JP2009041514A - Catalyst bed temperature control device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent damage of a catalyst regeneration type filter due to overheating, by preventing a control error of a catalyst bed temperature when regenerating the filter. <P>SOLUTION: During a setting period of an initial target catalyst bed temperature, a quantity of integral control QI corresponding to a difference between a quantity of post injection Qpst and an actual quantity of post injection is learned, based on an offset target catalyst bed temperature Tofst that is lower than a normal target catalyst bed temperature (S142). A highly accurate quantity of integral control QI is calculated because the target catalyst bed temperature is stable at the offset target catalyst bed temperature Tofst during setting the initial target catalyst bed temperature. Accordingly, thereafter, by setting a target catalyst bed temperature at the time of normal regeneration as the target catalyst bed temperature, even in a transient period, since the quantity of post injection Qpst is controlled by using the highly accurate quantity of integral control QI previously learned, highly the catalyst bed temperature is precisely controlled. When the catalyst bed temperature reaches the target catalyst bed temperature, because heating of the quantity of integral control QI including a large error with overshoot is not applied, the damage of the DPF due to overheating is prevented. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、内燃機関の排気系に設けられ、排気中からパティキュレートを捕集する触媒再生型フィルタにおける再生時の触媒床温を制御する装置に関する。   The present invention relates to an apparatus for controlling a catalyst bed temperature during regeneration in a catalyst regeneration type filter that is provided in an exhaust system of an internal combustion engine and collects particulates from exhaust gas.

ディーゼルエンジンの排気通路にフィルタを配置して、排気中の粒子状物質(PM)を捕集すると共に、フィルタを加熱処理することにより捕集したPMを燃焼除去するシステムが知られている(例えば特許文献1〜5参照)。   There is known a system in which a filter is disposed in an exhaust passage of a diesel engine to collect particulate matter (PM) in exhaust gas, and the collected PM is burned and removed by heat-treating the filter (for example, Patent References 1 to 5).

特許文献1ではフィルタ再生処理時に燃料添加を段階的に実行することで円滑な酸化反応を生じさせることによりフィルタの目詰まりや白煙の防止を図っている。
特許文献2ではフィルタ再生処理時に目標温度を切り替えることによりポスト噴射量などの制御量を徐々に設定値まで変化させてフィルタ温度の過上昇や運転状態の急変を防止している。
In Patent Document 1, a smooth oxidation reaction is caused by performing fuel addition step by step during filter regeneration processing, thereby preventing clogging of the filter and white smoke.
In Patent Literature 2, the control amount such as the post injection amount is gradually changed to a set value by switching the target temperature during the filter regeneration process, thereby preventing an excessive increase in the filter temperature and a sudden change in the operation state.

特許文献3ではPM堆積量に応じて目標温度を徐変させることで、フィルタの急激な温度上昇を防止している。
特許文献4では完全なフィルタ再生を実行するために目標温度を二段階に分けて加熱再生処理を実行している。
In Patent Document 3, a rapid increase in the temperature of the filter is prevented by gradually changing the target temperature in accordance with the PM accumulation amount.
In Patent Document 4, in order to perform complete filter regeneration, the target temperature is divided into two stages and the heat regeneration process is performed.

特許文献5では目標床温を段階的に上昇させることでフィルタの溶損を防止している。
特開2004−132316号公報(第6頁、図4) 特開2005−90390号公報(第5頁、図2−4) 特開2005−120981号公報(第4−6頁、図2−9) 特開2004−183525号公報(第7−9頁、図5) 特開2002−250218号公報(第5−8頁、図2)
In Patent Document 5, melting of the filter is prevented by increasing the target bed temperature stepwise.
JP 2004-132316 A (Page 6, FIG. 4) Japanese Patent Laying-Open No. 2005-90390 (5th page, FIG. 2-4) Japanese Patent Laying-Open No. 2005-120981 (page 4-6, FIG. 2-9) Japanese Patent Laying-Open No. 2004-183525 (page 7-9, FIG. 5) Japanese Patent Laying-Open No. 2002-250218 (page 5-8, FIG. 2)

上述した特許文献2〜5では、加熱調節量であるポスト噴射量や燃料添加量を決定する燃料噴射弁や燃料添加弁におけるばらつきについては考慮されていない。このため燃料噴射弁や燃料添加弁のばらつきにより、弁制御量に対して過剰な燃料量を噴射あるいは添加する場合がある。   In Patent Documents 2 to 5 described above, variations in the fuel injection valve and the fuel addition valve that determine the post-injection amount and the fuel addition amount, which are heating adjustment amounts, are not considered. For this reason, an excessive amount of fuel may be injected or added with respect to the valve control amount due to variations in the fuel injection valve and the fuel addition valve.

特にフィルタの再生初期にはフィードバック制御上のオーバーシュートによりフィルタが目標床温よりも高温となりやすい。このような再生初期に、燃料噴射弁や燃料添加弁として弁制御量に対して過剰な燃料量を噴射あるいは添加するものが用いられていると、フィルタの限界を越えた過熱状態となりフィルタに溶損などの損傷を生じさせることになる。   In particular, at the initial stage of the regeneration of the filter, the filter tends to be higher than the target bed temperature due to overshoot in feedback control. If a fuel injection valve or fuel addition valve that injects or adds an excessive amount of fuel with respect to the valve control amount is used in the early stage of regeneration, the overheated state will exceed the limit of the filter and will dissolve in the filter. Damage and other damage will occur.

燃料噴射弁や燃料添加弁のばらつきにより弁制御量に対して燃料噴射量あるいは添加量が過少となる場合がある。このような場合、特許文献2〜5ではフィードバック制御としては比例制御により目標温度と実温度との差に比例した弁制御量としているため、再生制御の初期において燃料噴射量や添加量が不足して再生に時間が掛かる場合が生じる。   Due to variations in the fuel injection valve and the fuel addition valve, the fuel injection amount or the addition amount may be too small relative to the valve control amount. In such a case, in Patent Documents 2 to 5, since the valve control amount is proportional to the difference between the target temperature and the actual temperature by the proportional control as the feedback control, the fuel injection amount and the addition amount are insufficient at the initial stage of the regeneration control. Playback takes time.

このような制御誤差上の問題を解決するために、特許文献1では触媒床温が十分に目標温度に近づいてから、比例制御量と積分制御量とによるフィードバック制御を実行している。   In order to solve such a control error problem, in Patent Document 1, feedback control using a proportional control amount and an integral control amount is executed after the catalyst bed temperature has sufficiently approached the target temperature.

しかしフィードバック制御の初期は目標温度までの過渡状態であり、積分制御量を高精度に得るのは困難でありフィルタが目標温度に到達した時点では積分制御量には誤差が蓄積している可能性がある。このため積分制御量により制御誤差を招くという全く逆の事態となる。この場合にも積分制御量が過多となっている場合には、過剰な燃料噴射量あるいは燃料添加量によりフィルタが過熱されるおそれがある。   However, the initial stage of feedback control is a transient state up to the target temperature, and it is difficult to obtain the integral control amount with high accuracy, and there is a possibility that an error has accumulated in the integral control amount when the filter reaches the target temperature. There is. For this reason, a completely opposite situation occurs in which a control error is caused by the integral control amount. Also in this case, if the integral control amount is excessive, the filter may be overheated due to an excessive fuel injection amount or fuel addition amount.

本発明は、触媒再生型フィルタの再生時における触媒床温の制御誤差を抑制して過熱によるフィルタの損傷を防止することを目的とするものである。   It is an object of the present invention to suppress a catalyst bed temperature control error during regeneration of a catalyst regeneration type filter and prevent damage to the filter due to overheating.

以下、上記目的を達成するための手段及びその作用効果について記載する。
請求項1に記載の触媒床温制御装置は、内燃機関の排気系に設けられ、排気中からパティキュレートを捕集する触媒再生型フィルタにおける再生時の触媒床温を制御する装置であって、触媒再生型フィルタの再生開始時に、再生時目標触媒床温よりも低い初期目標触媒床温を目標触媒床温として設定する初期目標触媒床温設定期間を設け、該初期目標触媒床温設定期間後に再生時目標触媒床温を目標触媒床温として設定する目標触媒床温設定手段と、前記初期目標触媒床温設定期間内にて加熱調節量と実加熱量との差に対応する加熱調節量補正値を学習する初期目標触媒床温設定期間学習手段と、触媒再生型フィルタの実触媒床温を検出する触媒床温検出手段と、前記目標触媒床温設定手段にて設定される目標触媒床温と前記触媒床温検出手段にて検出される実触媒床温との差に基づいて加熱調節量を制御すると共に、前記初期目標触媒床温設定期間学習手段にて前記加熱調節量補正値が学習された後は、目標触媒床温と実触媒床温との差と共に前記加熱調節量補正値を用いて加熱調節量を制御する加熱調節量制御手段とを備えたことを特徴とする。
In the following, means for achieving the above object and its effects are described.
The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 1 is an apparatus that controls a catalyst bed temperature during regeneration in a catalyst regeneration type filter that is provided in an exhaust system of an internal combustion engine and collects particulates from exhaust gas, At the start of regeneration of the catalyst regeneration type filter, an initial target catalyst bed temperature setting period is set in which an initial target catalyst bed temperature lower than the regeneration target catalyst bed temperature is set as the target catalyst bed temperature, and after the initial target catalyst bed temperature setting period Target catalyst bed temperature setting means for setting the target catalyst bed temperature during regeneration as the target catalyst bed temperature, and heating adjustment amount correction corresponding to the difference between the heating adjustment amount and the actual heating amount within the initial target catalyst bed temperature setting period Initial target catalyst bed temperature setting period learning means for learning a value, catalyst bed temperature detection means for detecting the actual catalyst bed temperature of the catalyst regeneration filter, and target catalyst bed temperature set by the target catalyst bed temperature setting means And the catalyst bed temperature detection hand And the heating adjustment amount is controlled based on the difference from the actual catalyst bed temperature detected in step S1, and after the heating adjustment amount correction value is learned by the initial target catalyst bed temperature setting period learning means, Heating adjustment amount control means for controlling the heating adjustment amount using the heating adjustment amount correction value together with the difference between the bed temperature and the actual catalyst bed temperature is provided.

初期目標触媒床温設定期間内にて初期目標触媒床温設定期間学習手段は加熱調節量と実加熱量との差に対応する加熱調節量補正値を学習している。このように燃料噴射弁や燃料添加弁などの制御誤差を反映する加熱調節量補正値の学習は、再生時目標触媒床温よりも低い初期目標触媒床温を目標触媒床温とした状態にて実行されている。   Within the initial target catalyst bed temperature setting period, the initial target catalyst bed temperature setting period learning means learns a heating adjustment amount correction value corresponding to the difference between the heating adjustment amount and the actual heating amount. In this way, the learning of the heating adjustment amount correction value that reflects the control error of the fuel injection valve, the fuel addition valve, etc. is performed in a state where the initial target catalyst bed temperature lower than the target catalyst bed temperature during regeneration is set as the target catalyst bed temperature. It is running.

このため再生制御を開始しても、再生時目標触媒床温に昇温する前に、一旦、より低い初期目標触媒床温にて触媒床温を収束させる制御が行われる。このため初期目標触媒床温設定期間の初期では加熱調節量補正値には誤差が蓄積する可能性があったとしても、初期目標触媒床温設定期間内では目標触媒床温が初期目標触媒床温として安定しているので、この間に加熱調節量補正値における誤差は学習により十分に低下できる。   For this reason, even if the regeneration control is started, control for converging the catalyst bed temperature at a lower initial target catalyst bed temperature is performed before the temperature is raised to the regeneration target catalyst bed temperature. For this reason, even if there is a possibility that an error may accumulate in the heating adjustment amount correction value at the initial stage of the initial target catalyst bed temperature setting period, the target catalyst bed temperature is within the initial target catalyst bed temperature setting period. Thus, the error in the heating adjustment amount correction value during this period can be sufficiently reduced by learning.

したがって初期目標触媒床温設定期間後に、目標触媒床温設定手段が再生時目標触媒床温を目標触媒床温として設定することで、過渡時となっても、既に加熱調節量補正値における誤差は十分に低下した状態で高精度に求められている。   Therefore, after the initial target catalyst bed temperature setting period, the target catalyst bed temperature setting means sets the regeneration target catalyst bed temperature as the target catalyst bed temperature. It is required with high accuracy in a sufficiently lowered state.

このため加熱調節量制御手段が、以後、再生時目標触媒床温と実触媒床温との差と共に、燃料噴射弁や燃料添加弁などにおけるばらつきが高精度に学習された加熱調節量補正値を用いて加熱調節量を制御できることから、制御誤差の抑制された高精度な触媒床温制御が可能となる。   For this reason, the heating adjustment amount control means thereafter calculates a heating adjustment amount correction value in which variations in the fuel injection valve, the fuel addition valve, etc. are learned with high accuracy along with the difference between the target catalyst bed temperature during regeneration and the actual catalyst bed temperature. Since the heating adjustment amount can be controlled by using this, it is possible to perform highly accurate catalyst bed temperature control in which a control error is suppressed.

したがって再生時目標触媒床温に到達した際も、オーバーシュートに対して、大きい誤差を含む加熱調節量補正値分の加熱が加わることが無いので、過熱によるフィルタの損傷を防止することができる。   Therefore, even when the regeneration target catalyst bed temperature is reached, the heating adjustment amount correction value including a large error is not applied to the overshoot, so that the filter can be prevented from being damaged due to overheating.

請求項2に記載の触媒床温制御装置では、請求項1において、前記初期目標触媒床温設定期間の初期に目標触媒床温と実触媒床温との差に基づいて加熱調節量を制御する比例制御手段を備え、前記初期目標触媒床温設定期間学習手段は前記比例制御手段による制御完了後に前記加熱調節量補正値を学習することを特徴とする。   The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 2, wherein the heating adjustment amount is controlled based on a difference between the target catalyst bed temperature and the actual catalyst bed temperature in the initial stage of the initial target catalyst bed temperature setting period. Proportional control means is provided, and the initial target catalyst bed temperature setting period learning means learns the heating adjustment amount correction value after completion of control by the proportional control means.

