JP2008283473A - Power amplifier - Google Patents

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Fumiichirou Abe
文一朗 安部
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power amplifier which can reduce insertion loss and power consumption and can be prevented from being made large in size. <P>SOLUTION: The power amplifier 1 includes: a power distributor 2 for dividing an input signal into a plurality of signals and outputting them; a plurality of phase shifters 3 which are individually connected to the power distributor 2 and shift respective phases of the plurality of signals outputted from the power distributor 2 and output the plurality of phase shifted signals; unit amplifiers 4 individually connected to the plurality of phase shifters 3; a power synthesizer 5 connected to the plurality of unit amplifiers 4; and a potential supplier 6 connected to the plurality of phase shifters 3. Each phase shifter includes a signal line where a signal outputted from the power distributor flows, and a plurality of electrostatic capacitive micromachine switches arranged in a direction of extension of the signal line. The potential supplier 6 supplies potentials to be given to the plurality of micromachine switches, to the plurality of phase shifters 3. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、信号を増幅する電力増幅器に関し、特に、高周波信号を増幅する電力増幅器に関する。   The present invention relates to a power amplifier that amplifies a signal, and more particularly, to a power amplifier that amplifies a high-frequency signal.

電力増幅器は、衛星通信用の機器として航空機、船舶及び自動車等に搭載されるアンテナ装置等の様々な電子機器に用いられている。この電力増幅器は、入力信号を分配して出力する電力分配器と、その電力分配器に個別に接続された複数の移相器と、それらの移相器に個別に接続された複数の単位増幅器(増幅素子)と、それらの単位増幅器に接続された電力合成器と、各移相器に接続された制御器とを備えている(例えば、特許文献1参照)。   Power amplifiers are used in various electronic devices such as antenna devices mounted on aircraft, ships, automobiles, and the like as satellite communication devices. The power amplifier includes a power distributor that distributes and outputs an input signal, a plurality of phase shifters individually connected to the power distributor, and a plurality of unit amplifiers individually connected to the phase shifters. (Amplifying elements), a power combiner connected to these unit amplifiers, and a controller connected to each phase shifter (see, for example, Patent Document 1).

このような電力増幅器は、電力分配器により入力信号を複数の信号に分配し、分配した複数の信号を移相器及び単位増幅器により所定の位相及び振幅にそれぞれ変更し、その後、電力合成器により合成して出力信号として出力する。このとき、各単位増幅器の個体差や製造精度等のため、それらの単位増幅器をそれぞれ通過する各信号の位相量が異なると、電力合成器によりそれらの信号を合成する際に損失が生じる。このため、その損失が最小となるように各移相器の各々の位相量が調整されている。   In such a power amplifier, an input signal is distributed to a plurality of signals by a power distributor, and the plurality of distributed signals are changed to predetermined phases and amplitudes by a phase shifter and a unit amplifier, respectively, and then by a power combiner. Combine and output as output signal. At this time, if the phase amounts of the signals passing through the unit amplifiers are different due to individual differences or manufacturing accuracy of the unit amplifiers, a loss occurs when the signals are combined by the power combiner. For this reason, each phase amount of each phase shifter is adjusted so that the loss is minimized.

通常、位相器は、長さが異なる複数の信号線路及びそれらの接続を制御する複数の切替スイッチ等を備えている。この移相器は、制御器による切替スイッチのオン/オフに応じて信号線路の全長を変え、信号線路を通過する信号の位相を変える。このような移相器としては、線路切替型の移相器、ローデッドライン(Loaded Line)型の移相器及びハイブリッドカップルド(Hybrid Coupled)型の移相器等が挙げられる。
特開2001−196870号公報
Usually, the phase shifter includes a plurality of signal lines having different lengths and a plurality of changeover switches for controlling the connection thereof. This phase shifter changes the total length of the signal line in accordance with on / off of the changeover switch by the controller, and changes the phase of the signal passing through the signal line. Examples of such a phase shifter include a line switching type phase shifter, a loaded line type phase shifter, and a hybrid coupled type phase shifter.
JP 2001-196870 A

しかしながら、前述の移相器では、信号線路を通過する信号の位相量を変えるため、長さが異なる信号線路を複数設ける必要があるので、信号線路の数が増加し、それに応じて切替スイッチの数も増加してしまう。このため、挿入損失及び消費電力が増大し、さらに、電力増幅器も大型化してしまう。   However, in the above-described phase shifter, in order to change the phase amount of the signal passing through the signal line, it is necessary to provide a plurality of signal lines having different lengths. The number will also increase. This increases insertion loss and power consumption, and further increases the size of the power amplifier.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、挿入損失及び消費電力を抑えることができ、さらに、大型化を防止することができる電力増幅器を提供することである。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a power amplifier that can suppress insertion loss and power consumption and can prevent an increase in size.

本発明の実施の形態に係る特徴は、電力増幅器において、入力信号を複数の信号に分けて出力する電力分配器と、電力分配器に個別に接続され、電力分配器から出力された複数の信号の各々の位相をそれぞれ変えて、位相を変えた複数の信号をそれぞれ出力する複数の移相器と、複数の移相器に個別に接続され、複数の移相器から出力された複数の信号をそれぞれ増幅して出力する複数の単位増幅器と、複数の単位増幅器に接続され、複数の単位増幅器から出力された複数の信号を合成して出力する電力合成器と、複数の移相器に接続され、複数の移相器に電位を供給する電位供給器とを備え、複数の移相器は、電力分配器から出力された信号が流れる信号線と、信号線に対して信号線が伸びる方向に並べられた静電容量型の複数のマイクロマシンスイッチとをそれぞれ具備しており、電位供給器は、複数の移相器に対して複数のマイクロマシンスイッチに与える電位をそれぞれ供給することである。   According to the embodiment of the present invention, in a power amplifier, a power distributor that divides an input signal into a plurality of signals and outputs, and a plurality of signals that are individually connected to the power distributor and output from the power distributor A plurality of phase shifters that respectively output a plurality of signals with different phases, respectively, and a plurality of signals that are individually connected to the plurality of phase shifters and output from the plurality of phase shifters Connected to a plurality of unit amplifiers, a plurality of unit amplifiers, a power combiner that combines and outputs a plurality of signals output from the plurality of unit amplifiers, and a plurality of phase shifters A plurality of phase shifters, a signal line through which a signal output from the power distributor flows, and a direction in which the signal line extends with respect to the signal line. Capacitance type micros arranged in a row And comprising thin switch and each potential supplier is to supply respectively the potential applied to the plurality of micromachine switches to a plurality of phase shifters.

