JP2009053783A - Overshoot suppression circuit and voltage regulator using overshoot suppression circuit, and electronic equipment - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an overshoot suppression circuit for improving overshoot while reducing the size and power consumption, and to provide a voltage regulator using the overshoot circuit, and electronic equipment. <P>SOLUTION: This overshoot suppression circuit is provided with: error amplifier circuits (P1, P2, N1, N2) for amplifying a difference between a reference voltage (Vref) and an output voltage (Vout); an output transistor (P4) to be controlled according to the output of the error amplifier circuit; a bias current supply means (N3) for supplying bias currents to the error amplifier circuit; an auxiliary bias current supply means (N4) connected to the bias current supply means in parallel for increasing the bias currents; and auxiliary load means (N5, R1) for connecting a prescribed load to the output terminal (Vout). When the output voltage (Vout) is increased from a stationary state by a prescribed voltage, the auxiliary bias current supply means (N4) and the auxiliary load means (N5, R1) are operated, so that it is possible to suppress the overshoot of the output voltage. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電圧レギュレータの特性改善技術に関し、特に負荷変動や、入力変動時に発生する出力電圧のオーバーシュートを抑制するオーバーシュート抑制回路および該オーバーシュート抑制回路を用いた電圧レギュレータならびに電子機器に関する。   The present invention relates to a technique for improving characteristics of a voltage regulator, and more particularly to an overshoot suppression circuit that suppresses overshoot of an output voltage that occurs during load fluctuation or input fluctuation, a voltage regulator that uses the overshoot suppression circuit, and an electronic device.

MOSトランジスタを用いた電圧レギュレータは、小型・低消費電力のため従来から広く用いられている。このような電圧レギュレータにおいては、出力電流を大きくした場合には、大きな出力トランジスタを使用することになるが、大きなトランジスタはその面積に比例してゲート容量も大きくなる。   A voltage regulator using a MOS transistor has been widely used because of its small size and low power consumption. In such a voltage regulator, when the output current is increased, a large output transistor is used. However, the large transistor has a gate capacity that increases in proportion to its area.

大きなゲート容量を持った出力トランジスタを、従来の低消費電流の誤差増幅回路で駆動すると、出力トランジスタのゲート容量を充放電するために時間が掛かり、出力応答特性が悪化する。誤差増幅回路のバイアス電流を増やせば、出力応答特性を改善することはできるが、それでは低消費電力という長所が失われてしまう。   When an output transistor having a large gate capacitance is driven by a conventional error amplifier circuit with low current consumption, it takes time to charge and discharge the gate capacitance of the output transistor, and output response characteristics deteriorate. If the bias current of the error amplifier circuit is increased, the output response characteristic can be improved, but the advantage of low power consumption is lost.

図5は、特開2005−165604号公報に開示されている電圧レギュレータのオーバーシュート改善回路(オーバーシュート回復回路)である。   FIG. 5 shows an overshoot improvement circuit (overshoot recovery circuit) of a voltage regulator disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2005-165604.

同図に示す従来のオーバーシュート改善回路は、コンパレータCMP、抵抗R11からR14、コンデンサC11、ダイオードD11、およびスイッチ手段SW11で構成されており、電圧レギュレータ10の出力端子Voutの後に配置されている。   The conventional overshoot improvement circuit shown in FIG. 1 includes a comparator CMP, resistors R11 to R14, a capacitor C11, a diode D11, and switch means SW11, and is disposed after the output terminal Vout of the voltage regulator 10.

抵抗R11とコンデンサC11および抵抗R12とR13は、それぞれ直列接続され、電圧レギュレータ10の出力端子Voutと接地間に接続されている。抵抗R11とコンデンサC11の接続ノードは、コンパレータCMPの非反転入力に、抵抗R12とR13の接続ノードはコンパレータCMPの反転入力に接続されている。また、コンパレータCMPの出力は、抵抗R14とダイオードD11およびスイッチ手段SW11を介して出力端子Voに接続さている。   The resistor R11 and the capacitor C11 and the resistors R12 and R13 are connected in series, and are connected between the output terminal Vout of the voltage regulator 10 and the ground. A connection node between the resistor R11 and the capacitor C11 is connected to a non-inverting input of the comparator CMP, and a connection node between the resistors R12 and R13 is connected to an inverting input of the comparator CMP. The output of the comparator CMP is connected to the output terminal Vo via the resistor R14, the diode D11, and the switch means SW11.

このような構成を有する電圧レギュレータのオーバーシュート改善回路は、通常動作時は、スイッチ手段SW11はオンしている。また、コンデンサC11の電圧は出力電圧Voと同じ電圧まで充電されている。抵抗R12とR13の接続ノードの電圧は出力電圧Voより低いので、コンパレータCMPの出力はハイレベルとなり、出力電圧Voには影響を与えない。   In the overshoot improvement circuit of the voltage regulator having such a configuration, the switch means SW11 is on during normal operation. The voltage of the capacitor C11 is charged to the same voltage as the output voltage Vo. Since the voltage at the connection node of the resistors R12 and R13 is lower than the output voltage Vo, the output of the comparator CMP is at a high level and does not affect the output voltage Vo.

