JP2008502925A - 垂直キャビティ・レーザー・アレイを使用したディスプレイ・デバイス - Google Patents
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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-
- H—ELECTRICITY
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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Abstract
Description
a) ポンプ・ビーム光を生成するためのバックライト・ユニット;
b) i) 画素間領域よりも高い正味利得を有する間隔を開けたレーザー画素のアレイを提供するように間隔を開けた位置のところで該デバイスの特性を変調するための構造と;
ii) 該ポンプ・ビーム光に応答して異なる有色光を生成するための部分を含むアクティブ領域と
を含む垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイス;
c) 光シャッター;及び
d) 該選択された有色光のビューのアンギュラー・コーンを増大させるための、該光シャッターの上に配置されたビーム拡大器
を含んで成る有色画素化光を生成するディスプレイ装置によって達成される。
Gは、炭素間結合の結合基、例えばアリーレン、シクロアルキレン、又はアルキレン基である)。
R1及びR2はそれぞれ独立して、水素原子、アリール基、又はアルキル基を表し、又はR1及びR2は結合して、シクロアルキル基を完成する原子を表し;そして
R3及びR4はそれぞれ独立してアリール基を表し、次にアリール基は、構造式C:
各Areは独立して選択されたアリーレン基、例えばフェニレン部分又はアントラセン部分であり;
nは整数1〜4であり;そして
Ar、R7、R8及びR9は独立して選択されたアリール基である)。
4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(D2);
4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ビフェニル(D3);
4,4'-ビス[N-(2-ナフチル)-N-p-トリルアミノ]ビフェニル(D4);
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシクロヘキサン;
4,4'-ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル;
ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェニルメタン;
N,N,N-トリ(p-トリル)アミン;
4-(ジ-p-トリルアミノ)-4'-[4(ジ-p-トリルアミノ)-スチリル]スチルベン;
N,N,N',N'-テトラ-p-トリル-4-4'-ジアミノビフェニル;
N,N,N',N'-テトラフェニル-4,4'-ジアミノビフェニル;
N,N,N',N'-テトラ-1-ナフチル-4,4'-ジアミノビフェニル;
N,N,N',N'-テトラ-2-ナフチル-4,4'-ジアミノビフェニル;
N-フェニルカルバゾール;
4,4'-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル;
4,4'-ビス[N-(3-アセナフテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル;
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン;
4,4'-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル;
4,4''-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニルアミノ]p-ターフェニル;
4,4'-ビス[N-(2-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル;
4,4'-ビス[N-(8-フルオルアンテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル;
4,4'-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル;
4,4'-ビス[N-(2-ナフタセニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル;
4,4'-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル;
4,4'-ビス[N-(1-コロネニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル;
2,6-ビス(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン;
2,6-ビス[ジ-(1-ナフチル)アミノ]ナフタレン;
2,6-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフタレン;
N,N,N',N'-テトラ(2-ナフチル)-4,4''-ジアミノ-p-ターフェニル;
4,4'-ビス{N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)-フェニル]アミノ}ビフェニル;
4,4'-ビス[N-フェニル-N-(2-ピレニル)アミノ]ビフェニル;
2,6-ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミン]フルオレン;