本発明によれば、挿入損失及び消費電力を抑えることができ、さらに、大型化を防止することができる電力増幅器を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a power amplifier capable of suppressing insertion loss and power consumption and further preventing an increase in size.

本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1に示すように、本発明の実施の形態に係る電力増幅器1は、入力信号を分配して出力する電力分配器2と、その電力分配器2に個別に接続された複数(例えば2個)の移相器3と、それらの移相器に個別に接続された複数(例えば2個)の単位増幅器4と、それらの単位増幅器4に接続された電力合成器5と、各移相器3に接続された電位供給器6とを備えている。なお、1つの移相器3及び1つの単位増幅器4により増幅ユニットZ1、Z2が構成されている。   As shown in FIG. 1, a power amplifier 1 according to an embodiment of the present invention includes a power distributor 2 that distributes and outputs an input signal, and a plurality (for example, two) connected to the power distributor 2 individually. ), A plurality of (for example, two) unit amplifiers 4 individually connected to the phase shifters, a power combiner 5 connected to the unit amplifiers 4, and each phase shifter 3 and a potential supply 6 connected to 3. Note that one phase shifter 3 and one unit amplifier 4 constitute amplification units Z1 and Z2.

電力分配器2は、信号が入力される1つの入力端子2a及び信号が出力される複数(例えば2個)の出力端子2bを具備している。この電力分配器2の入力端子2aは電力増幅器1の入力端子1aに接続されている。このような電力分配器2は、電力増幅器1の入力端子1aから入力された入力信号、すなわち入力端子2aに入力された信号を各出力端子2bに分配し、複数の信号として出力する。   The power distributor 2 includes one input terminal 2a to which a signal is input and a plurality of (for example, two) output terminals 2b to which a signal is output. The input terminal 2 a of the power distributor 2 is connected to the input terminal 1 a of the power amplifier 1. Such a power distributor 2 distributes an input signal input from the input terminal 1a of the power amplifier 1, that is, a signal input to the input terminal 2a, to each output terminal 2b, and outputs it as a plurality of signals.

各移相器3は、信号が入力される1つの入力端子3a及び信号が出力される1つの出力端子3bをそれぞれ具備している。これらの移相器3の各々の入力端子3aは、電力分配器2の各出力端子2bにそれぞれ接続されている。このような各移相器3は、電力分配器2から出力された複数の信号の位相をそれぞれ変え、位相を変えた各信号を各出力端子3bから出力する。なお、各移相器3の各々の位相量は、電位供給器6から供給される電位により決定される。   Each phase shifter 3 includes one input terminal 3a to which a signal is input and one output terminal 3b to which a signal is output. Each input terminal 3 a of these phase shifters 3 is connected to each output terminal 2 b of the power distributor 2. Each of these phase shifters 3 changes the phase of the plurality of signals output from the power distributor 2 and outputs each signal with the changed phase from each output terminal 3b. The phase amount of each phase shifter 3 is determined by the potential supplied from the potential supplier 6.

各単位増幅器4は、信号が入力される1つの入力端子4a及び信号が出力される1つの出力端子4bをそれぞれ具備している。これらの単位増幅器4の各々の入力端子4aは、各移相器3の各々の出力端子3bにそれぞれ接続されている。このような各単位増幅器4は、各移相器3から出力された複数の信号をそれぞれ増幅して各出力端子4bから出力する。   Each unit amplifier 4 includes one input terminal 4a to which a signal is input and one output terminal 4b to which a signal is output. Each input terminal 4 a of these unit amplifiers 4 is connected to each output terminal 3 b of each phase shifter 3. Each such unit amplifier 4 amplifies a plurality of signals output from each phase shifter 3 and outputs the amplified signal from each output terminal 4b.

電力合成器5は、信号が入力される複数(例えば2個)の入力端子5a及び信号が出力される1つの出力端子5bを具備している。この電力合成器5の各入力端子5aは各単位増幅器4の各々の出力端子4bにそれぞれ接続されている。また、電力合成器5の出力端子5bは電力増幅器1の出力端子1bに接続されている。このような電力合成器5は、各単位増幅器4から出力された複数の信号を合成して出力信号として出力端子5b、すなわち電力増幅器1の出力端子1bから出力する。   The power combiner 5 includes a plurality of (for example, two) input terminals 5a to which signals are input and one output terminal 5b to which signals are output. Each input terminal 5 a of the power combiner 5 is connected to each output terminal 4 b of each unit amplifier 4. The output terminal 5 b of the power combiner 5 is connected to the output terminal 1 b of the power amplifier 1. Such a power combiner 5 combines a plurality of signals output from the unit amplifiers 4 and outputs them as output signals from the output terminal 5 b, that is, the output terminal 1 b of the power amplifier 1.

電位供給器6は、各移相器3に電位を供給する機器である。すなわち、電位供給器6は、各移相器3をそれぞれ通過する各信号の各々の位相量の差が小さくなるように各移相器に所定の電位をそれぞれ供給する。これにより、各移相器の各々の位相量が設定される。   The potential supplier 6 is a device that supplies a potential to each phase shifter 3. That is, the potential supplier 6 supplies a predetermined potential to each phase shifter so that the difference in the phase amount of each signal passing through each phase shifter 3 is reduced. Thereby, each phase amount of each phase shifter is set.

