JP2008266718A - Ozone water generating apparatus - Google Patents

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Hidekazu Ido
秀和 井戸
Takeshi Tachibana
武史 橘
Kazumi Yanagisawa
佳寿美 柳澤
Takashi Tanioka
隆 谷岡
Noriaki Okubo
典昭 大久保
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  • Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ozone water generating apparatus capable of easily and efficiently generating high purity and high concentration ozone without incorporating metals or the like from an anode and degradating the anode electrode or solid high molecular electrolyte membrane. <P>SOLUTION: The ozone water generating apparatus is provided with the solid high molecular electrolyte membrane, and the anode electrode and a cathode electrode which are arranged to face across the solid high molecular electrolyte membrane. The anode electrode has a conductive thin film made of diamond-like carbon in which crystalline component is mixed with amorphous component, and the conductive thin film is formed so as to cover at least a part of an anodic base material or the solid high molecular electrolyte membrane. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明はオゾン水製造装置に関し、詳細には、固体高分子電解質膜(Solid polymer electrolyte、SPE)による水電解法に用いられるオゾン水製造装置に関するものである。   The present invention relates to an ozone water production apparatus, and more particularly to an ozone water production apparatus used in a water electrolysis method using a solid polymer electrolyte membrane (SPE).

オゾンの酸化力は非常に強いため、オゾンは、殺菌、酸化、脱臭、脱色など様々な分野で利用されている。オゾン水を直接生成する方法として、PbOやPtなどをアノード触媒として用いた固体高分子電解質膜(SPE)による水電解法が提案されている(例えば、特許文献1〜特許文献3)。水電解法を用いれば、高濃度オゾン水を小型装置で簡便に生成できるという利点がある。 Since the oxidizing power of ozone is very strong, ozone is used in various fields such as sterilization, oxidation, deodorization, and decolorization. As a method for directly generating ozone water, a water electrolysis method using a solid polymer electrolyte membrane (SPE) using PbO 2 or Pt as an anode catalyst has been proposed (for example, Patent Documents 1 to 3). If the water electrolysis method is used, there is an advantage that high-concentration ozone water can be easily generated with a small apparatus.

図1に、SPEによる水電解法に用いられる代表的なオゾン水製造装置の模式図を示す。図1に示すように、オゾン水製造装置10は、固体高分子電解質膜1と、固体高分子電解質膜1を挟んで対向するように配置された陽極2および陰極3とを備えている。陽極2は、金属基材2aと、金属基材2aを覆うように被覆されたPbOやPtなどの金属薄膜2bとから構成されている。金属基材2aは、水との接液面積を高める目的で、多孔質状または網状に加工されていてもよい。 In FIG. 1, the schematic diagram of the typical ozone water manufacturing apparatus used for the water electrolysis method by SPE is shown. As shown in FIG. 1, an ozone water production apparatus 10 includes a solid polymer electrolyte membrane 1, and an anode 2 and a cathode 3 arranged so as to face each other with the solid polymer electrolyte membrane 1 interposed therebetween. The anode 2 includes a metal substrate 2a and a metal thin film 2b such as PbO 2 or Pt coated so as to cover the metal substrate 2a. The metal substrate 2a may be processed into a porous shape or a net shape for the purpose of increasing the liquid contact area with water.

水電解法では、陽極(アノード)側で以下の反応が進行する。
2HO→O+4H+4e ・・・ (1)
3HO→O+6H+6e ・・・ (2)
O+O→O+2H+2e ・・・ (3)
ここで、陽極電極が不溶性電極であれば、上記(1)の反応が進行するが、PbOやPtなどのオゾン生成触媒金属を陽極電極に使用すると、上記(2)および(3)の反応が進行し、オゾンが生成するようになる。従って、上記装置の陽極側に水を供給することによって高濃度のオゾンガスまたはオゾン水が得られる。
In the water electrolysis method, the following reaction proceeds on the anode (anode) side.
2H 2 O → O 2 + 4H + + 4e (1)
3H 2 O → O 3 + 6H + + 6e (2)
H 2 O + O 2 → O 3 + 2H + + 2e (3)
Here, if the anode electrode is an insoluble electrode, the reaction (1) proceeds. However, when an ozone-generating catalyst metal such as PbO 2 or Pt is used for the anode electrode, the reactions (2) and (3) above. Progresses and ozone is generated. Therefore, high-concentration ozone gas or ozone water can be obtained by supplying water to the anode side of the apparatus.

しかしながら、PbOやPtを電極として用いた場合、電解に伴って電極が消耗し、金属が溶出するようになる。金属の溶出は、固体高分子電解質膜の劣化を招く。そのため、これら金属電極に代わる非金属の電極材料として、特許文献4には、導電性ダイヤモンド構造の炭素電極が開示されている。また、特許文献5には、多孔質状または網状の構造を有する自立体型の導電性ダイヤモンド板からなる電極が開示されており、これにより、基板への密着性向上を図っている。しかし、ダイヤモンドは高価であり、また、特許文献4の方法では、機械的強度を確保するために当該導電性ダイヤモンド板の厚さを0.2mm以上と厚膜にする必要があり、多大のコストと時間を要するため、実用化は困難であると考えられる。
特開平1−312092号公報 特開平8−134677号公報 特許第3375904号明細書 特開平9−268395号公報 特開2005−336607号公報
However, when PbO 2 or Pt is used as an electrode, the electrode is consumed with electrolysis, and the metal is eluted. The elution of the metal causes deterioration of the solid polymer electrolyte membrane. Therefore, Patent Document 4 discloses a carbon electrode having a conductive diamond structure as a non-metallic electrode material replacing these metal electrodes. Patent Document 5 discloses an electrode made of a self-stereoscopic conductive diamond plate having a porous or net-like structure, thereby improving the adhesion to the substrate. However, diamond is expensive, and in the method of Patent Document 4, it is necessary to make the thickness of the conductive diamond plate as thick as 0.2 mm or more in order to ensure mechanical strength. Therefore, it is considered difficult to put to practical use.
Japanese Patent Laid-Open No. 1-312092 JP-A-8-134777 Japanese Patent No. 3375904 JP-A-9-268395 JP-A-2005-336607

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、陽極からの金属などの混入もないため、陽極電極や固体高分子電解質膜が劣化することもなく、高純度且つ高濃度のオゾンを簡便に効率よく製造することができるオゾン水製造装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is that there is no mixing of metal from the anode, so that the anode electrode and the solid polymer electrolyte membrane are not deteriorated, and the purity and concentration are high. Another object of the present invention is to provide an ozone water production apparatus capable of producing ozone in a simple and efficient manner.

上記課題を解決することのできた本発明のオゾン水製造装置は、固体高分子電解質膜と、前記固体高分子電解質膜を挟んで対向するように配置された陽極電極および陰極電極と、を備えたオゾン水製造装置であって、前記陽極電極は、ダイヤモンドライクカーボンの導電性薄膜を有しているところに要旨を有している。   The ozone water production apparatus of the present invention that has solved the above-described problems includes a solid polymer electrolyte membrane, and an anode electrode and a cathode electrode arranged so as to face each other with the solid polymer electrolyte membrane interposed therebetween. In the ozone water production apparatus, the anode electrode is characterized in that it has a diamond-like carbon conductive thin film.

好ましい実施形態において、前記導電性薄膜は、陽極基材または前記固体高分子電解質膜の少なくとも一部を覆うように形成されている。   In a preferred embodiment, the conductive thin film is formed so as to cover at least a part of the anode base material or the solid polymer electrolyte membrane.

好ましい実施形態において、前記導電性薄膜は、ラマン分光分析において、1340cm−1±20cm−1の範囲内、および1580cm−1±20cm−1の範囲内に明確なピークを有している。 In a preferred embodiment, the conductive thin film, in Raman spectroscopic analysis, and has a clear peak in the range of 1340cm in the range of -1 ± 20 cm -1, and 1580cm -1 ± 20cm -1.

好ましい実施形態において、前記導電性薄膜は、ラマン分光分析において、1340cm−1±20cm−1に存在するピークの積分強度Int<1340>と1580cm−1±20cm−1に存在するピークの積分強度Int<1580>との比が下記(1)式を満足している。
Int<1340>/Int<1580>=0.5〜1.5 ・・・ (1)
In a preferred embodiment, the conductive thin film, in Raman spectroscopic analysis, the integrated intensity of the peaks present in 1580 cm -1 ± 20 cm -1 and the integrated intensity Int <1340> of peaks present in 1340cm -1 ± 20cm -1 Int The ratio with <1580> satisfies the following formula (1).
Int <1340> / Int <1580> = 0.5 to 1.5 (1)

本発明のオゾン水製造装置を用いれば、金属などの混入や、陽極電極や固体高分子電解質膜の劣化といった問題がなく、高純度且つ高濃度のオゾンを簡便に効率よく製造することができる。   If the ozone water production apparatus of the present invention is used, there is no problem of mixing of metals and the like and deterioration of the anode electrode and the solid polymer electrolyte membrane, and high-purity and high-concentration ozone can be produced simply and efficiently.

本発明者は、固体高分子電解質膜を用いた水電解法によるオゾン水製造技術において、特に、導電性ダイヤモンドを陽極材料として用いた場合に比べ、低コストで簡便に、高純度且つ高濃度のオゾン水を生成することが可能なオゾン水製造装置を提供するため、検討してきた。その結果、陽極材料として、導電性ダイヤモンドライクカーボン(Diamond Like Carbon、DLC)を用いれば所期の目的が達成されることを見出し、本発明を完成した。   In the ozone water production technology by water electrolysis using a solid polymer electrolyte membrane, the present inventor has a high-purity and high-concentration ozone at a low cost and easily compared with the case where conductive diamond is used as an anode material. In order to provide an ozone water production apparatus capable of generating water, studies have been made. As a result, the inventors have found that the intended purpose can be achieved if conductive diamond-like carbon (DLC) is used as the anode material, and the present invention has been completed.

まず、本発明を特徴付ける導電性薄膜について説明する。   First, the conductive thin film characterizing the present invention will be described.

本発明に用いられる導電性薄膜は、結晶質成分と非晶質成分が混在したダイヤモンドライクカーボン(DLC)からなるものである。前述したように、従来、DLCをオゾン生成用の陽極材料として用いたものはない。   The conductive thin film used in the present invention is made of diamond-like carbon (DLC) in which a crystalline component and an amorphous component are mixed. As described above, there is no conventional DLC used as an anode material for generating ozone.

