JP2009048752A - Imprint mold structure, and imprinting method using the same, magnetic recording medium, and method for manufacturing magnetic recording medium - Google Patents

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Kenichi Moriwaki
健一 森脇
Shoichi Nishikawa
正一 西川
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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imprint mold structure which has excellent transferability to an imprint resist and excellent separation performance from the imprint resist, and transfers and forms a high quality pattern on a discrete track medium or a patterned medium by an effect of the contraction of an imprint resist composition in volume after the imprint resist has been cured is reduced, to provide an imprinting method, to provide a method for manufacturing a magnetic recording medium, and to provide the magnetic recording medium. <P>SOLUTION: In the imprint mold structure including a disc-shaped substrate and a concavo-convex pattern having a plurality of convex portions formed on one surface of the substrate on the basis of the surface and used for transferring the concavo-convex pattern to an imprint resist layer formed on the other substrate by making the concavo-convex pattern face the imprint resist layer, the cross-sectional shape of the concavo-convex pattern in the direction in which the convex portion extends satisfies the following three mathematical expressions: a mathematical expression (1) 40°≤θ<90°(θ denotes an angle formed by the surface and the side wall of the convex portion), a mathematical expression (2) SRas>SRab (SRas denotes the surface average roughness of the side wall and SRab denotes the surface average roughness of the bottom of a concave part), a mathematical expression (3) LRah>LRav (LRah denotes the line average roughness of the side wall in a direction in which the convex portion extends and LRav denotes the line average roughness of the side wall in a direction along the side wall). <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、インプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いたインプリント方法、並びに、磁気記録媒体、及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint mold structure, an imprint method using the imprint mold structure, a magnetic recording medium, and a manufacturing method thereof.

近年、高速性やコストパフォーマンス性に優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始めている。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響(クロストーク)や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
In recent years, hard disk drives excellent in high speed and cost performance have begun to be installed in portable devices such as mobile phones, small acoustic devices, and video cameras as the mainstay of storage devices.
As the market share of recording devices mounted on portable devices expands, it is necessary to meet the demand for further miniaturization and larger capacity, and a technique for improving recording density is required.
In order to increase the recording density of the hard disk drive, methods of narrowing the data track interval in the magnetic recording medium and narrowing the width of the magnetic head have been conventionally used.
However, by narrowing the data track interval, the influence of magnetism (crosstalk) between adjacent tracks and the influence of thermal fluctuation cannot be ignored, and the recording density is limited.
On the other hand, there is a limit in improving the surface recording density by reducing the width of the magnetic head.

そこで、クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている(特許文献1〜2参照)。前記ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている(特許文献3参照)。
Therefore, a magnetic recording medium called a discrete track medium has been proposed as means for solving noise caused by crosstalk (see Patent Documents 1 and 2). The discrete track media has a discrete structure in which non-magnetic guard band regions are provided between adjacent tracks to magnetically separate individual tracks, thereby reducing magnetic interference between adjacent tracks.
Further, as means for solving the demagnetization due to the thermal fluctuation, a magnetic recording medium called a patterned medium in which individual bits for signal recording are provided in a predetermined shape pattern has been proposed (Patent Document 3). reference).

上記ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアを製造する際には、レジストパターン形成用モールド(「スタンパ」と称されることもある。)を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法(インプリントプロセス)が用いられる(特許文献4参照)。
このインプリンティング法は、具体的には、加工対象となる基材上に、熱硬化性の樹脂、又は光硬化性の樹脂を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスクとして用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
ところで、磁気記録媒体の用途では、微細かつ広面積に対してナノインプリントリソグラフィー(NIL)を行う必要があるため、NIL均一性、及び安定性が重要となる。また磁気ヘッドの位置決めを行うサーボ信号、実際のデータを記録するデータ信号の2種類のパターンを書こうする必要がある。
データ部は、ディスクリートトラックメディア(DTM)では同心円パターン、ビットパターンドメディア(BPM)ではドットパターン等の単純なパターンから構成される。
サーボ部は、プリアンブル、サーボタイミングマーク、アドレス(セクタ、シリンダ)、バースト等の主に4種類のパターンから構成されており、アドレス(セクタ、シリンダ)、バーストパターンは粗密信号が混在し、複雑なパターン配列となっている。
このようにディスク全面に対して複雑なパターンが密に形成されていることから、NILの際に、モールド構造体の凹凸パターンがインプリントレジスト層全面に忠実に転写されることが要求される。
When manufacturing the discrete track media or the patterned media, a resist pattern forming mold (also referred to as “stamper”) is used to form a resist layer formed on the surface of the magnetic recording medium. An imprinting method (imprint process) for transferring a desired pattern is used (see Patent Document 4).
Specifically, in this imprinting method, a thermosetting resin or a photocurable resin is applied to a substrate to be processed, and the applied resin is processed into a desired shape. The mold is adhered and pressed, the resin is cured by heating or light irradiation, and the mold is peeled off to form a pattern corresponding to the pattern formed on the mold, and this pattern is used as a mask. This is a method for obtaining a desired magnetic recording medium by performing patterning by dry or wet etching.
By the way, in the use of a magnetic recording medium, since it is necessary to perform nanoimprint lithography (NIL) on a fine and wide area, NIL uniformity and stability are important. In addition, it is necessary to write two types of patterns: a servo signal for positioning the magnetic head and a data signal for recording actual data.
The data portion is composed of a simple pattern such as a concentric circle pattern in discrete track media (DTM) and a dot pattern in bit patterned media (BPM).
The servo section is composed of four main patterns such as preamble, servo timing mark, address (sector, cylinder), burst, etc., and the address (sector, cylinder) and burst pattern are mixed with coarse and dense signals. It is a pattern array.
Since complex patterns are densely formed on the entire disk surface as described above, it is required that the uneven pattern of the mold structure be faithfully transferred to the entire imprint resist layer during NIL.

このインプリンティング法では、コストダウンの観点から、多数回の転写プロセスを必要とするため、少なくとも数百〜数万回の転写耐久性がインプリント用モールド構造体に要求される。   Since this imprinting method requires a number of transfer processes from the viewpoint of cost reduction, at least several hundred to several tens of thousands of transfer durability is required for the imprint mold structure.

そこで、前記転写耐久性を向上させるために、シリコン基板等の剛体をインプリント用モールド構造体に採用する技術が開示されている(特許文献5、及び非特許文献1参照。)。これらの文献によれば、非常に高いパターン精度が得られ、サブミクロン、数十ナノメートルオーダーまでの微細パターンの転写が実現できると記載されている。   Therefore, in order to improve the transfer durability, a technique is disclosed in which a rigid body such as a silicon substrate is employed for the imprint mold structure (see Patent Document 5 and Non-Patent Document 1). According to these documents, it is described that very high pattern accuracy can be obtained, and transfer of a fine pattern up to the order of submicron and several tens of nanometers can be realized.

このように、インプリントプロセスを用いて、ハードディスク、光ディスクなどの情報記録媒体を得る場合、非常に微細でかつ、同一形状のマスクパターンを基板全面で得る必要があり、特に、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアでは、超微細なパターンでかつ、次工程でのエッチングプロセスでのマージンを得るためにも、アスペクト比の高いパターンが求められる。
そこで、インプリントプロセスにおいては、このような微細なパターンの形成を実現するために、インプリント用モールド構造体上に形成された凹凸パターンを高い精度でインプリントレジストに転写させることと、転写された凹凸パターンを破壊することなく、インプリント用モールド構造体をインプリントレジストから剥離することといった、相反する製造条件を満たす必要があった。
As described above, when an information recording medium such as a hard disk or an optical disk is obtained by using the imprint process, it is necessary to obtain a very fine and identical mask pattern on the entire surface of the substrate. In the media, a pattern with a high aspect ratio is required in order to obtain a margin in the etching process in the next step, which is an ultrafine pattern.
Therefore, in the imprint process, in order to realize the formation of such a fine pattern, the concavo-convex pattern formed on the imprint mold structure is transferred to the imprint resist with high accuracy and transferred. It was necessary to satisfy conflicting manufacturing conditions such as peeling the imprint mold structure from the imprint resist without destroying the uneven pattern.

しかしながら、紫外線などによる光硬化性樹脂を含むインプリントレジスト組成物を用いたインプリントプロセスにおいては、前記インプリントレジスト組成物の硬化時の体積収縮により、その後のエッチング工程においてインプリント用モールド構造体に形成されていた凹凸形状を厳密に反映できなくなる恐れがあった。
また、前記インプリントレジスト組成物の硬化時の体積収縮を抑制するために、インプリント用モールド構造体上に形成された凹凸パターンの側壁の表面の粗さを高くしてアンカー効果をもたせる方法も考えられるが、硬化後のインプリント用モールド構造体と、インプリントレジストとの剥離が困難となり、転写した凹凸パターンの損傷の原因となっていた。
なお、特許文献6では、壁角度を30°〜80°に規定したインプリント用モールド構造体を開示しているが、前記インプリントレジスト組成物の硬化時の体積収縮については対策されておらず、改善の余地があった。
However, in an imprint process using an imprint resist composition containing a photo-curable resin such as ultraviolet rays, the imprint mold structure in the subsequent etching process due to volume shrinkage during curing of the imprint resist composition. There is a risk that the uneven shape formed on the surface cannot be accurately reflected.
In addition, in order to suppress volume shrinkage at the time of curing of the imprint resist composition, there is also a method of increasing the roughness of the surface of the side wall of the concavo-convex pattern formed on the imprint mold structure to have an anchor effect. Although it can be considered, it is difficult to peel off the imprint mold structure after curing from the imprint resist, which causes damage to the transferred concavo-convex pattern.
Note that Patent Document 6 discloses an imprint mold structure in which a wall angle is defined as 30 ° to 80 °, but no countermeasure is taken against volume shrinkage during curing of the imprint resist composition. There was room for improvement.

したがって、インプリントレジストに対する転写性、及びインプリントレジストからの剥離性が高く、インプリントレジストの硬化後の体積収縮の影響を低減してディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを転写形成するインプリント用モールド構造体、及びその関連技術は未だ実現されておらず、その提供が望まれているのが現状である。   Therefore, the transfer property to the imprint resist and the peelability from the imprint resist are high, and the effect of volume shrinkage after curing of the imprint resist is reduced to transfer high-quality patterns to discrete track media and patterned media. The imprint mold structure to be formed and the related technology have not been realized yet, and the provision of the structure is desired.

特開昭56−119934号公報Japanese Patent Laid-Open No. 56-119934 特開平2−201730号公報JP-A-2-201730 特開平3−22211号公報JP-A-3-22211 特開2004−221465号公報JP 2004-221465 A 米国特許5772905号明細書US Pat. No. 5,772,905 特開2006−164393号公報JP 2006-164393 A S.Y.Chou, et al., Appl. Phys. Lett., vol.67, 3314, 1995S. Y. Chou, et al. , Appl. Phys. Lett. , Vol. 67, 3314, 1995

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、インプリントレジストに対する転写性、及びインプリントレジストからの剥離性が高く、インプリントレジストの硬化後の体積収縮の影響を低減してディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを転写形成するインプリント用モールド構造体、インプリント方法、磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this present condition, and makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. In other words, the present invention has high transferability to the imprint resist and peelability from the imprint resist, and reduces the influence of volume shrinkage after the imprint resist is cured, so that it has high quality for discrete track media and patterned media. It is an object of the present invention to provide an imprint mold structure for imprinting a simple pattern, an imprint method, a method for manufacturing a magnetic recording medium, and a magnetic recording medium.