次いで、移相器3について詳しく説明する。   Next, the phase shifter 3 will be described in detail.

図2に示すように、移相器3は、実装用の基板11と、その基板11上に設けられ高周波信号等の信号が流れる信号線12と、その信号線12が伸びる方向に垂直な方向から信号線12を挟持するように基板11上に設けられた一対の接地導体13、14と、基板11上の信号線12に対して信号線12が伸びる方向に並べられた静電容量型の複数のマイクロマシンスイッチ15とを備えている。   As shown in FIG. 2, the phase shifter 3 includes a mounting substrate 11, a signal line 12 provided on the substrate 11 through which a signal such as a high frequency signal flows, and a direction perpendicular to the direction in which the signal line 12 extends. A pair of ground conductors 13, 14 provided on the substrate 11 so as to sandwich the signal line 12 from the substrate, and a capacitance type lined up in a direction in which the signal line 12 extends with respect to the signal line 12 on the substrate 11 A plurality of micromachine switches 15 are provided.

基板11は、絶縁性を有する基板、例えば、ガラス基板や高抵抗を有するシリコン基板、半絶縁性GaAs基板等により形成されている。なお、シリコン基板やGaAs基板の表面には、例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜(図示せず)が設けられる。   The substrate 11 is formed of an insulating substrate such as a glass substrate, a high-resistance silicon substrate, a semi-insulating GaAs substrate, or the like. An insulating film (not shown) such as a silicon oxide film is provided on the surface of the silicon substrate or GaAs substrate.

信号線12は、高周波信号等の信号の信号線路(伝送線路)であり、基板11の一辺(図2中の左辺)から対向する他の一辺(図2中の右辺)に渡って配設されている。なお、信号線12は、例えばTi/Au膜等により形成されている。この信号線12の左端(図2中)は入力端子3aに接続されており、信号線12の右端(図2中)は出力端子3bに接続されている。   The signal line 12 is a signal line (transmission line) for a signal such as a high-frequency signal, and is arranged from one side (left side in FIG. 2) to the other side (right side in FIG. 2) facing the substrate 11. ing. The signal line 12 is formed of, for example, a Ti / Au film. The left end (in FIG. 2) of the signal line 12 is connected to the input terminal 3a, and the right end (in FIG. 2) of the signal line 12 is connected to the output terminal 3b.

一対の接地導体13、14は、信号線12の延伸方向に垂直な方向の両側にそれぞれ位置付けられ、信号線12から所定距離だけ離間させて基板11上の領域に設けられている。これらの接地導体13、14が信号線12と共にコプレーナ伝送線路を構成する。また、複数のDCカットキャパシタ16は、一対の接地導体13、14における信号線12の延伸方向の両側にそれぞれ配置されている。ここで、一対の接地導体13、14と信号線12との間の各離間距離を変化させることにより、コプレーナ伝送線路としてのインピーダンスを調整することができる。なお、一対の接地導体13、14は例えばTi/Au膜等により形成されている。   The pair of ground conductors 13 and 14 are positioned on both sides in the direction perpendicular to the extending direction of the signal line 12, and are provided in a region on the substrate 11 at a predetermined distance from the signal line 12. These ground conductors 13 and 14 together with the signal line 12 constitute a coplanar transmission line. Further, the plurality of DC cut capacitors 16 are respectively disposed on both sides of the pair of ground conductors 13 and 14 in the extending direction of the signal line 12. Here, the impedance as the coplanar transmission line can be adjusted by changing the separation distance between the pair of ground conductors 13 and 14 and the signal line 12. The pair of ground conductors 13 and 14 are formed of, for example, a Ti / Au film.

各マイクロマシンスイッチ15は、図3及び図4に示すように、信号線12上に設けられた誘電体15aと、その誘電体15aに対向して接離する方向に移動可能に形成された可動片15bとをそれぞれ有している。これらのマイクロマシンスイッチ15は、信号線12を通過する信号の位相を調整するためのスイッチであり、信号線12上にその延伸方向に沿って所定の間隔(ピッチ間隔)sで並べて設けられている。ここで、信号の周波数が高い周波数帯である場合には、損失が小さいマイクロマシンスイッチ15を用いることが好適である。なお、このように信号線12上に所定の間隔で複数のマイクロマシンスイッチ15を配置した移相器3は、分布型移相器と呼ばれる。この分布型移相器に用いられるマイクロマシンスイッチとしては、構造がシンプルであることや製作の容易さ等の面から、静電容量型のマイクロマシンスイッチ15を用いることが好適である。   As shown in FIGS. 3 and 4, each micromachine switch 15 includes a dielectric 15 a provided on the signal line 12 and a movable piece formed so as to be movable in a direction facing and separating from the dielectric 15 a. 15b. These micromachine switches 15 are switches for adjusting the phase of a signal passing through the signal line 12 and are arranged on the signal line 12 at a predetermined interval (pitch interval) s along the extending direction. . Here, when the frequency of the signal is a high frequency band, it is preferable to use the micromachine switch 15 having a small loss. Note that the phase shifter 3 in which a plurality of micromachine switches 15 are arranged on the signal line 12 at predetermined intervals in this way is called a distributed phase shifter. As a micromachine switch used in this distributed phase shifter, it is preferable to use a capacitance type micromachine switch 15 from the viewpoints of simple structure and ease of manufacture.

