JP2008311354A - Imaging element, manufacturing method of barrier wall structure of imaging element, and image detection unit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、斜入射光の遮光構造を有する撮像素子に関する。 The present invention relates to an image sensor having a structure for blocking obliquely incident light.
従来から、光のクロストークを防止するために、受光面の前方に斜入射光の遮光構造を有する撮像素子が公知である。例えば、特許文献1には、斜入射光を遮光するための格子枠構造を有する撮像素子の一例が開示されている。
しかし、斜入射光の遮光構造を有する撮像素子では、遮光構造の構造体が微細さ故に運搬時や取付時に壊れやすく、その扱いが困難となる点で改善の余地があった。 However, an imaging device having a light blocking structure for obliquely incident light has room for improvement in that the structure of the light blocking structure is fragile and is easily broken during transportation or mounting, making it difficult to handle.
本発明は上記従来技術の課題を解決するためのものである。本発明の目的は、比較的強度の高い遮光構造を有する撮像素子を提供することである。 The present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art. An object of the present invention is to provide an imaging device having a light shielding structure with relatively high strength.
本発明の第1の形態に係る撮像素子は、受光面上に配列された複数の受光素子と、受光面上の複数の受光素子の間に形成された隔壁基部と、隔壁基部の上面に形成された遮光性を有する隔壁と、を備える。 An imaging device according to a first embodiment of the present invention is formed on a plurality of light receiving elements arranged on a light receiving surface, a partition base formed between the plurality of light receiving elements on the light receiving surface, and an upper surface of the partition base. And a light-shielding partition wall.
上記の第1の形態において、隔壁の受光面に平行な方向の幅は、隔壁基部の上面の受光面に平行な方向の幅よりも小さいことが好ましい。 In the first embodiment, the width in the direction parallel to the light receiving surface of the partition wall is preferably smaller than the width in the direction parallel to the light receiving surface on the upper surface of the partition wall base.
上記の第1の形態において、複数の受光素子のそれぞれは、受光素子に集光するレンズを有する。そして、隔壁基部の上面は、レンズの頂部よりも高いことが好ましい。 In the first embodiment, each of the plurality of light receiving elements has a lens that focuses the light receiving element. And it is preferable that the upper surface of a partition base is higher than the top part of a lens.
本発明の第2の形態に係る撮像素子の隔壁構造の製造方法は、第1工程と第2工程とを備える。第1工程では、複数の受光素子が配列された撮像素子の受光面上に第1樹脂を付着して硬化させることにより、受光面上の複数の受光素子の間に隔壁基部を形成する。第2工程では、隔壁基部の上面に第2樹脂を付着して第2樹脂を硬化させることにより、隔壁基部に立設する隔壁を形成する。 The manufacturing method of the partition structure of the image pick-up element which concerns on the 2nd form of this invention is equipped with a 1st process and a 2nd process. In the first step, a partition base is formed between the plurality of light receiving elements on the light receiving surface by attaching and curing the first resin on the light receiving surface of the imaging element in which the plurality of light receiving elements are arranged. In the second step, the second resin is attached to the upper surface of the partition wall base and the second resin is cured, thereby forming the partition wall standing on the partition wall base.
上記の第2の形態において、第1樹脂および第2樹脂は異なる樹脂であり、各々が硬化状態にあるときに第2樹脂は第1樹脂よりも遮光性が高いことが好ましい。 In the second embodiment, the first resin and the second resin are different resins, and it is preferable that the second resin has a higher light shielding property than the first resin when each is in a cured state.
上記の第2の形態において、撮像素子の受光面には、各々の受光素子ごとにオンチップレンズがそれぞれ配置され、隔壁基部の上面の高さは、オンチップレンズの頂部よりも高い位置に形成されていることが好ましい。 In the second embodiment, an on-chip lens is arranged for each light receiving element on the light receiving surface of the imaging element, and the height of the upper surface of the partition wall base is formed at a position higher than the top of the on-chip lens. It is preferable that
上記の第2の形態において、隔壁の幅を、隔壁基部の上面の幅よりも小さく形成することが好ましい。 In the second embodiment, it is preferable that the width of the partition wall be smaller than the width of the upper surface of the partition wall base.
