JP2008282827A - Charged particle beam apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は荷電粒子線装置に係り、特に、試料から荷電粒子源側に発生した信号粒子と、試料内で散乱して透過した信号粒子と、試料内で散乱せずに透過した信号粒子を区別し検出して、高コントラストな試料像を得るのに好適な荷電粒子線装置に関する。 The present invention relates to a charged particle beam apparatus, and in particular, distinguishes between signal particles generated from a sample on the charged particle source side, signal particles scattered and transmitted within the sample, and signal particles transmitted without being scattered within the sample. And a charged particle beam apparatus suitable for obtaining a high-contrast sample image.
走査電子顕微鏡に代表される荷電粒子線装置では、細く収束された荷電粒子線を試料上で走査して試料から所望の情報(例えば試料像)を得る。このような荷電粒子線装置の多くは、半導体デバイスの評価や不良解析に用いられている。半導体デバイスは年々微細化と多層構造化が進み、多層構造化したデバイスの不良を解析するために、デバイスを薄膜化して評価する手法が重要になっている。薄膜試料の観察には、通常、試料を透過した透過信号を用いるが、試料内で散乱して透過した透過信号(暗視野信号)は、試料の原子番号コントラストが強く反映されるため、デバイスの不良解析に有効であることが知られている。 In a charged particle beam apparatus typified by a scanning electron microscope, desired information (for example, a sample image) is obtained from a sample by scanning a finely focused charged particle beam on the sample. Many of such charged particle beam apparatuses are used for semiconductor device evaluation and failure analysis. Semiconductor devices are becoming finer and multilayered year by year, and in order to analyze defects in devices having a multilayered structure, a method of evaluating a thinned device has become important. For observation of a thin film sample, a transmission signal transmitted through the sample is usually used. However, the transmission signal (dark field signal) scattered and transmitted in the sample strongly reflects the atomic number contrast of the sample. It is known to be effective for failure analysis.
図5、および図6を用いて従来の透過信号粒子検出法を説明する。大形試料が観察できる試料ステージを搭載した荷電粒子線装置では、図5に示すように、試料ステージ16は、対物レンズ20の下方に配置され、試料14はこの試料ステージに搭載する。薄膜試料14を透過した信号粒子(18a,18b)は、試料ステージ16に設けられた透過信号粒子の通過孔161を通過して、試料ステージの下方に設けられた透過信号検出器17で検出されるが、このとき、透過信号粒子の内、ステージの通過孔161を通過した信号粒子18aのみが透過信号検出器17に検出される。また、試料ステージ16と透過信号検出器17との間に絞り19を設け、透過信号検出器17で検出される透過信号粒子18aの散乱角を制限している。一方、対物レンズ20で発生する収束磁場は、対物レンズ下面よりも上部(電子源側)に形成されるため、試料14の表面から発生した二次信号粒子11は、対物レンズ下部に設けられた二次信号検出器13で発生する電界130に吸引され、二次信号検出器13に検出される。
A conventional transmission signal particle detection method will be described with reference to FIGS. In a charged particle beam apparatus equipped with a sample stage capable of observing a large sample, as shown in FIG. 5, the
また、非特許文献1には、図6に示すように、薄膜試料14の直下を金属部で塞ぐ試料台150を用い、透過信号粒子(18a,18b)が試料下部の金属部に衝突することによって発生した二次信号粒子12を対物レンズ下部に配置した二次信号検出器13で検出し、試料14の透過像を得る方法が開示されている。この場合においても、対物レンズ磁界は対物レンズ下面よりも上部(電子源側)に発生するため、試料14の表面から発生した二次信号粒子11は、対物レンズ下部の二次信号検出器13の電界130に吸引されて検出される。
Further, in Non-Patent Document 1, as shown in FIG. 6, a
上記した従来技術では、いずれも次のような問題がある。 All of the conventional techniques described above have the following problems.
図5に示す従来技術では、試料を透過した信号粒子を検出するための透過信号検出器17が試料ステージ16よりも下方に配置されるため、試料14と透過信号検出器17の距離が長くなり、試料内で散乱した透過信号粒子(18b:暗視野信号)を検出するために非常に大きな検出面を有する透過信号検出器が必要となる。また、透過信号粒子(18a,18b)は、試料ステージの通過孔161を通過後に検出されるため、試料で散乱した透過信号粒子(18b)を検出するには、試料ステージに設けた透過信号粒子の通過孔161を十分に大きくする必要がある。しかし、この結果、ステージを支えるベース160の強度が低下してステージ耐振性能が低下する問題が生じるため、ステージ耐振性が維持される実用的な通過孔161では、散乱して透過した信号粒子18bは、図5に示されるように、通過孔161の内壁に衝突して検出することができない。
In the prior art shown in FIG. 5, since the
図6に示す従来技術は、本来、図5に示される透過信号検出器17を用いないで、より簡便に透過信号検出器17と同等の透過信号像(STEM像)を得ることを目的として考案されたものである。通常の走査電子顕微鏡には、試料から発生した二次信号を検出するための二次信号検出器13が対物レンズ下部に備えている。したがって、この二次信号検出器13で透過信号が検出できれば、高価な透過信号検出器17を設けなくとも、安価な構成でSTEM像の観察が可能になる。このために、図6の従来技術では、試料下部を金属部で塞いで試料を透過した信号粒子を衝突させ、この衝突によって発生する二次信号粒子を対物レンズ下部の二次信号検出器13で検出している。しかし、この場合、対物レンズの磁界が対物レンズ下面よりも上方(電子源側)に発生するため、試料上では対物レンズ磁界の漏洩が極めて小さい。したがって、試料表面から発生したエネルギーの低い二次信号粒子は、二次信号検出器13の吸引電界に引き寄せられて、二次信号検出器13に検出されてしまう。したがって、二次信号検出器13に検出される信号は、透過信号と二次信号の加算されたものになってしまう。この結果、本来、透過信号のみに含まれる微小なコントラストが、透過信号と同時に検出される二次信号のコントラストに乱されるため、高コントラストなSTEM像を得ることが困難となる。
The prior art shown in FIG. 6 is originally designed for the purpose of more easily obtaining a transmission signal image (STEM image) equivalent to the
一方、高コントラストで高分解能なSTEM像を得るには、試料を散乱して透過した信号粒子(暗視野信号粒子)と試料を散乱しないで透過した信号粒子(明視野信号粒子)とを区別して検出することが望ましい。なぜなら、明視野信号粒子と暗視野信号粒子とは、コントラストが互いに反転した情報を有するため、これらの信号が加算されると、コントラストの相殺が起こるからである。図3に、試料表面から発生した二次信号像(a)と、試料内を散乱せずに透過した信号像(明視野信号像)(b)と、試料内を散乱して透過した信号像(暗視野信号像)(c)とを比較して示す。図3より、明視野信号像(b)と暗視野信号像(c)とは、コントラストが反転していることがわかる。図6に示す従来技術においては、明視野信号粒子(18a)と暗視野信号粒子(18b)とが、全て試料下部の金属部に衝突して二次信号粒子12を発生させるため、二次信号検出器13に検出される信号情報は、両者が加算されたものになる。よって、上記説明の如く、コントラストが相殺されるため、高コントラストなSTEM像が得られない問題があった。
On the other hand, in order to obtain a high-contrast and high-resolution STEM image, signal particles (dark field signal particles) that are scattered and transmitted through the sample are distinguished from signal particles that are transmitted without scattering the sample (bright field signal particles). It is desirable to detect. This is because the bright-field signal particles and the dark-field signal particles have information in which the contrasts are inverted from each other, so that when these signals are added, the contrast cancels. FIG. 3 shows a secondary signal image (a) generated from the sample surface, a signal image (bright field signal image) (b) transmitted without scattering inside the sample, and a signal image scattered and transmitted inside the sample. (Dark field signal image) (c) is shown in comparison. FIG. 3 shows that the contrast of the bright field signal image (b) and the dark field signal image (c) is inverted. In the prior art shown in FIG. 6, since the bright-field signal particles (18a) and the dark-field signal particles (18b) all collide with the metal part under the sample to generate the
本発明の目的は、試料を散乱して透過した暗視野透過信号粒子と、その他の粒子を分離して検出するのに好適な荷電粒子線装置の提供にある。 An object of the present invention is to provide a charged particle beam apparatus suitable for separating and detecting dark-field transmission signal particles scattered and transmitted from a sample and other particles.