誘電体15aは、信号線12上に薄膜状に設けられ、可動片15bに対向する。この誘電体15aは、例えば、シリコン酸化(SiO)膜又はシリコン窒化(Si)膜の単層膜、もしくはそれらを積層した複合膜等により形成されている。なお、本実施の形態においては、誘電率が高く、製造上安定して誘電体15aを形成することができるシリコン窒化膜を用いる。 The dielectric 15a is provided in a thin film shape on the signal line 12, and faces the movable piece 15b. The dielectric 15a is formed of, for example, a single layer film of a silicon oxide (SiO 2 ) film or a silicon nitride (Si 3 N 4 ) film, or a composite film obtained by stacking them. In the present embodiment, a silicon nitride film having a high dielectric constant and capable of forming dielectric 15a stably in production is used.

可動片15bは、誘電体15aから離間させてその誘電体15a上に設けられており、電圧印加により誘電体15aに接触する方向に変形可能に形成されている。この可動片15bは、可撓性を有する板状に形成されており、両持梁構造により一対の接地導体13、14に固定されている。詳述すると、可動片15bの一端が接地導体13に固定され、可動片15bの他端が接地導体14に固定されている。これにより、可動片15bは、一対の接地導体13、14に電気的に接続されている。加えて、可動片15bは、誘電体15aから数μmのギャップ(間隔)gだけ離間させて配設されている。この可動片15bは、可塑性を有し電気伝導性に優れた金属、例えばTi/Au膜やTi/Au/Ti膜等により形成されている。   The movable piece 15b is provided on the dielectric 15a so as to be separated from the dielectric 15a, and is formed so as to be deformable in a direction in contact with the dielectric 15a by voltage application. The movable piece 15b is formed in a flexible plate shape, and is fixed to the pair of ground conductors 13 and 14 by a double-supported beam structure. More specifically, one end of the movable piece 15 b is fixed to the ground conductor 13, and the other end of the movable piece 15 b is fixed to the ground conductor 14. Thereby, the movable piece 15 b is electrically connected to the pair of ground conductors 13 and 14. In addition, the movable piece 15b is disposed so as to be separated from the dielectric 15a by a gap (interval) g of several μm. The movable piece 15b is formed of a metal having plasticity and excellent electrical conductivity, such as a Ti / Au film or a Ti / Au / Ti film.

このような可動片15bは、電圧印加(供給電圧の印加)により誘電体15aに接触する方向に変形する。このとき、誘電体15aと可動片15bとのギャップgは供給電圧の大きさに応じて可変する。可動片15bは、信号線12との間に電圧が印加された場合、信号線12側に撓んで変形し、信号線12上の誘電体15aに向かって移動し、電圧印加が停止された場合、復元力により信号線12上の誘電体15aから離反する方向に向かって変形し、元の位置に戻る。なお、電圧印加時には、供給電圧が電位供給器6により供給され、誘電体15aと可動片15bとのギャップgが設定される。   Such a movable piece 15b is deformed in a direction in contact with the dielectric 15a by voltage application (application of supply voltage). At this time, the gap g between the dielectric 15a and the movable piece 15b varies depending on the magnitude of the supply voltage. When a voltage is applied between the movable piece 15b and the signal line 12, the movable piece 15b bends and deforms toward the signal line 12, moves toward the dielectric 15a on the signal line 12, and the voltage application is stopped. By the restoring force, it is deformed in the direction away from the dielectric 15a on the signal line 12, and returns to the original position. At the time of voltage application, a supply voltage is supplied by the potential supplier 6, and a gap g between the dielectric 15a and the movable piece 15b is set.

ここで、前述の移相器3において、1つのマイクロマシンスイッチ15を1単位とした場合、図5に示すような等価回路が求められる。マイクロマシンスイッチ15の容量Cbは、C=εWw/(g+t/ε)である。なお、εは真空の誘電率であり、εは誘電体15aの比誘電率であり、tは誘電体15aの厚さであり、gは誘電体15aと可動片15bとのギャップであり、Wは信号線12の幅であり、wは可動片15bの幅(信号線12が伸びる方向の幅)である。 Here, in the phase shifter 3 described above, when one micromachine switch 15 is used as one unit, an equivalent circuit as shown in FIG. 5 is required. The capacitance Cb of the micromachine switch 15 is C b = ε 0 Ww / (g + t d / ε r ). Ε 0 is the dielectric constant of vacuum, ε r is the relative dielectric constant of the dielectric 15a, t d is the thickness of the dielectric 15a, and g is the gap between the dielectric 15a and the movable piece 15b. Yes, W is the width of the signal line 12, and w is the width of the movable piece 15b (width in the direction in which the signal line 12 extends).

また、供給電圧が0Vである場合のインピーダンスは、ZA=√sL/(sC+Cb0)であり、供給電圧がXVである場合のインピーダンスは、ZB=√sL/(sC+CbX)である。ここで、sは各可動片15bのピッチ間隔であり、Lはインダクタンスであり、Cb0は供給電圧が0Vである場合のマイクロマシンスイッチ15の容量であり、CbXは供給電圧がXVである場合のマイクロマシンスイッチ15の容量である。すなわち、供給電圧が変わると、ギャップgが変化するので、マイクロマシンスイッチ15の容量Cbも変化する。 The impedance when the supply voltage is 0 V is ZA = √sL / (sC + C b0 ), and the impedance when the supply voltage is XV is ZB = √sL / (sC + C bX ). Here, s is the pitch interval of the movable piece 15b, L is the inductance, C b0 is the capacitance of the micro machine switch 15 when the supply voltage is 0V, C bX if the supply voltage is XV Of the micromachine switch 15. That is, when the supply voltage changes, the gap g changes, so the capacitance Cb of the micromachine switch 15 also changes.

