JP2009047432A - Target device for generating neutron and neutron generator - Google Patents

Target device for generating neutron and neutron generator Download PDF

Info

Publication number
JP2009047432A
JP2009047432A JP2007210858A JP2007210858A JP2009047432A JP 2009047432 A JP2009047432 A JP 2009047432A JP 2007210858 A JP2007210858 A JP 2007210858A JP 2007210858 A JP2007210858 A JP 2007210858A JP 2009047432 A JP2009047432 A JP 2009047432A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
proton beam
lithium
target device
lithium thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007210858A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihisa Iwashita
芳久 岩下
Taku Tongu
拓 頓宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyoto University
Original Assignee
Kyoto University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyoto University filed Critical Kyoto University
Priority to JP2007210858A priority Critical patent/JP2009047432A/en
Publication of JP2009047432A publication Critical patent/JP2009047432A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Particle Accelerators (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a target device for generating neutrons and a neutron generator capable of reducing the size of the structure for shielding and capable of efficiently generating cold neutrons. <P>SOLUTION: The target device 20 for the neutron generator is configured with a lithium film 28 generating neutrons by the Li(p, n) reaction, a beryllium film 30 covering the incident face of the lithium film 28 for receiving a proton beam, and a packing foil 32 to give the strength to the lithium film 28 fixed on the opposite face of the incident face of the lithium film 28 for receiving the proton beam and the beryllium film 30. The thickness of the lithium film 28 is set at such a thickness that the incident proton beam loses its energy to a threshold value of the Li(p, n) reaction or lower before being output from the lithium film 28. By so doing, the structure for shielding can be made smaller because cold neutrons having low energy can be efficiently generated and the generation of unnecessary radiation can be suppressed. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、中性子を発生する技術に関し、特には、軽元素やソフトマターの分析に用いられる冷中性子を発生する中性子発生用ターゲット装置及び中性子発生装置に関する。   The present invention relates to a technology for generating neutrons, and more particularly to a neutron generating target device and a neutron generating device for generating cold neutrons used for analysis of light elements and soft matter.

近年、軽元素分析やソフトマターのナノスケールでの動的状態を非侵襲で観察するプローブとして冷中性子が用いられている(特許文献1参照)。特に、X線に比べると水素や酸素等に高い感度を有していることから、X線を用いた物質分析とは異なる情報を提供できるものとして注目されている。しかし、X線等の放射光に比べると冷中性子ビームはその強度が桁違いに低いこと、及び、現在、日本で中性子の利用可能な施設が日本原子力研究所東海研究所内の研究炉のみであることから冷中性子を用いた分析手法は放射光など、光子を用いた分析ほど普及していない。   In recent years, cold neutrons are used as probes for non-invasive observation of light element analysis and the dynamic state of soft matter on the nanoscale (see Patent Document 1). In particular, since it has higher sensitivity to hydrogen, oxygen, and the like than X-rays, it has been attracting attention as being able to provide information different from material analysis using X-rays. However, the intensity of cold neutron beams is orders of magnitude lower than that of synchrotron radiation such as X-rays, and at present, the only facility that can use neutrons in Japan is the research reactor in the Japan Atomic Energy Research Institute Tokai Research Institute. Therefore, the analysis method using cold neutrons is not as popular as the analysis using photons such as synchrotron radiation.

前者の課題は近年の中性子光学の発展によって中性子ビームの利用効率が向上したことにより改善されてきている。一方、後者の課題に対しては、J-PARC(Japan Proton Accelerator Research Complex)の建設が進められているが、大型施設だけ有って、強度の改善も有るものの、小回りに欠け、人材育成などに課題が残る。このため、手軽に利用可能な施設の新たな建設が望まれるが、中性子発生源の遮蔽の問題から施設の小形化は難しく、また、原子炉のような大型設備は莫大な建設費用が必要である上、立地上の規制が大きい。
特開2007-71799号公報
The former problem has been improved by improving the use efficiency of the neutron beam by the recent development of neutron optics. On the other hand, the J-PARC (Japan Proton Accelerator Research Complex) is being constructed for the latter issue, but there is only a large-scale facility and there is an improvement in strength, but it lacks a small turn, human resource development, etc. The problem remains. For this reason, it is desirable to construct a new facility that can be used easily, but it is difficult to reduce the size of the facility due to the problem of shielding the neutron source, and large equipment such as a nuclear reactor requires huge construction costs. Besides, location restrictions are large.
JP 2007-71799 A

本発明が解決しようとする課題は、遮蔽のための構造を小さくすることができると共に冷中性子を効率よく発生させることができる中性子発生用ターゲット装置及び中性子発生装置を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a neutron generating target device and a neutron generating device capable of reducing the structure for shielding and generating cold neutrons efficiently.

上記課題を解決するために成された本発明の中性子発生用ターゲット装置は、
a) 陽子ビームが入射することにより起きるLi(p,n)反応によって中性子を発生する所定厚さのリチウム薄膜と、
b) 前記リチウム薄膜の陽子ビーム入射面を覆うベリリウム薄膜と、
c) 前記リチウム薄膜の陽子ビーム入射面とは反対側の面に固定され前記リチウム薄膜及びベリリウム薄膜に機械的強度を付与する補強シートと、
を備え、
前記リチウム薄膜を、入射した陽子ビームが当該リチウム薄膜から出射するまでの間にそのエネルギーをLi(p,n)反応の閾値以下に低下させる厚さに設定したことを特徴とする。
The target device for neutron generation of the present invention made to solve the above problems is as follows.
a) a lithium thin film having a predetermined thickness that generates neutrons by Li (p, n) reaction caused by the incidence of a proton beam;
b) a beryllium thin film covering the proton beam incident surface of the lithium thin film;
c) a reinforcing sheet that is fixed to a surface opposite to the proton beam incident surface of the lithium thin film and imparts mechanical strength to the lithium thin film and the beryllium thin film;
With
The lithium thin film is characterized in that it is set to a thickness that reduces its energy below the threshold value of the Li (p, n) reaction until the incident proton beam is emitted from the lithium thin film.

