JP2008307448A - Pattern forming method, electro-optic device manufacturing method, and electronic equipment manufacturing method - Google Patents

Pattern forming method, electro-optic device manufacturing method, and electronic equipment manufacturing method Download PDF

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利充 平井
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form a high grade pattern without increasing a cost. <P>SOLUTION: The pattern is formed by applying a functional liquid on a substrate P having a lyophilic part Pa or a liquid repellent part H with respect to the functional liquid. The pattern forming method has a first step for forming the liquid repellent part H by applying a droplet containing a liquid repellent material on the substrate having lyophilic part and a second step for applying the functional liquid on the lyophilic part Pa surrounded by the water repellent part H. In the first step, the width HA of the liquid repellent part H is adjusted by controlling the discharge quantity and the discharge pitch of the droplet of the liquid repellent material. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、パターン形成方法及び電気光学装置製造方法並びに電子機器製造方法に関するものである。   The present invention relates to a pattern forming method, an electro-optical device manufacturing method, and an electronic device manufacturing method.

液滴吐出法(インクジェット方式)を用いてパターンを形成する場合、液状体の液滴(インク)を吐出し、基板上の所定位置に着弾させることによってパターンを形成している。このように、液滴を吐出して基板に着弾させた場合、基板表面の特性によっては着弾した液滴が濡れ拡がり過ぎたり、分離したりする虞がある。この場合、所望の配線パターンを得ることができないという問題が生じる。   When a pattern is formed using a droplet discharge method (inkjet method), a pattern is formed by discharging a liquid droplet (ink) and landing on a predetermined position on a substrate. As described above, when droplets are ejected and landed on the substrate, depending on the characteristics of the substrate surface, the landed droplets may become too wet or spread. In this case, there arises a problem that a desired wiring pattern cannot be obtained.

そこで、特許文献1には、基板のパターン形成面となる面を撥液加工し、この撥液加工面に光触媒を通過した紫外光レーザビームを照射しながら親液パターン形成を行う技術が開示されている。
また、特許文献2には、パターンを形成する基板上に光触媒を含有した撥水性の下地を塗布した後に、マスクを介して露光することにより、露光部分のみを親水化する技術が開示されている。
特開2004−200244号公報 特開平11−344804号公報
Thus, Patent Document 1 discloses a technique for forming a lyophilic pattern by lyophobic processing the surface to be a pattern forming surface of a substrate and irradiating the lyophobic surface with an ultraviolet laser beam that has passed through a photocatalyst. ing.
Patent Document 2 discloses a technique in which only a light-exposed portion is hydrophilized by applying a water-repellent substrate containing a photocatalyst on a substrate on which a pattern is to be formed, and then exposing through a mask. .
Japanese Patent Laid-Open No. 2004-200244 JP-A-11-344804

しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
上記特許文献に記載された技術は、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源を用いるため、コストアップを招くという問題を招いてしまう。また、本来、非パターン面のみに必要な撥液材料を基板全面に塗布するため、省材料という観点からも望ましいものとはいえない。
However, the following problems exist in the conventional technology as described above.
Since the technique described in the above-mentioned patent document uses an expensive exposure machine, photomask, or laser light source, it causes a problem of increasing costs. In addition, since a liquid repellent material that is originally necessary only for the non-patterned surface is applied to the entire surface of the substrate, it is not desirable from the viewpoint of material saving.

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、コストアップを招くことなく良質なパターンが形成可能なパターン形成方法及び電気光学装置製造方法並びに電子機器製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above points, and provides a pattern forming method, an electro-optical device manufacturing method, and an electronic device manufacturing method capable of forming a high-quality pattern without causing an increase in cost. Objective.

上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明のパターン形成方法は、機能液に対する親液部及び撥液部を有する基板に前記機能液を塗布してパターンを形成するパターン形成方法であって、前記親液部を有する基板に対して、撥液材料を含む液滴を塗布して前記撥液部を形成する第1工程と、前記撥液部の間の前記親液部に前記機能液を塗布する第2工程とを有し、前記第1工程では、前記撥液材料の液滴の吐出量及び吐出ピッチを調整することにより、前記撥液部の幅を調整することを特徴とするものである。
従って、本発明のパターン形成方法では、親液部に機能液を塗布することにより、撥液部にはじかれた機能液により、親液部の配置に応じたパターンを基板上の所定位置に高精度に形成することができる。ここで、本発明では、撥液材料の液滴の吐出量及び吐出ピッチを調整して撥液部の幅を調整することにより、親液部の幅、すなわちパターンの幅を容易に調整することができる。また、本発明では、第1工程において撥液材料を含む液滴を塗布することにより撥液部をパターニング形成するため、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いる必要がなくなり、コストアップを防止することが可能である。
In order to achieve the above object, the present invention employs the following configuration.
The pattern forming method of the present invention is a pattern forming method for forming a pattern by applying the functional liquid to a substrate having a lyophilic part and a liquid repellent part with respect to the functional liquid. A first step of applying droplets containing a liquid repellent material to form the liquid repellent portion, and a second step of applying the functional liquid to the lyophilic portion between the liquid repellent portions, In the first step, the width of the liquid repellent part is adjusted by adjusting the discharge amount and the discharge pitch of the liquid repellent material droplets.
Therefore, in the pattern formation method of the present invention, the functional liquid is applied to the lyophilic part, and the pattern according to the arrangement of the lyophilic part is raised to a predetermined position on the substrate by the functional liquid repelled by the liquid repellent part. It can be formed with high accuracy. Here, in the present invention, the width of the lyophilic portion, that is, the width of the pattern can be easily adjusted by adjusting the discharge amount and the discharge pitch of the liquid repellent material to adjust the width of the liquid repellent portion. Can do. Further, in the present invention, since the liquid repellent portion is formed by patterning by applying droplets containing a liquid repellent material in the first step, there is no need to use an expensive exposure machine, photomask, laser light source, etc. Can be prevented.

また、本発明では、前記撥液材料を含む液滴の吐出量及び吐出ピッチと、前記撥液部の幅との相関関係を示すテーブルを保持し、前記第1工程では、前記テーブルを用いて前記撥液材料を含む液滴を塗布する手順を好適に採用できる。
これにより、本発明では、所望の撥液部の幅、すなわち、所望の親液部(パターン)の幅を形成する際に用いる撥液材料を含む液滴の吐出量及び吐出ピッチを容易、且つ迅速に選定することができ、生産性の向上に寄与することができる。
In the present invention, a table showing a correlation between a discharge amount and a discharge pitch of droplets including the liquid repellent material and a width of the liquid repellent portion is held. In the first step, the table is used. A procedure for applying droplets containing the liquid repellent material can be suitably employed.
Thereby, in the present invention, the desired liquid repellent part width, that is, the discharge amount and the discharge pitch of the liquid droplets containing the liquid repellent material used when forming the desired lyophilic part (pattern) width, and It can be selected quickly and can contribute to the improvement of productivity.

また、本発明では、前記基板上に着弾した前記撥液材料を含む液滴が、隣り合う前記液滴同士で重なり合うように塗布する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、一回の走査で撥液材料を含む液滴を塗布して撥液部を形成することが可能になり、生産性の向上に寄与できる。
In the present invention, a procedure in which droplets containing the liquid-repellent material landed on the substrate are applied so that the adjacent droplets overlap each other can be suitably employed.
As a result, in the present invention, it is possible to apply liquid droplets containing a liquid repellent material in a single scan to form a liquid repellent portion, which can contribute to an improvement in productivity.

前記撥液材料としては、シラン化合物及びフルオロアルキル基を有する化合物の少なくとも一方を含む構成を採用できる。この場合、前記シラン化合物としては、自己組織化膜である構成を採用できる。
また、前記撥液部としては、前記基板の表面に前記フルオロアルキル基を有する化合物からなる自己組織化膜によって形成される構成も採用できる。
As said liquid repellent material, the structure containing at least one of a silane compound and a compound which has a fluoroalkyl group is employable. In this case, as the silane compound, a structure that is a self-assembled film can be employed.
In addition, the liquid repellent portion may be formed by a self-assembled film made of a compound having the fluoroalkyl group on the surface of the substrate.

一方、前記撥液部としては、前記基板の表面にアルキル基、水素を有する自己組織化膜によって形成される構成も採用できる。
さらに、前記撥液材料としては、フッ素樹脂を含む構成も採用できる。
On the other hand, as the liquid repellent portion, a structure formed by a self-assembled film having an alkyl group and hydrogen on the surface of the substrate can be employed.
Furthermore, as the liquid repellent material, a configuration including a fluororesin can be employed.

また、本発明では、前記第2工程において前記親液部に前記機能液の液滴を塗布する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、第1工程及び第2工程の双方を液滴吐出方式で行うことが可能になり、両工程で設備の共用化を図ることができ、生産コストを低減させることができる。
In the present invention, a procedure of applying the functional liquid droplets to the lyophilic portion in the second step can also be suitably employed.
Thereby, in this invention, it becomes possible to perform both a 1st process and a 2nd process with a droplet discharge system, and can aim at common use of equipment in both processes, and can reduce production cost. .

また、本発明では、前記機能液が、導電性材料を含む構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、コストアップを招くことなく良質な導電性パターンを形成することができる。
In the present invention, a configuration in which the functional liquid includes a conductive material can also be suitably employed.
Thereby, in this invention, a good conductive pattern can be formed, without causing a cost increase.

そして、本発明では、前記機能液は、めっき触媒材料を含む構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、コストアップを招くことなく形成されためっき触媒に対してめっき処理を施すことにより、緻密で良質なパターンを形成することが可能になる。
In the present invention, the functional liquid can suitably adopt a configuration including a plating catalyst material.
Thereby, in this invention, it becomes possible to form a precise | minute and high quality pattern by performing a plating process with respect to the plating catalyst formed, without causing the cost increase.

また、本発明の電気光学装置製造方法は、先に記載のパターン形成方法によりパターンを形成する工程を有することを特徴とするものである。
また、本発明の電子機器製造方法は、先に記載のパターン形成方法によりパターンを形成する工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の電気光学装置製造方法及び電子機器製造方法では、コストアップを招くことなく良質なパターンを有する電気光学装置及び電子機器を製造することが可能になる。
In addition, the electro-optical device manufacturing method of the present invention includes a step of forming a pattern by the pattern forming method described above.
Moreover, the electronic device manufacturing method of the present invention is characterized by including a step of forming a pattern by the pattern forming method described above.
Therefore, according to the electro-optical device manufacturing method and the electronic device manufacturing method of the present invention, it is possible to manufacture an electro-optical device and an electronic device having a high-quality pattern without causing an increase in cost.

また、前記電気光学装置としては、導電線によりメッシュ状に形成されたメッシュ部と、前記導電線により前記メッシュ部の周囲に形成された額縁部とを有する電磁波シールドであり、前記メッシュ部及び前記額縁部を、前記パターン形成方法により形成する構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、コストアップを招くことなく良質なパターンを有する電磁波シールドを製造することが可能になる。また、本発明では、撥液性液滴の吐出量及び吐出ピッチを調整して、撥液部の幅、すなわちメッシュ部の線幅を調整することにより、シールド特性及び開口率を容易に調整することが可能になる。
Further, the electro-optical device is an electromagnetic wave shield having a mesh portion formed in a mesh shape with a conductive wire and a frame portion formed around the mesh portion with the conductive wire, and the mesh portion and the A configuration in which the frame portion is formed by the pattern forming method can also be suitably employed.
Thereby, in this invention, it becomes possible to manufacture the electromagnetic wave shield which has a good quality pattern, without causing a cost increase. In the present invention, the shield characteristic and the aperture ratio are easily adjusted by adjusting the discharge amount and discharge pitch of the liquid-repellent droplets and adjusting the width of the liquid-repellent part, that is, the line width of the mesh part. It becomes possible.

以下、本発明のパターン形成方法及び電気光学装置製造方法並びに電子機器製造方法の実施の形態を、図1乃至図19を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
Embodiments of a pattern forming method, an electro-optical device manufacturing method, and an electronic device manufacturing method according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.

(液滴吐出装置)
まず、本実施形態に係るパターン形成方法に用いる液滴吐出装置について説明する。
図1は、液滴吐出装置の概略的な構成図である。
液滴吐出装置(インクジェット装置)IJは、液滴吐出ヘッドから基板Pに対して液滴を吐出(滴下)するものであって、液滴吐出ヘッド301と、X方向駆動軸304と、Y方向ガイド軸305と、制御装置CONTと、ステージ307と、クリーニング機構308と、基台309と、ヒータ315とを備えている。ステージ307は、この液滴吐出装置IJによりインク(液体材料)を設けられる基板Pを支持するものであって、基板Pを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
(Droplet discharge device)
First, a droplet discharge device used in the pattern forming method according to the present embodiment will be described.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a droplet discharge device.
The droplet discharge device (inkjet device) IJ discharges (drops) droplets from the droplet discharge head onto the substrate P. The droplet discharge head 301, the X-direction drive shaft 304, and the Y-direction A guide shaft 305, a control device CONT, a stage 307, a cleaning mechanism 308, a base 309, and a heater 315 are provided. The stage 307 supports the substrate P on which ink (liquid material) is provided by the droplet discharge device IJ, and includes a fixing mechanism (not shown) that fixes the substrate P at a reference position.

液滴吐出ヘッド301は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とX軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド301の下面にX軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド301の吐出ノズルからは、ステージ307に支持されている基板Pに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。   The droplet discharge head 301 is a multi-nozzle type droplet discharge head having a plurality of discharge nozzles, and the longitudinal direction and the X-axis direction are matched. The plurality of ejection nozzles are provided on the lower surface of the droplet ejection head 301 in the X-axis direction at regular intervals. From the discharge nozzle of the droplet discharge head 301, the ink containing the conductive fine particles described above is discharged onto the substrate P supported by the stage 307.

