JP2008268294A - Wire grid polarizing plate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、格子状凸部を有するワイヤグリッド偏光板に関する。 The present invention relates to a wire grid polarizing plate having a grid-like convex portion.
近年のフォトリソグラフィー技術の発達により、光の波長レベルのピッチを有する微細構造パターンを形成することができるようになってきた。このように非常に狭いピッチのパターンを有する部材や製品は、半導体分野だけでなく、光学分野において利用範囲が広く有用である。 With the recent development of photolithography technology, it has become possible to form a fine structure pattern having a pitch at the wavelength level of light. Such a member or product having a pattern with a very narrow pitch is useful not only in the semiconductor field but also in the optical field.
例えば、基板上に金属などの導電体線が特定のピッチで格子状に配列したワイヤグリッドは、そのピッチが入射光(例えば、可視光の波長400nmから800nm)に比べてかなり小さい場合(例えば、2分の1以下)であれば、導電体線に対して平行に振動する電場ベクトル成分をほとんど反射し、垂直な電場ベクトル成分をほとんど透過させるため、単一偏光を作り出すワイヤグリッド偏光板として使用できる。このようなワイヤグリッド偏光板は、透過しない光を反射して再利用することができるので、光の有効利用の観点からも望ましいものである。このようなワイヤグリッド偏光板として、例えば、特許文献1に開示されているものがある。
特許文献1に開示されたワイヤグリッド偏光板においては、金属ワイヤは、例えばアルミニウムなどの金属を真空蒸着などの方法で被着させて形成している。このような方法で金属ワイヤを形成する場合、金属ワイヤで構成されたグリッドのピッチが狭くなると、製造工程において金属ワイヤ同士が接触してしまう可能性が高くなる。金属ワイヤ同士が接触したワイヤグリッド偏光板は高い光学性能を発揮させることができないので、できるだけ金属ワイヤ同士の接触を抑制することが望まれる。 In the wire grid polarizing plate disclosed in Patent Document 1, the metal wire is formed by depositing a metal such as aluminum by a method such as vacuum deposition. When forming a metal wire by such a method, if the pitch of the grid comprised with a metal wire becomes narrow, possibility that metal wires will contact in a manufacturing process becomes high. Since a wire grid polarizing plate in which metal wires are in contact with each other cannot exhibit high optical performance, it is desired to suppress contact between metal wires as much as possible.
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、金属ワイヤ同士の接触を抑制して、高い光学性能を発揮することができるワイヤグリッド偏光板を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of this point, and it aims at providing the wire grid polarizing plate which can suppress the contact between metal wires and can exhibit high optical performance.
本発明のワイヤグリッド偏光板は、表面に格子状凸部を有する基材と、前記格子状凸部を含む領域上に設けられた金属ワイヤと、を具備し、前記金属ワイヤは、不純物を含有させてなる合金で構成されており、前記合金は、その平均粒子径が前記格子状凸部の半値幅を与える高さにおける格子状凸部間の間隔以下となるような含有量の不純物を含むことを特徴とする。 The wire grid polarizing plate of the present invention comprises a substrate having a grid-like convex portion on a surface thereof, and a metal wire provided on a region including the grid-like convex portion, and the metal wire contains impurities. The alloy includes an impurity having a content such that the average particle diameter is equal to or less than the interval between the lattice-shaped protrusions at a height that gives a half-value width of the lattice-shaped protrusions. It is characterized by that.
本発明のワイヤグリッド偏光板においては、前記合金は、アルミニウム合金であり、前記不純物がシリコン、マグネシウム、マンガン、及び鉄からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素であることが好ましい。 In the wire grid polarizer of the present invention, the alloy is preferably an aluminum alloy, and the impurity is preferably at least one element selected from the group consisting of silicon, magnesium, manganese, and iron.
本発明のワイヤグリッド偏光板においては、前記合金中の前記不純物の含有量が0.05重量%以上であることが好ましい。 In the wire grid polarizing plate of the present invention, the content of the impurities in the alloy is preferably 0.05% by weight or more.
本発明のワイヤグリッド偏光板においては、前記格子状凸部のピッチが150nm以下であり、前記合金の平均粒子径が前記ピッチ以下であることが好ましい。 In the wire grid polarizing plate of the present invention, it is preferable that the pitch of the grid-like convex portions is 150 nm or less, and the average particle diameter of the alloy is not more than the pitch.
本発明のワイヤグリッド偏光板においては、前記格子状凸部の半値幅を与える高さにおける格子状凸部の間隔が80nm以下であることが好ましい。 In the wire grid polarizing plate of the present invention, it is preferable that the interval between the lattice-shaped convex portions at a height that gives the half-value width of the lattice-shaped convex portions is 80 nm or less.
