JP2009000949A - Non-contact optical writing apparatus - Google Patents

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Kazunori Murakami
和則 村上
Hirohiko Mochida
裕彦 持田
Yuji Yasui
祐治 安井
Yoshimitsu Otaka
善光 大高
Toshiyuki Tamura
敏行 田村
Takayuki Hiyoshi
隆之 日吉
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    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/475—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material for heating selectively by radiation or ultrasonic waves
    • B41J2/4753—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material for heating selectively by radiation or ultrasonic waves using thermosensitive substrates, e.g. paper

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve shortage of power to a thermal recording medium during thermal recording by effectively utilizing the power of laser beam and to realize speedup of a recording speed. <P>SOLUTION: Respective single mode laser beams L<SB>1</SB>and L<SB>2</SB>output from first and second single mode semiconductor laser arrays 1 and 2 are superimposed by a dichroic prism 12. This superimposed laser beam La and a multi-mode laser beam L<SB>2</SB>output from a multi-mode semiconductor laser 2 are synthesized by a polarized light beam splitter 13 provided with a λ/4 reflecting plate 14. This synthesized laser beam Lb is main-scanned on a thermal recording medium 16 face in the same direction as the horizontal direction of the multimode laser beam L<SB>3</SB>by a deflective scanning mechanism 17. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えばサーマルヘッド等の加熱装置を直接接触することなく、非接触で感熱記録、感熱消去を可能とするリライタブルな感熱記録媒体に対して非接触で情報記録を行う非接触光書き込み装置に関する。   The present invention relates to a non-contact optical writing apparatus that performs non-contact information recording on a rewritable thermosensitive recording medium that enables non-contact thermal recording and thermal erasure without directly contacting a heating device such as a thermal head. About.

ロイコ染料系、ジアゾ化合物系感熱材料を利用した感熱記録方式や、特定温度で発色と消色とを繰り返すことを可能とする可逆性の感熱記録紙等が存在する。この感熱記録紙は、例えばサーマルヘッド等の加熱装置を用いて加熱されて発色、消色される。このような感熱記録紙に対する記録方式には、例えばサーマルヘッド等の記録ヘッドを直接接触させる方式がある。この方式では、記録ヘッドを直接感熱記録紙に接触させるため、記録ヘッドの磨耗、汚れ等が生じ易く、かつ感熱記録紙の印字面が擦れて汚れたり、付着物によるショートや過剰な電力供給等による記録ヘッドの寿命を縮めることを引き起こす。   There are thermosensitive recording systems using leuco dye-based and diazo compound-based thermosensitive materials, reversible thermosensitive recording paper that can repeat color development and decoloration at a specific temperature, and the like. The heat-sensitive recording paper is heated and decolored by using a heating device such as a thermal head. As a recording method for such a thermal recording paper, there is a method in which a recording head such as a thermal head is brought into direct contact. In this method, since the recording head is brought into direct contact with the thermal recording paper, the recording head is likely to be worn and soiled, and the print surface of the thermal recording paper is rubbed and soiled. Cause the life of the recording head to be shortened.

一方、感熱記録紙を用いた情報記録の技術としては、例えば特許文献１、２がある。特許文献１は、可逆性の感熱材料を非接触で顕色、消色する方法に関し、基板上に、赤外線を吸収し発熱する赤外線吸収層と感熱記録層とを順次積層した情報記録媒体を開示する。このうち感熱記録層は、感熱発色層又は金属薄膜層から成り、赤外線吸収層の熱によって発色又は変色或いは溶融除去される。又、特許文献１は、赤外線レーザの照射により情報記録媒体における赤外線吸収層を発熱させ、この熱により感熱記録層を発色又は変色或いは溶融除去させる情報記録媒体の記録方法を開示する。   On the other hand, as information recording techniques using thermal recording paper, for example, there are Patent Documents 1 and 2. Patent Document 1 relates to a method for developing and erasing a reversible thermosensitive material in a non-contact manner, and discloses an information recording medium in which an infrared absorbing layer that absorbs infrared rays and generates heat and a thermal recording layer are sequentially laminated on a substrate. To do. Of these, the thermosensitive recording layer comprises a thermosensitive coloring layer or a metal thin film layer, and is colored, discolored or melted away by the heat of the infrared absorbing layer. Patent Document 1 discloses a recording method for an information recording medium in which an infrared absorption layer in the information recording medium is heated by irradiation with an infrared laser, and the heat-sensitive recording layer is colored, discolored, or melted away by this heat.

特許文献２は、ｐｎ接合面に対して垂直方向に広がった断面楕円形状のレーザビームを射出する第１及び第２の半導体レーザと、これら半導体レーザから射出されたレーザビームを合成する偏向ビームスプリッタと、この偏向ビームスプリッタによって合成されたレーザビームを走査する走査光学系とを備え、ヒートモード記録材料に画像記録を行うレーザビーム記録装置において、第１の半導体レーザから射出されたレーザビームと第２の半導体レーザから射出されたレーザビームとを合成し、かつこの合成したレーザビームの中心が何れか一方のレーザビームの断面形状における長軸方向の一端側にずれるように半導体レーザを配置すると共に、何れか一方のレーザビームの断面形状における長軸方向に沿い、かつ合成したレーザビームの中心が進行方向に沿って後方側に位置する状態で、走査光学系によって主走査するレーザビーム記録装置について開示する。
特許第３２６６９２２号公報 特許第２５６１０９８号公報 Patent Document 2 discloses first and second semiconductor lasers that emit a laser beam having an elliptical cross section that extends in a direction perpendicular to a pn junction surface, and a deflection beam splitter that combines the laser beams emitted from these semiconductor lasers. And a scanning optical system for scanning the laser beam synthesized by the deflecting beam splitter, and a laser beam recording apparatus for recording an image on a heat mode recording material. The laser beam emitted from the two semiconductor lasers is combined, and the semiconductor laser is arranged so that the center of the combined laser beam is shifted to one end side in the long axis direction in the cross-sectional shape of one of the laser beams. , A laser beam synthesized along the major axis direction in the cross-sectional shape of one of the laser beams Center in the state positioned on the rear side along the traveling direction, discloses a laser beam recording apparatus main scanning by the scanning optical system.
Japanese Patent No. 3266922 Japanese Patent No. 2561098

しかしながら、特許文献１では、赤外線レーザを出力する光源として高出力のレーザが必要である。このため、特許文献１において小型で比較的安価な半導体レーザを適用としても、この半導体レーザでは、数Ｗクラスが限界で、ライン型のサーマルヘッドクラスの記録スピードを実現できないのが現実である。数十Ｗ以上の出力を有する例えばＹＡＧレーザ等を用いる方法がある。しかしながら、ＹＡＧレーザ等を用いると、半導体レーザに比べて高価でかつ装置が大型化してしまう。   However, in Patent Document 1, a high-power laser is required as a light source that outputs an infrared laser. For this reason, even if a small and relatively inexpensive semiconductor laser is applied in Patent Document 1, this semiconductor laser has a limit of several W class and cannot actually realize the recording speed of the line type thermal head class. There is a method using, for example, a YAG laser having an output of several tens of W or more. However, when a YAG laser or the like is used, it is more expensive than a semiconductor laser and the apparatus becomes large.

特許文献２では、ヒートモード記録材料の記録面において第１と第２の半導体レーザからそれぞれ射出される各レーザビームの形状が楕円形状でかつ互いに長軸方向で直交している。このため、レーザビームの主走査方向に長軸を有する一方の半導体レーザのパワーは、熱記録用に用いられるが、副走査方向に長軸を有する他方の半導体レーザのパワーは、一方の半導体レーザと重なり合っている部分以外では熱記録用に有効利用されない。さらに、特許文献２では、偏向ビームスプリッタにより半導体レーザから射出されたレーザビームを合成するので、合成する半導体レーザは、２つまでが限界である。   In Patent Document 2, the shape of each laser beam emitted from the first and second semiconductor lasers on the recording surface of the heat mode recording material is elliptical and orthogonal to each other in the major axis direction. For this reason, the power of one semiconductor laser having a major axis in the main scanning direction of the laser beam is used for thermal recording, while the power of the other semiconductor laser having the major axis in the sub-scanning direction is used for one semiconductor laser. It is not effectively used for thermal recording except for the overlapping part. Further, in Patent Document 2, the laser beam emitted from the semiconductor laser is synthesized by the deflecting beam splitter, so that there is a limit to two semiconductor lasers to be synthesized.

本発明の目的は、レーザビームのパワーを有効利用して感熱記録媒体に対する感熱記録時のパワー不足を解消し、かつ記録スピードの高速化を実現できる非接触光書き込み装置を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a non-contact optical writing apparatus that can effectively utilize the power of a laser beam to solve the shortage of power during thermal recording on a thermal recording medium and realize an increase in recording speed.

本発明の主要な局面に係る非接触光書き込み装置は、少なくとも感熱記録を可能とするリライタブルな感熱記録媒体に対して非接触で情報記録を行う非接触光書き込み装置において、活性層の接合面が形成され、それぞれ半導体レーザ光を出力する複数の第１のレーザ発光部を有し、これら第１のレーザ発光部を接合面方向に等間隔で配置して成る少なくとも１つの半導体レーザアレイと、第１のレーザ発光部の接合面方向と同一方向に配置した活性層の接合面が形成された第２のレーザ発光部を有し、この第２のレーザ発光部から半導体レーザビームを出力する半導体レーザと、半導体レーザアレイから出力された複数の半導体レーザ光を反射又は透過すると共に、半導体レーザから出力された半導体レーザビームを透過又は反射し、半導体レーザビームのビームプロファイル内に複数の半導体レーザ光のうち少なくとも一部を等間隔で合成して出力する偏光部材と、複数の半導体レーザ光の偏光方向又は半導体レーザビームの偏光方向に対して平行で、かつ半導体レーザビームの偏光方向又は複数の半導体レーザ光の偏光方向に対して垂直な方向に回転軸を有し、偏光ビームスプリッタから出力された合成の半導体レーザビームを感熱記録媒体上に走査する偏向走査機構とを具備する。   A non-contact optical writing apparatus according to a main aspect of the present invention is a non-contact optical writing apparatus that records information in a non-contact manner on a rewritable thermal recording medium that enables at least thermal recording. At least one semiconductor laser array formed and having a plurality of first laser light emitting portions each outputting a semiconductor laser light, the first laser light emitting portions being arranged at equal intervals in the bonding surface direction; A semiconductor laser having a second laser light emitting portion on which a bonding surface of an active layer arranged in the same direction as the bonding surface direction of the one laser light emitting portion is formed, and outputting a semiconductor laser beam from the second laser light emitting portion And reflects or transmits a plurality of semiconductor laser beams output from the semiconductor laser array and transmits or reflects a semiconductor laser beam output from the semiconductor laser. A polarization member that synthesizes and outputs at least a part of a plurality of semiconductor laser beams at equal intervals in the beam profile of the laser beam, and is parallel to the polarization direction of the plurality of semiconductor laser beams or the polarization direction of the semiconductor laser beam In addition, the laser beam having a rotation axis in a direction perpendicular to the polarization direction of the semiconductor laser beam or the polarization directions of the plurality of semiconductor laser beams is scanned on the thermal recording medium with the combined semiconductor laser beam output from the polarization beam splitter. And a deflection scanning mechanism.

本発明によれば、レーザビームのパワーを有効利用して感熱記録媒体に対する感熱記録時のパワー不足を解消し、かつ記録スピードの高速化を実現できる非接触光書き込み装置を提供できる。   According to the present invention, it is possible to provide a non-contact optical writing apparatus that can effectively utilize the power of a laser beam to eliminate power shortage during thermal recording on a thermal recording medium and realize an increase in recording speed.

以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は非接触光書き込み装置の構成図を示す。本装置は、２つのシングルモード半導体レーザアレイ１、２と、マルチモード半導体レーザ３とを有する。これらシングルモード半導体レーザアレイ１、２とマルチモード半導体レーザ３とは、それぞれ近赤外領域、例えば７５０ｎｍ〜１０００ｎｍに発光波長を有し、かつ数Ｗの高出力を有する。これらシングルモード半導体レーザアレイ１、２とマルチモード半導体レーザ３とは、例えばレーザプリンタ、レーザポインタ、ＤＶＤプレーヤ等に既に多数使用されている半導体レーザ（レーザダイオード：ＬＤ）と同じような特性、すなわち広がり角度、出力−電流特性、温度特性を有する。これらシングルモード半導体レーザアレイ１、２とマルチモード半導体レーザ３とは、数Ｗの高出力を有し、供給電流量がアンペアクラスに大きく、発熱量が大きくなるために冷却が必須である。従って、これらシングルモード半導体レーザアレイ１、２とマルチモード半導体レーザ３とは、それぞれ放熱板に固定し、かつ放熱板を強制冷却する。 Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a configuration diagram of a non-contact optical writing apparatus. This apparatus has two single mode semiconductor laser arrays 1 and 2 and a multimode semiconductor laser 3. The single mode semiconductor laser arrays 1 and 2 and the multimode semiconductor laser 3 each have an emission wavelength in the near infrared region, for example, 750 nm to 1000 nm, and a high output of several W. These single mode semiconductor laser arrays 1 and 2 and the multimode semiconductor laser 3 have characteristics similar to those of a semiconductor laser (laser diode: LD) already used in a large number of laser printers, laser pointers, DVD players, etc., for example. It has a spread angle, output-current characteristics, and temperature characteristics. The single mode semiconductor laser arrays 1 and 2 and the multimode semiconductor laser 3 have a high output of several W, a supply current amount is large in an ampere class, and a heat generation amount is large, so that cooling is essential. Accordingly, the single mode semiconductor laser arrays 1 and 2 and the multimode semiconductor laser 3 are fixed to the heat sink, and the heat sink is forcibly cooled.

第１のシングルモード半導体レーザアレイ１は、例えば波長λ１（９８０ｎｍ）でＳ偏光のシングルモードレーザビームＬ１を出力する。この第１のシングルモード半導体レーザアレイ１は、図２に示すように複数、例えば１２個の第１のレーザ発光部（レーザチップ）４を有する。これら第１のレーザ発光部４は、それぞれ活性層の接合面としてのｐｎ接合面５から成り、第１の半導体レーザ光としてのＳ偏光の複数のシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２を出力する。これら第１のレーザ発光部４は、ｐｎ接合面５の方向と同一方向にピッチｑの等間隔で配置されている。これら第１のレーザ発光部４のピッチｑは、例えば１２５μｍである。従って、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力されるシングルモードレーザビームＬ１は、複数の第１のレーザ発光部４からそれぞれ出力される１群のシングルモードレーザ光、すなわち複数のシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２から成る。 The first single mode semiconductor laser array 1 outputs an S-polarized single mode laser beam L 1 with a wavelength λ 1 (980 nm), for example. The first single-mode semiconductor laser array 1 has a plurality of, for example, twelve first laser light emitting units (laser chips) 4 as shown in FIG. The first laser emitting unit 4, respectively made of pn junction surface 5 of the junction plane of the active layer, the first semiconductor laser beam as a single-mode laser beam k 1-1 multiple of S-polarized light to k 1- 12 is output. These first laser light emitting portions 4 are arranged at equal intervals of the pitch q in the same direction as the direction of the pn junction surface 5. The pitch q of these first laser emission units 4 is, for example, 125 μm. Therefore, the single mode laser beam L 1 output from the first single mode semiconductor laser array 1 is a group of single mode laser beams respectively output from the plurality of first laser light emitting units 4, that is, a plurality of single modes. It consists of laser beams k 1-1 to k 1-12 .

シングルモードレーザビームＬ１のＳ偏光の偏向方向ｓ１は、ｐｎ接合面５の接合面方向と同一方向である。このシングルモードレーザビームＬ１は、ｐｎ接合面５の接合面方向に対して垂直方向の横長形状のビームプロファイルＰ１を有する。このビームプロファイルＰ１は、ガウス分布を有する。第１のレーザ発光部４における発光領域は、図２に示すように例えばｐｎ接合面５の接合面方向の長さｒと、ｐｎ接合面５の方向に対して垂直な方向の幅ｔとにおいてそれぞれ数μｍ程度を有する。具体的に第１のレーザ発光部４の発光領域は、ｐｎ接合面５の接合面方向の長さｒが３μｍ程度であり、幅ｔが１μｍ程度である。 Deflection direction s 1 of the S-polarized light of the single mode laser beam L 1 is a cemented surface in the same direction as that of the pn junction surface 5. The single mode laser beam L 1 has a beam profile P 1 having a horizontally long shape perpendicular to the bonding surface direction of the pn bonding surface 5. The beam profile P 1 has a Gaussian distribution. As shown in FIG. 2, the light emitting region in the first laser light emitting unit 4 has, for example, a length r in the junction surface direction of the pn junction surface 5 and a width t in a direction perpendicular to the direction of the pn junction surface 5. Each has about several μm. Specifically, the light emitting region of the first laser light emitting unit 4 has a length r of the pn junction surface 5 in the junction surface direction of about 3 μm and a width t of about 1 μm.

第２のシングルモード半導体レーザアレイ２は、例えば波長λ２（８３０ｎｍ）でＳ偏光のシングルモードレーザビームＬ２を出力する。この第２のシングルモード半導体レーザアレイ２は、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１と同様に、図２に示すような複数、例えば１２個の第１のレーザ発光部（レーザチップ）４を有する。これら第１のレーザ発光部４は、シングルモード半導体レーザアレイ１における第１のレーザ発光部４と同一構成を有し、それぞれ第１の半導体レーザ光としてのＳ偏光の複数のシングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２を出力する。従って、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されるシングルモードレーザビームＬ２は、複数の第１のレーザ発光部４からそれぞれ出力される１群のシングルモードレーザ光、すなわち複数のシングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２から成る。なお、シングルモードレーザビームＬ２のＳ偏光の偏向方向ｓ２は、ｐｎ接合面５の接合面方向と同一方向である。このシングルモードレーザビームＬ２は、ｐｎ接合面５の接合面方向に対して垂直方向の横長形状でビームプロファイルＰ２を有する。 The second single mode semiconductor laser array 2 outputs an S-polarized single mode laser beam L 2 with a wavelength λ 2 (830 nm), for example. Similar to the first single mode semiconductor laser array 1, the second single mode semiconductor laser array 2 has a plurality of, for example, twelve first laser light emitting sections (laser chips) 4 as shown in FIG. . These first laser light emitting sections 4 have the same configuration as the first laser light emitting section 4 in the single mode semiconductor laser array 1, and each of the plurality of S-polarized single mode laser lights k as the first semiconductor laser light. 2-1 to k 2-12 are output. Accordingly, the single mode laser beam L 2 output from the second single-mode semiconductor laser array 2, one group single mode laser lights output from the plurality of first laser emitting unit 4, i.e. plural single-mode It comprises a laser beam k 2-1 to k 2-12. Incidentally, the polarization direction s 2 of the S-polarized light of the single mode laser beam L 2 is a cemented surface in the same direction as that of the pn junction surface 5. This single mode laser beam L 2 has a beam profile P 2 having a horizontally long shape perpendicular to the junction surface direction of the pn junction surface 5.

マルチモード半導体レーザ３は、例えばλ３（＝λ２＝波長８３０ｎｍ）でＰ偏光のマルチモードレーザビームＬ３を出力する。このマルチモード半導体レーザ３は、図３に示すように１つの第２のレーザ発光部６を有する。この第２のレーザ発光部６は、活性層の接合面としてのｐｎ接合面７から成り、第２の半導体レーザビームとしての単独のＰ偏光のマルチモードレーザビームＬ３を出力する。このｐｎ接合面７は、第１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ１、２における各ｐｎ接合面５の接合面方向と同一方向に配置される。このマルチモードレーザビームＬ３のＰ偏光の偏向方向ｓ３は、ｐｎ接合面７の接合面方向と同一方向である。このマルチモードレーザビームＬ３は、ｐｎ接合面７の接合面方向に対して垂直方向の横長形状のビームプロファイルＰ３を有する。このビームプロファイルＰ３は、きれいなガウス分布を有しない。レーザ発光部６における発光領域は、図３に示すように例えばｐｎ接合面７の接合面方向の長さｕと、この接合面方向の長さｕに対して垂直な方向の幅ｖとにおいてそれぞれ長さを異にする。具体的にレーザ発光部６の発光領域は、接合面の長さｕが５０〜２００μｍ程度であり、幅ｖが１μｍ程度である。なお、マルチモード半導体レーザ３は、マウント８に設けられている。 Multimode semiconductor laser 3 outputs a multimode laser beam L 3, for example, λ 3 (= λ 2 = wavelength 830 nm) with P-polarized light. The multimode semiconductor laser 3 has one second laser light emitting unit 6 as shown in FIG. The second laser light emitting unit 6 includes a pn junction surface 7 as an active layer junction surface, and outputs a single P-polarized multimode laser beam L 3 as a second semiconductor laser beam. The pn junction surface 7 is arranged in the same direction as the junction surface direction of each pn junction surface 5 in the first and second single mode semiconductor laser arrays 1 and 2. The multimode laser beam L deflected direction s 3 of the P-polarized light 3 is a cemented surface in the same direction as that of the pn junction plane 7. The multimode laser beam L 3 has a beam profile P 3 having a horizontally long shape perpendicular to the bonding surface direction of the pn bonding surface 7. The beam profile P 3 does not have a clean Gaussian distribution. As shown in FIG. 3, the light emitting region in the laser light emitting unit 6 has, for example, a length u in the bonding surface direction of the pn bonding surface 7 and a width v in a direction perpendicular to the length u in the bonding surface direction. Use different lengths. Specifically, the light emitting region of the laser light emitting unit 6 has a bonding surface length u of about 50 to 200 μm and a width v of about 1 μm. The multimode semiconductor laser 3 is provided on the mount 8.

