで、Al電力配線のシート数を0.65シートとして概算すると、電力配線抵抗値は、0.65//0.65×50mΩ/□=16.25mΩとなる。 Here, when the number of sheets of Al power wiring is roughly estimated as 0.65 sheets, the power wiring resistance value is 0.65 // 0.65 × 50 mΩ / □ = 16.25 mΩ.
そして、この電力配線抵抗値による電圧降下は、100nA×320×240×3×16.25m=0.374mVとなる。 The voltage drop due to the power wiring resistance value is 100 nA × 320 × 240 × 3 × 16.25 m = 0.374 mV.
この電圧降下を上記式(4)に代入すると、下記式(7)の値となる。 When this voltage drop is substituted into the above equation (4), the value of the following equation (7) is obtained.
(0.374m/2.5)2−2・0.374m/2.5=−0.01% ・・・ (7) (0.374 m / 2.5) 2 −2 · 0.374 m / 2.5 = −0.01% (7)
上記式(7)より、電力配線抵抗を50mΩとすると、有機EL素子に流れる電流が0.01%低下し、有機EL素子の発光輝度が0.01%低下となり、第1の実施形態における0.09%低下よりもさらに低減されていることがわかる。 From the above formula (7), when the power wiring resistance is 50 mΩ, the current flowing through the organic EL element is reduced by 0.01%, and the light emission luminance of the organic EL element is reduced by 0.01%. It can be seen that it is further reduced than the decrease of 0.09%.
<具体的な作用効果>
以上説明したように、本発明の有機EL表示装置によれば、有機化合物層からの発光を外部へ導く反射層に対して電力配線の機能を共用させることで、製造コストを上昇させることなく電力配線の抵抗値を下げることができる。このため、輝度ムラのない高品位な有機EL表示装置となる。
<Specific effects>
As described above, according to the organic EL display device of the present invention, the function of the power wiring is shared with the reflective layer that guides the light emitted from the organic compound layer to the outside, thereby increasing the power without increasing the manufacturing cost. The resistance value of the wiring can be lowered. For this reason, it becomes a high-quality organic EL display device with no luminance unevenness.
ここで、既存電力配線の配線抵抗値をRkizonとし、反射層の配線抵抗値をRhansyametaruとした場合に、電力配線の総抵抗値Rsouteikouは、Rsouteikou=Rkizon//Rhansyametaruと表すことができる。したがって、本発明の有機EL表示装置では、既存電力配線の配線抵抗値Rkizonに比べて電力配線総抵抗値を下げることができる。 Here, when the wiring resistance value of the existing power wiring is R kizon and the wiring resistance value of the reflective layer is R hansyametaru , the total resistance value R souteikou of the power wiring is expressed as R souteikou = R kizon // R hansyametaru be able to. Therefore, in the organic EL display device of the present invention, the total power wiring resistance value can be reduced as compared with the wiring resistance value R kizon of the existing power wiring.
そして、電力配線の抵抗値を下げることにより、有機EL素子に流れる電流によって生じる電力配線部の電圧降下を低減することができる。 And the voltage drop of the power wiring part produced by the electric current which flows into an organic EL element can be reduced by reducing the resistance value of a power wiring.
また、反射層を電源もしくはGNDに接続し、電力配線として用いることにより、配線インピーダンスが低くなる。このため、外部からノイズが流入したとしても、このノイズは反射層を介して電源もしくはGNDへ流れるため、下層のTFTや容量等の能動・受動素子を保護することができる。また、下層のTFTがスイッチングした時などにノイズが発生しても、このノイズは反射層を介して電源もしくはGNDへ流れるため、表示装置外へのノイズ放出を防止することができる。 Further, the wiring impedance is lowered by connecting the reflective layer to a power source or GND and using it as a power wiring. For this reason, even if noise flows from the outside, this noise flows to the power supply or GND via the reflective layer, so that active / passive elements such as TFTs and capacitors in the lower layer can be protected. Further, even if noise occurs when the lower TFT is switched, the noise flows to the power supply or GND via the reflective layer, so that noise emission outside the display device can be prevented.
101,401 反射層
102 絶縁層
104 第1透明電極
105,106 有機EL発光層
107 第2透明電極
600 有機EL表示装置
601,602,603,701,702, 電力配線
605,606 外部電極部(PAD)
806 電気信号配線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101,401
806 Electrical signal wiring
Claims (5)
前記反射層は、電気的に導通可能な材料により形成されて電気的配線に接続されるとともに、前記第1透明電極側の表面に絶縁層を設けて前記第1透明電極と電気的に絶縁されていることを特徴とする有機EL表示装置。 An organic EL display device in which a reflective layer, a first transparent electrode, an organic compound layer, and a second transparent electrode are laminated in this order, and light emitted from the organic compound layer is reflected by the reflective layer toward the front surface of the display device. Because
The reflective layer is formed of an electrically conductive material and connected to an electrical wiring, and an insulating layer is provided on the surface of the first transparent electrode to be electrically insulated from the first transparent electrode. An organic EL display device characterized by comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007227372A JP2009059640A (en) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | Organic electroluminescent display device |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2007227372A JP2009059640A (en) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | Organic electroluminescent display device |
Publications (1)
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JP2009059640A true JP2009059640A (en) | 2009-03-19 |
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ID=40555191
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Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI461104B (en) * | 2011-12-20 | 2014-11-11 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescent device |
-
2007
- 2007-09-03 JP JP2007227372A patent/JP2009059640A/en not_active Withdrawn
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