X方向駆動軸304には、X方向駆動モータ302が接続されている。X方向駆動モータ302はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからX方向の駆動信号が供給されると、X方向駆動軸304を回転させる。X方向駆動軸304が回転すると、液滴吐出ヘッド301はX軸方向に移動する。
Y方向ガイド軸305は、基台309に対して動かないように固定されている。ステージ307は、Y方向駆動モータ303を備えている。Y方向駆動モータ303はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからY方向の駆動信号が供給されると、ステージ307をY方向に移動する。
An X direction drive motor 302 is connected to the X direction drive shaft 304. The X-direction drive motor 302 is a stepping motor or the like, and rotates the X-direction drive shaft 304 when an X-direction drive signal is supplied from the control device CONT. When the X-direction drive shaft 304 rotates, the droplet discharge head 301 moves in the X-axis direction.
The Y-direction guide shaft 305 is fixed so as not to move with respect to the base 309. The stage 307 includes a Y direction drive motor 303. The Y direction drive motor 303 is a stepping motor or the like, and moves a stage 307 in the Y direction when a drive signal in the Y direction is supplied from the control device CONT.

制御装置CONTは、液滴吐出ヘッド301に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、X方向駆動モータ302に液滴吐出ヘッド301のX方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Y方向駆動モータ303にステージ307のY方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構308は、液滴吐出ヘッド301をクリーニングするものである。クリーニング機構308には、図示しないY方向の駆動モータが備えられている。このY方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Y方向ガイド軸305に沿って移動する。クリーニング機構308の移動も制御装置CONTにより制御される。
ヒータ315は、ここではランプアニールにより基板Pを熱処理する手段であり、基板P上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ315の電源の投入及び遮断も制御装置CONTにより制御される。
The control device CONT supplies a droplet discharge control voltage to the droplet discharge head 301. Further, a drive pulse signal for controlling movement of the droplet discharge head 301 in the X direction is supplied to the X direction drive motor 302, and a drive pulse signal for controlling movement of the stage 307 in the Y direction is supplied to the Y direction drive motor 303.
The cleaning mechanism 308 is for cleaning the droplet discharge head 301. The cleaning mechanism 308 includes a Y-direction drive motor (not shown). The cleaning mechanism moves along the Y-direction guide shaft 305 by driving the Y-direction drive motor. The movement of the cleaning mechanism 308 is also controlled by the control device CONT.
Here, the heater 315 is means for heat-treating the substrate P by lamp annealing, and performs evaporation and drying of the solvent contained in the liquid material applied on the substrate P. The heater 315 is also turned on and off by the control device CONT.

液滴吐出装置IJは、液滴吐出ヘッド301と基板Pを支持するステージ307とを相対的に走査しつつ基板Pに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、X方向を非走査方向、X方向と直交するY方向を走査方向とする。
したがって、液滴吐出ヘッド301の吐出ノズルは、非走査方向であるY方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図1では、液滴吐出ヘッド301は、基板Pの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド301の角度を調整し、基板Pの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド301の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Pとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
The droplet discharge device IJ discharges droplets onto the substrate P while relatively scanning the droplet discharge head 301 and the stage 307 that supports the substrate P. Here, in the following description, the X direction is a non-scanning direction, and the Y direction orthogonal to the X direction is a scanning direction.
Accordingly, the discharge nozzles of the droplet discharge head 301 are provided side by side at regular intervals in the Y direction, which is the non-scanning direction. In FIG. 1, the droplet discharge head 301 is disposed at a right angle to the traveling direction of the substrate P, but the angle of the droplet discharging head 301 is adjusted so as to intersect the traveling direction of the substrate P. It may be. In this way, the pitch between the nozzles can be adjusted by adjusting the angle of the droplet discharge head 301. Further, the distance between the substrate P and the nozzle surface may be arbitrarily adjusted.

図2は、液滴吐出ヘッド301の断面図である。
液滴吐出ヘッド301には、液体材料(配線用インク等)を収容する液体室321に隣接してピエゾ素子322が設置されている。液体室321には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系323を介して液体材料が供給される。
ピエゾ素子322は駆動回路324に接続されており、この駆動回路324を介してピエゾ素子322に電圧を印加し、ピエゾ素子322を変形させることにより、液体室321が変形し、ノズル325から液体材料が吐出される。
この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子322の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子322の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the droplet discharge head 301.
The droplet discharge head 301 is provided with a piezo element 322 adjacent to a liquid chamber 321 that stores a liquid material (such as wiring ink). The liquid material is supplied to the liquid chamber 321 via a liquid material supply system 323 including a material tank that stores the liquid material.
The piezo element 322 is connected to a drive circuit 324, and a voltage is applied to the piezo element 322 via the drive circuit 324 to deform the piezo element 322, whereby the liquid chamber 321 is deformed and the liquid material is discharged from the nozzle 325. Is discharged.
In this case, the amount of distortion of the piezo element 322 is controlled by changing the value of the applied voltage. Further, the strain rate of the piezo element 322 is controlled by changing the frequency of the applied voltage. Since the droplet discharge by the piezo method does not apply heat to the material, it has an advantage of hardly affecting the composition of the material.

なお、液滴吐出法の吐出技術としては、上記の電気機械変換式の他に、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に例えば30kg/cm程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。 In addition to the electromechanical conversion method, the droplet discharge method includes a charge control method, a pressure vibration method, an electrothermal conversion method, an electrostatic suction method, and the like. In the charge control method, a charge is applied to a material by a charging electrode, and the flight direction of the material is controlled by a deflection electrode and discharged from a nozzle. In addition, the pressure vibration method is a method in which an ultra-high pressure of, for example, about 30 kg / cm 2 is applied to the material and the material is discharged to the nozzle tip side. When no control voltage is applied, the material moves straight from the nozzle. When discharged and a control voltage is applied, electrostatic repulsion occurs between the materials, and the materials are scattered and are not discharged from the nozzle.

また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル(泡)を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料(流動体)の一滴の量は、例えば1〜300ナノグラムである。   In the electrothermal conversion method, a material is rapidly vaporized by a heater provided in a space in which the material is stored to generate bubbles, and the material in the space is discharged by the pressure of the bubbles. In the electrostatic attraction method, a minute pressure is applied in a space in which the material is stored, a meniscus of the material is formed on the nozzle, and an electrostatic attractive force is applied in this state before the material is drawn out. In addition to this, techniques such as a system that uses a change in the viscosity of a fluid due to an electric field and a system that uses a discharge spark are also applicable. The droplet discharge method has an advantage that the use of the material is less wasteful and a desired amount of the material can be accurately disposed at a desired position. The amount of one drop of the liquid material (fluid) discharged by the droplet discharge method is, for example, 1 to 300 nanograms.

続いて、上記の液滴吐出装置IJを用いてパターンを形成する方法について、図3乃至図7を参照して説明する。
ここでは、図3(a)、(b)に示すように、少なくとも表面Paが親液部として親液性を有する基板P上に筋状に複数(ここでは3箇所)の撥液部Hが互いに隙間をあけて設けられ、これら撥液部Hの間に導電性の配線パターン(パターン)Wを形成する場合について説明する。なお、ここで記載する撥液部とは、導電性材料を含む液滴(以下、パターン用液滴と称する)に対する接触角が所定値以上となる領域を示し、親液部とは導電性材料を含む液滴に対する接触角が所定値以下となる領域を示している。
Next, a method for forming a pattern using the droplet discharge apparatus IJ will be described with reference to FIGS.
Here, as shown in FIGS. 3A and 3B, a plurality of (three in this case) liquid repellent portions H are formed in a streaky pattern on a substrate P having at least a surface Pa as a lyophilic portion. A case will be described in which a conductive wiring pattern (pattern) W is formed between the liquid repellent portions H provided with a gap therebetween. The liquid repellent portion described here indicates a region where the contact angle with respect to a droplet containing a conductive material (hereinafter referred to as a pattern droplet) is a predetermined value or more, and the lyophilic portion is a conductive material. The area | region where the contact angle with respect to the droplet containing is below a predetermined value is shown.

基板Pとしては、ガラス、石英ガラス、Siウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種の材料を用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。   As the substrate P, various materials such as glass, quartz glass, Si wafer, plastic film, and metal plate can be used. Also included are those in which a semiconductor film, a metal film, a dielectric film, an organic film or the like is formed as a base layer on the surface of these various material substrates.

本実施形態に係るパターン形成方法は、上述した配線パターン用のインクを基板P上に塗布することにより配線用のパターンWを形成するものであり、表面処理工程、撥液部形成工程、材料配置工程及び熱処理/光処理工程から概略構成される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。
The pattern forming method according to the present embodiment forms the wiring pattern W by applying the wiring pattern ink described above onto the substrate P, and includes a surface treatment step, a liquid repellent portion forming step, and a material arrangement. It is roughly composed of a process and a heat treatment / light treatment process.
Hereinafter, each process will be described in detail.

(表面処理工程)
表面処理工程では、基板Pの表面Paに対して洗浄処理を行うことにより、親液性を高める処理を実施する。
例えば、基板Pがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料(インク)に対して親液性を有しているが、この表面処理によりさらに親液性を高める。
(Surface treatment process)
In the surface treatment process, the surface Pa of the substrate P is subjected to a cleaning process to improve the lyophilicity.
For example, when the substrate P is a glass substrate, the surface thereof is lyophilic with respect to the wiring pattern forming material (ink), but the lyophilicity is further enhanced by this surface treatment.

具体的には、表面処理工程では、洗浄処理として、UVエキシマ洗浄、低圧水銀灯洗浄、Oプラズマ洗浄、HFや硫酸等を用いた酸洗浄、アルカリ洗浄、超音波洗浄、メガソニック洗浄、コロナ処理、グロー洗浄、スクラブ洗浄、オゾン洗浄、水素水洗浄、マイクロバブル洗浄、フッ素系洗浄等を実施する。 Specifically, in the surface treatment process, UV excimer cleaning, low pressure mercury lamp cleaning, O 2 plasma cleaning, acid cleaning using HF, sulfuric acid, etc., alkali cleaning, ultrasonic cleaning, megasonic cleaning, corona processing Glow cleaning, scrub cleaning, ozone cleaning, hydrogen water cleaning, microbubble cleaning, fluorine cleaning, etc. are performed.

ここで、表面(親液部)Paのパターン用液滴に対する接触角が25度を超えるとバルジ(液滴溜まり)が発生しやすくなり、また20度以下であればバルジは生じない。そこで、本実施形態では、洗浄処理条件を調整することにより、基板表面Paのパターン用液滴に対する接触角を20度以下とする。
具体的には、洗浄処理が、例えばUVエキシマ洗浄の場合にはUV光(紫外光)の照射時間、強度、波長、熱処理(加熱)との組み合わせ等によって調整することができ、また、洗浄処理が例えばOプラズマ洗浄の場合には、プラズマ処理時間を調整することにより、親液性(接触角)を調整することができる。この洗浄処理により、表面Paに有機物等の異物が付着していた場合でも、表面Paから除去することが可能になり、清浄度及び親液性を維持することができる。
Here, when the contact angle of the surface (lyophilic part) Pa to the pattern droplet exceeds 25 degrees, bulge (droplet accumulation) is likely to occur, and when it is 20 degrees or less, no bulge occurs. Therefore, in this embodiment, the contact angle with respect to the pattern droplets on the substrate surface Pa is set to 20 degrees or less by adjusting the cleaning process conditions.
Specifically, for example, in the case of UV excimer cleaning, the cleaning process can be adjusted by a combination of irradiation time, intensity, wavelength, heat treatment (heating) of UV light (ultraviolet light), etc. For example, in the case of O 2 plasma cleaning, the lyophilicity (contact angle) can be adjusted by adjusting the plasma treatment time. By this cleaning treatment, even when a foreign matter such as an organic substance adheres to the surface Pa, it can be removed from the surface Pa, and the cleanliness and lyophilicity can be maintained.

(撥液部形成工程)
続いて、洗浄処理(親液化処理)が行われた基板Pの表面Paの所定領域(パターンWの形成する領域の周囲)に撥液部Hを形成する。
具体的には、上述した液滴吐出装置IJを用い液滴吐出ヘッド301からパターン用液滴に対して撥液性を有する材料を含む液状体の液滴(以下、撥液性液滴と称する)を吐出して、基板P上の所定領域に塗布する。
(Liquid repellent part forming step)
Subsequently, the lyophobic portion H is formed in a predetermined region (around the region where the pattern W is formed) on the surface Pa of the substrate P on which the cleaning process (lyophilic process) has been performed.
Specifically, using the above-described droplet discharge device IJ, a liquid droplet containing a material having liquid repellency from the droplet discharge head 301 to the pattern droplet (hereinafter referred to as a liquid repellent droplet). ) Is applied to a predetermined region on the substrate P.

撥液性を有する材料としては、シラン化合物、フルオロアルキル基を有する化合物、フッ素樹脂(フッ素を含む樹脂)、及びこれらの混合物を用いることができる。
シラン化合物としては、(A)一般式(1)
Si X (3−m) …(1)
(式中、R1 は有機基を表し、X およびXは−OR 、−R、−Clを表し、R は炭素数1〜4のアルキル基を表し、mは1から3の整数である。)で表される1種又は2種以上のシラン化合物(成分A)を用いることができる。
As a material having liquid repellency, a silane compound, a compound having a fluoroalkyl group, a fluororesin (a resin containing fluorine), and a mixture thereof can be used.
As a silane compound, (A) General formula (1)
R 1 Si X 1 m X 2 (3-m) (1)
(Where R1 Represents an organic group, X 1 And X 2 is —OR 2 , -R 2, represents -Cl, R 2 Represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and m is an integer of 1 to 3. 1 type, or 2 or more types of silane compounds (component A) can be used.

