JP2009006581A - Line head, line head control method, and image forming apparatus using the line head - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、像面に対して光ビームを照射するラインヘッド、該ラインヘッドの制御方法及び該ラインヘッドを用いた画像形成装置に関するものである。 The present invention relates to a line head that irradiates an image surface with a light beam, a control method for the line head, and an image forming apparatus using the line head.
発光素子から射出された光ビームを像面に向けて結像して、該像面に光ビームを照射するラインヘッドが従来知られている。また、特許文献1では、発光素子としてLED(Light Emitting Diode)を用いたラインヘッドが提案されている。つまり、特許文献1のラインヘッドは、LEDが形成されたLEDアレイチップを複数有し、各LEDアレイチップのLEDから射出された光ビームを像面に照射する。このように、複数のLEDアレイチップのそれぞれは、像面のうち該LEDアレイチップが対応する領域に光ビームを照射する。
2. Description of the Related Art Conventionally, a line head that forms an image of a light beam emitted from a light emitting element toward an image surface and irradiates the image surface with the light beam is known.
ところで、上述のラインヘッドでは、ダイ・ボンディング等の接合技術を用いて、複数のLEDアレイチップ(チップ)が基板に設けられているため、基板上においてチップの位置が所望位置からずれる(チップの位置ずれが発生する)と、該チップにより光ビームが照射される領域(照射領域)の位置も所望位置ずれることとなる。その結果、隣接する2つの照射領域の間に隙間が発生する可能性があった。このように、複数のチップを用いて像面に光ビームを照射するラインヘッドでは、チップの位置が所望位置からずれると、隣接する照射領域の間に隙間が発生する可能性があった。特にこのような問題を有するラインヘッドを用いて潜像担持体表面に潜像を形成する画像形成装置では、潜像を良好に形成できない場合があった。 By the way, in the above-described line head, since a plurality of LED array chips (chips) are provided on the substrate by using a bonding technique such as die bonding, the position of the chip is shifted from a desired position on the substrate (chip chip). When the position shift occurs), the position of the region (irradiation region) irradiated with the light beam by the chip also shifts the desired position. As a result, a gap may be generated between two adjacent irradiation regions. As described above, in a line head that irradiates an image surface with a light beam using a plurality of chips, there is a possibility that a gap is generated between adjacent irradiation regions when the position of the chip is shifted from a desired position. In particular, in an image forming apparatus that forms a latent image on the surface of a latent image carrier using a line head having such a problem, the latent image may not be formed satisfactorily.
この発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、チップの位置ずれが発生した場合であっても、隣接する照射領域の間の隙間の発生を抑制する技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a technique for suppressing the generation of a gap between adjacent irradiation regions even when a chip position shift occurs.
この発明にかかるラインヘッドは、上記目的を達成するため、光ビームを射出する複数の発光素子が形成されたチップと、チップが複数設けられた基板と、発光素子からの光ビームを移動する像面に向けて結像する光学系とを備え、基板では像面の移動方向に対応する第1方向に複数のチップが並び、該複数のチップのそれぞれは、移動方向に直交する直交方向に対応する第2方向の互いに異なる位置に発光素子を設けた素子集合を有し、像面の移動に応じて素子集合から射出した光ビームを光学系を介して像面に照射して照射領域を形成し、互いに異なるチップにより形成されるともに直交方向において隣接する照射領域が繋がるように、素子集合の発光素子が発光することを特徴としている。 In order to achieve the above object, a line head according to the present invention provides a chip on which a plurality of light emitting elements that emit light beams are formed, a substrate on which a plurality of chips are provided, and an image that moves the light beams from the light emitting elements. And an optical system that forms an image toward the surface. The substrate has a plurality of chips arranged in a first direction corresponding to the moving direction of the image surface, and each of the plurality of chips corresponds to an orthogonal direction orthogonal to the moving direction. The device has a set of light-emitting elements at different positions in the second direction, and forms an irradiation area by irradiating the image plane with a light beam emitted from the set as the image plane moves. In addition, the light emitting elements of the element set emit light so that irradiation regions formed by different chips and adjacent in the orthogonal direction are connected.
また、この発明にかかるラインヘッドの制御方法は、上記目的を達成するため、基板に設けられたチップが有する発光素子を発光させて該発光素子から射出された光ビームを移動する像面に照射する光照射工程を備え、基板では、像面の移動方向に対応する第1方向に複数のチップが並び、該複数のチップのそれぞれは、移動方向に直交する直交方向に対応する第2方向の互いに異なる位置に発光素子を設けた素子集合を有し、像面の移動に応じて素子集合から光ビームを射出して像面に照射領域を形成し、光照射工程では、互いに異なるチップにより形成されるとともに直交方向において隣接する照射領域が繋がるように、素子集合の発光素子の発光を制御することを特徴としている。 In order to achieve the above object, the line head control method according to the present invention emits light from a light emitting element of a chip provided on a substrate and irradiates a moving image plane with a light beam emitted from the light emitting element. A plurality of chips arranged in a first direction corresponding to the moving direction of the image plane, and each of the plurality of chips is arranged in a second direction corresponding to an orthogonal direction orthogonal to the moving direction. It has element sets with light emitting elements at different positions, and emits a light beam from the element set according to the movement of the image plane to form an irradiation area on the image plane. In the light irradiation process, it is formed with different chips In addition, the light emission of the light emitting elements of the element set is controlled so that adjacent irradiation regions in the orthogonal direction are connected.
また、この発明にかかる画像形成装置は、上記目的を達成するために、表面が移動する潜像担持体と、光ビームを射出する複数の発光素子が形成されたチップと、チップが複数設けられた基板と、発光素子からの光ビームを潜像担持体表面に向けて結像する光学系と、発光素子の発光を制御する制御手段とを備え、基板では潜像担持体表面の移動方向に対応する第1方向に複数のチップが並び、該複数のチップのそれぞれは、移動方向に直交する直交方向に対応する第2方向の互いに異なる位置に発光素子を設けた素子集合を有し、潜像担持体表面の移動に応じて素子集合から射出した光ビームを光学系を介して潜像担持体表面に照射して照射領域を形成し、制御手段は、互いに異なるチップにより形成されるともに直交方向において隣接する照射領域が繋がるように、素子集合の発光素子の発光を制御することを特徴としている。 In order to achieve the above object, an image forming apparatus according to the present invention includes a latent image carrier whose surface moves, a chip on which a plurality of light emitting elements for emitting a light beam are formed, and a plurality of chips. A substrate, an optical system for focusing the light beam from the light emitting element toward the surface of the latent image carrier, and a control means for controlling the light emission of the light emitting element. A plurality of chips are arranged in the corresponding first direction, and each of the plurality of chips has an element set in which light emitting elements are provided at different positions in the second direction corresponding to the orthogonal direction orthogonal to the moving direction. The light beam emitted from the element set according to the movement of the image carrier surface is irradiated onto the surface of the latent image carrier through the optical system to form an irradiation area, and the control means is formed by different chips and orthogonal to each other. Adjacent in direction As the irradiation region is connected, it is characterized by controlling the light emission of the light emitting element of the element set.
このように構成された発明(ラインヘッド、ラインヘッドの制御方法及び画像形成装置)は、発光素子から光ビームを射出するチップにより、像面(潜像担持体表面)に光ビームを照射する。そして、かかるチップは基板に設けられている。つまり、基板では、像面(潜像担持体表面)の移動方向に対応する第1方向に複数のチップが並ぶ。そして、該複数のチップのそれぞれは、移動方向に直交する直交方向に対応する第2方向の互いに異なる位置に発光素子を設けた素子集合を有し、像面の移動に応じて素子集合から射出した光ビームを該像面に照射して照射領域を形成する。 In the invention thus configured (line head, line head control method and image forming apparatus), a light beam is emitted from the light emitting element to the image plane (latent image carrier surface). Such a chip is provided on the substrate. That is, on the substrate, a plurality of chips are arranged in the first direction corresponding to the moving direction of the image plane (latent image carrier surface). Each of the plurality of chips has an element set in which light emitting elements are provided at different positions in the second direction corresponding to the orthogonal direction orthogonal to the moving direction, and is emitted from the element set in accordance with the movement of the image plane. An irradiated area is formed by irradiating the image plane with the light beam.
そして、上記発明は、互いに異なるチップにより形成されるともに直交方向において隣接する照射領域が繋がるように、素子集合の発光素子が発光する。したがって、チップの位置が多少ずれたとしても、隣接する照射領域の間における隙間の発生を抑制することが可能であり、良好な光ビームの照射を行なうことができる。また、このようなラインヘッドを用いた画像形成装置では、良好な潜像を潜像担持体表面に形成することが可能となる。 In the invention described above, the light emitting elements of the element set emit light so that irradiation regions formed by different chips and adjacent in the orthogonal direction are connected. Therefore, even if the position of the chip is slightly shifted, it is possible to suppress the generation of a gap between adjacent irradiation regions, and a good light beam irradiation can be performed. In addition, in an image forming apparatus using such a line head, it is possible to form a good latent image on the surface of the latent image carrier.
ここで、複数のチップそれぞれにおいて、素子集合は照射領域の形成に必要な個数よりも多くの発光素子を有し、該素子集合が有する複数の発光素子のうち一部の発光素子が発光して、照射領域が形成されるようにラインヘッドを構成しておくと良い。 Here, in each of the plurality of chips, the element set includes more light emitting elements than the number necessary for forming the irradiation region, and some of the light emitting elements included in the element set emit light. The line head is preferably configured so that an irradiation region is formed.
つまり、このような構成を有するラインヘッドでは、各チップの素子領域は、照射領域を形成するのに必要な個数より多くの発光素子2951を、予め有している。そして、実動作においては照射領域の形成に必要な発光素子のみを発光させて照射領域を形成する。したがって、チップの位置が多少ずれた場合であっても、適切な位置に照射領域を形成して、上述のような縦筋等の問題を効果的に抑制できる。
That is, in the line head having such a configuration, the element region of each chip has in advance more
ここで、チップの位置ずれに起因した照射領域の隙間の発生を効果的に抑制するとの観点から、チップの位置ずれに応じて、該チップの素子集合が有する複数の発光素子の一部が発光するようにラインヘッドを構成しても良い。 Here, from the viewpoint of effectively suppressing the generation of gaps in the irradiation region due to the chip position shift, a part of the plurality of light emitting elements included in the chip element set emits light according to the chip position shift. The line head may be configured as described above.
また、チップが素子集合の発光素子から光ビームを射出すると、複数のスポットが直交方向に並んで照射領域が形成されるラインヘッドにあっては、次のように構成しても良い。即ち、互いに異なるチップよりに形成されるとともに直交方向に隣接するスポットの間のピッチが最大ピッチ以下となるように、発光素子が発光するようにラインヘッドを構成しても良い。つまり、かかるラインヘッドは、互いに異なるチップよりに形成されるとともに直交方向に隣接するスポットの間のピッチが最大ピッチ以下であることを要求して、互いに異なるチップにより形成されるとともに直交方向において隣接する照射領域が繋がるようにしている。その結果、かかるラインヘッドでは、チップの位置が多少ずれたとしても隣接する照射領域の間における隙間の発生を抑制することが可能であり、良好な光ビームの照射が実現される。 Further, a line head in which an irradiation region is formed by arranging a plurality of spots in an orthogonal direction when a chip emits a light beam from a light emitting element of an element set may be configured as follows. That is, the line head may be configured such that the light emitting element emits light so that the pitch between spots formed in different chips and adjacent in the orthogonal direction is equal to or less than the maximum pitch. In other words, such a line head is formed by different chips and is formed by different chips and adjacent in the orthogonal direction, requiring that the pitch between spots adjacent in the orthogonal direction is not more than the maximum pitch. The irradiation areas to be connected are connected. As a result, in such a line head, it is possible to suppress the generation of a gap between adjacent irradiation regions even if the position of the chip is slightly shifted, and a good light beam irradiation is realized.
また、互いに異なるチップにより形成されるとともに直交方向に隣接するスポットの間のピッチが最小ピッチ以上となるように、発光素子が発光するようにラインヘッドを構成しても良い。なんとなれば、このように構成することで、隣接して形成されるスポットの過度の重複を抑制することが可能となり、より良好な光ビームの照射が実現されるからである。 In addition, the line head may be configured such that the light emitting element emits light so that the pitch between spots formed in different chips and adjacent in the orthogonal direction is equal to or greater than the minimum pitch. This is because, by configuring in this way, it is possible to suppress excessive overlap of spots formed adjacent to each other, thereby realizing better light beam irradiation.
また、光学系の倍率の絶対値が1より大きいラインヘッドにあっては、上記発明を適用することが特に好適である。つまり、光学系の倍率の絶対値が1より大きいラインヘッドにあっては、基板でのチップの位置ずれが僅かであっても、かかる位置ずれは拡大されて像面での照射領域のずれとなる。したがって、かかる光学系を備えるラインヘッドでは、上述のような隙間の問題が発生しやすい。そこで、かかるラインヘッドでは、上記発明を適用して、照射領域の隙間の発生を抑制することが、特に好適である。 In addition, it is particularly preferable to apply the above invention to a line head in which the absolute value of the magnification of the optical system is greater than 1. That is, in a line head in which the absolute value of the magnification of the optical system is larger than 1, even if the position of the chip on the substrate is slight, the position is enlarged and the irradiation area is shifted on the image plane. Become. Therefore, in the line head provided with such an optical system, the above-described gap problem is likely to occur. Therefore, in such a line head, it is particularly preferable to apply the above-described invention to suppress the generation of a gap in the irradiation region.
以下に、本発明の実施形態について説明するが、具体的な実施形態の前に、本発明を適用可能であるラインヘッド及び該ラインヘッドを用いた画像形成装置の基本構成について説明する。そして、かかる基本構成の説明に続いて、本発明の実施形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. Before a specific embodiment, a line head to which the present invention is applicable and a basic configuration of an image forming apparatus using the line head will be described. Then, following the description of the basic configuration, an embodiment of the present invention will be described.