上記の第2の形態において、第2工程にて、隔壁に対応する空洞を有する型材を隔壁基部の上面に当接して配置するとともに、空洞内に第2樹脂を注入して隔壁を形成することが好ましい。 In the second embodiment, in the second step, the mold material having a cavity corresponding to the partition wall is disposed in contact with the upper surface of the partition wall base, and the partition wall is formed by injecting the second resin into the cavity. Is preferred.
上記の第2の形態において、第2工程を複数回繰り返して、隔壁基部の上に隔壁を積層して形成することが好ましい。 In the second embodiment, it is preferable that the second step is repeated a plurality of times so that the partition wall is laminated on the partition base.
ここで、上記の第2の形態の製造方法によって形成された隔壁基部および隔壁を備える撮像素子も本発明の技術的範囲に含まれる。また、上記の第1の形態または第2の形態に係る撮像素子を備える画像検出ユニットも本発明の技術的範囲に含まれる。 Here, an image sensor including the partition wall base and the partition wall formed by the manufacturing method of the second embodiment is also included in the technical scope of the present invention. In addition, an image detection unit including the image sensor according to the first embodiment or the second embodiment is also included in the technical scope of the present invention.
本発明では、撮像素子上に形成する隔壁を壊れにくくすることができる。 In the present invention, it is possible to make the partition formed on the image sensor difficult to break.
(第1実施形態の説明)
図1は、第1実施形態の画像検出ユニットを示す斜視図である。また、図2は、画像検出ユニットの構成を示す断面図である。
(Description of the first embodiment)
FIG. 1 is a perspective view showing an image detection unit of the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the image detection unit.
図1(a)に示すように、画像検出ユニット11は撮影光学系12の像空間側に配置される。この画像検出ユニット11は、記録画像を撮像する撮像装置や、撮影光学系12の焦点検出を行う焦点検出ユニットのいずれにも適用しうる。
As shown in FIG. 1A, the
また、図1(b)に示すように、画像検出ユニット11は、マイクロレンズアレイ13と、撮像素子14とを備えている。マイクロレンズアレイ13は、画像検出ユニット11の組立状態において撮像素子14の受光面の前方に配置される。このマイクロレンズアレイ13は、二次元配列された複数のマイクロレンズ13aを有している。各々のマイクロレンズ13aは、後述の隔壁構造15で仕切られた撮像素子14の受光面の小領域にそれぞれ被写体像を結像させる。
As shown in FIG. 1B, the
撮像素子14は、複数の受光素子14aが二次元配列された受光面を有している。この受光面上には、後述の隔壁構造(15)のレイアウト用スペースが受光素子14a同士の間隔の部分に予め設けられている。各々の受光素子14aの前方には、それぞれ集光レンズ14bがオンチップで配置されている。なお、図3に、撮像素子14の構成を示す断面図を示す。
The
また、撮像素子14の受光面側には、遮光性を有する隔壁構造15が設けられている。この隔壁構造15は、画像検出ユニット11の組立状態においてマイクロレンズアレイ13と撮像素子14との間に位置することとなる。そして、隔壁構造15は、撮像素子14の受光面を正方格子状の小領域(図中では5×5)にそれぞれ区画している。また、撮像素子14における各々の小領域には、それぞれ複数の受光素子14aが含まれている。なお、図面では1つの小領域に7×7画素の受光素子14aが配置されている例を便宜的に示す。
Further, on the light receiving surface side of the
そして、隔壁構造15の小領域は、画像検出ユニット11の組立状態においてマイクロレンズアレイ13の各マイクロレンズ13aとそれぞれ一対一で対応する。すなわち、隔壁構造15は、画像検出ユニット11の各々の小領域において、隣接する小領域に対応したマイクロレンズ13aからの斜入射光を遮光して混信(クロストーク)を防止する役目を果たしている。
The small regions of the
ここで、上記の隔壁構造15は、いずれも樹脂製の隔壁基部15aと隔壁15bとで構成される。隔壁基部15aの底面は、撮像素子14の受光面と接合されている。隔壁基部15aの底面から上面までの高さは、受光面から集光レンズ14bの頂部までの位置よりも高くなるように設定されている。