初期目標触媒床温設定期間の初期において、比例制御手段が目標触媒床温と実触媒床温との差に基づいて加熱調節量を制御している。このため実際に初期目標触媒床温設定期間学習手段が加熱調節量補正値を学習する前に比例制御により触媒床温は十分に安定した状態となっている。したがって初期目標触媒床温設定期間学習手段は目標触媒床温と実際の触媒床温とが共に安定した状態から学習を開始しているので、加熱調節量補正値を、ほぼ誤差無く学習できる。   In the initial stage of the initial target catalyst bed temperature setting period, the proportional control means controls the heating adjustment amount based on the difference between the target catalyst bed temperature and the actual catalyst bed temperature. Therefore, the catalyst bed temperature is in a sufficiently stable state by proportional control before the initial target catalyst bed temperature setting period learning means actually learns the heating adjustment amount correction value. Therefore, the initial target catalyst bed temperature setting period learning means starts learning from a state in which both the target catalyst bed temperature and the actual catalyst bed temperature are stable, so that the heating adjustment amount correction value can be learned with almost no error.

このことにより、更に高精度な触媒床温制御が可能となる。
請求項3に記載の触媒床温制御装置では、請求項1又は2において、前記加熱調節量は排気中に加えられる燃料の調節量であり、前記実加熱量は実際に排気中に加えられた燃料量であることを特徴とする。
This enables more accurate catalyst bed temperature control.
The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 3, wherein the heating adjustment amount is an adjustment amount of fuel added to the exhaust gas, and the actual heating amount is actually added to the exhaust gas. It is characterized by the amount of fuel.

このようにしている場合には、燃料噴射弁や燃料添加弁におけるばらつきが高精度に学習された加熱調節量補正値を算出でき、これを用いて加熱調節量を制御することで、制御誤差の抑制された高精度な触媒床温制御が可能となる。   In this case, it is possible to calculate the heating adjustment amount correction value in which the variation in the fuel injection valve and the fuel addition valve is learned with high accuracy, and by using this to control the heating adjustment amount, the control error can be reduced. Suppressed and highly accurate catalyst bed temperature control becomes possible.

請求項4に記載の触媒床温制御装置では、請求項3において、内燃機関の燃焼室内にて行われるポスト噴射量の調節にて、排気中に加えられる燃料量の調節がなされることを特徴とする。   The catalyst bed temperature control device according to claim 4 is characterized in that in claim 3, the amount of fuel added to the exhaust gas is adjusted by adjusting the post injection amount performed in the combustion chamber of the internal combustion engine. And

このように燃焼室内にて行われるポスト噴射量の調節にてフィルタの再生制御を実行しても良い。
請求項5に記載の触媒床温制御装置では、請求項3において、排気経路に設けられた燃料添加弁にて行われる燃料添加量の調節にて、排気中に加えられる燃料量の調節がなされることを特徴とする。
Thus, the regeneration control of the filter may be executed by adjusting the post injection amount performed in the combustion chamber.
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the catalyst bed temperature control device according to the third aspect, wherein the amount of fuel added to the exhaust gas is adjusted by adjusting the fuel addition amount performed by the fuel addition valve provided in the exhaust passage. It is characterized by that.

このように排気経路に設けられた燃料添加弁にて行われる燃料添加量の調節にてフィルタの再生制御を実行しても良い。
請求項6に記載の触媒床温制御装置では、請求項1〜5のいずれかにおいて、前記目標触媒床温設定手段は、前記初期目標触媒床温設定期間後に、目標触媒床温を、初期目標触媒床温から再生時目標触媒床温へ徐々に移行させることを特徴とする。
Thus, the regeneration control of the filter may be executed by adjusting the fuel addition amount performed by the fuel addition valve provided in the exhaust path.
The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 6, wherein the target catalyst bed temperature setting means sets the target catalyst bed temperature to an initial target after the initial target catalyst bed temperature setting period. The catalyst bed temperature is gradually shifted from the catalyst bed temperature to the target catalyst bed temperature during regeneration.

このように初期目標触媒床温設定期間後においても、目標触媒床温を初期目標触媒床温から再生時目標触媒床温へ徐々に移行させることにより、急速なフィルタの昇温を招かないことから、フィルタにおける温度分布を大きく偏らせることがないので、フィルタの損傷を防止することができる。   As described above, even after the initial target catalyst bed temperature setting period, the target catalyst bed temperature is gradually shifted from the initial target catalyst bed temperature to the regeneration target catalyst bed temperature, so that the temperature of the filter does not rise rapidly. Since the temperature distribution in the filter is not greatly biased, the filter can be prevented from being damaged.

請求項7に記載の触媒床温制御装置では、請求項1〜6のいずれかにおいて、前記加熱調節量制御手段は、前記初期目標触媒床温設定期間後にて、前記加熱調節量補正値の学習を継続した状態で前記加熱調節量を制御することを特徴とする。   The catalyst bed temperature control device according to claim 7, wherein the heating adjustment amount control means learns the heating adjustment amount correction value after the initial target catalyst bed temperature setting period. The heating adjustment amount is controlled in a state in which the heating is continued.

このように加熱調節量制御手段は、初期目標触媒床温設定期間後にても加熱調節量補正値の学習を継続しても良い。この場合も継続する学習の基本となるのは初期目標触媒床温設定期間にて学習された加熱調節量補正値である。このため、以後の触媒床温制御においても、制御誤差の抑制された高精度な制御が可能となる。したがって再生時目標触媒床温に到達した際も、オーバーシュートに対して、大きい誤差を含む加熱調節量補正値分の加熱が加わることが無く、過熱によるフィルタの損傷を防止することができる。   Thus, the heating adjustment amount control means may continue learning the heating adjustment amount correction value even after the initial target catalyst bed temperature setting period. In this case as well, the basis of continuing learning is the heating adjustment amount correction value learned during the initial target catalyst bed temperature setting period. For this reason, in the subsequent catalyst bed temperature control, it is possible to perform highly accurate control in which the control error is suppressed. Therefore, even when the regeneration target catalyst bed temperature is reached, the heating adjustment amount correction value including a large error is not applied to the overshoot, and damage to the filter due to overheating can be prevented.

請求項8に記載の触媒床温制御装置では、請求項1〜6のいずれかにおいて、前記加熱調節量制御手段は、前記初期目標触媒床温設定期間後にて、前記初期目標触媒床温設定期間学習手段にて学習された前記加熱調節量補正値を固定した状態で前記加熱調節量を制御することを特徴とする。   The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 8, wherein the heating adjustment amount control means is the initial target catalyst bed temperature setting period after the initial target catalyst bed temperature setting period. The heating adjustment amount is controlled in a state where the heating adjustment amount correction value learned by the learning means is fixed.

このように加熱調節量制御手段は、初期目標触媒床温設定期間後には加熱調節量補正値を固定した値として用いても良い。既に初期目標触媒床温設定期間内にて高精度に加熱調節量補正値が学習されていることから、以後の触媒床温制御においても、制御誤差の抑制された高精度な制御が可能となる。したがって再生時目標触媒床温に到達した際も、オーバーシュートに対して、大きい誤差を含む加熱調節量補正値分の加熱が加わることが無く、過熱によるフィルタの損傷を防止することができる。   As described above, the heating adjustment amount control means may be used as a value obtained by fixing the heating adjustment amount correction value after the initial target catalyst bed temperature setting period. Since the heating adjustment amount correction value has already been learned with high accuracy within the initial target catalyst bed temperature setting period, even in the subsequent catalyst bed temperature control, high-accuracy control with suppressed control error becomes possible. . Therefore, even when the regeneration target catalyst bed temperature is reached, the heating adjustment amount correction value including a large error is not applied to the overshoot, and damage to the filter due to overheating can be prevented.

請求項9に記載の触媒床温制御装置では、請求項1〜8のいずれかにおいて、学習により求められる前記加熱調節量補正値は、触媒床温フィードバック制御上の積分制御量であることを特徴とする。   The catalyst bed temperature control device according to claim 9, wherein the heating adjustment amount correction value obtained by learning is an integral control amount in catalyst bed temperature feedback control in any one of claims 1 to 8. And

このように加熱調節量補正値として触媒床温フィードバック制御上の積分制御量を求めることにより、燃料噴射弁や燃料添加弁などのばらつきを学習できる。この積分制御量を用いることで、制御誤差の抑制された高精度な触媒床温制御が可能となる。   Thus, by obtaining the integral control amount in the catalyst bed temperature feedback control as the heating adjustment amount correction value, it is possible to learn variations in the fuel injection valve, the fuel addition valve, and the like. By using this integral control amount, it is possible to perform highly accurate catalyst bed temperature control in which control errors are suppressed.

請求項10に記載の触媒床温制御装置では、請求項1〜9のいずれかにおいて、前記加熱調節量の上限値を設定することで前記加熱調節量を制限する上限設定手段と、前記上限設定手段にて設定された前記上限値を前記加熱調節量補正値の大きさに応じて補正する上限変更手段とを備えたことを特徴とする。   The catalyst bed temperature control device according to claim 10, wherein in any one of claims 1 to 9, an upper limit setting means for limiting the heating adjustment amount by setting an upper limit value of the heating adjustment amount, and the upper limit setting And an upper limit changing means for correcting the upper limit value set by the means in accordance with the magnitude of the heating adjustment amount correction value.

加熱調節可能範囲の限界から加熱調節量の上限値が設定されている場合には、加熱調節量の制御ずれが加熱調節量補正値に反映されているので、上限値を加熱調節量補正値の大きさに応じて補正することにより、適切な上限値が設定可能となる。   If the upper limit value of the heating adjustment amount is set from the limit of the heating adjustment range, the control deviation of the heating adjustment amount is reflected in the heating adjustment amount correction value. By correcting according to the size, an appropriate upper limit value can be set.

請求項11に記載の触媒床温制御装置では、請求項10において、前記上限変更手段は、前記上限設定手段にて設定された前記上限値に対して前記加熱調節量補正値を加える加算補正を行うことを特徴とする。   The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 11, wherein the upper limit changing unit performs addition correction for adding the heating adjustment amount correction value to the upper limit value set by the upper limit setting unit. It is characterized by performing.

上限値の変更は、加熱調節量補正値の加算補正にて適切な上限値に変更することが可能である。
請求項12に記載の触媒床温制御装置では、請求項1〜11のいずれかにおいて、前記目標触媒床温設定手段は、前記初期目標触媒床温設定期間を、前記加熱調節量制御手段による制御開始時からの経過時間により設定していることを特徴とする。
The upper limit value can be changed to an appropriate upper limit value by addition correction of the heating adjustment amount correction value.
The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 12, wherein the target catalyst bed temperature setting means controls the initial target catalyst bed temperature setting period by the heating adjustment amount control means in any one of claims 1 to 11. It is set by the elapsed time from the start.

このように経過時間により初期目標触媒床温設定期間を設定することで、触媒床温制御において高精度な加熱調節量補正値を学習する余裕を与えることができる。
請求項13に記載の触媒床温制御装置では、請求項1〜11のいずれかにおいて、前記目標触媒床温設定手段は、前記初期目標触媒床温設定期間を、前記加熱調節量制御手段による制御開始時から前記初期目標触媒床温設定期間学習手段により学習される前記加熱調節量補正値の変動が基準変動幅よりも小さくなった時までとしていることを特徴とする。
Thus, by setting the initial target catalyst bed temperature setting period based on the elapsed time, it is possible to give a margin for learning a highly accurate heating adjustment amount correction value in the catalyst bed temperature control.
The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 13, wherein the target catalyst bed temperature setting means controls the initial target catalyst bed temperature setting period by the heating adjustment amount control means in any one of claims 1 to 11. From the start to the time when the variation of the heating adjustment amount correction value learned by the initial target catalyst bed temperature setting period learning means becomes smaller than the reference variation range.

このように初期目標触媒床温設定期間を、加熱調節量補正値の変動が基準変動幅よりも小さくなった時までとすることで、初期目標触媒床温設定期間内での触媒床温制御において高精度な加熱調節量補正値を学習するさせることができる。   In this way, by setting the initial target catalyst bed temperature setting period until the fluctuation of the heating adjustment amount correction value becomes smaller than the reference fluctuation range, in the catalyst bed temperature control within the initial target catalyst bed temperature setting period. A highly accurate heating adjustment amount correction value can be learned.

請求項14に記載の触媒床温制御装置では、請求項1〜13のいずれかにおいて、内燃機関の安定運転状態を検出する安定運転状態検出手段を備え、前記初期目標触媒床温設定期間学習手段は、前記安定運転状態検出手段にて内燃機関が安定運転状態にあると判定された場合に限定して、前記加熱調節量補正値の学習を実行することを特徴とする。   The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 14, further comprising: a stable operation state detection unit that detects a stable operation state of the internal combustion engine according to any one of claims 1 to 13, wherein the initial target catalyst bed temperature setting period learning unit is provided. Is performed only when the internal combustion engine is determined to be in a stable operation state by the stable operation state detection means, and learning of the heating adjustment amount correction value is executed.

このように内燃機関が安定運転状態にあると判定された場合に限定して、初期目標触媒床温設定期間学習手段を機能させても良い。安定した内燃機関運転状態であれば、早期に高精度な加熱調節量補正値を得ることができる。   Thus, only when it is determined that the internal combustion engine is in a stable operation state, the initial target catalyst bed temperature setting period learning means may function. If the internal combustion engine is in a stable operating state, a highly accurate heating adjustment amount correction value can be obtained early.

請求項15に記載の触媒床温制御装置では、請求項1〜13のいずれかにおいて、内燃機関の安定運転状態時に内燃機関のドライバからの再生要求操作を検出する再生要求操作検出手段を備え、前記初期目標触媒床温設定期間学習手段は、前記再生要求操作検出手段にて再生要求操作が検出された場合に限定して、前記加熱調節量補正値の学習を実行することを特徴とする。   The catalyst bed temperature control device according to claim 15, further comprising a regeneration request operation detection means for detecting a regeneration request operation from a driver of the internal combustion engine in a stable operation state of the internal combustion engine according to any one of claims 1 to 13. The initial target catalyst bed temperature setting period learning means performs learning of the heating adjustment amount correction value only when a regeneration request operation is detected by the regeneration request operation detection means.

このように内燃機関の安定運転状態時にドライバからの再生要求操作があった場合に初期目標触媒床温設定期間学習手段を機能させても良い。ドライバはフィルタの再生を意識して実行することができ、この時、同時に内燃機関を安定した状態に意識して維持させることが可能であるので、早期に高精度な加熱調節量補正値を確実に得ることができる。   As described above, the initial target catalyst bed temperature setting period learning means may function when there is a regeneration request operation from the driver during the stable operation state of the internal combustion engine. The driver can be aware of the regeneration of the filter, and at the same time, it is possible to keep the internal combustion engine conscious and maintained at the same time. Can get to.

請求項16に記載の触媒床温制御装置では、請求項15において、前記内燃機関の安定運転状態時は、アイドル運転状態時であることを特徴とする。
アイドル時であれば内燃機関運転の安定度が高いことから、早期に高精度な加熱調節量補正値を確実に得ることができる。
The catalyst bed temperature control device according to a sixteenth aspect is the one according to the fifteenth aspect, wherein the stable operation state of the internal combustion engine is an idle operation state.
Since the stability of the internal combustion engine operation is high when idling, a highly accurate heating adjustment amount correction value can be obtained reliably at an early stage.

