JP2009057342A - 銅複核錯体及びそれから製造される水酸基含有窒素複素環化合物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】銅複核錯体は、窒素複素環基の環上と三級窒素基とのそれらの窒素原子同士が共有結合基を介して架橋し該窒素複素環基がオキシ基に結合している対の配位子と、該対の配位子中の双方の該オキシ基を介してアルコキソ架橋している複核銅原子とを有し、該銅原子毎に、該対の配位子中の該窒素原子同士が一方ずつ配位している。水酸基含有窒素複素環化合物の製造方法は、この銅複核錯体にアンモニア水を加え、水酸基含有窒素複素環化合物を、遊離させるというものである。
【選択図】なし
Description
2,2−ジメトキシプロパン10mlに、過塩素酸銅・六水和物(Cu(ClO4)2・6H2O)の5mmolを溶かし、一晩撹拌した。その後、1,2−ジピペリジノエタン(dipe)を10mmolを添加し、充分に撹拌した。得られた溶液に、エタノール10mlを加えると、緑色溶液中に、紫色の固体生成物が析出した。これを濾別し、緑色溶液の濾液と、濾取した紫色固体生成物とを得た。
濾液の緑色溶液を自然濃縮すると、緑色結晶が得られた(収率:約8%)。この結晶について、X線結晶構造解析装置4軸型X線回折計M03XHF22(マックサイエンス社製:製品名)を用いてX線構造解析を行い、Oak Ridge Thermal Ellipsoid Plot Program(ORTEP)を用いてプロットした絶対構造を、図1に示す。図1から明らかな通り、緑色結晶は、dipe配位子の片方のピペリジン環のβ位に結合するオキシ基の酸素原子によって二つの中心金属の銅(II)イオンにアルコキソ架橋した銅複核錯体であり、化学式(1)で示す本発明の銅複核錯体([Cu(dipe-O)]2(ClO4)2)であった。また、図1中、この銅複核錯体の1−ピペリジノ−2−(3−ヒドロキシ−ピペリジノ)エタンとなる二つの配位子中で夫々オキシ基が結合した炭素であるC(9)とC(16)とは、不斉炭素であり、一方のC(9)はR配置、C(16)はS配置であることが分かった。なお、図1中、カウンターイオンClO4 -を省略してある。
一方、濾取した紫色生成物をベンゼン溶媒に溶かしてから、再結晶すると、青紫色結晶が得られた(収率:約72%)。同様に、X線構造解析を行い、その絶対構造を図2に示す。図2から明らかな通り、青紫色結晶は、dipeの二分子が配位し、二つの銅(II)イオンが水酸化物イオンを介してヒドロキソ架橋した銅複核錯体であり、本発明を適用外であって化学式(4)で示される銅複核錯体([Cu(dipe)OH]2(ClO4)2)であることが分かった。なお、図2中、カウンターイオンClO4 -を省略してある。
次に、得られた夫々の錯体について磁化率測定装置MPMS 5S(Quantum Design社製:製品名)を用いて温度変化磁化率測定を行った。
実施例1で得たアルコキソ架橋銅複核錯体([Cu(dipe-O)]2(ClO4)2)を用い、水酸基含有窒素複素環化合物を以下のようにして合成した。
その粗生成物について、質量分析装置JMS−700 Mstation(日本電子株式会社製;商品名)を用いて質量分析を行った。その結果、目的の1−ピペリジノ−2−(3−ヒドロキシ−ピペリジノ)エタンの分子量の理論値212から、H+イオン分を差し引いたm/z 211にピークを示した。さらにこの粗生成物について核磁気共鳴装置JNM−AL400(日本電子株式会社製:製品名)を用いて、核磁気共鳴スペクトル法により、1H−NMRと13C−NMRとの測定を行った。その結果を図5及び図6に示す。各水素原子及び各炭素原子が、図5及び図6に示す通り帰属された。これらの分光学的データは、この組成物が、1−ピペリジノ−2−(3−ヒドロキシ−ピペリジノ)エタンであることを支持する。
次に化学結合型多糖系キラルカラムCHIRALPAK IC(ダイセル化学工業株式会社製:製品名)と、展開溶液としてヘキサン−ジクロロメタン混合溶媒とを用いて、その光学分割を行った。
Claims (15)
- 窒素複素環基の環上と三級窒素基とのそれらの窒素原子同士が共有結合基を介して架橋し該窒素複素環基がオキシ基に結合している対の配位子と、該対の配位子中の双方の該オキシ基を介してアルコキソ架橋している複核銅原子とを有し、該銅原子毎に、該対の配位子中の該窒素原子同士が一方ずつ配位していることを特徴とする銅複核錯体。
- 該三級窒素基が、該窒素複素環基と同種又は異種の窒素複素環基であることを特徴とする請求項1に記載の銅複核錯体。
- 該窒素複素環基が飽和窒素複素環基であり、該共有結合基がアルキレン基であり、該オキシ基が該飽和窒素複素環基の該窒素原子のβ位に結合しており、該銅原子が2価であることを特徴とする請求項1に記載の銅複核錯体。
- 該飽和窒素複素環基がピペリジン環基であり、該アルキレン基がエチレン基、プロピレン基、又はトリメチレン基であることを特徴とする請求項3に記載の銅複核錯体。
- 該対の配位子中で夫々該オキシ基に結合している炭素原子が、その一方をS配置とし、他方をR配置とすることを特徴とする請求項1に記載の銅複核錯体。
- 銅(II)塩の溶液に、窒素複素環基の環上と三級窒素基とのそれらの窒素原子同士が共有結合基を介して架橋している窒素複素環化合物を加えて、その溶液から、請求項1に記載の銅複核錯体を分離することを特徴とする銅複核錯体の製造方法。
- 該三級窒素基が、該窒素複素環基と同種又は異種の窒素複素環基であることを特徴とする請求項7に記載の銅複核錯体の製造方法。
- 二つの飽和窒素複素環基の両環上のその窒素原子同士がアルキレン基を介して架橋し、一方の該飽和窒素複素環基の該窒素原子のβ位に水酸基が結合していることを特徴とする水酸基含有窒素複素環化合物。
- 該β位が不斉炭素であることにより光学活性となっていることを特徴とする請求項9に記載の水酸基含有窒素複素環化合物。
- 銅(II)塩の溶液に、窒素複素環基の環上と三級窒素基とのそれらの窒素原子同士が共有結合基を介して架橋している窒素複素環化合物を加えて、その溶液から、請求項1に記載の銅複核錯体を分離し、それにアンモニア水を加え、該複素環化合物に水酸基が結合した水酸基含有窒素複素環化合物を、遊離させることを特徴とする水酸基含有窒素複素環化合物の製造方法。
- 該三級窒素基が、該窒素複素環基と同種又は異種の窒素複素環基であることを特徴とする請求項12に記載の水酸基含有窒素複素環化合物の製造方法。
- 該水酸基含有窒素複素環化合物を光学分割することを特徴とする請求項12に記載の水酸基含有窒素複素環化合物の製造方法。
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