DLCは、ダイヤモンドとグラファイト(黒鉛)の中間の特性を有する非晶質(amorphous)無機物である。DLCと、ダイヤモンドやグラファイトとを対比すると、ダイヤモンドやグラファイトは結晶構造を有しているのに対し、DLCは非晶質である点で両者は大きく相違している。また、炭素同士の結合状態を比較すると、ダイヤモンドはsp混成軌道(Dバンド、共有結合)のみからなり、グラファイトはsp混成軌道(Gバンド、二重結合)のみからなるのに対し、DLCは、ダイヤモンドの性質をもった炭素原子と、グラファイトの性質をもった炭素原子の両方を含んでいるとされる。また、ダイヤモンド膜の成膜に当たっては、通常、基材温度を約1000K以上の高温状態に保持する必要があるため、成膜後温度を室温に戻したときの基材との熱膨張率の差が大きく、ダイヤモンド膜が基材から剥離するといった問題があるのに対し、DLC膜は、約500K以下の低温下でも成膜できるため、このような問題は少なく、基材との密着性に優れている。 DLC is an amorphous inorganic substance having intermediate properties between diamond and graphite. When DLC is compared with diamond and graphite, diamond and graphite have a crystal structure, whereas DLC is largely different in that DLC is amorphous. Further, when the bonding state between carbons is compared, diamond consists only of sp 3 hybrid orbitals (D band, covalent bond), and graphite consists only of sp 2 hybrid orbitals (G band, double bond), whereas DLC. Is said to contain both carbon atoms with the properties of diamond and carbon atoms with the properties of graphite. Moreover, since it is usually necessary to maintain the substrate temperature at a high temperature of about 1000 K or higher when forming the diamond film, the difference in thermal expansion coefficient from the substrate when the temperature after film formation is returned to room temperature. The DLC film can be formed even at a low temperature of about 500K or less, and the problem is small, and the adhesion to the base material is excellent. ing.

DLCは、ダイヤモンドに近い硬度を有し、摺動性・耐摩耗性・ガスバリヤ性・生体適合性などに優れていることから、例えば、機械工具、半導体用部品、自動車部品、食品包装容器、医療機器などの分野に利用されている。   DLC has hardness close to that of diamond and has excellent slidability, wear resistance, gas barrier properties, biocompatibility, etc., for example, machine tools, semiconductor parts, automotive parts, food packaging containers, medical It is used in fields such as equipment.

しかしながら、DLCをオゾン生成用電極に利用したものはこれまでに報告されていない。一方、前述した特許文献4および特許文献5には、導電性ダイヤモンドをオゾン生成用電極に利用した技術が開示されている。導電性ダイヤモンドがオゾン生成用電極として着目された理由として、例えば、オゾン水生成効率の指標と考えられている酸素過電圧が約3V超(対標準電極電位)と高いこと、比抵抗を10−3Ω・cm程度に容易に低減できること、などが挙げられる。これに対し、DLCは、酸素過電圧が約1.2〜2.5V(対標準電極電位)と導電性ダイヤモンドより低く、バルク比抵抗も10Ω・cm程度と非常に高いため、従来、DLCはオゾン生成用電極用材料に適していないと考えられていた。 However, there has been no report on the use of DLC as an electrode for generating ozone. On the other hand, Patent Document 4 and Patent Document 5 described above disclose a technique in which conductive diamond is used as an electrode for generating ozone. The reason why conductive diamond has attracted attention as an electrode for generating ozone is, for example, that the oxygen overvoltage, which is considered to be an indicator of ozone water generation efficiency, is as high as about 3 V (vs. standard electrode potential), and the specific resistance is 10 −3. It can be easily reduced to about Ω · cm. On the other hand, DLC has an oxygen overvoltage of about 1.2 to 2.5 V (vs. standard electrode potential), lower than that of conductive diamond, and a bulk specific resistance of about 10 9 Ω · cm. Was considered not suitable as an electrode material for ozone generation.

ところが、本発明者の検討結果によれば、導電性DLCはオゾン生成用電極材料として有用であり、導電性ダイヤモンドを用いた場合とほぼ同程度のオゾン生成能が得られるだけでなく、導電性ダイヤモンドよりも基板との密着性が良好であるため、基板上に形成した導電性DLC膜を大電流・大電圧で長時間電解しても基板から剥離することがなく、耐久性に極めて優れていることが判明した(後記する実施例を参照)。このような優れた特性は、導電性DLC膜の厚さを約1μm以下と薄くしても良好に発揮される(後記する実施例を参照)ため、導電性ダイヤモンドを用いた場合に比べ、成膜時間を短縮でき、コストを低減できる、といった利点も得られる。   However, according to the results of the study by the present inventors, conductive DLC is useful as an electrode material for ozone generation, and not only can the ozone generation ability be almost the same as that when conductive diamond is used, but also conductivity. Because it has better adhesion to the substrate than diamond, the conductive DLC film formed on the substrate does not peel off from the substrate even if it is electrolyzed for a long time with a large current and voltage, and is extremely excellent in durability. (See Examples below). Such excellent characteristics can be exhibited well even when the thickness of the conductive DLC film is reduced to about 1 μm or less (see the examples described later). Therefore, compared with the case where conductive diamond is used. Advantages such as a reduction in film time and a reduction in cost can also be obtained.

本発明に用いられるDLCは、ラマン分光分析において、1340cm−1±20cm−1の範囲内、および1580cm−1±20cm−1の範囲内に明確なピークを有している。具体的には、1340cm−1±20cm−1に存在するピークの積分強度Int<1340>と1580cm−1±20cm−1に存在するピークの積分強度Int<1580>との比(以下、単に積分強度比と呼ぶ場合がある。)が下記(1)式を満足するものである。
Int<1340>/Int<1580>=0.5〜1.5 ・・・ (1)
DLC used in the present invention, in Raman spectroscopic analysis, and has a clear peak in the range of 1340cm in the range of -1 ± 20 cm -1, and 1580cm -1 ± 20cm -1. Specifically, the ratio of the 1340 cm -1 integrated intensity of the peaks present in the integrated intensity Int <1340> and 1580 cm -1 ± 20 cm -1 of peaks present in ± 20cm -1 Int <1580> (hereinafter, simply integrating (Sometimes referred to as intensity ratio) satisfies the following formula (1).
Int <1340> / Int <1580> = 0.5 to 1.5 (1)

ここで、ラマン分光分析の条件は以下のとおりである。
分析手法 :顕微ラマン分光法
ラマン分光装置:日本分光社製、商品名:NR−1800型
励起光 :Arレーザー(514.5nm)
ビーム強度 :1mW試料
対物レンズ :50倍
ビーム径 :2μm
分解能 :0.2cm-1
Here, the conditions of Raman spectroscopic analysis are as follows.
Analysis method: Microscopic Raman spectroscopy Raman spectroscopic device: manufactured by JASCO Corporation, trade name: NR-1800 type Excitation light: Ar laser (514.5 nm)
Beam intensity: 1 mW sample Objective lens: 50 times Beam diameter: 2 μm
Resolution: 0.2cm -1

ラマンスペクトルは、炭素の結晶構造と強い相関関係を有しており、例えば、図2に示すように、ダイヤモンド(sp結合)のラマンスペクトルは、通常、1340cm−1付近にピークを有し、グラファイト(sp結合)のラマンスペクトルは、通常、1580cm−1付近にピークを有している。そのため、DLC膜は、例えば、ピーク強度(ピーク高さ)の比や積分強度(面積強度)の比などによって特定されることが多い。そこで、本発明においても、上記のように、積分強度比などでDLC膜を特定した次第である。 The Raman spectrum has a strong correlation with the crystal structure of carbon. For example, as shown in FIG. 2, the Raman spectrum of diamond (sp 3 bond) usually has a peak near 1340 cm −1 . The Raman spectrum of graphite (sp 2 bond) usually has a peak in the vicinity of 1580 cm −1 . Therefore, the DLC film is often specified by, for example, the ratio of peak intensity (peak height) or the ratio of integrated intensity (area intensity). Therefore, also in the present invention, as described above, the DLC film is specified by the integrated intensity ratio or the like.

上記の積分強度比:Int<1340>/Int<1580>は、sp/spとも呼ばれ、膜内部の炭素結合状態の存在量を表している。この積分強度比が、直ちにsp含有量(すなわち、DLC膜中のダイヤモンド含有量)を示す訳ではないが、DLC膜の構造を間接的に示す指標とすることはできる。 The integrated intensity ratio: Int <1340> / Int <1580> is also called sp 3 / sp 2 and represents the abundance of carbon-bonded states inside the film. This integrated intensity ratio does not immediately indicate the sp 3 content (that is, the diamond content in the DLC film), but it can be used as an index indirectly indicating the structure of the DLC film.

本発明において、sp結合(ダイヤモンド)に起因するピーク強度を1340cm−1±20cm−1の範囲内に定め、sp結合(グラファイト)に起因するピーク強度を1580cm−1±20cm−1の範囲内に定めたのは、ラマンスペクトルのピーク位置は膜の内部応力に応じてシフトすることを考慮したためである。一般に、膜の内部応力が圧縮応力の場合は、ラマンスペクトルのピークは高波数側にシフトし、逆に膜の内部応力が引張り応力の場合は低波数側にシフトする傾向にある。本発明者の基礎実験によれば、ダイヤモンドに起因する1340cm−1付近のピークが、おおおむね、1320cm−1以上1360cm−1以下の範囲内に存在し、グラファイトに起因する1580cm−1付近のピークが、おおむね、1560cm−1以上1600cm−1以下の範囲内に存在すると、高いオゾン生成効率が実現されることを確認している。 In the present invention, defines a peak intensity attributed to sp 3 bond (diamond) in the range of 1340 cm -1 ± 20 cm -1, the range a peak intensity attributed to sp 2 bonds (graphite) of 1580 cm -1 ± 20 cm -1 This is because the peak position of the Raman spectrum is considered to shift according to the internal stress of the film. In general, when the internal stress of the film is a compressive stress, the peak of the Raman spectrum tends to shift to the high wave number side, and conversely, when the internal stress of the film is a tensile stress, the peak tends to shift to the low wave number side. According to basic experiments of the present inventors, the peak around 1340 cm -1 due to the diamond, you generally present in 1320 cm -1 or 1360 cm -1 in the range, the peak around 1580 cm -1 due to the graphite but generally, if present in the range of 1560 cm -1 or 1600 cm -1 or less, it was confirmed that the higher ozone generation efficiency is achieved.

