JP2008293413A - Accessing method for extension memory, electronic equipment, and memory module - Google Patents
Accessing method for extension memory, electronic equipment, and memory module Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008293413A JP2008293413A JP2007140407A JP2007140407A JP2008293413A JP 2008293413 A JP2008293413 A JP 2008293413A JP 2007140407 A JP2007140407 A JP 2007140407A JP 2007140407 A JP2007140407 A JP 2007140407A JP 2008293413 A JP2008293413 A JP 2008293413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- memory module
- data input
- segments
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、少なくとも電子装置の内部バスに対して2倍以上のバス幅のデータ入出力端子を有したメモリモジュールを使用する増設メモリのアクセス方法と、その方法を実行するための電子装置、メモリモジュールに関する。 The present invention relates to a method of accessing an additional memory using a memory module having a data input / output terminal having a bus width at least twice as large as the internal bus of the electronic device, and an electronic device and a memory for executing the method Regarding modules.
例えば、ファクシミリ複合機のような電子装置では、高級機になるほど高性能になるので、一般的に、高級機は低級機よりも内部バスの幅が広くなる傾向がある。しかしながら、内部バスの幅が異なる機種毎に、そのバス幅に合わせた増設メモリを準備すると、部品管理が煩雑化してコストが上昇する問題がある。
この問題に適用可能な先行技術の例として、次の特許文献1には、プロセッサと、メモリからなるシステムにおいて、メモリとシステムバスとの間にバス調停回路を設け、プロセッサのバス幅に対してメモリがN分の1のときに、バス調停回路が、プロセッサの1回のアクセスをメモリに対するN回のアクセスに変換することが記載されており、この技術を適用すれば、電子装置の内部バスの幅よりも狭いバス幅の増設メモリを使用できる。
As an example of the prior art applicable to this problem, in the following
しかしながら、電子装置が性能を充分に発揮するためには、その増設メモリとして、装置の内部バスと同じバス幅のものが必要であり、低級機から高級機まで同一規格の増設メモリで統一しようとする場合には、高級機の性能を犠牲にしないために、増設メモリのバス幅は高級機の内部バスの幅とすることが望まれる。
そこで、本発明は、少なくとも電子装置の内部バスに対して2倍以上のバス幅のデータ入出力端子を有したメモリモジュールを使用する増設メモリのアクセス方法と、その方法を実行するための電子装置、メモリモジュールの提供を課題とする。
However, in order for an electronic device to fully perform, the expansion memory must have the same bus width as the internal bus of the device. In this case, in order not to sacrifice the performance of the high-end machine, it is desirable that the bus width of the additional memory is the width of the internal bus of the high-end machine.
Accordingly, the present invention provides an access method for an additional memory using a memory module having a data input / output terminal having a bus width at least twice that of the internal bus of the electronic device, and an electronic device for executing the method An object is to provide a memory module.
上記課題を解決するため、請求項1に記載した増設メモリのアクセス方法は、少なくとも電子装置の内部バスに対して2倍以上のバス幅のデータ入出力端子を有したメモリモジュールを使用する増設メモリのアクセス方法であって、処理すべきワードデータを特定する信号の一部をデコードして、前記メモリモジュールのデータ入出力端子を区分した複数のセグメントから、その信号に割り当てられたワードデータを収容させるべきセグメントを除外したマスク信号を生成するステップと、生成したマスク信号を、アドレスと共に前記メモリモジュールに伝送するステップと、前記メモリモジュールのデータ入出力端子に対するデータ入出力を、ワードデータを収容するセグメントのそれぞれに対して並列に実行するステップとを備えている。
In order to solve the above problems, an access method for an expansion memory according to
また、請求項2に記載した電子装置は、請求項1に記載の増設メモリのアクセス方法を実行するための電子装置であって、所定のメモリモジュールに対応した増設メモリスロットと、前記増設メモリスロットに装着されたメモリモジュールを制御するメモリ制御手段と、前記増設メモリスロットの前記セグメントによって区分したデータ入出力部を、所定ビット幅のワードデータを収容するセグメントを単位として並列に、前記メモリ制御手段に接続する内部バスとを備え、前記メモリ制御手段は、前記ワードデータを特定する信号の一部をデコードして、その信号に割り当てられたワードデータを収容させるべきセグメントを除外したその他のセグメントをマスクするためのマスク信号を生成するデコード手段を備え、生成したマスク信号を、アドレスと共に前記増設メモリスロットに伝送する。 An electronic device according to a second aspect is an electronic device for executing the access method of the additional memory according to the first aspect, wherein the additional memory slot corresponding to a predetermined memory module and the additional memory slot Memory control means for controlling a memory module mounted on the memory module, and a data input / output section partitioned by the segment of the additional memory slot, in parallel, in units of segments containing word data of a predetermined bit width. And the memory control means decodes a part of the signal specifying the word data and excludes other segments excluding the segment to accommodate the word data assigned to the signal. Decoding means for generating a mask signal for masking, and the generated mask signal , Transmitted to the additional memory slot together with the address.