第１のコリメータレンズ（第１の結像レンズ）９が第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力されるシングルモードレーザビームＬ１の進行光路上に設けられている。この第１のコリメータレンズ９は、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力されたシングルモードレーザビームＬ１を略平行光速に変換する。
第２のコリメータレンズ（第２の結像レンズ）１０が第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されるシングルモードレーザビームＬ２の進行光路上に設けられている。この第１のコリメータレンズ１０は、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されたシングルモードレーザビームＬ２を略平行光速に変換する。
第３のコリメータレンズ１１がマルチモード半導体レーザ３から出力されるマルチモードレーザビームＬ３の進行光路上に設けられている。この第３のコリメータレンズ１１は、マルチモード半導体レーザ３から出力されたマルチモードレーザビームＬ３を略平行光速に変換する。 A first collimator lens (first imaging lens) 9 is provided on the traveling optical path of the single mode laser beam L 1 output from the first single mode semiconductor laser array 1. The first collimator lens 9 converts the single mode laser beam L 1 output from the first single mode semiconductor laser array 1 into substantially parallel light speed.
A second collimator lens (second imaging lens) 10 is provided on the traveling optical path of the single mode laser beam L 2 output from the second single mode semiconductor laser array 2. The first collimator lens 10 converts the single mode laser beam L 2 output from the second single-mode semiconductor laser array 2 into substantially parallel light speed.
A third collimator lens 11 is provided on the traveling optical path of the multimode laser beam L 3 output from the multimode semiconductor laser 3. This third collimator lens 11 converts the multi-mode laser beam L 3 output from the multimode semiconductor laser 3 into substantially parallel light speed.

ダイクロイックプリズム１２は、重ね合せ光学系であり、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力されるシングルモードレーザビームＬ１の進行光路上と第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されるシングルモードレーザビームＬ２の進行光路上との交差位置上に設けられている。このダイクロイックプリズム１２は、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力される波長λ１（＝９８０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ１の進行方向を角度９０度変えて反射すると共に、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力される波長λ２（＝８３０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ２を透過し、これらシングルモードレーザビームＬ１とシングルモードレーザビームＬ２とを重ね合わせたレーザビームＬａを出射する。すなわち、ダイクロイックプリズム１２は、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力されるシングルモードレーザビームＬ１の各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２と第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されるシングルモードレーザビームＬ２の各シングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２とのうちシングルモードレーザ光ｋ１−１とシングルモードレーザ光ｋ２−１とを重ね合せ、シングルモードレーザ光ｋ１−２とシングルモードレーザ光ｋ２−２とを重ね合せ、シングルモードレーザ光ｋ１−３とシングルモードレーザ光ｋ２−３とを重ね合せ、以下同様に、シングルモードレーザ光ｋ１−１２とシングルモードレーザ光ｋ２−１２とをそれぞれ重ね合わせてレーザビームＬａを出射する。 The dichroic prism 12 is a superposition optical system, and is a single output from the traveling optical path of the single mode laser beam L 1 output from the first single mode semiconductor laser array 1 and from the second single mode semiconductor laser array 2. It is provided on the intersections between progression optical path of the mode laser beam L 2. The dichroic prism 12 reflects and changes the traveling direction of the single-mode laser beam L 1 having the wavelength λ 1 (= 980 nm) output from the first single-mode semiconductor laser array 1 by an angle of 90 degrees and the second single-mode laser 12. A single mode laser beam L 2 having a wavelength λ 2 (= 830 nm) output from the mode semiconductor laser array 2 is transmitted, and a laser beam La obtained by superimposing the single mode laser beam L 1 and the single mode laser beam L 2 is obtained. Exit. That is, the dichroic prism 12 includes each single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 of the single mode laser beam L 1 output from the first single mode semiconductor laser array 1 and the second single mode semiconductor laser array. superimposing the single mode laser beam the single mode laser beam k 2-1 to k 2-12 Tonouchi single mode laser beam k 1-1 of L 2 output single mode laser beam k 2-1 from 2 , overlapping the single mode laser beam k 1-2 and the single mode laser beam k 2-2, a single mode laser beam k 1-3 and the single mode laser beam k 2-3 superposition so on to, Single The mode laser beam k 1-12 and the single mode laser beam k 2-12 are superposed on each other to form a laser beam La. Is emitted.

偏光ビームスプリッタ１３は、偏光部材であり、ダイクロイックプリズム１２から出射される重ね合わせのレーザビームＬａとマルチモード半導体レーザ３から出力されるマルチモードレーザビームＬ３との各進行光路の交差位置上に設けられている。この偏光ビームスプリッタ１３には、偏光部材としてのλ／４反射板１４が設けられている。偏光ビームスプリッタ１３には、ダイクロイックプリズム１２から出射される重ね合わせのレーザビームＬａとマルチモード半導体レーザ３から出力されるマルチモードレーザビームＬ３とが入射する。この偏光ビームスプリッタ１３は、ダイクロイックプリズム１２から出射される重ね合わせのレーザビームＬａを透過すると共に、マルチモード半導体レーザ３から出力されるマルチモードレーザビームＬ３を透過し、λ／４反射板１４により９０度位相回転されて再び入射したマルチモードレーザビームＬ３を反射し、これにより、マルチモードレーザビームＬ３のビームプロファイル内及びこのビームプロファイルの両外側に、このビームプロファイルの長手方向に沿って重ね合わせのレーザビームＬａを合成する。 具体的にマルチモードレーザビームＬ３と重ね合わせのレーザビームＬａとの合成について説明する。λ／４反射板１４は、図４に示すように偏光ビームスプリッタ１３におけるマルチモード半導体レーザ３からの単独のマルチモードレーザビームＬ３が入射する面と対向する面に設けられている。このλ／４反射板１４の外側には、反射ミラー１５が設けられている。従って、単独のマルチモードレーザビームＬ３は、偏光ビームスプリッタ１３に入射すると、偏光ビームスプリッタ１３、λ／４反射板１４を透過して反射ミラー１５で反射し、再び、λ／４反射板１４、偏光ビームスプリッタ１３を透過する。これにより、単独のマルチモードレーザビームＬ３は、λ／４反射板１４を２度透過するので、その位相は、９０度回転する。そして、偏光ビームスプリッタ１３は、９０度位相の回転した単独のマルチモードレーザビームＬ３を反射すると共に、ダイクロイックプリズム１２から出射される重ね合わせのレーザビームＬａを透過する。この重ね合わせのレーザビームＬａは、上記の通りシングルモードレーザビームＬ１の各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２とシングルモードレーザビームＬ２の各シングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２とをそれぞれ重ね合わせて成る。 Polarization beam splitter 13 is a polarizing member, on an intersection of the respective progression optical path of the multimode laser beam L 3 emitted from the laser beam La and the multimode semiconductor laser 3 of the superposition is output from the dichroic prism 12 Is provided. The polarizing beam splitter 13 is provided with a λ / 4 reflecting plate 14 as a polarizing member. A superposed laser beam La emitted from the dichroic prism 12 and a multimode laser beam L 3 output from the multimode semiconductor laser 3 are incident on the polarization beam splitter 13. The polarizing beam splitter 13 transmits the superposed laser beam La emitted from the dichroic prism 12 and transmits the multimode laser beam L3 output from the multimode semiconductor laser 3, and transmits the λ / 4 reflector 14. The multimode laser beam L 3 that has been rotated by 90 ° and reincident is reflected, so that it is reflected in the beam profile of the multimode laser beam L 3 and outside the beam profile along the longitudinal direction of the beam profile. Thus, the superimposed laser beam La is synthesized. It is described the synthesis of the laser beam La of not specifically overlapping the multimode laser beam L 3. As shown in FIG. 4, the λ / 4 reflector 14 is provided on the surface of the polarization beam splitter 13 that faces the surface on which the single multimode laser beam L 3 from the multimode semiconductor laser 3 is incident. A reflection mirror 15 is provided outside the λ / 4 reflection plate 14. Accordingly, when the single multi-mode laser beam L 3 is incident on the polarization beam splitter 13, it passes through the polarization beam splitter 13 and the λ / 4 reflection plate 14 and is reflected by the reflection mirror 15, and again, the λ / 4 reflection plate 14. , And passes through the polarization beam splitter 13. Thus, the multi-mode laser beam L 3 alone, so passes through the lambda / 4 reflector 14 twice, the phase is rotated by 90 degrees. The polarization beam splitter 13 reflects the single multimode laser beam L 3 rotated by 90 degrees and transmits the superimposed laser beam La emitted from the dichroic prism 12. The laser beam of the superposition La is the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 and the single mode laser beam the single mode laser beam k 2-1 of L 2 street single mode laser beam L 1 of the ˜k 2-12 are superimposed on each other.

このとき、偏光ビームスプリッタ１３は、重ね合わせのレーザビームＬａを透過することにより当該レーザビームＬａを形成する各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２をそれぞれ円形のビームプロファイルを有する複数のビームスポットに形成する。これと共に、偏光ビームスプリッタ１３は、λ／４反射板１４により９０度位相回転されて戻ってきた単独のマルチモードレーザビームＬ３を反射することにより横長形状のビームプロファイルに形成する。これにより、偏光ビームスプリッタ１３は、単独のマルチモードレーザビームＬ３のビームプロファイル内にレーザビームＬａの各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２を等ピッチで合成し、この合成されたレーザビームＬｂを出射する。 At this time, the polarization beam splitter 13 transmits the superposed laser beam La to form the laser beam La, which is a single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 , k 2-1 to k 2−. 12 are formed into a plurality of beam spots each having a circular beam profile. At the same time, the polarization beam splitter 13 reflects the single multimode laser beam L 3 that has been rotated by 90 ° by the λ / 4 reflector 14 and returned to form a horizontally elongated beam profile. Thus, the polarization beam splitter 13, a single multi-mode laser beam L 3 in the beam profile in the laser beam the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 of La in, k 2-1 to k 2-12 Are synthesized at equal pitches, and the synthesized laser beam Lb is emitted.

図５はマルチモードレーザビームＬ３と重ね合わせのレーザビームＬａとを合成したビームプロファイルを示す。マルチモードレーザビームＬ３は、横長形状のビームプロファイルに形成されている。一方、重ね合わせのレーザビームＬａは、波長λ１（＝９８０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ１の各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２と波長λ２（＝８３０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ２の各シングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２とをそれぞれ重ね合わせた複数のシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２から成る。これらシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２は、それぞれ円形のビームプロファイルに形成されている。そして、各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２のうち例えばシングルモードレーザ光ｋ１−４〜ｋ１−９、ｋ２−４〜ｋ２−９がマルチモードレーザビームＬ３の横長形状のビームプロファイル内に合成されている。なお、これらシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２は、例えば感熱記録媒体１６面上において等ピッチｊで合成される。 Figure 5 shows the beam profile obtained by synthesizing the laser beam La of the superimposed with the multimode laser beam L 3. Multimode laser beam L 3 is formed on the beam profile of the oblong. On the other hand, the superimposed laser beam La is a single mode of each single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 of the single mode laser beam L 1 having the wavelength λ 1 (= 980 nm) and the wavelength λ 2 (= 830 nm). A plurality of single-mode laser beams k 1-1 to k 1-12 and k 2-1 to k 2-12 obtained by superimposing the single-mode laser beams k 2-1 to k 2-12 of the laser beam L 2 , respectively. Consists of. These single-mode laser beam k 1-1 ~k 1-12, k 2-1 ~k 2-12 are respectively formed into a circular beam profile. Then, the single mode laser beam k 1-1 ~k 1-12, k 2-1 e.g. single mode laser beam k 1-4 to k 1-9 of ~k 2-12, k 2-4 ~k 2 -9 is synthesized in the beam profile of the oblong shape of the multimode laser beam L 3. It should be noted that these single mode laser beam k 1-1 ~k 1-12, k 2-1 ~k 2-12 , for example, it is synthesized at an equal pitch j sensitive recording medium 16 on the surfaces of.

なお、各シングルモード半導体レーザ１、２は、各ｐｎ接合面５に平行、垂直のいずれの方向にも数μｍ程度の複数のレーザ発光部４を有し、各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２を絞るのが容易であり、例えば略円形状に１００μｍ（１／ｅ２）程度に絞ることができる。一方、マルチモード半導体レーザ３は、ｐｎ接合面７に平行な方向にレーザ発光部６の長さが長く、マルチモードレーザビームＬ３を絞り難い。従って、マルチモード半導体レーザ３は、図１に示すようにマルチモードレーザビームＬ３の横長形状ビームプロファイルＦ３の横長方向が熱記録媒体１６上での主走査方向Ｓｍと一致するようにｐｎ接合面７の方向が配置される。 Each single mode semiconductor laser 1, 2 has a plurality of laser light emitting portions 4 of about several μm in both directions parallel to and perpendicular to each pn junction surface 5, and each single mode laser beam L 1 , L It is easy to squeeze 2 ; for example, it can be squeezed to approximately 100 μm (1 / e2) in a substantially circular shape. On the other hand, in the multimode semiconductor laser 3, the length of the laser emitting section 6 is long in the direction parallel to the pn junction surface 7, and it is difficult to narrow down the multimode laser beam L 3 . Thus, the multimode semiconductor laser 3, pn junction as the horizontal orientation of the oblong beam profile F 3 of the multimode laser beam L 3 as shown in FIG. 1 coincides with the main scanning direction Sm of the above thermal recording medium 16 The direction of the surface 7 is arranged.

偏向走査機構１７は、偏向機として例えばガルバノミラー１８と、このガルバノミラー１８に対して回転軸１９を介して連結され、ガルバノミラー１８を矢印ｇ方向に往復繰り返して回転させる回転駆動部２０とを有する。この偏向走査機構１７は、ガルバノミラー１８の矢印ｇ方向への回転により偏光ビームスプリッタ１３から出力された合成のレーザビームＬｂを感熱記録媒体１６上に主走査する。ガルバノミラー１８の回転軸１９は、円形ビームスポットに形成された各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２の偏向方向ｓ１、ｓ２に対して垂直で、かつ９０度位相回転されたマルチモードレーザビームＬ３の偏光方向ｓ３に対して平行な方向に設けられている。これにより、偏向走査機構１７は、マルチモードレーザビームＬ３の偏光方向ｓ３と同一方向、すなわち横長形状ビームプロファイルを有するマルチモードレーザビームＬ３の横長方向と同一方向に合成レーザビームＬｂを主走査する。 走査レンズ２１が偏向走査機構１７による合成レーザビームＬｂの主走査方向Ｓｍに設けられている。この走査レンズ２１は、偏向走査機構１７により主走査された合成レーザビームＬｂを感熱記録媒体１６面上に結像する。 The deflection scanning mechanism 17 includes, for example, a galvanometer mirror 18 as a deflector, and a rotation driving unit 20 that is coupled to the galvanometer mirror 18 via a rotation shaft 19 and rotates the galvanometer mirror 18 by reciprocating in the direction of the arrow g. Have. The deflection scanning mechanism 17 performs main scanning on the thermal recording medium 16 with the combined laser beam Lb output from the polarization beam splitter 13 by the rotation of the galvanometer mirror 18 in the arrow g direction. The rotation axis 19 of the galvanometer mirror 18 is directed to the deflection directions s 1 and s 2 of the single-mode laser beams k 1-1 to k 1-12 and k 2-1 to k 2-12 formed in the circular beam spot. The multimode laser beam L 3 is perpendicular to the polarization direction s 3 of the multimode laser beam L 3 rotated by 90 degrees. Thus, the deflection scanning mechanism 17, the multimode laser polarization direction s 3 of the beam L 3 in the same direction, i.e. the combined laser beam Lb in the horizontal direction and the same direction of the multimode laser beam L 3 with oblong beam profile main Scan. A scanning lens 21 is provided in the main scanning direction Sm of the combined laser beam Lb by the deflection scanning mechanism 17. The scanning lens 21 forms an image on the surface of the thermal recording medium 16 of the combined laser beam Lb that has been main-scanned by the deflection scanning mechanism 17.

感熱記録媒体１６は、特定温度の加熱制御により発色と消色とを繰り返し、感熱記録、感熱消去を可能とするリライタブルな可逆性の媒体である。この感熱記録媒体１６は、図６に示すように融点１８０℃以上をかけると印字層中に存在する染料と顕色剤とが溶け合った状態になり、この状態から急冷することにより染料と顕色剤とが混ざり合ったまま結晶化して発色する。一方、感熱記録媒体１６は、ゆっくり冷却すると、染料と顕色剤とがそれぞれ結晶化するので、発色状態を保てず、消去状態になる。さらに、感熱記録媒体１６は、染料と顕色剤との融点以下でもある一定時間の加熱により染料と顕色剤とが徐々に分離して結晶化し、消去状態となる温度域、例えば約１３０℃〜１７０℃程度もある。   The heat-sensitive recording medium 16 is a rewritable and reversible medium that can perform heat-sensitive recording and heat-erasing by repeating color development and decoloring by heating control at a specific temperature. As shown in FIG. 6, when the melting point of 180 ° C. or higher is applied, the heat-sensitive recording medium 16 is in a state where the dye existing in the print layer and the developer are melted together, and by rapidly cooling from this state, the dye and the developer are developed. Crystallizes and develops color while mixing with the agent. On the other hand, when the thermal recording medium 16 is slowly cooled, the dye and the developer are crystallized, so that the colored state cannot be maintained and the erased state is obtained. Further, the heat-sensitive recording medium 16 has a temperature range in which the dye and the developer are gradually separated and crystallized by heating for a certain time which is not more than the melting point of the dye and the developer, for example, about 130 ° C. There is also about -170 degreeC.

図７は各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２及びマルチモードレーザビームＬ３を感熱記録媒体１６に照射したときの媒体温度と発色・消色等の関係を示す。感熱記録媒体１６は、室温Ｔｒ（例えば２５℃）から温度Ｔ１を超えて加熱し、冷却すると消去するモード（消去領域）となり、温度Ｔ１以上の温度Ｔ２を超えて加熱し、急冷すると発色する。なお、感熱記録媒体１６は、温度Ｔ１以下であれば変化しない。 FIG. 7 shows the relationship between the medium temperature and color development / decoloration when the thermal recording medium 16 is irradiated with the single mode laser beams L 1 and L 2 and the multimode laser beam L 3 . Thermosensitive recording medium 16 is heated above the temperature T 1 of from room temperature Tr (e.g. 25 ° C.), the mode to be erased upon cooling (erased area), and heated above the temperature T 1 of a temperature above T 2, when quenched Color develops. Incidentally, the heat-sensitive recording medium 16 does not change as long as temperatures T 1 below.

しかるに、各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２は、それぞれ単独で、感熱記録媒体１６に照射することにより感熱記録媒体１６に対する消去レベル以下のパワー及びビーム径を有する。これにより、各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２をそれぞれ単独で感熱記録媒体１６に照射したときの温度上昇は、温度Ｔ１以下であり、感熱記録媒体１６に変化はない。 However, each of the single mode laser beams L 1 and L 2 has a power and a beam diameter that are less than or equal to the erasing level with respect to the thermal recording medium 16 by irradiating the thermal recording medium 16 alone. As a result, the temperature rise when the single mode laser beams L 1 and L 2 are individually irradiated onto the thermal recording medium 16 is equal to or lower than the temperature T 1 , and the thermal recording medium 16 does not change.

一方、マルチモードレーザビームＬ３は、単独で、感熱記録媒体１６に照射することにより感熱記録媒体１６に対する記録を不能とし、かつ消去レベルのパワー及びビーム径を有する。これにより、マルチモードレーザビームＬ３を単独で感熱記録媒体１６に照射したときの温度上昇は、温度Ｔ１以上でかつ温度Ｔ２以下であり、感熱記録媒体１６に対する記録を不能とするものの消去領域に温度上昇する。 On the other hand, the multimode laser beam L 3, alone and disable recording on the thermal recording medium 16 by irradiating the thermal recording medium 16, and has a power and beam diameter of the erase level. Thereby, the temperature rise at the time of irradiating the thermal recording medium 16 a multi-mode laser beam L 3 independently is a a and temperature T 2 lower than the temperature above T 1, erase those to disable recording on the thermosensitive recording medium 16 The temperature rises in the area.

なお、以上の発色、消色の作用は、任意の感熱記録媒体１６の搬送スピードにおいて生じる。感熱記録媒体１６の搬送スピードが遅くなると、感熱記録媒体１６上の単位面積当たりのエネルギー、すなわちレーザビームのパワーと照射時間との積が大きくなるので、例えば各シングルモード半導体レーザ１、２のいずれかのみでも感熱記録媒体１６への記録が可能である。   It should be noted that the above coloring and decoloring actions occur at any conveyance speed of the thermal recording medium 16. When the conveyance speed of the thermal recording medium 16 is decreased, the energy per unit area on the thermal recording medium 16, that is, the product of the laser beam power and the irradiation time increases. It is possible to record on the heat-sensitive recording medium 16 using only the above.

