JP2008516568A - Variable attenuator - Google Patents

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躍軍 閻
躍鵬 閻
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躍軍 閻
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/22—Attenuating devices
    • H01P1/227—Strip line attenuators

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  • Attenuators (AREA)

Abstract

【課題】高周波数とマイクロ波回路及びシステムに適するマイクロストリップライン方式の可変減衰器を実現することにある。
【解決手段】本発明は、基板上に形成された四つのフィルム抵抗体と、絶縁体上に固定された二つの導電体とを有するものである。本減衰器は、第１フィルム抵抗体の両端子に、それぞれ入力端子と出力端子に接続され、また、第１フィルム抵抗体の両端子には、それぞれ第３フィルム抵抗体の一端子に、第４フィルム抵抗体の一端に連結され、第３フィルム抵抗体の他端及び第４フィルム抵抗の他端が、第２フィルム抵抗体の一端に接続され、第２フィルム抵抗体の他端はグランドに電気的に接続され、二つの導電体が、それぞれ第１フィルム抵抗体及び第２フィルム抵抗体と電気的に接触され、二つの導電体の移動によって、第１フィルム抵抗体および第２フィルム抵抗体のインピーダンスを変えることに用いて、この可変減衰器の減衰値を変化できることを特徴とするものである。
【選択図】図１A microstrip line type variable attenuator suitable for high frequency and microwave circuits and systems is provided.
The present invention has four film resistors formed on a substrate and two conductors fixed on an insulator. The attenuator is connected to both terminals of the first film resistor, respectively, to the input terminal and the output terminal, and both terminals of the first film resistor are connected to one terminal of the third film resistor, respectively. The other end of the third film resistor and the other end of the fourth film resistor are connected to one end of the second film resistor, and the other end of the second film resistor is connected to the ground. Electrically connected, the two conductors are in electrical contact with the first film resistor and the second film resistor, respectively, and movement of the two conductors causes the first film resistor and the second film resistor. The attenuation value of the variable attenuator can be changed by changing the impedance of the variable attenuator.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、一種の電子及び通信に関する可変減衰器であり、特に各種高周波とマイクロ波回路及びシステムに関する可変減衰器である。  The present invention is a type of variable attenuator for electronics and communications, and in particular, a variable attenuator for various high frequency and microwave circuits and systems.

電子部品家族の中で、可変減衰器は、回路とシステム中に良く使われる基本部品であり、可変減衰器の存在は、回路製作やシステムのテストをもっと円滑且つ便利にさせており、数百ＭＨｚ以下の回路とシステム中、可変減衰器は、既に幅広く応用されている。例えば、ＣＡＴＶシステムとマイクロ波回路システム中、テストや、レベル調節、隔離増強など。しかし、使用される周波数が比較的高い周波数範囲になる場合、既存の構造は、接触リードや、スライド、スクリューなどによって作られた立体構造の可変減衰器であるため、それに寄生されるパラメータが大きく、高周波特性もあまり良くないし、高価なものである。  Within the electronic component family, variable attenuators are basic components often used in circuits and systems, and the presence of variable attenuators makes circuit fabrication and system testing more smooth and convenient, with hundreds of them. Variable attenuators have already been widely applied in sub-MHz circuits and systems. For example, testing, level adjustment, isolation enhancement in CATV system and microwave circuit system. However, when the used frequency is in a relatively high frequency range, the existing structure is a three-dimensional variable attenuator made by contact leads, slides, screws, etc., so the parameters parasitic on it are large. Also, the high frequency characteristics are not so good and expensive.

本発明が解決しようとする課題は、一種の優れたブロードバンド特性を持ち、高周波数とマイクロ波回路及びシステムに適する可変減衰器を提供するということである。  The problem to be solved by the present invention is to provide a variable attenuator having a kind of excellent broadband characteristics and suitable for high frequency and microwave circuits and systems.