本発明のワイヤグリッド偏光板によれば、表面に格子状凸部を有する基材と、前記格子状凸部を含む領域上に設けられた金属ワイヤと、を具備し、前記金属ワイヤは、不純物を含有させてなる合金で構成されており、前記合金は、その平均粒子径が前記格子状凸部の半値幅を与える高さにおける格子状凸部の間隔以下となるような含有量の不純物を含むので、金属ワイヤ同士の接触を抑制して、高い光学性能を発揮することができる。 According to the wire grid polarizing plate of the present invention, the substrate includes a base material having a lattice-like convex portion on the surface, and a metal wire provided on a region including the lattice-like convex portion, and the metal wire is an impurity. The alloy contains an impurity having a content such that the average particle diameter is equal to or less than the interval of the lattice-shaped protrusions at a height that gives a half-value width of the lattice-shaped protrusions. Since it contains, the contact between metal wires can be suppressed and a high optical performance can be exhibited.
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係るワイヤグリッド偏光板の一部を示す断面図である。このワイヤグリッド偏光板は、表面に格子状凸部1aを有する基材1と、基材1上に設けられた誘電体層2と、誘電体層2上に立設された金属ワイヤ3とから主に構成されている。なお、誘電体層2は必ずしも設けなくても良い。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a part of a wire grid polarizer according to an embodiment of the present invention. This wire grid polarizing plate is composed of a base material 1 having a lattice-like convex portion 1a on the surface, a dielectric layer 2 provided on the base material 1, and a metal wire 3 erected on the dielectric layer 2. It is mainly composed. The dielectric layer 2 is not necessarily provided.
基材1に用いる素材は、可視光領域で実質的に透明な樹脂であればよく、加工性の優れた樹脂が好ましい。例えば、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、シクロオレフィン樹脂(COP)、架橋ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂などの非晶性熱可塑性樹脂や、ポリエチレンテレフタレート樹脂(PET)、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂などの結晶性熱可塑性樹脂や、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系などの紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。また、基材1として、紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂と、ガラスなどの無機基板、上記熱可塑性樹脂、トリアセテート樹脂とを組み合わせた複合基材を用いても良い。 The material used for the substrate 1 may be a resin that is substantially transparent in the visible light region, and is preferably a resin with excellent processability. For example, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, cycloolefin resin (COP), cross-linked polyethylene resin, polyvinyl chloride resin, polyarylate resin, polyphenylene ether resin, modified polyphenylene ether resin, polyetherimide resin, polyether Amorphous thermoplastic resins such as sulfone resin, polysulfone resin, polyether ketone resin, polyethylene terephthalate resin (PET), polyethylene naphthalate resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polybutylene terephthalate resin, aromatic polyester resin, polyacetal Examples thereof include crystalline thermoplastic resins such as resins and polyamide resins, and ultraviolet curable resins and thermosetting resins such as acrylics, epoxies, and urethanes. Moreover, you may use the composite base material which combined the ultraviolet curable resin and the thermosetting resin, inorganic substrates, such as glass, the said thermoplastic resin, and a triacetate resin as the base material 1. FIG.
基材1の格子状凸部1aのピッチpは、可視光領域の広帯域にわたる偏光特性を考慮すると、150nm以下であり、好ましくは80nmから120nmである。ピッチpが小さくなるほど偏光特性が良くなるが、可視光に対しては80nmから120nmのピッチpで十分な偏光特性が得られる。400nm近傍の短波長光の偏光特性を重視しない場合は、ピッチpを150nm程度まで大きくしても良い。 The pitch p of the lattice-like convex portions 1a of the substrate 1 is 150 nm or less, preferably 80 nm to 120 nm in consideration of polarization characteristics over a wide band in the visible light region. The smaller the pitch p, the better the polarization characteristics. However, for visible light, sufficient polarization characteristics can be obtained at a pitch p of 80 to 120 nm. If the polarization characteristics of the short wavelength light in the vicinity of 400 nm are not important, the pitch p may be increased to about 150 nm.
格子状凸部1aのピッチpは、熱可塑性樹脂を基材1に用いた場合、基材1に格子状凸部形状を付与した後に施す延伸加工の条件を調整することにより制御することができる。なお、本発明において、基材1の格子状凸部1aのピッチpと、誘電体層2のピッチと、金属ワイヤ3のピッチとは、本発明のワイヤグリッドのピッチとほぼ等しく、同じピッチをとることができる。 When the thermoplastic resin is used for the base material 1, the pitch p of the grid-like convex parts 1 a can be controlled by adjusting the conditions of the stretching process that is performed after the base-like shape is given to the base material 1. . In the present invention, the pitch p of the grid-like convex portions 1a of the substrate 1, the pitch of the dielectric layer 2, and the pitch of the metal wires 3 are substantially equal to the pitch of the wire grid of the present invention, and the same pitch is used. Can take.
