JP2008311454A - Layout designing method and layout designing program for semiconductor integrated circuit - Google Patents

Layout designing method and layout designing program for semiconductor integrated circuit Download PDF

Info

Publication number
JP2008311454A
JP2008311454A JP2007158188A JP2007158188A JP2008311454A JP 2008311454 A JP2008311454 A JP 2008311454A JP 2007158188 A JP2007158188 A JP 2007158188A JP 2007158188 A JP2007158188 A JP 2007158188A JP 2008311454 A JP2008311454 A JP 2008311454A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
region
cell
integrated circuit
redundant via
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007158188A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ikuo Otsuka
育生 大塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Semiconductor Ltd
Original Assignee
Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Semiconductor Ltd filed Critical Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority to JP2007158188A priority Critical patent/JP2008311454A/en
Publication of JP2008311454A publication Critical patent/JP2008311454A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a layout designing method for a semiconductor integrated circuit in which a wiring occupation area is reduced and redundant via wiring rule violation places can be eliminated or reduced. <P>SOLUTION: The layout designing method makes preparations (second to twelfth steps) for making wiring corrections for eliminating a redundant via wiring rule violation place by changing the direction of a cell if a redundant via wiring rule is violated during detailed wiring (first steps), and then making the wiring corrections by changing the direction of the cell (thirteenth to fifteenth steps) and performing route update (sixteenth step). <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、概略配線(global routing)工程と詳細配線(final routing)工程とを有する半導体集積回路のレイアウト設計方法、および、概略配線工程と詳細配線工程とをコンピュータに実行させるプログラムを含む半導体集積回路のレイアウト設計プログラムに関する。   The present invention relates to a method for designing a layout of a semiconductor integrated circuit having a global routing process and a detailed routing process, and a semiconductor integrated circuit including a program for causing a computer to execute the schematic routing process and the detailed routing process. The present invention relates to a circuit layout design program.

たとえば、スタンダードセル方式による半導体集積回路のレイアウト設計においては、設計ルールの範囲でセルを出来るだけ小さく作る傾向がある。このため、セル領域では、配線と接続すべきセル端子が密集し、セル端子付近では、配線用に使える空間が不足し、自動配線では、配線間ショートを解消できないという事態が生じる場合がある。   For example, in the layout design of a semiconductor integrated circuit by the standard cell method, the cell tends to be made as small as possible within the range of the design rule. For this reason, in the cell region, cell terminals to be connected to the wiring are densely packed, and there is a case in which a space usable for wiring is insufficient in the vicinity of the cell terminal, and a short circuit between wirings cannot be solved by automatic wiring.

他方で、配線形成時の信頼性や製品寿命を改善するために、占有面積が小さい標準ビアの代わりに、占有面積が大きい冗長な構造のビア(いわゆる冗長ビア)を使用して回路を作ることが一般化している。このため、セル端子付近での配線を無駄なく行い、配線占有面積を出来るだけ小さくすることが、より重要になっている。   On the other hand, in order to improve reliability and product life at the time of wiring formation, instead of standard vias with a small occupied area, make a circuit using vias with a redundant structure with a large occupied area (so-called redundant vias). Is generalized. For this reason, it is more important to perform wiring near the cell terminals without waste and to reduce the wiring occupation area as much as possible.

配線占有面積が増える原因の一つとして、同一セル内のセル端子に接続しなければならない配線が複数あるとき、それらの経路がセル端子近傍の配線領域を非効率に占有して互いに邪魔しあう格好になる事態が挙げられる。   One of the causes of the increase in the area occupied by the wiring is that when there are multiple wirings that must be connected to the cell terminals in the same cell, those paths inefficiently occupy the wiring area near the cell terminals and interfere with each other. There are situations where it looks cool.

ここで、一般に、セル端子への配線進入経路やアクセス方向は、実際に配線する前には結線区間を形成するセル端子同士の位置関係から仮定され、セルの配置向きは、この仮定配線に基づいて行われ、詳細配線は、セルの配置向きを確定した後で行われる。そして、詳細配線後に配線間ショートが残った場合は、その周辺の配線を消去して再配線処理を実行して代替経路を探し、配線間ショートを解決しようとするのが一般的である。
特開平01−292472号公報 特開平04−160684号公報 特開平09−319786号公報 特開昭60−062136号公報
Here, in general, the wiring entry path and access direction to the cell terminal are assumed from the positional relationship between the cell terminals forming the connection section before actual wiring, and the cell arrangement direction is based on this assumed wiring. The detailed wiring is performed after the cell arrangement direction is determined. When a short circuit between wirings remains after detailed wiring, it is common to erase the peripheral wiring and execute a rewiring process to search for an alternative route to solve the short circuit between the wirings.
Japanese Patent Laid-Open No. 01-292472 JP 04-160684 A JP 09-319786 A Japanese Patent Laid-Open No. 60-062136

しかしながら、詳細配線後に配線間ショートが残った場合に、その周辺の配線を消去して再配線処理を実行して代替経路を探し、配線間ショートを解決するという従来の配線間ショート解消方法では、セル端子付近の配線の占有面積を削減することができず、配線間ショートを解消するためには、標準ビアを使用せざるを得ず、冗長ビア配線を実現することが困難な場合があるという問題点があった。   However, when the short circuit between wiring remains after the detailed wiring, the conventional wiring short circuit solving method of solving the short circuit between wirings by erasing the peripheral wiring and executing the rewiring process to find the alternative route, The area occupied by the wiring near the cell terminals cannot be reduced, and in order to eliminate the short circuit between wirings, it is necessary to use standard vias, and it may be difficult to realize redundant via wiring. There was a problem.

本発明は、かかる点に鑑み、配線占有領域を削減し、冗長ビア配線ルール違反箇所を無くし又は削減することができるようにした半導体集積回路のレイアウト設計方法およびレイアウト設計プログラムを提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, the present invention has an object to provide a semiconductor integrated circuit layout design method and layout design program capable of reducing a wiring occupation area and eliminating or reducing redundant via wiring rule violation points. And

本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法は、概略配線工程と詳細配線工程とを有するものであって、前記詳細配線工程後に、セルの向きを変更して冗長ビア配線ルール違反箇所を解消するための配線修正工程を有するものである。   The method for designing a layout of a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a schematic wiring process and a detailed wiring process, and after the detailed wiring process, the direction of the cell is changed to eliminate a redundant via wiring rule violation location. The wiring correction process is included.

本発明の半導体集積回路のレイアウト設計プログラムは、概略配線工程と詳細配線工程とをコンピュータに実行させるプログラムを含むものであって、前記詳細配線工程後に、セルの向きを変更して冗長ビア配線ルール違反箇所を解消するための配線修正工程をコンピュータに実行させるプログラムを含むものである。   The layout design program for a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a program for causing a computer to execute a rough wiring process and a detailed wiring process, and after the detailed wiring process, the direction of the cell is changed to change the redundant via wiring rule. It includes a program for causing a computer to execute a wiring correction process for eliminating the violation portion.

本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法によれば、詳細配線工程で冗長ビア配線ルール違反が発生しても、セルの向きを変更して冗長ビア配線ルール違反箇所を解消するための配線修正工程を有するので、配線占有領域を削減し、冗長ビア配線ルール違反箇所を無くし又は削減することができる。   According to the semiconductor integrated circuit layout design method of the present invention, even if the redundant via wiring rule violation occurs in the detailed wiring process, the wiring correction process for changing the cell direction and eliminating the redundant via wiring rule violation portion Therefore, the wiring occupation area can be reduced and the redundant via wiring rule violation part can be eliminated or reduced.