[実施の形態1]
図1は、本発明が適用された内燃機関としてのディーゼルエンジン(以下、エンジンと略す)2、及びその制御系の概略構成を示している。エンジン2は車両駆動用の内燃機関であり、その出力により車両を走行駆動させるものである。このエンジン2の各気筒4には、吸気弁6、排気弁8及び燃焼室へ直接燃料を噴射する燃料噴射弁10が配置されている。
[Embodiment 1]
FIG. 1 shows a schematic configuration of a diesel engine (hereinafter abbreviated as an engine) 2 as an internal combustion engine to which the present invention is applied, and a control system thereof. The engine 2 is an internal combustion engine for driving a vehicle, and drives the vehicle to travel by its output. In each cylinder 4 of the engine 2, an intake valve 6, an exhaust valve 8, and a fuel injection valve 10 for directly injecting fuel into the combustion chamber are arranged.

燃料噴射弁10は燃料を所定圧まで蓄圧するコモンレール12と連通し、コモンレール12は燃料供給管14を介してエンジン2により回転駆動される燃料ポンプ16に連通している。コモンレール12から各気筒4の燃料噴射弁10へ分配される加圧燃料は、燃料噴射弁10に所定の駆動電流が印加されることで燃料噴射弁10が開弁し、その結果、燃料噴射弁10から気筒4内へ燃料が噴射される。   The fuel injection valve 10 communicates with a common rail 12 that accumulates fuel to a predetermined pressure, and the common rail 12 communicates with a fuel pump 16 that is rotationally driven by the engine 2 via a fuel supply pipe 14. The pressurized fuel distributed from the common rail 12 to the fuel injection valve 10 of each cylinder 4 is opened by applying a predetermined drive current to the fuel injection valve 10, and as a result, the fuel injection valve Fuel is injected from 10 into the cylinder 4.

エンジン2にはインテークマニホールド18が接続されており、インテークマニホールド18の各枝管は、各気筒4の燃焼室に対して吸気ポートを介して連通している。インテークマニホールド18は吸気管20に接続され、吸気管20は上流側でエアクリーナ22に接続されている。吸気管20の途中には、ターボチャージャ24のコンプレッサ24aが配置されている。このコンプレッサ24aはタービン24b側の回転により吸気を圧縮する。   An intake manifold 18 is connected to the engine 2, and each branch pipe of the intake manifold 18 communicates with the combustion chamber of each cylinder 4 via an intake port. The intake manifold 18 is connected to an intake pipe 20, and the intake pipe 20 is connected to an air cleaner 22 on the upstream side. In the middle of the intake pipe 20, a compressor 24a of the turbocharger 24 is disposed. The compressor 24a compresses intake air by rotation on the turbine 24b side.

コンプレッサ24aより下流の吸気管20には、コンプレッサ24aにて圧縮されて高温となった吸気を冷却するためのインタークーラ26が配置されている。インタークーラ26より下流の吸気管20には、吸気量を絞る吸気絞り弁28が取り付けられ、この吸気絞り弁28は電動アクチュエータ30により開度調節がなされる。   An intercooler 26 is disposed in the intake pipe 20 downstream of the compressor 24a for cooling the intake air that has been compressed by the compressor 24a and has reached a high temperature. An intake throttle valve 28 for restricting the intake amount is attached to the intake pipe 20 downstream of the intercooler 26, and the opening degree of the intake throttle valve 28 is adjusted by an electric actuator 30.

エンジン2にはエキゾーストマニホールド32が接続され、エキゾーストマニホールド32の各枝管は排気ポートを介して各気筒4の燃焼室に連通している。エキゾーストマニホールド32はターボチャージャ24のタービン24bを介して排気管34に接続されている。タービン24bは内部のタービンホイールが排気の圧力を受けて回転し、コンプレッサ24a側に回転駆動力を伝達している。   An exhaust manifold 32 is connected to the engine 2, and each branch pipe of the exhaust manifold 32 communicates with the combustion chamber of each cylinder 4 through an exhaust port. The exhaust manifold 32 is connected to the exhaust pipe 34 via the turbine 24 b of the turbocharger 24. In the turbine 24b, an internal turbine wheel is rotated by receiving the pressure of exhaust gas, and a rotational driving force is transmitted to the compressor 24a side.

排気管34の途中には排気浄化装置36が配置されている。排気浄化装置36内には、上流側に酸化触媒(DOC)36a、下流側にパティキュレート・フィルタ(DPF)36bが配置されている。DOC36aとDPF36bとの間には触媒床温センサ38(触媒床温検出手段に相当)が配置されており、DOC36aからDPF36bに流れ込む排気の温度を検出している。尚、排気浄化装置36の上流側にも排気温センサ40が配置されて、排気浄化装置36に流れ込む排気の温度を検出している。更に排気浄化装置36の上流側と下流側との排気圧力を導入する排気差圧センサ41が設けられて上流側と下流側との排気圧力差ΔPexを検出している。   An exhaust purification device 36 is disposed in the middle of the exhaust pipe 34. In the exhaust gas purification device 36, an oxidation catalyst (DOC) 36a is disposed on the upstream side, and a particulate filter (DPF) 36b is disposed on the downstream side. A catalyst bed temperature sensor 38 (corresponding to catalyst bed temperature detection means) is disposed between the DOC 36a and the DPF 36b, and detects the temperature of the exhaust gas flowing into the DPF 36b from the DOC 36a. An exhaust gas temperature sensor 40 is also arranged upstream of the exhaust gas purification device 36 to detect the temperature of the exhaust gas flowing into the exhaust gas purification device 36. Further, an exhaust differential pressure sensor 41 for introducing the exhaust pressure between the upstream side and the downstream side of the exhaust purification device 36 is provided to detect the exhaust pressure difference ΔPex between the upstream side and the downstream side.

排気浄化装置36より下流の排気管34には、排気流量を調節する排気絞り弁42が設けられている。この排気絞り弁42の開閉動作はアクチュエータ44により行われる。
インテークマニホールド18は、エキゾーストマニホールド32内を流れる排気の一部を、排気再循環通路(EGR通路)46を介して導入している。このEGR通路46の途中には、EGR通路46内を流れるEGRガスの流量を調節するEGR弁48が設けられている。EGR弁48より上流の部位にはEGRガスを冷却するEGRクーラ50が設けられている。
An exhaust pipe 34 downstream of the exhaust purification device 36 is provided with an exhaust throttle valve 42 that adjusts the exhaust flow rate. The opening / closing operation of the exhaust throttle valve 42 is performed by an actuator 44.
The intake manifold 18 introduces a part of the exhaust gas flowing through the exhaust manifold 32 through an exhaust gas recirculation passage (EGR passage) 46. An EGR valve 48 that adjusts the flow rate of the EGR gas flowing in the EGR passage 46 is provided in the middle of the EGR passage 46. An EGR cooler 50 that cools the EGR gas is provided at a portion upstream of the EGR valve 48.

このようなエンジン2に対してエンジン運転状態を制御するための電子制御ユニット(ECU)52が設けられている。このECU52は、エンジン運転状態やドライバの要求に応じてエンジン運転状態を制御する制御回路であり、CPU、ROM、RAM、及びバックアップRAM等を備えたマイクロコンピュータを中心として構成されている。   An electronic control unit (ECU) 52 for controlling the engine operating state for such an engine 2 is provided. The ECU 52 is a control circuit that controls the engine operating state in accordance with the engine operating state and the driver's request, and is configured around a microcomputer including a CPU, a ROM, a RAM, a backup RAM, and the like.

ECU52には、前述した触媒床温センサ38、排気温センサ40及び排気差圧センサ41が接続されている。更にエンジン2のクランクシャフト回転を検出するクランクポジションセンサ54、エンジン冷却水温度を検出する冷却水温センサ56、アクセルペダルの操作量(アクセル開度)を検出するアクセル開度センサ58が接続されている。更にコモンレール12の燃料圧力を検出する燃料圧力センサ60、吸入空気量GAを検出する吸気量センサ62、その他のセンサ・スイッチ類が接続されている。このことにより各種センサ・スイッチ類の出力信号がECU52に入力される。   The above-described catalyst bed temperature sensor 38, exhaust temperature sensor 40, and exhaust differential pressure sensor 41 are connected to the ECU 52. Further, a crank position sensor 54 for detecting the crankshaft rotation of the engine 2, a coolant temperature sensor 56 for detecting the engine coolant temperature, and an accelerator opening sensor 58 for detecting the operation amount (accelerator opening) of the accelerator pedal are connected. . Further, a fuel pressure sensor 60 for detecting the fuel pressure of the common rail 12, an intake air amount sensor 62 for detecting the intake air amount GA, and other sensors and switches are connected. As a result, output signals of various sensors and switches are input to the ECU 52.

ECU52は、燃料噴射弁10、EGR弁48、吸気絞り弁28用のアクチュエータ30、排気絞り弁42用のアクチュエータ44が電気的に接続されることで、ECU52はその出力信号にて各機構の駆動制御を実行している。   The ECU 52 is electrically connected to the fuel injection valve 10, the EGR valve 48, the actuator 30 for the intake throttle valve 28, and the actuator 44 for the exhaust throttle valve 42. Control is being executed.

次にECU52にて実行されるDPF触媒床温制御処理について説明する。このDPF触媒床温制御処理は、DPF36b内にPMが基準量以上堆積した場合、あるいは排気圧力差ΔPexが基準差圧よりも大きくなった場合に、実行される処理である。   Next, the DPF catalyst bed temperature control process executed by the ECU 52 will be described. This DPF catalyst bed temperature control process is a process executed when PM accumulates in the DPF 36b over a reference amount or when the exhaust pressure difference ΔPex becomes larger than the reference differential pressure.

図2にDPF触媒床温制御処理のフローチャートを示す。この処理は時間周期で割り込み実行される。尚、個々の処理内容に対応するフローチャート中のステップを「S〜」で表す。   FIG. 2 shows a flowchart of the DPF catalyst bed temperature control process. This process is interrupted at a time period. The steps in the flowchart corresponding to the individual processing contents are represented by “S˜”.

本処理が開始されると、まずPMの再生要求時か否かが判定される(S102)。例えば、エンジン運転履歴によりPM堆積量が再生のための基準堆積量に達している場合や、排気差圧センサ41から検出される排気圧力差ΔPexが基準差圧を越えている場合にPM再生要求時とされる。   When this process is started, it is first determined whether or not it is a PM regeneration request (S102). For example, when the PM accumulation amount reaches the reference accumulation amount for regeneration due to the engine operation history, or when the exhaust pressure difference ΔPex detected by the exhaust differential pressure sensor 41 exceeds the reference differential pressure, the PM regeneration request is made. It is time.

ここでPM再生要求時ではない場合には(S102でno)、再生初期判定カウンタCintをクリアして(S104)、本処理を出る。したがってPM再生要求時でない場合には、制御周期毎に再生初期判定カウンタCintのクリア(S104)が継続されるのみで、実質的な処理は行われない。   If it is not at the time of PM regeneration request (No in S102), the regeneration initial determination counter Cint is cleared (S104), and this processing is exited. Therefore, when it is not at the time of PM regeneration request, only the regeneration initial determination counter Cint is cleared (S104) every control cycle, and no substantial processing is performed.

PM再生要求がなされた場合には(S102でyes)、次に初期昇温が完了しているか否かが判定される(S106)。最初は未だ初期昇温はなされていないので(S106でno)、初期昇温が実行される(S108)。初期昇温は触媒床温フィードバック制御前に、DPF36bを予備昇温させるための処理である。具体的には、実際にPM再生が行われる目標触媒床温に制御する際に用いられるポスト噴射量マップMAPpstにより求められるポスト噴射量Qpst(mm3/st:エンジン1回転当たりの噴射燃料体積)が、ポスト噴射のタイミングで燃料噴射弁10から噴射される。このポスト噴射量マップMAPpstは図5に示すごとくであり、別途実行されているメイン燃料噴射量制御にて計算されているメイン燃料噴射量Qfとクランクポジションセンサ54にて検出されるエンジン回転数NEとによりポスト噴射量Qpstを求めるマップである。   If a PM regeneration request has been made (yes in S102), it is next determined whether or not the initial temperature rise has been completed (S106). Initially, since the initial temperature increase has not yet been performed (no in S106), the initial temperature increase is executed (S108). The initial temperature increase is a process for preliminarily increasing the temperature of the DPF 36b before the catalyst bed temperature feedback control. Specifically, the post injection amount Qpst (mm3 / st: injected fuel volume per engine rotation) obtained by the post injection amount map MAPpst used when controlling to the target catalyst bed temperature at which PM regeneration is actually performed is The fuel is injected from the fuel injection valve 10 at the post injection timing. The post-injection amount map MAPpst is as shown in FIG. 5, and the main fuel injection amount Qf calculated by the separately executed main fuel injection amount control and the engine speed NE detected by the crank position sensor 54. Is a map for obtaining the post injection amount Qpst.

この初期昇温は予め定められた初期昇温期間(例えば80秒間)継続される。この初期昇温期間が経過しない間は(S106でno)、上述したポスト噴射量Qpstによる初期昇温の実行(S108)が継続する。   This initial temperature increase is continued for a predetermined initial temperature increase period (for example, 80 seconds). While the initial temperature increase period has not elapsed (no in S106), the execution of the initial temperature increase with the post injection amount Qpst described above (S108) continues.

初期昇温期間が経過すると初期昇温完了であるので(S106でyes)、次にインクリメントによる再生初期判定カウンタCintのカウントアップが行われる(S110)。そしてオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御完了か否かが判定される(S112)。この判定は初期昇温完了後に行われる触媒床温フィードバック制御の経過時間が、例えば150秒経過したか否かによりなされる。最初はオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御は未実施の状態であることからnoと判定されて、オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御が実行される(S114)。このオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理の詳細を図3のフローチャートに示す。   Since the initial temperature increase is completed when the initial temperature increase period elapses (yes in S106), the regeneration initial determination counter Cint is incremented by increment (S110). Then, it is determined whether feedback control based on the offset target catalyst bed temperature is completed (S112). This determination is made based on whether or not the elapsed time of the catalyst bed temperature feedback control performed after the completion of the initial temperature increase has elapsed, for example, 150 seconds. At first, since the feedback control based on the offset target catalyst bed temperature is not performed, it is determined as no, and the feedback control based on the offset target catalyst bed temperature is executed (S114). The details of the feedback control process based on the offset target catalyst bed temperature are shown in the flowchart of FIG.