加えて、マイクロマシンスイッチ15部位の位相変化量は、Δφ[rad./m]=sωZ0f√εeff/c(1/ZA−1/ZB)である。ここで、sは各可動片15bのピッチ間隔であり、ωは2πfであり、fは所望の周波数であり、Z0fはコプレーナ伝送線路の特性インピーダンスであり、εeffは基板11の実効誘電率であり、cは真空での伝送速度である。なお、可動片15b、すなわちマイクロマシンスイッチ15のピッチ間隔sは、移相器3のインピーダンスZA、ZB及び位相変化量Δφを決定するパラメータの一つである。 In addition, the amount of phase change at the micromachine switch 15 site is Δφ [rad. / M] = sωZ 0f √ε eff / c (1 / ZA−1 / ZB). Here, s is a pitch interval of each movable piece 15b, ω is 2πf, f is a desired frequency, Z 0f is a characteristic impedance of the coplanar transmission line, and ε eff is an effective dielectric constant of the substrate 11 And c is the transmission speed in vacuum. Note that the pitch interval s of the movable piece 15b, that is, the micromachine switch 15, is one of the parameters for determining the impedances ZA and ZB and the phase change amount Δφ of the phase shifter 3.

図6に、マイクロマシンスイッチ15の容量Cbの供給電圧に対する変化の一例を示す。図6に示すように、容量(キャパシタンス)Cbは、供給電圧が0Vから約60V、すなわちギャップgがLからL/3になるまで指数関数のように単調増加し、供給電圧が約60Vで約35fFになる。その後、供給電圧が約60Vを超えると、ギャップgが0になり(誘電体15aと可動片15bとが接触した状態)、容量(キャパシタンス)Cbは約500fFになる。ここで、供給電圧が0V〜約12Vである場合のギャップgはL(μm)であり、供給電圧が約60Vである場合のギャップgはL/3(μm)である。なお、ギャップgがLである場合には、可動片15bが初期位置にある状態(例えば、図4に示す状態)である。このようにマイクロマシンスイッチ15の容量Cbが供給電圧に応じて変化するので、その供給電圧を変えることによって、信号線12を流れる信号の位相量を変えることができる。   FIG. 6 shows an example of a change of the capacitance Cb of the micromachine switch 15 with respect to the supply voltage. As shown in FIG. 6, the capacitance (capacitance) Cb increases monotonically like an exponential function until the supply voltage is 0V to about 60V, that is, the gap g is changed from L to L / 3, and the supply voltage is about 60V. 35 fF. Thereafter, when the supply voltage exceeds about 60 V, the gap g becomes 0 (a state where the dielectric 15a and the movable piece 15b are in contact), and the capacitance (capacitance) Cb becomes about 500 fF. Here, the gap g when the supply voltage is 0 V to about 12 V is L (μm), and the gap g when the supply voltage is about 60 V is L / 3 (μm). When the gap g is L, the movable piece 15b is in the initial position (for example, the state shown in FIG. 4). Thus, since the capacitance Cb of the micromachine switch 15 changes according to the supply voltage, the phase amount of the signal flowing through the signal line 12 can be changed by changing the supply voltage.

また、図7に示すように、移相器3の位相変化量は供給電圧に応じて変化する。なお、入力信号の周波数がf1である場合の供給電圧と位相変化量との関係は曲線A1であり、入力信号の周波数がf2である場合の供給電圧と位相変化量との関係は曲線A2であり、入力信号の周波数がf3である場合の供給電圧と位相変化量との関係は曲線A3である。ここで、f1<f2<f3の関係が成り立っている。図7に示すように、位相変化量は、供給電圧が増加すると単調増加する。また、位相変化量は、入力信号の周波数が高くなると増加する。   As shown in FIG. 7, the phase change amount of the phase shifter 3 changes according to the supply voltage. The relationship between the supply voltage and the phase change amount when the frequency of the input signal is f1 is a curve A1, and the relationship between the supply voltage and the phase change amount when the frequency of the input signal is f2 is a curve A2. The relationship between the supply voltage and the amount of phase change when the frequency of the input signal is f3 is a curve A3. Here, the relationship of f1 <f2 <f3 is established. As shown in FIG. 7, the amount of phase change increases monotonically as the supply voltage increases. Further, the amount of phase change increases as the frequency of the input signal increases.

例えば、入力信号の周波数がf2であり、移相器3の位相変化量を−20°に設定する必要がある場合には、供給電圧は35Vに設定される。また、入力信号の周波数がf2であり、移相器3の位相変化量を−40°に設定する必要がある場合には、供給電圧は55Vに設定される。このとき、各移相器3の各々の位相量の差が小さくなるように各移相器3の位相変化量を設定する必要があり、供給電圧は移相器3毎に決定される。これらの供給電圧(電位)が電位供給器6により各移相器3にそれぞれ供給される。   For example, when the frequency of the input signal is f2 and the phase change amount of the phase shifter 3 needs to be set to −20 °, the supply voltage is set to 35V. When the frequency of the input signal is f2 and the phase change amount of the phase shifter 3 needs to be set to −40 °, the supply voltage is set to 55V. At this time, it is necessary to set the phase change amount of each phase shifter 3 so that the difference between the phase amounts of each phase shifter 3 becomes small, and the supply voltage is determined for each phase shifter 3. These supply voltages (potentials) are supplied to each phase shifter 3 by the potential supply 6.

次に、前述の電力増幅器1の動作、特に移相器3の動作について説明する。   Next, the operation of the power amplifier 1 described above, particularly the operation of the phase shifter 3 will be described.

電力増幅器1の入力端子1aに入力された入力信号は電力分配器2の入力端子2aから電力分配器2に入力される。その入力信号は電力分配器2により各出力端子2bに分配され、複数の信号として各出力端子2bから出力される。出力された各信号は、それぞれ対応する各移相器3の各々の入力端子3aから各移相器3に入力される。移相器3に入力された信号は移相器3により位相が変えられ、出力端子3bから出力される。このとき、各信号の位相量の差が小さくなるように各移相器3の各々の位相量が設定されている。   An input signal input to the input terminal 1 a of the power amplifier 1 is input to the power distributor 2 from the input terminal 2 a of the power distributor 2. The input signal is distributed to each output terminal 2b by the power distributor 2, and is output from each output terminal 2b as a plurality of signals. Each output signal is input to each phase shifter 3 from each input terminal 3 a of each corresponding phase shifter 3. The phase of the signal input to the phase shifter 3 is changed by the phase shifter 3 and is output from the output terminal 3b. At this time, the phase amount of each phase shifter 3 is set so that the difference in the phase amount of each signal becomes small.

