JP2009020833A - データをキャッシュする技術 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】各セクタが有効セクタかどうかを示す論理値を配列した有効性データについて、その有効性データの各ビットとそれに隣接する他のビットの排他的論理和を算出し、その排他的論理和を配列したビット列を、設定された検出範囲にある論理値が真のビットのうち先頭のビットを除外してビットマスクし、そのビット列のうち論理値が真であるビットのビット位置を検出し、当該ビット位置が検出される毎に、当該ビット位置よりも末尾側のビット位置を前記検出範囲として設定する処理を、当該ビット位置が検出されなくなるまで繰り返し、順次検出される当該ビット位置に基づいて、無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域に対応するメインメモリのアドレスを算出し、その算出されたアドレスに対し読出コマンドを発行してから、キャッシュセグメントを書き戻す、記憶装置を提供する。
【選択図】図8
Description
フラッシュメモリデバイスの説明、[online]、インターネットホームページ、アドレス「http://e-words.jp/w/E38395E383A9E38383E382B7E383A5E383A1E383A2E383AA.html」2007年5月24日検索
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
即ち、この場合、排他的論理和算出部800は、有効性データを示すビット列の先頭のビットと、定数の論理値真の排他的論理和を算出して、算出結果の排他的論理和を示すビット列の先頭に配列する。そして、排他的論理和算出部800は、有効性データを示すビット列の他のビットと、そのビットの末尾側に隣接するビットの排他的論理和を算出して、算出結果の排他的論理和を示すこのビット列における、その先頭のビットよりも末尾側のビットとして配列する。
即ち、この場合、排他的論理和算出部800は、有効性データの先頭のビットと、論理値偽の排他的論理和を算出して、排他的論理和を示すビット列の先頭に配列する。そして、排他的論理和算出部800は、有効性データの他のビットと当該ビットの末尾側に隣接するビットの排他的論理和を、排他的論理和を示すビット列におけるその先頭のビットよりも末尾側のビットとして配列する。
図15は、ある有効性データについて処理されるS1300の詳細を示す。排他的論理和算出部800が入力する有効性データをビット列「0011110001110000」とする。排他的論理和算出部800は、このビット列の各ビットと当該ビットに隣接する他のビットの排他的論理和を算出する。算出される排他的論理和を示すビット列を、近傍差分出力と呼ぶ。
以上、図16bを参照して説明したように、有効性データ中に論理値が真であるビットが1つだけ含まれている場合においては、ビット位置検出部820はそのビット位置を極めて迅速な処理によって検出することができる。
図17は、ある有効性データについて2度目に処理されるS1320〜S1340の詳細を示す。2度目の処理では、第1マスクデータは、有効性データのうち先頭から第3ビットまでをマスクするように設定されている。従って、第1マスク部815は、近傍差分出力である「0010001001001000」をマスクして、その結果として「0000001001001000」を出力する。この出力において、論理値が真である先頭のビットは第7ビットである。したがって、第2マスク部818は、この出力のビット列のうち、第8ビット以降のビットをマスクする。この結果、第2マスク部818は、「0000001000000000」を出力する。これに応じ、ビット位置検出部820は、この出力のうち論理値が真であるビットのビット位置を検出する。検出されるビット位置は、例えば、第7ビットを示す数値の7である。
図21は、本実施の形態に係る算出部720の回路構成の具体例を示す。算出部720は、排他的論理和算出部800として機能する回路と、第1マスク部815として機能する回路と、第2マスク部818として機能する回路と、ビット位置検出部820として機能する回路と、コントローラ830として機能する回路とを備える。排他的論理和算出部800として機能する回路は、排他的論理和を算出する、2入力の論理ゲートを4つ有する。まず、第1の論理ゲートは、定数(Fix Value)の論理値(X(−1))と、有効性データの先頭のビット(X(0))の排他的論理和を算出する。第2の論理ゲートは、有効性データの先頭のビット(X(0))と、2番目のビット(X(1))の排他的論理和を算出する。第3の論理ゲートは、有効性データの2番目のビット(X(1))と、3番目のビット(X(2))の排他的論理和を算出する。第4の論理ゲートは、有効性データの3番目のビット(X(2))と、4番目のビット(X(3))の排他的論理和を算出する。
続いて、第1マスク部815として機能する回路は、この近傍差分出力(EX(0…3))を、第1マスクデータ(LM(0…3))である「0011」によりマスクする。このマスクの処理は、例えば、各ビットに対応付けられた論理積ゲートにより実現される。この結果、マスクされたビット列(LMO(0…3))である「0010」が出力される。
なお、算出部720以外の構成は、図1から図22を参照して説明した実施形態と略同一であるから説明を省略する。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を更に加えることのできることが当業者にとって明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
20 記憶装置
200 メインメモリ
210 キャッシュメモリ
220 キャッシュ制御部
300 セグメント
310 タグ情報
320 セクタ
400 上位アドレスフィールド
410 有効性データフィールド
420 LRU値フィールド
430 状態フィールド
700 読出し制御部
710 書込み制御部
720 算出部
730 書戻し制御部
800 排他的論理和算出部
810 ビットマスク部
815 第1マスク部
818 第2マスク部
820 ビット位置検出部
830 コントローラ
840 アドレス算出部
900 入力部
910 第1論理和算出部
920 第2論理和算出部
930 出力部
1000 CPU
2200 反転制御部
2210 ビットマスク部
2215 第1マスク部
2218 第2マスク部