本発明の半導体集積回路のレイアウト設計プログラムによれば、詳細配線工程で冗長ビア配線ルール違反が発生しても、セルの向きを変更して冗長ビア配線ルール違反箇所を解消するための配線修正工程をコンピュータに実行させるプログラムを含むので、配線占有領域を削減し、冗長ビア配線ルール違反箇所を無くし又は削減することができる。   According to the semiconductor integrated circuit layout design program of the present invention, even if a redundant via wiring rule violation occurs in the detailed wiring process, the wiring correction process for changing the cell direction and eliminating the redundant via wiring rule violation portion Therefore, the wiring occupation area can be reduced, and the redundant via wiring rule violation location can be eliminated or reduced.

図1は本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態を実施する半導体集積回路のレイアウト設計装置の一部分の概略的構成図、図2は本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態を示すフローチャート、図3〜図20は本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。   FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a part of a layout design apparatus for a semiconductor integrated circuit for carrying out an embodiment of a layout design method for a semiconductor integrated circuit according to the present invention. FIG. 2 is a diagram illustrating a layout design method for a semiconductor integrated circuit according to the present invention. FIG. 3 to FIG. 20 are layout diagrams for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method for a semiconductor integrated circuit according to the present invention.

本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態を実施する半導体集積回路のレイアウト設計装置は、図1に示すように、詳細配線手段1と、冗長ビア配線ルール違反箇所抽出手段2と、冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域定義手段3と、配線修正未試行領域有無判定手段4と、冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域選択手段5と、配線修正対象領域定義手段6と、接続点・交点抽出手段7と、交点抽出手段8と、第1の直線距離和計算手段9と、セル・フリップ手段10と、第2の直線距離和計算手段11と、直線距離和比較手段12と、セル向き変更手段13と、配線破棄手段14と、経路再探索手段15と、経路更新手段16を有する。   As shown in FIG. 1, a semiconductor integrated circuit layout design apparatus for carrying out an embodiment of a semiconductor integrated circuit layout design method of the present invention comprises a detailed wiring means 1, a redundant via wiring rule violation location extracting means 2, Redundant via wiring rule violation location inclusion area definition means 3, wiring correction untrial area presence determination means 4, redundant via wiring rule violation location inclusion area selection means 5, wiring correction target area definition means 6, connection point / intersection Extraction means 7, intersection extraction means 8, first linear distance sum calculation means 9, cell flip means 10, second linear distance sum calculation means 11, linear distance sum comparison means 12, cell orientation A change unit 13, a wiring discard unit 14, a route re-search unit 15, and a route update unit 16 are included.

本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態は、スタンダードセル方式によるものであり、図2に示す第1工程〜第16工程を含むものである。以下、まず、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態について、工程ごとに説明する。   One embodiment of the layout design method for a semiconductor integrated circuit according to the present invention is based on the standard cell method, and includes the first to sixteenth steps shown in FIG. Hereinafter, an embodiment of a layout design method for a semiconductor integrated circuit according to the present invention will be described step by step.

[第1工程]
本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態においては、セル配置と、信号配線の大まかな経路を決める概略配線とが実行されたレイアウト設計対象の半導体集積回路について、まず、詳細配線手段1により、信号配線の経路パタンを決める詳細配線を行う。
[First step]
In one embodiment of a method for designing a layout of a semiconductor integrated circuit according to the present invention, a detailed wiring means is firstly provided for a semiconductor integrated circuit subject to layout design in which cell arrangement and rough wiring for determining a rough route of signal wiring are executed. 1, the detailed wiring for determining the route pattern of the signal wiring is performed.

詳細配線手段1は、原則として冗長ビアを使用する冗長ビア配線ルール下で詳細配線を行うが、冗長ビアを使用することにより配線間ショートが発生する場合には、例外として標準ビアを使用することにより、配線間ショートを無くすように詳細配線を行う。   Detailed wiring means 1 performs detailed wiring under the redundant via wiring rule using redundant vias as a rule, but if a short between wirings occurs due to the use of redundant vias, use standard vias as an exception. Thus, detailed wiring is performed so as to eliminate a short circuit between wirings.

たとえば、図3は冗長ビア配線ルール下で詳細配線を実行した場合の配線結果の一例の一部分を示しており、C1は着目セルのセル枠、20−1、20−2、20−3、21は第1配線層に設けられたセル端子、22は第2配線層の配線、23−1、23−2、23−3、24、25、26は第3配線層の配線、27〜34は冗長ビアである。   For example, FIG. 3 shows a part of an example of a wiring result when detailed wiring is executed under the redundant via wiring rule, and C1 is a cell frame of the cell of interest, 20-1, 20-2, 20-3, 21. Is a cell terminal provided in the first wiring layer, 22 is a wiring of the second wiring layer, 23-1, 23-2, 23-3, 24, 25 and 26 are wirings of the third wiring layer, and 27 to 34 are It is a redundant via.

本例では、冗長ビアとして、2個のカット(ビアホール)を縦方向(Y軸方向)又は横方向(X軸方向)に並べたダブルカットビアが使用されている。2個のカットを縦方向に並べた冗長ビアは、第3配線層の配線と第2配線層の配線とを接続するためのものであり、2個のカットを横方向に並べた冗長ビアは、第2配線層の配線と第3配線層のセル端子とを接続するためのものである。   In this example, a double-cut via in which two cuts (via holes) are arranged in the vertical direction (Y-axis direction) or the horizontal direction (X-axis direction) is used as the redundant via. The redundant via in which the two cuts are arranged in the vertical direction is for connecting the wiring in the third wiring layer and the wiring in the second wiring layer, and the redundant via in which the two cuts are arranged in the horizontal direction is This is for connecting the wiring of the second wiring layer and the cell terminal of the third wiring layer.

図4はセル枠C1、セル端子20−1、20−2、20−3、21と第3配線層の配線23−1、23−2、23−3、24、25、26のみを示しており、図5は図4に示すレイアウト図に第2配線層の配線22と冗長ビア27〜31を追加した状態を示している。そして、図3は図5に示すレイアウト図に冗長ビア32、33、34を追加した状態を示すものである。   4 shows only the cell frame C1, the cell terminals 20-1, 20-2, 20-3, and 21 and the wirings 23-1, 23-2, 23-3, 24, 25, and 26 of the third wiring layer. FIG. 5 shows a state in which the wiring 22 of the second wiring layer and the redundant vias 27 to 31 are added to the layout diagram shown in FIG. FIG. 3 shows a state in which redundant vias 32, 33, and 34 are added to the layout diagram shown in FIG.

本例では、配線23−1はセル端子20−1に接続され、配線23−2はセル端子20−2に接続され、配線23−3はセル端子20−3に接続されるものとされている。配線24は配線25に接続されるが、これら配線24、25はセル端子20−1、20−2、20−3、21のいずれにも接続されないものとされている。配線26は、セル端子20−1、20−2、20−3、21のいずれにも接続されないものとされている。   In this example, the wiring 23-1 is connected to the cell terminal 20-1, the wiring 23-2 is connected to the cell terminal 20-2, and the wiring 23-3 is connected to the cell terminal 20-3. Yes. Although the wiring 24 is connected to the wiring 25, these wirings 24 and 25 are not connected to any of the cell terminals 20-1, 20-2, 20-3, and 21. The wiring 26 is not connected to any of the cell terminals 20-1, 20-2, 20-3, and 21.