一般式(1)で表されるシラン化合物は、シラン原子に有機基が置換し、残りの結合手にアルコキシ基またはアルキル基または塩素基が置換したものである。有機基Rの例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェネチル基、ヒドロキシフェニル基、クロロフェニル基、アミノフェニル基、ナフチル基、アンスレニル基、ピレニル基、チエニル基、ピロリル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、ピリジニル基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、オクタデシル基、n−オクチル基、クロロメチル基、メトキシエチル基、ヒドロキシエチル基、アミノエチル基、シアノ基、メルカプトプロピル基、ビニル基、アリル基、アクリロキシエチル基、メタクリロキシエチル基、グリシドキシプロピル基、アセトキシ基等を例示できる。
のアルコキシ基や塩素基、Si−O−Si結合等を形成するための官能基であり、水により加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等を挙げることができる。
の炭素数は脱離するアルコールの分子量が比較的小さく、除去が容易であり形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、1〜4の範囲であることが好ましい。
In the silane compound represented by the general formula (1), an organic group is substituted on the silane atom, and an alkoxy group, an alkyl group, or a chlorine group is substituted on the remaining bonds. Examples of the organic group R 1 include, for example, phenyl group, benzyl group, phenethyl group, hydroxyphenyl group, chlorophenyl group, aminophenyl group, naphthyl group, anthrenyl group, pyrenyl group, thienyl group, pyrrolyl group, cyclohexyl group, cyclohexane Hexenyl, cyclopentyl, cyclopentenyl, pyridinyl, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, octadecyl, n- Octyl group, chloromethyl group, methoxyethyl group, hydroxyethyl group, aminoethyl group, cyano group, mercaptopropyl group, vinyl group, allyl group, acryloxyethyl group, methacryloxyethyl group, glycidoxypropyl group, acetoxy group Etc. can be illustrated.
X 1 is a functional group for forming an alkoxy group, a chlorine group, a Si—O—Si bond, or the like, and is hydrolyzed by water to be removed as an alcohol or an acid. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group, and a tert-butoxy group.
The number of carbon atoms of R 2 is preferably in the range of 1 to 4 from the viewpoint that the molecular weight of the alcohol to be desorbed is relatively small, can be easily removed, and the deterioration of the denseness of the formed film can be suppressed.

一般式(I)で表されるシラン化合物としては、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、1−プロペニルメチルジクロロシラン、プロピルジメチルクロロシラン、プロピルメチルジクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、テトラデシルトリクロロシラン、3−チオシアネートプロピルトリエトキシシラン、p−トリルジメチルクロロシラン、p−トリルメチルジクロロシラン、p−トリルトリクロロシラン、p−トリルトリメトキシシラン、p−トリルトリエトキシシラン、ジ−n−プロピルジ−n−プロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジ−n−ブチルジ−n−ブチロキシシラン、ジ−sec−ブチルジ−sec−ブチロキシシラン、ジ−t−ブチルジ−t−ブチロキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルメチルジエトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン(ODS)、オクタデシルジメチルクロロシラン、オクタデシルメチルジクロロシラン、オクタデシルメトキシジクロロシラン、7−オクテニルジメチルクロロシラン、7−オクテニルトリクロロシラン、7−オクテニルトリメトキシシラン、オクチルメチルジクロロシラン、オクチルジメチルクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、10−ウンデセニルジメチルクロロシラン、ウンデシルトリクロロシラン、ビニルジメチルクロロシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルドデシルジエトキシシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルオクタデシルジエトキシシラン、n−オクチルメチルジメトキシシラン、n−オクチルメチルジエトキシシラン、トリアコンチルジメチルクロロシラン、トリアコンチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルイソプロポキシシラン、メチル−n−ブチロキシシラン、メチルトリ−sec−ブチロキシシラン、メチルトリ−t−ブチロキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−n−プロポキシシラン、エチルイソプロポキシシラン、エチル−n−ブチロキシシラン、エチルトリ−sec−ブチロキシシラン、エチルトリ−t−ブチロキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、n−オクチルトリメトキシシラン、n−ドデシルトリメトキシシラン、n−オクタデシルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、n−ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、n−オクチルトリエトキシシラン、n−ドデシルトリメトキシシラン、n−オクタデシルトリエトキシシラン、2−〔2−(トリクロロシリル)エチル〕ピリジン、4−〔2−(トリクロロシリル)エチル〕ピリジン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、1,3−(トリクロロシリルメチル)ヘプタコサン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジメトキシシラン、フェニルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、ベンジルメチルジメトキシシラン、ベンジルジメチルメトキシシラン、ベンジルジメトキシシラン、ベンジルジエトキシシラン、ベンジルメチルジエトキシシラン、ベンジルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、3−アセトキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、4−アミノブチルトリエトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、6−(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシシラン、p−アミノフェニルトリメトキシシラン、p−アミノフェニルエトキシシラン、m−アミノフェニルトリメトキシシラン、m−アミノフェニルエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシシラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、アミルトリエトキシシラン、ベンゾオキサシレピンジメチルエステル、5−(ビシクロヘプテニル)トリエトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、8−ブロモオクチルトリメトキシシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、3−ブロモプロピルトリメトキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、2−クロロメチルトリエトキシシラン、クロロメチルメチルジエトキシシラン、クロロメチルメチルジイソプロポキシラン、p−(クロロメチル)フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、2−(4−クロロスルフォニルフェニル)エチルトリメトキシシラン、2−シアノエチルトリエトキシシラン、2−シアノエチルトリメトキシシラン、シアノメチルフェネチルトリエトキシシラン、3−シアノプロピルトリエトキシシラン、2−(3−シクロヘキセニル)エチルトリメトキシシラン、2−(3−シクロヘキセニル)エチルトリエトキシシラン、3−シクロヘキセニルトリクロロシラン、2−(3−シクロヘキセニル)エチルトリクロロシラン、2−(3−シクロヘキセニル)エチルジメチルクロロシシラン、2−(3−シクロヘキセニル)エチルメチルジクロロシシラン、シクロヘキシルジメチルクロロシラン、シクロヘキシルエチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジクロロシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、(シクロヘキシルメチル)トリクロロシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロオクチルトリクロロシラン、(4−シクロオクテニル)トリクロロシラン、シクロペンチルトリクロロシラン、シクロペンチルトリメトキシシラン、1,1−ジエトキシ−1−シラシクロペンタ−3−エン、3−(2,4−ジニトロフェニルアミノ)プロピルトリエトキシシラン、(ジメチルクロロシリル)メチル−7,7−ジメチルノルピナン、(シクロヘキシルアミノメチル)メチルジエトキシシラン、(3−シクロペンタジエニルプロピル)トリエトキシシラン、N,N−ジエチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、(フルフリルオキシメチル)トリエトキシシラン、2−ヒドロキシ−4−(3−トリエトキシプロポキシ)ジフェニルケトン、3−(p−メトキシフェニル)プロピルメチルジクロロシラン、3−(p−メトキシフェニル)プロピルトリクロロシラン、p−(メチルフェネチル)メチルジクロロシラン、p−(メチルフェネチル)トリクロロシラン、p−(メチルフェネチル)ジメチルクロロシラン、3−モルフォリノプロピルトリメトキシシラン、(3−グリシドキシプロピル)メチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、1,2,3,4,7,7,−ヘキサクロロ−6−メチルジエトキシシリル−2−ノルボルネン、1,2,3,4,7,7,−ヘキサクロロ−6−トリエトキシシリル−2−ノルボルネン、3−ヨードプロピルトリメトキシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、(メルカプトメチル)メチルジエトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メチル{2−(3−トリメトキシシリルプロピルアミノ)エチルアミノ}−3−プロピオネート、7−オクテニルトリメトキシシラン、R−N−α−フェネチル−N’−トリエトキシシリルプロピルウレア、S−N−α−フェネチル−N’−トリエトキシシリルプロピルウレア、フェネチルトリメトキシシラン、フェネチルメチルジメトキシシラン、フェネチルジメチルメトキシシラン、フェネチルジメトキシシラン、フェネチルジエトキシシラン、フェネチルメチルジエトキシシラン、フェネチルジメチルエトキシシラン、フェネチルトリエトキシシラン、(3−フェニルプロピル)ジメチルクロロシラン、(3−フェニルプロピル)メチルジクロロシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−(トリエトキシシリルプロピル)ダンシルアミド、N−(3−トリエトキシシリルプロピル)−4,5−ジヒドロイミダゾール、2−(トリエトキシシリルエチル)−5−(クロロアセトキシ)ビシクロヘプタン、(S)−N−トリエトキシシリルプロピル―O―メントカルバメート、3−(トリエトキシシリルプロピル)−p−ニトロベンズアミド、3−(トリエトキシシリル)プロピルサクシニック無水物、N−〔5−(トリメトキシシリル)−2−アザ−1−オキソ−ペンチル〕カプロラクタム、2−(トリメトキシシリルエチル)ピリジン、N−(トリメトキシシリルエチル)ベンジル−N,N,N−トリメチルアンモニウムクロライド、フェニルビニルジエトキシシラン、3−チオシアナートプロピルトリエトキシシラン、(トリデカフロオロ−1,1,2,2,−テトラヒドロオクチル)トリエトキシシラン、N−{3−(トリエトキシシリル)プロピル}フタルアミド酸、(3,3,3−トリフルオロプロピル)メチルジメトキシシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシシシラン、1−トリメトキシシリル−2−(クロロメチル)フェニルエタン、2−(トリメトキシシリル)エチルフェニルスルホニルアジド、β−トリメトキシシリルエチル−2−ピリジン、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、N−(3−トリメトキシシリルプロピル)ピロール、N−トリメトキシシリルプロピル−N,N,N−トリブチルアンモニウムブロマイド、N−トリメトキシシリルプロピル−N,N,N−トリブチルアンモニウムクロライド、N−トリメトキシシリルプロピル−N,N,N−トリメチルアンモニウムクロライド、ビニルメチルジエトキシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、ビニルメチルジクロロシラン、ビニルフェニルジクロロシラン、ビニルフェニルジエトキシシラン、ビニルフェニルジメチルシラン、ビニルフェニルメチルクロロシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ビニルトリス−t−ブトキシシラン、アダマンチルエチルトリクロロシラン、アリルフェニルトリクロロシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、3−アミノフェノキシジメチルビニルシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルジメチルクロロシラン、フェニルメチルジクロロシラン、ベンジルトリクロロシラン、ベンジルジメチルクロロシラン、ベンジルメチルジクロロシラン、フェネチルジイソプロピルクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルジメチルクロロシラン、フェネチルメチルジクロロシラン、5−(ビシクロヘプテニル)トリクロロシラン、5−(ビシクロヘプテニル)トリエトキシシラン、2−(ビシクロヘプチル)ジメチルクロロシラン、2−(ビシクロヘプチル)トリクロロシラン、1,4−ビス(トリメトキシシリルエチル)ベンゼン、ブロモフェニルトリクロロシラン、3−フェノキシプロピルジメチルクロロシラン、3-フェノキシプロピルトリクロロシラン、
t-ブチルフェニルクロロシラン、t−ブチルフェニルメトキシシラン、t−ブチルフェニルジクロロシラン、p−(t−ブチル)フェネチルジメチルクロロシラン、p−(t−ブチル)フェネチルトリクロロシラン、1,3−(クロロジメチルシリルメチル)ヘプタコサン、((クロロメチル)フェニルエチル)ジメチルクロロシラン、((クロロメチル)フェニルエチル)メチルジクロロシラン、((クロロメチル)フェニルエチル)トリクロロシラン、((クロロメチル)フェニルエチル)トリメトキシシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、2−シアノエチルトリクロロシラン、2−シアノエチルメチルジクロロシラン、3−シアノプロピルメチルジエトキシシラン、3−シアノプロピルメチルジクロロシラン、3−シアノプロピルメチルジクロロシラン、3−シアノプロピルジメチルエトキシシラン、3−シアノプロピルメチルジクロロシラン、3−シアノプロピルトリクロロシラン、等が挙げられる。
Examples of the silane compound represented by the general formula (I) include dimethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, 1-propenylmethyldichlorosilane, propyldimethylchlorosilane, propylmethyldichlorosilane, propyltrichlorosilane, propyltriethoxysilane, propyltriethoxysilane. Methoxysilane, styrylethyltrimethoxysilane, tetradecyltrichlorosilane, 3-thiocyanatepropyltriethoxysilane, p-tolyldimethylchlorosilane, p-tolylmethyldichlorosilane, p-tolyltrichlorosilane, p-tolyltrimethoxysilane, p- Tolyltriethoxysilane, di-n-propyldi-n-propoxysilane, diisopropyldiisopropoxysilane, di-n-butyldi-n-butoxysilane, di-sec Butyldi-sec-butyroxysilane, di-t-butyldi-t-butyloxysilane, octadecyltrichlorosilane, octadecylmethyldiethoxysilane, octadecyltriethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane (ODS), octadecyldimethylchlorosilane, octadecylmethyldichlorosilane, octadecylmethoxy Dichlorosilane, 7-octenyldimethylchlorosilane, 7-octenyltrichlorosilane, 7-octenyltrimethoxysilane, octylmethyldichlorosilane, octyldimethylchlorosilane, octyltrichlorosilane, 10-undecenyldimethylchlorosilane, undecyltrichlorosilane , Vinyldimethylchlorosilane, methyloctadecyldimethoxysilane, methyldodecyldiethoxy Run, methyloctadecyldimethoxysilane, methyloctadecyldiethoxysilane, n-octylmethyldimethoxysilane, n-octylmethyldiethoxysilane, triacontyldimethylchlorosilane, triaconyltrichlorosilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri -N-propoxysilane, methylisopropoxysilane, methyl-n-butyroxysilane, methyltri-sec-butyroxysilane, methyltri-t-butoxyxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-n-propoxysilane, ethylisopropoxysilane , Ethyl-n-butyroxysilane, ethyltri-sec-butyloxysilane, ethyltri-t-butyloxysilane, n-propyltri Methoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, hexadecyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, n-dodecyltrimethoxysilane, n-octadecyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, isobutyl Triethoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, hexadecyltriethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, n-dodecyltrimethoxysilane, n-octadecyltriethoxysilane, 2- [2- (trichlorosilyl) ethyl] pyridine 4- [2- (trichlorosilyl) ethyl] pyridine, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, 1,3- (trichlorosilylmethyl) heptacosane, dibenzyldimethoxysilane, di Benzyldiethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenylmethyldimethoxysilane, phenyldimethylmethoxysilane, phenyldimethoxysilane, phenyldiethoxysilane, phenylmethyldiethoxysilane, phenyldimethylethoxysilane, benzyltriethoxysilane, benzyltrimethoxysilane, Benzylmethyldimethoxysilane, benzyldimethylmethoxysilane, benzyldimethoxysilane, benzyldiethoxysilane, benzylmethyldiethoxysilane, benzyldimethylethoxysilane, benzyltriethoxysilane, dibenzyldimethoxysilane, dibenzyldiethoxysilane, 3-acetoxypropyl Trimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, allyltrimethoxysilane, Ryltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl)- 3-aminopropyltrimethoxysilane, 6- (aminohexylaminopropyl) trimethoxysilane, p-aminophenyltrimethoxysilane, p-aminophenylethoxysilane, m-aminophenyltrimethoxysilane, m-aminophenylethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, ω-aminoundecyltrimethoxysilane, amyltriethoxysilane, benzoxacilepin dimethyl ester, 5- (bicycloheptenyl) trieth Sisilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 8-bromooctyltrimethoxysilane, bromophenyltrimethoxysilane, 3-bromopropyltrimethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, 2-chloro Methyltriethoxysilane, chloromethylmethyldiethoxysilane, chloromethylmethyldiisopropoxysilane, p- (chloromethyl) phenyltrimethoxysilane, chloromethyltriethoxysilane, chlorophenyltriethoxysilane, 3-chloropropylmethyldimethoxysilane, 3-chloropropyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 2- (4-chlorosulfonylphenyl) ethyltrimethoxysilane, 2-cyanoethyltriethoxysilane, 2 Cyanoethyltrimethoxysilane, cyanomethylphenethyltriethoxysilane, 3-cyanopropyltriethoxysilane, 2- (3-cyclohexenyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3-cyclohexenyl) ethyltriethoxysilane, 3-cyclohexenyl Trichlorosilane, 2- (3-cyclohexenyl) ethyltrichlorosilane, 2- (3-cyclohexenyl) ethyldimethylchlorosilane, 2- (3-cyclohexenyl) ethylmethyldichlorosilane, cyclohexyldimethylchlorosilane, cyclohexylethyldimethoxy Silane, cyclohexylmethyldichlorosilane, cyclohexylmethyldimethoxysilane, (cyclohexylmethyl) trichlorosilane, cyclohexyltrichlorosilane, cyclohexyltri Methoxysilane, cyclooctyltrichlorosilane, (4-cyclooctenyl) trichlorosilane, cyclopentyltrichlorosilane, cyclopentyltrimethoxysilane, 1,1-diethoxy-1-silacyclopent-3-ene, 3- (2,4-dinitrophenyl) Amino) propyltriethoxysilane, (dimethylchlorosilyl) methyl-7,7-dimethylnorpinane, (cyclohexylaminomethyl) methyldiethoxysilane, (3-cyclopentadienylpropyl) triethoxysilane, N, N-diethyl -3-aminopropyl) trimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, (furfuryloxymethyl) triethoxy Lan, 2-hydroxy-4- (3-triethoxypropoxy) diphenyl ketone, 3- (p-methoxyphenyl) propylmethyldichlorosilane, 3- (p-methoxyphenyl) propyltrichlorosilane, p- (methylphenethyl) methyl Dichlorosilane, p- (methylphenethyl) trichlorosilane, p- (methylphenethyl) dimethylchlorosilane, 3-morpholinopropyltrimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) methyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltri Methoxysilane, 1,2,3,4,7,7, -hexachloro-6-methyldiethoxysilyl-2-norbornene, 1,2,3,4,7,7, -hexachloro-6-triethoxysilyl- 2-norbornene, 3-iodopropyltrimethoxylane, 3 -Isocyanatopropyltriethoxysilane, (mercaptomethyl) methyldiethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3 -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, methyl {2- (3-trimethoxysilylpropylamino) ethylamino} -3-propionate, 7-octenyltrimethoxysilane, RN-α-phenethyl-N'-triethoxy Silylpropylurea, S-N-α-phenethyl-N′-triethoxysilylpropylurea, phenethyltrimethoxysilane, phenethylmethyldimethoxysilane, phenethyldimethylmethoxysilane, phenethyl Methoxysilane, phenethyldiethoxysilane, phenethylmethyldiethoxysilane, phenethyldimethylethoxysilane, phenethyltriethoxysilane, (3-phenylpropyl) dimethylchlorosilane, (3-phenylpropyl) methyldichlorosilane, N-phenylaminopropyltrimethoxy Silane, N- (triethoxysilylpropyl) dansilamide, N- (3-triethoxysilylpropyl) -4,5-dihydroimidazole, 2- (triethoxysilylethyl) -5- (chloroacetoxy) bicycloheptane, ( S) -N-triethoxysilylpropyl-O-menth carbamate, 3- (triethoxysilylpropyl) -p-nitrobenzamide, 3- (triethoxysilyl) propylsuccinic anhydride, N- [5- Trimethoxysilyl) -2-aza-1-oxo-pentyl] caprolactam, 2- (trimethoxysilylethyl) pyridine, N- (trimethoxysilylethyl) benzyl-N, N, N-trimethylammonium chloride, phenylvinyldi Ethoxysilane, 3-thiocyanatopropyltriethoxysilane, (tridecafluoro-1,1,2,2, -tetrahydrooctyl) triethoxysilane, N- {3- (triethoxysilyl) propyl} phthalamic acid, (3, 3,3-trifluoropropyl) methyldimethoxysilane, (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxysilane, 1-trimethoxysilyl-2- (chloromethyl) phenylethane, 2- (trimethoxysilyl) ) Ethylphenylsulfonyl azide, β-trimeth Sisilylethyl-2-pyridine, trimethoxysilylpropyldiethylenetriamine, N- (3-trimethoxysilylpropyl) pyrrole, N-trimethoxysilylpropyl-N, N, N-tributylammonium bromide, N-trimethoxysilylpropyl-N, N, N-tributylammonium chloride, N-trimethoxysilylpropyl-N, N, N-trimethylammonium chloride, vinylmethyldiethoxylane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, vinyldimethylmethoxysilane , Vinyldimethylethoxysilane, vinylmethyldichlorosilane, vinylphenyldichlorosilane, vinylphenyldiethoxysilane, vinylphenyldimethylsilane, vinylphenyl Tylchlorosilane, vinyltriphenoxysilane, vinyltris-t-butoxysilane, adamantylethyltrichlorosilane, allylphenyltrichlorosilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, 3-aminophenoxydimethylvinylsilane, phenyltrichlorosilane, phenyldimethylchlorosilane , Phenylmethyldichlorosilane, benzyltrichlorosilane, benzyldimethylchlorosilane, benzylmethyldichlorosilane, phenethyldiisopropylchlorosilane, phenethyltrichlorosilane, phenethyldimethylchlorosilane, phenethylmethyldichlorosilane, 5- (bicycloheptenyl) trichlorosilane, 5- (bicyclo Heptenyl) triethoxysilane, 2- (bicycloheptyl) di Methylchlorosilane, 2- (bicycloheptyl) trichlorosilane, 1,4-bis (trimethoxysilylethyl) benzene, bromophenyltrichlorosilane, 3-phenoxypropyldimethylchlorosilane, 3-phenoxypropyltrichlorosilane,
t-butylphenylchlorosilane, t-butylphenylmethoxysilane, t-butylphenyldichlorosilane, p- (t-butyl) phenethyldimethylchlorosilane, p- (t-butyl) phenethyltrichlorosilane, 1,3- (chlorodimethylsilyl) Methyl) heptacosane, ((chloromethyl) phenylethyl) dimethylchlorosilane, ((chloromethyl) phenylethyl) methyldichlorosilane, ((chloromethyl) phenylethyl) trichlorosilane, ((chloromethyl) phenylethyl) trimethoxysilane, Chlorophenyltrichlorosilane, 2-cyanoethyltrichlorosilane, 2-cyanoethylmethyldichlorosilane, 3-cyanopropylmethyldiethoxysilane, 3-cyanopropylmethyldichlorosilane, 3-cyanopropyl Methyldichlorosilane, 3-cyanopropyl dimethyl ethoxy silane, 3-cyanopropyl methyl dichlorosilane, 3-cyanopropyl trichloro silane, and the like.