また、請求項3に記載したメモリモジュールは、請求項1に記載のメモリモジュールであって、前記セグメントに区分されたデータ入出力端子と、前記マスク信号を入力するマスク端子と、前記アドレスを入力するアドレス端子と、入力されたマスク信号に対応したデータ入出力端子のセグメントを通じた入出力を無効化する機能を有した記憶手段とを備えている。
The memory module according to
本発明によれば、電子装置の内部バスの幅よりも広いバス幅を有したメモリモジュールが使用できる。そのため、内部バスの幅が異なる複数の機種の増設メモリとして1種類のバス幅のメモリモジュールだけを用意すればよく、部品管理が容易になる。また、バス幅が広い高級機に合わせたそのメモリモジュールを用意すれば、高級機の性能が犠牲にならない効果もある。 According to the present invention, a memory module having a bus width wider than the width of the internal bus of the electronic device can be used. Therefore, it is sufficient to prepare only one type of bus width memory module as an extension memory for a plurality of models having different internal bus widths, which facilitates component management. Also, if the memory module is prepared for a high-end machine with a wide bus width, there is an effect that the performance of the high-end machine is not sacrificed.
以下、本発明を図に従って説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明を適用した電子装置の第1の例で、装置の内部バス7は8ビット幅であるが、増設メモリとしては、64ビット幅のデータ入出力端子を有したメモリモジュール1を使用する点に特徴がある。
FIG. 1 shows a first example of an electronic device to which the present invention is applied. The
メモリモジュール1は、データ入出力端子(DQ0〜DQ63)と、マスク信号を入力するマスク端子(DQM0〜DQM7)と、アドレスを入力するアドレス端子(A3〜An)と、例えばシンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)で構成された記憶手段2を備えている。なお、アドレスの下位3ビット(A0〜A2)は、この実施例では8ビット幅のワードデータ毎にアドレスを割り当てることを前提とするため、64ビット幅のメモリモジュール1では使用されないとして説明する。
The
SDRAMは、チップセレクト(CS)、ローアドレスストローブ(RAS)、カラムアドレスストローブ(CAS)、ライトイネーブル(WE)等の制御信号の組合せとして規定された各種コマンドやマルチプレクスされたアドレスをクロックに同期して受け付け、そのコマンドに従ってデータを入出力するダイナミックメモリで、入力されたマスク信号に対応したデータ入出力端子を通じた入出力を無効化する機能を有している。 The SDRAM synchronizes various commands specified as combinations of control signals such as chip select (CS), row address strobe (RAS), column address strobe (CAS), and write enable (WE) and multiplexed addresses with the clock. The dynamic memory that receives and inputs and outputs data according to the command has a function of invalidating input and output through the data input and output terminals corresponding to the input mask signal.
