JP2008288146A - Image display device - Google Patents

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JP2008288146A
JP2008288146A JP2007134241A JP2007134241A JP2008288146A JP 2008288146 A JP2008288146 A JP 2008288146A JP 2007134241 A JP2007134241 A JP 2007134241A JP 2007134241 A JP2007134241 A JP 2007134241A JP 2008288146 A JP2008288146 A JP 2008288146A
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Tsutomu Kuniyasu
努 國安
Takahiro Ueno
高弘 上野
Takeshi Saito
剛 齋藤
Hiroshi Kawasaki
浩 川崎
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Japan Display Inc
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Hitachi Displays Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an FED (field emission display) in which a desired white color temperature is attained without impairing white uniformity nor degrading luminance. <P>SOLUTION: A plurality of stripes 241 formed by the same material and process as those of a black matrix are arranged in each of a red phosphor 21 and a blue phosphor 23 to relatively lower the transmittance of the red phosphor 21 and that of the blue phosphor 23 with respect to that of a green phosphor 22. The transmittance of the red phosphor 21 is set lower than that of the blue phosphor 23. Thereby, a white color temperature of 9,300 K is achieved. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、内部を真空にし、背面基板に電子源をマトリクス状に配置し、前面基板に対応する蛍光体を配置したフラット型表示装置に係り、特に白色を表示したときの色温度および、白色の均一性に関する。   The present invention relates to a flat display device in which the inside is evacuated, the electron sources are arranged in a matrix on the rear substrate, and the phosphors corresponding to the front substrate are arranged, and in particular, the color temperature when white is displayed and the white Related to uniformity.

高輝度、高精細に優れたディスプレイデバイスとして、従来からカラー陰極線管が広く用いられている。しかし、省スペース、軽量等の観点から平面型画像表示装置の需要が拡大している。液晶表示装置、プラズマ表示装置等は30インチ以上の大画面としてもそれほど大きな重量にならないこと等から、TV等の大型表示装置の分野で需要が拡大している。   Conventionally, a color cathode ray tube has been widely used as a display device excellent in high luminance and high definition. However, the demand for flat image display devices is increasing from the viewpoint of space saving and light weight. The demand for liquid crystal display devices, plasma display devices, etc. is increasing in the field of large display devices such as TVs because they do not become so heavy even if they have a large screen of 30 inches or more.

一方、2枚のガラス基板に挟まれた内部を真空にして、一方の基板上に電子源をマトリクス状に配置し、対向基板に蛍光体を配置したいわゆるフィールドエミッションディスプレイ(以後FEDという)の開発が進んでいる。FEDは電子源からの電子が蛍光体に射突して発光することによって画像を形成するもので、明るさ、コントラスト、動画特性等でブラウン管並の優れた性能を得ることが出来るので、将来のTV用ディスプレイとして期待されている。   On the other hand, development of a so-called field emission display (hereinafter referred to as FED) in which the inside between two glass substrates is evacuated, electron sources are arranged in a matrix on one substrate, and phosphors are arranged on the opposite substrate. Is progressing. An FED forms an image when electrons from an electron source impinge on a phosphor and emit light, and it can obtain excellent performance similar to a cathode ray tube in terms of brightness, contrast, moving image characteristics, etc. It is expected as a display for TV.

FEDの問題点の一つとして白色を表示したときの色温度の問題がある。FEDの蛍光面構造は、赤、緑、青の蛍光体をマトリクス状に形成し、この赤、緑、青の蛍光体の間をブラックマトリクス(BM)によって充填または遮蔽している。逆にいえば、蛍光面全面にブラックマトリクスを形成し、このブラックマトリクスのホールに赤、緑、青の蛍光体を充填、または、ブラックマトリクスパターン上にまたがって赤、緑、青の蛍光体をパターニングしている。従来技術では、この赤、緑、青の蛍光体の大きさは同一である。   One of the problems with FED is the problem of color temperature when white is displayed. In the FED phosphor screen structure, red, green and blue phosphors are formed in a matrix, and the red, green and blue phosphors are filled or shielded by a black matrix (BM). Conversely, a black matrix is formed on the entire phosphor surface, and the holes of the black matrix are filled with red, green, and blue phosphors, or red, green, and blue phosphors are straddled over the black matrix pattern. Patterned. In the prior art, the sizes of the red, green and blue phosphors are the same.

しかし、このような蛍光面構造では、NTSC標準白色の色温度9300Kを出すことは困難である。すなわち、赤、緑、青の蛍光体の発光効率が異なるために、色温度9300Kを出そうとすると、相対的には緑色の発光が不足する。したがって、赤、緑、青の蛍光体を同一の大きさに形成すると、全体的にはマゼンタ系の白色となる。このときの色温度は例えば、4500Kである。   However, with such a phosphor screen structure, it is difficult to produce an NTSC standard white color temperature of 9300K. That is, since the luminous efficiency of the red, green, and blue phosphors is different, if a color temperature of 9300K is output, the green emission is relatively insufficient. Therefore, when red, green, and blue phosphors are formed in the same size, the overall color becomes magenta white. The color temperature at this time is, for example, 4500K.

この問題を対策する従来技術として、「特許文献1」があげられる。特許文献1には、所定の色バランスを得るために、赤および青の蛍光体の面積を緑の蛍光体の面積よりも小さくすることが記載されている。具体的には、赤および青の蛍光体の長径を緑の蛍光体の長径よりも小さくすること、あるいは、赤および青の蛍光体を分割して遮蔽部を設けることによって赤および青の蛍光体の面積を緑の蛍光体の面積よりも相対的に小さくすること等が記載されている。   As a conventional technique for solving this problem, “Patent Document 1” can be cited. Patent Document 1 describes that the area of red and blue phosphors is made smaller than the area of green phosphors in order to obtain a predetermined color balance. Specifically, the red and blue phosphors are made smaller by making the major axis of the red and blue phosphors smaller than the major axis of the green phosphor, or by dividing the red and blue phosphors and providing a shielding portion. Is described as being relatively smaller than the area of the green phosphor.

特開2006−73386号公報JP 2006-73386 A

しかし、「特許文献1」に記載の技術では、色温度を所定の温度にするために緑の蛍光体の面積を大きくする等の必要があるために、蛍光体間のブラックマトリクスの幅が異なってくるために色純度が劣化するという問題点がある。また、「特許文献1」に記載の他の技術では例えば、赤蛍光体を中央で分割して、左右面積の等しい2個の蛍光体とし、赤蛍光体の面積を小さくすることによって色温度を合わせる技術が記載されている。しかし、この技術では電子ビーム密度の最も大きい蛍光体の中央部付近において遮蔽体であるブラックマトリクスが形成されるので、電子ビームの利用効率が下がり、表示装置の明るさとともに、色純度の劣化が問題になる。   However, in the technique described in “Patent Document 1”, it is necessary to increase the area of the green phosphor in order to set the color temperature to a predetermined temperature. Therefore, the width of the black matrix between the phosphors is different. Therefore, there is a problem that the color purity is deteriorated. In another technique described in “Patent Document 1”, for example, the red phosphor is divided at the center to form two phosphors having the same right and left area, and the color temperature is reduced by reducing the area of the red phosphor. Techniques for matching are described. However, this technique forms a black matrix that is a shield near the center of the phosphor with the highest electron beam density, which reduces the efficiency of use of the electron beam and reduces the color purity as well as the brightness of the display device. It becomes a problem.

以上のように、FEDにおいて従来の技術によって所定の色温度を得ようとすると色純度の劣化の問題、画面明るさの低下の問題が生ずる。   As described above, in the FED, when a predetermined color temperature is obtained by the conventional technique, the problem of deterioration of color purity and the problem of reduction of screen brightness occur.

本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたもので、赤または青の蛍光体の領域内にブラックマトリクスによる遮蔽物を形成し、明るさの低下を最低限におさえつつ色温度の調整を行うものである。具体的な手段は次のとおりである。   The present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and forms a black matrix shielding object in the red or blue phosphor region to minimize the decrease in brightness while maintaining the color temperature. The adjustment is performed. Specific means are as follows.

(1)電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする表示装置。
(2)前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内の中央には前記ブラックマトリクスによるストライプが形成されていないことを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(3)前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(4)前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(5)前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部の中央部のほうが前記開口部の周辺部よりも大きいことを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(1) A cathode substrate in which an electron source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed in a location corresponding to the electron source. A display device maintained in a vacuum, wherein a black matrix is formed on the anode substrate, and red phosphor, green phosphor and blue phosphor are arranged side by side in an opening of the black matrix, and the red phosphor A display device, wherein a plurality of black matrix stripes are formed in an opening of a black matrix.
(2) The display device according to (1), wherein a stripe by the black matrix is not formed in the center of the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed.
(3) The display device according to (1), wherein a plurality of black matrix stripes are formed in an opening of the black matrix where the blue phosphor is formed.
(4) The display according to (1), wherein the transmittance of the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed is smaller than the transmittance of the opening of the black matrix in which the blue phosphor is formed. apparatus.
(5) The display device according to (1), wherein the transmittance of the opening portion of the black matrix in which the red phosphor is formed is larger in the central portion of the opening portion than in the peripheral portion of the opening portion. .