出力電圧Voにオーバーシュートが発生すると、抵抗R12とR13の接続ノードの電圧は直ぐ上昇するが、抵抗R11とコンデンサC11の接続ノードの電圧はコンデンサC11の充電に時間が掛かるため、直ぐには上昇しない。そのため、オーバーシュートの発生により抵抗R12とR13の接続ノードの電圧が抵抗R11とコンデンサC11の接続ノードの電圧以上になると、コンパレータCMPの出力は反転し、ローレベルとなる。   When an overshoot occurs in the output voltage Vo, the voltage at the connection node between the resistors R12 and R13 increases immediately, but the voltage at the connection node between the resistor R11 and the capacitor C11 does not increase immediately because it takes time to charge the capacitor C11. . Therefore, when the voltage at the connection node between the resistors R12 and R13 becomes equal to or higher than the voltage at the connection node between the resistor R11 and the capacitor C11 due to the occurrence of overshoot, the output of the comparator CMP is inverted and becomes a low level.

コンパレータCMPの出力がローレベルになると、出力端子Voからスイッチ手段SW11、ダイオードD11、抵抗R14を介して電流が流れるため、出力電流を増やしてオーバーシュートを抑制する。   When the output of the comparator CMP becomes low level, current flows from the output terminal Vo through the switch means SW11, the diode D11, and the resistor R14, so the output current is increased to suppress overshoot.

なお、スイッチ手段SW11は、コンデンサC11に出力電圧Voと同じ電圧が充電されるまではオフして、オーバーシュート改善回路の出力が出力電圧Voに影響しないようにしている。   The switch means SW11 is turned off until the capacitor C11 is charged with the same voltage as the output voltage Vo so that the output of the overshoot improvement circuit does not affect the output voltage Vo.

特開2005−165604号公報JP 2005-165604 A

しかしながら、上記特許文献1に開示された従来のオーバーシュート改善回路は、コンパレータCMPなど、オーバーシュート改善回路に多くのパーツを必要とし、またこれらの回路を動作させるための余分の電力も必要である。さらに図示されていないが、スイッチ手段SW11を制御するための制御回路も必要である。   However, the conventional overshoot improvement circuit disclosed in Patent Document 1 requires many parts for the overshoot improvement circuit such as the comparator CMP, and also requires extra power for operating these circuits. . Although not shown, a control circuit for controlling the switch means SW11 is also necessary.

その結果、MOSトランジスタを用いた電圧レギュレータの特長である小型・低消費電力が達成できなくなってしまうという問題がある。   As a result, there is a problem that the small size and low power consumption which are the features of the voltage regulator using the MOS transistor cannot be achieved.

本発明は、上述した実情を考慮してなされたものであって、コンパレータを使用することなく、僅かの部品を追加するだけで小型・低消費電力を維持しつつオーバーシュートの改善が可能なオーバーシュート抑制回路および該オーバーシュート抑制回路を用いた電圧レギュレータならびに電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances, and it is possible to improve overshoot while maintaining small size and low power consumption by adding a few components without using a comparator. An object is to provide a shoot suppression circuit, a voltage regulator using the overshoot suppression circuit, and an electronic device.

本発明は、上記目的を達成するために、次のような構成を採用したものである。
a)本発明は、基準電圧と出力電圧もしくは該出力電圧に比例した電圧の差を増幅する誤差増幅回路と、該誤差増幅回路の出力により制御され、入力端子と出力端子間に接続された出力トランジスタと、前記誤差増幅回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給手段を備え、前記出力電圧のオーバーシュートを抑制するオーバーシュート抑制回路において、前記バイアス電流供給手段に並列に接続され、前記バイアス電流を増加させる補助バイアス電流供給手段と、前記出力端子に所定の負荷を接続する補助負荷手段をさらに備え、前記出力電圧が定常状態から所定の電圧上昇した場合に、前記補助バイアス電流供給手段と前記補助負荷手段を動作するようにしたことを特徴とする。
The present invention employs the following configuration in order to achieve the above object.
a) The present invention includes an error amplification circuit that amplifies a difference between a reference voltage and an output voltage or a voltage proportional to the output voltage, and an output that is controlled by the output of the error amplification circuit and connected between an input terminal and an output terminal A bias current supply means for supplying a bias current to the error amplifier circuit; and an overshoot suppression circuit for suppressing an overshoot of the output voltage, wherein the bias current supply means is connected in parallel to the bias current supply means. Auxiliary bias current supply means for increasing and auxiliary load means for connecting a predetermined load to the output terminal are further provided, and when the output voltage rises by a predetermined voltage from a steady state, the auxiliary bias current supply means and the auxiliary load The load means is operated.

b)また本発明は、上記において、前記補助バイアス電流供給手段は、前記バイアス電流供給手段に並列に接続された第1MOSトランジスタと、該第1MOSトランジスタのゲート電圧を設定するゲート電圧設定手段を備え、前記出力端子と前記第1MOSトランジスタのゲートをコンデンサを介して接続したことを特徴とする。 b) In the above, the auxiliary bias current supply means includes a first MOS transistor connected in parallel to the bias current supply means and a gate voltage setting means for setting a gate voltage of the first MOS transistor. The output terminal and the gate of the first MOS transistor are connected via a capacitor.

c)また本発明は、上記において、前記ゲート電圧設定手段は、前記第1MOSトランジスタのゲート−ソース間に接続した固定抵抗で構成し、該固定抵抗に流れる電流による電圧降下をゲート電圧としたことを特徴とする。 c) According to the present invention, in the above, the gate voltage setting means is constituted by a fixed resistor connected between the gate and source of the first MOS transistor, and a voltage drop due to a current flowing through the fixed resistor is used as a gate voltage. It is characterized by.