フッ素を含有するシラン化合物(撥液性シラン化合物)としては、含フッ素アルキルシラン化合物が挙げられる。すなわち、Siと結合したパ−フルオロアルキル構造C2n+1で表される構造を有するものであり、下記一般式(2)で表される化合物を例示することができる。式(2)中、nは1から18の整数を、mは2から6までの整数をそれぞれ表している。X及びXは−OR、−R、−Clを示し、X及びXに含まれるRは、炭素数1〜4のアルキル基を示し、aは1〜3の整数である。 Examples of fluorine-containing silane compounds (liquid repellent silane compounds) include fluorine-containing alkylsilane compounds. That is, it has a structure represented by a perfluoroalkyl structure C n F 2n + 1 bonded to Si, and examples thereof include a compound represented by the following general formula (2). In formula (2), n represents an integer from 1 to 18, and m represents an integer from 2 to 6. X 1 and X 2 -OR 2, -R 2, shows a -Cl, R 2 contained in X 1 and X 2 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a is an integer from 1 to 3 is there.

2n+1(CHSiX (3−a) …(2)
のアルコキシ基や塩素基、Si−O−Si結合等を形成するための官能基であり、水により加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等を挙げることができる。
の炭素数は脱離するアルコールの分子量が比較的小さく、除去が容易であり形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、1〜4の範囲であることが好ましい。
含フッ素アルキルシラン化合物を用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向して自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性を付与することができる。
C n F 2n + 1 (CH 2) m SiX 1 a X 2 (3-a) ... (2)
X 1 is a functional group for forming an alkoxy group, a chlorine group, a Si—O—Si bond, or the like, and is hydrolyzed by water to be removed as an alcohol or an acid. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group, and a tert-butoxy group.
The number of carbon atoms of R 2 is preferably in the range of 1 to 4 from the viewpoint that the molecular weight of the alcohol to be desorbed is relatively small, can be easily removed, and the deterioration of the denseness of the formed film can be suppressed.
By using a fluorine-containing alkylsilane compound, each compound is oriented so that a fluoroalkyl group is located on the surface of the film, and a self-assembled film is formed. Thus, uniform liquid repellency is imparted to the surface of the film. be able to.

より具体的には、CF−CHCH−Si(OCH、CF(CF−CHCH−Si(OCH、CF(CF−CHCH−Si(OCH、CF(CF−CHCH−Si(OC、CF(CF−CHCH−Si(OCH、CF(CF11−CHCH−Si(OC、CF(CF−CHCH−Si(CH)(OCH、CF(CF−CHCH−Si(CH)(OCH、CF(CF−CHCH−Si(CH)(OC、CF(CF−CHCH−Si(C)(OC等が挙げられる。 More specifically, CF 3 —CH 2 CH 2 —Si (OCH 3 ) 3 , CF 3 (CF 2 ) 3 —CH 2 CH 2 —Si (OCH 3 ) 3 , CF 3 (CF 2 ) 5 —CH 2 CH 2 —Si (OCH 3 ) 3 , CF 3 (CF 2 ) 5 —CH 2 CH 2 —Si (OC 2 H 5 ) 3 , CF 3 (CF 2 ) 7 —CH 2 CH 2 —Si (OCH 3) ) 3 , CF 3 (CF 2 ) 11 —CH 2 CH 2 —Si (OC 2 H 5 ) 3 , CF 3 (CF 2 ) 3 —CH 2 CH 2 —Si (CH 3 ) (OCH 3 ) 2 , CF 3 (CF 2) 7 -CH 2 CH 2 -Si (CH 3) (OCH 3) 2, CF 3 (CF 2) 8 -CH 2 CH 2 -Si (CH 3) (OC 2 H 5) 2, CF 3 (CF 2 ) 8 —CH 2 CH 2 —Si (C 2 H 5 ) (OC 2 H 5 ) 2 and the like.

また、撥液部Hの形成にフッ素樹脂を用いる場合には、所定量のフッ素樹脂を所定溶媒に溶解させたものが用いられる。具体的には、住友スリーエム株式会社製「EGC1720」(HFE(ハイドロフルオロエーテル)溶媒にフッ素樹脂を0.1wt%溶解させたもの)を用いることができる。この場合、HFEにアルコール系、炭化水素系、ケトン系、エーテル系、エステル系の溶剤を適宜混合することにより、液滴吐出ヘッド301から安定して吐出可能に調整可能である。この他に、フッ素樹脂としては、旭硝子株式会社製「ルミフロン」(各種溶媒に溶解可能)、ダイキン工業株式会社製「オプツール」(溶媒;PFC、HFE等)、大日本インキ化学工業株式会社製「ディックガード」(溶媒;トルエン、水・エチレングリコール)等を用いることができる。
さらに、フッ素を含む樹脂としては、側鎖にF基、−CF、−CF−、−CFCF、−(CF)nCF、−CFCFCl−が含まれるものを用いることが可能である。
When a fluororesin is used for forming the liquid repellent portion H, a solution obtained by dissolving a predetermined amount of fluororesin in a predetermined solvent is used. Specifically, “EGC1720” manufactured by Sumitomo 3M Limited (0.1% by weight of fluororesin dissolved in HFE (hydrofluoroether) solvent) can be used. In this case, it is possible to adjust the droplet discharge head 301 so that it can be stably discharged by mixing HFE with an alcohol, hydrocarbon, ketone, ether, or ester solvent as appropriate. In addition, as a fluororesin, “Lumiflon” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. (dissolvable in various solvents), “OPTOOL” manufactured by Daikin Industries, Ltd. (solvent: PFC, HFE, etc.), “manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.” “Dick guard” (solvent: toluene, water / ethylene glycol) or the like can be used.
Further, as the resin containing fluorine, F group in the side chain, -CF 3, -CF 2 -, - CF 2 CF 3, - (CF 2) nCF 3, be those containing the -CF 2 CFCl- Is possible.