各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２とマルチモードレーザビームＬ３とを合成した合成レーザビームＬｂは、感熱記録媒体１６に照射することにより感熱記録媒体１６の温度上昇を温度Ｔ２以上とし、感熱記録媒体１６に対する記録を可能とする。
搬送機構２２は、感熱記録媒体１６を副走査方向Ｓｓに例えば一定の搬送速度で搬送する。副走査方向Ｓｓは、主走査方向Ｓｍに対して垂直方向である。 The combined laser beam Lb obtained by combining the single mode laser beams L 1 and L 2 and the multimode laser beam L 3 irradiates the thermal recording medium 16 to increase the temperature of the thermal recording medium 16 to a temperature T 2 or more. Recording on the thermal recording medium 16 is enabled.
The transport mechanism 22 transports the thermal recording medium 16 in the sub-scanning direction Ss, for example, at a constant transport speed. The sub scanning direction Ss is a direction perpendicular to the main scanning direction Sm.

ここで、図８を参照して第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力されるシングルモードレーザビームＬ１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されるシングルモードレーザビームＬ２との重ね合わせの条件について説明する。
第１のシングルモード半導体レーザアレイ１と第１のコリメータレンズ９との間の距離をａ１、第１のコリメータレンズ９とダイクロイックミラー１２との間の距離をｂ１、ダイクロイックミラー１２とガルバノミラー１８の反射面との間の距離をｂ２、ガルバノミラー１８の反射面と感熱記録媒体１６上の結像面との間の距離をｂ３、第１のコリメータレンズ９の焦点距離をｆ１としたとき、次式
１／ｆ１＝１／ａ１＋１／（ｂ１＋ｂ２＋ｂ３） …（１）
を満たす。
又、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２と第２のコリメータレンズ１０との間の距離をａ１’、第２のコリメータレンズ１０とダイクロイックミラー１２との間の距離をｂ１’、第２のコリメータレンズ１０の焦点距離をｆ１’としたとき、次式
１／ｆ１’＝１／ａ１’＋１／（ｂ１’＋ｂ２＋ｂ３） …（２）
を満たす。感熱記録媒体１６上の結像面上での第１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ１、２の各ピッチｑが等しくないと、ダイクロイックミラー１２により重ね合わせたレーザビームＬａの重ね合せの効果が部分的になるので、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力されるシングルモードレーザビームＬ１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されるシングルモードレーザビームＬ２が一致して重ね合わさるには、以下の条件に設定する必要がある。
ａ１＝ａ１’、ｂ１＝ｂ１’、ｆ１＝ｆ１’ …（３）
次に、上記の如く構成された装置による記録動作について説明する。
第１のシングルモード半導体レーザアレイ１は、複数の第１のレーザ発光部４からそれぞれ例えば波長λ１（９８０ｎｍ）でＳ偏光の複数のシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２を出力する。これにより、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１は、複数のシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２から成るシングルモードレーザビームＬ１を出力する。このシングルモードレーザビームＬ１の各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２は、等ピッチｑ（＝例えば１２５μｍ）で、例えば１２本出力される。これらシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２のＳ偏光の偏向方向ｓ１は、それぞれｐｎ接合面５の接合面方向と同一方向で、ｐｎ接合面５の接合面方向に対して垂直方向の横長形状のビームプロファイルＰ１を有する。この第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力されたシングルモードレーザビームＬ１は、第１のコリメータレンズ９を通してダイクロイックミラー１２に入射する。 Here, referring to FIG. 8, the single mode laser beam L 1 output from the first single mode semiconductor laser array 1 and the single mode laser beam L 2 output from the second single mode semiconductor laser array 2. The superposition conditions will be described.
The distance between the first single-mode semiconductor laser array 1 and the first collimator lens 9 is a 1 , the distance between the first collimator lens 9 and the dichroic mirror 12 is b 1 , the dichroic mirror 12 and the galvanometer mirror distance b 2 between the reflective surfaces of 18, b 3 the distance between the reflecting surface and the heat sensitive recording medium the image plane of the 16 of the galvano mirror 18, the focal length of the first collimator lens 9 f 1 When
1 / f 1 = 1 / a 1 + 1 / (b 1 + b 2 + b 3 ) (1)
Meet.
The distance between the second single-mode semiconductor laser array 2 and the second collimator lens 10 is a 1 ′, the distance between the second collimator lens 10 and the dichroic mirror 12 is b 1 ′, and the second When the focal length of the collimator lens 10 is f 1 ′,
1 / f 1 '= 1 / a 1 ' + 1 / (b 1 '+ b 2 + b 3 ) (2)
Meet. If the pitches q of the first and second single mode semiconductor laser arrays 1 and 2 on the imaging surface on the thermal recording medium 16 are not equal, the effect of superimposing the laser beams La superimposed by the dichroic mirror 12 Therefore, the single mode laser beam L 1 output from the first single mode semiconductor laser array 1 and the single mode laser beam L 2 output from the second single mode semiconductor laser array 2 coincide with each other. In order to overlap, it is necessary to set the following conditions.
a 1 = a 1 ′, b 1 = b 1 ′, f 1 = f 1 ′ (3)
Next, a recording operation by the apparatus configured as described above will be described.
The first single mode semiconductor laser array 1 outputs a plurality of S-polarized single mode laser beams k 1-1 to k 1-12, for example, each having a wavelength λ 1 (980 nm) from the plurality of first laser light emitting units 4. To do. Thus, the first single mode semiconductor laser array 1 outputs a single mode laser beam L 1 comprising a plurality of single mode laser beam k 1-1 to k 1-12. The single mode laser beam the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 of L 1 is at an equal pitch q (= e.g. 125 [mu] m), and output for example, 12. The polarization directions s 1 of S-polarized light of these single mode laser beams k 1-1 to k 1-12 are the same direction as the junction surface direction of the pn junction surface 5 and perpendicular to the junction surface direction of the pn junction surface 5. It has a beam profile P 1 in the direction of oblong shape. The single mode laser beam L 1 output from the first single mode semiconductor laser array 1 enters the dichroic mirror 12 through the first collimator lens 9.

第２のシングルモード半導体レーザアレイ２は、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１と同様に、複数の第１のレーザ発光部４からそれぞれ例えば波長λ２（８３０ｎｍ）でＳ偏光の複数のシングルモードレーザビーム光ｋ２−１〜ｋ２−１２を出力する。これにより、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２は、複数のシングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２から成るシングルモードレーザビームＬ２を出力する。このとき、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ２とは、略同一タイミングでそれぞれシングルモードレーザビームＬ１を出力すると共に、シングルモードレーザビームＬ２を出力する。 Similar to the first single-mode semiconductor laser array 1, the second single-mode semiconductor laser array 2 includes a plurality of S-polarized single modes each having a wavelength λ 2 (830 nm) from the plurality of first laser light emitting units 4, for example. outputting a laser beam k 2-1 to k 2-12. Thus, single mode semiconductor laser array 2 of the second outputs a single mode laser beam L 2 consisting of a plurality of single mode laser beam k 2-1 to k 2-12. At this time, the first single mode semiconductor laser array 1 and the second single mode semiconductor laser array 2 output the single mode laser beam L 1 and the single mode laser beam L 2 at substantially the same timing. .

第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されたシングルモードレーザビームＬ２の各シングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２は、等ピッチｑ（＝例えば１２５μｍ）で、例えば１２本出力される。これらシングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２のＳ偏光の偏向方向ｓ２は、ｐｎ接合面５の接合面方向と同一方向で、ｐｎ接合面５の接合面方向に対して垂直方向の横長形状のビームプロファイルＰ２を有する。この第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されたシングルモードレーザビームＬ２は、第２のコリメータレンズ１０を通してダイクロイックミラー１２に入射する。 Second single-mode semiconductor laser the single mode laser beam k 2-1 to k 2-12 array single mode laser beam L 2 2 output from the at equal pitch q (= e.g. 125 [mu] m), for example, 12 output Is done. The polarization direction s 2 of the S-polarized light of these single mode laser beams k 2-1 to k 2-12 is the same direction as the bonding surface direction of the pn bonding surface 5 and is perpendicular to the bonding surface direction of the pn bonding surface 5. It has an oblong shape of the beam profile P 2. The single mode laser beam L 2 output from the second single mode semiconductor laser array 2 enters the dichroic mirror 12 through the second collimator lens 10.

一方、マルチモード半導体レーザ３は、１つの第２のレーザ発光部６から例えばλ３（＝λ２＝波長８３０ｎｍ）でＰ偏光の単独のマルチモードレーザビームＬ３を出力する。このマルチモードレーザビームＬ３のＰ偏光の偏向方向ｓ３は、ｐｎ接合面７の接合面方向と同一方向である。このマルチモードレーザビームＬ３は、ｐｎ接合面７の接合面方向に対して垂直方向の横長形状のビームプロファイルＰ３を有する。このマルチモードレーザビームＬ３は、第３のコリメータレンズ１１を通して偏光ビームスプリッタ１３に入射する。 On the other hand, the multi-mode semiconductor laser 3 outputs a single multi-mode laser beam L 3 of P-polarized light, for example, at λ 3 (= λ 2 = wavelength 830 nm) from one second laser light emitting unit 6. The multimode laser beam L deflected direction s 3 of the P-polarized light 3 is a cemented surface in the same direction as that of the pn junction plane 7. The multimode laser beam L 3 has a beam profile P 3 having a horizontally long shape perpendicular to the bonding surface direction of the pn bonding surface 7. The multimode laser beam L 3 is incident on the polarization beam splitter 13 through the third collimator lens 11.

ダイクロイックプリズム１２は、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力される波長λ１（＝９８０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ１の進行方向を角度９０度変えて反射すると共に、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力される波長λ２（＝８３０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ２を透過し、これらマルチモードレーザビームＬ１とシングルモードレーザビームＬ２とを重ね合わせたレーザビームＬａを出射する。この場合、ダイクロイックプリズム１２は、図２に示すように第１のシングルモード半導体レーザアレイ１における各第１のレーザ発光部４からそれぞれ出力される複数のシングルモードレーザビーム光ｋ１−１〜ｋ１−１２と、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２における各第１のレーザ発光部４からそれぞれ出力される複数のシングルモードレーザビーム光ｋ２−１〜ｋ２−１２との同士を重ね合わせる。この重ね合わせのレーザビームＬａは、図５に示すように各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２から成る。この重ね合わせのレーザビームＬａは、偏光ビームスプリッタ１３に入射する。 The dichroic prism 12 reflects and changes the traveling direction of the single-mode laser beam L 1 having the wavelength λ 1 (= 980 nm) output from the first single-mode semiconductor laser array 1 by an angle of 90 degrees and the second single mode. A single mode laser beam L 2 having a wavelength λ 2 (= 830 nm) output from the semiconductor laser array 2 is transmitted, and a laser beam La obtained by superimposing the multimode laser beam L 1 and the single mode laser beam L 2 is emitted. To do. In this case, the dichroic prism 12 includes a plurality of single mode laser beam lights k 1-1 to k 1 -k output from the first laser light emitting units 4 in the first single mode semiconductor laser array 1 as shown in FIG. 1-12 and a plurality of single-mode laser beam lights k 2-1 to k 2-12 output from the first laser emission units 4 in the second single-mode semiconductor laser array 2 are overlapped with each other. . The laser beam of the superposition La is the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 as shown in FIG. 5, consisting of k 2-1 to k 2-12. The superimposed laser beam La is incident on the polarization beam splitter 13.

この偏光ビームスプリッタ１３において、マルチモードレーザビームＬ３は、偏光ビームスプリッタ１３に入射すると、偏光ビームスプリッタ１３、λ／４反射板１４を透過して反射ミラー１５で反射し、再び、λ／４反射板１４、偏光ビームスプリッタ１３を透過する。これにより、マルチモードレーザビームＬ３は、λ／４反射板１４を２度透過するので、その位相は、９０度回転する。偏光ビームスプリッタ１３は、９０度位相の回転したマルチモードレーザビームＬ３を反射すると共に、重ね合わせのレーザビームＬａを透過する。 In this polarizing beam splitter 13, when the multimode laser beam L 3 is incident on the polarizing beam splitter 13, it passes through the polarizing beam splitter 13 and the λ / 4 reflector 14 and is reflected by the reflecting mirror 15, and again becomes λ / 4. The light passes through the reflecting plate 14 and the polarizing beam splitter 13. Thus, the multi-mode laser beam L 3 is so transmitted through the lambda / 4 reflector 14 twice, the phase is rotated by 90 degrees. Polarization beam splitter 13, while reflecting the multimode laser beam L 3 rotated 90 degree phase, it transmits the laser beam La superposition.

このとき、偏光ビームスプリッタ１３は、図５に示すように重ね合わせのレーザビームＬａを透過することにより当該レーザビームＬａを形成する各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２をそれぞれ円形のビームプロファイルを有する複数のビームスポットに形成する。これと共に、偏光ビームスプリッタ１３は、λ／４反射板１４により９０度位相回転されて戻ってきた単独のマルチモードレーザビームＬ３を反射することにより横長形状のビームプロファイルに形成する。これにより、偏光ビームスプリッタ１３は、単独のマルチモードレーザビームＬ３のビームプロファイル内にレーザビームＬａの各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２を等ピッチｑで合成し、この合成のレーザビームＬｂを出射する。 At this time, as shown in FIG. 5, the polarization beam splitter 13 transmits the superposed laser beam La, thereby forming the laser beam La to each single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 , k 2. −1 to k 2-12 are formed into a plurality of beam spots each having a circular beam profile. At the same time, the polarization beam splitter 13 reflects the single multimode laser beam L 3 that has been rotated by 90 ° by the λ / 4 reflector 14 and returned to form a horizontally elongated beam profile. Thus, the polarization beam splitter 13, a single multi-mode laser beam L 3 in the beam profile in the laser beam the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 of La in, k 2-1 to k 2-12 Are synthesized at an equal pitch q, and this synthesized laser beam Lb is emitted.

なお、マルチモードレーザビームＬ３の横長形状のビームプロファイル内には、例えば１２本のシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２のうち例えば６本のレーザビームｋ１−４〜ｋ１−９、ｋ２−４〜ｋ２−９が重ね合わされ、残りの６本のレーザビームｋ１−１〜ｋ１−３、ｋ２−１〜ｋ２−３と、ｋ１−１０〜ｋ１−１２、ｋ２−１０〜ｋ２−１２とがビームプロファイルの横軸方向に沿ってビームプロファイルの両外側にそれぞれ３本ずつある。マルチモードレーザビームＬ３の横長形状のビームプロファイルと１２本の円形のシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２との位置関係は、例えば偏光ビームスプリッタ１３を１２本のシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２の進行方向に沿って移動されることにより変えることが可能である。 Note that the multimode laser beam within the beam profile of the oblong shape of L 3, for example, 12 single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 of out for example six k 2-1 to k 2-12 laser beam k 1-4 to k 1-9 of, k 2-4 to k 2-9 are superimposed, the laser of the remaining six beams k 1-1 ~k 1-3, k 2-1 ~k 2 -3 , k 1-10 to k 1-12 , and k 2-10 to k 2-12 are provided on both outer sides of the beam profile along the horizontal axis direction of the beam profile. The multimode laser beam L 3 in the horizontally long shape of the beam profile and twelve circular single mode laser beam k 1-1 to k 1-12, the positional relationship between k 2-1 to k 2-12, for example a polarization beam splitter 13 twelve single-mode laser beam k 1-1 to k 1-12 of, it is possible to vary by being moved along the traveling direction of the k 2-1 to k 2-12.

偏向走査機構１７は、回転駆動部２０の駆動により回転軸１９を介してガルバノミラー１８を矢印ｇ方向に連続して往復回転させる。これにより、偏光ビームスプリッタ１３から出力された合成レーザビームＬｂは、感熱記録媒体１６上において主走査方向Ｓｍに主走査される。この場合、ガルバノミラー１８の回転軸１９は、円形のビームプロファイルに形成された各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２のＳ偏光の偏向方向ｓ１、ｓ２に対して垂直で、かつ横長形状ビームプロファイルに形成されたＰ偏光のマルチモードレーザビームＬ３の偏光方向ｓ３に対して平行な方向に設けられている。しかるに、合成レーザビームＬｂは、偏向走査機構１７によって各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２のＳ偏光の偏向方向ｓ１、ｓ２と同一方向、すなわち横長形状ビームプロファイルに形成されたマルチモードレーザビームＬ３の横長方向と同一方向に主走査される。 The deflection scanning mechanism 17 reciprocally rotates the galvanometer mirror 18 continuously in the direction of the arrow g through the rotation shaft 19 by driving the rotation driving unit 20. Accordingly, the combined laser beam Lb output from the polarization beam splitter 13 is main-scanned in the main scanning direction Sm on the thermal recording medium 16. In this case, the rotation shaft 19 of the galvano mirror 18, a circular the single mode laser beam is formed on the beam profile k 1-1 to k 1-12, the polarization direction of the S polarized light of the k 2-1 to k 2-12 It is perpendicular to s 1 and s 2 and is provided in a direction parallel to the polarization direction s 3 of the P-polarized multimode laser beam L 3 formed in a horizontally long beam profile. However, the combined laser beam Lb is deflected by the deflection scanning mechanism 17 in the same direction as the polarization directions s 1 and s 2 of the S-polarized light of the single mode laser beams k 1-1 to k 1-12 and k 2-1 to k 2-12. direction, that is, the main scanning in the horizontal direction and the same direction of the multimode laser beam L 3 formed in a horizontally long shape beam profiles.

偏向走査機構１７により主走査された合成レーザビームＬｂは、走査レンズ２１によって感熱記録媒体１６面上に結像される。ここで、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１と第１のコリメータレンズ９との間の距離ａ１と、第１のコリメータレンズ９とダイクロイックミラー１２との間の距離ｂ１と、第１のコリメータレンズ９の焦点距離ｆ１と、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２と第２のコリメータレンズ１０との間の距離ａ１’と、第２のコリメータレンズ１０とダイクロイックミラー１２との間の距離ｂ１’と、第２のコリメータレンズ１０の焦点距離ｆ１’とは、上記式（３）に示す条件に設定されているので、感熱記録媒体１６上の結像面上において、感熱記録媒体１６上の結像面上での第１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ１、２の各ピッチｑが等しくなり、これら第１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ１、２とは、一致して重ね合わされる。 The combined laser beam Lb main-scanned by the deflection scanning mechanism 17 is imaged on the surface of the thermal recording medium 16 by the scanning lens 21. Here, the distance a 1 between the first single-mode semiconductor laser array 1 and the first collimator lens 9, the distance b 1 between the first collimator lens 9 and the dichroic mirror 12, a first The focal length f 1 of the collimator lens 9, the distance a 1 ′ between the second single-mode semiconductor laser array 2 and the second collimator lens 10, and the distance between the second collimator lens 10 and the dichroic mirror 12 Since the distance b 1 ′ and the focal length f 1 ′ of the second collimator lens 10 are set to the conditions shown in the above equation (3), the thermal recording is performed on the imaging surface on the thermal recording medium 16. The pitches q of the first and second single-mode semiconductor laser arrays 1 and 2 on the imaging surface on the medium 16 are equal, and the first and second single-mode semiconductor laser arrays 1 and 2 are equal. It is superimposed match.

偏向走査機構１７により主走査された合成レーザビームＬｂは、感熱記録媒体１６面上に、横長形状ビームプロファイルに形成されたマルチモードレーザビームＬ３の横長方向と同一方向に主走査される。これにより、感熱記録媒体１６には、先ず、図５に示すように主走査方向に従って重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−１２〜ｋ１−１０、ｋ２−１２〜ｋ２−１０が単独で順次感熱記録媒体１６面上の同一部分に照射される。重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−１２〜ｋ１−１０、ｋ２−１２〜ｋ２−１０が単独で感熱記録媒体１６に照射されたときの温度上昇は、図７に示すように温度Ｔ１以上でかつ温度Ｔ２以下であり、感熱記録媒体１６に対する記録を不能とするものの消去領域に温度上昇する。 Combined laser beam Lb, which is the main scanning by the deflection scanning mechanism 17, the heat-sensitive recording medium 16 on the surfaces of, the main scanning in the horizontal direction and the same direction of the multimode laser beam L 3 formed in a horizontally long shape beam profiles. As a result, first, the single mode laser beams k 1-12 to k 1-10 and k 2-12 to k 2-10 superimposed on each other in the main scanning direction as shown in FIG. The same part on the surface of the thermal recording medium 16 is sequentially irradiated alone. As shown in FIG. 7, the temperature rise when each superposed single mode laser beam k 1-12 to k 1-10 and k 2-12 to k 2-10 is irradiated to the thermal recording medium 16 alone. temperatures T 1 or more and is a temperature T 2 below which the temperature rises to the erased area of which the disabling recording on the thermosensitive recording medium 16.

