JP2008243609A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】安価な封着材を用い、必要最小限の封着材の使用量のでも、安定して高い気密性を保持でき、基板の封着反りや応力破壊を防止すると共に、長期間に渡って高い表示性能を維持可能な画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像表示装置は、対向配置された前面基板１１および背面基板１２と、前面基板および背面基板の周縁部同士を互いに封着した封着部１３と、を有した外囲器を備えている。封着部は、前面基板、背面基板の周縁部に沿って延び金属で形成された枠体３０と、枠体と前面基板との間および枠体と背面基板との間に設けられた封着材３２ａ、３２ｂとを有している。枠体は、前面基板および背面基板に対向しているとともに封着材に対して親和性が高い第１表面領域３６ａと、前面基板と背面基板との間に位置しているとともに第１表面領域よりも封着材に対する親和性が低い第２表面領域３０ｃと、を有し、封着材は、第１表面領域上に設けられている。
【選択図】 図３

Description

この発明は、対向配置され基板と、一方の基板の内側に配置された多数の電子放出素子と、を有した平面型の画像表示装置に関する。

近年、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が開発されている。このような画像表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと称する）、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）、更に、ＦＥＤの一種として、表面伝導型の電子放出素子を用いた表面伝導電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）などがある。

例えばＦＥＤやＳＥＤでは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形状の枠体を介して周辺部同士を互いに接合することにより真空の外囲器を構成している。前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面には蛍光体を励起して発光させる電子放出源として多数の電子放出素子が設けられている。

背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるため、これら基板の間には複数の支持部材が配設されている。背面基板側の電位はほぼアース電位であり、蛍光面にはアノード電圧が印加される。そして、蛍光体スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体に多数の電子放出素子から放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させることによって画像を表示する。
このような表示装置では、表示装置の厚さを数ｍｍ程度にまで薄くすることができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイ用として、軽量化、薄型化を達成することができる。

前記のようなＦＥＤやＳＥＤでは、外囲器の内部を高真空にすることが必要となる。外囲器を真空にする手段として、外囲器を構成する前面基板、背面基板および枠体の最終組み立てを真空槽内にて行う方法が提案されている。

この方法では、初めに、真空槽内に配置された前面基板、背面基板、および枠体を十分に加熱しておく。これは、外囲器真空度を劣化させる主因となっている外囲器内壁からのガス放出を軽減するためである。次に、前面基板、背面基板、および枠体が冷えて真空槽内の真空度が十分に向上したところで、外囲器真空度を改善、維持させるためのゲッタ膜を蛍光面スクリーン上に形成する。その後、封着材が溶解する温度まで前面基板、背面基板、および枠体を再び加熱し、前面基板および背面基板を所定の位置に組み合わせた状態で封着材が固化するまで冷却する。

このような方法で作成された真空外囲器は、封着工程および真空封止工程を兼ねるうえ、排気管を用いて外囲器内を排気する場合のような時間を必要とせず、かつ、極めて良好な真空度を得ることができる。

しかしながら、このような真空中で組立を行う場合、封着工程で行なう処理が、加熱、位置合わせ、冷却と多岐に渡り、かつ、封着材が溶解固化する長い時間に渡って前面基板と背面基板とを所定の位置に維持し続けなければならない。また、封着時の加熱冷却に伴い前面基板および背面基板が熱膨張および熱収縮して位置合わせ精度が劣化し易いことなど、封着に伴なう生産性、特性面で問題があった。

一方、前面基板と枠体との間に比較的低温で溶融するインジウム等の導電性を有した低融点金属封着材を充填し、この封着材に通電してそのジュール熱により封着材自身を発熱、溶解させ、一対の基板および枠体を結合する方法（以下、通電加熱と称する）が検討されている（例えば、特許文献１参照）。この方法によれば、基板の冷却に膨大な時間を費やす必要がなく、短時間で基板を接合し外囲器を形成する事が可能となる。