ここで、冗長ビア配線ルールを例外なく適用すると、図3に示すように、配線23−1は、冗長ビア27、32を介してセル端子20−1に接続させることができるが、このようにすると、冗長ビア27を介して配線23−1、23−2間にショートが発生してしまう。また、配線23−2は、冗長ビア28、33を介してセル端子20−2に接続させることができるが、このようにすると、冗長ビア28を介して配線23−1、23−2間にショートが発生してしまう。   Here, if the redundant via wiring rule is applied without exception, the wiring 23-1 can be connected to the cell terminal 20-1 through the redundant vias 27 and 32 as shown in FIG. Then, a short circuit occurs between the wirings 23-1 and 23-2 through the redundant via 27. In addition, the wiring 23-2 can be connected to the cell terminal 20-2 via the redundant vias 28 and 33. In this case, the wiring 23-2 is connected between the wirings 23-1 and 23-2 via the redundant via 28. Short circuit will occur.

また、配線23−3は、冗長ビア29、34を介してセル端子20−3に接続させることができ、このようにすると、他の配線とのショートは発生しない。また、配線24は、冗長ビア30、配線22および冗長ビア31を介して配線25に接続させることができるが、このようにすると、冗長ビア30を介して配線24、23−2間にショートが発生してしまう。   In addition, the wiring 23-3 can be connected to the cell terminal 20-3 via the redundant vias 29 and 34. In this way, a short circuit with other wiring does not occur. In addition, the wiring 24 can be connected to the wiring 25 via the redundant via 30, the wiring 22 and the redundant via 31, but if this is done, a short circuit will occur between the wirings 24 and 23-2 via the redundant via 30. Will occur.

そこで、このような場合には、詳細配線手段1は、冗長ビア配線ルールに違反して、冗長ビア27、28、30の代わりに、図6に示すように、標準ビア35、36、37を使用し、配線23−1、23−2間のショートおよび配線24、23−2間のショートを無くすように詳細配線を行う。   Therefore, in such a case, the detailed wiring means 1 violates the redundant via wiring rule, and instead of the redundant vias 27, 28, and 30, as shown in FIG. The detailed wiring is performed so as to eliminate the short circuit between the wirings 23-1 and 23-2 and the short circuit between the wirings 24 and 23-2.

[第2工程]
第1工程の次に、冗長ビア配線ルール違反箇所抽出手段2により、デザイン・ルール・チェックを実施し、冗長ビア配線ルールに違反して標準ビアを使用した箇所を冗長ビア配線ルール違反箇所として抽出する。冗長ビア配線ルール違反箇所が無い場合には、第3工程以下は実施しない。
[Second step]
After the first step, the redundant via wiring rule violation location extraction means 2 performs a design rule check and extracts a location that uses the standard via in violation of the redundant via wiring rule as a redundant via wiring rule violation location. To do. If there is no redundant via wiring rule violation location, the third and subsequent steps are not performed.

図6に示すような場合には、標準ビア35、36、37を使用している箇所が、図7に示すように、冗長ビア配線ルール違反箇所P1、P2、P3として抽出される。図8はレイアウト領域全体を概略的に示しており、C1〜C18はセル枠、P1〜P8は冗長ビア配線ルール違反箇所であり、C1は図7に示すセル枠、P1、P2、P3は図7に示す冗長ビア配線ルール違反箇所であるが、第2工程の冗長ビア配線ルール違反箇所の抽出は、レイアウト領域全体に対して行われる。   In the case as shown in FIG. 6, the locations using the standard vias 35, 36, and 37 are extracted as redundant via wiring rule violation locations P1, P2, and P3 as shown in FIG. 8 schematically shows the entire layout area, C1 to C18 are cell frames, P1 to P8 are redundant via wiring rule violation locations, C1 is the cell frame shown in FIG. 7, and P1, P2, and P3 are diagrams. The redundant via wiring rule violation location shown in FIG. 7 is extracted for the entire layout area in the second process.

[第3工程]
第2工程の次に、冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域定義手段3により、冗長ビア配線ルール違反箇所をグループ分けし、グループごとに、グループ内の冗長ビア配線ルール違反箇所を包含する矩形を冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域と定義する。
[Third step]
Subsequent to the second step, redundant via wiring rule violation location inclusion area defining means 3 divides redundant via wiring rule violation locations into groups, and for each group, a rectangle containing redundant via wiring rule violation locations is redundant. It is defined as the via wiring rule violation location inclusion area.

冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域定義手段3は、レイアウト領域に所定間隔の縦線および横線からなるメッシュを設定し、このメッシュの縦線および横線で区分される小領域をグループ分けの単位とし、冗長ビア配線ルール違反箇所のグループ分けを行う。なお、メッシュの縦線および横線で区分される小領域のサイズは、たとえば、平均的なセルの大きさを基準とし、その1倍程度が適当であるが、配置されているセルの大きさの偏りなどを反映して不均一としても良い。   The redundant via wiring rule violation location inclusion area defining means 3 sets a mesh composed of vertical lines and horizontal lines at predetermined intervals in the layout area, and sets a small area divided by the vertical lines and horizontal lines of the mesh as a unit of grouping, Performs grouping of redundant via wiring rule violation locations. Note that the size of the small area divided by the vertical and horizontal lines of the mesh is, for example, about one time based on the average cell size, but is suitable for the size of the cell being arranged. It may be non-uniform to reflect the bias.

冗長ビア配線ルール違反箇所が図8に示すような場合には、図9に示すように、冗長ビア配線ルール違反箇所P1、P2、P3を一グループとし、冗長ビア配線ルール違反箇所P1、P2、P3を包含する矩形を冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域R1と定義する。また、冗長ビア配線ルール違反箇所P4、P5を一グループとし、冗長ビア配線ルール違反箇所P4、P5を包含する矩形を冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域R2と定義する。   When the redundant via wiring rule violation locations are as shown in FIG. 8, as shown in FIG. 9, the redundant via wiring rule violation locations P1, P2, and P3 are grouped together and the redundant via wiring rule violation locations P1, P2,. A rectangle including P3 is defined as a redundant via wiring rule violation location inclusion region R1. Further, the redundant via wiring rule violation places P4 and P5 are grouped, and a rectangle including the redundant via wiring rule violation places P4 and P5 is defined as a redundant via wiring rule violation place inclusion region R2.

また、冗長ビア配線ルール違反箇所P6、P7を一グループとし、冗長ビア配線ルール違反箇所P6、P7を包含する矩形を冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域R3と定義する。また、冗長ビア配線ルール違反箇所P8を一グループとし、冗長ビア配線ルール違反箇所P8を包含する矩形を冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域R4と定義する。図10はセル枠C1および冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域R1の部分の拡大図である。   Further, the redundant via wiring rule violation places P6 and P7 are grouped, and a rectangle including the redundant via wiring rule violation places P6 and P7 is defined as a redundant via wiring rule violation place inclusion region R3. Further, the redundant via wiring rule violation location P8 is defined as one group, and a rectangle including the redundant via wiring rule violation location P8 is defined as a redundant via wiring rule violation location inclusion region R4. FIG. 10 is an enlarged view of the cell frame C1 and the redundant via wiring rule violation location inclusion region R1.

[第4工程]
第3工程の次に、配線修正未試行領域有無判定手段4により、配線修正未試行の冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域の有無を判定し、配線修正未試行の冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域が無い場合には、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態による処理を終了する。
[Fourth step]
Next to the third step, the routing correction untrial area presence / absence determination means 4 determines whether or not there is a redundant via wiring rule violation location inclusion area for which wiring correction has not been attempted. If there is not, the process according to the embodiment of the semiconductor integrated circuit layout design method of the present invention is terminated.

[第5工程]
第4工程において、配線修正未試行の冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域があると判定した場合には、冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域選択手段5により、配線修正未試行の冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域の一つを選択する。
[Fifth step]
In the fourth step, if it is determined that there is a redundant via wiring rule violation location inclusion area for which no wiring correction has been attempted, the redundant via wiring rule violation location inclusion area selection means 5 causes the redundant via wiring rule violation for which no wiring correction has been attempted. Select one of the location inclusion areas.