d)また本発明は、上記において、前記ゲート電圧設定手段は、前記出力電圧を複数の抵抗で分圧した分圧電圧をゲート電圧としたことを特徴とする。 d) In the above, the present invention is characterized in that the gate voltage setting means uses a divided voltage obtained by dividing the output voltage by a plurality of resistors as a gate voltage.

e)また本発明は、上記において、前記補助バイアス電流供給手段は、前記バイアス電流供給手段に並列に接続された第1MOSトランジスタと、該第1MOSトランジスタのゲート電圧を設定するゲート電圧設定手段を備え、該ゲート電圧設定手段は、前記出力電圧を複数の抵抗で分圧した分圧電圧を前記第1MOSトランジスタのゲート電圧としたことを特徴とする。 e) Also, in the present invention, the auxiliary bias current supply means includes a first MOS transistor connected in parallel to the bias current supply means and a gate voltage setting means for setting a gate voltage of the first MOS transistor. The gate voltage setting means uses the divided voltage obtained by dividing the output voltage by a plurality of resistors as the gate voltage of the first MOS transistor.

f)また本発明は、上記において、前記補助負荷手段は、前記第1MOSトランジスタと同導電型の第2MOSトランジスタで構成され、該第2MOSトランジスタのゲートとソースを前記第1MOSトランジスタと共通接続し、ドレインは抵抗を介して前記出力端子に接続したことを特徴とする。 f) Also, in the present invention, the auxiliary load means is composed of a second MOS transistor having the same conductivity type as the first MOS transistor, and a gate and a source of the second MOS transistor are commonly connected to the first MOS transistor, The drain is connected to the output terminal via a resistor.

g)また本発明は、上記のオーバーシュート抑制回路を用いた電圧レギュレータ、該電圧レギュレータを用いた電子機器、例えば、携帯用電子機器、車載用電装品、家電製品のいずれかである。 g) Further, the present invention is any one of a voltage regulator using the overshoot suppression circuit and an electronic device using the voltage regulator, for example, a portable electronic device, an in-vehicle electrical component, and a home appliance.

本発明によれば、オーバーシュートが発生した場合だけ、誤差増幅回路のバイアス電流を増加させ、さらに出力端子に補助負荷を接続するようにしたので、消費電流の増加を抑えることが可能となった。   According to the present invention, only when an overshoot occurs, the bias current of the error amplifier circuit is increased, and the auxiliary load is connected to the output terminal, so that an increase in current consumption can be suppressed. .

また、補助バイアス電流生成と補助負荷接続にそれぞれ同導電型のMOSトランジスタを用い、ゲート電圧設定回路を数本の抵抗と1つのコンデンサで構成したので、回路規模の増加も抑えることができ、低消費電流と小型化を達成することが可能となった。   Also, MOS transistors of the same conductivity type are used for auxiliary bias current generation and auxiliary load connection, respectively, and the gate voltage setting circuit is composed of several resistors and one capacitor, so that an increase in circuit scale can be suppressed, and low It became possible to achieve current consumption and miniaturization.

次に、各請求項の毎の効果を記す。
a)本発明は、基準電圧と出力電圧もしくは該出力電圧に比例した電圧の差を増幅する誤差増幅回路と、該誤差増幅回路の出力により制御され、入力端子と出力端子間に接続された出力トランジスタと、前記誤差増幅回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給手段備えた電圧レギュレータにおいて、前記バイアス電流供給手段に並列に接続され、前記バイアス電流を増加させる補助バイアス電流供給手段と、前記出力端子に所定の負荷を接続する補助負荷手段をさらに備え、前記出力電圧が定常状態から所定の電圧だけ上昇した場合に、前記補助バイアス電流供給手段と、前記補助負荷手段を動作するようにしたので、消費電流の増加を少なくすることができる。
Next, the effect of each claim will be described.
a) The present invention includes an error amplification circuit that amplifies a difference between a reference voltage and an output voltage or a voltage proportional to the output voltage, and an output that is controlled by the output of the error amplification circuit and connected between an input terminal and an output terminal In a voltage regulator comprising a transistor and a bias current supply means for supplying a bias current to the error amplifier circuit, an auxiliary bias current supply means connected in parallel to the bias current supply means for increasing the bias current, and the output terminal Further comprising auxiliary load means for connecting a predetermined load to the auxiliary bias current supply means and the auxiliary load means when the output voltage is increased by a predetermined voltage from a steady state. An increase in current consumption can be reduced.

b)また本発明は、前記補助バイアス電流供給手段は、前記バイアス電流供給手段に並列に接続された第1MOSトランジスタと、該第1MOSトランジスタのゲート電圧を設定するゲート電圧設定手段を備え、前記出力端子と前記第1MOSトランジスタのゲートをコンデンサで接続したので、追加する部品が少なく小型化が可能である。 b) In the present invention, the auxiliary bias current supply means includes a first MOS transistor connected in parallel to the bias current supply means, and a gate voltage setting means for setting a gate voltage of the first MOS transistor, and the output Since the terminal and the gate of the first MOS transistor are connected by a capacitor, the number of parts to be added is small and the size can be reduced.