Here, each of the
そして、隔壁基部15aの上面には隔壁15bが立設されている。この隔壁15bの厚さ(受光面と平行な方向の幅)は、隔壁基部15aの上面の厚さ(受光面と平行な方向の幅)よりも小さくなるように設定されている。したがって、隔壁構造15における隔壁15bと隔壁基部15aとの部分では段差が形成されることとなる。なお、一例として、隔壁15bの高さは約60μm、隔壁15bの厚さは10μmに設定される。
A
また、第1実施形態での隔壁基部15aは、例えば、紫外線硬化樹脂などの透光性を有する光硬化性樹脂で形成される。一方、第1実施形態での隔壁15bは、例えば、カーボンブラックなどの顔料系色素を分散させた樹脂材料で形成されている。そのため、第1実施形態での隔壁15bは、隔壁基部15aよりも高い遮光性を有している。なお、第1実施形態での隔壁基部15aの高さは撮像素子14の集光レンズ14bよりもわずかに高い程度であるため、隔壁基部15aでの遮光性が低くても光学的な影響がほとんど生じないと考えられる。
Moreover, the
次に、第1実施形態における隔壁構造15の製造工程を具体的に説明する。
Next, the manufacturing process of the
第1の工程では、受光素子14aが形成された撮像素子14の基板上に集光レンズ14bおよび隔壁基部15aを形成する(図4参照)。図4(a)に示すように、この撮像素子14の基板上には、受光素子14a同士の間隔の部分に隔壁構造15のレイアウト用スペースを予め形成しておく。なお、この第1の工程で形成される各々の集光レンズ14bの頂部は、隔壁基部15aの上面の高さよりも低くなるように調整する。
In the first step, the
ここで、第1の工程の一例では、以下の(1)から(4)の手順で集光レンズ14bおよび隔壁基部15aが形成される。
(1)撮像素子14の基板に紫外線硬化樹脂を均一に塗布する。なお、後述の集光レンズ14bの形成工程での変形を抑制するために、この紫外線硬化樹脂には耐熱性の高い材料を選択することが好ましい。
(2)隔壁基部15aの形状に対応するフォトマスクを用意し、上記のフォトマスクを介して上記(1)の基板に紫外線を照射する。これにより、基板上の隔壁基部15aに対応する部分の紫外線硬化樹脂が選択的に硬化することとなる。
(3)その後、基板上の未硬化の紫外線硬化樹脂を洗い流す。これにより、基板上には硬化した紫外線硬化樹脂による隔壁基部15aが残される。なお、この状態を図4(b)に示す。
(4)そして、基板上において各受光素子14aの位置に集光レンズ14bをそれぞれ形成する。なお、この状態を図4(c)に示す。具体的には、公知のインクジェットヘッドにより樹脂材料を基板上の各受光素子14aの位置に滴下する。その後、基板上に滴下した樹脂材料を加熱処理で変形させて半球状の集光レンズ14bを形成する。
Here, in an example of the first step, the
(1) An ultraviolet curable resin is uniformly applied to the substrate of the
(2) A photomask corresponding to the shape of the
(3) Thereafter, the uncured ultraviolet curable resin on the substrate is washed away. As a result, the
(4) Then, the
また、この(4)の他の例として、フォトリソグラフィで各受光素子14aに集光レンズ14bを形成してもよい。具体的には、まず、フォトレジストなどの熱変形樹脂層を基板上に形成する。この熱変形樹脂層は、インクジェットによる液滴下や、スピンコートなどの公知の手段で形成する。次に、熱変形樹脂層をフォトリソグラフィでパターニングして不要部分を除去し、円柱状のプリフォームを形成する。そして、各々の受光素子14aの対応位置に残った熱変形樹脂層のプリフォームを加熱処理で変形させて半球状の集光レンズ14bを形成する。
As another example of (4), a condensing
さらに、第1の工程の他の例として、以下の(イ)から(ハ)のいずれかの手法で集光レンズ14bおよび隔壁基部15aを形成してもよい。
Furthermore, as another example of the first step, the
(イ)この方法では、第1の工程で、集光レンズ14bに加工される円柱状のプリフォームと、隔壁基部15aとを同じ樹脂で同時に形成することができる。この場合には、集光レンズ14bおよび隔壁基部15aをより簡易な工程で形成することができる。
(A) In this method, the columnar preform processed into the
まず、例えば、インクジェットによる液滴下で基板上の所定位置に樹脂を滴下して、上記のプリフォームと隔壁基部15aとを形成する。あるいは、均一な樹脂層を基板上に形成した後に、フォトリソグラフィによるパターニングを行ってプリフォームと隔壁基部15aを形成してもよい。その後に、各々の受光素子14aの対応位置にあるプリフォームを加熱処理で変形させて半球状の集光レンズ14bを形成する。なお、この(イ)の場合には、加熱処理の段階で隔壁基部15aにも変形が生じるため、かかる変形を考慮して隔壁基部15aの形状とサイズとを設定する必要がある。
First, for example, a resin is dropped at a predetermined position on the substrate under an inkjet droplet to form the preform and the