上記目的を達成するために、本発明によれば、第1に、荷電粒子線装置において、試料を透過した荷電粒子の衝突によって、二次荷電粒子を放出する透過信号変換部材を備え、当該透過信号変換部材に、試料内で散乱しない透過荷電粒子が通過できる大きさの開口を備えた。また、第2に、試料を透過した荷電粒子の衝突によって発光するシンチレータと、該シンチレータから発生した光を検出する位置に光を電気信号に変換する手段を設けるとともに、シンチレータに、試料内で散乱しない透過荷電粒子が通過できる大きさの開口を備えた。 In order to achieve the above object, according to the present invention, first, in the charged particle beam apparatus, a transmission signal conversion member that emits secondary charged particles by collision of charged particles that have passed through the sample is provided. The signal conversion member was provided with an opening having a size through which the transmitted charged particles not scattered in the sample can pass. Second, a scintillator that emits light by collision of charged particles that have passed through the sample, and a means for converting the light into an electrical signal at a position for detecting the light generated from the scintillator are provided, and the scintillator is scattered within the sample. An aperture of a size through which the transmitted charged particles that do not pass can be passed.
以上のような構成によれば、暗視野透過信号粒子と明視野透過信号粒子を分離し、少なくとも暗視野透過像を効率良く検出することが可能になる。 According to the above configuration, it is possible to separate the dark field transmission signal particles and the bright field transmission signal particles and efficiently detect at least the dark field transmission image.
また、第3に、本発明では、試料を透過した荷電粒子の衝突によって二次荷電粒子を放出する透過信号変換部材と、当該透過信号変換部材から放出された二次荷電粒子を吸引して検出する検出器を備え、一次荷電粒子を集束するための対物レンズを、試料側に向かって集束磁場を漏洩するように構成した。 Third, in the present invention, a transmission signal conversion member that emits secondary charged particles by collision of charged particles that have passed through the sample, and secondary charged particles that are released from the transmission signal conversion member are detected by suction. The objective lens for focusing the primary charged particles is configured to leak the focusing magnetic field toward the sample side.
このような構成によれば、試料表面から放出される二次荷電粒子が、対物レンズの集束作用により集束され、試料を透過した暗視野透過信号粒子に基づく信号への混入を防止することができる。 According to such a configuration, the secondary charged particles emitted from the sample surface are focused by the focusing action of the objective lens, and can be prevented from being mixed into the signal based on the dark-field transmission signal particles transmitted through the sample. .
本発明のより具体的な態様、或いは他の構成については、以下の発明の実施の形態の欄でより詳細に説明する。 More specific aspects or other configurations of the present invention will be described in more detail in the following embodiments of the present invention.
本発明によれば、試料表面から発生した二次信号粒子と、試料内で散乱して透過した暗視野透過信号粒子と、試料内を散乱しないで透過した明視野透過信号粒子とをそれぞれ分離して検出できるため、アプリケーションに応じた最適なコントラストの試料像を観察することができる効果がある。 According to the present invention, the secondary signal particles generated from the sample surface, the dark field transmission signal particles scattered and transmitted in the sample, and the bright field transmission signal particles transmitted without scattering in the sample are separated. Therefore, it is possible to observe a sample image having an optimal contrast according to the application.
以下図面を用いて、本発明の実施の形態について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
以下に本発明の具体的な構成、及び具体的効果を、図面を交えて説明する。 Hereinafter, specific configurations and specific effects of the present invention will be described with reference to the drawings.
本発明実施例では、まず、暗視野透過信号粒子を検出するため、図2に示すように、薄膜試料14の下部に中央に孔の開いた透過信号変換部材15(荷電粒子の衝突で二次信号粒子を発生させる部材で、一般に金属を用いる)を設けた。薄膜試料14を散乱せずに透過した明視野信号粒子18aはこの孔を通過するため、透過信号変換部材には衝突しない。一方、試料を散乱して透過した暗視野信号粒子18bは、透過信号変換部材に衝突して二次信号粒子12を発生する。この二次信号粒子12は、対物レンズ下方に配置した二次信号検出器13の電界に吸引されて、二次信号検出器13に検出される。よって、二次信号検出器13の信号は、図3(c)に示すような暗視野信号像となる。
In the embodiment of the present invention, first, in order to detect dark-field transmission signal particles, as shown in FIG. 2, a transmission
試料表面から発生した二次信号粒子が対物レンズ下方の二次信号検出器13に検出されるのを回避するために、本発明では、図2に示すように、磁極が試料側を見込む形状の対物レンズ20を設けた。この対物レンズでは、励磁コイル202の励磁によって、磁極から発生する磁力線201が試料側に存在するため、光軸上の磁界分布200が試料表面上で比較的大きな値となる。
In order to avoid detection of secondary signal particles generated from the sample surface by the
そのため、試料表面から発生した二次信号粒子11は、対物レンズ磁界で強く収束されて対物レンズの上方(電子源側)に進行するため、対物レンズ下方に配置した二次信号検出器13にほとんど検出されない。対物レンズ20の上方に進行した二次信号粒子11は、対物レンズ上方に配置された直交電磁界装置22によって、二次信号検出器9の方向に偏向されて、二次信号検出器9で検出される。
Therefore, the
このような対物レンズは、内側の磁極と外側の磁極で形成するギャップ(このギャップから磁界が漏洩して、レンズ磁界を形成する)が試料側を見込んで設けられており、内側の磁極下部より試料台21側に、対物レンズ磁界の最大集束磁場が位置するように形成されている。
In such an objective lens, a gap formed by an inner magnetic pole and an outer magnetic pole (a magnetic field leaks from this gap to form a lens magnetic field) is provided in anticipation of the sample side. It is formed so that the maximum focusing magnetic field of the objective lens magnetic field is located on the