c)また本発明は、前記ゲート電圧設定手段は、前記第1MOSトランジスタのゲート−ソース間に接続した固定抵抗で構成し、該固定抵抗に流れる電流による電圧降下をゲート電圧としたので、使用部品が少なく小型化が可能である。 c) In the present invention, the gate voltage setting means includes a fixed resistor connected between the gate and the source of the first MOS transistor, and a voltage drop due to a current flowing through the fixed resistor is used as a gate voltage. There are few and it can miniaturize.

d)また本発明は、前記ゲート電圧設定手段は、前記出力電圧を複数の抵抗で分圧した分圧電圧をゲート電圧としたので、オーバーシュート抑制回路が動作を始めるオーバー電圧を任意に設定できるようになった。 d) In the present invention, since the gate voltage setting means uses the divided voltage obtained by dividing the output voltage by a plurality of resistors as the gate voltage, the overvoltage at which the overshoot suppression circuit starts operating can be arbitrarily set. It became so.

e)また本発明は、前記補助バイアス電流供給手段は、前記バイアス電流供給手段に並列に接続された第1MOSトランジスタと、該第1MOSトランジスタのゲート電圧を設定するゲート電圧設定手段を備え、該ゲート電圧設定手段は、前記出力電圧を複数の抵抗で分圧した分圧電圧を前記第1MOSトランジスタのゲート電圧としたので、追加する部品が少なく小型化が可能である。 e) In the present invention, the auxiliary bias current supply means includes a first MOS transistor connected in parallel to the bias current supply means, and a gate voltage setting means for setting a gate voltage of the first MOS transistor. Since the voltage setting means uses the divided voltage obtained by dividing the output voltage by a plurality of resistors as the gate voltage of the first MOS transistor, the number of components to be added is small and the size can be reduced.

f)また本発明は、前記補助負荷手段は、前記第1MOSトランジスタと同導電型の第2MOSトランジスタで構成され、該第2MOSトランジスタのゲートとソースを前記第1MOSトランジスタと共通接続し、ドレインは抵抗を介して前記出力端子に接続したので、消費電流の増加が少なく、さらに追加する部品も少なくすることができる。 f) In the present invention, the auxiliary load means is composed of a second MOS transistor having the same conductivity type as the first MOS transistor, the gate and source of the second MOS transistor are connected in common with the first MOS transistor, and the drain is a resistor. Since it is connected to the output terminal via the connector, the increase in current consumption is small, and the number of additional components can be reduced.

g)また本発明は、消費電流の増加が少なく、さらに追加する部品も少ないオーバーシュートが改善された電圧レギュレータ、電子機器を実現することができる。 g) In addition, the present invention can realize a voltage regulator and an electronic device in which an increase in current consumption is small and an overshoot is improved with few additional components.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施例に係るオーバーシュート抑制回路を用いた電圧レギュレータを示す回路図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a circuit diagram showing a voltage regulator using an overshoot suppression circuit according to a first embodiment of the present invention.

本発明に係るオーバーシュート抑制回路を備えた電圧レギュレータ10は、同図に示すように、基準電圧発生回路11、誤差増幅回路を構成しているPMOSトランジスタP1からP3とNMOSトランジスタN1からN6、PMOSトランジスタを用いた出力トランジスタP4、抵抗R1からR3、およびコンデンサC1で構成され、入力端子Vbatと出力端子Voutを備えている。入力端子Vbatには図示しないが入力電源が接続されている。また、出力端子Voutには負荷20が接続されている。   As shown in the figure, a voltage regulator 10 having an overshoot suppressing circuit according to the present invention includes a reference voltage generating circuit 11, PMOS transistors P1 to P3 and NMOS transistors N1 to N6 constituting an error amplifier circuit, PMOS transistors An output transistor P4 using a transistor, resistors R1 to R3, and a capacitor C1 are provided, and includes an input terminal Vbat and an output terminal Vout. Although not shown, an input power supply is connected to the input terminal Vbat. A load 20 is connected to the output terminal Vout.

NMOSトランジスタN1とN2は差動増幅回路の差動入力トランジスタである。NMOSトランジスタN1のゲートには基準電圧発生回路11で生成された基準電圧Vrefが印加され、NMOSトランジスタN2のゲートは出力端子Voutが接続され、出力電圧Voが印加されている。   NMOS transistors N1 and N2 are differential input transistors of the differential amplifier circuit. The reference voltage Vref generated by the reference voltage generation circuit 11 is applied to the gate of the NMOS transistor N1, the output terminal Vout is connected to the gate of the NMOS transistor N2, and the output voltage Vo is applied.

NMOSトランジスタN1とN2のソースは共通接続され、NMOSトランジスタN3のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN3のソースは接地されており、NMOSトランジスタN3のゲートには基準電圧Vrefが印加されているので、NMOSトランジスタN3のドレイン電流は定電流となり、差動増幅回路のバイアス電流源となっている。   The sources of the NMOS transistors N1 and N2 are connected in common and are connected to the drain of the NMOS transistor N3. Since the source of the NMOS transistor N3 is grounded and the reference voltage Vref is applied to the gate of the NMOS transistor N3, the drain current of the NMOS transistor N3 becomes a constant current, which becomes a bias current source of the differential amplifier circuit. Yes.

