JP2008294401A - Composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, and method for manufacturing organic electroluminescent element - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent element having high light emitting efficiency as to an organic electroluminescent element having an organic layer formed by a wet film formation method. <P>SOLUTION: A composition for the organic electroluminescent element is a composition to be used for an organic layer of the organic electroluminescent element and includes an alicyclic ketone compound of which the boiling point is ≥160°C as a solvent component. Further, the composition includes a light emitting material and is preferably a composition for forming a light emitting layer. A method for manufacturing an organic electroluminescent element forms an organic layer such as a light emitting layer by using the composition. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機電界発光素子の有機層を形成するための有機電界発光素子用組成物に関する。
本発明はまた、この有機電界発光素子用組成物を用いた有機電界発光素子の製造方法と、この方法により製造された有機電界発光素子に関する。
The present invention relates to a composition for an organic electroluminescent device for forming an organic layer of an organic electroluminescent device.
The present invention also relates to a method for producing an organic electroluminescent element using the composition for organic electroluminescent elements, and an organic electroluminescent element produced by this method.

有機電界発光素子は、通常、基板上に陽極、陰極および該陽極と該陰極の間に配置された発光層や電荷輸送層などの有機層を有するものである。この有機層の形成方法としては、真空蒸着法や湿式成膜法が使用される。   The organic electroluminescence device usually has an anode, a cathode, and an organic layer such as a light emitting layer and a charge transport layer disposed between the anode and the cathode on a substrate. As a method for forming the organic layer, a vacuum deposition method or a wet film formation method is used.

真空蒸着法は、良質な膜を基板に対して均一に成膜できること、積層化が容易で優れた特性のデバイスが得やすいこと、作製プロセス由来の不純物の混入が極めて少ないこと、等の利点があり、現在実用化されている有機電界発光素子の多くは低分子材料を用いた真空蒸着法によるものである。   The vacuum deposition method has advantages such as being able to form a high-quality film uniformly on the substrate, easy to obtain a device that is easy to stack and has excellent characteristics, and that there are very few impurities from the manufacturing process. Many of the organic electroluminescent devices currently in practical use are based on a vacuum deposition method using a low molecular weight material.

一方で、湿式成膜法は、真空プロセスが要らず大面積化が容易で、1つの層(即ち、この層を形成するための塗布液)に様々な機能を持った複数の材料を入れることが可能である、等の利点がある。   On the other hand, the wet film formation method does not require a vacuum process and can easily increase the area, and a plurality of materials having various functions can be put in one layer (that is, a coating solution for forming this layer). There are advantages such as being possible.

湿式成膜法を用いる場合、材料としては通常、高分子材料が使用される。
しかしながら、高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難であること、連続駆動時に末端残基による劣化が起こること、高分子材料自体の高純度化が困難で不純物を含むことなどの問題があり、一部の高分子材料を用いた素子以外は実用レベルに至っていないのが現状である。
When the wet film forming method is used, a polymer material is usually used as the material.
However, it is difficult to control the degree of polymerization and molecular weight distribution of polymer materials, deterioration due to terminal residues during continuous driving, high purity of the polymer material itself is difficult, and impurities are included. There is a problem, and there is no practical level other than elements using some polymer materials.

そこで、上記問題を解決する試みとして、特許文献1や特許文献2では、低分子材料などを用いて、湿式成膜法により有機層を形成している。しかしながら、これらの素子は発光効率が不十分であり、実用性に乏しかった。
特許3069139号公報 特開平11−273859号公報
Therefore, as an attempt to solve the above problem, in Patent Document 1 and Patent Document 2, an organic layer is formed by a wet film forming method using a low molecular material or the like. However, these devices have insufficient luminous efficiency and lack practicality.
Japanese Patent No. 3069139 Japanese Patent Laid-Open No. 11-238359

本発明は、湿式成膜法で形成された有機層を有する有機電界発光素子であって、発光効率の高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。   An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device having an organic layer formed by a wet film forming method and having high luminous efficiency.

湿式成膜法による有機層の形成においては、溶媒に層構成材料を溶解または分散させた組成物を用いて層を形成するが、本発明者らの検討により、使用する溶媒によって、製造される有機電界発光素子の発光効率に顕著な差が生じることが判明した。
本発明者らは、有機層形成用の組成物の溶媒として、特に、沸点160℃以上の脂環式ケトン系化合物を使用することにより、低分子材料を湿式成膜法により形成して得られる有機層を有する有機電界発光素子であっても、高い発光効率が得られることを見出し、本発明に到達した。
In the formation of an organic layer by a wet film-forming method, a layer is formed using a composition in which a layer constituent material is dissolved or dispersed in a solvent. It has been found that there is a significant difference in the luminous efficiency of organic electroluminescent devices.
The present inventors can obtain a low molecular weight material by a wet film-forming method, in particular, by using an alicyclic ketone-based compound having a boiling point of 160 ° C. or higher as a solvent for a composition for forming an organic layer. The present inventors have found that even an organic electroluminescent device having an organic layer can obtain high luminous efficiency, and have reached the present invention.

すなわち、本発明の要旨は、有機電界発光素子の有機層を形成するために用いられる組成物であって、その溶媒成分として沸点が160℃以上の脂環式ケトン系化合物を含むことを特徴とする有機電界発光素子用組成物、に存する。   That is, the gist of the present invention is a composition used for forming an organic layer of an organic electroluminescent device, characterized in that the solvent component includes an alicyclic ketone-based compound having a boiling point of 160 ° C. or higher. A composition for an organic electroluminescent device.

本発明の別の要旨は、基板上に陽極、陰極、および該陽極と該陰極の間に配置された有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、該有機層のうちの少なくとも1層を上記有機電界発光素子用組成物を用いて形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法、に存する。   Another gist of the present invention is a method for producing an organic electroluminescent device comprising an anode, a cathode, and an organic layer disposed between the anode and the cathode on a substrate, wherein at least one of the organic layers The present invention resides in a method for manufacturing an organic electroluminescent element, wherein the layer is formed using the composition for an organic electroluminescent element.

本発明のさらに別の要旨は、この製造方法によって製造された有機電界発光素子、に存する。   Still another subject matter of the present invention resides in an organic electroluminescent device manufactured by this manufacturing method.

本発明によれば、湿式成膜法で形成された有機層を有する有機電界発光素子であって、発光効率の高い有機電界発光素子を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is an organic electroluminescent element which has an organic layer formed with the wet film-forming method, Comprising: An organic electroluminescent element with high luminous efficiency can be provided.

以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。   Embodiments of the present invention will be described in detail below, but the description of the constituent elements described below is an example (representative example) of an embodiment of the present invention, and the present invention does not exceed the gist thereof. It is not specified in the contents.

[有機電界発光素子用組成物]
本発明の有機電界発光素子用組成物は、有機電界発光素子の有機層を形成するために用いられる組成物であって、その溶媒成分として沸点が160℃以上の脂環式ケトン系化合物(以下、「ケトン系溶媒」という場合がある。)を含むことを特徴とする。
なお、本発明において、溶媒とは、溶質を0.01重量%以上溶解する液体をいう。
[Composition for organic electroluminescence device]
The composition for organic electroluminescent elements of the present invention is a composition used for forming an organic layer of an organic electroluminescent element, and an alicyclic ketone-based compound (hereinafter referred to as a boiling point) having a boiling point of 160 ° C. or higher as a solvent component thereof. , Sometimes referred to as a “ketone solvent”).
In the present invention, the solvent means a liquid that dissolves 0.01% by weight or more of a solute.

本発明の有機電界発光素子用組成物は、通常、有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法により形成するためのインクとして用いられる。形成される有機層としては、有機電界発光素子の陽極および陰極の間にある有機層であればいずれの層であってもよい。その場合、各層に使用される材料およびケトン系溶媒を含有する有機電界発光素子用組成物を調製して、該組成物を成膜することにより各層を得ることができる。特に、本発明の有機電界発光素子用組成物は、発光材料を含有し、発光層を形成するためのインクとして使用されることが好ましい。   The composition for organic electroluminescent elements of the present invention is usually used as an ink for forming an organic layer of an organic electroluminescent element by a wet film forming method. The organic layer to be formed may be any layer as long as it is an organic layer between the anode and the cathode of the organic electroluminescent element. In that case, each layer can be obtained by preparing the composition for organic electroluminescent elements containing the material and ketone solvent used for each layer, and forming this composition into a film. In particular, the composition for organic electroluminescent elements of the present invention preferably contains a luminescent material and is used as an ink for forming a luminescent layer.

なお、本発明において、湿式成膜法とは、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法により成膜用組成物を塗布して成膜するものである。   In the present invention, the wet film-forming method is a method in which a film-forming composition is applied by spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, or an ink jet method to form a film.

{溶媒}
<脂環式ケトン系化合物>
本発明の有機電界発光素子用組成物に用いられる溶媒は、沸点が160℃以上の脂環式ケトン系化合物を含む。
{solvent}
<Alicyclic ketone compounds>
The solvent used for the composition for organic electroluminescent elements of the present invention contains an alicyclic ketone-based compound having a boiling point of 160 ° C. or higher.

本発明において、脂環式ケトン系化合物とは、炭素原子が環状に結合した構造をもつ炭素環式化合物のうち芳香族化合物を除いた脂環式化合物であって、該脂環式化合物の環状部のメチレン基の一つ以上がカルボニル基に置き換わった化合物をいう。   In the present invention, the alicyclic ketone-based compound is an alicyclic compound obtained by removing an aromatic compound from carbocyclic compounds having a structure in which carbon atoms are bonded cyclically, A compound in which one or more methylene groups are replaced by a carbonyl group.

本発明では、該脂環式ケトン系化合物を、湿式成膜法で有機層を形成するための有機電界発光素子用組成物の溶媒として使用するため、通常、この脂環式ケトン系化合物は23℃(常温)において液体である。
また、この脂環式ケトン系化合物の分子量は、通常5000以下、好ましくは1000以下のものである。分子量がこの上限を超えるものでは高分子材料を含む場合があり、高分子材料が有する不純物が混入するおそれがある。
In the present invention, since the alicyclic ketone-based compound is used as a solvent for a composition for an organic electroluminescence device for forming an organic layer by a wet film-forming method, the alicyclic ketone-based compound is usually 23 It is liquid at ℃ (room temperature).
The molecular weight of the alicyclic ketone compound is usually 5000 or less, preferably 1000 or less. When the molecular weight exceeds this upper limit, a polymer material may be included, and impurities contained in the polymer material may be mixed.

本発明に用いる脂環式ケトン系化合物は、沸点が通常160℃以上、好ましくは180℃以上で、通常300℃以下、好ましくは260℃以下である。沸点がこの下限を下回るものでは、溶媒の揮発性が高くなり、組成物の濃度変化による塗工むらが起こる恐れがあり好ましくなく、上限を上回ると、溶媒を除去するための乾燥温度が高くなり、乾燥工程において溶質材料の劣化を招く恐れがあり好ましくない。なお、本発明における溶媒の沸点とは、1気圧における沸点である。   The alicyclic ketone compound used in the present invention has a boiling point of usually 160 ° C. or higher, preferably 180 ° C. or higher, and usually 300 ° C. or lower, preferably 260 ° C. or lower. If the boiling point is lower than this lower limit, the volatility of the solvent is increased, and coating unevenness due to a change in the concentration of the composition may occur unfavorably. If the upper limit is exceeded, the drying temperature for removing the solvent increases. In the drying process, the solute material may be deteriorated, which is not preferable. In addition, the boiling point of the solvent in this invention is a boiling point in 1 atmosphere.

本発明に好適な脂環式ケトン系化合物の具体例としては、シクロペンチルシクロペンタノン、ヘキシルシクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、ジメチルシクロヘキサノン、トリメチルシクロヘキサノン、エチルシクロヘキサノン、プロピルシクロヘキサノン、メントン、アセチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、フェンコン等の炭素−炭素不飽和結合を有しない、5〜7員環の脂環式ケトン系化合物、2−シクロヘキセン−1−オン、3−メチル−2−シクロヘキセン−1−オン、2−(1−シクロヘキセニル)シクロヘキサノン、イソホロン、2,2,6−トリメチル−2,4−シクロヘプタジエン−1−オン等の炭素−炭素不飽和結合を有する、5〜7員環の脂環式ケトン系化合物などが挙げられる。   Specific examples of alicyclic ketone compounds suitable for the present invention include cyclopentylcyclopentanone, hexylcyclopentanone, methylcyclohexanone, dimethylcyclohexanone, trimethylcyclohexanone, ethylcyclohexanone, propylcyclohexanone, menthone, acetylcyclohexanone, and cycloheptanone. , 5- to 7-membered alicyclic ketone-based compounds having no carbon-carbon unsaturated bond such as Fencon, 2-cyclohexen-1-one, 3-methyl-2-cyclohexen-1-one, 2- ( 1-cyclohexenyl) cyclohexanone, isophorone, 5,7-membered alicyclic ketone system having a carbon-carbon unsaturated bond such as 2,2,6-trimethyl-2,4-cycloheptadien-1-one Compound etc. are mentioned.

本発明の有機電界発光素子用組成物において、これらのケトン系溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。   In the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, these ketone solvents may be used alone or in combination of two or more.

これらのうち、特に好ましいケトン系溶媒は、炭素−炭素不飽和結合を有さない脂環式ケトン系化合物である。   Among these, a particularly preferred ketone solvent is an alicyclic ketone compound having no carbon-carbon unsaturated bond.

本発明の有機電界発光素子用組成物中のケトン系溶媒の含有量は60重量%以上であることが好ましく、80重量%以上であることがより好ましい。有機電界発光素子用組成物中のケトン系溶媒の含有量が、この下限を下回ると溶質が析出するなど、インクの保存安定性が悪くなる恐れがある。   The content of the ketone solvent in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is preferably 60% by weight or more, and more preferably 80% by weight or more. If the content of the ketone solvent in the composition for organic electroluminescent elements is less than this lower limit, the storage stability of the ink may be deteriorated, such as precipitation of a solute.

<その他の溶媒>
本発明の有機電界発光素子用組成物は、上記ケトン系溶媒以外にも他の溶媒を含有していてもよいが、好ましくは溶媒として上述のケトン系溶媒のみを含有する。
<Other solvents>
Although the composition for organic electroluminescent elements of this invention may contain other solvents other than the said ketone solvent, Preferably it contains only the above-mentioned ketone solvent as a solvent.

ケトン系溶媒以外に含まれていてもよい溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、イソヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、デカン、ジメチルブタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジイソアミルエーテル、メチルフェニルエーテル、アミルフェニルエーテル、エチルベンジルエーテル等のエーテル、アセトン、メチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン等のケトン、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸イソアミル、酢酸メトキシブチル、酢酸シクロヘキシル、酪酸メチル、酪酸エチル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル等のエステル、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、アミルベンゼン、ジアミルベンゼン、トリアミルベンゼン、テトラアミルベンゼン、ドデシルベンゼン、ジドデシルベンゼン、アミルトルエン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素等があるが、これらに限定されるものではない。また、これらを2種以上混合したものでもよい。   Solvents that may be contained in addition to the ketone solvent include hydrocarbons such as pentane, hexane, isohexane, heptane, octane, isooctane, decane, dimethylbutane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethyl ether, isopropyl ether, diisoamyl ether. , Ethers such as methyl phenyl ether, amyl phenyl ether, ethyl benzyl ether, ketones such as acetone, methyl acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ketone, methyl formate, ethyl formate, isobutyl formate, methyl acetate, isoamyl acetate, methoxyacetate Esters such as butyl, cyclohexyl acetate, methyl butyrate, ethyl butyrate, butyl benzoate, isoamyl benzoate, benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, diethyl Aromatic hydrocarbons such as benzene, isopropylbenzene, amylbenzene, diamylbenzene, triamylbenzene, tetraamylbenzene, dodecylbenzene, didodecylbenzene, amyltoluene, tetralin, cyclohexylbenzene, etc. It is not a thing. Moreover, what mixed these 2 or more types may be used.