また、枠体として金属枠を用いた場合、金属枠と封着材との親和性が悪いと、基板同士を確実に封着することが難しく、封着が不完全となってリークが生じる虞がある。そこで、金属枠の表面に金属被膜を設けることにより、封着材と金属枠との親和性を高く保つことが検討（例えば、特許文献２参照）されている。この方法によれば、安定して高い気密性を保持できる外囲器を形成する事が可能となる。
特開２００２−３１９３４６号 特開２００４−３６２９２６号

上述した従来の方法において、金属枠の表面に金属被膜を設けることで、枠表面と封着材の親和性が保たれ、封着材が枠表面を覆う事により基板同士を確実に封着することが出来る。しかし、封着材に用いるインジウム等の低融点金属封着材は希少金属であり、これを大量に使用することはコスト的な問題を抱えることになる。また、安価な低融点金属封着材、例えば、Ｓｎを用いることも考えられるが、この場合においても、封着材に諸々の希少金属を添加する必要があり、単一の希少金属を用いるほどではないが、前述のコスト的な問題を抱えることになる。

仮に封着材の充填量を少なくした場合（枠全体を覆うのに不十分である状態）、封着部の封着材の分布が不均一となり、封着が不完全となってリークが生じる虞がある。封着部にリークが生じた場合、外囲器内を高い真空度に維持することが困難となり、表示装置の表示性能劣化および寿命の低下を招く。

この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、安価な封着材を用い、必要最小限の封着材の使用量のでも、安定して高い気密性を保持でき、基板の封着反りや応力破壊を防止すると共に、長期間に渡って高い表示性能を維持可能な画像表示装置を提供することにある。

この発明の態様に係る画像表示装置は、対向配置された前面基板および背面基板と、前記前面基板および前記背面基板の周縁部同士を互いに封着した封着部と、を有した外囲器と、を備え、前記封着部は、前記前面基板および背面基板の周縁部に沿って延び金属で形成された枠体と、前記枠体と前面基板との間および前記枠体と背面基板との間に設けられた封着材とを有し、
前記枠体は、前記前面基板および背面基板に対向しているとともに前記封着材に対して親和性が高い第１表面領域と、前記前面基板と背面基板との間に位置しているとともに前記第１表面領域よりも前記封着材に対する親和性が低い第２表面領域と、を有し、前記封着材は、前記第１表面領域上に設けられている。

上記構成によれば、封着材が枠体の第２表面領域に漏出することを防止し、安価で安定して高い気密性を保持でき、長期間に渡って高い表示性能を維持可能な画像表示装置を提供することができる。

以下図面を参照しながら、この発明の画像表示装置をＳＥＤに適用した実施形態について詳細に説明する。
図１および図２に示すように、ＳＥＤは、それぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板１１、および背面基板１２を備え、これらの基板は所定の間隔で対向配置されている。第２基板としての背面基板１２は、第１基板としての前面基板１１よりも大きな寸法に形成されている。前面基板１１および背面基板１２は、封着部１３を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された偏平な外囲器１０を構成している。後述するように、封着部１３は、矩形状の枠体と、封着材とを備えている。

外囲器１０の内部には、前面基板１１および背面基板１２に加わる大気圧荷重を支えるため、複数の板状の支持部材１４が設けられている。これらの支持部材１４は、外囲器１０の一辺と平行な方向にそれぞれ延在しているとともに、上記一辺と直交する方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。各支持部材１４の長手方向両端部は、それぞれ封着部１３と隙間を置いて対向している。なお、支持部材は、板状に限らず、柱状としてもよい。

図２に示すように、前面基板１１の内面には、表示面として機能する蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、赤、緑、青の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、およびこれらの蛍光体層間に位置した黒色の遮光層を並べて構成されている。赤、緑、青の３色の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、第１方向に隙間を置いて交互に並んで形成され、同一色の蛍光体層が第１方向と直交する第２方向に隙間を置いて配列されている。蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂはそれぞれ、赤、緑、青の単色でサブピクセルを構成し、３色のサブピクセルを合わせて一画素を構成している。

蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム膜等からなるメタルバック層１７が形成されて、このメタルバック層に重ねてゲッタ膜１８が形成されている。
背面基板１２の内面上には、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子源として、複数の電子放出素子２０が配置される。これらの電子放出素子２０は、前面基板蛍光画素に対応して複数列および複数行に配列されている。背面基板１２上には、それぞれ電子放出素子２０に電位を供給する多数の配線２１が設けられ、これら配線の端部は、背面基板の周縁部に引き出されている。