一方、図2に示すような対物レンズでは、対物レンズ下面から離れるにつれてレンズ磁界が急速に弱まり、透過電子変換部材の位置ではレンズ磁界が非常に弱くなっている。したがって、透過電子変換部材から発生した二次信号粒子は、対物レンズ磁界の影響をほとんど受けずに、対物レンズ下方の二次信号検出器13の吸引電界に吸い寄せられて、二次信号検出器13で検出することができる。よって、図2に示す特徴的構成によれば、試料表面から発生した二次信号粒子と暗視野信号粒子を、それぞれ、明視野信号粒子と分離して検出することができる。
On the other hand, in the objective lens as shown in FIG. 2, the lens magnetic field rapidly weakens as the distance from the lower surface of the objective lens increases, and the lens magnetic field becomes very weak at the position of the transmission electron conversion member. Therefore, the secondary signal particles generated from the transmission electron conversion member are attracted to the attracting electric field of the
更に図2に示すような対物レンズは、対物レンズ直下では強い集束磁場を形成し、対物レンズを離れると急速に集束磁場が弱くなるため、強い集束磁場内に配置される試料直下に、透過信号変換部材15を配置しても、透過信号変換部材15で発生する二次荷電粒子を高効率に二次信号検出器13に導くことができる。
Furthermore, the objective lens as shown in FIG. 2 forms a strong focusing magnetic field directly under the objective lens, and the focusing magnetic field rapidly weakens when leaving the objective lens. Therefore, the transmission signal is directly under the sample placed in the strong focusing magnetic field. Even if the
本実施例の構成においては、試料表面上のレンズ磁界強度が弱すぎると、試料表面から発生した二次信号粒子がレンズ磁界に十分収束されなくなり、その一部が、透過信号変換部材15から発生する二次信号粒子と混じって検出されてしまう。一方、透過信号変換部材15における磁界強度が強すぎると、透過信号変換部材15から発生した二次信号粒子が、対物レンズ磁界に収束されて、これを検出するための二次信号検出器13に効率良く検出されなくなる。このような状況を実験的に検討した結果、光軸上のレンズ磁界ピーク値に対して20%以上の磁界強度の位置に試料表面を配置し、同ピーク値に対して20%以下の位置に透過信号変換部材15を配置すれば、試料表面から発生する二次信号粒子と透過信号変換部材15から発生する二次信号粒子とを効果的に分離し、かつ、透過信号変換部材15から発生する二次信号粒子を効率良く検出できることを見出した。
In the configuration of this embodiment, if the lens magnetic field intensity on the sample surface is too weak, the secondary signal particles generated from the sample surface are not sufficiently converged on the lens magnetic field, and a part thereof is generated from the transmission
以上のような対物レンズの構造と、透過信号変換部材15の配置によれば、磁極から発生する磁界がワーキングディスタンスの増大につれて急速に減衰するため、透過信号変換部材を比較的短いワーキングディスタンスに配置することができ、試料を走査する一次荷電粒子線のプローブサイズを小さくするとともに、高効率な暗視野信号の検出が可能になるため、暗視野像の分解能を向上させることができる。
According to the objective lens structure and the arrangement of the transmission
仮に、試料と透過信号変換部材をインレンズ形の対物レンズに配置したとすれば、高分解能なプローブは得られるものの、試料下方にも強い磁界が存在するので、透過信号変換部材からの信号を効率良く検出することができず、本実施例の効果は得られない。 If the sample and the transmission signal conversion member are arranged in an in-lens objective lens, a high-resolution probe can be obtained, but a strong magnetic field exists below the sample. It cannot be detected efficiently, and the effect of this embodiment cannot be obtained.
暗視野信号粒子のみを検出するための他の手段として、図2の透過信号変換部材15を
、荷電粒子の衝突で発光するシンチレータで構成することもできる。この場合には、対物レンズ下方の二次信号検出器13の代わりに、光を直接検出して電気信号に変換するホトマルチプライアを設ける。この方法は、暗視野透過信号粒子を二次信号粒子に変換する代わりに、光信号に変換することに対応する。
As another means for detecting only dark-field signal particles, the transmission
暗視野透過信号粒子と分離された明視野透過信号粒子を検出するために、試料ステージのベース160の下方に絞り19と透過信号検出器17とを設けた。試料ステージのベース160の通過孔161を通過した明視野透過信号粒子18aは、絞り19によって、さらに最適な明視野信号粒子18cのみに選別されて、透過信号検出器17に検出される。したがって、本発明の特徴的構成によれば、試料表面から発生する二次信号粒子11,暗視野信号粒子18b、および、最適コントラスト条件に選別された明視野信号粒子18cを、それぞれ分離して同時に検出することが可能になる。図3に示す各画像は、このようにして検出した信号の画像である。
In order to detect the bright field transmission signal particles separated from the dark field transmission signal particles, a
図1は、本発明の一例である走査電子顕微鏡の概略構成図である。陰極1と第一陽極2に印加される電圧(図に記載していない)により陰極1から放出された一次荷電粒子線3は第二陽極4に印加される電圧Vacc(図に記載していない)に加速されて後段のレンズ系に進行する。この一次荷電粒子線3は、第一集束レンズ5でいったん収束され、対物レンズ絞り6でビームの照射角を制限されて、2段の偏向コイル7および8で試料14上を二次元的に走査される。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a scanning electron microscope which is an example of the present invention. A primary charged
試料表面の一次荷電粒子線照射点から発生した二次信号粒子11は対物レンズ20の発生する磁界に巻き上げられて、対物レンズ上方(電子源側)に進行する。この二次信号粒子11は、直交電磁界発生装置22で一次荷電粒子線3と軌道分離されて、二次信号粒子検出器9に検出される。
The
一方、試料台21に固定された薄膜試料14を透過した透過信号粒子の内、試料内で散乱した暗視野透過信号粒子(図2:18b)は、試料14下方に設けた透過信号変換部材15に照射される。透過信号変換部材は、荷電粒子の衝突によって二次信号粒子を発生する材料(一般には金属)で構成しているため、透過信号の衝突により、衝突した信号量に比例した二次信号粒子を発生する。透過信号変換部材15から発生した二次信号粒子12は、対物レンズ20の下方に配置された二次信号検出器13で検出される。透過信号変換部材15には、試料内を散乱しないで透過した信号粒子(図2:18a、明視野信号粒子)が通過できる開口を設けている。
On the other hand, among the transmission signal particles transmitted through the
したがって、透過信号変換部材15から発生する二次信号粒子12は、暗視野信号粒子の情報のみを有している。また、透過信号変換部材15の開口を通過した明視野透過信号粒子18aは、試料ステージ16の開口を通過して、試料ステージ16下方に設けられた透過信号検出器17で検出される。試料ステージ16と透過信号検出器との間には絞り19が配置されており、試料ステージ16を通過した透過信号粒子の内、最適なコントラストが得られる明視野透過信号粒子のみが選択されて、透過信号検出器17に検出される。絞り19は孔径の異なる複数の開口を有し、これらの開口を真空外から切り替えることが可能である。
Therefore, the
また、以上のような本実施例の構成では、試料を対物レンズの強磁界中に配置するため、同様に試料を対物レンズ磁界中に配置するインレンズ式の対物レンズを採用した荷電粒子線と同等の高い分解能が得られ、かつインレンズ式の対物レンズでは実現が困難な大形試料用のステージを採用することができる。 Further, in the configuration of the present embodiment as described above, since the sample is arranged in the strong magnetic field of the objective lens, similarly, a charged particle beam adopting an in-lens type objective lens in which the sample is arranged in the objective lens magnetic field; It is possible to employ a large sample stage that can achieve the same high resolution and is difficult to realize with an in-lens objective lens.