本発明の有機電界発光素子用組成物が、ケトン系溶媒以外の他の溶媒を含有する場合、その有機電界発光素子用組成物中の含有量は、50重量%以下、好ましくは20重量%以下であり、最も好ましくは上述の如く、ケトン系溶媒以外の溶媒を含まないことである。ケトン系溶媒以外の溶媒の含有量が多いと、本発明に従って、特定のケトン系溶媒を用いることによる上記効果を十分に得ることができない。   When the composition for organic electroluminescent elements of the present invention contains a solvent other than the ketone solvent, the content in the composition for organic electroluminescent elements is 50% by weight or less, preferably 20% by weight or less. Most preferably, as described above, it does not contain a solvent other than the ketone solvent. If the content of the solvent other than the ketone-based solvent is large, the above-described effect by using the specific ketone-based solvent cannot be sufficiently obtained according to the present invention.

{含有成分}
本発明の有機電界発光素子用組成物は、溶媒成分として前述の脂環式ケトン系化合物を含み、好ましくは、発光層形成用組成物として、後述の発光材料等を含むものであるが、例えば、2層以上の層を湿式成膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、成膜後に硬化させて不溶化させる目的で、光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。
更に、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その他の成分、例えば、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
添加剤の種類としては、界面活性剤が好適であり、界面活性剤としては陽イオン系、陰イオン系、非イオン系が挙げられ、このうち特に非イオン系が好適である。非イオン系活性剤の種類としては、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、アセチレン系界面活性剤等が挙げられる。
{Ingredients}
The composition for an organic electroluminescent element of the present invention contains the above-described alicyclic ketone-based compound as a solvent component, and preferably contains a light-emitting material described later as the composition for forming a light-emitting layer. Contains photo-curing resin and thermosetting resin for the purpose of curing and insolubilizing after film formation in order to prevent these layers from compatibilizing when laminating more than one layer by wet film-forming method You can also let them.
Furthermore, other components such as various additives such as a leveling agent and an antifoaming agent may be included without departing from the gist of the present invention.
As the type of additive, a surfactant is preferable, and examples of the surfactant include a cationic system, an anionic system, and a nonionic system. Among these, a nonionic system is particularly preferable. Examples of nonionic surfactants include silicone surfactants, fluorine surfactants, acetylene surfactants, and the like.

{固形分濃度}
本発明の有機電界発光素子用組成物中の発光材料等の各層に使用される材料の固形分(溶質)濃度は、通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、最も好ましくは1重量%以上であり、通常80重量%以下、好ましくは50重量%以下、より好ましくは40重量%以下、さらに好ましくは30重量%以下、最も好ましくは20重量%以下である。固形分濃度がこの下限を下回ると、厚膜を形成するのが困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる恐れがある。
{Solid content concentration}
The solid content (solute) concentration of the material used for each layer such as the light emitting material in the composition for organic electroluminescence device of the present invention is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably. Is not less than 0.1% by weight, more preferably not less than 0.5% by weight, most preferably not less than 1% by weight, usually not more than 80% by weight, preferably not more than 50% by weight, more preferably not more than 40% by weight, Preferably it is 30 weight% or less, Most preferably, it is 20 weight% or less. If the solid content concentration is below this lower limit, it is difficult to form a thick film, and if it exceeds the upper limit, it may be difficult to form a thin film.

{調製方法}
本発明の有機電界発光素子用組成物は、発光材料など各層に使用される材料からなる溶質を、ケトン系溶媒に溶解させることにより調製される。溶解工程に要する時間を短縮するため、および組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常、液を撹拌しながら溶質を溶解させる。溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させたり、超音波処理を施したりすることもできる。溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を経由してもよい。
{Preparation method}
The composition for organic electroluminescent elements of the present invention is prepared by dissolving a solute composed of a material used for each layer such as a luminescent material in a ketone solvent. In order to shorten the time required for the dissolution step and to keep the solute concentration in the composition uniform, the solute is usually dissolved while stirring the liquid. The dissolution step may be performed at room temperature, but when the dissolution rate is slow, it can be heated and dissolved, or subjected to ultrasonic treatment. After completion of the dissolution step, a filtration step such as filtering may be performed as necessary.

{水分含有量}
本発明の有機電界発光素子用組成物を用いた湿式成膜法により層形成して、有機電界発光素子を製造する場合、用いる有機電界発光素子用組成物に水分が存在すると、形成された膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるため、本発明の有機電界発光素子用組成物中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。また一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、有機電界発光素子用組成物中に水分が存在した場合、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
具体的には、本発明の有機電界発光素子用組成物中に含まれる水分量は、通常1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下、より好ましくは0.01重量%以下である。
{Moisture content}
When a layer is formed by a wet film forming method using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention to produce an organic electroluminescent element, the film formed when water is present in the composition for organic electroluminescent elements used Since moisture is mixed into the film and the uniformity of the film is impaired, the water content in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is preferably as low as possible. In general, since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that deteriorate significantly due to moisture, when moisture is present in the composition for organic electroluminescent devices, moisture remains in the dried film. However, there is a possibility of deteriorating the characteristics of the element, which is not preferable.
Specifically, the amount of water contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is usually 1% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less, more preferably 0.01% by weight or less.

有機電界発光素子用組成物中の水分濃度の測定方法としては、日本工業規格「化学製品の水分測定法」(JIS K0068:2001)に記載の方法が好ましく、例えば、カールフィッシャー試薬法(JIS K0211−1348)等により分析することができる。   As a method for measuring the moisture concentration in the composition for organic electroluminescent elements, the method described in Japanese Industrial Standard “Method for Measuring Moisture of Chemical Products” (JIS K0068: 2001) is preferable. For example, the Karl Fischer reagent method (JIS K0211). -1348) and the like.

{均一性}
本発明の有機電界発光素子用組成物は、湿式成膜法での安定性、例えば、インクジェット成膜法におけるノズルからの吐出安定性を高めるためには、常温で均一な液状であることが好ましい。常温で均一な液状とは、組成物が均一相からなる液体であり、かつ組成物中に粒径0.1μm以上の粒子成分を含有しないことをいう。
{Uniformity}
The composition for organic electroluminescent elements of the present invention is preferably in a uniform liquid state at room temperature in order to improve stability in a wet film forming method, for example, ejection stability from a nozzle in an ink jet film forming method. . The uniform liquid at normal temperature means that the composition is a liquid composed of a uniform phase and does not contain a particle component having a particle size of 0.1 μm or more in the composition.

{粘度}
本発明の有機電界発光素子用組成物の粘度については、極端に低粘度の場合は、例えば塗布乾燥工程における過度の液膜流動による塗面不均一や、インクジェット成膜におけるノズル吐出不安定等が起こりやすくなり、極端に高粘度の場合は、例えば塗布乾燥工程におけるレベリング性不良による塗面不均一や、インクジェット成膜におけるノズル不吐出等が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の23℃における粘度は、通常1mPa・s以上、好ましくは3mPa・s以上、より好ましくは5mPa・s以上であり、通常1000mPa・s以下、好ましくは100mPa・s以下、より好ましくは20mPa・s以下である。
{viscosity}
Regarding the viscosity of the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, when the viscosity is extremely low, for example, coating surface non-uniformity due to excessive liquid film flow in the coating and drying process, nozzle ejection instability in inkjet film formation, etc. In the case of extremely high viscosity, for example, uneven coating surface due to poor leveling property in the coating and drying process, nozzle non-ejection in ink jet film formation, and the like are likely to occur. Therefore, the viscosity of the composition of the present invention at 23 ° C. is usually 1 mPa · s or more, preferably 3 mPa · s or more, more preferably 5 mPa · s or more, and usually 1000 mPa · s or less, preferably 100 mPa · s or less. More preferably, it is 20 mPa · s or less.

{表面張力}
有機電界発光素子用組成物の表面張力が高過ぎる場合は、基板に対する組成物の濡れ性が低下しハジキ等の欠陥や広がりの不良等が生じ易く、また低過ぎる場合は塗布乾燥工程におけるレベリング性不良による塗面不均一や、インクジェット成膜における吐出の安定性不良等が起こりやすくなるため、本発明の組成物の23℃における表面張力は、通常60mN/m以下、好ましくは50mN/m以下、より好ましくは40mN/m以下、通常10mN/m以上、好ましくは15mN/m以下、より好ましくは20mN/m以上である。
{surface tension}
If the surface tension of the composition for the organic electroluminescent device is too high, the wettability of the composition with respect to the substrate is reduced, and defects such as repellency and poor spread are likely to occur. The surface tension at 23 ° C. of the composition of the present invention is usually 60 mN / m or less, preferably 50 mN / m or less, because unevenness of the coating surface due to defects, poor ejection stability in inkjet film formation, etc. are likely to occur. More preferably, it is 40 mN / m or less, usually 10 mN / m or more, preferably 15 mN / m or less, more preferably 20 mN / m or more.

{蒸気圧}
有機電界発光素子用組成物の蒸気圧が高過ぎる場合は、溶媒の蒸発による溶質濃度の変化等の問題が起こりやすくなり、また凝集物の発生によりインクジェット成膜における吐出安定性の不良、すなわち飛翔の曲がりやノズルの詰まりが発生する場合がある。このため、本発明の組成物の23℃における蒸気圧は、通常50mmHg以下、好ましくは10mmHg以下、より好ましくは1mmHg以下、さらに好ましくは0.1mmHg以下である。
{Vapor pressure}
When the vapor pressure of the composition for organic electroluminescence devices is too high, problems such as changes in the solute concentration due to evaporation of the solvent are likely to occur, and the discharge stability in inkjet film formation is poor due to the formation of aggregates, that is, flight. Bending or nozzle clogging may occur. For this reason, the vapor pressure at 23 ° C. of the composition of the present invention is usually 50 mmHg or less, preferably 10 mmHg or less, more preferably 1 mmHg or less, and further preferably 0.1 mmHg or less.

{保存方法}
本発明の有機電界発光素子用組成物は、紫外線の透過を防ぐことのできる容器、例えば、褐色ガラス瓶等に充填し、密栓して保管することが好ましい。保管温度は、通常−30℃以上、好ましくは0℃以上で、通常35℃以下、好ましくは25℃以下である。
{Preservation method}
The composition for an organic electroluminescent element of the present invention is preferably filled in a container capable of preventing the transmission of ultraviolet rays, for example, a brown glass bottle, and sealed and stored. The storage temperature is usually −30 ° C. or higher, preferably 0 ° C. or higher, and usually 35 ° C. or lower, preferably 25 ° C. or lower.

{発光層形成用有機電界発光素子用組成物}
前述の如く、本発明の有機電界発光素子用組成物は、発光材料を含む、発光層形成用組成物として好適である。
以下、本発明の有機電界発光素子用組成物を、発光層形成用に使用する場合について説明する。
本発明の有機電界発光素子用組成物に発光材料を含有させて、発光層形成用として使用する場合、さらに正孔輸送性化合物、或いは、電子輸送性化合物を含有することが好ましい。本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される、すなわち、有機電界発光素子用組成物を用いて形成された本発明の有機電界発光素子の発光層に含有される発光材料、正孔輸送性化合物、および電子輸送性化合物は不純物が少ないことから、低分子化合物であることが好ましい。
{Composition for organic electroluminescence device for forming light emitting layer}
As described above, the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is suitable as a composition for forming a light emitting layer containing a light emitting material.
Hereinafter, the case where the composition for organic electroluminescent elements of this invention is used for light emitting layer formation is demonstrated.
When the composition for organic electroluminescent elements of the present invention contains a light emitting material and is used for forming a light emitting layer, it is preferable to further contain a hole transporting compound or an electron transporting compound. The light emitting material contained in the organic electroluminescence device of the present invention, that is, the light emitting material contained in the light emitting layer of the organic electroluminescence device of the present invention formed using the composition for organic electroluminescence device, hole transport Since the impurity compound and the electron transport compound have few impurities, it is preferably a low molecular compound.

ここで、発光材料とは、有機電界発光素子において、主として発光する成分を指し、有機電界発光素子におけるドーパント成分に当たる。即ち、有機電界発光素子から発せられる光量(単位:cd/m)の内、通常10〜100%、好ましくは20〜100%、より好ましくは50〜100%、最も好ましくは80〜100%が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。
また、低分子化合物とは、通常、分子量5000以下の化合物である。
Here, the light emitting material refers to a component that mainly emits light in the organic electroluminescent device, and corresponds to a dopant component in the organic electroluminescent device. That is, the amount of light emitted from the organic electroluminescent device (unit: cd / m 2 ) is usually 10 to 100%, preferably 20 to 100%, more preferably 50 to 100%, and most preferably 80 to 100%. If it is identified as light emission from a component material, it is defined as a light emitting material.
The low molecular weight compound is usually a compound having a molecular weight of 5000 or less.

<発光材料>
発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。
<Light emitting material>
Any known material can be applied as the light emitting material. For example, a fluorescent material or a phosphorescent material may be used, but a phosphorescent material is preferable from the viewpoint of internal quantum efficiency.

なお、溶媒への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。   For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is also important to reduce the symmetry and rigidity of the molecules of the luminescent material, or to introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group.

青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。   Examples of fluorescent dyes that emit blue light include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof. Examples of the green fluorescent dye include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of yellow fluorescent dyes include rubrene and perimidone derivatives. Examples of red fluorescent dyes include DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene, etc. Can be mentioned.

燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。)第7〜11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。   As the phosphorescent material, for example, a long-period periodic table (hereinafter, unless otherwise specified, the term “periodic table” refers to the long-period periodic table) selected from the seventh to eleventh groups. And an organometallic complex containing a metal.

燐光性有機金属錯体に含まれる、周期表第7〜11族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記式(III)または式(IV)で表される化合物が挙げられる。   Preferred examples of the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table contained in the phosphorescent organometallic complex include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. Preferred examples of these organometallic complexes include compounds represented by the following formula (III) or formula (IV).

ML(q−j)L′ (III)
(式(III)中、Mは金属を表し、qは上記金属の価数を表す。また、LおよびL′は二座配位子を表す。jは0、1または2の数を表す。)
ML (q−j) L ′ j (III)
(In formula (III), M represents a metal, q represents the valence of the metal, L and L ′ represent a bidentate ligand, and j represents a number of 0, 1 or 2. )

Figure 2008294401
(式(IV)中、Mは金属を表し、Tは炭素原子または窒素原子を表す。R92〜R95は、それぞれ独立に置換基を表す。但し、Tが窒素原子の場合は、R94およびR95は無い。)
Figure 2008294401
(In the formula (IV), M 7 represents a metal, T represents a carbon atom or a nitrogen atom. R 92 to R 95 each independently represents a substituent. However, when T is a nitrogen atom, R 7 94 and R 95 are not.)