本発明の別の態様の中性子発生用ターゲット装置は、
a) 円錐状の凹部を有する放熱部材と、
b) 前記凹部の内周面に沿って設けられ陽子ビームが入射することにより起きるLi(p,n)反応によって中性子を発生する所定厚さのリチウム薄膜と、
c) 前記凹部を塞ぐベリリウム薄膜と、
を備え、
前記リチウム薄膜を、入射した陽子ビームが当該リチウム薄膜から出射するまでの間にそのエネルギーをLi(p,n)反応の閾値以下に低下させる厚さに設定したことを特徴とする。
A target device for neutron generation according to another aspect of the present invention is provided.
a) a heat dissipation member having a conical recess,
b) a lithium thin film having a predetermined thickness that is provided along the inner peripheral surface of the concave portion and generates neutrons by a Li (p, n) reaction caused by incidence of a proton beam;
c) a beryllium thin film closing the recess,
With
The lithium thin film is characterized in that it is set to a thickness that reduces its energy below the threshold value of the Li (p, n) reaction until the incident proton beam is emitted from the lithium thin film.

また、本発明の中性子発生装置は、上述の中性子発生用ターゲット装置を用いて構成したことを特徴とする。   Moreover, the neutron generator of this invention is comprised using the above-mentioned neutron generation target apparatus.

従来は、陽子ビームをターゲット物質であるリチウムに照射することにより中性子を発生させ、この中性子を減速材で減速させることにより冷中性子を得ている。これに対して、本発明の中性子発生用ターゲット装置及びそれを用いた中性子発生装置では、ターゲット物質として所定厚さのリチウム薄膜を設け、このリチウム薄膜にエネルギーの低い陽子ビームを照射することにより発生中性子の初期エネルギーを下げる。詳細には、入射陽子のエネルギーがLi(p,n)反応の閾値を僅かだけ上回るようにして、発生中性子の余剰エネルギーを極力減らす。これにより、減速材の分量を減らすことが出来る。また、エネルギーを抑えることにより、ノイズの原因となる、エックス腺や、ガンマ線などの発生を抑えることが出来、そのためのシールドも減らすことが出来る。この二つの効果により、冷中性子のフラックスを稼ぐことが出来る。
従って、冷中性子を得るための減速材や冷却水を不要、或いは少なくすることができ、その分、小形化を図ることができる。また、陽子ビームのエネルギーを低くしたことにより不要な放射線の発生を抑えることができるため、遮蔽構造の小形化を図ることができる。
Conventionally, cold neutrons are obtained by irradiating a proton beam to lithium as a target material to generate neutrons and decelerating the neutrons with a moderator. On the other hand, in the neutron generating target device of the present invention and the neutron generating device using the neutron generating device, a lithium thin film having a predetermined thickness is provided as a target material, and the lithium thin film is generated by irradiating a low energy proton beam. Reduce the initial energy of neutrons. Specifically, the surplus energy of generated neutrons is reduced as much as possible by making the incident proton energy slightly above the threshold of the Li (p, n) reaction. Thereby, the amount of moderator can be reduced. In addition, by suppressing energy, generation of X-rays and gamma rays that cause noise can be suppressed, and shielding for that purpose can also be reduced. With these two effects, the flux of cold neutrons can be earned.
Therefore, the moderator and cooling water for obtaining cold neutrons can be eliminated or reduced, and the size can be reduced accordingly. Further, since the generation of unnecessary radiation can be suppressed by lowering the energy of the proton beam, the shielding structure can be miniaturized.

陽子ビームはエネルギーをリチウム薄膜中で失うが、反応閾値を下回るともはや単なる熱源としかならない。リチウムの膜厚を薄くすることにより、閾値以下になった陽子ビームはリチウムの外へ逃げるため、融点の低いリチウムの熱負荷にならず、長寿命化が期待できる。また、リチウム薄膜の陽子ビーム入射面をベリリウム薄膜で覆ったため、リチウム薄膜が過熱されて融解した場合でもリチウムの蒸散、飛散等を防ぐことができる。従って、陽子ビームをターゲットに長時間照射しても安定的にLi(p,n)反応を起こさせて中性子を取り出すことができる。   The proton beam loses energy in the lithium film, but is no longer just a heat source below the reaction threshold. By reducing the thickness of the lithium film, the proton beam that has fallen below the threshold value escapes from the lithium, so that it does not become a thermal load of lithium having a low melting point, and a long life can be expected. Moreover, since the proton beam incident surface of the lithium thin film is covered with the beryllium thin film, even when the lithium thin film is overheated and melted, transpiration and scattering of lithium can be prevented. Therefore, even if the target is irradiated with a proton beam for a long time, the Li (p, n) reaction can be stably caused to extract neutrons.

本発明の別の態様の中性子発生用ターゲット装置及びそれを用いた中性子発生装置では、放熱部材にリチウム薄膜を設けたため、リチウム薄膜を効率よく冷却することができる。また、放熱部材の円錐状の凹部にリチウム薄膜を設け、リチウム薄膜の陽子ビーム入射面を円錐状とした。このため、陽子ビームを分散してリチウム薄膜に照射することができ、リチウム薄膜の温度上昇を抑えることができる。
この場合、陽子ビームの電流密度が大きい領域ほど、陽子ビームの進行方向と直交する方向に対するリチウム薄膜の陽子ビーム入射面の傾きが大きくなるように構成すると、リチウム薄膜に照射される陽子ビームの強度が均等化する。従って、リチウム薄膜が局所的に加熱されることを防止できる。
In the neutron generating target device according to another aspect of the present invention and the neutron generating device using the neutron generating device, the lithium thin film can be efficiently cooled because the lithium thin film is provided on the heat dissipation member. Further, a lithium thin film was provided in the conical recess of the heat dissipation member, and the proton beam incident surface of the lithium thin film was conical. For this reason, a proton beam can be disperse | distributed and a lithium thin film can be irradiated, and the temperature rise of a lithium thin film can be suppressed.
In this case, if the proton beam current density is higher in the region, the inclination of the proton beam entrance surface of the lithium thin film with respect to the direction orthogonal to the traveling direction of the proton beam becomes larger. Is equalized. Therefore, the lithium thin film can be prevented from being locally heated.