透過信号変換部材は、同様の形状を有するシンチレータ(荷電粒子の衝突で発光する材料)で構成することもできる。このとき、暗視野信号粒子の情報は、このシンチレータで光に変換される。この場合には、透過信号変換部材から発光した光を見込む位置に、光を電気信号に変換する手段(例えば、ホトマルチプライア)を設ける。 The transmission signal conversion member can also be formed of a scintillator (a material that emits light upon collision of charged particles) having the same shape. At this time, the information of the dark field signal particles is converted into light by this scintillator. In this case, means (for example, a photomultiplier) for converting light into an electrical signal is provided at a position where the light emitted from the transmission signal conversion member is viewed.
図4に、本発明の目的に適した試料台に関する実施例を示す。試料表面から発生したエネルギーの低い二次信号粒子11は、ほとんどが対物レンズ磁界に収束されて対物レンズ上方に進行するが、エネルギーが高く、かつ、試料表面から浅い角度で発生した反射信号粒子111は、対物レンズの上方に進行しない。このような信号粒子の一部は対物レンズ下方の二次信号検出器13に検出されて、暗視野透過信号情報の質を低下させる。これを避けるために、本実施例では、図4に示すように、試料台の薄膜試料搭載部に円筒状の壁211を設け、試料表面から浅い角度で発生した高エネルギーの反射信号粒子111を円筒状の壁211で遮断した。
FIG. 4 shows an embodiment relating to a sample stage suitable for the purpose of the present invention. Most of the
以上のような本発明実施例の構成によれば、試料表面から発生する信号粒子と試料を散乱せずに透過した明視野透過信号粒子と試料を散乱して透過した暗視野透過信号粒子とを分離して検出することにより、目的に応じた高コントラストな画像を得ることが可能になる。 According to the configuration of the embodiment of the present invention as described above, the signal particles generated from the sample surface, the bright field transmission signal particles transmitted without scattering the sample, and the dark field transmission signal particles transmitted after scattering the sample. By separating and detecting, it is possible to obtain a high-contrast image according to the purpose.
高コントラストな暗視野像を得るには、試料に応じた検出散乱角の制御が重要となるが、大形試料の観察が可能な走査形電子顕微鏡では、透過形電子顕微鏡のように試料よりも下方に収束レンズを配置することができない。そのため、暗視野信号の散乱角の制御(最適化)ができない問題があった。 In order to obtain a high-contrast dark-field image, it is important to control the detection scattering angle according to the sample, but a scanning electron microscope capable of observing a large sample is more difficult than a sample like a transmission electron microscope. A converging lens cannot be arranged below. For this reason, there has been a problem that the scattering angle of the dark field signal cannot be controlled (optimized).
本実施例では、試料を散乱して透過した暗視野透過信号粒子と、その他の粒子を分離して検出するとともに、暗視野信号の検出散乱角を試料に応じて制御するのに好適な荷電粒子線装置について説明する。 In the present embodiment, the dark field transmission signal particles scattered and transmitted through the sample are separated from other particles and detected, and the charged particles suitable for controlling the detection scattering angle of the dark field signal according to the sample. The wire device will be described.
また、観察材料が固定的であり検出散乱角が一定条件で使用する場合には、暗視野信号をきわめて高い効率で検出するに好適な荷電粒子線装置について説明する。 A charged particle beam apparatus suitable for detecting dark field signals with extremely high efficiency when the observation material is fixed and the detection scattering angle is used under a constant condition will be described.
本実施例によれば、第1に、荷電粒子線装置において、試料を透過した荷電粒子の衝突によって二次荷電粒子を放出する透過信号変換部材を備え、透過信号変換部材に、透過荷電粒子が通過できる大きさの開口を備えるとともに、当該開口部に0或いは正の電圧を印加する電源を備えた。 According to the present embodiment, firstly, in the charged particle beam apparatus, the transmission signal conversion member that releases the secondary charged particles by the collision of the charged particles that have passed through the sample is provided, and the transmission signal conversion member includes the transmission charged particles. An opening having a size that can be passed is provided, and a power source that applies 0 or a positive voltage to the opening is provided.
第2に、試料を透過した荷電粒子の衝突によって二次荷電粒子を放出する透過信号変換部材を備え、当該透過信号変換部材は、透過荷電粒子線が通過するための開口を有する2枚の電極を備え、当該2枚の電極間の二次荷電粒子を検出する検出器を備えた。 Secondly, a transmission signal conversion member that emits secondary charged particles by collision of charged particles that have passed through the sample is provided, and the transmission signal conversion member has two electrodes having openings through which the transmission charged particle beam passes. And a detector for detecting secondary charged particles between the two electrodes.
以上のような構成によれば、暗視野透過信号粒子と明視野透過信号粒子を分離し、暗視野信号の検出散乱角の制御、および暗視野信号の高効率検出が可能になる。以下に本実施例について、図面を用いて説明する。 According to the above configuration, the dark field transmission signal particles and the bright field transmission signal particles can be separated, and the detection scattering angle of the dark field signal can be controlled and the dark field signal can be detected with high efficiency. Hereinafter, this embodiment will be described with reference to the drawings.
図7に、暗視野信号の検出散乱角を制御する実施例を示す。本実施例では、開口部に絶縁物152で電気的に絶縁した電極151が配置されており、電源から正の電圧Vcが印加される。この電源は、0から所定の正電圧の範囲の電圧が印加可能な電源である。
FIG. 7 shows an embodiment for controlling the detected scattering angle of the dark field signal. In this embodiment, an
透過信号変換部材15に暗視野透過信号粒子18bが衝突すると二次信号粒子12aが発生するが、電極151の付近で発生した二次信号粒子12bは電極151に印加された正電圧に吸い寄せられるために、二次信号検出器13に検出されない。電極151の電圧を高くすると、電極151を中心としてより広い領域の二次信号粒子が電極151に吸い寄せられることになる。すなわち、電極151の正電圧を制御することにより、二次信号検出器13に検出される暗視野信号の検出散乱角の下限が制御されることになる。したがって、電極151の電圧を徐々に上昇していくと、暗視野像のコントラストとしては、例えば、図8の(a),(b),(c)のように変化していく。そのため、オペレータは暗視野像を見ながら、電極151の電圧を調整して最適なコントラストを得ることができる。
When the dark field
暗視野信号の検出においては、試料の材質(観察対象)に応じて、検出散乱角(特に内角)の最適化が極めて重要であることが知られている。この理由を図8、および図9を用いて説明する。図9は、異なる材質(原子番号,試料の厚さなど)に対する透過電子の信号強度と散乱角の関係を模式的に示した図である。図において、グラフAとグラフBは、それぞれ軽い元素(あるいは薄い試料)と重い元素(あるいは厚い試料)の場合を表している。試料の厚さがほぼ均一であれば、グラフAとグラフBとはそれぞれ原子番号の違いに依存するものとなる。図9において、θ1以上の散乱角の暗視野信号を検出した場合には、グラフAの信号総和(ハッチングした領域)がBよりも大きくなり、暗視野像としてはBよりもAの領域が明るいコントラストとなる。一方、検出散乱角の下限をθ2とすると、より重い元素Bの信号総和がAの信号総和よりも大きくなるため、暗視野像としてはBのほうがAの領域よりも明るいコントラストとなる。このように、試料の材質できまる検出散乱角と透過信号強度の関係に対して、適切な検出散乱角を選択することにより、目的に適したコントラストの暗視野像を得ることが可能になる。 In the detection of dark field signals, it is known that optimization of the detection scattering angle (especially the inner angle) is extremely important depending on the material (observation target) of the sample. The reason for this will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a diagram schematically showing the relationship between the transmission electron signal intensity and the scattering angle for different materials (atomic number, sample thickness, etc.). In the figure, graphs A and B represent light elements (or thin samples) and heavy elements (or thick samples), respectively. If the thickness of the sample is substantially uniform, the graph A and the graph B depend on the difference in atomic number. In FIG. 9, when a dark field signal having a scattering angle of θ1 or more is detected, the signal sum (hatched area) of graph A is larger than B, and the area A is brighter than B as a dark field image. Contrast. On the other hand, if the lower limit of the detection scattering angle is θ2, the signal sum of heavier element B is larger than the signal sum of A, so that B has a brighter contrast than the region A as a dark field image. Thus, by selecting an appropriate detection scattering angle with respect to the relationship between the detection scattering angle and the transmission signal intensity determined by the material of the sample, it is possible to obtain a dark field image having a contrast suitable for the purpose.