次に、感熱記録媒体１６面上には、重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−９〜ｋ１−４、ｋ２−９〜ｋ２−４とマルチモードレーザビームＬ３との合成された部分が照射される。このうち各シングルモードレーザ光ｋ１−９〜ｋ１−４、ｋ２−９〜ｋ２−４は、単独で順次感熱記録媒体１６面上の同一部分に照射される。これらシングルモードレーザ光ｋ１−９〜ｋ１−４、ｋ２−９〜ｋ２−４とマルチモードレーザビームＬ３との合成された部分が感熱記録媒体１６に照射されたときの温度上昇は、温度Ｔ２以上となり、感熱記録媒体１６に対する記録を可能とする。従って、各シングルモード半導体レーザ１、２は、例えば文字や記号、絵柄等の情報に応じて各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２の出力を同期してオン・オフすれば、感熱記録媒体１６に例えば文字や記号、絵柄等の情報の記録が可能になる。 Then, the heat-sensitive recording medium 16 on the surfaces of the respective superimposed single mode laser beam k 1-9 to k 1-4, it is combined with the k 2-9 to k 2-4 and the multimode laser beam L 3 The part is irradiated. Among the single mode laser beam k 1-9 ~k 1-4, k 2-9 ~k 2-4 is irradiated successively to the same portion of the thermosensitive recording medium on 16 surface alone. Temperature rise when the thermal recording medium 16 is irradiated with the combined portion of the single mode laser beams k 1-9 to k 1-4 , k 2-9 to k 2-4 and the multimode laser beam L 3. becomes a temperature T 2 above, to enable recording on the thermosensitive recording medium 16. Therefore, each single mode semiconductor laser 1, 2 can be turned on / off in synchronization with the output of each single mode laser beam L 1 , L 2 according to information such as characters, symbols, patterns, etc. For example, it is possible to record information such as characters, symbols, and patterns.

次に、感熱記録媒体１６面上には、再び、重ね合わされた各シングルモードレーザビームｋ１−３〜ｋ１−１、ｋ２−３〜ｋ２−１が単独で順次感熱記録媒体１６面上の同一部分に照射される。この結果、感熱記録媒体１６面上は、温度Ｔ１以上の温度Ｔ２を超えて加熱し、急冷することになるので、感熱記録媒体１６は、例えば黒色等に発色する。感熱記録媒体１６は、黒色に限らず、染色材料によって任意の色に発色可能である。 Next, the superimposed single-mode laser beams k 1-3 to k 1-1 and k 2-3 to k 2-1 are separately and sequentially placed on the surface of the thermal recording medium 16. The same part above is irradiated. As a result, the heat-sensitive recording medium 16 on the surface is heated above the temperature T 1 of more temperature T 2, it means that the quenching, heat-sensitive recording medium 16 is colored, for example black or the like. The thermal recording medium 16 is not limited to black, and can be colored in any color using a dyeing material.

しかるに、偏向走査機構１７は、合成レーザビームＬｂを横長形状ビームプロファイルに形成されたマルチモードレーザビームＬ３の横長方向と同一方向に主走査し、かつ搬送機構２２は、感熱記録媒体１６を副走査方向Ｓｓに例えば一定の搬送速度で搬送するので、感熱記録媒体１６の全面に例えば文字や記号、絵柄等の情報が記録される。 However, the deflection scanning mechanism 17, a combined laser beam Lb to the main scanning in the horizontal direction and the same direction of the multimode laser beam L 3 formed oblong beam profile, and the transport mechanism 22, a heat-sensitive recording medium 16 sub For example, information such as characters, symbols, and patterns is recorded on the entire surface of the heat-sensitive recording medium 16 because it is transported at a constant transport speed in the scanning direction Ss.

このように上記第１の実施の形態によれば、第１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ１、２から出力された各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２をダイクロイックプリズム１２により重ね合せ、この重ね合わせのレーザビームＬａとマルチモード半導体レーザ２から出力されたマルチモードレーザビームＬ２とをλ／４反射板１４を設けた偏光ビームスプリッタ１３によって合成し、この合成レーザビームＬｂを偏向走査機構１７によって感熱記録媒体１６面上にマルチモードレーザビームＬ３の横長方向と同一方向に主走査する。 As described above, according to the first embodiment, the single mode laser beams L 1 and L 2 output from the first and second single mode semiconductor laser arrays 1 and 2 are overlapped by the dichroic prism 12. a multimode laser beam L 2 output from the laser beam La and the multimode semiconductor laser 2 of the superposition was synthesized by the polarization beam splitter 13 provided with a lambda / 4 reflector 14, deflection scanning the combined laser beam Lb main scanning in the horizontal direction and the same direction of the multimode laser beam L 3 on the thermal recording medium 16 on the surfaces of the mechanism 17.

これにより、リライタブルな感熱記録媒体１６に対して各シングルモード半導体レーザ１、２とマルチモード半導体レーザ３とを用いて非接触で熱を与え、１個のマルチモード半導体レーザ３では感熱記録媒体１６の消去領域までしか温度を上昇することができない条件であり、かつ他の２個のシングルモード半導体レーザ１、２でもパワーが小さくて単独で感熱記録媒体１６に記録できない条件であっても、これらシングルモード半導体レーザ１、２のシングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２とマルチモード半導体レーザ３のマルチモードレーザビームＬ３とを合成することにより感熱記録媒体１６上の単位面積当たりのエネルギーを大きくし、感熱記録媒体１６に照射したときの温度上昇を感熱記録媒体１６に対する記録を可能とする温度に上昇でき、感熱記録媒体１６に対する情報の記録ができる。 Thus, heat is applied to the rewritable thermal recording medium 16 in a non-contact manner using the single-mode semiconductor lasers 1 and 2 and the multi-mode semiconductor laser 3, and the single multi-mode semiconductor laser 3 is used for the thermal recording medium 16. However, even if the other two single-mode semiconductor lasers 1 and 2 are low in power and cannot be recorded on the thermal recording medium 16 alone, the temperature can be increased only up to the erasing region. The energy per unit area on the thermal recording medium 16 is increased by synthesizing the single mode laser beams L 1 and L 2 of the single mode semiconductor lasers 1 and 2 and the multi mode laser beam L 3 of the multi mode semiconductor laser 3. The temperature increase when the thermal recording medium 16 is irradiated can be recorded on the thermal recording medium 16. The temperature can be increased, and information can be recorded on the thermal recording medium 16.

すなわち、感熱記録媒体１６には、先ず、図５に示すように各シングルモードレーザ光ｋ１−１２〜ｋ１−１０、ｋ２−１２〜ｋ２−１０が単独で順次照射されて感熱記録媒体１６に対する記録を不能とするものの消去領域に温度上昇させ、次に、感熱記録媒体１６面上に各シングルモードレーザ光ｋ１−９〜ｋ１−４、ｋ２−９〜ｋ２−４とマルチモードレーザビームＬ３との合成された部分を照射して感熱記録媒体１６の温度を記録可能とし、再び、各シングルモードレーザビームｋ１−３〜ｋ１−１、ｋ２−３〜ｋ２−１を単独で照射することにより感熱記録媒体１６面上を温度Ｔ１以上の温度Ｔ２を超えて加熱、急冷し、感熱記録媒体１６を例えば黒色等に発色する。これにより、感熱記録媒体１６への高解像度の記録が可能になる。
各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２を重ね合せることによりレーザビームのパワーを有効利用して感熱記録媒体１６に対する感熱記録時のパワー不足を解消し、かつ記録スピードを例えばサーマルヘッドを用いた印刷装置と同程度の印刷スピードに確保でき、記録スピードの高速化を実現できる。
特に、図５に示すように重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２を主走査方向Ｓｍに僅かな時間をおいて順次感熱記録媒体１６面上の同一部分に照射するので、例えば各シングルモード半導体レーザ１、２の各第１のレーザ発光部（レーザチップ）４の数倍のレーザパワーを活用することができる。これにより、記録スピードの高速化を実現できる。 That is, the thermal recording medium 16 is first irradiated with each single mode laser beam k 1-12 to k 1-10 and k 2-12 to k 2-10 independently as shown in FIG. increased in temperature to erase the region of which the disabling recording on medium 16, then the single heat-sensitive recording medium 16 on the surfaces of mode laser beam k 1-9 ~k 1-4, k 2-9 ~k 2-4 And the temperature of the thermal recording medium 16 can be recorded by irradiating the combined portion of the laser beam and the multimode laser beam L 3, and each single mode laser beam k 1-3 to k 1-1 , k 2-3 to k 2-1 heating a thermosensitive recording medium 16 Menjo exceed temperature T 1 of more temperature T 2 by irradiating alone, quenched, and color thermal recording medium 16, for example, black or the like. Thereby, high-resolution recording on the heat-sensitive recording medium 16 becomes possible.
By superimposing the single mode laser beams L 1 and L 2 , the power of the laser beam is effectively used to eliminate power shortage during thermal recording on the thermal recording medium 16, and the recording speed is printed using, for example, a thermal head. The printing speed can be as high as that of the device, and the recording speed can be increased.
In particular, sequential thermal recording at a short time in the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12, the k 2-1 to k 2-12 main scanning direction Sm superimposed as shown in FIG. 5 Since the same portion on the surface of the medium 16 is irradiated, for example, the laser power several times that of the first laser emission units (laser chips) 4 of the single mode semiconductor lasers 1 and 2 can be utilized. As a result, the recording speed can be increased.

各シングルモード半導体レーザ１、２は、各ｐｎ接合面５に平行、垂直のいずれの方向にも数μｍ程度の複数のレーザ発光部４を有するので、これらレーザ発光部４から出力される各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２を絞るのが容易であるという特徴を有し、情報の記録に用いることができる。一方、マルチモード半導体レーザ３は、ｐｎ接合面７に平行な方向の長さが１００μｍ程度の長く、このｐｎ接合面７に平行な方向に走査面上でマルチモードレーザビームＬ３を絞り難いが、感熱記録媒体１６上での主走査方向Ｓｍに横長形状ビームプロファイルとして消去用、予熱用として用いることができる。従って、各シングルモード半導体レーザ１、２とマルチモード半導体レーザ３との各特長を有効に利用して感熱記録媒体１６に対する情報の記録ができる。 Each single mode semiconductor laser 1, 2 has a plurality of laser light emitting portions 4 of about several μm in both directions parallel to and perpendicular to each pn junction surface 5. characterized in that mode laser beam k 1-1 to k 1-12, it is easy to squeeze k 2-1 to k 2-12, it can be used for recording of information. On the other hand, the multimode semiconductor laser 3, the length in a direction parallel to the pn junction surface 7 is about 100μm long and hard to stop the multi-mode laser beam L 3 on the scanning plane in a direction parallel to the pn junction plane 7 It can be used for erasing and preheating as a horizontally long beam profile in the main scanning direction Sm on the thermal recording medium 16. Therefore, information can be recorded on the thermal recording medium 16 by effectively using the features of the single mode semiconductor lasers 1 and 2 and the multimode semiconductor laser 3.

又、各シングルモード半導体レーザ１、２とマルチモード半導体レーザ３とを同時にオン・オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）することで、オフの領域で感熱記録媒体１６に元々記録されていた情報を消去せずに、オンの領域のみ情報の書き換えを可能とする情報記録が可能になる。
第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力される波長λ１（９８０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ１と、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力される波長λ２（８３０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ２と、マルチモード半導体レーザ３から出力される波長λ３（８３０ｎｍ）のマルチモードレーザビームＬ３とのように偏光方向や波長の違いを利用して各レーザビームＬ１、Ｌ２、Ｌ３を重ね合せるので、感熱記録媒体１６に対する感熱記録時のパワー不足を解消でき、単独の波長のレーザビームでは記録できない条件であっても感熱記録媒体１６への記録が可能である。 Further, by turning on / off the single mode semiconductor lasers 1 and 2 and the multimode semiconductor laser 3 at the same time, the information originally recorded on the thermal recording medium 16 in the off region is not erased. In addition, information recording that enables rewriting of information only in the ON area becomes possible.
A single mode laser beam L 1 of wavelength λ 1 (980 nm) output from the first single mode semiconductor laser array 1 and a single mode of wavelength λ 2 (830 nm) output from the second single mode semiconductor laser array 2. the laser beam L 2, the multimode laser beam L 3 each by utilizing the difference of the polarization direction and wavelength laser as the beam L 1 having a wavelength lambda 3 is outputted from the multimode semiconductor lasers 3 (830nm), L 2 since superimposed to L 3, can eliminate the power shortage during thermal recording for the thermosensitive recording medium 16, a single laser beam having a wavelength which is capable of recording on the thermosensitive recording medium 16 even conditions that can not be recorded.

以上の結果、感熱記録媒体１６に対する非接触による情報記録により感熱記録媒体１６の寿命を大幅に長くすることができ、従来のような記録時にサーマルヘッドが感熱記録媒体１６に接触することによる記録品質の劣化を無くすことができる。又、レーザ書き込み型方式による従来の問題点であったレーザビームのエネルギー不足を解消できる。   As a result of the above, the non-contact information recording with respect to the thermal recording medium 16 can greatly extend the life of the thermal recording medium 16, and the recording quality due to the thermal head contacting the thermal recording medium 16 during recording as in the prior art. Can be eliminated. Further, it is possible to solve the shortage of energy of the laser beam, which has been a conventional problem with the laser writing type system.

一方、上記第１の実施の形態の装置を複数設け、図５に示すような合成レーザビームＬｂを複数作成する。そして、これら複数の合成のレーザビームＬｂをマルチモードレーザビームＬ３の横長形状のビームプロファイルの長手方向に沿って１列に並べ、これら複数の合成レーザビームＬｂを主走査方向Ｓｍに走査する。これにより、感熱記録媒体１６上には、複数の合成レーザビームＬｂが短時間の間隔で走査されるので、感熱記録媒体１６上への情報記録のスピード化をさらにアップできる。なお、複数の合成レーザビームＬｂは、マルチモードレーザビームＬ３の横長形状のビームプロファイルの長手方向に沿って１列に並べるに限らず、同方向に複数列、例えば２列に並べてもよい。これにより、走査ラインが２本となって情報記録のスピード化が実現できる。 On the other hand, a plurality of apparatuses of the first embodiment are provided, and a plurality of synthesized laser beams Lb as shown in FIG. 5 are created. Then, along the laser beam Lb of the plurality of synthetic in the longitudinal direction of the beam profile of the oblong shape of the multimode laser beam L 3 arranged in a row, scanning a plurality of combined laser beam Lb in the main scanning direction Sm. As a result, a plurality of combined laser beams Lb are scanned on the thermal recording medium 16 at short intervals, so that the speed of information recording on the thermal recording medium 16 can be further increased. The plurality of combined laser beam Lb is along the longitudinal direction of the beam profile of the oblong shape of the multimode laser beam L 3 is not limited to arranging in a row, a plurality of rows in the same direction, for example, may be arranged in two rows. As a result, the number of scanning lines becomes two and information recording speed can be increased.

次に、本発明の第２の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図１と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
図９は非接触光書き込み装置の構成図を示す。本装置は、上記第１の実施の形態に対して第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０を追加し、４波を合成する。この第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０は、例えば波長λ４（９０５ｎｍ）でＳ偏光のシングルモードレーザビームＬ４を出力する。この第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０は、上記図２と同様に、複数、例えば１２個の第１のレーザ発光部４を有する。これら第１のレーザ発光部４は、それぞれ活性層の接合面としてのｐｎ接合面５から成り、第３の半導体レーザビームとしてのＳ偏光の複数のシングルモードレーザ光ｋ４−１〜ｋ４−１２を出力する。これら第１のレーザ発光部４は、ｐｎ接合面５の方向と同一方向にピッチｑの等間隔で配置されている。これら第１のレーザ発光部４のピッチｑは、例えば１２５μｍである。従って、第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０から出力されるシングルモードレーザビームＬ４は、複数の第１のレーザ発光部４からそれぞれ出力される複数のシングルモードレーザ光ｋ４−１〜ｋ４−１２から成る。 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
FIG. 9 shows a configuration diagram of the non-contact optical writing apparatus. This apparatus adds a third single mode semiconductor laser array 30 to the first embodiment to synthesize four waves. The third single mode semiconductor laser array 30 outputs an S-polarized single mode laser beam L 4 with a wavelength λ 4 (905 nm), for example. The third single mode semiconductor laser array 30 has a plurality of, for example, twelve first laser light emitting sections 4 as in FIG. The first laser emitting unit 4, respectively made of pn junction surface 5 of the junction plane of the active layer, the third single-mode laser beam k 4-1 multiple of S-polarized light of the semiconductor laser beam to k 4- and it outputs a 12. These first laser light emitting portions 4 are arranged at equal intervals of the pitch q in the same direction as the direction of the pn junction surface 5. The pitch q of these first laser emission units 4 is, for example, 125 μm. Accordingly, the single mode laser beam L 4 output from the third single mode semiconductor laser array 30 is a plurality of single mode laser beams k 4-1 to k 4 output from the plurality of first laser emission units 4. -12 .

第３のシングルモードレーザビームＬ４のＳ偏光の偏向方向ｓ４は、ｐｎ接合面５の接合面方向と同一方向である。この第３のシングルモードレーザビームＬ４は、ｐｎ接合面５の接合面方向に対して垂直方向の横長形状のビームプロファイルＰ４を有する。このビームプロファイルＰ４は、ガウス分布を有する。第１のレーザ発光部４における発光領域は、上記図２と同様に、例えばｐｎ接合面５の接合面方向の長さｒと、ｐｎ接合面５の方向に対して垂直な方向の幅ｔとにおいてそれぞれ数μｍ程度を有する。具体的に第１のレーザ発光部４の発光領域は、ｐｎ接合面５の接合面方向の長さｒが３μｍ程度であり、幅ｔが１μｍ程度である。 The third single mode laser beam deflection direction s 4 of the S-polarized light L 4 of a junction plane in the same direction as that of the pn junction surface 5. The third single mode laser beam L 4 has a beam profile P 4 having a horizontally long shape perpendicular to the bonding surface direction of the pn bonding surface 5. The beam profile P 4 has a Gaussian distribution. The light emitting region in the first laser light emitting unit 4 has, for example, a length r in the direction of the junction surface of the pn junction surface 5 and a width t in a direction perpendicular to the direction of the pn junction surface 5 as in FIG. Each has a thickness of about several μm. Specifically, the light emitting region of the first laser light emitting unit 4 has a length r of the pn junction surface 5 in the junction surface direction of about 3 μm and a width t of about 1 μm.

第４のコリメータレンズ（第４の結像レンズ）３０が第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０から出力される第３のシングルモードレーザビームＬ４の進行光路上に設けられている。この第４のコリメータレンズ３０は、第３のシングルモード半導体レーザ３０から出力された第３のシングルモードレーザビームＬ４を略平行光速に変換する。 A fourth collimator lens (fourth imaging lens) 30 is provided on the traveling optical path of the third single mode laser beam L 4 output from the third single mode semiconductor laser array 30. The fourth collimator lens 30 converts the third substantially parallel light flux of the single mode laser beam L 4 output from the third single mode semiconductor laser 30.

第２のダイクロイックプリズム３２は、ダイクロイックプリズム１２から出力される波長λ１（＝９８０ｎｍ）と波長λ２（＝８３０ｎｍ）との各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２の重ね合わせのレーザビームＬａを入射すると共に、第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０から出力される波長λ４（９０５ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ４を入射する。この第２のダイクロイックプリズム３２は、重ね合わせのレーザビームＬａを透過すると共に、第３のシングルモードレーザビームＬ４の進行方向を角度９０度変えて反射し、これら重ね合わせのレーザビームＬａと第３のシングルモードレーザビームＬ４とを重ね合わせたレーザビームＬｃを出力する。なお、ダイクロイックプリズム１２を以下第１のダイクロイックプリズム１２と称する。 The second dichroic prism 32 outputs a laser beam La which is a superposition of the single mode laser beams L 1 and L 2 of the wavelength λ 1 (= 980 nm) and the wavelength λ 2 (= 830 nm) output from the dichroic prism 12. with incident, incident single-mode laser beam L 4 with a wavelength lambda 4 is outputted from the third single mode semiconductor laser array 30 (905 nm). The second dichroic prism 32, as well as transmits the laser beam La superposition, the traveling direction of the third single mode laser beam L 4 of the reflected changing angle 90 degrees, and the laser beam La of superposition the outputs three laser beams Lc obtained by superposing the single mode laser beam L 4 of. The dichroic prism 12 is hereinafter referred to as a first dichroic prism 12.