請求項１記載の発明は、
基板、基板上に形成された四つのフィルム抵抗体、入力端子、出力端子、グランド、絶縁体、及び絶縁体上に固定された二つの導電体とを有するもにおいて、第１フィルム抵抗体の両端子に、それぞれ入力端子と出力端子に接続され、また、第１フィルム抵抗体の両端子には、それぞれ第３フィルム抵抗体の一端子に、第４フィルム抵抗体の一端に連結され、第３フィルム抵抗体の他端及び第４フィルム抵抗の他端が、第２フィルム抵抗体の一端に接続され、第２フィルム抵抗体の他端はグランドに電気的に接続され、二つの導電体が、それぞれ第１フィルム抵抗体及び第２フィルム抵抗体と電気的に接触され、第１フィルム抵抗体および第２フィルム抵抗体のインピーダンス値を変化させることを設けたことを特徴とする可変減衰器。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、
第３フイルム抵抗体のインピーダンス値は、第４フイルム抵抗体のインピーダンス値と同じであることを特徴とするものである。
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の発明において、
絶縁体は、外力を受けることによって、第１導電対と第２導電体の位置を変化させることができ、第１導電体と第２導電体がそれぞれ第１フイルム抵抗体、第２フイルム抵抗体との接触面積を変化させることを特徴とするものである。
請求項４記載の発明は、請求項１または２記載の発明において、
第１導電体、第２導電体、第１フイルム抵抗体及び第２フイルム抵抗体の幾何形状は、円弧状、或いは長方形にすることができ、第１導電体と第２導電体は、フイルム抵抗体にすることもできることを特徴とするものである。
請求項５記載の発明は、請求項１または２記載の発明において、
第１フイルム抵抗体と第１導電体との共同平面は、第２抵抗体と第２導電体との共同平面と同一平面ではなく、基板は複数層の基板であることを特徴とするものである。
請求項６記載の発明は、請求項３記載の発明において、
第１導電体と第２導電体の幾何位置に変化を発生させる力には、機械や手動による外力や、自動制御による機械力や、電磁力、熱及び温度の変化による力、流体物の流動、或いは膨張・収縮による力、光電激励による力が含まれることを特徴とするものである。
請求項７記載の発明は、請求項１記載の発明において、
表面の実際取付型や、リード型、或いはインサート型のパッケージ構造にすることを特徴とするものである。
請求項８記載の発明は、請求項７記載の発明において、
基板と絶縁体との間には、垂直方向にて導電作用のある、シラスチック薄膜をインサートことを特徴とするものである。
請求項９記載の発明は、請求項７記載の発明において、
絶縁体には、溝が加工され、第１導電体と第２導電体は、この溝内に位置しており、溝内で接触ショート機能を持つ第１導電体と第２導電体との間には、弾性物質が挟めれていることを特徴とするものである。The invention described in claim 1
Both ends of the first film resistor having a substrate, four film resistors formed on the substrate, an input terminal, an output terminal, a ground, an insulator, and two conductors fixed on the insulator The first film resistor is connected to one terminal of the third film resistor, and one end of the fourth film resistor is connected to one end of the fourth film resistor, respectively. The other end of the film resistor and the other end of the fourth film resistor are connected to one end of the second film resistor, the other end of the second film resistor is electrically connected to the ground, and the two conductors are A variable attenuator, wherein the variable attenuator is provided in such a manner that the impedance values of the first film resistor and the second film resistor are changed in electrical contact with the first film resistor and the second film resistor, respectively.
The invention according to claim 2 is the invention according to claim 1,
The impedance value of the third film resistor is the same as the impedance value of the fourth film resistor.
The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2,
The insulator can change the positions of the first conductive pair and the second conductor by receiving an external force, and the first conductor and the second conductor are the first film resistor and the second film resistor, respectively. The contact area is changed.