[第6工程]
第5工程の次に、配線修正対象領域定義手段6により、選択した冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域と重なりがあるセル枠の一つを選択し、選択した冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域と、選択したセル枠とを包含する領域を配線修正対象領域と定義する。
[Sixth step]
After the fifth step, the wiring correction target area defining means 6 selects one of the cell frames that overlaps the selected redundant via wiring rule violation location inclusion area, and selects the selected redundant via wiring rule violation location inclusion area and A region including the selected cell frame is defined as a wiring correction target region.

第6工程前に図9に示す状態となっている場合には、図11に示すように、たとえば、冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域R1とセル枠C1とを包含する領域を配線修正対象領域A1と定義する。図12は配線修正対象領域A1の部分の拡大図である。なお、配線修正対象領域A1のサイズは、冗長ビア違反箇所包含領域R1とセル枠C1とを包含する最小サイズの領域にマージンを見込んだサイズとする。   In the state shown in FIG. 9 before the sixth step, as shown in FIG. 11, for example, the area including the redundant via wiring rule violation location inclusion area R1 and the cell frame C1 is set as the wiring correction target area. It is defined as A1. FIG. 12 is an enlarged view of a portion of the wiring correction target area A1. The size of the wiring correction target area A1 is set to allow for a margin in the minimum size area including the redundant via violation portion inclusion area R1 and the cell frame C1.

[第7工程]
第6工程の次に、接続点・交点抽出手段7により、配線修正対象領域内のセル端子上の接続点Tiと、接続点Tiと接続すべき配線の配線修正対象領域の境界との交点Siを抽出して記憶手段に記憶する。
[Seventh step]
Next to the sixth step, the connection point / intersection extraction means 7 causes the intersection Si between the connection point Ti on the cell terminal in the wiring correction target area and the boundary of the wiring correction target area of the wiring to be connected to the connection point Ti. Is extracted and stored in the storage means.

第7工程前に図12に示すようになっている場合には、図13に示すように、セル端子20−1上の接続点T1、セル端子20−2上の接続点T2、セル端子20−3上の接続点T3と、配線23−1と配線修正対象領域A1の境界との交点S1、配線23−2と配線修正対象領域A1の境界との交点S2、配線23−3と配線修正対象領域A1の境界との交点S3を抽出して記憶手段に記憶する。   12 before the seventh step, as shown in FIG. 13, the connection point T1 on the cell terminal 20-1, the connection point T2 on the cell terminal 20-2, the cell terminal 20 -3, the intersection S1 of the boundary between the wiring 23-1 and the wiring correction target area A1, the intersection S2 of the wiring 23-2 and the boundary of the wiring correction target area A1, the wiring 23-3 and the wiring correction The intersection S3 with the boundary of the target area A1 is extracted and stored in the storage means.

[第8工程]
第7工程の次に、交点抽出手段8により、配線修正対象領域内のセル端子と接続しない配線との交点Piと、この配線修正対象領域内のセル端子と接続しない配線と配線修正対象領域の境界との交点Qiを抽出して記憶手段に記憶する。
[Eighth step]
After the seventh step, the intersection point extraction means 8 uses the intersection Pi between the wiring not connected to the cell terminal in the wiring correction target area, the wiring not connected to the cell terminal in the wiring correction target area, and the wiring correction target area. The intersection point Qi with the boundary is extracted and stored in the storage means.

第8工程前に図13に示すようになっている場合には、図14に示すように、配線24と配線修正対象領域A1の境界との交点P1と、配線25と配線修正対象領域A1の境界との交点Q1とを抽出して記憶手段に記憶する。   In the case shown in FIG. 13 before the eighth step, as shown in FIG. 14, the intersection P1 between the wiring 24 and the boundary of the wiring correction target area A1, the wiring 25 and the wiring correction target area A1 The intersection point Q1 with the boundary is extracted and stored in the storage means.

[第9工程]
第8工程の次に、第1の直線距離和計算手段9により、接続点Tiと交点Siとの直線距離和Σ(SiTi間の直線距離)を第1の直線距離和Lorgとして計算する。第9工程前に図14に示すようになっている場合には、図15に示すように、直線距離和Lorg=Lorg1(S1T1間の直線距離)+Lorg2(S2T2間の直線距離)+Lorg3(S3T3間の直線距離)となる。
[Ninth step]
After the eighth step, the first linear distance sum calculation means 9 calculates the linear distance sum Σ (the linear distance between SiTi) between the connection point Ti and the intersection point Si as the first linear distance sum Lorg. 14 before the ninth step, as shown in FIG. 15, the sum of linear distances Lorg = Lorg1 (straight distance between S1T1) + Lorg2 (straight distance between S2T2) + Lorg3 (between S3T3) Linear distance).

[第10工程]
第9工程の次に、セル・フリップ手段10により、配線修正対象領域内のセルをフリップ、即ち、左右反転又は上下反転する。
[Tenth step]
After the ninth step, the cell flip means 10 flips the cells in the wiring correction target region, that is, horizontally flips or vertically flips.

[第11工程]
第10工程の次に、第2の直線距離和算出手段11により、接続点Tiと交点Siとの直線距離和Σ(SiTi間の直線距離)を第2の直線距離和Lflipとして計算する。
[Eleventh step]
Following the tenth step, the second linear distance sum calculation means 11 calculates the linear distance sum Σ (the linear distance between SiTi) between the connection point Ti and the intersection Si as the second linear distance sum Lflip.

図16はセル枠C1内のセルを左右反転した場合の接続点T1、T2、T3および交点S1、S2、S3、P1、Q1を示しているが、この場合には、直線距離和Lflip=Lflip1(S1T1間の直線距離)+Lflip2(S2T2間の直線距離)+Lflip3(S3T3間の直線距離)となる。   FIG. 16 shows connection points T1, T2, T3 and intersections S1, S2, S3, P1, Q1 when the cell in the cell frame C1 is reversed left and right. In this case, the linear distance sum Lflip = Lflip1 (Linear distance between S1T1) + Lflip2 (Linear distance between S2T2) + Lflip3 (Linear distance between S3T3).

[第12工程]
第11工程の次に、直線距離和比較判定手段12により、第1の直線距離和Lorgと第2の直線距離和Lflipとを比較し、第2の直線距離和Lflip<第1の直線距離和Lorgであるか否かを判定する。ここで、第2の直線距離和Lflip<第1の直線距離和Lorgでないと判定した場合には、後述する第14工程を実行する。
[12th step]
Following the eleventh step, the first straight distance sum Lorg and the second straight distance sum Lflip are compared by the straight distance sum comparison / determination means 12, and the second straight distance sum Lflip <the first straight distance sum. It is determined whether or not it is Lorg. Here, if it is determined that the second straight line distance sum Lflip <the first straight line distance sum Lorg, the 14th process described later is executed.

[第13工程]
第12工程において、第2の直線距離和Lflip<第1の直線距離和Lorgであると判定した場合には、セル向き変更手段13により、第10工程でフリップした状態にセルの向きを変更する。第12工程において、第2の直線距離和Lflip≧第1の直線距離和Lorgであると判定した場合は、第13工程をとばして、セル向きを変更せずに、第14工程へ進む。
[13th step]
If it is determined in the twelfth step that the second straight line distance sum Lflip <the first straight line distance sum Lorg, the cell orientation changing means 13 changes the cell orientation to the state flipped in the tenth step. . If it is determined in the twelfth step that the second straight line distance sum Lflip ≧ the first straight line distance sum Lorg, the thirteenth step is skipped and the process proceeds to the fourteenth step without changing the cell direction.