基材1の格子状凸部1aの断面形状に制限はない。これらの断面形状は、例えば、台形、矩形、方形、プリズム状や、半円状などの正弦波状を挙げることができる。ここで、正弦波状とは凹部と凸部の繰り返しからなる曲線部をもつことを意味する。なお、曲線部は湾曲した曲線であればよく、例えば、凸部にくびれがある形状も正弦波状に含める。また、基材1の格子状凸部1a及びその側面の少なくとも一部を誘電体が覆いやすくする観点から、前記形状の端部又は頂点、谷は緩やかな曲率をもって湾曲していることが好ましい。また、基材1と誘電体層2との密着強度を高くする観点から、これらの断面形状は正弦波状であることがより好ましい。 There is no restriction | limiting in the cross-sectional shape of the grid-like convex part 1a of the base material 1. FIG. Examples of the cross-sectional shape include a trapezoidal shape, a rectangular shape, a square shape, a prism shape, and a sine wave shape such as a semicircular shape. Here, the sinusoidal shape means that it has a curved portion formed by repetition of a concave portion and a convex portion. In addition, the curved part should just be a curved curve, for example, the shape which has a constriction in a convex part is also included in a sine wave form. Further, from the viewpoint of facilitating covering of the lattice-like convex portion 1a of the substrate 1 and at least a part of its side surface with the dielectric, it is preferable that the end portion, vertex, or valley of the shape is curved with a gentle curvature. Further, from the viewpoint of increasing the adhesion strength between the substrate 1 and the dielectric layer 2, it is more preferable that these cross-sectional shapes are sinusoidal.
基材1に格子状凸部を設ける方法としては、例えば、表面に100nm〜100μmピッチの凹凸格子を有する被延伸部材を、前記凹凸格子の長手方向(格子状凸部の格子と平行な方向)と略直交する方向の前記被延伸部材の幅を自由にした状態で前記長手方向と略平行な方向に自由端一軸延伸加工する方法が挙げられる。この結果、前記被延伸部材の凹凸格子の凸部のピッチが縮小され、ピッチが約120nm以下の格子状凸部を有する基材(延伸済み部材)が得られる。格子状凸部のピッチは、100nm〜100μmの範囲に設定するが、要求する格子状凸部のピッチや延伸倍率に応じて適宜変更することができる。 As a method of providing a grid-like convex part on the substrate 1, for example, a stretched member having a concave-convex grid with a pitch of 100 nm to 100 μm on the surface is used as a longitudinal direction of the concave-convex grid (a direction parallel to the grid of the grid-like convex part). And a free end uniaxial stretching process in a direction substantially parallel to the longitudinal direction with the width of the stretched member in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction being made free. As a result, the pitch of the convex portions of the concavo-convex lattice of the stretched member is reduced, and a base material (stretched member) having a lattice-like convex portion with a pitch of about 120 nm or less is obtained. The pitch of the lattice-shaped convex portions is set in a range of 100 nm to 100 μm, but can be appropriately changed according to the required pitch of the lattice-shaped convex portions and the draw ratio.
また、表面に100nm〜100μmピッチの凹凸格子を有する被延伸部材を得るには、レーザ光を用いた干渉露光法や切削法などで形成した、100nm〜100μmピッチの凹凸格子を有する型を用いて、被延伸部材にその凹凸格子形状を熱プレスなどの方法で転写すれば良い。なお、干渉露光法とは、特定の波長のレーザ光を角度θ’の2つの方向から照射して形成される干渉縞を利用した露光法であり、角度θ’を変化させることで使用するレーザの波長で制限される範囲内で色々なピッチを有する凹凸格子の構造を得ることができる。干渉露光に使用できるレーザとしては、TEM00モードのレーザに限定され、TEM00モードのレーザ発振できる紫外光レーザとしては、アルゴンレーザ(波長364nm,351nm,333nm)や、YAGレーザの4倍波(波長266nm)などが挙げられる。 In addition, in order to obtain a stretched member having a concavo-convex grid with a pitch of 100 nm to 100 μm on the surface, a mold having a concavo-convex grid with a pitch of 100 nm to 100 μm formed by an interference exposure method using a laser beam or a cutting method is used. The concavo-convex lattice shape may be transferred to the stretched member by a method such as hot pressing. The interference exposure method is an exposure method using interference fringes formed by irradiating laser light of a specific wavelength from two directions of angle θ ′, and is a laser used by changing angle θ ′. It is possible to obtain a concavo-convex lattice structure having various pitches within a range limited by the wavelength of. Lasers that can be used for interference exposure are limited to TEM00 mode lasers, and ultraviolet lasers that can oscillate TEM00 mode lasers are argon lasers (wavelengths 364 nm, 351 nm, and 333 nm) and fourth harmonics of YAG lasers (wavelength 266 nm). ) And the like.
あるいは、基材1に格子状凸部を設ける方法としては、表面にピッチが120nm以下の格子状凸部を有する型を用いて、基材の表面に格子状凸部を転写して成型する方法が挙げられる。ここで、表面にピッチが120nm以下の格子状凸部を有する型は、前記方法により得た、ピッチが120nm以下の格子状凸部を有する基材を、順に導電化処理、メッキ処理、基材の除去処理を施すことで作製することができる。 Alternatively, as a method of providing the grid-like convex portions on the substrate 1, a method of transferring and molding the grid-like convex portions on the surface of the base material using a mold having a grid-like convex portion having a pitch of 120 nm or less on the surface. Is mentioned. Here, the mold having a grid-like convex part having a pitch of 120 nm or less on the surface is obtained by conducting the conductive treatment, the plating process, and the base material in the order obtained by the above method. It can produce by performing the removal process.