そして、図4(a)、(b)に示すように、上記の撥液性材料を含む撥液性液滴Lを液滴吐出ヘッド301から各撥液部Hに対して連続的に吐出する(第1工程)。
このとき、各撥液部Hにおいては、基板Pの表面Paに着弾した撥液性液滴Lが、隣り合う液滴同士で重なり合う位置に吐出・塗布される。これにより、各撥液部Hは、液滴吐出ヘッド301と基板との一回の走査で塗布形成されることになる。
Then, as shown in FIGS. 4A and 4B, the liquid repellent liquid droplets L containing the above liquid repellent material are continuously discharged from the liquid droplet discharge head 301 to each liquid repellent portion H. (First step).
At this time, in each liquid repellent portion H, the liquid repellent liquid droplet L that has landed on the surface Pa of the substrate P is ejected and applied to a position where adjacent liquid droplets overlap each other. Thereby, each liquid repellent portion H is applied and formed by one scan of the droplet discharge head 301 and the substrate.

ここで、図3(a)に示すように、配線パターンWの幅WAは、撥液部Hの配列ピッチHPと撥液部Hの幅HAとの差で設定される。この配列ピッチHPは、配線パターンWの仕様として決定されるため、配線パターンWの幅WAは撥液部Hの幅HAに依存することになる。この撥液部Hの幅HAは、本実施形態では滴吐出ヘッド301から吐出する撥液性液滴Lの吐出量及び図4(a)に示す吐出ピッチLPにより管理する。
具体的には、例えば液滴Lの吐出量を二通り(La、Lbとする、例えばLa=2.5pl、Lb=4.5pl)とし、各吐出量La、Lb毎に吐出ピッチLPを10、20、30μmでそれぞれ吐出・塗布したときに、基板P上に形成される撥液部Hの幅HAを、吐出量及び吐出ピッチLPに対応させたテーブルとして保持しておき、所望の幅HAで撥液部Hを形成する際には、テーブルから当該幅HAに対応する吐出量及び吐出ピッチLPを呼び出し、撥液性液滴の吐出工程では、この呼び出した吐出量及び吐出ピッチLPで液滴Lを吐出する。
Here, as shown in FIG. 3A, the width WA of the wiring pattern W is set by the difference between the arrangement pitch HP of the liquid repellent portions H and the width HA of the liquid repellent portions H. Since the arrangement pitch HP is determined as a specification of the wiring pattern W, the width WA of the wiring pattern W depends on the width HA of the liquid repellent portion H. In this embodiment, the width HA of the liquid repellent portion H is managed by the discharge amount of the liquid repellent droplets L discharged from the droplet discharge head 301 and the discharge pitch LP shown in FIG.
Specifically, for example, the discharge amount of the droplet L is set to two (La, Lb, for example, La = 2.5 pl, Lb = 4.5 pl), and the discharge pitch LP is set to 10 for each discharge amount La, Lb. , 20 and 30 μm, the width HA of the liquid repellent portion H formed on the substrate P is held as a table corresponding to the discharge amount and the discharge pitch LP, and the desired width HA is obtained. When the liquid repellent portion H is formed, a discharge amount and a discharge pitch LP corresponding to the width HA are called from the table, and in the liquid repellent droplet discharge step, the liquid discharge is performed at the called discharge amount and discharge pitch LP. The droplet L is discharged.

そして、基板P上に吐出した撥液性液滴Lを予備乾燥することにより、図5(a)、(b)に示すように、基板P上に直線状の撥液部Hが互いに間隔をあけて数nm〜数十nmの厚さで形成される。
この撥液部Hは、上述した撥液性材料を用いることにより、パターン用液滴に対する接触角を50度以上とする。従って、親液部(表面)Paと撥液部Hとのコントラスト(接触角の差)は30度以上となる。
Then, by pre-drying the liquid repellent droplets L discharged on the substrate P, the linear liquid repellent portions H are spaced from each other on the substrate P as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b). It is formed with a thickness of several nanometers to several tens of nanometers.
The liquid repellent portion H uses the liquid repellent material described above to make the contact angle with respect to the pattern droplets 50 degrees or more. Accordingly, the contrast (contact angle difference) between the lyophilic part (surface) Pa and the liquid repellent part H is 30 degrees or more.

(材料配置工程)
次に、基板Pの表面Paの撥液部H間にパターン用液滴を吐出して、配線パターンWを形成する。
配線パターン形成材料としては、一般に、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなる。本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル及びITOのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は1nm以上0.1μm以下であることが好ましい。0.1μmより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、1nmより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
(Material placement process)
Next, a pattern droplet is discharged between the liquid repellent portions H of the surface Pa of the substrate P to form a wiring pattern W.
The wiring pattern forming material is generally composed of a dispersion liquid in which conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium. In the present embodiment, as the conductive fine particles, for example, metal fine particles containing any one of gold, silver, copper, palladium, nickel, and ITO, these oxides, and conductive polymers and superconductors. Fine particles are used.
These conductive fine particles can be used by coating the surface with an organic substance or the like in order to improve dispersibility.
The particle diameter of the conductive fine particles is preferably 1 nm or more and 0.1 μm or less. If it is larger than 0.1 μm, there is a possibility that clogging may occur in the nozzle of the liquid discharge head described later. On the other hand, if it is smaller than 1 nm, the volume ratio of the coating agent to the conductive fine particles becomes large, and the ratio of the organic matter in the obtained film becomes excessive.

分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法(インクジェット法)への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。   The dispersion medium is not particularly limited as long as it can disperse the conductive fine particles and does not cause aggregation. For example, in addition to water, alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, n-heptane, n-octane, decane, dodecane, tetradecane, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, decahydro Hydrocarbon compounds such as naphthalene and cyclohexylbenzene, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, bis (2- Methoxyethyl) ether, ether compounds such as p-dioxane, propylene carbonate, γ- Butyrolactone, N- methyl-2-pyrrolidone, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, can be exemplified polar compounds such as cyclohexanone. Of these, water, alcohols, hydrocarbon compounds, and ether compounds are preferred from the viewpoints of fine particle dispersibility and dispersion stability, and ease of application to the droplet discharge method (inkjet method). More preferred dispersion media include water and hydrocarbon compounds.

上記導電性微粒子の分散液の表面張力は0.02N/m以上0.07N/m以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が0.02N/m未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、0.07N/mを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。   The surface tension of the conductive fine particle dispersion is preferably in the range of 0.02 N / m to 0.07 N / m. When the liquid is ejected by the ink jet method, if the surface tension is less than 0.02 N / m, the wettability of the ink composition to the nozzle surface increases, and thus flight bending tends to occur, exceeding 0.07 N / m. Since the meniscus shape at the nozzle tip is not stable, it becomes difficult to control the discharge amount and the discharge timing. In order to adjust the surface tension, a small amount of a surface tension regulator such as a fluorine-based, silicone-based, or nonionic-based material may be added to the dispersion within a range that does not significantly reduce the contact angle with the substrate. The nonionic surface tension modifier improves the wettability of the liquid to the substrate, improves the leveling property of the film, and helps prevent the occurrence of fine irregularities in the film. The surface tension modifier may contain an organic compound such as alcohol, ether, ester, or ketone, if necessary.

上記分散液の粘度は1mPa・s以上50mPa・s以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が1mPa・sより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が50mPa・sより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。   The viscosity of the dispersion is preferably 1 mPa · s to 50 mPa · s. When a liquid material is ejected as droplets using the inkjet method, if the viscosity is less than 1 mPa · s, the nozzle periphery is easily contaminated by the outflow of the ink, and if the viscosity is greater than 50 mPa · s, the nozzle hole The clogging frequency of the liquid becomes high, and it becomes difficult to smoothly discharge the droplets.

そして、図6(a)、(b)に示すように、上記の配線パターン形成材料を含むパターン用液滴WLを液滴吐出ヘッド301から撥液部H間の隙間に対して連続的に吐出して塗布する(第2工程)。具体的には、撥液部H(親液部Pa)の長さ方向(配線パターンの形成方向)に沿って、液滴吐出ヘッド301と基板Pとを相対移動させつつ、所定のピッチでパターン用液滴WLを複数吐出する。   Then, as shown in FIGS. 6A and 6B, the pattern droplets WL including the wiring pattern forming material are continuously discharged from the droplet discharge head 301 into the gap between the liquid repellent portions H. And apply (second step). Specifically, the pattern is formed at a predetermined pitch while relatively moving the droplet discharge head 301 and the substrate P along the length direction (wiring pattern forming direction) of the liquid repellent portion H (lyophilic portion Pa). A plurality of liquid droplets WL are discharged.

ここで、基板Pの表面Paは、パターン用液滴WLに対して接触角が20度以下となっているため、塗布されたパターン用液滴WLは、分断されたりバルジを生じさせることなく撥液部Hの間を濡れ拡がる。また、撥液部Hと表面Paとのパターン用液滴WLに対する接触角の差(コントラスト)が30度以上あるため、パターン用液滴WLは、この濡れ性の差に基づいて撥液部Hからはじかれて撥液部Hの間の表面Paに導入されて溜まる。このコントラストとしては、30度以上で十分であるが、後述する実施例を考慮した場合、35度以上であることがより好ましい。   Here, since the surface Pa of the substrate P has a contact angle of 20 degrees or less with respect to the pattern droplet WL, the applied pattern droplet WL repels without being divided or causing a bulge. It spreads between the liquid parts H. Further, since the difference (contrast) in contact angle between the liquid repellent part H and the surface Pa with respect to the pattern liquid droplet WL is 30 degrees or more, the pattern liquid droplet WL is formed on the basis of the difference in wettability. Is repelled from the surface and introduced into the surface Pa between the liquid repellent portions H and collected. As this contrast, 30 degrees or more is sufficient, but it is more preferable that it is 35 degrees or more in consideration of an embodiment described later.

なお、上記の撥液部Hは、厚さが数nm〜数十nmと微少量であるため、塗布されたパターン用液滴WLの位置を規定する隔壁としての機能を有しておらず、パターン用液滴WLは上述した接触角(濡れ性)の差に起因して親液部Paに配置されることになる。   The liquid repellent part H has a thickness as small as several nanometers to several tens of nanometers, and thus does not have a function as a partition that defines the position of the applied pattern droplet WL. The pattern droplet WL is disposed in the lyophilic portion Pa due to the above-described difference in contact angle (wetting property).

(熱処理/光処理工程)
次に、熱処理/光処理工程では、基板上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング剤を除去する。すなわち、基板上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。
(Heat treatment / light treatment process)
Next, in the heat treatment / light treatment step, the dispersion medium or the coating agent contained in the droplets disposed on the substrate is removed. That is, the liquid material for forming a conductive film disposed on the substrate needs to completely remove the dispersion medium in order to improve electrical contact between the fine particles. Further, when a coating agent such as an organic substance is coated on the surface of the conductive fine particles in order to improve dispersibility, it is also necessary to remove this coating agent.

熱処理及び/又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び/又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点(蒸気圧)、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。   The heat treatment and / or light treatment is usually performed in the air, but may be performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium as necessary. The treatment temperature of the heat treatment and / or the light treatment depends on the boiling point (vapor pressure) of the dispersion medium, the type and pressure of the atmospheric gas, the thermal behavior such as the dispersibility and oxidation of the fine particles, the presence and amount of the coating agent, It is determined appropriately in consideration of the heat resistant temperature.

例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約300℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上100℃以下で行なうことが好ましい。ここでは、250℃、60分で焼成した。
熱処理及び/又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArClなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力10W以上5000W以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では100W以上1000W以下の範囲で十分である。
上記熱処理及び/又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
以上説明した一連の工程により、基板P上に図3(a)に示した線状の配線パターンWが形成される。
For example, in order to remove the coating agent made of organic matter, it is necessary to bake at about 300 ° C. Moreover, when using a board | substrate, such as a plastic, it is preferable to carry out at room temperature or more and 100 degrees C or less. Here, baking was performed at 250 ° C. for 60 minutes.
The heat treatment and / or light treatment may be performed using lamp annealing in addition to general heat treatment using a heating means such as a hot plate or an electric furnace. The light source used for lamp annealing is not particularly limited, but excimer laser such as infrared lamp, xenon lamp, YAG laser, argon laser, carbon dioxide laser, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc. Can be used. These light sources generally have a power output in the range of 10 W to 5000 W, but in the present embodiment, a range of 100 W to 1000 W is sufficient.
By the heat treatment and / or light treatment, electrical contact between the fine particles is ensured and converted into a conductive film.
The linear wiring pattern W shown in FIG. 3A is formed on the substrate P through the series of steps described above.