その後、各移相器3の各々の出力端子3bからそれぞれ出力された複数の信号は、それぞれ対応する各単位増幅器4の各々の入力端子4aから各単位増幅器4に入力される。それらの信号は各単位増幅器4によりそれぞれ増幅され、各出力端子4bから出力される。出力された複数の信号は電力合成器5の各入力端子5aに入力される。それらの信号は電力合成器5により合成され、出力端子5b、すなわち電力増幅器1の出力端子1bから出力信号として出力される。   Thereafter, the plurality of signals output from the respective output terminals 3 b of the respective phase shifters 3 are input to the respective unit amplifiers 4 from the respective input terminals 4 a of the corresponding respective unit amplifiers 4. These signals are amplified by each unit amplifier 4 and output from each output terminal 4b. The plurality of output signals are input to the input terminals 5 a of the power combiner 5. These signals are combined by the power combiner 5 and output as an output signal from the output terminal 5b, that is, the output terminal 1b of the power amplifier 1.

このとき、各移相器3には、それぞれ所定の電位が電位供給器6により供給される。移相器3は、電位供給器6から供給された電位に応じて各マイクロマシンスイッチ15の容量を決定し、信号線12を通過する信号の位相量を設定する。詳述すると、移相器3の各マイクロマシンスイッチ15は、その可動片15bと信号線12との間に供給電圧が印加されると、可動片15bと誘電体15aとが離間している初期状態(ギャップgがLである状態)から、可動片15bが変形して誘電体15a側、すなわち信号線12側に撓んで変形する。これに応じて、誘電体15aと可動片15bとのギャップgが変化して所定のギャップ値となり、移相器3の位相量が所定値となる。これにより、信号線12を通過する信号の位相は所定の位相量だけ変化される。このとき、各信号の各々の位相量の差が小さくなるように所定の供給電圧が各移相器3にそれぞれ供給されるので、異なる信号経路を通過した信号を合成する際に生じる損失を最小にすることができる。   At this time, a predetermined potential is supplied to each phase shifter 3 by the potential supplier 6. The phase shifter 3 determines the capacitance of each micromachine switch 15 in accordance with the potential supplied from the potential supplier 6 and sets the phase amount of the signal passing through the signal line 12. More specifically, each micromachine switch 15 of the phase shifter 3 is in an initial state where the movable piece 15b and the dielectric 15a are separated when a supply voltage is applied between the movable piece 15b and the signal line 12. From the state where the gap g is L, the movable piece 15b is deformed to bend and deform toward the dielectric 15a side, that is, the signal line 12 side. Accordingly, the gap g between the dielectric 15a and the movable piece 15b changes to a predetermined gap value, and the phase amount of the phase shifter 3 becomes a predetermined value. Thereby, the phase of the signal passing through the signal line 12 is changed by a predetermined phase amount. At this time, since a predetermined supply voltage is supplied to each phase shifter 3 so that the difference between the phase amounts of the respective signals becomes small, the loss caused when the signals passing through different signal paths are combined is minimized. Can be.

以上説明したように、本発明の実施の形態に係る電力増幅器1によれば、複数の移相器3として、電力分配器2から出力された信号が流れる信号線12及びその信号線12に対して信号線12が伸びる方向に並べられた静電容量型の複数のマイクロマシンスイッチ15を有する移相器3を設け、それらの移相器3に対して各マイクロマシンスイッチ15に与える電位をそれぞれ供給することによって、従来のように信号の位相量を変えるために長さが異なる信号線路を複数設ける必要がなくなり、信号線路の数の増加及びそれに応じた切替スイッチの数の増加を防止することが可能になる。これにより、挿入損失及び消費電力を抑えることができ、さらに、大型化を防止することができる。   As described above, according to the power amplifier 1 according to the embodiment of the present invention, as the plurality of phase shifters 3, the signal line 12 through which the signal output from the power distributor 2 flows and the signal line 12 are used. The phase shifters 3 having a plurality of capacitance type micromachine switches 15 arranged in the direction in which the signal lines 12 extend are provided, and potentials applied to the respective micromachine switches 15 are supplied to the phase shifters 3 respectively. As a result, it is not necessary to provide multiple signal lines with different lengths in order to change the signal phase amount as in the past, and it is possible to prevent an increase in the number of signal lines and an increase in the number of changeover switches accordingly. become. Thereby, insertion loss and power consumption can be suppressed, and further increase in size can be prevented.

また、各マイクロマシンスイッチ15は、信号線12上に設けられた誘電体15aと、その誘電体15aから離間させて誘電体15a上に設けられ、電圧印加により誘電体15aに接触する方向に変形可能に形成された可動片15bとをそれぞれ有していることから、信号線12上に誘電体15aを介して可動片15bを設けるという簡単な構造により、マイクロマシンスイッチ15を構築することができる。   In addition, each micromachine switch 15 is provided on the dielectric 15a spaced apart from the dielectric 15a provided on the signal line 12, and can be deformed in a direction in contact with the dielectric 15a by applying a voltage. The micromachine switch 15 can be constructed with a simple structure in which the movable piece 15b is provided on the signal line 12 via the dielectric 15a.

次に、移相器3の製造方法、特にマイクロマシンスイッチ15の製造方法について図8乃至図15を参照して説明する。   Next, a method for manufacturing the phase shifter 3, particularly a method for manufacturing the micromachine switch 15, will be described with reference to FIGS. 8 to 15.