この機能を市販されているSDRAMについて説明すると、×4ビット構成では、マスク信号(DQM)はデータ入出力(DQ0〜DQ3)を制御する。すなわち、マスク信号(DQM)がHレベルの場合にリードを行ってもDQ0〜DQ3のデータは出力されず、ライトをしてもDQ0〜DQ3のデータは書き込まれない。また、×8ビット構成では、マスク信号(DQM)はデータ入出力(DQ0〜DQ7)を同様に制御し、×16ビット構成では、マスク信号(LDQM)はデータ入出力(DQ0〜DQ7)を、マスク信号(UDQM)はデータ入出力(DQ8〜DQ15)を同様に制御する。そして、×32ビット構成では、マスク信号(DQM0)はデータ入出力(DQ0〜DQ7)を、マスク信号(DQM1)はデータ入出力(DQ7〜DQ15)を、マスク信号(DQM2)はデータ入出力(DQ16〜DQ23)を、マスク信号(DQM3)はデータ入出力(DQ24〜DQ31)を同様に制御する。 This function will be described for a commercially available SDRAM. In the × 4 bit configuration, the mask signal (DQM) controls data input / output (DQ0 to DQ3). That is, when the mask signal (DQM) is at the H level, the data of DQ0 to DQ3 is not output even if reading is performed, and the data of DQ0 to DQ3 is not written even if writing is performed. In the x8 bit configuration, the mask signal (DQM) controls the data input / output (DQ0 to DQ7) in the same manner. In the x16 bit configuration, the mask signal (LDQM) controls the data input / output (DQ0 to DQ7). The mask signal (UDQM) similarly controls data input / output (DQ8 to DQ15). In the × 32 bit configuration, the mask signal (DQM0) is data input / output (DQ0 to DQ7), the mask signal (DQM1) is data input / output (DQ7 to DQ15), and the mask signal (DQM2) is data input / output (DQM2). DQ16 to DQ23) and mask signal (DQM3) control data input / output (DQ24 to DQ31) in the same manner.
メモリモジュール1は、記憶手段2としてこれらのSDRAMを並列に用いることで、64ビット幅のデータ入出力端子を有している。例えば、×32ビット構成のSDRAMならば最小では2個を並列に用いてメモリモジュール1を実現できる。データ入出力端子(DQ0〜DQ63)は、マスク信号(DQM0〜DQM7)にそれぞれ対応した各々8ビット幅のセグメントに区分される。なお、セグメントは必ずしも8ビット幅とする必要はなく、×4ビット構成のメモリを用いるならば、例えば1セグメントを4ビット幅としてもよい。なお、メモリモジュール1は、SDRAMと同様な、入力されたマスク信号に対応したデータ入出力端子を通じた入出力を無効化する機能を有したスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、その他のメモリによっても構成できる。
The
増設メモリスロット3は、メモリモジュール1が着脱自在に装着されるスロットで、メモリモジュールの各端子に対応した接続部を備えており、装置の内部バス8を介して、メモリモジュール1を制御するメモリ制御手段6と接続されている。
メモリモジュール1と同様に、増設メモリスロット3のデータ入出力部(DQ0〜DQ63)は、マスク信号(DQM0〜DQM7)のそれぞれに対応したセグメントに区分されている。すなわち、増設メモリスロット3のデータ入出力部は、(DQ0〜DQ7)、(DQ8〜DQ15)、(DQ16〜DQ23)、(DQ24〜DQ31)、(DQ32〜DQ39)、(DQ40〜DQ47)、(DQ48〜DQ55)、(DQ56〜DQ63)の各々をセグメントとする。このとき、8ビット幅のワードデータは、そのいずれかに収容される。
The
Similar to the
メモリ制御手段6は、装置の図示しないCPUのためのメモリインタフェースであって、この例では公知のSDRAMコントローラとして構成されており、SDRAMを制御するためのコマンドを生成しクロックに従って出力するコマンド生成機能と、メモリモジュール1に書き込むべき8ビット幅のワードデータを出力し、あるいはメモリモジュール1から読み出された8ビット幅のワードデータを入力するデータ入出力機能とを有する。
メモリ制御手段6から出力されたアドレス(A0〜An)は、アドレスバス8を通じて、デコード手段4、マルチプレクス手段5に伝送される。
デコード手段4は、伝送されてきたアドレスの下位3ビット(A0〜A2)をデコードして、その値に応じたデータマスク信号(DQM0〜DQM7)を生成する。一方、マルチプレクス手段5は、その下位3ビット(A0〜A2)を除いたアドレス(A3〜An)をマルチプレクスする。
The memory control means 6 is a memory interface for a CPU (not shown) of the apparatus, and is configured as a known SDRAM controller in this example, and generates a command for controlling the SDRAM and outputs it according to a clock. And a data input / output function for outputting word data of 8-bit width to be written to the
The addresses (A0 to An) output from the memory control means 6 are transmitted to the decoding means 4 and the multiplex means 5 through the
The decoding means 4 decodes the lower 3 bits (A0 to A2) of the transmitted address and generates a data mask signal (DQM0 to DQM7) according to the value. On the other hand, the multiplex means 5 multiplexes the addresses (A3 to An) excluding the lower 3 bits (A0 to A2).