NMOSトランジスタN1とN2のドレインはそれぞれPMOSトランジスタP1とP2のドレインに接続されている。PMOSトランジスタP1とP2のソースは入力端子Vbatに接続され、さらにPMOSトランジスタP1とP2のゲートは共通接続されてPMOSトランジスタP1のドレインに接続されているので、PMOSトランジスタP1とP2はカレントミラー回路を構成しており、差動入力トランジスタN1とN2の負荷となっている。   The drains of the NMOS transistors N1 and N2 are connected to the drains of the PMOS transistors P1 and P2, respectively. The sources of the PMOS transistors P1 and P2 are connected to the input terminal Vbat, and the gates of the PMOS transistors P1 and P2 are connected in common and connected to the drain of the PMOS transistor P1, so that the PMOS transistors P1 and P2 form a current mirror circuit. This is a load for the differential input transistors N1 and N2.

差動増幅回路の出力はNMOSトランジスタN2のドレインから出力される。NMOSトランジスタN2のドレインはPMOSトランジスタP3のゲートに接続されている。PMOSトランジスタP3のソースは入力端子Vbatに、PMOSトランジスタP3のドレインはNMOSトランジスタN6のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN6のソースは接地されており、NMOSトランジスタN6のゲートには基準電圧Vrefが印加されているので、NMOSトランジスタN6のドレイン電流は定電流となり、PMOSトランジスタP3の定電流負荷となっている。   The output of the differential amplifier circuit is output from the drain of the NMOS transistor N2. The drain of the NMOS transistor N2 is connected to the gate of the PMOS transistor P3. The source of the PMOS transistor P3 is connected to the input terminal Vbat, and the drain of the PMOS transistor P3 is connected to the drain of the NMOS transistor N6. Since the source of the NMOS transistor N6 is grounded and the reference voltage Vref is applied to the gate of the NMOS transistor N6, the drain current of the NMOS transistor N6 becomes a constant current and becomes a constant current load of the PMOS transistor P3. .

PMOSトランジスタP3のドレインは、さらに出力トランジスタP4のゲートに接続されている。出力トランジスタP4のソースは入力端子Vbatに接続されている。またドレインは直列抵抗R1とR2を介して接地されると共に、出力端子Voutに接続されている。   The drain of the PMOS transistor P3 is further connected to the gate of the output transistor P4. The source of the output transistor P4 is connected to the input terminal Vbat. The drain is grounded via series resistors R1 and R2, and is connected to the output terminal Vout.

NMOSトランジスタN4は、差動増幅回路のバイアス電流源であるNMOSトランジスタN3と並列に接続されている。NMOSトランジスタN4のゲートは抵抗R3を介して接地されている。またコンデンサC1を介して出力端子Voutに接続されている。   The NMOS transistor N4 is connected in parallel with the NMOS transistor N3 which is a bias current source of the differential amplifier circuit. The gate of the NMOS transistor N4 is grounded via the resistor R3. Further, it is connected to the output terminal Vout through a capacitor C1.

NMOSトランジスタN5のソースは接地され、ゲートはNMOSトランジスタN4のゲートに接続されている。さらにドレインは直列抵抗R1とR2の接続ノードに接続されている。   The source of the NMOS transistor N5 is grounded, and the gate is connected to the gate of the NMOS transistor N4. Further, the drain is connected to a connection node of series resistors R1 and R2.

出力電圧Voが定常状態の場合は、コンデンサC1は出力電圧Voと同じ電圧に充電されているので、NMOSトランジスタN4とN5のゲート電圧は0Vである。今、出力電圧Voが何らかの条件で急速に上昇し、その上昇電圧がNMOSトランジスタN4とN5のゲート閾値電圧を超えるとNMOSトランジスタN4とN5がオンとなる。NMOSトランジスタN4がオンするとNMOSトランジスタN4にドレイン電流が流れる。この電流はNMOSトランジスタN3で生成されている定電流のバイアス電流に加算されて差動増幅回路のバイアス電流を増加させる。   When the output voltage Vo is in a steady state, since the capacitor C1 is charged to the same voltage as the output voltage Vo, the gate voltages of the NMOS transistors N4 and N5 are 0V. Now, when the output voltage Vo rises rapidly under some condition and the raised voltage exceeds the gate threshold voltage of the NMOS transistors N4 and N5, the NMOS transistors N4 and N5 are turned on. When the NMOS transistor N4 is turned on, a drain current flows through the NMOS transistor N4. This current is added to the constant current bias current generated by the NMOS transistor N3 to increase the bias current of the differential amplifier circuit.

出力電圧Voが上昇するとNMOSトランジスタN2のドレイン電圧が低下する。このときバイアス電流が増加しているので、NMOSトランジスタN2のドレイン電流も増加しており、NMOSトランジスタN2のドレインに接続されているPMOSトランジスタP3のゲート容量を急速に充電することができ、バイアス電流がNMOSトランジスタN3だけの場合に比べPMOSトランジスタP3を素早くオンすることができる。   When the output voltage Vo increases, the drain voltage of the NMOS transistor N2 decreases. Since the bias current increases at this time, the drain current of the NMOS transistor N2 also increases, and the gate capacitance of the PMOS transistor P3 connected to the drain of the NMOS transistor N2 can be rapidly charged. As compared with the case where only the NMOS transistor N3 is, the PMOS transistor P3 can be quickly turned on.

その結果、出力トランジスタM1のゲート電圧を素早く上昇させることができ、出力トランジスタM1のオン抵抗を素早く大きくすることができるので、入力端子Vbatから供給される電流を素早く抑制することができオーバーシュートを抑制することができる。   As a result, the gate voltage of the output transistor M1 can be quickly raised, and the on-resistance of the output transistor M1 can be quickly increased, so that the current supplied from the input terminal Vbat can be quickly suppressed and overshoot can be prevented. Can be suppressed.