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 円板状の基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなり、他の基板上に形成されたインプリントレジスト層に対し、前記凹凸部を対向させて前記インプリントレジスト層に前記凹凸部に基づく凹凸パターンを転写するのに用いられるインプリント用モールド構造体であって、前記凸部が配列された方向における前記凹凸部の断面形状が、下記数式(1)〜(3)を満たすことを特徴とするインプリント用モールド構造体である。
40°≦θ<90°・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(1)
SRas>SRab・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(2)
LRah>LRav・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(3)
ただし、上記数式(1)において、θ(°)は、前記表面と、前記凸部の側壁部とのなす壁角度を表し、上記数式(2)において、SRasは、前記側壁部の面平均粗さを表し、SRabは、前記凹部の底部の面平均粗さを表し、上記数式(3)において、LRahは、前記凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さを表し、LRavは、前記側壁部に沿った方向における前記側壁部の線平均粗さを表す。
該<1>に記載のインプリント用モールド構造体においては、前記凹部の底部の面平均粗さSRabよりも、前記側壁部の面平均粗さSRasが大であることにより、転写後に行われる硬化工程において、前記側壁部において密着したインプリントレジスト層をアンカー効果により保持し、インプリントレジスト層の体積収縮を抑制することができる。
また、前記表面と、凸部の側壁部とのなす壁角度θが90°未満であること、及び前記凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さLRahが、前記側壁部に沿った方向における前記側壁部の線平均粗さLRavよりも大であることにより、前記インプリント用モールド構造体の凸部の配列方向における前記凸部の断面形状が、テーパー形状をなしており、前記側壁部に沿った方向がインプリントレジスト層に対してインプリント用モールドを離間させる方向であることから、インプリントレジスト層に対するインプリント用モールド構造体の剥離性が向上する。
<2> 凹凸部は、基板の略中心部を基準に同心円状に複数の凸部が形成されてなる第1の凹凸部、及び基板の略中心部を基準に放射状に複数の凸部が形成されてなる第2の凹凸部の少なくともいずれかを有する前記<1>に記載のインプリント用モールド構造体である。
<3> 凸部の側壁部の面平均粗さSRas、及び底部の面平均粗さSRabが、いずれも0.1nm以上10nm以下である前記<1>から<2>のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
<4> 凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さLRah、及び前記側壁部に沿った方向における前記側壁部の線平均粗さLRavが、いずれも0.1nm以上10nm以下である前記<1>から<3>のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
<5> 石英、ニッケル、及び樹脂のいずれかの材料からなる前記<1>から<4>のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
<6> 前記<1>から<5>のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
<7> 前記<1>から<5>のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
<8> 前記<7>に記載の磁気記録媒体の製造方法によって作製されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
Means for solving the problems are as follows. That is,
<1> It has a concave and convex portion formed by arranging a plurality of convex portions on one surface of the disc-shaped substrate and the surface on the basis of the surface, on another substrate An imprint mold structure used for transferring a concavo-convex pattern based on the concavo-convex portion to the imprint resist layer with the concavo-convex portion opposed to the formed imprint resist layer, the convex portion The imprint mold structure is characterized in that a cross-sectional shape of the concavo-convex portion in a direction in which the slabs are arranged satisfies the following mathematical formulas (1) to (3).
40 ° ≦ θ <90 ° ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Equation (1)
SRas> SRab ... Formula (2)
LRah> LRav ........................... Formula (3)
However, in the formula (1), θ (°) represents a wall angle formed by the surface and the side wall portion of the convex portion, and in the formula (2), SRas is a surface average roughness of the side wall portion. SRab represents the surface average roughness of the bottom of the concave portion, and in the above formula (3), LRah represents the line average roughness of the side wall portion in the direction in which the convex portion is extended, and LRav Represents the line average roughness of the side wall in the direction along the side wall.
In the mold structure for imprints according to <1>, the surface average roughness SRas of the side wall portion is larger than the surface average roughness SRab of the bottom portion of the recess, so that the curing performed after transfer is performed. In the step, the imprint resist layer closely adhered to the side wall portion can be held by an anchor effect, and volume shrinkage of the imprint resist layer can be suppressed.
Further, the wall angle θ formed by the surface and the side wall portion of the convex portion is less than 90 °, and the line average roughness LRah of the side wall portion in the direction in which the convex portion is extended is By being larger than the line average roughness LRav of the side wall portion in the direction along, the cross-sectional shape of the convex portion in the arrangement direction of the convex portion of the imprint mold structure has a tapered shape, Since the direction along the side wall portion is a direction in which the imprint mold is separated from the imprint resist layer, the peelability of the imprint mold structure with respect to the imprint resist layer is improved.
<2> The concavo-convex portion is a first concavo-convex portion in which a plurality of convex portions are formed concentrically with respect to a substantially central portion of the substrate, and a plurality of convex portions are radially formed with reference to the substantially central portion of the substrate It is an imprint mold structure as described in said <1> which has at least any one of the 2nd uneven | corrugated | grooved part formed.
<3> The surface average roughness SRas of the side wall portion of the convex portion and the surface average roughness SRab of the bottom portion are both 0.1 nm or more and 10 nm or less. This is a mold structure for printing.
<4> The line average roughness LRah of the side wall part in the direction in which the convex part is extended and the line average roughness LRav of the side wall part in the direction along the side wall part are both 0.1 nm or more and 10 nm or less. The imprint mold structure according to any one of <1> to <3>.
<5> The imprint mold structure according to any one of <1> to <4>, which is made of any material of quartz, nickel, and resin.
<6> The imprint mold structure according to any one of <1> to <5> is pressed against an imprint resist layer made of an imprint resist composition formed on a substrate of a magnetic recording medium. It is an imprint method characterized by including at least the transfer process which transfers the uneven | corrugated pattern based on the uneven | corrugated | grooved part formed in the said mold structure for imprints.
<7> The imprint mold structure according to any one of <1> to <5> is pressed against an imprint resist layer formed on a substrate of a magnetic recording medium. A transfer process for transferring the concavo-convex pattern formed on,
Using the imprint resist layer to which the concavo-convex pattern is transferred as a mask, the magnetic layer formed on the surface of the substrate of the magnetic recording medium is etched to form a magnetic pattern portion based on the concavo-convex pattern in the magnetic layer. A magnetic pattern portion forming step;
A non-magnetic pattern part forming step of embedding a non-magnetic material in the recess formed on the magnetic layer;
A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising:
<8> A magnetic recording medium produced by the method for producing a magnetic recording medium according to <7>.

本発明によると、インプリントレジストに対する転写性、及びインプリントレジストからの剥離性が高く、インプリントレジストの硬化後の体積収縮の影響を低減してディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを転写形成するインプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いることによって転写精度を向上させたインプリント方法、並びに、記録特性、及び再生特性を向上させた磁気記録媒体、及びその製造方法を提供することができる。   According to the present invention, the transfer property to the imprint resist and the releasability from the imprint resist are high, and the influence of volume shrinkage after curing of the imprint resist is reduced, so that the quality of the discrete track media and patterned media is high. Imprint mold structure for transferring pattern, imprint method for improving transfer accuracy by using the imprint mold structure, and magnetic recording medium having improved recording characteristics and reproduction characteristics, And a manufacturing method thereof.

以下、本発明の中でDTM用インプリント用モールド構造体について図面を参照して説明する。
(インプリント用モールド構造体)
図1は、本発明に係るインプリント用モールド構造体の一実施形態における構成を示す部分断面斜視図である。
図1に示すように、本実施形態のインプリント用モールド構造体1は、円板状の基板2の一の表面2a(以下、「基準面2a」ということがある。)に、複数の凸部4が同心円状に、所定の間隔で形成されてなり、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
前記凸部は、磁気記録媒体のサーボ部及びデータ部に対応して設けられている。前記データ部は、略同心円状の凸パターンからなり、データを記録する領域である。前記サーボ部は、凸部面積の異なる複数種類の凸パターンからなる。前記サーボ部としては、トラッキングサーボ制御用の信号に対応するものであり、例えば、プリアンブル、サーボタイミングマーク、アドレスパターン、バーストパターン等で主に旺盛されている。前記プリアンブルパターンは、アドレスパターン領域等から各種制御信号を読み取るための基準クロック信号を生成する部位である。前記サーボタイミングマークは、アドレス、バーストパターンを読み取るためのトリガー信号である。前記アドレスマークは、セクタ(角度)情報、トラック(半径)情報で構成されており、ディスクの絶対位置(アドレス)を示している。前記バーストパターンは、磁気ヘッドがオントラック状態にあるとき、ヘッド走行位置を微調整し、高精度な位置決めを達成する機能を有している。
なお、本実施形態の説明では、凸部4、及び複数の凸部4間に形成された凹部5を凹凸部3ということがある。
具体的には、凸部4は、基板2に対して所定の壁角度で基板2の半径方向に傾斜した傾斜面である側壁部4aと、相互に対向して傾斜した側壁部4aを表面2aに略並行に連結する頂部4bとから構成される。したがって、前記同心円の半径方向(凸部4が列設されている方向)における凸部4の断面形状は、台形をなし、等脚台形であることが好ましい。
また、前記凸部4の断面形状は、目的に応じて、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
また、凹部5は、相互に離間するように傾斜した2つの側壁部4a,4aと、表面2aとによって構成される。
以下、本実施形態の説明において、「断面(形状)」とは、特に断りがない限り、前記同心円の半径方向(凸部4が列設されている方向)における断面(形状)を指す。
また、基板2の厚みは、0.01mm以上1.5mm未満であることが好ましい。
また、基板2の凸部4の高さ(凹部5の深さ)Hは、10〜800nmの範囲が好ましく、30〜300nmがより好ましい。
Hereinafter, the DTM imprint mold structure in the present invention will be described with reference to the drawings.
(Imprint mold structure)
FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing a configuration in an embodiment of an imprint mold structure according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the imprint mold structure 1 of the present embodiment has a plurality of protrusions on one surface 2 a (hereinafter, also referred to as “reference surface 2 a”) of a disk-shaped substrate 2. The parts 4 are formed concentrically at a predetermined interval, and further include other members as necessary.
The convex portion is provided corresponding to the servo portion and the data portion of the magnetic recording medium. The data portion is an area in which data is recorded, having a substantially concentric convex pattern. The servo part is composed of a plurality of types of convex patterns having different convex part areas. The servo unit corresponds to a signal for tracking servo control, and is mainly concentrated in, for example, a preamble, a servo timing mark, an address pattern, a burst pattern, and the like. The preamble pattern is a part that generates a reference clock signal for reading various control signals from an address pattern region or the like. The servo timing mark is a trigger signal for reading an address and a burst pattern. The address mark is composed of sector (angle) information and track (radius) information, and indicates the absolute position (address) of the disk. The burst pattern has a function of finely adjusting the head traveling position to achieve highly accurate positioning when the magnetic head is in an on-track state.
In the description of this embodiment, the convex portion 4 and the concave portion 5 formed between the plurality of convex portions 4 may be referred to as the concave and convex portion 3.
Specifically, the convex portion 4 includes a side wall portion 4a that is an inclined surface inclined in the radial direction of the substrate 2 at a predetermined wall angle with respect to the substrate 2, and a side wall portion 4a that is inclined opposite to the surface 2a. And a top portion 4b connected substantially in parallel. Therefore, the cross-sectional shape of the convex portion 4 in the radial direction of the concentric circles (the direction in which the convex portions 4 are arranged) is preferably a trapezoid and is an isosceles trapezoid.
Moreover, the cross-sectional shape of the said convex part 4 can select arbitrary shapes by controlling the etching process mentioned later according to the objective.
Moreover, the recessed part 5 is comprised by the two side wall parts 4a and 4a inclined so that it might mutually space apart, and the surface 2a.
Hereinafter, in the description of the present embodiment, “cross section (shape)” refers to a cross section (shape) in the radial direction of the concentric circle (direction in which the convex portions 4 are arranged) unless otherwise specified.
Moreover, it is preferable that the thickness of the board | substrate 2 is 0.01 mm or more and less than 1.5 mm.
Moreover, the height (depth of the recessed part 5) H of the convex part 4 of the board | substrate 2 has the preferable range of 10-800 nm, and its 30-300 nm is more preferable.

前記モールド構造体の基板2材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料が好適である。
前記金属としては、例えばNi、Cu、Al、Mo、Co、Cr、Ta、Pd、Pt、Au等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ni、Ni合金が特に好ましい。
前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリメタアクリル酸メチル(PMMA)、トリアセテートセルロース(TAC)、低融点フッ素樹脂等が用いられる。
There is no restriction | limiting in particular as the board | substrate 2 material of the said mold structure, Although it can select suitably according to the objective, Any material of quartz, a metal, and resin is suitable.
As said metal, various metals, such as Ni, Cu, Al, Mo, Co, Cr, Ta, Pd, Pt, Au, or these alloys can be used, for example. Among these, Ni and Ni alloys are particularly preferable.
Examples of the resin include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), triacetate cellulose (TAC), and a low melting point fluororesin.

−その他の部材−
前記その他の部材としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基板2上に層状に形成され、インプリントレジスト層に対して剥離機能を備えたモールド表層等が挙げられる。
-Other components-
The other members are not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, the other members are formed in layers on the substrate 2 and are peeled off from the imprint resist layer. Examples include a mold surface layer having a function.