以下、まず、式(III)で表される化合物について説明する。式(III)中、Mは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表第7〜11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。   Hereinafter, the compound represented by the formula (III) will be described first. In formula (III), M represents an arbitrary metal, and specific examples of preferable ones include the metals described above as metals selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.

また、式(III)中、二座配位子Lは、以下の部分構造を有する配位子を示す。

Figure 2008294401
(上記Lの部分構造において、環A1は、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。) Moreover, in formula (III), the bidentate ligand L shows the ligand which has the following partial structures.
Figure 2008294401
(In the partial structure of L, ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)

該芳香族炭化水素基としては、5または6員環の単環または2〜5縮合環が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環由来の1価の基などが挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon group include a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring. Specific examples include monovalent groups derived from a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, fluorene ring, etc. Is mentioned.

該芳香族複素環基としては、5または6員環の単環または2〜4縮合環が挙げられる。具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環由来の1価の基などが挙げられる。   Examples of the aromatic heterocyclic group include a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-4 condensed ring. Specific examples include furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, Thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring , Sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, monovalent group derived from an azulene ring, and the like.

また、上記Lの部分構造において、環A2は、置換基を有していてもよい、含窒素芳香族複素環基を表す。   In the partial structure of L, ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

該含窒素芳香族複素環基としては、5または6員環の単環または2〜4縮合環由来の基が挙げられる。具体例としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、フロピロール環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環由来の1価の基などが挙げられる。   Examples of the nitrogen-containing aromatic heterocyclic group include groups derived from a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-4 condensed ring. Specific examples include pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, furopyrrole ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring. , Benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone Examples thereof include a monovalent group derived from a ring.

環A1または環A2がそれぞれ有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子;アルキル基;アルケニル基;アルコキシカルボニル基;アルコキシ基;アリールオキシ基;ジアルキルアミノ基;ジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アシル基;ハロアルキル基;シアノ基;芳香族炭化水素基等が挙げられる。   Examples of the substituent that each of ring A1 and ring A2 may have include a halogen atom; an alkyl group; an alkenyl group; an alkoxycarbonyl group; an alkoxy group; an aryloxy group; a dialkylamino group; Acyl group; haloalkyl group; cyano group; aromatic hydrocarbon group and the like.

また、式(III)中、二座配位子L′は、以下の部分構造を有する配位子を示す。但し、以下の式において、「Ph」はフェニル基を表す。   In the formula (III), the bidentate ligand L ′ represents a ligand having the following partial structure. However, in the following formulae, “Ph” represents a phenyl group.

Figure 2008294401
Figure 2008294401

中でも、L′としては、錯体の安定性の観点から、以下に挙げる配位子が好ましい。   Among these, as L ′, the following ligands are preferable from the viewpoint of the stability of the complex.

Figure 2008294401
Figure 2008294401

式(III)で表される化合物として、更に好ましくは、下記式(IIIa),(IIIb),(IIIc)で表される化合物が挙げられる。   More preferable examples of the compound represented by the formula (III) include compounds represented by the following formulas (IIIa), (IIIb), and (IIIc).

Figure 2008294401
(式(IIIa)中、Mは、Mと同様の金属を表し、wは、上記金属の価数を表し、環A1は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環A2は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。)
Figure 2008294401
(In formula (IIIa), M 4 represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, and ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

Figure 2008294401
(式(IIIb)中、Mは、Mと同様の金属を表し、wは、上記金属の価数を表し、環A1は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、環A2は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。)
Figure 2008294401
(In formula (IIIb), M 5 represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, and ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group or aromatic group which may have a substituent. Represents a heterocyclic group, and ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)

Figure 2008294401
(式(IIIc)中、Mは、Mと同様の金属を表し、wは、上記金属の価数を表し、jは、0、1または2を表し、環A1および環A1′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、環A2および環A2′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。)
Figure 2008294401
(In formula (IIIc), M 6 represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, j represents 0, 1 or 2, and ring A1 and ring A1 ′ each represent Independently represents an optionally substituted aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group, and ring A2 and ring A2 ′ are each independently a nitrogen-containing aromatic optionally having a substituent. Represents a heterocyclic group.)

上記式(IIIa),(IIIb),(IIIc)において、環A1および環A1′の好ましい例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。   In the above formulas (IIIa), (IIIb) and (IIIc), preferred examples of ring A1 and ring A1 ′ include phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthryl group, thienyl group, furyl group, benzothienyl group, benzofuryl group. Group, pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, carbazolyl group and the like.

上記式(IIIa)〜(IIIc)において、環A2および環A2′の好ましい例としては、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。   In the above formulas (IIIa) to (IIIc), preferred examples of ring A2 and ring A2 ′ include pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, An isoquinolyl group, a quinoxalyl group, a phenanthridyl group, and the like can be given.

上記式(IIIa)〜(IIIc)で表される化合物が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子;アルキル基;アルケニル基;アルコキシカルボニル基;アルコキシ基;アリールオキシ基;ジアルキルアミノ基;ジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アシル基;ハロアルキル基;シアノ基等が挙げられる。   Examples of the substituent that the compounds represented by the formulas (IIIa) to (IIIc) may have include a halogen atom; an alkyl group; an alkenyl group; an alkoxycarbonyl group; an alkoxy group; an aryloxy group; A diarylamino group; a carbazolyl group; an acyl group; a haloalkyl group; a cyano group, and the like.

なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環A1が有する置換基と環A2が有する置換基とが結合するか、または、環A1′が有する置換基と環A2′が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環としては、7,8−ベンゾキノリン基等が挙げられる。   These substituents may be connected to each other to form a ring. As a specific example, a substituent of the ring A1 and a substituent of the ring A2 are bonded, or a substituent of the ring A1 ′ and a substituent of the ring A2 ′ are bonded. Two fused rings may be formed. Examples of such a condensed ring include a 7,8-benzoquinoline group.

中でも、環A1、環A1′、環A2および環A2′の置換基として、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。   Among these, as a substituent for ring A1, ring A1 ′, ring A2 and ring A2 ′, an alkyl group, alkoxy group, aromatic hydrocarbon group, cyano group, halogen atom, haloalkyl group, diarylamino group, carbazolyl are more preferable. Groups.

また、式(IIIa)〜(IIIc)におけるM〜Mの好ましい例としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。 In addition, preferable examples of M 4 to M 6 in the formulas (IIIa) to (IIIc) include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, or gold.

上記式(III)および(IIIa)〜(IIIc)で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない。   Specific examples of the organometallic complexes represented by the above formulas (III) and (IIIa) to (IIIc) are shown below, but are not limited to the following compounds.

Figure 2008294401
Figure 2008294401

Figure 2008294401
Figure 2008294401

Figure 2008294401
Figure 2008294401

上記式(III)で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Lおよび/またはL′
として2−アリールピリジン系配位子、即ち、2−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、および、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
Among the organometallic complexes represented by the above formula (III), in particular, the ligand L and / or L ′
As the compound, a 2-arylpyridine ligand, that is, a compound having 2-arylpyridine, an arbitrary substituent bonded thereto, and a compound obtained by condensing an arbitrary group thereto is preferable.

また、国際特許公開第2005/019373号明細書に記載の化合物も、発光材料として使用することが可能である。   The compounds described in International Patent Publication No. 2005/019373 can also be used as the light emitting material.

次に、式(IV)で表される化合物について説明する。
式(IV)中、Mは金属を表す。具体例としては、周期表第7〜11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。
Next, the compound represented by formula (IV) will be described.
In formula (IV), M 7 represents a metal. Specific examples include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among these, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold is preferable, and divalent metals such as platinum and palladium are particularly preferable.

また、式(IV)において、R92およびR93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。 In the formula (IV), R 92 and R 93 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, Represents an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group;

更に、Tが炭素原子の場合、R94およびR95は、それぞれ独立に、R92およびR93と同様の例示物で表される置換基を表す。また、Tが窒素原子の場合は、R94およびR95は無い。 Further, when T is carbon atom, R 94 and R 95 each independently represents a substituent represented by the same exemplary compounds and R 92 and R 93. Also, if T is a nitrogen atom, R 94 and R 95 is not.

また、R92〜R95は、更に置換基を有していてもよい。置換基を有する場合、その種類に特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
更に、R92〜R95のうち任意の2つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。
R 92 to R 95 may further have a substituent. When it has a substituent, there is no restriction | limiting in particular in the kind, Arbitrary groups can be made into a substituent.
Further, any two or more groups of R 92 to R 95 may be connected to each other to form a ring.

式(IV)で表される有機金属錯体の具体例(T−1、T−10〜T−15)を以下に示すが、下記の例示物に限定されるものではない。また、以下の化学式において、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。   Specific examples (T-1, T-10 to T-15) of the organometallic complex represented by the formula (IV) are shown below, but are not limited to the following examples. In the following chemical formulae, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.

Figure 2008294401
Figure 2008294401

本発明において、発光材料として用いる化合物の分子量は、通常10000以下、好ましくは5000以下、より好ましくは4000以下、更に好ましくは3000以下、また、通常100以上、好ましくは200以上、より好ましくは300以上、更に好ましくは400以上の範囲である。発光材料の分子量が上記下限を下回ると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりするため、好ましくない。発光材料の分子量が上記上限を超えると、有機化合物の精製が困難となったり、溶媒に溶解させる際に時間を要する可能性が高いため、好ましくない。   In the present invention, the molecular weight of the compound used as the light emitting material is usually 10,000 or less, preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, still more preferably 3000 or less, and usually 100 or more, preferably 200 or more, more preferably 300 or more. More preferably, the range is 400 or more. If the molecular weight of the luminescent material is lower than the lower limit, the heat resistance is remarkably reduced, gas is generated, the film quality is deteriorated when the film is formed, or the morphology of the organic electroluminescent element due to migration or the like. It is not preferable because it causes change. If the molecular weight of the light emitting material exceeds the above upper limit, it is not preferable because it is difficult to purify the organic compound or it takes time to dissolve the organic compound in a solvent.

なお、発光層は、上に説明した各種の発光材料のうち、何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併有していてもよい。   In addition, the light emitting layer may contain any 1 type among various light-emitting materials demonstrated above, and may have 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.

<正孔輸送性化合物および電子輸送性化合物>
正孔輸送性化合物、特に低分子系の正孔輸送性化合物の例としては、前述の正孔輸送層の正孔輸送性化合物として例示した各種の化合物の他、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルに代表される、2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4’,4”−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(Journal of Luminescence,1997年,Vol.72-74,pp.985)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chemical Communications,1996年,pp.2175)、2,2’,7,7’−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synthetic Metals,1997年,Vol.91,pp.209)等が挙げられる。
<Hole transporting compound and electron transporting compound>
Examples of the hole transporting compound, in particular, a low molecular weight hole transporting compound include various compounds exemplified as the hole transporting compound of the above-described hole transporting layer, and 4,4′-bis [N An aromatic diamine represented by-(1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl and containing two or more tertiary amines and having two or more condensed aromatic rings substituted with nitrogen atoms (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234811) Gazette), 4,4 ′, 4 ″ -tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine and other aromatic amine compounds having a starburst structure (Journal of Luminescence, 1997, Vol. 72-74, pp. 985), an aromatic amine compound comprising a tetramer of triphenylamine (Chemical Communications, 1996, pp. 2175), 2,2 ′, 7,7′-tetrakis- (diphenylamino) -9,9′- Spiro compounds such as spirobifluorene (S ynthetic Metals, 1997, Vol.91, pp.209).

電子輸送性化合物、特に低分子系の電子輸送性化合物の例としては、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール(BND)や、2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(PyPySPyPy)や、バソフェナントロリン(BPhen)や、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP、バソクプロイン)、2−(4−ビフェニリル)−5−(p−ターシャルブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(tBu−PBD)や、4,4’−ビス(9−カルバゾール)−ビフェニル(CBP)等が挙げられる。   Examples of electron transport compounds, particularly low molecular weight electron transport compounds, include 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole (BND), 2,5-bis ( 6 ′-(2 ′, 2 ″ -bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole (PyPySPyPy), bathophenanthroline (BPhen), 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl- 1,10-phenanthroline (BCP, bathocuproine), 2- (4-biphenylyl) -5- (p-tertiarybutylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (tBu-PBD), 4,4 ′ -Bis (9-carbazole) -biphenyl (CBP) and the like.

これら正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物は発光層においてホスト材料として使用されることが好ましい。   These hole transporting compounds and electron transporting compounds are preferably used as host materials in the light emitting layer.

<発光材料/ホスト材料比>
本発明の有機電界発光素子用組成物において、前述の発光材料と、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物のホスト材料の重量混合比(発光材料/ホスト材料)は、通常、0.1/99.9以上であり、より好ましくは0.5/99.5以上であり、更に好ましくは1/99以上であり、最も好ましくは2/98以上で、通常、50/50以下であり、より好ましくは40/60以下であり、更に好ましくは30/70以下であり、最も好ましくは20/80以下である。この比が下限を下回ったり、上限を超えたりすると、発光効率が低下する恐れがある。
<Light emitting material / host material ratio>
In the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, the weight mixing ratio (light emitting material / host material) of the above light emitting material and the host material of the hole transporting compound or electron transporting compound is usually 0.1 / 99.9 or more, more preferably 0.5 / 99.5 or more, still more preferably 1/99 or more, most preferably 2/98 or more, usually 50/50 or less, more Preferably it is 40/60 or less, More preferably, it is 30/70 or less, Most preferably, it is 20/80 or less. If this ratio falls below the lower limit or exceeds the upper limit, the luminous efficiency may decrease.

[有機電界発光素子の製造方法]
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、基板上に陽極、陰極、および該陽極と該陰極の間に配置された有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、該有機層のうちの少なくとも1層を上述の本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成することを特徴とし、特に、有機層の第1の有機層および第2の有機層を隣接して有し、第1の有機層を湿式成膜法により形成した後、該第1の有機層上に、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、第2の有機層を湿式成膜法により形成する方法であることが好ましい。
[Method of manufacturing organic electroluminescent element]
A method for producing an organic electroluminescent element of the present invention is a method for producing an organic electroluminescent element having an anode, a cathode, and an organic layer disposed between the anode and the cathode on a substrate, Of these, at least one layer is formed using the above-described composition for an organic electroluminescence device of the present invention, and in particular, the organic layer has a first organic layer and a second organic layer adjacent to each other. After the first organic layer is formed by a wet film forming method, the second organic layer is formed on the first organic layer by the wet film forming method using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention. A method of forming is preferable.

本発明の有機電界発光素子の製造方法において、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成される有機層は、陽極と陰極の間に配置された有機層であれば、いずれの層であってもよいが、特に発光層であることが好ましい。   In the method for producing an organic electroluminescent element of the present invention, any organic layer formed using the composition for an organic electroluminescent element of the present invention may be any layer as long as it is an organic layer disposed between an anode and a cathode. However, a light emitting layer is particularly preferable.