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン;及び
4,4',4''-トリス[(3-メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアミン。
Mは金属を表し;
nは整数1〜3であり;そして
Zは独立して、出現毎に、2つ以上の縮合芳香環を有する核を完成する原子を表す)。
CO-1:アルミニウムトリソキシン[別名、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)];
CO-2:マグネシウムビソキシン[別名、ビス(8-キノリノラト)マグネシウム(II)];
CO-3:ビス[ベンゾ{f}-8-キノリノラト]亜鉛(II);
CO-4:ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)-μ-オキソ-ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III);
CO-5:インジウムトリソキシン[別名、トリス(8-キノリノラト)インジウム];
CO-6:アルミニウムトリス(5-メチロキシン)[別名、トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)];
CO-7:リチウムオキシン[別名、(8-キノリノラト)リチウム(I)];
CO-8:ガリウムオキシン[別名、(8-キノリノラト)ガリウム(III)];及び
CO-9:ジルコニムオキシン[別名、テトラ(8-キノリノラト)ジルコニム(IV)]。
群1:水素、又は炭素原子数1〜24のアルキル;
群2:炭素原子数5〜20のアリール又は置換型アリール;
群3:アントラセニル、ピレニル又はペリレニルの縮合芳香環を完成するのに必要な4〜24個の炭素原子;
群4:フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル又はその他の複素環系の縮合芳香族複素環を完成するのに必要な炭素原子数5〜24のヘテロアリール又は置換型ヘテロアリール;
群5:炭素原子数1〜24のアルコキシルアミノ、アルキルアミノ、又はアリールアミノ;
群6:フッ素、塩素、臭素又はシアノ。
nは整数3〜8であり;
ZはO、NR又はSであり;
R及びR'は独立して、水素;炭素原子数1〜24のアルキル、例えばプロピル、t-ブチル、及びヘプチルなど;炭素原子数5〜20のアリール又はヘテロ原子置換型アリール、例えばフェニル及びナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル、及びその他の複素環系;又はハロ、例えばクロロ、フルオロ;又は縮合型芳香環を完成するのに必要な原子であり;そして
X-(CH=CH)n-Z
X及びZは独立して、置換型又は無置換型芳香族基、又は窒素原子数1の置換型又は無置換型芳香族複合環基であり;
nは、1、2、又は3に等しく;そして
Yは、窒素原子数1の二価芳香族基又は二価芳香族複合環である。有用な例は、1,4-ビス(2-メチルスチリル)ベンゼン、4,4'-(9,10-アントラセンジイルジ-2,1-エテンジイル)ビス(N,N-ビス(4-メチルフェニル)ベンゼンアミン、4,4'-(1,4-ナフタレンジイルジ-2,1-エテンジイル)ビス(N,N-ビス(4-メチルフェニル)ベンゼンアミン、及び4,4-(1,4-フェニレンジ-2,1-エテンジイル)ビス(N,N-(4-トリル))ベンゼンアミンを含む。
3 x-y-z座標系
5 ディスプレイ面
7 ディスプレイ法線方向
9 光軸
100 VCSELアレイ・デバイス
102 レーザー・アレイ・デバイス
103 レーザー・アレイ・デバイス
104 レーザー・アレイ・デバイス
106 レーザー・アレイ・デバイス
108 レーザー・アレイ・デバイス
110 基板
120 底部誘電スタック
121 第1の底部誘電スタック部分
125 第2の底部誘電スタック部分
126 複屈折層
128 整列層
129 複屈折材料
130 アクティブ領域
140 上部誘電スタック
150 低正味利得領域
151 エッチ領域
155 吸収素子
157 色素層
158 平坦化層
160 周期的利得領域
170 スペーサー層
180 ポンプ・ビーム光
190 レーザー光
200 レーザー画素
205 発光素子
210 画素間領域
220 バックライト・ユニット
230 発光ダイオード
240 ディフューザー
250 線状アレイ
260 導波路
270 プレーナー型アレイ
280 冷陰極蛍光灯
300 行
305 偏光子層
310 光シャッター層
320 ビーム拡大器
330 液晶セル
340 検光子
350 液晶基板
360 透明導体
370 液晶分子のための整列層
380 液晶材料
φ 方位角
θ 傾斜角
Claims (74)
- a) ポンプ・ビーム光を生成するためのバックライト・ユニット;
b) i) 画素間領域よりも高い正味利得を有する間隔を開けたレーザー画素のアレイを提供するように、間隔を開けた位置のところで該デバイスの特性を変調するための構造と;
ii) 該ポンプ・ビーム光に応答して異なる有色光を生成するための部分を含むアクティブ領域と
を含む垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイス;
c) 光シャッター;及び
d) 該選択された有色光のビューのアンギュラー・コーンを増大させるための、該光シャッターの上に配置されたビーム拡大器
を含んで成る有色画素化光を生成するディスプレイ装置。 - 該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスと、該光シャッターとの間に、偏光層が設けられている、請求項1に記載のディスプレイ装置。