(6)電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なっていることを特徴とする表示装置。
(7)前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の周辺部には遮蔽物としてブラックマトリクスによる複数のストライプが形成され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の中央部には遮蔽物としてブラックマトリクスによるモザイクパターンが形成されていることを特徴とする(6)に記載の表示装置。
(8)前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なり、開口部の透過率は前記開口部中央において、前記開口部周辺よりも透過率が大きいことを特徴とする(6)に記載の表示装置。
(9)前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする(6)に記載の表示装置。
(10)前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部中央のほうが前記開口部周辺よりも大きいことを特徴とする(6)に記載の表示装置。
(6) A cathode substrate in which an electron source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron source. A display device maintained in a vacuum, wherein a black matrix is formed on the anode substrate, and red phosphor, green phosphor and blue phosphor are arranged side by side in an opening of the black matrix, and the red phosphor The display device is characterized in that a black matrix shielding object is formed in an opening of the black matrix, and the pattern of the shielding object is different between the opening center and the periphery of the opening.
(7) A plurality of black matrix stripes are formed around the black matrix opening where the red phosphor is formed as a shield, and at the center of the black matrix opening where the red phosphor is formed. The display device according to (6), wherein a mosaic pattern using a black matrix is formed as a shield.
(8) A black matrix shield is formed in the opening of the black matrix where the blue phosphor is formed, and the pattern of the shield differs between the center of the opening and the periphery of the opening. The display device according to (6), wherein the transmittance is higher in the center of the opening than in the periphery of the opening.
(9) The display according to (6), wherein the transmittance of the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed is smaller than the transmittance of the opening of the black matrix in which the blue phosphor is formed. apparatus.
(10) The display device according to (6), wherein the transmittance of the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed is larger at the center of the opening than at the periphery of the opening.

(11)電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記赤蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央部と周辺部で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする表示装置。
(12)前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記青蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央と周辺で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする(11)に記載の表示装置。
(13)前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする(11)に記載の表示装置。
(14)前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の中央部に形成される前記遮蔽物のパターンと前記開口部の周辺部に形成される遮蔽物のバターンとは同じパターンであることを特徴とする(11)に記載の表示装置。
(11) A cathode substrate in which an electron source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron source. A display device maintained in a vacuum, wherein a black matrix is formed on the anode substrate, and red phosphor, green phosphor and blue phosphor are arranged side by side in an opening of the black matrix, and the red phosphor A black matrix shield is formed in the opening of the black matrix formed, and the transmittance of the black matrix opening for the red phosphor is equal in the central portion and the peripheral portion of the opening portion or in the central portion. A display device characterized by being larger than the peripheral portion.
(12) A black matrix shield is formed in the opening of the black matrix where the blue phosphor is formed, and the transmittance of the black matrix opening for the blue phosphor is equal at the center and the periphery of the opening. Or the center part is larger than a peripheral part, The display apparatus as described in (11) characterized by the above-mentioned.
(13) The display according to (11), wherein the transmittance of the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed is smaller than the transmittance of the opening of the black matrix in which the blue phosphor is formed. apparatus.
(14) The pattern of the shielding object formed at the center of the opening of the black matrix where the red phosphor is formed and the pattern of the shielding object formed at the periphery of the opening are the same pattern. (11) The display device according to (11).

(15)電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数の遮蔽物が形成されていることを特徴とする表示装置。   (15) A cathode substrate in which an electron source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage being applied, and a phosphor formed in a location corresponding to the electron source, A display device maintained in a vacuum, wherein a black matrix is formed on the anode substrate, and red phosphor, green phosphor and blue phosphor are arranged side by side in an opening of the black matrix, and the red phosphor A display device, wherein a plurality of black matrix shielding objects are formed in an opening of a black matrix.

本発明によって色純度を低下させることなく、また、画面輝度の明るさの低下を最低限におさえつつ所定の色温度を得ることができる。本発明の手段ごとの効果は次のとおりである。   According to the present invention, a predetermined color temperature can be obtained without decreasing the color purity and minimizing the decrease in brightness of the screen luminance. The effects of each means of the present invention are as follows.

手段(1)によれば、赤蛍光体のBMホール内に複数のストライプを形成するので、BMホール内の透過率を制御して色純度を劣化させることなく白色色温度の調整をすることができる。   According to the means (1), since the plurality of stripes are formed in the BM hole of the red phosphor, the white color temperature can be adjusted without deteriorating the color purity by controlling the transmittance in the BM hole. it can.

手段(2)によれば、赤蛍光体のBMホールの中央にはBMストライプが形成されていないのでBMホールの中央部の透過率をBMホールの周辺部よりも透過率を大きくすることが出来る。したがって、色純度の劣化を最小限に保ちながら、白色色温度の制御をすることが出来る。   According to the means (2), since no BM stripe is formed at the center of the BM hole of the red phosphor, the transmittance at the center of the BM hole can be made larger than that at the periphery of the BM hole. . Therefore, it is possible to control the white color temperature while keeping the color purity deterioration to a minimum.

手段(3)によれば、青蛍光体のBMホールにも複数のBMストライプが形成されているので、白色色温度を9300Kに設定することが容易となる。   According to the means (3), since a plurality of BM stripes are also formed in the BM hole of the blue phosphor, it is easy to set the white color temperature to 9300K.

手段(4)によれば、赤蛍光体のBMホールの透過率が青蛍光体のBMホールの透過率よりも小さいために、白色色温度を9300Kに設定することが容易となる。   According to the means (4), since the transmittance of the BM hole of the red phosphor is smaller than the transmittance of the BM hole of the blue phosphor, it is easy to set the white color temperature to 9300K.

手段(5)によれば、赤蛍光体のBMホールはBMホールの中央部では透過率が大きくBMホールの周辺部は透過率が小さいために色純度の劣化を最低限にとどめながら白色色温度を9300Kに近づけることが出来る。   According to the means (5), since the BM hole of the red phosphor has a high transmittance in the central part of the BM hole and a low transmittance in the peripheral part of the BM hole, the white color temperature is kept while minimizing the deterioration of the color purity. Can be close to 9300K.

手段(6)によれば、赤蛍光体のBMホールには周辺部と中央部とで異なった遮蔽パターンが形成されるためにBMホールの透過率をBMホール中央部と周辺とで、容易に差をつけることが出来る。   According to the means (6), the BM hole of the red phosphor is formed with different shielding patterns at the peripheral part and the central part, so that the transmittance of the BM hole can be easily changed between the central part and the peripheral part of the BM hole. You can make a difference.

手段(7)によれば、赤蛍光体のBMホールの周辺に複数のストライプを形成し、中央部にモザイクパターンを形成するので、BMホールの中央と周辺とで透過率の差をつけることが容易となる。   According to the means (7), a plurality of stripes are formed around the BM hole of the red phosphor, and a mosaic pattern is formed at the center, so that a difference in transmittance can be provided between the center and the periphery of the BM hole. It becomes easy.

手段(8)によれば、青蛍光体のBMホールにもホール中央とホール周辺とで遮蔽パターンを異ならせるので、BMホールの中央部と周辺部とで透過率の差を容易につけることが出来る。   According to the means (8), since the shielding pattern of the blue phosphor BM hole is made different between the center of the hole and the periphery of the hole, a difference in transmittance can be easily made between the center and the periphery of the BM hole. I can do it.

手段(9)によれば、赤蛍光体のBMホールの透過率は青蛍光体のBMホールの透過率よりも小さいので、白色色温度を9300Kに設定することが容易となる。   According to the means (9), since the transmittance of the BM hole of the red phosphor is smaller than the transmittance of the BM hole of the blue phosphor, it is easy to set the white color temperature to 9300K.

手段(10)によれば、赤蛍光体のBMホールの遮蔽パターンをBMホール中央部と周辺部とで異ならせ、赤蛍光体のBMホールの中央部の透過率がBMホールの周辺部の透過率よりも大きくするために、色純度の劣化を最低限にとどめながら、白色色温度を制御することが出来る。   According to the means (10), the shielding pattern of the BM hole of the red phosphor is made different between the central part and the peripheral part of the BM hole, and the transmittance of the central part of the BM hole of the red phosphor is the transmission of the peripheral part of the BM hole. In order to make it larger than the rate, the white color temperature can be controlled while minimizing the deterioration of color purity.

手段(11)によれば、赤蛍光体が形成されるBMホールの透過率をBMホールの中央部で大きく、BMホールの周辺部で小さくしたので、色純度の劣化を最低限におさえつつ、白色色温度を制御することが出来る。   According to the means (11), since the transmittance of the BM hole in which the red phosphor is formed is large at the central portion of the BM hole and small at the peripheral portion of the BM hole, the deterioration of the color purity is minimized. The white color temperature can be controlled.

手段(12)によれば、赤蛍光体が形成されるBMホールの透過率をBMホールの中央部で大きく、BMホールの周辺部で小さくしたので、色純度の劣化を最低限におさえつつ、白色色温度を9300Kに近づけることが出来る。   According to the means (12), the transmittance of the BM hole in which the red phosphor is formed is increased at the central part of the BM hole and decreased at the peripheral part of the BM hole. The white color temperature can be brought close to 9300K.

手段(13)によれば、赤蛍光体のBMホールの透過率は青蛍光体のBMホールの透過率よりも小さいので、白色色温度を9300Kに容易に近づけることが出来る。   According to the means (13), since the transmittance of the BM hole of the red phosphor is smaller than the transmittance of the BM hole of the blue phosphor, the white color temperature can be easily brought close to 9300K.

手段(14)によれば、赤蛍光体のBMホールには同じパターンの遮蔽物が形成されているので、BMホール内の遮蔽物の形成を単純化することが出来る。   According to the means (14), since the shield of the same pattern is formed in the BM hole of the red phosphor, the formation of the shield in the BM hole can be simplified.

以下、本発明の最良の形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。   The best mode of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings of the embodiments.

図1は本発明の第1の実施例を示す平面図である。図1において、カソード基板1の上には封着部3を介してアノード基板2が設置されている。カソード基板上には横方向には走査線11が、縦方向にはデータ信号線12が延在している。走査線11には走査線端子51から、データ信号線12にはデータ信号線端子52を介して外部から信号が供給される。走査線11とデータ信号線12の交差部付近には電子源が配置されている。したがって、多数の電子源がマトリクス状に配列されている。電子源としては、いわゆるMIM方式、SID方式、Spindt方式等種々のもが開発されているが、いずれの電子源も本発明に適用可能である。本実施例では電子源の例としてMIM方式の電子源を用いている。   FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, an anode substrate 2 is installed on a cathode substrate 1 via a sealing portion 3. On the cathode substrate, scanning lines 11 extend in the horizontal direction and data signal lines 12 extend in the vertical direction. A signal is supplied from the outside to the scanning line 11 from the scanning line terminal 51 and to the data signal line 12 through the data signal line terminal 52. An electron source is arranged near the intersection of the scanning line 11 and the data signal line 12. Therefore, a large number of electron sources are arranged in a matrix. Various electron sources such as a so-called MIM system, SID system, and Spindt system have been developed, and any electron source can be applied to the present invention. In this embodiment, an MIM type electron source is used as an example of the electron source.