基本構成
図1は本発明を適用可能な画像形成装置の構成を示す図である。また、図2は図1の画像形成装置の電気的構成を示す図である。この装置は、ブラック(K)、シアン(C)、マゼンダ(M)、イエロー(Y)の4色のトナーを重ね合わせてカラー画像を形成するカラーモードと、ブラック(K)のトナーのみを用いてモノクロ画像を形成するモノクロモードとを選択的に実行可能な画像形成装置である。なお図1は、カラーモード実行時に対応する図面である。この画像形成装置では、ホストコンピューターなどの外部装置から画像形成指令がCPUやメモリなどを有するメインコントローラMCに与えられると、このメインコントローラMCはエンジンコントローラECに制御信号などを与えるとともに画像形成指令に対応するビデオデータVDをヘッドコントローラHCに与える。また、このヘッドコントローラHCは、メインコントローラMCからのビデオデータVDとエンジンコントローラECからの垂直同期信号Vsyncおよびパラメータ値とに基づき各色のラインヘッド29を制御する。これによって、エンジン部EGが所定の画像形成動作を実行し、複写紙、転写紙、用紙およびOHP用透明シートなどのシートに画像形成指令に対応する画像を形成する。
Basic Configuration FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an image forming apparatus to which the present invention is applicable. FIG. 2 is a diagram showing an electrical configuration of the image forming apparatus of FIG. This apparatus uses a color mode in which four color toners of black (K), cyan (C), magenta (M), and yellow (Y) are superimposed to form a color image, and only black (K) toner. Thus, the image forming apparatus can selectively execute a monochrome mode for forming a monochrome image. FIG. 1 is a diagram corresponding to the execution of the color mode. In this image forming apparatus, when an image forming command is given from an external device such as a host computer to a main controller MC having a CPU, a memory, etc., the main controller MC gives a control signal to the engine controller EC and also outputs an image forming command. Corresponding video data VD is supplied to the head controller HC. The head controller HC controls the
この実施形態にかかる画像形成装置が有するハウジング本体3内には、電源回路基板、メインコントローラMC、エンジンコントローラECおよびヘッドコントローラHCを内蔵する電装品ボックス5が設けられている。また、画像形成ユニット7、転写ベルトユニット8および給紙ユニット11もハウジング本体3内に配設されている。また、図1においてハウジング本体3内右側には、2次転写ユニット12、定着ユニット13、シート案内部材15が配設されている。なお、給紙ユニット11は、装置本体1に対して着脱自在に構成されている。そして、該給紙ユニット11および転写ベルトユニット8については、それぞれ取り外して修理または交換を行うことが可能な構成になっている。
In the housing main body 3 of the image forming apparatus according to this embodiment, an
画像形成ユニット7は、複数の異なる色の画像を形成する4個の画像形成ステーションSTY(イエロー用)、STM(マゼンダ用)、STC(シアン用)、STK(ブラック用)を備えている。また、各画像形成ステーションSTY、STM、STC、STKには、それぞれの色のトナー像がその表面に形成される感光体ドラム21が設けられている。各感光体ドラム21はそれぞれ専用の駆動モータに接続され図中矢印D21の方向に所定速度で回転駆動される。これにより感光体ドラム21の表面が副走査方向に搬送されることとなる。また、感光体ドラム21の周囲には、回転方向に沿って帯電部23、ラインヘッド29、現像部25および感光体クリーナ27が配設されている。そして、これらの機能部によって帯電動作、潜像形成動作及びトナー現像動作が実行される。したがって、カラーモード実行時は、全ての画像形成ステーションSTY、STM、STC、STKで形成されたトナー像を転写ベルトユニット8が有する転写ベルト81に重ね合わせてカラー画像を形成するとともに、モノクロモード実行時は、画像形成ステーションSTKで形成されたトナー像のみを用いてモノクロ画像を形成する。なお、図1において、画像形成ユニット7の各画像形成ステーションは構成が互いに同一のため、図示の便宜上一部の画像形成ステーションのみに符号をつけて、他の画像形成ステーションについては符号を省略する。
The image forming unit 7 includes four image forming stations STY (for yellow), STM (for magenta), STC (for cyan), and STK (for black) that form a plurality of images of different colors. Each image forming station STY, STM, STC, STK is provided with a
帯電部23は、その表面が弾性ゴムで構成された帯電ローラを備えている。この帯電ローラは帯電位置で感光体ドラム21の表面と当接して従動回転するように構成されており、感光体ドラム21の回転動作に伴って感光体ドラム21に対して従動方向に周速で従動回転する。また、この帯電ローラは帯電バイアス発生部(図示省略)に接続されており、帯電バイアス発生部からの帯電バイアスの給電を受けて帯電部23と感光体ドラム21が当接する帯電位置で感光体ドラム21の表面を帯電させる。
The charging
ラインヘッド29は、感光体ドラム21の軸方向(図1の紙面に対して垂直な方向)に配列された複数の発光素子を備えるとともに、感光体ドラム21から離間配置されている。そして、これらの発光素子から、帯電部23により帯電された感光体ドラム21の表面に対して光を照射して該表面に潜像を形成する。なお、この実施形態では、各色のラインヘッド29を制御するためにヘッドコントローラHCが設けられ、メインコントローラMCからのビデオデータVDと、エンジンコントローラECからの信号とに基づき各ラインヘッド29を制御している。すなわち、この実施形態では、画像形成指令に含まれる画像データがメインコントローラMCの画像処理部51に入力される。そして、該画像データに対して種々の画像処理が施されて各色のビデオデータVDが作成されるとともに、該ビデオデータVDがメイン側通信モジュール52を介してヘッドコントローラHCに与えられる。また、ヘッドコントローラHCでは、ビデオデータVDはヘッド側通信モジュール53を介してヘッド制御モジュール54に与えられる。このヘッド制御モジュール54には、上記したように潜像形成に関連するパラメータ値を示す信号と垂直同期信号VsyncがエンジンコントローラECから与えられている。そして、これらの信号およびビデオデータVDなどに基づきヘッドコントローラHCは各色のラインヘッド29に対して素子駆動を制御するための信号を作成し、各ラインヘッド29に出力する。こうすることで、各ラインヘッド29において発光素子の作動が適切に制御されて画像形成指令に対応する潜像が形成される。
The
そして、この実施形態においては、各画像形成ステーションSTY、STM、STC、STKの感光体ドラム21、帯電部23、現像部25および感光体クリーナ27を感光体カートリッジとしてユニット化している。また、各感光体カートリッジには、該感光体カートリッジに関する情報を記憶するための不揮発性メモリがそれぞれ設けられている。そして、エンジンコントローラECと各感光体カートリッジとの間で無線通信が行われる。こうすることで、各感光体カートリッジに関する情報がエンジンコントローラECに伝達されるとともに、各メモリ内の情報が更新記憶される。
In this embodiment, the
現像部25は、その表面にトナーが担持する現像ローラ251を有する。そして、現像ローラ251と電気的に接続された現像バイアス発生部(図示省略)から現像ローラ251に印加される現像バイアスによって、現像ローラ251と感光体ドラム21とが当接する現像位置において、帯電トナーが現像ローラ251から感光体ドラム21に移動してラインヘッド29により形成された静電潜像が顕在化される。
The developing
このように上記現像位置において顕在化されたトナー像は、感光体ドラム21の回転方向D21に搬送された後、後に詳述する転写ベルト81と各感光体ドラム21が当接する1次転写位置TR1において転写ベルト81に1次転写される。
The toner image that has been made visible at the developing position in this way is conveyed in the rotational direction D21 of the
また、この実施形態では、感光体ドラム21の回転方向D21の1次転写位置TR1の下流側で且つ帯電部23の上流側に、感光体ドラム21の表面に当接して感光体クリーナ27が設けられている。この感光体クリーナ27は、感光体ドラムの表面に当接することで1次転写後に感光体ドラム21の表面に残留するトナーをクリーニング除去する。
In this embodiment, the
転写ベルトユニット8は、駆動ローラ82と、図1において駆動ローラ82の左側に配設される従動ローラ83(ブレード対向ローラ)と、これらのローラに張架され図示矢印D81の方向(搬送方向)へ循環駆動される転写ベルト81とを備えている。また、転写ベルトユニット8は、転写ベルト81の内側に、感光体カートリッジ装着時において各画像形成ステーションSTY、STM、STC、STKが有する感光体ドラム21各々に対して1対1で対向配置される、4個の1次転写ローラ85Y,85M,85C,85Kを備えている。これらの1次転写ローラ85は、それぞれ1次転写バイアス発生部(図示省略)と電気的に接続される。そして、後に詳述するように、カラーモード実行時は、図1に示すように全ての1次転写ローラ85Y,85M,85C,85Kを画像形成ステーションSTY、STM、STC、STK側に位置決めすることで、転写ベルト81を画像形成ステーションSTY、STM、STC、STKそれぞれが有する感光体ドラム21に押し遣り当接させて、各感光体ドラム21と転写ベルト81との間に1次転写位置TR1を形成する。そして、適当なタイミングで上記1次転写バイアス発生部から1次転写ローラ85に1次転写バイアスを印加することで、各感光体ドラム21の表面上に形成されたトナー像を、それぞれに対応する1次転写位置TR1において転写ベルト81表面に転写してカラー画像を形成する。
The
一方、モノクロモード実行時は、4個の1次転写ローラ85のうち、カラー1次転写ローラ85Y,85M,85Cをそれぞれが対向する画像形成ステーションSTY、STM、STCから離間させるとともにモノクロ1次転写ローラ85Kのみを画像形成ステーションSTKに当接させることで、モノクロ画像形成ステーションSTKのみを転写ベルト81に当接させる。その結果、モノクロ1次転写ローラ85Kと画像形成ステーションSTKとの間にのみ1次転写位置TR1が形成される。そして、適当なタイミングで1次転写バイアス発生部からモノクロ1次転写ローラ85Kに1次転写バイアスを印加することで、各感光体ドラム21の表面上に形成されたトナー像を、1次転写位置TR1において転写ベルト81表面に転写してモノクロ画像を形成する。
On the other hand, when the monochrome mode is executed, among the four primary transfer rollers 85, the color
さらに、転写ベルトユニット8は、モノクロ1次転写ローラ85Kの下流側で且つ駆動ローラ82の上流側に配設された下流ガイドローラ86を備える。また、この下流ガイドローラ86は、モノクロ1次転写ローラ85Kが画像形成ステーションSTKの感光体ドラム21に当接して形成する1次転写位置TR1での1次転写ローラ85Kと感光体ドラム21との共通内接線上において、転写ベルト81に当接するように構成されている。
Further, the
駆動ローラ82は、転写ベルト81を図示矢印D81の方向に循環駆動するとともに、2次転写ローラ121のバックアップローラを兼ねている。駆動ローラ82の周面には、厚さ3mm程度、体積抵抗率が1000kΩ・cm以下のゴム層が形成されており、金属製の軸を介して接地することにより、図示を省略する2次転写バイアス発生部から2次転写ローラ121を介して供給される2次転写バイアスの導電経路としている。このように駆動ローラ82に高摩擦かつ衝撃吸収性を有するゴム層を設けることにより、駆動ローラ82と2次転写ローラ121との当接部分(2次転写位置TR2)へのシートが進入する際の衝撃が転写ベルト81に伝達しにくく、画質の劣化を防止することができる。
The driving
給紙ユニット11は、シートを積層保持可能である給紙カセット77と、給紙カセット77からシートを一枚ずつ給紙するピックアップローラ79とを有する給紙部を備えている。ピックアップローラ79により給紙部から給紙されたシートは、レジストローラ対80において給紙タイミングが調整された後、シート案内部材15に沿って2次転写位置TR2に給紙される。
The
2次転写ローラ121は、転写ベルト81に対して離当接自在に設けられ、2次転写ローラ駆動機構(図示省略)により離当接駆動される。定着ユニット13は、ハロゲンヒータ等の発熱体を内蔵して回転自在な加熱ローラ131と、この加熱ローラ131を押圧付勢する加圧部132とを有している。そして、その表面に画像が2次転写されたシートは、シート案内部材15により、加熱ローラ131と加圧部132の加圧ベルト1323とで形成するニップ部に案内され、該ニップ部において所定の温度で画像が熱定着される。加圧部132は、2つのローラ1321,1322と、これらに張架される加圧ベルト1323とで構成されている。そして、加圧ベルト1323の表面のうち、2つのローラ1321,1322により張られたベルト張面を加熱ローラ131の周面に押し付けることで、加熱ローラ131と加圧ベルト1323とで形成するニップ部が広くとれるように構成されている。また、こうして定着処理を受けたシートはハウジング本体3の上面部に設けられた排紙トレイ4に搬送される。
The
また、この装置では、ブレード対向ローラ83に対向してクリーナ部71が配設されている。クリーナ部71は、クリーナブレード711と廃トナーボックス713とを有する。クリーナブレード711は、その先端部を転写ベルト81を介してブレード対向ローラ83に当接することで、2次転写後に転写ベルトに残留するトナーや紙粉等の異物を除去する。そして、このように除去された異物は、廃トナーボックス713に回収される。また、クリーナブレード711及び廃トナーボックス713は、ブレード対向ローラ83と一体的に構成されている。したがって、次に説明するようにブレード対向ローラ83が移動する場合は、ブレード対向ローラ83と一緒にクリーナブレード711及び廃トナーボックス713も移動することとなる。
Further, in this apparatus, a cleaner portion 71 is disposed to face the
図3は、ラインヘッドの概略を示す斜視図である。また、図4は、ラインヘッドの幅方向の断面図である。ラインヘッド29が対向する感光体ドラム21の表面は、主走査方向MDに直交する副走査方向SDへと搬送される。そして、ラインヘッド29の長手方向LGDが主走査方向MDと平行となるとともに、長手方向LGDとほぼ直交する幅方向LTDが副走査方向SDと平行となるように、ラインヘッド29は感光体ドラム表面に対向して配置されている。つまり、感光体ドラム21側における主走査方向MDおよび副走査方向SDがそれぞれラインヘッド21側における長手方向LGDおよび幅方向LTDに対応している。
FIG. 3 is a perspective view showing an outline of the line head. FIG. 4 is a cross-sectional view of the line head in the width direction. The surface of the
このラインヘッド29は、長手方向LGDと平行に延設されたケース291を備えるとともに、かかるケース291の両端には、位置決めピン2911とねじ挿入孔2912が設けられている。そして、かかる位置決めピン2911を、感光体ドラム21を覆うとともに感光体ドラム21に対して位置決めされた感光体カバー(図示省略)に穿設された位置決め孔(図示省略)に嵌め込むことで、ラインヘッド29が感光体ドラム21に対して位置決めされる。そして更に、ねじ挿入孔2912を介して固定ねじを感光体カバーのねじ孔(図示省略)にねじ込んで固定することで、ラインヘッド29が感光体ドラム21に対して位置決め固定される。
The