図8は、軽い元素(炭素)と重い元素(白金微粒子)で構成される触媒試料に対して検出散乱角の下限を変化させたときの暗視野像の変化を示したものである。図8において、検出散乱角が小さい条件(a)では、軽い元素(炭素)のコントラストが強すぎて重い元素(白金)がよく見えない画像になっているが、検出散乱角が大きい条件(c)では、炭素の信号量が押えられて白金微粒子のコントラストがより鮮明になっている。 FIG. 8 shows changes in the dark field image when the lower limit of the detection scattering angle is changed for a catalyst sample composed of light elements (carbon) and heavy elements (platinum fine particles). In FIG. 8, in the condition (a) where the detection scattering angle is small, the contrast of the light element (carbon) is too strong and the heavy element (platinum) is not clearly visible, but the condition where the detection scattering angle is large (c) ), The signal amount of carbon is suppressed, and the contrast of the platinum fine particles becomes clearer.
本発明実施例によれば、電極151の電圧を調整することで、容易に検出散乱角が最適化された、暗視野像検出が可能になる。なお、電極151の電圧を調整する代わりに、異なる電圧を印加するための開口径の異なる複数の電極を、透過信号変換部材15の電子線通過開口内に配置し、検出散乱角度に応じて、各電極への電圧を印加するようにしても良い。
According to the embodiment of the present invention, by adjusting the voltage of the
図10に暗視野信号を増幅する実施例を示す。試料台21は、そのまま透過信号変換部材として機能し、多重散乱が発生しやすいように、電子線通過開口を有する2枚の電極が電子線光軸方向に積層されるような、二重構造になっている。
FIG. 10 shows an embodiment for amplifying the dark field signal. The
また、二次信号検出器13と対向する位置に絶縁物211を介して電極212が配置され、負の電圧が印加できるようになっている。薄膜試料14を透過後、透過信号変換部材15の開口を通過せずに衝突した散乱角の大きな暗視野透過信号粒子18bは、上下2重構造になっている透過信号変換部材15内で複数回反射(多重散乱)し、衝突の度に二次信号粒子を発生させて信号電子を増幅する。この二次信号粒子は、電極212に印加された負の電圧によって二次信号検出器13の方向に偏向されるため、効率よく二次信号検出器13で検出される。
In addition, an
また、二次信号検出器13側に荷電粒子が通過できるメッシュ状の電極213を配置して正の電圧を印加している。本実施例の場合、メッシュ状の電極213と、負電圧を印加する電極211の両方を利用して、二次電子を検出器側に導いているが、これに限られることはなく、いずれか一方であっても良い。一次電子線の軸ずれを許容できるのであれば、二次信号検出器13が発生する電界のみで、二次電子を検出器側に吸引するようにしても良い。
A mesh-
図11に、透過信号変換部材15の形状の一例を示す。透過信号変換部材15は、一次荷電粒子線3に対して傾斜して配置されており、一次荷電粒子線3から透過信号変換部材の開口を見たときにちょうど円形になるように、透過信号変換部材単体で見た開口部の形状は楕円形になっている。また、開口部に配置される電極151も同様に楕円形になっている。
FIG. 11 shows an example of the shape of the transmission
図12は、透過信号変換部材の形状に関する他の実施例を示している。図12では、変換部材中心部に同心円状に複数の導体パターンを形成して、各々の導体パターンのそれぞれに正の電圧を印加できるようにしている。本実施例では、図示していないが、画像のコントラストを確認しならが、内側のリングパターンから外側のパターンの順に、あるいはその逆に正の電圧を印加できるようになっている。正電圧が印加された領域からは二次信号粒子は脱出できないため、正電圧が印加されるリングパターンが外側に広がるほど、制限される散乱角の内角が大きくなり、より重い元素の観察に適した状態になる。 FIG. 12 shows another embodiment relating to the shape of the transmission signal conversion member. In FIG. 12, a plurality of conductor patterns are formed concentrically at the center of the conversion member so that a positive voltage can be applied to each conductor pattern. In this embodiment, although not shown, a positive voltage can be applied in the order of the inner ring pattern to the outer pattern or vice versa if the contrast of the image is confirmed. Since secondary signal particles cannot escape from a region where a positive voltage is applied, the inner angle of the limited scattering angle increases as the ring pattern to which a positive voltage is applied spreads outward, making it suitable for observation of heavier elements. It becomes a state.
図13は、透過信号変換部材15を一次荷電粒子線3に対して水平に配置した実施例である。この実施例の場合、透過信号変換部材の開口や開口部に配置する電極の形状を円形にすることができ、透過信号の検出散乱角制御精度が向上される。
FIG. 13 shows an embodiment in which the transmission
本実施例によれば、試料表面から発生した二次信号粒子と、試料内で散乱して透過した暗視野透過信号粒子と、試料内を散乱しないで透過した明視野透過信号粒子とをそれぞれ分離して検出できるとともに、暗視野透過信号粒子に対しては、その検出散乱角を制御できるため、アプリケーションに応じた最適なコントラストの試料像を観察することができる効果がある。 According to the present embodiment, the secondary signal particles generated from the sample surface, the dark field transmission signal particles scattered and transmitted in the sample, and the bright field transmission signal particles transmitted without scattering in the sample are separated. In addition, the detection scattering angle of the dark-field transmission signal particles can be controlled, so that there is an effect that a sample image having an optimum contrast according to the application can be observed.
本実施例では、更に暗視野信号情報を高コントラストで観察するための構成について説明する。走査透過電子顕微鏡(Scanning Transmission Electron Microscope:STEM)は、薄膜試料を大きな散乱角度で透過した電子に基づいて暗視野像を形成する。暗視野像を検出するために配置される検出器は、散乱角度の大きな透過電子を選択的に検出するために、ほぼ電子線光軸に沿って試料を透過する電子が通過できるような開口を備えており、このような透過電子を検出しないような構成となっている。 In the present embodiment, a configuration for observing dark field signal information with high contrast will be described. A scanning transmission electron microscope (STEM) forms a dark field image based on electrons transmitted through a thin film sample at a large scattering angle. The detector arranged to detect the dark field image has an aperture through which electrons passing through the sample can pass almost along the electron beam optical axis in order to selectively detect transmitted electrons having a large scattering angle. It has a configuration that does not detect such transmitted electrons.