本発明のインプリント用モールド構造体1は、表面2aと、凸部4の側壁部4aとのなす壁角度をθ(°)とし、側壁部4aの面平均粗さをSRasとし、凹部5の底部(凹部5を構成する側壁部4a,4aによって挟まれた表面2a)の面平均粗さをSRabとし、凸部4が延設された方向における側壁部4aの線平均粗さをLRahとし、凸部4が配列された方向における側壁部4aの線平均粗さをLRavとしたとき、下記数式(1)〜(3)を満たすことが好ましい。
40°≦θ<90°・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(1)
SRas>SRab・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(2)
LRah>LRav・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(3)
In the imprint mold structure 1 of the present invention, the wall angle formed between the surface 2a and the side wall portion 4a of the convex portion 4 is θ (°), the surface average roughness of the side wall portion 4a is SRas, and the concave portion 5 The surface average roughness of the bottom (surface 2a sandwiched between the side walls 4a, 4a constituting the recess 5) is SRab, and the line average roughness of the side wall 4a in the direction in which the protrusion 4 extends is LRah, When the line average roughness of the side wall portion 4a in the direction in which the convex portions 4 are arranged is LRav, it is preferable that the following mathematical formulas (1) to (3) are satisfied.
40 ° ≦ θ <90 ° ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Equation (1)
SRas> SRab ... Formula (2)
LRah> LRav ........................... Formula (3)

ここで、表面2aと、凸部4の側壁部4aとのなす壁角度θは、該凸部4を構成する一の側壁部4a、及び他の側壁部のうち、一の側壁部4aが他の側壁部4aに傾斜する側の表面2aとのなす角度である。
なお、上記式(1)において、θが40°未満であると、隣接するパターンを充分密にできず、磁性層のパターニングが疎となるため、記録密度を向上させる目的を達成することができない。また、前記θが90°以上であると、インプリントレジストを硬化させた後に、剥離する際、インプリント用モールド構造体上に形成された凹凸部と、該凹凸部によって形成されたインプリントレジスト上の凹凸パターンとが干渉して、剥離できなくなる問題がある。
Here, the wall angle θ formed by the surface 2a and the side wall portion 4a of the convex portion 4 is different from one side wall portion 4a constituting the convex portion 4 and one side wall portion 4a among the other side wall portions. The angle formed with the surface 2a on the side inclined to the side wall portion 4a.
In the above formula (1), if θ is less than 40 °, adjacent patterns cannot be made sufficiently dense, and patterning of the magnetic layer becomes sparse, so that the purpose of improving the recording density cannot be achieved. . Further, when the θ is 90 ° or more, when the imprint resist is cured and then peeled, the uneven portion formed on the imprint mold structure and the imprint resist formed by the uneven portion There is a problem that the upper uneven pattern interferes and cannot be peeled off.

また、側壁部4aの面平均粗さ(SRas)は、異なる2つの凸部4,4を構成する4つの側壁部の面平均粗さをAFM(原子間力顕微鏡)によって、側壁部4aとプローブの間に働く原子間力を測定し、測定された値を平均することによって求められる。
側壁部4aの面平均粗さ(SRas)は、0.1nm〜10nmであることがより好ましい。
Further, the surface average roughness (SRas) of the side wall 4a is obtained by measuring the surface average roughness of the four side walls constituting the two different convex portions 4 and 4 by the AFM (atomic force microscope) and the probe 4a. It is calculated | required by measuring the atomic force which acts between these, and averaging the measured value.
The surface average roughness (SRas) of the side wall part 4a is more preferably 0.1 nm to 10 nm.

更に、凹部5の底部の面平均粗さ(SRab)は、異なる2つの凹部5,5を構成する2つの底部の面平均粗さをAFM(原子間力顕微鏡)によって、側壁部4aとプローブの間に働く原子間力を測定し、測定された値を平均することによって求められる。
凹部5の底部の面平均粗さ(SRab)は、0.1nm〜10nmであることがより好ましい。
なお、上記式(2)において、SRas≦SRabであると、インプリントレジストを硬化させた際に生じる体積収縮によって、高さ方向にアンカー効果が生じるため、最も重要な幅方向におけるパターン精度が劣化し、結果的に磁性層のパターンエリアが小さくなってしまう問題がある。
Further, the surface average roughness (SRab) of the bottom of the concave portion 5 is obtained by using the AFM (atomic force microscope) to calculate the surface average roughness of two bottom portions constituting two different concave portions 5 and 5. It is obtained by measuring the interatomic force acting between them and averaging the measured values.
The surface average roughness (SRab) of the bottom of the recess 5 is more preferably 0.1 nm to 10 nm.
In the above formula (2), if SRas ≦ SRab, an anchor effect occurs in the height direction due to volume shrinkage that occurs when the imprint resist is cured, so that the most important pattern accuracy in the width direction is degraded. As a result, there is a problem that the pattern area of the magnetic layer becomes small.

また、凸部4が延設された方向における側壁部4aの線平均粗さ(LRah)は、具体的には、図1に示すように、基準面2aに対して凸部4の平均高さの半分(H/2)の間隔で略平行な面S1と、側壁部4aとの交線L1における線平均粗さであり、上記側壁面の面平均表面粗さの測定データから、該交線箇所のデータを抽出することで、線平均粗さを求めることができる。
凸部4が延設された方向における側壁部4aの線平均粗さ(LRah)は、0.1nm〜10nmであることがより好ましい。
Moreover, the line average roughness (LRah) of the side wall part 4a in the direction in which the convex part 4 extends is specifically the average height of the convex part 4 with respect to the reference surface 2a, as shown in FIG. Is the line average roughness at the intersection line L1 between the plane S1 and the side wall portion 4a that are substantially parallel with a half (H / 2) interval, and from the measurement data of the plane average surface roughness of the side wall surface, the intersection line The line average roughness can be obtained by extracting the data at the location.
The line average roughness (LRah) of the side wall part 4a in the direction in which the convex part 4 is extended is more preferably 0.1 nm to 10 nm.

更に、側壁部4aに沿った方向における側壁部4aの線平均粗さ(LRav)は、具体的には、図1に示すように、凸部4の配列方向(図中、半径方向)を含み、基準面2aに対して直交する面S2と、側壁部4aとの交線L2における線平均粗さであり、上記側壁面粗さ測定データから、該交線箇所のデータを抽出することで、線平均粗さを求めることができる。
側壁部4aに沿った方向における側壁部4aの線平均粗さ(LRav)は、0.1nm〜10nmであることがより好ましい。
なお、上記式(3)において、LRah≦LRavであると、インプリントレジスト組成物を硬化させた後、剥離する際に、該インプリントレジスト層が、インプリント用モールド構造体の側壁部の荒れに引っかかり、レジストパターンがもげる問題がある。
Further, the line average roughness (LRav) of the side wall part 4a in the direction along the side wall part 4a specifically includes the arrangement direction of the convex parts 4 (radial direction in the drawing) as shown in FIG. , The line average roughness at the intersection line L2 between the surface S2 orthogonal to the reference plane 2a and the side wall 4a, and by extracting the data of the intersection line from the side wall surface roughness measurement data, The line average roughness can be determined.
The line average roughness (LRav) of the side wall part 4a in the direction along the side wall part 4a is more preferably 0.1 nm to 10 nm.
In the above formula (3), when LRah ≦ LRav, when the imprint resist composition is cured and then peeled, the imprint resist layer becomes rough on the side wall of the imprint mold structure. There is a problem that the resist pattern peels off.

以上、本発明のインプリント用モールド構造体に設けられる凹凸部として、基板2の円周方向に沿って形成された凹凸部3の形態(データパターン)を示したが、前記凹凸部の他の形態として、基板2の中心部から放射状に凸部が配列されることによって凹凸部を形成した形態(サーボパターン)も含まれる。   As mentioned above, although the form (data pattern) of the uneven | corrugated | grooved part 3 formed along the circumferential direction of the board | substrate 2 was shown as an uneven | corrugated | grooved part provided in the mold structure for imprints of this invention, As a form, the form (servo pattern) which formed the uneven | corrugated | grooved part by arranging a convex part radially from the center part of the board | substrate 2 is also contained.

(インプリント用モールド構造体の作製方法)
以下、インプリント用モールド構造体の作製方法について図面を参照して説明する。
(Method for producing imprint mold structure)
Hereinafter, a method for producing an imprint mold structure will be described with reference to the drawings.

<第1の実施形態>
<<原盤の作製>>
図2A〜Bは、インプリント用モールド構造体の作製方法を示す断面図である。図2Aに示すように、まず、Si基板10上に、スピンコートなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する(フォトレジスト層形成工程)。
その後、Si基板10を回転させながら、データ記録用トラック及びサーボ信号の少なくともいずれかに対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射する(描画工程)。
ここで、該描画工程において、描画条件(具体的には、ビームエネルギー、入射角度、ビーム強度分布、ステージ移動精度)を好適な範囲で選択することによって、前記凹部の側壁部の表面粗さが、底部の表面粗さよりも大となるように、かつ前記凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さが、前記側壁部に沿った方向における前記側壁部の線平均粗さよりも大となるように形成する。
その後、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば略同心円状の凸パターンからなるデータトラックパターンと、凸部面積の異なる複数種類の凸パターンからなるサーボパターンと、前記データトラックパターンと前記サーボパターンとの間に半径方向に繋がった略放射状の凸パターンからなる緩衝パターンとを露光する(露光工程)。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIE(反応性イオンエッチング)などの選択エッチングを行い(エッチング工程)、基板10に凹凸パターンを形成する。次に、残余レジスト層21を除去して、凹凸形状を有する原盤11を得る。
具体的には、ビーム中心に向かってビーム強度が大きくなる電子線を用いることで、現像後ビーム描画箇所にレジスト残渣がなく、レジスト残部との境界線粗さ(LER)が2nm以内とすることができる。
ここで、前記エッチング工程において、エッチングガス種やその混合比、及びエッチング条件(具体的には、プロセス圧力、バイアスパワー等)を好適な範囲で選択することによって、前記θの角度を40°以上、90°未満の範囲で形成する。
具体的には、0.1〜10.0Paの圧力で、CF系ガスに希ガス、水素ガス、酸素ガス等を導入し、プラズマ源に100−1,000W、基板側に20−400Wのパワーを投入する。壁角度を垂直方向にするためには、低圧の方が好ましく、希ガスなど化学反応を用いず物理的にスパッタエッチするガスを多く用い、基板側への投入電力を高めることで、得られる。
<First Embodiment>
<< Preparation of master disk >>
2A and 2B are cross-sectional views showing a method for producing an imprint mold structure. As shown in FIG. 2A, first, a photoresist solution such as PMMA is applied on the Si substrate 10 by spin coating or the like to form a photoresist layer 21 (photoresist layer forming step).
Thereafter, while rotating the Si substrate 10, a laser beam (or electron beam) modulated corresponding to at least one of the data recording track and the servo signal is irradiated (drawing step).
Here, in the drawing step, by selecting drawing conditions (specifically, beam energy, incident angle, beam intensity distribution, stage movement accuracy) within a suitable range, the surface roughness of the side wall of the recess is reduced. The line average roughness of the side wall in the direction in which the convex portion extends is larger than the line average roughness of the side wall in the direction along the side wall so as to be larger than the surface roughness of the bottom. Form to be large.
Thereafter, a predetermined pattern on the entire surface of the photoresist, for example, a data track pattern composed of a substantially concentric convex pattern, a servo pattern composed of a plurality of types of convex patterns having different convex areas, and the data track pattern and the servo pattern A buffer pattern composed of substantially radial convex patterns connected in the radial direction is exposed (exposure process).
Thereafter, the photoresist layer 21 is developed, the exposed portion is removed, selective etching such as RIE (reactive ion etching) is performed using the pattern of the removed photoresist layer 21 as a mask (etching step), and the substrate An uneven pattern is formed on 10. Next, the remaining resist layer 21 is removed to obtain a master 11 having an uneven shape.
Specifically, by using an electron beam whose beam intensity increases toward the center of the beam, there is no resist residue at the post-development beam drawing location, and the boundary line roughness (LER) with the resist remainder is within 2 nm. Can do.
Here, in the etching step, the angle of θ is set to 40 ° or more by selecting an etching gas species, a mixing ratio thereof, and etching conditions (specifically, process pressure, bias power, etc.) within a suitable range. , In a range of less than 90 °.
Specifically, a rare gas, hydrogen gas, oxygen gas or the like is introduced into the CF-based gas at a pressure of 0.1 to 10.0 Pa, power of 100 to 1,000 W for the plasma source, and power of 20 to 400 W for the substrate side. . In order to make the wall angle in the vertical direction, a low pressure is preferable, and it can be obtained by using a large amount of a gas that is physically sputter-etched without using a chemical reaction such as a rare gas and increasing the input power to the substrate side.

<<インプリント用モールド構造体の作製>>
次に、図2Bに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24が一の面に形成された被加工基板としての石英基板30に対して、原盤11を押し当て、原盤11上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層24に転写される(転写工程)。
<< Preparation of mold structure for imprint >>
Next, as shown in FIG. 2B, with respect to a quartz substrate 30 as a substrate to be processed on which an imprint resist layer 24 formed by applying an imprint resist solution containing a photocurable resin is formed on one surface. Then, the master 11 is pressed, and the pattern of the convex portions formed on the master 11 is transferred to the imprint resist layer 24 (transfer process).