ケース291は、感光体ドラム21の表面に対向する位置にマイクロレンズアレイ299を保持するとともに、その内部に、該マイクロレンズアレイ299に近い順番で、遮光部材297及びヘッド基板293を備えている。また、ヘッド基板293の表面(ヘッド基板293が有する2つの面のうちマイクロレンズアレイ側の面)には、複数のチップCPが接合されている。つまり、例えば特開2002−314191号公報のように、ヘッド基板293(同公報のパッケージ基板)に対してチップCP(同公報のレーザアレイ)がボンディングされている。更に図3、図4に示すラインヘッド29では、各チップCPは、チップ長軸CLGがラインヘッド29の長手方向LGDに平行となるとともに、チップ短軸CLTがラインヘッド29の幅方向LTDに平行となるように、ヘッド基板293の表面に接合されている。
The
チップCPは、発光素子2951としてのLED(Light
Emitting Diode)を複数有する所謂LEDアレイであり、例えば特開2002−222988号公報や2003−347581号公報等に記載のLEDアレイのように、小片状のシリコン基板に複数のLEDを形成した構成を有している。また、チップCPは、図3の破線内部に示すような構成を有する。つまり、各チップCPは、ラインヘッド29の長手方向LGD(チップ長軸CLG)に所定のピッチで配置された複数(図3においては3個)の発光素子グループ295を有する。複数の発光素子グループ295のそれぞれは、複数(図3においては8個)の発光素子2951を有している。より具体的には、各発光素子グループ295は、長手方向LGD(チップ長軸CLG)に複数(図3においては4個)の発光素子2951を直線状に並べて成る発行素子行2951Rを、ラインヘッド29の幅方向LTD(チップ端軸CLT)に2個並べて構成されている。このとき、各発光素子グループ295では、8個の発光素子2951の長手方向LGD(チップ長軸CLG)における位置は、互いに異なる。その結果、これら8個の発光素子2951は千鳥状に配置される。
The chip CP is a
A so-called LED array having a plurality of (Emitting Diodes), for example, a configuration in which a plurality of LEDs are formed on a small piece of silicon substrate, such as an LED array described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-2222988 and 2003-347581 have. The chip CP has a configuration as shown in the broken line in FIG. That is, each chip CP has a plurality (three in FIG. 3) of light emitting
そして、複数のチップCPが長手方向LGDおよび幅方向LTDに互いに離れて2次元的にヘッド基板293に配置されることで、ヘッド基板293の表面には、複数の発光素子グループ295が長手方向LGDおよび幅方向LTDに互いに離れて2次元的に配置されることとなる。このとき、複数の発光素子グループ295の長手方向LGDにおける位置は互いに異なる。そして、ヘッド基板293に形成された駆動回路(図示省略)によって発光素子グループ295の発光素子2951が駆動されると、該発光素子2951から感光体ドラム21の方向に光ビームが射出される。そして、この光ビームは遮光部材297へ向うこととなる。
The plurality of chips CP are two-dimensionally arranged on the
遮光部材297は、ヘッド基板293の表面に対向配置されるとともに、該ヘッド基板293の表面に対して離間している。かかる離間間隔は、チップCPの厚みに応じて設定される。つまり、離間間隔を設けることで、遮光部材297とチップCPとの接触を防止している。遮光部材297には、複数の発光素子グループ295に対して1対1で複数の導光孔2971が穿設されている。また、かかる導光孔2971は、ヘッド基板293の法線と平行な線を中心軸として遮光部材297を貫通する略円柱状の孔として穿設されている。よって、1つの発光素子グループ295に属する発光素子から出た光は全て同一の導光孔2971を介してマイクロレンズアレイ299へ向うとともに、異なる発光素子グループ295からでた光ビーム同士の干渉が遮光部材297により防止される。そして、遮光部材297に穿設された導光孔2971を通過した光ビームは、マイクロレンズアレイ299により、感光体ドラム21の表面にスポットとして結像されることとなる。なお、マイクロレンズアレイ299の具体的構成、及び、該マイクロレンズアレイ299による光ビームの結像状態については、後に詳述する。
The
図4に示すように、固定器具2914によって、裏蓋2913がヘッド基板293を介してケース291に押圧されている。つまり、固定器具2914は、裏蓋2913をケース291側に押圧する弾性力を有するとともに、かかる弾性力により裏蓋を押圧することで、ケース291の内部を光密に(つまり、ケース291内部から光が漏れないように、及び、ケース291の外部から光が侵入しないように)密閉している。なお、固定器具2914は、ケース291の長手方向に複数箇所設けられている。
As shown in FIG. 4, the
図5は、マイクロレンズアレイの概略を示す斜視図である。また、図6は、マイクロレンズアレイの長手方向の断面図である。マイクロレンズアレイ299は、ガラス基板2991有するとともに、該ガラス基板2991を挟むように1対1で配置された2枚のレンズ2993A,2993Bにより構成されるレンズ対を複数有している。なお、これらレンズ2993A,2993Bは例えば樹脂により形成することができる。
FIG. 5 is a perspective view schematically showing the microlens array. FIG. 6 is a longitudinal sectional view of the microlens array. The
つまり、ガラス基板2991の表面2991Aには複数のレンズ2993Aが配置されるとともに、複数のレンズ2993Aに1対1で対応するように、複数のレンズ2993Bがガラス基板2991の裏面2991Bに配置されている。また、レンズ対を構成する2枚のレンズ2993A,2993Bは、相互に光軸OAを共通にする。また、これら複数のレンズ対は、複数の発光素子グループ295に1対1で配置されている。つまり、これら複数のレンズ対は、発光素子グループ295の配置に対応して、長手方向LGD及び幅方向LTDに互いに所定間隔だけ離れて2次元的に配置されている。より詳しく説明すると、このマイクロレンズアレイ299では、レンズ2993A,2993Bから成るレンズ対と、該レンズ対に挟まれるガラス基板2991とで、マイクロレンズMLが構成されている。そして、これらのマイクロレンズMLを長手方向LGDに複数個並べたレンズ行MLRが幅方向LTDに複数行(図5では「3」行)並べられて、複数のマイクロレンズMLが互いに異なる長手方向位置に配置されている。そして、全てのマイクロレンズMLは同一構成であり、同一の倍率mを有している。なお、後述するように、本実施形態では、倍率mが負の値を有するマイクロレンズMLを用いているが、もちろん倍率mを正の値に設定してもよいことは言うまでもない。
That is, a plurality of
図7は、マイクロレンズアレイの結像状態を示す図である。なお、同図では遮光部材297は省略されている。また、同図では、マイクロレンズアレイ299の結像特性の理解を容易とするために、発光素子グループ295の幾何重心E0と、該幾何重心E0より長手方向LGDに所定間隔だけ離れた位置E1,E2とから射出された光ビームの軌跡を表している。かかる軌跡が示すように、各位置から射出された光ビームは、マイクロレンズアレイ299を介して感光体ドラム21の表面(感光体表面)に到達する。つまり、ヘッド基板293の表面に設けられたチップCPから射出された光ビームは、マイクロレンズアレイ299のマイクロレンズMLにより、感光体表面に結像される。
FIG. 7 is a diagram illustrating an imaging state of the microlens array. In the figure, the
図7が示すように、発光素子グループ295の幾何重心位置E0から射出される光ビームは、感光体表面とレンズ2993A,2993Bの光軸OAとの交点I0に結像される。これは、発光素子グループ295の幾何重心位置E0がレンズ2993A,2993Bの光軸OAの上に在ることに起因するものである。また、位置E1,E2から射出される光ビームは、それぞれ感光体ドラム21の表面の位置I1,I2に結像される。つまり、位置E1から射出される光ビームは、主走査方向MDにおいてレンズ2993A,2993Bの光軸OAを挟んで逆側の位置I1に結像されるとともに、位置E2から射出される光ビームは、主走査方向MDにおいてレンズ2993A,2993Bの光軸OAを挟んで逆側の位置I2に結像される。このようにマイクロレンズMLは反転特性を有する(換言すれば、マイクロレンズMLの倍率mは負の値を有する)。また、同図が示すように、位置E1,E0の間の距離と比較して、光ビームが結像される位置I1,I0の間の距離は長い。つまり、マイクロレンズMLの倍率の絶対値は1より大きい。
As shown in FIG. 7, the light beam emitted from the geometric gravity center position E0 of the light emitting
図8、図9は、本明細書で用いる用語の説明図である。ここで、これらの図を用いて本明細書において用いる用語について整理する。本明細書では、上述の通り、感光体ドラム21の表面(像面IP)の搬送方向を副走査方向SDと定義し、該副走査方向SDに直交する方向を主走査方向MDと定義している。また、ラインヘッド29は、その長手方向LGDが主走査方向MDに対応し、その幅方向LTDが副走査方向SDに対応するように、感光体ドラム21の表面(像面IP)に対して配置されている。
8 and 9 are explanatory diagrams of terms used in this specification. Here, the terms used in this specification will be organized using these drawings. In the present specification, as described above, the transport direction of the surface (image surface IP) of the
レンズアレイ299が有する複数のマイクロレンズMLに一対一の対応関係でヘッド基板293に配置された、複数(図8、9においては8個)の発光素子2951の集合を、発光素子グループ295と定義する。つまり、ヘッド基板293において、複数の発光素子2951からなる発光素子グループ295は、複数のマイクロレンズMLのそれぞれに対して配置されている。また、発光素子グループ295からの光ビームを該発光素子グループ295に対応するマイクロレンズMLにより像面IPに向けて結像することで、像面IPに形成される複数のスポットSPの集合を、スポットグループSGと定義する。つまり、複数の発光素子グループ295に一対一で対応して、複数のスポットグループSGを形成することができる。また、各発光素子グループ295において、長手方向LGD及び幅方向LTDに最上流の発光素子2951を特に第1の発光素子と定義する。そして、各スポットグループSGにおいて、第1の発光素子2951に対応するスポットSPを特に第1のスポットと定義する。
A set of a plurality of (eight in FIG. 8 and FIG. 9)
なお、図8、9は、発光素子グループ295とマイクロレンズMLとスポットグループSGとの対応関係が理解しやすいように、像面IPが静止した状態でスポットSPを形成した場合を表した。したがって、スポットグループSGにおけるスポットSPの形成位置は、発光素子グループ295における発光素子2951の配置位置に略相似する。しかしながら、後述するように、実際のスポット形成動作は、像面IP(感光体ドラム21の表面)を副走査方向SDに搬送しつつ実行する。その結果、ヘッド基板293が有する複数の発光素子2951により形成されるスポットSPは、主走査方向MDに略平行な直線上に形成される。
8 and 9 show the case where the spot SP is formed in a state where the image plane IP is stationary so that the correspondence relationship among the light emitting
また、図9の「像面上」の欄に示すように、スポットグループ行SGR、スポットグループ列SGCを定義する。つまり、主走査方向MDに並ぶ複数のスポットグループSGをスポットグループ行SGRと定義する。そして、複数行のスポットグループ行SGRは、所定のスポットグループ行ピッチPsgrで副走査方向SDに並んで配置される。また、副走査方向SDにスポットグループ行ピッチPsgrで且つ主走査方向MDにスポットグループピッチPsgで並ぶ複数(同図においては3個)のスポットグループSGをスポットグループ列SGCと定義する。なお、スポットグループ行ピッチPsgrは、同ピッチで並ぶ2つのスポットグループ行SGRそれぞれの幾何重心の、副走査方向SDにおける距離である。また、スポットグループピッチPsgは、同ピッチで並ぶ2つのスポットグループSGそれぞれの幾何重心の、主走査方向MDにおける距離である。 Further, as shown in the column “on image plane” in FIG. 9, a spot group row SGR and a spot group column SGC are defined. That is, a plurality of spot groups SG arranged in the main scanning direction MD are defined as spot group rows SGR. The plurality of spot group rows SGR are arranged side by side in the sub-scanning direction SD at a predetermined spot group row pitch Psgr. A plurality (three in the figure) of spot groups SG arranged at the spot group row pitch Psgr in the sub-scanning direction SD and at the spot group pitch Psg in the main scanning direction MD are defined as a spot group column SGC. The spot group row pitch Psgr is a distance in the sub-scanning direction SD between the geometric centroids of two spot group rows SGR arranged at the same pitch. The spot group pitch Psg is a distance in the main scanning direction MD between the geometric centroids of two spot groups SG arranged at the same pitch.
同図の「レンズアレイ」の欄に示すように、レンズ行MLR、レンズ列MLCを定義する。つまり、長手方向LGDに並ぶ複数のマイクロレンズMLをレンズ行MLRと定義する。そして、複数行のレンズ行MLRは、所定のレンズ行ピッチPlsrで幅方向LTDに並んで配置される。また、幅方向LTDにレンズ行ピッチPlsrで且つ長手方向LGDにレンズピッチPlsで並ぶ複数(同図においては3個)のマイクロレンズMLをレンズ列MLCと定義する。なお、レンズ行ピッチPlsrは、同ピッチで並ぶ2つのレンズ行MLRそれぞれの幾何重心の、幅方向LTDにおける距離である。また、レンズピッチPlsは、同ピッチで並ぶ2つのマイクロレンズMLそれぞれの幾何重心の、長手方向LGDにおける距離である。 Lens rows MLR and lens columns MLC are defined as shown in the “lens array” column of FIG. That is, a plurality of microlenses ML arranged in the longitudinal direction LGD are defined as a lens row MLR. The plurality of lens rows MLR are arranged side by side in the width direction LTD at a predetermined lens row pitch Plsr. A plurality (three in the figure) of microlenses ML arranged at the lens row pitch Plsr in the width direction LTD and at the lens pitch Pls in the longitudinal direction LGD are defined as a lens array MLC. The lens row pitch Plsr is a distance in the width direction LTD between the geometric centroids of two lens rows MLR arranged at the same pitch. The lens pitch Pls is a distance in the longitudinal direction LGD between the geometric centroids of the two microlenses ML arranged at the same pitch.