カソード基板1とアノード基板2と周辺を囲む封着部3の内部は真空に保たれる。したがって、大気圧によってアノード基板2、カソード基板1が撓み、カソード基板1とアノード基板2の間隔が確保できなくなる。あるいは、カソード基板1またはアノード基板2が破壊してしまう。これを避けるために、カソード基板1とアノード基板2との間にスペーサ4が設置される。このスペーサ4はセラミックスまたはガラスで形成され、画像形成の妨げにならないように一般的には走査線上に設置される。   The inside of the sealing part 3 surrounding the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 and the periphery is kept in a vacuum. Therefore, the anode substrate 2 and the cathode substrate 1 are bent by the atmospheric pressure, and the interval between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 cannot be secured. Alternatively, the cathode substrate 1 or the anode substrate 2 is destroyed. In order to avoid this, a spacer 4 is provided between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2. The spacer 4 is formed of ceramics or glass and is generally installed on the scanning line so as not to hinder image formation.

アノード基板上には電子ビーム15の射突によって光を発する赤、緑、青の蛍光体が電子源に対応して形成されている。蛍光体の周囲にはブラックマトリクス(BM)が形成されており、画像のコントラスを向上させる。ブラックマトリクス24を覆ってAlによるメタルバクが形成されている。メタルバック25には高電圧が印加され、カソードから出射する電子ビーム15を加速して赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23に射突させる。   On the anode substrate, red, green, and blue phosphors that emit light by the impact of the electron beam 15 are formed corresponding to the electron source. A black matrix (BM) is formed around the phosphor to improve image contrast. A metal backing made of Al is formed so as to cover the black matrix 24. A high voltage is applied to the metal back 25, and the electron beam 15 emitted from the cathode is accelerated so as to strike the red phosphor 21, the green phosphor 22, and the blue phosphor 23.

電子ビーム15によって蛍光体から光を発生させるためには電子ビーム15はある程度のエネルギーをもっていなければならないので、アノード基板2のメタルバック25には8KVから10KVの高電圧が印加される。本実施例では外部から高電圧を供給するための高電圧導入端子はカソード基板側に設けられ、コンタクトスプリングを介してアノード基板2に高電圧が供給される。図1おいて、コンタクトスプリングとアノード基板2が接触するアノード端子が表示装置のコーナー部に形成されている。表示装置の内部は真空に保たなければならないので、図1における表示装置のコーナー部に排気のための排気孔81が形成されている。   In order to generate light from the phosphor by the electron beam 15, the electron beam 15 must have a certain amount of energy. Therefore, a high voltage of 8 KV to 10 KV is applied to the metal back 25 of the anode substrate 2. In this embodiment, a high voltage introduction terminal for supplying a high voltage from the outside is provided on the cathode substrate side, and a high voltage is supplied to the anode substrate 2 through a contact spring. In FIG. 1, an anode terminal where the contact spring contacts the anode substrate 2 is formed at a corner portion of the display device. Since the inside of the display device must be kept in a vacuum, exhaust holes 81 for exhaust are formed at the corners of the display device in FIG.

図2は図1をD方向から見た側面図である。図2において、カソード基板1とアノード基板2は封着部3を介して所定の距離を持って対向している。カソード基板1のほうが端子5等が設置される分大きく形成されている。カソード基板1の下には、排気管8、高電圧導入ボタン60を取り付けるための排気基板6が取り付けられている。排気基板6は排気基板封着部7を介してカソード基板1に取り付けられている。図2では排気基板6には表示装置の内部を真空にするための排気管8がチップオフされた状態で描かれている。排気管8の近くに高電圧導入ボタン60が取り付けられている。   FIG. 2 is a side view of FIG. 1 viewed from the D direction. In FIG. 2, the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 face each other with a predetermined distance through the sealing portion 3. The cathode substrate 1 is formed larger as the terminals 5 and the like are installed. Under the cathode substrate 1, an exhaust substrate 6 for attaching the exhaust pipe 8 and the high voltage introduction button 60 is attached. The exhaust substrate 6 is attached to the cathode substrate 1 via an exhaust substrate sealing portion 7. In FIG. 2, an exhaust pipe 8 for evacuating the inside of the display device is drawn on the exhaust substrate 6 in a state where the chip is turned off. A high voltage introduction button 60 is attached near the exhaust pipe 8.

図3は図1のA−A断面図である。図3において、データ信号線12が紙面と垂直方向に延在している。本実施例ではこのデータ信号線12の上に電子源14が形成されている。絶縁膜13を介して走査線11がデータ信号線12と直角方向に形成されている。図3において、走査線11は封着部3の外部に延在している。走査線11の上にはカソード基板1とアノード基板2との距離を保つためのスペーサ4が設置されている。スペーサ4は固着材41によってカソード基板側では走査線上に、アノード基板側ではメタルバック25に固着されている。このスペーサ4には10から10Ω程度の導電性が与えられ、カソードとアノードとの間にわずかに電流を流すことによってスペーサ4の帯電を防止している。 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. In FIG. 3, the data signal line 12 extends in a direction perpendicular to the paper surface. In this embodiment, an electron source 14 is formed on the data signal line 12. The scanning line 11 is formed in a direction perpendicular to the data signal line 12 through the insulating film 13. In FIG. 3, the scanning line 11 extends outside the sealing portion 3. A spacer 4 for maintaining the distance between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 is provided on the scanning line 11. The spacer 4 is fixed to the scanning line on the cathode substrate side by the fixing material 41 and to the metal back 25 on the anode substrate side. The spacer 4 has a conductivity of about 10 8 to 10 9 Ω, and the spacer 4 is prevented from being charged by passing a slight current between the cathode and the anode.

アノード基板側では、電子源14に対応する場所には、赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23が配置され、この赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23は電子ビーム15に射突されることによって発光し、画像が形成される。赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23の間はBM24で充填され、画像のコントラスの向上に寄与する。BM24は例えば、クロムおよび酸化クロムの2層構造になっている。赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23およびBM24を覆ってAlによるメタルバック25が形成されている。メタルバック25には約8KVから10KV程度の高電圧が印加され、電子ビーム15を加速する。加速された電子ビーム15はメタルバック25を突き抜けて赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23に射突し、赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23を発光させる。   On the anode substrate side, a red phosphor 21, a green phosphor 22, and a blue phosphor 23 are disposed at a location corresponding to the electron source 14, and the red phosphor 21, the green phosphor 22, and the blue phosphor 23 are electrons. Light is emitted by being projected onto the beam 15 to form an image. The space between the red phosphor 21, the green phosphor 22, and the blue phosphor 23 is filled with BM 24, which contributes to improving the contrast of the image. For example, the BM 24 has a two-layer structure of chromium and chromium oxide. A metal back 25 made of Al is formed so as to cover the red phosphor 21, the green phosphor 22, the blue phosphor 23 and the BM 24. A high voltage of about 8 KV to 10 KV is applied to the metal back 25 to accelerate the electron beam 15. The accelerated electron beam 15 penetrates the metal back 25 and strikes the red phosphor 21, the green phosphor 22, and the blue phosphor 23, and causes the red phosphor 21, the green phosphor 22, and the blue phosphor 23 to emit light.

表示装置の内部を真空に保つために、枠部材31と封着材32によってカソード基板1とアノード基板2がシールされている。カソード基板1の厚さおよびアノード基板2の厚さは3mm程度である。また、カソード基板1とアノード基板2との距離は約2.8mm程度であり、表示装置の内側は高電界となっている。   In order to keep the inside of the display device in a vacuum, the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 are sealed by the frame member 31 and the sealing material 32. The thickness of the cathode substrate 1 and the thickness of the anode substrate 2 are about 3 mm. The distance between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 is about 2.8 mm, and the inside of the display device has a high electric field.

図4は図1のB‐B断面図である。図4において、カソード基板1には通孔10が形成されており、この通孔10を通して表示装置の排気あるいは高電圧の供給が行なわれる。カソード基板1の通孔10を覆って排気基板6が排気基板用封着部7を介して設置され、表示装置の内部を真空に保つ。排気基板用封着部7はカソード基板1とアノード基板2の封着部3と基本的な構成は同じである。すなわち、排気基板用枠体71が封着材32を介してカソード基板1およびアノード基板2と封着されている。   4 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. In FIG. 4, a through hole 10 is formed in the cathode substrate 1, and the display device is exhausted or a high voltage is supplied through the through hole 10. An exhaust substrate 6 is installed through the exhaust substrate sealing portion 7 so as to cover the through hole 10 of the cathode substrate 1, and the inside of the display device is kept in vacuum. The exhaust substrate sealing portion 7 has the same basic configuration as the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 sealing portion 3. That is, the exhaust substrate frame 71 is sealed to the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 via the sealing material 32.

高電圧導入ボタン60が封着材32によってカソード基板1にとりつけられ、外部と気密を保っている。この封着材32にはフリットガラスが用いられる。高電圧導入ボタンにはFe−Ni合金が用いられる。Fe−Ni合金の成分比は封着材32と熱膨張係数を合わせるように選定される。高電圧導入ボタン60にはコンタクトスプリング50がスポット溶接される。コンタクトスプリング50はインコネルによって形成されるが、インコネルはFe−Ni合金と容易にスポット溶接を行うことが出来る。   The high voltage introduction button 60 is attached to the cathode substrate 1 by the sealing material 32, and is kept airtight from the outside. The sealing material 32 is made of frit glass. An Fe—Ni alloy is used for the high voltage introduction button. The component ratio of the Fe—Ni alloy is selected so as to match the thermal expansion coefficient with the sealing material 32. A contact spring 50 is spot welded to the high voltage introduction button 60. The contact spring 50 is made of Inconel, which can be easily spot welded with the Fe—Ni alloy.