また、前記第1の有機層および第2の有機層は、有機電界発光素子の陽極と陰極の間に配置された隣接する2つの有機層であればいずれでもよいが、第1の有機層が正孔注入層、第2の有機層が発光層であることが好ましい。   The first organic layer and the second organic layer may be any two adjacent organic layers disposed between the anode and the cathode of the organic electroluminescent element, but the first organic layer The hole injection layer and the second organic layer are preferably light emitting layers.

この場合、第2の有機層を形成する有機電界発光素子用組成物は、第1の有機層を溶解しないことが好ましい。2層間の材料が混合してしまうと各層の材料の機能が十分に引き出せない恐れがあるからである。
特に、第1の有機層が正孔注入層、第2の有機層が発光層である場合、正孔注入層が、発光層を形成する本発明の有機電界発光素子用組成物に溶解しないことが好ましい。
In this case, it is preferable that the composition for organic electroluminescent elements forming the second organic layer does not dissolve the first organic layer. This is because if the materials between the two layers are mixed, the functions of the materials of each layer may not be sufficiently extracted.
In particular, when the first organic layer is a hole injection layer and the second organic layer is a light emitting layer, the hole injection layer does not dissolve in the composition for an organic electroluminescent element of the present invention forming the light emitting layer. Is preferred.

例えば、本発明の有機電界素子用組成物を用いて、正孔注入層上に発光層を形成した場合、下記溶解性試験により算出した正孔注入層の残存膜厚率が80%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましく、残存膜厚率はさらに好ましくは95%以上である。この場合、正孔注入層を形成する組成物の溶媒としては、芳香族系溶媒などを用いることが好ましい。芳香族系溶媒の具体例としては下記正孔注入層の説明に詳述の通りである。   For example, when the light emitting layer is formed on the hole injection layer using the composition for an organic electric field element of the present invention, the remaining film thickness ratio of the hole injection layer calculated by the following solubility test is 80% or more. Preferably, it is 90% or more, and the remaining film thickness ratio is more preferably 95% or more. In this case, an aromatic solvent or the like is preferably used as a solvent for the composition forming the hole injection layer. Specific examples of the aromatic solvent are described in detail in the description of the hole injection layer below.

溶解性試験は下記(1)〜(8)の工程により実施される。   The solubility test is performed by the following steps (1) to (8).

(1) 正孔注入層をガラス基板上に薄膜として成膜する。
(2) (1)の薄膜の一部を削り取り、ガラス基板と薄膜との間に段差を形成する(薄膜の厚さ方向の断面を表出させる。)。
(3) (2)で形成した段差を触針式の膜厚計にて測定し正孔注入層の初期膜厚を決定する。
(4) (3)で初期膜厚を決定した正孔注入層付きガラス基板をスピンコーターに設置し、正孔注入層上に有機電界発光素子用溶媒を滴下して液滴を形成し、10分間液滴を保持する。
(5) 10分間液滴を保持した後、(4)の有機電界発光素子用溶媒をスピンアウトすることで取り除く。
(6) (5)で溶媒を取り除いた正孔注入層付きガラス基板を230℃の温度にて12分間の乾燥を行う。
(7) (6)で乾燥を行った正孔注入層の膜厚を再度触針式の膜厚計にて測定する。
(8) (7)で測定した膜厚を初期膜厚で割り百分率を取ることで残存膜厚率を算出し、残存膜厚率を正孔注入層の溶解性と見積もる。
(1) A hole injection layer is formed as a thin film on a glass substrate.
(2) A part of the thin film of (1) is scraped off to form a step between the glass substrate and the thin film (a cross section in the thickness direction of the thin film is exposed).
(3) The step formed in (2) is measured with a stylus type film thickness meter to determine the initial film thickness of the hole injection layer.
(4) A glass substrate with a hole injection layer whose initial film thickness is determined in (3) is placed on a spin coater, and a solvent for organic electroluminescent elements is dropped on the hole injection layer to form droplets. Hold the drop for a minute.
(5) After holding the droplet for 10 minutes, the solvent for organic electroluminescence device of (4) is removed by spinning out.
(6) The glass substrate with a hole injection layer from which the solvent has been removed in (5) is dried at a temperature of 230 ° C. for 12 minutes.
(7) The thickness of the hole injection layer dried in (6) is measured again with a stylus type film thickness meter.
(8) The remaining film thickness ratio is calculated by dividing the film thickness measured in (7) by the initial film thickness and taking the percentage, and the remaining film thickness ratio is estimated as the solubility of the hole injection layer.

なお、具体的な正孔注入層の成膜方法、発光層の成膜方法は、以下の[有機電界発光素子]の項で説明する通りである。   The specific method for forming the hole injection layer and the method for forming the light emitting layer are as described in the section of [Organic electroluminescent device] below.

[有機電界発光素子]
本発明の有機電界発光素子は、上述の本発明の有機電界発光素子の製造方法で製造されたものであり、従って、基板上に陽極、陰極、および該陽極と該陰極の間に配置された有機層を有し、該有機層のうちの少なくとも1層が、上記本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層であるものであり、特に、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層が正孔注入層上の発光層であることが好ましい。
[Organic electroluminescence device]
The organic electroluminescent device of the present invention is manufactured by the above-described method for manufacturing an organic electroluminescent device of the present invention, and is therefore disposed on a substrate, between an anode and a cathode, and between the anode and the cathode. It has an organic layer, and at least one of the organic layers is a layer formed using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, and in particular, the organic electroluminescent element of the present invention. It is preferable that the layer formed using the composition for light emission is a light emitting layer on the hole injection layer.

以下に本発明の有機電界発光素子について、図面を参照して説明する。   Hereinafter, the organic electroluminescent device of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明の有機電界発光素子に好適な構造例を示す断面の模式図の一例であり、図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は発光層、5は正孔阻止層、6は電子輸送層、7は電子注入層、8は陰極を各々表す。   FIG. 1 is an example of a schematic cross-sectional view showing a structural example suitable for the organic electroluminescence device of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a light emitting layer, 5 represents a hole blocking layer, 6 represents an electron transport layer, 7 represents an electron injection layer, and 8 represents a cathode.

[1]基板
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
[1] Substrate The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and quartz or glass plates, metal plates, metal foils, plastic films, sheets, and the like are used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

[2]陽極
基板1上には陽極2が設けられる。陽極2は発光層側の層(正孔注入層3または発光層4など)への正孔注入の役割を果たすものである。
[2] Anode An anode 2 is provided on the substrate 1. The anode 2 plays a role of hole injection into a layer on the light emitting layer side (such as the hole injection layer 3 or the light emitting layer 4).

この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。   This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or A conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline is used.

陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。   In general, the anode 2 is often formed by sputtering, vacuum deposition, or the like. In addition, when forming an anode using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, or conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution is used. The anode 2 can also be formed by dispersing and coating the substrate 1. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。   The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.

陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。   The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.

陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。   The surface of the anode is treated with ultraviolet (UV) / ozone, oxygen plasma, or argon plasma for the purpose of removing impurities adhering to the anode and adjusting the ionization potential to improve hole injection. Is preferred.

[3]正孔注入層
正孔注入層3は陽極2から発光層4へ正孔を輸送する層であるため、正孔注入層3には正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがさらに好ましい。さらに、必要に応じて、正孔注入層3には電荷のトラップになりにくいバインダー樹脂や、塗布性改良剤を含んでいてもよい。
[3] Hole injection layer Since the hole injection layer 3 is a layer for transporting holes from the anode 2 to the light emitting layer 4, the hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound. More preferably, it contains a transporting compound and an electron accepting compound. Furthermore, the hole injection layer 3 may contain a binder resin that does not easily trap charges and a coating property improving agent as necessary.

特に、正孔注入層3として、電子受容性化合物のみ、或いは電子受容性化合物と正孔輸送性化合物を用いて湿式成膜法によって陽極2上に成膜し、その上から直接、本発明の有機電界発光素子用組成物を湿式成膜法により形成することが好ましい。   In particular, as the hole injection layer 3, a film is formed on the anode 2 by a wet film formation method using only an electron-accepting compound or an electron-accepting compound and a hole-transporting compound. It is preferable to form the composition for organic electroluminescent elements by a wet film-forming method.

(正孔輸送性化合物)
正孔輸送性化合物としては、4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。
正孔輸送性化合物の例としては、上記本発明の有機電界発光素子用組成物に含有されていてもよい正孔輸送性化合物として例示した化合物の他、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。
芳香族アミン化合物の中でも、特に、芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
(Hole transporting compound)
As the hole transporting compound, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV is preferable.
Examples of the hole transporting compound include aromatic amine compounds, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, in addition to the compounds exemplified as the hole transporting compound that may be contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention. , Oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives and the like. Of these, aromatic amine compounds are preferred from the viewpoints of amorphousness and visible light transmittance.
Of the aromatic amine compounds, aromatic tertiary amine compounds are particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.

芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型有機化合物)が更に好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式(VII)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。   The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerization organic compound in which repeating units are linked) is more preferable from the viewpoint of the surface smoothing effect. Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following general formula (VII).

Figure 2008294401
(一般式(VII)中、Ar21,Ar22は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar23〜Ar25は、各々独立して、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を表す。Yは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ar21〜Ar25のうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。)
Figure 2008294401
(上記各式中、Ar31〜Ar41は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、または置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の1価または2価の基を表す。R101およびR102は、各々独立して、水素原子または任意の置換基を表す。))
Figure 2008294401
(In the general formula (VII), Ar 21 and Ar 22 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 23 to Ar 25 each independently represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a divalent aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Y represents a linking group selected from the following group of linking groups, and among Ar 21 to Ar 25 , two groups bonded to the same N atom are bonded to each other to form a ring. May be.)
Figure 2008294401
(In the above formulas, Ar 31 to Ar 41 are each independently 1 derived from an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic ring which may have a substituent. And R 101 and R 102 each independently represents a hydrogen atom or an optional substituent.)

Ar21〜Ar25およびAr31〜Ar41としては、任意の芳香族炭化水素環または芳香族複素環由来の、1価または2価の基が適用可能である。これらは各々同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、任意の置換基を有していてもよい。 As Ar 21 to Ar 25 and Ar 31 to Ar 41 , any monovalent or divalent group derived from any aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is applicable. These may be the same or different from each other. Moreover, you may have arbitrary substituents.

その芳香族炭化水素環としては、5または6員環の単環または2〜5縮合環が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などが挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon ring include a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring. Specific examples include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, fluorene ring and the like.

また、その芳香族複素環としては、5または6員環の単環または2〜4縮合環が挙げられる。具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などが挙げられる。   The aromatic heterocycle includes a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-4 condensed ring. Specific examples include furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, Thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring , Synoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring and the like.

また、Ar23〜Ar25、Ar31〜Ar35、Ar37〜Ar40としては、上に例示した1種類または2種類以上の芳香族炭化水素環および/または芳香族複素環由来の2価の基を2つ以上連結して用いることもできる。 Moreover, as Ar < 23 > -Ar < 25 >, Ar < 31 > -Ar < 35 >, Ar < 37 > -Ar < 40 >, the bivalent origin derived from the 1 type or 2 types or more of aromatic hydrocarbon ring and / or aromatic heterocycle which were illustrated above is shown. Two or more groups may be linked and used.

Ar21〜Ar25およびAr31〜Ar41の芳香族炭化水素環および/または芳香族複素環由来の基は、更に置換基を有していてもよい。
これらの置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。置換基の種類は特に制限されないが、例としては、次の置換基群Dから選ばれる1種または2種以上が挙げられる。
The group derived from the aromatic hydrocarbon ring and / or aromatic heterocycle of Ar 21 to Ar 25 and Ar 31 to Ar 41 may further have a substituent.
The molecular weight of these substituents is usually 400 or less, preferably about 250 or less. The type of the substituent is not particularly limited, and examples thereof include one or more selected from the following substituent group D.

[置換基群D]
メチル基、エチル基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは8以下のアルキル基;ビニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは5以下のアルケニル基;エチニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは5以下のアルキニル基;メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは6以下のアルコキシ基;フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上、通常25以下、好ましくは14以下のアリールオキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは7以下のアルコキシカルボニル基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常2以上、通常20以下、好ましくは12以下のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N−カルバゾリル基等の、炭素数が通常10以上、好ましくは12以上、通常30以下、好ましくは22以下のジアリールアミノ基;フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常6以上、好ましくは7以上、通常25以下、好ましくは17以下のアリールアルキルアミノ基;アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常2以上、通常10以下、好ましくは7以下のアシル基;フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;トリフルオロメチル基等の、炭素数が通常1以上、通常8以下、好ましくは4以下のハロアルキル基;メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは6以下のアルキルチオ基;フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上、通常25以下、好ましくは14以下のアリールチオ基;トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシリル基;トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシロキシ基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常6以上、通常30以下、好ましくは18以下の芳香族炭化水素環基;チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常3以上、好ましくは4以上、通常28以下、好ましくは17以下の芳香族複素環基。
[Substituent group D]
An alkyl group having usually 1 or more, usually 10 or less, preferably 8 or less, such as a methyl group or an ethyl group; an alkenyl group having 2 or more, usually 11 or less, preferably 5 or less carbon atoms, such as a vinyl group. An alkynyl group having usually 2 or more, usually 11 or less, preferably 5 or less, such as an ethynyl group; an alkoxy having a carbon number of usually 1 or more, usually 10 or less, preferably 6 or less, such as a methoxy group or an ethoxy group; A group; an aryloxy group such as a phenoxy group, a naphthoxy group, a pyridyloxy group, etc., usually 4 or more, preferably 5 or more, usually 25 or less, preferably 14 or less; a carbon such as a methoxycarbonyl group or an ethoxycarbonyl group An alkoxycarbonyl group having a number of usually 2 or more, usually 11 or less, preferably 7 or less; a dimethylamino group, a diethylamino group or the like, and usually having 2 or more carbon atoms Usually 20 or less, preferably 12 or less dialkylamino group; diphenylamino group, ditolylamino group, N-carbazolyl group, etc., and usually diarylamino having 10 or more carbon atoms, preferably 12 or more, usually 30 or less, preferably 22 or less Group: an arylalkylamino group having 6 or more carbon atoms, preferably 7 or more, usually 25 or less, preferably 17 or less, such as a phenylmethylamino group; an acetyl group, a benzoyl group or the like, and usually having 2 or more carbon atoms, Usually an acyl group of 10 or less, preferably 7 or less; a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom; a haloalkyl group having a carbon number of usually 1 or more, usually 8 or less, preferably 4 or less, such as a trifluoromethyl group; An alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, preferably 6 or less, preferably 6 or less; An arylthio group having usually 4 or more, preferably 5 or more, usually 25 or less, preferably 14 or less, such as a ruthio group, a naphthylthio group, or a pyridylthio group; Or more, preferably 3 or more, usually 33 or less, preferably 26 or less silyl group; trimethylsiloxy group, triphenylsiloxy group, etc., the carbon number is usually 2 or more, preferably 3 or more, usually 33 or less, preferably 26 or less. A siloxy group; a cyano group; an aromatic hydrocarbon ring group having usually 6 or more, usually 30 or less, preferably 18 or less, such as a phenyl group or a naphthyl group; a carbon number such as a thienyl group or a pyridyl group. An aromatic heterocyclic group of 3 or more, preferably 4 or more, usually 28 or less, preferably 17 or less.