最初に、基板11を準備する。基板11は、絶縁性基板又は半導体基板により形成されている。この基板11としては、例えば、ガラス基板やサファイア基板、シリコン酸化膜を有するシリコン基板等を用いる。   First, the substrate 11 is prepared. The substrate 11 is formed of an insulating substrate or a semiconductor substrate. As the substrate 11, for example, a glass substrate, a sapphire substrate, a silicon substrate having a silicon oxide film, or the like is used.

図8に示すように、基板11上の全面に導電層21を形成する。ここでは、導電層21は、例えばTi/Au膜により形成される。続いて、図8に示すように、導電層21上にパターニング用のフォトレジスト膜22を形成する。このフォトレジスト膜22は、信号線12及び一対の接地導体13、14の形状をパターンニングするマスクとして使用される。   As shown in FIG. 8, a conductive layer 21 is formed on the entire surface of the substrate 11. Here, the conductive layer 21 is formed of, for example, a Ti / Au film. Subsequently, as shown in FIG. 8, a patterning photoresist film 22 is formed on the conductive layer 21. The photoresist film 22 is used as a mask for patterning the shapes of the signal line 12 and the pair of ground conductors 13 and 14.

次いで、フォトレジスト膜22を使用して導電層21にエッチングを行い、その後、フォトレジスト膜22を除去し、図9に示すように、導電層21から基板11上に信号線12及び一対の接地導体13、14を形成する。   Next, the conductive layer 21 is etched using the photoresist film 22, and then the photoresist film 22 is removed. As shown in FIG. 9, the signal line 12 and a pair of grounds are formed on the substrate 11 from the conductive layer 21. Conductors 13 and 14 are formed.

次に、図10に示すように、基板11上の全面に、信号線12及び一対の接地導体13、14を覆う誘電層23を形成する。この誘電層23としては、例えばシリコン窒化膜(Si)を用いる。続いて、図10に示すように、誘電層23上にパターンニング用のフォトレジスト膜24を形成する。このフォトレジスト膜24は、信号線12上に誘電層23を残存させるため、信号線12上に設けられる。 Next, as shown in FIG. 10, a dielectric layer 23 covering the signal line 12 and the pair of ground conductors 13 and 14 is formed on the entire surface of the substrate 11. For example, a silicon nitride film (Si 3 N 4 ) is used as the dielectric layer 23. Subsequently, as shown in FIG. 10, a photoresist film 24 for patterning is formed on the dielectric layer 23. The photoresist film 24 is provided on the signal line 12 in order to leave the dielectric layer 23 on the signal line 12.

次いで、フォトレジスト膜24を使用して誘電層23をエッチングし、その後、フォトレジスト膜24を除去し、図11に示すように、誘電層23から信号線12上に誘電体15aを形成する。   Next, the dielectric film 23 is etched using the photoresist film 24, and then the photoresist film 24 is removed to form a dielectric 15a on the signal line 12 from the dielectric layer 23 as shown in FIG.

次に、図12に示すように、基板11上の全面に、可動片15bを複数個形成するための犠牲層25を形成する。この犠牲層25としては、例えばフォトレジスト膜を用いる。犠牲層25には、各可動片15bと一対の接地導体13、14との接続部分を形成するための複数の開口部K1、K2が設けられている。なお、各開口部K1は接地導体13に沿って一直線上に設けられており、各開口部K2も接地導体14に沿って一直線上に設けられている。   Next, as shown in FIG. 12, a sacrificial layer 25 for forming a plurality of movable pieces 15 b is formed on the entire surface of the substrate 11. As the sacrificial layer 25, for example, a photoresist film is used. The sacrificial layer 25 is provided with a plurality of openings K1 and K2 for forming a connection portion between each movable piece 15b and the pair of ground conductors 13 and 14. Each opening K1 is provided on a straight line along the ground conductor 13, and each opening K2 is also provided on a straight line along the ground conductor 14.

次いで、図13に示すように、犠牲層25上に金属層26を形成し、その金属層26上にパターンニング用のフォトレジスト膜27を形成する。このフォトレジスト膜27は可動片15bをパターンニングするマスクとして使用される。   Next, as shown in FIG. 13, a metal layer 26 is formed on the sacrificial layer 25, and a patterning photoresist film 27 is formed on the metal layer 26. This photoresist film 27 is used as a mask for patterning the movable piece 15b.

次に、フォトレジスト膜27を使用して金属層26をエッチングし、その後、フォトレジスト膜27を除去し、図14に示すように、金属層26から複数の可動片15bを形成する。最後に、図15に示すように、犠牲層25を除去する。これにより、図3及び図4に示すようなマイクロマシンスイッチ15を複数個有する移相器3が完成する(図2参照)。   Next, the metal layer 26 is etched using the photoresist film 27, and then the photoresist film 27 is removed to form a plurality of movable pieces 15b from the metal layer 26 as shown in FIG. Finally, as shown in FIG. 15, the sacrificial layer 25 is removed. Thereby, the phase shifter 3 having a plurality of micromachine switches 15 as shown in FIGS. 3 and 4 is completed (see FIG. 2).

以上説明したように、本発明の実施の形態に係る製造方法によれば、特別な製造方法を用いることなく、既存の半導体製造プロセスを使用して簡易に複数のマイクロマシンスイッチ15を有する移相器3を製造することができる。   As described above, according to the manufacturing method according to the embodiment of the present invention, a phase shifter having a plurality of micromachine switches 15 easily using an existing semiconductor manufacturing process without using a special manufacturing method. 3 can be manufactured.

(他の実施の形態)
なお、本発明は、前述の実施の形態に限るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

例えば、前述の実施の形態においては、可動片15bの両端を一対の接地導体13、14に固定し、可動片15bを両持梁構造により基板11上に設けているが、これに限るものではなく、例えば、可動片15bの一端だけを一対の接地導体13、14のどちらか一方に固定し、可動片15bを片持梁構造により基板11上に設けるようにしてもよい。   For example, in the above-described embodiment, both ends of the movable piece 15b are fixed to the pair of ground conductors 13 and 14, and the movable piece 15b is provided on the substrate 11 with a double-supported beam structure. Alternatively, for example, only one end of the movable piece 15b may be fixed to one of the pair of ground conductors 13 and 14, and the movable piece 15b may be provided on the substrate 11 by a cantilever structure.