コンタクトスプリング50は高電圧導入ボタン60と接続するベース部とアーム部とコンタクト部とから形成されている。コンタクトスプリング50のアーム部が湾曲することによる曲げ応力によって、コンタクトスプリング50のコンタクト部が適切な力によってアノード基板2に形成されたメタルバック25に接触する。本実施例でのコンタクトスプリング50の接触圧は約10gである。コンタクトスプリング50のコンタクト部は球面等の適切な曲面となっており、メタルバック25と安定に接触をとれるように形成されている。コンタクトスプリング50の材料は耐熱性等を考慮してインコネルが使用され、厚さは0.1mmである。   The contact spring 50 is formed of a base portion connected to the high voltage introduction button 60, an arm portion, and a contact portion. The contact portion of the contact spring 50 comes into contact with the metal back 25 formed on the anode substrate 2 by an appropriate force due to bending stress caused by the bending of the arm portion of the contact spring 50. The contact pressure of the contact spring 50 in this embodiment is about 10 g. The contact portion of the contact spring 50 has an appropriate curved surface such as a spherical surface, and is formed so as to be able to stably contact the metal back 25. Inconel is used for the material of the contact spring 50 in consideration of heat resistance and the thickness is 0.1 mm.

アノード基板2にはコンタクトスプリング50と接触するためのアノード端子26が形成されている。アノード端子26には比較的大きな電流が流れるために、信頼性が重要である。本実施例ではアノード端子26部分の構造は次のようになっている。アノード基板上にはクロムと酸化クロムのBM24が形成され、これを覆ってAlによるメタルバック25が形成されている。これは画面の有効面と同じ構成である。本実施例ではメタルバック25の上に、アノード端子26として導電膜が厚さ10μmから30μmで形成される。本実施例では導電膜は銀ペーストを印刷によって塗布し、その後、焼成することによって形成される。この導電膜の焼成は特別なプロセスを設ける必要は無く、例えば、スペーサ4を固着するときの焼成プロセスと同時に行なえばよい。   An anode terminal 26 for contacting the contact spring 50 is formed on the anode substrate 2. Since a relatively large current flows through the anode terminal 26, reliability is important. In the present embodiment, the structure of the anode terminal 26 portion is as follows. A BM 24 of chromium and chromium oxide is formed on the anode substrate, and a metal back 25 made of Al is formed covering the BM 24. This is the same configuration as the effective surface of the screen. In this embodiment, a conductive film having a thickness of 10 μm to 30 μm is formed on the metal back 25 as the anode terminal 26. In this embodiment, the conductive film is formed by applying a silver paste by printing and then baking. There is no need to provide a special process for firing the conductive film. For example, it may be performed simultaneously with the firing process for fixing the spacer 4.

銀ペーストは直径1ミクロンから数μmの銀粒子を粘度の高い有機溶媒に分散させたものである。焼成後、銀粒子同士がつながることによって導電性を持つことになる。導電膜はある程度の抵抗を持ったほうが良い場合もある。このような場合は通常の銀ペーストにさらにフリットガラス用のペーストを混合して抵抗を調整することができる。なお、導電膜の材料としては、銀ペーストに限る必要は無く、Ni粒子を分散させたNiペースト、Al粒子を分散させたAlペースト等を用いることもできる。また、バインダによって結合した黒鉛膜を用いることも出来る。この場合の黒鉛はグラファイトが好適である。黒鉛膜の抵抗は、例えば、黒鉛にベンガラ(酸化鉄)を混合することによって調整することができる。   The silver paste is obtained by dispersing silver particles having a diameter of 1 μm to several μm in an organic solvent having a high viscosity. After firing, the silver particles are connected to each other to have conductivity. In some cases, the conductive film should have some resistance. In such a case, the resistance can be adjusted by further mixing a paste for frit glass with a normal silver paste. Note that the material of the conductive film is not limited to silver paste, and Ni paste in which Ni particles are dispersed, Al paste in which Al particles are dispersed, and the like can also be used. A graphite film bonded with a binder can also be used. The graphite in this case is preferably graphite. The resistance of the graphite film can be adjusted, for example, by mixing bengara (iron oxide) with graphite.

導電膜を10μmから30μmと厚く形成することによって、コンタクトスプリング50と導電膜の接触を安定に行なうことができる。すなわち金属膜であれば、コンタクトスプリング50と金属膜とは点接触となり、この点接触部分に電流が集中して導電膜が破壊する危険が大きいが、本実施例のような導電膜であれば、導電膜とコンタクトスプリング50とは金属膜の場合と比較して接触面積を大きくとることができ、面接触に近い状態となり、接触が安定する。また、本実施例のような導電膜であれば、金属に比べて抵抗が大きいため、コンタクト部に大電流が流れることを抑止することができる。この点からも接触による導通の安定性を向上することが出来る。   By forming the conductive film as thick as 10 μm to 30 μm, the contact spring 50 and the conductive film can be stably contacted. That is, in the case of a metal film, the contact spring 50 and the metal film are in point contact, and there is a great risk that current concentrates on this point contact portion and the conductive film is destroyed. The conductive film and the contact spring 50 can have a large contact area as compared with the case of a metal film, become a state close to surface contact, and stabilize the contact. In addition, since the conductive film as in this embodiment has a higher resistance than metal, it can be prevented that a large current flows through the contact portion. Also from this point, the stability of conduction by contact can be improved.

排気基板6には排気孔81が形成され、この排気孔81には排気管8が封着材32としてのフリットガラスを介して設置される。排気管8を通して表示装置の内部が真空排気され、その後、排気管8はチップオフされて表示装置の内部は真空に保持される。図4は排気管8がチップオフされた状態を示している。   An exhaust hole 81 is formed in the exhaust substrate 6, and an exhaust pipe 8 is installed in the exhaust hole 81 through frit glass as a sealing material 32. The inside of the display device is evacuated through the exhaust pipe 8, and then the exhaust pipe 8 is chipped off and the inside of the display device is kept in vacuum. FIG. 4 shows a state in which the exhaust pipe 8 is chipped off.

図5は図1のC−C断面を示す模式図である。図5において、カソード基板上には横方向にデータ信号線12が延在している。データ信号線12と直角に走査線11が紙面の法線方向に延在している。走査線11は2層構造となっている。配線抵抗を減らすためである。走査線と走査線の間のデータ信号線12の上には電子源14が配置されている。電子源14はデータ信号線12が下部電極となり、トンネル絶縁膜を介して走査線11と電気的に接続する上部電極によって構成される。   FIG. 5 is a schematic view showing a CC cross section of FIG. In FIG. 5, data signal lines 12 extend in the horizontal direction on the cathode substrate. A scanning line 11 extends in the normal direction of the paper surface at right angles to the data signal line 12. The scanning line 11 has a two-layer structure. This is to reduce the wiring resistance. An electron source 14 is disposed on the data signal line 12 between the scanning lines. The electron source 14 includes a data signal line 12 serving as a lower electrode and an upper electrode that is electrically connected to the scanning line 11 via a tunnel insulating film.

アノード基板2には赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23が形成されているが、図5においては緑蛍光体22のみが表示されている。蛍光体と蛍光体の間はBM24によって覆われている。蛍光体およびBM24を覆ってAlをスパッタリングすることによって、メタルバック25が形成される。メタルバック25には約8KVから10KVの高電圧であるアノード電圧が印加されている。このアノード電圧によって電子源14から放出された電子ビーム15は加速される。電子源14から放出された電子ビーム15はメタルバック25を突き抜けて赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23に射突することによってカラー画像が形成される。電子ビーム15は電子源14から放出されると広がるが、蛍光面上では、各蛍光体よりも若干大きくなるように設計されている。   On the anode substrate 2, a red phosphor 21, a green phosphor 22, and a blue phosphor 23 are formed. In FIG. 5, only the green phosphor 22 is displayed. The space between the phosphor and the phosphor is covered with BM24. A metal back 25 is formed by sputtering Al over the phosphor and the BM 24. An anode voltage which is a high voltage of about 8 KV to 10 KV is applied to the metal back 25. The electron beam 15 emitted from the electron source 14 is accelerated by the anode voltage. The electron beam 15 emitted from the electron source 14 penetrates the metal back 25 and strikes the red phosphor 21, the green phosphor 22, and the blue phosphor 23, thereby forming a color image. The electron beam 15 spreads when emitted from the electron source 14, but is designed to be slightly larger than each phosphor on the phosphor screen.

アノード基板2とカソード基板1の距離を保つために、図3で説明したように、スペーサ4が設置される。スペーサ4はカソード基板上の走査線11とアノード基板上のメタルバック25の間に設置される。この位置であれば、スペーサ4が画像形成の妨げにならない。   In order to maintain the distance between the anode substrate 2 and the cathode substrate 1, the spacer 4 is installed as described with reference to FIG. The spacer 4 is disposed between the scanning line 11 on the cathode substrate and the metal back 25 on the anode substrate. At this position, the spacer 4 does not interfere with image formation.

図6は蛍光面に電子ビーム15が射突している例であり、図7は電子源14からの電子が蛍光面に射突する様子を示した模式図である。図6において、ブラックマトリクス24にホールが形成されており、ホール部分に赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23が形成されている。電子源14から放出された電子ビーム15は蛍光面上では楕円形状となって蛍光体に射突している。図6および図7においては楕円状の電子ビーム15の短径は蛍光体の短径よりも大きい。図6において、赤蛍光体21から赤蛍光体21までのピッチは例えば、0.519mmである。BM24の幅は等しく0.024mmである。一方、蛍光体の長径方向の縦ピッチは0.519mmである。したがって3色の蛍光体を纏めた横ピッチと縦ピッチは等しく0.519mmである。   FIG. 6 shows an example in which the electron beam 15 strikes the phosphor screen, and FIG. 7 is a schematic diagram showing how electrons from the electron source 14 strike the phosphor screen. In FIG. 6, holes are formed in the black matrix 24, and a red phosphor 21, a green phosphor 22, and a blue phosphor 23 are formed in the hole portion. The electron beam 15 emitted from the electron source 14 has an elliptical shape on the phosphor screen and strikes the phosphor. 6 and 7, the minor axis of the elliptical electron beam 15 is larger than the minor axis of the phosphor. In FIG. 6, the pitch from the red phosphor 21 to the red phosphor 21 is, for example, 0.519 mm. The width of the BM 24 is equally 0.024 mm. On the other hand, the longitudinal pitch in the major axis direction of the phosphor is 0.519 mm. Therefore, the horizontal pitch and the vertical pitch of the three color phosphors are equal to 0.519 mm.