<<インプリントレジスト層>>
前記インプリントレジスト層は、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物(以下、「インプリントレジスト液」ということがある。)を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
インプリントレジスト層24の厚さとしては、前記凸部の高さ寸法に対して10〜200%の厚さが好ましく、20〜150%の厚さがより好ましい。具体的な厚さとしては、10〜100nmが好ましい。
インプリントレジスト層24の厚さは、例えば、エリプソメーターを用いた光学的な測定あるいは触針式段差式、原子間力顕微鏡(AFM)等の接触測定法により計測できる。
また、前記インプリントレジスト組成物としては、熱可塑性を有するもの、あるいは光硬化性を有するもの、あるいは、ゾルゲルなどが用いられる。それらの特徴を有し、かつドライエッチング耐性の高いノボラック樹脂、エポキシ樹脂、脂環式樹脂や、剥離性の良好なフッ素系樹脂などが好適である。
<< imprint resist layer >>
The imprint resist layer includes, for example, an imprint resist composition containing at least one of a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a photocurable resin (hereinafter sometimes referred to as “imprint resist solution”). Is a layer formed by applying to the substrate of the magnetic recording medium.
The thickness of the imprint resist layer 24 is preferably 10 to 200%, more preferably 20 to 150%, with respect to the height of the convex portion. A specific thickness is preferably 10 to 100 nm.
The thickness of the imprint resist layer 24 can be measured, for example, by optical measurement using an ellipsometer or a contact measurement method such as a stylus type step type, an atomic force microscope (AFM).
In addition, as the imprint resist composition, those having thermoplasticity, those having photocurability, sol-gel, or the like are used. A novolak resin, an epoxy resin, an alicyclic resin, or a fluorine-based resin with good peelability having these characteristics and high dry etching resistance is suitable.

ここで、前記被加工基板30の材料としては、光透過性を有し、インプリント用モールド構造体1として機能する強度を有する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、石英(SiO)や、有機樹脂(PET、PEN、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂、PMMA)等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、インプリントレジスト層24が形成される被加工基板30の一の面から出射するように、被加工基板30の他の面から光を入射させた場合に、前記インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他の面から前記一の面への光透過率が50%以上であることを意味する。
また、前記「インプリント用モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に対して、平均面圧力が4kgf/cmという条件下で押し当て、加圧しても、剥離可能に破損しない強度を意味する。
Here, the material of the substrate to be processed 30 is not particularly limited as long as it is a material having optical transparency and functioning as the imprint mold structure 1, and is appropriately selected according to the purpose. Examples thereof include quartz (SiO 2 ) and organic resins (PET, PEN, polycarbonate, low melting point fluororesin, PMMA) and the like.
Further, the “having light transmissivity” specifically means that the light is emitted from the other surface of the substrate to be processed 30 so as to be emitted from the one surface of the substrate to be processed 30 on which the imprint resist layer 24 is formed. It means that the imprint resist solution is sufficiently cured when light is incident, and at least the light transmittance from the other surface to the one surface is 50% or more. To do.
Further, “having the strength to function as an imprint mold structure” means that the average surface pressure is 4 kgf / cm 2 with respect to the imprint resist layer formed on the substrate of the magnetic recording medium. It means the strength that does not break in a peelable manner even when pressed or pressed.

<<硬化工程>>
その後、インプリントレジスト層24に紫外線などの光を照射して転写されたパターンを硬化させる。
<< Curing process >>
Thereafter, the imprint resist layer 24 is irradiated with light such as ultraviolet rays to cure the transferred pattern.

<<パターン形成工程>>
その後、転写されたパターンをマスクにしてRIEなどの選択エッチングを行い、図1に示すような凹凸形状を有するインプリント用モールド構造体1を得る。
<<剥離層形成工程>>
作製したモールド構造体の凹凸面に剥離剤層を形成する。剥離剤はインプリント後にモールド構造体とインプリントレジスト層の界面で剥離できるよう、モールド構造体表面に形成することが好ましい。剥離剤材料としては、モールド構造体に付着、結合しやすく、インプリントレジスト層表面に吸着しにくいという目的に合致する中で、適宜選択できる。中でもレジスト層表面に吸着しにくいと言う点で、フッ素系樹脂が好ましい。
剥離剤層厚みとしては、厚いとパターン精度が劣化するため、可能な限り薄層化することが好ましく、具体的には10nm以下が好ましく、5nm以下がより好ましい。
剥離剤層の形成手段としては、塗布または蒸着手段を用いることができる。さらに、剥離剤層を形成した後、ベーキング等の手段によりモールド構造体への吸着性を高める等の工程を付与してもよい。
<< Pattern formation process >>
After that, selective etching such as RIE is performed using the transferred pattern as a mask to obtain an imprint mold structure 1 having an uneven shape as shown in FIG.
<< Peeling layer forming process >>
A release agent layer is formed on the irregular surface of the produced mold structure. The release agent is preferably formed on the surface of the mold structure so that it can be peeled off at the interface between the mold structure and the imprint resist layer after imprinting. The release agent material can be appropriately selected as long as it meets the purpose of being easily adhered and bonded to the mold structure and hardly adsorbed on the surface of the imprint resist layer. Among these, a fluorine-based resin is preferable in that it hardly adheres to the resist layer surface.
When the release agent layer is thick, the pattern accuracy deteriorates. Therefore, it is preferable to make the layer as thin as possible, specifically 10 nm or less, more preferably 5 nm or less.
As a means for forming the release agent layer, a coating or vapor deposition means can be used. Further, after the release agent layer is formed, a step of increasing the adsorptivity to the mold structure by means such as baking may be applied.

<第2の実施形態>
<<原盤の作製>>
図3A〜Bは、第2の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。第1の実施形態と同様に凹凸パターンを有する原盤11を作製した。
<<モールド構造体の作製>>
該原盤の表面にスパッタリング法により、導電膜を形成し、該導電膜が付与された原盤を、Ni電鋳浴に浸漬させて電鋳処理を行い、Niモールド構造体を作製した。
前記原盤11の凹凸パターン上への導電膜22の形成は、導電材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、メッキ法などを用いて行うことができる。前記導電材料としては、後工程(電鋳)に応じて適宜選択できるが、Ni系、Fe系、Co系の金属または合金材料等が好ましい。電鋳処理により得られたNiモールド構造体の厚みは、20〜800μmの範囲が好ましく、40〜400μmがより好ましい。
<<剥離層形成工程>>
前記第1の実施形態と同様にNiモールド構造体の表面に剥離剤層を形成することが好ましい。
<Second Embodiment>
<< Preparation of master disk >>
3A and 3B are cross-sectional views illustrating a method for producing a mold structure according to the second embodiment. A master 11 having a concavo-convex pattern was produced as in the first embodiment.
<< Production of mold structure >>
A conductive film was formed on the surface of the master by a sputtering method, and the master provided with the conductive film was immersed in a Ni electroforming bath and subjected to electroforming to prepare a Ni mold structure.
The conductive film 22 can be formed on the concavo-convex pattern of the master 11 by using a conductive material as a vacuum film forming means such as a vacuum deposition method, a sputtering method or an ion plating method, a plating method, or the like. The conductive material can be appropriately selected according to the post-process (electroforming), but Ni-based, Fe-based, Co-based metals or alloy materials are preferable. The thickness of the Ni mold structure obtained by electroforming is preferably in the range of 20 to 800 μm, more preferably 40 to 400 μm.
<< Peeling layer forming process >>
As in the first embodiment, it is preferable to form a release agent layer on the surface of the Ni mold structure.

<第3の実施形態>
<<原盤の作製>>
図4A〜Bは、第3の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。第1の実施形態と同様に凹凸パターンを有する原盤11を作製した。
<<モールド構造体の作製>>
熱可塑性樹脂シートに対して、前記原盤を押し当てた。その後、加熱して樹脂の軟化点以上の温度とすることで、樹脂の粘度が低下し原盤上に形成された凸部のパターンが樹脂シートに転写された。その後、冷却して転写されたパターンを硬化させ、原盤から樹脂シートを剥離することで、凹凸形状を有する樹脂モールド構造体を作製した。
ここで、樹脂材料としては、熱可塑性、光透過性を有し、モールド構造体として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、PET、PEN、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂、PMMA等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、被加工基板にインプリントレジスト層が形成される一方の面から出射するように、前記被加工基板の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジストが十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面への光透過率が50%以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に対して、平均面圧力が4kgf/cmという条件下で押し当て、加圧しても耐えられるような強度を意味する。
<<剥離層形成工程>>
前記第1の実施形態と同様に樹脂モールド構造体の表面に剥離剤層を形成することが好ましい。本発明のモールド構造体は、該モールド構造体の凸部をレジスト層に対向させて該レジスト層に前記凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むインプリント方法に好適に用いられ、以下に説明する本発明の磁気記録媒体の製造方法に特に好適である。
<Third Embodiment>
<< Preparation of master disk >>
4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method for producing a mold structure according to the third embodiment. A master 11 having a concavo-convex pattern was produced as in the first embodiment.
<< Production of mold structure >>
The master was pressed against the thermoplastic resin sheet. Then, by heating to a temperature equal to or higher than the softening point of the resin, the viscosity of the resin was lowered, and the pattern of the protrusions formed on the master was transferred to the resin sheet. Then, the pattern transferred by cooling was cured, and the resin sheet was peeled from the master to produce a resin mold structure having an uneven shape.
Here, the resin material is appropriately selected according to the purpose without particular limitation as long as it is a material having thermoplasticity, light transmittance, and strength that functions as a mold structure. For example, PET , PEN, polycarbonate, low melting point fluororesin, PMMA and the like.
Further, the “having light transmittance” specifically means that light is emitted from the other surface of the substrate to be processed so that the light is emitted from one surface on which the imprint resist layer is formed on the substrate to be processed. This means that the imprint resist is sufficiently cured when incident, and at least the light transmittance from the other surface to the one surface is 50% or more.
Further, “having the strength to function as a mold structure” means that the imprint resist layer formed on the substrate of the magnetic recording medium is pressed against the imprint resist layer under the condition that the average surface pressure is 4 kgf / cm 2 . It means strength that can withstand pressure.
<< Peeling layer forming process >>
As in the first embodiment, it is preferable to form a release agent layer on the surface of the resin mold structure. The mold structure of the present invention is suitably used for an imprint method including at least a transfer step of transferring the concavo-convex pattern to the resist layer with the convex portion of the mold structure facing the resist layer, which will be described below. It is particularly suitable for the method for producing a magnetic recording medium of the present invention.

<磁気記録媒体の作製方法>
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて作製されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を、図面を参照して説明する。但し、本発明に係る磁気記録媒体は、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて製造されていれば、下記の製造方法以外の製造方法により作製されたものであってもよい。
<Method for producing magnetic recording medium>
Hereinafter, a magnetic recording medium such as a discrete track medium and a patterned medium manufactured using the imprint mold structure according to the present invention will be described with reference to the drawings. However, the magnetic recording medium according to the present invention may be manufactured by a manufacturing method other than the following manufacturing method as long as it is manufactured using the imprint mold structure according to the present invention.

[転写工程]
アルミニウム、ガラス、シリコン、石英等の基板上に、Fe又はFe合金、Co又はCo合金等の磁性層50を有する磁気記録媒体中間体の磁性層上にポリメタアクリル酸メチル(PMMA)等のインプリントレジスト液を塗布してなるレジスト層24を形成したレジスト層付き磁気記録媒体中間体に対して、表面に凹凸パターンが形成されたモールド構造体を押し当て、加圧することにより、モールド構造体上に形成された凹凸パターンをレジスト層24に転写する。
[Transfer process]
On a magnetic layer of a magnetic recording medium intermediate having a magnetic layer 50 such as Fe or Fe alloy, Co or Co alloy on a substrate such as aluminum, glass, silicon, or quartz, an inner layer such as polymethyl methacrylate (PMMA) is used. By pressing and pressing the mold structure having a concavo-convex pattern on the surface of the magnetic recording medium intermediate with a resist layer on which a resist layer 24 formed by applying a print resist solution is formed, The concavo-convex pattern formed in step 1 is transferred to the resist layer 24.

ここで、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層25は、磁気記録媒体の作製における転写工程における転写精度を損なわない限り、インプリント用モールド構造体の作製におけるインプリントレジスト層24と同じインプリントレジスト組成物を採用してもよい。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層25、及び該インプリントレジスト層25を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
Here, the imprint resist layer 25 in the production of the magnetic recording medium is the same imprint as the imprint resist layer 24 in the production of the imprint mold structure as long as the transfer accuracy in the transfer process in the production of the magnetic recording medium is not impaired. A resist composition may be employed.
Hereinafter, unless otherwise specified, the imprint resist layer and the imprint resist composition refer to the imprint resist layer 25 in the production of the magnetic recording medium and the imprint resist composition that forms the imprint resist layer 25. And

[硬化工程]
―光照射による硬化―
インプリントレジスト層25を形成するインプリントレジスト組成物が、光硬化性樹脂を含む場合、紫外線などの電子線を透明性を有するインプリント用モールド構造体1を介してインプリントレジスト層25に照射し、該インプリントレジスト層25が硬化することとなる。
[Curing process]
-Curing by light irradiation-
When the imprint resist composition forming the imprint resist layer 25 contains a photocurable resin, the imprint resist layer 25 is irradiated with an electron beam such as ultraviolet rays through the imprint mold structure 1 having transparency. Then, the imprint resist layer 25 is cured.