誘電体層2を構成する誘電体は、可視光領域で実質的に透明な誘電体であれば良い。基材1を構成する材料及び金属ワイヤ3を構成する金属との間の密着性が強い誘電体材料を好適に用いることができる。例えば、珪素(Si)の酸化物、窒化物、ハロゲン化物、炭化物の単体又はその複合物や、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、イットリウム(Y)、ジルコニア(Zr)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、バリウム(Ba)、インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、セリウム(Ce)、銅(Cu)などの金属の酸化物、窒化物、ハロゲン化物、炭化物の単体又はそれらの複合物(誘電体単体に他の元素、単体又は化合物が混ざった誘電体)を用いることができる。 The dielectric constituting the dielectric layer 2 may be a dielectric that is substantially transparent in the visible light region. A dielectric material having strong adhesion between the material constituting the substrate 1 and the metal constituting the metal wire 3 can be suitably used. For example, silicon (Si) oxide, nitride, halide, carbide alone or a composite thereof, aluminum (Al), chromium (Cr), yttrium (Y), zirconia (Zr), tantalum (Ta), Metal oxides such as titanium (Ti), barium (Ba), indium (In), tin (Sn), zinc (Zn), magnesium (Mg), calcium (Ca), cerium (Ce), copper (Cu) , Nitrides, halides, carbides or composites thereof (dielectrics in which other elements, simple substances, or compounds are mixed in a dielectric substance) can be used.
誘電体層2を、格子状凸部1aを有する基材1の格子状凸部を含んだ領域上に形成する方法としては、誘電体層2を構成する材料により適宜選択する。例えば、スパッタリング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法を好適に用いることができる。密着強度の観点からスパッタリング法が好ましい。 The method for forming the dielectric layer 2 on the region including the lattice-shaped protrusions of the substrate 1 having the lattice-shaped protrusions 1 a is appropriately selected depending on the material constituting the dielectric layer 2. For example, a physical vapor deposition method such as a sputtering method or a vacuum vapor deposition method can be suitably used. The sputtering method is preferable from the viewpoint of adhesion strength.
金属ワイヤ3を構成する金属としては、可視光領域で光の反射率が高く、誘電体層2を構成する材料との間の密着性のよいものであることが好ましい。例えば、アルミニウム(Al)や銀(Ag)の合金で構成されていることが好ましい。コストの観点から、Al合金で構成されていることがさらに好ましい。 The metal constituting the metal wire 3 is preferably a metal having high light reflectance in the visible light region and good adhesion to the material constituting the dielectric layer 2. For example, it is preferably made of an alloy of aluminum (Al) or silver (Ag). More preferably, it is made of an Al alloy from the viewpoint of cost.
100nmレベルのピッチを持つワイヤグリッド偏光板においては、金属ワイヤ形成工程における金属ワイヤ同士の接触や結合が問題となる。そこで、本発明者らは、微細なピッチを持つワイヤグリッドにおいて金属ワイヤ同士の接触や結合を防止するためには、粒子径が大きくなることを抑制する必要があることに着目し、金属ワイヤを構成する金属に不純物を含有させることにより、粒子径の成長を抑制して金属ワイヤ同士の接触や結合を防止することができることを見出し本発明をするに至った。 In a wire grid polarizing plate having a pitch of 100 nm level, there is a problem of contact and bonding between metal wires in the metal wire forming step. Therefore, the present inventors pay attention to the fact that it is necessary to suppress the increase in particle diameter in order to prevent contact and bonding between metal wires in a wire grid having a fine pitch, It has been found that the inclusion of impurities in the constituent metal can suppress the growth of the particle diameter and prevent contact and bonding between the metal wires.
このように、金属ワイヤ3を構成する合金は所定の不純物を含む。このような不純物を含むことにより、金属ワイヤ3の形成において、誘電体層2上に被着したときに、不純物により粒子成長が妨げられ、粒子径が必要以上に大きくなることを抑制できる。このため、金属ワイヤ3の幅方向(水平方向)への粒子成長を抑えることができる。その結果、金属ワイヤ同士の接触や結合を防止することができる。 As described above, the alloy constituting the metal wire 3 includes a predetermined impurity. By including such an impurity, when the metal wire 3 is formed, the particle growth is hindered by the impurity when deposited on the dielectric layer 2, and the particle diameter can be suppressed from becoming larger than necessary. For this reason, particle growth in the width direction (horizontal direction) of the metal wire 3 can be suppressed. As a result, contact and bonding between metal wires can be prevented.
金属ワイヤ3を構成する合金に含まれる不純物の含有量は、合金の平均粒子径が格子状凸部1aの半値幅を与える高さにおける格子状凸部1a間の間隔(スペースs)以下となるように設定する。このように設定することにより、合金を被着する際に合金粒子の成長が抑制されて、金属ワイヤ同士の接触や結合を防止できる。したがって、合金における不純物の含有量は、ワイヤグリッド偏光板の金属ワイヤのピッチに応じて適宜設定する。なお、合金中の不純物の含有量は0.05重量%以上であることが好ましい。また、格子状凸部1aの半値幅を与える高さにおける格子状凸部1aの間隔は80nm以下であることが好ましい。 The content of impurities contained in the alloy constituting the metal wire 3 is equal to or less than the interval (space s) between the lattice-shaped protrusions 1a at a height at which the average particle diameter of the alloy gives the half-value width of the lattice-shaped protrusions 1a. Set as follows. By setting in this way, the growth of alloy particles is suppressed when depositing the alloy, and contact and bonding between metal wires can be prevented. Therefore, the content of impurities in the alloy is appropriately set according to the pitch of the metal wires of the wire grid polarizer. The content of impurities in the alloy is preferably 0.05% by weight or more. Moreover, it is preferable that the space | interval of the grid-like convex part 1a in the height which gives the half value width of the grid-like convex part 1a is 80 nm or less.