[第14工程]
第13工程の次に、又は、第12工程において、第2の直線距離和Lflip≧第1の直線距離和Lorgであると判定した場合には、第14工程に進み、配線破棄手段14により、配線修正対象領域内の配線を破棄する。
[14th step]
If it is determined that the second straight line distance sum Lflip ≧ the first straight line distance sum Lorg in the twelfth process or in the twelfth process, the process proceeds to the fourteenth process and the wiring discarding unit 14 Discard the wiring in the wiring correction target area.

図17は、第8工程の実行後、図14に示す状態となり、第12工程で第2の直線距離和Lflip<第1の直線距離和Lorgであると判定された場合において、セル枠C1内のセルを左右反転した状態にセルの向きを変更し、配線修正対象領域A1内の配線を破棄した状態を示している。   FIG. 17 shows the state shown in FIG. 14 after the execution of the eighth step, and when it is determined in the twelfth step that the second linear distance sum Lflip <the first linear distance sum Lorg, The cell orientation is changed to a state where the left and right cells are reversed, and the wiring in the wiring correction target area A1 is discarded.

[第15工程]
第14工程の次に、経路再探索手段15により、接続点Tiと交点Siとの間の経路と交点Piと交点Qiとの間の経路を順に再探索する。
[15th step]
Following the 14th step, the route re-search means 15 sequentially re-searches the route between the connection point Ti and the intersection point Si and the route between the intersection point Pi and the intersection point Qi.

図19は、接続点T1と交点S1との間の経路、接続点T2と交点S2との間の経路、および、接続点T3と交点S3との間の経路を再探索した結果を示しており、図18は図17に示すレイアウト図に冗長ビア40、41、42を追加した状態、図19は図18に示すレイアウト図に冗長ビア43、44、45を追加した状態を示している。   FIG. 19 shows the result of re-searching the path between the connection point T1 and the intersection point S1, the path between the connection point T2 and the intersection point S2, and the path between the connection point T3 and the intersection point S3. 18 shows a state in which redundant vias 40, 41, 42 are added to the layout diagram shown in FIG. 17, and FIG. 19 shows a state in which redundant vias 43, 44, 45 are added to the layout diagram shown in FIG.

ここで、配線23−1は、冗長ビア40、43を介してセル端子20−1に接続されており、図3に示す冗長ビア27による配線23−1、23−2間のショートが解消され、図6に示すような標準ビア35も必要としていない。   Here, the wiring 23-1 is connected to the cell terminal 20-1 through the redundant vias 40 and 43, and the short circuit between the wirings 23-1 and 23-2 due to the redundant via 27 shown in FIG. 3 is eliminated. The standard via 35 as shown in FIG. 6 is not required.

また、配線23−2は、冗長ビア41、44を介してセル端子20−2に接続されており、図3に示す冗長ビア28による配線23−1、23−2間のショートが解消され、図6に示すような標準ビア36も必要としていない。   Also, the wiring 23-2 is connected to the cell terminal 20-2 via the redundant vias 41 and 44, and the short circuit between the wirings 23-1 and 23-2 due to the redundant via 28 shown in FIG. Nor is the standard via 36 as shown in FIG.

また、配線23−3は、冗長ビア42、45を介してセル端子20−3に接続されており、他の信号配線とのショートは発生していない。そして、この例の場合には、交点P1と交点Q1との間の経路のために冗長ビア配線を設ける領域46が創出されている。   Further, the wiring 23-3 is connected to the cell terminal 20-3 via the redundant vias 42 and 45, and no short circuit with other signal wirings occurs. In the case of this example, a region 46 in which redundant via wiring is provided for the path between the intersection P1 and the intersection Q1 is created.

図20は、交点P1と交点Q1との間の経路を再探索し、図19に示すレイアウト図に冗長ビア47、48および第2配線層の配線49を追加した状態を示している。この例の場合、配線24は、冗長ビア47、配線49および冗長ビア48を介して配線25に接続されており、図3に示す信号配線24、23−2間のショートが解消され、図6に示すような標準ビア37も必要としていない。   FIG. 20 shows a state in which a route between the intersection P1 and the intersection Q1 is searched again, and redundant vias 47 and 48 and the wiring 49 of the second wiring layer are added to the layout diagram shown in FIG. In this example, the wiring 24 is connected to the wiring 25 through the redundant via 47, the wiring 49, and the redundant via 48, and the short circuit between the signal wirings 24 and 23-2 shown in FIG. The standard via 37 as shown in FIG.

なお、経路の再探索の結果、冗長ビア配線ルール違反を完全に解消することができず、標準ビアを使用せざるを得ない場合も起こるが、第15工程においては、これを容認するものとする。   As a result of the route re-search, the violation of the redundant via wiring rule cannot be completely eliminated and the standard via must be used. In the 15th step, this is accepted. To do.

[第16工程]
第15工程の次に、経路更新手段16により、経路を更新する。図6に示す具体例の場合、図20に示す経路が新たな経路として更新される。以下、配線修正未試行の冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域がなくなるまで、第5工程〜第16工程を繰り返す。
[Step 16]
Following the fifteenth step, the route is updated by the route update means 16. In the case of the specific example shown in FIG. 6, the route shown in FIG. 20 is updated as a new route. Thereafter, the fifth to sixteenth steps are repeated until there is no redundant via wiring rule violation location inclusion region for which wiring correction has not been attempted.

以上のように、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態では、セル配置と概略配線とが実行されたレイアウト設計対象の半導体集積回路について、まず、信号配線の経路パタンを決める詳細配線が行われる(第1工程)。次に、デザイン・ルール・チェックが実施され、冗長ビア配線ルールに違反して標準ビアを使用した箇所が冗長ビア配線ルール違反箇所として抽出される(第2工程)。   As described above, in one embodiment of the layout design method for a semiconductor integrated circuit according to the present invention, for a semiconductor integrated circuit to be designed for layout in which cell arrangement and schematic wiring are executed, first, the details of determining the route pattern of the signal wiring Wiring is performed (first step). Next, a design rule check is performed, and a location where the standard via is used in violation of the redundant via wiring rule is extracted as a redundant via wiring rule violation location (second step).

次に、冗長ビア配線ルール違反箇所がグループ分けされ、グループごとに、グループ内の冗長ビア配線ルール違反箇所を包含する矩形が冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域と定義される(第3工程)。次に、配線修正未試行の冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域の有無が判定され(第4工程)、配線修正未試行の冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域が無い場合には、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態による処理は終了とされる。   Next, the redundant via wiring rule violation locations are grouped, and for each group, a rectangle including the redundant via wiring rule violation location in the group is defined as a redundant via wiring rule violation location inclusion region (third step). Next, it is determined whether or not there is a redundant via wiring rule violation location inclusion area for which wiring correction has not been attempted (step 4). If there is no redundant via wiring rule violation location inclusion area for which wiring correction has not been attempted, the semiconductor of the present invention The processing according to the embodiment of the integrated circuit layout design method is ended.

第4工程において、配線修正未試行の冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域があると判定した場合には、配線修正未試行の冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域の一つが選択される(第5工程)。次に、選択された冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域と重なりがあるセル枠の一つが選択され、選択された冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域と、選択されたセル枠とを包含する領域が配線修正対象領域と定義される(第6工程)。   In the fourth step, when it is determined that there is a redundant via wiring rule violation location inclusion area for which no wiring correction has been attempted, one of the redundant via wiring rule violation location inclusion areas for which wiring correction has not been attempted is selected (fifth step). ). Next, one of the cell frames that overlaps with the selected redundant via wiring rule violation location inclusion area is selected, and an area that includes the selected redundant via wiring rule violation location inclusion area and the selected cell frame is selected. It is defined as a wiring correction target area (sixth step).