次に、封着部１３の構成について詳細に説明する。図２および図３に示すように、封着部１３は、矩形状に形成され、前面基板１１および背面基板１２の周縁部の全周に亘って延びた枠体３０、枠体と前面基板１１との間を封着した封着材層３２ａ、および枠体と背面基板１２との間を封着した封着材層３２ｂを有している。前面基板１１の周縁部に位置した矩形状の封着面３１ａおよび前面基板１１の周縁部に位置した矩形状の封着面３１ｂには、例えばＡｇからなる下地層３４ａ、３４ｂが形成されている。封着材層３２ａ、３２ｂは、下地層３４ａ、３４ｂ上に重ねてそれぞれ形成されている。

枠体３０は金属により形成され、前面基板１１の表面と直交する方向に断面形状は、ほぼ矩形状に形成されている。枠体３０の材質としては、基板を構成するガラスと熱膨張係数がほぼ等しいＮｉＦｅ合金が用いられている。

枠体３０は、前面基板１１にほぼ平行に対向した上面３０ａ、背面基板１２にほぼ平行に対向した下面３０ｂ、前面基板および背面基板に対してほぼ垂直に延びた一対の側面３０ｃを有している。枠体３０の上面３０ａおよび下面３０ｂの一定の領域は、封着材に対して親和性および濡れ性が高い金属被膜３６ａ、３６ｂにより被覆され、それぞれ第１表面領域を構成している。金属被膜３６ａ、３６ｂは、例えば、メッキにより形成されている。

一定の領域とは、例えば、枠体３０の上面３０ａおよび下面３０ｂにおいて、両側縁部を除き、幅方向の５０〜９０％の領域であり、この領域に金属被膜３６ａ、３６ｂが設けられている。金属被膜３６ａ、３６ｂの領域幅は、封着材金属材質、充填量、封着条件により適宜調整される。金属被膜３６ａ、３６ｂとしては、例えば、Ａｇを用いた。

前面基板１１および背面基板１２に接していない枠体３０の両側面３０ｃは、いずれも金属被膜で被覆されていない非被膜領域であり、枠体の上面３０ａおよび下面３０ｂよりも、封着材に対する親和性が低い、つまり、封着材となじみ難い、第２表面領域を構成している。

封着材層３２ａは、金属被膜３６ａ上に形成され、この金属被膜３６ａと前面基板１１側の下地層３４ａとの間に充填されている。封着材層３２ｂは、金属被膜３６ｂ上に形成され、この金属被膜３６ｂと背面基板１２側の下地層３４ｂとの間に充填されている。

封着材としては、融点が約３５０℃以下で密着性、接合性に優れた低融点、低ヤング率の金属材料を使用することが望ましい。本実施形態では、封着材として、枠体３０の金属被膜３６ａ、３６ｂおよび下地層３４ａ、３４ｂとの密着性を調整した金属材料、例えば、インジウムよりはるかに安価なスズに数種類の添加金属を加えたものを用いている。

そして、枠体３０と前面基板１１との間、および枠体と背面基板１２との間は、それぞれ下地層、封着材層および金属被膜により封着されている。従って、前面基板１１および背面基板１２の周縁部は、枠体３０を含む封着部１３により互いに気密に封着されている。

次に、上記のように構成されたＳＥＤの製造方法、特に、製造過程における封着部の形成について詳細に説明する。
まず、前面基板１１となる板ガラスに蛍光体スクリーン１６を形成する。続いて、背面基板用の板ガラスに電子放出素子２０および配線２１を形成する。次に、電子放出素子２０の形成された背面基板１２上に、大気中で、複数の支持部材１４を低融点ガラスにより封着する。なお、蛍光体スクリーン１６には高電圧が印加されるため、前面基板１１、背面基板１２、および支持部材１４用の板ガラスには、高歪点ガラスを使用している。