また、前述の実施の形態においては、電位供給器6により各移相器3に所定の電位(所定の供給電圧)をそれぞれ供給するようにしているが、これに限るものではなく、例えば、電位供給器6により各移相器3に、入力信号の周波数に応じて与える電位をそれぞれ変えて供給するようにしてもよい。この場合には、電位供給器6は入力信号の周波数を示す周波数情報に基づいて電位を変更する。   In the above-described embodiment, a predetermined potential (predetermined supply voltage) is supplied to each phase shifter 3 by the potential supply 6. However, the present invention is not limited to this. You may make it supply to each phase shifter 3 by the supplier 6 changing the electric potential given according to the frequency of an input signal, respectively. In this case, the potential supplier 6 changes the potential based on frequency information indicating the frequency of the input signal.

最後に、前述の実施の形態においては、各種の数値を挙げているが、それらの数値は例示であり、限定されるものではない。   Finally, in the above-described embodiment, various numerical values are listed, but these numerical values are merely examples and are not limited.

本発明の実施の一形態に係る電力増幅器の概略構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a schematic configuration of a power amplifier according to an embodiment of the present invention. 図1に示す電力増幅器が備える移相器の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the phase shifter with which the power amplifier shown in FIG. 1 is provided. 図2に示す移相器が備えるマイクロマシンスイッチの概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the micromachine switch with which the phase shifter shown in FIG. 2 is provided. 図2のF1−F1線断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line F1-F1 of FIG. 図3及び図4に示すマイクロマシンスイッチの等価回路を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the micromachine switch shown in FIGS. 3 and 4. 供給電圧とマイクロマシンスイッチの容量(キャパシタンス)との関係を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the relationship between a supply voltage and the capacity | capacitance (capacitance) of a micromachine switch. 供給電圧と移相器の位相変化量との関係を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the relationship between a supply voltage and the phase variation of a phase shifter. 図3及び図4に示すマイクロマシンスイッチの製造方法を説明するための第1の工程断面図である。FIG. 6 is a first process cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the micromachine switch shown in FIGS. 3 and 4. 第2の工程断面図である。It is 2nd process sectional drawing. 第3の工程断面図である。It is 3rd process sectional drawing. 第4の工程断面図である。It is a 4th process sectional view. 第5の工程断面図である。FIG. 10 is a fifth process cross-sectional view. 第6の工程断面図である。It is 6th process sectional drawing. 第7の工程断面図である。It is 7th process sectional drawing. 第8の工程断面図である。It is 8th process sectional drawing.

符号の説明Explanation of symbols

1…電力増幅器、2…電力分配器、3…移相器、4…単位増幅器、5…電力合成器、6…電位供給器、12…信号線、15…マイクロマシンスイッチ、15a…誘電体、15b…可動片   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Power amplifier, 2 ... Power divider, 3 ... Phase shifter, 4 ... Unit amplifier, 5 ... Power synthesizer, 6 ... Potential supply, 12 ... Signal line, 15 ... Micromachine switch, 15a ... Dielectric, 15b ... movable piece

Claims (2)

入力信号を複数の信号に分けて出力する電力分配器と、
前記電力分配器に個別に接続され、前記電力分配器から出力された前記複数の信号の各々の位相をそれぞれ変えて、位相を変えた前記複数の信号をそれぞれ出力する複数の移相器と、
前記複数の移相器に個別に接続され、前記複数の移相器から出力された複数の信号をそれぞれ増幅して出力する複数の単位増幅器と、
前記複数の単位増幅器に接続され、前記複数の単位増幅器から出力された複数の信号を合成して出力する電力合成器と、
前記複数の移相器に接続され、前記複数の移相器に電位を供給する電位供給器と、
を備え、
前記複数の移相器は、前記電力分配器から出力された前記信号が流れる信号線と、前記信号線に対して前記信号線が伸びる方向に並べられた静電容量型の複数のマイクロマシンスイッチとをそれぞれ具備しており、
前記電位供給器は、前記複数の移相器に対して前記複数のマイクロマシンスイッチに与える電位をそれぞれ供給することを特徴とする電力増幅器。
A power divider that divides an input signal into a plurality of signals and outputs;
A plurality of phase shifters that are individually connected to the power distributor, change the phase of each of the plurality of signals output from the power distributor, and output the plurality of signals that have been changed in phase;
A plurality of unit amplifiers individually connected to the plurality of phase shifters and amplifying and outputting a plurality of signals output from the plurality of phase shifters;
A power combiner connected to the plurality of unit amplifiers for synthesizing and outputting a plurality of signals output from the plurality of unit amplifiers;
A potential supply connected to the plurality of phase shifters and supplying a potential to the plurality of phase shifters;
With
The plurality of phase shifters include a signal line through which the signal output from the power distributor flows, and a plurality of capacitance-type micromachine switches arranged in a direction in which the signal line extends with respect to the signal line. Each with
The potential amplifier supplies potentials to be supplied to the plurality of micromachine switches to the plurality of phase shifters, respectively.
前記複数のマイクロマシンスイッチは、
前記信号線上に設けられた誘電体と、
前記誘電体から離間させて前記誘電体上に設けられ、電圧印加により前記誘電体に接触する方向に変形可能に形成された可動片と、
をそれぞれ有していることを特徴とする請求項1記載の電力増幅器。
The plurality of micromachine switches are:
A dielectric provided on the signal line;
A movable piece that is provided on the dielectric material apart from the dielectric material and is deformable in a direction in contact with the dielectric material by applying a voltage;
The power amplifier according to claim 1, further comprising:
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