なお、ラマンスペクトルのピーク形状はDLC膜の成膜条件などによって相違し得、後記する図3に示すように、1340cm−1付近および1580cm−1付近に明確なピーク中心を有する分布パターンが必ずしも得られる訳では決してない。例えば、成膜時の基材表面温度が室温に近い場合は、明確なピーク中心が観察されず、前述した図2に示すように、1340cm−1付近および1580cm−1付近の両方にまたがってブロードなピークが観察されることがあるが、このような場合であっても、ピーク形状からピーク分離を行ない、上記の積分強度比を決定することは可能である。詳細な決定方法は、例えば、大野隆他「GUIを考慮した汎用波形解析システムの開発」、化学ソフトウエア学会論文誌、Vol.6,No.2(2000)などを参照することができる。 Note that the peak shape of the Raman spectrum may differ depending on the film forming conditions of the DLC film, and as shown in FIG. 3 to be described later, distribution patterns having clear peak centers in the vicinity of 1340 cm −1 and 1580 cm −1 are not necessarily obtained. It is never done. For example, when the substrate surface temperature at the time of film formation is close to room temperature, a clear peak center is not observed, and as shown in FIG. 2 described above, it spreads over both around 1340 cm −1 and 1580 cm −1. Even in such a case, it is possible to determine the integrated intensity ratio by performing peak separation from the peak shape. Detailed determination methods are described in, for example, Takashi Ohno et al. “Development of general-purpose waveform analysis system considering GUI”, Journal of Chemical Software Society, Vol. 6, no. 2 (2000) or the like.

図3は、後記する実施例1に記載の方法で得られた導電性DLC膜のラマンスペクトル分布である。このときの積分強度比は0.8である。   FIG. 3 is a Raman spectrum distribution of the conductive DLC film obtained by the method described in Example 1 described later. The integrated intensity ratio at this time is 0.8.

本発明において、DLCの積分強度比が0.5〜1.5の範囲内にあるものは、後記する実施例に示すように、オゾン生成能に優れている。DLCの積分強度比が0.5未満の場合、オゾン生成能に劣っており、一方、積分強度比が1.5超の場合、機械的強度(耐摩耗性)に劣っている。本発明に用いられるDLC膜の積分強度比は、主に、オゾン生成特性を確保するという観点からすれば、0.5以上であることが好ましく、1.0以上であることがより好ましい。一方、主に、機械的強度特性を確保するという観点からすれば、DLC膜の積分強度比は、1.5以下であることが好ましく、1.0以下であることがより好ましい。   In the present invention, those having an integrated intensity ratio of DLC in the range of 0.5 to 1.5 are excellent in ozone generation ability as shown in Examples described later. When the integrated intensity ratio of DLC is less than 0.5, the ozone generating ability is inferior. On the other hand, when the integrated intensity ratio is more than 1.5, the mechanical strength (wear resistance) is inferior. The integrated intensity ratio of the DLC film used in the present invention is preferably 0.5 or more, more preferably 1.0 or more, mainly from the viewpoint of ensuring ozone generation characteristics. On the other hand, from the viewpoint of ensuring mechanical strength characteristics, the integrated strength ratio of the DLC film is preferably 1.5 or less, and more preferably 1.0 or less.

本発明に用いられるDLC膜は、導電性を有していることが必要である。前述したように、DLC自体のバルク比抵抗は10Ω・cm程度と非常に高く、オゾン生成用電極として使用できないが、例えば、(a)ホウ素、リン、モリブデン、チタン、タングステン、窒素などの導電性付与成分をDLC膜中に添加したり、(b)DLC膜中に水素を導入し、表面に水素を偏析させる、といった周知の導電性発現手段を採用することによって、比抵抗を約102Ω・cm程度まで低減することができる。本発明では、上記(a)の方法のみを採用しても良いし、上記(b)の方法のみを採用しても良いし、両方を併用しても良い。 The DLC film used in the present invention needs to have conductivity. As described above, the bulk specific resistance of DLC itself is as high as about 10 9 Ω · cm and cannot be used as an electrode for generating ozone. For example, (a) boron, phosphorus, molybdenum, titanium, tungsten, nitrogen, etc. The specific resistance can be reduced to about 10 by adding a conductivity imparting component to the DLC film or (b) introducing a hydrogen into the DLC film and segregating hydrogen on the surface. It can be reduced to about 2 Ω · cm. In the present invention, only the method (a) may be employed, only the method (b) may be employed, or both may be used in combination.

このうち、上記(a)のように導電性付与成分をDLC膜中に添加する場合、DLC膜中に含まれる導電性付与成分は、おおむね、0.01質量%以上1.0質量%以下であることが好ましい。導電性付与成分が0.01質量%未満の場合、オゾン生成用電極として使用するには導電性が不充分であり、一方、1.0質量%を超える場合、導電性付与成分が偏析してしまうなどの問題がある。導電性付与成分のより好ましい含有量は、おおむね、0.01質量%以上0.1質量%以下である。   Among these, when the conductivity imparting component is added to the DLC film as in the above (a), the conductivity imparting component contained in the DLC film is generally 0.01% by mass or more and 1.0% by mass or less. Preferably there is. When the conductivity-imparting component is less than 0.01% by mass, the conductivity is insufficient for use as an electrode for generating ozone. On the other hand, when it exceeds 1.0% by mass, the conductivity-imparting component segregates. There is a problem such as. A more preferable content of the conductivity imparting component is generally 0.01% by mass or more and 0.1% by mass or less.

上記(a)において、本発明に用いられる導電性付与成分としては、ホウ素、リン、モリブデン、チタン、タングステン、および窒素よりなる群から選択される少なくとも一種であることが好ましい。これらの元素は、オゾン水生成用触媒電極に必要な導電性を付与するのに有用な元素であり、DLC膜中に添加することによって電荷を担う電子や正孔を発生する。これらの元素は単独で用いても良いし、2種以上を併用しても構わない。このうち、ホウ素は、ダイヤモンドを導電性ダイヤモンドとするために通常用いられる元素であるが、その他の元素(ホウ素以外)は通常用いられず、導電性DLCを得るために特に添加される元素である。   In the above (a), the conductivity imparting component used in the present invention is preferably at least one selected from the group consisting of boron, phosphorus, molybdenum, titanium, tungsten, and nitrogen. These elements are elements useful for imparting the necessary conductivity to the catalyst electrode for generating ozone water, and when added to the DLC film, generate electrons and holes that bear charges. These elements may be used alone or in combination of two or more. Among these, boron is an element that is usually used to make diamond conductive diamond, but other elements (other than boron) are not usually used, and are elements that are particularly added to obtain conductive DLC. .

上記(b)では、DLC膜中に含まれる水素の平均濃度は、おおむね、1原子%〜20原子%程度であることが好ましい。後に詳しく説明するように、DLC膜への水素の導入は、例えば、プラズマCVD法などによって行なわれるため、DLC膜中の水素は、膜の最表面で最も高く、最表面から膜内部に向かって水素濃度が減少するような濃度分布を有している。水素の平均濃度が1原子%未満の場合、オゾン生成用電極として使用するには導電性が不充分であり、一方、20原子%を超える場合、機械強度が低下するなどの問題がある。水素の平均濃度の好ましい範囲は、おおむね、5原子%以上15原子%以下である。   In the above (b), the average concentration of hydrogen contained in the DLC film is preferably about 1 atom% to 20 atom%. As will be described in detail later, since introduction of hydrogen into the DLC film is performed by, for example, a plasma CVD method or the like, hydrogen in the DLC film is highest on the outermost surface of the film and from the outermost surface toward the inside of the film It has a concentration distribution that reduces the hydrogen concentration. When the average concentration of hydrogen is less than 1 atomic%, the conductivity is insufficient for use as an electrode for ozone generation. On the other hand, when it exceeds 20 atomic%, there is a problem that the mechanical strength is lowered. A preferable range of the average concentration of hydrogen is approximately 5 atomic% or more and 15 atomic% or less.

DLC膜は、上記(a)の方法を用いた場合は、添加する導電性付与成分以外は、実質的に炭素のみからなるが、上記(b)の方法を用いた場合には、実質的に炭素と水素のみからなる。ここで、「実質的に炭素のみからなる」とは、炭素と、DLCの成膜上混入が避けられない不可避不純物と、からなることを意味しており、DLC膜中の水素濃度は、最大でも、おおむね、1原子%以下に制御されているものを意味している。一方、「実質的に炭素と水素のみからなる」とは、炭素と、水素と、DLCの成膜上混入が避けられない不可避不純物と、からなることを意味しており、DLC膜中の水素濃度は、上記(b)に記載したとおり、おおむね、1原子%〜20原子%程度である。   When the method (a) is used, the DLC film is substantially composed of carbon except for the conductivity-imparting component to be added. However, when the method (b) is used, the DLC film is substantially It consists only of carbon and hydrogen. Here, “consisting essentially of carbon” means that it consists of carbon and inevitable impurities that cannot be avoided in the film formation of DLC, and the hydrogen concentration in the DLC film is the maximum. However, it generally means that it is controlled to 1 atom% or less. On the other hand, “consisting essentially of carbon and hydrogen” means that it consists of carbon, hydrogen, and unavoidable impurities that cannot be avoided in the film formation of DLC. As described in the above (b), the concentration is about 1 atom% to 20 atom%.

また、導電性薄膜の表面は、水素化、または酸素化若しくはハロゲン化されていることが好ましい。前者(表面の水素化)によれば、DLC膜の導電性が向上する。後者(表面の酸素化またはハロゲン化)によれば、耐酸化性が高められてオゾン耐性が向上し、オゾン生成用電極の寿命が延長する。オゾン水生成環境下では、陽極材料(薄膜材料)は過酷な酸化雰囲気に曝され、容易に酸化されて水中に溶出してしまうため、これまでにも、例えば、ダイヤモンド膜を用いた場合には、表面の酸素化によって耐酸化性を高めたりすることは行なわれていたが、ハロゲンのような大きな分子を導入することは困難であった。これに対し、本発明で対象とするDLC膜では、表面のハロゲン化を容易に行うことができ、結果的にオゾン耐性が向上する。   The surface of the conductive thin film is preferably hydrogenated, oxygenated or halogenated. According to the former (surface hydrogenation), the conductivity of the DLC film is improved. According to the latter (surface oxygenation or halogenation), the oxidation resistance is enhanced, the ozone resistance is improved, and the life of the ozone generating electrode is extended. In an ozone water generation environment, the anode material (thin film material) is exposed to a harsh oxidizing atmosphere and easily oxidized and eluted into water. For example, when using a diamond film, However, it has been difficult to introduce large molecules such as halogens, although the oxidation resistance has been improved by oxygenation of the surface. On the other hand, in the DLC film which is an object of the present invention, the surface can be easily halogenated, and as a result, ozone resistance is improved.