同図の「ヘッド基板」の欄に示すように、発光素子グループ行295R、発光素子グループ列295Cを定義する。つまり、長手方向LGDに並ぶ複数の発光素子グループ295を発光素子グループ行295Rと定義する。そして、複数行の発光素子グループ行295Rは、所定の発光素子グループ行ピッチPegrで幅方向LTDに並んで配置される。また、幅方向LTDに発光素子グループ行ピッチPegrで且つ長手方向LGDに発光素子グループピッチPegで並ぶ複数(同図においては3個)の発光素子グループ295を発光素子グループ列295Cと定義する。なお、発光素子グループ行ピッチPegrは、同ピッチで並ぶ2つの発光素子グループ行295Rそれぞれの幾何重心の、幅方向LTDにおける距離である。また、発光素子グループピッチPegは、同ピッチで並ぶ2つの発光素子グループ295それぞれの幾何重心の、長手方向LGDにおける距離である。
As shown in the column “Head Substrate” in the drawing, a light emitting
同図の「発光素子グループ」の欄に示すように、発光素子行2951R、発光素子列2951Cを定義する。つまり、各発光素子グループ295において、長手方向LGDに並ぶ複数の発光素子2951を発光素子行2951Rと定義する。そして、複数行の発光素子行2951Rは、所定の発光素子行ピッチPelrで幅方向LTDに並んで配置される。また、幅方向LTDに発光素子行ピッチPelrで且つ長手方向LGDに発光素子ピッチPelで並ぶ複数(同図においては2個)の発光素子2951を発光素子列2951Cと定義する。なお、発光素子行ピッチPelrは、同ピッチで並ぶ2つの発光素子行2951Rそれぞれの幾何重心の、幅方向LTDにおける距離である。また、発光素子ピッチPelは、同ピッチで並ぶ2つの発光素子2951それぞれの幾何重心の、長手方向LGDにおける距離である。
As shown in the “light emitting element group” column of FIG. 2, a light emitting
同図の「スポットグループ」の欄に示すように、スポット行SPR、スポット列SPCを定義する。つまり、各スポットグループSGにおいて、主走査方向MDに並ぶ複数のスポットSPをスポット行SPRと定義する。そして、複数行のスポット行SPRは、所定のスポット行ピッチPsprで副走査方向SDに並んで配置される。また、副走査方向SDにスポットピッチPsprで且つ主走査方向MDにスポットピッチPspで並ぶ複数(同図においては2個)のスポットをスポット列SPCと定義する。なお、スポット行ピッチPsprは、同ピッチで並ぶ2つのスポット行SPRそれぞれの幾何重心の、副走査方向SDにおける距離である。また、スポットピッチPspは、同ピッチで並ぶ2つのスポットSPそれぞれの幾何重心の、主走査方向MDにおける距離である。 As shown in the column “Spot Group” in the figure, a spot row SPR and a spot column SPC are defined. That is, in each spot group SG, a plurality of spots SP arranged in the main scanning direction MD are defined as spot rows SPR. The plurality of spot rows SPR are arranged side by side in the sub-scanning direction SD at a predetermined spot row pitch Pspr. Further, a plurality of (two in the figure) spots arranged at the spot pitch Pspr in the sub-scanning direction SD and at the spot pitch Psp in the main scanning direction MD are defined as spot rows SPC. The spot row pitch Pspr is the distance in the sub-scanning direction SD between the geometric centroids of two spot rows SPR arranged at the same pitch. The spot pitch Psp is the distance in the main scanning direction MD between the geometric centroids of two spots SP arranged at the same pitch.
図10は基板上におけるチップの配置を示す図である。同図に示すように。ヘッド基板293の表面には、複数のチップCP_A,CP_B,CP_C,…が配置されている。各チップCPは、長軸が長手方向LGDに平行となり、且つ、短軸が幅方向LTDと平行となるように、配置されている。ここで、本明細書において、複数のチップのうちの何れのチップであるかを特定しない場合は、単にチップCPと称することとする。そして、各チップCPには、3つの発光素子グループ295が形成されている。例えば、チップCP_Aには、発光素子グループ295_A1〜発光素子グループ295_A3が、チップCP_Bには、発光素子グループ295_B1〜発光素子グループ295_B3が、チップCP_Cには、発光素子グループ295_C1〜発光素子グループ295_C3が形成されている。
FIG. 10 is a diagram showing the arrangement of chips on the substrate. As shown in the figure. A plurality of chips CP_A, CP_B, CP_C,... Are arranged on the surface of the
このとき、同図が示すように、所定個数の発光素子グループ295が長手方向LGDにおいて相互に離間しながら配置されて発光素子グループ行295Rが形成されている。ここで、本明細書において、複数の発光素子グループのうちの何れの発光素子グループであるかを特定しない場合は、単に発光素子グループ295と称することとする。これらの発光素子グループ行295Rが幅方向LTDに複数行(図10では「3」行)並んで配置されている。そして、かかる3行の発光素子グループ行295Rは、互いに長手方向LGDに所定ピッチずれて配置されている。その結果、複数の発光素子グループ295は2次元的に配置されるとともに、複数の発光素子グループ295の長手方向における位置は互いに異なる。そして、図10に示すように配置された複数の発光素子グループ295に一対一の対応関係で複数のマイクロレンズMLが配置されている。
At this time, as shown in the figure, a predetermined number of light emitting
図3にも示した通り、各発光素子グループ295は8個の発光素子2951を有しており、発光素子2951は以下のように配置されている。すなわち、各発光素子グループ295では、4個の発光素子2951が長手方向LGDに所定ピッチ(=素子ピッチPelの2倍)で並べられて発光素子行2951Rが形成されている。また、発光素子行2951Rは幅方向LTDに2行並べられている。しかも、長手方向LGDにおける発光素子行2951Rのシフト量は素子ピッチPelとなっている。このため、各発光素子グループ295では、全ての発光素子2951は互いに異なる長手方向位置に素子ピッチPelで配置されている。したがって、各発光素子グループ295が8個全ての発光素子2951から光ビームを射出した場合、これら8個の発光素子2951から射出された光ビームはマイクロレンズMLにより主走査方向MDにおいて互いに異なる位置で感光体表面に向けて結像される。つまり、発光素子グループ295が8個全ての発光素子2951を発光させることで、8個のスポットが主走査方向MDに並ぶスポットグループを形成することができる。
As shown also in FIG. 3, each light emitting
図11及び図12はラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図であり、4つの発光素子グループ、例えば図10中の発光素子グループ295_A1,295_B1,295_C1,295_A2によりスポットが形成される様子を模式的に示している。なお、図11及び図12中のスポットグループSG_A1は発光素子グループ295_A1により形成されたスポットSPの一群を示し、スポットグループSG_B1は発光素子グループ295_B1により形成されたスポットSPの一群を示し、スポットグループSG_C1は発光素子グループ295_C1により形成されたスポットSPの一群を示し、スポットグループSG_A2は発光素子グループ295_A2により形成されたスポットSPの一群を示している。このように、スポットグループSG_A1及びスポットグループSG_A2はチップCP_Aにより形成され、スポットグループSG_B1はチップCP_Bにより形成され、スポットグループSG_C1はチップCP_Cにより形成される。なお、図11に示すように、発光素子2951を同時に点灯させると、感光体表面に形成されるスポットグループSG_A1,SG_B1,SG_C1,SG_A2も2次元配置されてしまう。
11 and 12 show the positions of spots formed on the surface of the photosensitive member by the line head. Spots are formed by four light emitting element groups, for example, the light emitting element groups 295_A1, 295_B1, 295_C1, and 295_A2 in FIG. The state of being done is shown schematically. 11 and 12, a spot group SG_A1 represents a group of spots SP formed by the light emitting element group 295_A1, a spot group SG_B1 represents a group of spots SP formed by the light emitting element group 295_B1, and a spot group SG_C1 Indicates a group of spots SP formed by the light emitting element group 295_C1, and the spot group SG_A2 indicates a group of spots SP formed by the light emitting element group 295_A2. Thus, the spot group SG_A1 and the spot group SG_A2 are formed by the chip CP_A, the spot group SG_B1 is formed by the chip CP_B, and the spot group SG_C1 is formed by the chip CP_C. As shown in FIG. 11, when the
そこで、図12に示すように、発光素子行2951Rの各々では、感光体ドラム21の回転移動に応じたタイミングで、即ち、感光体表面の副走査方向SDへの移動に応じたタイミングで、該発光素子行2951Rを構成する発光素子2951が発光するように構成している。具体的には、発光素子グループ295_A1,295_B1,295_C1,295_A2を構成する発光素子行2951Rの点灯タイミングを次のように感光体ドラム21の回転移動に対応して相違させている。
Therefore, as shown in FIG. 12, in each of the light emitting
つまり、
(a)タイミングT01:発光素子グループ295_C1の上段発光素子行2951Rの点灯タイミング、
(b)タイミングT02:発光素子グループ295_C1の下段発光素子行2951Rの点灯タイミング、
(c)タイミングT03:発光素子グループ295_B1の上段発光素子行2951Rの点灯タイミング、
(d)タイミングT04:発光素子グループ295_B1の下段発光素子行2951Rの点灯タイミング、
(e)タイミングT05:発光素子グループ295_A1及び発光素子グループ295_A2の上段発光素子行2951Rの点灯タイミング、
(f)タイミングT06:発光素子グループ295_A1及び発光素子グループ295_A2の下段発光素子行2951Rの点灯タイミング
に基づいて、発光素子行2951Rの点灯を制御している。このため、このタイミング調整のみにより上段発光素子行により形成されるスポットSPと下段発光素子行により形成されるスポットSPとを主走査方向MDに並んで形成することができる。このように、簡単な発光タイミング調整によりスポットSPを主走査方向MDに一列に形成することができる。
That means
(a) Timing T01: lighting timing of the upper light emitting
(b) Timing T02: lighting timing of the lower light emitting
(c) Timing T03: lighting timing of the upper light emitting
(d) Timing T04: lighting timing of the lower light emitting
(e) Timing T05: lighting timing of the upper light emitting
(f) Timing T06: The lighting of the light emitting
このように、ヘッド基板293に設けられた複数のチップCPのそれぞれは、該チップCPが対応する領域に対して光ビームをスポットSPとして照射して照射領域を形成する。つまり、チップCP_Aは、該チップCP_Aが対応する領域に対してスポットグループSG_A1,SGA2を形成することで、照射領域IR_A1,IR_A2を形成可能である。また同様に、チップCP_Bは、該チップCP_Bが対応する領域に対してスポットグループSG_B1を形成することで、照射領域IR_B1を形成可能である。さらに、チップCP_Cは、該チップCP_Cが対応する領域に対してスポットグループSG_C1を形成することで、照射領域IR_C1を形成可能である。
As described above, each of the plurality of chips CP provided on the
また、図11及び図12から明らかなように、感光体表面に照射される全てのスポットSPは主走査方向MDにおいて互いに異なる位置にあるとともに、主走査方向MDにおいて全てのスポットSPはスポットピッチ(Psp=m・Pel)で形成される。したがって、チップCPが所望位置からずれる(チップCPの位置ずれが発生する)と、該チップCPにより形成される照射領域の位置もずれて、隣接する照射領域の間に隙間が発生する可能性がある。そして、このように照射領域に隙間が発生した状態で潜像形成動作を実行すると、所謂縦筋が引き起こされる可能性がある。 As is clear from FIGS. 11 and 12, all the spots SP irradiated on the surface of the photosensitive member are at different positions in the main scanning direction MD, and all the spots SP in the main scanning direction MD are spot pitches ( Psp = m · Pel). Therefore, when the chip CP is displaced from the desired position (displacement of the chip CP occurs), the position of the irradiation region formed by the chip CP is also shifted, and a gap may be generated between the adjacent irradiation regions. is there. When the latent image forming operation is executed in such a state where a gap is generated in the irradiation area in this way, so-called vertical stripes may be caused.
図13は、チップの位置ずれに起因した不具合を説明する図である。チップCPに位置ずれが発生していない場合は、照射領域にも位置ずれは無い。つまり、隣接する照射領域は主走査方向MDに隙間無く繋がり、複数の照射領域IR_A1,IR_B1,IR_C1は主走査方向MDに連続的に繋がる。その結果、隣接するスポットグループが連続的に繋がり良好なスポット形成が行われる(図13(a)参照)。しかしながら、図13(b)に示すように、例えばチップCP_BがチップCP_Aから長手方向LGDにずれたような場合、主走査方向MDにおいて照射領域IR_A1と照射領域IR_B1との間に隙間が発生する。そして、このように照射領域に隙間が発生した状態で、潜像形成動作を実行した場合、縦筋が発生することとなる。 FIG. 13 is a diagram for explaining a problem caused by the positional deviation of the chip. When no displacement occurs in the chip CP, there is no displacement in the irradiation area. That is, the adjacent irradiation areas are connected without gaps in the main scanning direction MD, and the plurality of irradiation areas IR_A1, IR_B1, and IR_C1 are continuously connected in the main scanning direction MD. As a result, adjacent spot groups are continuously connected to form a favorable spot (see FIG. 13A). However, as shown in FIG. 13B, for example, when the chip CP_B is displaced from the chip CP_A in the longitudinal direction LGD, a gap is generated between the irradiation region IR_A1 and the irradiation region IR_B1 in the main scanning direction MD. When the latent image forming operation is executed in such a state where a gap is generated in the irradiation area as described above, vertical stripes are generated.