金属ワイヤ同士の接触や結合を防止するためには、格子状凸部のピッチと合金の平均粒子径との間の関係を適切に制御することが望ましい。例えば、格子状凸部のピッチが150nm以下である場合には、合金の平均粒子径は前記ピッチ以下であることが好ましい。したがって、このような関係を満足させるように、すなわち前記平均粒子径を実現できるように、合金における不純物の含有量を調整する。 In order to prevent contact and bonding between metal wires, it is desirable to appropriately control the relationship between the pitch of the grid-like convex portions and the average particle diameter of the alloy. For example, when the pitch of the grid-like convex portions is 150 nm or less, the average particle diameter of the alloy is preferably not more than the pitch. Therefore, the content of impurities in the alloy is adjusted so as to satisfy such a relationship, that is, to realize the average particle diameter.
合金に含まれる不純物としては、シリコン、マグネシウム、マンガン、及び鉄からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素であることが好ましい。 The impurity contained in the alloy is preferably at least one element selected from the group consisting of silicon, magnesium, manganese, and iron.
金属ワイヤ3を形成するために金属を基材1又は誘電体層2上に被着する方法としては、基材1又は誘電体層2を構成する材料と金属ワイヤ3とを構成する金属との間で十分な密着性が得られる方法であれば特に限定されない。例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの物理的蒸着法を好適に用いることができる。中でも、金属を誘電体層2の凸部に選択的に、又は誘電体層2の凸部の一方の側面に偏って選択積層できるような方法が好ましい。そのような方法として、例えば、真空蒸着法が挙げられる。 As a method of depositing metal on the substrate 1 or the dielectric layer 2 to form the metal wire 3, the material constituting the substrate 1 or the dielectric layer 2 and the metal constituting the metal wire 3 are used. The method is not particularly limited as long as sufficient adhesion can be obtained. For example, a physical vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or an ion plating method can be suitably used. Among them, a method is preferable in which the metal can be selectively stacked on the convex portion of the dielectric layer 2 selectively or biased to one side surface of the convex portion of the dielectric layer 2. An example of such a method is a vacuum deposition method.
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
(格子状凸部を有する基材の作製)
・凹凸格子形状が転写されたCOP板の作製
ピッチが230nmで、凹凸格子の高さが230nmである凹凸格子を表面に有するニッケルスタンパを準備した。この凹凸格子は、レーザ干渉露光法を用いたパターニングにより作製されたものであり、その断面形状は正弦波状で、上面からの形状は縞状格子形状であった。また、その平面寸法は縦横ともに500mmであった。このニッケルスタンパを用いて、熱プレス法により厚さ0.5mm、縦横がそれぞれ520mmのシクロオレフィン樹脂(以下、COPと略す)板の表面に凹凸格子形状を転写し、凹凸格子形状を転写したCOP板を作製した。
Next, examples performed for clarifying the effects of the present invention will be described.
(Preparation of a substrate having a grid-like convex part)
-Preparation of COP plate with concavo-convex lattice shape transferred A nickel stamper having a concavo-convex lattice with a pitch of 230 nm and a height of the concavo-convex lattice of 230 nm was prepared. The concavo-convex grating was produced by patterning using a laser interference exposure method, and the cross-sectional shape was a sine wave shape, and the shape from the top surface was a striped lattice shape. Moreover, the plane dimension was 500 mm in both length and width. Using this nickel stamper, the uneven grid shape was transferred to the surface of a cycloolefin resin (hereinafter abbreviated as COP) plate having a thickness of 0.5 mm and a width and width of 520 mm by hot pressing, and the uneven grid shape was transferred to the COP. A plate was made.
・延伸によるピッチの縮小
次いで、この凹凸格子形状が転写されたCOP板を520mm×460mmの長方形に切り出し、被延伸部材としての延伸用COP板とした。このとき、520mm×460mmの長手方向(520mm)と凹凸格子の長手方向とが互いに略平行になるように切り出した。
-Reduction of pitch by stretching Next, the COP plate to which the concavo-convex lattice shape was transferred was cut into a rectangle of 520 mm x 460 mm to obtain a stretching COP plate as a stretched member. At this time, it was cut out so that the longitudinal direction (520 mm) of 520 mm × 460 mm and the longitudinal direction of the concavo-convex lattice were substantially parallel to each other.