導電性薄膜の好ましい平均厚さは、導電性薄膜が陽極基材である金属基材に成膜されているか、固体高分子電解質膜に成膜されているかによって、若干相違する。   The preferable average thickness of the conductive thin film is slightly different depending on whether the conductive thin film is formed on a metal substrate which is an anode substrate or a solid polymer electrolyte membrane.

前者の場合、すなわち、陽極基材である金属基材の少なくとも一部を覆うように導電性DLC膜が成膜されている場合、上記導電性薄膜の平均厚さは、おおむね、0.01〜1μmの範囲内であることが好ましい。これにより、DLC膜の残留内部応力と電気抵抗を低く保ちつつ、優れたオゾン水生成作用を発揮させることができる。上記導電性薄膜の平均厚さが0.01μmの場合、連続した被覆膜が得られず、一方、1μmを超えると剥離しやすく、電気抵抗が増大するなどの問題がある。導電性薄膜の好ましい平均厚さは、おおむね、0.3〜0.4μmである。   In the former case, that is, when the conductive DLC film is formed so as to cover at least a part of the metal substrate that is the anode substrate, the average thickness of the conductive thin film is generally about 0.01 to It is preferable to be in the range of 1 μm. Thereby, the outstanding ozone water production | generation effect | action can be exhibited, keeping the residual internal stress and electrical resistance of a DLC film low. When the average thickness of the conductive thin film is 0.01 μm, a continuous coating film cannot be obtained. On the other hand, when the average thickness exceeds 1 μm, there is a problem that peeling tends to occur and electrical resistance increases. A preferable average thickness of the conductive thin film is approximately 0.3 to 0.4 μm.

後者の場合、すなわち、固体高分子電解質膜の少なくとも一部を覆うように導電性DLC膜が成膜されている場合、上記導電性薄膜の平均厚さは、おおむね、0.01〜0.4μmの範囲内であることが好ましい。上記導電性薄膜の平均厚さが0.01μmの場合、電極面積が小さいため、オゾン生成能が低く、一方、0.4μmを超えると、固体高分子電解質膜と水との接触面積が小さくなり、オゾン生成能が低くなる。上記導電性薄膜の好ましい平均厚さは、おおむね、0.1〜0.3μmである。   In the latter case, that is, when the conductive DLC film is formed so as to cover at least a part of the solid polymer electrolyte membrane, the average thickness of the conductive thin film is generally 0.01 to 0.4 μm. It is preferable to be within the range. When the average thickness of the conductive thin film is 0.01 μm, the electrode area is small, so the ozone generating ability is low. On the other hand, when it exceeds 0.4 μm, the contact area between the solid polymer electrolyte membrane and water is small , Ozone generation ability is lowered. A preferable average thickness of the conductive thin film is about 0.1 to 0.3 μm.

以上、本発明に用いられる導電性薄膜(DLC膜)について説明した。   The conductive thin film (DLC film) used in the present invention has been described above.

本発明のオゾン水製造装置は、固体高分子電解質膜(プロトン透過膜)と、固体高分子電解質膜を挟んで対向するように配置された陽極電極および陰極電極と、を備えており、陽極電極は、前述した導電性DLC薄膜を有している。導電性DLC薄膜は、陽極基材または固体高分子電解質膜の少なくとも一部を覆うように形成されている。   The ozone water production apparatus of the present invention includes a solid polymer electrolyte membrane (proton permeable membrane), and an anode electrode and a cathode electrode disposed so as to face each other with the solid polymer electrolyte membrane interposed therebetween. Has the conductive DLC thin film described above. The conductive DLC thin film is formed so as to cover at least a part of the anode base material or the solid polymer electrolyte membrane.

以下、図面を参照しながら、本発明装置の好ましい実施形態を説明する。図10は、本発明の第1および第2の実施形態に係るオゾン水製造装置を模式的に示す概略図であり、図4および図7は、それぞれ、図10中、Aの要部拡大図である。図4は、第1の実施形態に係る要部拡大図であり、図7は第2の実施形態に係る要部拡大図である。   Hereinafter, preferred embodiments of the device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 10 is a schematic view schematically showing an ozone water production apparatus according to the first and second embodiments of the present invention, and FIGS. 4 and 7 are enlarged views of the main part A in FIG. 10, respectively. It is. FIG. 4 is an enlarged view of relevant parts according to the first embodiment, and FIG. 7 is an enlarged view of relevant parts according to the second embodiment.

(第1の実施形態)
まず、図10を参照しながら、本実施形態におけるオゾン水製造装置の基本構成およびオゾン水の生成原理を説明する。
(First embodiment)
First, the basic configuration of the ozone water production apparatus and the principle of ozone water generation in this embodiment will be described with reference to FIG.

図10に示すように、オゾン水製造装置20は、固体高分子電解質膜11によって陽極室12と陰極室13に仕切られており、陽極室12側の固体高分子電解質膜面には、オゾン発生触媒機能を有する貴金属(白金など)の陽極電極が、陰極室13側の固体高分子電解質膜面には、貴金属(白金、銀など)の陰極電極がそれぞれ、接触して配置されている。陽極室12および陰極室13には、それぞれ、原料水が流れる流路24が設置されており、陽極電極と陰極電極との間は直流電源を接続して構成されている。陽極電極と陰極電極との間に直流電流を通電させると、固体高分子電解質膜を挟んだ状態で陽極用貴金属触媒と陰極用貴金属触媒の間で水の電気分解が起こり、陽極電極側には酸素とオゾンが、陰極電極側には水素が夫々発生し、陽極電極側で発生したオゾンは、水中に溶解してオゾン水が得られるようになる。原料水は、陰極側よりも陽極側に多く流れるように、流路に設けられたバルブによって調節している。高濃度のオゾン水を効率よく得るために、陽極電極および陰極電極のそれぞれにはコンプレッサ(図示せず)が設置されており、これにより、固体高分子電解質膜に均一に圧接されるようになる。   As shown in FIG. 10, the ozone water production apparatus 20 is divided into an anode chamber 12 and a cathode chamber 13 by a solid polymer electrolyte membrane 11, and ozone is generated on the surface of the solid polymer electrolyte membrane on the anode chamber 12 side. An anode electrode of a noble metal (platinum or the like) having a catalytic function is arranged in contact with a cathode electrode of a noble metal (platinum, silver or the like) on the surface of the solid polymer electrolyte membrane on the cathode chamber 13 side. The anode chamber 12 and the cathode chamber 13 are each provided with a flow path 24 through which raw material water flows, and a DC power source is connected between the anode electrode and the cathode electrode. When a direct current is passed between the anode electrode and the cathode electrode, water electrolysis occurs between the noble metal catalyst for the anode and the noble metal catalyst for the cathode with the solid polymer electrolyte membrane sandwiched between them. Oxygen and ozone are generated on the cathode electrode side, and ozone generated on the anode electrode side is dissolved in water to obtain ozone water. The raw water is adjusted by a valve provided in the flow path so that more raw water flows on the anode side than on the cathode side. In order to efficiently obtain high-concentration ozone water, each of the anode electrode and the cathode electrode is provided with a compressor (not shown), so that it is uniformly pressed against the solid polymer electrolyte membrane. .

次に、図4を参照する。陽極室12は、固体高分子電解質膜11から外側に向かって、金属基材の少なくとも一部を覆うように導電性DLC膜が形成された陽極電極12aと、耐食性のチタン製ラス網12bと、オゾン耐性の陽極ジャケット12cとがこの順序で配置されている。ここでは、高濃度のオゾン水を連続的に効率よく得るため、陽極電極12aの外周面にラス網が重ねられた構成の装置を用いたが、本発明は、これに限定する趣旨では決してない。   Reference is now made to FIG. The anode chamber 12 has an anode electrode 12a in which a conductive DLC film is formed so as to cover at least a part of the metal substrate from the solid polymer electrolyte membrane 11 to the outside, a corrosion-resistant titanium lath net 12b, The ozone-resistant anode jacket 12c is arranged in this order. Here, in order to obtain high-concentration ozone water continuously and efficiently, an apparatus having a lath net superimposed on the outer peripheral surface of the anode electrode 12a is used. However, the present invention is not intended to be limited to this. .

詳細には、陽極電極12aは、図5に示すように金属製線材dを編状に編んだ金網に、前述した導電性DLC薄膜が成膜された構成を有している。ラス網12bは、金属板に多数のスリットを千鳥状に設け、このスリットが網目となるように引き伸ばして形成されたものであり、例えば、図6に示す構造を有している。ラス網と導電性DLC薄膜が成膜された金網とは、ほぼ同じ大きさからなる。   Specifically, the anode electrode 12a has a configuration in which the above-described conductive DLC thin film is formed on a metal mesh obtained by knitting a metal wire d as shown in FIG. The lath net 12b is formed by providing a large number of slits in a staggered pattern on a metal plate and extending the slits so as to form a net, and has, for example, the structure shown in FIG. The lath net and the metal net on which the conductive DLC thin film is formed have substantially the same size.

一方、陰極室13は、白金網の陰極電極13aと、チタン製のラス網13bと、オゾン耐性の陰極ジャケット13cとを備えている。本実施形態の特徴は陽極部分にあり、陰極室は従来と同じものを採用すれば良いため、詳細な説明は省略する。   On the other hand, the cathode chamber 13 includes a platinum mesh cathode electrode 13a, a titanium lath mesh 13b, and an ozone resistant cathode jacket 13c. The feature of this embodiment resides in the anode portion, and the cathode chamber may be the same as the conventional one, so that detailed description is omitted.

本実施形態では、導電性薄膜として導電性DLC膜を用いたところに特徴がある。導電性DLC膜は、必ずしも、陽極基材である金網の全周囲を覆うように形成されている必要はなく、所望とする高濃度のオゾン水が得られる程度に、金網の少なくとも一部を被覆するように形成されていれば良い。被覆率は、おおむね50%以上であることが好ましい。   This embodiment is characterized in that a conductive DLC film is used as the conductive thin film. The conductive DLC film does not necessarily need to be formed so as to cover the entire circumference of the wire mesh that is the anode base material, and covers at least a part of the wire mesh to the extent that desired high-concentration ozone water can be obtained. It suffices if it is formed so as to. The coverage is preferably about 50% or more.