実施形態
図14は、実施形態におけるラインヘッドを示す斜視図である。図15は、実施形態における基板上でのチップの配置を示す図である。なお、以下の実施形態の説明では、上述の基本構成と異なる点ついて主に説明し、共通する構成・動作については相当符号を付して説明を省略する。これらの図に示すように。ヘッド基板293の表面には、複数のチップCP_A,CP_B,CP_C,CP_D,…が配置されている。各チップCPは、長軸CLGが長手方向LGDに平行となり、且つ、短軸CLTが幅方向LTDと平行となるように、配置されている。また、各チップCPには、複数の発光素子2951から成る素子集合2951SETが形成されている。そして、図14、図15が示すように、複数(本実施形態では3個)のチップCP(例えば、チップCP_A,CP_B,CP_C)が、幅方向LTDに並ぶとともに長手方向LGDに互いにシフトして、配置されている。よって、幅方向LTDに隣り合うチップ(例えば、チップCP_A,CP_B)の素子集合2951SETは、長手方向LGDにおいて部分的に重なり合う。
Embodiment FIG. 14 is a perspective view showing a line head in an embodiment. FIG. 15 is a diagram illustrating an arrangement of chips on a substrate in the embodiment. In the following description of the embodiment, differences from the above-described basic configuration will be mainly described, and common configurations and operations will be denoted by corresponding reference numerals and description thereof will be omitted. As shown in these figures. A plurality of chips CP_A, CP_B, CP_C, CP_D,... Are arranged on the surface of the
各チップCPに形成された素子集合2951SETは、ラインヘッド29の長手方向LGD(チップ長軸CLG)に複数の発光素子2951を発光素子ピッチPelで配置している。詳しくは、素子集合2951SETは、所定個数の発光素子2951を長手方向LGDに所定ピッチ(=素子ピッチPelの2倍)で直線状に並べた発光素子ライン2951Lを幅方向LTDに2つ並べて成る。しかも、長手方向LGDにおける発光素子ライン2951Lのシフト量は素子ピッチPelとなっている。このため、素子集合2951SETでは、全ての発光素子2951は互いに異なるチップ長軸位置(長手方向位置)に素子ピッチPelで千鳥状に配置されている。このように、素子集合2951SETでは、複数の発光素子2951が長手方向LGDに素子ピッチPelで敷き詰められている。
In the element set 2951SET formed in each chip CP, a plurality of
そして、このような素子集合2951SETに対して、複数(本実施形態では3個)のマイクロレンズMLが対向して設けられている。つまり、本実施形態では、3個のマイクロレンズMLがチップCPに対向して配置されている。なお、これら3個のマイクロレンズMLは、対向するチップCPのチップ長軸CLGに所定ピッチ(レンズピッチPlsの3倍のピッチ)で並ぶ。具体的には、例えば3個のマイクロレンズML_A1,ML_A2,ML_A3がチップCP_Aに対向するとともに、これら3個のマイクロレンズML_A1,ML_A2,ML_A3はチップCP_Aのチップ長軸にレンズピッチPlsの3倍のピッチで並ぶ。そして、各マイクロレンズMLは、対向するチップCPの発光素子2951から射出された光ビームを感光体表面に結像して、感光体表面にスポットグループSGを形成する。
A plurality (three in this embodiment) of microlenses ML are provided to face such an element set 2951SET. That is, in the present embodiment, the three microlenses ML are arranged to face the chip CP. These three microlenses ML are arranged at a predetermined pitch (a pitch three times the lens pitch Pls) on the chip major axis CLG of the chip CP facing each other. Specifically, for example, the three microlenses ML_A1, ML_A2, and ML_A3 face the chip CP_A, and these three microlenses ML_A1, ML_A2, and ML_A3 are three times the lens pitch Pls on the chip major axis of the chip CP_A. Line up on the pitch. Each microlens ML forms an image of the light beam emitted from the
ところで、後のスポット形成動作の説明を通じて詳述するが、本実施形態では各スポットグループSGは、8個のスポットからなる。つまり、各マイクロレンズMLは、8個の発光素子2951から射出された光ビームを結像して、1つのスポットグループSGを形成する。一方、各マイクロレンズMLが対向する素子集合2951SETは、上述のような複数の発光素子2951が敷き詰められた構成を有する。したがって、素子集合2951SETの各マイクロレンズMLが対向する範囲には、スポットグループSGを形成するのに必要な個数である8個よりも多くの発光素子2951が、長手方向LGD(チップ長軸)に素子ピッチPelで並んで存在する。そこで、後述するように、本実施形態のラインヘッド29は、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951から照射領域の形成に適当な8個の発光素子2951を選択して発光させている。
By the way, although it explains in full detail through description of subsequent spot formation operation | movement, in this embodiment, each spot group SG consists of eight spots. That is, each microlens ML forms an image of the light beams emitted from the eight
図16は、マイクロレンズアレイの結像状態を示す図である。なお、同図では遮光部材297は省略されている。また、同図では、マイクロレンズアレイ299の結像特性の理解を容易とするために、素子集合2951SETにおいて、マイクロレンズML(ML1〜ML3)の光軸OA(OA1〜OA3)の上にある位置(E1_0,E2_0,E3_0)と、かかる光軸上の位置より長手方向LGDに向いて所定間隔だけ離れた位置(E1_1,E2_1,E3_1)と、かかる光軸上の位置より長手方向LGDの逆側に向いて所定間隔だけ離れた位置(E1_2,E2_2,E3_2)とから射出された光ビームの軌跡を表している。かかる軌跡が示すように、各位置から射出された光ビームは、マイクロレンズアレイ299を介して感光体ドラム21の表面(感光体表面)に到達する。つまり、ヘッド基板293の表面に設けられたチップCPから射出された光ビームは、マイクロレンズアレイ299のマイクロレンズMLにより、感光体表面に結像される。
FIG. 16 is a diagram illustrating an imaging state of the microlens array. In the figure, the
より具体的には、マイクロレンズML1が対向する位置(例えば、位置E1_0,E1_1,E1_2)から射出される光ビームは、該マイクロレンズML1により次のように結像される。つまり、位置E1_0から射出される光ビームは、感光体表面とマイクロレンズML1の光軸OA1との交点I1_0に結像される。また、位置E1_1,E1_2から射出される光ビームは、それぞれ感光体ドラム21の表面の位置I1_1,I1_2に結像される。つまり、位置E1_1から射出される光ビームは、主走査方向MDにおいてマイクロレンズML1の光軸OA1を挟んで逆側の位置I1_1に結像されるとともに、位置E1_2から射出される光ビームは、主走査方向MDにおいてマイクロレンズML1の光軸OA1を挟んで逆側の位置I1_2に結像される。このようにマイクロレンズML1は反転特性を有する(換言すれば、マイクロレンズML1の倍率mは負の値を有する)。また、同図が示すように、位置E1_1,E1_0の間の距離と比較して、光ビームが結像される位置I1_1,I1_0の間の距離は長い。つまり、マイクロレンズML1の倍率の絶対値は1より大きい。
More specifically, a light beam emitted from a position (for example, positions E1_0, E1_1, E1_2) facing the microlens ML1 is imaged by the microlens ML1 as follows. That is, the light beam emitted from the position E1_0 is imaged at the intersection I1_0 between the surface of the photoconductor and the optical axis OA1 of the microlens ML1. The light beams emitted from the positions E1_1 and E1_2 are imaged at positions I1_1 and I1_2 on the surface of the
また、上述のマイクロレンズML1による結像と同様にして、マイクロレンズML2が対向する位置(例えば、位置E2_0,E2_1,E2_2)から射出される光ビームは該マイクロレンズML2により感光体表面の位置(位置I2_0,I2_1,I2_2)に結像されるとともに、マイクロレンズML3が対向する位置(例えば、位置E3_0,E3_1,E3_2)から射出される光ビームは該マイクロレンズML3により感光体表面の位置(位置I3_0,I3_1,I3_2)に結像される。 Similarly to the image formation by the microlens ML1, the light beam emitted from the position (for example, positions E2_0, E2_1, E2_2) facing the microlens ML2 is positioned on the surface of the photosensitive member (by the microlens ML2. Light beams emitted from positions (for example, positions E3_0, E3_1, E3_2) that are imaged at positions I2_0, I2_1, I2_2) and the microlens ML3 are opposed to each other by the microlens ML3. I3_0, I3_1, I3_2).
図17は、ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図である。また、図17は、全てのチップCPが所望の位置にあり、チップの位置ずれが発生していない場合に対応する。ここで、同図の実線円は形成可能であるスポットSPを示す。また、これらの実線円のうち、内部が斜線で塗りつぶされている実線円は実際に形成されるスポットを示すとともに、内部が空白である実線円は実際には形成されないスポットを示す。なお、発明の理解を容易とするために、同図では感光体表面が静止した状態でスポットSPを形成した場合を表した。したがって、スポットグループSGにおけるスポットSPは2次元的に配置される。しかしながら、図12を用いて説明したように、実際のスポット形成動作は、感光体表面を副走査方向SDに移動させるとともに、該感光体表面の移動に応じて発光素子2951を発光させて実行される。その結果、ヘッド基板293が有する複数の発光素子2951により形成されるスポットSPは、主走査方向MDに略平行な直線上に形成される。なお、これら図17について説明した内容は、後に示す図18〜図21についても同様である。
FIG. 17 is a diagram showing the positions of spots formed on the surface of the photoreceptor by the line head. FIG. 17 corresponds to the case where all the chips CP are in a desired position and no chip position deviation occurs. Here, the solid line circles in the figure indicate the spots SP that can be formed. Of these solid line circles, a solid line circle whose inside is filled with diagonal lines indicates a spot that is actually formed, and a solid line circle whose interior is blank indicates a spot that is not actually formed. In order to facilitate understanding of the invention, the figure shows the case where the spot SP is formed with the surface of the photoconductor stationary. Therefore, the spots SP in the spot group SG are two-dimensionally arranged. However, as described with reference to FIG. 12, the actual spot forming operation is performed by moving the photosensitive member surface in the sub-scanning direction SD and causing the
2点鎖線で区切られた3つの段のうち、上段にあるスポットSPはチップCP_Aにより形成可能なスポットSPである。また、同図では特に、チップCP_Aにより形成可能なスポットSPのうち、該チップCP_Aに対向するマイクロレンズML_A2により形成可能なスポットSPと、該チップCP_Aに対向するマイクロレンズML_A3により形成可能なスポットSPとを示している。 Of the three stages separated by the two-dot chain line, the spot SP in the upper stage is a spot SP that can be formed by the chip CP_A. Further, in the figure, among the spots SP that can be formed by the chip CP_A, the spot SP that can be formed by the microlens ML_A2 that faces the chip CP_A and the spot SP that can be formed by the microlens ML_A3 that faces the chip CP_A. It shows.
また、2点鎖線で区切られた複数の段のうち、中段にあるスポットSPはチップCP_Bにより形成可能なスポットSPである。また、同図では特に、チップCP_Bにより形成可能なスポットSPのうち、該チップCP_Bに対向するマイクロレンズML_B2により形成可能なスポットSPと、該チップCP_Bに対向するマイクロレンズML_B3により形成可能なスポットSPとを示している。 Of the plurality of stages separated by the two-dot chain line, the spot SP in the middle stage is a spot SP that can be formed by the chip CP_B. Further, in the figure, among the spots SP that can be formed by the chip CP_B, the spot SP that can be formed by the microlens ML_B2 that faces the chip CP_B and the spot SP that can be formed by the microlens ML_B3 that faces the chip CP_B. It shows.
更に、2点鎖線で区切られた複数の段のうち、下段にあるスポットSPはチップCP_Cにより形成可能なスポットSPである。また、同図では特に、チップCP_Cにより形成可能なスポットSPのうち、該チップCP_Cに対向するマイクロレンズML_C1により形成可能なスポットSPと、該チップCP_Cに対向するマイクロレンズML_C2により形成可能なスポットSPとを示している。 Further, the spot SP in the lower stage among the plurality of stages separated by the two-dot chain line is a spot SP that can be formed by the chip CP_C. Further, in the figure, among the spots SP that can be formed by the chip CP_C, the spot SP that can be formed by the microlens ML_C1 that faces the chip CP_C and the spot SP that can be formed by the microlens ML_C2 that faces the chip CP_C. It shows.
同図が示すように、各チップCPは、形成可能な複数のスポットSPのうちから選択したスポットSP(同図斜線スポット)のみを形成する。つまり、同図に示す範囲においては、チップCP_Aは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから16個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Aは、マイクロレンズML_A2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_A2により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_A2を形成して)照射領域IR_A2を形成している。また、チップCP_Aは、マイクロレンズML_A3に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_A3により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_A3を形成して)照射領域IR_A3を形成している。
As shown in the figure, each chip CP forms only a spot SP (shaded spot in the figure) selected from a plurality of spots SP that can be formed. That is, in the range shown in the figure, the chip CP_A actually forms only 16 spots SP among the plurality of spots SP that can be formed in the actual spot forming operation. In order to execute the spot forming operation, the chip CP_A selects a plurality of
また、同図に示す範囲においては、チップCP_Bは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから8個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Bは、マイクロレンズML_B2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_B2により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_B2を形成して)照射領域IR_B2を形成している。更に、同図に示す範囲においては、チップCP_Cは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから8個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Cは、マイクロレンズML_C2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_C2により形成可能なスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_C2を形成して)照射領域IR_C2を形成している。
In the range shown in the figure, the chip CP_B actually forms only eight spots SP out of a plurality of spots SP that can be formed in the actual spot forming operation. In order to execute the spot forming operation, the chip CP_B selects a plurality of
なお、同図においては、チップCP_Aにより形成されるスポットグループSGとして、スポットグループSG_A2,SG_A3の2つのみが示され、チップCP_Bにより形成されるスポットグループSGとして、スポットグループSG_B2のみが示され、チップCP_Cにより形成されるスポットグループSGとして、スポットグループSG_C2のみが示されている。しかしながら、各チップCPに対向する3つのマイクロレンズMLのそれぞれがスポットグループSGを形成可能である。したがって、実際には、1つのチップCPにより3つのスポットグループSGが形成可能である。 In the drawing, only two spot groups SG_A2 and SG_A3 are shown as the spot group SG formed by the chip CP_A, and only the spot group SG_B2 is shown as the spot group SG formed by the chip CP_B. Only the spot group SG_C2 is shown as the spot group SG formed by the chip CP_C. However, each of the three microlenses ML facing each chip CP can form a spot group SG. Therefore, in practice, three spot groups SG can be formed by one chip CP.
ここで注目すべきは、チップCP_Aにより形成される照射領域IR_A2と、チップCP_Bにより形成される照射領域IR_B2とが主走査方向MDにおいて繋がるように、チップCP_A及びチップCP_Bそれぞれの素子集合2951SETの発光素子2951が発光している点である。つまり、チップCP_Aは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_A2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。また、チップCP_Bは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_B2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。これにより、主走査方向MDにおいて隣接する照射領域IR_A2と照射領域IR_B2とが繋がることとなる。
It should be noted here that the light emission of the element set 2951SET of each of the chip CP_A and the chip CP_B so that the irradiation region IR_A2 formed by the chip CP_A and the irradiation region IR_B2 formed by the chip CP_B are connected in the main scanning direction MD. The
また、同様に、チップCP_Bにより形成される照射領域IR_B2と、チップCP_Cにより形成される照射領域IR_C2とが主走査方向MDにおいて繋がるように、チップCP_B及びチップCP_Cそれぞれの素子集合2951SETの発光素子2951が発光している。つまり、チップCP_Bは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_B2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。また、チップCP_Cは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_C2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。これにより、主走査方向MDにおいて隣接する照射領域IR_B2と照射領域IR_C2とが繋がることとなる。
Similarly, the
このように、本実施形態では、互いに異なるチップCPにより形成されるとともに主走査方向MDにおいて隣接する照射領域が繋がるように、素子集合2951SETの発光素子2951の発光が制御されている。特に、本実施形態では、照射領域を良好に繋げるために、互いに異なるチップCPにより形成されるとともに隣接するスポットSPの間のピッチが、最大ピッチ以下で且つ最小ピッチ以上となるように、発光素子2951の発光を制御している。具体的には、同一のチップにより形成されるとともに主走査方向MDにおいて隣接するスポットSPの間のスポットピッチをチップ内スポットピッチPsp_inと定義し、互いに異なるチップCPにより形成されるとともに主走査方向MDにおいて隣接するスポットSPの間のスポットピッチをチップ外スポットピッチPsp_outと定義したとき、次式
0.5×Psp_in≦Psp_out≦1.5×Psp_in …式1
を満たすように、素子集合2951SETの発光素子2951の発光が制御されている。なお、上述のような発光素子2951の制御は、例えば、ヘッドコントローラHCのヘッド制御モジュール54(制御手段)により実行することができる。
As described above, in the present embodiment, the light emission of the
Light emission of the
なお、図17では、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2との間のスポット外ピッチPsp_outは、スポット内ピッチPsp_inと同じである。また、照射領域IR_B2と照射領域IR_C2との間のスポット外ピッチPsp_outも、スポット内ピッチPsp_inと同じである。 In FIG. 17, the spot outside pitch Psp_out between the irradiation area IR_A2 and the irradiation area IR_B2 is the same as the spot inside pitch Psp_in. Further, the spot outside pitch Psp_out between the irradiation region IR_B2 and the irradiation region IR_C2 is also the same as the spot inside pitch Psp_in.