図2は、デコード手段4の動作を示した真理値表の一例である。デコード手段4は、この真理値表に示しているように、アドレス下位3ビット(A0〜A2)の値に従って、メモリモジュール1のデータ入出力部を区分した複数のセグメントから、そのアドレスに割り当てられたワードデータを収容させるべきセグメントを除外したマスク信号を生成する。例えば、アドレス下位3ビット(A0〜A2)の値が「000」の場合には、セグメント(DQ0〜DQ7)を除外した残りのセグメント(DQ8〜DQ15)、(DQ16〜DQ23)、(DQ24〜DQ31)、(DQ32〜DQ39)、(DQ40〜DQ47)、(DQ48〜DQ55)、(DQ56〜DQ63)を無効化するため、マスク信号(DQM0〜DQM7)として「01111111」を生成する。
FIG. 2 is an example of a truth table showing the operation of the decoding means 4. As shown in this truth table, the decoding means 4 is assigned to the address from a plurality of segments that divide the data input / output unit of the
上記の構成とした電子装置における増設メモリスロット3に装着されたメモリモジュール1のアクセスは次の基本手順に従って実行される。
すなわち、処理すべき8ビット幅のワードデータを特定するアドレス(A0〜An)の下位3ビット(A0〜A2)をデコードして、メモリモジュール1のデータ入出力端子(DQ0〜DQ63)を8ビット毎に区分した複数のセグメントから、そのアドレス(A0〜An)に割り当てられたワードデータを収容させるべきセグメントを除外したマスク信号(DQM0〜DQM7)を生成するステップと、生成したマスク信号(DQM0〜DQM7)を、アドレスの他の部分(A3〜An)と共にメモリモジュール1に伝送するステップと、メモリモジュールのデータ入出力端子(DQ0〜DQ63)に対するデータ入出力を、セグメント(DQ0〜DQ7)、(DQ8〜DQ15)、(DQ16〜DQ23)、(DQ24〜DQ31)、(DQ32〜DQ39)、(DQ40〜DQ47)、(DQ48〜DQ55)、(DQ56〜DQ63)に対して並列に実行するステップとを実行する。
Access to the
That is, the lower 3 bits (A0 to A2) of the address (A0 to An) specifying the 8-bit wide word data to be processed are decoded, and the data input / output terminals (DQ0 to DQ63) of the
図3は、本発明を適用した電子装置の第2の例で、装置の内部バス7は16ビット幅であるが、増設メモリとしては、図1に示したものと同一な64ビット幅のデータ入出力端子を有したメモリモジュール1を使用する。以下、第1の実施例と共通の構成要素についての説明は省略し、相違点についてのみ説明する。
FIG. 3 shows a second example of an electronic device to which the present invention is applied. The
この例では、増設メモリスロット3は、16ビット幅の内部バス8を介して、メモリモジュール1を制御するメモリ制御手段6と接続されている。
メモリモジュール1と同様に、増設メモリスロット3のデータ入出力部(DQ0〜DQ63)は、マスク信号(DQM0〜DQM7)のそれぞれに対応したセグメントに区分されており、16ビット幅のワードデータを収容するために、2つのセグメントが1つの組として同時に扱われる。例えば各々2セグメント(DQ0〜DQ7)、(DQ32〜DQ39)の組と、(DQ8〜DQ15)、(DQ40〜DQ47)の組と、(DQ16〜DQ23)、(DQ48〜DQ55)の組と、(DQ24〜DQ31)、(DQ56〜DQ63)の組とに組分けしてもよい。このとき、16ビット幅のワードデータは、その組のいずれかに収容される。
In this example, the
Similar to the
メモリ制御手段6は、1アクセスで16ビット幅のワードデータを処理する点で、第1の実施例とは異なっている。このメモリ制御手段6から出力されたアドレス(A1〜An)は、アドレスバス8を通じて、デコード手段4、マルチプレクス手段5に伝送される。
デコード手段4は、伝送されてきたアドレスの下位2ビット(A1〜A2)をデコードして、その値に応じたデータマスク信号(DQM0〜DQM7)を生成する。また、マルチプレクス手段5は、下位3ビット(A1〜A2)を除いたアドレス(A3〜An)をマルチプレクスする。
The memory control means 6 is different from the first embodiment in that word data having a 16-bit width is processed in one access. The addresses (A1 to An) output from the memory control means 6 are transmitted to the decoding means 4 and the multiplex means 5 through the
The decoding means 4 decodes the lower two bits (A1 to A2) of the transmitted address and generates data mask signals (DQM0 to DQM7) corresponding to the values. The multiplex means 5 multiplexes the addresses (A3 to An) excluding the lower 3 bits (A1 to A2).