本発明は、軽元素分析や物質の状態等の分析に用いられるエネルギーの低い冷中性子を取り出すために用いられる中性子発生用ターゲット装置及びそれを用いた中性子発生装置である。本発明の主な特徴は、ターゲット物質であるリチウム薄膜通過後のエネルギーがLi(p,n)反応の閾値以下となるような低エネルギーの陽子ビームを用いた点、リチウム薄膜を用いたことによる寿命の低下を抑えた点にある。以下、本発明の具体的な実施例について図面を参照しながら説明する。   The present invention relates to a neutron generating target device used for extracting cold neutrons having low energy used for light element analysis and analysis of the state of substances, and a neutron generating device using the same. The main feature of the present invention is that a low-energy proton beam is used so that the energy after passing through the lithium thin film that is the target material is equal to or lower than the threshold value of the Li (p, n) reaction. It is in the point which suppressed the lifetime reduction. Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の第1の実施例に係る中性子発生装置10の概略構成図である。この中性子発生装置10は、陽子ビームを加速する加速器12と、加速器12によって加速された高速陽子ビームを輸送するビーム輸送系(図示せず)と、高速陽子ビームが照射されるターゲット装置20とから構成されている。加速器12,ビーム輸送系、ターゲット装置20はいずれも真空下に置かれている。
加速器12は、イオン源14、高周波四重極線型加速器16(RFQ:Radio Frequency Quardrupole)、後段加速器18(PAcc:Post Accelerator)からなる線形加速器である。ターゲット装置20には、Li(p,n)反応の閾値(約2.0MeV)よりやや大きいエネルギーの陽子ビームが照射される。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a neutron generator 10 according to a first embodiment of the present invention. The neutron generator 10 includes an accelerator 12 that accelerates a proton beam, a beam transport system (not shown) that transports a fast proton beam accelerated by the accelerator 12, and a target device 20 that is irradiated with the fast proton beam. It is configured. The accelerator 12, the beam transport system, and the target device 20 are all placed under vacuum.
The accelerator 12 is a linear accelerator composed of an ion source 14, a high-frequency quadrupole accelerator 16 (RFQ), and a post-accelerator 18 (PAcc: Post Accelerator). The target device 20 is irradiated with a proton beam having energy slightly higher than the threshold value of Li (p, n) reaction (about 2.0 MeV).

図2に示すように、ターゲット装置20は陽子ビームの入射口22及び中性子の取出口24を有する遮蔽容器26内に配置されており、リチウム薄膜28、このリチウム薄膜28の陽子ビーム入射面を覆うベリリウム薄膜30、前記リチウム薄膜28の陽子ビーム入射面とは反対側の面に固定されたバッキングフォイル32から構成されている。前記バッキングフォイル32はベリリウムなどの低原子番号元素から構成されている。このように本実施例のターゲット装置20はベリリウム薄膜30とバッキングフォイル32でターゲット物質であるリチウム薄膜28を挟み込んだ三層構造をなしている。バッキングフォイル32は、リチウム薄膜28、ベリリウム薄膜30に機械的強度を付与するために設けられている。   As shown in FIG. 2, the target device 20 is disposed in a shielding container 26 having a proton beam entrance 22 and a neutron take-out port 24, and covers the lithium thin film 28 and the proton beam entrance surface of the lithium thin film 28. It consists of a beryllium thin film 30 and a backing foil 32 fixed to the surface of the lithium thin film 28 opposite to the proton beam incident surface. The backing foil 32 is made of a low atomic number element such as beryllium. Thus, the target device 20 of this embodiment has a three-layer structure in which the lithium thin film 28 as the target material is sandwiched between the beryllium thin film 30 and the backing foil 32. The backing foil 32 is provided to give mechanical strength to the lithium thin film 28 and the beryllium thin film 30.

ここで、ターゲット装置20について説明する。
ターゲット装置20に陽子ビームを照射するとLi(p,n)反応が起き、中性子が発生する。このとき、陽子ビームのエネルギーをできるだけ低く抑えれば、エネルギーが低い冷中性子が発生する。また、α線やγ線などの不要な放射線の発生も抑えることができる。このため、遮蔽容器26を含む中性子発生装置10全体の小形化を図ることができる。ただし、リチウム薄膜28に対する陽子ビームの入射エネルギーが閾値(約2.0MeV)を下回る場合は中性子が発生しない。
Here, the target device 20 will be described.
When the target device 20 is irradiated with a proton beam, a Li (p, n) reaction occurs and neutrons are generated. At this time, if the energy of the proton beam is kept as low as possible, cold neutrons with low energy are generated. Further, generation of unnecessary radiation such as α rays and γ rays can be suppressed. For this reason, the neutron generator 10 as a whole including the shielding container 26 can be downsized. However, neutrons are not generated when the incident energy of the proton beam on the lithium thin film 28 is lower than the threshold (about 2.0 MeV).

一方、陽子ビームはリチウム薄膜28内を通過する際にエネルギーが低下する。図3は、陽子エネルギーとリチウム中のエネルギー損失との関係を示している。図3に示すように、陽子ビームのエネルギーが低いほどエネルギー損失は大きくなり、例えばLi(p,n)反応の閾値(約2.0MeV)よりもやや大きいエネルギー(図3において矩形枠で囲んだ領域のエネルギー)の場合には陽子ビームがリチウム中を70μm程度通過するだけでLi(p,n)反応の閾値を下回り、これ以降は中性子発生に寄与しない。
従って、リチウム薄膜28に入射した陽子ビームによって効率よく冷中性子を発生させるためには、リチウム中のエネルギー損失を考慮して陽子ビームの入射エネルギー及びリチウム薄膜28の厚さ寸法を設定する必要がある。
On the other hand, the energy of the proton beam decreases when it passes through the lithium thin film 28. FIG. 3 shows the relationship between proton energy and energy loss in lithium. As shown in FIG. 3, the lower the proton beam energy, the larger the energy loss. For example, energy slightly larger than the Li (p, n) reaction threshold (about 2.0 MeV) (the region enclosed by the rectangular frame in FIG. 3). In this case, the proton beam only passes about 70 μm through lithium and falls below the threshold of the Li (p, n) reaction, and does not contribute to neutron generation thereafter.
Therefore, in order to efficiently generate cold neutrons by the proton beam incident on the lithium thin film 28, it is necessary to set the incident energy of the proton beam and the thickness dimension of the lithium thin film 28 in consideration of energy loss in lithium. .

また、陽子ビームが入射したリチウム薄膜28は、そのエネルギーによって発熱する。リチウムは化学的活性が高く、しかも融点が454K程度(約181℃)と低いため、陽子ビームのエネルギーによって発熱すると溶融して飛散するおそれがある。リチウムが飛散してリチウム薄膜28が非常に薄くなると安定してLi(p,n)反応を起こさせることができなくなるため、運転を停止し、真空を破ってターゲット装置20を交換しなければならない。
そこで、本実施例では、リチウム薄膜28の陽子ビーム入射面をベリリウム薄膜30で覆い、溶融したリチウムが飛散することを防止している。但し、ベリリウム中のエネルギー損失を考慮すると、前記ベリリウム薄膜30はできるだけ薄くすることが好ましい。
Further, the lithium thin film 28 on which the proton beam is incident generates heat due to the energy. Lithium has a high chemical activity and a melting point as low as about 454 K (about 181 ° C.). Therefore, when heat is generated by the energy of the proton beam, it may be melted and scattered. If lithium is scattered and the lithium thin film 28 becomes very thin, the Li (p, n) reaction cannot be caused stably, so the operation must be stopped and the target device 20 must be replaced by breaking the vacuum. .
Therefore, in this embodiment, the proton beam incident surface of the lithium thin film 28 is covered with the beryllium thin film 30 to prevent the molten lithium from scattering. However, considering the energy loss in beryllium, it is preferable to make the beryllium thin film 30 as thin as possible.