次に、接続点Tiと、接続点Tiと接続すべき配線の配線修正対象領域の境界との交点Siが抽出されて記憶される(第7工程)。次に、配線修正対象領域内のセル端子と接続しない配線との交点Piと、この配線修正対象領域内のセル端子と接続しない配線と配線修正対象領域の境界との交点Qiが抽出されて記憶される(第8工程)。次に、接続点Tiと交点Siとの直線距離和が第1の直線距離和Lorgとして計算される(第9工程)。   Next, the intersection Si between the connection point Ti and the boundary of the wiring correction target region of the wiring to be connected to the connection point Ti is extracted and stored (seventh step). Next, the intersection Pi between the wiring not connected to the cell terminal in the wiring correction target area and the intersection Qi between the wiring not connected to the cell terminal in the wiring correction target area and the boundary of the wiring correction target area are extracted and stored. (Eighth step). Next, the sum of the straight line distances between the connection point Ti and the intersection point Si is calculated as the first straight line distance sum Lorg (9th step).

次に、配線修正対象領域内のセルがフリップされる(第10工程)。次に、接続点Tiと交点Siとの直線距離和が第2の直線距離和Lflipとして計算される(第11工程)。次に、第1の直線距離和Lorgと第2の直線距離和Lflipとが比較され、Lflip<Lorgであるか否かが判定される(第12工程)。Lflip<Lorgでない場合には、後述する第14工程が実行される。   Next, the cells in the wiring correction target region are flipped (tenth process). Next, the sum of the straight line distances between the connection point Ti and the intersection point Si is calculated as a second straight line distance sum Lflip (11th step). Next, the first linear distance sum Lorg and the second linear distance sum Lflip are compared to determine whether or not Lflip <Lorg (step 12). If Lflip <Lorg is not satisfied, a 14th step described later is executed.

第12工程において、Lflip<Lorgの場合には、フリップした状態にセルの向きが変更される(第13工程)。次に、セルの向きを変更したかどうかによらず、配線修正対象領域内の配線が破棄される(第14工程)。次に、接続点Tiと交点Siとの間および交点Piと交点Qiとの間の経路の再探索が行われる(第15工程)。次に、経路が更新される(第16工程)。以下、配線修正未試行の冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域がなくなるまで、第5工程〜第16工程が繰り返される。   In the twelfth step, if Lflip <Lorg, the cell orientation is changed to the flipped state (the thirteenth step). Next, regardless of whether the direction of the cell has been changed, the wiring in the wiring correction target area is discarded (14th step). Next, a search is again performed for a route between the connection point Ti and the intersection point Si and between the intersection point Pi and the intersection point Qi (15th step). Next, the route is updated (step 16). Thereafter, the fifth to sixteenth steps are repeated until there is no redundant via wiring rule violation location inclusion region for which wiring correction has not been attempted.

図21は図1に示す半導体集積回路のレイアウト設計装置をなすコンピュータの概念図である。図21中、51はCPU(central processing unit)、52はRAM(random access memory)からなる主メモリ、53はキーボードやマウスなどの入力装置、54はディスプレイやプリンタなどの出力装置、55は通信装置、56はハードディスク装置などの補助メモリである。補助メモリ56には、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計プログラムの一実施形態57などが格納される。   FIG. 21 is a conceptual diagram of a computer constituting the layout design apparatus for the semiconductor integrated circuit shown in FIG. In FIG. 21, 51 is a central processing unit (CPU), 52 is a main memory composed of random access memory (RAM), 53 is an input device such as a keyboard or mouse, 54 is an output device such as a display or printer, and 55 is a communication device. 56 are auxiliary memories such as a hard disk drive. The auxiliary memory 56 stores an embodiment 57 of a layout design program for a semiconductor integrated circuit according to the present invention.

本発明の半導体集積回路のレイアウト設計プログラムの一実施形態57は、詳細配線プログラム58、冗長ビア配線ルール違反箇所抽出プログラム59、冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域定義プログラム60、配線修正未試行領域有無判定プログラム61、冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域選択プログラム62、配線修正対象領域定義プログラム63、接続点・交点抽出プログラム64、交点抽出プログラム65、第1の直線距離和計算プログラム66、セル・フリップ・プログラム67、第2の直線距離和計算プログラム68、直線距離和比較プログラム69、セル向き変更プログラム70、配線破棄プログラム71、経路再探索プログラム72、経路更新プログラム73を含むものである。   An embodiment 57 of a semiconductor integrated circuit layout design program according to the present invention includes a detailed wiring program 58, a redundant via wiring rule violation location extraction program 59, a redundant via wiring rule violation location inclusion area definition program 60, and a wiring correction untrial area. Judgment program 61, redundant via wiring rule violation location inclusion region selection program 62, wiring correction target region definition program 63, connection point / intersection extraction program 64, intersection extraction program 65, first linear distance sum calculation program 66, cell flip A program 67, a second straight line distance sum calculation program 68, a straight line distance sum comparison program 69, a cell direction change program 70, a wiring discard program 71, a route re-search program 72, and a route update program 73 are included.

詳細配線プログラム58は、CPU51を詳細配線手段1として機能させ、第1工程を実行させるものである。冗長ビア配線ルール違反箇所抽出プログラム59は、CPU51を冗長ビア配線ルール違反箇所抽出手段2として機能させ、第2工程を実行させるものである。冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域定義プログラム60は、CPU51を冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域定義手段3として機能させ、第3工程を実行させるものである。   The detailed wiring program 58 causes the CPU 51 to function as the detailed wiring unit 1 and execute the first step. The redundant via wiring rule violation location extraction program 59 causes the CPU 51 to function as the redundant via wiring rule violation location extraction means 2 to execute the second step. The redundant via wiring rule violation location inclusion area definition program 60 causes the CPU 51 to function as the redundant via wiring rule violation location inclusion area definition means 3 to execute the third step.

配線修正未試行領域有無判定プログラム61は、CPU51を配線修正未試行領域有無判定手段4として機能させ、第4工程を実行させるものである。冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域選択プログラム62は、CPU51を冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域選択手段5として機能させ、第5工程を実行させるものである。配線修正対象領域定義プログラム63は、CPU51を配線修正対象領域定義手段6として機能させ、第6工程を実行させるものである。   The wiring correction untrial area presence / absence determination program 61 causes the CPU 51 to function as the wiring correction untrial area determination means 4 to execute the fourth step. The redundant via wiring rule violation location inclusion area selection program 62 causes the CPU 51 to function as the redundant via wiring rule violation location inclusion area selection means 5 and execute the fifth step. The wiring correction target area definition program 63 causes the CPU 51 to function as the wiring correction target area definition means 6 and execute the sixth step.

接続点・交点抽出プログラム64は、CPU51を接続点・交点抽出手段7として機能させ、第7工程を実行させるものである。交点抽出プログラム65は、CPU51を交点抽出手段8として機能させ、第8工程を実行させるものである。第1の直線距離和計算プログラム66は、CPU51を第1の直線距離和計算手段9として機能させ、第9工程を実行させるものである。   The connection point / intersection extraction program 64 causes the CPU 51 to function as the connection point / intersection extraction means 7 to execute the seventh step. The intersection extraction program 65 causes the CPU 51 to function as the intersection extraction means 8 to execute the eighth step. The first straight-line distance sum calculation program 66 causes the CPU 51 to function as the first straight-line distance sum calculation means 9 and execute the ninth step.