ここで、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１における第１のレーザ発光部４のピッチｑを例えばｑ１１とし、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２における第１のレーザ発光部４のピッチｑを例えばｑ１２とし、第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０における第１のレーザ発光部４のピッチｑを例えばｑ１４とする。又、第１のコリメータレンズ９の焦点距離をｆ１、第２のコリメータレンズ１０の焦点距離をｆ１’、第４のコリメータレンズ３０の焦点距離をｆ１”とする。これら第１のコリメータレンズ９の焦点距離ｆ１と、第２のコリメータレンズ１０の焦点距離ｆ１’と、第４のコリメータレンズ３０の焦点距離ｆ１”とは、等しく取り、
ｆ１＝ｆ１’＝ｆ１” …（４）
とする。さらに、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１における第１のレーザ発光部４のピッチｑ１１と、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２における第１のレーザ発光部４のピッチｑ１２と、第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０における第１のレーザ発光部４のピッチｑ１４との関係を
ｑ１１＝ｑ１２＝ｑ１４ …（５）
とする。 Here, the first pitch q of the laser light-emitting portion 4 of the first single mode semiconductor laser array 1 is for example a q 11, the first pitch q of the laser light-emitting portion 4 of the second single mode semiconductor laser array 2 for example and q 12, the first pitch q of the laser light-emitting portion 4 in the third single mode semiconductor laser array 30, for example, with q 14. Also, the focal length of the first collimator lens 9 is f 1 , the focal length of the second collimator lens 10 is f 1 ′, and the focal length of the fourth collimator lens 30 is f 1 ″. These first collimators. the focal length f 1 of the lens 9, the focal length f 1 'of the second collimator lens 10, the focal length f 1 "of the fourth collimator lens 30, taken equal,
f 1 = f 1 ′ = f 1 ″ (4)
And Further, the pitch q 11 of the first laser light emitting unit 4 in the first single mode semiconductor laser array 1, the pitch q 12 of the first laser light emitting unit 4 in the second single mode semiconductor laser array 2, and a third The relationship with the pitch q 14 of the first laser emitting section 4 in the single mode semiconductor laser array 30 of FIG.
q 11 = q 12 = q 14 (5)
And

これにより、感熱記録媒体１６上の結像面における第１と第２と第３のシングルモード半導体レーザアレイ１、２、３０から出力される各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２、Ｌ４における各シングルモードレーザ光の各ピッチｊが等しくなる。なお、これを実現するために簡単化した調整は、例えばｆ１＝ｆ１’＝ｆ１”、ｑ１１＝ｑ１２＝ｑ１４に調整することである。 As a result, the single mode laser beams L 1 , L 2, and L 4 output from the first, second, and third single mode semiconductor laser arrays 1, 2, and 30 on the imaging surface on the thermal recording medium 16 are displayed. Each pitch j of each single mode laser beam becomes equal. The adjustment was simplified in order to realize this, for example, f 1 = f 1 '= f 1 ", is to adjust the q 11 = q 12 = q 14 .

次に、上記の如く構成された装置による記録動作について説明する。
第１のシングルモード半導体レーザアレイ１は、複数の第１のレーザ発光部４からそれぞれ例えば波長λ１（９８０ｎｍ）でＳ偏光の複数のシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２を等ピッチｑ（＝例えば１２５μｍ）で、例えば１２本出力する。これにより、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１は、複数のシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２から成るシングルモードレーザビームＬ１を出力する。このシングルモードレーザビームＬ１のＳ偏光の偏向方向ｓ１は、ｐｎ接合面５の接合面方向と同一方向で、ｐｎ接合面５の接合面方向に対して垂直方向の横長形状のビームプロファイルＰ１を有する。このシングルモードレーザビームＬ１は、第１のコリメータレンズ９を通して第１のダイクロイックミラー１２に入射する。 Next, a recording operation by the apparatus configured as described above will be described.
The first single mode semiconductor laser array 1 receives, for example, a plurality of S-polarized single mode laser beams k 1-1 to k 1-12 having a wavelength λ 1 (980 nm) from the plurality of first laser light emitting units 4, respectively. For example, 12 lines are output at a pitch q (= 125 μm, for example). Thus, the first single mode semiconductor laser array 1 outputs a single mode laser beam L 1 comprising a plurality of single mode laser beam k 1-1 to k 1-12. Deflection direction s 1 of the S-polarized light of the single mode laser beam L 1 is a joint surface in the same direction of the pn junction surface 5, the beam profile P of oblong shape in a direction perpendicular to the junction plane direction of the pn junction plane 5 1 The single mode laser beam L 1 enters the first dichroic mirror 12 through the first collimator lens 9.

第２のシングルモード半導体レーザアレイ２は、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１と同様に、複数の第１のレーザ発光部４からそれぞれ例えば波長λ２（８３０ｎｍ）でＳ偏光の複数のシングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２を出力する。これにより、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２は、複数のシングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２から成るシングルモードレーザビームＬ２を出力する。このシングルモードレーザビームＬ２は、第２のコリメータレンズ１０を通して第１のダイクロイックミラー１２に入射する。
このとき、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ２とは、略同一タイミングでそれぞれ複数のシングルモードレーザビームＬ１を出力すると共に、複数のシングルモードレーザビームＬ２を出力する。 Similar to the first single-mode semiconductor laser array 1, the second single-mode semiconductor laser array 2 includes a plurality of S-polarized single modes each having a wavelength λ 2 (830 nm) from the plurality of first laser light emitting units 4, for example. outputting a laser beam k 2-1 to k 2-12. Thus, single mode semiconductor laser array 2 of the second outputs a single mode laser beam L 2 consisting of a plurality of single mode laser beam k 2-1 to k 2-12. The single mode laser beam L 2 is incident on the first dichroic mirror 12 through the second collimator lens 10.
At this time, the first single-mode semiconductor laser array 1 and the second single-mode semiconductor laser array 2 each output a plurality of single-mode laser beams L 1 at substantially the same timing, and a plurality of single-mode laser beams L 1. 2 is output.

第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０は、複数の第１のレーザ発光部４からそれぞれ例えば波長λ１（９０５ｎｍ）でＳ偏光の複数のシングルモードレーザ光ｋ４−１〜ｋ４−１２を等ピッチｑ（＝例えば１２５μｍ）で、例えば１２本出力する。これにより、第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０は、複数のシングルモードレーザ光ｋ４−１〜ｋ４−１２から成るシングルモードレーザビームＬ４を出力する。このシングルモードレーザビームＬ４のＳ偏光の偏向方向ｓ４は、ｐｎ接合面５の接合面方向と同一方向で、ｐｎ接合面５の接合面方向に対して垂直方向の横長形状のビームプロファイルＰ４を有する。このシングルモードレーザビームＬ４は、第４のコリメータレンズ３１を通してダイクロイックミラー３２に入射する。この第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０も第１及び第２のシングルモード半導体レーザアレイ１、２と略同一タイミングで複数のシングルモードレーザビームＬ４を出力する。 The third single-mode semiconductor laser array 30 receives, for example, a plurality of S-polarized single-mode laser beams k 4-1 to k 4-12 having a wavelength λ 1 (905 nm) from the plurality of first laser light emitting units 4, respectively. For example, 12 lines are output at a pitch q (= 125 μm, for example). Thus, the third single mode semiconductor laser array 30 outputs a single mode laser beam L 4 consisting of a plurality of single mode laser beam k 4-1 to k 4-12. Deflection direction s 4 of the S-polarized light of the single mode laser beam L 4 are, the cemented surface in the same direction of the pn junction surface 5, the beam profile P of oblong shape in a direction perpendicular to the junction plane direction of the pn junction plane 5 4 . The single mode laser beam L 4 is incident on the dichroic mirror 32 through the fourth collimator lens 31. The third single mode semiconductor laser array 30 also outputs a plurality of single mode laser beams L 4 at substantially the same timing as the first and second single mode semiconductor laser arrays 1 and 2.

一方、マルチモード半導体レーザ３は、１つの第２のレーザ発光部６から例えばλ３（＝λ２＝波長８３０ｎｍ）でＰ偏光のマルチモードレーザビームＬ３を出力する。このマルチモードレーザビームＬ３は、第３のコリメータレンズ１１を通して偏光ビームスプリッタ１３に入射する。
第１のダイクロイックプリズム１２は、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力される波長λ１（＝９８０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ１の進行方向を角度９０度変えて反射すると共に、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力される波長λ２（＝８３０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ２を透過し、これらマルチモードレーザビームＬ１とシングルモードレーザビームＬ２とを重ね合わせたレーザビームＬａを出射する。この重ね合わせのレーザビームＬａは、第２のダイクロイックプリズム３２に入射する。 On the other hand, the multi-mode semiconductor laser 3 outputs a P-polarized multi-mode laser beam L 3 from one second laser light emitting unit 6 at, for example, λ 3 (= λ 2 = wavelength 830 nm). The multimode laser beam L 3 is incident on the polarization beam splitter 13 through the third collimator lens 11.
The first dichroic prism 12 reflects and changes the traveling direction of the single mode laser beam L 1 having the wavelength λ 1 (= 980 nm) output from the first single mode semiconductor laser array 1 by an angle of 90 degrees. The single mode laser beam L 2 output from the single mode semiconductor laser array 2 having a wavelength λ 2 (= 830 nm) is transmitted, and the multimode laser beam L 1 and the single mode laser beam L 2 are superimposed on each other. La is emitted. This superimposed laser beam La is incident on the second dichroic prism 32.

この第２のダイクロイックプリズム３２は、第１のダイクロイックプリズム１２から出力される波長λ１（＝９８０ｎｍ）と波長λ２（＝８３０ｎｍ）とのシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２を重ね合わせたレーザビームＬａを入射すると共に、第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０から出力される波長λ４（９０５ｎｍ）の複数のシングルモードレーザ光ｋ４−１〜ｋ４−１２から成るシングルモードレーザビームＬ４を入射する。この第２のダイクロイックプリズム３２は、重ね合わせのレーザビームＬａを透過すると共に、第３のシングルモードレーザビームＬ４の進行方向を角度９０度変えて反射し、これら重ね合わせのレーザビームＬａと第３のシングルモードレーザビームＬ４とを重ね合わせたレーザビームＬｃを出力する。この重ね合わせのレーザビームＬｃは、偏光ビームスプリッタ１３に入射する。 The second dichroic prism 32 includes single-mode laser beams k 1-1 to k 1-12 having a wavelength λ 1 (= 980 nm) and a wavelength λ 2 (= 830 nm) output from the first dichroic prism 12. A plurality of single-mode laser beams k 4− having a wavelength λ 4 (905 nm) output from the third single-mode semiconductor laser array 30 and entering a laser beam La on which k 2-1 to k 2-12 are superimposed. A single mode laser beam L 4 composed of 1 to k 4-12 is incident. The second dichroic prism 32, as well as transmits the laser beam La superposition, the traveling direction of the third single mode laser beam L 4 of the reflected changing angle 90 degrees, and the laser beam La of superposition the outputs three laser beams Lc obtained by superposing the single mode laser beam L 4 of. The superimposed laser beam Lc is incident on the polarization beam splitter 13.

この偏光ビームスプリッタ１３において、マルチモードレーザビームＬ３は、上記同様に、偏光ビームスプリッタ１３に入射すると、偏光ビームスプリッタ１３、λ／４反射板１４を透過して反射ミラー１５で反射し、再び、λ／４反射板１４、偏光ビームスプリッタ１３を透過する。これにより、マルチモードレーザビームＬ３は、λ／４反射板１４を２度透過するので、その位相は、９０度回転する。偏光ビームスプリッタ１３は、９０度位相の回転したマルチモードレーザビームＬ３を反射すると共に、重ね合わせのレーザビームＬｃを透過する。 In this polarization beam splitter 13, the multi-mode laser beam L 3 is the same manner as described above, when incident on the polarization beam splitter 13, is reflected by the polarizing beam splitter 13, lambda / 4 reflector 14 reflecting mirror 15 passes through the again , Λ / 4 reflector 14 and polarizing beam splitter 13. Thus, the multi-mode laser beam L 3 is so transmitted through the lambda / 4 reflector 14 twice, the phase is rotated by 90 degrees. Polarization beam splitter 13, while reflecting the multimode laser beam L 3 rotated 90 degree phase, it transmits the laser beam Lc superposition.

このとき、偏光ビームスプリッタ１３は、図１０に示すように重ね合わせのレーザビームＬｃを透過することにより当該レーザビームＬｃを形成する各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２、ｋ４−１〜ｋ４−１２をそれぞれ円形のビームプロファイルを有する複数のビームスポットに形成する。これと共に、偏光ビームスプリッタ１３は、λ／４反射板１４により９０度位相回転されて戻ってきた単独のマルチモードレーザビームＬ３を反射することにより横長形状のビームプロファイルに形成する。これにより、偏光ビームスプリッタ１３は、単独のマルチモードレーザビームＬ３のビームプロファイルに対してレーザビームＬｃの各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２、ｋ４−１〜ｋ４−１２を等ピッチｊで合成し、この合成のレーザビームＬｄを出射する。 At this time, as shown in FIG. 10, the polarization beam splitter 13 transmits the superposed laser beam Lc to form the laser beam Lc, and thereby each single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 , k 2. −1 to k 2-12 and k 4-1 to k 4-12 are formed in a plurality of beam spots each having a circular beam profile. At the same time, the polarization beam splitter 13 reflects the single multimode laser beam L 3 that has been rotated by 90 ° by the λ / 4 reflector 14 and returned to form a horizontally elongated beam profile. Thus, the polarization beam splitter 13, a single multi-mode laser beam L 3 of the beam profile laser beam the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 of Lc respect, k 2-1 to k 2- 12 , k 4-1 to k 4-12 are synthesized at an equal pitch j, and the synthesized laser beam Ld is emitted.

偏向走査機構１７は、回転駆動部２０の駆動により回転軸１９を介してガルバノミラー１８を矢印ｇ方向に連続して往復回転させる。これにより、偏光ビームスプリッタ１３から出力された合成レーザビームＬｃは、感熱記録媒体１６上において主走査方向Ｓｍに主走査される。この合成レーザビームＬｃは、偏向走査機構１７によって各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２、Ｌ４のＳ偏光の偏向方向ｓ１、ｓ２、ｓ４と同一方向、すなわち横長形状ビームプロファイルに形成されたマルチモードレーザビームＬ３の横長方向と同一方向に主走査される。この合成レーザビームＬｃは、走査レンズ２１によって感熱記録媒体１６面上に結像される。 The deflection scanning mechanism 17 reciprocally rotates the galvanometer mirror 18 continuously in the direction of the arrow g through the rotation shaft 19 by driving the rotation driving unit 20. As a result, the combined laser beam Lc output from the polarization beam splitter 13 is main-scanned in the main scanning direction Sm on the thermal recording medium 16. This combined laser beam Lc is formed by the deflection scanning mechanism 17 in the same direction as the polarization directions s 1 , s 2 and s 4 of the S-polarized light beams L 1 , L 2 and L 4 , that is, in a horizontally long beam profile. It is mainly scanned by the horizontal direction and the same direction of the multimode laser beam L 3. This combined laser beam Lc is imaged on the surface of the thermal recording medium 16 by the scanning lens 21.

これにより、感熱記録媒体１６には、先ず、図１０に示すように主走査方向に従って重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−１２〜ｋ１−１０、ｋ２−１２〜ｋ２−１０、ｋ４−１２〜ｋ４−１０が単独で順次感熱記録媒体１６面上の同一部分に照射される。重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−１２〜ｋ１−１０、ｋ２−１２〜ｋ２−１０、ｋ４−１２〜ｋ４−１０が単独で感熱記録媒体１６に照射されたときの温度上昇は、図７に示すように温度Ｔ１以上でかつ温度Ｔ２以下であり、感熱記録媒体１６に対する記録を不能とするものの消去領域に温度上昇する。 As a result, first, the thermal recording medium 16 has each single mode laser beam k 1-12 to k 1-10 , k 2-12 to k 2-10 superimposed according to the main scanning direction as shown in FIG. k 4-12 to k 4-10 alone are sequentially irradiated onto the same portion on the surface of the thermal recording medium 16. When each of the superposed single mode laser beams k 1-12 to k 1-10 , k 2-12 to k 2-10 , and k 4-12 to k 4-10 is irradiated to the thermosensitive recording medium 16 alone. As shown in FIG. 7, the temperature rise is equal to or higher than the temperature T 1 and equal to or lower than the temperature T 2 , and the temperature rises in the erasing area although recording on the thermal recording medium 16 is disabled.

次に、感熱記録媒体１６面上には、重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−９〜ｋ１−４、ｋ２−９〜ｋ２−４、ｋ４−９〜ｋ４−４とマルチモードレーザビームＬ３との合成された部分が照射される。このうち各シングルモードレーザ光ｋ１−９〜ｋ１−４、ｋ２−９〜ｋ２−４、ｋ４−９〜ｋ４−４は、感熱記録媒体１６面上の同一部分に照射される。これらシングルモードレーザ光ｋ１−９〜ｋ１−４、ｋ２−９〜ｋ２−４、ｋ４−９〜ｋ４−４とマルチモードレーザビームＬ３との合成された部分が感熱記録媒体１６に照射されたときの温度上昇は、温度Ｔ２以上となり、感熱記録媒体１６に対する記録を可能とする。従って、各シングルモード半導体レーザ１、２は、例えば文字や記号、絵柄等の情報に応じて各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２の出力を同期してオン・オフすれば、感熱記録媒体１６に例えば文字や記号、絵柄等の情報の記録が可能になる。 Next, on the surface of the thermal recording medium 16, the superimposed single mode laser beams k 1-9 to k 1-4 , k 2-9 to k 2-4 , k 4-9 to k 4-4, and synthetic portion of the multimode laser beam L 3 is emitted. Among the single mode laser beam k 1-9 ~k 1-4, k 2-9 ~k 2-4, k 4-9 ~k 4-4 is irradiated on the same portion on the thermal recording medium 16 surface The The combined portion of the single mode laser beams k 1-9 to k 1-4 , k 2-9 to k 2-4 , k 4-9 to k 4-4 and the multimode laser beam L 3 is thermal recording. temperature rise when it is irradiated to the medium 16 becomes a temperature T 2 above, to enable recording on the thermosensitive recording medium 16. Therefore, each single mode semiconductor laser 1, 2 can be turned on / off in synchronization with the output of each single mode laser beam L 1 , L 2 according to information such as characters, symbols, patterns, etc. For example, it is possible to record information such as characters, symbols, and patterns.

次に、感熱記録媒体１６面上には、再び、重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−３、ｋ２−１〜ｋ２−３、ｋ４−１〜ｋ４−３が単独で順次感熱記録媒体１６面上の同一部分に照射される。この結果、感熱記録媒体１６面上は、温度Ｔ１以上の温度Ｔ２を超えて加熱し、急冷することになるので、感熱記録媒体１６は、例えば黒色等に発色する。感熱記録媒体１６は、黒色に限らず、染色材料によって任意の色に発色可能である。 Then, the heat-sensitive recording medium 16 on the surfaces of, again, the superimposed single-mode laser beam k 1-1 ~k 1-3, k 2-1 ~k 2-3, k 4-1 ~k 4- 3 are individually irradiated sequentially on the same portion of the surface of the thermal recording medium 16. As a result, the heat-sensitive recording medium 16 on the surface is heated above the temperature T 1 of more temperature T 2, it means that the quenching, heat-sensitive recording medium 16 is colored, for example black or the like. The thermal recording medium 16 is not limited to black, and can be colored in any color using a dyeing material.

しかるに、偏向走査機構１７は、合成レーザビームＬｃを横長形状ビームプロファイルに形成されたマルチモードレーザビームＬ３の横長方向と同一方向に主走査し、かつ搬送機構２２は、感熱記録媒体１６を副走査方向Ｓｓに例えば一定の搬送速度で搬送するので、感熱記録媒体１６の全面に例えば文字や記号、絵柄等の情報が記録される。 However, the deflection scanning mechanism 17, a combined laser beam Lc and the main scanning in the horizontal direction and the same direction of the multimode laser beam L 3 formed oblong beam profile, and the transport mechanism 22, a heat-sensitive recording medium 16 sub For example, information such as characters, symbols, and patterns is recorded on the entire surface of the heat-sensitive recording medium 16 because it is conveyed in the scanning direction Ss at a constant conveyance speed, for example.

このように上記第２の実施の形態によれば、第１と第２と第４のシングルモード半導体レーザアレイ１、２、３０から出力された各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２、Ｌ４を第１及び第２のダイクロイックプリズム１２、３２を用いて重ね合せ、この重ね合わせたレーザビームＬｃとマルチモード半導体レーザ２から出力されたマルチモードレーザビームＬ２とをλ／４反射板１４を設けた偏光ビームスプリッタ１３によって合成し、この合成レーザビームＬｄを偏向走査機構１７によって感熱記録媒体１６面上にマルチモードレーザビームＬ３の横長方向と同一方向に主走査する。これにより、上記第１の実施の形態と同様の効果を奏することができると共に、第１と第２と第４のシングルモード半導体レーザアレイ１、２、３０から出力される各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２、Ｌ４の個々のエネルギーが小さくても、感熱記録媒体１６に情報を記録するためのエネルギーを満足できる。 As described above, according to the second embodiment, the single mode laser beams L 1 , L 2 , and L 4 output from the first, second, and fourth single mode semiconductor laser arrays 1 , 2 , and 30, respectively. Are superposed using the first and second dichroic prisms 12 and 32, and the superposed laser beam Lc and the multimode laser beam L2 output from the multimode semiconductor laser 2 are passed through the λ / 4 reflector 14. It was synthesized by the polarization beam splitter 13 provided to the main scanning by the combined laser beam Ld deflection scanning mechanism 17 in the horizontal direction and the same direction of the multimode laser beam L 3 on the thermal recording medium 16 on the surfaces of. As a result, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the single mode laser beams L output from the first, second, and fourth single mode semiconductor laser arrays 1, 2, 30 can be obtained. Even when the individual energy of L 1 , L 2 and L 4 is small, the energy for recording information on the thermal recording medium 16 can be satisfied.

次に、本発明の第３の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図９と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
ここでは、図９に示す装置において、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力されるシングルモードレーザビームＬ１と、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されるシングルモードレーザビームＬ２と、第４のシングルモード半導体レーザアレイ３０から出力されるシングルモードレーザビームＬ４との重ね合わせの条件について図１１を参照して説明する。 Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the same parts as those in FIG.
Here, in the apparatus shown in FIG. 9, the single mode laser beam L 2 and the single mode laser beam L 1 output from the first single mode semiconductor laser array 1, output from the second single-mode semiconductor laser array 2 If, with reference to FIG. 11 will be described superposition condition of the single mode laser beam L 4 output from the fourth single-mode semiconductor laser array 30.