図18は、ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図である。また、図18は、チップCP_Bの位置が所望位置から長手方向LGDにずれて、結果として、チップCP_Bにより形成可能なスポットの位置が、主走査方向MDの上流側にチップ内スポットピッチPsp_inの0.4倍(つまり、0.4・Psp_in)だけずれた場合に対応する。かかるチップの位置ずれにより、例えば、位置ずれが無い状態(図17)では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズML_A2により形成可能なスポットSP7と、マイクロレンズML_B2により形成可能なスポットSP15とが、主走査方向MDにおいてチップ内スポットピッチPsp_inの0.4倍だけ位置ずれを起こしている。また、位置ずれが無い状態(図17)では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズML_B2により形成可能なスポットSP7と、マイクロレンズML_C2により形成可能なスポットSP15とが、主走査方向MDにおいてチップ内スポットピッチPsp_inの0.4倍だけ位置ずれを起こしている。また、図18についての以下の説明では、主に図17との違いを説明し、図17との共通部分については相当符号を付して説明を省略する。 FIG. 18 is a diagram showing the positions of spots formed on the surface of the photoreceptor by the line head. 18 shows that the position of the chip CP_B is shifted from the desired position in the longitudinal direction LGD, and as a result, the position of the spot that can be formed by the chip CP_B is 0 on the spot pitch Psp_in in the chip on the upstream side in the main scanning direction MD. Corresponds to a case where it is shifted by 4 times (that is, 0.4 · Psp_in). Due to such a positional deviation of the chip, for example, a spot SP7 that can be formed by the microlens ML_A2 and a spot SP15 that can be formed by the microlens ML_B2 that have the same position in the main scanning direction in a state where there is no positional deviation (FIG. 17). In the main scanning direction MD, the positional deviation is caused by 0.4 times the in-chip spot pitch Psp_in. Further, in the state where there is no positional deviation (FIG. 17), the spot SP7 that can be formed by the microlens ML_B2 and the spot SP15 that can be formed by the microlens ML_C2 whose positions in the main scanning direction coincide with each other in the main scanning direction MD. The positional deviation is caused by 0.4 times the inner spot pitch Psp_in. In the following description of FIG. 18, differences from FIG. 17 will be mainly described, and common parts with FIG.
同図が示すように、各チップCPは、形成可能な複数のスポットSPのうちから選択したスポットSP(同図斜線スポット)のみを形成する。つまり、同図に示す範囲においては、チップCP_Aは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから16個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Aは、マイクロレンズML_A2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_A2により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_A2を形成して)照射領域IR_A2を形成している。また、チップCP_Aは、マイクロレンズML_A3に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_A3により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_A3を形成して)照射領域IR_A3を形成している。
As shown in the figure, each chip CP forms only a spot SP (shaded spot in the figure) selected from a plurality of spots SP that can be formed. That is, in the range shown in the figure, the chip CP_A actually forms only 16 spots SP among the plurality of spots SP that can be formed in the actual spot forming operation. In order to execute the spot forming operation, the chip CP_A selects a plurality of
また、同図に示す範囲においては、チップCP_Bは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから8個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Bは、マイクロレンズML_B2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_B2により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_B2を形成して)照射領域IR_B2を形成している。更に、同図に示す範囲においては、チップCP_Cは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから8個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Cは、マイクロレンズML_C2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_C2により形成可能なスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_C2を形成して)照射領域IR_C2を形成している。
In the range shown in the figure, the chip CP_B actually forms only eight spots SP out of a plurality of spots SP that can be formed in the actual spot forming operation. In order to execute the spot forming operation, the chip CP_B selects a plurality of
ここで注目すべきは、チップCP_Aにより形成される照射領域IR_A2と、チップCP_Bにより形成される照射領域IR_B2とが主走査方向MDにおいて繋がるように、チップCP_A及びチップCP_Bそれぞれの素子集合2951SETの発光素子2951が発光している点である。つまり、チップCP_Aは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_A2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。また、チップCP_Bは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_B2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。これにより、主走査方向MDにおいて隣接する照射領域IR_A2と照射領域IR_B2とが繋がることとなる。
It should be noted here that the light emission of the element set 2951SET of each of the chip CP_A and the chip CP_B so that the irradiation region IR_A2 formed by the chip CP_A and the irradiation region IR_B2 formed by the chip CP_B are connected in the main scanning direction MD. The
また、同様に、チップCP_Bにより形成される照射領域IR_B2と、チップCP_Cにより形成される照射領域IR_C2とが主走査方向MDにおいて繋がるように、チップCP_B及びチップCP_Cそれぞれの素子集合2951SETの発光素子2951が発光している。つまり、チップCP_Bは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_B2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。また、チップCP_Cは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_C2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。これにより、主走査方向MDにおいて隣接する照射領域IR_B2と照射領域IR_C2とが繋がることとなる。
Similarly, the
また、図18では、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2との間のスポット外ピッチPsp_outはスポット内ピッチPsp_inの0.6倍(つまり、Psp_out=0.6・Psp_in)である。さらに、照射領域IR_B2と照射領域IR_C2との間のスポット外ピッチPsp_outはスポット内ピッチPsp_inの1.4倍(つまり、Psp_out=1.4・Psp_in)である。このように、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2との間のスポット外ピッチPsp_out及び照射領域IR_B2と照射領域IR_C2との間のスポット外ピッチPsp_outの何れもが、上述の式1の条件を満たすように、素子集合2951SETの発光素子の発光が制御されている。
In FIG. 18, the outside-spot pitch Psp_out between the irradiation region IR_A2 and the irradiation region IR_B2 is 0.6 times the in-spot pitch Psp_in (that is, Psp_out = 0.6 · Psp_in). Further, the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_B2 and the irradiation region IR_C2 is 1.4 times the pitch Psp_in within the spot (that is, Psp_out = 1.4 · Psp_in). As described above, both the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_A2 and the irradiation region IR_B2 and the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_B2 and the irradiation region IR_C2 satisfy the condition of the
図19は、ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図である。また、図19は、チップCP_Bの位置が所望位置から長手方向LGDにずれて、結果として、チップCP_Bにより形成可能なスポットの位置が、主走査方向MDの上流側にチップ内スポットピッチPsp_inの0.7倍(つまり、0.7・Psp_in)だけずれた場合に対応する。かかるチップの位置ずれにより、例えば、位置ずれが無い状態(図17)では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズML_A2により形成可能なスポットSP7と、マイクロレンズML_B2により形成可能なスポットSP15とが、主走査方向MDにおいてチップ内スポットピッチPsp_inの0.7倍だけ位置ずれを起こしている。また、位置ずれが無い状態(図17)では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズML_B2により形成可能なスポットSP7と、マイクロレンズML_C2により形成可能なスポットSP15とが、主走査方向MDにおいてチップ内スポットピッチPsp_inの0.7倍だけ位置ずれを起こしている。また、図19についての以下の説明では、主に図17との違いを説明し、図17との共通部分については相当符号を付して説明を省略する。 FIG. 19 is a diagram showing the positions of spots formed on the surface of the photoreceptor by the line head. In FIG. 19, the position of the chip CP_B is shifted from the desired position in the longitudinal direction LGD. As a result, the position of the spot that can be formed by the chip CP_B is 0 on the spot pitch Psp_in in the chip on the upstream side in the main scanning direction MD. Corresponds to a case of deviation by 7 times (that is, 0.7 · Psp_in). Due to the positional deviation of the chip, for example, a spot SP7 that can be formed by the microlens ML_A2 and a spot SP15 that can be formed by the microlens ML_B2 that have the same position in the main scanning direction in a state where there is no positional deviation (FIG. 17). In the main scanning direction MD, the positional deviation is caused by 0.7 times the spot pitch Psp_in in the chip. Further, in the state where there is no positional deviation (FIG. 17), the spot SP7 that can be formed by the microlens ML_B2 and the spot SP15 that can be formed by the microlens ML_C2 whose positions in the main scanning direction coincide with each other in the main scanning direction MD. The positional deviation is caused by 0.7 times the inner spot pitch Psp_in. Further, in the following description of FIG. 19, differences from FIG. 17 will be mainly described, and common parts with FIG.
同図が示すように、各チップCPは、形成可能な複数のスポットSPのうちから選択したスポットSP(同図斜線スポット)のみを形成する。つまり、同図に示す範囲においては、チップCP_Aは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから16個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Aは、マイクロレンズML_A2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_A2により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_A2を形成して)照射領域IR_A2を形成している。また、チップCP_Aは、マイクロレンズML_A3に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_A3により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_A3を形成して)照射領域IR_A3を形成している。
As shown in the figure, each chip CP forms only a spot SP (shaded spot in the figure) selected from a plurality of spots SP that can be formed. That is, in the range shown in the figure, the chip CP_A actually forms only 16 spots SP among the plurality of spots SP that can be formed in the actual spot forming operation. In order to execute the spot forming operation, the chip CP_A selects a plurality of
また、同図に示す範囲においては、チップCP_Bは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから8個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Bは、マイクロレンズML_B2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_B2により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP6〜SP13を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_B2を形成して)照射領域IR_B2を形成している。更に、同図に示す範囲においては、チップCP_Cは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから8個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Cは、マイクロレンズML_C2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_C2により形成可能なスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_C2を形成して)照射領域IR_C2を形成している。
In the range shown in the figure, the chip CP_B actually forms only eight spots SP out of a plurality of spots SP that can be formed in the actual spot forming operation. In order to execute the spot forming operation, the chip CP_B selects a plurality of
ここで注目すべきは、チップCP_Aにより形成される照射領域IR_A2と、チップCP_Bにより形成される照射領域IR_B2とが主走査方向MDにおいて繋がるように、チップCP_A及びチップCP_Bそれぞれの素子集合2951SETの発光素子2951が発光している点である。つまり、チップCP_Aは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_A2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。また、チップCP_Bは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_B2を照射するスポットSP6〜SP13に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。
It should be noted here that the light emission of the element set 2951SET of each of the chip CP_A and the chip CP_B so that the irradiation region IR_A2 formed by the chip CP_A and the irradiation region IR_B2 formed by the chip CP_B are connected in the main scanning direction MD. The
特に図19では、チップCP_Bは、その照射領域IR_B2をチップCP_Aの照射領域IR_A2と繋げるために、図17、図18では形成していたスポットSP14を形成していない。換言すれば、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2とを繋げるために、チップCP_Bの素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、該スポットSP14に対応する発光素子2951が発光しないように、素子集合2951SETの発光が制御されている。つまり、図19では、チップCP_Bの位置ずれに応じて、チップCP_Bの素子集合2951SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップCP_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向MDにおいて隣接する照射領域IR_A2と照射領域IR_B2とが繋がることとなる。
In particular, in FIG. 19, the chip CP_B does not form the spot SP14 formed in FIGS. 17 and 18 in order to connect the irradiation region IR_B2 to the irradiation region IR_A2 of the chip CP_A. In other words, in order to connect the irradiation region IR_A2 and the irradiation region IR_B2, among the plurality of
また、同様に、チップCP_Bにより形成される照射領域IR_B2と、チップCP_Cにより形成される照射領域IR_C2とが主走査方向MDにおいて繋がるように、チップCP_B及びチップCP_Cそれぞれの素子集合2951SETの発光素子2951が発光している。つまり、チップCP_Bは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_B2を照射するスポットSP6〜SP13に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。また、チップCP_Cは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_C2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。
Similarly, the
特に図19では、チップCP_Bは、その照射領域IR_B2をチップCP_Cの照射領域IR_C2と繋げるために、図17、図18では形成していなかったスポットSP6を形成している。換言すれば、照射領域IR_C2と照射領域IR_B2とを繋げるために、チップCP_Bの素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、該スポットSP6に対応する発光素子2951が発行するように、素子集合2951SETの発光が制御されている。つまり、図19では、チップCP_Bの位置ずれに応じて、チップCP_Bの素子集合2951SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップCP_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向MDにおいて隣接する照射領域IR_B2と照射領域IR_C2とが繋がることとなる。
In particular, in FIG. 19, the chip CP_B forms a spot SP6 that is not formed in FIGS. 17 and 18 in order to connect the irradiation region IR_B2 to the irradiation region IR_C2 of the chip CP_C. In other words, in order to connect the irradiation region IR_C2 and the irradiation region IR_B2, among the plurality of
また、図19では、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2との間のスポット外ピッチPsp_outはスポット内ピッチPsp_inの1.3倍(つまり、Psp_out=1.3・Psp_in)である。さらに、照射領域IR_B2と照射領域IR_C2との間のスポット外ピッチPsp_outはスポット内ピッチPsp_inの0.7倍(つまり、Psp_out=0.7・Psp_in)である。このように、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2との間のスポット外ピッチPsp_out及び照射領域IR_B2と照射領域IR_C2との間のスポット外ピッチPsp_outの何れもが、上述の式1の条件を満たすように、素子集合2951SETの発光素子の発光が制御されている。
In FIG. 19, the outside spot pitch Psp_out between the irradiation region IR_A2 and the irradiation region IR_B2 is 1.3 times the in-spot pitch Psp_in (that is, Psp_out = 1.3 · Psp_in). Further, the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_B2 and the irradiation region IR_C2 is 0.7 times the pitch Psp_in within the spot (that is, Psp_out = 0.7 · Psp_in). As described above, both the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_A2 and the irradiation region IR_B2 and the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_B2 and the irradiation region IR_C2 satisfy the condition of the
図20は、ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図である。また、図20は、チップCP_Bの位置が所望位置から長手方向LGDにずれて、結果として、チップCP_Bにより形成可能なスポットの位置が、主走査方向MDの上流側にチップ内スポットピッチPsp_inの1.4倍(つまり、1.4・Psp_in)だけずれた場合に対応する。かかるチップの位置ずれにより、例えば、位置ずれが無い状態(図17)では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズML_A2により形成可能なスポットSP7と、マイクロレンズML_B2により形成可能なスポットSP15とが、主走査方向MDにおいてチップ内スポットピッチPsp_inの1.4倍だけ位置ずれを起こしている。また、位置ずれが無い状態(図17)では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズML_B2により形成可能なスポットSP7と、マイクロレンズML_C2により形成可能なスポットSP15とが、主走査方向MDにおいてチップ内スポットピッチPsp_inの1.4倍だけ位置ずれを起こしている。また、図20についての以下の説明では、主に図17との違いを説明し、図17との共通部分については相当符号を付して説明を省略する。 FIG. 20 is a diagram showing the positions of spots formed on the surface of the photoreceptor by the line head. In FIG. 20, the position of the chip CP_B is shifted from the desired position in the longitudinal direction LGD. As a result, the position of the spot that can be formed by the chip CP_B is 1 on the spot pitch Psp_in in the chip on the upstream side in the main scanning direction MD. Corresponds to a case where the deviation is four times (that is, 1.4 · Psp_in). Due to such a positional deviation of the chip, for example, a spot SP7 that can be formed by the microlens ML_A2 and a spot SP15 that can be formed by the microlens ML_B2 that have the same position in the main scanning direction in a state where there is no positional deviation (FIG. 17). In the main scanning direction MD, the positional deviation is caused by 1.4 times the in-chip spot pitch Psp_in. Further, in the state where there is no positional deviation (FIG. 17), the spot SP7 that can be formed by the microlens ML_B2 and the spot SP15 that can be formed by the microlens ML_C2 whose positions in the main scanning direction coincide with each other in the main scanning direction MD. The position is shifted by 1.4 times the inner spot pitch Psp_in. In the following description of FIG. 20, the difference from FIG. 17 will be mainly described, and the common parts with FIG.