なお、Li(p,n)反応では、リチウム7(7Li)に陽子(p)が衝突することによってリチウム7(7Li)がベリリウム7(7Be)に変換される過程で中性子(n)が発生する(7Li+p→7Be+n)。ベリリウム7の半減期は約2ヶ月であり、β崩壊によりリチウム7に戻る。つまり、Li(p,n)反応によってできたベリリウム7はリチウム7に戻ることによって再びLi(p,n)反応に利用される。
このように、前記ベリリウム薄膜30はリチウムだけでなくベリリウム7の飛散も防止するため、ターゲットとしての高寿命化を図ることが出来、かつ、周囲の汚染を防ぐことが出来る。
Incidentally, Li (p, n) in the reaction, proton lithium 7 (7 Li) (p) of lithium 7 by the collision (7 Li) neutrons in the process of is converted to beryllium 7 (7 Be) (n) Occurs ( 7 Li + p → 7 Be + n). The half-life of beryllium 7 is about 2 months and returns to lithium 7 by β decay. That is, the beryllium 7 formed by the Li (p, n) reaction returns to the lithium 7 and is used again for the Li (p, n) reaction.
Thus, since the beryllium thin film 30 prevents not only lithium but also the beryllium 7 from being scattered, the life as a target can be increased and the surrounding contamination can be prevented.

また、前記ターゲット装置20は陽子ビームの進行方向(図1に矢印Bで示す方向)と直交する方向に対して傾いた状態で配置されている。このような構成により、リチウム薄膜28に対する陽子ビームの照射面積が増加する。このため、リチウム薄膜28における陽子ビームの電流密度を小さくすることができ、リチウム薄膜28のの温度上昇を抑えることができる。更に、ターゲット装置20を傾けることにより陽子ビームがリチウム薄膜28中を進む距離を長くできるため、リチウム薄膜28の厚さを一層小さくすることができる。   Further, the target device 20 is arranged in an inclined state with respect to a direction orthogonal to the traveling direction of the proton beam (the direction indicated by the arrow B in FIG. 1). With such a configuration, the irradiation area of the proton beam on the lithium thin film 28 increases. For this reason, the current density of the proton beam in the lithium thin film 28 can be reduced, and the temperature rise of the lithium thin film 28 can be suppressed. Furthermore, since the distance that the proton beam travels in the lithium thin film 28 can be increased by tilting the target device 20, the thickness of the lithium thin film 28 can be further reduced.

発明者が検討したところによると、リチウム薄膜28の厚さを70μmに設定した場合には、ベリリウム薄膜30の厚さを25μmに設定し、約3MeVのエネルギーを有する陽子ビームをターゲット装置20に照射することにより、ベリリウム薄膜30通過後の陽子ビーム、つまりリチウム薄膜28に対する陽子ビームの入射エネルギーが2.5MeVとなり、ターゲット装置20通過後の陽子ビームのエネルギーが閾値以下(〜1.5MeV)に低下する。従って、冷中性子を効率よく発生させることができ、しかも、不要な放射線の発生を無くすことができる。   According to a study by the inventors, when the thickness of the lithium thin film 28 is set to 70 μm, the thickness of the beryllium thin film 30 is set to 25 μm, and the target device 20 is irradiated with a proton beam having an energy of about 3 MeV. As a result, the incident energy of the proton beam after passing through the beryllium thin film 30, that is, the proton beam with respect to the lithium thin film 28 becomes 2.5 MeV, and the energy of the proton beam after passing through the target device 20 decreases below the threshold (˜1.5 MeV). Therefore, cold neutrons can be generated efficiently and unnecessary radiation can be eliminated.

図4は本発明の第2の実施例に係る中性子発生装置のターゲット装置40を示している。このターゲット装置40は、第1の実施例と同様の遮蔽容器内に配置されており、下部に円形のビーム入射口42を有する円柱状の放熱容器44、この放熱容器44の内面に蒸着されたリチウム薄膜46、前記ビーム入射口42を塞ぐ蓋体48を有している。   FIG. 4 shows a target device 40 of a neutron generator according to the second embodiment of the present invention. This target device 40 is arranged in the same shielding container as that of the first embodiment, and is deposited on the inner surface of the cylindrical heat radiation container 44 having a circular beam incident port 42 in the lower part thereof. A lithium thin film 46 and a lid 48 for closing the beam entrance 42 are provided.

放熱容器44は、円筒状の外部容器44aと、この外部容器44aに嵌合される円錐状の内部容器44bとから構成されている。外部容器44aはポリエチレンなどの減速材から構成されている。内部容器44bは放熱性に優れた金属、例えば銅から構成されている。内部容器44bの外周面には螺旋状の冷却水路50が形成されている。また、外部容器44aには、前記冷却水路50に冷却水を導入する導入路52及び導出する導出路54が形成されている。両容器44a、44bを組み合わせたとき、導入路52及び導出路54は冷却水路50の両端と連通する。このように放熱容器44の一部を減速材から構成することにより小形化を図ることができる。   The heat radiating container 44 includes a cylindrical outer container 44a and a conical inner container 44b fitted to the outer container 44a. The outer container 44a is made of a moderator such as polyethylene. The inner container 44b is made of a metal excellent in heat dissipation, such as copper. A spiral cooling water channel 50 is formed on the outer peripheral surface of the inner container 44b. The outer container 44a is formed with an introduction path 52 for introducing cooling water into the cooling water path 50 and a lead-out path 54 for leading it out. When both containers 44 a and 44 b are combined, the introduction path 52 and the outlet path 54 communicate with both ends of the cooling water path 50. In this manner, a part of the heat radiation container 44 is made of a moderator, so that the size can be reduced.