(実施例)
溶媒−金属をグリコール系−ITO、エーテル系−ITO、グリコール系−Ni、水系−Ag、炭化水素系−Agとし、撥液部Hの幅HA=100μm、配線パターンWの幅WA=40μmとしたときに、撥液部H、親液部Paの接触角、コントラスト、描画結果の関係を図7に示す。
この図に示すように、親液部の接触角が20°以下であればバルジが生じず、また撥液部の接触角が50°以上で、コントラストが30°以上(好ましくは35°以上)であれば、良好に均一な配線パターンを成膜することができた。
(Example)
Solvent-metal was glycol-ITO, ether-ITO, glycol-Ni, water-Ag, hydrocarbon-Ag, liquid-repellent part H width HA = 100 μm, wiring pattern W width WA = 40 μm. FIG. 7 shows the relationship among the contact angle, contrast, and drawing result of the liquid repellent part H and the lyophilic part Pa.
As shown in this figure, if the contact angle of the lyophilic part is 20 ° or less, no bulge is generated, and the contact angle of the lyophobic part is 50 ° or more and the contrast is 30 ° or more (preferably 35 ° or more). Then, it was possible to form a uniform wiring pattern satisfactorily.

以上のように、本実施の形態では、親液部の表面Paを有する基板Pに対して撥液性液滴Lを塗布することにより撥液部Hをパターニング形成するため、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いる必要がなくなり、コストアップを防止することが可能になる。また、本実施形態では、撥液性液滴Lの吐出量及び吐出ピッチを調整することにより、撥液部Hの幅HA、すなわち配線パターンWの幅を容易に調整することができる。特に、本実施形態では、上記吐出量及び吐出ピッチと撥液部Hの幅HAとの相関関係を示すテーブルを用いているため、形成すべき配線パターンWの幅WAに応じて設定する撥液性液滴Lの吐出量及び吐出ピッチを容易、且つ迅速に選定することが可能になり、生産性の向上に寄与することができる。   As described above, in the present embodiment, since the liquid repellent portion H is formed by applying the liquid repellent droplet L to the substrate P having the surface Pa of the lyophilic portion, an expensive exposure machine or There is no need to use a photomask, a laser light source, etc., and it is possible to prevent an increase in cost. In the present embodiment, the width HA of the liquid repellent portion H, that is, the width of the wiring pattern W can be easily adjusted by adjusting the discharge amount and discharge pitch of the liquid repellent droplets L. In particular, in the present embodiment, since a table showing the correlation between the discharge amount and the discharge pitch and the width HA of the liquid repellent portion H is used, the liquid repellent set according to the width WA of the wiring pattern W to be formed. The discharge amount and discharge pitch of the conductive droplet L can be selected easily and quickly, which can contribute to the improvement of productivity.

また、本実施形態では、基板P上に着弾した撥液性液滴Lが、隣り合う液滴L同士で重なり合うように塗布されるため、液滴吐出ヘッド301と基板Pとの走査において、一回の走査で各撥液部Hを形成することが可能になり、一層の生産性の向上に寄与できる。   In the present embodiment, the liquid-repellent liquid droplets L that have landed on the substrate P are applied so that the adjacent liquid droplets L overlap each other. Each liquid repellent portion H can be formed by one scan, which can contribute to further improvement in productivity.

(電気光学装置)
次に、上記パターン形成方法を用いて製造される電気光学装置の一例であるプラズマ型表示装置について、図8乃至図11を参照して説明する。
図8は本実施形態のプラズマ型表示装置(電気光学装置)500の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置500は、互いに対向して配置されたガラス基板501、502、及びこれらの間に形成される放電表示部510を含んで構成される。
(Electro-optical device)
Next, a plasma display device which is an example of an electro-optical device manufactured using the pattern forming method will be described with reference to FIGS.
FIG. 8 is an exploded perspective view of a plasma display device (electro-optical device) 500 according to this embodiment.
The plasma display device 500 includes glass substrates 501 and 502 arranged to face each other, and a discharge display unit 510 formed therebetween.

ガラス基板501の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極511が形成され、アドレス電極511とガラス基板501の上面とを覆うように誘電体層519が形成されている。誘電体層519上には、アドレス電極511、511間に位置しかつ各アドレス電極511に沿うように隔壁515が形成されている。 また、隔壁515によって区画されるストライプ状の領域の内側には蛍光体517が配置されている。蛍光体517は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室516(R)の底部および側面には赤色蛍光体517(R)が、緑色放電室516(G)の底部および側面には緑色蛍光体517(G)が、青色放電室516(B)の底部および側面には青色蛍光体517(B)が各々配置されている。   Address electrodes 511 are formed in stripes at predetermined intervals on the upper surface of the glass substrate 501, and a dielectric layer 519 is formed so as to cover the address electrodes 511 and the upper surface of the glass substrate 501. A partition wall 515 is formed on the dielectric layer 519 so as to be positioned between the address electrodes 511 and 511 and along the address electrodes 511. In addition, a phosphor 517 is disposed inside a stripe-shaped region partitioned by the partition 515. The phosphor 517 emits red, green, or blue fluorescence. The red phosphor 517 (R) is disposed on the bottom and side surfaces of the red discharge chamber 516 (R), and the green discharge chamber 516 (G). A green phosphor 517 (G) is disposed on the bottom and side surfaces of the blue discharge chamber, and a blue phosphor 517 (B) is disposed on the bottom and side surfaces of the blue discharge chamber 516 (B).

一方、ガラス基板502側には、先のアドレス電極511と直交する方向に複数の透明導電膜からなる表示電極512がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、抵抗の高い表示電極512を補うために表示電極512上にバス電極512aが形成されている。またこれらを覆って誘電体層513が形成され、更にMgOなどからなる保護膜514が形成されている。
ガラス基板501とガラス基板502とは、前記アドレス電極511…と表示電極512…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
放電表示部510は、複数の放電室516が集合されたものである。複数の放電室516のうち、赤色放電室516(R)、緑色放電室516(G)、青色放電室516(B)の3つの放電室516が対になった部分と、一対の表示電極に囲まれた領域が1画素を構成するように配置されている。
前記アドレス電極511と表示電極512は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部510において蛍光体517が励起発光し、カラー表示が可能となる。
On the other hand, on the glass substrate 502 side, display electrodes 512 made of a plurality of transparent conductive films are formed in stripes at predetermined intervals in a direction orthogonal to the previous address electrodes 511 and supplement the display electrodes 512 with high resistance. Therefore, a bus electrode 512 a is formed on the display electrode 512. Further, a dielectric layer 513 is formed so as to cover them, and a protective film 514 made of MgO or the like is further formed.
The glass substrate 501 and the glass substrate 502 are bonded to each other with the address electrodes 511... And the display electrodes 512.
The discharge display unit 510 is a collection of a plurality of discharge chambers 516. Of the plurality of discharge chambers 516, a red discharge chamber 516 (R), a green discharge chamber 516 (G), a blue discharge chamber 516 (B), a pair of three discharge chambers 516 and a pair of display electrodes The enclosed area is arranged to constitute one pixel.
The address electrodes 511 and the display electrodes 512 are connected to an AC power supply (not shown). By energizing each electrode, the phosphor 517 emits light in the discharge display portion 510, and color display is possible.

本実施形態では、表示電極512、バス電極512a、およびアドレス電極511が先に示したパターン形成方法を用いて形成されている。
なお、アドレス電極511については、上述した配線パターンWと同様に、ガラス基板501に対する表面処理工程、撥液部形成工程、材料配置工程及び熱処理/光処理工程で形成されるため、ここではその説明を省略する。
In the present embodiment, the display electrode 512, the bus electrode 512a, and the address electrode 511 are formed using the pattern forming method described above.
The address electrodes 511 are formed in the surface treatment process, the liquid repellent part formation process, the material arrangement process, and the heat treatment / light treatment process on the glass substrate 501 in the same manner as the wiring pattern W described above. Is omitted.

以下、表示電極512及びバス電極512aを形成する手順について、図9乃至図11を参照して説明する。
まず、上述した配線パターンWと同様に、ガラス基板502の親液部及び第1パターン形成面である表面502aに対する表面処理工程を実施した後に、図9(a)、(b)に示すように、表示電極512を形成する領域の周囲を囲む撥液部500Hを形成する。この撥液部500Hも、上述したODSを芳香族炭化水素の混合物に混合した撥液性液滴を、例えば液滴吐出量2.5pl、吐出ピッチ50μmで吐出・塗布することにより形成した。そして、撥液部500Hの間の隙間にITO微粒子を含有するパターン用液滴を吐出・塗布し、300℃、1時間の条件で焼成することにより、表示電極512が成膜される。また、撥液部500Hを加熱することにより、当該撥液部500Hの撥液性が除去される。
Hereinafter, a procedure for forming the display electrode 512 and the bus electrode 512a will be described with reference to FIGS.
First, similarly to the wiring pattern W described above, after performing the surface treatment process on the lyophilic portion of the glass substrate 502 and the surface 502a which is the first pattern formation surface, as shown in FIGS. Then, the liquid repellent part 500H surrounding the periphery of the region where the display electrode 512 is formed is formed. The liquid repellent portion 500H was also formed by discharging and applying liquid repellent droplets obtained by mixing the above-described ODS with a mixture of aromatic hydrocarbons with a droplet discharge amount of 2.5 pl and a discharge pitch of 50 μm, for example. Then, display droplets 512 are formed by discharging and applying pattern droplets containing ITO fine particles in the gaps between the liquid repellent portions 500H and firing them at 300 ° C. for 1 hour. Further, by heating the liquid repellent part 500H, the liquid repellency of the liquid repellent part 500H is removed.

続いて、このように表示電極512が成膜されたガラス基板502に対して、図10(a)、(b)に示すように、バス電極512aを形成する領域を囲む(挟む)ように、撥液部500Hの形成時と同様に、上述したODSを芳香族炭化水素の混合物に混合した撥液性液滴を吐出・塗布することにより、撥液部512Hを形成する。このとき、バス電極512aを形成する領域には、表示電極512の一部が露出する。   Subsequently, with respect to the glass substrate 502 on which the display electrode 512 is formed in this manner, as shown in FIGS. 10A and 10B, the region where the bus electrode 512a is formed is surrounded (sandwiched). Similarly to the formation of the liquid repellent part 500H, the liquid repellent part 512H is formed by ejecting and applying liquid repellent droplets in which the above-described ODS is mixed with an aromatic hydrocarbon mixture. At this time, a part of the display electrode 512 is exposed in a region where the bus electrode 512a is formed.

そして、撥液部512Hの間の隙間に、露出する表示電極512の一部と接続させて、Ag微粒子を含有するパターン用液滴を吐出・塗布し、300℃、1時間の条件で焼成することにより、図11(a)、(b)に示すように、表示電極512と導通するバス電極512aが成膜される。
上記表示電極512、バス電極512a、およびアドレス電極511の形成時においても、その幅は撥液部の幅を、予め保持したテーブルに基づく吐出量及び吐出ピッチを調整することにより行われる。
Then, a pattern droplet containing Ag fine particles is ejected and applied to a part of the exposed display electrode 512 in a gap between the liquid repellent portions 512H, and baked at 300 ° C. for 1 hour. Thus, as shown in FIGS. 11A and 11B, a bus electrode 512a that is electrically connected to the display electrode 512 is formed.
Even when the display electrode 512, the bus electrode 512a, and the address electrode 511 are formed, the width of the display electrode 512, the bus electrode 512a, and the address electrode 511 is adjusted by adjusting the width of the liquid repellent portion and the discharge amount and discharge pitch based on a previously held table.

このように、本実施形態でも、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いることなく、表示電極512、バス電極512a、およびアドレス電極511等のパターンを形成することができ、コストアップを防止することが可能になるとともに、形成すべきパターンの幅に応じて設定する撥液性液滴の吐出量及び吐出ピッチを容易、且つ迅速に選定することが可能になり、生産性の向上に寄与することができる。   As described above, even in this embodiment, patterns such as the display electrodes 512, the bus electrodes 512a, and the address electrodes 511 can be formed without using an expensive exposure machine, photomask, laser light source, etc. This makes it possible to easily and quickly select the discharge amount and discharge pitch of the liquid repellent droplets set according to the width of the pattern to be formed, thereby improving productivity. Can contribute.

なお、表示電極512を形成する透明導電膜形成材料としては、上述したITOの他に、透明導電膜形成用金属酸化物の各成分金属(インジウム、錫、アンチモン、アルミニウム及び亜鉛)の少なくとも1種の金属の微粒子や、この成分金属から選ばれた2種以上の金属からなる少なくとも1種の合金の微粒子や、これらの金属微粒子と合金微粒子との混合微粒子を用いることができる。   As the transparent conductive film forming material for forming the display electrode 512, in addition to the above-described ITO, at least one component metal (indium, tin, antimony, aluminum, and zinc) of the metal oxide for forming the transparent conductive film is used. Fine particles of these metals, fine particles of at least one alloy composed of two or more metals selected from these component metals, and mixed fine particles of these metal fine particles and alloy fine particles can be used.

(電磁波シールド)
次に、上記パターン形成方法を用いて製造される電気光学装置の一例である電磁波シールドについて、図12を参照して説明する。
図12(a)は、電磁波シールドの平面図であり、図12(b)は側面図である。
この図に示す電磁波シールド(電気光学装置)SLは、透明樹脂やガラス基板等の透明基板P上に導電線によりパターンPTが形成された構成となっている。
(Electromagnetic wave shield)
Next, an electromagnetic wave shield which is an example of an electro-optical device manufactured using the pattern forming method will be described with reference to FIG.
Fig.12 (a) is a top view of an electromagnetic wave shield, FIG.12 (b) is a side view.
The electromagnetic wave shield (electro-optical device) SL shown in this figure has a configuration in which a pattern PT is formed by a conductive wire on a transparent substrate P such as a transparent resin or a glass substrate.