- 該デバイスが所定の偏光方向を有する偏光を生成することを確実にするために、該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスが、該レーザー・アレイ・デバイス内に配置された複屈折層をさらに含む請求項1に記載のディスプレイ装置。
- a) ポンプ・ビーム光を生成するためのバックライト・ユニット;
b) i) 透明基板と;
ii) 、所定の波長範囲全体にわたる光に対して反射性であって、該基板上に配置された底部誘電スタックと;
iii) 画素間領域よりも高い正味利得を有する間隔を開けたレーザー画素のアレイを提供するように間隔を開けた位置のところで該デバイスの特性を変調するための構造と;
iv) 該ポンプ・ビーム光に応答して異なる有色光を生成するための部分を含むアクティブ領域と;
v) 該底部誘電スタックから間隔が開いており、所定の波長範囲全体にわたる光に対して反射性の上部誘電スタックと
を含む垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイス;
c) 該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスからの選択された有色光が通過することを可能にするための光シャッター;及び
d) 該選択された有色光のビューのアンギュラー・コーンを増大させるための、該光シャッターの上に配置されたビーム拡大器
を含む有色画素化光を生成するディスプレイ装置。 - 該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスと、該光シャッターとの間に、偏光層が設けられている、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該デバイスが所定の偏光方向を有する偏光を生成することを確実にするために、該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスが、該レーザー・アレイ・デバイス内に配置された複屈折層をさらに含む請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該光シャッターが、選択された光が通過するのを可能にするために印加された場に対して応答する液晶を有する1つ以上の層を含む、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該光シャッターが、1つ以上の偏光フィルム層を含む、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該光シャッターが、エレクトロウェッティング・スイッチを有する1つ以上の層を含む、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該バックライト・ユニットが、発光ダイオード又は冷陰極蛍光灯を含む、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該アクティブ領域が、1つ又は2つ以上の周期的利得領域及び該周期的利得領域のいずれの側にも配置されそして該周期的利得領域が該デバイスの定在波電磁場のアンチノードと整列するように配列されているスペーサー層を含む、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該周期的利得領域の部分が、赤光、緑光、又は青光を生成する、請求項11に記載のディスプレイ装置。
- 該周期的利得領域が有機ホスト材料とドーパントとを含み、そしてスペーサー層が、ポンプ・ビーム光及びレーザー光に対して実質的に透過性である、請求項11に記載のディスプレイ装置。
- 該スペーサー層が、1,1-ビス-(4-ビス(4-メチル-フェニル)-アミノ-フェニル)-シクロヘキサン又は二酸化ケイ素を含む、請求項11に記載のディスプレイ装置。
- 緑色光を生成する該周期的利得領域部分が、アルミニウムトリス(8-ヒドロキシキノリン)のホスト材料、及び[10-(2-ベンゾチアゾリル)-2,3,6,7-テトラヒドロ-1,1,7,7-テトラメチル-1H,5H,11H-[1]ベンゾピラノ[6,7,8-ij]キノリジン-11-オン]のドーパントを含む、請求項12に記載のディスプレイ装置。
- 赤光を生成する該周期的利得領域部分が、アルミニウムトリス(8-ヒドロキシキノリン)のホスト材料、及び[4-(ジシアノメチレン)-2-t-ブチル-6-(1,1,7,7-テトラメチルユロリジル-9-エニル)-4H-ピラン]のドーパントを含む、請求項12に記載のディスプレイ装置。
- 青色光を生成する該周期的利得領域部分が、2-tert-ブチル-9,10-ジ-ナフタレン-2-イル-アントラセンのホスト材料、及び2,5,8,11-テトラキス(1,1-ジメチルエチル)-ペリレンのドーパントを含む、請求項12に記載のディスプレイ装置。
- 該周期的利得領域が、高分子材料を含む、請求項11に記載のディスプレイ装置。
- 該周期的利得領域が、無機ナノ粒子を含む、請求項11に記載のディスプレイ装置。