内部容器44bの内周面は円錐状部56とその下部の円筒状部58とから構成されており、円筒状部58の外周面にはフランジ60が形成されている。内部容器44bの円錐状部56にリチウム薄膜46が蒸着されている。このように、内部容器44bの内面にリチウム薄膜46を設けたことにより、リチウム薄膜46を効率よく冷却することができる。   The inner peripheral surface of the inner container 44 b is composed of a conical portion 56 and a cylindrical portion 58 below the conical portion 56, and a flange 60 is formed on the outer peripheral surface of the cylindrical portion 58. A lithium thin film 46 is deposited on the conical portion 56 of the inner container 44b. Thus, the lithium thin film 46 can be efficiently cooled by providing the lithium thin film 46 on the inner surface of the inner container 44b.

また、上記構成により、リチウム薄膜46の陽子ビーム入射面は、陽子ビームの進行方向(図に矢印Bで示す方向)に直交する方向に対して傾いた状態となる。この陽子ビーム入射面の傾きは陽子ビームの電流密度がほぼ均一となるように設定されている。陽子ビームの入射面の形状は、陽子ビームの電流密度分布が正規分布、釣り鐘型分布等であると仮定することにより求めることができる。   Further, with the above configuration, the proton beam incident surface of the lithium thin film 46 is inclined with respect to the direction orthogonal to the traveling direction of the proton beam (the direction indicated by the arrow B in the drawing). The inclination of the proton beam incident surface is set so that the current density of the proton beam is substantially uniform. The shape of the incident surface of the proton beam can be obtained by assuming that the current density distribution of the proton beam is a normal distribution, a bell-shaped distribution, or the like.

例えば陽子ビームの電流密度分布を正規分布と仮定すると、電流の密度分布iは次の式(1)で表される。

Figure 2009047432
(ただし、Iは全電流、σは分散、rは陽子ビームの中心軸からビーム入射面までの距離を示す。) For example, assuming that the current density distribution of the proton beam is a normal distribution, the current density distribution i is expressed by the following equation (1).
Figure 2009047432
(However, I 0 is the total current, σ 2 is the dispersion, and r is the distance from the central axis of the proton beam to the beam incident surface.)

このとき、リチウム薄膜46の陽子ビーム入射面における電流密度を一定にするためには、下記の式(2)に示すように、陽子ビームの進行方向と前記陽子ビーム入射面の法線方向とがなす角度θの余弦が電流密度の逆数になるようにすれば良い。

Figure 2009047432
ただし、rは円錐状部56の最外半径を示す。 At this time, in order to make the current density at the proton beam incident surface of the lithium thin film 46 constant, the traveling direction of the proton beam and the normal direction of the proton beam incident surface are as shown in the following equation (2). The cosine of the angle θ formed may be the reciprocal of the current density.
Figure 2009047432
Here, r 1 represents the outermost radius of the conical portion 56.

一般にrを2σ程度に取れば、円錐状部56よりも外側の陽子ビームは全量の14%以下であり、電流密度も中心値の14%以下であるため、十分小さい。非常に強力な陽子ビームを扱う際にはrを3σ程度に選ぶことも出来る。
円錐状部56の形状は角度θの正接を積分をしたものになるため、陽子ビームの進行方向の座標をZとすると、座標Zは、角度θ、円錐状部56の最大深さZ、陽子ビームの中心軸からビーム入射面までの距離rを用いて次の式(3)で表すことができる。

Figure 2009047432
In general, if r 1 is set to about 2σ, the proton beam outside the conical portion 56 is 14% or less of the total amount, and the current density is 14% or less of the center value, so that it is sufficiently small. When handling a very strong proton beam, r 1 can be selected to be about 3σ.
Since the shape of the conical portion 56 is obtained by integrating the tangent of the angle θ, if the coordinate in the traveling direction of the proton beam is Z, the coordinate Z is the angle θ, the maximum depth Z 0 of the conical portion 56, It can be expressed by the following equation (3) using the distance r from the central axis of the proton beam to the beam incident surface.
Figure 2009047432

また、このときの電流密度及びZ/Z0とr/σとの関係を図7に示す。図7に実線で表される形状が円錐状部56の陽子ビーム入射面の形状となる。
上記構成により、リチウム薄膜46に照射される陽子ビームの強度を均等化することができ、リチウム薄膜46が局所的に加熱されることを防止できる。
Further, FIG. 7 shows the current density at this time and the relationship between Z / Z 0 and r / σ. The shape represented by the solid line in FIG. 7 is the shape of the proton beam incident surface of the conical portion 56.
With the above configuration, the intensity of the proton beam applied to the lithium thin film 46 can be equalized, and the lithium thin film 46 can be prevented from being locally heated.

前記蓋体48は、複数本のボルト64を介して放熱容器44に固定されている。蓋体48は、円形の開口部48aを有するステンレス製の外枠48b及び内枠48cと、開口部48aに張り渡され外枠48bと内枠48cの間に挟持されたベリリウム薄膜66とから構成されている。内枠48cは、外枠48bとの間にベリリウム薄膜66を挟んだ状態で外枠48bにねじ止めされている。   The lid 48 is fixed to the heat dissipation container 44 via a plurality of bolts 64. The lid 48 includes a stainless outer frame 48b and an inner frame 48c having a circular opening 48a, and a beryllium thin film 66 stretched over the opening 48a and sandwiched between the outer frame 48b and the inner frame 48c. Has been. The inner frame 48c is screwed to the outer frame 48b with the beryllium thin film 66 sandwiched between it and the outer frame 48b.

円筒状部58の下部にはリチウムブロック61を収容する収容部62が配置されている。図4及び図5に示すように、収容部62は例えば円筒状部58の内周面に沿って配置されており、環状の底面部62aとその内周縁及び外周縁に立設された内周壁62b及び外周壁62cから構成されている。
収容部62は熱伝導性が良く且つ高温下でリチウムと反応しない(合金化しない)材料、例えばタンタル(Ta)から形成されている。底面部62aにはシーズヒータ等のヒータエレメント63が埋め込まれている。ヒータエレメント63には真空気密電流導入端子65を介して電流が供給される。ヒータエレメント63に電流が供給されると、収容部62全体が所定の温度までほぼ均等に加熱される。この結果、リチウムブロック61が気化或いは昇華してリチウム薄膜46の表面に付着し、薄膜を形成する。
A housing portion 62 that houses the lithium block 61 is disposed below the cylindrical portion 58. As shown in FIGS. 4 and 5, the accommodating portion 62 is disposed along the inner peripheral surface of the cylindrical portion 58, for example, and has an annular bottom surface portion 62 a and an inner peripheral wall erected on the inner and outer peripheral edges thereof. 62b and an outer peripheral wall 62c.
The accommodating part 62 is made of a material having good thermal conductivity and not reacting with lithium (not alloyed) at a high temperature, for example, tantalum (Ta). A heater element 63 such as a sheathed heater is embedded in the bottom surface portion 62a. A current is supplied to the heater element 63 via a vacuum hermetic current introduction terminal 65. When a current is supplied to the heater element 63, the entire accommodating portion 62 is heated almost uniformly to a predetermined temperature. As a result, the lithium block 61 is vaporized or sublimated and adheres to the surface of the lithium thin film 46 to form a thin film.