本実施形態に用いられる金属基材(陽極基材)や固体高分子電解質膜の種類は特に限定されず、おおむね、従来のオゾン生成用電極に用いられているものを採用することができる。   The type of metal substrate (anode substrate) or solid polymer electrolyte membrane used in the present embodiment is not particularly limited, and those generally used for conventional ozone generation electrodes can be employed.

陽極基材としては、チタン、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、イリジウム、金等の通常用いられる金属基材のほか、アルミニウムのように、ダイヤモンド膜の製造に当たっては使用できなかった低融点金属も用いることができる。好ましい金属基材は、チタンやモリブデンなどの弁金属、アルミニウム、またはこれらの合金である。これらを金属基材として使用すると、オゾン水生成環境において、当該電極の表面にはこれらの酸化膜が容易に形成されるため、金属基材のほぼ全面にDLC膜を被覆することができる。その結果、金属基材表面で非効率な電解反応が進行することもなく、オゾン水生成反応が効率よくDLC膜表面で進むようになる。   As the anode substrate, titanium, zirconium, niobium, tantalum, molybdenum, tungsten, platinum, palladium, iridium, gold and other commonly used metal substrates cannot be used in the production of diamond films, such as aluminum. Also low melting point metals can be used. A preferred metal substrate is a valve metal such as titanium or molybdenum, aluminum, or an alloy thereof. When these are used as a metal substrate, these oxide films are easily formed on the surface of the electrode in an ozone water generating environment, so that the entire surface of the metal substrate can be covered with the DLC film. As a result, the inefficient electrolytic reaction does not proceed on the metal substrate surface, and the ozone water generation reaction proceeds efficiently on the DLC film surface.

陽極基材としては、折り網やラス網などの網状、ポーラス状、多孔質状(網やパンチングメタル、エキスパンドメタルなどのように孔が貫通しているもの)の基材を用いることが好ましい。本実施形態のように、金属製金網にラス網を重ねて使用することにより、オゾン水生成原料である水との接液面積が大きくなるだけでなく、DLC膜の金属基材への密着力も向上するようになる。DLC膜の残留内部応力は一般に大きいため、平板への密着性は必ずしも良好ではないが、基材を上記のように網状や多孔質状などにすることによって大きな密着力が得られるようになる。具体的には、金属基材の形状を、網状、ポーラス状、多孔質状の板、管、棒とすることが好ましい。この場合、金属基材の厚みや径は、約0.1〜100μmの範囲内であることが好ましい。金属基材の厚みや径が0.1μm未満の場合、使用した金属などが表面に露出して電解効率が低下し、一方、100μmを超えても、オゾン生成能向上効果は得られない。   As the anode substrate, it is preferable to use a substrate having a net shape such as a folded net or a lath net, a porous shape, or a porous shape (having holes penetrating like a net, a punching metal, or an expanded metal). As in the present embodiment, by using a lath net on a metal wire net, not only the contact area with water, which is a raw material for generating ozone water, is increased, but also the adhesion of the DLC film to the metal substrate is increased. To improve. Since the residual internal stress of the DLC film is generally large, the adhesion to the flat plate is not necessarily good, but a large adhesion can be obtained by making the substrate net-like or porous as described above. Specifically, the shape of the metal substrate is preferably a net-like, porous, or porous plate, tube, or rod. In this case, the thickness and diameter of the metal substrate are preferably in the range of about 0.1 to 100 μm. When the thickness or diameter of the metal substrate is less than 0.1 μm, the used metal or the like is exposed on the surface and the electrolysis efficiency is lowered. On the other hand, even if it exceeds 100 μm, the effect of improving the ozone generating ability cannot be obtained.

本発明に用いられる固体高分子電解質膜(イオン交換膜)は特に限定されないが、例えば、オゾン耐性に優れたフッ素系陽イオン交換膜が好適に用いられる。   The solid polymer electrolyte membrane (ion exchange membrane) used in the present invention is not particularly limited. For example, a fluorine-based cation exchange membrane excellent in ozone resistance is preferably used.

(第2の実施形態)
図7は、本発明の第2の実施形態に係るオゾン水製造装置の要部拡大図である。陽極電極は、固体高分子電解質膜の少なくとも一部を覆うように導電性DLC膜が成膜された構成を有している。ここでは、高濃度のオゾン水を連続的に効率よく得るため、陽極電極の外周面にラス網が重ねられた構成の装置を用いたが、本発明は、これに限定する趣旨では決してない。
(Second Embodiment)
FIG. 7 is an enlarged view of a main part of an ozone water production apparatus according to the second embodiment of the present invention. The anode electrode has a configuration in which a conductive DLC film is formed so as to cover at least a part of the solid polymer electrolyte membrane. Here, in order to obtain high-concentration ozone water continuously and efficiently, an apparatus having a lath net superimposed on the outer peripheral surface of the anode electrode is used. However, the present invention is not intended to be limited to this.

本実施形態のオゾン水製造装置は、導電性DLC膜が、金属基材を介さずに固体高分子電解質膜に直接形成されている点でのみ、前述した図4に示す第1の実施形態と異なっている。両者を対比すると、本実施形態では、第1の実施形態における金網がない。   The ozone water production apparatus of this embodiment is different from that of the first embodiment shown in FIG. 4 described above only in that the conductive DLC film is directly formed on the solid polymer electrolyte membrane without a metal substrate. Is different. When both are compared, in this embodiment, there is no wire mesh in the first embodiment.

詳細には、本実施形態において、陽極電極12aは、固体高分子電解質膜11の表面に導電性DLC薄膜が成膜された構成を有している。本実施形態によれば、前述した第1の実施形態に比べ、高濃度のオゾン水が得られるほか、電気抵抗が低いなどの点で優れている(後記する実施例を参照)。   Specifically, in the present embodiment, the anode electrode 12 a has a configuration in which a conductive DLC thin film is formed on the surface of the solid polymer electrolyte membrane 11. According to the present embodiment, compared to the first embodiment described above, high-concentration ozone water is obtained and the electrical resistance is low, and the like (see the examples described later).

以上、本発明のオゾン生成用電極について説明した。   The ozone generation electrode of the present invention has been described above.

次に、上記のオゾン生成用電極を製造する方法について説明する。   Next, a method for producing the above-described ozone generating electrode will be described.

DLC膜は、高周波プラズマCVD、マイクロ波プラズマCVD法、直流プラズマCVD法、熱フィラメントCVD法、プラズマジェット法、熱CVD法などの化学気相成長法(CVD法)や、スパッタリング法、イオン化蒸着法などの物理気相成長法(PVD法)などの公知の方法によって成膜することができる。上記のうち、プラズマCVD法は、基材温度(成膜温度)がおおむね、室温〜200℃と低く、複雑形状でも均一に成膜しやすいこと、処理時間が比較的短いなど、工業的な利点が多い。   The DLC film is formed by chemical vapor deposition (CVD) such as high-frequency plasma CVD, microwave plasma CVD, direct current plasma CVD, hot filament CVD, plasma jet, or thermal CVD, sputtering, or ionized vapor deposition. The film can be formed by a known method such as physical vapor deposition (PVD method). Among the above, the plasma CVD method has industrial advantages such as a substrate temperature (film formation temperature) generally low, from room temperature to 200 ° C., easy to form a uniform film even in a complicated shape, and a relatively short processing time. There are many.

本発明では、上述した成膜法をそのまま適用するのではなく、特に、(ア)DLC膜に導電性を付与するために、導電性付与成分を原料ガス中に添加してDLC膜中に導電性付与成分を導入したり、プラズマCVD法における成膜時に原料ガスに水素を添加して膜表面に水素を偏析させる、(イ)大電流・大流量・過酷な酸化雰囲気の電解条件に耐えられることが可能な良好な密着性(金属基材や固体高分子電解質膜との密着性)と、酸素を主成分とする気泡の発生などの機械的ストレスに対する良好な耐久性(膜平滑性)を両立させるため、成膜時の入射エネルギーを制御する、(ウ)オゾン耐性を高め、電解時に薄膜が酸化して溶出しないように、微量の酸素やハロゲンなどを含む雰囲気中で成膜する、といった特別な手段を施している。   In the present invention, the above-described film forming method is not applied as it is. In particular, (a) in order to impart conductivity to the DLC film, a conductivity-imparting component is added to the source gas so that the DLC film is electrically conductive. Introduce property-imparting components, or add hydrogen to the source gas during film formation in the plasma CVD method to segregate hydrogen on the surface of the film. (B) It can withstand electrolytic conditions in large currents, large flow rates, and severe oxidizing atmosphere Good adhesion (adhesion with metal substrates and solid polymer electrolyte membranes) and good durability against mechanical stress such as the generation of bubbles mainly composed of oxygen (membrane smoothness) In order to achieve both, the incident energy during film formation is controlled, (c) the ozone resistance is increased, and the film is formed in an atmosphere containing a small amount of oxygen or halogen so that the thin film is not oxidized and eluted during electrolysis. Special measures are taken

以下、上記(ア)〜(ウ)について、詳細に説明する。   Hereinafter, the above (a) to (c) will be described in detail.

(ア)導電性付与手段
DLC膜中に導電性付与成分を添加して導電性を発現させる場合、CVD法およびPVD法のいずれも採用することができる。
(A) Conductivity imparting means When a conductivity imparting component is added to the DLC film to develop conductivity, both the CVD method and the PVD method can be employed.

一方、膜表面に水素を偏析させて導電性を発現させる場合には、プラズマCVD法などのCVD法を用いることが好ましく、原料ガス中に水素を少なくとも約10原子%添加することが好ましい。水素濃度は多い程良く、例えば、95原子%以上添加することがより好ましい。   On the other hand, in the case where hydrogen is segregated on the film surface to develop conductivity, it is preferable to use a CVD method such as a plasma CVD method, and it is preferable to add at least about 10 atomic% of hydrogen to the source gas. The higher the hydrogen concentration, the better. For example, it is more preferable to add 95 atomic% or more.