Ar21、Ar22としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の1価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基が更に好ましい。 Ar 21 and Ar 22 are preferably monovalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene ring, or a pyridine ring from the viewpoint of the solubility, heat resistance, and hole injection / transport properties of the polymer compound. More preferred are a phenyl group and a naphthyl group.

また、Ar23〜Ar25としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の2価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基が更に好ましい。 Ar 23 to Ar 25 are preferably divalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a phenanthrene ring from the viewpoint of heat resistance and hole injection / transport properties including redox potential. More preferably a group, a biphenylene group, or a naphthylene group.

101、R102としては、水素原子または任意の置換基が適用可能である。これらは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。置換基の種類は、特に制限されないが、適用可能な置換基を例示するならば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ハロゲン原子が挙げられる。これらの具体例としては、前記の置換基群Dにおいて例示した各基が挙げられる。 As R 101 and R 102 , a hydrogen atom or an arbitrary substituent is applicable. These may be the same or different from each other. The type of the substituent is not particularly limited, and examples of applicable substituents include alkyl groups, alkenyl groups, alkynyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxy groups, aromatic hydrocarbon groups, aromatic heterocyclic rings. Group and halogen atom. Specific examples thereof include the groups exemplified in the above substituent group D.

一般式(VII)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であり、例えば下記構造式で表される化合物(P1)が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。   Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (VII) include those described in WO2005 / 089024, and preferred examples thereof are also the same. Although the compound (P1) represented by Structural Formula is mentioned, it is not limited to them at all.

Figure 2008294401
Figure 2008294401

他の芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式(VIII)および/または一般式(IX)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられる。   Preferable examples of the other aromatic tertiary amine polymer compounds include polymer compounds containing a repeating unit represented by the following general formula (VIII) and / or general formula (IX).

Figure 2008294401
(一般式(VIII)、(IX)中、Ar45,Ar47およびAr48は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar44およびAr46は各々独立して、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を表す。また、Ar45〜Ar48のうち、同一のN原子に結合する2つの基は互いに結合して環を形成してもよい。R111〜R113は各々独立して、水素原子または任意の置換基を表す。)
Figure 2008294401
(In the general formulas (VIII) and (IX), Ar 45 , Ar 47 and Ar 48 may each independently have an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a substituent. And each of Ar 44 and Ar 46 independently represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a divalent which may have a substituent. In addition, two groups bonded to the same N atom among Ar 45 to Ar 48 may be bonded to each other to form a ring, and R 111 to R 113 are each independently And represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.)

Ar45,Ar47,Ar48およびAr44、Ar46の具体例、好ましい例、有していてもよい置換基の例および好ましい置換基の例は、それぞれ、Ar21,Ar22およびAr23〜Ar25と同様である。R111〜R113はとして好ましくは水素原子または[置換基群D]に記載されている置換基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族炭化水素基、芳香族炭化水素基である。 Specific examples of Ar 45 , Ar 47 , Ar 48 and Ar 44 , Ar 46 , preferred examples, examples of substituents that may be included and examples of preferred substituents are Ar 21 , Ar 22, and Ar 23 ˜ Same as Ar 25 . R 111 to R 113 are preferably a hydrogen atom or a substituent described in [Substituent group D], more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an amino group, an aromatic hydrocarbon group, It is an aromatic hydrocarbon group.

一般式(VIII)および/または(IX)で表される繰り返し単位を含む芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であるが、何らそれらに限定されるものではない。   Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound containing a repeating unit represented by the general formula (VIII) and / or (IX) include those described in WO2005 / 089024, and preferred examples thereof are also included. Although it is the same, it is not limited to them at all.

また、湿式成膜法により正孔注入層を形成する場合には、種々の溶剤に溶解し易い正孔輸送性化合物が好ましい。溶剤溶解性の点から、芳香族三級アミン化合物としては、例えば、ビナフチル系化合物(特開2004−014187)および非対称1,4−フェニレンジアミン化合物(特開2004−026732)が好ましい。   Moreover, when forming a positive hole injection layer with a wet film-forming method, the positive hole transport compound which is easy to melt | dissolve in a various solvent is preferable. From the viewpoint of solvent solubility, as the aromatic tertiary amine compound, for example, a binaphthyl compound (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-014187) and an asymmetric 1,4-phenylenediamine compound (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-026732) are preferable.

また、従来、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の薄膜形成材料として利用されてきた芳香族アミン化合物の中から、種々の溶剤に溶解し易い化合物を適宜選択してもよい。正孔注入層の正孔輸送性化合物に適用可能な芳香族アミン化合物としては、例えば、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の層形成材料として利用されてきた、従来公知の化合物が挙げられる。例えば、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン等の3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開昭59−194393号公報);4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン化合物(特開平5−234681号公報);トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン化合物(米国特許第4,923,774号);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)ビフェニル−4,4’−ジアミン等の芳香族ジアミン化合物(米国特許第4,764,625号);α,α,α’,α’−テトラメチル−α,α’−ビス(4−ジ(p−トリル)アミノフェニル)−p−キシレン(特開平3−269084号公報);分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体(特開平4−129271号公報);ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物(特開平4−175395号公報);エチレン基で3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開平4−264189号公報);スチリル構造を有する芳香族ジアミン(特開平4−290851号公報);チオフェン基で芳香族3級アミンユニットを連結した化合物(特開平4−304466号公報);スターバースト型芳香族トリアミン化合物(特開平4−308688号公報);ベンジルフェニル化合物(特開平4−364153号公報);フルオレン基で3級アミンを連結した化合物(特開平5−25473号公報);トリアミン化合物(特開平5−239455号公報);ビスジピリジルアミノビフェニル(特開平5−320634号公報);N,N,N−トリフェニルアミン誘導体(特開平6−1972号公報);フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン(特開平7−138562号公報);ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体(特開平7−252474号公報);ヒドラゾン化合物(特開平2−311591号公報);シラザン化合物(米国特許第4,950,950号公報);シラナミン誘導体(特開平6−49079号公報);ホスファミン誘導体(特開平6−25659号公報);キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの芳香族アミン化合物は、必要に応じて2種以上を混合して用いてもよい。   In addition, compounds that are easily dissolved in various solvents may be appropriately selected from aromatic amine compounds that have been conventionally used as a hole injection / transport thin film forming material in organic electroluminescence devices. Examples of the aromatic amine compound applicable to the hole-transporting compound of the hole-injecting layer include conventionally known compounds that have been utilized as a hole-injecting / transporting layer-forming material in organic electroluminescence devices. It is done. For example, an aromatic diamine compound in which a tertiary aromatic amine unit such as 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane is linked (JP 59-194393 A); 4,4′- An aromatic amine compound containing two or more tertiary amines represented by bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl and having two or more condensed aromatic rings substituted with nitrogen atoms No. 5-23481); an aromatic triamine compound having a starburst structure as a derivative of triphenylbenzene (US Pat. No. 4,923,774); N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3- Aromatic diamine compounds such as methylphenyl) biphenyl-4,4′-diamine (US Pat. No. 4,764,625); α, α, α ′, α′-tetramethyl-α, α′- (4-di (p-tolyl) aminophenyl) -p-xylene (Japanese Patent Laid-Open No. 3-269084); sterically asymmetric triphenylamine derivative as a whole molecule (Japanese Patent Laid-Open No. 4-129271); pyrenyl A compound in which a plurality of aromatic diamino groups are substituted on the group (Japanese Patent Laid-Open No. 4-175395); an aromatic diamine compound in which a tertiary aromatic amine unit is linked with an ethylene group (Japanese Patent Laid-Open No. 4-264189); a styryl structure An aromatic diamine having a thiophene group (JP-A-4-290851); a compound in which an aromatic tertiary amine unit is linked by a thiophene group (JP-A-4-304466); a starburst type aromatic triamine compound (JP-A-4-30481) 308688); benzylphenyl compound (Japanese Patent Laid-Open No. 4-364153); Compounds in which thiones are linked (JP-A-5-25473); triamine compounds (JP-A-5-239455); bisdipyridylaminobiphenyl (JP-A-5-320634); N, N, N-triphenylamine Derivatives (JP-A-6-1972); Aromatic diamines having a phenoxazine structure (JP-A-7-138562); Diaminophenylphenanthridine derivatives (JP-A-7-252474); 2-311591); silazane compounds (US Pat. No. 4,950,950); silanamine derivatives (JP-A-6-49079); phosphamine derivatives (JP-A-6-25659); quinacridone compounds, etc. Can be mentioned. These aromatic amine compounds may be used in combination of two or more as required.

また、正孔注入層の正孔輸送性化合物に適用可能なフタロシアニン誘導体またはポルフィリン誘導体の好ましい具体例としては、ポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリンコバルト(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン銅(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン亜鉛(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリンバナジウム(IV)オキシド、5,10,15,20−テトラ(4−ピリジル)−21H,23H−ポルフィリン、29H,31H−フタロシアニン銅(II)、フタロシアニン亜鉛(II)、フタロシアニンチタン、フタロシアニンオキシドマグネシウム、フタロシアニン鉛、フタロシアニン銅(II)、4,4’,4”,4'''−テトラアザ−29H,31H−フタロシアニン等が挙げられる。   Preferred specific examples of the phthalocyanine derivative or porphyrin derivative applicable to the hole transporting compound of the hole injection layer include porphyrin, 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin, 5,10 , 15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin cobalt (II), 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin copper (II), 5,10,15,20-tetraphenyl- 21H, 23H-porphyrin zinc (II), 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin vanadium (IV) oxide, 5,10,15,20-tetra (4-pyridyl) -21H, 23H -Porphyrin, 29H, 31H-phthalocyanine copper (II), phthalocyanine zinc (II), Russia Nin titanium, phthalocyanine oxide magnesium, phthalocyanine lead, phthalocyanine copper (II), 4,4 ', 4 ", 4' '' - tetraaza-29H, 31H-phthalocyanine, and the like.

また、正孔注入層の正孔輸送性化合物として適用可能なオリゴチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、α−ターチオフェンとその誘導体、α−セキシチオフェンとその誘導体、ナフタレン環を含有するオリゴチオフェン誘導体(特開6−256341)等が挙げられる。   Further, preferred specific examples of the oligothiophene derivative applicable as the hole transporting compound of the hole injection layer include α-terthiophene and its derivatives, α-sexithiophene and its derivatives, and oligothiophene containing a naphthalene ring. Derivatives (JP-A-6-256341) and the like.

また、本発明における正孔輸送性化合物として適用可能なポリチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)等が挙げられる。   Further, preferred specific examples of the polythiophene derivative applicable as the hole transporting compound in the present invention include poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), poly (3-hexylthiophene) and the like.

なお、これらの正孔輸送性化合物の分子量は、高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合性化合物)の場合を除いて、通常9000以下、好ましくは5000以下、また、通常200以上、好ましくは400以上の範囲である。正孔輸送性化合物の分子量が高過ぎると合成および精製が困難であり好ましくない一方で、分子量が低過ぎると耐熱性が低くなるおそれがありやはり好ましくない。   The molecular weight of these hole transporting compounds is usually 9000 or less, preferably 5000 or less, and usually 200 or more, preferably 400 or more, except in the case of a polymer compound (a polymerizable compound in which repeating units are continuous). Range. If the molecular weight of the hole transporting compound is too high, synthesis and purification are difficult, which is not preferable. On the other hand, if the molecular weight is too low, the heat resistance may be lowered, which is also not preferable.

正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物の1種または2種以上と、その他の正孔輸送性化合物の1種または2種以上とを併用するのが好ましい。   The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. When two or more hole transporting compounds are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or more of aromatic tertiary amine polymer compounds and one of other hole transporting compounds or Two or more types are preferably used in combination.

(電子受容性化合物)
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
(Electron-accepting compound)
The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. The compound which is the compound of these is further more preferable.

このような電子受容性化合物の例としては、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄(III)(特開平11−251067)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365)等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。   Examples of such electron-accepting compounds include onium salts substituted with organic groups such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067). ), High valent inorganic compounds such as ammonium peroxodisulfate, cyano compounds such as tetracyanoethylene, aromatic boron compounds such as tris (pentafluorophenyl) borane (JP-A-2003-31365), fullerene derivatives, iodine, and the like. It is done.

上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物が好ましく、種々の溶剤に可溶で湿式成膜に適用可能である点で有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物が好ましい。   Of the above-mentioned compounds, onium salts substituted with organic groups and high-valent inorganic compounds are preferable in terms of having strong oxidizing power, and organic groups are preferable in that they are soluble in various solvents and applicable to wet film formation. Substituted onium salts, cyano compounds, and aromatic boron compounds are preferred.

電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であり、例えば下記構造式で表される化合物(A1)が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。   Specific examples of an onium salt substituted with an organic group, a cyano compound, and an aromatic boron compound suitable as an electron-accepting compound include those described in WO 2005/089024, and suitable examples thereof are also the same. Although the compound (A1) represented by following structural formula is mentioned, it is not limited to them at all.

Figure 2008294401
Figure 2008294401

正孔注入層3は、湿式成膜法または真空蒸着法により陽極2上に形成される。   The hole injection layer 3 is formed on the anode 2 by a wet film formation method or a vacuum deposition method.

陽極2として一般的に用いられるITO(インジウム・スズ酸化物)は、その表面粗さが10nm程度の粗さ(Ra)を有するのに加えて、局所的に突起を有することが多く、短絡欠陥を生じ易いという問題があった。陽極2の上に形成される正孔注入層3は湿式成膜法により形成することは、真空蒸着法より形成する場合と比較して、これら陽極表面の凹凸に起因する、素子の欠陥の発生を低減する利点を有する。   ITO (indium tin oxide), which is generally used as the anode 2, has a surface roughness of about 10 nm (Ra) and, in addition, often has protrusions locally, resulting in short-circuit defects. There was a problem that it was easy to produce. When the hole injection layer 3 formed on the anode 2 is formed by the wet film forming method, the defect of the element is generated due to the unevenness of the surface of the anode as compared with the case of forming by the vacuum deposition method. Has the advantage of reducing.

湿式成膜法による層形成の場合は、前述した各材料の1種または2種以上の所定量を、必要により電荷のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤を添加して、溶媒に溶解させて、塗布溶液を調製し、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等の湿式成膜法により陽極上に塗布し、乾燥して、正孔注入層3を形成させる。   In the case of layer formation by a wet film-forming method, a predetermined amount of one or more of the above-mentioned materials is added to a binder resin or coating property improving agent that does not become a charge trap if necessary, and dissolved in a solvent. The coating solution is prepared, applied onto the anode by a wet film formation method such as spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, and ink jet method, and dried to form the hole injection layer 3. Let it form.

湿式成膜法による層形成のために用いられる溶媒としては、前述の各材料を溶解することが可能な溶媒であれば、その種類は特に限定されず、有機電界発光素子用組成物に用いられる溶媒であってもよい。   The solvent used for the layer formation by the wet film forming method is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving the above-described materials, and is used for the composition for an organic electroluminescent element. It may be a solvent.