図3の制御ではまず式1によりオフセット目標触媒床温Tofstを算出する(S132)。
[式1] Tofst ←
MAPbase(Mpm)+MAPga(GA)+MAPofs(Cint)
ここでベース目標触媒床温マップMAPbaseは図6に示すごとくであり、DPF36bにおけるPM堆積量Mpm(g)からベース目標触媒床温(℃)を求めるマップである。吸入空気量GAオフセットマップMAPgaは図7に示すごとくであり、吸気量センサ62にて検出される吸入空気量GAが大きいほど、これに対応して排気流量も大きくなる。このため吸入空気量GAが大きくなるとオフセットの程度を大きくして、DPF36b内でのPM燃焼の熱暴走を防止するためのマップである。
In the control of FIG. 3, first, the offset target catalyst bed temperature Tofst is calculated by Equation 1 (S132).
[Formula 1] Tofst ←
MAPbase (Mpm) + MAPga (GA) + MAPofs (Cint)
Here, the base target catalyst bed temperature map MAPbase is as shown in FIG. 6, and is a map for obtaining the base target catalyst bed temperature (° C.) from the PM accumulation amount Mpm (g) in the DPF 36b. The intake air amount GA offset map MAPga is as shown in FIG. 7, and the larger the intake air amount GA detected by the intake air amount sensor 62, the larger the exhaust flow rate correspondingly. For this reason, when the intake air amount GA is increased, the degree of offset is increased to prevent thermal runaway of PM combustion in the DPF 36b.

PM再生初期時目標触媒床温オフセットマップMAPofsは図8に示すごとく、再生初期判定カウンタCintが表す経過時間に基づき、PM再生の初期において目標触媒床温をオフセットするためのマップである。ここでは再生初期判定カウンタCintのカウント開始から150秒に相当する再生初期判定カウンタCintの値までは、−100℃のオフセットが行われる。したがってベース目標触媒床温マップMAPbaseと吸入空気量GAオフセットマップMAPgaとから求められるレベルよりも、オフセット目標触媒床温Tofstは、100℃低く設定されることになる。150秒経過から250秒経過までは、目標触媒床温オフセットは徐々に低下して、250秒目でオフセットは消滅する。すなわちオフセット目標触媒床温Tofstは実際には通常の目標触媒床温のレベルに到達することになる。   As shown in FIG. 8, the PM regeneration initial target catalyst bed temperature offset map MAPofs is a map for offsetting the target catalyst bed temperature in the early stage of PM regeneration based on the elapsed time represented by the regeneration initial determination counter Cint. Here, an offset of −100 ° C. is performed from the start of counting of the reproduction initial determination counter Cint to the value of the reproduction initial determination counter Cint corresponding to 150 seconds. Therefore, the offset target catalyst bed temperature Tofst is set 100 ° C. lower than the level obtained from the base target catalyst bed temperature map MAPbase and the intake air amount GA offset map MAPga. From 150 seconds to 250 seconds, the target catalyst bed temperature offset gradually decreases, and the offset disappears at 250 seconds. That is, the offset target catalyst bed temperature Tofst actually reaches the normal target catalyst bed temperature level.

前記ステップS132にてオフセット目標触媒床温Tofstが算出されると、次に式2に示すごとく、触媒床温センサ38にて検出されている実触媒床温Tcatとの温度差dTが算出される(S134)。   When the offset target catalyst bed temperature Tofst is calculated in step S132, the temperature difference dT from the actual catalyst bed temperature Tcat detected by the catalyst bed temperature sensor 38 is calculated as shown in equation 2 below. (S134).

[式2] dT ← Tofst − Tcat
そしてこの温度差dTに基づいて図9に示す比例制御量マップMAPpから、ポスト噴射量における比例制御量QPを算出する(S136)。
[Formula 2] dT ← Tofst-Tcat
Based on this temperature difference dT, the proportional control amount QP in the post injection amount is calculated from the proportional control amount map MAPp shown in FIG. 9 (S136).

次にステップS110(図2)で計時を開始している再生初期判定カウンタCintの値がPI制御開始基準値Cpi以上となったか否かが判定される(S138)。ここではPI制御開始基準値Cpiとしては、前記ステップS112によるオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御完了までの判定時間(ここでは150秒)よりも短い時間が設定されている。ここでは50秒に相当する値が設定されている。   Next, in step S110 (FIG. 2), it is determined whether or not the value of the reproduction initial determination counter Cint that has started timing has become equal to or greater than the PI control start reference value Cpi (S138). Here, the PI control start reference value Cpi is set to be shorter than the determination time (here, 150 seconds) until the feedback control is completed by the offset target catalyst bed temperature in step S112. Here, a value corresponding to 50 seconds is set.

したがって初期昇温が完了してから(図2:S106でyes)、50秒経過していなければ、Cint<Cpiであるので(S138でno)、式3により積分制御量を用いない比例制御量QPによるフィードバック制御が実行されてポスト噴射量Qpstが算出される(S140)。   Accordingly, if 50 seconds have not elapsed after the initial temperature rise is completed (FIG. 2: yes in S106), Cint <Cpi (no in S138), and therefore, the proportional control variable that does not use the integral control variable according to Equation 3 The feedback control by QP is executed and the post injection amount Qpst is calculated (S140).

[式3] Qpst ← Qofsbase + Qh + QP
ここでオフセット基本ポスト噴射量Qofsbaseは、オフセットポスト噴射量マップMAPofspstから算出される。このオフセットポスト噴射量マップMAPofspstは図10に示すごとくであり、別途計算されているメイン燃料噴射量Qfとクランクポジションセンサ54にて検出されるエンジン回転数NEとによりオフセット基本ポスト噴射量Qofsbaseを求めるマップである。前記図5に示したポスト噴射量マップMAPpstと異なるのは、目標触媒床温がオフセット目標触媒床温として−100℃のオフセットがなされている分、ステップS108にて用いられるポスト噴射量よりも全体に低噴射量とされている。尚、過渡補正量Qhは排気流量などの過渡時に過熱を防止するためにエンジン回転数NEや吸入空気量GA変化に基づいて設定される補正量である。
[Formula 3] Qpst <-Qofsbase + Qh + QP
Here, the offset basic post injection amount Qofsbase is calculated from the offset post injection amount map MAPofspst. The offset post-injection amount map MAPofspst is as shown in FIG. 10, and the offset basic post-injection amount Qofsbase is obtained from the main fuel injection amount Qf calculated separately and the engine speed NE detected by the crank position sensor 54. It is a map. The post-injection amount map MAPpst shown in FIG. 5 is different from the post-injection amount used in step S108 because the target catalyst bed temperature is offset by −100 ° C. as the offset target catalyst bed temperature. The injection amount is low. The transient correction amount Qh is a correction amount that is set based on changes in the engine speed NE and the intake air amount GA in order to prevent overheating in a transient state such as the exhaust flow rate.

こうしてステップS114では、オフセット目標触媒床温に対して積分制御量を用いない比例制御量によるフィードバック制御(S140)が実行され、DPF触媒床温制御処理(図2)を一旦出る。   Thus, in step S114, feedback control (S140) is performed with a proportional control amount that does not use the integral control amount with respect to the offset target catalyst bed temperature, and the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2) is temporarily exited.

次の制御周期においてもステップS102にてyes、ステップS106にてyesとされ、再生初期判定カウンタCintのカウントアップ(S110)が実行されると、その後もCint<Cpi(<150秒)であれば、再度、ステップS112でnoと判定される。そしてオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)に入ってからもステップS138にてnoと判定される。このためCint<Cpiである期間は、前記式3に示した積分制御量を用いずに比例制御量によるポスト噴射量Qpstのフィードバック制御がなされる(S140)。   Even in the next control cycle, yes in step S102, yes in step S106, and when the count-up of the reproduction initial determination counter Cint is executed (S110), if Cint <Cpi (<150 seconds) thereafter, Again, no is determined in step S112. Even after entering the feedback control process (FIG. 3) based on the offset target catalyst bed temperature, it is determined no in step S138. Therefore, during the period of Cint <Cpi, feedback control of the post injection amount Qpst by the proportional control amount is performed without using the integral control amount shown in Equation 3 (S140).

以後、Cint<Cpiである間は、実触媒床温Tcatがオフセット目標触媒床温Tofstに収束するように、積分制御量を用いずに比例制御量によるポスト噴射量Qpstのフィードバック制御が継続される。   Thereafter, while Cint <Cpi, the feedback control of the post injection amount Qpst by the proportional control amount is continued without using the integral control amount so that the actual catalyst bed temperature Tcat converges to the offset target catalyst bed temperature Tofst. .

そして再生初期判定カウンタCintがPI制御開始基準値Cpiに到達すると、すなわち積分制御量を用いない比例制御量によるポスト噴射量Qpstのフィードバック制御状態が50秒経過すると、ステップS138ではyesと判定されるようになる。このことにより次に温度差dTに基づいて式4により積分制御量QIを算出する(S142)。   When the regeneration initial determination counter Cint reaches the PI control start reference value Cpi, that is, when the feedback control state of the post injection amount Qpst by the proportional control amount not using the integral control amount has elapsed for 50 seconds, it is determined as yes in step S138. It becomes like this. As a result, the integral control amount QI is then calculated from Equation 4 based on the temperature difference dT (S142).

[式4] QI ← QI + MAPi(dT)
ここで右辺の積分制御量QIは前回の制御周期にて設定されている積分制御量を表し、初期値としては、ECU52の起動時に0(mm3/st)に設定されている。尚、DPF触媒床温制御処理(図2)にてPM再生要求時でない時には(S102でno)、ステップS104において、再生初期判定カウンタCintと共に積分制御量QIをクリアしても良い。
[Formula 4] QI <-QI + MAPi (dT)
Here, the integral control amount QI on the right side represents the integral control amount set in the previous control cycle, and the initial value is set to 0 (mm 3 / st) when the ECU 52 is started. If the PM regeneration request is not requested in the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2) (no in S102), the integral control amount QI may be cleared together with the regeneration initial determination counter Cint in step S104.

積分値MAPi(dT)は、図11に示す積分値マップMAPiから、ステップS134にて得られた温度差dTに基づいて算出した値(mm3/st)である。
このようにして積分制御量QIが算出されると、ステップS136にて算出した比例制御量QPと共に、式5により比例制御量と積分制御量とに基づくフィードバック制御が実行されてポスト噴射量Qpstが算出される(S144)。
The integral value MAPi (dT) is a value (mm3 / st) calculated based on the temperature difference dT obtained in step S134 from the integral value map MAPi shown in FIG.
When the integral control amount QI is calculated in this way, the feedback control based on the proportional control amount and the integral control amount is executed by the equation 5 together with the proportional control amount QP calculated in step S136, and the post injection amount Qpst is calculated. Calculated (S144).

[式5] Qpst ← Qofsbase + Qh + QP + QI
ここでオフセット基本ポスト噴射量Qofsbase、過渡補正量Qh及び比例制御量QPについては前記式3において説明したごとくである。
[Formula 5] Qpst <-Qofsbase + Qh + QP + QI
Here, the offset basic post-injection amount Qofsbase, the transient correction amount Qh, and the proportional control amount QP are as described in Equation 3 above.

こうしてステップS114では、オフセット目標触媒床温に対する比例制御量と積分制御量とによるフィードバック制御(S144)が実行され、DPF触媒床温制御処理(図2)を一旦出る。   Thus, in step S114, feedback control (S144) based on the proportional control amount and the integral control amount with respect to the offset target catalyst bed temperature is executed, and the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2) is temporarily exited.

以後、再生初期判定カウンタCintのカウント値が、オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御完了までの時間に到達しない間は、実触媒床温Tcatがオフセット目標触媒床温Tofstに収束するように、比例制御量と積分制御量とによるポスト噴射量Qpstのフィードバック制御が継続される。   Thereafter, proportional control is performed so that the actual catalyst bed temperature Tcat converges to the offset target catalyst bed temperature Tofst while the count value of the regeneration initial determination counter Cint does not reach the time until feedback control by the offset target catalyst bed temperature is completed. The feedback control of the post injection amount Qpst by the amount and the integral control amount is continued.

そして再生初期判定カウンタCintによりオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御完了となったことが判明すると、ここでは初期昇温完了から150秒経過すると、ステップS112ではyesと判定されるようになる。このため次に目標触媒床温によるフィードバック制御、すなわちオフセット目標触媒床温Tofstからオフセットされていない通常の目標触媒床温Ttに変更しつつ、触媒床温のフィードバック制御が行われる(S116)。   When it is determined by the regeneration initial determination counter Cint that the feedback control based on the offset target catalyst bed temperature has been completed, here, when 150 seconds have elapsed from the completion of the initial temperature increase, it is determined as yes in step S112. Therefore, feedback control based on the target catalyst bed temperature, that is, feedback control of the catalyst bed temperature is performed while changing from the offset target catalyst bed temperature Tofst to the normal target catalyst bed temperature Tt that is not offset (S116).

この目標触媒床温によるフィードバック制御処理(S116)の詳細を図4のフローチャートに示す。
図4の制御では、まず式6により目標触媒床温Ttを算出する(S152)。
The details of the feedback control process (S116) based on the target catalyst bed temperature are shown in the flowchart of FIG.
In the control of FIG. 4, first, the target catalyst bed temperature Tt is calculated by Equation 6 (S152).

[式6] Tt ←
MAPbase(Mpm)+MAPga(GA)+MAPofs(Cint)
この式6の右辺は前記式1と同じである。ただし図8に示したごとく時間経過と共に目標触媒床温オフセットMAPofs(Cint)は絶対値が小さくなり、最終的には再生初期判定カウンタCintがオフセット終了期限値Cend(ここでは250秒)に達すると目標触媒床温オフセットMAPofs(Cint)は0(℃)に収束する。したがってCint=Cendとなって以降にて継続状態にあるPM再生制御においては、目標触媒床温オフセットMAPofs(Cint)による目標触媒床温のオフセットはなされなくなる。
[Formula 6] Tt ←
MAPbase (Mpm) + MAPga (GA) + MAPofs (Cint)
The right side of Equation 6 is the same as Equation 1. However, as shown in FIG. 8, the absolute value of the target catalyst bed temperature offset MAPofs (Cint) decreases with time, and finally when the regeneration initial determination counter Cint reaches the offset end time limit Cend (here, 250 seconds). The target catalyst bed temperature offset MAPofs (Cint) converges to 0 (° C.). Therefore, in PM regeneration control that is in a continuous state after Cint = Cend, the target catalyst bed temperature is no longer offset by the target catalyst bed temperature offset MAPofs (Cint).