次いで、この延伸用COP板の表面に、スプレーによりシリコーンオイルを塗布し、約80℃の循環式空気オーブン中に30分放置した。次いで、延伸用COP板の長手方向の両端10mmを延伸機のチャックで固定し、その状態で113±1℃に温度調節された循環式空気オーブン中に延伸用COP板を10分間放置した。その後、250mm/分の速度でチャック間の距離が5倍延伸したところで延伸を終え、20秒後に延伸したCOP板(延伸済みCOP板)を室温雰囲気下に取り出し、チャック間の距離を維持したまま冷却した。この延伸済みCOP板の中央部分約40%は、ほぼ均一にくびれており、最も幅が縮小されている部分は200mmになっていた。 Next, silicone oil was applied to the surface of the stretching COP plate by spraying and left in a circulating air oven at about 80 ° C. for 30 minutes. Next, both ends 10 mm in the longitudinal direction of the stretching COP plate were fixed with a chuck of a stretching machine, and in that state, the stretching COP plate was left in a circulating air oven adjusted to 113 ± 1 ° C. for 10 minutes. After that, when the distance between the chucks was stretched 5 times at a speed of 250 mm / min, the stretching was finished, and after 20 seconds, the stretched COP plate (stretched COP plate) was taken out in a room temperature atmosphere, and the distance between the chucks was maintained. Cooled down. About 40% of the center portion of the stretched COP plate was substantially uniformly constricted, and the portion with the smallest width was 200 mm.
この延伸済みCOP板の表面と断面を、電界放出型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)にて観察したところ、微細凹凸格子のピッチと高さがそれぞれ、100nm/95nm(ピッチ/高さ)であり、その断面形状が正弦波状で、上面からの形状が縞状格子状となっており、実質的に延伸前の凹凸格子形状と相似で縮小されていたことが分かった。 When the surface and cross section of this stretched COP plate were observed with a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), the pitch and height of the fine concavo-convex grating were 100 nm / 95 nm (pitch / height), respectively. It was found that the cross-sectional shape was sinusoidal, the shape from the top surface was a striped lattice shape, and was substantially reduced in size similar to the uneven lattice shape before stretching.
・ニッケルスタンパ作製
得られた、100nmピッチの延伸済みCOP板表面に、それぞれ導電化処理として金をスパッタリングにより30nm被覆した後、それぞれニッケルを電気メッキし、厚さ0.3mm、縦300mm、横180mmの微細凹凸格子を表面に有するニッケルスタンパを作製した。
-Nickel stamper preparation The surface of the obtained COP plate with a pitch of 100 nm was coated with 30 nm of gold as a conductive treatment by sputtering, and then electroplated with nickel, and each 0.3 mm thick, 300 mm long, 180 mm wide A nickel stamper having a fine concavo-convex lattice on the surface was prepared.
・紫外線硬化性樹脂を用いた格子状凸部転写フィルムの作製
厚み0.1mmのポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム(以下、PETフィルム)に紫外線硬化性樹脂(スリーボンド社製TB3078D、屈折率1.41)を約0.03mm塗布し、塗布面を下にして上記100nmピッチの微細凹凸格子を表面に有するニッケルスタンパ上に、それぞれ端部からニッケルスタンパとPETフィルムとの間に空気が入らないように載せ、PETフィルム側から中心波長365nmの紫外線ランプを用いて紫外線を1000mJ/cm2照射し、ニッケルスタンパの微細凹凸格子を転写した。続いて、ニッケルスタンパからPETフィルムを剥離した後、更に窒素雰囲気下でPETフィルムに紫外線を500mJ/cm2照射し、紫外線硬化性樹脂の未硬化成分を硬化させて、縦300mm、横180mmの格子状凸部転写フィルムを作製した。得られた格子状凸部転写フィルムをFE−SEMにより観察し、その断面形状が正弦波状で、上面からの形状が縞状格子状となっていることを確認した。
Production of lattice convex transfer film using ultraviolet curable resin About 0.1 mm thick polyethylene terephthalate resin film (hereinafter referred to as PET film), UV curable resin (TB3078D manufactured by ThreeBond Co., Ltd., refractive index 1.41) is approximately Apply 0.03 mm, and place it on the nickel stamper with the coated surface facing down on the surface with a fine unevenness grid of 100 nm pitch so that air does not enter between the nickel stamper and the PET film from each end. Ultraviolet rays were irradiated at 1000 mJ / cm 2 from the film side using an ultraviolet lamp with a central wavelength of 365 nm, and the fine uneven lattice of the nickel stamper was transferred. Subsequently, after peeling the PET film from the nickel stamper, the PET film was further irradiated with UV light at 500 mJ / cm 2 in a nitrogen atmosphere to cure the uncured component of the UV curable resin, and a 300 mm long by 180 mm wide grid. A convex-shaped convex transfer film was produced. The obtained lattice-like convex transfer film was observed by FE-SEM, and it was confirmed that the cross-sectional shape was sinusoidal and the shape from the upper surface was a striped lattice.