The invention according to claim 4 is the invention according to claim 1 or 2,
The geometric shape of the first conductor, the second conductor, the first film resistor, and the second film resistor can be an arc shape or a rectangle, and the first conductor and the second conductor are film resistors. It can also be made into a body.
The invention according to claim 5 is the invention according to claim 1 or 2,
The joint plane of the first film resistor and the first conductor is not the same plane as the joint plane of the second resistor and the second conductor, and the substrate is a multilayer substrate. is there.
The invention according to claim 6 is the invention according to claim 3,
The forces that cause changes in the geometric positions of the first and second conductors include mechanical and manual external forces, automatic control mechanical forces, electromagnetic forces, heat and temperature changes, and fluid flow. Or a force due to expansion / contraction, or a force due to photoelectric excitation.
The invention according to claim 7 is the invention according to claim 1,
It is characterized by a surface mounting type, lead type, or insert type package structure.
The invention according to claim 8 is the invention according to claim 7,
Between the substrate and the insulator, a silastic thin film having a conductive action in the vertical direction is inserted.
The invention according to claim 9 is the invention according to claim 7,
A groove is processed in the insulator, and the first conductor and the second conductor are located in the groove, and between the first conductor and the second conductor having a contact short-circuit function in the groove. Is characterized in that an elastic material is sandwiched.

本発明によれば、以下のような効果がある。
高周波数及びマイクロ波の基板上に、フィルム抵抗体を形成し、絶縁物と導電体を通じて、導電体とフィルム抵抗体との接触面積を変化させて、フィルム抵抗体のインピーダンス値を変えることによって、可変減衰器の機能を実現することができる。
本発明は次のメリットを有する。
ａ．マイクロストリップライン方式の連続的可変減衰器を実現することができた。
ｂ．体積が小さく、調節も便利だし、各種コンパクトな回路及び通信回路に適している。
ｃ．製造のコストが低い。
ｄ．各種等アンプ回路に適している。
ｅ．各種アイソレーション回路に適している。
ｆ．各種回路の調節、制御及び回路の安定、カップリング量の調節用回路に適している。
ｇ．システムゲインの調整に適用している。
ｈ．挿入ロースが小さい。
ｉ．試験室の研究開発用の調整デバイスとして使用できる。The present invention has the following effects.
By forming a film resistor on a high-frequency and microwave substrate, changing the contact area between the conductor and the film resistor through the insulator and the conductor, and changing the impedance value of the film resistor, The function of a variable attenuator can be realized.
The present invention has the following merits.
a. A microstripline continuous variable attenuator could be realized.
b. Small volume, convenient adjustment, and suitable for various compact circuits and communication circuits.
c. Manufacturing costs are low.
d. Suitable for various types of amplifier circuits.
e. Suitable for various isolation circuits.
f. Suitable for various circuit adjustment, control and circuit stability, coupling amount adjustment circuit.
g. Applied to system gain adjustment.
h. Inserted loin is small.
i. Can be used as an adjustment device for laboratory research and development.