ここで、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１と第１のコリメータレンズ９との間の距離をａ１、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２と第２のコリメータレンズ１０との間の距離をａ１’、第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０と第３のコリメータレンズ３１との間の距離をａ１”、とする。又、第１のコリメータレンズ９の焦点距離をｆ１、第２のコリメータレンズ１０の焦点距離をｆ１’、第３のコリメータレンズ３１の焦点距離をｆ１”とする。
第１のシングルモード半導体レーザアレイ１における第１のレーザ発光部４のピッチｑを例えばｑ１１とし、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２における第１のレーザ発光部４のピッチｑを例えばｑ１２とし、第３のシングルモード半導体レーザアレイ３０における第１のレーザ発光部４のピッチｑを例えばｑ１４とする。 Here, the distance between the first single mode semiconductor laser array 1 and the first collimator lens 9 is a 1 , and the distance between the second single mode semiconductor laser array 2 and the second collimator lens 10 is a 1 ′, the distance between the third single-mode semiconductor laser array 30 and the third collimator lens 31 is a 1 ″, and the focal length of the first collimator lens 9 is f 1 , second The focal length of the collimator lens 10 is f 1 ′, and the focal length of the third collimator lens 31 is f 1 ″.
The first single mode semiconductor laser pitch q of the first laser emitting unit 4 is for example a q 11 in the array 1, the second single-mode semiconductor laser pitch q for example q 12 of the first laser emitting unit 4 in the array 2 and then, the first pitch q of the laser light-emitting portion 4 in the third single mode semiconductor laser array 30, for example, with q 14.

又、第１のコリメータレンズ９とダイクロイックミラー１２との間の距離をｂ１、第２のコリメータレンズ１０と第１のダイクロイックミラー１２との間の距離をｂ１’、第３のコリメータレンズ３１と第１のダイクロイックミラー３２との間の距離をｂ１”とする。
第１のダイクロイックミラー１２とガルバノミラー１８の反射面との間の距離をｂ２、第２のダイクロイックミラー３２とガルバノミラー１８の反射面との間の距離をｂ２”、ガルバノミラー１８の反射面と感熱記録媒体１６上の結像面との間の距離をｂ３とする。 The distance between the first collimator lens 9 and the dichroic mirror 12 is b 1 , the distance between the second collimator lens 10 and the first dichroic mirror 12 is b 1 ′, and the third collimator lens 31. And a distance between the first dichroic mirror 32 and b 1 ″.
The distance between the first dichroic mirror 12 and the reflection surface of the galvano mirror 18 is b 2 , the distance between the second dichroic mirror 32 and the reflection surface of the galvano mirror 18 is b 2 ″, and the reflection of the galvano mirror 18 Let b 3 be the distance between the surface and the imaging surface on the thermal recording medium 16.

第１乃至第３のコリメータレンズ９、１０、３１の各焦点距離をｆ１、ｆ１’、ｆ１”と、第１乃至第３のシングルモード半導体レーザアレイ１、２、３０と第１乃至第３のコリメータレンズ９、１０、３１との間の各距離ａ１、ａ１’、ａ１”、と、第１乃至第３のコリメータレンズ９、１０、３１と感熱記録媒体１６上の結像面との間の各距離（ｂ１＋ｂ２＋ｂ３）、（ｂ１’＋ｂ２＋ｂ３）、（ｂ１”＋ｂ２”＋ｂ３）との間には、以下の関係が成り立つ。
１／ｆ＝１／ａ１＋１／（ｂ１＋ｂ２＋ｂ３） …（６）
１／ｆ’＝１／ａ１’＋１／（ｂ１’＋ｂ２＋ｂ３） …（７）
１／ｆ”＝１／ａ１”＋１／（ｂ１”＋ｂ２”＋ｂ３） …（８）
ここで、重要なのは、感熱記録媒体１６上の結像面上で第１乃至第３のシングルモード半導体レーザアレイ１、２、３０における複数の第１のレーザ発光部４からそれぞれ出力された各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２、ｋ４−１〜ｋ４−１２がそれぞれ互いに重なり合うことである。 The focal lengths of the first to third collimator lenses 9, 10, 31 are f 1 , f 1 ′, f 1 ″, the first to third single mode semiconductor laser arrays 1, 2, 30 and the first to third collimator lenses 9, 10 , 31. The distances a 1 , a 1 ′, a 1 ″ between the third collimator lenses 9, 10, 31, and the connection between the first to third collimator lenses 9, 10, 31 and the thermal recording medium 16. The following relationships are established among the distances (b 1 + b 2 + b 3 ), (b 1 ′ + b 2 + b 3 ), and (b 1 ″ + b 2 ″ + b 3 ) between the image plane and the image plane.
1 / f = 1 / a 1 + 1 / (b 1 + b 2 + b 3 ) (6)
1 / f ′ = 1 / a 1 ′ + 1 / (b 1 ′ + b 2 + b 3 ) (7)
1 / f "= 1 / a 1" + 1 / (b 1 "+ b 2" + b 3) ... (8)
Here, what is important is that each single output from each of the plurality of first laser light emitting units 4 in the first to third single mode semiconductor laser arrays 1, 2, 30 on the imaging surface on the thermal recording medium 16. mode laser beam k 1-1 ~k 1-12, k 2-1 ~k 2-12, k 4-1 ~k 4-12 is that overlap each other.

このためには、第１乃至第３のシングルモード半導体レーザアレイ１、２、３０の発光点の各ピッチｑ１１、ｑ１２、ｑ１４を揃え、次に、第１乃至第３のコリメータレンズ９、１０、３１の各焦点距離ｆ１、ｆ１’、ｆ１”を揃え、第１乃至第３のシングルモード半導体レーザアレイ１、２、３０と第１乃至第３のコリメータレンズ９、１０、３１との間の各距離ａ１、ａ１’、ａ１”、を揃え、第１乃至第３のコリメータレンズ９、１０、３１と感熱記録媒体１６上の結像面との間の各距離（ｂ１＋ｂ２＋ｂ３）、（ｂ１’＋ｂ２＋ｂ３）、（ｂ１”＋ｂ２”＋ｂ３）を揃え、各倍率ｍ１＝ａ１／（ｂ１＋ｂ２＋ｂ３）、ｍ２＝ａ１’／（ｂ１’＋ｂ２＋ｂ３）、ｍ３＝ａ１”／（ｂ１”＋ｂ２”＋ｂ３）を揃える。すなわち、
ｑ１１＝ｑ１２＝ｑ１４
ｆ１＝ｆ１’＝ｆ１”
ａ１＝ａ１’＝ａ１”
（ｂ１＋ｂ２＋ｂ３）＝（ｂ１’＋ｂ２＋ｂ３）＝（ｂ１”＋ｂ２”＋ｂ３）
ｍ１＝ａ１／（ｂ１＋ｂ２＋ｂ３） ＝ ｍ２＝ａ１’／（ｂ１’＋ｂ２＋ｂ３）
＝ｍ３＝ａ１”／（ｂ１”＋ｂ２”＋ｂ３）
である。これにより、ｑ１１＝ｑ１２＝ｑ１４にすることができる。第１のシングルモード半導体レーザアレイ１から出力されるシングルモードレーザビームＬ１と、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されるシングルモードレーザビームＬ２と、第４のシングルモード半導体レーザアレイ３０から出力されるシングルモードレーザビームＬ４とを重ね合わせることができる。 For this purpose, the pitches q 11 , q 12 , q 14 of the light emitting points of the first to third single mode semiconductor laser arrays 1, 2, 30 are aligned, and then the first to third collimator lenses 9 are arranged. 10, 31 with the same focal lengths f 1 , f 1 ′, f 1 ″, the first to third single-mode semiconductor laser arrays 1, 2, 30 and the first to third collimator lenses 9, 10, The distances a 1 , a 1 ′, and a 1 ″ between the first and third collimator lenses 9, 10, 31 and the imaging surface on the thermal recording medium 16 are aligned. (B 1 + b 2 + b 3 ), (b 1 ′ + b 2 + b 3 ), (b 1 ″ + b 2 ″ + b 3 ) are aligned, and each magnification m 1 = a 1 / (b 1 + b 2 + b 3 ), m 2 = a 1 '/ (b 1' + b 2 + b 3), m 3 = a 1 "/ (b 1" + b 2 " b 3) align. That is,
q 11 = q 12 = q 14
f 1 = f 1 '= f 1 ″
a 1 = a 1 '= a 1 ″
(B 1 + b 2 + b 3 ) = (b 1 ′ + b 2 + b 3 ) = (b 1 ″ + b 2 ″ + b 3 )
m 1 = a 1 / (b 1 + b 2 + b 3 ) = m 2 = a 1 ′ / (b 1 ′ + b 2 + b 3 )
= M 3 = a 1 ″ / (b 1 ″ + b 2 ″ + b 3 )
It is. This makes it possible to q 11 = q 12 = q 14 . A single mode laser beam L 1 output from the first single mode semiconductor laser array 1, a single mode laser beam L 2 output from the second single mode semiconductor laser array 2, and a fourth single mode semiconductor laser array The single mode laser beam L 4 output from 30 can be superposed.

次に、本発明の第４の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図１と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
図１２は非接触光書き込み装置の構成図を示す。ビーム位置調整機構４０は、例えばシングルモード半導体レーザアレイ１の配置位置を当該シングルモード半導体レーザアレイ１に形成されている複数の第１のレーザ発光部４の配列方向、すなわちシングルモード半導体レーザアレイ１から出力されるシングルモードレーザビームＬ１のＳ偏光の偏向方向ｓ１と同一方向（矢印Ｈ方向）にシフトする。このシングルモード半導体レーザアレイ１のシフト距離は、感熱記録媒体１６上に照射されるシングルモードレーザビームＬ１を形成する各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２が当該各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２の各ピッチｊの２分の１移動する距離に対応する。 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
FIG. 12 shows a configuration diagram of a non-contact optical writing apparatus. For example, the beam position adjusting mechanism 40 determines the arrangement position of the single mode semiconductor laser array 1 in the arrangement direction of the plurality of first laser emission units 4 formed in the single mode semiconductor laser array 1, that is, the single mode semiconductor laser array 1. Is shifted in the same direction (arrow H direction) as the polarization direction s 1 of the S-polarized light of the single-mode laser beam L 1 output from. The shift distance of the single mode semiconductor laser array 1 is such that each single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 forming the single mode laser beam L 1 irradiated onto the thermal recording medium 16 is the single mode laser. This corresponds to a distance that moves by one half of each pitch j of the light k 1-1 to k 1-12 .

図１３はビーム位置調整機構４０によりシングルモード半導体レーザアレイ１を移動したときの各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２の感熱記録媒体１６上での移動例を示す。各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２は、主走査方向Ｓｍと同一方向に各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２間の各ピッチｊの２分の１シフトする。ここで、各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２の円形のビームスポット径がピッチｊと同一であれば、各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２は、各シングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２間にそれぞれシフトし、各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２の各ピッチｊ間の隙間が埋まる。 FIG. 13 shows an example of movement of each single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 on the thermal recording medium 16 when the single mode semiconductor laser array 1 is moved by the beam position adjusting mechanism 40. The single mode laser beam k 1-1 to k 1-12, the first shift-half of the pitch j between the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 in the main scanning direction Sm in the same direction . Here, the single mode laser beam k 1-1 ~k 1-12, k 2-1 if identical to the circular beam spot diameter is the pitch j of to k 2-12, the single mode laser beam k 1- 1 to k 1-12 shifts respectively between the single mode laser beam k 2-1 to k 2-12, the single mode laser beam k 1-1 ~k 1-12, k 2-1 ~k 2 The gap between each pitch j of −12 is filled.

なお、ビーム位置調整機構４０は、シングルモード半導体レーザアレイ１を移動するに限らず、シングルモード半導体レーザアレイ２の配置位置を当該シングルモード半導体レーザアレイ２に形成されている複数の第１のレーザ発光部４の配列方向すなわちシングルモード半導体レーザアレイ２から出力されるシングルモードレーザビームＬ２のＳ偏光の偏向方向ｓ２と同一方向に移動してもよい。 The beam position adjusting mechanism 40 is not limited to moving the single mode semiconductor laser array 1, and the arrangement positions of the single mode semiconductor laser array 2 are a plurality of first lasers formed in the single mode semiconductor laser array 2. The light emitting units 4 may move in the same direction as the arrangement direction of the light emitting units 4, that is, the polarization direction s 2 of the S-polarized light of the single mode laser beam L 2 output from the single mode semiconductor laser array 2.

次に、上記の如く構成された装置による記録動作について説明する。
ビーム位置調整機構４０は、感熱記録媒体１６上に照射されるシングルモードレーザビームＬ１を形成する各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２が主走査方向Ｓｍと同一方向に当該各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２の各ピッチｊの２分の１シフトするように例えばシングルモード半導体レーザアレイ１の配置位置をシングルモードレーザビームＬ１のＳ偏光の偏向方向ｓ１と同一方向（矢印Ｈ方向）に移動する。 Next, a recording operation by the apparatus configured as described above will be described.
In the beam position adjusting mechanism 40, each single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 forming the single mode laser beam L 1 irradiated onto the thermal recording medium 16 is in the same direction as the main scanning direction Sm. For example, the arrangement position of the single-mode semiconductor laser array 1 is shifted by a half of each pitch j of the single-mode laser beams k 1-1 to k 1-12 , and the S-polarized polarization direction s of the single-mode laser beam L 1 is changed. 1 in the same direction (arrow H direction).

この状態で、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１は、複数の第１のレーザ発光部４からそれぞれ発光される例えば波長λ１（９８０ｎｍ）でＳ偏光の複数のシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２から成るシングルモードレーザビームＬ１を出力する。このシングルモードレーザビームＬ１は、第１のコリメータレンズ９を通して第１のダイクロイックミラー１２に入射する。
第２のシングルモード半導体レーザアレイ２は、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１と同様に、複数の第１のレーザ発光部４からそれぞれ発光される例えば波長λ２（８３０ｎｍ）でＳ偏光の複数のシングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２から成るシングルモードレーザビームＬ２を出力する。このシングルモードレーザビームＬ２は、第２のコリメータレンズ１０を通して第１のダイクロイックミラー１２に入射する。
このとき、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ２とは、略同一タイミングでそれぞれ複数のシングルモードレーザビームＬ１を出力すると共に、複数のシングルモードレーザビームＬ２を出力する。 In this state, the first single-mode semiconductor laser array 1 has a plurality of S-polarized single-mode laser beams k 1-1 having a wavelength λ 1 (980 nm), for example, emitted from the plurality of first laser light emitting units 4. A single mode laser beam L 1 consisting of ~ k 1-12 is output. This single mode laser beam L 1 enters the first dichroic mirror 12 through the first collimator lens 9.
Similarly to the first single mode semiconductor laser array 1, the second single mode semiconductor laser array 2 emits a plurality of S-polarized light beams having a wavelength λ 2 (830 nm), for example, emitted from the plurality of first laser light emitting units 4. outputting a single-mode laser beam L 2 consisting of the single mode laser beam k 2-1 to k 2-12. The single mode laser beam L 2 is incident on the first dichroic mirror 12 through the second collimator lens 10.
At this time, the first single-mode semiconductor laser array 1 and the second single-mode semiconductor laser array 2 each output a plurality of single-mode laser beams L 1 at substantially the same timing, and a plurality of single-mode laser beams L 1. 2 is output.

一方、マルチモード半導体レーザ３は、１つの第２のレーザ発光部６から例えばλ３（＝λ２＝波長８３０ｎｍ）でＰ偏光の単独のマルチモードレーザビームＬ３を出力する。このマルチモードレーザビームＬ３は、第３のコリメータレンズ１１を通して偏光ビームスプリッタ１３に入射する。 On the other hand, the multi-mode semiconductor laser 3 outputs a single multi-mode laser beam L 3 of P-polarized light, for example, at λ 3 (= λ 2 = wavelength 830 nm) from one second laser light emitting unit 6. The multimode laser beam L 3 is incident on the polarization beam splitter 13 through the third collimator lens 11.

ダイクロイックプリズム１２は、第１のシングルモード半導体レーザアレイ１における各第１のレーザ発光部４からそれぞれ出力される複数のシングルモードレーザビーム光ｋ１−１〜ｋ１−１２と、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２における各第１のレーザ発光部４からそれぞれ出力される複数のシングルモードレーザビーム光ｋ２−１〜ｋ２−１２とを重ね合わせ、この重ね合わせたレーザビームＬａを出射する。この重ね合わせのレーザビームＬａは、偏光ビームスプリッタ１３に入射する。これらシングルモードレーザビーム光ｋ１−１〜ｋ１−１２と各シングルモードレーザビーム光ｋ２−１〜ｋ２−１２とを重ね合わせるとき、シングルモード半導体レーザアレイ１の配置位置は、感熱記録媒体１６上に照射される各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２が当該各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２の各ピッチｊの２分の１シフトする距離に対応する距離だけ各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２のＳ偏光の偏向方向ｓ１と同一方向（矢印Ｈ方向）に移動しているので、各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２は、各シングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２間にそれぞれシフトする。すなわち、各シングルモードレーザ光は、ｋ２−１、ｋ１−１、ｋ２−２、ｋ１−２、…、ｋ２−１２、ｋ１−１２に配列される。 The dichroic prism 12 includes a plurality of single mode laser beam lights k 1-1 to k 1-12 output from the first laser light emitting units 4 in the first single mode semiconductor laser array 1 and a second single mode laser beam. A plurality of single mode laser beam lights k 2-1 to k 2-12 output from the respective first laser light emitting units 4 in the mode semiconductor laser array 2 are superposed, and the superposed laser beam La is emitted. . The superimposed laser beam La is incident on the polarization beam splitter 13. When these single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 overlapping the respective single mode laser beam k 2-1 to k 2-12, positions of single mode semiconductor laser array 1, a heat-sensitive recording the distance the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 irradiated on the medium 16 to 1 shifted half of the pitch j of each of the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 Since each single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 has moved in the same direction (arrow H direction) as the polarization direction s 1 of the S-polarized light by the corresponding distance, each single mode laser beam k 1-1. ˜k 1-12 are respectively shifted between the single mode laser beams k 2-1 to k 2-12 . That is, the single mode laser beam, k 2-1, k 1-1, k 2-2, k 1-2, ..., k 2-12, are arranged in k 1-12.

偏光ビームスプリッタ１３は、上記同様に、マルチモードレーザビームＬ３の位相を９０度回転し、この９０度位相の回転したマルチモードレーザビームＬ３を反射すると共に、重ね合わせのレーザビームＬａを透過する。このとき、偏光ビームスプリッタ１３は、重ね合わせのレーザビームＬａを透過することにより当該レーザビームＬａを形成する各シングルモードレーザ光ｋ２−１、ｋ１−１、ｋ２−２、ｋ１−２、…、ｋ２−１２、ｋ１−１２をそれぞれ円形のビームプロファイルを有する複数のビームスポットに形成すると共に、９０度位相回転されて戻ってきた単独のマルチモードレーザビームＬ３を反射することにより横長形状のビームプロファイルに形成する。 Polarization beam splitter 13 in the same manner as described above, the phase of the multimode laser beam L 3 is rotated 90 degrees, while reflecting the multimode laser beam L 3 which is rotated in the 90-degree phase, transmits the laser beam La superposition To do. At this time, the polarization beam splitter 13, the single mode laser beam k 2-1 to form the laser beam La transmitted through the laser beam La superposition, k 1-1, k 2-2, k 1- 2 ,..., K 2-12 , and k 1-12 are formed into a plurality of beam spots each having a circular beam profile, and the single multimode laser beam L 3 that is returned after being rotated by 90 degrees is reflected. Thus, a horizontally long beam profile is formed.

これにより、偏光ビームスプリッタ１３は、単独のマルチモードレーザビームＬ３のビームプロファイル内にレーザビームＬａの各シングルモードレーザ光ｋ２−１、ｋ１−１、ｋ２−２、ｋ１−２、…、ｋ２−１２、ｋ１−１２を等ピッチｑ／２で合成し、この合成のレーザビームＬｂを出射する。なお、マルチモードレーザビームＬ３の横長形状のビームプロファイル内には、例えば１１本のレーザビームｋ２−４、ｋ１−４、ｋ２−５、…、ｋ１−８、ｋ２−９が重ね合わされ、残りの１３本のレーザビームｋ２−１、ｋ１−１、ｋ２−２、…、ｋ１−３と、ｋ１−９、ｋ２−１０、ｋ１−１０、…、ｋ１−１２とがビームプロファイルの横軸方向に沿ってビームプロファイルの両外側にそれぞれ存在する。 Thereby, the polarization beam splitter 13 includes the single mode laser beams k 2-1 , k 1-1 , k 2-2 , and k 1-2 of the laser beam La within the beam profile of the single multi-mode laser beam L 3. ,..., K 2-12 , k 1-12 are synthesized at equal pitch q / 2, and this synthesized laser beam Lb is emitted. Note that, for example, 11 laser beams k 2-4 , k 1-4 , k 2-5 ,..., K 1-8 , k 2-9 are included in the horizontally long beam profile of the multimode laser beam L 3. Are superposed and the remaining 13 laser beams k 2-1 , k 1-1 , k 2-2 ,..., K 1-3 , k 1-9 , k 2-10 , k 1-10 ,. , K 1-12 are respectively present on both outer sides of the beam profile along the horizontal axis direction of the beam profile.