―加熱による硬化―
インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト組成物が、熱可塑性樹脂を含む場合、インプリントレジスト層にインプリント用モールド構造体1を押し当てる際に、系を前記レジスト液のガラス転移点(Tg)付近に維持しておき、転写後、前記レジスト液のガラス転移点よりも低下することによりインプリントレジスト層が硬化することとなる。さらに、必要に応じて紫外線などを照射してパターンを硬化させてもよい。
インプリントレジスト層25を形成するインプリントレジスト組成物が、熱硬化性樹脂を含む場合、インプリントレジスト層25にインプリント用モールド構造体1を押し当てる際に、系を前記レジスト液のガラス転移点(Tg)付近に維持しておき、転写後、前記レジスト液のガラス転移点よりも低下することによりインプリントレジスト層25が硬化することとなる。
―Curing by heating―
When the imprint resist composition for forming the imprint resist layer contains a thermoplastic resin, when the imprint mold structure 1 is pressed against the imprint resist layer, the system is changed to the glass transition point (Tg) of the resist solution. ), The imprint resist layer is cured by lowering the glass transition point of the resist solution after the transfer. Furthermore, the pattern may be cured by irradiating ultraviolet rays or the like as necessary.
When the imprint resist composition for forming the imprint resist layer 25 contains a thermosetting resin, when the imprint mold structure 1 is pressed against the imprint resist layer 25, the system is subjected to glass transition of the resist solution. The imprint resist layer 25 is cured by maintaining the point (Tg) and lowering the glass transition point of the resist solution after the transfer.

ここで、作製したインプリント用モールド構造体を用いて、インプリントレジスト層に凹凸パターンを転写し、硬化工程を行った際に、インプリント用モールド構造体の凹部の幅に対応するインプリントレジストの凸部の幅(インプリントレジストの凸部の幅/インプリント用モールド構造体の凹部の幅)は、±5%以内であることが好ましい。   Here, the imprint resist corresponding to the width of the concave portion of the imprint mold structure when the uneven pattern was transferred to the imprint resist layer using the prepared imprint mold structure and the curing process was performed. The width of the convex portion (width of the convex portion of the imprint resist / width of the concave portion of the imprint mold structure) is preferably within ± 5%.

[磁性パターン部形成工程]
次に、凹凸部のパターンが転写されたレジスト層をマスクにして、ドライエッチングを行い、レジスト層に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を磁性層に形成する。
前記ドライエッチングとしては、磁性層に凹凸形状を形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング(RIE)、スパッタエッチング、等が挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング(RIE)が特に好ましい。
前記イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にAr等の不活性ガスを導入し、イオンを生成した。これを、グリッドを通して加速して、試料基板に衝突させてエッチングするものである。前記イオン源としては、カウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン源、フリーマン型、ECR(電子サイクロトロン共鳴)型、Closed
drift型などが挙げられる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしてはAr、RIEのエッチャントとしてはCO+NH、塩素ガス、CF系ガス、CH系ガス及びこれらのガスに酸素、窒素、水素ガスを添加したものなどを用いることができる。
[非磁性パターン部形成工程]
次に、形成された凹部に非磁性材料を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体100を作製することができる。
前記非磁性材料としては、例えばSiO、カーボン、アルミナ、ポリメタアクリル酸メチル(PMMA)、ポリスチレン(PS)等のポリマー、円滑油などが挙げられる。
前記保護膜としては、ダイヤモンドカーボン(DLC)、スパッタカーボン等が好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。
本発明の磁気記録媒体の製造方法により製造された磁気記録媒体は、ディスクリート型磁気記録媒体及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかであることが好適である。
[Magnetic pattern formation process]
Next, dry etching is performed using the resist layer to which the pattern of the concavo-convex portion is transferred as a mask, thereby forming a concavo-convex shape on the magnetic layer based on the concavo-convex pattern shape formed on the resist layer.
The dry etching is not particularly limited as long as it can form a concavo-convex shape in the magnetic layer, and can be appropriately selected according to the purpose. Examples thereof include ion milling, reactive ion etching (RIE), and sputter etching. , Etc. Among these, ion milling and reactive ion etching (RIE) are particularly preferable.
The ion milling method is also called ion beam etching. An inert gas such as Ar is introduced into an ion source to generate ions. This is accelerated through the grid and collides with the sample substrate for etching. Examples of the ion source include a Kaufman type, a high frequency type, an electron impact type, a duoplasmatron source, a Freeman type, an ECR (electron cyclotron resonance) type, and a Closed type.
drift type and the like.
As a process gas in ion beam etching, as an etchant for RIE, CO + NH 3 , chlorine gas, CF-based gas, CH-based gas, and those obtained by adding oxygen, nitrogen, or hydrogen gas to these gases can be used. .
[Non-magnetic pattern part forming process]
Next, after embedding a nonmagnetic material in the formed recess and planarizing the surface, a protective film or the like can be formed as necessary to produce the magnetic recording medium 100.
Examples of the nonmagnetic material include polymers such as SiO 2 , carbon, alumina, polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), and smooth oil.
As the protective film, diamond carbon (DLC), sputtered carbon or the like is preferable, and a lubricant layer may be further provided on the protective film.
The magnetic recording medium manufactured by the magnetic recording medium manufacturing method of the present invention is preferably at least one of a discrete magnetic recording medium and a patterned media magnetic recording medium.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
<インプリント用モールド構造体の作製>
<<フォトレジスト層の形成>>
図2Aに示すように、円板状のSi基板10上に、電子線レジストをスピンコート法により、厚み100nmで塗布した。回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光し、現像することで、凹凸パターンを有するレジスト付きSi基板を作製した。
その後、レジストパターンをマスクにして、以下の反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)を行い、Si基板上に凹凸形状を形成した。
プラズマ源:ICP型(Inductively Coupled Plasma)
ガス:CF系ガス、及び微量の水素ガス
圧力:0.5Pa
投入電力:ICP-300W、Bias-50W
その後、残存するレジストを可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥させて原盤を作製した。
この実施例に使用したパターンはデータ部とサーボ部に大別される。データ部は凸幅:120nm、凹幅:30nm(TP=150nm)のパターンとした。サーボ部は最内周でのサーボ基本ビット長が90nm、総セクタ数が240、プリアンブル(45bit)/サーボマーク(10bit)/SectorCode(8bit)、CylinderCode(32bit)/Burstパターンで構成した。
サーボマーク部は“0000101011”であり、SectorがBinary、CylinderはGray変換を用いる。Burst部は一般的な位相バースト信号(16bit)である。
(Example 1)
<Preparation of imprint mold structure>
<< Formation of photoresist layer >>
As shown in FIG. 2A, an electron beam resist was applied to a thickness of 100 nm on a disk-shaped Si substrate 10 by spin coating. A resist-patterned Si substrate having a concavo-convex pattern was produced by exposing and developing a desired pattern with a rotary electron beam exposure apparatus.
Thereafter, using the resist pattern as a mask, the following reactive ion etching (RIE) was performed to form a concavo-convex shape on the Si substrate.
Plasma source: ICP type (Inductively Coupled Plasma)
Gas: CF gas and a small amount of hydrogen gas Pressure: 0.5Pa
Input power: ICP-300W, Bias-50W
Thereafter, the remaining resist was removed by washing with a soluble solvent and dried to produce a master.
The patterns used in this embodiment are roughly divided into a data portion and a servo portion. The data portion was a pattern having a convex width: 120 nm and a concave width: 30 nm (TP = 150 nm). The servo section has a servo basic bit length of 90 nm at the innermost circumference, a total number of sectors of 240, a preamble (45 bits) / servo mark (10 bits) / SectorCode (8 bits), and a CylinderCode (32 bits) / Burst pattern.
The servo mark part is “0000101011”, the Sector uses Binary, and the Cylinder uses Gray conversion. The Burst part is a general phase burst signal (16 bits).

次に、図2Bに示すように、石英基板上に光硬化性アクリル系インプリントレジスト液(東洋合成工業株式会社製:PAK−01)を100nmスピンコート法により形成した。次に、前記原盤をモールド構造体として使用し、UVナノインプリントを行った。UVナノインプリントでは、1MPaの圧力で5秒間加圧してパターン転写した後、25mJ/cmのUV光を10秒間照射してパターン硬化させた。
ナノインプリント後の凹凸レジストパターンを元に、以下に示すRIEにより選択エッチングを行い、石英基板上に凹凸形状を形成した。
プラズマ源:ICP型(Inductively Coupled Plasma)
ガス:CF系ガスとArガスを1:1、微量の水素ガス添加
圧力:0.5Pa
投入電力:ICP-300W、Bias-60W
その後、残存するレジストを可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥させて石英モールドを作製した。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するインプリント用モールド構造体1の凹部5の断面形状が、図1に示す凸部4の断面形状を転写した断面形状となるように行った。
<剥離層形成>
作製したモールド構造体の凹凸面にウェット法により剥離剤層を形成した。剥離剤層材料としてはF13−OTCS(Tridecafluoro−1,1,2,2−tetrahydro−OctylTriChloroSilane)(Gelest社製)を用い、アサヒクリンAK225(旭硝子株式会社製)溶媒で0.1質量%の剥離層液を調整した。この剥離層液を用い、Dip法により1mm/sec.の引き上げ速度により、厚み5.25nmの剥離層を石英モールド上に形成した。
剥離層を形成したモールド構造体を90℃、80%RHの環境下に5時間暴露し、モールド構造体表面に剥離層材料を化学的に吸着させた(化学結合処理)。以上により、実施例1のモールド構造体を作製した。
Next, as shown in FIG. 2B, a photocurable acrylic imprint resist solution (manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd .: PAK-01) was formed on a quartz substrate by a 100 nm spin coating method. Next, UV nanoimprinting was performed using the master as a mold structure. The UV nanoimprint, after pattern transfer at a pressure of 1 MPa 5 seconds pressurized and allowed to cure the pattern of UV light of 25 mJ / cm 2 was irradiated for 10 seconds.
Based on the concavo-convex resist pattern after nanoimprinting, selective etching was performed by RIE shown below to form a concavo-convex shape on the quartz substrate.
Plasma source: ICP type (Inductively Coupled Plasma)
Gas: 1: 1 of CF gas and Ar gas, trace amount of hydrogen gas added Pressure: 0.5 Pa
Input power: ICP-300W, Bias-60W
Thereafter, the remaining resist was removed by washing with a soluble solvent and dried to produce a quartz mold.
The selective etching was performed so that the cross-sectional shape of the concave portion 5 of the imprint mold structure 1 having an uneven shape was a cross-sectional shape obtained by transferring the cross-sectional shape of the convex portion 4 shown in FIG.
<Peeling layer formation>
A release agent layer was formed on the irregular surface of the produced mold structure by a wet method. F13-OTCS (Tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydro-OctylTriChloroSilane) (manufactured by Gelest) was used as the release agent layer material, and 0.1% by mass of stripped with Asahi Clin AK225 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) The layer solution was adjusted. Using this release layer solution, 1 mm / sec. A release layer having a thickness of 5.25 nm was formed on the quartz mold at a pulling speed of.
The mold structure on which the release layer was formed was exposed to an environment of 90 ° C. and 80% RH for 5 hours to chemically adsorb the release layer material on the surface of the mold structure (chemical bonding treatment). Thus, a mold structure of Example 1 was produced.

以下の測定については、半径位置20mm、角度方向4方位(90°毎)において、データ部のライン形状パターンに対して、原子間力顕微鏡(SPA−500、セイコーインスツル(株)製)を用い各視野で5点計測した平均を示す。   For the following measurements, an atomic force microscope (SPA-500, manufactured by Seiko Instruments Inc.) was used with respect to the line shape pattern of the data portion at a radial position of 20 mm and in four angular directions (every 90 °). The average of 5 points measured in each field of view is shown.

<<側壁部の壁角度θの測定>>
上記試料位置で半径方向に断面試料を切り出した後、SEM像を撮影した。各視野で5点、及び角度4方位での計測を行い、平均値とした。
<< Measurement of Wall Angle θ of Side Wall >>
After cutting out a cross-sectional sample in the radial direction at the sample position, an SEM image was taken. Measurements were made at 5 points and 4 azimuth directions in each field of view to obtain an average value.

<<側壁部、及び凹部の面平均粗さ(SRas、SRab)の測定>>
上記試料位置に対し、AFMで500nm角エリアを計測し、側壁部及び凹部のエリアについて、それぞれデータから面平均粗さを求める。この際、異なる2つの凹部を構成する側壁、及び凹部底面エリアを計測し、平均値として求める。
<< Measurement of surface average roughness (SRas, SRab) of side wall and recess >>
With respect to the sample position, a 500 nm square area is measured by AFM, and the surface average roughness is obtained from the data for each of the side wall portion and the concave portion area. At this time, the side walls constituting the two different recesses and the bottom surface area of the recess are measured and obtained as an average value.