同図が示すように、各チップCPは、形成可能な複数のスポットSPのうちから選択したスポットSP(同図斜線スポット)のみを形成する。つまり、同図に示す範囲においては、チップCP_Aは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから16個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Aは、マイクロレンズML_A2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_A2により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_A2を形成して)照射領域IR_A2を形成している。また、チップCP_Aは、マイクロレンズML_A3に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_A3により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_A3を形成して)照射領域IR_A3を形成している。
As shown in the figure, each chip CP forms only a spot SP (shaded spot in the figure) selected from a plurality of spots SP that can be formed. That is, in the range shown in the figure, the chip CP_A actually forms only 16 spots SP among the plurality of spots SP that can be formed in the actual spot forming operation. In order to execute the spot forming operation, the chip CP_A selects a plurality of
また、同図に示す範囲においては、チップCP_Bは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから8個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Bは、マイクロレンズML_B2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_B2により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP6〜SP13を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_B2を形成して)照射領域IR_B2を形成している。更に、同図に示す範囲においては、チップCP_Cは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから8個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Cは、マイクロレンズML_C2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_C2により形成可能なスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_C2を形成して)照射領域IR_C2を形成している。
In the range shown in the figure, the chip CP_B actually forms only eight spots SP out of a plurality of spots SP that can be formed in the actual spot forming operation. In order to execute the spot forming operation, the chip CP_B selects a plurality of
ここで注目すべきは、チップCP_Aにより形成される照射領域IR_A2と、チップCP_Bにより形成される照射領域IR_B2とが主走査方向MDにおいて繋がるように、チップCP_A及びチップCP_Bそれぞれの素子集合2951SETの発光素子2951が発光している点である。つまり、チップCP_Aは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_A2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。また、チップCP_Bは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_B2を照射するスポットSP6〜SP13に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。
It should be noted here that the light emission of the element set 2951SET of each of the chip CP_A and the chip CP_B so that the irradiation region IR_A2 formed by the chip CP_A and the irradiation region IR_B2 formed by the chip CP_B are connected in the main scanning direction MD. The
特に図20では、チップCP_Bは、その照射領域IR_B2をチップCP_Aの照射領域IR_A2と繋げるために、図17、図18では形成していたスポットSP14を形成していない。換言すれば、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2とを繋げるために、チップCP_Bの素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、該スポットSP14に対応する発光素子2951が発光しないように、素子集合2951SETの発光が制御されている。つまり、図20では、チップCP_Bの位置ずれに応じて、チップCP_Bの素子集合2951SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップCP_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向MDにおいて隣接する照射領域IR_A2と照射領域IR_B2とが繋がることとなる。
In particular, in FIG. 20, the chip CP_B does not form the spot SP14 formed in FIGS. 17 and 18 in order to connect the irradiation region IR_B2 to the irradiation region IR_A2 of the chip CP_A. In other words, in order to connect the irradiation region IR_A2 and the irradiation region IR_B2, among the plurality of
また、同様に、チップCP_Bにより形成される照射領域IR_B2と、チップCP_Cにより形成される照射領域IR_C2とが主走査方向MDにおいて繋がるように、チップCP_B及びチップCP_Cそれぞれの素子集合2951SETの発光素子2951が発光している。つまり、チップCP_Bは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_B2を照射するスポットSP6〜SP13に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。また、チップCP_Cは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_C2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。
Similarly, the
特に図20では、チップCP_Bは、その照射領域IR_B2をチップCP_Cの照射領域IR_C2と繋げるために、図17、図18では形成していなかったスポットSP6を形成している。換言すれば、照射領域IR_C2と照射領域IR_B2とを繋げるために、チップCP_Bの素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、該スポットSP6に対応する発光素子2951が発行するように、素子集合2951SETの発光が制御されている。つまり、図20では、チップCP_Bの位置ずれに応じて、チップCP_Bの素子集合2951SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップCP_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向MDにおいて隣接する照射領域IR_B2と照射領域IR_C2とが繋がることとなる。
In particular, in FIG. 20, the chip CP_B forms a spot SP6 that is not formed in FIGS. 17 and 18 in order to connect the irradiation area IR_B2 to the irradiation area IR_C2 of the chip CP_C. In other words, in order to connect the irradiation region IR_C2 and the irradiation region IR_B2, among the plurality of
また、図20では、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2との間のスポット外ピッチPsp_outはスポット内ピッチPsp_inの0.6倍(つまり、Psp_out=0.6・Psp_in)である。さらに、照射領域IR_B2と照射領域IR_C2との間のスポット外ピッチPsp_outはスポット内ピッチPsp_inの1.4倍(つまり、Psp_out=1.4・Psp_in)である。このように、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2との間のスポット外ピッチPsp_out及び照射領域IR_B2と照射領域IR_C2との間のスポット外ピッチPsp_outの何れもが、上述の式1の条件を満たすように、素子集合2951SETの発光素子の発光が制御されている。
Further, in FIG. 20, the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_A2 and the irradiation region IR_B2 is 0.6 times the spot pitch Psp_in (that is, Psp_out = 0.6 · Psp_in). Further, the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_B2 and the irradiation region IR_C2 is 1.4 times the pitch Psp_in within the spot (that is, Psp_out = 1.4 · Psp_in). As described above, both the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_A2 and the irradiation region IR_B2 and the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_B2 and the irradiation region IR_C2 satisfy the condition of the
図21は、ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図である。また、図21は、チップCP_Bの位置が所望位置から長手方向LGDにずれて、結果として、チップCP_Bにより形成可能なスポットの位置が、主走査方向MDの上流側にチップ内スポットピッチPsp_inの1.7倍(つまり、1.7・Psp_in)だけずれた場合に対応する。かかるチップの位置ずれにより、例えば、位置ずれが無い状態(図17)では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズML_A2により形成可能なスポットSP7と、マイクロレンズML_B2により形成可能なスポットSP15とが、主走査方向MDにおいてチップ内スポットピッチPsp_inの1.7倍だけ位置ずれを起こしている。また、位置ずれが無い状態(図17)では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズML_B2により形成可能なスポットSP7と、マイクロレンズML_C2により形成可能なスポットSP15とが、主走査方向MDにおいてチップ内スポットピッチPsp_inの1.7倍だけ位置ずれを起こしている。また、図21についての以下の説明では、主に図17との違いを説明し、図17との共通部分については相当符号を付して説明を省略する。 FIG. 21 is a diagram showing the positions of spots formed on the photoreceptor surface by the line head. FIG. 21 shows that the position of the chip CP_B is shifted from the desired position in the longitudinal direction LGD, and as a result, the position of the spot that can be formed by the chip CP_B is 1 of the spot pitch Psp_in in the chip on the upstream side in the main scanning direction MD. This corresponds to a case of deviation by 7 times (that is, 1.7 · Psp_in). Due to such a positional deviation of the chip, for example, a spot SP7 that can be formed by the microlens ML_A2 and a spot SP15 that can be formed by the microlens ML_B2 that have the same position in the main scanning direction in a state where there is no positional deviation (FIG. 17). In the main scanning direction MD, the positional deviation is caused by 1.7 times the in-chip spot pitch Psp_in. Further, in the state where there is no positional deviation (FIG. 17), the spot SP7 that can be formed by the microlens ML_B2 and the spot SP15 that can be formed by the microlens ML_C2 whose positions in the main scanning direction coincide with each other in the main scanning direction MD. The position is shifted by 1.7 times the inner spot pitch Psp_in. Further, in the following description of FIG. 21, differences from FIG. 17 will be mainly described, and common parts with FIG.
同図が示すように、各チップCPは、形成可能な複数のスポットSPのうちから選択したスポットSP(同図斜線スポット)のみを形成する。つまり、同図に示す範囲においては、チップCP_Aは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから16個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Aは、マイクロレンズML_A2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_A2により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_A2を形成して)照射領域IR_A2を形成している。また、チップCP_Aは、マイクロレンズML_A3に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_A3により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_A3を形成して)照射領域IR_A3を形成している。
As shown in the figure, each chip CP forms only a spot SP (shaded spot in the figure) selected from a plurality of spots SP that can be formed. That is, in the range shown in the figure, the chip CP_A actually forms only 16 spots SP among the plurality of spots SP that can be formed in the actual spot forming operation. In order to execute the spot forming operation, the chip CP_A selects a plurality of
また、同図に示す範囲においては、チップCP_Bは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから8個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Bは、マイクロレンズML_B2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_B2により形成可能な複数のスポットのうち8個のスポットSP5〜SP12を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_B2を形成して)照射領域IR_B2を形成している。更に、同図に示す範囲においては、チップCP_Cは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットSPのうちから8個のスポットSPのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップCP_Cは、マイクロレンズML_C2に対向する複数の発光素子2951から8個の発光素子2951を選択して発光させることで、マイクロレンズML_C2により形成可能なスポットのうち8個のスポットSP7〜SP14を主走査方向MDに並べて(つまりスポットグループSG_C2を形成して)照射領域IR_C2を形成している。
In the range shown in the figure, the chip CP_B actually forms only eight spots SP out of a plurality of spots SP that can be formed in the actual spot forming operation. In order to execute the spot forming operation, the chip CP_B selects a plurality of
ここで注目すべきは、チップCP_Aにより形成される照射領域IR_A2と、チップCP_Bにより形成される照射領域IR_B2とが主走査方向MDにおいて繋がるように、チップCP_A及びチップCP_Bそれぞれの素子集合2951SETの発光素子2951が発光している点である。つまり、チップCP_Aは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_A2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。また、チップCP_Bは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_B2を照射するスポットSP5〜SP12に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。
It should be noted here that the light emission of the element set 2951SET of each of the chip CP_A and the chip CP_B so that the irradiation region IR_A2 formed by the chip CP_A and the irradiation region IR_B2 formed by the chip CP_B are connected in the main scanning direction MD. The
特に図21では、チップCP_Bは、その照射領域IR_B2をチップCP_Aの照射領域IR_A2と繋げるために、図17、図18では形成していたスポットSP14を形成していない。さらに図17〜図20では形成していたスポットSP13をも形成していない。換言すれば、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2とを繋げるために、チップCP_Bの素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、これらのスポットSP13,SP14に対応する発光素子2951が発光しないように、素子集合2951SETの発光が制御されている。つまり、図21では、チップCP_Bの位置ずれに応じて、チップCP_Bの素子集合2951SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップCP_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向MDにおいて隣接する照射領域IR_A2と照射領域IR_B2とが繋がることとなる。
In particular, in FIG. 21, the chip CP_B does not form the spot SP14 formed in FIGS. 17 and 18 in order to connect the irradiation region IR_B2 to the irradiation region IR_A2 of the chip CP_A. Further, the spot SP13 formed in FIGS. 17 to 20 is not formed. In other words, in order to connect the irradiation region IR_A2 and the irradiation region IR_B2, among the plurality of
また、同様に、チップCP_Bにより形成される照射領域IR_B2と、チップCP_Cにより形成される照射領域IR_C2とが主走査方向MDにおいて繋がるように、チップCP_B及びチップCP_Cそれぞれの素子集合2951SETの発光素子2951が発光している。つまり、チップCP_Bは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_B2を照射するスポットSP5〜SP12に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。また、チップCP_Cは、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、照射領域IR_C2を照射するスポットSP7〜SP14に対応する8個の発光素子2951のみを発光させる。
Similarly, the
特に図21では、チップCP_Bは、その照射領域IR_B2をチップCP_Cの照射領域IR_C2と繋げるために、図17、図18では形成していなかったスポットSP6を形成している。さらに図17〜図20では形成していなかったスポットSP5をも形成している。換言すれば、照射領域IR_C2と照射領域IR_B2とを繋げるために、チップCP_Bの素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、該スポットSP5,SP6に対応する発光素子2951が発行するように、素子集合2951SETの発光が制御されている。つまり、図21では、チップCP_Bの位置ずれに応じて、チップCP_Bの素子集合2951SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップCP_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向MDにおいて隣接する照射領域IR_B2と照射領域IR_C2とが繋がることとなる。