また、NMOSトランジスタN5がオンすると、出力端子Voutから接地電位に抵抗R1とNMOSトランジスタN5を介して電流が流れるため、図示しない出力コンデンサに蓄えられていた電荷を速やかに放電することができ、オーバーシュートを速やかに回復させることができる。   Further, when the NMOS transistor N5 is turned on, a current flows from the output terminal Vout to the ground potential via the resistor R1 and the NMOS transistor N5, so that the electric charge stored in the output capacitor (not shown) can be discharged quickly and The shoot can be recovered quickly.

図2は、本発明の第2の実施例に係るオーバーシュート抑制回路を用いた電圧レギュレータの回路図である。図1と異なる所は、抵抗R2の一端が接地への接続されていたのを、抵抗R3を除去し、かつ、抵抗R2の一端を、接地接続される抵抗R3に接続するとともにNMOSトランジスタN4のゲートにも接続するように変えた点である。   FIG. 2 is a circuit diagram of a voltage regulator using an overshoot suppression circuit according to the second embodiment of the present invention. The difference from FIG. 1 is that one end of the resistor R2 is connected to the ground, the resistor R3 is removed, and one end of the resistor R2 is connected to the resistor R3 connected to the ground, and the NMOS transistor N4 This is a change to connect to the gate.

この結果、出力電圧Voが定常状態の場合には、NMOSトランジスタN4とN5のゲートには出力電圧Voを直列抵抗R1+R2とR3で分圧した分圧電圧が印加されることになる。分圧電圧をNMOSトランジスタN4とN5のゲート閾値電圧より低くし、さらに、NMOSトランジスタN4とN5のゲート閾値電圧と分圧電圧との差電圧を、抑制したいオーバーシュート電圧に設定することでオーバーシュート抑制回路が動作するオーバーシュート電圧を簡単に設定することができるようになった。   As a result, when the output voltage Vo is in a steady state, a divided voltage obtained by dividing the output voltage Vo by the series resistors R1 + R2 and R3 is applied to the gates of the NMOS transistors N4 and N5. Overshooting is performed by setting the divided voltage lower than the gate threshold voltage of the NMOS transistors N4 and N5, and further setting the differential voltage between the gate threshold voltage of the NMOS transistors N4 and N5 and the divided voltage to the overshoot voltage to be suppressed. The overshoot voltage at which the suppression circuit operates can be set easily.

図3は、本発明の第3の実施例に係るオーバーシュート抑制回路を用いた電圧レギュレータの回路図である。第2の実施例を示す図2と異なる点は、コンデンサC1を取り除いた点である。   FIG. 3 is a circuit diagram of a voltage regulator using an overshoot suppression circuit according to a third embodiment of the present invention. The difference from FIG. 2 showing the second embodiment is that the capacitor C1 is removed.

第1の実施例と第2の実施例では、出力電圧Voの交流成分だけをコンデンサC1を介して検出していたため急峻なオーバーシュートの場合しか検出できず、ゆっくりと出力電圧Voが上昇するような場合は大きなオーバーシュートがあっても抑制できなかった。   In the first and second embodiments, only the AC component of the output voltage Vo is detected via the capacitor C1, so that it can be detected only in the case of a steep overshoot, and the output voltage Vo rises slowly. In such a case, even if there was a large overshoot, it could not be suppressed.

しかし、図3に示す第3の実施例ではコンデンサC1を介さず直接出力電圧を分圧した電圧をNMOSトランジスタN4とN5のゲートに印加しているので、ゆっくりと出力電圧Voが上昇するようなオーバーシュートにも対処できる。   However, in the third embodiment shown in FIG. 3, since the voltage obtained by directly dividing the output voltage is applied to the gates of the NMOS transistors N4 and N5 without passing through the capacitor C1, the output voltage Vo rises slowly. Can handle overshoot.

さらに、第2と第3の実施例では、通常状態におけるNMOSトランジスタN4とN5のゲートバイアス電圧を、少なくともNMOSトランジスタN5のドレイン電流が僅かに流れるように設定しておくことで、高温時に出力トランジスタP4のリーク電流が増加した場合でも、NMOSトランジスタN5のドレイン電流によりリーク電流がキャンセルされて、出力電圧Voの浮き上がりを防止することができる。   Furthermore, in the second and third embodiments, the gate bias voltage of the NMOS transistors N4 and N5 in the normal state is set so that at least the drain current of the NMOS transistor N5 flows slightly, so that the output transistor at high temperatures can be obtained. Even when the leakage current of P4 increases, the leakage current is canceled by the drain current of the NMOS transistor N5, and the output voltage Vo can be prevented from rising.

本発明では、オーバーシュートが発生した場合のみ、差動増幅回路のバイアス電流を増加させ、出力端子Voutに補助負荷である抵抗R1を接続するようにしたので、消費電流の増加を極めて少なくできた。さらにNMOSトランジスタN4とN5、および1、2個の抵抗、コンデンサを追加するだけでよく回路規模の増加も抑えることができた。   In the present invention, only when an overshoot occurs, the bias current of the differential amplifier circuit is increased and the resistor R1, which is an auxiliary load, is connected to the output terminal Vout, so that the increase in current consumption can be extremely reduced. . Furthermore, it is only necessary to add NMOS transistors N4 and N5, and one or two resistors and capacitors, and the increase in circuit scale can be suppressed.