(ワイヤグリッド偏光板の作製:実施例1〜3)
・スパッタリング法を用いた誘電体層の形成
上記のように紫外線硬化性樹脂を用いて作製した格子状凸部転写フィルムに、スパッタリング法を用い誘電体を被覆した。本実施例では、誘電体として窒化珪素を用いた場合について説明する。Arガス圧力0.67Pa、スパッタリングパワー4W/cm2、被覆速度0.22nm/sにて誘電体の被覆を行った。層厚み比較用サンプルとして表面が平滑なガラス基板を格子状凸部転写フィルムと同時に装置に挿入し、平滑ガラス基板への誘電体積層厚みが20nmとなるように成膜を行った。
(Production of wire grid polarizer: Examples 1 to 3)
Formation of Dielectric Layer Using Sputtering Method A lattice-shaped convex transfer film produced using an ultraviolet curable resin as described above was coated with a dielectric using a sputtering method. In this embodiment, a case where silicon nitride is used as a dielectric will be described. The dielectric was coated at an Ar gas pressure of 0.67 Pa, a sputtering power of 4 W / cm 2 , and a coating speed of 0.22 nm / s. As a layer thickness comparison sample, a glass substrate having a smooth surface was inserted into the apparatus simultaneously with the lattice-shaped convex transfer film, and film formation was performed so that the dielectric laminate thickness on the smooth glass substrate was 20 nm.
・真空蒸着法を用いた金属の蒸着
格子状凸部転写フィルムに誘電体層を形成した後、電子ビーム真空蒸着法(EB蒸着法)を用いて金属ワイヤを形成した。本実施例では、金属としては、組成を変えたアルミニウム合金(Al合金)を用いた(実施例1〜実施例3)。真空度2.5×10-3Pa、蒸着速度4nm/s、基板温度は常温として蒸着を行った。層厚み比較用サンプルとして表面が平滑なガラス基板を誘電体積層格子状凸部転写フィルムと同時に装置に挿入し、平滑基板へのAl蒸着厚みが200nmとなるように蒸着を行った。なお、格子の長手方向と垂直に交わる平面内において基材面の法線と蒸着源とのなす角度θは20°とした。また、組成解析用のサンプルとして純度99.999%以上のFe基板も誘電体積層格子状凸部転写フィルムと同時に装置に挿入した。また、比較のために、金属として99.999%の高純度アルミニウムを用いて蒸着を行った(比較例)。なお、使用したAl合金の重量比率は下記表1に示す。
-Metal deposition using vacuum deposition method After forming a dielectric layer on the lattice-shaped convex transfer film, a metal wire was formed using an electron beam vacuum deposition method (EB deposition method). In this example, an aluminum alloy (Al alloy) having a different composition was used as the metal (Examples 1 to 3). Deposition was performed with a degree of vacuum of 2.5 × 10 −3 Pa, a deposition rate of 4 nm / s, and a substrate temperature of room temperature. As a layer thickness comparison sample, a glass substrate having a smooth surface was inserted into the apparatus at the same time as the dielectric laminated lattice-shaped convex transfer film, and vapor deposition was performed so that the Al deposition thickness on the smooth substrate was 200 nm. Note that the angle θ formed by the normal of the substrate surface and the evaporation source in a plane perpendicular to the longitudinal direction of the lattice was 20 °. Further, an Fe substrate having a purity of 99.999% or more was also inserted into the apparatus simultaneously with the dielectric laminated grid-like convex transfer film as a sample for composition analysis. For comparison, vapor deposition was performed using 99.999% high-purity aluminum as a metal (comparative example). The weight ratio of the Al alloy used is shown in Table 1 below.
・エッチングによる不要金属の除去
格子状凸部転写フィルムに誘電体及びAlを積層した後、フィルムを室温下の0.1重量%水酸化ナトリウム水溶液中で、処理時間を30秒〜90秒の間において10秒間隔で変えながら洗浄(エッチング)し、すぐに水洗してエッチングを停止させた。フィルムを乾燥させてワイヤグリッド偏光板を得た。ワイヤグリッド偏光板の大きさは、縦300mm、横180mmであった。3種のワイヤグリッド偏光板の断面を、FE−SEMで観察し、格子状凸部の半値幅を与える高さにおける格子状凸部間の間隔(スペース)を調べた。その結果を下記表1に併記する。また、金属にAl合金を用いて得られたワイヤグリッド偏光板(実施例1〜実施例3)の代表的な表面のSEM像を図2(a)に示す。図2(a)から分かるように、金属ワイヤ間の接触や結合は存在していなかった。一方、金属に純アルミニウムを用いて得られたワイヤグリッド偏光板(比較例)の代表的な表面のSEM像を図2(b)に示す。図2(b)から分かるように、金属ワイヤ間の接触や結合が存在していた。
-Removal of unnecessary metal by etching After laminating dielectric and Al on the lattice-shaped convex transfer film, the film is treated in a 0.1 wt% sodium hydroxide aqueous solution at room temperature for a treatment time of 30 seconds to 90 seconds. In FIG. 1, the substrate was washed (etched) while changing at intervals of 10 seconds, and immediately washed with water to stop the etching. The film was dried to obtain a wire grid polarizer. The size of the wire grid polarizing plate was 300 mm long and 180 mm wide. The cross sections of the three types of wire grid polarizers were observed with an FE-SEM, and the interval (space) between the lattice-shaped protrusions at a height that gives the half-value width of the lattice-shaped protrusions was examined. The results are also shown in Table 1 below. Moreover, the SEM image of the typical surface of the wire grid polarizing plate (Example 1- Example 3) obtained using Al alloy for a metal is shown to Fig.2 (a). As can be seen from FIG. 2 (a), there was no contact or bonding between the metal wires. On the other hand, a typical SEM image of the surface of a wire grid polarizer (comparative example) obtained using pure aluminum as the metal is shown in FIG. As can be seen from FIG. 2 (b), there was contact and bonding between the metal wires.