その他の溶媒としては、例えば、芳香族系溶媒、脂肪族系溶媒およびアミド系溶媒が挙げられる。具体的には、芳香族系溶媒としては、1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル;その他、ベンゼン、トルエン、キシレン、酢酸2−フェノキシエチル等が挙げられる。脂肪族系溶媒としては、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル;ジメチルスルホキシド等が挙げられる。アミド系溶媒としてはN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。これらは何れか1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。   Examples of other solvents include aromatic solvents, aliphatic solvents, and amide solvents. Specifically, as the aromatic solvent, 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethyl Aromatic ethers such as anisole and 2,4-dimethylanisole; aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, n-butyl benzoate; and others, benzene, toluene, Examples include xylene and 2-phenoxyethyl acetate. Examples of aliphatic solvents include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); ethyl acetate, n-butyl acetate, ethyl lactate, n-butyl lactate, etc. Aliphatic esters of dimethyl sulfoxide and the like. Examples of the amide solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and the like. Any one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.

また、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは何れか1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。   Examples thereof include aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene, amide solvents such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide. Any one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.

塗布溶液中における溶媒の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50%重量以上、また、通常99.999重量%以下、好ましくは99.99重量%以下、更に好ましくは99.9重量%以下の範囲である。なお、2種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。   The concentration of the solvent in the coating solution is usually 10% by weight or more, preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and usually 99.999% by weight or less, preferably 99.99% by weight or less. Preferably it is the range of 99.9 weight% or less. When two or more kinds of solvents are mixed and used, the total of these solvents is set to satisfy this range.

真空蒸着法による層形成の場合には、前述した各材料の1種または2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極2上に正孔注入層3を形成させる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れて、加熱して蒸発させて正孔注入層形成に用いることもできる。 In the case of forming a layer by vacuum deposition, one or more of the above-mentioned materials are placed in a crucible installed in a vacuum vessel (in the case of using two or more materials, put in each crucible), and vacuum is applied. After evacuating the inside of the container to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump, the crucible is heated (if each kind of material is used, each crucible is heated), and the evaporation amount is controlled to evaporate ( When two or more kinds of materials are used, the evaporation amount is independently controlled to evaporate), and the hole injection layer 3 is formed on the anode 2 of the substrate placed facing the crucible. In addition, when using 2 or more types of materials, they can also be put into a crucible, can be heated and evaporated, and can be used for positive hole injection layer formation.

このようにして形成されるよい正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
なお、正孔注入層3は、これを省略していてもよい。
The film thickness of the hole injection layer 3 that may be formed in this manner is usually in the range of 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.
The hole injection layer 3 may be omitted.

[4]発光層
正孔注入層3の上には通常発光層4が設けられる。発光層4は発光材料を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極2から正孔注入層3を通じて注入された正孔と、陰極6から電子輸送層5を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層4は発光材料(ドーパント)と1種または2種以上のホスト材料を含むことが好ましく、真空蒸着法で形成していてもよいが、本発明の有機電界発光素子用組成物を用い、湿式成膜法によって作製された層であることが特に好ましい。
[4] Light-Emitting Layer A normal light-emitting layer 4 is provided on the hole injection layer 3. The light emitting layer 4 is a layer containing a light emitting material, and between the electrodes to which an electric field is applied, holes injected from the anode 2 through the hole injection layer 3 and electrons injected from the cathode 6 through the electron transport layer 5 It is a layer that is excited by recombination and becomes a main light emitting source. The light-emitting layer 4 preferably contains a light-emitting material (dopant) and one or more host materials, and may be formed by a vacuum deposition method, but the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is used. A layer produced by a wet film formation method is particularly preferred.

発光層に含有される材料としては、上記本発明の有機電界発光素子用組成物を発光層形成用として用いる場合に含まれる材料として説明した、発光材料、正孔輸送性材料および電子輸送性材料が挙げられる。なお、発光層4は、本発明の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいてもよい。   As the material contained in the light emitting layer, the light emitting material, the hole transporting material, and the electron transporting material described as the materials included when the composition for organic electroluminescence device of the present invention is used for forming the light emitting layer. Is mentioned. In addition, the light emitting layer 4 may contain other materials and components as long as the performance of the present invention is not impaired.

一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる為、注入される電流が多くなるので、駆動電圧は低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ITO等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。   In general, when the same material is used in the organic electroluminescent element, the thinner the film thickness between the electrodes, the larger the effective electric field, so that the injected current increases, so the driving voltage decreases. For this reason, the driving voltage of the organic electroluminescence device decreases when the total film thickness between the electrodes is thin, but if it is too thin, a short circuit occurs due to the protrusion caused by the electrode such as ITO. Necessary.

本発明においては、発光層4以外に、正孔注入層3および後述の電子輸送層5等の有機層を有する場合、発光層4と正孔注入層3や電子輸送層5等の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常30nm以上、好ましくは50nm以上であり、更に好ましくは100nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下であり、更に好ましくは300nm以下である。
また、発光層4以外の正孔注入層3や後述の電子注入層5の導電性が高い場合、発光層4に注入される電荷量が増加する為、例えば正孔注入層3の膜厚を厚くして発光層4の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。
In the present invention, in addition to the light emitting layer 4, when the organic layer such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 5 described later is provided, the light emitting layer 4 and other organic materials such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 5 are used. The total film thickness combined with the layer is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less, more preferably 300 nm or less.
In addition, when the conductivity of the hole injection layer 3 other than the light emitting layer 4 and the electron injection layer 5 described later is high, the amount of charge injected into the light emitting layer 4 increases. It is also possible to reduce the drive voltage while increasing the thickness to reduce the thickness of the light emitting layer 4 and maintaining the total thickness to some extent.

よって、発光層4の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。なお、本発明の素子が、陽極2および陰極6の両極間に、発光層4のみを有する場合の発光層4の膜厚は、通常30nm以上、好ましくは50nm以上、通常500nm以下、好ましくは300nm以下である。   Therefore, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 200 nm or less. When the element of the present invention has only the light emitting layer 4 between the anode 2 and the cathode 6, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, usually 500 nm or less, preferably 300 nm. It is as follows.

[5]正孔阻止層
正孔阻止層5は正孔と電子を発光層4内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。即ち、正孔阻止層5は、発光層4から移動してくる正孔が電子輸送層6に到達するのを阻止することで、発光層4内で電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、電子輸送層6から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。特に、発光物質として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合、正孔阻止層5を設けることは効果的である。
[5] Hole blocking layer The hole blocking layer 5 has a function of confining holes and electrons in the light emitting layer 4 and improving the light emission efficiency. That is, the hole blocking layer 5 is generated by increasing the probability of recombination with electrons in the light emitting layer 4 by blocking the holes moving from the light emitting layer 4 from reaching the electron transport layer 6. There is a role of confining excitons in the light emitting layer 4 and a role of efficiently transporting electrons injected from the electron transport layer 6 in the direction of the light emitting layer 4. In particular, when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting substance, it is effective to provide the hole blocking layer 5.

正孔阻止層5は、陽極2から移動してくる正孔を陰極8に到達するのを阻止する役割と、陰極8から注入された電子を率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物により、発光層4の上に、発光層4の陰極8側の界面に接するように積層形成される。   The hole blocking layer 5 prevents the holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 8 and can efficiently transport the electrons injected from the cathode 8 toward the light emitting layer 4. The compound is laminated on the light emitting layer 4 so as to be in contact with the interface on the cathode 8 side of the light emitting layer 4.

正孔阻止層5を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。   The physical properties required of the material constituting the hole blocking layer 5 include high electron mobility, low hole mobility, large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). Is high.

このような条件を満たす正孔阻止層材料としては、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)が挙げられる。   Examples of the hole blocking layer material satisfying such conditions include mixed arrangements of bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. Ligand complexes, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, styryl compounds such as distyrylbiphenyl derivatives ( JP-A-11-242996), triazole derivatives such as 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7-41759) And phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Laid-Open No. 10-79297).

さらに、WO2005/022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も正孔阻止材料として好ましい。   Furthermore, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-positions described in WO2005 / 022962 is also preferable as the hole blocking material.

正孔阻止層5の膜厚は、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上で、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。   The film thickness of the hole blocking layer 5 is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

正孔阻止層5も正孔注入層3と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。   The hole blocking layer 5 can also be formed by the same method as the hole injection layer 3, but a vacuum deposition method is usually used.

後述の電子輸送層6および正孔阻止層5は必要に応じて、適宜設ければよく、1)電子輸送層のみ、2)正孔阻止層のみ、3)正孔阻止層/電子輸送層の積層、4)用いない、等、用法がある。   The electron transport layer 6 and the hole blocking layer 5 described later may be appropriately provided as necessary. 1) Only the electron transport layer, 2) Only the hole block layer, and 3) The hole block layer / electron transport layer There are usages such as stacking, 4) not using, etc.

[6]電子輸送層
電子輸送層6は素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、発光層4と電子注入層7との間に設けられる。
[6] Electron Transport Layer The electron transport layer 6 is provided between the light emitting layer 4 and the electron injection layer 7 for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device.

電子輸送層6は、電界を与えられた電極間において陰極8から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層6に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極8または電子注入層7からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。   The electron transport layer 6 is formed of a compound that can efficiently transport electrons injected from the cathode 8 between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 4. As the electron transporting compound used for the electron transport layer 6, the electron injection efficiency from the cathode 8 or the electron injection layer 7 is high, and the injected electrons having high electron mobility can be efficiently transported. It must be a compound.

このような条件を満たす材料としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−または5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5,645,948号)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。   Materials satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives, Styryl biphenyl derivative, silole derivative, 3- or 5-hydroxyflavone metal complex, benzoxazole metal complex, benzothiazole metal complex, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound No. 207169), phenanthroline derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N′-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type sulfide Examples include zinc and n-type zinc selenide.

電子輸送層6の膜厚は、通常下限は1nm、好ましくは5nm程度であり、上限は通常300nm、好ましくは100nm程度である。   The lower limit of the thickness of the electron transport layer 6 is usually 1 nm, preferably about 5 nm, and the upper limit is usually about 300 nm, preferably about 100 nm.

電子輸送層6は、正孔注入層3と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。   The electron transport layer 6 is formed by laminating on the light emitting layer 4 by a wet film formation method or a vacuum deposition method in the same manner as the hole injection layer 3. Usually, a vacuum deposition method is used.

[7]電子注入層
電子注入層7は陰極8から注入された電子を効率よく発光層4へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行うには、電子注入層7を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましく、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属が用いられる。
[7] Electron Injection Layer The electron injection layer 7 serves to efficiently inject electrons injected from the cathode 8 into the light emitting layer 4. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 7 is preferably a metal having a low work function, and alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium are used.

電子注入層7の膜厚は0.1〜5nmが好ましい。   The film thickness of the electron injection layer 7 is preferably 0.1 to 5 nm.

また、陰極8と発光層4または電子輸送層6との界面にLiF、MgF、LiO、CsCO等の極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Appl.Phys.Lett.,70巻,152頁,1997年;特開平10−74586号公報;IEEETrans.Electron.Devices,44巻,1245頁,1997年;SID 04 Digest,154頁)。 Further, it is possible to insert an ultrathin insulating film (0.1 to 5 nm) such as LiF, MgF 2 , Li 2 O, Cs 2 CO 3 at the interface between the cathode 8 and the light emitting layer 4 or the electron transport layer 6. (Appl. Phys. Lett., 70, 152, 1997; JP-A-10-74586; IEEE Trans. Electron. Devices, 44, 1245, 1997; SID 04 Digest, page 154).

さらに、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。   Furthermore, organic metal transport materials represented by metal complexes such as nitrogen-containing heterocyclic compounds such as bathophenanthroline and aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline described later are doped with alkali metals such as sodium, potassium, cesium, lithium and rubidium. (Described in JP-A-10-270171, JP-A 2002-1000047, JP-A 2002-1000048, and the like) makes it possible to improve electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. Therefore, it is preferable. The film thickness in this case is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

電子注入層7は、発光層4と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層することにより形成される。真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼまたは金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、るつぼまたは金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼまたは金属ボートと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。 The electron injection layer 7 is formed by laminating on the light emitting layer 4 by a wet film forming method or a vacuum vapor deposition method in the same manner as the light emitting layer 4. In the case of the vacuum evaporation method, the evaporation source is put into a crucible or metal boat installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with an appropriate vacuum pump, and then the crucible or metal boat is Heat and evaporate to form an electron injection layer on the substrate placed facing the crucible or metal boat.

アルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行う。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、各々のるつぼおよびディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼおよびディスペンサーと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。 The alkali metal is deposited using an alkali metal dispenser in which nichrome is filled with an alkali metal chromate and a reducing agent. By heating the dispenser in a vacuum container, the alkali metal chromate is reduced and the alkali metal is evaporated. In the case of co-evaporating the organic electron transport material and the alkali metal, the organic electron transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump. Each crucible and dispenser are heated simultaneously to evaporate to form an electron injection layer on the substrate placed facing the crucible and dispenser.

このとき、電子注入層7の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。   At this time, co-evaporation is uniformly performed in the film thickness direction of the electron injection layer 7, but there may be a concentration distribution in the film thickness direction.

なお、電子注入層7は、これを省略してもよい。   The electron injection layer 7 may be omitted.

[8]陰極
陰極8は、発光層側の層(電子注入層7または発光層4など)に電子を注入する役割を果たす。陰極8として用いられる材料は、前記陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
[8] Cathode The cathode 8 plays a role of injecting electrons into a layer on the light emitting layer side (such as the electron injection layer 7 or the light emitting layer 4). The material used for the cathode 8 can be the material used for the anode 2, but a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection, and tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

陰極8の膜厚は通常陽極2と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。   The film thickness of the cathode 8 is usually the same as that of the anode 2. For the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, further laminating a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere on the cathode increases the stability of the device. For this purpose, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum are used.

[9]その他の構成層
以上、図1に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子における陽極2および陰極8と発光層4との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他にも、任意の層を有していてもよく、また発光層4以外の任意の層を省略してもよい。
[9] Other Constituent Layers Although the above description has focused on the element having the layer structure shown in FIG. 1, the performance between the anode 2 and cathode 8 and the light emitting layer 4 in the organic electroluminescent element of the present invention is not limited. In addition to the layers described above, any layer may be included, and any layer other than the light emitting layer 4 may be omitted.

例えば、正孔阻止層5と同様の目的で、正孔注入層3と発光層4の間に電子阻止層を設けることも効果的である。電子阻止層は、発光層4から移動してくる電子が正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層4内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。   For example, it is also effective to provide an electron blocking layer between the hole injection layer 3 and the light emitting layer 4 for the same purpose as the hole blocking layer 5. The electron blocking layer increases the probability of recombination with holes in the light emitting layer 4 by blocking electrons moving from the light emitting layer 4 from reaching the hole injection layer 3, There is a role of confining in the light emitting layer 4 and a role of efficiently transporting holes injected from the hole injection layer 3 in the direction of the light emitting layer 4.

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。また、発光層4を湿式成膜法で形成する場合、電子阻止層も湿式成膜法で形成することが、素子製造が容易となるため、好ましい。   The characteristics required for the electron blocking layer include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Further, when the light emitting layer 4 is formed by a wet film forming method, it is preferable to form the electron blocking layer by a wet film forming method because the device manufacturing becomes easy.

このため、電子阻止層も湿式成膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止層に用いられる材料としては、本発明の電荷輸送材料の他、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(WO2004/084260号公報記載)等が挙げられる。   For this reason, it is preferable that the electron blocking layer also has wet film formation compatibility. As a material used for such an electron blocking layer, in addition to the charge transport material of the present invention, dioctylfluorene represented by F8-TFB and And a copolymer of triphenylamine (described in WO 2004/084260).