2220 ビット位置検出部
2230 コントローラ
2240 アドレス算出部
Claims (13)
- メインメモリに書き込むデータをキャッシュする記憶装置であって、
複数のキャッシュセグメントを有し、キャッシュセグメントごとに、当該キャッシュセグメントに含まれる各セクタが有効なデータを含む有効セクタか否かを示す論理値を、当該セクタの配列順に従って配列した有効性データを記憶しているキャッシュメモリと、
キャッシュセグメントをメインメモリへ書き戻す場合に、当該キャッシュセグメントに対応する有効性データに基づいて、無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域に対応する前記メインメモリのアドレスを算出する算出部と、
無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域へ前記メインメモリの前記アドレスからデータを読み出す読出コマンドを発行して、各領域を有効セクタとしてから、当該キャッシュセグメント内のデータをメインメモリに書き戻す書戻し制御部と
を備え、前記算出部は、
前記有効性データを示すビット列の各ビットについて、当該ビットと当該ビットに隣接する他のビットの排他的論理和を算出する排他的論理和算出部と、
前記排他的論理和を配列したビット列を、予め設定された検出範囲にある論理値が真のビットのうち先頭のビットを除外して、ビットマスクするビットマスク部と、
ビットマスクされた当該ビット列のうち論理値が真であるビットのビット位置を検出するビット位置検出部と、
当該ビット位置が検出される毎に、当該ビット位置よりも末尾側のビット位置を前記検出範囲として前記ビットマスク部に設定する処理を、当該ビット位置が検出されなくなるまで繰り返すコントローラと、
順次検出される当該ビット位置に基づいて、無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域に対応する前記メインメモリのアドレスを算出するアドレス算出部と
を有する記憶装置。 - 前記ビットマスク部は、
前記排他的論理和を配列したビット列から、前記検出範囲以外のビットをマスクする第1マスク部と、
前記第1マスク部によりマスクされたビット列から、当該ビット列のうち論理値が真である先頭のビットよりも末尾側の各ビットをマスクする第2マスク部と
を有する、請求項1に記載の記憶装置。 - 前記ビット位置検出部は、
前記ビットマスク部によりビットマスクされた当該ビット列を入力する入力部と、
入力したそれぞれのビット列について、当該ビット列を2分割した末尾側の各ビットの論理和を算出する第1論理和算出部と、
算出したそれぞれの前記論理和の論理和を算出すると共に、入力したそれぞれの前記ビット列を2分割した各ビット列を、前記第1論理和算出部に対し出力する処理を、ビット列を分割できなくなるまで繰り返す第2論理和算出部と、
前記第2論理和算出部により順次算出される論理和を算出の順に上位側の桁から配列して、検出するべき前記ビット位置を示す数値として出力する出力部と
を有する請求項1に記載の記憶装置。 - 前記有効性データの各ビットについて、論理値真は有効セクタを示し、論理値偽は無効セクタを示し、
前記排他的論理和算出部は、前記有効性データの先頭のビットと、論理値真の排他的論理和を算出して、排他的論理和を示すビット列の先頭に配列し、前記有効性データの他のビットと当該ビットの末尾側に隣接するビットの排他的論理和を、排他的論理和を示すビット列におけるその先頭のビットよりも末尾側のビットとして配列し、
前記アドレス算出部は、前記ビット位置検出部により奇数回目に検出されるビット位置に基づいて、無効セクタが連続する領域の開始アドレスを算出し、前記ビット位置検出部により偶数回目に検出されるビット位置に基づいて、当該領域の末尾アドレスを算出する
請求項1に記載の記憶装置。 - 前記有効性データの各ビットについて、論理値真は有効セクタを示し、論理値偽は無効セクタを示し、
前記排他的論理和算出部は、前記有効性データの先頭のビットと、論理値偽の排他的論理和を算出して、排他的論理和を示すビット列の先頭に配列し、前記有効性データの他のビットと当該ビットの末尾側に隣接するビットの排他的論理和を、排他的論理和を示すビット列におけるその先頭のビットよりも末尾側のビットとして配列し、
前記アドレス算出部は、前記ビット位置検出部により偶数回目に検出されるビット位置に基づいて、無効セクタが連続する領域の開始アドレスを算出し、前記ビット位置検出部により奇数回目に検出されるビット位置に基づいて、当該領域の末尾アドレスを算出する
請求項1に記載の記憶装置。 - 各キャッシュセグメントは、そのキャッシュセグメント以上のデータサイズであってメインメモリへの書込み単位であるメモリブロックの少なくとも一部に対応して割り当てられており、
前記書戻し制御部は、書き戻すキャッシュセグメントを有効セクタとすると共に、メモリブロック内の他のキャッシュセグメントに対応するデータをメインメモリから読み出して、そのキャッシュセグメントおよび読み出したデータをメモリブロックに書き戻す
請求項1に記載の記憶装置。 - あるセクタに対する書込みのキャッシュミスに応じ、書込みデータをキャッシュするために新たなキャッシュセグメントを割り当てて、そのキャッシュセグメント内のセクタにその書込みデータを書き込んで、書込み対象以外のセクタに対応する有効性データを無効に設定する、書込み制御部、を更に備える請求項1に記載の記憶装置。
- 前記書込み制御部は、あるセクタに対する書込みのキャッシュヒットに応じ、そのセクタに対する書込みデータをキャッシュするために割り当てられているキャッシュセグメント内のセクタに、その書込みデータを書き込んで、そのセクタに対応する有効性データを有効に設定する、請求項7に記載の記憶装置。
- 前記メインメモリを備える請求項1に記載の記憶装置。
- 前記メインメモリとして、少なくとも1つのフラッシュメモリを備える請求項9に記載の記憶装置。
- メインメモリに書き込むデータをキャッシュする記憶装置であって、
複数のキャッシュセグメントを有し、キャッシュセグメントごとに、当該キャッシュセグメントに含まれる各セクタが有効なデータを含む有効セクタか否かを示す論理値を、当該セクタの配列順に従って配列した有効性データを記憶しているキャッシュメモリと、
キャッシュセグメントをメインメモリへ書き戻す場合に、当該キャッシュセグメントに対応する有効性データに基づいて、無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域に対応する前記メインメモリのアドレスを算出する算出部と、