<<凸部が延設された方向、及び側壁部に沿った方向における側壁部の線平均粗さ(LRah、LRav)の測定>>
前記AFMデータにおいて、各方向に沿った直線部分のデータを抽出し、線平均粗さを求めることができる。
<< Measurement of Line Average Roughness (LRah, LRav) of Side Walls in Direction of Protruding Extension and Direction along Side Walls >>
In the AFM data, data of a straight line portion along each direction can be extracted to obtain a line average roughness.

<磁気記録媒体中間体の作製>
2.5インチのガラス基板上に、以下のようにして、軟磁性層、第1非磁性配向層、第2非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層をこの順に成膜した。軟磁性膜、第1非磁性配向層、第2非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で成膜した。なお、保護層上の潤滑剤層はディップ法で形成した。
まず、軟磁性層材料としてCoZrNbを厚みが100nmとなるように積層した。具体的には、ガラス基板をCoZrNbターゲットと対向させて設置し、Arガスを圧力が0.6Paになるように流入し、DC1,500Wで軟磁性層を成膜した。
次に、第1非磁性配向層としてPtを厚みが5nmとなるように積層した。具体的には、基板上に形成された軟磁性層をPtターゲットと対向設置し、Arガスを圧力が0.5Paになるように流入し、DC1,000Wで放電して、第1非磁性配向層を成膜した。
次に、第2非磁性配向層としてRuを厚みが10nmとなるように積層した。具体的には、基板上に形成された第1非磁性配向層をRuターゲットと対向させて設置し、Arガスを圧力が0.5Paになるように流入し、DC1,000Wで放電して、第2非磁性配向層を成膜した。
次に、磁気記録層としてCoPtCr−SiOを厚みが15nmとなるように積層した。具体的には、基板上に形成された第2非磁性配向層をCoPtCr−SiOターゲットと対向させて設置し、Arガスを圧力が1.5Paになるように流入し、DC1000Wで放電し、磁気記録層を成膜した。
磁気記録層を形成した後、基板上に形成された磁気記録層をCターゲットと対向させて設置し、Arガスを圧力が0.5Paになるように流入し、DC1,000Wで放電し、厚み4nmの保護層を成膜した。以上により、磁気記録媒体中間体を作製した。得られた磁気記録媒体中間体の保磁力は、334kA/m(4.2kOe)であった。
<ナノインプリント及びディスクリート型垂直磁気記録媒体の作製>
作製した磁気記録媒体中間体に対して光硬化性インプリントレジスト液(旭硝子社製フッ素系樹脂レジスト:NIF−1)を100nmスピンコート法により形成した。
得られたレジスト層付き磁気記録媒体中間体に対し、上記モールド構造体を対向させて配置し、磁気記録媒体中間体を1MPaの圧力で5秒間加圧してパターン転写した後、25mJ/cmのUV光を10秒間照射してパターン硬化させた。その後、モールド構造体と磁気記録媒体中間体を剥離して、磁気記録媒体中間体上のレジスト層に凹凸パターンを形成した。
その後、凹凸部3のパターンが転写されたインプリントレジスト層25をマスクにして、Arイオンスパッタエッチ(ICP型、Arガス、0.2Pa、ICP/Bias=750W/300W)により選択エッチングを行い、インプリント用モールド構造体1上に形成された凹凸部3のパターン形状に基づく凹凸形状を磁性層50に形成し、凹部に非磁性材料70(SiOをCVD方式で形成)を埋め込み、表面を平坦化(CMP処理)した後、保護膜を形成(DLC保護層をCVD方式で形成)して磁気記録媒体100を得た。以上により、実施例1のディスクリート型垂直磁気記録媒体を作製した。
<Preparation of magnetic recording medium intermediate>
A soft magnetic layer, a first nonmagnetic alignment layer, a second nonmagnetic alignment layer, a magnetic recording layer, and a protective layer were formed in this order on a 2.5 inch glass substrate as follows. The soft magnetic film, the first nonmagnetic alignment layer, the second nonmagnetic alignment layer, the magnetic recording layer, and the protective layer were formed by sputtering. The lubricant layer on the protective layer was formed by a dip method.
First, CoZrNb was laminated as a soft magnetic layer material so as to have a thickness of 100 nm. Specifically, the glass substrate was placed facing the CoZrNb target, Ar gas was introduced so that the pressure became 0.6 Pa, and a soft magnetic layer was formed at DC 1,500 W.
Next, Pt was laminated as the first nonmagnetic alignment layer so as to have a thickness of 5 nm. Specifically, the soft magnetic layer formed on the substrate is placed opposite to the Pt target, Ar gas is introduced so that the pressure becomes 0.5 Pa, and the first nonmagnetic orientation is discharged by DC 1,000 W. Layers were deposited.
Next, Ru was laminated as the second nonmagnetic alignment layer so as to have a thickness of 10 nm. Specifically, the first nonmagnetic alignment layer formed on the substrate is placed facing the Ru target, Ar gas is introduced so that the pressure becomes 0.5 Pa, and discharge is performed at DC 1,000 W. A second nonmagnetic alignment layer was formed.
Next, CoPtCr—SiO 2 was laminated as a magnetic recording layer to a thickness of 15 nm. Specifically, the second nonmagnetic alignment layer formed on the substrate is placed facing the CoPtCr—SiO 2 target, Ar gas is introduced so that the pressure becomes 1.5 Pa, and discharge is performed at DC 1000 W. A magnetic recording layer was formed.
After the magnetic recording layer is formed, the magnetic recording layer formed on the substrate is placed facing the C target, Ar gas is introduced so that the pressure is 0.5 Pa, and discharge is performed at DC 1,000 W. A 4 nm protective layer was deposited. Thus, a magnetic recording medium intermediate was produced. The coercive force of the obtained magnetic recording medium intermediate was 334 kA / m (4.2 kOe).
<Preparation of nanoimprint and discrete type perpendicular magnetic recording medium>
A photocurable imprint resist solution (fluorine resin resist: NIF-1 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) was formed on the produced magnetic recording medium intermediate by a 100 nm spin coating method.
The above-mentioned mold structure was placed opposite to the obtained magnetic recording medium intermediate with a resist layer, and the magnetic recording medium intermediate was pressed at a pressure of 1 MPa for 5 seconds to transfer a pattern, and then 25 mJ / cm 2 . The pattern was cured by irradiation with UV light for 10 seconds. Thereafter, the mold structure and the magnetic recording medium intermediate were peeled off to form a concavo-convex pattern on the resist layer on the magnetic recording medium intermediate.
Thereafter, selective etching is performed by Ar ion sputter etching (ICP type, Ar gas, 0.2 Pa, ICP / Bias = 750 W / 300 W) using the imprint resist layer 25 to which the pattern of the uneven portion 3 is transferred as a mask. A concavo-convex shape based on the pattern shape of the concavo-convex portion 3 formed on the imprint mold structure 1 is formed in the magnetic layer 50, a nonmagnetic material 70 (SiO 2 is formed by a CVD method) is embedded in the concave portion, and the surface is After flattening (CMP treatment), a protective film was formed (a DLC protective layer was formed by a CVD method) to obtain the magnetic recording medium 100. Thus, the discrete type perpendicular magnetic recording medium of Example 1 was produced.

<<転写性の評価>>
作製したインプリント用モールド構造体を用いて、インプリントレジスト層に凹凸パターンを転写し、硬化工程を行った際の、インプリント用モールド構造体の凹部の幅に対応するインプリントレジストの凸部の幅(インプリントレジストの凸部の幅/インプリント用モールド構造体の凹部の幅)を下記評価基準に基づき、評価した。結果を表1に示す。
<< Evaluation of transferability >>
Using the produced imprint mold structure, a concavo-convex pattern is transferred to the imprint resist layer, and the imprint resist convex portion corresponding to the width of the concave portion of the imprint mold structure when the curing process is performed. The width (width of the convex portion of the imprint resist / width of the concave portion of the imprint mold structure) was evaluated based on the following evaluation criteria. The results are shown in Table 1.

[評価基準]
○:インプリント用モールド構造体の凹部の幅に対応するインプリントレジストの凸部の幅が±5%以内
△:インプリント用モールド構造体の凹部の幅に対応するインプリントレジストの凸部の幅が±5%以上10%以下
×:インプリント用モールド構造体の凹部の幅に対応するインプリントレジストの凸部の幅が±10%超
[Evaluation criteria]
○: The width of the convex portion of the imprint resist corresponding to the width of the concave portion of the imprint mold structure is within ± 5% Δ: The height of the convex portion of the imprint resist corresponding to the width of the concave portion of the mold structure for imprint Width: ± 5% or more and 10% or less x: The width of the convex portion of the imprint resist corresponding to the width of the concave portion of the imprint mold structure exceeds ± 10%

<<剥離性の評価>>
転写工程を行った後に、インプリントレジスト層からインプリント用モールド構造体を引き剥がした際の剥離性について、欠落、不良があったインプリントレジストの凹凸パターンの数を下記評価基準に基づいて評価した。結果を表1に示す。
<< Evaluation of peelability >>
After performing the transfer process, evaluate the number of concavo-convex patterns of the imprint resist that were missing or defective with respect to the peelability when the imprint mold structure was peeled off from the imprint resist layer based on the following evaluation criteria. did. The results are shown in Table 1.

[評価基準]
○:インプリントレジストの凹凸パターン10個(本)のうち、欠落、不良がなかった
△:インプリントレジストの凹凸パターン10個(本)のうち、欠落、不良が1個(本)あった
×:インプリントレジストの凹凸パターン10個(本)のうち、2個(本)以上の欠落、不良があった
[Evaluation criteria]
◯: There were no defects or defects among the ten concavo-convex patterns (books) of the imprint resist. Δ: One of the concavo-convex patterns (books) of the imprint resist was missing or defective. : Out of 10 uneven patterns (books) of imprint resist, 2 (books) were missing or defective.

<<サーボ特性の評価>>
上記磁気記録媒体の作製において作製した磁気記録媒体について、再生トラック幅0.1μm、再生ギャップ0.06μmのGMRヘッドを搭載したハードディスク用磁気ヘッドテスタ(アイメス社製BitFinder Model−YS 3300)により、再生信号の位置誤差信号(PES)測定を行い、下記評価基準に基づいて、評価した。結果を表1に示す。
<< Evaluation of servo characteristics >>
The magnetic recording medium produced in the production of the above magnetic recording medium was reproduced by a hard disk magnetic head tester (BitFinder Model-YS 3300 manufactured by Aimes) equipped with a GMR head having a reproduction track width of 0.1 μm and a reproduction gap of 0.06 μm. The position error signal (PES) of the signal was measured and evaluated based on the following evaluation criteria. The results are shown in Table 1.

[評価基準]
◎:サーボフォローイングでき、かつPESがトラック幅の±10%以内
○:サーボフォローイングできたが、PESがトラック幅の±10%以上±20%以下
×:サーボフォローイングできなかった
[Evaluation criteria]
◎: Servo following and PES within ± 10% of track width ○: Servo following was possible, but PES was ± 10% or more ± 20% or less of track width ×: Servo following was not possible

(実施例2〜11、比較例1〜6)
<インプリント用モールド構造体の作製>
実施例1において、インプリント用モールド構造体の側壁部の壁角度θ(°)、SRas、SRab、LRah、及びLRavを表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例2〜11、比較例1〜6のインプリント用モールド構造体を作製した。
(Examples 2-11, Comparative Examples 1-6)
<Preparation of imprint mold structure>
In Example 1, except that the wall angle θ (°), SRas, SRab, LRah, and LRav of the side wall portion of the imprint mold structure was changed as shown in Table 1, the same as in Example 1, The imprint mold structures of Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 6 were produced.

<<側壁部の壁角度θの測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、側壁部の壁角度θ(°)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Wall Angle θ of Side Wall >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured wall angle (theta) (degree) of the side wall part. The results are shown in Table 1.

<<側壁部の面平均粗さ(SRas)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、側壁部の面平均粗さ(SRas)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Surface Average Roughness (SRas) of Side Wall >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the surface average roughness (SRas) of the side wall part. The results are shown in Table 1.

<<凹部の底部の面平均粗さ(SRab)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、凹部の底部の面平均粗さ(SRab)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Surface Average Roughness (SRab) at Bottom of Recess >>
About the produced imprint mold structure, the surface average roughness (SRab) of the bottom of the recess was measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

<<凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Line Average Roughness (LRah) of Side Wall Part in Direction of Protruding Part >>>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the line average roughness (LRah) of the side wall part in the direction where the convex part was extended. The results are shown in Table 1.

<<前記側壁部に沿った方向における側壁部の線平均粗さ(LRav)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、前記側壁部に沿った方向における側壁部の線平均粗さ(LRav)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Line Average Roughness (LRav) of Side Wall Part in Direction along the Side Wall Part >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the line average roughness (LRav) of the side wall part in the direction along the said side wall part. The results are shown in Table 1.