図4は、デコード手段4の動作を示した真理値表の一例である。デコード手段4は、この真理値表に示しているように、アドレス下位2ビット(A1〜A2)の値に従って、メモリモジュール1のデータ入出力部を区分した複数のセグメントから、そのアドレスに割り当てられたワードデータを収容させるべきセグメントの組を除外したマスク信号を生成する。例えば、アドレス下位3ビット(A1〜A2)の値が「00」の場合には、2つのセグメント(DQ0〜DQ7)、(DQ32〜DQ39)を除外した残りのセグメント(DQ8〜DQ15)、(DQ16〜DQ23)、(DQ24〜DQ31)、(DQ40〜DQ47)、(DQ48〜DQ55)、(DQ56〜63)を無効化するマスク信号(DQM0〜DQM7)として、「01110111」を生成する。一方、マルチプレクス手段5は、下位2ビット(A1〜A2)を除いたアドレス(A3〜An)をマルチプレクスする。なお、アドレス(A0)は、ワードデータが16ビット幅なので使用されない。
FIG. 4 is an example of a truth table showing the operation of the decoding means 4. As shown in this truth table, the decoding means 4 is assigned to the address from a plurality of segments that divide the data input / output unit of the
上記の構成とした電子装置における増設メモリスロット3に装着されたメモリモジュール1のアクセスは次の基本手順に従って実行される。
すなわち、処理すべき16ビット幅のワードデータを特定するアドレス(A1〜An)の下位2ビット(A1〜A2)をデコードして、メモリモジュール1のデータ入出力端子(DQ0〜DQ63)を8ビット毎に区分した複数のセグメントから、そのアドレス(A1〜An)に割り当てられたワードデータを収容させるべきセグメントの組を除外したマスク信号(DQM0〜DQM7)を生成するステップと、生成したマスク信号(DQM0〜DQM7)を、アドレスの他の部分(A3〜An)と共にメモリモジュール1に伝送するステップと、メモリモジュールのデータ入出力端子(DQ0〜DQ63)に対するデータ入出力を、ワードデータを収容するセグメント(DQ0〜DQ7)、(DQ32〜DQ39)の組と、(DQ8〜DQ15)、(DQ40〜DQ47)の組と、(DQ16〜DQ23)、(DQ48〜DQ55)の組と、(DQ24〜DQ31)、(DQ56〜DQ63)の組とに対して並列に実行するステップとが実行される。
Access to the
That is, the lower 2 bits (A1 to A2) of the address (A1 to An) specifying the 16-bit width word data to be processed are decoded, and the data input / output terminals (DQ0 to DQ63) of the
図5は、本発明を適用した電子装置の第3の例で、装置の内部バス7は32ビット幅であるが、増設メモリとしては、図1に示したものと同一な64ビット幅のデータ入出力端子を有したメモリモジュール1を使用する。以下、第1の実施例と共通の構成要素についての説明は省略し、相違点についてのみ説明する。
FIG. 5 shows a third example of an electronic device to which the present invention is applied. The
この例では、増設メモリスロット3は、32ビット幅の内部バス8を介して、メモリモジュール1を制御するメモリ制御手段6と接続されている。
メモリモジュール1と同様に、増設メモリスロット3のデータ入出力部(DQ0〜DQ63)は、マスク信号(DQM0〜DQM7)のそれぞれに対応したセグメントに区分されており、32ビット幅のワードデータを収容するために、4つのセグメントが1つの組として同時に扱われる。例えば、各々4つのセグメント(DQ0〜DQ7)、(DQ16〜DQ23)、(DQ32〜DQ39)、(DQ48〜DQ55)の組と、(DQ8〜DQ15)、(DQ24〜DQ31)、(DQ40〜DQ47)、(DQ56〜DQ63)の組とに組分けしてもよい。このとき32ビット幅のワードデータは、その組のいずれかに収容される。
In this example, the
Similar to the
メモリ制御手段6は、32ビット幅のワードデータを処理する点が第1の実施例とは異なっている。このメモリ制御手段6から出力されたアドレス(A2〜An)は、アドレスバス8を通じて、デコード手段4、マルチプレクス手段5に伝送される。
デコード手段4は、伝送されてきたアドレスの下位1ビット(A2)をデコードして、その値に応じたデータマスク信号(DQM0〜DQM7)を生成する。一方、マルチプレクス手段5は、下位3ビット(A2)を除いたアドレス(A3〜An)をマルチプレクスする機能を有する。なお、アドレス(A0〜A1)は、1ワードが32ビットなので、使用されない。
The memory control means 6 is different from the first embodiment in that it processes 32-bit word data. The addresses (A2 to An) output from the memory control means 6 are transmitted to the decoding means 4 and the multiplex means 5 through the