無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域へ前記メインメモリの前記アドレスからデータを読み出す読出コマンドを発行して、各領域を有効セクタとしてから、当該キャッシュセグメント内のデータをメインメモリに書き戻す書戻し制御部と
を備え、前記算出部は、
前記有効性データを示すビット列の各ビットが示す論理値を、設定に基づいて、反転し、又は、反転しないでそのまま、出力する反転制御部と、
出力された当該ビット列を、予め設定された検出範囲にある論理値が真のビットのうち先頭のビットを除外して、ビットマスクするビットマスク部と、
ビットマスクされた当該ビット列のうち論理値が真であるビットのビット位置を検出するビット位置検出部と、
当該ビット位置が検出される毎に、当該ビット位置よりも末尾側のビット位置を前記検出範囲として前記ビットマスク部に設定すると共に、前記反転制御部の反転および非反転を切り替える処理を、当該ビット位置が検出されなくなるまで繰り返すコントローラと、
順次検出される当該ビット位置に基づいて、無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域に対応する前記メインメモリのアドレスを算出するアドレス算出部と
を有する記憶装置。 - メインメモリに書き込むデータをキャッシュする記憶装置を制御する方法であって、
前記記憶装置は、
複数のキャッシュセグメントを有し、キャッシュセグメントごとに、当該キャッシュセグメントに含まれる各セクタが有効なデータを含む有効セクタか否かを示す論理値を、当該セクタの配列順に従って配列した有効性データを記憶しているキャッシュメモリを有し、
キャッシュセグメントをメインメモリへ書き戻す場合に、当該キャッシュセグメントに対応する有効性データに基づいて、無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域に対応する前記メインメモリのアドレスを算出するステップと、
無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域へ前記メインメモリの前記アドレスからデータを読み出す読出コマンドを発行して、各領域を有効セクタとしてから、当該キャッシュセグメント内のデータをメインメモリに書き戻すステップと、
を備え、前記算出するステップは、
前記有効性データを示すビット列の各ビットについて、当該ビットと当該ビットに隣接する他のビットの排他的論理和を算出するステップと、
前記排他的論理和を配列したビット列を、予め設定された検出範囲にある論理値が真のビットのうち先頭のビットを除外して、ビットマスクするステップと、
ビットマスクされた当該ビット列のうち論理値が真であるビットのビット位置を検出するステップと、
当該ビット位置が検出される毎に、当該ビット位置よりも末尾側のビット位置を前記検出範囲として設定するステップと、
順次検出される当該ビット位置に基づいて、無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域に対応する前記メインメモリのアドレスを算出するステップと
を有する方法。 - メインメモリに書き込むデータをキャッシュする記憶装置を制御するプログラムであって、
前記記憶装置は、
複数のキャッシュセグメントを有し、キャッシュセグメントごとに、当該キャッシュセグメントに含まれる各セクタが有効なデータを含む有効セクタか否かを示す論理値を、当該セクタの配列順に従って配列した有効性データを記憶しているキャッシュメモリを有し、
コンピュータを、
キャッシュセグメントをメインメモリへ書き戻す場合に、当該キャッシュセグメントに対応する有効性データに基づいて、無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域に対応する前記メインメモリのアドレスを算出する算出部と、
無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域へ前記メインメモリの前記アドレスからデータを読み出す読出コマンドを発行して、各領域を有効セクタとしてから、当該キャッシュセグメント内のデータをメインメモリに書き戻す書戻し制御部
として機能させ、前記算出部を、さらに、
前記有効性データを示すビット列の各ビットについて、当該ビットと当該ビットに隣接する他のビットの排他的論理和を算出する排他的論理和算出部と、
前記排他的論理和を配列したビット列を、予め設定された検出範囲にある論理値が真のビットのうち先頭のビットを除外して、ビットマスクするビットマスク部と、
ビットマスクされた当該ビット列のうち論理値が真であるビットのビット位置を検出するビット位置検出部と、
当該ビット位置が検出される毎に、当該ビット位置よりも末尾側のビット位置を前記検出範囲として前記ビットマスク部に設定する処理を、当該ビット位置が検出されなくなるまで繰り返すコントローラと、
順次検出される当該ビット位置に基づいて、無効セクタが連続する領域ごとに、当該領域に対応する前記メインメモリのアドレスを算出するアドレス算出部
として機能させるプログラム。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009211226A (ja) * | 2008-03-01 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | メモリシステム |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8055816B2 (en) | 2009-04-09 | 2011-11-08 | Micron Technology, Inc. | Memory controllers, memory systems, solid state drives and methods for processing a number of commands |
WO2011128867A1 (en) | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Ramot At Tel Aviv University Ltd. | Multiple programming of flash memory without erase |