以下添付の図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
「第１の実施例」
図１と図２は、本発明の第１の実施例を示した構成図である。本発明の可変減衰器には、基板１１、基板１１上に入力端子９、出力端子１０、円弧状の第１マイクロストリップライン５、円弧状の第１フィルム抵抗体１、第２フィルム抵抗体２、第３フィルム抵抗体６、第４フィルム抵抗体７、円弧状の第２マイクロストリップライン８、グラント端子１３が含まれている。第１マイクロストリップライン５の一端子は、入力端子９に接続され、他端子は、第１フィルム抵抗体１の一端子及び第３フィルム抵抗体６の一端子に接続される。第１フィルム抵抗体１の他端子は、出力端子１０および第４フィルム抵抗体７の一端子に接続される。第４フィルム抵抗体７の他端子１４は、第３フィルム抵抗体６の他端子および第２フィルム抵抗体２の一端子に接続される。第２フィルム抵抗体２の他端子は、第２マイクロストリップライン８を通じて、グラント１３に接続される。上記の第１フィルム抵抗体１、第２フィルム抵抗体２、第３フィルム抵抗体６および第４フィルム抵抗体は、いずれもプリンタによるフィルム抵抗体であり、その底部は、基板１１に接続され、表面は、電気を通すことができる絶縁材料ない抵抗体材料である。
第３フィルム抵抗体６と第４フィルム抵抗体７のインピーダンス値は、同じ値の方が良い。第３フィルム抵抗体６および第４フィルム抵抗体７のインピーダンス値は、入力・出力インピーダンス値と同じである、一般的には、５０Ωです。第１マイクロストリップライン５の上に、同じ形状の第１導電体（導電チップ）３を設け、この導電体３は、絶縁体１２に固定されている。この絶縁体１２は、外力による位置がかえる。絶縁体１２の上に、第２導電体４も固定されている。第１導電体３および第２導電体４は、絶縁体１２（外力受け変移板）の底面に設置されている、第１導電体３の作用は、第１フィルム抵抗体のインピーダンス値を変化させるためである。第２導電体４の作用は、第２フィルム抵抗体のインピーダンス値を変化させるためである。第１導電体２は、第２導電体４に直接接続しない。第１導電体３と第２導電体４は、絶縁物１２の回転と共に回転される。例えば、絶縁物１２（外力受け変移板）が時計回りする場合、第１導電体３は、同時に第１マイクロストリップライン５および第１フィルム抵抗体１の上に、接続移動される。第１導電体３は、第１フィルム抵抗体１に接続の面積は、大きくなるため、第１フィルム抵抗体のインピーダンス値が小さくなる。第２導電体４同時に、第２マイクロストリップライン８および第２フィルム抵抗体２の上に、接続移動される。第２導電体４は、第２フィルム抵抗体８に接続の面積は、大きくなるため、第２フィルム抵抗体のインピーダンス値が小さくなる。このように幾何面積の変化、即ち、導電対とフィルム抵抗体との接触面積変化を通じて、第１フィルム抵抗体１および第２フィルム抵抗体２のインピーダンス値を変化させることがでる。
絶縁物１２（外力受け変移板）が時計回りする場合、最大回転角度は、第１導電体３が第１フィルム抵抗体を完全にショートさせるか、或いはほとんど完全にショートさせた方が良い。第１導電対３の長さ（円弧の長さ）は、第１フィルム抵抗体１を完全にカバーさせるか、或いはほとんどカバーさせた方が良く、しかも、第２フィルム抵抗体２との接触を避ける。第２導電体４が時計回りする場合、第１マイクロストリップライン５は、入力端子９と接触しないように設計する。
同じく、絶縁物１２（外力受け変移板）が逆時計回りする場合、第２導電体４の最大回転角度は、第２導電体４が出力端子１０と接触しないようにし、第１導電体３が逆時計回りする場合、グランド１３と接触しないように設計する。
第１導電体３と第２導電体４は、フィルム抵抗体にすることもできる、二つのフイルム抵抗体は、お互いに重なることができ、電気接触されることもできるが、抵抗体の並列連結に見なすこともでき、同じくフイルム抵抗体のインピーダンス値を変化させることができ、その作用は同じである。但し、第１導電体３をただ第１フイルム抵抗体１と電気接触させて、第１フイルム抵抗体１のインピーダンス値を変化させる場合、その他のマイクロストリップラインまたはその他のフィルム対抗体と直接接続させない方がよい。第２導電体４は、第２フィルム抵抗体と電気的に接続させ、目的は、第２フィルム抵抗体のインピーダンス値を変化させる場合、その他のマイクロストリップラインまたはその他のフィルム対抗体と直接接続させない方がよい。一つ方法としては、第１フィルム抵抗体１および第２フィルム対抗体は、基板１１の異なる層に設置される、目的は可変減衰器の基本原理構造を保つためである。
第１フイルム抵抗体１および第１導電対３の共同平面は、第２フイルム抵抗体２および第２導電対４の共同平面は、同じ平面でなくても良い。
図３は、本発明の基本原理図であり、その原理は、１本の連続可変ブリッジＴ型減衰器に相当している。これは、一種の対称的なブロードバンドネットワークで、その入力端子と出力端子は、お互いに変わることができる。
図４は、絶縁物１２（外力受け変移板）が時計回りする場合、第１フィルム抵抗体１および第２フイルム抵抗体２の理想的な理論変化グラフを示したものであり、第１フイルム抵抗体１および第２フィルム抵抗体２のインピーダンス値の変化は、正反対になる特性を持っている。