The decoding means 4 decodes the lower 1 bit (A2) of the transmitted address and generates data mask signals (DQM0 to DQM7) corresponding to the value. On the other hand, the multiplexing means 5 has a function of multiplexing addresses (A3 to An) excluding the lower 3 bits (A2). The addresses (A0 to A1) are not used because one word is 32 bits.
図5は、この例におけるデコード手段4の動作を示した真理値表の一例である。デコード手段4は、この真理値表に示しているように、アドレス下位1ビット(A2)の値に従って、メモリモジュール1のデータ入出力部を区分した複数のセグメントから、そのアドレスに割り当てられたワードデータを収容させるべきセグメントを除外したマスク信号を生成する。
例えば、アドレス下位3ビット(A2)の値が「0」の場合には、メモリモジュール1のデータ入出力端子(DQ0〜DQ7、DQ16〜DQ23、DQ32〜DQ39、DQ48〜DQ55)を除外した残りのデータ入出力端子(DQ8〜DQ31、DQ40〜63)を無効化するマスク信号(DQM0〜DQM7)として、「01110111」を生成する。一方、マルチプレクス手段5は、下位2ビット(A1〜A2)を除いたアドレス(A3〜An)をマルチプレクスする機能を有している。
FIG. 5 is an example of a truth table showing the operation of the decoding means 4 in this example. As shown in this truth table, the decoding means 4 uses a word assigned to the address from a plurality of segments that divide the data input / output unit of the
For example, when the value of the lower 3 bits (A2) of the address is “0”, the remaining data input / output terminals (DQ0 to DQ7, DQ16 to DQ23, DQ32 to DQ39, DQ48 to DQ55) of the
上記の構成とした電子装置における増設メモリスロット3に装着されたメモリモジュール1のアクセスは次の基本手順に従って実行される。
すなわち、処理すべき32ビット幅のワードデータを特定するアドレス(A2〜An)の一部分として下位1ビット(A2)をデコードして、メモリモジュール1の64ビット幅のデータ入出力端子(DQ0〜DQ63)を8ビット毎に区分した複数のセグメントから、そのアドレス(A2〜An)に割り当てられたワードデータを収容させるべきセグメントの組を除外したマスク信号(DQM0〜DQM7)を生成するステップと、生成したマスク信号(DQM0〜DQM7)を、アドレスの他の部分(A3〜An)と共にメモリモジュール1に伝送するステップと、メモリモジュールのデータ入出力端子(DQ0〜DQ63)に対するデータ入出力を、ワードデータを収容するセグメント(DQ0〜DQ7)、(DQ16〜DQ23)、(DQ32〜DQ39)、(DQ48〜DQ55)の組と、(DQ8〜DQ15)、(DQ24〜DQ31)、(DQ40〜DQ47)、(DQ56〜DQ63)の組とに対して並列に実行するステップとが実行される。
Access to the
That is, the lower 1 bit (A2) is decoded as a part of the address (A2 to An) specifying the 32-bit wide word data to be processed, and the 64-bit wide data input / output terminals (DQ0 to DQ63) of the
図7は、本発明の参考例で、装置の内部バス7は64ビット幅であり、増設メモリとしては、図1に示したものと同一な64ビット幅のデータ入出力端子を有したメモリモジュール1を使用する。
この構成では、増設メモリスロット3は、64ビット幅の内部バス8を介して、メモリモジュール1を制御するメモリ制御手段6と接続されている。
増設メモリスロット3のデータ入出力部(DQ0〜DQ63)は、マスク信号(DQM0〜DQM7)のそれぞれに対応したセグメントに区分されているが、64ビット幅のワードデータを収容するために、全てのセグメントが同時に扱われる。
FIG. 7 shows a reference example of the present invention, in which the
In this configuration, the
The data input / output units (DQ0 to DQ63) of the
メモリ制御手段6は、64ビット幅のワードデータを処理する点で、第1の実施例とは異なっている。このメモリ制御手段6から出力されたアドレス(A2〜An)は、アドレスバス8を通じて、マルチプレクス手段5に伝送される。なお、マスク信号(DQM0〜DQM7)は、常に「00000000」とすればよい。なお、上記各実施例では、アドレスの下位ビットをデコードしてマスク信号を生成しているが、アドレスの上位ビットをデコードしてマスク信号を生成してもよい。またアドレスの代わりに、I/Oからのバンク切り替え信号をデコードしてマスク信号を生成してもよい。