次に、矩形枠状の枠体３０を形成する。枠体３０の材料としては、基板を構成するガラスと熱膨張係数がほぼ等しいＮｉＦｅ合金を用いた。続いて、枠体３０の上面３０ａおよび下面３０ｂにＡｇメッキ処理を行う。この場合、まず、ＮｉＦｅ合金の枠体３０を純水およびアルコールで洗浄して乾燥する。そして、電解メッキ処理により、Ａｇメッキ層からなる金属被膜３６ａ、３６ｂをそれぞれ枠体３０の上面３０ａおよび下面３０ｂに形成する。なお、メッキ層の付着性を向上させるため、枠体３０の表面に０．０１〜１μｍの凹凸をもうけてもよい。

次に、前面基板１１の内面周縁部に位置した封着面３１ａ、および背面基板１２の内面周縁部に位置した封着面３１ｂに、スクリーン印刷法により銀ペーストをそれぞれ塗布し、枠状の下地層３４ａ、３４ｂを形成する。続いて、各下地層３４ａ、３４ｂの上に、導電性を有した金属封着材として、スズに数種類の添加金属を加えたものを塗布し、それぞれ下地層の全周に亘って延びた封着材層３２ａ、３２ｂを形成する。なお、金属封着材としては、融点が約３５０℃以下で密着性、接合性に優れた低融点金属材料を使用することが望ましい。

次に、封着面３１ａに下地層３４ａおよび封着材層３２ａが形成された前面基板１１と、支持部材１４が固定されているとともに封着材層３２ｂの上に枠体３０が載置された背面基板１２とを、封着面３１ａ、３１ｂ同士が向かい合った状態で、かつ、所定の距離をおいて対向した状態で治具等により保持する。この状態で前面基板１１および背面基板１２を図示しない真空処理装置に投入する。

真空処理装置内において、高真空度に達した時点で、背面基板１２および前面基板１１を３００℃から４５０℃程度の温度に加熱してベーキングし、各部材の表面吸着ガスを十分に放出させる。この温度では封着材が溶融する。この際、封着材層は親和性の高い下地層３４ａ、３４ｂ上に形成されているため、封着材が流動することなく下地層上に保持される。そして、溶融した封着材により、枠体３０と背面基板１２とが接合される。以後、枠体３０が接合された背面基板１２を背面基板側組立体と称する。

続いて、前面基板側組立体および背面基板１２は、例えば約１００℃の温度まで冷却された後、ゲッタ膜の蒸着室へ送られ、ここで蛍光体スクリーン１６およびメタルバック層１７上にゲッタ膜としてＢａ膜が蒸着形成される。

次に、前面基板側組立体および背面基板１２は組立室に送られ、ここで２００℃まで加熱される。これにより、封着材層３２ａ、３２ｂが再び液状に溶融あるいは軟化する。この状態で、封着材層３２ａ、３２ｂを挟んで枠体３０と前面基板１１および背面基板１２とを接合し、互いに接近する方向に所定の圧力で加圧する。この際、加圧された溶融状態の封着材の一部は、枠体３０表面全体に流れ広がろうとするが、封着材は金属被膜領域３６ａ、３６ｂと親和性が高いことから、これらの金属被膜領域からはみ出しにくい。封着材が若干のはみ出しが発生したとしても、枠体３０は非金属被膜領域を有するため、封着材の枠体側面３０ｃへのはみ出しが防止される。また、枠幅、金属被膜領域３６ａ、３６ｂの長さを適宜調整することで、最適な封着材層３２ａ、３２ｂを得ることが出来る。

その後、封着材層３２ａ、３２ｂを除冷して固化させる。これにより、前面基板１１と背面基板１２と枠体３０とが、封着材層３２ａ、３２ｂによって封着され、真空外囲器１０が形成される。凝固した封着材層３２ａ、３２ｂは、前面基板１１側および背面基板１２側のいずれにおいても、枠体３０の断面幅以下に維持される。また、枠体３０の側面３０ｃにはみ出す余分な封着材が軽減されることで、封着材の使用量を最小限におさえ、コスト増加が抑制される。