また、正孔輸送層を有することが本発明において好ましい。また、前記正孔注入層の正孔輸送性化合物として例示した化合物を用いることもできる。また、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン等の高分子材料を使用してもよい。正孔輸送層は、これらの材料を湿式成膜法または真空蒸着法により正孔注入層上に積層することにより形成される。このようにして形成される正孔輸送層の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは30nmである。但し、通常、300nm以下、好ましくは100nm以下である。   Moreover, it is preferable in this invention to have a positive hole transport layer. Moreover, the compound illustrated as a hole transportable compound of the said positive hole injection layer can also be used. Alternatively, a polymer material such as polyarylene ether sulfone containing polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine, or tetraphenylbenzidine may be used. The hole transport layer is formed by laminating these materials on the hole injection layer by a wet film formation method or a vacuum deposition method. The film thickness of the hole transport layer thus formed is usually 10 nm or more, preferably 30 nm. However, it is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

なお、図1とは逆の構造、即ち、基板1上に陰極8、電子注入層7、電子輸送層6、正孔阻止層5、発光層4、正孔注入層3、陽極2の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。   The structure opposite to that shown in FIG. 1, that is, a cathode 8, an electron injection layer 7, an electron transport layer 6, a hole blocking layer 5, a light emitting layer 4, a hole injection layer 3, and an anode 2 are laminated on the substrate 1 in this order. As described above, the organic electroluminescent element of the present invention can be provided between two substrates, at least one of which is highly transparent.

さらには、図1に示す層構成を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その際には段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合はその2層)の代わりに、例えばV等を電荷発生層(CGL)として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 Further, a structure in which a plurality of layers shown in FIG. 1 are stacked (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interfacial layer (between the light emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, the two layers), for example, V 2 O 5 is used as the charge generation layer (CGL). This is more preferable from the viewpoint of luminous efficiency and driving voltage.

本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。   The present invention can be applied to any of an organic electroluminescent element having a single element, an element having a structure arranged in an array, and a structure having an anode and a cathode arranged in an XY matrix.

次に、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.

(実施例1)
図1に示す有機電界発光素子を作製した。
ガラス基板1上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を120nmの厚さに堆積したもの(三容真空社製、スパッタ成膜品)を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
Example 1
The organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced.
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate 1 with a thickness of 120 nm (manufactured by Sanyo Vacuum Co., Ltd., sputtered film product) using ordinary photolithography technology and hydrochloric acid etching Then, the anode 2 was formed by patterning into stripes having a width of 2 mm. The patterned ITO substrate is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with an aqueous surfactant solution, water cleaning with ultrapure water, ultrasonic cleaning with ultrapure water, and water cleaning with ultrapure water, followed by drying with compressed air, and finally UV irradiation. Ozone cleaning was performed.

まず、以下の構造式(P1)に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子材料2重量%と、以下の構造式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート0.8重量%を、溶媒としての安息香酸エチルに溶解した後、孔径0.2μmのPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製メンブレンフィルターを用いて濾過し、塗布組成物を作製した。この塗布組成物を上記ガラス基板上にスピンコートした。スピンコートは気温23℃、相対湿度60%の大気中で行い、スピナ回転数は1500rpm、スピナ時間は30秒とした。スピンコート後、ホットプレート上で80℃、1分間加熱乾燥した後、オーブンにて常圧大気雰囲気中、230℃で180分間加熱した。このようにして、膜厚30nmの正孔注入層3を形成した。   First, 2% by weight of a hole transporting polymer material having a repeating structure represented by the following structural formula (P1) and 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluoro) represented by the following structural formula (A1) After dissolving 0.8% by weight of phenyl) borate in ethyl benzoate as a solvent, it was filtered using a PTFE (polytetrafluoroethylene) membrane filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a coating composition. This coating composition was spin-coated on the glass substrate. The spin coating was performed in an air atmosphere at a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 60%, the spinner rotation speed was 1500 rpm, and the spinner time was 30 seconds. After spin coating, it was heated and dried on a hot plate at 80 ° C. for 1 minute, and then heated in an oven at 230 ° C. for 180 minutes in an atmospheric atmosphere. In this way, a hole injection layer 3 having a thickness of 30 nm was formed.

Figure 2008294401
Figure 2008294401

次に、下記構造式(C1)で表される化合物1.5重量%、下記構造式(C2)で表される化合物1.5重量%、および、下記構造式(C3)で表される化合物0.15重量%を脂環式ケトン系化合物であるフェンコン(沸点192℃)に溶解させ、孔径0.2μmのPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製メンブレンフィルターを用いて濾過し、本発明の有機電界発光素子用組成物を調製した。この有機電界発光素子用組成物を、先の正孔注入層の上にスピンコートにて塗布し、発光層4を形成した。スピンコートは窒素雰囲気グローブボックス中で行い、スピナ回転数は1500rpm、スピナ時間は30秒とした。塗布後、真空度0.01MPa、130℃で1時間加熱乾燥した。   Next, 1.5% by weight of a compound represented by the following structural formula (C1), 1.5% by weight of a compound represented by the following structural formula (C2), and a compound represented by the following structural formula (C3) The organic electric field of the present invention was prepared by dissolving 0.15% by weight in Fencon (boiling point 192 ° C.), which is an alicyclic ketone compound, and filtering using a PTFE (polytetrafluoroethylene) membrane filter having a pore size of 0.2 μm. A composition for a light emitting device was prepared. This composition for organic electroluminescent elements was applied onto the previous hole injection layer by spin coating to form a light emitting layer 4. Spin coating was performed in a nitrogen atmosphere glove box, the spinner rotation speed was 1500 rpm, and the spinner time was 30 seconds. After the application, it was dried by heating at a vacuum of 0.01 MPa and 130 ° C. for 1 hour.

Figure 2008294401
Figure 2008294401

次に、正孔注入層3と発光層5を湿式成膜法により成膜した基板を真空蒸着装置内に搬入し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が5.0×10−6Torr(6.7×10−4Pa)以下になるまでクライオポンプを用いて排気し、下記構造式(C4)で表される化合物を真空蒸着法によって積層して正孔阻止層5を得た。このとき、蒸着時の真空度は1.2〜2.0×10−6Torr(2.7×10−4Pa)、蒸着速度は0.8〜0.9Å/秒の範囲で制御し、膜厚5nmの膜を発光層4の上に積層して正孔阻止層5を形成した。 Next, the substrate on which the hole injection layer 3 and the light emitting layer 5 are formed by the wet film forming method is carried into a vacuum vapor deposition apparatus, and after the apparatus is roughly evacuated by an oil rotary pump, the degree of vacuum in the apparatus is increased. It is evacuated using a cryopump until the pressure becomes 5.0 × 10 −6 Torr (6.7 × 10 −4 Pa) or less, and a compound represented by the following structural formula (C4) is stacked by a vacuum deposition method. A hole blocking layer 5 was obtained. At this time, the degree of vacuum at the time of vapor deposition is 1.2 to 2.0 × 10 −6 Torr (2.7 × 10 −4 Pa), and the vapor deposition rate is controlled within a range of 0.8 to 0.9 kg / sec. A hole blocking layer 5 was formed by laminating a film having a thickness of 5 nm on the light emitting layer 4.

Figure 2008294401
Figure 2008294401

次いで、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウムを加熱して蒸着を行い、電子輸送層6を成膜した。蒸着時の真空度は1.0〜1.5×10−6Torr(1.3〜2.0×10−4Pa)、蒸着速度は0.8〜1.3Å/秒の範囲で制御し、膜厚30nmの膜を正孔阻止層5の上に積層して電子輸送層6を形成した。 Subsequently, vapor deposition was performed by heating tris (8-hydroxyquinolinate) aluminum to form an electron transport layer 6. The degree of vacuum during vapor deposition is controlled in the range of 1.0 to 1.5 × 10 −6 Torr (1.3 to 2.0 × 10 −4 Pa), and the vapor deposition rate is controlled in the range of 0.8 to 1.3 liters / second. The electron transport layer 6 was formed by laminating a film having a thickness of 30 nm on the hole blocking layer 5.

ここで、電子輸送層6までの蒸着を行った素子を、一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプと直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、有機層蒸着時と同様にして装置内の真空度が1.0×10−4Pa以下になるまで排気した。 Here, the element that has been vapor-deposited up to the electron transport layer 6 is once taken out from the vacuum vapor deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide stripe-shaped shadow mask is used as the cathode vapor deposition mask. The device was placed in close contact with each other so as to be orthogonal to each other, placed in another vacuum vapor deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 1.0 × 10 −4 Pa or less in the same manner as in the organic layer vapor deposition.

電子注入層7として、先ずフッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.1〜0.15Å/秒、真空度2.3〜6.7×10−5Paで制御し、0.5nmの膜厚で電子輸送層6の上に成膜した。次に、陰極8としてアルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.9〜5.0Å/秒、真空度2.5〜15×10−5Paで制御して膜厚80nmのアルミニウム層を形成した。以上の電子注入層7および陰極8の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 As the electron injection layer 7, first, lithium fluoride (LiF) was controlled at a deposition rate of 0.1 to 0.15 liters / second and a degree of vacuum of 2.3 to 6.7 × 10 −5 Pa using a molybdenum boat. The film was formed on the electron transport layer 6 with a film thickness of 0.5 nm. Next, aluminum as a cathode 8 is similarly heated by a molybdenum boat and controlled at a deposition rate of 0.9 to 5.0 liters / second and a degree of vacuum of 2.5 to 15 × 10 −5 Pa. A layer was formed. The substrate temperature during the deposition of the electron injection layer 7 and the cathode 8 was kept at room temperature.

引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂(株式会社スリーボンド製30Y−437)を塗布し、中央部に水分ゲッターシート(ダイニック株式会社製)を設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
Subsequently, in order to prevent the element from being deteriorated by moisture in the atmosphere during storage, a sealing process was performed by the method described below.
In a nitrogen glove box connected to a vacuum vapor deposition device, a photocurable resin (30Y-437 manufactured by ThreeBond Co., Ltd.) with a width of about 1 mm is applied to the outer peripheral portion of a 23 mm × 23 mm size glass plate, and the central portion is applied. A moisture getter sheet (manufactured by Dynic Co., Ltd.) was installed. On this, the board | substrate which complete | finished cathode formation was bonded together so that the vapor-deposited surface might oppose a desiccant sheet. Then, only the area | region where the photocurable resin was apply | coated was irradiated with ultraviolet light, and resin was hardened.
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained.

得られた有機電界発光素子の発光特性と駆動寿命を表1に示す。   Table 1 shows the light emission characteristics and the driving life of the obtained organic electroluminescence device.

なお、表1において、発光輝度保持率は、電流密度250mA/cmでの輝度の経時変化を観察したもので、初期輝度を1とした場合の初期から50秒後における輝度の割合である。また、駆動寿命1〜3は次の通りである。
駆動寿命1:室温で、通電開始時の発光輝度が5000cd/mとなる一定電流値で直流定電流連続通電し、発光輝度が2500cd/mとなったときの通電時間。
駆動寿命2:室温で、通電開始時の発光輝度が2500cd/mとなる一定電流値で直流定電流連続通電し、発光輝度が1250cd/mとなったときの通電時間。
駆動寿命3:室温で、通電開始時の発光輝度が1000cd/mとなる一定電流値で直流定電流連続通電し、発光輝度が500cd/mとなったときの通電時間。
In Table 1, the light emission luminance retention rate is a ratio of luminance after 50 seconds from the initial value when the luminance change with time was observed at a current density of 250 mA / cm 2 when the initial luminance was 1. The driving lifetimes 1 to 3 are as follows.
Driving lifetime 1: room temperature, energization time when light emission luminance at the start of energization constant DC current is continuously energized at a constant current value to be 5000 cd / m 2, luminous brightness became 2500 cd / m 2.
Driving lifetime 2: room temperature, a constant DC current is continuously energized with a constant current emission luminance at the start of energization is 2500 cd / m 2, the energization time when the light emission luminance becomes 1250cd / m 2.
Driving life 3: Current-carrying time when the constant current of direct current is applied at a constant current value at which the light emission luminance is 1000 cd / m 2 at room temperature and the light emission luminance is 500 cd / m 2 at room temperature.

表1に示す如く、脂環式ケトン系化合物であるフェンコンを発光層形成用組成物の溶媒として用いることにより、高輝度、高効率の素子が得られたことが明らかである。   As shown in Table 1, it is apparent that a high-luminance and high-efficiency device was obtained by using Fencon, which is an alicyclic ketone-based compound, as a solvent for the composition for forming a light emitting layer.

(実施例2)
発光層形成用有機電界発光素子用組成物の、脂環式ケトン系化合物としてフェンコンに代わり、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノン(沸点189℃)を用いた以外は、実施例1と同様にして、図1に示す有機電界発光素子を作製した。
(Example 2)
In the same manner as in Example 1, except that 3,3,5-trimethylcyclohexanone (boiling point 189 ° C.) was used in place of Fencon as the alicyclic ketone-based compound of the organic electroluminescent element composition for forming the light emitting layer. The organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced.

得られた有機電界発光素子の発光特性と駆動寿命を表1に示す。
表1に示す如く、脂環式ケトン系化合物を発光層形成用組成物の溶媒として用いることにより、高輝度、高効率の素子が得られたことが明らかである。
Table 1 shows the light emission characteristics and the driving life of the obtained organic electroluminescence device.
As shown in Table 1, it is clear that a high-luminance and high-efficiency device was obtained by using an alicyclic ketone-based compound as a solvent for the composition for forming a light emitting layer.

(実施例3)
発光層形成用有機電界発光素子用組成物において、上記構造式(C1)で表される化合物、上記構造式(C2)で表される化合物および上記構造式(C3)で表される化合物の含有量を、(C1)が0.8重量%、(C2)が0.8重量%、(C3)が0.08重量%に代えた以外は、実施例1と同様にして、図1に示す有機電界発光素子を作製した。
(Example 3)
In the composition for organic electroluminescence device for forming a light emitting layer, the compound represented by the structural formula (C1), the compound represented by the structural formula (C2), and the compound represented by the structural formula (C3) are contained. The amount is shown in FIG. 1 in the same manner as in Example 1 except that (C1) is changed to 0.8% by weight, (C2) is changed to 0.8% by weight, and (C3) is changed to 0.08% by weight. An organic electroluminescent element was produced.

得られた有機電界発光素子の発光特性と駆動寿命を表1に示す。
表1に示す如く、脂環式ケトン系化合物を発光層形成用組成物の溶媒として用いることにより、高輝度、高効率の素子が得られたことが明らかである。
Table 1 shows the light emission characteristics and the driving life of the obtained organic electroluminescence device.
As shown in Table 1, it is clear that a high-luminance and high-efficiency device was obtained by using an alicyclic ketone-based compound as a solvent for the composition for forming a light emitting layer.

(比較例1)
発光層形成用有機電界発光素子用組成物において、フェンコンに代わり、安息香酸イソアミルを用いた以外は、実施例1と同様にして、図1に示す有機電界発光素子を作製した。
得られた有機電界発光素子の発光特性と駆動寿命を表1に示す。
(Comparative Example 1)
The organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that isoamyl benzoate was used in place of Fencon in the composition for organic electroluminescent element for forming a light emitting layer.
Table 1 shows the light emission characteristics and the driving life of the obtained organic electroluminescence device.