(ロ)また、第1の工程では、受光素子14aの集光レンズ14bを先に形成し、その後に隔壁基部15aを形成することもできる。この場合には、例えば、基板上で隔壁基部15aを形成するスペースに、インクジェットで所定のピッチごとに樹脂を滴下して乾燥させる。そして、その後に樹脂の滴下位置をシフトさせて上記の工程を繰り返して基板上に隔壁基部15aを形成し、紫外線硬化させる。あるいは、隔壁基部15aを形成するスペースにインクジェットでレジストを塗布し、フォトリソグラフィによって隔壁基部15aを形成することもできる。
(B) In the first step, the
この(ロ)の手法では、集光レンズ14bを隔壁基部15aよりも先に形成するので、集光レンズ14bを形成するときの加熱処理で隔壁基部15aが変形することはない。そのため、隔壁基部15aを形成する樹脂に耐熱性の低い材料を用いることができ、また、隔壁基部15aの設計において、製造工程での熱変形を考慮する必要がなくなる。
In the method (b), since the
(ハ)また、樹脂層を二重に形成しておいて、上層の樹脂層を、集光レンズ並びに隔壁基部の形状に加工した後に、エッチングにて下層の樹脂層に形状を転写することもできる。 (C) It is also possible to transfer the shape to the lower resin layer by etching after forming the resin layer double and processing the upper resin layer into the shape of the condenser lens and the partition wall base. it can.
まず、撮像素子14の基板の上面に、透明樹脂層(酸化シリコンや窒化シリコンなど)と熱変形樹脂層(フェノール・ノボラック系レジストなど)とを順次積層する。次に、上記(1)から(4)ならびに(イ)、(ロ)の工程と同様にして、上側の熱変形樹脂層を集光レンズ14bおよび隔壁基部15aの形状に加工する。そして、酸素を用いた反応性イオンエッチング(RIE)などの異方性エッチングにより、好ましくは透明樹脂層と熱変形樹脂層とのエッチングレートの比が1:1となる条件で、透明樹脂層を垂直方向に選択的に除去する。このような垂直方向の異方性エッチングを行った場合には、上側の熱変形樹脂層が削られるとともに、熱変形樹脂層の形状が透明樹脂層に反映されるため、エッチング後の透明樹脂層には集光レンズ14bおよび隔壁基部15aの形状がそれぞれ転写される。
First, a transparent resin layer (such as silicon oxide or silicon nitride) and a heat-deformable resin layer (such as a phenol / novolak resist) are sequentially stacked on the upper surface of the substrate of the
この(ハ)の手法によれば、感光性を有しない樹脂材料で集光レンズ14bや隔壁基部15aを形成することができる。勿論、上記(1)から(3)の手法で隔壁基部15aを形成し、その後にこの(ハ)の手法で集光レンズ14bのみを形成するようにしてもよい。
According to the method (c), the
次に、第2の工程では、隔壁基部15aの上面に型材21を用いて隔壁15bを形成する(図5参照)。具体的には、まず、隔壁15bの形状に対応する空洞21aを有する型材21を隔壁基部15aの上面に当接して配置する。
Next, in the second step, the
ここで、隔壁15bの厚さは隔壁基部15aの上面の厚さよりも小さく設定されている。そのため、隔壁基部15aの上面に型材21を当接させた状態において、型材21の空洞21aが隔壁基部15aの上面からはみ出すことはない。したがって、型材21の空洞21aに樹脂を注入したときに、受光素子14aの上に樹脂が漏れ出すことを防止できる。また、隔壁基部15aの上面の高さは集光レンズ14bの頂部よりも高い位置にあるため、隔壁基部15aの上面に型材21を当接させた状態において、型材21と集光レンズ14bとが干渉することもない。
Here, the thickness of the
その後、型材21の空洞21aにカーボンブラックなどの顔料系色素を分散させた樹脂材料を注入し、この樹脂材料を硬化させることで隔壁基部15aの上面に隔壁15bを形成する(図5(b)参照)。ここで、型材21への樹脂材料の注入は型材21の側方に設けられた湯口(リブ状部分15cに対応する)から行われる。また、特に限定するものではないが、型材21の空洞21a内への樹脂材料の注入は真空下で行うことが好ましい。
Thereafter, a resin material in which a pigment-based pigment such as carbon black is dispersed is injected into the
そして、第2の工程の終了後に、隔壁構造15を有する撮像素子14にマイクロレンズアレイ13を取り付けて画像検出ユニット11が完成する。このとき、側面からの迷光の入射を抑制するために、隔壁構造15の隔壁15b上面とマイクロレンズアレイ13とを接着してシールドしてもよい。あるいは、隔壁15bの形成時の湯口であるリブ状部分15cとマイクロレンズアレイ13とを接着剤で固定してもかまわない。
And after completion | finish of a 2nd process, the
この第1実施形態では、遮光性を有する隔壁構造15を撮像素子14の基板に接合する際に触れる必要がない。そのため、隔壁構造15を破損するおそれが少なくなる。
In the first embodiment, it is not necessary to touch the
(第2実施形態の説明)