このようにステップS152にて目標触媒床温Ttが算出されると、次に式7に示すごとく、触媒床温センサ38にて検出されている実触媒床温Tcatとの温度差dTが算出される(S154)。   When the target catalyst bed temperature Tt is calculated in step S152 as described above, a temperature difference dT from the actual catalyst bed temperature Tcat detected by the catalyst bed temperature sensor 38 is calculated as shown in Equation 7 below. (S154).

[式7] dT ← Tt − Tcat
そしてこの温度差dTに基づいて前述した図9に示す比例制御量マップMAPpから比例制御量QPを算出する(S156)。更に温度差dTに基づいて前記式4により積分制御量QIを算出する(S158)。
[Formula 7] dT ← Tt − Tcat
Based on the temperature difference dT, the proportional control amount QP is calculated from the above-described proportional control amount map MAPp shown in FIG. 9 (S156). Further, based on the temperature difference dT, the integral control amount QI is calculated by the equation 4 (S158).

次に再生初期判定カウンタCintがオフセット終了期限値Cend以上か否かが判定される(S160)。ここでオフセット終了期限値Cendとしては250秒に相当する値が設定されている。   Next, it is determined whether or not the reproduction initial determination counter Cint is greater than or equal to the offset end deadline value Cend (S160). Here, a value corresponding to 250 seconds is set as the offset end deadline value Cend.

最初はCint<Cendであるので(S160でno)、ポスト噴射量Qpstの算出に用いる基本ポスト噴射量Qbを、オフセット基本ポスト噴射量Qofsbaseから通常時の基本ポスト噴射量Qbaseへ徐々に移行させて設定する処理を実行する(S162)。ここでオフセット基本ポスト噴射量Qofsbaseは、図10のオフセットポスト噴射量マップMAPofspstから算出した値であり、通常時の基本ポスト噴射量Qbaseは、図5のポスト噴射量マップMAPpstから算出した値である。   At first, since Cint <Cend (no in S160), the basic post injection amount Qb used for calculating the post injection amount Qpst is gradually shifted from the offset basic post injection amount Qofsbase to the normal basic post injection amount Qbase. A setting process is executed (S162). The offset basic post injection amount Qofsbase is a value calculated from the offset post injection amount map MAPofspst in FIG. 10, and the normal basic post injection amount Qbase is a value calculated from the post injection amount map MAPpst in FIG. .

例えば、基本ポスト噴射量Qbは式8により算出される。
[式8] Qb ← {(n−m)・Qofsbase+m・Qbase}/n
ここで変数nは100秒に相当する固定カウント値が設定され、変数mとして再生初期判定カウンタCint=150秒相当値からオフセット終了期限値Cend(ここでは250秒相当値)までの経過時間に相当するカウント値が設定される。
For example, the basic post injection amount Qb is calculated by Equation 8.
[Formula 8] Qb <-{(nm) · Qofsbase + m · Qbase} / n
Here, the variable n is set to a fixed count value corresponding to 100 seconds, and the variable m corresponds to the elapsed time from the reproduction initial determination counter Cint = a value corresponding to 150 seconds to an offset end deadline value Cend (here, a value corresponding to 250 seconds). The count value to be set is set.

当初は、m=0秒相当値、n=100秒相当値であるので、前記式8から、基本ポスト噴射量Qbにはオフセット基本ポスト噴射量Qofsbaseの値そのままが設定される。   Initially, m = 0 second equivalent value and n = 100 second equivalent value. Therefore, from the above equation 8, the basic post injection amount Qb is set to the offset basic post injection amount Qofsbase as it is.

そしてこの基本ポスト噴射量Qbを用いて、式9にてポスト噴射量Qpstが算出される(S166)。
[式9] Qpst ← Qb + Qh + QP + QI
ここで過渡補正量Qh、比例制御量QP及び積分制御量QIについては、前記式3,5にて述べたごとくである。
Then, using this basic post injection amount Qb, the post injection amount Qpst is calculated by Equation 9 (S166).
[Formula 9] Qpst <-Qb + Qh + QP + QI
Here, the transient correction amount Qh, the proportional control amount QP, and the integral control amount QI are as described in the expressions 3 and 5.

こうしてDPF触媒床温制御処理(図2)を一旦出る。
次の制御周期以降は、ステップS162により基本ポスト噴射量Qbの値は次第にオフセット基本ポスト噴射量Qofsbaseから通常時の基本ポスト噴射量Qbaseに移行する。この基本ポスト噴射量Qbの移行により、フィードバック制御により求められるポスト噴射量Qpst(S166:前記式9)についてもオフセット状態から通常のPM再生状態に対応する量に移行してゆく。
Thus, the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2) is temporarily exited.
After the next control cycle, the value of the basic post injection amount Qb gradually shifts from the offset basic post injection amount Qofsbase to the normal basic post injection amount Qbase in step S162. With the shift of the basic post injection amount Qb, the post injection amount Qpst (S166: Equation 9) obtained by feedback control also shifts from the offset state to the amount corresponding to the normal PM regeneration state.

そして再生初期判定カウンタCintがオフセット終了期限値Cendに到達すると、Cint≧Cendとなるので(S160でyes)、基本ポスト噴射量Qbには通常時の基本ポスト噴射量Qbase(図5)がそのまま設定される(S164)。そして前記式9によりポスト噴射量Qpstが算出される(S166)。   When the regeneration initial determination counter Cint reaches the offset end deadline value Cend, Cint ≧ Cend (yes in S160), so that the normal basic post injection amount Qbase (FIG. 5) is set as it is as the basic post injection amount Qb. (S164). Then, the post-injection amount Qpst is calculated by Equation 9 (S166).

以後、PM再生制御が終了するまで、ステップS160ではyesと判定されるので、基本ポスト噴射量Qbaseにてポスト噴射量Qpstが算出される処理(S164,S166)が継続する。   Thereafter, until the PM regeneration control is completed, it is determined as yes in step S160, and therefore the processing (S164, S166) for calculating the post injection amount Qpst by the basic post injection amount Qbase is continued.

PM再生処理が終了すれば、DPF触媒床温制御処理(図2)のステップS102にてnoと判定されるので、再生初期判定カウンタCintはクリアされ(S104)、このまま処理を出る。したがってDPF触媒床温制御処理(図2)における実質的な処理は終了することになる。   When the PM regeneration process is completed, since it is determined as no in step S102 of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2), the regeneration initial determination counter Cint is cleared (S104), and the process is left as it is. Therefore, the substantial process in the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2) ends.

図12のタイミングチャートに本実施の形態における制御の一例を示す。尚、図12の例では、燃料噴射弁10としては標準の燃料噴射弁に対して大きい側に燃料噴射量がずれているものを用いている。PM再生要求時(t0)となると、初期昇温(図2:S108)が実行される(t0〜t1)。その後にオフセット目標触媒床温にて積分制御量を用いない比例制御量によるフィードバック制御が行われる(t1〜t2、図3:S132,S140)。引き続きオフセット目標触媒床温にて比例制御量と積分制御量とによるフィードバック制御が行われる(t2〜t3、図3:S132,S144)。このようにオフセット目標触媒床温にてフィードバック制御が実行されるので実触媒床温Tcatのオーバーシュートは抑制されて限界温度(OT)を越えていない。そしてオフセット目標触媒床温に安定的に制御されている間に高精度に積分制御量QIが求められる。そしてオフセット目標触媒床温から通常の目標触媒床温へ徐々に上昇させ(t3〜t4、図4:S152,S162,S166)、その後、完全に通常の目標触媒床温の制御に移行している(t4〜t5、図4:S152,S164,S166)。このことにより、通常の目標触媒床温において高精度な触媒床温制御が可能となる。   An example of control in the present embodiment is shown in the timing chart of FIG. In the example of FIG. 12, the fuel injection valve 10 is used whose fuel injection amount is shifted to the larger side with respect to the standard fuel injection valve. When the PM regeneration request time is reached (t0), the initial temperature rise (FIG. 2: S108) is executed (t0 to t1). Thereafter, feedback control is performed with a proportional control amount that does not use the integral control amount at the offset target catalyst bed temperature (t1 to t2, FIG. 3: S132, S140). Subsequently, feedback control using the proportional control amount and the integral control amount is performed at the offset target catalyst bed temperature (t2 to t3, FIG. 3: S132 and S144). Thus, since feedback control is executed at the offset target catalyst bed temperature, the overshoot of the actual catalyst bed temperature Tcat is suppressed and does not exceed the limit temperature (OT). Then, the integral control amount QI is obtained with high accuracy while being stably controlled to the offset target catalyst bed temperature. Then, the offset target catalyst bed temperature is gradually increased from the normal target catalyst bed temperature (t3 to t4, FIG. 4: S152, S162, S166), and then the control is completely shifted to the normal target catalyst bed temperature. (T4 to t5, FIG. 4: S152, S164, S166). This enables highly accurate catalyst bed temperature control at a normal target catalyst bed temperature.

比較例として示す図13のタイミングチャートでは、初期昇温(t10〜t11)、積分制御量を用いない比例制御量によるフィードバック制御(t11〜t12)、比例制御量と積分制御量とのフィードバック制御(t12〜t17)を実行している。ただしフィードバック制御(t11〜t17)においては最初からオフセットされない通常の目標触媒床温を用いている。したがって本比較例のごとく、燃料噴射弁10の燃料噴射量が制御量に比較して大きい方にばらついていると、限界温度(OT)を越えてしまう(t13〜t14、t15〜t16)。   In the timing chart of FIG. 13 shown as a comparative example, initial temperature rise (t10 to t11), feedback control (t11 to t12) using a proportional control amount that does not use an integral control amount, and feedback control between a proportional control amount and an integral control amount ( t12 to t17) are executed. However, in the feedback control (t11 to t17), a normal target catalyst bed temperature that is not offset from the beginning is used. Therefore, as in this comparative example, if the fuel injection amount of the fuel injection valve 10 varies larger than the control amount, the limit temperature (OT) is exceeded (t13 to t14, t15 to t16).

上述した構成にて請求項との関係はDPF触媒床温制御処理(図2)のステップS102〜S112、オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)のステップS132及び目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図4)のステップS152が目標触媒床温設定手段としての処理に相当する。DPF触媒床温制御処理(図2)のステップS112とオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)のステップS142とが初期目標触媒床温設定期間学習手段としての処理に相当する。オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)及び目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図4)が加熱調節量制御手段としての処理に相当する。オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)のステップS136,S140が比例制御手段としての処理に相当する。   In the configuration described above, the relationship with the claims is as follows: Steps S102 to S112 of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2); Step S132 of the feedback control process (FIG. 3) using the offset target catalyst bed temperature; Step S152 of the control process (FIG. 4) corresponds to the process as the target catalyst bed temperature setting means. Step S112 of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2) and step S142 of the feedback control process using the offset target catalyst bed temperature (FIG. 3) correspond to the process as the initial target catalyst bed temperature setting period learning means. The feedback control process based on the offset target catalyst bed temperature (FIG. 3) and the feedback control process based on the target catalyst bed temperature (FIG. 4) correspond to the process as the heating adjustment amount control means. Steps S136 and S140 of the feedback control process (FIG. 3) based on the offset target catalyst bed temperature correspond to the process as the proportional control means.

以上説明した本実施の形態1によれば、以下の効果が得られる。
(イ).初期目標触媒床温設定期間(t2〜t3)にオフセット目標触媒床温Tofstと実触媒床温Tcatとの温度差dTに基づきポスト噴射量Qpst(加熱調節量に相当)と実際のポスト噴射量(実加熱量に相当)との差に対応する積分制御量QI(加熱調節量補正値に相当)を学習している(S142)。このように燃料噴射弁10のばらつきによる制御誤差を反映する積分制御量QIの学習は、目標触媒床温オフセットMAPofs(Cint)分、通常の目標触媒床温よりも低いオフセット目標触媒床温Tofst(初期目標触媒床温に相当)を目標触媒床温とした状態にて実行されている。
According to the first embodiment described above, the following effects can be obtained.
(I). Based on the temperature difference dT between the offset target catalyst bed temperature Tofst and the actual catalyst bed temperature Tcat during the initial target catalyst bed temperature setting period (t2 to t3), the post injection amount Qpst (corresponding to the heating adjustment amount) and the actual post injection amount ( The integral control amount QI (corresponding to the heating adjustment amount correction value) corresponding to the difference from the actual heating amount) is learned (S142). Thus, the learning of the integral control amount QI that reflects the control error due to the variation of the fuel injection valve 10 is performed by the offset target catalyst bed temperature Tofst (the target catalyst bed temperature offset MAPofs (Cint)) lower than the normal target catalyst bed temperature. The initial target catalyst bed temperature is set to the target catalyst bed temperature.

このためDPF36bを通常の目標触媒床温に昇温する前に、一旦、より低いオフセット目標触媒床温TofstにてDPF36bの触媒床温を収束させる制御が行われる。このため初期目標触媒床温設定期間の初期では、積分制御量QIには誤差が蓄積している可能性があるが、初期目標触媒床温設定期間内では目標触媒床温がオフセット目標触媒床温Tofstとして安定しているので、この間に積分制御量QIにおける誤差は十分に低下できる。   Therefore, before the DPF 36b is raised to the normal target catalyst bed temperature, control is performed to converge the catalyst bed temperature of the DPF 36b once at a lower offset target catalyst bed temperature Tofst. For this reason, in the initial stage of the initial target catalyst bed temperature setting period, there is a possibility that an error is accumulated in the integral control amount QI. However, within the initial target catalyst bed temperature setting period, the target catalyst bed temperature is the offset target catalyst bed temperature. Since it is stable as Tofst, the error in the integral control amount QI can be sufficiently reduced during this period.

したがって初期目標触媒床温設定期間後に、通常の再生時の目標触媒床温Ttを目標触媒床温として設定することで、過渡時(t3〜t4)となっても、既に積分制御量QIにおける誤差は十分に低下した状態で高精度に求められている。   Therefore, by setting the target catalyst bed temperature Tt at the time of normal regeneration as the target catalyst bed temperature after the initial target catalyst bed temperature setting period, the error in the integral control amount QI has already been obtained even during the transition (t3 to t4). Is required with high accuracy in a sufficiently lowered state.

このため以後、目標触媒床温Ttと実触媒床温Tcatとの差dTと共に、前述のごとく燃料噴射弁10におけるばらつきが高精度に学習された積分制御量QIを用いてポスト噴射量Qpstを制御できることから、制御誤差の抑制された高精度な触媒床温制御が可能となる。   Therefore, the post-injection amount Qpst is subsequently controlled using the integral control amount QI in which the variation in the fuel injection valve 10 is learned with high accuracy as described above together with the difference dT between the target catalyst bed temperature Tt and the actual catalyst bed temperature Tcat. As a result, it is possible to perform highly accurate catalyst bed temperature control in which control errors are suppressed.