このパターンPTは、複数の直線配線が互いに間隔をあけて交差するメッシュ状に形成されたメッシュ部MSと、このメッシュ部MSの周囲に形成された額縁部GBとから構成されている。これらメッシュ部MS及び額縁部GBは、いずれも上述した金属(Au、Ag、Cu、パラジウム、ニッケル、ITO等)により形成されている。メッシュ部MSを構成する配線は、幅が大きい程シールド性能が向上するが、開口率が小さくなるため、電磁波シールドSLとして要求される仕様に応じて適宜設定される。本実施形態では、配線幅が30μm以下、配線ピッチを250〜400μmとする。   The pattern PT includes a mesh portion MS formed in a mesh shape in which a plurality of straight wirings intersect with each other with a space therebetween, and a frame portion GB formed around the mesh portion MS. The mesh part MS and the frame part GB are all formed of the above-described metals (Au, Ag, Cu, palladium, nickel, ITO, etc.). The wiring constituting the mesh portion MS improves the shielding performance as the width increases. However, since the aperture ratio decreases, the wiring is appropriately set according to the specifications required for the electromagnetic wave shield SL. In this embodiment, the wiring width is 30 μm or less and the wiring pitch is 250 to 400 μm.

上記の電磁シールドSLを形成する際には、上述した配線パターンWと同様に、ガラス基板Pに対する表面処理工程、撥液部形成工程、材料配置工程及び熱処理/光処理工程で形成される。この撥液部形成工程においては、上述したODSを芳香族炭化水素の混合物に混合した撥液性液滴を、形成するメッシュ部MSの線幅(すなわち、形成する親液部の幅)に応じて選択した、例えば吐出量2.5pl、吐出ピッチ50μmで、メッシュ部MSの開口部となる領域に吐出・塗布することにより、撥液部513Hを形成する。そして、撥液部513Hの間の隙間に露出する親液部(ガラス基板Pの表面)及び基板端縁部に、上記金属微粒子を含む液滴を、例えば吐出量2.2pl、吐出ピッチ30μmで吐出・塗布し、300℃、1時間の条件で焼成することにより、メッシュ部MS及び額縁部GBを有する電磁波シールドSLを形成することができる。
このような電磁波シールドSLを用いることにより、人体の健康障害の影響だけでなく、電子機器から発生する高周波電磁波ノイズ影響を軽減し、画面の乱れやスピーカーのノイズ等も軽減可能になる。
When the electromagnetic shield SL is formed, similarly to the wiring pattern W described above, it is formed by a surface treatment process, a liquid repellent part formation process, a material arrangement process, and a heat treatment / light treatment process for the glass substrate P. In this liquid repellent part forming step, the liquid repellent droplets obtained by mixing the above-described ODS with a mixture of aromatic hydrocarbons are formed according to the line width of the mesh part MS to be formed (that is, the width of the lyophilic part to be formed). The liquid-repellent part 513H is formed by discharging and applying to the region to be the opening of the mesh part MS, for example, with a discharge amount of 2.5 pl and a discharge pitch of 50 μm. Then, liquid droplets containing the metal fine particles are applied to the lyophilic part (surface of the glass substrate P) exposed in the gap between the liquid repellent parts 513H and the edge of the substrate, for example, at a discharge amount of 2.2 pl and a discharge pitch of 30 μm. The electromagnetic wave shield SL having the mesh part MS and the frame part GB can be formed by discharging and applying and baking under conditions of 300 ° C. for 1 hour.
By using such an electromagnetic wave shield SL, not only the influence of the health hazard on the human body but also the influence of the high frequency electromagnetic wave noise generated from the electronic device can be reduced, and the disturbance of the screen and the noise of the speaker can be reduced.

このように、本実施形態でも、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いることなく、メッシュ部MS及び額縁部GBからなるパターンPTを形成することができ、コストアップを防止することが可能になるとともに、形成すべきパターンの幅に応じて設定する撥液性液滴の吐出量及び吐出ピッチを容易、且つ迅速に選定することが可能になり、生産性の向上に寄与することができる。   As described above, also in the present embodiment, the pattern PT including the mesh part MS and the frame part GB can be formed without using an expensive exposure machine, photomask, laser light source, and the like, thereby preventing an increase in cost. It becomes possible, and it becomes possible to easily and quickly select the discharge amount and discharge pitch of the liquid repellent droplets set according to the width of the pattern to be formed, which contributes to the improvement of productivity. it can.

(液晶表示装置)
続いて、上記パターン形成方法を用いて製造される電気光学装置の一例である液晶表示装置について、図13乃至図17を参照して説明する。
図13は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図14は図1のH−H’線に沿う断面図である。図15は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図16は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
(Liquid crystal display device)
Next, a liquid crystal display device which is an example of an electro-optical device manufactured using the pattern forming method will be described with reference to FIGS.
FIG. 13 is a plan view of the liquid crystal display device according to the present invention as viewed from the counter substrate side shown together with each component, and FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG. FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of various elements and wirings in a plurality of pixels formed in a matrix in the image display region of the liquid crystal display device, and FIG. 16 is a partial enlarged cross-sectional view of the liquid crystal display device. In each drawing used in the following description, the scale is different for each layer and each member so that each layer and each member can be recognized on the drawing.

図13及び図14において、本実施の形態の液晶表示装置(電気光学装置)100は、対をなすTFTアレイ基板10と対向基板20とが光硬化性の封止材であるシール材52によって貼り合わされ、このシール材52によって区画された領域内に液晶50が封入、保持されている。シール材52は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。   13 and 14, in the liquid crystal display device (electro-optical device) 100 according to the present embodiment, a pair of TFT array substrate 10 and counter substrate 20 are attached by a sealing material 52 that is a photo-curable sealing material. The liquid crystal 50 is sealed and held in the region partitioned by the sealing material 52. The sealing material 52 is formed in a frame shape that is closed in a region within the substrate surface, does not include a liquid crystal injection port, and does not have a trace sealed with the sealing material.

シール材52の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り53が形成されている。シール材52の外側の領域には、データ線駆動回路201及び実装端子202がTFTアレイ基板10の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路204が形成されている。TFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路204の間を接続するための複数の配線205が設けられている。また、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通材206が配設されている。   A peripheral parting 53 made of a light shielding material is formed in a region inside the region where the sealing material 52 is formed. A data line driving circuit 201 and a mounting terminal 202 are formed along one side of the TFT array substrate 10 in a region outside the sealing material 52, and the scanning line driving circuit 204 is formed along two sides adjacent to the one side. Is formed. On the remaining side of the TFT array substrate 10, a plurality of wirings 205 are provided for connecting between the scanning line driving circuits 204 provided on both sides of the image display area. Further, at least one corner of the counter substrate 20 is provided with an inter-substrate conductive material 206 for establishing electrical continuity between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

なお、データ線駆動回路201及び走査線駆動回路204をTFTアレイ基板10の上に形成する代わりに、例えば、駆動用LSIが実装されたTAB(Tape Automated Bonding)基板とTFTアレイ基板10の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置100においては、使用する液晶50の種類、すなわち、TN(Twisted Nematic)モード、STN(Super Twisted Nematic)モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置100をカラー表示用として構成する場合には、対向基板20において、TFTアレイ基板10の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
Instead of forming the data line driving circuit 201 and the scanning line driving circuit 204 on the TFT array substrate 10, for example, a TAB (Tape Automated Bonding) substrate on which a driving LSI is mounted and a peripheral portion of the TFT array substrate 10 The terminal group formed in the above may be electrically and mechanically connected via an anisotropic conductive film. In the liquid crystal display device 100, depending on the type of the liquid crystal 50 to be used, that is, depending on the operation mode such as TN (Twisted Nematic) mode, STN (Super Twisted Nematic) mode, or normally white mode / normally black mode. A retardation plate, a polarizing plate, and the like are arranged in a predetermined direction, but the illustration is omitted here.
Further, when the liquid crystal display device 100 is configured for color display, in the counter substrate 20, for example, red (R), green (G), A blue (B) color filter is formed together with the protective film.

このような構造を有する液晶表示装置100の画像表示領域においては、図15に示すように、複数の画素100aがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素100aの各々には、画素スイッチング用のTFT(スイッチング素子)30が形成されており、画素信号S1、S2、…、Snを供給するデータ線6aがTFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画素信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、TFT30のゲートには走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmをこの順に線順次で印加するように構成されている。   In the image display region of the liquid crystal display device 100 having such a structure, as shown in FIG. 15, a plurality of pixels 100a are configured in a matrix, and each of these pixels 100a has a pixel switching region. TFT (switching element) 30 is formed, and a data line 6 a for supplying pixel signals S 1, S 2,..., Sn is electrically connected to the source of the TFT 30. The pixel signals S1, S2,..., Sn to be written to the data line 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each of a plurality of adjacent data lines 6a. . Further, the scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signals G1, G2,..., Gm are applied to the scanning line 3a in a pulse-sequential manner in this order at a predetermined timing. It is configured.

画素電極19は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線6aから供給される画素信号S1、S2、…、Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極19を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号S1、S2、…、Snは、図14に示す対向基板20の対向電極121との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号S1、S2、…、Snがリークするのを防ぐために、画素電極19と対向電極121との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量60が付加されている。例えば、画素電極19の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ蓄積容量60により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置100を実現することができる。   The pixel electrode 19 is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the pixel signal S1, S2,..., Sn supplied from the data line 6a is obtained by turning on the TFT 30 as a switching element for a certain period. Write to each pixel at a predetermined timing. The pixel signals S1, S2,..., Sn written in the liquid crystal via the pixel electrode 19 in this way are held for a certain period with the counter electrode 121 of the counter substrate 20 shown in FIG. In order to prevent the held pixel signals S1, S2,..., Sn from leaking, a storage capacitor 60 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 19 and the counter electrode 121. For example, the voltage of the pixel electrode 19 is held by the storage capacitor 60 for a time that is three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. Thereby, the charge retention characteristics are improved, and the liquid crystal display device 100 with a high contrast ratio can be realized.

図16は、ボトムゲート型TFT30を有する液晶表示装置100の部分拡大断面図であって、TFTアレイ基板10を構成するガラス基板P上には、上記実施形態のパターン形成方法によりゲート配線61が形成されている。
ゲート配線61上には、SiNxからなるゲート絶縁膜62を介してアモルファスシリコン(a−Si)層からなる半導体層63が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層63の部分がチャネル領域とされている。半導体層63上には、オーミック接合を得るための例えばn+型a−Si層からなる接合層64a及び64bが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層63上には、チャネルを保護するためのSiNxからなる絶縁性のエッチストップ膜65が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜62、半導体層63、及びエッチストップ膜65は、蒸着(CVD)後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
FIG. 16 is a partial enlarged cross-sectional view of the liquid crystal display device 100 having the bottom gate type TFT 30, and the gate wiring 61 is formed on the glass substrate P constituting the TFT array substrate 10 by the pattern forming method of the above embodiment. Has been.
A semiconductor layer 63 made of an amorphous silicon (a-Si) layer is stacked on the gate wiring 61 with a gate insulating film 62 made of SiNx interposed therebetween. A portion of the semiconductor layer 63 facing the gate wiring portion is a channel region. On the semiconductor layer 63, junction layers 64a and 64b made of, for example, an n + -type a-Si layer for obtaining an ohmic junction are stacked, and the channel is protected on the semiconductor layer 63 in the central portion of the channel region. An insulating etch stop film 65 made of SiNx is formed. The gate insulating film 62, the semiconductor layer 63, and the etch stop film 65 are patterned as shown in the figure by performing resist coating, photosensitive / developing, and photoetching after vapor deposition (CVD).

さらに、接合層64a、64b及びITOからなる画素電極19も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極19、ゲート絶縁膜62及びエッチストップ膜65上にそれぞれバンク66…を突設し、これらバンク66…間に上述した液滴吐出装置IJを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。   Further, the bonding electrodes 64a and 64b and the pixel electrode 19 made of ITO are formed in the same manner, and are patterned as shown in the figure by performing photoetching. Banks 66 are provided on the pixel electrode 19, the gate insulating film 62, and the etch stop film 65, and silver droplets are discharged between the banks 66 using the above-described droplet discharge device IJ. Thus, a source line and a drain line can be formed.

なお、図17に示すように、ゲート絶縁膜62に凹部を設けて、この凹部内にゲート絶縁膜62の表面と略面一に半導体層63を形成し、その上に接合層64a、64b、画素電極19、エッチストップ膜65を形成することもできる。この場合、バンク66間の溝底部を図16に比較して略フラットにすることで、これら各層及びソース線、ドレイン線の屈曲部が減り、平坦性が向上した高特性のTFTとすることができる。
このように、本実施形態では、高品質で薄型、高集積化が可能な液晶表示装置100を得ることができる。
As shown in FIG. 17, a recess is provided in the gate insulating film 62, a semiconductor layer 63 is formed in the recess substantially flush with the surface of the gate insulating film 62, and bonding layers 64a, 64b, The pixel electrode 19 and the etch stop film 65 can also be formed. In this case, by making the groove bottom between the banks 66 substantially flat as compared with FIG. 16, the bent portions of these layers and the source lines and drain lines are reduced, and a high characteristic TFT with improved flatness can be obtained. it can.
As described above, in the present embodiment, it is possible to obtain the liquid crystal display device 100 that is high quality, thin, and highly integrated.

上記構成のTFTでは、上述した液滴吐出装置IJを用いて、撥液性液滴を塗布して撥液部及び親液部をパターニングした後に、例えば銀化合物の液滴を親液部に吐出することで、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いることなく、ゲート線、ソース線、ドレイン線等を形成することができるため、コストアップを防止することが可能になるとともに、形成すべきパターンの幅に応じて設定する撥液性液滴の吐出量及び吐出ピッチを容易、且つ迅速に選定することが可能になり、生産性の向上に寄与することができる。   In the TFT configured as described above, after applying the liquid repellent droplets and patterning the liquid repellent portion and the lyophilic portion using the above-described droplet discharge device IJ, for example, a silver compound droplet is discharged to the lyophilic portion. As a result, gate lines, source lines, drain lines, etc. can be formed without using an expensive exposure machine, photomask, laser light source, etc. The discharge amount and discharge pitch of the liquid repellent droplets set according to the width of the pattern to be set can be selected easily and quickly, which can contribute to the improvement of productivity.