<インプリントレジスト組成物>
インプリントレジスト組成物は、実施例1と同じ組成物を用いた。
<Imprint resist composition>
The same composition as in Example 1 was used as the imprint resist composition.

<磁気記録媒体の作製>
実施例1において、各実施例におけるインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例2〜11、比較例1〜6の磁気記録媒体を作製した。
<Preparation of magnetic recording medium>
In Example 1, magnetic recording media of Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 6 were produced in the same manner as in Example 1 except that the imprint mold structure in each example was used.

<<転写性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例2〜11、比較例1〜6のインプリント用モールド構造体による転写性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of transferability >>
In the same manner as in Example 1, the transferability of the produced imprint mold structures of Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 6 was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

<<剥離性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例2〜11、比較例1〜6のインプリント用モールド構造体の剥離性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of peelability >>
In the same manner as in Example 1, the peelability of the produced imprint mold structures of Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 6 was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

<<サーボ特性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例2〜11、比較例1〜6の磁気記録媒体の記録再生特性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of servo characteristics >>
In the same manner as in Example 1, the recording / reproducing characteristics of the magnetic recording media of Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 6 were evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例12)
<インプリント用モールド構造体の作製>
実施例1と同様に作製した凹凸形状を有する原盤11に対し、図4Bに示すように、原盤11の表面の凹凸パターンをもとに、この表面にスパッタリングにより、導電膜22を形成する。その後、導電膜22が付与された原盤を、下記組成のNi電鋳浴に浸漬させて50〜150rpmの回転速度で回転させながら、電鋳処理を行い、厚み300μmのポジ状凹凸パターンを有するNi盤を作製した。その後、このNi盤を原盤から剥離し、残留するレジスト膜を除去し洗浄した。このようにして、モールド構造体が得られた。
−Ni電鋳浴組成及び温度−
スルファミン酸ニッケル・・・600g/L
ホウ酸・・・40g/L
界面活性剤(ラウリル硫酸ナトリウム)・・・0.15g/L
PH=4.0
温度=55℃
得られたインプリント用モールド構造体1の側壁部の壁角度θ(°)、SRas、SRab、LRah、及びLRavを表1に示す。
Example 12
<Preparation of imprint mold structure>
As shown in FIG. 4B, the conductive film 22 is formed on the surface of the master 11 having the concavo-convex shape produced in the same manner as in Example 1 by sputtering based on the concavo-convex pattern on the surface of the master 11. Thereafter, the master disk provided with the conductive film 22 is immersed in a Ni electroforming bath having the following composition, and is rotated at a rotational speed of 50 to 150 rpm. A board was produced. Thereafter, the Ni disc was peeled from the master disc, and the remaining resist film was removed and washed. In this way, a mold structure was obtained.
-Ni electroforming bath composition and temperature-
Nickel sulfamate ... 600g / L
Boric acid ... 40g / L
Surfactant (sodium lauryl sulfate) ... 0.15 g / L
PH = 4.0
Temperature = 55 ° C
Table 1 shows the wall angle θ (°), SRas, SRab, LRah, and LRav of the side wall portion of the obtained imprint mold structure 1.

<<側壁部の壁角度θの測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、側壁部の壁角度θ(°)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Wall Angle θ of Side Wall >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured wall angle (theta) (degree) of the side wall part. The results are shown in Table 1.

<<側壁部の面平均粗さ(SRas)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、側壁部の面平均粗さ(SRas)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Surface Average Roughness (SRas) of Side Wall >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the surface average roughness (SRas) of the side wall part. The results are shown in Table 1.

<<凹部の底部の面平均粗さ(SRab)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、凹部の底部の面平均粗さ(SRab)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Surface Average Roughness (SRab) at Bottom of Recess >>
About the produced imprint mold structure, the surface average roughness (SRab) of the bottom of the recess was measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

<<凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Line Average Roughness (LRah) of Side Wall Part in Direction of Protruding Part >>>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the line average roughness (LRah) of the side wall part in the direction where the convex part was extended. The results are shown in Table 1.

<<前記側壁部に沿った方向における側壁部の線平均粗さ(LRav)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、前記側壁部に沿った方向における側壁部の線平均粗さ(LRav)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Line Average Roughness (LRav) of Side Wall Part in Direction along the Side Wall Part >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the line average roughness (LRav) of the side wall part in the direction along the said side wall part. The results are shown in Table 1.

<インプリントレジスト組成物の調製>
本実施例のインプリントレジスト組成物として、熱可塑性のノボラック樹脂(粘度:30mPa・s)を用いた。
<Preparation of imprint resist composition>
As the imprint resist composition of this example, a thermoplastic novolak resin (viscosity: 30 mPa · s) was used.

<磁気記録媒体の作製>
実施例1と同様に時期記録媒体中間体を作製した。
該磁気記録媒体中間体上に前記インプリントレジスト組成物を厚み100nmで形成した。得られたレジスト層付き磁気記録媒体中間体に対し、上記Niからなるモールド構造体を対向させて配置し、150℃に加熱した状態で3MPaの圧力で30秒間加圧してパターン転写した後、60℃まで冷却してパターン硬化させた。その後、モールド構造体と磁気記録媒体中間体を剥離して、磁気記録媒体中間体上のレジスト層に凹凸パターンを形成した。
次いで、形成した凹凸パターンをマスクとしてエッチングを行い、凹凸形状を磁気記録層に形成した。以上により、実施例12の垂直磁気記録媒体を作製した。
<Preparation of magnetic recording medium>
A timing recording medium intermediate was prepared in the same manner as in Example 1.
The imprint resist composition having a thickness of 100 nm was formed on the magnetic recording medium intermediate. The above-described magnetic recording medium intermediate with a resist layer was placed with the above-mentioned mold structure made of Ni facing, and heated at 150 ° C. and pressurized at 3 MPa for 30 seconds to transfer the pattern, and then 60 The pattern was cured by cooling to ° C. Thereafter, the mold structure and the magnetic recording medium intermediate were peeled off to form a concavo-convex pattern on the resist layer on the magnetic recording medium intermediate.
Next, etching was performed using the formed uneven pattern as a mask to form an uneven shape on the magnetic recording layer. Thus, the perpendicular magnetic recording medium of Example 12 was produced.

<<転写性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例12のインプリント用モールド構造体による転写性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of transferability >>
In the same manner as in Example 1, the transferability of the produced imprint mold structure of Example 12 was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

<<剥離性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例12のインプリント用モールド構造体の剥離性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of peelability >>
In the same manner as in Example 1, the peelability of the produced imprint mold structure of Example 12 was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

<<サーボ特性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例12の磁気記録媒体のサーボ特性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of servo characteristics >>
In the same manner as in Example 1, the servo characteristics of the produced magnetic recording medium of Example 12 were evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例13)
実施例1と同様にして作製した凹凸形状を有する原盤11に対し、PMMAからなる熱可塑性樹脂を対向して配置し、150℃に加熱した状態で3MPaの圧力で30秒間加圧してパターン転写した後、60℃まで冷却してパターン硬化させた。その後、モールド構造体と剥離することで凹凸形状を有する樹脂モールド構造体1を得た。
(Example 13)
A thermoplastic resin made of PMMA was placed opposite to the master 11 having the concavo-convex shape produced in the same manner as in Example 1, and the pattern was transferred by applying pressure at 3 MPa for 30 seconds while being heated to 150 ° C. Thereafter, the pattern was cured by cooling to 60 ° C. Then, the resin mold structure 1 which has uneven | corrugated shape was obtained by peeling with a mold structure.

<<側壁部の壁角度θの測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、側壁部の壁角度θ(°)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Wall Angle θ of Side Wall >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured wall angle (theta) (degree) of the side wall part. The results are shown in Table 1.

<<側壁部の面平均粗さ(SRas)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、側壁部の面平均粗さ(SRas)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Surface Average Roughness (SRas) of Side Wall >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the surface average roughness (SRas) of the side wall part. The results are shown in Table 1.

<<凹部の底部の面平均粗さ(SRab)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、凹部の底部の面平均粗さ(SRab)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Surface Average Roughness (SRab) at Bottom of Recess >>
About the produced imprint mold structure, the surface average roughness (SRab) of the bottom of the recess was measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

<<凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Line Average Roughness (LRah) of Side Wall Part in Direction of Protruding Part >>>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the line average roughness (LRah) of the side wall part in the direction where the convex part was extended. The results are shown in Table 1.

<<前記側壁部に沿った方向における側壁部の線平均粗さ(LRav)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、前記側壁部に沿った方向における側壁部の線平均粗さ(LRav)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Line Average Roughness (LRav) of Side Wall Part in Direction along the Side Wall Part >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the line average roughness (LRav) of the side wall part in the direction along the said side wall part. The results are shown in Table 1.

<インプリントレジスト組成物>
インプリントレジスト組成物は、実施例1と同じ組成物を用いた。
<Imprint resist composition>
The same composition as in Example 1 was used as the imprint resist composition.

<磁気記録媒体の作製>
実施例1において、上記で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例13の磁気記録媒体を作製した。
<Preparation of magnetic recording medium>
In Example 1, the magnetic recording medium of Example 13 was produced in the same manner as in Example 1 except that the imprint mold structure produced above was used.

<<転写性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例13のインプリント用モールド構造体による転写性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of transferability >>
In the same manner as in Example 1, the transferability of the produced imprint mold structure of Example 13 was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

<<剥離性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例13のインプリント用モールド構造体の剥離性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of peelability >>
In the same manner as in Example 1, the peelability of the produced imprint mold structure of Example 13 was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

<<サーボ特性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例13の磁気記録媒体のサーボ特性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of servo characteristics >>
In the same manner as in Example 1, the servo characteristics of the manufactured magnetic recording medium of Example 13 were evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例14)
実施例1と同様にモールド構造体1を得た。
(Example 14)
A mold structure 1 was obtained in the same manner as in Example 1.

<<側壁部の壁角度θの測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、側壁部の壁角度θ(°)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Wall Angle θ of Side Wall >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured wall angle (theta) (degree) of the side wall part. The results are shown in Table 1.

<<側壁部の面平均粗さ(SRas)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、側壁部の面平均粗さ(SRas)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Surface Average Roughness (SRas) of Side Wall >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the surface average roughness (SRas) of the side wall part. The results are shown in Table 1.

<<凹部の底部の面平均粗さ(SRab)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、凹部の底部の面平均粗さ(SRab)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Surface Average Roughness (SRab) at Bottom of Recess >>
About the produced imprint mold structure, the surface average roughness (SRab) of the bottom of the recess was measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

<<凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Line Average Roughness (LRah) of Side Wall Part in Direction of Protruding Part >>>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the line average roughness (LRah) of the side wall part in the direction where the convex part was extended. The results are shown in Table 1.

<<前記側壁部に沿った方向における側壁部の線平均粗さ(LRav)の測定>>
作製したインプリント用モールド構造体について、実施例1と同様にして、前記側壁部に沿った方向における側壁部の線平均粗さ(LRav)を測定した。結果を表1に示す。
<< Measurement of Line Average Roughness (LRav) of Side Wall Part in Direction along the Side Wall Part >>
About the produced imprint mold structure, it carried out similarly to Example 1, and measured the line average roughness (LRav) of the side wall part in the direction along the said side wall part. The results are shown in Table 1.

<インプリントレジスト組成物>
インプリントレジスト組成物は、実施例1と同じ組成物を用いた。
<Imprint resist composition>
The same composition as in Example 1 was used as the imprint resist composition.

<磁気記録媒体の作製>
実施例12において、上記で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例12と同様にして、実施例14の磁気記録媒体を作製した。
<Preparation of magnetic recording medium>
In Example 12, a magnetic recording medium of Example 14 was produced in the same manner as in Example 12 except that the imprint mold structure produced above was used.