ここで、成膜時の基材表面温度は、おおむね、500K以下(約127℃以下)の低温域に制御するか、または、800〜1000K(約527〜727℃)の高温域に制御することが好ましい。これにより、膜表面の水素濃度が高く、膜内部に向かうにつれて水素濃度が低くなる濃度勾配を有するDLC膜が効率よく得られる。ダイヤモンド膜の成膜法と異なるのは、DLC膜では、後者のように高温域で成膜できるだけでなく、前者のように低温下でも成膜できる点である。   Here, the substrate surface temperature during film formation is generally controlled to a low temperature range of 500 K or less (about 127 ° C. or less) or to a high temperature range of 800 to 1000 K (about 527 to 727 ° C.). Is preferred. Thereby, a DLC film having a concentration gradient in which the hydrogen concentration on the film surface is high and the hydrogen concentration decreases toward the inside of the film can be obtained efficiently. The difference from the diamond film formation method is that the DLC film can be formed not only in the high temperature range as in the latter but also in the low temperature as in the former.

(イ)膜の平滑性向上・基材との密着性向上手段
DLC膜の平滑性を高め、基材(金属基材または固体高分子電解質膜)との密着性を高めるため、成膜時の入射エネルギーは、おおむね、2〜20eVの範囲内(より好ましくは10〜15eVの範囲内)に制御することが好ましい。DLCの成膜時における入射エネルギーは、おおむね、PVD法では約0.1eV程度であり、CVD法では約1eV程度であるのに対し、本発明法では、入射エネルギーを比較的高く設定している。本発明では、成膜初期段階は勿論のこと、成膜表面仕上げ段階に至るまでの間、入射エネルギーを上記のように比較的高く保って成膜過程でのカーボン前駆体に充分なエネルギーを付与しているため、基材温度を約800〜1000Kの高温域に保持した場合は勿論のこと、基材温度を約500K以下の低温域に保持した場合でも、良好な平滑面が形成されるようになる。
(I) Means for improving film smoothness / adhesion with substrate In order to increase the smoothness of the DLC film and improve the adhesion with the substrate (metal substrate or solid polymer electrolyte membrane), It is preferable to control the incident energy within a range of 2 to 20 eV (more preferably within a range of 10 to 15 eV). The incident energy during the deposition of DLC is generally about 0.1 eV in the PVD method and about 1 eV in the CVD method, whereas the incident energy is set relatively high in the method of the present invention. . In the present invention, not only the initial stage of film formation but also the surface finishing stage of film formation, the incident energy is kept relatively high as described above to give sufficient energy to the carbon precursor in the film formation process. Therefore, not only when the substrate temperature is kept in a high temperature range of about 800 to 1000 K, but also when the substrate temperature is kept at a low temperature range of about 500 K or less, a good smooth surface is formed. become.

また、基材とDLC膜との密着性を高めるためには、基材表面を予めショットブラストで疎面化(平均粗度:約100nm以下)することも有用である。   In order to improve the adhesion between the base material and the DLC film, it is also useful to make the base material surface rough with shot blasting beforehand (average roughness: about 100 nm or less).

(ウ)オゾン耐性向上手段
オゾン耐性を高めるため、酸素や酸素含有物質(具体的には、アセトン、エタノール、CO、CO2)などを含む雰囲気中で成膜することが好ましい。具体的には、原料ガス中の炭素濃度に対して約0.01〜2原子%の酸素を添加することが好ましい。また、オゾン耐性を高めるため、CF4、CCl4などのハロゲン化炭素を含む雰囲気中で成膜しても良い。具体的には、原料ガス中の炭素濃度に対して約0.01〜1.0原子%のハロゲンを添加することが好ましい。このような手段を施すことにより、耐オゾン性の劣る成分は成膜中にエッチング除去され、耐オゾン水耐性に優れたDLC膜が得られるようになる。
(C) Ozone resistance improving means In order to increase ozone resistance, it is preferable to form a film in an atmosphere containing oxygen or an oxygen-containing substance (specifically, acetone, ethanol, CO, CO 2 ) or the like. Specifically, it is preferable to add about 0.01 to 2 atomic% of oxygen with respect to the carbon concentration in the raw material gas. Further, in order to increase ozone resistance, the film may be formed in an atmosphere containing carbon halide such as CF 4 or CCl 4 . Specifically, it is preferable to add about 0.01 to 1.0 atomic% of halogen with respect to the carbon concentration in the raw material gas. By applying such means, components having inferior ozone resistance are removed by etching during film formation, and a DLC film having excellent resistance to ozone water can be obtained.

以下、本発明に用いられる導電性DLC膜の代表的な成膜法である(I)スパッタリング法、(II)熱フィラメントCVD法、(III)マイクロ波プラズマCVD法の実施形態について、具体的に説明する。   Hereinafter, embodiments of (I) sputtering method, (II) hot filament CVD method, and (III) microwave plasma CVD method, which are representative film forming methods of the conductive DLC film used in the present invention, will be specifically described. explain.

(I)スパッタリング法
反応容器内に複数個のグラファイトターゲットを配置し、ターゲットの中心点を中心としてターゲット間で回転する基材支持台に金属基材を装着する。後記する実施例では、金属基材としてモリブデン金属基材を用いたが、これに限定されず、前述したTiなどの弁金属、Al、これらの合金を用いることができる。金属基材は網状に加工されていてもよいし、多孔質状であってもよい。また、ターゲットとして、オゾン耐性向上成分であるハロゲンや酸素、導電性付与成分である水素を含むターゲットを用いても良い。
(I) Sputtering Method A plurality of graphite targets are placed in a reaction vessel, and a metal substrate is mounted on a substrate support that rotates between targets around the center point of the target. In the examples described later, a molybdenum metal substrate is used as the metal substrate. However, the present invention is not limited to this, and the above-described valve metals such as Ti, Al, and alloys thereof can be used. The metal substrate may be processed into a net shape or may be porous. Further, as the target, a target containing halogen or oxygen which is an ozone resistance improving component, or hydrogen which is a conductivity providing component may be used.

次に、金属基材の温度を約400Kに制御し、反応容器内の真空度を約5×10−3Paの雰囲気に制御した後、Arガスを反応容器内の供給口から導入し、約2×10−1Paの雰囲気に保持しながら、バイアス電源により基材支持台に約−1000Vの直流電圧を印加して基材表面を処理した後、アルゴンガスを反応容器内の排気口から一旦排気する。ここでは、基材の温度を約400Kの低温域に設定したが、約800〜1000Kの高温域に設定しても良い。 Next, after controlling the temperature of the metal substrate to about 400 K and controlling the degree of vacuum in the reaction vessel to an atmosphere of about 5 × 10 −3 Pa, Ar gas is introduced from the supply port in the reaction vessel, and about While maintaining the atmosphere of 2 × 10 −1 Pa, the substrate surface was treated by applying a direct current voltage of about −1000 V to the substrate support with a bias power source, and then argon gas was temporarily discharged from the exhaust port in the reaction vessel. Exhaust. Here, the temperature of the base material is set to a low temperature range of about 400K, but may be set to a high temperature range of about 800 to 1000K.

次いで、反応容器内に再度Arガスを導入しながら、放電によりグラファイトターゲットを蒸発・イオン化させることにより、基材表面にDLCを成膜する。成膜時の入射エネルギーは、約2〜20eVとし、ガス圧は、約0.1Paの範囲内に制御する。その際、導電性を付与するために、B供給源として、ジボラン(BH)やトリメチルボロン[B(CH]などの成分をArガス中に添加しても良い。また、ArガスにCH4などの炭化水素ガスを導入して表面に水素を偏析させるようにしてもよい。成膜中、直流バイアス電圧は、負の数百Vに、基材表面温度は約400Kに保持する。ここでは、基材の表面温度を約400Kの低温域に設定したが、約800〜1000Kの高温域に設定しても良い。 Next, DLC is formed on the surface of the substrate by evaporating and ionizing the graphite target by discharge while introducing Ar gas again into the reaction vessel. The incident energy during film formation is about 2 to 20 eV, and the gas pressure is controlled within a range of about 0.1 Pa. At that time, components such as diborane (BH 3 ) and trimethylboron [B (CH 3 ) 3 ] may be added to the Ar gas as a B supply source in order to impart conductivity. Further, hydrocarbon gas such as CH 4 may be introduced into Ar gas to segregate hydrogen on the surface. During film formation, the DC bias voltage is maintained at a negative several hundred volts and the substrate surface temperature is maintained at about 400K. Here, the surface temperature of the substrate is set to a low temperature range of about 400K, but may be set to a high temperature range of about 800 to 1000K.

(II)熱フィラメントCVD法
熱フィラメントCVD法では、フィラメント温度を約250K以下、ガス圧力を約4〜20kPa、試料表面温度(成膜温度)を約800〜1000K、入射エネルギーを約2〜20eVの範囲内に制御し、原料ガスとして、水素ガスとメタンガスの混合ガス(メタンガス濃度:0.1〜10原子%、ガス総流量:約1000cc/min)に制御してDLC膜を成膜することが好ましい。また、DLC膜に導電性を付与するため、B供給源として、ジボランやトリメチルボロンなどの成分を上記の混合ガス中に添加しても良い。B濃度は、混合ガス中の炭素濃度に対して約100〜1000ppmの範囲内に制御することが好ましい。
(II) Hot filament CVD method In the hot filament CVD method, the filament temperature is about 250 K or less, the gas pressure is about 4 to 20 kPa, the sample surface temperature (film formation temperature) is about 800 to 1000 K, and the incident energy is about 2 to 20 eV. The DLC film can be formed by controlling within the range and controlling the mixed gas of hydrogen gas and methane gas (methane gas concentration: 0.1 to 10 atomic%, total gas flow rate: about 1000 cc / min) as the source gas. preferable. In order to impart conductivity to the DLC film, a component such as diborane or trimethylboron may be added to the mixed gas as a B supply source. The B concentration is preferably controlled within a range of about 100 to 1000 ppm with respect to the carbon concentration in the mixed gas.