In particular, in FIG. 21, the chip CP_B forms a spot SP6 that is not formed in FIGS. 17 and 18 in order to connect the irradiation area IR_B2 to the irradiation area IR_C2 of the chip CP_C. Further, a spot SP5 that is not formed in FIGS. 17 to 20 is also formed. In other words, in order to connect the irradiation region IR_C2 and the irradiation region IR_B2, among the plurality of
また、図21では、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2との間のスポット外ピッチPsp_outはスポット内ピッチPsp_inの1.3倍(つまり、Psp_out=1.3・Psp_in)である。さらに、照射領域IR_B2と照射領域IR_C2との間のスポット外ピッチPsp_outはスポット内ピッチPsp_inの0.7倍(つまり、Psp_out=0.7・Psp_in)である。このように、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2との間のスポット外ピッチPsp_out及び照射領域IR_B2と照射領域IR_C2との間のスポット外ピッチPsp_outの何れもが、上述の式1の条件を満たすように、素子集合2951SETの発光素子の発光が制御されている。
Further, in FIG. 21, the spot outside pitch Psp_out between the irradiation area IR_A2 and the irradiation area IR_B2 is 1.3 times the spot pitch Psp_in (that is, Psp_out = 1.3 · Psp_in). Further, the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_B2 and the irradiation region IR_C2 is 0.7 times the pitch Psp_in within the spot (that is, Psp_out = 0.7 · Psp_in). As described above, both the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_A2 and the irradiation region IR_B2 and the pitch Psp_out outside the spot between the irradiation region IR_B2 and the irradiation region IR_C2 satisfy the condition of the
このように、上記実施形態において、ヘッド基板293が本発明の「基板」に相当し、マイクロレンズアレイ299が本発明の「光学系」に相当し、感光体表面が本発明の「像面」に相当している。また、副走査方向SDが本発明の「移動方向」に相当し、主走査方向MDが本発明の「直交方向」に相当している。また、感光体ドラム21が本発明の「潜像担持体」に相当している。さらに、幅方向LTDが本発明の「第1方向」に相当し、長手方向LGDが本発明の「第2方向」に相当している。また、感光体ドラム21が本発明の「潜像担持体」に相当している。
As described above, in the above embodiment, the
このように、上記実施形態におけるラインヘッド29は、上述のとおり感光体表面に光ビームを照射して照射領域を形成する(光照射工程)。そして、同ラインヘッド29は、互いに異なるチップCPにより形成されるともに主走査方向MDにおいて隣接する照射領域(例えば、照射領域IR_A2と照射領域IR_B2)が繋がるように、素子集合2951SETの発光素子2951が発光する。したがって、チップCPの位置が多少ずれたとしても、図13に示したような隣接する照射領域の間における隙間や縦筋の発生を抑制することが可能であり、良好な光ビームの照射を行なうことができる。また、このようなラインヘッド29を用いた画像形成装置1では、良好な潜像を感光体表面に形成することが可能となる。
As described above, the
ところで、上記実施形態のラインヘッド29では、各チップCPの素子集合2951SETは、照射領域の形成に必要な個数よりも多くの発光素子2951を長手方向LGD(チップ長軸)に素子ピッチPelで並べて有している。そして、素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち一部の発光素子2951が発光して、照射領域が形成される。
By the way, in the
詳述すると、図15に示したように素子集合2951SETでは複数の発光素子2951が長手方向LGDに素子ピッチPelで敷き詰められており、チップCPの素子集合2951SETは、照射領域を形成するのに必要な個数より多くの発光素子2951を、長手方向LGDに並べて有する。そして、図18〜図21を用いて説明したように、実動作においては照射領域の形成に必要な発光素子2951のみを選択して発光させて照射領域を形成する。つまり、チップCPは、照射領域を形成するに際して、該チップCPの素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951のうち、該照射領域を形成するのに適当な一部の発光素子2951のみを選択的に発光させる。したがって、チップの位置が多少ずれた場合であっても、かかる位置ずれに合わせて発光させる発光素子を選択することで(換言すれば、チップの位置ずれに応じて発光素子の発光を制御することで)、適切な位置に照射領域を形成することができる。つまり、互いに異なるチップCPにより形成されるともに主走査方向MDにおいて隣接する照射領域が繋がるように、素子集合2951SETの発光素子2951の発光を制御することができ、上述の縦筋等の問題の発生を抑制することができる。
More specifically, as shown in FIG. 15, in the element set 2951SET, a plurality of
また、上記実施形態では、図18〜図21を用いて説明したように、チップCPの位置ずれに応じて、該チップCPの素子集合2951SETが有する複数の発光素子2951の一部が発光する。したがって、チップCPの位置ずれに起因した照射領域の隙間の発生を効果的に抑制することが可能となっており、上記実施形態は好適である。
In the above-described embodiment, as described with reference to FIGS. 18 to 21, a part of the plurality of
また、上記実施形態では、互いに異なるチップCPよりに形成されるとともに主走査方向に隣接するスポットSPの間のピッチPsp_outが最大ピッチ(上記実施形態では、1.5・Psp_in)以下で且つ最小ピッチ(上記実施形態では、0.5・Psp_in)以上となるように、発光素子2951が発光する。つまり、上記式1を満たすように、素子集合2951SETの発光素子は発光する。このように、互いに異なるチップCPよりに形成されるとともに主走査方向に隣接するスポットSPの間のピッチPsp_outが最大ピッチ以下となることで、互いに異なるチップにより形成されるとともに直交方向において隣接する照射領域が良好に繋がることが可能となる。更に、互いに異なるチップCPにより形成されるとともに主走査方向MDに隣接するスポットSPの間のピッチPsp_outが最小ピッチ以上となることで、隣接して形成されるスポットSPの過度の重複を抑制することが可能となり、より良好な光ビームの照射が実現される。
In the above embodiment, the pitch Psp_out between the spots SP formed by different chips CP and adjacent in the main scanning direction is equal to or less than the maximum pitch (1.5 · Psp_in in the above embodiment) and the minimum pitch. (In the above embodiment, the
その他
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態でのチップCPは、発光素子2951としてのLED(Light Emitting Diode)を複数有する所謂LEDアレイであるが、チップCPはこれに限られない。つまり、所謂VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)と称される面発光レーザを有するチップCPを発光素子として用いても良い。なお、このような面発光レーザを有するチップとしては、例えば特開2001−358411号公報に記載の2次元面発光レーザアレイが知られている。
Others The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, the chip CP in the above embodiment is a so-called LED array having a plurality of LEDs (Light Emitting Diodes) as the
また、上記実施形態ではマイクロレンズアレイ299(光学系)が有するマイクロレンズMLの倍率の絶対値は1よりも大きい。しかしながら、マイクロレンズMLの倍率はこれに限られるものではなく、例えば、倍率の絶対値は1以下であってもよい。但し、マイクロレンズMLの倍率の絶対値が1よりも大きいラインヘッドにあっては、本発明を適用することが特に好適である。つまり、マイクロレンズMLの倍率の絶対値が1より大きいラインヘッド29にあっては、ヘッド基板293でのチップCPの位置ずれが僅かであっても、かかる位置ずれは拡大されて感光体表面での照射領域のずれとなる。したがって、かかるマイクロレンズMLを備えるラインヘッドでは、上述のような隙間の問題が発生しやすい。そこで、かかるラインヘッド29では、上記発明を適用して、照射領域の隙間の発生を抑制することが、特に好適である。
In the above embodiment, the absolute value of the magnification of the microlens ML included in the microlens array 299 (optical system) is larger than 1. However, the magnification of the micro lens ML is not limited to this. For example, the absolute value of the magnification may be 1 or less. However, it is particularly preferable to apply the present invention to a line head in which the absolute value of the magnification of the microlens ML is larger than 1. That is, in the
また、上記実施形態では、発光素子ライン2951Lをチップ短軸CLT(幅方向LTD)に2つ並べて素子集合2951SETを形成しているが、素子集合2951SETを形成する発光素子ライン2951Lの個数はこれに限られるものではない。
In the above embodiment, two light emitting
また、上記実施形態では、素子集合2951SETに対して、3個のマイクロレンズMLが対向して設けられているが、素子集合2951SETに対向して設けられるマイクロレンズMLの個数は3個に限られない。 In the above embodiment, three microlenses ML are provided to face the element set 2951SET. However, the number of microlenses ML provided to face the element set 2951SET is limited to three. Absent.
また、上記実施形態では、カラー画像形成装置に本発明が適用されているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、いわゆる単色画像を形成するモノクロ画像形成装置に対しても本発明を適用することができる。 In the above embodiment, the present invention is applied to a color image forming apparatus. However, the application target of the present invention is not limited to this, and it is also applicable to a monochrome image forming apparatus that forms a so-called monochromatic image. The present invention can be applied.
21Y、21K…感光体ドラム(潜像担持体)、 29…ラインヘッド、 2951…発光素子、 2951SET…素子集合、 293…ヘッド基板(基板)、299…マイクロレンズアレイ(光学系)、 ML…マイクロレンズ、 CP…チップ、 IR_A2,IR_A3,IR_B2,IR_C2…照射領域、 MD…主走査方向(直交方向), SD…副走査方向(移動方向)、 LGD…長手方向(第2方向)、 LTD…幅方向(第1方向)、 CLG…チップ長軸、 CLT…チップ短軸 21Y, 21K ... photosensitive drum (latent image carrier), 29 ... line head, 2951 ... light emitting element, 2951SET ... element assembly, 293 ... head substrate (substrate), 299 ... micro lens array (optical system), ML ... micro Lens, CP ... chip, IR_A2, IR_A3, IR_B2, IR_C2 ... irradiation region, MD ... main scanning direction (orthogonal direction), SD ... sub-scanning direction (moving direction), LGD ... longitudinal direction (second direction), LTD ... width Direction (first direction), CLG: chip major axis, CLT: chip minor axis
Claims (8)
前記チップが複数設けられた基板と、
前記発光素子からの光ビームを移動する像面に向けて結像する光学系と
を備え、
前記基板では前記像面の移動方向に対応する第1方向に複数の前記チップが並び、該複数のチップのそれぞれは、前記移動方向に直交する直交方向に対応する第2方向の互いに異なる位置に前記発光素子を設けた素子集合を有し、前記像面の移動に応じて前記素子集合から射出した光ビームを前記光学系を介して前記像面に照射して照射領域を形成し、
互いに異なる前記チップにより形成されるともに前記直交方向において隣接する前記照射領域が繋がるように、前記素子集合の前記発光素子が発光することを特徴とするラインヘッド。 A chip formed with a plurality of light emitting elements for emitting a light beam;
A substrate provided with a plurality of the chips;
An optical system that forms an image toward the moving image plane of the light beam from the light emitting element,
A plurality of the chips are arranged in a first direction corresponding to the moving direction of the image plane on the substrate, and each of the plurality of chips is at a different position in a second direction corresponding to an orthogonal direction orthogonal to the moving direction. Having an element set provided with the light emitting elements, and irradiating the image plane with a light beam emitted from the element set according to the movement of the image plane to form an irradiation region;
The line head according to claim 1, wherein the light emitting elements of the element set emit light such that the irradiation regions adjacent to each other in the orthogonal direction are formed by different chips.
互いに異なる前記チップよりに形成されるとともに前記直交方向に隣接する前記スポットの間のピッチが最大ピッチ以下となるように、前記発光素子は発光する請求項2または3に記載のラインヘッド。 When the chip emits a light beam from the light emitting element of the element set, a plurality of spots are arranged in the orthogonal direction to form the irradiation region,
4. The line head according to claim 2, wherein the light emitting element emits light so that a pitch between the spots formed by different chips and adjacent in the orthogonal direction is equal to or less than a maximum pitch. 5.
前記基板では、前記像面の移動方向に対応する第1方向に複数の前記チップが並び、該複数のチップのそれぞれは、前記移動方向に直交する直交方向に対応する第2方向の互いに異なる位置に前記発光素子を設けた素子集合を有し、前記像面の移動に応じて前記素子集合から光ビームを射出して前記像面に照射領域を形成し、
光照射工程では、互いに異なる前記チップにより形成されるとともに前記直交方向において隣接する前記照射領域が繋がるように、前記素子集合の前記発光素子の発光を制御することを特徴とするラインヘッドの制御方法。 A light irradiation step of emitting a light emitting element included in a chip provided on a substrate and irradiating a moving image plane with a light beam emitted from the light emitting element;
In the substrate, the plurality of chips are arranged in a first direction corresponding to the moving direction of the image plane, and each of the plurality of chips is different from each other in a second direction corresponding to an orthogonal direction orthogonal to the moving direction. An element set provided with the light emitting element, and a light beam is emitted from the element set according to the movement of the image plane to form an irradiation area on the image plane,
In the light irradiation step, the light emission of the light emitting element of the element set is controlled so that the irradiation areas adjacent to each other in the orthogonal direction are formed by the chips different from each other. .
光ビームを射出する複数の発光素子が形成されたチップと、
前記チップが複数設けられた基板と、
前記発光素子からの光ビームを前記潜像担持体表面に向けて結像する光学系と、
前記発光素子の発光を制御する制御手段と
を備え、
前記基板では前記潜像担持体表面の移動方向に対応する第1方向に複数の前記チップが並び、該複数のチップのそれぞれは、前記移動方向に直交する直交方向に対応する第2方向の互いに異なる位置に前記発光素子を設けた素子集合を有し、前記潜像担持体表面の移動に応じて前記素子集合から射出した光ビームを前記光学系を介して前記潜像担持体表面に照射して照射領域を形成し、
前記制御手段は、互いに異なる前記チップにより形成されるともに前記直交方向において隣接する前記照射領域が繋がるように、前記素子集合の前記発光素子の発光を制御することを特徴とする画像形成装置。
A latent image carrier whose surface moves;
A chip formed with a plurality of light emitting elements for emitting a light beam;
A substrate provided with a plurality of the chips;
An optical system for imaging a light beam from the light emitting element toward the surface of the latent image carrier;
Control means for controlling light emission of the light emitting element,
On the substrate, a plurality of the chips are arranged in a first direction corresponding to the moving direction of the surface of the latent image carrier, and each of the plurality of chips is in a second direction corresponding to an orthogonal direction orthogonal to the moving direction. It has an element set provided with the light emitting elements at different positions, and irradiates the surface of the latent image carrier through the optical system with a light beam emitted from the element set according to the movement of the surface of the latent image carrier. To form an irradiated area,
The image forming apparatus, wherein the control unit controls light emission of the light emitting elements of the element set so that the irradiation regions adjacent to each other in the orthogonal direction are formed by the chips different from each other.
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