・蛍光X線による組成解析
Fe基板上のAl合金膜の組成を蛍光X線により定量した。その結果、Al/Si合金(実施例1)では、Al/Si=99.5重量%/0.5重量%であり、Al/Mg合金(実施例2)では、Al/Mg=93.7重量%/6.3重量%であり、Al/Mn合金(実施例3)では、Al/Mn=97.4重量%/2.6重量%であった。また、Al(比較例)では、他の金属は検出されなかった。
-Composition analysis by fluorescent X-ray The composition of the Al alloy film on the Fe substrate was quantified by fluorescent X-ray. As a result, in the Al / Si alloy (Example 1), Al / Si = 99.5 wt% / 0.5 wt%, and in the Al / Mg alloy (Example 2), Al / Mg = 93.7. In the Al / Mn alloy (Example 3), Al / Mn = 97.4% by weight / 2.6% by weight. In Al (comparative example), no other metal was detected.
・X線回折による平均粒子径の測定
得られたワイヤグリッド偏光板のX線回折を測定し、金属ワイヤを構成するアルミニウム合金の平均粒子径をシェラーの式により見積もった。その結果を下記表1に併記する。
(分光光度計による偏光性能評価)
得られた実施例及び比較例のワイヤグリッド偏光板について、分光光度計を用い偏光度及び光線透過率を測定した。ここでは、直線偏光に対する平行ニコル、直交ニコル状態での透過光強度を測定し、偏光度、光線透過率は下記式より算出した。また、測定波長域は可視光として400nm〜700nmとした。図3は、波長400nm〜700nmにわたる偏光度の変化を示す特性図であり、図4は、波長400nm〜700nmにわたる光線透過率の変化を示す特性図である。
偏光度=[(Imax−Imin)/(Imax+Imin)]×100 %
光線透過率=[(Imax+Imin)/2] ×100 %
ここで、Imaxは平行ニコル時の透過光強度であり、Iminは直交ニコル時の透過光強度である。
(Evaluation of polarization performance by spectrophotometer)
About the obtained wire grid polarizing plate of the Example and the comparative example, the degree of polarization and the light transmittance were measured using the spectrophotometer. Here, the transmitted light intensity in a parallel Nicols state and a crossed Nicols state with respect to linearly polarized light was measured, and the degree of polarization and the light transmittance were calculated from the following equations. The measurement wavelength range was 400 nm to 700 nm as visible light. FIG. 3 is a characteristic diagram showing a change in polarization degree over a wavelength range of 400 nm to 700 nm, and FIG. 4 is a characteristic diagram showing a change in light transmittance over a wavelength range of 400 nm to 700 nm.
Polarization degree = [(Imax−Imin) / (Imax + Imin)] × 100%
Light transmittance = [(Imax + Imin) / 2] × 100%
Here, Imax is the transmitted light intensity at the time of parallel Nicols, and Imin is the transmitted light intensity at the time of crossed Nicols.
図3から分かるように、本発明に係るワイヤグリッド偏光板(実施例1〜実施例3)は、可視光領域のほぼ全領域にわたって優れた偏光度を示した。また、図4から分かるように、本発明に係るワイヤグリッド偏光板(実施例1〜実施例3)は、可視光領域のほぼ全領域にわたって優れた光線透過率を示した。一方、比較例のワイヤグリッド偏光板は、金属ワイヤ間の接触や結合があるために、実施例に比べて可視光領域のほぼ全領域にわたって偏光度及び光線透過率が劣っていた。 As can be seen from FIG. 3, the wire grid polarizers (Examples 1 to 3) according to the present invention exhibited an excellent degree of polarization over almost the entire visible light region. Further, as can be seen from FIG. 4, the wire grid polarizers (Examples 1 to 3) according to the present invention showed excellent light transmittance over almost the entire visible light region. On the other hand, since the wire grid polarizing plate of the comparative example has contact and bonding between the metal wires, the degree of polarization and light transmittance are inferior over almost the entire visible light region as compared with the example.
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態における寸法、材質などは例示的なものであり、適宜変更して実施することが可能である。また、上記実施の形態における偏光板については、板状の部材である必要はなく、必要に応じてシート状、フィルム状であっても良い。その他、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be implemented with various modifications. For example, the dimensions, materials, and the like in the above-described embodiment are illustrative, and can be changed as appropriate. Moreover, the polarizing plate in the said embodiment does not need to be a plate-shaped member, and may be a sheet form and a film form as needed. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
1 基材
1a 格子状凸部
2 誘電体層
3 金属ワイヤ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 1a Lattice-like convex part 2 Dielectric layer 3 Metal wire
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