(比較例2)
発光層形成用有機電界発光素子用組成物において、フェンコンに代わり、シクロヘキシルベンゼンを用いた以外は、実施例1と同様にして、図1に示す有機電界発光素子を作製した。
得られた有機電界発光素子の発光特性と駆動寿命を表1に示す。
(Comparative Example 2)
The organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that cyclohexylbenzene was used in place of Fencon in the composition for organic electroluminescent element for forming a light emitting layer.
Table 1 shows the light emission characteristics and the driving life of the obtained organic electroluminescence device.

(比較例3)
発光層形成用有機電界発光素子用組成物において、上記構造式(C1)で表される化合物、上記構造式(C2)で表される化合物および上記構造式(C3)で表される化合物の含有量を、(C1)が1.25重量%、(C2)が1.25重量%、(C3)が0.125重量%に代え、フェンコンに代わり、安息香酸イソアミルを用いた以外は、実施例1と同様にして、図1に示す有機電界発光素子を作製した。
得られた有機電界発光素子の発光特性と駆動寿命を表1に示す。
(Comparative Example 3)
In the composition for organic electroluminescence device for forming a light emitting layer, the compound represented by the structural formula (C1), the compound represented by the structural formula (C2), and the compound represented by the structural formula (C3) are contained. Except that the amount was changed to 1.25% by weight of (C1), 1.25% by weight of (C2), 0.125% by weight of (C3), and isoamyl benzoate was used in place of Fencon. The organic electroluminescent element shown in FIG.
Table 1 shows the light emission characteristics and the driving life of the obtained organic electroluminescence device.

(比較例4)
発光層形成用有機電界発光素子用組成物において、上記構造式(C1)で表される化合物、上記構造式(C2)で表される化合物および上記構造式(C3)で表される化合物の含有量を、(C1)が1.3重量%、(C2)が1.3重量%、(C3)が0.13重量%に代え、フェンコンに代わり、シクロヘキシルベンゼンを用いた以外は、実施例1と同様にして、図1に示す有機電界発光素子を作製した。
得られた有機電界発光素子の発光特性と駆動寿命を表1に示す。
(Comparative Example 4)
In the composition for organic electroluminescence device for forming a light emitting layer, the compound represented by the structural formula (C1), the compound represented by the structural formula (C2), and the compound represented by the structural formula (C3) are contained. Example 1 except that (C1) was changed to 1.3% by weight, (C2) was changed to 1.3% by weight, and (C3) was changed to 0.13% by weight, and cyclohexylbenzene was used instead of Fencon. In the same manner, the organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced.
Table 1 shows the light emission characteristics and the driving life of the obtained organic electroluminescence device.

(比較例5)
発光層形成用有機電界発光素子用組成物において、上記構造式(C1)で表される化合物、上記構造式(C2)で表される化合物および上記構造式(C3)で表される化合物の含有量を、(C1)が1.5重量%、(C2)が1.5重量%、(C3)が0.15重量%に代え、フェンコンに代わり、シクロへキサノン(沸点155℃)を用いた以外は、実施例1と同様にして、図1に示す有機電界発光素子を作製した。
得られた有機電界発光素子の発光特性を表1に示す。
(Comparative Example 5)
In the composition for organic electroluminescence device for forming a light emitting layer, the compound represented by the structural formula (C1), the compound represented by the structural formula (C2), and the compound represented by the structural formula (C3) are contained. The amount was changed to 1.5% by weight of (C1), 1.5% by weight of (C2), and 0.15% by weight of (C3), and cyclohexanone (boiling point 155 ° C.) was used instead of Fencon. The organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced in the same manner as Example 1 except for the above.
The emission characteristics of the obtained organic electroluminescent element are shown in Table 1.

(比較例6)
発光層形成用有機電界発光素子用組成物において、上記構造式(C1)で表される化合物、上記構造式(C2)で表される化合物および上記構造式(C3)で表される化合物の含有量を、(C1)が1.0重量%、(C2)が1.0重量%、(C3)が0.1重量%に代え、フェンコンに代わり、シクロへキサノンを用いた以外は、実施例1と同様にして、図1に示す有機電界発光素子を作製した。
得られた有機電界発光素子の発光特性を表1に示す。
(Comparative Example 6)
In the composition for organic electroluminescence device for forming a light emitting layer, the compound represented by the structural formula (C1), the compound represented by the structural formula (C2), and the compound represented by the structural formula (C3) are contained. The amount was changed to 1.0% by weight for (C1), 1.0% by weight for (C2), and 0.1% by weight for (C3), except that cyclohexanone was used instead of fencon. The organic electroluminescent element shown in FIG.
The emission characteristics of the obtained organic electroluminescent element are shown in Table 1.

Figure 2008294401
Figure 2008294401

(実施例4)
実施例4は、以下の手順に従って行った。
ガラス基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
まず、前記構造式(P1)に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子材料2重量%と、前記構造式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート0.4重量%を、溶媒としての安息香酸エチルに溶解した後、孔径0.2μmのPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製メンブレンフィルターを用いて濾過し、塗布組成物を作製した。この塗布組成物を上記ガラス基板上にスピンコートした。スピンコートは気温23℃、相対湿度40%の大気中で行い、スピナ回転数は1500rpm、スピナ時間は30秒とした。スピンコート後、ホットプレート上で80℃、1分間加熱乾燥した後、オーブンにて常圧大気雰囲気中、230℃で3時間加熱した。このようにして、膜厚30nmの正孔注入層を形成した。
Example 4
Example 4 was performed according to the following procedure.
The glass substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with a surfactant aqueous solution and then with ultrapure water, then dried with compressed air, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.
First, 2% by weight of a hole transporting polymer material having a repeating structure represented by the structural formula (P1) and 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) represented by the structural formula (A1). After 0.4% by weight of borate was dissolved in ethyl benzoate as a solvent, it was filtered using a PTFE (polytetrafluoroethylene) membrane filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a coating composition. This coating composition was spin-coated on the glass substrate. The spin coating was performed in an air atmosphere at a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 40%, the spinner rotation speed was 1500 rpm, and the spinner time was 30 seconds. After spin coating, it was heated and dried on a hot plate at 80 ° C. for 1 minute, and then heated in an oven at 230 ° C. for 3 hours in an atmospheric atmosphere. In this way, a hole injection layer having a thickness of 30 nm was formed.

次に、ガラス基板上に形成した正孔注入層の薄膜の一部を削り取り、ガラス基板と薄膜との間に段差を形成して、触針式の膜厚計(ケーエルエー・テンコール社製)で初期膜厚Hを測定した。
次に、初期膜厚を決定した正孔注入層付きガラス基板をスピンコーターに設置し、正孔注入層上にフェンコンを滴下して液滴を形成し、10分間液滴を保持した後、スピナ回転数1500rpm、スピナ時間30秒でスピンアウトを行い、液滴を取り除いた。
その後、液滴を取り除いた基板を230℃の温度にて12分間の乾燥を行い、再び触針式の膜厚計にて試験後の膜厚Hを測定し、残存膜厚率H/H×100(%)を算出した。
得られた正孔注入層のフェンコンに対する残存膜厚率を表2に示す。表2に示すが如く、脂環式ケトン溶媒は残存膜厚率が高い。
Next, a part of the thin film of the hole injection layer formed on the glass substrate is scraped, a step is formed between the glass substrate and the thin film, and a stylus type film thickness meter (manufactured by KLA-Tencor Corporation) is used. the initial film thickness H 1 were measured.
Next, a glass substrate with a hole injection layer whose initial film thickness was determined was placed on a spin coater, and Fencon was dropped on the hole injection layer to form a droplet. After holding the droplet for 10 minutes, the spinner Spin-out was performed at a rotation speed of 1500 rpm and a spinner time of 30 seconds to remove the droplets.
Thereafter, the substrate from which the droplets have been removed is dried for 12 minutes at a temperature of 230 ° C., and the film thickness H 2 after the test is again measured with a stylus-type film thickness meter, and the remaining film thickness ratio H 2 / H 1 × 100 (%) was calculated.
Table 2 shows the remaining film thickness ratio of the obtained hole injection layer with respect to the fencon. As shown in Table 2, the alicyclic ketone solvent has a high residual film thickness ratio.

(実施例5)
フェンコンを3,3,5−トリメチルシクロヘキサノンに変えたこと以外は、実施例4と同様にして、残存膜厚率を算出した。
得られた正孔注入層の3,3,5−トリメチルシクロヘキサノンに対する残存膜厚率を表2に示す。表2に示すが如く、脂環式ケトン溶媒は残存膜厚率が高い。
(Example 5)
The remaining film thickness ratio was calculated in the same manner as in Example 4 except that Fencon was changed to 3,3,5-trimethylcyclohexanone.
Table 2 shows the remaining film thickness ratio of the obtained hole injection layer with respect to 3,3,5-trimethylcyclohexanone. As shown in Table 2, the alicyclic ketone solvent has a high residual film thickness ratio.

(実施例6)
フェンコンを2−n−ヘキシルシクロペンタノン(沸点246℃)に変えたこと以外は、実施例4と同様にして、残存膜厚率を算出した。
得られた正孔注入層の2−n−ヘキシルシクロペンタノンに対する残存膜厚率を表2に示す。表2に示すが如く、脂環式ケトン溶媒は残存膜厚率が高い。
(Example 6)
The residual film thickness ratio was calculated in the same manner as in Example 4 except that the fencon was changed to 2-n-hexylcyclopentanone (boiling point 246 ° C.).
Table 2 shows the remaining film thickness ratio of the obtained hole injection layer with respect to 2-n-hexylcyclopentanone. As shown in Table 2, the alicyclic ketone solvent has a high residual film thickness ratio.

(実施例7)
フェンコンをメントン(沸点209℃)に変えたこと以外は、実施例4と同様にして、残存膜厚率を算出した。
得られた正孔注入層のメントンに対する残存膜厚率を表2に示す。表2に示すが如く、脂環式ケトン溶媒は残存膜厚率が高い。
(Example 7)
The remaining film thickness ratio was calculated in the same manner as in Example 4 except that Fencon was changed to Mentone (boiling point 209 ° C.).
Table 2 shows the remaining film thickness ratio of the obtained hole injection layer with respect to menthone. As shown in Table 2, the alicyclic ketone solvent has a high residual film thickness ratio.

(比較例7)
フェンコンをベンジルメチルエーテルに変えたこと以外は、実施例4と同様にして、残存膜厚率を算出した。
得られた正孔注入層のベンジルメチルエーテルに対する残存膜厚率を表2に示す。表2に示すが如く、脂環式ケトン溶媒に比べ残存膜厚率が低い。
(Comparative Example 7)
The remaining film thickness ratio was calculated in the same manner as in Example 4 except that fenkon was changed to benzyl methyl ether.
Table 2 shows the remaining film thickness ratio of the obtained hole injection layer with respect to benzyl methyl ether. As shown in Table 2, the residual film thickness ratio is lower than that of the alicyclic ketone solvent.

(比較例8)
フェンコンを1’−アセトナフトンに変えたこと以外は、実施例4と同様にして、残存膜厚率を算出した。
得られた正孔注入層の1’−アセトナフトンに対する残存膜厚率を表2に示す。表2に示すが如く、脂環式ケトン溶媒に比べ残存膜厚率が低い。
(Comparative Example 8)
The remaining film thickness ratio was calculated in the same manner as in Example 4 except that fencon was changed to 1′-acetonaphthone.
Table 2 shows the remaining film thickness ratio with respect to 1′-acetonaphthone of the obtained hole injection layer. As shown in Table 2, the residual film thickness ratio is lower than that of the alicyclic ketone solvent.

(比較例9)
フェンコンをジベンジルエーテルに変えたこと以外は、実施例4と同様にして、残存膜厚率を算出した。
得られた正孔注入層のジベンジルエーテルに対する残存膜厚率を表2に示す。表2に示すが如く、脂環式ケトン溶媒に比べ残存膜厚率が低い。
(Comparative Example 9)
The remaining film thickness ratio was calculated in the same manner as in Example 4 except that Fencon was changed to dibenzyl ether.
Table 2 shows the remaining film thickness ratio of the obtained hole injection layer with respect to dibenzyl ether. As shown in Table 2, the residual film thickness ratio is lower than that of the alicyclic ketone solvent.

(比較例10)
フェンコンを酢酸シクロヘキシルに変えたこと以外は、実施例4と同様にして、残存膜厚率を算出した。
得られた正孔注入層の酢酸シクロヘキシルに対する残存膜厚率を表2に示す。表2に示すが如く、脂環式ケトン溶媒に比べ残存膜厚率が低い。
(Comparative Example 10)
The remaining film thickness ratio was calculated in the same manner as in Example 4 except that Fencon was changed to cyclohexyl acetate.
Table 2 shows the remaining film thickness ratio of the obtained hole injection layer with respect to cyclohexyl acetate. As shown in Table 2, the residual film thickness ratio is lower than that of the alicyclic ketone solvent.

Figure 2008294401
Figure 2008294401

本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed an example of the organic electroluminescent element of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 発光層
5 正孔阻止層
6 電子輸送層
7 電子注入層
8 陰極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Light emitting layer 5 Hole blocking layer 6 Electron transport layer 7 Electron injection layer 8 Cathode

Claims (6)

有機電界発光素子の有機層を形成するために用いられる組成物であって、その溶媒成分として沸点が160℃以上の脂環式ケトン系化合物を含むことを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。   A composition used for forming an organic layer of an organic electroluminescent device, comprising an alicyclic ketone-based compound having a boiling point of 160 ° C. or higher as a solvent component thereof. object. さらに、発光材料を含有することを特徴とする、請求項1に記載の有機電界発光素子用組成物。   Furthermore, the composition for organic electroluminescent elements of Claim 1 containing a luminescent material. 基板上に陽極、陰極、および該陽極と該陰極の間に配置された有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、該有機層のうちの少なくとも1層を請求項1または2に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて形成することを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。   A method for producing an organic electroluminescent device comprising an anode, a cathode, and an organic layer disposed between the anode and the cathode on a substrate, wherein at least one of the organic layers is defined in claim 1 or 2. It forms using the composition for organic electroluminescent elements of description, The manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by the above-mentioned. 有機層は第1の有機層および第2の有機層を隣接して有し、第1の有機層を湿式成膜法により形成した後、該第1の有機層上に、請求項1または2に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて、第2の有機層を湿式成膜法により形成することを特徴とする、請求項3に記載の有機電界発光素子の製造方法。   The organic layer has a first organic layer and a second organic layer adjacent to each other, and the first organic layer is formed on the first organic layer after forming the first organic layer by a wet film forming method. The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 3, wherein the second organic layer is formed by a wet film forming method using the composition for an organic electroluminescent element according to claim 4. 第1の有機層が正孔注入層であることを特徴とする、請求項4に記載の有機電界発光素子の製造方法。   The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 4, wherein the first organic layer is a hole injection layer. 請求項3乃至5に記載の製造方法によって製造された、有機電界発光素子。   An organic electroluminescence device manufactured by the manufacturing method according to claim 3.
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