なお、図5では、収容部62に環状のリチウムブロック61が収容されている状態を示したが、多数のリチウムブロックがほぼ等間隔に配置されていても良い。また、図6に示すように収容部62内を複数の小室に区画し、各小室にそれぞれリチウムブロック61を収容するようにしても良い。更に、固体状のリチウムに代えて液体状のリチウムを収容部62に収容し、外部から液体状のリチウムを適宜補給できるように構成しても良い。   5 shows a state in which the annular lithium block 61 is accommodated in the accommodating portion 62, a large number of lithium blocks may be arranged at almost equal intervals. Moreover, as shown in FIG. 6, the inside of the accommodating part 62 may be divided into a plurality of small chambers, and the lithium block 61 may be accommodated in each small chamber. Furthermore, instead of solid lithium, liquid lithium may be accommodated in the accommodating portion 62 so that liquid lithium can be appropriately supplied from the outside.

上記ターゲット装置40においては、ビーム入射口42から放熱容器44内に入射した陽子ビームは、ベリリウム薄膜66を通過した後、リチウム薄膜46に入射して中性子を発生させる。従って、リチウム薄膜46の厚さを70μm、ベリリウム薄膜66の厚さを25μmとし、陽子ビームの入射エネルギーを3MeVとすることにより、第1の実施例のターゲット装置20と同様の作用、効果が得られる。   In the target device 40, the proton beam that has entered the radiation container 44 from the beam entrance 42 passes through the beryllium thin film 66 and then enters the lithium thin film 46 to generate neutrons. Therefore, by setting the thickness of the lithium thin film 46 to 70 μm, the thickness of the beryllium thin film 66 to 25 μm, and the incident energy of the proton beam to 3 MeV, the same operation and effect as the target device 20 of the first embodiment can be obtained. It is done.

なお、本実施例のターゲット装置40ではベリリウム薄膜66とリチウム薄膜46とが離間しているため、リチウム薄膜46から飛散したリチウムは放熱容器44内の空間を浮遊するが、放熱容器44から漏れることはない。このように飛散したリチウムを放熱容器44内を閉じこめておくことにより、リチウム薄膜46にリチウムを再び付着させることも可能になる。   In the target device 40 of this embodiment, since the beryllium thin film 66 and the lithium thin film 46 are separated from each other, the lithium scattered from the lithium thin film 46 floats in the space in the heat dissipation container 44 but leaks from the heat dissipation container 44. There is no. By confining the heat-dissipating container 44 with the scattered lithium, the lithium can be attached to the lithium thin film 46 again.

リチウム薄膜46は複雑な形状をしているため、リチウムは一様に再生されるとは限らない。リチウム薄膜46の厚さが所定の厚さよりも大きい部分では、2MeV以下に減速された無用なビームが熱伝導性の悪いリチウム中で発熱し温度上昇するため、昇華等によりリチウム薄膜46の厚さが早期減少することが予期される。このような現象はリチウム薄膜46の厚さが所定の厚さになるまで起こり、その後は温度上昇が低減するため急速な昇華は軽減される。従って、リチウム薄膜46の厚さが所定値の例えば半分になるまで運転可能となる。そして、中性子の発生量が減ってきた段階でリチウム薄膜46の再生操作を繰り返すことになる。   Since the lithium thin film 46 has a complicated shape, lithium is not always reproduced uniformly. In the portion where the thickness of the lithium thin film 46 is larger than the predetermined thickness, the useless beam decelerated to 2 MeV or less generates heat in lithium having poor thermal conductivity and the temperature rises. Therefore, the thickness of the lithium thin film 46 is increased by sublimation or the like. Is expected to decline early. Such a phenomenon occurs until the thickness of the lithium thin film 46 reaches a predetermined thickness. Thereafter, the temperature rise is reduced, so that rapid sublimation is reduced. Accordingly, operation is possible until the thickness of the lithium thin film 46 becomes, for example, half of the predetermined value. Then, the regeneration operation of the lithium thin film 46 is repeated at the stage where the amount of neutron generation has decreased.

なお、第2の実施例では、外部容器及び内部容器から放熱容器を構成したが、一つの容器から放熱容器を構成しても良い。
冷却水を流通させなくてもリチウム薄膜を充分に冷却できる場合には、冷却水路を省略することができる。内部容器及び外部容器の両方を放熱性に優れた金属から構成し、減速材を別に設けても良い。
更に、上記説明した実施例は本発明の一例に過ぎず、本発明の趣旨の範囲で適宜変更や修正を加えることが可能である。
In the second embodiment, the heat radiating container is composed of the outer container and the inner container, but the heat radiating container may be composed of one container.
If the lithium thin film can be sufficiently cooled without circulating the cooling water, the cooling water channel can be omitted. Both the inner container and the outer container may be made of metal having excellent heat dissipation, and a moderator may be provided separately.
Furthermore, the above-described embodiment is merely an example of the present invention, and changes and modifications can be appropriately made within the scope of the gist of the present invention.

本発明の第1の実施例に係る中性子発生装置の概略的構成を示す図The figure which shows schematic structure of the neutron generator which concerns on 1st Example of this invention ターゲット装置の構成を示す縦断側面図Vertical side view showing the configuration of the target device 陽子エネルギーとリチウム中のエネルギー損失との関係を示す図Diagram showing the relationship between proton energy and energy loss in lithium 本発明の第2の実施例に係るターゲット装置の構成を示す縦断正面図Longitudinal front view showing a configuration of a target device according to a second embodiment of the present invention リチウムブロックが収容された収容部の一例を示す平面図The top view which shows an example of the accommodating part in which the lithium block was accommodated リチウムブロックが収容された収容部の他の例を示す平面図The top view which shows the other example of the accommodating part in which the lithium block was accommodated 電流密度及びZ/Z0とr/σとの関係を示す図Diagram showing current density and the relationship between Z / Z 0 and r / σ