The memory control means 6 is different from the first embodiment in that it processes 64-bit wide word data. The addresses (A2 to An) output from the memory control means 6 are transmitted to the multiplex means 5 through the
第1の例から第3の例、および参考例の構成から理解されるように、本発明では、同一の構成とされたメモリモジュール1が、内部バスの幅がそれぞれ異なる複数の電子装置の増設メモリとして共通に使用できる点に特徴がある。なお、メモリモジュール1は、ここで説明したような64ビット幅のものだけに制限されず、他のビット幅のものとしてもよい。
As can be understood from the configurations of the first to third examples and the reference example, in the present invention, the
1 メモリモジュール
2 記憶手段
3 増設メモリスロット
4 デコード手段
6 メモリ制御手段
7 内部バス
DESCRIPTION OF
Claims (3)
処理すべきワードデータを特定する信号の一部をデコードして、前記メモリモジュールのデータ入出力端子を区分した複数のセグメントから、その信号に割り当てられたワードデータを収容させるべきセグメントを除外したマスク信号を生成するステップと、
生成したマスク信号を、アドレスと共に前記メモリモジュールに伝送するステップと、
前記メモリモジュールのデータ入出力端子に対するデータ入出力を、ワードデータを収容するセグメントのそれぞれに対して並列に実行するステップとを備えている増設メモリのアクセス方法。 An access method for an additional memory using a memory module having a data input / output terminal having a bus width at least twice that of the internal bus of the electronic device,
A mask obtained by decoding a part of a signal for specifying word data to be processed and excluding a segment for accommodating the word data assigned to the signal from a plurality of segments obtained by dividing the data input / output terminals of the memory module Generating a signal;
Transmitting the generated mask signal together with an address to the memory module;
And a method of executing data input / output to / from a data input / output terminal of the memory module in parallel with respect to each of the segments containing word data.
所定のメモリモジュールに対応した増設メモリスロットと、
前記増設メモリスロットに装着されたメモリモジュールを制御するメモリ制御手段と、
前記増設メモリスロットの前記セグメントによって区分したデータ入出力部を、所定ビット幅のワードデータを収容するセグメントを単位として並列に、前記メモリ制御手段に接続する内部バスとを備え、
前記メモリ制御手段は、
前記ワードデータを特定する信号の一部をデコードして、その信号に割り当てられたワードデータを収容させるべきセグメントを除外したその他のセグメントをマスクするためのマスク信号を生成するデコード手段を備え、生成したマスク信号を、アドレスと共に前記増設メモリスロットに伝送することを特徴とする電子装置。 An electronic device for executing the method for accessing an additional memory according to claim 1,
An expansion memory slot corresponding to a given memory module;
Memory control means for controlling the memory module mounted in the additional memory slot;
An internal bus connected to the memory control means in parallel, in units of segments containing word data of a predetermined bit width, the data input / output unit divided by the segment of the additional memory slot;
The memory control means includes
Decoding means for decoding a part of the signal specifying the word data and generating a mask signal for masking other segments excluding the segment to accommodate the word data assigned to the signal And transmitting the mask signal together with the address to the additional memory slot.