しかしながら、実際の測定では、暗視野信号を検出するための検出器に、明視野信号の明暗が逆になった信号(小さな角度で散乱した暗視野信号)が混入する場合がある。その例を、図14を用いて説明する。 However, in actual measurement, a detector (a dark field signal scattered at a small angle) in which the brightness of the bright field signal is reversed may be mixed in a detector for detecting the dark field signal. An example of this will be described with reference to FIG.
図14は、STEMを用いた、カーボンナノチューブの観察例を示す図である。この内部試料には、試料生成時に添加したナノチューブを成長させるための金属触媒(この試料では鉄)を内包している。この試料における評価ポイントは、成長したカーボンナノチューブ自身の形状観察、およびナノチューブと触媒との分散状態の把握にある。 FIG. 14 is a diagram showing an example of observation of carbon nanotubes using STEM. This internal sample contains a metal catalyst (iron in this sample) for growing the nanotubes added at the time of sample generation. The evaluation points in this sample are the observation of the shape of the grown carbon nanotube itself and the grasp of the dispersion state of the nanotube and the catalyst.
図14(a)は、試料表面から放出された二次電子に基づく二次電子像である。この二次電子像によれば、カーボンナノチューブの表面形状の観察が可能である。 FIG. 14A is a secondary electron image based on secondary electrons emitted from the sample surface. According to this secondary electron image, the surface shape of the carbon nanotube can be observed.
図14(b)は、明視野信号像である。この図では、多層に成長したカーボンナノチューブの形状(外径・内径)は明瞭に観察できるが、金属触媒の分散状況は、多層に連なったカーボンナノチューブの回折コントラスト(矢印A、カーボンナノチューブの長手方向に対し、垂直方向の線状コントラスト)に埋もれてしまい、明瞭に区別できない。 FIG. 14B is a bright field signal image. In this figure, the shape (outer diameter and inner diameter) of the carbon nanotubes grown in multiple layers can be clearly observed, but the dispersion state of the metal catalyst shows the diffraction contrast of the carbon nanotubes connected in multiple layers (arrow A, longitudinal direction of the carbon nanotubes). On the other hand, it is buried in the vertical linear contrast) and cannot be clearly distinguished.
図14(c)は暗視野信号像である。この図では、比較的大きい粒子(矢印A)なら明瞭に確認できるが、矢印Cのエリアでは図14(b)の明視野信号像の反転した情報が像上に現れていることがわかる。 FIG. 14C shows a dark field signal image. In this figure, a relatively large particle (arrow A) can be clearly confirmed, but in the area of arrow C, it can be seen that the inverted information of the bright field signal image of FIG. 14B appears on the image.
この明視野信号像の反転した情報は、電子線通路近傍に設けられた光学素子に、透過電子等が衝突した際に発生する電子などが、真空室内で衝突を繰り返して、暗視野像検出器に到達するために発生するものと考えられる。ある一例をとって説明すると、図2に示す構成において、透過信号変換部材15を通過した明視野信号像を、観察するために設けた絞り19に、明視野透過信号粒子18aが衝突した際に、絞り19から発生する二次信号粒子が、試料室内壁やステージ160への衝突を繰り返して、二次信号検出器13に到達する可能性がある。到達した電子は明視野透過信号粒子の情報を持っている。
The information obtained by inverting the bright-field signal image is a dark-field image detector in which electrons generated when transmitted electrons collide with an optical element provided near the electron beam path repeatedly collide in the vacuum chamber. It is thought that it occurs to reach A specific example will be described. In the configuration shown in FIG. 2, when the bright-field
このため、観察する試料によっては、暗視野信号情報に明視野信号の反転した情報が重畳される場合がある。この現象は試料が軽元素であるほど、もともとの暗視野信号情報が少なくなるため目立ち、また、明視野信号像で回折コントラストが出やすい試料ほど重畳される明視野信号情報が増えるため目立つ傾向がある。 For this reason, depending on the sample to be observed, information obtained by inverting the bright field signal may be superimposed on the dark field signal information. This phenomenon is more conspicuous because the lighter the sample, the less the original dark-field signal information, and the more bright-field signal information that is superimposed in the bright-field signal image where the diffraction contrast is more prominent. is there.
本実施例では、更に暗視野像のコントラストを高めるために、試料と、明視野信号粒子を検出するための検出器との間に配置される絞りに、正の電圧を印加する電源を設けた構成について説明する。またこのような絞りを二層構造にした例について説明する。 In this embodiment, in order to further increase the contrast of the dark field image, a power source for applying a positive voltage is provided at the diaphragm arranged between the sample and the detector for detecting bright field signal particles. The configuration will be described. An example in which such a diaphragm has a two-layer structure will be described.
以上のような構成によれば、暗視野透過信号粒子と明視野信号粒子を分離し、暗視野信号像観察の際に、明視野信号(反転信号)の混入を防ぐことが可能になる。また、明視野信号と暗視野信号を同時にしかも高コントラストに観察することが可能になる。 According to the configuration as described above, it is possible to separate the dark field transmission signal particles and the bright field signal particles and prevent the mixing of the bright field signal (inverted signal) when observing the dark field signal image. In addition, the bright field signal and the dark field signal can be observed simultaneously and with high contrast.
更に、絞りを二層構造にすると、当該絞りに透過荷電粒子が衝突した際、絞りから発生した二次粒子は、絞りに吸収されるため、レンズ下方に二次信号検出器が配置されている場合においても、二次粒子が二次信号検出器に到達することを抑制することができる。 Furthermore, when the diaphragm has a two-layer structure, when the charged charged particles collide with the diaphragm, secondary particles generated from the diaphragm are absorbed by the diaphragm, so a secondary signal detector is disposed below the lens. Even in the case, the secondary particles can be prevented from reaching the secondary signal detector.
他にも透過信号変換部材の開口部に、ファラデーカップとして作用する筒状構造を備えることで、暗視野透過信号粒子と明視野透過信号粒子を分離し、暗視野信号像観察の際、明視野信号(反転信号)の混入を防ぐことができる。 In addition, by providing a cylindrical structure that acts as a Faraday cup at the opening of the transmission signal conversion member, the dark field transmission signal particles and the bright field transmission signal particles are separated, and in the dark field signal image observation, the bright field Mixing of a signal (inverted signal) can be prevented.
以下に本実施例の具体的な構成、及び効果について、図面を交えて説明する。 Hereinafter, a specific configuration and effects of the present embodiment will be described with reference to the drawings.