図6は蛍光体と電子ビーム15の中心が一致している例である。実際にはアノード基板2とカソード基板等の位置あわせの誤差等が存在しているために、蛍光体と電子ビーム15の中心はずれる。電子ビーム15の中心をと蛍光体の中心がずれた例を図8および図9に示す。図8および図9は緑蛍光体用の電子ビーム15の中心が緑蛍光体22の中止から赤蛍光体側にずれた例を示す。この結果緑蛍光体用の電子ビーム15の一部が本来射突すべきでない赤蛍光体21の他色打ち部分151に射突している。一方緑蛍光体22には電子ビーム15が射突しない欠け領域152が生じている。図8および図9は緑蛍光体22の場合を例にとって説明したが、赤蛍光体21、青蛍光体23の場合も同様である。   FIG. 6 shows an example in which the centers of the phosphor and the electron beam 15 coincide. Actually, since there is an alignment error between the anode substrate 2 and the cathode substrate, the centers of the phosphor and the electron beam 15 are off. An example in which the center of the phosphor is displaced from the center of the electron beam 15 is shown in FIGS. 8 and 9 show an example in which the center of the electron beam 15 for the green phosphor is shifted from the stop of the green phosphor 22 toward the red phosphor. As a result, a part of the electron beam 15 for the green phosphor strikes the other colored portion 151 of the red phosphor 21 that should not project. On the other hand, the green phosphor 22 has a chipped region 152 where the electron beam 15 does not strike. 8 and 9 have been described by taking the case of the green phosphor 22 as an example, but the same applies to the case of the red phosphor 21 and the blue phosphor 23.

図6に示すように、通常は赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23とも同じ寸法である。また、各蛍光体の間のBM24の間隔も同じである。このように、各蛍光体の面積が同じ場合の色温度は4500K程度であり、NTSCの白色9300Kよりも赤方向にシフトした白となっている。これをNTSCの白の色温度に近づけるためには緑の発光強度を強くしなければならない。緑の発光強度を強くする方法として、緑蛍光体用BMのホールの面積、すなわち、緑蛍光体22の面積を大きくする方法がある。しかし、この方法は図8および図9に示したように、他色打ち等による色純度の劣化を生ずる。ずなわち、蛍光体の面積を大きくすれば、蛍光体間のBM24の幅が狭くなり、より他色打ちをしやすくなる。   As shown in FIG. 6, normally, the red phosphor 21, the green phosphor 22, and the blue phosphor 23 have the same dimensions. Moreover, the interval of BM24 between each fluorescent substance is also the same. Thus, the color temperature when the areas of the respective phosphors are the same is about 4500K, which is white shifted in the red direction from NTSC white 9300K. In order to bring this close to the NTSC white color temperature, the green emission intensity must be increased. As a method for increasing the green emission intensity, there is a method of increasing the hole area of the green phosphor BM, that is, the area of the green phosphor 22. However, as shown in FIGS. 8 and 9, this method causes deterioration of color purity due to other color strikes or the like. In other words, if the area of the phosphor is increased, the width of the BM 24 between the phosphors becomes narrower, and it becomes easier to strike other colors.

本実施例は色純度の劣化を防止するために、緑蛍光体22の面積を大きくするのではなく、赤または青の蛍光体の内部にBMによる遮蔽部を形成し、赤または青の発光強度を下げることによって白色色温度を9300Kに近づけるものである。図10は本実施例の1形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の蛍光体の回りはブラックマトリクスが形成されており、本来は黒色であるが、図面がわかりにくくなるので、白抜きとしている。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のBM幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。蛍光体の間のピッチが等しければ対応する電子源14のピッチ、ひいてはデータ信号線のピッチ等も等しい。   In this embodiment, in order to prevent the deterioration of color purity, the area of the green phosphor 22 is not increased, but a shielding portion by BM is formed inside the red or blue phosphor, and the emission intensity of red or blue is increased. The white color temperature is brought close to 9300K by lowering. FIG. 10 is a schematic diagram showing a configuration of a phosphor screen as one form of the present embodiment. A black matrix is formed around the phosphors of red, green, and blue, which is originally black, but the drawing is difficult to understand, so it is white. The widths of the red, green, and blue phosphors are equal, and the BM width between the red, green, and blue phosphors is also constant. Therefore, the pitch between each phosphor is equal. If the pitches between the phosphors are equal, the corresponding pitches of the electron sources 14, and the pitches of the data signal lines are also equal.

図10において、赤蛍光体21が形成されるBMホールにはストライプ状の遮蔽体であるBMストライプ241が形成されている。これは実際にはBM24と同じ物質でBMホールを形成時に同時に形成される。赤蛍光体21はこのストライプ状にBMが形成された部分に被着される。BMのホールおよびストライプは一般には次のようにして形成される。すなわち、酸化クロムとクロムをスパッタリングによってアノード基板全体に被着する。この酸化クロムとクロムの積層膜をフォトエッチングすることによって形成する。フォトエッチングで形成するので、BMのホールだけを形成する場合も、BMホール内にストライプを形成する場合も工程は同じである。   In FIG. 10, a BM stripe 241 which is a stripe-shaped shield is formed in the BM hole where the red phosphor 21 is formed. In practice, this is formed simultaneously with the formation of BM holes with the same material as BM24. The red phosphor 21 is attached to the portion where the BM is formed in the stripe shape. BM holes and stripes are generally formed as follows. That is, chromium oxide and chromium are deposited on the entire anode substrate by sputtering. This laminated film of chromium oxide and chromium is formed by photoetching. Since it is formed by photoetching, the process is the same whether only the BM hole is formed or the stripe is formed in the BM hole.

BMホール内に形成されたBMストライプ241によって赤蛍光体21から外部への発光面積は小さくなる。逆に赤蛍光体21はBMホール内のBMストライプ241によって分断されるが、この分断の数は3以上である。言い換えれば、BMホール内のBMストライプ241は2本以上とする必要がある。そしてBMホールの中央にはBMストライプ241は形成されないほうが良い。図8および図9で示したように、BMホールの周辺は隣の電子ビーム15によって他色打ちされやすい。したがって、BMホールの周辺は蛍光体の発光面積が小さいほうが、他色打ちした場合の色純度の劣化は小さくて済む。一方、電子ビーム15の密度は一定ではなく、例えば、ガウス分布をしている。そして電子ビーム15の密度は中央でもっとも高い。したがって、BMホールの中央において遮蔽物であるBMストライプ241が無ければ、明るさ低下への影響は小さくなる。BMホール内のストライプをこのように配置することによって色温度の調整をしつつ、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度を9300Kに近づけることが出来る。   The light emission area from the red phosphor 21 to the outside is reduced by the BM stripe 241 formed in the BM hole. Conversely, the red phosphor 21 is divided by the BM stripe 241 in the BM hole, and the number of the divisions is three or more. In other words, it is necessary to have two or more BM stripes 241 in the BM hole. The BM stripe 241 should not be formed at the center of the BM hole. As shown in FIGS. 8 and 9, the periphery of the BM hole is easily hit with another color by the adjacent electron beam 15. Therefore, the smaller the light emitting area of the phosphor around the BM hole, the smaller the deterioration of color purity when other colors are hit. On the other hand, the density of the electron beam 15 is not constant, and has a Gaussian distribution, for example. The density of the electron beam 15 is the highest at the center. Therefore, if there is no BM stripe 241 as a shield in the center of the BM hole, the influence on the brightness reduction is small. By arranging the stripes in the BM hole in this way, the white color temperature can be brought close to 9300K while the color temperature is adjusted and the deterioration of the color purity is minimized.

図10において、緑蛍光体22には遮蔽物であるBMストライプ241は形成されていない。緑蛍光体22の発光面積を他の蛍光体に比べて相対的に大きくしたいからである。青蛍光体23には遮蔽対であるBMストライプ241が形成されている。ただし、BMストライプ241の幅は赤蛍光体21におけるBMストライプ241の幅よりも小さい。白色色温度を9300Kに近づけるためには赤蛍光体21の発光を最も抑え、次に青蛍光体23の発光を抑える必要があるからである。したがって、発光面積は緑蛍光体22が最も大きく次いで青蛍光体23、そして、赤蛍光体21がもっとも小さい。   In FIG. 10, the BM stripe 241 that is a shield is not formed on the green phosphor 22. This is because the light emitting area of the green phosphor 22 is desired to be relatively larger than that of other phosphors. A BM stripe 241 as a shielding pair is formed on the blue phosphor 23. However, the width of the BM stripe 241 is smaller than the width of the BM stripe 241 in the red phosphor 21. This is because in order to bring the white color temperature close to 9300 K, it is necessary to suppress the light emission of the red phosphor 21 most, and then suppress the light emission of the blue phosphor 23. Accordingly, the green phosphor 22 has the largest emission area, the blue phosphor 23, and the red phosphor 21 have the smallest emission area.

以上のように、本実施例によれば、他色打ちによる色純度の劣化をおさえつつ、白色色温度をNTSC標準である9300Kに近づけることができる。また、赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23の蛍光体間ピッチも一定である。蛍光体間ピッチが一定であれば、各電子源14の間のピッチを一定にすることが出来、ひいては信号線のピッチ等も同じにすることができるので、FEDの特性確保、FEDの製造等が容易になる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to bring the white color temperature close to 9300 K, which is the NTSC standard, while suppressing the deterioration of color purity due to other colors. Further, the pitches between the phosphors of the red phosphor 21, the green phosphor 22, and the blue phosphor 23 are also constant. If the pitch between the phosphors is constant, the pitch between the electron sources 14 can be made constant, and the signal line pitch can be made the same, so that the characteristics of the FED can be secured, the FED can be manufactured, etc. Becomes easier.