このため目標触媒床温Ttに到達した際も、オーバーシュートに対して、大きい誤差を含む積分制御量QI分の加熱が加わることが無いので、過熱によるDPF36bの損傷を防止することができる。   For this reason, even when the target catalyst bed temperature Tt is reached, the integral control amount QI including a large error is not heated with respect to the overshoot, so that the DPF 36b can be prevented from being damaged due to overheating.

(ロ).初期目標触媒床温設定期間の初期において、積分制御量を用いない比例制御量による触媒床温フィードバック制御にてポスト噴射量Qpstを制御している(図3:S136,S140)。このため実際に積分制御量QIを学習する前に比例制御によりDPF36bの触媒床温は十分に安定した状態となっている。したがって積分制御量QIはオフセット目標触媒床温Tofstと実触媒床温Tcatとが共に安定した状態から学習を開始している(S142)ので、積分制御量QIをほぼ誤差無く学習できる。このことにより更に高精度な触媒床温制御が可能となる。   (B). In the initial stage of the initial target catalyst bed temperature setting period, the post injection amount Qpst is controlled by catalyst bed temperature feedback control using a proportional control amount that does not use the integral control amount (FIG. 3: S136, S140). Therefore, the catalyst bed temperature of the DPF 36b is sufficiently stabilized by proportional control before actually learning the integral control amount QI. Therefore, since the integral control amount QI starts learning from a state where both the offset target catalyst bed temperature Tofst and the actual catalyst bed temperature Tcat are stable (S142), the integral control amount QI can be learned with almost no error. This makes it possible to control the catalyst bed temperature with higher accuracy.

(ハ).初期目標触媒床温設定期間(t1〜t3)後において、目標触媒床温Ttをオフセット状態から通常の目標触媒床温へ徐々に移行させている(S162)。このことにより、急速なDPF36bの昇温を招かないことから、DPF36b内における温度分布を大きく偏らせることがない。このためDPF36bの損傷を防止することができる。   (C). After the initial target catalyst bed temperature setting period (t1 to t3), the target catalyst bed temperature Tt is gradually shifted from the offset state to the normal target catalyst bed temperature (S162). As a result, since the temperature of the DPF 36b is not rapidly increased, the temperature distribution in the DPF 36b is not largely biased. For this reason, damage to the DPF 36b can be prevented.

(ニ).通常の目標触媒床温(t3〜)へ移行した後も、オフセットがなされている期間での積分制御量QIを引き継いで更に積分制御量QIの学習を継続している。このため、以後の触媒床温制御(t3〜t5)においても、制御誤差の抑制された高精度な制御が可能となる。目標触媒床温Ttに到達した際も、オーバーシュートに対して、大きい誤差を含む積分制御量QI分の加熱が加わることが無く、過熱によるDPF36bの損傷を防止することができる。   (D). Even after the transition to the normal target catalyst bed temperature (t3), learning of the integral control amount QI is continued by taking over the integral control amount QI during the offset period. For this reason, in the subsequent catalyst bed temperature control (t3 to t5), high-accuracy control in which control errors are suppressed is possible. Even when the target catalyst bed temperature Tt is reached, heating for the integral control amount QI including a large error is not applied to the overshoot, and damage to the DPF 36b due to overheating can be prevented.

[実施の形態2]
本実施の形態では、目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図4)の代わりに図14に示す目標触媒床温によるフィードバック制御が実行される。他の構成は前記実施の形態1と同じである。
[Embodiment 2]
In the present embodiment, feedback control based on the target catalyst bed temperature shown in FIG. 14 is executed instead of feedback control processing (FIG. 4) based on the target catalyst bed temperature. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図14)においてはステップS252は図4におけるステップS152〜S164と同じ処理である。したがってステップS162又はステップS164において基本ポスト噴射量Qbが求められた後に、式10によりポスト噴射量上限値Qpstlmtが算出される(S254)。   In the feedback control process (FIG. 14) based on the target catalyst bed temperature, step S252 is the same process as steps S152 to S164 in FIG. Therefore, after the basic post-injection amount Qb is obtained in step S162 or step S164, the post-injection amount upper limit value Qpstlmt is calculated by equation 10 (S254).

[式10] Qpstlmt
← MIN(Qpstlmtb,Qpstlmtgn,Qpstmx)+QI
ここで触媒床温用上限値Qpstlmtbは、実触媒床温Tcatに基づいて設定されるポスト噴射量上限値である。空燃比用上限値Qpstlmtgnは、吸入空気量GAとメイン噴射量及びポスト噴射量の合計噴射量との比である空燃比A/Fに基づいて設定されるポスト噴射量上限値である。高温防止用上限値Qpstmxは、排気浄化装置36の過熱を防止するために設定されるポスト噴射量上限値である。MIN()は括弧内の3つの数値(Qpstlmtb,Qpstlmtgn,Qpstmx)の内の最小値を抽出する演算子である。更に上記式10ではMIN()により抽出された最小値に対して積分制御量QI分の加算補正を実行している。
[Formula 10] Qpstlmt
← MIN (Qpstlmtb, Qpstlmmtgn, Qpstmx) + QI
Here, the catalyst bed temperature upper limit Qpstlmtb is a post-injection amount upper limit set based on the actual catalyst bed temperature Tcat. The air-fuel ratio upper limit value Qpstlmtgn is a post-injection amount upper limit value that is set based on the air-fuel ratio A / F that is the ratio of the intake air amount GA to the total injection amount of the main injection amount and the post-injection amount. The high temperature prevention upper limit value Qpstmx is a post injection amount upper limit value set to prevent the exhaust purification device 36 from overheating. MIN () is an operator that extracts the minimum value among the three numerical values (Qpstlmtb, Qpstlmmtgn, Qpstmx) in parentheses. Further, in the above equation 10, addition correction for the integral control amount QI is executed on the minimum value extracted by MIN ().

このようにポスト噴射量上限値Qpstlmtを燃料噴射弁10のばらつきを反映している積分制御量QIにより補正していることで、燃料噴射弁10のばらつきを相殺したポスト噴射量上限値Qpstlmtとしている。   In this way, the post injection amount upper limit value Qpstlmt is corrected by the integral control amount QI reflecting the variation of the fuel injection valve 10, so that the post injection amount upper limit value Qpstlmt that offsets the variation of the fuel injection valve 10 is obtained. .

上記構成にてDPF触媒床温制御処理(図2)のステップS102〜S112、オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)のステップS132及び目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図14)にてステップS152に相当する処理が目標触媒床温設定手段としての処理に相当する。DPF触媒床温制御処理(図2)のステップS112とオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)のステップS142とが初期目標触媒床温設定期間学習手段としての処理に相当する。オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)及び目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図14)が加熱調節量制御手段としての処理に相当する。オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)のステップS136,S140が比例制御手段としての処理に相当する。目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図14)のステップS254における「MIN(Qpstlmtb,Qpstlmtgn,Qpstmx)」の項が上限設定手段としての処理に、「+QI」の項が上限変更手段としての処理に相当する。   In the above-described configuration, steps S102 to S112 of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2), feedback control process (FIG. 3) based on the offset target catalyst bed temperature (step S132), and feedback control process (FIG. 14) based on the target catalyst bed temperature. The process corresponding to step S152 corresponds to the process as the target catalyst bed temperature setting means. Step S112 of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2) and step S142 of the feedback control process using the offset target catalyst bed temperature (FIG. 3) correspond to the process as the initial target catalyst bed temperature setting period learning means. The feedback control process based on the offset target catalyst bed temperature (FIG. 3) and the feedback control process based on the target catalyst bed temperature (FIG. 14) correspond to the process as the heating adjustment amount control means. Steps S136 and S140 of the feedback control process (FIG. 3) based on the offset target catalyst bed temperature correspond to the process as the proportional control means. In step S254 of the feedback control process based on the target catalyst bed temperature (FIG. 14), the term “MIN (Qpstlmtb, Qpstlmmtgn, Qpstmx)” is the process as the upper limit setting unit, and the term “+ QI” is the process as the upper limit changing unit. Equivalent to.

以上説明した本実施の形態2によれば、以下の効果が得られる。
(イ).前記実施の形態1の効果を生じる。
(ロ).前記式10のごとく、ポスト噴射量Qpstの上限値(ポスト噴射量上限値Qpstlmt)が設定される場合には積分制御量QIが加算補正されることにより、燃料噴射弁10のばらつきが相殺されて適切なポスト噴射量上限値Qpstlmtが設定可能となる。
According to the second embodiment described above, the following effects can be obtained.
(I). The effect of the first embodiment is produced.
(B). When the upper limit value of the post-injection amount Qpst (post-injection amount upper limit value Qpstlmt) is set as in Expression 10, the integral control amount QI is added and corrected, so that variations in the fuel injection valve 10 are offset. An appropriate post injection amount upper limit value Qpstlmt can be set.

このため燃料噴射弁10が過多噴射側にばらついていた場合にはDPF36bの過熱を防止し、過少噴射側にばらついていた場合にはDPF36bの再生不足を防止することができる。   Therefore, when the fuel injection valve 10 varies on the excessive injection side, the DPF 36b can be prevented from overheating, and when the fuel injection valve 10 varies on the excessive injection side, insufficient regeneration of the DPF 36b can be prevented.

[実施の形態3]
本実施の形態では、DPF触媒床温制御処理(図2)の代わりに図15のDPF触媒床温制御処理が実行され、目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図4)の代わりに図16に示す目標触媒床温によるフィードバック制御が実行される。更に車両のダッシュボードには、アイドル時においてドライバにより指示が可能なPM再生スイッチ(再生要求操作検出手段に相当)が設けられている。ECU52は、アイドル時にてPM再生スイッチのオン操作によりドライバがPM再生要求を指示していることが判れば、手動再生としてPM再生を実行する。他の構成は前記実施の形態1と同じである。
[Embodiment 3]
In the present embodiment, the DPF catalyst bed temperature control process of FIG. 15 is executed instead of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2), and FIG. 16 shows the feedback control process (FIG. 4) based on the target catalyst bed temperature. The feedback control based on the target catalyst bed temperature shown is executed. Further, the vehicle dashboard is provided with a PM regeneration switch (corresponding to a regeneration request operation detecting means) that can be instructed by a driver during idling. If the ECU 52 finds that the driver is instructing a PM regeneration request by turning on the PM regeneration switch during idling, the ECU 52 performs PM regeneration as manual regeneration. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

DPF触媒床温制御処理(図15)のステップS304〜S308,S314〜S318は図2におけるステップS104〜S108,S110〜S114と同じ処理である。本制御の最初に実行されるPM再生要求時か否かの判断(S302)では、前記PM再生スイッチによるドライバからのPM再生要求も判断される。   Steps S304 to S308 and S314 to S318 in the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 15) are the same as steps S104 to S108 and S110 to S114 in FIG. In the determination of whether or not the PM regeneration request is executed at the beginning of this control (S302), the PM regeneration request from the driver by the PM regeneration switch is also determined.

DPF触媒床温制御処理(図15)では、初期昇温完了後に(S306でyes)、手動再生時か否かの判定(S310)がなされる。すなわちPM再生スイッチによるドライバからのPM再生要求か否かの判定がなされて、手動再生時であると判定されれば(S310でyes)、再生初期判定カウンタCintのカウントアップが実行され(S314)、以下、前記実施の形態1にて説明したごとくの処理が実行される。すなわちアイドル時にて手動再生時であると判断されれば(S310でyes)、実質的には前記実施の形態1にて説明したごとくの処理がなされてオフセット目標触媒床温Tofstによるフィードバック制御の下での積分制御量QIの算出が可能となる。   In the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 15), after completion of the initial temperature increase (yes in S306), it is determined whether or not manual regeneration is being performed (S310). That is, it is determined whether the PM regeneration request from the driver is made by the PM regeneration switch, and if it is determined that manual regeneration is in progress (yes in S310), the regeneration initial determination counter Cint is incremented (S314). Hereinafter, the processing as described in the first embodiment is performed. In other words, if it is determined that the engine is being manually regenerated at the time of idling (yes in S310), the processing is performed substantially as described in the first embodiment, and the feedback control is performed based on the offset target catalyst bed temperature Tofst. It is possible to calculate the integral control amount QI at.

手動再生時ではない場合、すなわちPM堆積量や、排気浄化装置36の上下流での排気圧力差ΔPexに基づく自動再生時では(S310でno)、再生初期判定カウンタCintにはオフセット目標触媒床温Tofstでのフィードバック制御を回避するために「250」が設定される(S312)。尚、250以上であれば更に大きい値を再生初期判定カウンタCintに設定しても良い。そして直ちに通常の目標触媒床温Ttによるフィードバック制御が実行される(S320)。図16のフローチャートは、この目標触媒床温Ttによるフィードバック制御を表したものである。   When it is not at the time of manual regeneration, that is, at the time of automatic regeneration based on the PM accumulation amount or the exhaust gas pressure difference ΔPex upstream and downstream of the exhaust purification device 36 (No in S310), the regeneration initial determination counter Cint includes the offset target catalyst bed temperature. In order to avoid feedback control in Tofst, “250” is set (S312). If it is 250 or more, a larger value may be set in the reproduction initial determination counter Cint. Immediately thereafter, feedback control based on the normal target catalyst bed temperature Tt is executed (S320). The flowchart of FIG. 16 represents feedback control based on the target catalyst bed temperature Tt.

図16のステップS352〜S356,S360〜S368は、図4のS152〜S166と同じである。図4と異なる点は、比例制御量QPの算出(S356)後、積分制御量QI算出(S360)前に、手動再生時か否かを判定している(S358)。手動再生時であれば(S358でyes)、積分制御量QI算出(S360)に移行する。したがって手動再生時では、前記実施の形態1と同一の処理となる。   Steps S352 to S356 and S360 to S368 in FIG. 16 are the same as S152 to S166 in FIG. A difference from FIG. 4 is whether manual regeneration is performed or not (S358) after calculation of the proportional control amount QP (S356) and before calculation of the integral control amount QI (S360). If manual regeneration is in progress (yes in S358), the process proceeds to integral control amount QI calculation (S360). Therefore, at the time of manual regeneration, the same processing as in the first embodiment is performed.