前記セグメントに区分されたデータ入出力端子と、前記マスク信号を入力するマスク端子と、前記アドレスを入力するアドレス端子と、
入力されたマスク信号に対応したデータ入出力端子のセグメントを通じた入出力を無効化する機能を有した記憶手段とを備えたメモリモジュール。 The memory module according to claim 1,
A data input / output terminal divided into the segments; a mask terminal for inputting the mask signal; an address terminal for inputting the address;
And a memory module having a function of invalidating input / output through a segment of a data input / output terminal corresponding to an input mask signal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007140407A JP2008293413A (en) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | Accessing method for extension memory, electronic equipment, and memory module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007140407A JP2008293413A (en) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | Accessing method for extension memory, electronic equipment, and memory module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008293413A true JP2008293413A (en) | 2008-12-04 |
Family
ID=40168045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007140407A Withdrawn JP2008293413A (en) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | Accessing method for extension memory, electronic equipment, and memory module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008293413A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011060201A (en) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | Memory system |
CN106575274A (en) * | 2014-09-26 | 2017-04-19 | 英特尔公司 | Common die implementation for low power memory devices |
JP6370953B1 (en) * | 2017-03-23 | 2018-08-08 | ファナック株式会社 | Multi-rank SDRAM control method and SDRAM controller |
-
2007
- 2007-05-28 JP JP2007140407A patent/JP2008293413A/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011060201A (en) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | Memory system |
CN106575274A (en) * | 2014-09-26 | 2017-04-19 | 英特尔公司 | Common die implementation for low power memory devices |
JP2017532637A (en) * | 2014-09-26 | 2017-11-02 | インテル・コーポレーション | Common die implementation for low power memory devices |
JP6370953B1 (en) * | 2017-03-23 | 2018-08-08 | ファナック株式会社 | Multi-rank SDRAM control method and SDRAM controller |
DE102018204341A1 (en) | 2017-03-23 | 2018-09-27 | Fanuc Corporation | MULTI-RANK SDRAM CONTROL PROCEDURES AND SDRAM CONTROLLER |
US10474393B2 (en) | 2017-03-23 | 2019-11-12 | Fanuc Corporation | Multi-rank SDRAM control method and SDRAM controller |
DE102018204341B4 (en) * | 2017-03-23 | 2020-03-19 | Fanuc Corporation | MULTI-RANK SDRAM CONTROL METHOD AND SDRAM CONTROLLER |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100711100B1 (en) | Memory module and memory system including the same | |
KR101093857B1 (en) | Systems, methods, and apparatuses to transfer data and data mask bits in a common frame with a shared error bit code | |
US7957209B2 (en) | Method of operating a memory apparatus, memory device and memory apparatus | |
JP2004280790A (en) | Ecc control unit | |
JPWO2007116487A1 (en) | MEMORY DEVICE, ERROR CORRECTION SUPPORT METHOD, ITS SUPPORT PROGRAM, MEMORY CARD, CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP4842765B2 (en) | MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND MEMORY DEVICE DATA INPUT / OUTPUT METHOD | |
KR20160007609A (en) | Semiconductor device | |
JP2008293413A (en) | Accessing method for extension memory, electronic equipment, and memory module | |
KR20070036492A (en) | Semiconductor memory device | |
JP5481823B2 (en) | Memory module and memory auxiliary module | |
US7986582B2 (en) | Method of operating a memory apparatus, memory device and memory apparatus | |
KR20080052047A (en) | Circuit and method for controlling read/write operation of semiconductor memory apparatus | |
JP2018160104A (en) | Multi rank sdram control method and sdram controller | |
JP5040306B2 (en) | Storage control device and storage control method | |
JP2008027296A (en) | Memory device | |
JP3719633B2 (en) | Memory device | |
KR100311116B1 (en) | Test mode control circuit and method for semiconductor memory device | |
JP2005141682A (en) | High-speed memory access control device | |
JP2004146051A (en) | Integrated circuit and method which can execute read operation and write operation of data concurrently | |
KR100612127B1 (en) | Method for testing memory module and hub of memory module for the same | |
JP2009151526A (en) | Semiconductor memory device and system using the semiconductor memory device | |
US10417145B2 (en) | Memory system including a plurality of memory devices having different latencies and operation method thereof | |
JP3642420B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2006209371A (en) | Controller | |
KR101477809B1 (en) | A computer system and method controlling memory module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100803 |