以上のように構成された本実施例の画像表示装置によれば、真空雰囲気中で前面基板１１および背面基板１２の封着を行なうことにより、高い真空度を維持し、長期間に渡って優れた表示性能を発揮する画像表示装置が得られる。更に、５０インチ以上の大型の画像表示装置であっても、容易にかつ確実に封着でき、優れた量産性を得ることができる。

また、封着部１３を構成する枠体３０には、金属被膜３６ａ、３６ｂが形成され、この金属被膜は封着材と親和性が非常に良い。そのため封着層にＳｎ合金を用いても確実に封着することができる。

さらに、Ｓｎ等の安価な低融点金属材を封着材層に用いた場合でも、金属枠と封着材との熱膨張差に起因する基板応力の発生を抑制することができる。すなわち、前述のように枠体の上面および下面から枠体の側面への封着材のはみ出しを防止できるため、図４に示すように、枠体３０側面での封着材の熱収縮による応力Ｐの発生を抑制し、基板の封着反りや、基板の応力破壊を防止することができる。

以上のことから、安価な封着材を用い、従来と比較して必要最小限の封着材の使用量のでも、安定して高い気密性を保持でき、基板の封着反りや応力破壊を防止すると共に、長期間に渡って高い表示性能を維持可能な画像表示装置が得られる。

なお、上述した実施形態において、枠体３０としてＮｉＦｅ合金を用いたが、これに限らず、枠体の形成材料は、金属被膜処理が可能で、かつ、前面基板および背面基板との熱膨張係数が比較的近ければ良く、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔｉの何れか含む単体もしくは合金等の金属を用いることができる。

金属被膜３６ａ、３６ｂはＡｇに限らず、金属封着材との親和性が高く、気密性を保持するのに優れていればよく、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｉｎの少なくとも１つを含む金属あるいは合金を用いることができる。封着材はＳｎ合金に限るものではなく、ＩｎまたはＧａの単体あるいはいずれかを含む合金を用いることができる。更に、枠体に金属被膜を形成する方法は、メッキ処理に限らず、ＣＶＤ、ＰＶＤ等の蒸着処理やスパッタ処理を用いてもよい。

上述した実施形態において、枠体３０の金属被膜の形状は一様な幅を有した帯状としたが、これに限らず、例えば、図５（ａ）、（ｂ）に示すような、長手方向の中央部が細く、両端部が太い形状の金属被膜、あるいは、蛇行して延びた金属薄膜としてもよい。また、枠体３０は中実のものに限らず、中空の構造としてもよい。

上述した実施形態において、枠体の第１表面領域、つまり、枠体の上面および下面に金属被膜を設け、第２表面領域、つまり、両側面に金属被膜を形成しない構成としたが、封着材に対する第２表面領域の親和性を低くする目的で、第２表面領域に多数の凹凸を形成してもよく、あるいは、第２表面領域を酸化膜で被覆する構成としてもよい。

上述した実施形態において、真空外囲器の製造時、真空雰囲気中で枠体と前面基板との間、および枠体と背面基板との間をスズ合金（Ｓｎ合金）からなる封着材で封着する構成としたが、予め、一方の封着部を、インジウム等の封着材、あるいは低融点ガラスにより大気中で接合した後、残った封着部を前述した工程により真空雰囲気中で接合する構成としてもよい。

前述した実施形態において、前面基板および背面基板を接合する際、これらの基板を組立室内で２００℃程度まで加熱して封着材層を溶融あるいは軟化させる構成としたが、基板全体を加熱する代わりに、通電加熱により封着材層を溶融あるいは軟化させてもよい。すなわち、前面基板および背面基板を互いに接近する方向に加圧し封着材層間に枠体を挟んだ状態で、枠体に通電してジュール熱により発熱させ、この熱により封着材層３２ａ、３２ｂを溶解して基板を封着する構成としてもよい。この場合、枠体３０は導電性を有した材料で形成する。また、この場合、枠体３０を中空構造とすることにより、抵抗が高く発熱し易い構造とすることができ、通電量の低減を図ることが可能となる。同時に、枠体の熱容量が小さくなり、前面基板および背面基板の封着後、短時間で矩形枠を冷却することができる。その結果、製造効率向上を図ることが可能となる。