- 該間隔を開けたレーザー画素が同じか又は異なるサイズを有しており、そして画素間の間隔が同じか又は異なる長さを有することにより、該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスの出力に単モード又は多モードのレーザー出力を生成させる、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 画素間の間隔は0.25〜4ミクロンである、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 画素間の間隔は2.5〜20ミクロンである、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該画素が、周期的な二次元アレイを成して配列される、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該画素が、二次元アレイを成してランダムに配列される、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該間隔を開けたレーザー画素のアレイが、該ポンプ・ビーム光を吸収するために選択された複数の間隔を開けた吸収性素子を含む、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該間隔を開けたレーザー画素のアレイが、間隔を開けた位置のところでアクティブ領域の放射特性を変えることを含む、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該放射特性が、高強度UV線によって変えられる、請求項26に記載のディスプレイ装置。
- 該間隔を開けたレーザー画素のアレイが、底部誘電スタックの頂面内にエッチ領域を選択的に形成することを含む、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- 該選択的にエッチングされた底部誘電スタック上に、平坦化層が形成されている、請求項28に記載のディスプレイ装置。
- 該平坦化層がポリイミド又はSiO2を含み、そして化学機械研磨システムによって薄くされている、請求項29に記載のディスプレイ装置。
- 該平坦化層がポリメチル-メタクリレートを含む、請求項29に記載のディスプレイ装置。
- 該複屈折層が、該アクティブ領域と、底部誘電層又は上部誘電層との間に配置されている、請求項6に記載のディスプレイ装置。
- 該複屈折層が、該誘電スタックのうちの1つの内部に配置されている、請求項6に記載のディスプレイ装置。
- 該複屈折層が、該複屈折層の2つの側のうちの少なくとも一方に配置された整列層を含む、請求項6に記載のディスプレイ装置。
- 該整列層が、光整列法によって配向を可能にする材料を含む、請求項34に記載のディスプレイ装置。
- 該整列層が、機械的ラビング法によって配向を可能にする材料を含む、請求項34に記載のディスプレイ装置。
- 該複屈折層が正又は負の複屈折材料を含み、該複屈折材料の光軸が、0°〜20°の平均傾斜角を有する、請求項6に記載のディスプレイ装置。
- 該複屈折材料が高分子液晶を含む、請求項37に記載のディスプレイ装置。
- 該ポンプ・ビーム光が透過され、そして誘電スタックのうちの1つ以上を通って該アクティブ領域内に導入される、請求項4に記載のディスプレイ装置。
- a) ポンプ・ビーム光を生成するためのバックライト・ユニット;
b) i) 画素間領域よりも高い正味利得を有する間隔を開けたレーザー画素のアレイを提供するように、第1の底部誘電スタック部分の頂面内に選択的に形成されたエッチ領域と;
ii) 該ポンプ・ビーム光に応答して異なる有色光を生成するための部分を含むアクティブ領域と
を含む垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイス
c) 光シャッター;及び
d) 該選択された有色光のビューのアンギュラー・コーンを増大させるための、該光シャッターの上に配置されたビーム拡大器
を含む有色画素化光を生成するディスプレイ装置。 - 該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスと、該光シャッターとの間に偏光層が設けられている、請求項40に記載のディスプレイ装置。
- 該デバイスが所定の偏光方向を有する偏光を生成することを確実にするために、該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスが、該レーザー・アレイ・デバイス内に配置された複屈折層をさらに含む、請求項40に記載のディスプレイ装置。
- a) ポンプ・ビーム光を生成するためのバックライト・ユニット;
b) i) 透明基板と;
ii) 該基板上に配置された、所定の波長範囲全体にわたる光に対して反射性の第1の底部誘電スタック部分と;
iii) 画素間領域よりも高い正味利得を有する間隔を開けたレーザー画素のアレイを提供するように、該第1の底部誘電スタック部分の頂面内に選択的に形成された、エッチ領域と;
iv) 該エッチングされた第1の底部誘電スタック部分上に形成された第2の底部誘電スタック部分と;
v) 該ポンプ・ビーム光に応答して異なる有色光を生成するための部分を含むアクティブ領域と;
vi) 該底部誘電スタックから間隔を開けた、所定の波長範囲全体にわたる光に対して反射性の上部誘電スタックと
を含む垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイス;
c) 該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスからの選択された有色光が通過することを可能にするための光シャッター;及び
d) 該選択された有色光のビューのアンギュラー・コーンを増大させるための、該光シャッターの上に配置されたビーム拡大器