偏向走査機構１７は、ガルバノミラー１８を矢印ｇ方向に連続して往復回転させ、偏光ビームスプリッタ１３から出力された合成レーザビームＬｂを感熱記録媒体１６上において主走査方向Ｓｍに主走査する。これにより、感熱記録媒体１６には、先ず、図１３に示すように主走査方向に従って重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−１２、ｋ２−１２、ｋ１−１１…、ｋ１−９が単独で順次感熱記録媒体１６面上の同一部分に照射される。これら各シングルモードレーザ光ｋ１−１２、ｋ２−１２、ｋ１−１１…、ｋ１−９が単独で感熱記録媒体１６に照射されたときの温度上昇は、図７に示すように温度Ｔ１以上でかつ温度Ｔ２以下であり、感熱記録媒体１６に対する記録を不能とするものの消去領域に温度上昇する。 The deflection scanning mechanism 17 continuously reciprocates the galvanometer mirror 18 in the direction of arrow g, and performs main scanning in the main scanning direction Sm on the thermal recording medium 16 with the combined laser beam Lb output from the polarization beam splitter 13. As a result, first, the single-mode laser beams k 1-12 , k 2-12 , k 1-11 ..., K 1-9 superimposed on each other in the main scanning direction as shown in FIG. Are sequentially irradiated to the same portion on the surface of the thermosensitive recording medium 16 alone. The temperature rise when each of the single mode laser beams k 1-12 , k 2-12 , k 1-11 ..., K 1-9 is irradiated alone on the thermal recording medium 16 is as shown in FIG. above T 1 is and is the temperature T 2 below which the temperature rises to the erased area of which the disabling recording on the thermosensitive recording medium 16.

次に、感熱記録媒体１６面上には、各シングルモードレーザ光ｋ２−９、ｋ１−８、ｋ２−８、…、ｋ２−４とマルチモードレーザビームＬ３との合成された部分が照射される。これらシングルモードレーザ光ｋ２−９、ｋ１−８、ｋ２−８、…、ｋ２−４とマルチモードレーザビームＬ３との合成された部分が感熱記録媒体１６に照射されたときの温度上昇は、温度Ｔ２以上となり、感熱記録媒体１６に対する記録を可能とする。従って、各シングルモード半導体レーザ１、２は、例えば文字や記号、絵柄等の情報に応じて各シングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２の出力を同期してオン・オフすれば、感熱記録媒体１６に例えば文字や記号、絵柄等の情報の記録が可能になる。 Next, the single mode laser beams k 2-9 , k 1-8 , k 2-8 ,..., K 2-4 and the multimode laser beam L 3 are combined on the surface of the thermal recording medium 16. Part is irradiated. When the thermal recording medium 16 is irradiated with the combined portion of the single mode laser beams k 2-9 , k 1-8 , k 2-8 ,..., K 2-4 and the multimode laser beam L 3 . temperature rise becomes a temperature T 2 above, to enable recording on the thermosensitive recording medium 16. Therefore, each single mode semiconductor laser 1, 2 can be turned on / off in synchronization with the output of each single mode laser beam L 1 , L 2 according to information such as characters, symbols, patterns, etc. For example, it is possible to record information such as characters, symbols, and patterns.

次に、感熱記録媒体１６面上には、再び、各シングルモードレーザビームｋ１−３、ｋ２−３、ｋ１−２、…、ｋ２−１が単独で順次感熱記録媒体１６面上の同一部分に照射される。この結果、感熱記録媒体１６面上は、温度Ｔ１以上の温度Ｔ２を超えて加熱し、急冷することになるので、感熱記録媒体１６は、例えば黒色等に発色する。感熱記録媒体１６は、黒色に限らず、染色材料によって任意の色に発色可能である。 Then, the heat-sensitive recording medium 16 on the surfaces of, again, the single mode laser beam k 1-3, k 2-3, k 1-2 , ..., k 2-1 sequentially thermosensitive recording medium 16 on the surfaces of singly The same part is irradiated. As a result, the heat-sensitive recording medium 16 on the surface is heated above the temperature T 1 of more temperature T 2, it means that the quenching, heat-sensitive recording medium 16 is colored, for example black or the like. The thermal recording medium 16 is not limited to black, and can be colored in any color using a dyeing material.

しかるに、偏向走査機構１７は、合成レーザビームＬｂを横長形状ビームプロファイルに形成されたマルチモードレーザビームＬ３の横長方向と同一方向に主走査し、かつ搬送機構２２は、感熱記録媒体１６を副走査方向Ｓｓに例えば一定の搬送速度で搬送するので、感熱記録媒体１６の全面に例えば文字や記号、絵柄等の情報が記録される。 However, the deflection scanning mechanism 17, a combined laser beam Lb to the main scanning in the horizontal direction and the same direction of the multimode laser beam L 3 formed oblong beam profile, and the transport mechanism 22, a heat-sensitive recording medium 16 sub For example, information such as characters, symbols, and patterns is recorded on the entire surface of the heat-sensitive recording medium 16 because it is transported at a constant transport speed in the scanning direction Ss.

このように上記第４の実施の形態によれば、シングルモード半導体レーザアレイ１の配置位置をシングルモードレーザビームＬ１のＳ偏光の偏向方向ｓ１と同一方向（矢印Ｈ方向）に移動することにより、各シングルモードレーザ光ｋ２−１、ｋ１−１、ｋ２−２、ｋ１−２、…、ｋ２−１２、ｋ１−１２に配列された重ね合わせのレーザビームＬａを形成し、この重ね合わせのレーザビームＬａとマルチモード半導体レーザ２から出力されたマルチモードレーザビームＬ２とをλ／４反射板１４を設けた偏光ビームスプリッタ１３によって合成し、この合成レーザビームＬｂを偏向走査機構１７によって感熱記録媒体１６面上にマルチモードレーザビームＬ３の横長方向と同一方向に主走査するので、上記第１の実施の形態の効果と同様の効果を奏することができる。 As described above, according to the fourth exemplary embodiment, moving the position of the single mode semiconductor laser array 1 into the single mode laser beam L 1 of the S polarization direction of deflection s 1 in the same direction (arrow H) To form a superimposed laser beam La arranged in each single mode laser beam k 2-1 , k 1-1 , k 2-2 , k 1-2 ,..., K 2-12 , k 1-12. and it was synthesized by a multi-mode laser beam L 2 and the polarization beam splitter 13 provided with a lambda / 4 reflector 14 outputted from the laser beam La and the multimode semiconductor laser 2 of the superposition, the combined laser beam Lb since main scanning in the horizontal direction and the same direction of the multimode laser beam L 3 on the thermal recording medium 16 on the surfaces of the deflection scanning mechanism 17, efficiency of the first embodiment It is possible to achieve the same effect as.

なお、上記第４の実施の形態は、次のように変形してもよい。第１のシングルモード半導体レーザアレイ１は、波長λ１（９８０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ１を出力し、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２は、波長λ２（８３０ｎｍ）のシングルモードレーザビームＬ２を出力しているが、これに限らず、第１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ１、２は、それぞれ同一波長、例えば９８０ｎｍ、８３０ｎｍ又は９０５ｎｍであってもよいし、又はこれら波長９８０ｎｍ、８３０ｎｍ又は９０５ｎｍのうち２波長を組み合わせてもよい。さらに、第１と第２のシングルモード半導体レーザアレイ１、２は、他の任意の波長を用いてもよい。 The fourth embodiment may be modified as follows. The first single mode semiconductor laser array 1 outputs a single mode laser beam L 1 having a wavelength λ 1 (980 nm), and the second single mode semiconductor laser array 2 is a single mode laser beam having a wavelength λ 2 (830 nm). While outputting the L 2, not limited thereto, the first and second single mode semiconductor laser array 1 and 2 are the same wavelengths, for example 980 nm, may be a 830nm or 905 nm, or their wavelength Two wavelengths of 980 nm, 830 nm, and 905 nm may be combined. Further, the first and second single mode semiconductor laser arrays 1 and 2 may use other arbitrary wavelengths.

又、シングルモードレーザビームＬ１とシングルモードレーザビームＬ２との重ね合わせは、ダイクロイックプリズム１２を用いているが、これに限らず、例えば図１４に示すように偏光ビームスプリッタ４１を用いてもよい。この偏光ビームスプリッタ４１には、λ／４反射板４２が設けられている。このλ／４反射板４２は、偏光ビームスプリッタ１３における第１のシングルモード半導体レーザアレイ１からのシングルモードレーザビームＬ１が入射する面と対向する面に設けられている。このλ／４反射板４２の外側には、反射ミラー４３が設けられている。
従って、シングルモードレーザビームＬ１は、偏光ビームスプリッタ４１に入射すると、この偏光ビームスプリッタ４１、λ／４反射板４２を透過して反射ミラー４３で反射し、再び、λ／４反射板４２、偏光ビームスプリッタ４１を透過する。これにより、シングルモードレーザビームＬ１は、λ／４反射板４２を２度透過するので、その位相は、９０度回転する。そして、偏光ビームスプリッタ４１は、９０度位相の回転したシングルモードレーザビームＬ１を反射すると共に、第２のシングルモード半導体レーザアレイ２からのシングルモードレーザビームＬ１を透過する。 Moreover, the superposition of the single mode laser beam L 1 and the single mode laser beam L 2, but using a dichroic prism 12, is not limited to this, for example, be used a polarizing beam splitter 41 as shown in FIG. 14 Good. The polarization beam splitter 41 is provided with a λ / 4 reflector 42. The λ / 4 reflecting plate 42 is provided on the surface of the polarization beam splitter 13 that faces the surface on which the single mode laser beam L1 from the first single mode semiconductor laser array 1 is incident. A reflection mirror 43 is provided outside the λ / 4 reflection plate 42.
Accordingly, when the single mode laser beam L 1 enters the polarization beam splitter 41, the single mode laser beam L 1 is transmitted through the polarization beam splitter 41 and the λ / 4 reflection plate 42 and reflected by the reflection mirror 43, and again, the λ / 4 reflection plate 42, The light passes through the polarization beam splitter 41. Accordingly, the single mode laser beam L 1 is so transmitted through the lambda / 4 reflective plate 42 twice, the phase is rotated by 90 degrees. The polarization beam splitter 41 reflects the single mode laser beam L 1 rotated by 90 degrees and transmits the single mode laser beam L 1 from the second single mode semiconductor laser array 2.

このとき、シングルモード半導体レーザアレイ１の配置位置は、感熱記録媒体１６上に照射される各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２が当該各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２の各ピッチｊの２分の１シフトする距離に対応する距離だけ各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２のＳ偏光の偏向方向ｓ１と同一方向（矢印Ｈ方向）に移動していれば、各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２は、各シングルモードレーザ光ｋ２−１〜ｋ２−１２間にそれぞれシフトし、各シングルモードレーザ光は、ｋ２−１、ｋ１−１、ｋ２−２、ｋ１−２、…、ｋ２−１２、ｋ１−１２に配列された重ね合わせのレーザビームＬａが形成される。 In this case, the arrangement position of the single mode semiconductor laser array 1, the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 are the respective single mode laser beam k 1-1 to k irradiated onto the heat-sensitive recording medium 16 The same direction as the polarization direction s 1 of the S-polarized light of each of the single-mode laser beams k 1-1 to k 1-12 by the distance corresponding to the half-shift distance of each pitch j of 1-12 (direction of arrow H) if moved, each single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 shifts respectively between the single mode laser beam k 2-1 to k 2-12, the single mode laser beam, k 2-1, k 1-1, k 2-2 , k 1-2, ..., k 2-12, a laser beam La of the array of overlapping the k 1-12 is formed.

又、各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２は、感熱記録媒体１６上において各ピッチｊの２分の１シフトさせているが、これに限らず、任意の距離、例えば各ピッチｊの３分の１、４分の１等だけシフトさせてもよい。これにより、各シングルモードレーザビーム光ｋ１−１〜ｋ１−１２と各シングルモードレーザビーム光ｋ２−１〜ｋ２−１２とは、それぞれその一部分が重なり合う。 In addition, each single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 is shifted by a half of each pitch j on the thermal recording medium 16, but this is not a limitation, and any distance, for example, each pitch You may shift only 1/3 of j, 1/4, etc. Thus, each single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 and the single mode laser beam k 2-1 to k 2-12, the portion respectively overlap.

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
上記第１乃至第４の実施の形態では、２つ又は３つのシングルモードレーザビームＬ１、Ｌ２、Ｌ４と、１つのマルチモードレーザビームＬ３とを用いているが、これに限らず、１つのシングルモードレーザビームＬ１と１つのマルチモードレーザビームＬ３とを用いたり、４以上のシングルモードレーザビームＬｎと１つのマルチモードレーザビームＬ３とを用いてもよい。
第１乃至第４のシングルモード半導体レーザアレイ１、２、３０は、それぞれマルチモード半導体レーザアレイとし、マルチモード半導体レーザ３は、シングルモード半導体レーザとしてもよい。
合成のレーザビームＬｂ、Ｌｄは、それぞれ図１及び図９に示すように横長形状ビームプロファイルＦ３の横長方向と同一方向に主走査されるが、これに限らず、横長形状ビームプロファイルＦ３の横長方向に対して垂直方向に走査してもよい。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.
In the first to fourth embodiments, two or three single mode laser beams L 1 , L 2 , and L 4 and one multimode laser beam L 3 are used. However, the present invention is not limited to this. , or using the one single mode laser beam L 1 and one of the multimode laser beam L 3, it may be used four or more single-mode laser beam Ln in and one of the multimode laser beam L 3.
The first to fourth single mode semiconductor laser arrays 1, 2, and 30 may each be a multimode semiconductor laser array, and the multimode semiconductor laser 3 may be a single mode semiconductor laser.
Laser beam Lb of the synthesis, Ld is the main scan as shown in FIGS. 1 and 9, respectively in a horizontally long in the same direction as the direction of oblong beam profile F 3, not limited to this, the oblong beam profile F 3 You may scan in a perpendicular | vertical direction with respect to a horizontal direction.

又、例えば、重ね合わせのレーザビームＬａとマルチモードレーザビームＬ２とをλ／４反射板１４を設けた偏光ビームスプリッタ１３によって合成する場合、重ね合わせのレーザビームＬａを形成する例えば各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２は、これらシングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２の全てをマルチモードレーザビームＬ３の横長形状のビームプロファイル内に合成してもよい。
又、各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２、ｋ２−１〜ｋ２−１２とマルチモードレーザビームＬ３との合成位置は、例えば重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−１２〜ｋ１−７、ｋ２−１２〜ｋ２−７を単独にし、各シングルモードレーザ光ｋ１−６〜ｋ１−１、ｋ２−６〜ｋ２−１をマルチモードレーザビームＬ３上に合成してもよい。これにより、感熱記録媒体１６には、先ず、主走査方向に従って重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−１２〜ｋ１−７、ｋ２−１２〜ｋ２−７が単独で順次感熱記録媒体１６面上の同一部分に照射される。これら重ね合わされたシングルモードレーザ光ｋ１−１２〜ｋ１−７、ｋ２−１２〜ｋ２−７が単独で感熱記録媒体１６に照射されたときの温度上昇は、図７に示すように温度Ｔ１以上でかつ温度Ｔ２以下であり、感熱記録媒体１６に対する記録を不能とするものの消去領域に温度上昇する。 Further, for example, superimposing the laser beams La and the multimode laser beam L 2 in the case of synthesizing by the polarization beam splitter 13 provided with a lambda / 4 reflector 14, the laser beam La to form for example the single mode of the superposition of laser beam k 1-1 ~k 1-12, k 2-1 ~k 2-12 , these single mode laser beam k 1-1 to k 1-12, all k 2-1 to k 2-12 it may be synthesized in the multimode laser beam within the beam profile of the oblong shape of L 3.
Further, the single mode laser beam k 1-1 ~k 1-12, k 2-1 ~k 2-12 and the multimode laser beam L 3 combined position of A, the single mode laser beam k 1 superimposed e.g. −12 to k 1-7 and k 2-12 to k 2-7 alone, and the single mode laser beams k 1-6 to k 1-1 and k 2-6 to k 2-1 are multimode laser beams. L 3 may be synthesized on. Thus, the heat-sensitive recording medium 16, first, the single mode laser beam k 1-12 superimposed according main scanning direction to k 1-7, k 2-12 sequentially thermosensitive recording medium to k 2-7 by itself The same part on the 16th surface is irradiated. As shown in FIG. 7, the temperature rise when these superposed single mode laser beams k 1-12 to k 1-7 and k 2-12 to k 2-7 are irradiated alone on the thermal recording medium 16. temperatures T 1 or more and is a temperature T 2 below which the temperature rises to the erased area of which the disabling recording on the thermosensitive recording medium 16.

次に、感熱記録媒体１６面上には、重ね合わされた各シングルモードレーザ光ｋ１−６〜ｋ１−１、ｋ２−６〜ｋ２−１とマルチモードレーザビームＬ３との合成された部分が照射される。これにより、各シングルモードレーザ光ｋ１−６〜ｋ１−１、ｋ２−６〜ｋ２−１とマルチモードレーザビームＬ３との合成された部分が感熱記録媒体１６に照射されたときの温度上昇は、温度Ｔ２以上となり、感熱記録媒体１６に対する記録が可能になる。 Next, the superposed single mode laser beams k 1-6 to k 1-1 , k 2-6 to k 2-1 and the multimode laser beam L 3 are synthesized on the surface of the thermal recording medium 16. The part is irradiated. Thereby, when the combined part of each single mode laser beam k 1-6 to k 1-1 , k 2-6 to k 2-1 and the multimode laser beam L 3 is irradiated onto the thermal recording medium 16. temperature rise of, become a temperature T 2 above, it is possible to record for a heat-sensitive recording medium 16.

各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２は、ビーム位置調整機構４０によりシングルモード半導体レーザアレイ１を移動させて当該各シングルモードレーザ光ｋ１−１〜ｋ１−１２のＳ偏光の偏向方向ｓ１と同一方向（矢印Ｈ方向）にシフトしているが、これに限らず、例えばミラー等の光学部材を用いてシフトさせてもよい。 The single mode laser beam k 1-1 to k 1-12, due beam position adjusting mechanism 40 moves the single mode semiconductor laser array 1 the S-polarized light of the single mode laser beam k 1-1 to k 1-12 of it is shifted to the deflection direction s 1 in the same direction (arrow H direction), not limited thereto, and may be shifted using an optical member, for example a mirror or the like.

本発明に係る非接触光書き込み装置の第１の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 1st Embodiment of the non-contact optical writing apparatus which concerns on this invention. 同装置における第１と第２のシングルモード半導体レーザアレイにおける複数のレーザ発光部のｐｎ接合面を示す図。The figure which shows the pn junction surface of the several laser light emission part in the 1st and 2nd single mode semiconductor laser array in the apparatus. 同装置におけるマルチモード半導体レーザのレーザ発光部のｐｎ接合面を示す図。The figure which shows the pn junction surface of the laser light emission part of the multimode semiconductor laser in the same apparatus. 同装置におけるλ／４反射板を設けた偏光ビームスプリッタによるマルチモードレーザビームのビームプロファイル内への複数の重ね合わせのシングルモードレーザビームの合成作用を示す図。The figure which shows the synthetic | combination effect | action of the several superimposition single mode laser beam in the beam profile of the multimode laser beam by the polarizing beam splitter which provided the (lambda) / 4 reflecting plate in the apparatus. 同装置におけるマルチモードレーザビームの横長形状のビームプロファイル内に複数の重ね合わせのレーザビームの円形ビームスポットを合成したビームプロファイルを示す図。The figure which shows the beam profile which synthesize | combined the circular beam spot of several superimposition laser beam in the horizontally long beam profile of the multimode laser beam in the same apparatus. 同装置に用いられる感熱記録媒体の特性図。The characteristic view of the thermosensitive recording medium used for the apparatus. 同装置に用いられる感熱記録媒体シングルモードレーザビーム及びマルチモードレーザビームを照射したときの媒体温度と発色・消色等の関係を示す図。The figure which shows the relationship between medium temperature, color development, decoloring, etc. when the thermal recording medium single mode laser beam and multimode laser beam which are used for the apparatus are irradiated. 同装置における各シングルモードレーザビームとの重ね合わせの条件を説明するための図。The figure for demonstrating the conditions of superimposition with each single mode laser beam in the same apparatus. 本発明に係る非接触光書き込み装置の第２の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 2nd Embodiment of the non-contact optical writing apparatus which concerns on this invention. 同装置におけるマルチモードレーザビームの横長形状のビームプロファイル内に複数の重ね合わせのレーザビームの円形ビームスポットを合成したビームプロファイルを示す図。The figure which shows the beam profile which synthesize | combined the circular beam spot of several superimposition laser beam in the horizontally long beam profile of the multimode laser beam in the same apparatus. 本発明に係る非接触光書き込み装置の第３の実施の形態における各シングルモードレーザビームとの重ね合わせの条件を説明するための図。The figure for demonstrating the conditions of superimposition with each single mode laser beam in 3rd Embodiment of the non-contact optical writing apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る非接触光書き込み装置の第４の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 4th Embodiment of the non-contact optical writing apparatus which concerns on this invention. 同装置におけるビーム位置調整機構によるシングルモード半導体レーザアレイを移動したときの各シングルモードレーザ光の移動例を示す図。The figure which shows the example of a movement of each single mode laser beam when moving the single mode semiconductor laser array by the beam position adjustment mechanism in the apparatus. 同装置における各シングルモードレーザビームの重ね合わせの変形例を示す構成図。The block diagram which shows the modification of the superimposition of each single mode laser beam in the same apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１，２：シングルモード半導体レーザアレイ、３：マルチモード半導体レーザ、４：第１のレーザ発光部、５：ｐｎ接合面、６：第２のレーザ発光部、７：ｐｎ接合面、８：マウント、９：第１のコリメータレンズ（第１の結像レンズ）、１０：第２のコリメータレンズ（第２の結像レンズ）、１１：第３のコリメータレンズ、１２：ダイクロイックプリズム、１３：偏光ビームスプリッタ、１４：λ／４反射板、１５：反射ミラー、１６：熱記録媒体、１７：偏向走査機構、１８：ガルバノミラー、１９：回転軸、２０：回転駆動部、２１：走査レンズ、２２：搬送機構、３０：第３のシングルモード半導体レーザアレイ、３１：第４のコリメータレンズ（第４の結像レンズ）、３２：ダイクロイックプリズム、４０：ビーム位置調整機構、４１：偏光ビームスプリッタ、４２：λ／４反射板、４３：反射ミラー。   1, 2: single mode semiconductor laser array, 3: multimode semiconductor laser, 4: first laser light emitting part, 5: pn junction surface, 6: second laser light emitting part, 7: pn junction surface, 8: mount , 9: first collimator lens (first imaging lens), 10: second collimator lens (second imaging lens), 11: third collimator lens, 12: dichroic prism, 13: polarized beam Splitter, 14: λ / 4 reflector, 15: reflection mirror, 16: thermal recording medium, 17: deflection scanning mechanism, 18: galvanometer mirror, 19: rotating shaft, 20: rotation drive unit, 21: scanning lens, 22: Transport mechanism, 30: third single mode semiconductor laser array, 31: fourth collimator lens (fourth imaging lens), 32: dichroic prism, 40: beam position adjusting mechanism 41: polarization beam splitter, 42: lambda / 4 reflector, 43: reflective mirror.