以上の例は赤蛍光体21と青蛍光体23の両方にBMによる遮蔽を形成した。しかし、白色色温度をかならずしも9300Kとしなくとも、9300Kに近づけばよいという場合もある。このような場合は、青蛍光体部分に遮蔽物は設けず、赤蛍光体21のみに遮蔽物を設けてもよい。このことは以下に述べる本実施例の他の形態についても同様である。   In the above example, shielding by BM is formed on both the red phosphor 21 and the blue phosphor 23. However, in some cases, the white color temperature is not necessarily 9300K, but may be close to 9300K. In such a case, a shield may be provided only on the red phosphor 21 without providing a shield on the blue phosphor portion. The same applies to other forms of the present embodiment described below.

図11は本実施例の第2の形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のBM幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。図11において、赤蛍光体21にはストライプ状の遮蔽体であるBMストライプ241が形成されている。これは実際にはBMと同じ物質でBMホールを形成時に同時に形成される。図10と異なるところは、BMストライプ241が縦線ではなく、斜め線となっていることである。BMストライプ241が斜めになっていることによって隣の電子ビーム15が他色打ちをしたときに、その色純度への影響をスムースに変化させることが出来る。また、BMホール内のBMストライプ241の数は2本以上である。   FIG. 11 is a schematic diagram showing the configuration of the phosphor screen according to the second embodiment of the present embodiment. The widths of the red, green, and blue phosphors are equal, and the BM width between the red, green, and blue phosphors is also constant. Therefore, the pitch between each phosphor is equal. In FIG. 11, the red phosphor 21 is provided with a BM stripe 241 which is a stripe-shaped shield. In practice, this is formed simultaneously with the formation of BM holes with the same material as BM. The difference from FIG. 10 is that the BM stripe 241 is not a vertical line but an oblique line. Since the BM stripe 241 is inclined, the influence on the color purity can be smoothly changed when the adjacent electron beam 15 strikes another color. The number of BM stripes 241 in the BM hole is two or more.

本実施形態における斜め方向のBMストライプ241の幅も赤蛍光体21で大きく、青蛍光体23において小さく、緑蛍光体22においては斜めストライプは形成されていない。NTSC標準の白色色温度に合わせるためである。本実施形態における斜めのBMストライプ241の形成も実施形態1で説明したのと同様にして行うことができる。したがって、本実施形態によれば、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度をNTSC標準の9330Kに近づけることが出来る。   In this embodiment, the width of the oblique BM stripe 241 is also large in the red phosphor 21, small in the blue phosphor 23, and no oblique stripe is formed in the green phosphor 22. This is to match the NTSC standard white color temperature. The oblique BM stripe 241 in this embodiment can be formed in the same manner as described in the first embodiment. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to bring the white color temperature close to the NTSC standard 9330K while minimizing the deterioration of the color purity.

図12は本実施例の第3の形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のBM幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。図12において、赤蛍光体21にはストライプ状の遮蔽体であるBMストライプ241が形成されている。これは実際にはBMと同じ物質でBMホールを形成時に同時に形成される。図10と異なるところは、BMホール内のBMストライプ241が縦線ではなく、横線となっていることである。   FIG. 12 is a schematic diagram showing the configuration of the phosphor screen according to the third embodiment of the present embodiment. The widths of the red, green, and blue phosphors are equal, and the BM width between the red, green, and blue phosphors is also constant. Therefore, the pitch between each phosphor is equal. In FIG. 12, a BM stripe 241 that is a stripe-shaped shield is formed on the red phosphor 21. In practice, this is formed simultaneously with the formation of BM holes with the same material as BM. The difference from FIG. 10 is that the BM stripe 241 in the BM hole is not a vertical line but a horizontal line.

他色打ちは蛍光体の縦方向ではなく横方向で生ずる。したがって、横方向からの隣の電子ビーム15による他色打ちが問題である。本実施形態のように、BMホール内のBMストライプ241が横線であれば、他色打ちが起こった場合でも、多色打ちの影響は段階的ではなく、連続的な影響とすることが出来る。本実施形態においてもBMホール内のBMストライプ241の数は2個以上である。そして、BMホール中央部ではBMストライプ241は存在しないほうが良い。   Other color strikes occur not in the longitudinal direction of the phosphor but in the lateral direction. Therefore, another color strike by the adjacent electron beam 15 from the lateral direction is a problem. As in the present embodiment, if the BM stripe 241 in the BM hole is a horizontal line, even when other color strikes occur, the effect of multi-color strikes is not stepwise but can be a continuous effect. Also in this embodiment, the number of BM stripes 241 in the BM hole is two or more. And it is better that the BM stripe 241 does not exist in the central part of the BM hole.

本実施形態におけるBMホール内の横方向のBMストライプ241の幅も赤蛍光体21で大きく、青蛍光体23において小さく、緑蛍光体22においてはBMストライプ241は形成されていない。NTSC標準の白色色温度に合わせるためである。本実施形態におけるBMホール内の横方向のBMストライプ241の形成も実施形態1で説明したのと同様にして行うことができる。したがって、本実施形態によれば、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度をNTSC標準の9300Kに近づけることが出来る。   In this embodiment, the width of the BM stripe 241 in the horizontal direction in the BM hole is also large in the red phosphor 21, small in the blue phosphor 23, and no BM stripe 241 is formed in the green phosphor 22. This is to match the NTSC standard white color temperature. Formation of the BM stripe 241 in the lateral direction in the BM hole in this embodiment can be performed in the same manner as described in the first embodiment. Therefore, according to this embodiment, the white color temperature can be brought close to the NTSC standard 9300K while minimizing the deterioration of color purity.

図13は本実施例の第4の形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のBM幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。図13において、赤蛍光体21にはモザイク状の遮蔽体が形成されている。本実施形態における遮蔽体は実施形態1から3の場合と異なり、モザイク状である。本実施形態におけるモザイク状の遮蔽体(BMモザイク)もBMと同一物質で同一のプロセスで形成される。形成方法は実施形態1で述べたと同様であり、実施形態とはフォトマスクが異なるだけである。   FIG. 13 is a schematic diagram showing the configuration of the phosphor screen according to the fourth embodiment of the present embodiment. The widths of the red, green, and blue phosphors are equal, and the BM width between the red, green, and blue phosphors is also constant. Therefore, the pitch between each phosphor is equal. In FIG. 13, the red phosphor 21 has a mosaic shield. Unlike the case of Embodiments 1 to 3, the shield in this embodiment has a mosaic shape. The mosaic shield (BM mosaic) in the present embodiment is also formed of the same material and the same process as BM. The formation method is the same as that described in the first embodiment, and only the photomask is different from that of the first embodiment.

BMホール内の遮蔽体をモザイク状としたことで、隣の電子ビーム15が他色打ちをした場合でも他色打ちの影響は段階的ではなく、連続的なものにすることが出来る。BMホール中のBMモザイク242の全面積は白色色温度をどの程度にするかによって決められる。BMモザイク242の全面積が同一であれば、各モザイクの面積を小さくしてモザイクピッチを小さくしたほうが他色打ちが生じた場合の影響を連続的にできるという点で有利である。   By making the shield in the BM hole into a mosaic shape, even when the adjacent electron beam 15 strikes another color, the influence of the other color strike is not stepwise but can be continuous. The total area of the BM mosaic 242 in the BM hole is determined by how much the white color temperature is set. If the total area of the BM mosaic 242 is the same, it is advantageous to reduce the mosaic pitch by reducing the area of each mosaic so that the influence when other color strikes can be made continuously.

本実施形態におけるBMホール中のBMモザイク242の面積も赤蛍光体21で大きく、青蛍光体23において小さく、緑蛍光体22においてはBMモザイク242は形成されていない。NTSC標準の白色色温度に合わせるためである。したがって、本実施形態によれば、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度をNTSC標準の9330Kに近づけることが出来る。   In this embodiment, the area of the BM mosaic 242 in the BM hole is also large in the red phosphor 21, small in the blue phosphor 23, and no BM mosaic 242 is formed in the green phosphor 22. This is to match the NTSC standard white color temperature. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to bring the white color temperature close to the NTSC standard 9330K while minimizing the deterioration of the color purity.

図14は本発明の第2の実施例を示す蛍光面の模式図である。本実施例も色純度の劣化を防止するために、緑蛍光体22の面積を大きくするのではなく、赤または青の蛍光体の内部にBMによる遮蔽部を形成し、赤または青の発光強度を下げることによって白色色温度を9300Kに近づけるものである。図14において、赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のBM幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。蛍光体の間のピッチが等しければ対応するカソード基板1の電子源14のピッチ、ひいてはデータ信号線のピッチ等も等しい。   FIG. 14 is a schematic view of a phosphor screen showing a second embodiment of the present invention. In this embodiment, in order to prevent the deterioration of the color purity, the area of the green phosphor 22 is not increased, but a shielding portion by BM is formed inside the red or blue phosphor, so that the emission intensity of red or blue is increased. The white color temperature is brought close to 9300K by lowering. In FIG. 14, the red, green, and blue phosphors have the same width, and the BM width between the red, green, and blue phosphors is also constant. Therefore, the pitch between each phosphor is equal. If the pitch between the phosphors is equal, the pitch of the electron sources 14 of the corresponding cathode substrate 1 and the pitch of the data signal lines are also equal.