図５は、絶縁物１２（外力受け変移板）が時計回りする場合、上記図４の変化グラフによって作られた可変減衰器減衰量グラフであり、設計の際は、図４の変化フラフに従って、第１フイルム抵抗体１および第２フイルム抵抗体２を選択することによって、可変減衰器の減衰度を実現することができる。
その中の１つのフイルム抵抗体のインピーダンス値が大きくなると、もう１つのフイルム抵抗体のインピーダンス値は、それと同時に小さくなり、逆に、１つのフイルム抵抗体のインピーダンス値が小さくなると、もう１つのフイルム抵抗体のインピーダンス値は、それと同時に大きくなる。図３の原理グラフの変化法則によって、連続可変減衰器を作り出すことができる。
この可変減衰器は、各種パッケージ型、例えば表面の実際取付型、リード型或いはインサート型構造に製造することができる。
また、本発明の基板１１と絶縁物１２との間には、垂直方向にて導電できる、シラスチック薄膜をインサートこともでき、フイルム抵抗と導電チップとの接触安定化によって、フイルム抵抗体と導電体との磨耗を防ぐ作用がある。
また、本発明では、絶縁物１２上にて、上向きの溝を加工し、第１導電体３および第２導電体４を溝内に位置させて、溝内にて接触ショート作用のある第１導電体３および第２導電体４との間に弾性物質をインサートすることができる。この物質は高周波数マイクロ波特性に対する影響が極めて小さいので、フイルム抵抗体と導電体との接触の安定化に図る、フイルム抵抗体と導電体との磨耗を防ぐ作用がある。
本発明の最大な特徴は、一つの平面（複数の層でも良い）において、導電体のショート作用によって、巧みに第１フイルム抵抗体１および第２フイルム抵抗体２のインピーダンス値（即ち抵抗値）を同時に反対方向に変化させることができる。第１導電体３、第２導電体４、第１フイルム抵抗体１及び第２フイルム抵抗体の形は、円弧形や長方形、或いはその他幾何形状にすることができ、可変減衰器のコンパクト化や、低コスト化が実現でき、しかも、非常に高いマイクロ波周波数範囲にて使用することもできる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
“First Example”
1 and 2 are configuration diagrams showing a first embodiment of the present invention. The variable attenuator of the present invention includes a substrate 11, an input terminal 9, an output terminal 10, an arc-shaped first microstrip line 5, an arc-shaped first film resistor 1, and a second film resistor 2 on the substrate 11. The third film resistor 6, the fourth film resistor 7, the arc-shaped second microstrip line 8, and the grant terminal 13 are included. One terminal of the first microstrip line 5 is connected to the input terminal 9, and the other terminal is connected to one terminal of the first film resistor 1 and one terminal of the third film resistor 6. The other terminal of the first film resistor 1 is connected to the output terminal 10 and one terminal of the fourth film resistor 7. The other terminal 14 of the fourth film resistor 7 is connected to the other terminal of the third film resistor 6 and one terminal of the second film resistor 2. The other terminal of the second film resistor 2 is connected to the grant 13 through the second microstrip line 8. The first film resistor 1, the second film resistor 2, the third film resistor 6, and the fourth film resistor are all film resistors by a printer, and the bottom portion thereof is connected to the substrate 11, The surface is a resistor material without an insulating material that can conduct electricity.