手動再生時ではない場合(S358でno)、すなわち自動再生時である場合には、直ちに基本ポスト噴射量Qbに、目標触媒床温にオフセットがなされていない時の基本ポスト噴射量Qbaseを設定する処理を実行する(S366)。そして前記式9にてポスト噴射量Qpstを算出する(S368)。尚、前記式9では積分制御量QIが含まれているが、手動再生時で無い場合には、実際には積分制御量QIの学習(S142,S360)は実行していないので、積分制御量QI=0である。尚、過去に手動再生時でない期間に学習された積分制御量QIの値をECU52が保持している場合には、手動再生時にても、この積分制御量QIの値を用いても良い。この場合、積分制御量QIは学習されないので一定に維持されている。   If it is not during manual regeneration (no in S358), that is, during automatic regeneration, the basic post injection amount Qbase when the target catalyst bed temperature is not offset is immediately set in the basic post injection amount Qb. Processing is executed (S366). Then, the post-injection amount Qpst is calculated by the equation 9 (S368). Note that, although the integral control amount QI is included in the above equation 9, if it is not during manual regeneration, learning of the integral control amount QI (S142, S360) is not actually executed, so the integral control amount QI = 0. In the case where the ECU 52 holds the value of the integral control amount QI learned during a period other than the manual regeneration in the past, the value of the integral control amount QI may be used even during the manual regeneration. In this case, the integral control amount QI is not learned and is kept constant.

ここでDPF触媒床温制御処理(図15)のステップS302〜S308,S314,S316、オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)のステップS132及び目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図16)のステップS352が目標触媒床温設定手段としての処理に相当する。オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)のステップS142及びDPF触媒床温制御処理(図15)のステップS310,S316が初期目標触媒床温設定期間学習手段としての処理に相当する。オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)及び目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図16)が加熱調節量制御手段としての処理に相当する。オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)のステップS136,S140が比例制御手段としての処理に相当する。   Here, steps S302 to S308, S314, and S316 of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 15), step S132 of the feedback control process using the offset target catalyst bed temperature (FIG. 3), and the feedback control process using the target catalyst bed temperature (FIG. 16). ) Step S352 corresponds to the processing as the target catalyst bed temperature setting means. Step S142 of the feedback control process (FIG. 3) based on the offset target catalyst bed temperature and steps S310 and S316 of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 15) correspond to the process as the initial target catalyst bed temperature setting period learning means. The feedback control process based on the offset target catalyst bed temperature (FIG. 3) and the feedback control process based on the target catalyst bed temperature (FIG. 16) correspond to the process as the heating adjustment amount control means. Steps S136 and S140 of the feedback control process (FIG. 3) based on the offset target catalyst bed temperature correspond to the process as the proportional control means.

以上説明した本実施の形態3によれば、以下の効果が得られる。
(イ).エンジン2の安定運転状態時であるアイドル時にドライバからのPM再生要求操作があった場合に、オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御を実行している。このことにより前記実施の形態1の効果を生じる。
According to the third embodiment described above, the following effects can be obtained.
(I). When there is a PM regeneration request operation from the driver during idling, which is when the engine 2 is in a stable operation state, feedback control based on the offset target catalyst bed temperature is executed. This produces the effect of the first embodiment.

更に、ドライバはDPF36bの再生を意識して実行することができるので、この時、ドライバは同時にエンジン2を安定した状態に維持させることが可能である。特にアイドル時であることから、早期に高精度な積分制御量QIを確実に得ることができる。   Furthermore, since the driver can execute the operation while paying attention to the regeneration of the DPF 36b, the driver can simultaneously maintain the engine 2 in a stable state. In particular, since the engine is idling, a highly accurate integral control amount QI can be reliably obtained at an early stage.

[実施の形態4]
本実施の形態では、DPF触媒床温制御処理(図2)の代わりに図17のDPF触媒床温制御処理が実行され、オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図3)の代わりに図18に示すオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御が実行される。更にPM再生初期時目標触媒床温オフセットマップMAPofs(図8)の代わりに図19に示した徐減用のオフセットマップMAPofsが用いられる。他の構成は前記実施の形態1と同じである。
[Embodiment 4]
In the present embodiment, the DPF catalyst bed temperature control process of FIG. 17 is executed instead of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 2), and FIG. 18 is substituted for the feedback control process (FIG. 3) based on the offset target catalyst bed temperature. The feedback control based on the offset target catalyst bed temperature shown in FIG. Further, instead of the target catalyst bed temperature offset map MAPofs (FIG. 8) at the initial stage of PM regeneration, the gradually decreasing offset map MAPofs shown in FIG. 19 is used. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

DPF触媒床温制御処理(図17)のステップS402〜S408,S416は図2におけるステップS102〜S108,S116と同じ処理である。DPF触媒床温制御処理(図17)においては初期昇温が完了すると(S406でyes)、オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御(S414)での積分制御量QIは安定化したか否かが判定される(S410)。初期昇温が完了した直後では、未だオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御(S414)は実行されておらず、積分制御量QI自体が未積算であることから(S410でno)、まずオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御(S414)が実行されることになる。   Steps S402 to S408 and S416 of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 17) are the same processes as steps S102 to S108 and S116 in FIG. In the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 17), when the initial temperature rise is completed (yes in S406), it is determined whether or not the integral control amount QI in the feedback control (S414) based on the offset target catalyst bed temperature is stabilized. (S410). Immediately after the completion of the initial temperature increase, feedback control (S414) based on the offset target catalyst bed temperature has not yet been executed, and the integral control amount QI itself has not been accumulated (No in S410). Feedback control based on the bed temperature (S414) is executed.

オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御(S414)の詳細は、図18に示すごとくである。図18においてステップS434,S436,S440〜S444は図3のステップS134,S136,S140〜S144と同じ処理である。ステップS432においては前記式1においてMAPofs(Cint)の代わりに固定値の「−100(℃)」を用いている。ステップS438においてはフィードバック制御開始から50秒経過したか否かを判定している。この判定により積分制御量QIを用いない比例制御量QPによるフィードバック制御計算(S440)から、比例制御量QPと積分制御量QIとによるフィードバック制御計算(S444)への切り替えタイミングを判定している。   Details of the feedback control (S414) based on the offset target catalyst bed temperature are as shown in FIG. 18, steps S434, S436, and S440 to S444 are the same processes as steps S134, S136, and S140 to S144 in FIG. In step S432, a fixed value of “−100 (° C.)” is used in place of MAPofs (Cint) in Equation 1. In step S438, it is determined whether 50 seconds have elapsed since the start of feedback control. Based on this determination, the switching timing from the feedback control calculation (S440) based on the proportional control amount QP not using the integral control amount QI to the feedback control calculation (S444) based on the proportional control amount QP and the integral control amount QI is determined.

そして図18のステップS442にて求められる積分制御量QIの値が安定化、例えば積分制御量QIの単位時間当たりの変動幅が、安定化を示す基準変動幅に収まると(S410でyes)、まず再生初期判定カウンタCintのカウントアップが開始される(S412)。そしてこの再生初期判定カウンタCintに応じた図19のオフセットマップMAPofsの値の設定に従って前記実施の形態1にて説明した目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図4)が実行される。このことにより基本ポスト噴射量Qbの値が次第にオフセット基本ポスト噴射量Qofsbaseから基本ポスト噴射量Qbaseに移行する(S162)。そして、再生初期判定カウンタCintがオフセット終了期限値Cend、ここでは100秒に到達したタイミングで(S160でyes)、基本ポスト噴射量Qbには通常時の基本ポスト噴射量Qbaseがそのまま設定されるようになる(S164)。図4の他の処理については前記実施の形態1にて説明したごとくである。   When the value of the integral control amount QI obtained in step S442 in FIG. 18 is stabilized, for example, when the fluctuation width per unit time of the integral control quantity QI falls within the reference fluctuation width indicating stabilization (yes in S410), First, counting up of the reproduction initial determination counter Cint is started (S412). Then, according to the setting of the offset map MAPofs in FIG. 19 corresponding to the regeneration initial determination counter Cint, the feedback control process (FIG. 4) based on the target catalyst bed temperature described in the first embodiment is executed. As a result, the value of the basic post injection amount Qb gradually shifts from the offset basic post injection amount Qofsbase to the basic post injection amount Qbase (S162). Then, when the regeneration initial determination counter Cint reaches the offset end deadline value Cend, here 100 seconds (yes in S160), the normal basic post injection amount Qbase is set as it is as the basic post injection amount Qb. (S164). The other processes in FIG. 4 are as described in the first embodiment.

ここで、DPF触媒床温制御処理(図17)のステップS402〜S410、オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図18)のステップS432及び目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図4)におけるステップS152が目標触媒床温設定手段としての処理に相当する。DPF触媒床温制御処理(図17)のステップS410とオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図18)のステップS442が初期目標触媒床温設定期間学習手段としての処理に相当する。オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図18)及び目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図4)が加熱調節量制御手段としての処理に相当する。オフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理(図18)のステップS436,S440が比例制御手段としての処理に相当する。   Here, steps S402 to S410 of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 17), step S432 of the feedback control process (FIG. 18) based on the offset target catalyst bed temperature, and the feedback control process (FIG. 4) based on the target catalyst bed temperature. S152 corresponds to the processing as the target catalyst bed temperature setting means. Step S410 of the DPF catalyst bed temperature control process (FIG. 17) and step S442 of the feedback control process using the offset target catalyst bed temperature (FIG. 18) correspond to the process as the initial target catalyst bed temperature setting period learning means. The feedback control process (FIG. 18) based on the offset target catalyst bed temperature and the feedback control process (FIG. 4) based on the target catalyst bed temperature correspond to the process as the heating adjustment amount control means. Steps S436 and S440 of the feedback control process (FIG. 18) based on the offset target catalyst bed temperature correspond to the process as the proportional control means.

以上説明した本実施の形態4によれば、以下の効果が得られる。
(イ).本実施の形態では、初期目標触媒床温設定期間を、積分制御量QIの変動が基準変動幅よりも小さくなった時までとしている。このことによっても高精度な積分制御量QIが得られ、前記実施の形態1の効果を生じる。
According to the fourth embodiment described above, the following effects can be obtained.
(I). In the present embodiment, the initial target catalyst bed temperature setting period is set to the time when the fluctuation of the integral control amount QI becomes smaller than the reference fluctuation width. This also provides a highly accurate integral control amount QI and produces the effect of the first embodiment.

[その他の実施の形態]
(a).前記実施の形態3において、図15のステップS302では、エンジン運転履歴によりPM堆積量が基準堆積量に達している場合や、排気差圧センサ41から検出される排気圧力差ΔPexが基準差圧を越えている場合に加えて、ドライバからのPM再生要求の存在も含まれていた。このドライバからのPM再生要求の存在の代わりに、安定運転状態検出手段として、エンジン2の安定運転状態を検出する手段、例えば車両が定速走行を実行している場合に或程度のPM堆積量や或程度の排気浄化装置36の上下流差圧が生じている場合に、ステップS302でyesと判定するようにしても良い。そしてステップS310及び図16のステップS358では、安定運転状態検出手段にて安定運転状態時にある場合にyesと判定させるようにしても良い。
[Other embodiments]
(A). In the third embodiment, in step S302 of FIG. 15, when the PM accumulation amount has reached the reference accumulation amount based on the engine operation history, or the exhaust pressure difference ΔPex detected by the exhaust differential pressure sensor 41 becomes the reference differential pressure. In addition to the above case, the presence of a PM regeneration request from the driver was also included. Instead of the presence of the PM regeneration request from the driver, as a stable operation state detection unit, a unit for detecting the stable operation state of the engine 2, for example, a certain amount of PM accumulation when the vehicle is running at a constant speed If a certain degree of upstream / downstream differential pressure has occurred, the determination may be made as yes in step S302. And in step S310 and step S358 of FIG. 16, you may make it determine with yes when it exists in the stable operation state by a stable operation state detection means.

このことにより高精度な積分制御量QIの学習チャンスを増加させて、適切なPM再生制御を実行させることができ、このPM再生制御において過熱によるDPF36bの損傷を防止することができる。   As a result, it is possible to increase the learning chance of the highly accurate integral control amount QI and execute appropriate PM regeneration control. In this PM regeneration control, it is possible to prevent damage to the DPF 36b due to overheating.

(b).前記各実施の形態では、オフセット目標触媒床温Tofstによるフィードバック制御完了後も、積分制御量QIの学習を実行していた。この代わりにオフセット目標触媒床温Tofstによるフィードバック制御時に学習された積分制御量QIを、その直後の目標触媒床温Ttによるフィードバック制御では学習させず、学習された積分制御量QIを固定した状態で、比例制御量QPのみの調節によるフィードバック制御を実行しても良い。   (B). In each of the above-described embodiments, learning of the integral control amount QI is executed even after the feedback control based on the offset target catalyst bed temperature Tofst is completed. Instead of this, the integral control amount QI learned at the time of feedback control by the offset target catalyst bed temperature Tofst is not learned by the feedback control by the target catalyst bed temperature Tt immediately after that, and the learned integral control amount QI is fixed. Alternatively, feedback control by adjusting only the proportional control amount QP may be executed.

(c).前記各実施の形態では燃焼室内に燃料噴射する燃料噴射弁10のポスト噴射によりDPF36bを加熱してPM再生を実行した。この代わりに、エキゾーストマニホールド32や排気管34に燃料添加弁を配置して、燃料添加弁から排気中に燃料を添加することにより、排気浄化装置36に加熱調節量としての添加燃料を供給しても良い。   (C). In each of the above embodiments, the PM regeneration is performed by heating the DPF 36b by the post injection of the fuel injection valve 10 that injects the fuel into the combustion chamber. Instead, a fuel addition valve is arranged in the exhaust manifold 32 or the exhaust pipe 34, and fuel is added to the exhaust gas from the fuel addition valve to supply the added fuel as a heating adjustment amount to the exhaust purification device 36. Also good.