(III)マイクロ波プラズマCVD法
まず、ダイヤモンド膜を気相合成する前に、基材はアルコールなどで洗浄したり、あるいは、ダイヤモンド粉末又はダイヤモンドペーストを用い、表面研磨による傷つけ処理又は超音波処理による傷つけ処理を施すことが好ましい。次いで、基材を反応容器内に設置した後、反応容器内を真空引きする。次に、原料ガス供給部から原料ガスを反応容器内に供給し、原料ガスの混合比及び反応容器内のガス圧が一定になった後、反応容器内にマイクロ波を導入し、基材支持台上に載置された基材の近傍にプラズマを発生させる。その際、原料ガス中にBHなどの導電性付与成分を導入することにより、導電性DLC膜を得ることができる。原料ガスは、プラズマにより分解され、その一部が基材上にダイヤモンド膜として蒸着され、残部は、排気バルブにより配管を通して排出される。チャンバ内の圧力は原料ガスの供給量及びチャンバ内の排気量によって制御することができる。また、基材支持台が水冷されることにより、基材が背面から冷却されるが、マイクロ波パワーとのバランスにより、ダイヤモンド薄膜の気相合成中は一定の温度に保持される。
(III) Microwave plasma CVD method First, before vapor-phase synthesis of a diamond film, the base material is washed with alcohol or the like, or by using a diamond powder or a diamond paste, by surface-polishing or ultrasonic treatment. It is preferable to perform a damage treatment. Next, after the substrate is placed in the reaction vessel, the reaction vessel is evacuated. Next, the raw material gas is supplied from the raw material gas supply unit into the reaction vessel, and after the mixing ratio of the raw material gas and the gas pressure in the reaction vessel become constant, the microwave is introduced into the reaction vessel and the substrate is supported. Plasma is generated in the vicinity of the substrate placed on the table. At that time, a conductive DLC film can be obtained by introducing a conductivity-imparting component such as BH 3 into the source gas. The source gas is decomposed by plasma, a part thereof is deposited as a diamond film on the substrate, and the remaining part is discharged through a pipe by an exhaust valve. The pressure in the chamber can be controlled by the supply amount of the source gas and the exhaust amount in the chamber. Moreover, although a base material is cooled from the back by water-cooling a base-material support stand, it is hold | maintained at constant temperature during the gas-phase synthesis | combination of a diamond thin film by balance with a microwave power.

本発明では、上記の成膜手段を用い、金属基材表面に導電性DLC膜を成膜しても良く、これにより、第1の実施形態に示す陽極電極が得られる。   In the present invention, a conductive DLC film may be formed on the surface of the metal substrate using the film forming means described above, whereby the anode electrode shown in the first embodiment is obtained.

あるいは、金属基材を介さず、固体高分子電解質膜表面に直接DLC膜を成膜しても良く、これにより、第2の実施形態に示す陽極電極が得られる。この場合の成膜方法としては、特に、スパッタリング法[特にアンバランスマグネトロンスパッタリング(UBMS)法]を採用することが好ましい。具体的には、UBMS法により200℃以下で成膜し、DLC膜と固体高分子電解質膜が一体となったものを作製する。これにより、固体高分子電解質膜に対して緻密で高硬度のDLC膜が形成される。また、固体高分子電解質膜およびDLC膜が全体的に均一に接触するため、それぞれの表面積を有効に活用することができる。   Alternatively, a DLC film may be formed directly on the surface of the solid polymer electrolyte membrane without using a metal substrate, thereby obtaining the anode electrode shown in the second embodiment. As a film forming method in this case, it is particularly preferable to employ a sputtering method [particularly, an unbalanced magnetron sputtering (UBMS) method]. Specifically, a film is formed at 200 ° C. or less by the UBMS method, and a DLC film and a solid polymer electrolyte film are integrated. As a result, a dense and hard DLC film is formed with respect to the solid polymer electrolyte membrane. Further, since the solid polymer electrolyte membrane and the DLC membrane are uniformly contacted as a whole, the respective surface areas can be effectively utilized.

参考のため、図8および図9を参照しながら、通常のスパッタリング法とUBMスパッタリング法とを対比して説明する。   For reference, the normal sputtering method and the UBM sputtering method will be described with reference to FIGS. 8 and 9.

図8は、通常のスパッタリング法におけるカソードの構造を示す図である。図8に示すように、通常のスパッタリング法では、丸形ターゲットの中心部および周辺部に、同じ磁気特性を有するフェライト磁石が配置されており、ターゲット材近傍に磁力線の閉ループが形成される。基板にバイアス電圧が印加されると、ターゲット材を構成する物質が基板上に形成される。図8では、フェライト磁石の例を示しているが、Sm系希土類磁石またはNd希土類磁石を用いてもよい。   FIG. 8 is a diagram showing the structure of the cathode in a normal sputtering method. As shown in FIG. 8, in a normal sputtering method, ferrite magnets having the same magnetic characteristics are arranged in the central part and the peripheral part of a round target, and a closed loop of magnetic lines of force is formed in the vicinity of the target material. When a bias voltage is applied to the substrate, a substance constituting the target material is formed on the substrate. Although FIG. 8 shows an example of a ferrite magnet, an Sm-based rare earth magnet or an Nd rare earth magnet may be used.

これに対し、UBMスパッタリング法では、図9に示すように、丸形ターゲットの中心部と周辺部とで、異なる磁気特性を有する磁石(図9では、中心部にフェライト磁石、周辺部にSmCo磁石)が配置されている。このように異なる磁石が配置されると、より強力な磁石によって発生する磁力線の一部が基板近傍まで達するようになる。その結果、この磁力線に沿ってスパッタリング時に発生したプラズマ(例えば、Arプラズマ)は、基板付近まで拡散するようになる。従って、UBMスパッタリング法によれば、通常のスパッタリングに比べ、基板付近まで達する上記磁力線に沿ってArイオンおよび電子が、より多く基板に到達するようになる(イオンアシスト効果)。そのため、UBMスパッタリング法を用いれば、緻密で高硬度なDLC膜を形成することが可能である。更に、UBMスパッタリング法を用いれば、均一な非晶質層を形成することができる。本発明では、特に、成膜温度をおおむね、200℃以下に制御することが好ましい。   On the other hand, in the UBM sputtering method, as shown in FIG. 9, a magnet having different magnetic properties at the center and the periphery of the round target (in FIG. 9, a ferrite magnet at the center and an SmCo magnet at the periphery). ) Is arranged. When different magnets are arranged in this way, part of the lines of magnetic force generated by a stronger magnet reaches the vicinity of the substrate. As a result, plasma (for example, Ar plasma) generated during sputtering along the lines of magnetic force diffuses to the vicinity of the substrate. Therefore, according to the UBM sputtering method, more Ar ions and electrons reach the substrate along the magnetic field lines reaching the vicinity of the substrate than the normal sputtering (ion assist effect). Therefore, if UBM sputtering is used, it is possible to form a dense and hard DLC film. Further, a uniform amorphous layer can be formed by using the UBM sputtering method. In the present invention, it is particularly preferable to control the film forming temperature to about 200 ° C. or less.

本発明のオゾン生成用電極を用いてオゾン水を生成するときの具体的な電解条件は、通水量、原水の電導率などによっても相違するが、おおむね、印加電圧3〜20V、電流密度0.05〜1.2A/cm2の範囲内に制御することが好ましい。 The specific electrolysis conditions when generating ozone water using the ozone generating electrode of the present invention differ depending on the amount of water flow, the conductivity of raw water, etc., but generally the applied voltage is 3 to 20 V and the current density is 0. It is preferable to control within the range of 05-1.2 A / cm < 2 >.

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらは何れも本発明の技術的範囲に含まれる。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited by the following examples, and is implemented with appropriate modifications within a range that can meet the purpose described above and below. Any of these may be included in the technical scope of the present invention.

実施例1
本実施例では、陽極電極(オゾン生成用電極)として、(A)網状のチタン基材表面に導電性DLC膜が成膜された本発明の第1のオゾン水製造装置と、(B)網状のチタン基材を用いず、固体高分子電解質膜の表面に直接導電性DLC膜が成膜された本発明の第2のオゾン水製造装置と、(C)白金網を用いた従来のオゾン水製造装置をそれぞれ使用したときのオゾン水濃度を比較検討した。
Example 1
In this example, as the anode electrode (ozone generating electrode), (A) the first ozone water production apparatus of the present invention in which a conductive DLC film was formed on the surface of a net-like titanium substrate; A second ozone water production apparatus of the present invention in which a conductive DLC film is directly formed on the surface of a solid polymer electrolyte membrane without using the titanium base material of the above, and (C) conventional ozone water using a platinum net The ozone water concentration when using each manufacturing device was compared.

(A)本発明の第1のオゾン水製造装置の製造
本発明の第1のオゾン水製造装置は、前述した図4と同じ構成を有している。すなわち、このオゾン水製造装置は、フッ素系陽イオン交換膜(厚さ:300ミクロン、サイズ:10cm×17cm)の固体高分子電解質膜11と、陽極室12と、陰極室13を備えている。陽極室12は、チタン製金網(サイズ:8cm×15cm、直径0.4mmの線を80メッシュに編んだもの)の全周囲を覆うように平均厚さ約0.4μmの導電性DLC膜(成膜法は後記する。)が成膜された陽極電極12aと、チタン製のラス網12b(厚さ1mmのチタン板を開口率50%、網目の大きさ約2cmの条件でラス網に加工したものであって、加工後の最大厚さ:約2.4mm、サイズ:8cm×15cm)と、オゾン耐性材からなる陽極ジャケット12cとを備えている。陰極室13の構造は、白金網の陰極電極13aと、チタン製のラス網13bと、オゾン耐性材からなる陰極ジャケット13cとを備えている。
(A) Manufacture of the 1st ozone water manufacturing apparatus of this invention The 1st ozone water manufacturing apparatus of this invention has the same structure as FIG. 4 mentioned above. That is, the ozone water production apparatus includes a solid polymer electrolyte membrane 11 of a fluorine-based cation exchange membrane (thickness: 300 microns, size: 10 cm × 17 cm), an anode chamber 12, and a cathode chamber 13. The anode chamber 12 is a conductive DLC film (composed of an average thickness of about 0.4 μm) so as to cover the entire circumference of a titanium wire mesh (size: 8 cm × 15 cm, a wire having a diameter of 0.4 mm knitted into 80 mesh). The anode electrode 12a on which the film method will be described later) and a lath mesh 12b made of titanium (a titanium plate having a thickness of 1 mm is processed into a lath mesh under the conditions of an aperture ratio of 50% and a mesh size of about 2 cm 2. And a maximum thickness after processing: about 2.4 mm, size: 8 cm × 15 cm) and an anode jacket 12 c made of an ozone resistant material. The structure of the cathode chamber 13 includes a platinum mesh cathode electrode 13a, a titanium lath mesh 13b, and a cathode jacket 13c made of an ozone resistant material.

導電性DLC膜は、前述した「(I)スパッタリング法」の欄に記載した方法に準じて成膜した。具体的な成膜条件は以下のとおりである。
入射エネルギー :10eV
成膜温度 :400K
ガス圧 :0.1Pa
ガスの種類 :CH4
導電性付与手段 :タングステンドープ
オゾン耐性付与手段:0.1%O2添加
The conductive DLC film was formed according to the method described in the column of “(I) Sputtering method” described above. Specific film forming conditions are as follows.
Incident energy: 10 eV
Deposition temperature: 400K
Gas pressure: 0.1 Pa
Gas type: CH 4
Conductivity imparting means: tungsten dope Ozone resistance imparting means: 0.1% O 2 added

上記の導電性DLC膜を備えた電極のバルク抵抗は、10−2Ω・cm以下であった。 The bulk resistance of the electrode including the conductive DLC film was 10 −2 Ω · cm or less.