Claims (19)

少なくとも感熱記録を可能とするリライタブルな感熱記録媒体に対して非接触で情報記録を行う非接触光書き込み装置において、
活性層の接合面が形成され、それぞれ半導体レーザ光を出力する複数の第１のレーザ発光部を有し、これら第１のレーザ発光部を前記接合面方向に等間隔で配置して成る少なくとも１つの半導体レーザアレイと、
前記第１のレーザ発光部の前記接合面方向と同一方向に配置した活性層の接合面が形成された第２のレーザ発光部を有し、この第２のレーザ発光部から半導体レーザビームを出力する半導体レーザと、
前記半導体レーザアレイから出力された前記複数の半導体レーザ光を反射又は透過すると共に、前記半導体レーザから出力された前記半導体レーザビームを透過又は反射し、前記半導体レーザビームのビームプロファイル内に前記複数の半導体レーザ光のうち少なくとも一部を等間隔で合成して出力する偏光部材と、
前記複数の半導体レーザ光の偏光方向又は前記半導体レーザビームの偏光方向に対して平行で、かつ前記半導体レーザビームの偏光方向又は前記複数の半導体レーザ光の偏光方向に対して垂直な方向に回転軸を有し、前記偏光ビームスプリッタから出力された前記合成の半導体レーザビームを前記感熱記録媒体上に走査する偏向走査機構と、
を具備することを特徴とする非接触光書き込み装置。 In a non-contact optical writing apparatus that records information in a non-contact manner on a rewritable thermal recording medium that enables at least thermal recording,
A bonding surface of the active layer is formed, each of which has a plurality of first laser light emitting portions for outputting semiconductor laser light, and at least one of the first laser light emitting portions arranged at equal intervals in the bonding surface direction. Two semiconductor laser arrays,
A second laser emitting unit having an active layer bonding surface disposed in the same direction as the bonding surface direction of the first laser emitting unit, and outputting a semiconductor laser beam from the second laser emitting unit; A semiconductor laser,
Reflecting or transmitting the plurality of semiconductor laser beams output from the semiconductor laser array, transmitting or reflecting the semiconductor laser beam output from the semiconductor laser, and including the plurality of semiconductor laser beams in a beam profile of the semiconductor laser beam. A polarizing member that synthesizes and outputs at least part of the semiconductor laser light at equal intervals; and
The rotation axis is parallel to the polarization direction of the plurality of semiconductor laser beams or the polarization direction of the semiconductor laser beam, and perpendicular to the polarization direction of the semiconductor laser beams or the polarization direction of the plurality of semiconductor laser beams. A deflection scanning mechanism that scans the thermal recording medium with the combined semiconductor laser beam output from the polarization beam splitter;
A non-contact optical writing device comprising: 前記半導体レーザアレイは、前記複数の第１のレーザ発光部としてシングルモード半導体レーザを配列して成り、
前記半導体レーザは、マルチモード半導体レーザである、
ことを特徴とする請求項１記載の非接触光書き込み装置。 The semiconductor laser array is formed by arranging single mode semiconductor lasers as the plurality of first laser light emitting units,
The semiconductor laser is a multimode semiconductor laser.
The non-contact optical writing apparatus according to claim 1. 複数の前記半導体レーザアレイを設け、
前記複数の半導体レーザアレイからそれぞれ出力された複数群の前記半導体レーザ光同士を重ね合わせる重ね合せ光学系を設ける、
ことを特徴とする請求項１記載の非接触光書き込み装置。 Providing a plurality of the semiconductor laser arrays;
Providing a superposition optical system for superimposing a plurality of groups of the semiconductor laser beams respectively output from the plurality of semiconductor laser arrays;
The non-contact optical writing apparatus according to claim 1. 前記重ね合せ光学系は、ダイクロイックミラーから成ることを特徴とする請求項３記載の非接触光書き込み装置。   4. The non-contact optical writing apparatus according to claim 3, wherein the superposition optical system is composed of a dichroic mirror. 前記重ね合せ光学系は、偏光ビームスプリッタと、λ／４反射板とから成ることを特徴とする請求項３記載の非接触光書き込み装置。   4. The non-contact optical writing apparatus according to claim 3, wherein the superposition optical system comprises a polarization beam splitter and a [lambda] / 4 reflector. 前記複数の半導体レーザアレイは、それぞれ同一ピッチで前記複数のレーザ発光部を配置して成ることを特徴とする請求項３記載の非接触光書き込み装置。   4. The non-contact optical writing apparatus according to claim 3, wherein each of the plurality of semiconductor laser arrays includes the plurality of laser light emitting units arranged at the same pitch. 前記複数の半導体レーザアレイからそれぞれ出力される前記複数群の半導体レーザ光は、前記複数の半導体レーザアレイ毎に波長が異なることを特徴とする請求項３記載の非接触光書き込み装置。   4. The non-contact optical writing apparatus according to claim 3, wherein the plurality of groups of semiconductor laser beams respectively output from the plurality of semiconductor laser arrays have different wavelengths for each of the plurality of semiconductor laser arrays. 前記複数の半導体レーザアレイは、略同一タイミングでそれぞれ前記複数群の半導体レーザ光を出力することを特徴とする請求項３記載の非接触光書き込み装置。   4. The non-contact optical writing apparatus according to claim 3, wherein each of the plurality of semiconductor laser arrays outputs the plurality of groups of semiconductor laser beams at substantially the same timing. 前記半導体レーザアレイを複数設け、かつ前記複数の半導体レーザアレイから出力された前記複数群の第１の半導体レーザ光をそれぞれ結像する複数の結像レンズを備え、
前記複数の半導体レーザアレイにおける前記複数の第１のレーザ発光部の配列方向の各ピッチを等しく設定し、かつ前記複数の結像レンズの各焦点距離を等しく設定することを特徴とする請求項１記載の非接触光書き込み装置。 Provided with a plurality of the semiconductor laser array, and comprising a plurality of imaging lenses that respectively image the plurality of groups of first semiconductor laser light outputted from the plurality of semiconductor laser arrays,
2. The pitches in the arrangement direction of the plurality of first laser light emitting units in the plurality of semiconductor laser arrays are set to be equal, and the focal lengths of the plurality of imaging lenses are set to be equal. The non-contact optical writing device described. 前記半導体レーザアレイを第１と第２の半導体レーザアレイとして２つ設け、
前記第１の半導体レーザアレイから出力された前記複数の半導体レーザ光を結像する第１の結像レンズと、
前記第２の半導体レーザアレイから出力された前記複数の半導体レーザ光を結像する第２の結像レンズと、
前記第１の結像レンズにより結像された前記複数の半導体レーザ光と前記第２の結像レンズにより結像された前記複数の半導体レーザ光とを重ね合わせるダイクロイックミラーと、
を有し、
前記第１の半導体レーザアレイと前記第１の結像レンズとの間の距離をａ１、前記第１の結像レンズと前記ダイクロイックミラーとの間の距離をｂ１、前記第１の結像レンズの焦点距離をｆ１とし、
前記第２の半導体レーザアレイと前記第２の結像レンズとの間の距離をａ１’、前記第２の結像レンズと前記ダイクロイックミラーとの間の距離をｂ１’、前記第２の結像レンズの焦点距離をｆ１’とすると、
ａ１＝ａ１’、ｂ１＝ｂ１’、ｆ１＝ｆ１’の関係に設定し、
前記第１と前記第２の前記半導体アレイから出力される前記複数の半導体レーザ光同士を重ね合わせる、
ことを特徴とする請求項１記載の非接触光書き込み装置。 Two semiconductor laser arrays are provided as first and second semiconductor laser arrays,
A first imaging lens for imaging the plurality of semiconductor laser beams output from the first semiconductor laser array;
A second imaging lens for imaging the plurality of semiconductor laser beams output from the second semiconductor laser array;
A dichroic mirror that superimposes the plurality of semiconductor laser beams imaged by the first imaging lens and the plurality of semiconductor laser beams imaged by the second imaging lens;
Have
The distance between the first semiconductor laser array and the first imaging lens is a 1 , the distance between the first imaging lens and the dichroic mirror is b 1 , and the first imaging. the focal length of the lens is f 1,
The distance between the second semiconductor laser array and the second imaging lens is a 1 ′, the distance between the second imaging lens and the dichroic mirror is b 1 ′, and the second If the focal length of the imaging lens is f 1 ′,
a 1 = a 1 ′, b 1 = b 1 ′, f 1 = f 1 ′
Superimposing the plurality of semiconductor laser beams output from the first and second semiconductor arrays;
The non-contact optical writing apparatus according to claim 1. 前記偏光部材は、偏光ビームスプリッタと、λ／４反射板とから成り、
前記偏光ビームスプリッタにおける前記半導体レーザビームが入射する面と対向する面に前記λ／４反射板が設けられ、
前記λ／４反射板は、前記偏光ビームスプリッタを透過した前記半導体レーザビームを９０度位相回転させて前記偏光ビームスプリッタに戻し、
前記偏光ビームスプリッタは、前記複数の半導体レーザ光を入射すると共に、前記λ／４反射板から戻ってきた前記半導体レーザビームを反射して前記半導体レーザビームの前記ビームプロファイル内に前記複数の半導体レーザ光を等間隔で重ね合わせる、
ことを特徴とする請求項１記載の非接触光書き込み装置。 The polarizing member comprises a polarizing beam splitter and a λ / 4 reflector,
The λ / 4 reflector is provided on a surface of the polarizing beam splitter that faces the surface on which the semiconductor laser beam is incident,
The λ / 4 reflecting plate rotates the semiconductor laser beam transmitted through the polarizing beam splitter by 90 degrees and returns it to the polarizing beam splitter.
The polarization beam splitter receives the plurality of semiconductor laser beams and reflects the semiconductor laser beam returned from the λ / 4 reflector and includes the plurality of semiconductor lasers within the beam profile of the semiconductor laser beam. Superimpose the light at equal intervals,
The non-contact optical writing apparatus according to claim 1. 前記偏光部材は、前記半導体レーザビームを楕円形状のビームプロファイルに形成すると共に、この半導体レーザビームの前記ビームプロファイル内の長軸方向に前記複数の半導体レーザ光を等間隔で合成することを特徴とする請求項１記載の非接触光書き込み装置。   The polarizing member forms the semiconductor laser beam into an elliptical beam profile and synthesizes the plurality of semiconductor laser beams at equal intervals in a major axis direction in the beam profile of the semiconductor laser beam. The non-contact optical writing device according to claim 1. 前記半導体レーザアレイにおける前記活性層の前記接合面方向を前記偏向走査機構の前記回転軸の方向と平行方向に配置して、前記半導体レーザアレイから出力されて前記偏光ビームスプリッタに入射する前記複数の半導体レーザ光をＰ偏光とし、
前記半導体レーザから出力されたＰ偏光の前記半導体レーザビームを前記偏光ビームスプリッタに透過し、前記λ／４反射板を通ることにより位相を９０度回転させてＳ偏光とし、
前記偏光ビームスプリッタは、前記９０度位相の回転された前記Ｓ偏光の前記半導体レーザビームのプロファイル内に前記Ｐ偏光の前記複数の半導体レーザ光を重ね合わせる、
ことを特徴とする請求項１１記載の非接触光書き込み装置。 The bonding surface direction of the active layer in the semiconductor laser array is arranged in a direction parallel to the direction of the rotation axis of the deflection scanning mechanism, and the plurality of light beams output from the semiconductor laser array and incident on the polarization beam splitter The semiconductor laser light is P-polarized light,
The P-polarized semiconductor laser beam output from the semiconductor laser is transmitted through the polarization beam splitter, and the phase is rotated by 90 degrees by passing through the λ / 4 reflecting plate to obtain S-polarized light.
The polarization beam splitter superimposes the plurality of semiconductor laser beams of P-polarized light in a profile of the semiconductor laser beam of S-polarized light rotated by 90 degrees,
The non-contact optical writing device according to claim 11. 前記半導体レーザアレイを第１乃至第３の半導体レーザアレイとして３つ設け、
前記第１の半導体レーザアレイから出力された前記複数の半導体レーザ光を結像する第１の結像レンズと、
前記第２の半導体レーザアレイから出力された前記複数の半導体レーザ光を結像する第２の結像レンズと、
前記第３の半導体レーザアレイから出力された前記複数の半導体レーザ光を結像する第３の結像レンズと、
を有し、
前記第１の半導体レーザアレイと前記第１の結像レンズとの間の距離をａ１、前記第２の半導体レーザアレイと前記第２の結像レンズとの間の距離をａ１’、前記第３の半導体レーザアレイと前記第３の結像レンズとの間の距離をａ１”、とし、前記第１の結像レンズの焦点距離をｆ１、前記第２の結像レンズの焦点距離をｆ１’、前記第３の結像レンズの焦点距離をｆ１”とし、前記第１の半導体レーザアレイにおける前記各半導体レーザ光の配列方向の各ピッチｑ１１、前記第２の半導体レーザアレイにおける前記各半導体レーザ光の配列方向の各ピッチｑ１２、前記第３の半導体レーザアレイにおける前記各半導体レーザ光の配列方向の各ピッチｑ１３とすると、
前記第１乃至第３の半導体レーザアレイにおける前記各半導体レーザ光の配列方向の各ピッチｑ１、ｑ２、ｑ３を等しく設定し、
前記第１乃至第３の結像レンズの焦点距離ｆ１、ｆ１’、ｆ１”を等しく設定し、
前記第１乃至第３の半導体レーザアレイと前記第１乃至第３の結像レンズとの間の各距離をａ１、ａ１’、ａ１”を等しく設定し、
前記第１乃至第３の結像レンズと前記感熱記録媒体との間の各距離を等しく設定し、
前記第１乃至第３の結像レンズの各倍率を等しく設定する、
ことを特徴とする請求項１記載の非接触光書き込み装置。 Three semiconductor laser arrays are provided as first to third semiconductor laser arrays,
A first imaging lens for imaging the plurality of semiconductor laser beams output from the first semiconductor laser array;
A second imaging lens for imaging the plurality of semiconductor laser beams output from the second semiconductor laser array;
A third imaging lens that images the plurality of semiconductor laser beams output from the third semiconductor laser array;
Have
The distance between the first semiconductor laser array and the first imaging lens is a 1 , the distance between the second semiconductor laser array and the second imaging lens is a 1 ′, The distance between the third semiconductor laser array and the third imaging lens is a 1 ″, the focal length of the first imaging lens is f 1 , and the focal length of the second imaging lens. F 1 ′, the focal length of the third imaging lens is f 1 ″, each pitch q 11 in the arrangement direction of each semiconductor laser beam in the first semiconductor laser array, and the second semiconductor laser array , Each pitch q 12 in the arrangement direction of the semiconductor laser light in each, and each pitch q 13 in the arrangement direction of the semiconductor laser light in the third semiconductor laser array,
The pitches q 1 , q 2 , q 3 in the arrangement direction of the semiconductor laser beams in the first to third semiconductor laser arrays are set equal,
The focal lengths f 1 , f 1 ′, f 1 ″ of the first to third imaging lenses are set equal,
A 1 , a 1 ′, a 1 ″ are set equal to each distance between the first to third semiconductor laser arrays and the first to third imaging lenses;
Each distance between the first to third imaging lenses and the thermal recording medium is set equal;
Each magnification of the first to third imaging lenses is set equal;
The non-contact optical writing apparatus according to claim 1. 前記複数の半導体レーザ光は、前記感熱記録媒体に照射することにより前記感熱記録媒体に対する消去レベル以下のパワーを有し、
前記半導体レーザビームは、前記感熱記録媒体に照射することにより前記感熱記録媒体に対する記録を不能とし、かつ消去レベルのパワーを有し、
前記半導体レーザビームのビームプロファイル内に前記複数の半導体レーザ光を等間隔で合成した前記重ね合せの半導体レーザビームは、前記感熱記録媒体に対する記録レベルのパワーを有する、
ことを特徴とする請求項１記載の非接触光書き込み装置。 The plurality of semiconductor laser beams have power equal to or lower than an erasure level for the thermal recording medium by irradiating the thermal recording medium,
The semiconductor laser beam disables recording on the thermal recording medium by irradiating the thermal recording medium, and has an erasing level power,
The superposed semiconductor laser beam obtained by synthesizing the plurality of semiconductor laser beams at equal intervals in the beam profile of the semiconductor laser beam has a recording level power for the thermal recording medium,
The non-contact optical writing apparatus according to claim 1. 前記少なくとも１つの半導体レーザアレイから出力される前記複数の半導体レーザ光をシフトし、前記各半導体レーザアレイから出力される前記複数の半導体レーザ光の重なる位置を調整するビーム位置調整部、
を有することを特徴とする請求項１記載の非接触光書き込み装置。 A beam position adjusting unit that shifts the plurality of semiconductor laser beams output from the at least one semiconductor laser array and adjusts a position where the plurality of semiconductor laser beams output from the semiconductor laser arrays overlap;
The non-contact optical writing apparatus according to claim 1, comprising: 前記ビーム位置調整部は、前記少なくとも１つの半導体レーザアレイを当該半導体レーザアレイから出力される前記半導体レーザ光のＳ偏光の偏向方向と同一方向に移動することを特徴とする請求項１６記載の非接触光書き込み装置。   17. The non-beam-adjusting apparatus according to claim 16, wherein the beam position adjusting unit moves the at least one semiconductor laser array in the same direction as a deflection direction of S-polarized light of the semiconductor laser light output from the semiconductor laser array. Contact light writing device. 前記ビーム位置調整部は、前記少なくとも１つの半導体レーザアレイから出力された前記複数の半導体レーザ光をシフトし、前記感熱記録媒体上において他の前記半導体レーザアレイから出力された前記複数の半導体レーザ光の各間にそれぞれ前記少なくとも１つの半導体レーザアレイから出力された前記複数の半導体レーザ光を配置することを特徴とする請求項１６記載の非接触光書き込み装置。   The beam position adjusting unit shifts the plurality of semiconductor laser beams output from the at least one semiconductor laser array, and the plurality of semiconductor laser beams output from other semiconductor laser arrays on the thermal recording medium. The non-contact optical writing apparatus according to claim 16, wherein the plurality of semiconductor laser beams output from the at least one semiconductor laser array are arranged between each of the plurality of semiconductor laser arrays. 前記少なくとも１つの半導体レーザアレイから出力される前記複数の半導体レーザ光が等ピッチであれば、
前記ビーム位置調整部は、前記少なくとも１つの半導体レーザアレイから出力される前記複数の半導体レーザ光の各ピッチの２分の１のピッチで前記Ｓ偏光の前記偏向方向と同一方向に前記前記複数の半導体レーザ光をシフトすることを特徴とする請求項１７記載の非接触光書き込み装置。 If the plurality of semiconductor laser beams output from the at least one semiconductor laser array are equal pitches,
The beam position adjusting unit is configured to cause the plurality of the plurality of semiconductor laser beams output from the at least one semiconductor laser array to be in the same direction as the deflection direction of the S-polarized light at a pitch half of each pitch of the plurality of semiconductor laser beams. The non-contact optical writing apparatus according to claim 17, wherein the semiconductor laser light is shifted.
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