The impedance values of the third film resistor 6 and the fourth film resistor 7 are preferably the same value. The impedance value of the third film resistor 6 and the fourth film resistor 7 is the same as the input / output impedance value, generally 50Ω. A first conductor (conductive chip) 3 having the same shape is provided on the first microstrip line 5, and the conductor 3 is fixed to an insulator 12. The position of the insulator 12 is changed by an external force. A second conductor 4 is also fixed on the insulator 12. The first conductor 3 and the second conductor 4 are installed on the bottom surface of the insulator 12 (external force receiving transition plate). The action of the first conductor 3 changes the impedance value of the first film resistor. Because. The function of the second conductor 4 is to change the impedance value of the second film resistor. The first conductor 2 is not directly connected to the second conductor 4. The first conductor 3 and the second conductor 4 are rotated with the rotation of the insulator 12. For example, when the insulator 12 (external force receiving transition plate) rotates clockwise, the first conductor 3 is connected and moved onto the first microstrip line 5 and the first film resistor 1 at the same time. Since the area of connection of the first conductor 3 to the first film resistor 1 increases, the impedance value of the first film resistor decreases. At the same time, the second conductor 4 is connected and moved onto the second microstrip line 8 and the second film resistor 2. Since the area of connection of the second conductor 4 to the second film resistor 8 increases, the impedance value of the second film resistor decreases. As described above, the impedance values of the first film resistor 1 and the second film resistor 2 can be changed through the change in the geometric area, that is, the contact area between the conductive pair and the film resistor.
When the insulator 12 (external force receiving transition plate) rotates clockwise, the maximum rotation angle should be such that the first conductor 3 completely shorts the first film resistor or almost completely shorts. The length of the first conductive pair 3 (the length of the arc) should be such that the first film resistor 1 is completely covered or almost covered, and the contact with the second film resistor 2 is good. avoid. When the second conductor 4 rotates clockwise, the first microstrip line 5 is designed not to contact the input terminal 9.
Similarly, when the insulator 12 (external force receiving transition plate) rotates counterclockwise, the maximum rotation angle of the second conductor 4 is such that the second conductor 4 does not contact the output terminal 10 and the first conductor 3 When turning counterclockwise, it is designed so as not to contact the ground 13.
The first conductor 3 and the second conductor 4 can be film resistors. The two film resistors can overlap each other and can be in electrical contact, but the resistors are connected in parallel. It is also possible to change the impedance value of the film resistor, and the effect is the same. However, when the first conductor 3 is simply brought into electrical contact with the first film resistor 1 to change the impedance value of the first film resistor 1, it is not directly connected to other microstrip lines or other film-to-antibody. Better. The second conductor 4 is electrically connected to the second film resistor, and the purpose is not to connect directly to other microstrip lines or other film-to-antibodies when changing the impedance value of the second film resistor. Better. As one method, the first film resistor 1 and the second film-to-antibody are installed in different layers of the substrate 11, the purpose is to keep the basic principle structure of the variable attenuator.
The common plane of the first film resistor 1 and the first conductive pair 3 may not be the same plane of the second film resistor 2 and the second conductive pair 4.
FIG. 3 is a basic principle diagram of the present invention, and the principle corresponds to one continuous variable bridge T-type attenuator. This is a kind of symmetric broadband network, whose input terminal and output terminal can be changed to each other.
FIG. 4 shows an ideal theoretical change graph of the first film resistor 1 and the second film resistor 2 when the insulator 12 (external force receiving transition plate) rotates clockwise. The change in the impedance value of the body 1 and the second film resistor 2 has a characteristic that becomes opposite.