上述したオーバーシュート抑制回路は、電圧レギュレータ(ボルテージレギュレータ)、携帯電話などの携帯用電子機器、車載用電装品、各種家電製品などの様々な電子機器に組み込むことにより、小型・低消費電力を維持しつつオーバーシュートの改善が可能な電子機器を実現できる。   The above-described overshoot suppression circuit maintains small size and low power consumption by incorporating it into various electronic devices such as voltage regulators (voltage regulators), portable electronic devices such as mobile phones, in-vehicle electrical components, and various home appliances. In addition, an electronic device capable of improving overshoot can be realized.

上述したように、本発明に係るオーバーシュート抑制回路は様々な分野の電気製品に利用できるが、一例として特開2005−175439号公報に開示されたハイブリッド自動車に本発明に係るオーバーシュート抑制回路を用いたボルテージレギュレータを適用した実施例を以下に示す。   As described above, the overshoot suppression circuit according to the present invention can be used for electrical products in various fields. As an example, the overshoot suppression circuit according to the present invention is applied to a hybrid vehicle disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2005-175439. An embodiment to which the voltage regulator used is applied is shown below.

図4は、本発明に係るオーバーシュート抑制回路を用いたボルテージレギュレータを用いたハイブリッド自動車の実施例を示す図である。   FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of a hybrid vehicle using a voltage regulator using an overshoot suppression circuit according to the present invention.

本実施例に係るハイブリッド自動車100は、同図に示すように、バッテリ110と、本発明に係るオーバーシュート抑制回路を用いたボルテージレギュレータ120と、動力出力装置130と、ディファレンシャルギア(DG:Differential Gear)140と、前輪150L,150Rと、後輪160L,160Rと、フロントシート170L,170Rと、リアシート180と、ダッシュボード190を備える(基本的な動作については特開2005−175439号公報参照)。   As shown in the figure, a hybrid vehicle 100 according to the present embodiment includes a battery 110, a voltage regulator 120 using an overshoot suppression circuit according to the present invention, a power output device 130, a differential gear (DG: Differential Gear). ) 140, front wheels 150L and 150R, rear wheels 160L and 160R, front seats 170L and 170R, a rear seat 180, and a dashboard 190 (refer to JP-A-2005-175439 for basic operations).

バッテリ110は、給電ケーブルによってボルテージレギュレータ120と電気的に接続され、直流電圧をボルテージレギュレータ120へ供給するとともに、ボルテージレギュレータ120からの直流電圧によって充電される。ボルテージレギュレータ120は、給電ケーブルによって動力出力装置130と電気的に接続され、動力出力装置130はDG140と連結されている。   The battery 110 is electrically connected to the voltage regulator 120 through a power supply cable, supplies a DC voltage to the voltage regulator 120, and is charged by the DC voltage from the voltage regulator 120. The voltage regulator 120 is electrically connected to the power output device 130 via a power supply cable, and the power output device 130 is connected to the DG 140.

ボルテージレギュレータ120は、バッテリ110からの直流電圧を昇圧し、その昇圧した直流電圧を交流電圧に変換して動力出力装置130に含まれる2つのモータジェネレータMG1、MG2を駆動制御し、また、動力出力装置130に含まれるモータジェネレータが発電した交流電圧を直流電圧に変換してバッテリ110を充電する。   Voltage regulator 120 boosts the DC voltage from battery 110, converts the boosted DC voltage to an AC voltage, drives and controls two motor generators MG1 and MG2 included in power output device 130, and outputs power. The battery 110 is charged by converting the AC voltage generated by the motor generator included in the device 130 into a DC voltage.

ボルテージレギュレータ120は本発明に係るオーバーシュート抑制回路を用いたボルテージレギュレータを備えており、そのため、小型で消費電力の削減が可能で、かつオーバーシュートを改善して安定した動作を行なわせることができる。   The voltage regulator 120 includes a voltage regulator using the overshoot suppression circuit according to the present invention. Therefore, the voltage regulator 120 is small and can reduce power consumption, and can improve overshoot and perform stable operation. .

本発明の第1の実施例を示す電圧レギュレータの回路図である。1 is a circuit diagram of a voltage regulator showing a first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施例を示す電圧レギュレータの回路図である。It is a circuit diagram of the voltage regulator which shows the 2nd Example of this invention. 本発明の第3の実施例を示す電圧レギュレータの回路図である。It is a circuit diagram of the voltage regulator which shows the 3rd Example of this invention. 本発明に係る過熱保護機能をハイブリッド自動車に適用した実施例を示す図である。It is a figure which shows the Example which applied the overheat protection function which concerns on this invention to the hybrid vehicle. 従来技術を説明するためのオーバーシュート抑制回路図である。It is an overshoot suppression circuit diagram for demonstrating a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

10:電圧レギュレータ
11:基準電圧発生回路
20:負荷
P1〜P4:PMOSトランジスタ
N1〜N6:NMOSトランジスタ
P4:出力トランジスタ
R1〜R3,R11〜R14:抵抗
C1,C11:コンデンサ
CMP:コンパレータ
SW11:スイッチ手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10: Voltage regulator 11: Reference voltage generation circuit 20: Load P1-P4: PMOS transistor N1-N6: NMOS transistor P4: Output transistor R1-R3, R11-R14: Resistor C1, C11: Capacitor CMP: Comparator SW11: Switch means