あるいは、枠体３０に代えて、直接、封着材層３２ａ、３２ｂに通電しジュール熱により封着材層３３を溶融あるいは軟化させ、基板を封着する構成としてもよい。

その他、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

例えば、上述した実施形態では、電子放出素子として表面伝導型の電子放出素子を用いたが、これに限らず、ｐｎ型の冷陰極素子あるいは電界放出型の電子放出素子等の他の電子放出素子を用いてもよい。また、この発明は、ＦＥＤやＳＥＤなどの真空外囲器を必要とする表示装置に限るものではなく、ＰＤＰエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等の他の画像表示装置にも適用可能である。

図１は、この発明の実施形態に係るＳＥＤを一部破断して示す斜視図。 図２は、図１の線Ａ−Ａに沿った前記ＳＥＤの断面図。 図３は、前記ＳＥＤの封着部を拡大して示す断面図。 図４は、前記ＳＥＤの封着部における応力の発生状態を概略的に示す断面図。 図５は、この発明の他の実施形態に係る金属被膜パターンを示す斜視図。

符号の説明

１０…真空外囲器、１１…前面基板、１２…背面基板、１３…封着部、
１４…支持部材、１６…蛍光体スクリーン、１７…メタルバック層、
２０…電子放出素子、３０…枠体、３１ａ、３１ｂ…封着面、
３２ａ、３２ｂ…封着材層、３６ａ、３６ｂ…金属被膜、３４ａ、３４ｂ…下地層、

Claims (14)

1. 対向配置された前面基板および背面基板と、前記前面基板および前記背面基板の周縁部同士を互いに封着した封着部と、を有した外囲器と、を備え、
   前記封着部は、前記前面基板および背面基板の周縁部に沿って延び金属で形成された枠体と、前記枠体と前面基板との間および前記枠体と背面基板との間に設けられた封着材とを有し、
   前記枠体は、前記前面基板および背面基板に対向しているとともに前記封着材に対して親和性が高い第１表面領域と、前記前面基板と背面基板との間に位置しているとともに前記第１表面領域よりも前記封着材に対する親和性が低い第２表面領域と、を有し、前記封着材は、前記第１表面領域上に設けられている画像表示装置。
2. 前記枠体の第１表面領域は、前記封着材に対する親和性を有する金属被膜で被覆された被膜領域により構成され、前記第２表面領域は、金属被膜が被覆されていない非被膜領域により構成されている請求項１に記載の画像表示装置。
3. 前記枠体の第２表面領域には多数の凹凸が形成されている請求項１に記載の画像表示装置。
4. 前記枠体の第２表面領域は、酸化膜で被覆されている請求項１に記載の画像表示装置。
5. 前記枠体は、前記前面基板および背面基板の基板面と直行する方向の断面がほぼ矩形状に形成され、前記前面基板および背面基板と対向する枠体の上面および下面に金属被膜を有し、前記前面基板および背面基板と対向しない枠体の両側面には金属被膜を有していない請求項１に記載の画像表示装置。
6. 前記金属被膜は、少なくともＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｉｎの１つを含む金属で形成されている請求項２又は５に記載の画像表示装置。
7. 前記金属被膜はメッキ層で形成されている請求項２、５、６のいずれか1項に記載の平面型画像表示装置。
8. 前記枠体は、少なくともＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔの１つを含む金属で形成されている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の画像表示装置。
9. 前記枠材は、少なくともＮｉ、Ｆｅ、Ｔｉの１つを含む純金属または合金で形成されている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の画像表示装置。
10. 前記枠体の表面は、０．０１〜１μｍの凹凸を有している請求項１又は２に記載の画像表示装置。
11. 前記封着材は導電性を有している請求項１に記載の画像表示装置。
12. 前記封着材は、スズあるいはスズを主成分とする合金である請求項１に記載の画像表示装置。
13. 前記封着材は、インジウムあるいはインジウムを含む合金である請求項１に記載の画像表示装置。
14. 前記前面基板の内面に設けられた蛍光体層と、前記背面基板の内面上に設けられ前記蛍光体層を励起する複数の電子源とを備えている請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の画像表示装置。

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