図6は、第2実施形態における撮像素子14を示す部分断面図である。この第2実施形態では、撮像素子14の基板における隔壁構造15のレイアウト用スペースに光硬化性樹脂16を塗布し、その後にレーザー光で露光を行って光硬化性樹脂16を硬化させて隔壁基部を形成する。そして、この隔壁基部の上に光硬化性樹脂16を塗布し、その後にレーザー光で露光を行って光硬化性樹脂16を硬化させる。これにより、隔壁基部の上に光硬化性樹脂16が積層される。そして、上記の光硬化性樹脂16の塗布および硬化のサイクルを複数回繰り返し、光硬化性樹脂16の層を積み上げて隔壁構造15を形成する。なお、第2実施形態の隔壁構造15では、隔壁および隔壁基部の厚さがほぼ一定に設定されている。
(Description of Second Embodiment)
FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing the
この第2実施形態においても、遮光性を有する隔壁構造15が予め撮像素子14の基板に接合された状態で形成されるので、第1実施形態とほぼ同様の効果を得ることができる。なお、第2実施形態の遮光構造では、光硬化性樹脂16の積層によって壁面が粗面となるので、入射光の不要な反射を妨げる機能も期待しうる。
Also in the second embodiment, since the
(第3実施形態の説明)
図7は、第3実施形態における画像検出ユニットの構成を示す断面図である。また、図8は、第3実施形態における隔壁構造15の形成工程を示す説明図である。
(Description of the third embodiment)
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a configuration of an image detection unit in the third embodiment. Moreover, FIG. 8 is explanatory drawing which shows the formation process of the
この第3実施形態では、各々の受光素子14aからオンチップの集光レンズ14bを省略し、撮像素子14の受光面上に透光性の透明樹脂層17を均一に形成して隔壁基部15aを構成する(図8(a)参照)。そして、第1実施形態の第2工程によって、上記の透明樹脂層17の上に隔壁15bを形成する(図8(b)参照)。この第3実施形態においても、第1実施形態とほぼ同様の効果を得ることができる。
In the third embodiment, the on-
(実施形態の補足事項)
(1)上記実施形態において、画像検出ユニット11における小領域の分割形状は正方格子状に限定されず、例えばハニカム状の配置であってもよい。また、撮像素子14に配列された受光素子14aも必ずしも正方格子状に配置される必要はない。さらに、マイクロレンズアレイ13や隔壁構造15の配置間隔は、分割領域ごとに異なるものであってもよい。
(Supplementary items of the embodiment)
(1) In the above embodiment, the division shape of the small regions in the
(2)上記の例では、受光面上の隔壁基部が形成される受光素子と受光素子との間の部分は、受光素子と異なる構造であった。しかし、連続的に受光素子を形成した後に一部の受光素子上に隔壁基部を形成することもできる。この場合、隔壁基部が上に形成された受光素子は、本来の受光素子としての機能は果たさない。しかし、かかる構成によると、隔壁基部を形成する位置の、基板との相対位置あわせが比較的緩い精度でよくなるという利点がある。また、元の基板は一面が受光素子で覆われ、一般的な二次元イメージセンサと同じであるため、製造工程の共通化や、汎用の二次元イメージセンサの流用が可能となる場合もあるという利点もある。 (2) In the above example, the portion between the light receiving element where the partition wall base on the light receiving surface is formed has a structure different from that of the light receiving element. However, the partition wall base can be formed on a part of the light receiving elements after the light receiving elements are continuously formed. In this case, the light receiving element having the partition wall base formed thereon does not function as an original light receiving element. However, according to such a configuration, there is an advantage that the relative alignment between the position where the partition wall base is formed and the substrate is relatively loose. In addition, since the original substrate is covered with a light receiving element and is the same as a general two-dimensional image sensor, it may be possible to share a manufacturing process or divert a general-purpose two-dimensional image sensor. There are also advantages.