Claims (9)

基準電圧と出力電圧もしくは該出力電圧に比例した電圧の差を増幅する誤差増幅回路と、該誤差増幅回路の出力により制御され、入力端子と出力端子間に接続された出力トランジスタと、前記誤差増幅回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給手段を備え、前記出力電圧のオーバーシュートを抑制するオーバーシュート抑制回路において、
前記バイアス電流供給手段に並列に接続され、前記バイアス電流を増加させる補助バイアス電流供給手段と、前記出力端子に所定の負荷を接続する補助負荷手段をさらに備え、
前記出力電圧が定常状態から所定の電圧上昇した場合に、前記補助バイアス電流供給手段と前記補助負荷手段を動作するようにしたことを特徴とするオーバーシュート抑制回路。
An error amplifying circuit for amplifying a difference between a reference voltage and an output voltage or a voltage proportional to the output voltage; an output transistor controlled by an output of the error amplifying circuit; connected between an input terminal and an output terminal; In an overshoot suppression circuit that includes bias current supply means for supplying a bias current to the circuit and suppresses overshoot of the output voltage,
An auxiliary bias current supply means connected in parallel to the bias current supply means for increasing the bias current; and an auxiliary load means for connecting a predetermined load to the output terminal;
An overshoot suppression circuit, wherein the auxiliary bias current supply means and the auxiliary load means are operated when the output voltage rises by a predetermined voltage from a steady state.
請求項1記載のオーバーシュート抑制回路において、
前記補助バイアス電流供給手段は、前記バイアス電流供給手段に並列に接続された第1MOSトランジスタと、該第1MOSトランジスタのゲート電圧を設定するゲート電圧設定手段を備え、
前記出力端子と前記第1MOSトランジスタのゲートをコンデンサを介して接続したことを特徴とするオーバーシュート抑制回路。
The overshoot suppression circuit according to claim 1,
The auxiliary bias current supply means includes a first MOS transistor connected in parallel to the bias current supply means, and a gate voltage setting means for setting a gate voltage of the first MOS transistor,
An overshoot suppression circuit, wherein the output terminal and the gate of the first MOS transistor are connected via a capacitor.
請求項2記載のオーバーシュート抑制回路において、
前記ゲート電圧設定手段は、前記第1MOSトランジスタのゲート−ソース間に接続した固定抵抗で構成し、該固定抵抗に流れる電流による電圧降下をゲート電圧としたことを特徴とするオーバーシュート抑制回路。
The overshoot suppression circuit according to claim 2,
The overshoot suppression circuit according to claim 1, wherein the gate voltage setting means comprises a fixed resistor connected between the gate and source of the first MOS transistor, and a voltage drop caused by a current flowing through the fixed resistor is used as a gate voltage.
請求項2記載のオーバーシュート抑制回路において、
前記ゲート電圧設定手段は、前記出力電圧を複数の抵抗で分圧した分圧電圧をゲート電圧としたことを特徴とするオーバーシュート抑制回路。
The overshoot suppression circuit according to claim 2,
The overshoot suppressing circuit, wherein the gate voltage setting means uses a divided voltage obtained by dividing the output voltage by a plurality of resistors as a gate voltage.
請求項1記載のオーバーシュート抑制回路において、
前記補助バイアス電流供給手段は、前記バイアス電流供給手段に並列に接続された第1MOSトランジスタと、該第1MOSトランジスタのゲート電圧を設定するゲート電圧設定手段を備え、
該ゲート電圧設定手段は、前記出力電圧を複数の抵抗で分圧した分圧電圧を前記第1MOSトランジスタのゲート電圧としたことを特徴とするオーバーシュート抑制回路。
The overshoot suppression circuit according to claim 1,
The auxiliary bias current supply means includes a first MOS transistor connected in parallel to the bias current supply means, and a gate voltage setting means for setting a gate voltage of the first MOS transistor,
The overshoot suppressing circuit, wherein the gate voltage setting means uses a divided voltage obtained by dividing the output voltage by a plurality of resistors as a gate voltage of the first MOS transistor.
請求項1から5のいずれかに記載のオーバーシュート抑制回路において、
前記補助負荷手段は、前記第1MOSトランジスタと同導電型の第2MOSトランジスタで構成され、該第2MOSトランジスタのゲートとソースを前記第1MOSトランジスタと共通接続し、ドレインは抵抗を介して前記出力端子に接続したことを特徴とするオーバーシュート抑制回路。
In the overshoot suppression circuit according to any one of claims 1 to 5,
The auxiliary load means comprises a second MOS transistor having the same conductivity type as the first MOS transistor, the gate and source of the second MOS transistor are connected in common with the first MOS transistor, and the drain is connected to the output terminal via a resistor. An overshoot suppression circuit characterized by being connected.
請求項1から6のいずれかに記載のオーバーシュート抑制回路を用いたことを特徴とする電圧レギュレータ。   A voltage regulator using the overshoot suppression circuit according to claim 1. 請求項7記載の電圧レギュレータを用いたことを特徴とする電子機器。   An electronic device using the voltage regulator according to claim 7. 請求項8記載の電子機器は、携帯用電子機器、車載用電装品、家電製品のいずれかであることを特徴とする電子機器。   9. The electronic device according to claim 8, wherein the electronic device is any one of a portable electronic device, an in-vehicle electrical component, and a home appliance.
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