FIG. 5 is a variable attenuator attenuation graph created by the change graph of FIG. 4 when the insulator 12 (external force receiving transition plate) rotates clockwise. In designing, according to the change fluff of FIG. By selecting the first film resistor 1 and the second film resistor 2, the attenuation of the variable attenuator can be realized.
If the impedance value of one of the film resistors increases, the impedance value of the other film resistor decreases at the same time. Conversely, if the impedance value of one film resistor decreases, the impedance value of the other film resistor decreases. The impedance value of the resistor increases at the same time. A continuously variable attenuator can be created by the change law of the principle graph of FIG.
The variable attenuator can be manufactured in various package types, for example, a surface mounting type, a lead type or an insert type structure.
Further, between the substrate 11 and the insulator 12 of the present invention, it is possible to insert a silastic thin film that can conduct in the vertical direction. By stabilizing the contact between the film resistor and the conductive chip, the film resistor and the conductor 12 are electrically conductive. It has the effect of preventing wear on the body.
Further, in the present invention, an upward groove is processed on the insulator 12, the first conductor 3 and the second conductor 4 are positioned in the groove, and the first having a contact short action in the groove. An elastic material can be inserted between the conductor 3 and the second conductor 4. Since this substance has an extremely small influence on the high frequency microwave characteristics, it has an effect of preventing the wear of the film resistor and the conductor to stabilize the contact between the film resistor and the conductor.
The greatest feature of the present invention is that the impedance values (that is, the resistance values) of the first film resistor 1 and the second film resistor 2 are skillfully achieved by a short-circuiting action of the conductor in one plane (may be a plurality of layers). Can be changed in the opposite direction at the same time. The shape of the first conductor 3, the second conductor 4, the first film resistor 1, and the second film resistor can be an arc shape, a rectangle, or other geometric shapes, and the variable attenuator can be made compact. In addition, the cost can be reduced, and it can be used in a very high microwave frequency range.

本発明の可変減衰器構造の略図である。1 is a schematic diagram of a variable attenuator structure of the present invention. 本発明の可変減衰器の分解図である。It is an exploded view of the variable attenuator of this invention. 本発明の可変減衰器の基本原理図である。It is a basic principle figure of the variable attenuator of this invention. 本発明の可変減衰器が外力を受けて、絶縁物が導電体を動かして、時計回りする場合、第１フィルム抵抗体１と第２フィルム抵抗体２のインピーダンス値の理論的特性変化グラフである。When the variable attenuator of this invention receives external force and an insulator moves a conductor and rotates clockwise, it is a theoretical characteristic change graph of the impedance value of the 1st film resistor 1 and the 2nd film resistor 2. . 本発明の可変減衰器が外力を受けて、絶縁物が導電体を動かして、時計回りする場合、可変減衰器の減衰量変化グラフである。When the variable attenuator of this invention receives external force and an insulator moves a conductor and rotates clockwise, it is an attenuation amount change graph of a variable attenuator.