なお、上記実施の形態では、TFT30を液晶表示装置100の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示デバイスに応用が可能である。有機EL表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔(ホール)を注入して再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光させる素子である。そして、上記のTFT30を有する基板上に、有機EL表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入/電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーELデバイスを製造することができる。
本発明における電気光学装置の範囲にはこのような有機ELデバイスをも含むものであり、所望の特性が実現され、短絡等の不良が生じない高品質の有機ELデバイスを得ることができる。
In the above embodiment, the TFT 30 is used as a switching element for driving the liquid crystal display device 100. However, the present invention can be applied to, for example, an organic EL (electroluminescence) display device in addition to the liquid crystal display device. An organic EL display device has a structure in which a thin film containing a fluorescent inorganic and organic compound is sandwiched between a cathode and an anode, and is excited by injecting electrons and holes into the thin film and recombining them. It is an element that emits light by using light emission (fluorescence / phosphorescence) when a child (exciton) is generated and the exciton is deactivated. Then, on the substrate having the TFT 30 described above, among the fluorescent materials used for the organic EL display element, a material exhibiting each emission color of red, green and blue, that is, a light emitting layer forming material and a hole injection / electron transport layer are provided. A self-luminous full-color EL device can be manufactured by using ink as a material to be formed and patterning each.
The range of the electro-optical device in the present invention includes such an organic EL device, and it is possible to obtain a high-quality organic EL device that realizes desired characteristics and does not cause defects such as a short circuit.

(非接触型カード媒体)
続いて、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図18に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体(電子機器)400は、カード基体402とカードカバー418から成る筐体内に、半導体集積回路チップ408とアンテナ回路412を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
(Non-contact card media)
Subsequently, an embodiment of a non-contact card medium will be described. As shown in FIG. 18, a non-contact type card medium (electronic device) 400 according to the present embodiment includes a semiconductor integrated circuit chip 408 and an antenna circuit 412 in a housing formed of a card base 402 and a card cover 418. At least one of power supply and data transmission / reception is performed by at least one of electromagnetic waves and capacitive coupling with an external transceiver (not shown).

本実施形態では、上記アンテナ回路412が、上記実施形態に係るパターン形成方法によって形成されている。
本実施形態の非接触型カード媒体製造方法によれば、コストアップを防止し、また生産性の向上に寄与することができる。
なお、本発明に係る電気光学装置としては、上記の他に、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
In the present embodiment, the antenna circuit 412 is formed by the pattern forming method according to the embodiment.
According to the contactless card medium manufacturing method of the present embodiment, it is possible to prevent an increase in cost and contribute to an improvement in productivity.
In addition to the above, the electro-optical device according to the present invention is a surface conduction type that utilizes a phenomenon in which electron emission is caused by flowing a current through a small-area thin film formed on a substrate in parallel to the film surface. It can also be applied to an electron-emitting device or the like.

(電子機器)
続いて、本発明に係る電子機器の具体例について説明する。
図19(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図19(a)において、600は携帯電話本体を示し、601は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図19(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図19(b)において、700は情報処理装置、701はキーボードなどの入力部、703は情報処理本体、702は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図19(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図19(c)において、800は時計本体を示し、801は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図19(a)〜(c)に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、コストアップを防止し、また生産性を向上させて製造することが可能になる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
(Electronics)
Next, specific examples of the electronic device according to the present invention will be described.
FIG. 19A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 19A, reference numeral 600 denotes a mobile phone body, and reference numeral 601 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal display device of the above embodiment.
FIG. 19B is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 19B, reference numeral 700 denotes an information processing device, 701 denotes an input unit such as a keyboard, 703 denotes an information processing body, and 702 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal display device of the above embodiment.
FIG. 19C is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 19C, reference numeral 800 denotes a watch body, and reference numeral 801 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal display device of the above embodiment.
Since the electronic devices shown in FIGS. 19A to 19C are provided with the liquid crystal display device of the above-described embodiment, it is possible to prevent an increase in cost and improve productivity. .
In addition, although the electronic device of this embodiment shall be provided with a liquid crystal device, it can also be set as the electronic device provided with other electro-optical apparatuses, such as an organic electroluminescent display apparatus and a plasma type display apparatus.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。   As described above, the preferred embodiments according to the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.

例えば、上記実施形態では、機能液として導電材料を含む液状体として説明したが、機能液とは、金属や半導体、セラミックス、有機材料、顔料、光学材料を機能性液体として用い、基板上の所望の位置に配置して焼成工程を経て、薄膜を得る材料である。機能とは、導電性、絶縁性、半導体特性、集光性、光選択吸収性、蛍光あるいはリン光等のルネッセンス性、液晶分子の配向性制御などが挙げられる。   For example, in the above-described embodiment, a liquid material containing a conductive material as the functional liquid has been described. However, the functional liquid is a metal, semiconductor, ceramic, organic material, pigment, or optical material that is used as a functional liquid and desired on the substrate. It is a material which obtains a thin film through a firing step by placing it at the position. Examples of the function include conductivity, insulating properties, semiconductor properties, light collecting properties, light selective absorption properties, luminescence properties such as fluorescence or phosphorescence, and orientation control of liquid crystal molecules.

また、上記実施形態では、機能液により配線本体を形成するものとして説明したが、これに限定されるものではなく、例えばパラジウム等のめっき触媒材料を含む液滴を塗布してめっき触媒膜を形成してもよい。この場合、後工程でめっき処理を行う際に、めっき処理を行うことにより、緻密性の高い配線(Cu等)を容易、且つ安価に成膜することが可能になる。   In the above-described embodiment, the wiring main body is formed with the functional liquid. However, the present invention is not limited to this, and a plating catalyst film is formed by applying droplets containing a plating catalyst material such as palladium. May be. In this case, when performing the plating process in a subsequent process, a highly dense wiring (such as Cu) can be easily and inexpensively formed by performing the plating process.

また、上記実施形態では、基板Pに対して親液性を高めるために、表面処理工程として洗浄処理を実施するものとして説明したが、これに限定されるものではなく、例えば機能液(パターン用液滴)に対して親液性を示すシランカップリング剤やチタンカップリング剤を表面Paに塗布しておく構成や、酸化チタン微粒子を塗布しておく構成を採ってもよい。   Moreover, in the said embodiment, in order to improve lyophilicity with respect to the board | substrate P, although demonstrated as what implements a washing process as a surface treatment process, it is not limited to this, For example, it is a functional liquid (for pattern A configuration in which a silane coupling agent or a titanium coupling agent exhibiting lyophilicity with respect to (liquid droplets) is applied to the surface Pa, or a configuration in which titanium oxide fine particles are applied may be employed.

液滴吐出装置の概略的な構成図である。It is a schematic block diagram of a droplet discharge apparatus. 液滴吐出ヘッド301の断面図である。2 is a cross-sectional view of a droplet discharge head 301. 基板上に形成された撥液部、配線パターンを示す図である。It is a figure which shows the liquid-repellent part and wiring pattern which were formed on the board | substrate. パターン形成工程を示す図である。It is a figure which shows a pattern formation process. パターン形成工程を示す図である。It is a figure which shows a pattern formation process. パターン形成工程を示す図である。It is a figure which shows a pattern formation process. 撥液部、親液部の接触角、コントラスト、描画結果の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the contact angle of a liquid repellent part and a lyophilic part, contrast, and a drawing result. プラズマ型表示装置の分解斜視図である。It is an exploded perspective view of a plasma display device. 表示電極及びバス電極を形成する手順を示す図である。It is a figure which shows the procedure which forms a display electrode and a bus electrode. 表示電極及びバス電極を形成する手順を示す図である。It is a figure which shows the procedure which forms a display electrode and a bus electrode. 表示電極及びバス電極を形成する手順を示す図である。It is a figure which shows the procedure which forms a display electrode and a bus electrode. 電磁波シールドを示す図である。It is a figure which shows an electromagnetic wave shield. 液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。It is the top view which looked at the liquid crystal display device from the counter substrate side. 図13のH−H’線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the H-H 'line | wire of FIG. 液晶表示装置の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal display device. 同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of a liquid crystal display device same as the above. 別形態の液晶表示装置の部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of the liquid crystal display device of another form. 非接触型カード媒体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a non-contact type card medium. 電子機器の具体例を示す図である。It is a figure which shows the specific example of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

GB…額縁部、 H…撥液部、 L…液滴、 MS…メッシュ部、 P…基板、 Pa…表面(親液部)、 SL…電磁波シールド(電気光学装置)、 W…配線パターン(パターン)、 100…液晶表示装置(電気光学装置)、 400…非接触型カード媒体(電子機器)、 500…プラズマ型表示装置(電気光学装置)、 600…携帯電話本体(電子機器)、 700…情報処理装置(電子機器)、 800…時計本体(電子機器)   GB: Frame portion, H: Liquid repellent portion, L: Droplet, MS: Mesh portion, P: Substrate, Pa: Surface (lyophilic portion), SL: Electromagnetic wave shield (electro-optical device), W: Wiring pattern (pattern) ), 100 ... Liquid crystal display device (electro-optical device), 400 ... Non-contact card medium (electronic device), 500 ... Plasma display device (electro-optical device), 600 ... Mobile phone body (electronic device), 700 ... Information Processing device (electronic equipment), 800 ... Watch body (electronic equipment)

Claims (14)

機能液に対する親液部及び撥液部を有する基板に前記機能液を塗布してパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記親液部を有する基板に対して、撥液材料を含む液滴を塗布して前記撥液部を形成する第1工程と、
前記撥液部の間の前記親液部に前記機能液を塗布する第2工程とを有し、
前記第1工程では、前記撥液材料の液滴の吐出量及び吐出ピッチを調整することにより、前記撥液部の幅を調整することを特徴とするパターン形成方法。
A pattern forming method for forming a pattern by applying the functional liquid to a substrate having a lyophilic part and a liquid repellent part with respect to the functional liquid,
A first step of forming droplets containing a liquid repellent material on the substrate having the lyophilic portion to form the liquid repellent portion;
A second step of applying the functional liquid to the lyophilic part between the liquid repellent parts,
In the first step, the width of the liquid repellent part is adjusted by adjusting the discharge amount and discharge pitch of the liquid repellent material droplets.
請求項1記載のパターン形成方法において、
前記撥液材料を含む液滴の吐出量及び吐出ピッチと、前記撥液部の幅との相関関係を示すテーブルを保持し、
前記第1工程では、前記テーブルを用いて前記撥液材料を含む液滴を塗布することを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method of Claim 1,
Holds a table showing the correlation between the discharge amount and discharge pitch of droplets containing the liquid repellent material and the width of the liquid repellent part,
In the first step, a liquid droplet containing the liquid repellent material is applied using the table.
請求項1または2記載のパターン形成方法において、
前記基板上に着弾した前記撥液材料を含む液滴が、隣り合う前記液滴同士で重なり合うように塗布することを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method of Claim 1 or 2,
A pattern forming method, wherein droplets containing the liquid repellent material landed on the substrate are applied so that adjacent droplets overlap each other.
請求項1から3のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記撥液材料は、シラン化合物及びフルオロアルキル基を有する化合物の少なくとも一方を含むことを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method as described in any one of Claim 1 to 3,
The liquid repellent material contains at least one of a silane compound and a compound having a fluoroalkyl group.
請求項4記載のパターン形成方法において、
前記シラン化合物は、自己組織化膜であることを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method of Claim 4,
The pattern forming method, wherein the silane compound is a self-assembled film.
請求項4または5記載のパターン形成方法において、
前記撥液部は、前記基板の表面に前記フルオロアルキル基を有する化合物からなる自己組織化膜によって形成されることを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method of Claim 4 or 5,
The pattern forming method, wherein the liquid repellent portion is formed on the surface of the substrate by a self-assembled film made of a compound having the fluoroalkyl group.
請求項4または5記載のパターン形成方法において、
前記撥液部は、前記基板の表面にアルキル基、水素を有する自己組織化膜によって形成されることを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method of Claim 4 or 5,
The liquid-repellent part is formed by a self-assembled film having an alkyl group and hydrogen on the surface of the substrate.
請求項1から3のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記撥液材料は、フッ素樹脂を含むことを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method as described in any one of Claim 1 to 3,
The pattern forming method, wherein the liquid repellent material contains a fluororesin.
請求項1から8のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記第2工程では、前記親液部に前記機能液の液滴を塗布することを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method as described in any one of Claim 1 to 8,
In the second step, the functional liquid droplets are applied to the lyophilic portion.
請求項1から9のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記機能液は、導電性材料を含むことを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method as described in any one of Claim 1 to 9,
The pattern forming method, wherein the functional liquid includes a conductive material.
請求項1から10のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記機能液は、めっき触媒材料を含むことを特徴とするパターン形成方法。
In the pattern formation method as described in any one of Claim 1 to 10,
The pattern forming method, wherein the functional liquid contains a plating catalyst material.
請求項1から11のいずれか一項に記載のパターン形成方法によりパターンを形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置製造方法。   An electro-optical device manufacturing method comprising a step of forming a pattern by the pattern forming method according to claim 1. 請求項12記載の電気光学装置製造方法において、
前記電気光学装置は、導電線によりメッシュ状に形成されたメッシュ部と、前記導電線により前記メッシュ部の周囲に形成された額縁部とを有する電磁波シールドであり、
前記メッシュ部及び前記額縁部を、前記パターン形成方法により形成することを特徴とする電気光学装置製造方法。
The electro-optical device manufacturing method according to claim 12,
The electro-optical device is an electromagnetic wave shield having a mesh portion formed in a mesh shape with a conductive wire and a frame portion formed around the mesh portion with the conductive wire,
The electro-optical device manufacturing method, wherein the mesh portion and the frame portion are formed by the pattern forming method.
請求項1から11のいずれか一項に記載のパターン形成方法によりパターンを形成する工程を有することを特徴とする電子機器製造方法。   An electronic device manufacturing method comprising a step of forming a pattern by the pattern forming method according to claim 1.
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