(3)焦点検出用の画像検出ユニット11の場合には、各々の小領域に2画素分の受光素子14aを配置した撮像素子14を用いてもよい(いわゆるTCL同方式の構成)。上記構成の画像検出ユニット11では、同出願人による特開2007−11314号公報に開示された第2のサンプリング方法によって焦点検出を行うことができる。
(3) In the case of the
(4)また、焦点検出用の画像検出ユニット11の場合には、各々の小領域において、各々の配列方向が異なる複数の受光素子14aのラインが形成された撮像素子14を用いてもよい。
(4) Further, in the case of the
(5)第1実施形態において、隔壁基部15aを第2実施形態と同様に光硬化性樹脂16を積層させて形成し、その上面に型材21を用いて薄肉の隔壁15bを形成するようにしてもよい。
(5) In the first embodiment, the
(6)第1実施形態では、隔壁基部15aの厚さ(受光面と平行な方向の幅)を一定とする例を説明した(なお、図3(a)の矢視方向からの隔壁構造15の状態を図9(a)に示す)。しかし、本発明では、図9(b)に示すように、隔壁基部15a同士が交差する隅部分では隔壁基部15aを厚くしてもよい。この場合には、第2工程で隔壁基部15aの上面に型材21を当接させるときに、隔壁基部15aの強度の向上により型材21を支えやすくなって作業性が向上する。なお、同様に、隔壁構造15の隔壁15bについても隔壁15bが交差する隅部分を肉厚にしてもよい。
(6) In the first embodiment, the example in which the thickness of the partition
(7)第1実施形態では、隔壁構造15にリブ状部分15cを直線状に4箇所設けた例を図示しているが、型材21への樹脂材料への注入やマイクロレンズアレイ13の取付などを考慮して適宜変更してもよい。また、隔壁構造15の外周部を肉厚にして額縁状の構成としてもかまわない。
(7) In the first embodiment, an example in which four rib-
(8)上記実施形態では、個々の撮像素子14のセンサチップ(基板)に隔壁構造15を形成する例を示したが、センサチップを切り出す前のウェハ上で隔壁構造15を一括して形成してもよい。
(8) In the above embodiment, the example in which the
なお、本発明は、その精神またはその主要な特徴から逸脱することなく他の様々な形で実施することができる。そのため、上述した実施形態は、あらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明は、特許請求の範囲によって示されるものであって、本発明は明細書本文にはなんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内である。 The present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit or the main features thereof. For this reason, the above-described embodiment is merely an example in all respects and should not be interpreted in a limited manner. The present invention is defined by the claims, and the present invention is not limited to the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the equivalent scope of the claims are within the scope of the present invention.