Claims (9)

基板、基板上に形成された四つのフィルム抵抗体、入力端子、出力端子、グランド、絶縁体、及び絶縁体上に固定された二つの導電体とを有するもにおいて、第１フィルム抵抗体の両端子に、それぞれ入力端子と出力端子に接続され、また、第１フィルム抵抗体の両端子には、それぞれ第３フィルム抵抗体の一端子に、第４フィルム抵抗体の一端に連結され、第３フィルム抵抗体の他端及び第４フィルム抵抗の他端が、第２フィルム抵抗体の一端に接続され、第２フィルム抵抗体の他端はグランドに電気的に接続され、二つの導電体が、それぞれ第１フィルム抵抗体及び第２フィルム抵抗体と電気的に接触され、第１フィルム抵抗体および第２フィルム抵抗体のインピーダンス値を変化させることを設けたことを特徴とする可変減衰器。Both ends of the first film resistor having a substrate, four film resistors formed on the substrate, an input terminal, an output terminal, a ground, an insulator, and two conductors fixed on the insulator The first film resistor is connected to one terminal of the third film resistor, and one end of the fourth film resistor is connected to one end of the fourth film resistor, respectively. The other end of the film resistor and the other end of the fourth film resistor are connected to one end of the second film resistor, the other end of the second film resistor is electrically connected to the ground, and the two conductors are A variable attenuator, wherein the variable attenuator is provided in such a manner that the impedance values of the first film resistor and the second film resistor are changed in electrical contact with the first film resistor and the second film resistor, respectively. 第３フィルム抵抗体のインピーダンス値は、第４フイルム抵抗体のインピーダンス値と同じであることを特徴とする請求項１記載の可変減衰器。The variable attenuator according to claim 1, wherein the impedance value of the third film resistor is the same as the impedance value of the fourth film resistor. 絶縁体は、外力を受けることによって、第１導電対と第２導電体の位置を変化させることができ、第１導電体と第２導電体がそれぞれ第１フイルム抵抗体、第２フイルム抵抗体との接触面積を変化させることを特徴とする請求項１または２記載の可変減衰器。The insulator can change the positions of the first conductive pair and the second conductor by receiving an external force, and the first conductor and the second conductor are the first film resistor and the second film resistor, respectively. The variable attenuator according to claim 1, wherein a contact area with the variable attenuator is changed. 第１導電体、第２導電体、第１フイルム抵抗体及び第２フイルム抵抗体の幾何形状は、円弧状、或いは長方形にすることができ、第１導電体と第２導電体は、フイルム抵抗体にすることもできることを特徴とする請求項１または２記載の可変減衰器。The geometric shape of the first conductor, the second conductor, the first film resistor, and the second film resistor can be an arc shape or a rectangle, and the first conductor and the second conductor are film resistors. 3. The variable attenuator according to claim 1, wherein the variable attenuator can be a body. 第１フイルム抵抗体と第１導電体との共同平面は、第２抵抗体と第２導電体との共同平面と同一平面ではなく、基板は複数層の基板であることを特徴とする請求項１または２記載の可変減衰器。The coplanar plane of the first film resistor and the first conductor is not the same plane as the coplanar plane of the second resistor and the second conductor, and the substrate is a multi-layer substrate. The variable attenuator according to 1 or 2. 第１導電体と第２導電体の幾何位置に変化を発生させる力には、機械や手動による外力や、自動制御による機械力や、電磁力、熱及び温度の変化による力、流体物の流動、或いは膨張・収縮による力、光電激励による力が含まれることを特徴とする請求項３記載の可変減衰器。The forces that cause changes in the geometric positions of the first and second conductors include mechanical and manual external forces, automatic control mechanical forces, electromagnetic forces, heat and temperature changes, and fluid flow. 4. The variable attenuator according to claim 3, wherein a force due to expansion / contraction and a force due to photoelectric excitation are included. 表面の実際取付型や、リード型、或いはインサート型のパッケージ構造にすることを特徴とする請求項１記載の可変減衰器。2. The variable attenuator according to claim 1, wherein the variable attenuator has a surface mounting type, lead type or insert type package structure. 基板と絶縁体との間には、垂直方向にて導電作用のある、シラスチック薄膜をインサートことを特徴とする請求項７記載の可変減衰器。8. A variable attenuator according to claim 7, wherein a silastic thin film having a conductive action in the vertical direction is inserted between the substrate and the insulator. 絶縁体には、溝が加工され、第１導電体と第２導電体は、この溝内に位置しており、溝内で接触ショート機能を持つ第１導電体と第２導電体との間には、弾性物質が挟めれていることを特徴とする請求項７記載の可変減衰器。A groove is processed in the insulator, and the first conductor and the second conductor are located in the groove, and between the first conductor and the second conductor having a contact short-circuit function in the groove. 8. The variable attenuator according to claim 7, wherein an elastic material is sandwiched between the two.
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