符号の説明Explanation of symbols

10…中性子発生装置
12…加速器
20,40…ターゲット装置
26…遮蔽容器
28,46…リチウム薄膜
30,66…ベリリウム薄膜
32…バッキングフォイル
42…ビーム入射口
44…放熱容器
44a…外部容器
44b…内部容器
48…蓋体
61…リチウムブロック
62…収容部
62a…底面
62b…内周壁
62c…外周壁
63…ヒータエレメント
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Neutron generator 12 ... Accelerator 20, 40 ... Target device 26 ... Shielding container 28, 46 ... Lithium thin film 30, 66 ... Beryllium thin film 32 ... Backing foil 42 ... Beam entrance 44 ... Radiation container 44a ... External container 44b ... Inside Container 48 ... Lid 61 ... Lithium block 62 ... Storage section 62a ... Bottom surface 62b ... Inner peripheral wall 62c ... Outer peripheral wall 63 ... Heater element

Claims (8)

a) 陽子ビームが入射することにより起きるLi(p,n)反応によって中性子を発生する所定厚さのリチウム薄膜と、
b) 前記リチウム薄膜の陽子ビーム入射面を覆うベリリウム薄膜と、
c) 前記リチウム薄膜の陽子ビーム入射面とは反対側の面に固定され前記リチウム薄膜及びベリリウム薄膜に機械的強度を付与する補強シートと、
を備える中性子発生用ターゲット装置において、
前記リチウム薄膜は、入射した陽子ビームが当該リチウム薄膜から出射するまでの間にそのエネルギーをLi(p,n)反応の閾値以下に低下させる厚さに設定されていることを特徴とする中性子発生用ターゲット装置。
a) a lithium thin film having a predetermined thickness that generates neutrons by Li (p, n) reaction caused by the incidence of a proton beam;
b) a beryllium thin film covering the proton beam incident surface of the lithium thin film;
c) a reinforcing sheet that is fixed to a surface opposite to the proton beam incident surface of the lithium thin film and imparts mechanical strength to the lithium thin film and the beryllium thin film;
In a neutron generation target device comprising:
The lithium thin film is set to a thickness that reduces its energy below the threshold of the Li (p, n) reaction until the incident proton beam is emitted from the lithium thin film. Target device.
a) 円錐状の凹部を有する放熱部材と、
b) 前記凹部の内周面に沿って設けられ陽子ビームが入射することにより起きるLi(p,n)反応によって中性子を発生する所定厚さのリチウム薄膜と、
c) 前記凹部を塞ぐベリリウム薄膜と、
を備える中性子発生用ターゲット装置において、
前記リチウム薄膜は、入射した陽子ビームが当該リチウム薄膜から出射するまでの間にそのエネルギーをLi(p,n)反応の閾値以下に低下させる厚さに設定されていることを特徴とする中性子発生用ターゲット装置。
a) a heat dissipation member having a conical recess,
b) a lithium thin film having a predetermined thickness that is provided along the inner peripheral surface of the concave portion and generates neutrons by a Li (p, n) reaction caused by incidence of a proton beam;
c) a beryllium thin film closing the recess,
In a neutron generation target device comprising:
The lithium thin film is set to a thickness that reduces its energy below the threshold of the Li (p, n) reaction until the incident proton beam is emitted from the lithium thin film. Target device.
前記凹部に固体状或いは液体状のリチウムが環状配置されていることを特徴とする請求項2に記載の中性子発生用ターゲット装置。   The target device for neutron generation according to claim 2, wherein solid or liquid lithium is annularly arranged in the recess. 放熱部材には冷却媒体が流通する冷却通路が設けられていることを特徴とする請求項2または3に記載の中性子発生用ターゲット装置。   4. The neutron generating target device according to claim 2, wherein the heat dissipating member is provided with a cooling passage through which a cooling medium flows. リチウム薄膜の陽子ビーム入射面の法線方向と陽子ビームの入射方向とがなす角度が、前記陽子ビームの電流密度が大きい領域ほど大きくなるように構成されていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記載の中性子発生用ターゲット装置。   3. The structure according to claim 2, wherein an angle formed between a normal direction of a proton beam incident surface of the lithium thin film and an incident direction of the proton beam is larger in a region where the current density of the proton beam is larger. 5. The neutron generating target device according to any one of 4 above. 陽子ビームの電流密度の分布を正規分布と仮定して、リチウム薄膜の陽子ビーム入射面の法線方向と陽子ビームの入射方向とがなす角度θは次の式
Figure 2009047432
(ただし、σは分散、r1は凹部の最外半径、rは陽子ビームの中心からの距離を示す。)
から求められることを特徴とする請求項5に記載の中性子発生用ターゲット装置。
Assuming that the current density distribution of the proton beam is a normal distribution, the angle θ between the normal direction of the proton beam incident surface of the lithium thin film and the incident direction of the proton beam is given by
Figure 2009047432
(Where σ 2 is dispersion, r 1 is the outermost radius of the recess, and r is the distance from the center of the proton beam.)
The target device for neutron generation according to claim 5, wherein
厚さが70μmのリチウム薄膜に入射するときの陽子ビームのエネルギーが2.5±0.5MeVになるように前記陽子ビームのエネルギー及びベリリウム薄膜の厚さが設定されていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の中性子発生用ターゲット装置。   2. The energy of the proton beam and the thickness of the beryllium thin film are set so that the energy of the proton beam when incident on a lithium thin film having a thickness of 70 μm is 2.5 ± 0.5 MeV. 6. The target device for generating neutrons according to any one of 6 above. 加速器と、
前記加速器によって加速された陽子ビームが照射される請求項1から7のいずれかに記載された中性子発生用ターゲット装置と、
を備えることを特徴とする中性子発生装置。
An accelerator,
A target device for generating neutrons according to any one of claims 1 to 7, wherein a proton beam accelerated by the accelerator is irradiated.
A neutron generator characterized by comprising:
JP2007210858A 2007-08-13 2007-08-13 Target device for generating neutron and neutron generator Pending JP2009047432A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007210858A JP2009047432A (en) 2007-08-13 2007-08-13 Target device for generating neutron and neutron generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007210858A JP2009047432A (en) 2007-08-13 2007-08-13 Target device for generating neutron and neutron generator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009047432A true JP2009047432A (en) 2009-03-05