11…画像検出ユニット、13…マイクロレンズアレイ、14…撮像素子、14a…受光素子、14b…集光レンズ、15…隔壁構造、15a…隔壁基部、15b…隔壁、16…光硬化性樹脂、17…透明樹脂層、21…型材
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記受光面上の前記複数の受光素子の間に形成された隔壁基部と、
前記隔壁基部の上面に形成された遮光性を有する隔壁と、
を備えることを特徴とする撮像素子。 A plurality of light receiving elements arranged on the light receiving surface;
A partition base formed between the plurality of light receiving elements on the light receiving surface;
A light-shielding partition formed on the upper surface of the partition base;
An image pickup device comprising:
前記隔壁の前記受光面に平行な方向の幅は、前記隔壁基部の上面の前記受光面に平行な方向の幅よりも小さいことを特徴とする撮像素子。 The imaging device according to claim 1,
The imaging device according to claim 1, wherein a width of the partition wall in a direction parallel to the light receiving surface is smaller than a width of a top surface of the partition base portion in a direction parallel to the light receiving surface.
前記複数の受光素子のそれぞれは、前記受光素子に集光するレンズを有し、
前記隔壁基部の上面は、前記レンズの頂部よりも高いことを特徴とする撮像素子。 The imaging device according to claim 1 or 2,
Each of the plurality of light receiving elements has a lens for focusing on the light receiving element,
An image pickup device, wherein an upper surface of the partition wall base is higher than a top of the lens.
前記隔壁基部の上面に第2樹脂を付着して前記第2樹脂を硬化させることにより、前記隔壁基部に立設する隔壁を形成する第2工程と、
を備えることを特徴とする撮像素子の隔壁構造の製造方法。 A first step of forming a partition wall base between the plurality of light receiving elements on the light receiving surface by attaching and curing a first resin on the light receiving surface of the imaging element in which the plurality of light receiving elements are arranged;
A second step of forming a partition wall standing on the partition wall base by attaching a second resin to the upper surface of the partition wall base and curing the second resin;
The manufacturing method of the partition structure of an image pick-up element characterized by the above-mentioned.
前記第1樹脂および前記第2樹脂は異なる樹脂であり、各々が硬化状態にあるときに前記第2樹脂は前記第1樹脂よりも遮光性が高いことを特徴とする撮像素子の遮光構造の製造方法。 In the manufacturing method of the partition structure of the image sensor according to claim 4,
The first resin and the second resin are different resins, and when each is in a cured state, the second resin has a light shielding property higher than that of the first resin. Method.
前記撮像素子の受光面には、各々の受光素子ごとにオンチップレンズがそれぞれ配置され、
前記隔壁基部の上面の高さは、前記オンチップレンズの頂部よりも高い位置に形成されていることを特徴とする撮像素子の隔壁構造の製造方法。 In the manufacturing method of the partition structure of the image sensor according to claim 4 or 5,
An on-chip lens is arranged for each light receiving element on the light receiving surface of the image sensor,
The height of the upper surface of the said partition base is formed in the position higher than the top part of the said on-chip lens, The manufacturing method of the partition structure of the image pick-up element characterized by the above-mentioned.
前記隔壁の幅を、前記隔壁基部の上面の幅よりも小さく形成することを特徴とする撮像素子の隔壁構造の製造方法。 In the manufacturing method of the partition structure of an image sensor given in any 1 paragraph of Claims 4-6,
A method for manufacturing a partition structure of an image sensor, wherein the partition wall is formed to have a width smaller than a width of an upper surface of the partition base.
前記第2工程にて、前記隔壁に対応する空洞を有する型材を前記隔壁基部の上面に当接して配置するとともに、前記空洞内に前記第2樹脂を注入して前記隔壁を形成することを特徴とする撮像素子の隔壁構造の製造方法。 In the manufacturing method of the partition structure of an image sensor given in any 1 paragraph of Claims 4-7,
In the second step, a mold material having a cavity corresponding to the partition wall is disposed in contact with the upper surface of the partition base, and the second resin is injected into the cavity to form the partition wall. The manufacturing method of the partition structure of an image pick-up element.
前記第2工程を複数回繰り返して、前記隔壁基部の上に前記隔壁を積層して形成することを特徴とする撮像素子の隔壁構造の製造方法。 In the manufacturing method of the partition structure of the image sensor according to claim 4,
A method of manufacturing a partition structure of an imaging element, wherein the second step is repeated a plurality of times, and the partition is laminated and formed on the partition base.
An image detection unit comprising the imaging device according to claim 1.
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