CN105808153B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-11-13 | 深圳市硅格半导体有限公司 | 存储系统及其读写操作方法 |
US10439639B2 (en) * | 2016-12-28 | 2019-10-08 | Intel Corporation | Seemingly monolithic interface between separate integrated circuit die |
CN112256617B (zh) * | 2020-10-23 | 2021-04-20 | 福州富昌维控电子科技有限公司 | 一种提升设备串口通信效率的方法及终端 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0628261A (ja) * | 1992-04-17 | 1994-02-04 | Hitachi Ltd | データ転送方法及び装置 |
JPH06162786A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリを用いた情報処理装置 |
JPH06349286A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フラッシュメモリ用書き込み制御方法および制御装置 |
JPH0784886A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | キャッシュメモリ制御方法およびキャッシュメモリ制御装置 |
JPH10312279A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Ricoh Co Ltd | ビット検索回路およびこれを有するマイクロプロセッサ |
JP2002281504A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nec Eng Ltd | 0/1検出回路 |
JP2006163474A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Fujitsu Ltd | 記憶装置、その制御方法及びプログラム |
JP2007528079A (ja) * | 2004-03-08 | 2007-10-04 | サンディスク コーポレイション | フラッシュコントローラのキャッシュ構造 |
JP2008299530A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | メインメモリに書き込むデータをキャッシュする技術 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5274799A (en) * | 1991-01-04 | 1993-12-28 | Array Technology Corporation | Storage device array architecture with copyback cache |
US6883131B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-04-19 | Sun Microsystems, Inc. | XOR processing incorporating error correction code data protection |
-
2007
- 2007-07-13 JP JP2007184806A patent/JP4963088B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-14 US US12/172,553 patent/US20090019235A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0628261A (ja) * | 1992-04-17 | 1994-02-04 | Hitachi Ltd | データ転送方法及び装置 |
JPH06162786A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリを用いた情報処理装置 |
JPH06349286A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フラッシュメモリ用書き込み制御方法および制御装置 |
JPH0784886A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | キャッシュメモリ制御方法およびキャッシュメモリ制御装置 |
JPH10312279A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Ricoh Co Ltd | ビット検索回路およびこれを有するマイクロプロセッサ |
JP2002281504A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nec Eng Ltd | 0/1検出回路 |
JP2007528079A (ja) * | 2004-03-08 | 2007-10-04 | サンディスク コーポレイション | フラッシュコントローラのキャッシュ構造 |
JP2006163474A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Fujitsu Ltd | 記憶装置、その制御方法及びプログラム |
JP2008299530A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | メインメモリに書き込むデータをキャッシュする技術 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009211226A (ja) * | 2008-03-01 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP4691122B2 (ja) * | 2008-03-01 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090019235A1 (en) | 2009-01-15 |
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