図15は、絞り19に正の電圧を印加した例を説明するための図である。本実施例では、絞り19は電気的に鏡体部と絶縁されており、電源から正の電圧Vcが印加される。絞り19に明視野透過信号粒子18aが衝突すると二次信号粒子300aが発生するが、絞り19に印加された正電圧に吸い寄せられるために、他の部材(ステージ,試料室内壁など)に衝突せず、結果として、明視野透過信号粒子18a由来の信号粒子は二次信号検出器13に検出されることはない。
FIG. 15 is a diagram for explaining an example in which a positive voltage is applied to the
すなわち、二次信号検出器13は、薄膜試料14を大きな散乱角度で透過した暗視野透過信号粒子18bが透過信号変換部材15に衝突し、透過信号変換材15から発生した二次信号粒子12のみ検出し、暗視野信号像を観察することが可能である。
That is, in the
図16に、明視野透過信号粒子18aに由来する二次信号粒子の検出を抑止する他の実施例を示す。本実施例では、透過信号検出器17の上方に備える絞りを、二重構造絞り303としている。薄膜試料を透過した透過信号粒子は、二重構造絞り303の下段絞り孔により、明視野透過信号粒子18aと絞りで最適化された明視野透過信号粒子18cに分けられる。このとき、絞りで最適化された明視野透過信号粒子18cは、透過信号検出器17に到達し検出され、明視野信号像として観察される。一方、明視野透過信号粒子18aは、二重構造絞り303内部で二次信号粒子300を発生させる。しかし、この二次信号粒子300は、絞り内部で衝突を繰り返すうちに減衰し、二重構造絞り303に吸収される。結果として、二次信号粒子300は、二次信号検出器13に検出されることはない。
FIG. 16 shows another embodiment that suppresses detection of secondary signal particles derived from bright-field
さらに、二重構造絞り303を鏡体部と絶縁させ、正の電圧Vcを印加することで、二重構造絞りによる吸収および、正電圧による二次信号粒子300の吸い寄せの効果により、高効率で明視野透過信号粒子18a由来の二次信号粒子の検出を抑止することができる。
Further, by insulating the
以上のような本発明実施例の構成によれば、試料を透過した信号粒子のうち、暗視野透過信号粒子と明視野透過信号粒子を分離して暗視野信号のみを検出し、また明視野信号像と暗視野信号像を同時に観察することが可能になる。 According to the configuration of the embodiment of the present invention as described above, among the signal particles transmitted through the sample, only the dark field signal is detected by separating the dark field transmission signal particle and the bright field transmission signal particle, and the bright field signal. An image and a dark field signal image can be observed simultaneously.
暗視野信号像の観察は、図17(a)のように暗視野信号に明視野(反転)信号が混ざった像になり(矢印A)、金属触媒と回折コントラスト(明視野信号に由来する)の区別が困難であるため、触媒の分散状態の把握できない場合がある。 The observation of the dark field signal image is an image in which the bright field (inverted) signal is mixed with the dark field signal as shown in FIG. 17A (arrow A), and the metal catalyst and the diffraction contrast (derived from the bright field signal). Since it is difficult to distinguish between the two, the dispersion state of the catalyst may not be grasped.
一方、本実施例の構成によれば、図17(b)のような組成差に応じた暗視野信号のみを検出した像を観察することで金属触媒の分散状態が容易に把握可能になる。 On the other hand, according to the configuration of this example, it is possible to easily grasp the dispersion state of the metal catalyst by observing an image in which only the dark field signal corresponding to the composition difference as shown in FIG.
図18に他の実施例を示す。本実施例では、試料台21に備えた透過信号変換部材15中央の開口部にファラデーカップとして作用する筒状構造304を配している。この場合、試料を透過した信号粒子のうち明視野透過信号粒子18aは、筒状構造304によって吸収され、その信号粒子が二次信号検出器13に検出されることはない。
FIG. 18 shows another embodiment. In the present embodiment, a
この時、筒状構造304はファラデーカップとして作用させるために、深さと開口径のアスペクト比は10以上が望ましい。また、筒状構造304の開口部からの二次信号の発生を減少させるために、肉厚が薄いほうが望ましい。
At this time, in order for the
上記実施例の構成においては、明視野透過信号粒子18aを筒状構造304で吸収させるために、明視野信号像観察が不可能である。しかしながら、図14,図17のような、軽元素内部に存在する重元素の分散状況の把握には、図14(a)の表面情報を持つ二次電子像と、図17(b)組成情報を持つ暗視野信号像を取得すれば評価自体は可能である。また、この場合、本実施例にある透過信号変換部材15と筒状構造304を備えた試料台で対応可能であり、比較的安価な評価システムを提供可能である。
In the configuration of the above embodiment, since the bright-field
また、図19のように、筒状構造304を試料台21に対して絶縁物152で絶縁し、筒状構造304に正の電圧Vcを印加することで、高効率で明視野透過信号粒子18a由来の二次信号粒子の検出を抑止できる。
Further, as shown in FIG. 19, the
さらに、上記構成においては、透過信号変換部材15に暗視野透過信号粒子18bが衝突すると二次信号粒子12aが発生するが、筒状構造304の付近で発生した二次信号粒子12bは筒状構造304に印加された正電圧に吸い寄せられるために、二次信号検出器13に検出されない。筒状構造304の電圧を高くすると、筒状構造304を中心としてより広い領域の二次信号粒子が筒状構造304に吸い寄せられることになる。すなわち、筒状構造304の正電圧を制御することにより、二次信号検出器13に検出される暗視野信号の検出散乱角の下限が制御されることになる。
Furthermore, in the above configuration, when the dark field
本実施例の説明では、問題点を明視野信号の反転した情報の混入としたが、これは、言い換えると低散乱角度の暗視野信号であると言える。 In the description of the present embodiment, the problem is the mixing of information obtained by reversing the bright field signal. In other words, this is a dark field signal with a low scattering angle.
本実施例によれば、試料表面から発生した二次信号粒子と、試料内で散乱して透過した暗視野透過信号粒子と、試料内を散乱しないで透過した明視野透過信号粒子とをそれぞれ分離して検出できるとともに、特に、結晶性の高い(回折コントラストの見えやすい)軽元素中に重元素含む試料の重元素の分散状態などを把握が容易に実施できる効果がある。 According to the present embodiment, the secondary signal particles generated from the sample surface, the dark field transmission signal particles scattered and transmitted in the sample, and the bright field transmission signal particles transmitted without scattering in the sample are separated. In particular, there is an effect that it is possible to easily grasp the dispersion state of a heavy element in a sample containing a heavy element in a light element having high crystallinity (easy to see diffraction contrast).
本実施例の説明では、主に走査透過電子顕微鏡を例にとって説明したが、これに限られることはなく、例えば収束イオンビーム装置に適用することも可能である。本発明は試料に荷電粒子を透過させて、その透過像を観察する装置全般に適用可能である。 In the description of this embodiment, the scanning transmission electron microscope has been mainly described as an example. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a focused ion beam apparatus. The present invention can be applied to all devices that allow charged particles to pass through a sample and observe the transmitted image.