実施の形態1のディーゼルエンジン及びその制御系の概略構成説明図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Schematic structure explanatory drawing of the diesel engine of Embodiment 1, and its control system. 実施の形態1のECUが実行するDPF触媒床温制御処理のフローチャート。4 is a flowchart of DPF catalyst bed temperature control processing executed by the ECU according to the first embodiment. 同じくオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理のフローチャート。The flowchart of the feedback control processing by offset target catalyst bed temperature similarly. 同じく目標触媒床温によるフィードバック制御処理のフローチャート。Similarly, the flowchart of the feedback control process by target catalyst bed temperature. 実施の形態1の制御にて用いるポスト噴射量マップMAPpstの構成説明図。FIG. 3 is a configuration explanatory diagram of a post injection amount map MAPpst used in the control of the first embodiment. 実施の形態1の制御にて用いるベース目標触媒床温マップMAPbaseの構成説明図。FIG. 3 is a configuration explanatory diagram of a base target catalyst bed temperature map MAPbase used in the control according to the first embodiment. 実施の形態1の制御にて用いる吸入空気量GAオフセットマップMAPgaの構成説明図。FIG. 3 is a configuration explanatory diagram of an intake air amount GA offset map MAPga used in the control according to the first embodiment. 実施の形態1の制御にて用いるPM再生初期時目標触媒床温オフセットマップMAPofsの構成説明図。FIG. 3 is a configuration explanatory diagram of a target catalyst bed temperature offset map MAPofs at the initial stage of PM regeneration used in the control of the first embodiment. 実施の形態1の制御にて用いる比例制御量マップMAPpの構成説明図。FIG. 3 is a configuration explanatory diagram of a proportional control amount map MAPp used in the control of the first embodiment. 実施の形態1の制御にて用いるオフセットポスト噴射量マップMAPofspstの構成説明図。FIG. 3 is a configuration explanatory diagram of an offset post injection amount map MAPofspst used in the control according to the first embodiment. 実施の形態1の制御にて用いる積分値マップMAPiの構成説明図。FIG. 3 is a configuration explanatory diagram of an integral value map MAPi used in the control according to the first embodiment. 実施の形態1の制御の一例を示すタイミングチャート。4 is a timing chart illustrating an example of control according to the first embodiment. 実施の形態1に対する比較例としての制御の一例を示すタイミングチャート。4 is a timing chart illustrating an example of control as a comparative example with respect to the first embodiment. 実施の形態2の目標触媒床温によるフィードバック制御処理のフローチャート。10 is a flowchart of feedback control processing based on a target catalyst bed temperature according to the second embodiment. 実施の形態3のDPF触媒床温制御処理のフローチャート。10 is a flowchart of DPF catalyst bed temperature control processing according to the third embodiment. 実施の形態3の目標触媒床温によるフィードバック制御処理のフローチャート。10 is a flowchart of feedback control processing based on a target catalyst bed temperature according to the third embodiment. 実施の形態4のDPF触媒床温制御処理のフローチャート。10 is a flowchart of DPF catalyst bed temperature control processing according to the fourth embodiment. 実施の形態4のオフセット目標触媒床温によるフィードバック制御処理のフローチャート。10 is a flowchart of feedback control processing based on an offset target catalyst bed temperature according to the fourth embodiment. 実施の形態4のオフセットマップMAPofsの構成説明図。FIG. 10 is a configuration explanatory diagram of an offset map MAPofs according to the fourth embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

2…エンジン、4…気筒、6…吸気弁、8…排気弁、10…燃料噴射弁、12…コモンレール、14…燃料供給管、16…燃料ポンプ、18…インテークマニホールド、20…吸気管、22…エアクリーナ、24…ターボチャージャ、24a…コンプレッサ、24b…タービン、26…インタークーラ、28…吸気絞り弁、30…電動アクチュエータ、32…エキゾーストマニホールド、34…排気管、36…排気浄化装置、36a…酸化触媒(DOC)、36b…パティキュレート・フィルタ(DPF)、38…触媒床温センサ、40…排気温センサ、41…排気差圧センサ、42…排気絞り弁、44…アクチュエータ、46…EGR通路、48…EGR弁、50…EGRクーラ、52…ECU、54…クランクポジションセンサ、56…冷却水温センサ、58…アクセル開度センサ、60…燃料圧力センサ、62…吸気量センサ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Engine, 4 ... Cylinder, 6 ... Intake valve, 8 ... Exhaust valve, 10 ... Fuel injection valve, 12 ... Common rail, 14 ... Fuel supply pipe, 16 ... Fuel pump, 18 ... Intake manifold, 20 ... Intake pipe, 22 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Air cleaner, 24 ... Turbocharger, 24a ... Compressor, 24b ... Turbine, 26 ... Intercooler, 28 ... Intake throttle valve, 30 ... Electric actuator, 32 ... Exhaust manifold, 34 ... Exhaust pipe, 36 ... Exhaust gas purification device, 36a ... Oxidation catalyst (DOC), 36b ... Particulate filter (DPF), 38 ... Catalyst bed temperature sensor, 40 ... Exhaust temperature sensor, 41 ... Exhaust differential pressure sensor, 42 ... Exhaust throttle valve, 44 ... Actuator, 46 ... EGR passage 48 ... EGR valve, 50 ... EGR cooler, 52 ... ECU, 54 ... Crank position sensor, 56 ...却水 temperature sensor, 58 ... accelerator opening sensor, 60: fuel pressure sensor, 62 ... intake air quantity sensor.

Claims (16)

内燃機関の排気系に設けられ、排気中からパティキュレートを捕集する触媒再生型フィルタにおける再生時の触媒床温を制御する装置であって、
触媒再生型フィルタの再生開始時に、再生時目標触媒床温よりも低い初期目標触媒床温を目標触媒床温として設定する初期目標触媒床温設定期間を設け、該初期目標触媒床温設定期間後に再生時目標触媒床温を目標触媒床温として設定する目標触媒床温設定手段と、
前記初期目標触媒床温設定期間内にて加熱調節量と実加熱量との差に対応する加熱調節量補正値を学習する初期目標触媒床温設定期間学習手段と、
触媒再生型フィルタの実触媒床温を検出する触媒床温検出手段と、
前記目標触媒床温設定手段にて設定される目標触媒床温と前記触媒床温検出手段にて検出される実触媒床温との差に基づいて加熱調節量を制御すると共に、前記初期目標触媒床温設定期間学習手段にて前記加熱調節量補正値が学習された後は、目標触媒床温と実触媒床温との差と共に前記加熱調節量補正値を用いて加熱調節量を制御する加熱調節量制御手段と、
を備えたことを特徴とする触媒床温制御装置。
An apparatus for controlling a catalyst bed temperature during regeneration in a catalyst regeneration filter that is provided in an exhaust system of an internal combustion engine and collects particulates from exhaust,
At the start of regeneration of the catalyst regeneration type filter, an initial target catalyst bed temperature setting period is set in which an initial target catalyst bed temperature lower than the regeneration target catalyst bed temperature is set as the target catalyst bed temperature, and after the initial target catalyst bed temperature setting period Target catalyst bed temperature setting means for setting the target catalyst bed temperature during regeneration as the target catalyst bed temperature;
Initial target catalyst bed temperature setting period learning means for learning a heating adjustment amount correction value corresponding to the difference between the heating adjustment amount and the actual heating amount within the initial target catalyst bed temperature setting period;
Catalyst bed temperature detecting means for detecting the actual catalyst bed temperature of the catalyst regeneration filter;
While controlling the heating adjustment amount based on the difference between the target catalyst bed temperature set by the target catalyst bed temperature setting means and the actual catalyst bed temperature detected by the catalyst bed temperature detection means, the initial target catalyst After the heating adjustment amount correction value is learned by the bed temperature setting period learning means, the heating control amount is controlled using the heating adjustment amount correction value together with the difference between the target catalyst bed temperature and the actual catalyst bed temperature. Adjustment amount control means;
A catalyst bed temperature control device comprising:
請求項1において、前記初期目標触媒床温設定期間の初期に目標触媒床温と実触媒床温との差に基づいて加熱調節量を制御する比例制御手段を備え、前記初期目標触媒床温設定期間学習手段は前記比例制御手段による制御完了後に前記加熱調節量補正値を学習することを特徴とする触媒床温制御装置。 2. The initial target catalyst bed temperature setting according to claim 1, further comprising proportional control means for controlling a heating adjustment amount based on a difference between the target catalyst bed temperature and the actual catalyst bed temperature at an initial stage of the initial target catalyst bed temperature setting period. The catalyst bed temperature control device, wherein the period learning means learns the heating adjustment amount correction value after the control by the proportional control means is completed. 請求項1又は2において、前記加熱調節量は排気中に加えられる燃料の調節量であり、前記実加熱量は実際に排気中に加えられた燃料量であることを特徴とする触媒床温制御装置。 3. The catalyst bed temperature control according to claim 1, wherein the heating adjustment amount is an adjustment amount of fuel added to the exhaust gas, and the actual heating amount is a fuel amount actually added to the exhaust gas. apparatus. 請求項3において、内燃機関の燃焼室内にて行われるポスト噴射量の調節にて、排気中に加えられる燃料量の調節がなされることを特徴とする触媒床温制御装置。 4. The catalyst bed temperature control device according to claim 3, wherein the amount of fuel added to the exhaust gas is adjusted by adjusting the post injection amount performed in the combustion chamber of the internal combustion engine. 請求項3において、排気経路に設けられた燃料添加弁にて行われる燃料添加量の調節にて、排気中に加えられる燃料量の調節がなされることを特徴とする触媒床温制御装置。 4. The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 3, wherein the amount of fuel added to the exhaust gas is adjusted by adjusting the fuel addition amount performed by a fuel addition valve provided in the exhaust path. 請求項1〜5のいずれかにおいて、前記目標触媒床温設定手段は、前記初期目標触媒床温設定期間後に、目標触媒床温を、初期目標触媒床温から再生時目標触媒床温へ徐々に移行させることを特徴とする触媒床温制御装置。 The target catalyst bed temperature setting means according to any one of claims 1 to 5, wherein after the initial target catalyst bed temperature setting period, the target catalyst bed temperature is gradually changed from the initial target catalyst bed temperature to the regeneration target catalyst bed temperature. The catalyst bed temperature control apparatus characterized by making it transfer. 請求項1〜6のいずれかにおいて、前記加熱調節量制御手段は、前記初期目標触媒床温設定期間後にて、前記加熱調節量補正値の学習を継続した状態で前記加熱調節量を制御することを特徴とする触媒床温制御装置。 7. The heating adjustment amount control means according to claim 1, wherein the heating adjustment amount control means controls the heating adjustment amount in a state where learning of the heating adjustment amount correction value is continued after the initial target catalyst bed temperature setting period. A catalyst bed temperature control device characterized by. 請求項1〜6のいずれかにおいて、前記加熱調節量制御手段は、前記初期目標触媒床温設定期間後にて、前記初期目標触媒床温設定期間学習手段にて学習された前記加熱調節量補正値を固定した状態で前記加熱調節量を制御することを特徴とする触媒床温制御装置。 The heating adjustment amount correction value according to any one of claims 1 to 6, wherein the heating adjustment amount control means is learned by the initial target catalyst bed temperature setting period learning means after the initial target catalyst bed temperature setting period. The catalyst bed temperature control apparatus, wherein the heating adjustment amount is controlled in a state where the temperature is fixed. 請求項1〜8のいずれかにおいて、学習により求められる前記加熱調節量補正値は、触媒床温フィードバック制御上の積分制御量であることを特徴とする触媒床温制御装置。 9. The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 1, wherein the heating adjustment amount correction value obtained by learning is an integral control amount in catalyst bed temperature feedback control. 請求項1〜9のいずれかにおいて、前記加熱調節量の上限値を設定することで前記加熱調節量を制限する上限設定手段と、
前記上限設定手段にて設定された前記上限値を前記加熱調節量補正値の大きさに応じて補正する上限変更手段と、
を備えたことを特徴とする触媒床温制御装置。
In any one of Claims 1-9, the upper limit setting means which restrict | limits the said heating adjustment amount by setting the upper limit of the said heating adjustment amount,
Upper limit changing means for correcting the upper limit value set by the upper limit setting means according to the magnitude of the heating adjustment amount correction value;
A catalyst bed temperature control device comprising:
請求項10において、前記上限変更手段は、前記上限設定手段にて設定された前記上限値に対して前記加熱調節量補正値を加える加算補正を行うことを特徴とする触媒床温制御装置。 11. The catalyst bed temperature control apparatus according to claim 10, wherein the upper limit changing unit performs addition correction for adding the heating adjustment amount correction value to the upper limit value set by the upper limit setting unit. 請求項1〜11のいずれかにおいて、前記目標触媒床温設定手段は、前記初期目標触媒床温設定期間を、前記加熱調節量制御手段による制御開始時からの経過時間により設定していることを特徴とする触媒床温制御装置。 In any one of Claims 1-11, the said target catalyst bed temperature setting means sets the said initial target catalyst bed temperature setting period by the elapsed time from the time of the control start by the said heating adjustment amount control means. A catalyst bed temperature control device. 請求項1〜11のいずれかにおいて、前記目標触媒床温設定手段は、前記初期目標触媒床温設定期間を、前記加熱調節量制御手段による制御開始時から前記初期目標触媒床温設定期間学習手段により学習される前記加熱調節量補正値の変動が基準変動幅よりも小さくなった時までとしていることを特徴とする触媒床温制御装置。 12. The target catalyst bed temperature setting means according to claim 1, wherein the target catalyst bed temperature setting means sets the initial target catalyst bed temperature setting period from the start of control by the heating adjustment amount control means to the initial target catalyst bed temperature setting period learning means. The catalyst bed temperature control apparatus is characterized in that the time until the fluctuation of the heating adjustment amount correction value learned by the step becomes smaller than the reference fluctuation range. 請求項1〜13のいずれかにおいて、内燃機関の安定運転状態を検出する安定運転状態検出手段を備え、前記初期目標触媒床温設定期間学習手段は、前記安定運転状態検出手段にて内燃機関が安定運転状態にあると判定された場合に限定して、前記加熱調節量補正値の学習を実行することを特徴とする触媒床温制御装置。 The stable operation state detection means for detecting a stable operation state of the internal combustion engine according to any one of claims 1 to 13, wherein the initial target catalyst bed temperature setting period learning means is configured to detect the internal combustion engine by the stable operation state detection means. Only when it is determined that the engine is in a stable operation state, learning of the heating adjustment amount correction value is executed. 請求項1〜13のいずれかにおいて、内燃機関の安定運転状態時に内燃機関のドライバからの再生要求操作を検出する再生要求操作検出手段を備え、前記初期目標触媒床温設定期間学習手段は、前記再生要求操作検出手段にて再生要求操作が検出された場合に限定して、前記加熱調節量補正値の学習を実行することを特徴とする触媒床温制御装置。 14. The regeneration request operation detecting means for detecting a regeneration request operation from a driver of the internal combustion engine in a stable operation state of the internal combustion engine according to any one of claims 1 to 13, wherein the initial target catalyst bed temperature setting period learning means includes the The catalyst bed temperature control apparatus, wherein learning of the heating adjustment amount correction value is executed only when the regeneration request operation is detected by the regeneration request operation detecting means. 請求項15において、前記内燃機関の安定運転状態時は、アイドル運転状態時であることを特徴とする触媒床温制御装置。 16. The catalyst bed temperature control device according to claim 15, wherein the stable operation state of the internal combustion engine is an idle operation state.
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