図14において、赤蛍光体21が形成されるBMホールにはストライプ状の遮蔽体であるBMストライプ241とモザイク状の遮蔽体であるBMモザイク242が形成されている。BMホールの中央部にはBMモザイク242が形成され、BMホールの周辺にはBMストライプ241が形成されている。BMモザイク242のほうがBMストライプ241よりも透過率が大きい。すなわち、BMホールの中央部のほうがBMホールの周辺部よりも透過率が大きい。これは次のような理由による。   In FIG. 14, a BM stripe 241 that is a stripe-shaped shield and a BM mosaic 242 that is a mosaic-shaped shield are formed in the BM hole where the red phosphor 21 is formed. A BM mosaic 242 is formed at the center of the BM hole, and a BM stripe 241 is formed around the BM hole. The transmittance of the BM mosaic 242 is larger than that of the BM stripe 241. That is, the transmittance of the central part of the BM hole is larger than that of the peripheral part of the BM hole. This is due to the following reason.

図8および図9で示したように、BMホールの周辺は隣の電子ビーム15によって他色打ちされやすい。したがって、BMホールの周辺はBM透過率が小さいほうが、他色打ちした場合の色純度の劣化は小さくて済む。一方、電子ビーム15の密度は一定ではなく、例えば、ガウス分布をしている。そして電子ビーム15の密度は中央でもっとも高い。したがって、他色打ちがあった場合でもBMホールの周辺部においてBM透過率が小さければ、他色打ちによる色純度の劣化は軽減することが出来る。一方、赤蛍光体21からの発光を抑制するための遮蔽はBMホールのどこで行っても良い。したがって、本実施例のようにBMホールの周辺よりもBMホールの中央部でBMの透過率を上げることによって、多色打ちによる色純度の劣化を生ずることなく、効果的に色温度の調整を行うことが出来る。   As shown in FIGS. 8 and 9, the periphery of the BM hole is easily hit with another color by the adjacent electron beam 15. Therefore, the smaller the BM transmittance in the vicinity of the BM hole, the smaller the deterioration of the color purity when other colors are hit. On the other hand, the density of the electron beam 15 is not constant, and has a Gaussian distribution, for example. The density of the electron beam 15 is the highest at the center. Therefore, even when other color strikes occur, deterioration in color purity due to other color strikes can be reduced if the BM transmittance is small at the periphery of the BM hole. On the other hand, shielding for suppressing light emission from the red phosphor 21 may be performed anywhere in the BM hole. Therefore, by increasing the transmittance of the BM at the central portion of the BM hole as compared with the periphery of the BM hole as in the present embodiment, the color temperature can be adjusted effectively without causing deterioration in color purity due to multicoloring. Can be done.

図14において、青蛍光体23が形成されるBMホールにもストライプ状の遮蔽物であるBMストライプ241とモザイク状の遮蔽物であるBMモザイク242が形成されている。BMモザイク242はBMホールの中央部に形成され、BMストライプ241はBMホールの周辺に形成される。BMホールの中心部がBMホールの周辺部よりも透過率が大きいことは赤蛍光体21の場合と同じである。ただし、青蛍光体23に対する遮蔽の率は赤蛍光体21に対する遮蔽の率よりも小さい。すなわち、青蛍光体23のほうが赤蛍光体21よりも透過率が大きい。緑蛍光体22が形成されるBMホールにはBMストライプ241もBMモザイク242も形成されていない。このような構成とすることによって、色純度の劣化を伴うことなく、白色色温度を9300Kに近づけることが出来る。   In FIG. 14, a BM stripe 241 that is a stripe-shaped shield and a BM mosaic 242 that is a mosaic-shaped shield are also formed in the BM hole where the blue phosphor 23 is formed. The BM mosaic 242 is formed at the center of the BM hole, and the BM stripe 241 is formed around the BM hole. As in the case of the red phosphor 21, the central part of the BM hole has a higher transmittance than the peripheral part of the BM hole. However, the shielding rate for the blue phosphor 23 is smaller than the shielding rate for the red phosphor 21. That is, the blue phosphor 23 has a higher transmittance than the red phosphor 21. In the BM hole where the green phosphor 22 is formed, neither the BM stripe 241 nor the BM mosaic 242 is formed. By adopting such a configuration, the white color temperature can be brought close to 9300 K without any deterioration in color purity.

本実施例においてはBMホールの中心にBMモザイク242を、BMホールの周辺にBMストライプ241を設けた。しかし、本発明の目的を達するためにはこのような構成に限定される必要が無いことは言うまでもない。すなわち、本実施例では、BMホールの周辺よりもBMホールの中央部において透過率を上げることが目的である。このために、たまたま、BMホールの中央部にBMモザイク242、周辺部にBMストライプ241を形成したものである。BMストライプ241のほうがBMモザイク242よりも透過率を大きくした場合はBMホールの中心部にBMストライプ241を配置し、周辺にBMモザイク242を配置する構成でもよい。さらには、BMホールの中央部と周辺でパターンをかえずに、例えば、BMストライプ241のみを使用して、BMストライプ241の幅あるいはピッチをBMホールの中心と周辺とで変えても良い。また、BMモザイク242をBMホールの中央部と周辺部に形成し、モザイクの密度をBMホールの中央と周辺とで変化させても良い。   In this embodiment, a BM mosaic 242 is provided at the center of the BM hole, and a BM stripe 241 is provided around the BM hole. However, it goes without saying that it is not necessary to be limited to such a configuration in order to achieve the object of the present invention. That is, in this embodiment, the purpose is to increase the transmittance in the central portion of the BM hole rather than the periphery of the BM hole. For this purpose, a BM mosaic 242 is formed at the center of the BM hole, and a BM stripe 241 is formed at the periphery. When the transmittance of the BM stripe 241 is larger than that of the BM mosaic 242, the BM stripe 241 may be disposed at the center of the BM hole and the BM mosaic 242 may be disposed at the periphery. Furthermore, without changing the pattern at the center and the periphery of the BM hole, for example, only the BM stripe 241 may be used, and the width or pitch of the BM stripe 241 may be changed between the center and the periphery of the BM hole. Further, the BM mosaic 242 may be formed at the center and the periphery of the BM hole, and the density of the mosaic may be changed between the center and the periphery of the BM hole.

以上は赤蛍光体用のBMホールと青蛍光体用のBMホールの双方に遮蔽物を形成する場合を説明した。所望の白色色温度によっては必ずしも赤蛍光体21と青蛍光体23の部分のBMホールに遮蔽物を設ける必要がない場合もある。この場合は赤蛍光体21のみにBM遮蔽物を形成して、青蛍光体23と緑蛍光体22のBMホールには遮蔽物と設けない場合もありうる。   The case where the shielding object is formed in both the BM hole for the red phosphor and the BM hole for the blue phosphor has been described above. Depending on the desired white color temperature, it may not always be necessary to provide a shield in the BM hole in the red phosphor 21 and blue phosphor 23 portions. In this case, a BM shield may be formed only on the red phosphor 21 and no shield may be provided in the BM holes of the blue phosphor 23 and the green phosphor 22.

図15は本実施例の第2の実施形態を示す蛍光面の模式図である。図15において、赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のBM幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。蛍光体の間のピッチが等しければ対応するカソード基板1の電子源14のピッチ、ひいてはデータ信号線のピッチ等も等しくなる。   FIG. 15 is a schematic view of a phosphor screen showing a second embodiment of the present example. In FIG. 15, the widths of the red, green, and blue phosphors are equal, and the BM width between the red, green, and blue phosphors is also constant. Therefore, the pitch between each phosphor is equal. If the pitches between the phosphors are equal, the pitches of the electron sources 14 of the corresponding cathode substrate 1 and the pitches of the data signal lines are also equal.

図15において、赤蛍光体21が形成されるBMホールにはストライプ状の遮蔽体であるBMストライプ241とモザイク状の遮蔽体であるBMモザイク242が形成されている。本実施形態においても、BMホールの中心部の透過率が大きく、BMホールの周辺部の透過率が小さいことは実施形態1と同じてある。そしてBM遮蔽物の形成方法も実施形態1と同様である。本実施形態が実施形態1と異なるところは、BMホールの周辺に形成されるBMストライプ241が横方向に形成されていることである。   In FIG. 15, a BM stripe 241 that is a stripe-shaped shield and a BM mosaic 242 that is a mosaic-shaped shield are formed in the BM hole where the red phosphor 21 is formed. Also in this embodiment, the transmittance of the central part of the BM hole is large and the transmittance of the peripheral part of the BM hole is small as in the first embodiment. The method for forming the BM shield is the same as that in the first embodiment. This embodiment is different from the first embodiment in that BM stripes 241 formed around the BM hole are formed in the horizontal direction.

他色打ちは蛍光体の縦方向ではなく横方向で生ずる。したがって、横方向からの隣の電子ビーム15によれ他色打ちが問題である。本実施形態のように、BMホール内のBMストライプ241が横線であれば、他色打ちが起こった場合でも、多色打ちの影響は急激に生ずるのではなく、連続的な影響とすることが出来る。   Other color strikes occur not in the longitudinal direction of the phosphor but in the lateral direction. Therefore, another color strike is a problem due to the adjacent electron beam 15 from the lateral direction. If the BM stripe 241 in the BM hole is a horizontal line as in this embodiment, even if other color strikes occur, the effect of multi-color strikes does not occur abruptly but may be a continuous effect. I can do it.

図15において、青蛍光体23のBMホールにも周辺にBMストライプ241、中央部にBMモザイク242が形成されている。そしてBMホールの中央部が周辺よりも透過率が高いことは赤蛍光体21の場合と同じである。青蛍光体23のBMホールの遮蔽率は赤蛍光体21のBMホールの遮蔽率よりも小さい。逆に言えば、赤蛍光体21のBMホールの透過率が青蛍光体23のBMホールの透過率よりも小さい。また、緑蛍光体22のBMホールには遮蔽物は設けられていない。これによって白色色温度を9300Kに設定することができる。なお、色温度を正確に9300kにしなくとも、9300Kに近づければよい場合は、青蛍光体23のBMホールへの遮蔽物の形成は行わず、赤蛍光体21のBMホールのみ遮蔽物を形成してもよい。   In FIG. 15, a BM stripe 241 is formed in the periphery of the BM hole of the blue phosphor 23, and a BM mosaic 242 is formed in the center. The central portion of the BM hole has a higher transmittance than that of the periphery, as in the case of the red phosphor 21. The shielding rate of the BM hole of the blue phosphor 23 is smaller than the shielding rate of the BM hole of the red phosphor 21. Conversely, the transmittance of the BM hole of the red phosphor 21 is smaller than the transmittance of the BM hole of the blue phosphor 23. Further, the BM hole of the green phosphor 22 is not provided with a shield. As a result, the white color temperature can be set to 9300K. If the color temperature should be close to 9300K even if the color temperature is not accurately set to 9300k, the shielding material is not formed on the BM hole of the blue phosphor 23, and the shielding material is formed only on the BM hole of the red phosphor 21. May be.