1…陰極、2…第一陽極、3…一次荷電粒子線、4…第二陽極、5…第一集束レンズ、6…対物レンズ絞り、7,8…偏向コイル、9…対物レンズ上方に配置した二次信号粒子検出器、11…試料表面から発生する二次信号粒子、12…透過信号変換部材から発生する二次信号粒子、13…二次信号検出器、14…薄膜試料、15…透過信号変換部材、16…試料ステージ、17…透過信号検出器、18…透過信号粒子、18a…明視野透過信号粒子、18b…暗視野透過信号粒子、18c…絞りで最適化された明視野透過信号粒子、19…絞り、20…対物レンズ、21…試料台、22…直交電磁界発生装置、111…反射信号粒子、130…対物レンズ下方の二次信号検出器の吸引電界、150…試料台、160…試料ステージのベース、161…通過孔、200…対物レンズ磁界分布、201…対物レンズ磁極から発生する磁力線。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cathode, 2 ... 1st anode, 3 ... Primary charged particle beam, 4 ... 2nd anode, 5 ... 1st focusing lens, 6 ... Objective lens aperture, 7, 8 ... Deflection coil, 9 ... Arrange | position above an objective lens Secondary signal particle detector, 11 ... secondary signal particles generated from the sample surface, 12 ... secondary signal particles generated from the transmission signal conversion member, 13 ... secondary signal detector, 14 ... thin film sample, 15 ... transmission Signal conversion member, 16 ... sample stage, 17 ... transmission signal detector, 18 ... transmission signal particle, 18a ... bright field transmission signal particle, 18b ... dark field transmission signal particle, 18c ... bright field transmission signal optimized by diaphragm Particles: 19 ... Aperture, 20 ... Objective lens, 21 ... Sample stage, 22 ... Orthogonal electromagnetic field generator, 111 ... Reflected signal particle, 130 ... Attracting electric field of secondary signal detector below objective lens, 150 ... Sample stage, 160 ... Base of
Claims (12)
前記試料を透過した荷電粒子の衝突によって二次荷電粒子を放出する透過信号変換部材を備え、当該透過信号変換部材に、試料内で散乱しない透過荷電粒子が通過できる大きさの開口を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 In a charged particle beam apparatus comprising a charged particle source and a charged particle optical system that focuses and scans a primary charged particle beam emitted from the charged particle source on a sample,
A transmission signal conversion member that emits secondary charged particles by collision of charged particles that have passed through the sample is provided, and the transmission signal conversion member has an opening that is large enough to allow transmission of charged particles that are not scattered in the sample. Charged particle beam device characterized by the above.
前記透過信号変換部材で変換された二次荷電粒子を検出する検出器を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 In claim 1,
A charged particle beam apparatus comprising a detector for detecting secondary charged particles converted by the transmission signal conversion member.
前記透過信号変換部材の開口を通過した透過信号粒子を検出する位置に透過信号粒子検出手段を配置したことを特徴とする荷電粒子線装置。 In claim 1,
A charged particle beam apparatus, wherein transmission signal particle detection means is arranged at a position to detect transmission signal particles that have passed through the opening of the transmission signal conversion member.
前記透過信号粒子検出器と前記透過信号変換部材との間に、前記透過信号粒子検出手段に到達する透過信号粒子の一部を遮断する絞りを配置したことを特徴とする荷電粒子線装置。 In claim 3,
A charged particle beam apparatus, wherein a stop for blocking a part of the transmitted signal particles reaching the transmitted signal particle detecting means is disposed between the transmitted signal particle detector and the transmitted signal conversion member.
前記試料を透過した荷電粒子の衝突によって発光するシンチレータと、該シンチレータから発生した光を検出する位置に光を電気信号に変換する手段を設けるとともに、前記シンチレータに、試料内で散乱しない透過荷電粒子が通過できる大きさの開口を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 In a charged particle beam apparatus including a charged particle source and a charged particle optical system that converges and scans a primary charged particle beam emitted from the charged particle source on a sample,
A scintillator that emits light by collision of charged particles that have passed through the sample, and a means for converting light into an electrical signal at a position for detecting the light generated from the scintillator, and the charged charged particles that are not scattered within the sample are provided in the scintillator A charged particle beam device comprising an opening large enough to pass through.
前記シンチレータの開口を通過した透過信号粒子を検出する透過信号粒子検出手段を配置したことを特徴とする荷電粒子線装置。 In claim 5,
A charged particle beam apparatus comprising: transmission signal particle detection means for detecting transmission signal particles that have passed through the opening of the scintillator.
前記透過信号粒子検出手段と前記シンチレータとの間に、前記透過信号粒子検出手段に到達する透過信号粒子の一部を遮断する絞りを配置したことを特徴とする荷電粒子線装置
。 In claim 6,
A charged particle beam apparatus characterized in that a diaphragm for blocking a part of the transmitted signal particles reaching the transmitted signal particle detecting means is arranged between the transmitted signal particle detecting means and the scintillator.
前記一次荷電粒子を収束する対物レンズを備え、当該対物レンズは、集束磁場を前記試料に向かって漏洩するように構成されていることを特徴とする荷電粒子線装置。 In claim 1,
A charged particle beam apparatus comprising an objective lens for converging the primary charged particles, wherein the objective lens is configured to leak a focused magnetic field toward the sample.
前記試料を透過した荷電粒子の衝突によって二次荷電粒子を放出する透過信号変換部材と、当該透過信号変換部材から放出された二次荷電粒子を吸引して検出する検出器を備え
、前記一次荷電粒子を集束するための対物レンズは、前記試料側に向かって集束磁場を漏洩するように構成されていることを特徴とする荷電粒子線装置。 In a charged particle beam apparatus comprising a charged particle source and a charged particle optical system that focuses and scans a primary charged particle beam emitted from the charged particle source on a sample,
A transmission signal converting member that emits secondary charged particles by collision of charged particles that have passed through the sample; and a detector that detects and detects the secondary charged particles emitted from the transmission signal converting member. An objective lens for focusing particles is configured to leak a focused magnetic field toward the sample side.
前記試料を透過した荷電粒子の衝突によって二次荷電粒子を放出する透過信号変換部材を備え、当該透過信号変換部材に、透過荷電粒子が通過できる大きさの開口を備えるとともに、当該開口部に0或いは正の電圧を印加する電源を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 In a charged particle beam apparatus comprising a charged particle source and a charged particle optical system that focuses and scans a primary charged particle beam emitted from the charged particle source on a sample,
A transmission signal conversion member that emits secondary charged particles by collision of charged particles that have passed through the sample is provided. The transmission signal conversion member includes an opening that is large enough to allow the transmission charged particles to pass therethrough. Alternatively, a charged particle beam apparatus comprising a power source that applies a positive voltage.
前記試料を透過した暗視野信号粒子を検出する暗視野信号検出器を備え、当該暗視野信号検出器は、前記暗視野信号粒子の衝突によって二次荷電粒子を放出する透過信号変換部材を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 In a charged particle beam apparatus comprising a charged particle source and a charged particle optical system that focuses and scans a primary charged particle beam emitted from the charged particle source on a sample,
A dark field signal detector for detecting dark field signal particles transmitted through the sample is provided, and the dark field signal detector includes a transmission signal conversion member that emits secondary charged particles upon collision of the dark field signal particles. A charged particle beam apparatus characterized by that.
前記透過信号変換部材を通過した明視野信号粒子を検出する明視野信号検出器を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 In claim 17,
A charged particle beam apparatus comprising a bright field signal detector that detects bright field signal particles that have passed through the transmission signal conversion member.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005203106A (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Jeol Ltd | Transmission electron microscope |
JP2012531710A (en) * | 2009-06-24 | 2012-12-10 | カール ツァイス エヌティーエス エルエルシー | Charged particle detector |
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