セル・フリップ・プログラム67は、CPU51をセル・フリップ手段10として機能させ、第10工程を実行させるものである。第2の直線距離和計算プログラム68は、CPU51を第2の直線距離和計算手段11として機能させ、第11工程を実行させるものである。直線距離和比較プログラム69は、CPU51を直線距離和比較手段12として機能させ、第12工程を実行させるものである。   The cell flip program 67 causes the CPU 51 to function as the cell flip means 10 and execute the tenth step. The second straight line distance sum calculation program 68 causes the CPU 51 to function as the second straight line distance sum calculation means 11 and execute the eleventh step. The linear distance sum comparison program 69 causes the CPU 51 to function as the linear distance sum comparison means 12 to execute the twelfth step.

セル向き変更プログラム70は、CPU51をセル向き変更手段13として機能させ、第13工程を実行させるものである。配線破棄プログラム71は、CPU51を配線破棄手段14として機能させ、第14工程を実行させるものである。経路再探索プログラム72は、CPU51を経路再探索手段15として機能させ、第15工程を実行させるものである。経路更新プログラム73は、CPU51を経路更新手段16として機能させ、第16工程を実行させるものである。   The cell orientation changing program 70 causes the CPU 51 to function as the cell orientation changing means 13 and execute the thirteenth step. The wiring discard program 71 causes the CPU 51 to function as the wiring discarding unit 14 and execute the fourteenth step. The route re-search program 72 causes the CPU 51 to function as the route re-search means 15 and execute the fifteenth step. The route update program 73 causes the CPU 51 to function as the route update means 16 and execute the sixteenth step.

本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態によれば、詳細配線(第1工程)で冗長ビア配線ルール違反が発生したとしても、セルの向きを変更して冗長ビア配線ルール違反箇所を解消する配線修正を行うための準備工程(第2工程〜第12工程)と、セルの向きを変更して配線修正を行う工程と(第13〜第15工程)、経路更新を行う工程(第16工程)が用意されているので、配線占有領域を削減し、冗長ビア配線ルール違反箇所を無くし又は削減することができる。   According to one embodiment of the semiconductor integrated circuit layout design method of the present invention, even if a redundant via wiring rule violation occurs in the detailed wiring (first step), the direction of the cell is changed to change the redundant via wiring rule violation portion. Preparation process (second process to twelfth process) for correcting the wiring to eliminate the problem, a process of correcting the wiring by changing the cell direction (13th to 15th processes), and a process of updating the route ( Since the sixteenth step) is prepared, the wiring occupation area can be reduced, and the redundant via wiring rule violation location can be eliminated or reduced.

また、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計プログラムの一実施形態によれば、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態をコンピュータに実行させることができる。   According to one embodiment of the semiconductor integrated circuit layout design program of the present invention, it is possible to cause a computer to execute one embodiment of the semiconductor integrated circuit layout design method of the present invention.

本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態を実施する半導体集積回路のレイアウト設計装置の一部分の概略的構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a part of a semiconductor integrated circuit layout design apparatus for carrying out an embodiment of a semiconductor integrated circuit layout design method of the present invention; FIG. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing an embodiment of a layout design method for a semiconductor integrated circuit according to the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 本発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法の一実施形態の具体例を説明するためのレイアウト図である。It is a layout diagram for explaining a specific example of an embodiment of a layout design method of a semiconductor integrated circuit of the present invention. 図1に示す半導体集積回路のレイアウト設計装置をなすコンピュータの概念図である。It is a conceptual diagram of the computer which makes the layout design apparatus of the semiconductor integrated circuit shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1…詳細配線手段
2…冗長ビア配線ルール違反箇所抽出手段
3…冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域定義手段
4…配線修正未試行領域有無判定手段
5…冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域選択手段
6…配線修正対象領域定義手段
7…接続点・交点抽出手段
8…交点抽出手段
9…第1の直線距離和計算手段
10…セル・フリップ手段
11…第2の直線距離和計算手段
12…直線距離和比較手段
13…セル向き変更手段
14…配線破棄手段
15…経路再探索手段
16…経路更新手段
C1〜C18…セル枠
20−1〜20−3、21…第1配線層に設けられたセル端子
22…第2配線層の配線
23−1〜23−3、24〜26…第3配線層の配線
27〜34…冗長ビア
35〜37…標準ビア
P1〜P8…冗長ビア配線ルール違反箇所
40〜45…冗長ビア
51…CPU
52…主メモリ
53…入力装置
54…出力装置
55…通信装置
56…補助メモリ
57…本発明の半導体集積回路のレイアウト設計プログラムの一実施形態
58…詳細配線プログラム
59…冗長ビア配線ルール違反箇所抽出プログラム
60…冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域定義プログラム
61…配線修正未試行領域有無判定プログラム
62…冗長ビア配線ルール違反箇所包含領域選択プログラム
63…配線修正対象領域定義プログラム
64…接続点・交点抽出プログラム
65…交点抽出プログラム
66…第1の直線距離和計算プログラム
67…セル・フリップ・プログラム
68…第2の直線距離和計算プログラム
69…直線距離和比較プログラム
70…セル向き変更プログラム
71…配線破棄プログラム
72…経路再探索プログラム
73…経路更新プログラム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Detailed wiring means 2 ... Redundant via wiring rule violation location extraction means 3 ... Redundant via wiring rule violation location inclusion area definition means 4 ... Wiring correction untrial area existence judgment means 5 ... Redundant via wiring rule violation location inclusion area selection means 6 ... Wiring correction target area definition means 7... Connection point / intersection point extraction means 8... Intersection point extraction means 9... First linear distance sum calculation means 10 ... Cell flip means 11 ... Second linear distance sum calculation means 12. Sum comparing means 13 ... Cell orientation changing means 14 ... Wiring discarding means 15 ... Path re-search means 16 ... Path updating means C1-C18 ... Cell frames 20-1 to 20-3, 21 ... Cells provided in the first wiring layer Terminal 22 ... Wiring of second wiring layer 23-1 to 23-3, 24-26 ... Wiring of third wiring layer 27-34 ... Redundant via 35-37 ... Standard via P1-P8 ... Redundant via wiring rule violation Location 40-45 ... Redundant via 51 ... CPU
DESCRIPTION OF SYMBOLS 52 ... Main memory 53 ... Input device 54 ... Output device 55 ... Communication apparatus 56 ... Auxiliary memory 57 ... One Embodiment of the layout design program of the semiconductor integrated circuit of this invention 58 ... Detailed wiring program 59 ... Redundant via wiring rule violation location extraction Program 60 ... Redundant via wiring rule violation location inclusion area definition program 61 ... Wiring correction untrial area presence determination program 62 ... Redundant via wiring rule violation location inclusion area selection program 63 ... Routing correction target area definition program 64 ... Connection point / intersection extraction Program 65 ... Intersection extraction program 66 ... First linear distance sum calculation program 67 ... Cell flip program 68 ... Second linear distance sum calculation program 69 ... Linear distance sum comparison program 70 ... Cell orientation change program 71 ... Wiring discard Program 72 ... Route re-search Program 73 ... route update program

Claims (6)