以上の説明はBMホール周辺に横方向のBMストライプ241を形成し、BMホールの中心にBMモザイク242を形成してBMホールの中心の透過率をBMホールの周辺の透過率よりも大きくした。しかし、実施形態1において述べたように、本発明の目的を達するためにはこのような構成に限定される必要が無いことは言うまでもない。すなわち、本実施例では、BMホールの周辺よりもBMホールの中央部において透過率を上げることが目的である。このために、たまたま、BMホールの中央部にBMモザイク242、周辺部にBMストライプ241を形成したものである。BMストライプ241のほうがBMモザイク242よりも透過率を大きくした場合はBMホールの中心部にBMストライプ241を配置し、周辺にBMモザイク242を配置する構成でもよい。さらには、BMホールの中央部と周辺でパターンをかえずに、例えば、BMストライプ241のみを使用して、BMストライプ241の幅あるいはピッチをBMホールの中心と周辺とで変えても良い。また、BMモザイク242をBMホールの中央部と周辺部に形成し、モザイクの密度をBMホールの中央と周辺とで変化させても良い。   In the above description, the lateral BM stripe 241 is formed around the BM hole, the BM mosaic 242 is formed at the center of the BM hole, and the transmittance at the center of the BM hole is made larger than the transmittance around the BM hole. However, as described in the first embodiment, it is needless to say that it is not necessary to be limited to such a configuration in order to achieve the object of the present invention. That is, in this embodiment, the purpose is to increase the transmittance in the central portion of the BM hole rather than the periphery of the BM hole. For this purpose, a BM mosaic 242 is formed at the center of the BM hole, and a BM stripe 241 is formed at the periphery. When the transmittance of the BM stripe 241 is larger than that of the BM mosaic 242, the BM stripe 241 may be disposed at the center of the BM hole and the BM mosaic 242 may be disposed at the periphery. Furthermore, without changing the pattern at the center and the periphery of the BM hole, for example, only the BM stripe 241 may be used, and the width or pitch of the BM stripe 241 may be changed between the center and the periphery of the BM hole. Further, the BM mosaic 242 may be formed at the center and the periphery of the BM hole, and the density of the mosaic may be changed between the center and the periphery of the BM hole.

以上のように本発明によれば、色純度の劣化を抑えつつ、NTSC標準の白色色温度である9300K、あるいは、所望の白色色温度を得ることが出来る。   As described above, according to the present invention, NTSC standard white color temperature of 9300K or a desired white color temperature can be obtained while suppressing deterioration of color purity.

本発明の実施例1を示す平面図である。It is a top view which shows Example 1 of this invention. 図1の側面図である。It is a side view of FIG. 図1のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図1のB−B断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 図1のC−C断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 蛍光面の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of a fluorescent screen. FEDの断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of FED. 他色打ちを示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows other color strikes. 他色打ちを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows other color strikes. 実施例1の蛍光面の平面模式図である。2 is a schematic plan view of a phosphor screen of Example 1. FIG. 実施例1の第2の形態の蛍光面の平面模式図である。6 is a schematic plan view of a phosphor screen according to a second form of Example 1. FIG. 実施例1の第3の形態の蛍光面の平面模式図である。6 is a schematic plan view of a phosphor screen according to a third mode of Example 1. FIG. 実施例1の第4の形態の蛍光面の平面模式図である。6 is a schematic plan view of a phosphor screen according to a fourth mode of Example 1. FIG. 実施例2の蛍光面の平面模式図である。6 is a schematic plan view of a phosphor screen of Example 2. FIG. 実施例2の第2の形態の蛍光面の平面模式図である。6 is a schematic plan view of a phosphor screen according to a second form of Example 2. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・カソード基板、2・・・アノード基板、3・・・封着部、4・・・スペーサ、5・・・端子、6・・・排気基板、7・・・排気基板封着部、8・・・排気管、11・・・走査線、12・・・データ信号線、13・・・絶縁膜、14・・・電子源、15・・・電子ビーム、21・・・赤蛍光体、22・・・緑蛍光体、23・・・青蛍光体、24・・・ブラックマトリクス(BM)、25・・・メタルバック、26・・・アノード端子、50・・・コンタクトスプリング、60・・・高電圧導入ボタン、81・・・排気孔、241・・・BMストライプ、242・・・BMモザイク   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cathode substrate, 2 ... Anode substrate, 3 ... Sealing part, 4 ... Spacer, 5 ... Terminal, 6 ... Exhaust board, 7 ... Exhaust board sealing part , 8 ... exhaust pipe, 11 ... scanning line, 12 ... data signal line, 13 ... insulating film, 14 ... electron source, 15 ... electron beam, 21 ... red fluorescence 22 ... Green phosphor, 23 ... Blue phosphor, 24 ... Black matrix (BM), 25 ... Metal back, 26 ... Anode terminal, 50 ... Contact spring, 60 ... High voltage introduction button, 81 ... Exhaust hole, 241 ... BM stripe, 242 ... BM mosaic

Claims (15)

電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする表示装置。
A cathode substrate in which an electron source is formed in a matrix and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and a phosphor formed in a location corresponding to the electron source, are maintained in a vacuum. A display device,
A black matrix is formed on the anode substrate, and a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor are arranged side by side in the opening of the black matrix, and in the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed. A display device comprising a plurality of stripes formed of a black matrix.
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内の中央には前記ブラックマトリクスによるストライプが形成されていないことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   2. The display device according to claim 1, wherein a stripe due to the black matrix is not formed in the center of the opening of the black matrix where the red phosphor is formed. 前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein a plurality of stripes formed of a black matrix are formed in openings of the black matrix where the blue phosphor is formed. 前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   2. The display device according to claim 1, wherein the transmittance of the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed is smaller than the transmittance of the opening of the black matrix in which the blue phosphor is formed. 前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部の中央部のほうが前記開口部の周辺部よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   2. The display device according to claim 1, wherein the transmittance of the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed is larger at the center of the opening than at the periphery of the opening. 電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なっていることを特徴とする表示装置。
A cathode substrate in which an electron source is formed in a matrix and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and a phosphor formed in a location corresponding to the electron source, are maintained in a vacuum. A display device,
A black matrix is formed on the anode substrate, and a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor are arranged side by side in the opening of the black matrix, and in the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed. A display device, wherein a shielding object is formed by a black matrix, and the pattern of the shielding object is different between the center of the opening and the periphery of the opening.
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の周辺部には遮蔽物としてブラックマトリクスによる複数のストライプが形成され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の中央部には遮蔽物としてブラックマトリクスによるモザイクパターンが形成されていることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。   A plurality of black matrix stripes are formed as a shield around the black matrix opening where the red phosphor is formed, and a shield is provided at the center of the black matrix opening where the red phosphor is formed. The display device according to claim 6, wherein a mosaic pattern using a black matrix is formed. 前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なり、開口部の透過率は前記開口部中央において前記開口部周辺よりも透過率が大きいことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。   A black matrix shielding material is formed in the opening of the black matrix where the blue phosphor is formed. The pattern of the shielding material is different between the center of the opening and the periphery of the opening. The display device according to claim 6, wherein a transmittance is greater at a center of the opening than at a periphery of the opening. 前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。   7. The display device according to claim 6, wherein the transmittance of the opening portion of the black matrix in which the red phosphor is formed is smaller than the transmittance of the opening portion of the black matrix in which the blue phosphor is formed. 前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部中央のほうが前記開口部周辺よりも大きいことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。   The display device according to claim 6, wherein the transmittance of the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed is larger at the center of the opening than at the periphery of the opening. 電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記赤蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央部と周辺部で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする表示装置。
A cathode substrate in which an electron source is formed in a matrix and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and a phosphor formed in a location corresponding to the electron source, are maintained in a vacuum. A display device,
A black matrix is formed on the anode substrate, and a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor are arranged side by side in the opening of the black matrix, and in the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed. A display device characterized in that a black matrix shield is formed, and the transmittance of the black matrix opening for the red phosphor is equal in the central portion and the peripheral portion of the opening portion, or the central portion is larger than the peripheral portion. .
前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記青蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央と周辺で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする請求項11に記載の表示装置。   A black matrix shield is formed in the black matrix opening in which the blue phosphor is formed, and the transmittance of the black matrix opening for the blue phosphor is equal to or in the center of the opening. The display device according to claim 11, wherein the portion is larger than the peripheral portion. 前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする請求項11に記載の表示装置。   12. The display device according to claim 11, wherein the transmittance of the opening of the black matrix where the red phosphor is formed is smaller than the transmittance of the opening of the black matrix where the blue phosphor is formed. 前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の中央部に形成される前記遮蔽物のパターンと前記開口部の周辺部に形成される遮蔽物のバターンとは同じパターンであることを特徴とする請求項11に記載の表示装置。   The pattern of the shielding object formed in the central part of the opening part of the black matrix where the red phosphor is formed and the pattern of the shielding object formed in the peripheral part of the opening part are the same pattern, The display device according to claim 11. 電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数の遮蔽物が形成されていることを特徴とする表示装置。
A cathode substrate in which an electron source is formed in a matrix and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and a phosphor formed in a location corresponding to the electron source, are maintained in a vacuum. A display device,
A black matrix is formed on the anode substrate, and a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor are arranged side by side in the opening of the black matrix, and in the opening of the black matrix in which the red phosphor is formed. A display device comprising a plurality of shields formed of a black matrix.
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