<<転写性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例14のインプリント用モールド構造体による転写性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of transferability >>
In the same manner as in Example 1, the transferability of the produced imprint mold structure of Example 14 was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

<<剥離性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例14のインプリント用モールド構造体の剥離性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of peelability >>
In the same manner as in Example 1, the peelability of the produced imprint mold structure of Example 14 was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

<<サーボ特性の評価>>
実施例1と同様にして、作製した実施例14の磁気記録媒体のサーボ特性を評価した。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of servo characteristics >>
In the same manner as in Example 1, the servo characteristics of the manufactured magnetic recording medium of Example 14 were evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

表1に示すように、上記数式(1)〜(3)を満たす実施例1〜14によれば、上記数式(1)〜(3)を満たさない比較例1〜6に対して、転写性が高く、剥離性が良好なインプリント用モールド構造体を提供することができた。
また、上記数式(1)〜(3)を満たす実施例1〜14において作製されたインプリント用モールド構造体を用いることにより、上記数式(1)〜(3)を満たさない比較例1〜6よりも、サーボ特性が良好な磁気記録媒体を提供することができた。
また、SRas、及びSRabが、0.1nm〜10nmである実施例1〜8、及び10は、剥離性に優れたインプリント用モールド構造体、及び記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供することができた。
更に、SRas、SRab、LRah、及びLRavが、0.1nm〜10nmである実施例1〜6、8、9、12〜14は、記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供することができた。
As shown in Table 1, according to Examples 1 to 14 that satisfy the above mathematical formulas (1) to (3), transferability to Comparative Examples 1 to 6 that do not satisfy the above mathematical expressions (1) to (3). It was possible to provide a mold structure for imprinting that had high releasability and good releasability.
Moreover, the comparative examples 1-6 which do not satisfy | fill said numerical formula (1)-(3) by using the mold structure for imprint produced in Examples 1-14 which satisfy | fill said numerical formula (1)-(3). As a result, a magnetic recording medium with better servo characteristics could be provided.
In addition, Examples 1 to 8 and 10 in which SRas and SRab are 0.1 nm to 10 nm provide an imprint mold structure excellent in peelability and a magnetic recording medium excellent in recording / reproducing characteristics. I was able to.
Furthermore, Examples 1 to 6, 8, 9, and 12 to 14 in which SRas, SRab, LRah, and LRav are 0.1 nm to 10 nm can provide a magnetic recording medium excellent in recording and reproducing characteristics. .

一方、比較例1〜2は、前記側壁部に沿った方向における前記側壁部の線平均粗さ(LRav)よりも前記凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)が大であり、前記凹部の底部の面平均粗さ(SRab)よりも前記側壁部の面平均粗さ(SRas)が大であるであるため、転写性は良好であったが、インプリント用モールド構造体の基板の表面と、凸部の側壁部とのなす壁角度θが90°以上であるため、剥離性が劣っていた。
また、比較例3は、前記側壁部に沿った方向における前記側壁部の線平均粗さ(LRav)よりも前記凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)が大であるため、剥離性は良好であったが、前記凹部の底部の面平均粗さ(SRab)が、前記側壁部の面平均粗さ(SRas)よりも大であるため、転写性が劣っていた。
また、比較例4は、インプリント用モールド構造体の基板の表面と、凸部の側壁部とのなす壁角度θが40°以上、90°未満であり、前記側壁部の面平均粗さ(SRas)よりも、前記凹部の底部の面平均粗さ(SRab)が大であるため、転写性は良好であったが、前記側壁部に沿った方向における前記側壁部の線平均粗さ(LRav)が、前記凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)よりも大であるため、剥離性が劣っていた。
また、比較例5は、前記側壁部の面平均粗さ(SRas)よりも、前記凹部の底部の面平均粗さ(SRab)が大であり、前記凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)が、前記側壁部に沿った方向における前記側壁部の線平均粗さ(LRav)よりも大であるため、剥離性は良好であったが、インプリント用モールド構造体の基板の表面と、凸部の側壁部とのなす壁角度θが45°未満であるため、転写性が劣っていた。
また、比較例6は、インプリント用モールド構造体の基板の表面と、凸部の側壁部とのなす壁角度θが45°未満であり、前記凹部の底部の面平均粗さ(SRab)が、前記側壁部の面平均粗さ(SRas)よりも大であり、前記側壁部に沿った方向における前記側壁部の線平均粗さ(LRav)が、前記凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さ(LRah)よりも大であるため、転写性、及び剥離性が劣っていた。
On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, the line average roughness (LRah) of the side wall in the direction in which the convex portion is extended rather than the line average roughness (LRav) of the side wall in the direction along the side wall. Since the surface average roughness (SRas) of the side wall portion is larger than the surface average roughness (SRab) of the bottom portion of the concave portion, the transferability was good. Since the wall angle θ formed between the surface of the substrate of the mold structure and the side wall portion of the convex portion is 90 ° or more, the peelability was inferior.
Further, in Comparative Example 3, the line average roughness (LRah) of the side wall in the direction in which the convex portion is extended is larger than the line average roughness (LRav) of the side wall in the direction along the side wall. Therefore, the releasability was good, but the surface average roughness (SRab) of the bottom of the concave portion is larger than the surface average roughness (SRas) of the side wall, so that the transferability is inferior. It was.
In Comparative Example 4, the wall angle θ formed by the surface of the substrate of the imprint mold structure and the side wall portion of the convex portion is 40 ° or more and less than 90 °, and the surface average roughness ( Since the surface average roughness (SRab) of the bottom of the concave portion is larger than SRas), the transferability was good, but the line average roughness (LRav) of the side wall in the direction along the side wall. ) Is larger than the line average roughness (LRah) of the side wall portion in the direction in which the convex portion is extended, and therefore the peelability was inferior.
Further, in Comparative Example 5, the surface average roughness (SRab) of the bottom of the concave portion is larger than the surface average roughness (SRas) of the side wall portion, and the side wall portion in the direction in which the convex portion is extended. Since the line average roughness (LRah) is larger than the line average roughness (LRav) of the side wall part in the direction along the side wall part, the peelability was good, but the mold structure for imprinting Since the wall angle θ formed by the surface of the body substrate and the side wall portion of the convex portion is less than 45 °, the transferability was inferior.
In Comparative Example 6, the wall angle θ formed by the surface of the substrate of the imprint mold structure and the side wall portion of the convex portion is less than 45 °, and the surface average roughness (SRab) of the bottom portion of the concave portion is The surface average roughness (SRas) of the side wall portion is greater than the surface average roughness (SRas), and the line average roughness (LRav) of the side wall portion in the direction along the side wall portion is the side wall in the direction in which the convex portion is extended. Since it was larger than the line average roughness (LRah) of the part, the transferability and peelability were inferior.

本発明のインプリント用モールド構造体は、該インプリント用モールド構造体上に形成された微細なパターンが、基板上のインプリントレジスト層に効率よく入り込み、かつ前記パターンから前記インプリントレジスト層を剥離しやすい構成をなしているので、高い歩留まりで前記基板上にパターンを形成することができ、ディスクリートメディアの作製や、パターンドメディアの作製に好適である。   In the imprint mold structure of the present invention, the fine pattern formed on the imprint mold structure efficiently enters the imprint resist layer on the substrate, and the imprint resist layer is formed from the pattern. Since the structure is easy to peel off, a pattern can be formed on the substrate with a high yield, which is suitable for manufacturing discrete media and patterned media.

図1は、本発明に係るインプリント用モールド構造体の一実施形態における構成を示す部分断面斜視図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing a configuration in an embodiment of an imprint mold structure according to the present invention. 図2Aは、実施例1〜5におけるインプリント用モールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating an example of a method for producing an imprint mold structure in Examples 1 to 5. 図2Bは、実施例1〜5におけるインプリント用モールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating an example of a method for producing an imprint mold structure in Examples 1 to 5. 図3Aは、実施例7におけるインプリント用モールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view illustrating an example of a method for producing an imprint mold structure in Example 7. 図3Bは、実施例7におけるインプリント用モールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。3B is a cross-sectional view illustrating an example of a method for producing an imprint mold structure in Example 7. FIG. 図4Aは、実施例8におけるインプリント用モールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。4A is a cross-sectional view illustrating an example of a method for producing an imprint mold structure in Example 8. FIG. 図4Bは、実施例8におけるインプリント用モールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。4B is a cross-sectional view illustrating an example of a method for producing an imprint mold structure in Example 8. FIG. 図5は、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する製造方法を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a manufacturing method for manufacturing a magnetic recording medium using the imprint mold structure according to the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 インプリント用モールド構造体
2 基板
2a 表面
3 凹凸部
4 凸部
5 凹部
10 Si基板
11 Si原盤
21 フォトレジスト層
22 導電膜
23 Ni基板
24 インプリントレジスト層
25 インプリントレジスト層
30 被加工基板
40 磁気記録媒体の基板
50 磁性層
70 非磁性材料
100 磁気記録媒体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Imprint mold structure 2 Substrate 2a Surface 3 Concavity and convexity 4 Convex part 5 Concave part 10 Si substrate 11 Si master 21 Photoresist layer 22 Conductive film 23 Ni substrate 24 Imprint resist layer 25 Imprint resist layer 30 Substrate 40 Substrate of magnetic recording medium 50 Magnetic layer 70 Nonmagnetic material 100 Magnetic recording medium

Claims (8)

円板状の基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなり、他の基板上に形成されたインプリントレジスト層に対し、前記凹凸部を対向させて前記インプリントレジスト層に前記凹凸部に基づく凹凸パターンを転写するのに用いられるインプリント用モールド構造体であって、前記凸部が配列された方向における前記凹凸部の断面形状が、下記数式(1)〜(3)を満たすことを特徴とするインプリント用モールド構造体。
40°≦θ<90°・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(1)
SRas>SRab・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(2)
LRah>LRav・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(3)
ただし、上記数式(1)において、θ(°)は、前記表面と、前記凸部の側壁部とのなす壁角度を表し、上記数式(2)において、SRasは、前記側壁部の面平均粗さを表し、SRabは、前記凹部の底部の面平均粗さを表し、上記数式(3)において、LRahは、前記凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さを表し、LRavは、前記側壁部に沿った方向における前記側壁部の線平均粗さを表す。
A disk-shaped substrate and an uneven portion formed by arranging a plurality of protrusions on one surface of the substrate on the basis of the surface, and formed on another substrate An imprint mold structure used for transferring an uneven pattern based on the uneven portion to the imprint resist layer with the uneven portion facing the imprint resist layer, wherein the protruded portion is arranged. The imprint mold structure characterized in that a cross-sectional shape of the concavo-convex portion in a predetermined direction satisfies the following mathematical formulas (1) to (3).
40 ° ≦ θ <90 ° ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Equation (1)
SRas> SRab ... Formula (2)
LRah> LRav ........................... Formula (3)
However, in the formula (1), θ (°) represents a wall angle formed by the surface and the side wall portion of the convex portion, and in the formula (2), SRas is a surface average roughness of the side wall portion. SRab represents the surface average roughness of the bottom of the concave portion, and in the above formula (3), LRah represents the line average roughness of the side wall portion in the direction in which the convex portion is extended, and LRav Represents the line average roughness of the side wall in the direction along the side wall.
凹凸部は、基板の略中心部を基準に同心円状に複数の凸部が形成されてなる第1の凹凸部、及び基板の略中心部を基準に放射状に複数の凸部が形成されてなる第2の凹凸部の少なくともいずれかを含む請求項1に記載のインプリント用モールド構造体。   The concavo-convex portion is a first concavo-convex portion in which a plurality of convex portions are formed concentrically with respect to a substantially central portion of the substrate, and a plurality of convex portions are formed radially with respect to the substantially central portion of the substrate. The imprint mold structure according to claim 1, comprising at least one of the second uneven portions. 凸部の側壁部の面平均粗さSRas、及び底部の面平均粗さSRabが、いずれも0.1nm以上10nm以下である請求項1から2のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体。   3. The imprint mold structure according to claim 1, wherein the surface average roughness SRas of the side wall portion of the convex portion and the surface average roughness SRab of the bottom portion are both 0.1 nm or more and 10 nm or less. 凸部が延設された方向における側壁部の線平均粗さLRah、及び前記側壁部に沿った方向における前記側壁部の線平均粗さLRavが、いずれも0.1nm以上10nm以下である請求項1から3のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体。   The line average roughness LRah of the side wall part in the direction in which the convex part is extended and the line average roughness LRav of the side wall part in the direction along the side wall part are both 0.1 nm or more and 10 nm or less. The mold structure for imprints according to any one of 1 to 3. 石英、ニッケル、及び樹脂のいずれかの材料からなる請求項1から4のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体。   The imprint mold structure according to any one of claims 1 to 4, wherein the imprint mold structure is made of any one of quartz, nickel, and resin. 請求項1から5のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法。   The imprint mold structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the imprint mold structure is pressed against an imprint resist layer made of an imprint resist composition formed on a substrate of a magnetic recording medium. An imprint method comprising at least a transfer step of transferring a concavo-convex pattern based on a concavo-convex portion formed on a body. 請求項1から5のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
An uneven pattern formed on the imprint mold structure by pressing the imprint mold structure according to any one of claims 1 to 5 against an imprint resist layer formed on a substrate of a magnetic recording medium. A transfer process for transferring
Using the imprint resist layer to which the concavo-convex pattern is transferred as a mask, the magnetic layer formed on the surface of the substrate of the magnetic recording medium is etched to form a magnetic pattern portion based on the concavo-convex pattern in the magnetic layer. A magnetic pattern portion forming step;
A non-magnetic pattern part forming step of embedding a non-magnetic material in the recess formed on the magnetic layer;
A method for producing a magnetic recording medium, comprising:
請求項7に記載の磁気記録媒体の製造方法によって作製されたことを特徴とする磁気記録媒体。   A magnetic recording medium manufactured by the method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 7.
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