上記オゾン生成用電極のラマンスペクトルの結果を図3に示す。ここでは、Int<1340>/Int<1580>の比(積分強度比)が0.8のDLC膜が得られた。   The result of the Raman spectrum of the electrode for ozone generation is shown in FIG. Here, a DLC film having a ratio of Int <1340> / Int <1580> (integrated intensity ratio) of 0.8 was obtained.

(B)本発明の第2のオゾン水製造装置の製造
本発明の第2のオゾン水製造装置は、前述した図7と同じ構成を有しており、前述した第1のオゾン水製造装置において、チタン製の金網を設けず、フッ素系陽イオン交換膜(厚さ:300ミクロン、サイズ:10cm×17cm)の固体高分子電解質膜11の片面に直接、平均厚さ約0.1μmの導電性DLC膜が成膜された陽極電極12aを用いたこと以外は、第1のオゾン水製造装置と同じである。ここでは、前述したUBMS法を用い、100℃以下で成膜を行なった。
(B) Production of second ozone water production apparatus of the present invention The second ozone water production apparatus of the present invention has the same configuration as that of FIG. 7 described above. Conductivity having an average thickness of about 0.1 μm directly on one side of a solid polymer electrolyte membrane 11 of a fluorine-based cation exchange membrane (thickness: 300 microns, size: 10 cm × 17 cm) without a titanium wire mesh Except that the anode electrode 12a on which the DLC film is formed is used, it is the same as the first ozone water production apparatus. Here, the film was formed at 100 ° C. or lower using the UBMS method described above.

上記の導電性DLC膜を備えた電極のバルク抵抗は、10−2Ω・cm以下であった。 The bulk resistance of the electrode including the conductive DLC film was 10 −2 Ω · cm or less.

(C)従来のオゾン水製造装置の製造
従来のオゾン水製造装置は、前述した図4と同じ構成を有しており、白金網の陽極電極12aを用いたこと以外は、本発明の第1のオゾン水製造装置と同じである。
(C) Manufacture of Conventional Ozone Water Production Device The conventional ozone water production device has the same configuration as that of FIG. 4 described above, and the first of the present invention except that the platinum mesh anode electrode 12a is used. This is the same as the ozone water production system.

上記の白金膜を備えた電極のバルク抵抗は、10−3Ω・cm以下であった。 The bulk resistance of the electrode provided with the platinum film was 10 −3 Ω · cm or less.

上記(A)〜(C)の3種類のオゾン水製造装置を用い、表1に示す条件で電解を行なったときのオゾン濃度を測定した。   Using the three types of ozone water production apparatuses (A) to (C), the ozone concentration when electrolysis was performed under the conditions shown in Table 1 was measured.

具体的には、本発明の第1および第2のオゾン水製造装置を使用するときは、活性炭で塩素を除去した水道水(水温20℃)を用い、陽極側の水流量を9.3L/分、陰極側の水流量を5L/分と一定にし、電圧:8〜11V、電流密度:0.35〜1.4A/cmの範囲内で変化させたときのオゾン水濃度(ppm)を、平沼製「オゾンカウンタZC−15」型を用いたヨウ素電量滴定法によって測定した。 Specifically, when using the first and second ozone water producing apparatuses of the present invention, tap water (water temperature 20 ° C.) from which chlorine has been removed with activated carbon is used, and the water flow rate on the anode side is set to 9.3 L / The ozone water concentration (ppm) when the water flow rate on the cathode side is kept constant at 5 L / min and the voltage is changed within the range of 8 to 11 V and the current density is 0.35 to 1.4 A / cm 2. , Measured by an iodine coulometric titration method using “Ozone Counter ZC-15” manufactured by Hiranuma.

また、従来のオゾン水製造装置を使用するときは、陰極側の水流量を4.7L/分、電圧を28V、電流密度を1A/cmに設定したこと以外は上記と同様にして電解実験を行ない、オゾン水濃度(ppm)を同様にして測定した。 In addition, when using a conventional ozone water production apparatus, an electrolysis experiment was performed in the same manner as above except that the water flow rate on the cathode side was set to 4.7 L / min, the voltage was set to 28 V, and the current density was set to 1 A / cm 2. The ozone water concentration (ppm) was measured in the same manner.

これらの結果を表1にまとめて示す。表1中、No.1〜4は、本発明の第1のオゾン水製造装置を用いたときの実験結果を、No.5〜8は、本発明の第2のオゾン水製造装置を用いたときの実験結果を、No.9は、従来のオゾン水製造装置を用いたときの実験結果を、それぞれ示している。   These results are summarized in Table 1. In Table 1, No. 1 to 4 show the experimental results when the first ozone water production apparatus of the present invention is used. Nos. 5 to 8 show the experimental results when using the second ozone water production apparatus of the present invention. 9 shows the experimental results when using a conventional ozone water production apparatus.

表1より、本発明の第1および第2のオゾン水製造装置を用いれば、従来のオゾン水製造装置を用いた場合に比べ、高濃度のオゾン水を得ることができた。   From Table 1, if the 1st and 2nd ozone water manufacturing apparatus of this invention was used, compared with the case where the conventional ozone water manufacturing apparatus was used, high concentration ozone water could be obtained.

また、本発明のオゾン水製造装置において、第1の装置と第2の装置を対比すると、導電性DLC膜が金属基材表面に成膜された第1の装置に比べ、金属基材を介さず、固体高分子電解質膜に直接成膜された第2の装置の方が、同じ電解条件でも、高濃度のオゾン水を得ることができた。   Further, in the ozone water production apparatus of the present invention, when the first apparatus and the second apparatus are compared, the metal substrate is interposed between the first apparatus and the first apparatus in which the conductive DLC film is formed on the surface of the metal substrate. First, the second apparatus formed directly on the solid polymer electrolyte membrane was able to obtain high-concentration ozone water even under the same electrolysis conditions.

図1は、固体高分子電解質膜(SPE)に用いられる代表的なオゾン水製造装置を模式的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a typical ozone water production apparatus used for a solid polymer electrolyte membrane (SPE). 図2は、ダイヤモンドおよびグラファイトのラマンスペクトルを示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing Raman spectra of diamond and graphite. 図3は、実施例1において、本発明の第1の装置に用いられる導電性DLC膜のラマンスペクトルを示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a Raman spectrum of the conductive DLC film used in the first apparatus of the present invention in Example 1. 図4は、本発明に係る第1の実施形態のオゾン水製造装置図の要部を模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram schematically showing a main part of the ozone water producing apparatus diagram of the first embodiment according to the present invention. 図5は、実施例1に用いられるチタン製金網の構成を説明する図である。FIG. 5 is a diagram for explaining the configuration of the titanium wire mesh used in the first embodiment. 図6は、実施例1に用いられるチタン製のラス網の構成を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a configuration of a lath net made of titanium used in the first embodiment. 図7は、本発明に係る第2の実施形態のオゾン水製造装置の要部を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a main part of the ozone water production apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図8は、通常のスパッタリング法におけるカソードの構造を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing the structure of the cathode in a normal sputtering method. 図9は、UBMスパッタリング法におけるカソードの構造を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing the structure of the cathode in the UBM sputtering method. 図10は、本発明に係る第1および第2の実施形態のオゾン水製造装置を模式的に示す概略図である。FIG. 10 is a schematic view schematically showing the ozone water production apparatus according to the first and second embodiments of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1、11 固体高分子電解質膜(SPE)
2 陽極
2a 金属基材
2b 金属薄膜
3 陰極
10、20 オゾン水製造装置
12 陽極室
12a 陽極電極
12b ラス網
12c 陽極ジャケット
13 陰極室
13a 陰極電極
13b ラス網
13c 陰極ジャケット
14 流路
1,11 Solid polymer electrolyte membrane (SPE)
2 Anode 2a Metal substrate 2b Metal thin film 3 Cathode 10, 20 Ozone water production device 12 Anode chamber 12a Anode electrode 12b Las network 12c Anode jacket 13 Cathode chamber 13a Cathode electrode 13b Las network 13c Cathode jacket 14 Channel

Claims (4)

固体高分子電解質膜と、前記固体高分子電解質膜を挟んで対向するように配置された陽極電極および陰極電極と、を備えたオゾン水製造装置であって、
前記陽極電極は、ダイヤモンドライクカーボンの導電性薄膜を有していることを特徴とするオゾン水製造装置。
An ozone water production apparatus comprising: a solid polymer electrolyte membrane; and an anode electrode and a cathode electrode arranged to face each other across the solid polymer electrolyte membrane,
The ozone water production apparatus, wherein the anode electrode has a conductive film of diamond-like carbon.
前記導電性薄膜は、陽極基材または前記固体高分子電解質膜の少なくとも一部を覆うように形成されている請求項1に記載のオゾン水製造装置。   The ozone water production apparatus according to claim 1, wherein the conductive thin film is formed so as to cover at least a part of the anode base material or the solid polymer electrolyte membrane. 前記導電性薄膜は、ラマン分光分析において、1340cm−1±20cm−1の範囲内、および1580cm−1±20cm−1の範囲内に明確なピークを有する請求項1または2に記載のオゾン水製造装置。 The conductive thin film, in Raman spectroscopic analysis, in the range of 1340 cm -1 ± 20 cm -1, and ozone water production according to claim 1 or 2 1580 cm -1 having a clear peak in a range of ± 20 cm -1 apparatus. 前記導電性薄膜は、ラマン分光分析において、1340cm−1±20cm−1に存在するピークの積分強度Int<1340>と1580cm−1±20cm−1に存在するピークの積分強度Int<1580>との比が下記(1)式を満足する請求項1〜3のいずれかに記載のオゾン水製造装置。
Int<1340>/Int<1580>=0.5〜1.5 ・・・ (1)
The conductive thin film, in Raman spectroscopic analysis, 1340 cm -1 of the peaks present in ± 20 cm -1 integrated intensity Int <1340> and 1580 cm -1 of the peaks present in ± 20 cm -1 integrated intensity Int <1580> with The ozone water production apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the ratio satisfies the following expression (1).
Int <1340> / Int <1580> = 0.5 to 1.5 (1)
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