Family

ID=40499804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007210858A Pending JP2009047432A (en) 2007-08-13 2007-08-13 Target device for generating neutron and neutron generator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009047432A (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012073966A1 (en) 2010-11-29 2012-06-07 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 Combined-type target, neutron generating method using combined-type target, and neutron generating apparatus using combined-type target
JP2012119062A (en) * 2010-11-29 2012-06-21 High Energy Accelerator Research Organization Composite target, neutron generating method using composite target, and neutron generator using composite target
WO2013001974A1 (en) * 2011-06-27 2013-01-03 株式会社Cics Automatic lithium target regenerating apparatus and automatic lithium target regenerating method
JP2013054889A (en) * 2011-09-02 2013-03-21 High Energy Accelerator Research Organization Compound type target, neutron generation method using compound type target, and neutron generator using compound type target
JP2013079819A (en) * 2011-09-30 2013-05-02 Mitsubishi Heavy Industries Mechatronics Systems Ltd Device for forming liquid metal target
WO2013133342A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 独立行政法人理化学研究所 Neutron generation source, and neutron generation device
WO2013154177A1 (en) * 2012-04-12 2013-10-17 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 Combined-type target, neutron-generating method using combined-type target, and neutron-generating device using combined-type target
JP2019144150A (en) * 2018-02-22 2019-08-29 住友重機械工業株式会社 Neutron beam irradiation device and target device
JP2019160418A (en) * 2018-03-07 2019-09-19 株式会社アルバック Method and device for producing lithium target
EP3668281A1 (en) * 2018-10-01 2020-06-17 Forschungszentrum Jülich GmbH Neutron source and method for locating a target material
JP2020517973A (en) * 2017-04-24 2020-06-18 アドヴァンスド・アクセラレーター・アプリケーションズ Accelerator-driven neutron activation device for brachytherapy

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119062A (en) * 2010-11-29 2012-06-21 High Energy Accelerator Research Organization Composite target, neutron generating method using composite target, and neutron generator using composite target
WO2012073966A1 (en) 2010-11-29 2012-06-07 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 Combined-type target, neutron generating method using combined-type target, and neutron generating apparatus using combined-type target
RU2597879C2 (en) * 2011-06-27 2016-09-20 Кэнсэр Интеллидженс Кэа Системс, Инк. Device for automatic recovery of lithium target and method for automatic recovery of lithium target
WO2013001974A1 (en) * 2011-06-27 2013-01-03 株式会社Cics Automatic lithium target regenerating apparatus and automatic lithium target regenerating method
JP2013008634A (en) * 2011-06-27 2013-01-10 Cancer Intelligence Care Systems Inc Lithium target automatic reproducing device and lithium target automatic reproducing method
US9695507B2 (en) 2011-06-27 2017-07-04 Cancer Intelligence Care Systems, Inc. Automatic lithium target regenerating apparatus and automatic lithium target regenerating method
CN103718655A (en) * 2011-06-27 2014-04-09 康适智能护理系统株式会社 Automatic lithium target regenerating apparatus and automatic lithium target regenerating method
JP2013054889A (en) * 2011-09-02 2013-03-21 High Energy Accelerator Research Organization Compound type target, neutron generation method using compound type target, and neutron generator using compound type target
JP2013079819A (en) * 2011-09-30 2013-05-02 Mitsubishi Heavy Industries Mechatronics Systems Ltd Device for forming liquid metal target
US9636692B2 (en) 2011-09-30 2017-05-02 Mitsubishi Heavy Industries Mechatronics Systems Liquid metal target forming apparatus
US10418140B2 (en) 2012-03-06 2019-09-17 Riken Neutron source and neutron generator
JPWO2013133342A1 (en) * 2012-03-06 2015-07-30 国立研究開発法人理化学研究所 Neutron generator and neutron generator
WO2013133342A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 独立行政法人理化学研究所 Neutron generation source, and neutron generation device
JPWO2013154177A1 (en) * 2012-04-12 2015-12-17 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 Composite type target, neutron generation method using composite type target, and neutron generator using composite type target
WO2013154177A1 (en) * 2012-04-12 2013-10-17 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 Combined-type target, neutron-generating method using combined-type target, and neutron-generating device using combined-type target
JP2020517973A (en) * 2017-04-24 2020-06-18 アドヴァンスド・アクセラレーター・アプリケーションズ Accelerator-driven neutron activation device for brachytherapy
JP2019144150A (en) * 2018-02-22 2019-08-29 住友重機械工業株式会社 Neutron beam irradiation device and target device
JP2019160418A (en) * 2018-03-07 2019-09-19 株式会社アルバック Method and device for producing lithium target
JP7061899B2 (en) 2018-03-07 2022-05-02 株式会社アルバック Lithium target manufacturing method and manufacturing equipment
EP3668281A1 (en) * 2018-10-01 2020-06-17 Forschungszentrum Jülich GmbH Neutron source and method for locating a target material

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009047432A (en) Target device for generating neutron and neutron generator
Metzger et al. Red or blue? A potential kilonova imprint of the delay until black hole formation following a neutron star merger
Redondo-Cubero et al. Current status and future developments of the ion beam facility at the centre of micro-analysis of materials in Madrid
JP6935878B2 (en) Neutron deceleration irradiation device and extended collimator
Taskaev Development of an accelerator-based epithermal neutron source for boron neutron capture therapy
EP3381514A1 (en) Neutron capture therapy system and gamma ray detector for neutron capture therapy
WO2017164408A1 (en) Neutron moderation irradiation device
Wang et al. A review of irradiation stability of lithium hydride neutron shielding material
JP6661525B2 (en) Neutron generator
Halfon et al. High-power electron beam tests of a liquid-lithium target and characterization study of 7Li (p, n) near-threshold neutrons for accelerator-based boron neutron capture therapy
Gribkov et al. On various possibilities in pulsed radiation biochemistry and chemistry
Liu et al. Feasibility of sealed D–T neutron generator as neutron source for liver BNCT and its beam shaping assembly
Flammini et al. On the slowing down of 14 MeV neutrons
JP5522567B2 (en) Radioisotope production method and apparatus
Gohar et al. Accelerator-driven subcritical assembly: concept development and analyses
JP5673916B2 (en) Radioisotope production method and apparatus
Crha et al. Neutron imaging on the VR-1 reactor
Kadi et al. EURISOL High power targets
Blackburn High-power target development for accelerator-based neutron capture therapy
US10720254B1 (en) Production of radioactive isotope Cu-67 from gallium targets at electron accelerators
Lone et al. Low energy 7 Li (p, n) 7 Be neutron source (Canutron)
Shaaban Conceptual design of a thermal neutron radiography facility in the cyclotron 30 LC using the MCNPX cod
Asano et al. Calculations for the availability of photoneutron using synchrotron radiation
Ceccolini et al. The Effect of X-ray Scattering by Water in the Irradiation of Cell Cultures for the Dosimetric Characterization of a New Prototype of IORT (Intra-Operative Radiation Therapy) Device: Monte Carlo Simulation and Experimental Validation
Demtröder Applications of Nuclear-and High Energy Physics