概略配線工程と詳細配線工程とを有する半導体集積回路のレイアウト設計方法であって、
前記詳細配線工程後に、セルの向きを変更して冗長ビア配線ルール違反箇所を解消するための配線修正工程を有することを特徴とする半導体集積回路のレイアウト設計方法。
A layout design method for a semiconductor integrated circuit having a schematic wiring process and a detailed wiring process,
A layout design method for a semiconductor integrated circuit, comprising a wiring correction process for changing a cell direction and eliminating a redundant via wiring rule violation part after the detailed wiring process.
前記配線修正工程は、
前記冗長ビア配線ルール違反箇所をグループ分けし、グループ内の冗長ビア配線ルール違反箇所を包含する領域を第1の領域と定義する工程と、
前記第1の領域と、前記第1の領域と重なりがあるセル枠の一つとを含む領域を第2の領域と定義する工程と、
前記第2の領域内のセルの向きを変更して配線修正を行う工程と
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法。
The wiring correction step includes
Grouping the redundant via wiring rule violation locations into groups and defining a region including the redundant via wiring rule violation locations in the group as a first region;
Defining a region including the first region and one of the cell frames overlapping with the first region as a second region;
The layout design method for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising a step of correcting a wiring by changing a direction of a cell in the second region.
前記第2の領域内のセルの向きを変更して配線修正を行う工程は、
前記第2の領域内のセル端子上の接続点と、前記接続点と接続すべき配線の前記第2の領域の境界との交点との直線距離和を第1の直線距離和として計算する工程と、
前記第2の領域内のセルの向きをフリップし、前記接続点と前記交点との直線距離和を第2の直線距離和として計算する工程と、
前記第2の直線距離和が前記第1の直線距離和よりも小さい場合、前記第2の領域内のセルの向きをフリップした状態に変更する工程と、
前記第2の領域内の配線を破棄し、前記接続点と前記交点との間の配線経路を再探索して配線経路を更新する工程と
を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法。
The step of correcting the wiring by changing the direction of the cells in the second region,
Calculating a sum of linear distances between a connection point on the cell terminal in the second region and an intersection of the boundary of the second region of the wiring to be connected to the connection point as a first sum of linear distances When,
Flipping the orientation of cells in the second region and calculating a sum of linear distances between the connection point and the intersection as a second linear distance sum;
When the second straight line distance sum is smaller than the first straight line distance sum, changing the cell orientation in the second region to a flipped state;
3. The method according to claim 2, further comprising: discarding the wiring in the second region, re-searching the wiring path between the connection point and the intersection, and updating the wiring path. Integrated circuit layout design method.
概略配線工程と詳細配線工程とをコンピュータに実行させるプログラムを含む半導体集積回路のレイアウト設計プログラムであって、
前記詳細配線工程後に、セルの向きを変更して冗長ビア配線ルール違反箇所を解消するための配線修正工程をコンピュータに実行させるプログラムを含むことを特徴とする半導体集積回路のレイアウト設計プログラム。
A layout design program for a semiconductor integrated circuit including a program for causing a computer to execute a schematic wiring process and a detailed wiring process,
A layout design program for a semiconductor integrated circuit, comprising: a program for causing a computer to execute a wiring correction process for changing a cell direction and eliminating a redundant via wiring rule violation location after the detailed wiring process.
前記配線修正工程は、
前記冗長ビア配線ルール違反箇所をグループ分けし、グループ内の冗長ビア配線ルール違反箇所を包含する領域を第1の領域と定義する工程と、
前記第1の領域と、前記第1の領域と重なりがあるセル枠の一つとを含む領域を第2の領域と定義する工程と、
前記第2の領域内のセルの向きを変更して配線修正を行う工程と
を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路のレイアウト設計プログラム。
The wiring correction step includes
Grouping the redundant via wiring rule violation locations into groups and defining a region including the redundant via wiring rule violation locations in the group as a first region;
Defining a region including the first region and one of the cell frames overlapping with the first region as a second region;
5. The layout design program for a semiconductor integrated circuit according to claim 4, further comprising a step of correcting a wiring by changing a direction of a cell in the second region.
前記第2の領域内のセルの向きを変更して配線修正を行う工程は、
前記第2の領域内のセル端子上の接続点と、前記接続点と接続すべき配線の前記第2の領域の境界との交点との直線距離和を第1の直線距離和として計算する工程と、
前記第2の領域内のセルの向きをフリップし、前記接続点と前記交点との直線距離和を第2の直線距離和として計算する工程と、
前記第2の直線距離和が前記第1の直線距離和よりも小さい場合、前記第2の領域内のセルの向きをフリップした状態に変更する工程と、
前記第2の領域内の配線を破棄し、前記接続点と前記交点との間の配線経路を再探索して配線経路を更新する工程と
を含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路のレイアウト設計プログラム。
The step of correcting the wiring by changing the direction of the cells in the second region,
Calculating a sum of linear distances between a connection point on the cell terminal in the second region and an intersection of the boundary of the second region of the wiring to be connected to the connection point as a first sum of linear distances When,
Flipping the orientation of cells in the second region and calculating a sum of linear distances between the connection point and the intersection as a second linear distance sum;
When the second straight line distance sum is smaller than the first straight line distance sum, changing the cell orientation in the second region to a flipped state;
6. The method according to claim 5, further comprising: discarding the wiring in the second region, re-searching a wiring path between the connection point and the intersection, and updating the wiring path. Integrated circuit layout design program.
JP2007158188A 2007-06-15 2007-06-15 Layout designing method and layout designing program for semiconductor integrated circuit Pending JP2008311454A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007158188A JP2008311454A (en) 2007-06-15 2007-06-15 Layout designing method and layout designing program for semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007158188A JP2008311454A (en) 2007-06-15 2007-06-15 Layout designing method and layout designing program for semiconductor integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008311454A true JP2008311454A (en) 2008-12-25

Family

ID=40238809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007158188A Pending JP2008311454A (en) 2007-06-15 2007-06-15 Layout designing method and layout designing program for semiconductor integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008311454A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003044536A (en) * 2001-07-27 2003-02-14 Fujitsu Ltd Layout method and apparatus for lsi arranging cell with timing priority
JP2006135152A (en) * 2004-11-08 2006-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and design method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003044536A (en) * 2001-07-27 2003-02-14 Fujitsu Ltd Layout method and apparatus for lsi arranging cell with timing priority
JP2006135152A (en) * 2004-11-08 2006-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and design method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20110145775A1 (en) Cell library, layout method, and layout apparatus
US7137094B2 (en) Method for reducing layers revision in engineering change order
US9536035B2 (en) Wide pin for improved circuit routing
US10713410B2 (en) Method for legalizing mixed-cell height standard cells of IC
US10216883B2 (en) Integrated circuit and method of designing integrated circuit
US6502229B2 (en) Method for inserting antenna diodes into an integrated circuit design
JP2007188488A (en) Method of packing-based macro placement and semiconductor chip using the same
JP2004502259A (en) Method and system for checking tiered metal terminations, surroundings, and exposure
US11637098B2 (en) Pin modification for standard cells
US8127263B2 (en) Improving routability of integrated circuit design without impacting the design area
US8898606B1 (en) Layout pattern correction for integrated circuits
JP2006344176A (en) Macro arrangement design device with consideration given to density, program, and design method
JP2005202928A (en) Layout processor, layout processing method and program
KR20180028252A (en) Integrated Circuit Designing System and Method of Manufacturing Integrated Circuit
JP5978595B2 (en) LSI layout pattern display device and display method
JP2005149273A (en) Apparatus and method for floor planning of semiconductor integrated circuit
KR20170094744A (en) Integrated circuit and computer-implemented method for manufacturing the same
JP2006269945A (en) Layout designing method of semiconductor integrated circuit and designing device
JP6040982B2 (en) Power system tree design support system and power system tree design method
JP2008311454A (en) Layout designing method and layout designing program for semiconductor integrated circuit
CN114595657A (en) Chip layout method and device and electronic equipment
US9213794B2 (en) System and method for routing buffered interconnects in an integrated circuit
JP2009252805A (en) Semiconductor integrated circuit, its layout method and layout program
US20170061063A1 (en) Integrated circuit with reduced routing congestion
JPH11312185A (en) Method for preparing layout data

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120925

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120927

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130205