を含む有色画素化光を生成するディスプレイ装置。 - 該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスと、該光シャッターとの間に、偏光層が設けられている、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 該デバイスが所定の偏光方向を有する偏光を生成することを確実にするために、該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスが、該レーザー・アレイ・デバイス内に配置された複屈折層をさらに含む、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 該光シャッターが、選択された光が通過するのを可能にするために印加された場に対して応答する液晶を有する1つ以上の層を含む、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 該光シャッターが、1つ以上の偏光フィルム層を含む、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 該光シャッターが、エレクトロウェッティング・スイッチを有する1つ以上の層を含む、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 該バックライト・ユニットが、発光ダイオード又は冷陰極蛍光灯を含む、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 該アクティブ領域が、1つ又は2つ以上の周期的利得領域を含み、該周期的利得領域のいずれの側にもスペーサー層が配置されており、そして該スペーサー層が、該周期的利得領域が該デバイスの定在波電磁場のアンチノードと整列するように配列されている、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 該周期的利得領域の部分が、赤光、緑光、又は青光を生成する、請求項50に記載のディスプレイ装置。
- 該周期的利得領域が有機ホスト材料とドーパントとを含み、そしてスペーサー層が、ポンプ・ビーム光及びレーザー光に対して実質的に透過性である、請求項50に記載のディスプレイ装置。
- 該スペーサー層が、1,1-ビス-(4-ビス(4-メチル-フェニル)-アミノ-フェニル)-シクロヘキサン又は二酸化ケイ素を含む、請求項50に記載のディスプレイ装置。
- 緑色光を生成する該周期的利得領域部分が、アルミニウムトリス(8-ヒドロキシキノリン)のホスト材料、及び[10-(2-ベンゾチアゾリル)-2,3,6,7-テトラヒドロ-1,1,7,7-テトラメチル-1H,5H,11H-[1]ベンゾピラノ[6,7,8-ij]キノリジン-11-オン]のドーパントを含む、請求項51に記載のディスプレイ装置。
- 赤光を生成する該周期的利得領域部分が、アルミニウムトリス(8-ヒドロキシキノリン)のホスト材料、及び[4-(ジシアノメチレン)-2-t-ブチル-6-(1,1,7,7-テトラメチルユロリジル-9-エニル)-4H-ピラン]のドーパントを含む、請求項51に記載のディスプレイ装置。
- 青色光を生成する該周期的利得領域部分が、2-tert-ブチル-9,10-ジ-ナフタレン-2-イル-アントラセンのホスト材料、及び2,5,8,11-テトラキス(1,1-ジメチルエチル)-ペリレンのドーパントを含む、請求項51に記載のディスプレイ装置。
- 該周期的利得領域が、高分子材料を含む、請求項50に記載のディスプレイ装置。
- 該周期的利得領域が、無機ナノ粒子を含む、請求項50に記載のディスプレイ装置。
- 該間隔を開けたレーザー画素が同じか又は異なるサイズを有しており、そして画素間の間隔が同じか又は異なる長さを有することにより、該垂直キャビティ・レーザー・アレイ・デバイスの出力に単モード又は多モードのレーザー出力を生成させる、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 画素間の間隔は0.25〜4ミクロンである、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 画素間の間隔は2.5〜20ミクロンである、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 該画素が、周期的な二次元アレイを成して配列される、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 該画素が、二次元アレイを成してランダムに配列される、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 該第1の底部誘電スタック部分と該第2の底部誘電スタック部分との間に、平坦化層が形成されている、請求項43に記載のディスプレイ装置。
- 該平坦化層がポリイミド又はSiO2を含み、そして化学機械研磨システムによって薄くされている、請求項64に記載のディスプレイ装置。
- 該平坦化層がポリメチル-メタクリレートを含む、請求項64に記載のディスプレイ装置。
- 該複屈折層が、該アクティブ領域と、底部誘電層又は上部誘電層との間に配置されている、請求項45に記載のディスプレイ装置。
- 該複屈折層が、該誘電スタックのうちの1つの内部に配置されている、請求項45に記載のディスプレイ装置。
- 該複屈折層が、該複屈折層の2つの側のうちの少なくとも一方に配置された整列層を含む、請求項45に記載のディスプレイ装置。
- 該整列層が、光整列法によって配向を可能にするのに適した材料を含む、請求項69に記載のディスプレイ装置。
- 該整列層が、機械的ラビング法によって配向を可能にするのに適した材料を含む、請求項69に記載のディスプレイ装置。
- 該複屈折層が正又は負の複屈折材料を含み、該複屈折材料の光軸が、0°〜20°の平均傾斜角を有する、請求項45に記載のディスプレイ装置。
- 該複屈折材料が高分子液晶を含む、請求項72に記載のディスプレイ装置。
- 該ポンプ・ビーム光が透過され、そして誘電スタックのうちの1つ以上を通って該アクティブ領域内に導入される、請求項43に記載のディスプレイ装置。
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